MEMS/半導体の一体形成技術(A2)

No. 公開／公表番号 出願日 出願人 発明（考案）名称 A分類 分類 発明相応図 国際出願日 国際公開番号 要約
1 2000-065665 1999/08/11 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト マイクロマシンセンサおよび該センサの製造方法 A2 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 マイクロマシンセンサにおいて、簡単に製造可能であり、その上に半導体回路を簡単に取り付けることができ、さらに製造時に製品品質を損なうこなく完成させることができるようにする。【解決手段】 チップ上に集積された電子回路が設けられており、中空室１２と膜１３と対向電極１４と換気用開口部７を有している。この換気用開口部７により、中空室内が周囲と連通している。換気用開口部７はウェハの上面方向に配向されており、対向電極はチップ面全体にわたる平坦な層５の一部分である。この平坦の層の上に半導体電子回路１１が周知の半導体技術によって取り付けられる。
2 2000-150251 1999/09/09 ルーセント　テクノロジーズ　インコーポレイテッド 受動自己組立てインダクタを有する物品 A2 PI01 FP

(57)【要約】【課題】 モノリシック集積可能なＭＥＭＳ型インダクタを実現する。【解決手段】 インダクタ１０２は、受動自己組立て手段を含む少なくとも２個の導電性サポート１１０，１１４によって、１巻回以上が基板１００の上方に懸垂された導電性ループ１０４からなる。一実施例では、受動自己組立て手段は、導電性サポート１１０，１１４上に設けられた高レベルの固有応力を有する層を含む。応力層は、導電性サポート１１０，１１４の構造層（例えばポリシリコン）の上に堆積される。インダクタ１０２のサポートなどの構造が、ある犠牲層を除去することによって製造プロセス中に「解放」されると、応力層が収縮して残留歪みを小さくする。その結果、導電性ループが付属するサポートの自由端に上向きの力がかかる。結果として、サポートおよびループが、基板１００から離れて持ち上がる。
3 2000-176900 1999/12/14 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 金属製のマイクロ構成素子をカプセル封止するための方法 A2 PH03 FP

(57)【要約】【課題】 チップ面を節約し、最終製品を安価にする。【解決手段】 評価回路２を有する基板ウェーハ１上に金属製のマイクロ構成素子３，４を配置し、保護キャップウェーハ５に結合媒体７を被着させ、保護キャップウェーハ５を基板ウェーハ１に被せる前に保護層６を設け、結合媒体７を直接、評価回路２の上に位置させる。
4 2000-210900 1999/05/10 ロックウェル　サイエンス　センター，　エルエルシー 電気絶縁性の高いマイクロ・エレクトロメカニカルデバイスの製造方法 A2 PFX FP

(57)【要約】 （修正有）【課題】片持支持式ビーム等のマイクロ・エレクトロメカニカルデバイスを製造する。【解決手段】キャリヤ基板として絶縁ガラス基板を使用し、ＭＥＭコンポーネント材料として単結晶シリコンを使用し、シリコン基板上で生成されるドーピングされたシリコン層１０８の上面に二酸化シリコン等の絶縁材料のオプション層を堆積させる。二酸化シリコンはガラス基板１０２にエポキシ結合されて、シリコン−二酸化シリコン−エポキシ−ガラス構造を作る。シリコンは、異方性プラズマ乾式エッチング技術を使ってパターニングされ、次に、二酸化シリコン層１１０をパターニングするために第２パターニングが続き、酸素プラズマエッチングをし、エポキシ樹脂フィルムをアンダーカットし、シリコンＭＥＭコンポーネントを解放する。選択されたエリアに二酸化シリコン絶縁材料を保持することによって、ＭＥＭコンポーネントを機械的に支持する。
5 2000-233400 2000/02/09 エスティーマイクロエレクトロニクス　エス．アール．エル 残留応力を伴わない電気機械的超小型構造体を含む集積装置及びその製造方法 A2 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 残留応力を除去し又は相当に低減し得る超小型集積構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体材料の基板（２０）上に犠牲領域（２１）を形成し、そしてエピタキシャル層（２５）が成長し、その後、電気機械的超小型集積構造体が形成されるエピタキシャル層（２５）の領域（３３）を囲んで応力解放溝（３１）が形成され、その後、残留応力を解放するために、ウェハ（２８）が熱処理される。引き続いて、応力解放溝（３１）に誘電体材料のシール領域が充填され、そして集積構成素子が形成される。最後に、シール領域で囲まれた領域の内側に超小型構造体を画定する溝が形成され、その後、犠牲領域が除去され、そして、残留応力のない超小型集積構造体が形成される。
6 2001-009799 2000/03/22 エスティーマイクロエレクトロニクス　エス．アール．エル 埋込接続を備えた微小集積構造、特に、ハードディスクドライブユニット用の集積マイクロアクチュエータを製造する方法 A2 PIX FP

(57)【要約】【課題】 実用的なバイアス電圧値を増大することである。【解決手段】 本方法は、微小集積構造、概してハードディスクドライブユニット用のマイクロアクチュエータであり、半導体材料の基板３１内に内部接続領域３２ａ，３２ｂを形成し、単結晶質エピタキシャル領域３３を形成し、単結晶質エピタキシャル領域内で内部接続領域に直接接触する下方食い込み領域３５ａ，３５ｂを形成し、単結晶質エピタキシャル領域３３の構成部に絶縁材領域４０，４１を形成し、単結晶質エピタキシャル領域の構成部の上方に多結晶質部４５′と、他の場所では単結晶質部４５″とで形成された擬似エピタキシャル領域４５を成長させ、多結晶質部内で下方食い込み領域に直接接触する上方食い込み領域４６，４７を形成するステップを含む。これにより、擬似エピタキシャル領域の多結晶質部４５′の内部にＰＮ接続が存在せず、構造が高い破壊電圧を有する。
7 2001-113500 1999/10/14 セイコーエプソン株式会社 半導体基板上に構造物を有する装置の製造方法 A2 DA01 PI01 FP

(57)【要約】【課題】 樹脂の構造物をアクチュエータの上部にもつ光スイッチング素子を製造できる方法を提供する。【解決手段】 アクチュエータ部６あるいは樹脂製の光学素子部３を形成するときの犠牲層３２および３４をアモルファスシリコンにして、光学素子部３、半導体基板２０などに影響を与えないで犠牲層３２および３４をフッ化ガス４８により除去できるようにする。
8 2001-185635 2000/10/16 ルーセント　テクノロジーズ　インコーポレイテッド ＭＥＭＳデバイスを有能するキャビティを具備するパッケージ A2 DAX DBX DCX DDX PH03 PH04 MA02 MB01 MD04 ME01 1

(57)【要約】【課題】 ＭＥＭＳデバイスがＣＭＯＳ回路等組み込むことができるように、ＭＥＭＳデバイスを気密にシールするパッケージ技術を提供すること。【解決手段】本発明のパッケージ技術は、従来のＣＭＯＳパッケージ手順がＭＥＭＳデバイスをパッケージするのに用いることができるようにする。さらに本発明は、同時にＭＥＭＳデバイスの動作環境を制御する手段を提供する。本発明のパッケージは、フリップチップ接合プロセスにより形成されたＭＥＭＳデバイスの周囲に、保護されたキャビティを提供する。本発明の一実施例によれば、防火壁がＭＥＭＳデバイスの周囲の第１基板上に形成され、防火壁により結合されたキャビティ内にＭＥＭＳデバイスを封止する。その後別の基板が、ＭＥＭＳデバイスを保持している第１基板に、フリップチップ結合される。
9 2001-198897 2000/10/16 ルーセント　テクノロジーズ　インコーポレイテッド 混成集積回路 A2 DB01 PH04 1

(57)【要約】【課題】 ＣＭＯＳチップにフリップチップ結合されたＭＥＭＳリレーを有する混成集積回路を提供すること。【解決手段】 ＣＭＯＳチップをＭＥＭＳマイクロリレーに結合することにより、頑強な電気的接続がチップ間に形成され、これにより混成集積回路を通過する高い一体性のある電気的伝送が形成できる。さらにまた、ＣＭＯＳチップとＭＥＭＳチップ間の信号伝搬遅延を大幅に減少することにより、高い帯域のアプリケーションでも本発明の混成集積回路を用いることができる。
10 2001-242395 2000/12/27 テキサス　インスツルメンツ　インコーポレイテツド デジタル・マイクロミラー・デバイスと非接触の端部結合型隠れヒンジ構造のための方法 A2 DA04 6

(57)【要約】【課題】 従来の素子に見られていたミラーの“固着”問題が解決され、結果として、絶妙な非活性化コーティングと高コストの密閉パッケージへの要求を緩和することにより、製造過程が簡素化される。【解決手段】 新たなＤＭＤ素子および非接触、端部結合、隠れヒンジ構造の方法が開示されている。この新技術により、ミラーあるいは下部のヨークと、ＣＭＯＳ基板表面上の着地パッドとの間の物理的な接触が不要となる。この新たなＤＭＤ構造では、素子表面上の適度な高さ位置に、ミラーが所望の角度の領域に回転した際に、ミラー２０またはヨーク２２の連続した端部と近接するように、捕獲電極２４が設けられる。この捕獲電極２４とミラーアセンブリは、これらの間に極めて高い静電引力を生み出し、ミラーがほか区電極の平面に近づいた際にはミラーを止めるように、バイアスされる。ミラーアセンブリのパルス波形を調整することにより、ミラーは確実に減衰され、ミラーアセンブリが所望の回転角で停止した際のＤＭＤミラーの振動を防ぐことができる。
11 2001-272613 2000/03/24 セイコーエプソン株式会社 光スイッチング素子、光スイッチングデバイス、それらの製造方法、光スイッチングユニットおよび映像表示装置 A2 DA01 PJ06 MA01 MB01 MBX 11

(57)【要約】【課題】 光の利用効率の高い光スイッチング素子、およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 樹脂層３６ａにより形成されるマイクロ光学素子４を備えた光スイッチング素子１０であって、このマイクロ光学素子４の表面でエバネセント光を抽出する抽出面（光学面）３ａを酸化シリコンによる酸化膜７０をスパッタして成膜し、この酸化膜７０をＣＭＰ法により研磨して形成する。酸化膜７０を設けることで、樹脂層３６ａの硬度に関係なく、ＣＭＰ法に適した硬度の表面を形成できるので、光スイッチング素子１０の抽出面３ａに適したサブミクロンオーダで平坦化された酸化膜７０が形成でき、光の利用効率が高い光スイッチング素子スイッチングデバイス５０を提供できる。
12 2001-277197 2000/03/30 セイコーエプソン株式会社 微細構造体の製造方法 A2 DA01 PB05 PI02 PJ01 MA01 MD01 MDX MEX 13

(57)【要約】【課題】 光学素子をアクチュエータで駆動し、全反射面から漏洩するエバネセント光を抽出して利用する光スイッチングデバイスにおいて、光の利用効率の高いデバイスを製造可能にする。【解決手段】 スリット９１を備えたスリットマスク９０を振動させながら分子、原子あるいは光などの加工媒体を透過して基板８６に照射し、任意の角度の三角形を形成できるようにする。これにより、光スイッチングデバイスのプリズムの角度を異方性エッチングで成形可能な角度に限定されることなく、最も利用効率の高い角度に製造することができる。
13 2001-281564 2000/03/30 セイコーエプソン株式会社 微細構造体、その製造方法、光スイッチングデバイス、光スイッチングユニットおよび画像表示装置 A2 DA01 PB01 PJ01 MA01 MA02 MD01 MDX MEX 3

(57)【要約】【課題】 光学素子をアクチュエータで駆動する光スイッチングデバイスにおいて、耐久性および信頼性の高いデバイスを提供する。【解決手段】 光学素子３とアクチュエータ６とが接続する上電極７の上面の接続面１５の面粗度Ｒａを０．０２μから０．２μ程度の範囲する。この程度の面粗度Ｒａは、アニールあるいはイオン照射などによって実現でき、光学素子３とアクチュエータ６との密着度を飛躍的に高めることができる。したがって、高速駆動が可能で、信頼性および耐久性の高い光スイッチングデバイス５０を提供できる。
14 2001-281565 2000/03/30 セイコーエプソン株式会社 微細構造体、その製造方法、光スイッチングデバイス、光スイッチングユニット、および画像表示装置 A2 DA01 PJ01 MA01 MA02 MD01 MDX MEX 3

