| 特許番号 | 権利者 | タイトル | タイトル和訳 | 発行日 |
| US6082208 | Sandia Corporation Albuquerque NM [US] | Method for fabricating five-level microelectromechanical structures and microelectromechanical transmission formed | 五層MEMS構造の作製法および作製された電子機械式トランスミッション装置 | 20000704 |
| US6136630 | The Regents of the University of Michigan Ann Arbor MI [US] | Method of making a micromechanical device from a single crystal semiconductor substrate and monolithic sensor formed thereby | 単結晶半導体基板からのＭＥＭＳ作製方法及びモノリシックに形成されたセンサー | 20001024 |
| US6362512 | Xerox Corporation Stamford CT [US] | Microelectromechanical structures defined from silicon on insulator wafers | ＳＯＩウエハより形成された電子機械構造 | 20020326 |
| US6436794 | Hewlett-Packard Company Palo Alto CA [US] | Process flow for ARS mover using selenidation wafer bonding before processing a media side of a rotor wafer | ローターウエハの記録側のプロセス以前にセレン化ウエハボンディング法を用いるARS移動子のプロセスフロー | 20020820 |
| US6440820 | Hewlett Packard Company Palo Alto CA [US] | Process flow for ARS mover using selenidation wafer bonding after processing a media side of a rotor wafer | ローターウエハの記録側の形成後にセレン化ウエハボンディング法を用いるARS移動子のプロセスフロー | 20020827 |
| US6479320 | Raytheon Company Lexington MA [US] | Vacuum package fabrication of microelectromechanical system devices with integrated circuit components | MEMSデバイスと集積回路部品との真空パッケージ形成法 | 20021112 |
| US6512300 | Raytheon Company Lexington MA [US] | Water level interconnection | ウエハレベル配線 | 20030128 |
| US6531331 | Sandia Corporation Albuquerque NM [US] | Monolithic integration of a MOSFET with a MEMS device | MOSFETとMEMSデバイスのモノリシック集積化 | 20030311 |
| US6559530 | Raytheon Company Lexington MA [US] | Method of integrating MEMS device with low-resistivity silicon substrates | 低抵抗率シリコン基板を用いたMEMSの集積化法 | 20030506 |
| US6624003 | Teravicta Technologies Inc. Austin TX [US] | Integrated MEMS device and package | 集積化MEMSとそのパッケージ | 20030923 |
| US6633079 | Raytheon Company Lexington MA [US] | Wafer level interconnection | ウエハレベル配線 | 20031014 |
| US6648453 | Silverbrook Research Pty Ltd Balmain [AU] | Ink jet printhead chip with predetermined micro-electromechanical systems height | あらかじめ定められたMEMS高さによるインクジェットプリントヘッド | 20031118 |
| US6667558 | The Regents of the University of Michigan Ann Arbor MI [US] | Module and method of making same | モジュールおよびその製法 | 20031223 |
| US6673697 | Intel Corporation Santa Clara CA [US] | Packaging microelectromechanical structures | 電子機械構造のパッケージ法 | 20040106 |
| US6674159 | Sandia National Laboratories Albuquerque NM [US] | Bi-level microelectronic device package with an integral window | 集積化された開口部を有する二層のマイクロエレクトロニクスデバイス | 20040106 |
| US6750521 | Delphi Technologies Inc. Troy MI [US] | Surface mount package for a micromachined device | マイクロマシンデバイスの表面マウントパッケージ法 | 20040615 |
| US6750775 | 個人 | Integrated sensor having plurality of released beams for sensing acceleration and associated methods | 加速度を関知するための複数の開放された梁（ビーム）を有する集積化センサーおよびその分離法 | 20040615 |
| US6756138 | Sensonor ASA Horten [NO] | Micro-electromechanical devices | センサ用MEMS、および、数層の基板から作製される方法 | 20040629 |
| US6767757 | Samsung Electronics Company Ltd. Suwon-si [JP] | High-vacuum packaged microgyroscope and method for manufacturing the same | 高真空下でパッケージされたマイクロジャイロスコープおよびその製法 | 20040727 |
| US6770503 | The Charles Stark Draper Laboratory Inc. Cambridge MA [US] | Integrated packaging of micromechanical sensors and associated control circuits | 微小機械センサの集積化パッケージおよびそのコントロール法 | 20040803 |
| US6770569 | Freescale Semiconductor Inc. Schaumburg IL [US] | Low temperature plasma Si or SiGe for MEMS applications | MEMS応用の低温プラズマSiおよびSIGe | 20040803 |
| US6773566 | Nanolytics Inc. Raleigh NC [US] | Electrostatic actuators for microfluidics and methods for using same | マイクロ流体用静電アクチュエータおよびその製法 | 20040810 |