(57)【要約】【課題】 光学素子をアクチュエータで駆動する光スイッチングデバイスにおいて、耐久性および信頼性の高いデバイスを提供する。【解決手段】 上電極７と光学素子３のサポート部５を積み重ねる光スイッチングデバイス５０であって、これら上電極７とサポート部５とが接合する領域となる接続面１５に、上電極７の一部をサポート部５の方向に延設した凸部７０を設け、段差７９を形成している。さらに、凸部７０は、段差７９を形成する側面７９ｂを逆テーパに形成することで、段差７９により接触面積を増やすと共に、機械的にずれ難くなり、互いの密着性を高めることができる。従って、高速駆動が可能で、信頼性および耐久性の高い光スイッチングデバイス５０を提供できる。
15 2001-318325 2000/05/11 セイコーエプソン株式会社 光スイッチングユニット、光スイッチングデバイス、光ガイド、および光スイッチングユニットの製造方法、映像表示装置 A2 DA1 13

(57)【要約】【課題】 エバネセント光の抽出率を維持しながら、吸着を防止できる光スイッチングユニットを提供する。【解決手段】 入射光２を全反射して伝達可能な全反射面１ａを備えた光ガイド１と、この光ガイド１から光２を抽出する抽出面３ａを備えたマイクロ光学素子３とを有する光スイッチングデバイス５０が組合された光スイッチングユニット５５において、抽出面３ａの表面に、レーザ照射によりドーム状で高さが１〜２０ｎｍ程度の複数の微小凸部７０を設ける。この微小凸部７０により僅かに生じる隙間によって吸着力を弱め、吸着を防止し、信頼性が高く低電力で高速駆動でき、同時に、エバネセント光を十分に抽出できる光スイッチングユニット５５を提供できる。
16 2001-330786 2000/05/23 セイコーエプソン株式会社 微細構造体の製造方法 A2 DA01 DC02 11

(57)【要約】【課題】 光学素子をアクチュエータで駆動する光スイッチングデバイスにおいて、耐久性および信頼性の高いデバイスを提供する。【解決手段】 フォトリソグラフィ技術により製造したアクチュエータ６の層に光学素子の層を樹脂３５を成形型７０で成形して製造する際に、樹脂３５の温度をヒータ１０５で制御すると共に、光源１２５からの光を部分的に当てて仮止めする。これにより、精度良く成形型７０とアクチュエータ６が成形されたワーク２０との位置合わせができ、膜厚も管理できる。したがって、アクチュエータ６と光学素子が積層された構成の微細構造体を精度良く製造でき、歩留まりを向上できる。
17 2001-517155 1996/05/16 ザ　リージェンツ　オブ　ザ　ユニバーシティ　オブ　カリフォルニア 高い垂直縦横比の多層薄膜構造 A2 DC02 DCX PB03 PI02 MAX 14
WO1996/41368 (57)【要約】本発明は、電子回路と機械装置を同一シリコンチップ上に集積させた、微小電子機械システム(マイクロエレクトロメカニカルシステム:Microelectromechanical system)の領域に関する。この方法によれば、薄膜付着工程を使用して、高さが１５０ミクロンより大きい薄膜構造体（２）を製造できる。ウエハを、このような構造体を製造に十分なモールドとして再利用可能である。電気的、機械的、または、電子機械的装置を製造するために、種々の物性を、構造体内で変化させるのがよい。
18 2002-036200 2001/06/06 ルーセント　テクノロジーズ　インコーポレーテッド アギア　システムズ　オプトエレクトロニクス　ガーディアン　コーポレーション マイクロメカニカルデバイスの相互接続 A2 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 本明細書は、マイクロエレクトロニックマシンメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）のための相互接続戦略を述べる。【解決手段】 一般的なＭＥＭＳデバイスアレイは、各々がマルチチップモジュール（ＭＣＭ）によって駆動される多数の個々の機械的デバイスを備える。ＭＣＭをシステム相互接続基板の両面に実装することにより、高密度相互接続が達成される。所定の機械的素子を駆動する共通の回路におけるＭＣＭをシステム相互接続基板の両面に配置し、基板を通るビアを使用してそれらを相互接続することにより、相互接続長全体が低減される。電気的接続用のコンタクトピンアレイを使用してすべての能動素子をソケットに実装することにより、迅速な交換／修理が容易になる。冗長なＭＣＭのためにスペアソケットを提供することにより、インサービス信頼性が得られる。
19 2002-076269 2001/04/27 エスティーマイクロエレクトロニクス　ソチエタ　レスポンサビリタ　リミテ 半導体材料の第２の本体が重ねて置かれた半導体材料の第１の本体を電気的に接続するための構造、電気的接続構造を使用する複合構造、および、それらの製造方法 A2 PIX FP

(57)【要約】【課題】 ２つの半導体材料本体を機械的に接続する従来技術は、２つまたは３つのウエハに機械的な接続に加えて電気的に接続し、或いは、ウエハのうちの１つのカバーされた部品を電気的にアクセスし得るものではなかった。【解決手段】 電気的接続構造は、第１のシリコン本体１０をその上に配置された第２のシリコン本体１の表面上の導電性領域２９，３０に接続する。電気的接続構造は、各少なくとも１つの、プラグ領域３、絶縁領域２ａ，６、および、導電性電気機械的接続領域２３を含む。プラグ領域３を形成するには、第１のウエハ１内にトレンチ２ａを彫り、絶縁材料６を充填する。次に、プラグ領域３は、金属とシリコンの間の化学反応をひき起こす低温熱処理を実施することで第２のウエハ１０上の金属領域２３に固定される。その後、第１のウエハ１は、トレンチ２ａまで薄くされ、第１のウエハの自由面上に電気的接続２９，３０が形成される。
20 2002-219699 2001/10/29 エア　プロダクツ　アンド　ケミカルズ　インコーポレイテッド シリコン表面の犠牲材料及び金属汚染物除去方法 A2 DC02 DD01 DD03 DDX PI02 MB01 -

(57)【要約】【課題】 集積されたマイクロメカニカルデバイスとマイクロ電子デバイスを単一チップ上に製造する際にシリコン表面から犠牲材料と金属汚染物とを除去するための新しい方法を提供すること。【解決手段】 反応室を使用してチップの温度を、選ばれたβ−ジケトンとマイクロメカニカルデバイス及びマイクロ電子デバイスの設計とにとって適切な温度に調整する工程、不活性ガスを使用して反応室をサイクルパージし雰囲気ガスと痕跡量の水を除去する工程、ＨＦ及びβ−ジケトンを、エッチングすべき基材を少なくとも一つ収容した反応室へ反応性混合物として導入する工程、犠牲材料と金属汚染物が実質的に除去されるまで基材上に反応性混合物を流す工程、反応性混合物の流れを停止する工程、そして反応室をサイクルパージして残留反応性混合物と残留している反応副生物を除去する工程を含む方法とする。
21 2002-264095 2001/11/13 ゼロックス・コーポレーション 絶縁体上シリコン及びポリシリコンウェーハの製造方法 A2 DAX DBX DDX DFX MA01 MA02 MF01 MF02 9

(57)【要約】【課題】 トップの単結晶シリコン層の下に埋没しているポリシリコン及び絶縁体を有する複合ウェーハを形成させることによって、光マイクロ電子機械デバイスを製造する方法を提供する。【解決手段】 本方法は、２つの面を有する第１のウェーハを処理し、これらの２つの面の少なくとも一方の上に少なくとも１つのパターン化されて且つ平面化された半導体層を設けるステップと、単結晶シリコンの第２のウェーハを、第１のウェーハ上の半導体層に結合させるステップとを含む。
22 2002-270462 2001/11/15 連匯科技有限公司 マイクロ機電技術を応用して製作された高周波通信用集積受動素子とその設計方法 A2 DB01 DB04 DB05 DB06 PB01 MD01 MD03 ME01 ME02 MFX 2

(57)【要約】【課題】マイクロ機電技術を応用して高周波通信用集積受動素子とセラミックの低温共焼で得た比較的精度の低い受動素子とを併用して、コストが低く、信頼度が高いハイブリッド通信素子の製作工程と材料を提供する。【解決手段】本発明では上述のハイブリッド通信素子の設計方法、材料と製作工程を提供し、その可用周波数の範囲は０．９ＧＨｚ〜１００ＧＨｚの広さに達し、低回路面積と低コストの要求に符合し、受動素子の基本構造は２層基板で、下層はセラミック、上層は廉価なガラス、或いは透明プラスチック、また、１層のセラミック基板を最下層に加えてもよく、全体の工程の材料と温度はみんな、ＣＭＯＳの製作工程と相容し、ＲＦ−ＣＭＯＳの後続製作工程となり得る外、素子の設計と製作に際し、素子間の隔離の方法を提供して、素子間のカップリングや干渉の現象を大幅に抑制し、集積化とミニ化の効果を向上した。
23 2002-301697 2001/11/27 マイクロスキャン　システムズ　インコーポレイテッド ゼロックス・コーポレーション 単結晶シリコンの露光の工程を備える、マイクロメカニカルおよびマイクロオプトメカニカルな構造物を製造するための方法 A2 DA06 DB01 DB05 PB01 PE01MA01 MD01 MD02 MD04 MD07 18

(57)【要約】【課題】 絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェーハにおいて、マイクロメカニカルまたはマイクロオプトメカニカルな構造物によって、機械的、光学的特質を改良する。【解決手段】 本発明は、マイクロメカニカルまたはマイクロオプトメカニカルな構造物を提供する。この構造物は、以下の段階を含む処理によって製作される。すなわち、絶縁層１６によって基板層１４から分離されている単結晶シリコン層１２上に構造物を定義すること、構造物の機械的要素または光学的要素を形成するポリシリコンを残したままで、単結晶シリコン層１２上にポリシリコン層４０，４２を蒸着およびエッチングすること、単結晶シリコン層１２の選択された区域を露光すること、形成された構造物を解離することである。
24 2002-522248 1999/08/03 インフィネオン　テクノロジース　アクチエンゲゼルシャフト マイクロメカニックセンサ及びそれを製作する方法 A2 PI01 FP
WO2000/09440 (57)【要約】本発明は次の段階、すなわち、ａ）ドーピングされた半導体ウェーハ（４）を準備する段階、ｂ）半導体ウェーハ上にエピタキシャル層（１）を設け、少なくとも基板に面したその面範囲において、半導体ウェーハとエピタキシャル層との間のインターフェース（１１）において電荷担体密度のジャンプが生じるようにドーピングされているようにする段階、ｃ）場合により複数の通風孔（２）をエッチングし、これらの通風孔がエピタキシャル層を貫通するようにし、かつ場合により通風孔を犠牲材料で充てんする段階、ｄ）少なくとも１つの犠牲層（９）、少なくとも１つの間隔層（１０）、１つの薄膜（５）及び場合により半導体回路（８）を公知の技術でエピタキシャル層の表面上に設け、その際半導体回路は薄膜の形成後に、あるいは薄膜を形成するのに必要な層を設ける間に設けるようにする段階、ｅ）センサの背面に配置された孔（６）をエッチングし、その際、エッチング加工が表面の方向に進捗し、ウェーハ（４）とエピタキシャル層（１）との間のインターフェースにおいて電荷担体密度の変化によって停止するように、エッチング法を選ぶ段階によって構成された、マイクロメカニックセンサ及びそれをを製作する方法に関する。本発明はマイクロメカニックセンサを圧力センサ又はマイクロフォンに使用することにも関する。
25 2002-525676 1998/09/24 リフレクティヴィティー，　インク． 自制形マイクロメカニカル素子を備える二重基板反射性空間光変調器 A2 DA04 PA01 PB04 MA01 MB03 MD01 1
WO2000/17695 (57)【要約】【解決手段】空間光変調器（１２）はアドレッシング回路（３６）を含む下部基板（３４）上方に保持された上部光透過性の基板（２０）を備える。１つ以上の静電式偏向可能素子（４８）が上部基板（２０）からヒンジ（５０）によって懸下されている。動作時、個別のミラー（４８）が、選択的に偏向され、上部基板（２０）に入射した後反射される光（５６）を空間変調する働きをする。ミラー（４８）が下部基板（３４）にスナップ動作しないように反射性偏向可能素子にモーションストップ（４９）を取り付けることができる。代わりに、モーションストップ（４９）を上部基板（２０）に固定し、反射性偏向可能素子（４８）の偏向角度を制限させてもよい。
26 2002-534285 2000/01/14 ザ　リージェンツ　オブ　ザ　ユニヴァーシティ　オブ　カリフォルニア マイクロ電子機械システムを形成するための多結晶シリコンゲルマニウム膜 A2 PI01 13
WO2000/42231 (57)【要約】本発明は、シリコンゲルマニウム膜を用いるマイクロ電子機械システムに関する。マイクロ電子機械システムを形成する方法は、基板上へシリコンゲルマニウムの犠牲層を堆積するステップと、前記犠牲層の上へシリコンゲルマニウムの構造層を堆積し、前記犠牲層の前記ゲルマニウム含有量は前記構造層の前記ゲルマニウム含有量より多くするステップと、少なくとも一部の前記犠牲層を除去するステップとを含む。マイクロ電子機械システムは、基板と、前記基板上に形成される、０＜ｘ≦１であるＳｉ1-xＧｅxの一つ以上の構造層と、前記基板上に形成される一つ以上のトランジスタとを備える。
27 2002-538974 2000/03/10 カリフォルニア　インスティテュート　オブ　テクノロジー ＩＣ共存性パリレンＭＥＭＳ技法と集積センサにおけるその用途 A2 PI01 FP
WO2000/54312 (57)【要約】組み合わせたＩＣ／ＭＥＭＳ工程によって、第一にＩＣ部分が形成され、次にＭＥＭＳ部分（１１０）が形成される。一つの選択肢の方法で、パリレンのオーバーレーヤーを形成し、次いでそのパリレンのオーバーレーヤーの下方に空洞をつくる。
28 2003-039396 2002/04/30 ダルサ　セミコンダクター　インコーポレイテッド マイクロ流体用途用マイクロ構造体の製造方法および流体デバイスの製造方法 A2 DC01 PA01 PB01 PI03 MA02 MB01 MD01 ME02 ME06 ME07 ME10 MF01 MF03 17

(57)【要約】【課題】 マイクロチャネルへの流体移動および生物学的エンティティを実行できる高性能バイオチップ装置を生じる能動マイクロマシン加工シリコン基板からの能動マイクロチャネルバイオチップ装置の改良された製造技術を得ること。【解決手段】 エッチング可能な材料の第１の層は、適当な基板上に形成される。機械的に安定した支持層は、エッチング可能な材料の上に形成される。マスクは、マスクに少なくとも一つの開口を露光するように支持体の上に用いられる。つぎに、異方性エッチングは、支持層を通ってエッチング可能な材料の前記層まで延びる穴を形成するために開口を通して実行される。支持層の下に延びるエッチング可能な材料にマイクロチャネルを形成するために穴を通して等方性エッチングを実行した後、他の層は、突き出る一部が接触するまで支持層の上に付着され、それによって開口の下に形成されたマイクロチャネルを閉じる。
29 2003-094397 2002/05/21 ヒューレット・パッカード・カンパニー ＡＲＳシステムを製造する方法 A2 DBX DF02 MA01 MAX 2A

(57)【要約】【課題】損傷をおさえ、熱制限の問題を克服し、歩留まりを向上させるＡＲＳシステムの製造方法。【解決手段】本発明では、研磨やＣＭＰによるウェーハの薄層化処理の前にロータウェーハの媒体側に導電性電極を被着させ、電極を研磨等から保護する。製造の後半工程でＣＭＯＳ回路を形成し、熱処理の影響を最小限とし、また、他の処理において熱制限を緩和させることが可能となる。ロータウェーハとスタータウェーハのウェーハボンディングも後続の過程で行われることにより、ウェーハボンディングの劣化も最小限にすることができる。よって、歩留まりが向上し、製造コストの低減が可能となる。
30 2003-094398 2002/05/21 ヒューレット・パッカード・カンパニー ＡＲＳシステムを製造する方法 A2 DBX DF02 MA01 MAX 3

(57)【要約】【課題】損傷をおさえ、熱制限の問題を克服し、歩留まりを向上させるＡＲＳシステムの製造方法。【解決手段】本発明では、他の素子の処理の前にロータウェーハの媒体側に保護層、導電体電極を被着させてＡＲＳ格納媒体を後続のウェーハの薄層化処理に対する表面を確保する。ＣＭＯＳ回路も後続の段階でステータウェーハに形成させ、熱処理の影響をほとんど受けない。ロータウェーハの処理も緩やかな熱制限で実施できる。ロータウェーハとスタータウェーハのウェーハボンディングも後続の過程で行われるのでウェーハボンディングの劣化も最小限にすることができる。よって、歩留まりが向上し、製造コストの低減が可能となる。
31 2003-140064 2002/08/02 日本電気株式会社 機能デバイス、その製造方法及び駆動回路 A2 DA01 PA01 PB01 PJ04 MA01 MA02 MB01 MB03 MD04 MF02 2

(57)【要約】【課題】 多チャンネル化しても大型化することを抑制でき、更に、低コスト化及び光通信の信頼性の向上を図った機能デバイス、その製造方法及び駆動回路を提供する。【解決手段】 駆動回路基板２を設け、この駆動回路基板２に積層するように、ミラー基板１を設ける。ミラー基板１には、例えば９個のミラー素子１１を設け、（３行×３列）のマトリクス状に配列する。ミラー素子１１は微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）により作製する。また、駆動回路基板２には絶縁性の基板を設け、この基板上にミラー素子１１を駆動する駆動回路を設ける。駆動回路基板２は、熱硬化性接着剤からなる樹脂層３を介してミラー基板１に接合する。
32 2003-175499 2002/07/24 ダルサ　セミコンダクター　インコーポレイテッド マイクロ流体デバイス A2 DC01 FP

(57)【要約】 （修正有）【課題】能動的マイクロ流体デバイスの製造方法において、種々の形状のマイクロ溝及びフィルターの形成を可能にする。【解決手段】マイクロフルイディックス用途用のマイクロ構造体の形成方法において、機械的に安定な支持体層をエッチング可能な材料の層上に形成する。異方性エッチングを、マスクを介して行い、支持体層を通り上記エッチング可能な材料中にまで伸びている孔パターンを形成する。各孔を通して等方性エッチングを行い、各孔の下のエッチング可能な材料中支持体層の下に広がる対応する空洞を形成する。追加の堆積可能な層を、この堆積可能な層の上記各孔上に張り出している部分が合流し、これにより各孔の下に形成された空洞が閉鎖されるまで支持体層上に形成する。
33 2003-515235 2000/08/23 エイチアールエル　ラボラトリーズ，エルエルシー ＣＭＯＳ適合ＭＥＭスイッチおよび製法 A2 DB01 FP
WO2001/035433 (57)【要約】微小電気機械式（ＭＥＭ）スイッチは、ＣＭＯＳのような多層金属集積回路を製造するための標準的な処理ステップを使用して、安価に製造される。正確なステップは、特定のファンドリーのプロセスに適合するように調整することができ、その結果、低価格で、かつ他の回路と容易に集積化可能なデバイスが得られる。処理ステップは、誘電体層で隔てられた金属層を接続するビアとして通常使用される金属プラグで、ＭＥＭスイッチの接点を作ることを含む。そのような接点ビアは、犠牲メタライゼーション領域の両側に形成され、次いで、接点ビアの間から相互接続メタライゼーションが除去されて、その接点ビアを分離した状態にする。接点を囲繞する誘電体は、その接点が互いの方に向かって突出するように、エッチバックされる。このようにして、ＭＥＭスイッチを作動させることで、接点が互いの方に動く時に、接点は妨害なくしっかりと接続する。ＣＭＯＳプロセスでビアを形成するために、タングステンが標準的に使用され、優れた接点材料であるが、他のビア金属もまた接点として使用することができる。相互接続メタライゼーションは、ＭＥＭスイッチの他の構造上の要求および相互接続の要求のために使用することができ、使用されるファンドリーおよびプロセスに標準的なものであるのが好ましい。様々な金属および誘電体材料をスイッチを作るために使用することができるが、好ましい実施形態では、相互接続金属層はアルミニウムであり、誘電体材料はＳｉＯ2であり、標準的な４層ＣＭＯＳ製造プロセスに完全に適合した材料である。
34 2003-516629 2000/12/08 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ マイクロメカニカルスイッチを含む電子デバイス A2 DB01 FP
WO2001/043153 (57)【要約】共通の基板(２)上に設けられたマイクロメカニカルスイッチ(１０)と薄膜回路素子(２０)を有する集積回路デバイスを具える電子デバイスを製造する方法である。マイクロメカニカルスイッチ(１０)はそれぞれの犠牲領域の上を延在する接点ビーム(１２)を有する。薄膜回路素子を構成する素子層(５)をマイクロメカニカルスイッチに割り当てられた基板の領域において犠牲領域として使用する。これにより種々の層をマイクロメカニカルスイッチと薄膜回路素子との間で共用することができる。追加の支持層(５０)を接点ビームのために設けて、後続の処理及び製造工程中に接点ビームを損傷から保護することができる。この支持層の一部分を完成品の接点ビームに付着したまま残存させてこれを補強することもできる。
35 2003-531475 2001/02/01 レイセオン・カンパニー 集積回路コンポーネントを備えたマイクロ電気機械システムデバイスの真空パッケージの製造 A2 PH03 FP
WO2001/056921 (57)【要約】デバイスウエハ上に複数のＭＥＭＳデバイスを形成する工程を含むＭＥＭＳデバイスを真空パッケージするための方法を提供する。第１シーリングリングはＭＥＭＳデバイスの１つと全ての噛合パッドを取り囲むように形成される。複数の集積回路デバイスはリッドウエハ上に形成され、各集積回路デバイスは１以上の関連する噛合パッドと１以上の関連するボンディングパッドとを有する。複数の第２シーリングリングはリッドウエハ上に形成され、第２シーリングリングの各々は集積回路デバイスの１つと全ての関連するボンディングパッドを取り囲む。第２シーリングリングは集積回路デバイスの周囲と関連するボンディングパッドとの間に配置される。デバイスウエハはリッドウエハと真空環境下で噛合され、複数の真空パッケージが形成される。各真空パッケージは１以上のＭＥＭＳデバイスと１以上の集積回路デバイスとを封入する。
36 2004-001207 2003/04/22 シャープ株式会社 低温基板上で結晶化処理された機械デバイスまたは機械デバイスと電子デバイスとを組み合わせたデバイスの形成方法 A2 DB01 DB03 DD03 DD7 DE01 DE02 PAX PE01 MA01 MA02 MA03 MD01 MD03 MD06 MD09 ME01 MEX MF01 MF02 1

【課題】複雑かつ高度なマルチデバイスアレイの積層および多層化を可能にし、多数のデバイスを有するモノリシック一体化型デバイスを非常に容易かつ安価に製造する。【解決手段】本発明の方法は、ガラス、プラスチック、可撓性材料、金属箔、および織物を含む群から選択された材料により形成された低温基板上に、機械特性に関して選択的かつ制御可能に変更可能な結晶性を有する出発材料から、機械デバイスを形成する方法であって、選択された材料により形成された低温基板を処理ゾーンに配置する工程と、低温基板上に出発材料から形成される材料本体を形成する工程と、本体内において３次元領域を選択する工程と、処理ゾーン内で、選択された３次元領域の結晶性を制御しながら変更して３次元領域に関する機械特性を変更する工程であって、制御は下層である低温基板に熱的ダメージを与えないように行われる工程とを含む。【選択図】　図１
37 2004-001208 2003/04/22 シャープ株式会社 結晶化処理された、モノリシック一体化型機械デバイス、機械デバイスと電子デバイスとの組み合わせ、ならびにその製造方法およびシステム A2 DB01 DB03 DD03 DD07 DDX DE01 DE02 PAX PE01 MA01 MA02 MA03 MD01 MD03 MD06 MD09 ME01 MF01 MF02 15

【課題】複雑かつ高度なマルチデバイスアレイの積層および多層化を可能にし、多数のデバイスを有するモノリシック一体化型デバイスを非常に容易かつ安価に製造する。【解決手段】本発明の方法は、機械特性に関して選択的かつ制御可能に変更可能な結晶性を有する出発材料から、機械デバイスのモノリシックアレイを形成する方法であって、所定の広範囲に広がった出発材料本体を処理ゾーンに配置する工程と、製造すべき各機械デバイスについて、本体内の関連づけられた３次元領域を選択する工程と、処理ゾーン内で、選択された３次元領域の各々の結晶性を制御しながら変更して機械特性を変更する工程であって、選択された３次元領域の各々において、関連づけられた所望の機械特性のセットを得る工程とを含む。【選択図】　図１
38 2004-006836 2003/04/22 シャープ株式会社 結晶化処理された、モノリシック積層／多層型機械デバイス、機械デバイスと電子デバイスとの組み合わせ、ならびにその製造方法およびシステム A2 DB01 DB05 DD01 DD03 DDX DE01 DE02 PE01 MA03 1