| US6774327 | Agilent Technologies Inc. Palo Alto CA [US] | Hermetic seals for electronic components | 電子部品のハーメチックシール | 20040810 |
| US6780672 | Lockheed Martin Corporation Bethesda MD [US] | Micro eletro-mechanical component and system architecture | 微小電子機械部品およびそのシステム構成 | 20040824 |
| US6784028 | Nantero Inc. Woburn MA [US] | Methods of making electromechanical three-trace junction devices | 電子機械式スリートレイス接合デバイスの製法 | 20040831 |
| US6787804 | AU Optronics Corporation Hsin-Chu [TW] | Semiconductor acceleration sensor | 半導体加速度センサ | 20040907 |
| US6793829 | Honeywell International Inc. Morristown NJ [US] | Bonding for a micro-electro-mechanical system (MEMS) and MEMS based devices | MEMSのボンディングおよびMEMSベースデバイス | 20040921 |
| US6794725 | Xerox Corporation Stamford CT [US] | Amorphous silicon sensor with micro-spring interconnects for achieving high uniformity in integrated light-emitting sources | 集積化された発光源で高均一性を得るため マイクロスプリング配線を有するアモルファスシリコンセンサー | 20040921 |
| US6800912 | Corporation for National Research Initiatives Reston VA [US] | Integrated electromechanical switch and tunable capacitor and method of making the same | 集積化された電子機械式スイッチと可変キャパシタおよびその製法 | 20041005 |
| US6808955 | Intel Corporation Santa Clara CA [US] | Method of fabricating an integrated circuit that seals a MEMS device within a cavity | キャビティを有するＭＥＭＳデバイスをシールした集積回路の製法 | 20041026 |
| US6829814 | Delphi Technologies Inc. Troy MI [US] | Process of making an all-silicon microphone | オールシリコン製マイクロフォンの製法 | 20041214 |
| US6829937 | VTI Holding Oy [FI] | Monolithic silicon acceleration sensor | モノリシックシリコン加速度センサ | 20041214 |
| US6835589 | International Business Machines Corporation Armonk NY [US] | Three-dimensional integrated CMOS-MEMS device and process for making the same | 三次元に集積化されたCMOS-MEMSデバイスおよびその製法 | 20041228 |
| US6841453 | STMicroelectronics S.r.l. Agrate Brianza [IT] | Process for manufacturing integrated devices having connections on a separate wafer and integrated device thus obtained | 分離ウエハ上に接続を有する集積デバイスを作製するためのプロセスおよびその方法で得られた集積化デバイス | 20050111 |
| US6841838 | HRL Laboratories LLC Malibu CA [US] | Microelectromechanical tunneling gyroscope and an assembly for making a microelectromechanical tunneling gyroscope therefrom | MEMS式トンネリングジャイロスコープおよびMEMS式トンネリングジャイロスコープを作製するためのアッセンブリ | 20050111 |
| US6844623 | Sandia Corporation Albuquerque NM [US] | Temporary coatings for protection of microelectronic devices during packaging | パッケージ中のマイクロエレクトロニクスデバイスの一時的な保護膜 | 20050118 |
| US6844959 | Reflectivity Inc Sunnyvale CA [US] | Spatial light modulators with light absorbing areas | 光吸収域を有する空間的な光変調器 | 20050118 |
| US6846690 | STMicroelectronics S.A. Montrouge [FR] | Integrated circuit comprising an auxiliary component for example a passive component or a microelectromechanical system placed above an electronic chip and the corresponding fabrication process | 電子チップ上に配置された、例えば、受動素子、MEMSなどの予備デバイスからなる集積化デバイスおよびその製法 | 20050125 |
| US6861205 | Battelle Memorial Institute Richland WA [US] | Three dimensional microstructures and method of making | 三次元微細構造およびその製法 | 20050301 |
| US6861277 | Hewlett-Packard Development Company L.P. Houston TX [US] | Method of forming MEMS device | MEMSデバイスの作製法 | 20050301 |
| US6865944 | Honeywell International Inc. Morristown NJ [US] | Methods and systems for decelerating proof mass movements within MEMS structures | MEMS構造中の試験質量の減速方法とそのシステム | 20050315 |
| US6878626 | Analog Devices Inc. Norwood MA [US] | TiW platinum interconnect and method of making the same | TiW、白金配線およびその作製方法 | 20050412 |
| US6892582 | "Hitachi | Ltd. | Tokyo [JP | |
| Hitachi Car Engineering Company | Ltd. | Hitachinaka [JP]" | Semiconductor pressure sensor and pressure sensing device | 半導体圧力センサーおよび圧力感知デバイス |