【課題】複雑かつ高度なマルチデバイスアレイの積層および多層化を可能にし、多数のデバイスを有するモノリシック一体化型デバイスを非常に容易かつ安価に製造する。【解決手段】本発明の方法は、機械特性に関して選択的かつ制御可能に変更可能な結晶性を有する出発材料から、モノリシックに配置された結晶化された機械デバイスの積層／多層構造を形成する方法であって、出発層本体を処理ゾーンに設ける工程と、製造すべきデバイスのモノリシックアレイ内の各デバイス用に、出発材料本体内の３次元領域を選択する工程と、処理ゾーン内で、選択された３次元領域の各々の結晶性を制御しながら変更し、選択された３次元領域の各々に関する機械特性を変更する工程であって、制御が、基板または前の層である直接隣接する下層の支持構造に熱的ダメージを引き起こさないような様式で行われる工程とを含む。【選択図】　図１
39 2004-025321 2002/06/21 東京エレクトロン株式会社 ＭＥＭＳアレイとその製造方法及びそれに基づくＭＥＭＳデバイスの製造方法 A2 DB04 DBX MA01 1

【課題】小型化が可能であるとともに、開発時間や開発費を削減できるＭＥＭＳアレイを提供すること。【解決手段】例えば抵抗１０、コンデンサ２０、コイル３０の複数の素子及び各素子を接続するスイッチ４１〜４４を基板１上に集積して、各素子を任意に結線可能としてＭＥＭＳアレイを形成する。トランジスタスイッチ４１〜４４に代えて機械的なスイッチを用いることもできる。そして、このＭＥＭＳアレイのスイッチ４１〜４４のオンオフの固定部を配線のショート／オープンで代替してＭＥＭＳデバイスを製造する。【選択図】　　　図１
40 2004-025431 2003/03/11 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 微細電気機械的（ＭＥＭ）スイッチおよびその製造方法 A2 DB01 7

【課題】スイッチング電極とほぼ直交する制御電極を有し、制御信号とスイッチ信号との間に電気的分離を与え、スイッチを開閉するための複数の制御部を備え、様々な多極，多投配置の、全スイッチング領域が著しく縮小された半導体ねじれ微細電気機械的（ＭＥＭ）スイッチを提供する。【解決手段】このスイッチは、導電可動制御電極５０と、可動制御電極へ装置された絶縁半導体ねじれビーム６０とを備え、絶縁ねじれビームと可動制御電極とは相互に並行であり、絶縁ねじれビームへ装置された可動コンタクト２０を備え、絶縁ねじれビームと制御電極との組み合わせは可動コンタクトと直交する。ねじれＭＥＭスイッチは、スイッチング電極とほぼ直交する制御電極を有する。ＭＥＭスイッチは、デバイスをアクティベートする複数の制御部を有し、単極単投スイッチまたは多極多投スイッチを形成する。ねじれＭＥＭスイッチを製造する方法は、ＣＭＯＳ製造プロセスと完全に両立する。【選択図】　　　図７
41 2004-082238 2002/08/23 住友金属工業株式会社 可動構造部を有する微小構造体 A2 DD01 PA03 PA07 PB01 PB02 PH01 PH02 MAX MB03 MD02 MD03 MD04 1

【課題】厚みの増加を最小限に抑えることが可能であり、実質的に構造体の特性へ影響が無く、簡易且つ低コストで製造可能な微小構造体を提供すること。【解決手段】微小構造体は、可動構造部１４の露出した面の上部に張られ、当該可動部の過剰な動きを防止するワイヤ２２を備える。そして、ワイヤ２２の端部が固定されるワイヤ固定部の位置が、可動構造部１４の上面に対して相対的に低く設定する。【選択図】　図１
42 2004-106172 2003/08/05 ゼロックス　コーポレイション 流体用導管、流体用導管を形成する方法、マイクロアレイシステム、ＤＰＮシステム、流体回路、及びマイクロアレイの製造方法 A2 DCX DD03 DD07 DDX DEX PB03 PB06 PI02 12

【課題】　マイクロアレイシステム、つけペン式ナノリソグラフィシステム、流体回路及びマイクロ流体システムで使用可能な流体導管の提供。【解決手段】　流体用導管は、基板４４０に取り付けられた固定部４５３と、基板４４０から離れる曲がりを有するカンチレバー部４５４とを有するばねビーム４６０を含む。このばねビーム４６０は、該ばねビーム４６０のカンチレバー部４５４に沿って流体を運ぶための、カンチレバー部４５４の曲がりに対して略平行に延びる第１のチャネル４５２を定める。【選択図】　　　　図１２
43 2004-109580 2002/09/19 日本電信電話株式会社 光スイッチ装置およびその製造方法 A2 DA01 PA01 PB05 MA01 MA02 ME01 1

【課題】集積度の低下や歩留りの低下を抑制しつつ、従来より微細な光スイッチ装置を容易に製造し、ミラーを高精度に制御する。【解決手段】半導体基板１０１上の特定平面上に導電性を有する支柱１２０により支持されて開口領域を備えたミラー基板１３０と、ミラー基板１３０の開口領域に回動可能に各々設けられたミラー１３１と、ミラー１３１に回動動作を行わせるための制御電極部１４０と制御回路１５０と、ミラー１３１の回転角度を検出するためのセンサ電極部１５１と、センサ電極部１５１の信号に基づいてミラー１３１の回転角度を検出するセンサ回路１５２とから光スイッチ装置を構成する。これらはシリコンからなる半導体基板１０１上に集積されている。【選択図】　　　　図１
44 2004-117368 2003/10/14 東京エレクトロン株式会社 音響センサ A2 DB02 DDX MA01 1

　【課題】　音響信号のスペクトル分析を１つのハードウェア上にて高速かつ正確に行うことができる音響センサを提供する。　【解決手段】　受波部分24にて受けた音波が、それぞれに異なる特定の周波数に共振するような長さを持つ棒状の共振子25を有するう片持ち梁の棒状の共振部分21に伝搬すると、共振部分21の各共振子25が共振する。共振によって、各共振子25の先端部と電極３とで構成されるキャパシタの容量が変化する。この容量の変化を検出回路４で電気信号に変換し、その電気信号を任意の設時間内で積算することにより、各周波数における音波のレベルの経時的変化を検出する。【選択図】　　　　図１
45 2004-130507 2003/09/18 日本電信電話株式会社 電子部品装置 A2 DA01 FP

【課題】通信や計測などに用いられる例えば光スイッチ装置等の非常に小型な電子部品装置を提供する。【解決手段】駆動回路２２，センサ回路２４−１，２４−２，メモリ２５，プロセッサ２６を含む集積回路が形成された半導体基板１の上に、ＭＥＭＳを構成するための可動部を備えた複数のユニットをモノリシックに搭載し、各ユニット毎に、プロセッサ２６，メモリ２５，駆動回路２２，センサ回路２４−１，２４−２を有する。【選択図】　図３
46 2004-133212 2002/10/10 日本電信電話株式会社 光スイッチ装置 A2 DA01 FP

【課題】集積度の低下や歩留りの低下を抑制した状態で、駆動制御回路などを含む集積回路が形成された半導体基板の上にミラー素子が一体に形成された光スイッチ装置を、従来より容易により製造できるようにする。【解決手段】シリコンからなる半導体基板１０１を備え、半導体基板１０１には、複数の素子から構成された集積回路を備え、集積回路の上には、層間絶縁膜１０２を備える。層間絶縁膜１０２上には、更に配線層１０４，層間絶縁膜１０５を備えている。また、半導体基板１０１の上には、絶縁膜１０２，１０５を介して支持部材１２０が固定され、支持部材１２０は、ミラー構造体を支持している。【選択図】　　　　図１
47 2004-138846 2002/10/18 日本電信電話株式会社 光スイッチ装置 A2 DA01 FP

【課題】半導体基板に搭載する電気回路をそれぞれの回路に適した特性の半導体素子を用いて構成し、それぞれの回路に適した電源電圧で動作させる。【解決手段】ミラー１３１の回動動作を制御する制御回路のうち、制御電圧の生成に必要な高電圧で動作する第１の制御回路１５０ａを第１の半導体基板１０１ａに搭載し、制御電圧の演算に必要な低電圧で動作する第２の制御回路１５０ｂを第２の半導体基板１０１ｂに搭載し、ミラー１３１の回動角度の検出に必要な低電圧で動作するセンサ回路１５２を第２の半導体基板１０１ｂに搭載する。【選択図】　　　　図１
48 2004-160572 2002/11/11 古河電気工業株式会社 保持機構を備えた微小アクチュエータ及びその製造方法 A2 DDX PI03 FP

【課題】電源を切っても稼動部を稼動した位置に保持する機構を備えた微小アクチュエータを提供する。【解決手段】ソース端子２、ドレイン端子３及びチャネル４を有するトランジスタ１の表面上に設置された絶縁膜５，７を備えた少なくともひとつの帯電体６と、この帯電体６から所定の距離をおいた位置１に配置され、トランジスタ１と絶縁された稼動部８とを備え、この稼動部８が、位置１から帯電体６に接触又は近接する位置２に移動し、チャネル４に電流を流し、ドレイン３と稼動部６に電圧を印加して、チャネル４からのトンネル電流によって帯電体６を帯電させ、この帯電によって帯電体６と稼動部８の間に発生する静電引力によって、稼動部８が位置２に保持する。【選択図】図１
49 2004-209585 2002/12/27 新光電気工業株式会社 電子デバイス及びその製造方法 A2 PGX PH03 FP

【課題】小型コンパクトで、加熱処理に原因した素子特性の劣化等がなく、気密封止も完璧な、ＭＥＭＳ素子やその他の機能素子を搭載した電子デバイスを提供する。【解決手段】デバイス本体１と、蓋体２とをもって素子搭載空間８が規定されており、素子搭載空間８が、超音波接合部３により気密封止されており、素子搭載空間８の内部に、デバイス本体１及び（又は）蓋体２に固定された微小機械部品４が配置されているように、構成する。【選択図】図３
50 2004-211627 2003/01/07 松下電器産業株式会社 マイクロポンプと試料処理チップ A2 DC03 FP

【課題】本発明は、微小構造でチップモジュール化することができ、制御が容易で所定の特性を安定して実現でき、搬送力、応答性に優れ、薄型化、繰返し利用できるマイクロポンプと試料処理チップを提供することを目的とする。【解決手段】本発明のマイクロポンプと試料処理チップは、反応チャンバ６に収容され所定圧力のガスを発生する反応剤４と、反応剤４にガスを発生させる反応開始部５と、ポンプチップ１ａに設けられ、発生したガスを反応チャンバ６から連通孔８に導くチャネル７と、反応開始部５の動作を制御する制御部とを備え、発生したガスが流れる流路には、ガスの圧力を検出する圧力センサ３９ａが設けられ、圧力センサ３９ａが検出した信号が中央制御部３１に送られ、中央制御部３１が反応開始部５を信号に基づいて圧力を所定の目標値に近づけるように制御するように構成したものである。【選択図】図３
51 2004-212326 2003/01/08 松下電器産業株式会社 マイクロポンプと試料処理チップ、及びシートコネクタ A2 DC03 FP

【課題】本発明は、微小構造でチップモジュール化することができ、他チップとの装着ミスや誤動作がなく、繰返し利用できるマイクロポンプと試料処理チップ、及びシールコネクタを提供することを目的とする。【解決手段】本発明のマイクロポンプと試料処理チップは、反応チャンバ６が形成されたポンプチップ１ａと、反応チャンバ６に収容され所定圧力のガスを発生する反応剤４と、反応剤４にガスを発生させる反応開始部５と、ガスを反応チャンバ６から吐出口に導くチャネル７と、中央制御部３１とを備え、他のチップとポンプ構造材が組み合わされたとき、ガスを他のチップに供給し、ポンプチップ１ａと他のチップとの位置及び／または組み合せが一致した場合だけに合致信号を出力する装着検知部４６と電極が設けられている。本発明のシールコネクタはシートに微細孔群が形成されている。【選択図】図３
52 2004-221285 2003/01/14 キヤノン株式会社 デバイス A2 PGX FP

【課題】半導体素子及びマイクロマシンを有する薄いデバイスを提供する。【解決手段】混載デバイスは、マイクロマシン（ＭＥＭＳ）１が形成された基板２０と半導体素子が形成された半導体層３とを接着層２で結合して構成されている。半導体層３は、例えば、半導体素子が形成された半導体層３の下に分離層（例えば、多孔質層）を有する部材と基板２０とを貼り合わせた後に、該部材を分離層で分割することにより形成されうる。【選択図】図１
53 2004-225158 2004/01/19 ヒューレット−パッカード　デベロップメント　カンパニー　エル．ピー． 基板を貫いて開口部を形成する方法および流体射出装置の基板 A2 DCX PB02 FP