| US6897551 | SAES Getters S.p.A. Milan [IT] | Support for microelectronic microoptoelectronic or micromechanical devices | マイクロエレクトロニクス、マイクロフォトエレクトロニクス、または微小機械デバイス | 20050524 |
| US6900072 | Reflectivity Inc. Sunnyvale CA [US] | Method for making a micromechanical device by using a sacrificial substrate | 犠牲用基板を使用した微小機械デバイスの製造方法 | 20050531 |
| US6906392 | paragon Delbruck [DE] | Micromechanical component | 微小機械部品 | 20050614 |
| US6906847 | Reflectivity INC Sunnyvale CA [US] | Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas | 光遮蔽・吸収域を有する空間光変調器 | 20050614 |
| US6906850 | Texas Instruments Incorporated Dallas TX [US] | Capacitively coupled micromirror | 容量結合型マイクロミラー | 20050614 |
| US6912082 | Palo Alto Research Center Incorporated Palo Alto CA [US] | Integrated driver electronics for MEMS device using high voltage thin film transistors | 高電圧薄膜トランジスタを用いたＭＥＭＳデバイス用の集積化駆動エレクトロニクス | 20050628 |
| US6916728 | Freescale Semiconductor Inc. Schaumburg IL [US] | Method for forming a semiconductor structure through epitaxial growth | エピタキシャル成長による半導体構造の形成方法 | 20050712 |
| US6917459 | Hewlett-Packard Development Company L.P. Houston TX [US] | MEMS device and method of forming MEMS device | MEMSデバイスおよびMEMSデバイスの形成方法 | 20050712 |
| US6927482 | General Electric Company Plainville CT [US] | Surface mount package and method for forming multi-chip microsensor device | 表面マウントパッケージおよびマルチチップセンサーデバイスの形成方法 | 20050809 |
| US6930368 | Hewlett-Packard Development Company L.P. Houston TX [US] | MEMS having a three-wafer structure | 三層のウエハ構造を有するMEMS | 20050816 |
| US6933163 | Analog Devices Inc. Norwood MA [US] | Fabricating integrated micro-electromechanical systems using an intermediate electrode layer | 中間電極層を用いた集積化MEMSの製造方法 | 20050823 |
| US6936491 | Robert Bosch GmbH Stuttgart [DE] | Method of fabricating microelectromechanical systems and devices having trench isolated contacts | MEMSの製造方法およびトレンチ分離コンタクトを有するデバイス | 20050830 |
| US6936918 | Analog Devices Inc. Norwood MA [US] | MEMS device with conductive path through substrate | 基板に導通路を有するMEMSデバイス | 20050830 |
| US6943448 | Akustica Inc. Pittsburgh PA [US] | Multi-metal layer MEMS structure and process for making the same | 多層メタルMEMSとその作製プロセス | 20050913 |
| US6951768 | HRL Laboratories LLC Malibu CA [US] | Single crystal dual wafer tunneling sensor or switch with substrate protrusion and a method of making same | 単結晶、二層ウエハ、基板の突起を有するトンネリングセンサーまたはスイッチ、およびそれらの製法 | 20051004 |
| US6953982 | California Institute of Technology Pasadena CA [US] | Flexible skin incorporating MEMS technology | フレキシブル基板に対応したMEMS | 20051011 |
| US6956268 | Reveo Inc. Elmsford NY [US] | MEMS and method of manufacturing MEMS | MEMSおよびMEMSの作製方法 | 20051018 |
| US6956274 | Analog Devices Inc. Norwood MA [US] | TiW platinum interconnect and method of making the same | TiW、白金配線およびその作製方法 | 20051018 |
| US6958123 | Reflectivity INC Sunnyvale CA [US] | Method for removing a sacrificial material with a compressed fluid | 圧縮流体による犠牲材料の除去方法 | 20051025 |
| US6960488 | The Regents of the University of California Oakland CA [US] | Method of fabricating a microfabricated high aspect ratio device with electrical isolation | 電気的に分離された微細に作製された高アスペクト比デバイスの製造方法 | 20051101 |
| US6960536 | Robert Bosch GmbH Stuttgart [DE] | Method for producing integrated microsystems | 集積化マイクロデバイスの製造方法 | 20051101 |
| US6961257 | Movaz Networks Inc. Norcross GA [US] | Content addressable control system | 内容にアドレス可能なコントロールシステム | 20051101 |
| US6964882 | Analog Devices Inc. Norwood MA [US] | Fabricating complex micro-electromechanical systems using a flip bonding technique | フリップボンディング技術を用いた複合ＭＥＭＳの製法 | 20051115 |