【課題】基板の表側においてスロットの位置が狂ったりスロットの幅にばらつきがあったりすることがない、基板を貫いて開口部を形成する方法および流体射出装置の基板を提供する。【解決手段】基板１６０は、トレンチ１６６を内部に形成した第１の側１６２と、該第１の側１６２と反対側の第２の側１６４と、第１の側１６２のトレンチ内に形成され、少なくとも１つの穴１６８を内部に形成したマスク層１６７と、該マスク層１６７の上方で第１の側１６２のトレンチ内に配置された充填材料１６９と、第１および第２の側１６２、１６４に通じる開口部１５０とを備えている。第１の部分１５２は、第２の側１６４からマスク層１６７へと延びている。第２の部分１５４は、マスク層１６７の少なくとも１つの穴１６８および充填材料１６９を貫いて第１の側１６２へと延びている。【選択図】図１１
54 2004-230546 2003/12/26 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング エピタキシャルリアクタにおいて表面マイクロマシニングされた構造物を解放する方法 A2 PI01 FP

【課題】マイクロメカニカルエレメントを製造する方法を提供する。【解決手段】基板層１と、犠牲層２と、機能層４とを提供し、犠牲層が基板層の少なくとも第１の部分５の上に位置しており、機能層が犠牲層の少なくとも第２の部分の上に位置しており、犠牲層の少なくとも一部を露出させるために機能層をエッチングし、エッチングが少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントのアウトラインを形成し、犠牲層の第３の部分を加熱された気体水素に曝露することによって少なくとも１つのマイクロメカニカルエレメントと基板層との間の犠牲層の少なくとも第３の部分を除去する。【選択図】図１ｅ
55 2004-276200 2003/03/18 セイコーエプソン株式会社 マイクロ構造体およびその製造方法 A2 DB04 FP

【課題】櫛歯状の固定電極と可動電極の上下に発生する電界の不均一な分布を極力低減するように構成することにより、所望の振動周波数特性を安定して得ることができるマイクロ構造体およびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板５０上に設けられ、少なくとも１組の櫛歯状の固定電極２２、３２と櫛歯状の可動電極２４、３４の櫛歯同士を噛み合わせて平面的に振動させるマイクロ構造体１０において、前記固定電極２４、３４と可動電極２４、３４の下方における前記シリコン基板５０に実質的に空間となる部分５３を設ける。【選択図】図１
56 2004-276201 2003/03/18 セイコーエプソン株式会社 マイクロ構造体およびその製造方法 A2 DB04 PH04 2

【課題】信頼性が高く、効率のよい実装が可能なマイクロ構造体およびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板５０上に設けられ、少なくとも１組の櫛歯状の固定電極２２と櫛歯状の可動電極２４の櫛歯同士を噛み合わせて平面的に振動させるマイクロ構造体において、前記固定電極２２と可動電極間２４に静電引力を発生するように駆動電圧を印加するためのパッド電極部２６、５２および裏パッド電極部５４、５６を前記基板５０の両面に導通状態に設ける。【選択図】図１
57 2004-287429 2004/03/12 ゼロックス　コーポレイション ＭＥＭＳウェーブガイド・シャトル光ラッチング・スイッチ A2 DA01 FP

【課題】動作特性を犠牲にすること無しに、マルチ・コンポーネント光装置のサイズと製造コストを削減する。【解決手段】熱ラッチ・アクチュエータを有しトランスレーティング・ラッチ歯を規定する熱駆動アクチュエータ、複数の光ウェーブガイドを規定しサスペンション要素によって接続される可動ウェーブガイド・シャトル・プラットフォーム、熱駆動アクチュエータを、前記可動ウェーブガイド・プラットフォームに接続するテザー、および、ラッチされた状態位置を決定するために配置された、前記熱駆動アクチュエータの前記トランスレーティング・ラッチ歯への対角接続のための、リンク機構歯を規定するリンク機構を備える光スイッチ。【選択図】図１
58 2004-287430 2004/03/12 ゼロックス　コーポレイション マイクロ電子機械システムの光導波路スイッチ A2 DA01 FP

【課題】ＭＥＭＳスイッチ及び導波路の全体のチップの大きさをセンチメートルの寸法まで減らすことを可能にする。【解決手段】光学ＭＥＭＳスイッチ１０は、光学的状態を切り換えるために可撓性片持ちばりプラットフォーム５０上に形成された複数の光導波路からなり、光学スイッチの状態が駆動アクチュエータ３０及びラッチアクチュエータ２０により変えられる。光学ＭＥＭＳ装置は、熱駆動アクチュエータ３０と関連してラッチング機構を利用し、片持ちばりプラットフォームを位置合わせする。使用において、光学ＭＥＭＳ装置は、他の光学部品と統合して平面光回路（ＰＬＣ）を形成するようにすることができる。【選択図】図１
59 2004-297050 2004/03/08 インフィネオン　テクノロジーズ　アクチエンゲゼルシャフト モノリシック集積回路構造 A2 DDX 2

【課題】電気的エネルギーが自律的に供給され遠隔操作に適した機能ユニットを有するモノリシック集積回路構造の提供。【解決手段】モノリシック集積回路構造は、基板、基板中におよび／または基板に接した状態で形成されている機能ユニット、および、基板中におよび／または基板に接した状態で形成されており機能ユニットと接続されているエネルギー供給ユニットを備えている。このエネルギー供給ユニットは、インダクタンスおよび永久磁石を備えている。インダクタンスおよび永久磁石は、回路構造上に振動を生じさせることによって、永久磁石がインダクタンスに対して移動可能なように、つまり、インダクタンスを用いて、機能ユニットに電気的エネルギーを供給するための電気的な誘導電圧を誘導できるように、設置されている。【選択図】図１
60 2004-304189 2004/03/25 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 積層パッケージングを使用して包囲されたセンサ構造体を保護する方法 A2 PHX 3C

【課題】マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護する方法を提供する。【解決手段】保護膜を備えたマイクロメカニカルセンサ構造体を製造し、保護膜の表面が第２のチップに面するようにマイクロメカニカルセンサチップを配置し、マイクロメカニカルセンサチップを第２のチップに固定する。【選択図】なし
61 2004-314289 2004/03/11 ソニー株式会社 マイクロマシンの製造方法 A2 PI02 FP

【課題】犠牲層エッチングを行ってマイクロマシンの振動子の部分を封止するとともに、その場合であっても特殊なパッケージング技術を必要とすることなく犠牲層の除去および封止を行うこと可能とする。【解決手段】振動子４を備えたマイクロマシン１の製造方法において、振動子４の可動部周囲に犠牲層を形成する工程と、犠牲層上をオーバーコート膜８で覆うとともにそのオーバーコート膜８に犠牲層へ通じる貫通口１０を形成する工程と、可動部周囲に空間を形成するために貫通口１０を用いて犠牲層を取り除く犠牲層エッチングを行う工程と、犠牲層エッチングの後に減圧下における成膜処理を行って貫通口１０を封止する工程とを含む。【選択図】図１
62 2004-320784 2004/04/19 三星電子株式会社 基板接合を利用して製造されたエアギャップ型ＦＢＡＲおよびデュプレクサとその製造方法 A2 PGX FP

【課題】基板接合工程を利用してエアギャップ型ＦＢＡＲおよびデュプレクサを簡単で堅固に製造できる方法を開示する。【解決手段】このエアギャップ型ＦＢＡＲの製造方法は、第１基板上に積層共振部を形成する段階、第２基板上にキャビティを形成する段階、キャビティ内に積層共振部が位置するように第２基板上に第１基板を相互に接合する段階を含む。一方、このエアギャップ型ＦＢＡＲを利用したデュプレクサの製造方法は、積層共振部が複数製作された第１基板部の製造段階、複数のエアギャップおよびその間に形成されたアイソレーション部が製作された第２基板部の製造段階および第１基板部と第２基板部を接合させる段階を含む。【選択図】図３
63 2004-358654 2004/05/24 ヒューレット−パッカード　デベロップメント　カンパニー　エル．ピー． ＭＥＭＳ素子およびＭＥＭＳ素子を形成する方法 A2 PI02 3H

【課題】駆動回路を効率的に一体化させたＭＥＭＳ素子と、その製造方法を提供すること。【解決手段】ベース材料(210)と該ベース材料の第１の表面に形成された少なくとも１つの導電層(220)とを含む下部構造(200)を設けるステップと、下部構造の少なくとも１つの導電層の上に誘電体層(250)を形成するステップと、誘電体層の上に保護層を形成するステップと、保護層の上にＭＥＭＳ素子としての電気的コンタクトエリアを画定するステップと、電気的コンタクトエリア内に開口部(242)を保護層および誘電体層を通して下部構造の少なくとも１つの導電層まで形成するステップとを含む、ＭＥＭＳ素子の形成方法。【選択図】図１
64 2004-500995 2000/06/30 シルバーブルック　リサーチ　ピーティワイ　リミテッド 耐座屈性サーマルベンドアクチュエータ A2 DC03 3
WO2002/002328 本発明は、固定基板（２）に固定するための第１アンカ部分（９）と、近端を前記第１アンカ部分（９）に固定され、可動遠端まで伸長する第１熱伝導性アクティブビーム部材（１０）と、前記第１アクティブビーム部材（１０）と平行に伸長するように近端を前記第１アンカ部分（９）に同様に繋止された第２ビーム部材（１２）とを含み、前記第１および第２ビーム部材の各々が前記第１アンカ部分（９）から離れたそれらのそれぞれの近端で直接または間接的に相互接続されているサーマルベンドアクチュエータ（７）であって、前記第１熱伝導性アクティブビーム部材（１０）が、前記固定近端と前記可動遠端との間に伸長する方向に、それらの間の実効直接直線路の２倍を超える複合実効長を有する迷路状の導電性経路（１４）を画定するように構成されているサーマルベンドアクチュエータ（７）に関する。【選択図】図３
65 2004-515992 2001/11/13 ウーテーアー・エス・アー・マニファクチュール・オロロジェール・スイス 集積されたマイクロメカニカル音叉共振器を備えるタイムベース A2 DB02 DB03 DBX 1
WO2002/051004 共振器（４）と、該共振器（４）を駆動して振動させ、決められた周波数を有する信号を該振動に応答して生成する集積電子回路（３）とを備えるタイムベースが記載される。共振器は基板（２）の上に支持され、該基板（２）に対して実質的に平行な平面内で第１の振動モードに応じて振動するように適合された集積されたマイクロメカニカル音叉共振器（４）である。音叉共振器は、基板（２）から実質的に垂直に延びるベース部材（５）と、ベース部材に接続され、実質的に平行なフォーク状刃（７、８）の少なくとも第１の組を含むフリースタンディング振動構造体（６）と、フォーク状刃（７、８）に隣接して配置され、集積電子回路（３）に接続された電極構造体（９）とを備える。
66 2004-516783 2001/12/04 ダバイ　ラド　エイチ 静電装置 A2 DAX DCX DD03 DDX 1
WO2002/049199 多数の第２電極（２）を設けた第１可撓電極（１）を備えて、この第１可撓電極（１）と共に可動する静電装置（１０）。電荷によって、各々の第２電極（２）は、第１可撓電極（１）の偏向を生じ、この偏向は、共に運動する第２電極の動きにより増強される。多方向に運動させたり、回転や捻りといった動きを含めて、第１可撓電極を面内や面外に可動させるように静電装置を様々に異なる設計とするができる。こうした構成とすることで、静電装置は、集積回路の電圧に合わせて機能し、かつ、集積回路製造技術を使用して製造することができる。
67 2004-517741 2001/12/20 レイセオン・カンパニー ウエハーレベルでの相互接続物及びその作製方法 A2 DBX DDX 1
WO2002/055431 第一高抵抗性基板（１７）上のＲＦ型電子機械的システム（ＭＥＭＳ）回路（１５）は、第二低抵抗性基板（１３）上の回路（１１）と結合される。この手法は、前記第一高抵抗性基板（１７）と前記低抵抗性基板（１７）を伴うＭＥＭＳ回路（１５）とを重ね合わせることにより行い、前記ＭＥＭＳ回路（１５）を伴う回路（１１）は前記第二回路（１１）と向かい合うことになる。誘電リッド（１９）は、ＭＥＭＳ回路（１５）、及び、第一基板（１７）と第二基板（１３）との間を覆うように配され、ＭＥＭＳ回路（１５）を覆うギャップ（２１）の中には不活性ガスを伴う。相互接続コンダクター（２５、３１、３５，３７、３９，４１）は、直交的、前記高抵抗性基板（１７）を通り、前記誘電リッド（１９）を通って伸び、前記低抵抗性基板（１３）と電気的接続を可能としている。
68 2004-518119 2001/12/20 ゼンジリオン　アクチエンゲゼルシャフト 伸張性コーティングを有するマイクロメカニカルフローセンサ A2 DBX DC04 DD09 2
WO2002/055967 本発明は、半導体基板（１）上に集積されたセンサ（１）、特にフローセンサは、膜（５）上の測定素子（２）を備えるに関する。膜の撓みを防止するために、伸張性のあるコーティング（９）が形成されている。このコーティングは膜を覆うが、能動電子部品の電気特性を損なわないように、好ましくは、半導体基板（１）上に組み込まれた能動電子部品を覆われていないままにする。
69 2004-524983 2002/02/21 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 半導体部品の製造方法および前記方法により製造される半導体部品 A2 DDX MA01 1
WO2002/081363 本発明は、特に半導体基板、特にシリコンからなる半導体基板（１０１）およびセンサー領域（４０４）を有する半導体部品（１００、・・・、７００）、特に多層半導体部品、有利にマイクロメカニック部品、特に熱伝導センサーの製造方法に関する。半導体基板（１０１）およびセンサー領域（４０４）の断熱を廉価に生じるために、本発明により、半導体部品（１００、・・・、７００）内に多孔質層（１０４、５０１）が設けられている。
70 2004-525352 2001/12/06 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 特に可動質量体を有する半導体構成素子を製作するための方法ならびに該方法により製作された半導体構成素子 A2 DD01 DDX PI03 FP
WO2002/051741 本発明は、該当する独立請求項の上位概念部に記載した形式の、特に可動質量体もしくは振動構造体（５０１，５０２；６０１，７０２）を有する半導体構成素子（３００；４００；５００；６００；７００；９００；１０００；１１００）、特に多層状の半導体構成素子を製作するための方法および該方法により製作された半導体構成素子から出発する。単結晶振動構造体（５０１，５０２；６０１，７０２）を備えたマイクロマシニング型の構成素子、特に加速度センサまたはヨーレートセンサを簡単にかつ廉価に表面マイクロマシニングで製作することができるようにするためには、本発明による方法では、第１のステップで第１の多孔質の層（３０１；９０１）を半導体構成素子に形成し、第２のステップで中空室もしくは空洞（３０２；１１０１）を、半導体構成素子に設けられた第１の多孔質の層（３０１）の下方にまたは第１の多孔質の層（９０１）から形成することが提案されている。
71 2004-531727 2002/04/19 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング センサ装置、とりわけマイクロメカニカルセンサ装置 A2 DD01 DD02 1
WO2002/093122 本発明はセンサ装置（１）、とりわけマイクロメカニカルセンサ装置（１）及びこれの製造方法に関し、このセンサ装置は所定のセンサ信号を供給するためのセンサ部分（２）及び蓋部分（３）を有し、この蓋部分（３）はセンサ部分（２）の上に密閉されたセンサ内部空間（４）を形成するために配置される。評価電子装置（３０）はセンサ信号を評価するために少なくとも部分的に蓋部分（３）に統合され、センサ部分（２）の相応の回路装置（２０）と電気的に接続される。
72 2005-040940 2004/06/11 アジレント・テクノロジーズ・インク 大規模並列処理微小電気機械システムのパッケージング用に反応性フォイルを用いたウェハボンディング法 A2 PI01 FP

【課題】ＭＥＭＳデバイス及びＩＣを高温及び高電圧に晒すことなくウェハをボンディングする方法を提供する。【解決手段】デバイスパッケージを形成するための方法であって、第１のウェハ１２，及び第２のウェハ１４，の間に、反応性フォイル１６，及びボンディング材１８，を備える外周１７を形成するステップと、前記第１及び第２のウェハを、前記反応性フォイル及び前記ボンディング材に対して押圧するステップと、前記反応性フォイルの反応を起こし、前記反応性フォイルにて前記ボンディング材を加熱することにより前記第１及び第２のウェハ間に結合を作るステップと、前記第１及び第２のウェハをデバイスパッケージへと分割するステップとを含んでいる。【選択図】図１
73 2005-066727 2003/08/21 オリンパス株式会社 半導体装置 A2 DA04 PI01 FP

【課題】複数の基板を組み合わせてなる半導体装置において、基板間のギャップが小さい場合でも基板間の多数の接続部位のすべての点で接続可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１００はミラー基板１１０と配線基板１３０と金属部材１５０とから構成されている。ミラー基板１１０は、ＭＥＭＳ技術によりシリコンから作製された基板で、枠部材１１２と可動ミラー１１４とそれらを接続しているヒンジ１１６と下面に設けられた導電性薄膜１１８とを有している。配線基板１３０は、複数の凹部１３２と、凹部１３２の底面に設けられた電極１３４と、可動ミラー１１４と対向する駆動電極１４４とを有している。金属部材１５０は、配線基板１３０の凹部１３２の深さよりも高い背を有している。金属部材１５０は、例えば金バンプで、加熱圧接により配線基板１３０の電極１３４とミラー基板１１０の導電性薄膜１１８とを電気的かつ機械的に接合する。【選択図】図２
74 2005-079604 2003/08/29 ソニー株式会社 信号伝達装置 A2 DB04 2

【課題】透過帯域内の信号強度の制御、あるいは信号の透過・遮断を可能し、且つ信号損失の低減、面積の小型化などを可能にした信号伝達装置を提供するものである。【解決手段】基板上にそれぞれ形成された、入力側の第１の固定電極２３と、第１の固定電極２３に空間を介して対向する可動電極２５と、可動電極２５に空間を介して対向する出力側の第２の固定電極２４と、可動電極２５に印加する直流電圧Ｖ２を制御する電圧制御手段２９とを有して成る。【選択図】図１
75 2005-081524 2003/09/11 ソニー株式会社 マイクロマシン A2 DB04 FP

【課題】ビーム型の振動子の高次モードを利用した信号透過方式を採用する場合であっても、電極間の寄生容量を減らすことでＳＮ比の向上を図ることを可能とし、ＧＨｚ領域のような高い周波数領域にも対応することのできるＭＥＭＳ構造を提供する。【解決手段】直流電圧が印加される可動構造体であるビーム型の振動子１と、その振動子１に振動を励起するための入力電極２と、前記振動子１に励起された振動を検出するための出力電極３とを備えるとともに、前記入力電極２と前記出力電極３とが前記振動子１を挟んで積み重なるように配された階層構造を有して、マイクロマシン（ＭＥＭＳ）を構成する。【選択図】図１
76 2005-138234 2003/11/07 ソニー株式会社 三次元構造体の製造方法および三次元構造体 A2 DE02 DEX PA01 PAX MA01 3

【課題】５００℃以下の低温プロセスのみでの形成が可能で、これにより半導体プロセスとの親和性が高く、かつプラスティック基板を用いることにより低コスト化を図ることが可能な三次元構造体の製造方法を提供する。【解決手段】基板１上に、原子層蒸着法によって窒化シリコン膜（ＡＬＤ−ＳｉＮ膜３）を成膜する。ＡＬＤ−ＳｉＮ膜３の上方にヘキサクロロジシランを用いた熱ＣＶＤ法によって窒化シリコン膜（第２ＨＣＤ−ＳｉＮ膜９）を成膜し、これをパターニングすることによって孔１１ａを形成することで犠牲層パターンを形成する。第２ＨＣＤ−ＳｉＮ膜９からなる犠牲層パターンを覆う状態で窒化チタン膜（第３ＴｉＮ膜１３）を成膜し、これをパターニングすることによって犠牲層パターンを跨いでその下地面上に端部が支持された振動ビーム（構造体パターン）１３ａを形成する。ＡＬＤ−ＳｉＮ膜３をストッパに用いて振動ビーム１３ａの隙間から第２ＨＣＤ−ＳｉＮ膜９からなる犠牲層パターンを選択的にエッチング除去することにより、振動ビーム１３ａの下方に空間部ａを形成する。【選択図】図３
77 2005-161516 2004/10/27 アクスティカ，インコーポレイテッド 超薄形状のＭＥＭＳマイクロホン及びマイクロスピーカ A2 DDX PB01 PB02MA01 5

【課題】ＭＥＭＳデバイスを作製するプロセスにおいて、基板の厚さを薄くしてもこれを保持する手段を提供する。【解決手段】基板の厚さを薄くしてＭＥＭＳデバイスを作製するプロセスの少なくとも一部において、キャリアウェハ３６を基板１２の一方の側に取り付けて基板を保持する。例えば、基板の厚さを薄く加工した後に基板の裏面にキャリアウエハ３６を取り付ける。その後キャリアウエハを取り付けた反対側から基板にエッチングなどの加工を行いＭＥＭＳデバイスを作成する。さらにその後ダイシングで個々のＭＥＭＳデバイスに分離する。【選択図】図５
78 2005-169616 2004/11/25 エスティーマイクロエレクトロニクス，インコーポレイテッド トレンチ内に製造した集積化しリリースしたビーム層構成体及びその製造方法 A2 DD01 MA01 MAX 1

【課題】トレンチ内に製造されたリリースされたビーム構成体及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板２０、トレンチ１８、第一導電層２４、ビーム２８を有し、該トレンチは半導体基板内へ延在しており且つ壁を具備している。該第一導電層は選択した位置において該トレンチの壁の上に位置されている。該ビームは該トレンチに位置されており且つその第一部分が該半導体基板へ接続されており且つその第二部分が移動可能である。該ビームの第二部分は選択した距離だけ該トレンチの壁から離隔されている。従って、該ビームの第二部分は該基板の表面と垂直又は平行な面内において自由に移動自在であり、且つビーム構成体に印加される所定の加速力又は所定の温度変化に応答して該トレンチの壁と電気的に接触すべく偏向即ち撓むことが可能である。【選択図】図１
79 2005-209482 2004/01/22 京セラ株式会社 エレクトロメカニカルスイッチ A2 DB01 2

【課題】スイッチングの応答速度の高速化が可能であり、小型化・薄型化・軽量化が図れ、基板上への他の回路構成部品との集積化も可能なエレクトロメカニカルスイッチを提供する。【解決手段】基板１上に対向する側壁を有する一対の支持部２・３が形成されており、これら支持部２・３間の基板１上に下部電極４および駆動用電極５が近接して配設され、支持部２・３間に、両端がそれぞれ支持部２・３上に取着されるとともに中央部が駆動用電極５に対向して駆動用電極５側に変形可能な駆動部７と、一端側が駆動部７の一端と連続して支持部２に取着され、駆動部７と分離された他端側が下部電極４に対向し駆動部７の駆動用電極５側への変形と連動して下部電極４側に移動して接触可能な接点部８とからなる上部可動電極６が掛け渡されているエレクトロメカニカルスイッチＭ１である。応答速度の高速化が可能で、小型化・薄型化・軽量化を図ることができる。【選択図】図１
80 2005-217417 2005/01/28 ヒューレット−パッカード　デベロップメント　カンパニー　エル．ピー． 半導体デバイスを形成する方法およびシステム A2 PJ01 FP

【課題】本発明は、半導体デバイスを形成する方法およびシステムを提供する。【解決手段】半導体デバイスを形成する方法であって、基板（４１５）に３次元（３Ｄ）パターン（４０５）を形成すること、および、前記半導体デバイスの所望の特性に従って、前記基板（４１５）上に少なくとも１つの材料（４１０）を堆積させることを含む半導体デバイスを形成する方法。【選択図】図１
81 2005-234535 2004/12/10 国立成功大学 グラジエント屈折率プラスチックロッド及びその製造方法 A2 DB01 2

【課題】ナノ粒子を含有し、ＧＲＩＮプラスチックロッドの屈折率の差、開口数及び伝送効率を増大させたグラジエント屈折率（ＧＲＩＮ）プラスチックロッドの提供。【解決手段】グラジエント屈折率（ＧＲＩＮ）プラスチックロッドは、少なくとも１のモノマ、少なくとも１の界面活性剤モノマ（サーフマ）及びナノ粒子を有している。ナノ粒子及びポリマを良好な相互溶解性に保持するサーフマは、ナノ粒子の含有量を増加させ、そして、従来ナノ粒子を導入することに起因する不透明なプラスチックロッドの問題を解決する。更に、ナノ粒子は、ＧＲＩＮプラスチックロッドの屈折率の差、開口数及び伝送効率を増大させる。【選択図】図１
82 2005-246601 2005/03/03 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロマシニング型の構成エレメントおよび相応の製作法 A2 PI02 FP

【課題】マイクロマシニング型の構成エレメントを簡単に製作することができるようにする。【解決手段】基板１が設けられており；該基板１に中空室２０が設けられており；基板１の表面にダイヤフラムＭが設けられており、該ダイヤフラムＭが、中空室２０を閉鎖しており；ダイヤフラムＭが、少なくとも２つの層３，７を有しており、両層３，７の間に１つまたはそれ以上の圧電性のまたは圧電抵抗性の導体路ストリップ５ａ，５ｂが埋め込まれているようにした。【選択図】図１ｇ
83 2005-250450 2004/12/28 日月光半導體製造股▲分▼有限公司 マイクロミラーパッケージ A2 PH02 FP

【課題】熱的な変形がより少ないマイクロマシン半導体パッケージ構造を提供することにある。【解決手段】マイクロミラーパッケージ１００において、第１の接着剤には第１のスペーサ１１６が内部に埋め込まれ、カバー基板と半導体チップ１１２との間に配置されて前記カバー基板と前記半導体チップ１１２とを離間させており、且つ前記カバー基板を前記半導体チップ１１２に取り付けている。第２の接着剤には第２のスペーサ１５２が内部に埋め込まれ、前記半導体チップ１１２と前記底部基板１５０との間に配置されて前記半導体チップ１１２を前記底部基板１５０に取り付けており、且つそれらを離間させている。前記ワイヤ１３０は前記半導体チップ１１２と前記基板１２０とを電気的に接続するために用いられている。前記蓋１２６は前記環状壁１２２の上部に設けられている。【選択図】図２
84 2005-254450 2005/03/11 パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド 高電圧薄膜トランジスタを使用するＭＥＭＳ装置のための集積化ドライバ電子工学 A2 PI01 2B

【課題】作動ＭＥＭＳ装置及び該作動ＭＥＭＳ装置を制御するためのドライバ回路を提供する。【解決手段】ドライバ回路は、基板上に形成される複数の高電圧薄膜トランジスタ（ＨＶＴＦＴ）を含み、各ＨＶＴＦＴは、制御ゲート電極、ソース電極、及び、該ソース電極が制御ゲート電極から第１の距離だけ離れるように配置されたドレイン電極を含む。このドレイン電極は、ドレイン電極のいずれか一部及び制御ゲート電極の間の最短距離が第１の距離より十分に大きいように、ドレイン電極及びソース電極間の第１の破壊電圧が制御ゲート電極及びソース電極間の第２の破壊電圧より大きいように、制御ゲート電極から離間される。複数の作動ＭＥＭＳ装置は、上記基板上に形成され、複数のＨＶＴＦＴのうちの関連したＨＶＴＦＴのドレイン電極にそれぞれ接続される。【選択図】図１
85 2005-262353 2004/03/17 ソニー株式会社 電子部品および電子部品の製造方法 A2 PH03 FP

【課題】可動片を備える素子基板を実装した電子部品において、外部からのガスや水分の侵入を防止して耐久性、信頼性を高めること。【解決手段】本発明は、一方面に可動片１１が形成された素子基板１０と、素子基板１０を実装する支持基板２０と、支持基板２０に素子基板１０が実装された状態で、少なくとも素子基板１０の可動片が形成されていない他方面側を覆う封止樹脂３とを備える電子部品１である。また、本発明は、一方面に可動片１１が形成された素子基板１０を、その一方面を支持基板２０側に向けてフェースダウン実装する工程と、支持基板２０に素子基板１０が実装された状態で、少なくとも素子基板１０の可動片１１が形成されていない他方面側を封止樹脂３で覆う工程とを備える電子部品１の製造方法である。【選択図】図１
86 2005-271085 2004/01/30 アネルバ株式会社 基板上にＭＥＭＳとＩＣを組付ける方法およびＭＥＭＳ装置 A2 DC01 DEX PB03 PB06 PGX PI06 PJ06 MA01 MB01 MB03 MD04 ME03 MEX MGX 1A-D

【課題】貫通孔を作ることができかつＳｉＯ2膜を熱的に成長させる時に高温プロセスを実行できる基板上にＭＥＭＳとＩＣを組付ける方法、そして基板上にＭＥＭＳとＩＣを組付けるための新しい構造を備えたＭＥＭＳデバイスを提供すること。【解決手段】基板１１上にＭＥＭＳ１２とＩＣ１３を組付ける方法は、基板１１に貫通孔１５を形成するステップと、所定の高温プロセスによって少なくとも貫通孔の内部表面に誘電体膜１６を堆積するステップと、基板の前面１１ａ上にＭＥＭＳを組立てるステップと、基板の背面１１ｂ上にＩＣを接着するステップと、そして貫通孔を経由してＭＥＭＳとＩＣを電気的に接続する金属ワイヤ１４を形成するステップと、から構成される。【選択図】図１Ａ
87 2005-271191 2004/08/25 セイコーエプソン株式会社 マイクロメカニカル静電振動子 A2 DB01 PA02 PA03 PA05 PA07 PA10 PB02 PB03 PC02 PC03 PE01 PH03 PJ06 MA01 MA02 MA03 MAX MB01 MB03 MD01 ME03 MF01 MF02 MF05 1（a） （b）

【課題】従来よりも容易に高周波化を図ることができ、従来よりも入力電圧に対する出力電圧の比を大きくすることができ、低駆動電圧化や省電力化を図ることのできるマイクロメカニカル静電振動子を提供する。【解決手段】本発明のマイクロメカニカル振動子１００は、板状の振動体１０５と、振動体の両側に振動体の外周部に対し空隙１０６を介してそれぞれ対向配置される一対の電極１０７，１０７と、一対の電極に同相の交流電力を印加するための給電手段１１０と、振動体と電極との間の静電容量の変化に対応した出力を得るための検出手段１０３，１２０とを有し、振動体の平面形状を、くびれを備えた曲線状の輪郭を有する形状としたことを特徴とする。【選択図】図１
88 2005-277861 2004/03/25 セイコーエプソン株式会社 マイクロレゾネータ及びその製造方法並びに電子機器 A2 DB02 PA01 PC02 PC03 PE01 PI03 MA01 MA02 MB01 MB03 ME03 1

【課題】広い周波数帯域に亘った所望の通過特性を有するマイクロレゾネータ及びその製造方法等を提供する。【解決手段】マイクロレゾネータ１０は、電極部１６ａ〜１６ｃが設けられた電極１６と電極部１８ａ〜１８ｃが設けられた電極１８との間に、共振周波数が互いに異なる複数のディスク１４ａ〜１４ｃを備えた構成である。電極部１６ａ、ディスク１４ａ、及び電極部１８ａからなるマイクロレゾネータ、電極部１６ｂ、ディスク１４ｂ、及び電極部１８ｂからなるマイクロレゾネータ、並びに、電極部１６ｃ、ディスク１４ｃ、及び電極部１８ｃからなるマイクロレゾネータは電気的に並列に接続されている。【選択図】図１
89 2005-322666 2004/05/06 日本電信電話株式会社 半導体装置及びその製造方法 A2 DB01 DB02 DB05 PA03 PA05 PA08 PB05 PC05 PE01 MA01 MB01 MD04 MD09 ME03 1a b

【課題】ＭＥＭＳ素子などの微細な構造体から構成された異なる形態の素子をモノリシックに搭載した半導体装置を提供する。【解決手段】集積回路１６０を備えた半導体基板１０１と、半導体基板１０１の上に配置された共振子１１２，インダクタ素子１１３，可変容量素子１１４，スイッチ素子１１５と、これらを覆うように半導体基板１０１の上に配置された容器１２０とから構成され、共振子１１２，可変容量素子１１４，スイッチ素子１１５は、支持部の上に支持された可動する可動ビームを備えるマイクロマシーン（受動素子）である。【選択図】図１
90 2005-341536 2005/03/18 松下電器産業株式会社 電気機械フィルタ A2 DBX FP

【課題】小型化、高集積化が可能で、高感度な信号検出が可能な電気機械フィルタを提供する。【解決手段】検出部に量子素子を用い、微細でかつ高感度の検出を実現しようとするもので、入力される信号に対して共振可能な微小振動子１０１と、前記微小振動子と所定の間隔を隔てて配設された検出電極１０３を備え、前記微小振動子と前記検出電極との間の静電容量の変化を検出することで、従来実現困難であった高感度な検出機構を実現する。【選択図】図１
91 2005-342803 2004/05/31 ソニー株式会社 ＭＥＭＳ素子とその製造方法、光学ＭＥＭＳ素子、光変調素子、ＧＬＶデバイス、及びレーザディスプレイ A2 DAX FP

【課題】ＭＥＭＳデバイスにおける信号伝達配線と保護カバーのシールメタル間の寄生容量の低減を図り、ドライバーの駆動能力の低減化を可能にする。【解決手段】基板１０２上に電気信号により駆動制御されるビーム１０５が配置されたＭＥＭＳ素子１０３を有し、ＭＥＭＳ素子１０３を隔離する保護カバー１０９９が配置され、保護カバー内のＭＥＭＳ素子１０３のビーム１０５と、保護カバー１０９外の信号入力端子１１０とを接続する信号伝達配線１０６が形成され、保護カバー１０９の接着用のシールメタル層１０８と信号伝達配線１０６との間に層間絶縁層１０７〔１２４、１２５〕が形成され、層間絶縁層１０７が、シールメタル層１０８と信号伝達配線１０６間の寄生容量をＭＥＭＳ素子の駆動時の静電容量以下にする膜厚を有して形成されて成る。【選択図】図１
92 2005-500172 2002/08/15 レベオ，　インコーポレイティッド ＭＥＭＳ及びＭＥＭＳ製造方法 A2 DA01 DB04 DBX DD01 DD02 DDX PG03 MAX MBX MD03 MD04 MD07 35
WO2003/016205 【課題】【解決手段】本発明は、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム（ＭＥＭＳ）とその製造方法に関するものであり、具体的には垂直方向に集積化したＭＥＭＳシステムに関するものである。ＭＥＭＳと垂直方向に集積化したＭＥＭＳの製造は、好ましくはウエハーレベルで、基板に選択的に接合されたＭＥＭＳレイヤー上に複数のＭＥＭＳを形成すること、及び前記ＭＥＭＳレイヤーを無傷で取り除くことにより容易にされる。
93 2005-501392 2001/12/11 ハリス　コーポレイション 蒸発マイクロ冷却を用いる電子装置および関連する方法 A2 DCX FP
WO2002/050901 電子装置は、少なくとも１つの集積回路を取り囲むパッケージと、パッケージにおけるマイクロ流体冷却器と、および冷却流体が小滴衝突冷却のような蒸発冷却を提供するようにマイクロ流体冷却器を制御するための制御器とから構成される。電子装置を、少なくとも１つの集積回路に接続される消費電力センサから構成することが可能であり、制御器は消費電力に対応してマイクロ流体冷却器を制御することが可能である。温度センサを、少なくとも１つの集積回路に接続することが可能であり、制御器はセンシングされた温度に対応してマイクロ流体冷却器を制御することが可能である。冷却流体の小滴を生成し、集積回路に冷却流体の小滴を衝突させるために、マイクロ流体冷却器を少なくとも１つの小滴生成器から構成することが可能である。少なくとも１つの小滴生成器を、少なくとも１つのマイクロ電気化学（ＭＥＭ）ポンプから構成することが可能である。電子装置はまた、パッケージに支持され且つ流体経路においてマイクロ流体冷却器と接続される、少なくとも１つの熱交換器を備えることが可能である。パッケージは、第１の一対の対向する主要表面、第２の一対の対向する側面および第３の対向する端面をもつ平行六面体形状とすることが可能である。これらの実施形態において、少なくとも１つの熱交換器は、好適には、第２の一対の対向する側面に連結される一対の熱交換器から構成される。
94 2005-514728 2002/11/07 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ＣＭＯＳ適合性基板上にマイクロ電気機械スイッチを作製する方法 A2 DBX FP
WO2003/054938 【課題】適合性のあるプロセスおよび材料を用いて従来の半導体相互接続レベルと一体化されたマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）を作製する方法を提供する。【解決手段】この方法は、接点切換に使用される様々な構成および任意数の金属／誘電体／金属スイッチを生成するように容易に改変される容量性スイッチを作製することに基づくものである。このプロセスは、誘電体内に埋め込まれた金属導体で構成された銅ダマシン相互接続層から始まる。銅相互接続の全体または一部分を、スイッチが閉じた状態にあるときに容量性空気ギャップが形成され、また例えばＴａ／ＴａＮの保護層のための空間が確保される程度に凹ませる。スイッチ用と指定された領域内に画定される金属構造は、アクチュエータ電極として機能して可動はりを引き下げ、切換信号が流れる１つまたは複数の経路を提供する。空気ギャップの利点は、空気が、信頼性および電圧ドリフトの問題を引き起こす電荷の蓄積または捕捉を行わないことである。ギャップを形成するために電極を凹ませる代わりに、電極の上または電極の周囲に誘電体を付加するだけでもよい。次の層は、下側電極と切換デバイスを構成する可動はりとの間に形成するギャップの所望の厚さまで堆積させた別の誘電層である。この誘電体を貫通するようにバイアを形成し、金属相互接続層と、切換可能はりを含む次の金属層との間の接続をもたらす。次いで、このバイア層をパターン形成およびエッチングして、下側活動化電極および信号経路を含む空洞領域を形成する。次いで、この空洞を犠牲リリース材料で埋め戻す。次いで、このリリース材料を、誘電体の上部に合わせて平坦化し、それにより、はり層をその上に構築する平坦な表面を形成する。
95 2005-519778 2003/03/07 コーネル　リサーチ　ファウンデーション、インコーポレイティッド 電子回路を有する炭化ケイ素超小型電気機械デバイス A2 DBX FP
WO2003/076330 エッチング速度の遅い炭化ケイ素を基板上に電子デバイス及び超小型電気機械デバイスを形成する方法は、基板上に回路を形成することによって実行する。炭化ケイ素基板よりエッチング速度が遅い保護層を回路上に形成する。その後、基板により支持される超小型電気機械構造を形成する。回路は１つの実施例では電界効果トランジスタより成り、保護層は重金属層より成る。
96 2005-520695 2003/03/19 キネテイツク・リミテツド 微小電気機械システム A2 DDX PF01 FP
WO2003/078301 センシング素子および該センシング素子に電気的に接続されたＪＦＥＴを組み込んだＭＥＭＳは、バリア材料を電気的に絶縁する第１の層を基板の表面に形成する工程と、前記基板の第１の領域を露出するように前記第１の層をパタニングする工程と、前記基板の第１の領域をイオン注入を用いてドープしてＪＦＥＴのウェル領域を形成する工程と、基板の第１の層および第１の領域の両方にバリア材料の第２の層を形成する工程と、基板の第１の領域の一部分を露出するように、前記バリア材料をパタニングする工程と、基板の第１の領域の露出した部分をイオン注入を用いてドープして、ＪＦＥＴのソースコンタクト領域およびドレインコンタクト領域を形成する工程と、基板の第２の領域を露出するように、バリア材料をパタニングする工程と、基板の第２の領域をイオン注入を用いてドープして、ＪＦＥＴのゲートコンタクト領域および基板コンタクト領域を１回の注入工程で形成する工程とによって製造される。ＪＦＥＴをＭＥＭＳにモノリシック集積することによって、センシング素子と関連するセンシング電子回路を相互接続する結合線をそのような回路のバッファ段のすぐ後に提供することが可能となる。このことは、バッファ段および回路の残りの部分を相互接続する結合線が、雑音および寄生容量性負荷に対して感度の弱い低インピーダンスノードに接続されることを意味する。したがって、より高い検出精度は、寄生容量が最小にまで低減されるという事実によって達成され得る。
97 2005-528226 2002/09/16 マイクロニック　レーザー　システムズ　アクチボラゲット ボンディング方法 A2 PGX FP
WO2003/025986 本発明は集積デバイスを形成する方法に関し、前記デバイスは、第１基板と、第２基板上に設けた少なくとも１つのエレメントを備える。前記基板の少なくとも一方にボンディング材料を配置する。前記第１および第２基板は相互に結合される。少なくとも前記第１基板および前記材料を通して、少なくとも１つの窪みを設ける。前記少なくとも１つの窪みの少なくとも一部分に支持構造を設けて、前記第２基板上の前記少なくとも１つのエレメントと前記第１基板とを機械的および／または電気的に相互接続する。前記第１基板から、少なくとも１つのエレメントを形成して、前記少なくとも１つの支持構造に機械的および／または電気的に接続可能であるようにする。前記第１、第２基板間にある前記材料の少なくとも一部を剥ぎ取り、前記第１基板上の前記エレメントを移動可能にする。
98 2005-528235 2003/05/21 ノースロップ　グラマン　コーポレーション 集積回路構成部分に接続されるダイ A2 PG05 PGX FP
WO2003/103048 １つの例における装置は、少なくとも第１および第２の部分を備える微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）などのダイ１０２、および、機械的および電気的な回路板３１０を含む。装置はダイの第２の部分に機械的かつ電気的に接続される集積回路構成部分１２２０を含む。動作の際、ダイは集積回路構成部分に通過される１つまたは複数の電気信号を発生させるために機能する。
99 2005-529376 2003/05/30 ミラディア　インク 反射型空間光変調器の製造 A2 DAX PC01 1
WO2004/000720 マイクロミラー・アレイを含む反射型空間光変調器の製造。一実施の形態において、前記マイクロミラー・アレイは、2つのみの主エッチング工程によって単結晶材料である基板から作られる。第1のエッチングは、前記材料の第１の側にキャビティを形成する。第2のエッチングは、支持柱と、上下方向のヒンジと、ミラー板とを形成する。前記第1のエッチングと前記第2のエッチングとの間において、前記基板はアドレッシング/制御回路に接合されることができる。
100 2005-534510 2003/05/13 フリースケール　セミコンダクター　インコーポレイテッド 低温プラズマによるＭＥＭＳ用途向けシリコン（Ｓｉ）又はシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ） A2 MAX FP
WO2004/013039 ＭＥＭＳ構造（６９）の形成方法が提供される。この方法によれば、その上に堆積した配線金属（５３）を有するＣＭＯＳ基板（５１）を設ける。ＭＥＭＳ構造は基板の上に、シリコン及びシリコン−ゲルマニウム合金から成るグループから選択される材料をプラズマ化学気相成長（ＰＡＣＶＤ）を使用して堆積させることにより形成される。ＰＡＣＶＤの使用に付随する低成長温度によって、これらの材料を、ＣＭＯＳ集積化プロセスの後工程におけるＭＥＭＳ形成に使用することが可能になる。
101 2005-536365 2003/08/25 アルシメール・エス・アー トロニクス・マイクロシステムズ 薄層の局所的な堆積によって機能化された表面を備えた微細構造及びその製造方法 A2 DDX 5
WO2004/018349 第１の導電材料で成る機械的部分（１０２）として知られる第１の部分を備えた電気機械的微細構造（１）であって、一方側に厚さと露出面（２）を有する弾性的に変形可能なゾーン（１０４）を備え、他方側に前記変形可能ゾーン（１０４）の露出面（２）の全面に存在する厚さを有する第１の有機膜（４）を備えた電気機械的微細構造（１）において、第１の膜（４）の厚さが、第１の膜（４）を備えた変形可能ゾーン（１０４）の弾性応答がベアの変形可能ゾーン（１０４）の応答と比較して５％以上変化しないような厚さであるか、又は、第１の膜（４）の厚さが、変形可能ゾーン（１０４）の厚さの１０倍より小さいことを特徴とする電気機械的微細構造。
102 2006-019724 2005/06/22 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション マイクロエレクトロメカニカル系（ＭＥＭＳ）可変コンデンサ（エラストマーＣＭＯＳベースのマイクロエレクトロメカニカル・バラクタ） A2 DB05 FP

【課題】反対の極性の可動櫛駆動型電極が同じ基板上に同時に製作されており、これらが独立に作動するマイクロエレクトロメカニカル系可変（ＭＥＭＳ）コンデンサを提供すること。【解決手段】静電容量を最大化するために、これらの電極はインターディジタル構造として形成さ
103 2006-024759 2004/07/08 日本電信電話株式会社 半導体装置の製造方法 A2 PJX 1c

【課題】不要な部分にカーボンナノチューブが形成されても、半導体装置の動作や特性に影響が出難い状態とする。【解決手段】基板１０１を所定の電子線露光装置１１１の処理室内に搬入し、基板１０１の電子線照射領域１２１に、加速電圧１ｋＶで照射量が１×１０17個／ｃｍ2と
104 2006-032339 2005/07/13 三星電子株式会社 半導体を用いたＭＥＭＳＲＦ−スイッチ A2 DB01 FP

【課題】バイアス信号を印加することによって交流信号伝達動作をオン／オフ制御し、バイアス信号が印加した後これが途切れても半導体層の内部で電子および正孔の再結合により電荷の蓄積減少およびスティッキング(ｓｔｉｃｋｉｎｇ)現象といった問題を解決できるＭＥＭＳＲＦ
105 2006-032477 2004/07/13 シャープ株式会社 素子、集積回路及びそれらの製造方法 A2 DF02 PJX FP

【課題】従来の電子デバイスはデバイス構造を立体構造で形成、または、新規材料を導入した場合に於いても、微細化に限界があり、大規模集積回路の形成が困難になるという課題があった。【解決手段】ゲート電極４、ソース・ドレイン５を設けた単位素子９は、配線８の中心部に
106 2006-032940 2005/06/22 三星電子株式会社 半導体素子の超薄型モジュール構造及びその製造方法 A2 PHX FP

【課題】イメージセンサ素子やＭＥＭＳ素子のような特殊な類型の半導体素子の超薄型モジュールを提供すること。【解決手段】超薄型モジュール３０は、活性面と前記活性面中央にある特定領域３３と活性面の周辺に沿って配置された入出力パッド３２とを有する半導体チップ３１
107 2006-033450 2004/07/16 シャープ株式会社 マイクロ共振装置、マイクロフィルタ装置、マイクロ発振器および無線通信機器 A2 DB04 FP

【課題】基板上に集積回路の一部として組み込み可能であって、共振子を封入した後においても共振子の加工精度や封入圧力のばらつきによる変動を補償し、共振周波数を安定して再現性よく調整できるマイクロ共振装置を提供することにある。【解決手段】この発明のマイクロ共振
108 2006-035379 2004/07/27 社団法人化学工学会 カーボンナノチューブデバイス及びカーボンナノチューブデバイスの製造方法 A2 PJ07 4

【課題】カーボンナノチューブの合成条件は１０００℃前後、低くても６００℃程度と高温であり、その様な条件下、基板上の触媒金属ナノ粒子は、凝集・融合・粗大化を起こし、ナノサイズを保つのが困難になる。【解決手段】基板上に穴の開いたマスクを設置し、触媒物質を供給
109 2006-042011 2004/07/28 松下電器産業株式会社 電気機械共振器およびその製造方法 A2 DS04 1b

【課題】簡易な方法で振動体と電極間の狭ギャップを高精度に形成することの可能な電気機械共振器を提供する。【解決手段】振動体２０２と電極２０３の間に形成されたギャップは、加工後にいずれかを変位させることにより、半導体製造技術で製作可能な最小間隙よりも小さなギ
110 2006-049305 2005/07/05 ヒューレット−パッカード　デベロップメント　カンパニー　エル．ピー． 複数の導電性ビームを有する電子デバイス A2 MD05 MD09 MD10 MDX Fp

【課題】特にＭＥＭＳの分野における電子デバイスの発熱性を低減させることを目的とする。【解決手段】本発明の電子デバイスは、第１の導電性パッド（１２１）と、第２の導電性パッド（１２２）と、互いに対して概ね平行な第１の複数の導電性ビーム（１３１）とを備え、第１
111 2006-049435 2004/08/02 ソニー株式会社 カーボンナノチューブ及びその配置方法と、これを用いた電界効果トランジスタとその製造方法及び半導体装置 A2 PJ07 4

【課題】カーボンナノチューブをトランジスタ等の半導体装置の所定位置により精度良く配置することが可能なカーボンナノチューブ及びその配置方法と、これを用いた電界効果トランジスタとその製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】カーボンナノチューブ１の少なく
112 2006-049458 2004/08/03 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法及びＭＥＭＳ装置の製造方法 A2 PA01 FP

【課題】ウエットエッチングに対する保護膜の形成不良の発生を防止可能とした半導体装置の製造方法及びＭＥＭＳ装置の製造方法を提供する。【解決手段】ＣＶＤ炉によって全面にウエットエッチングに対する保護膜を形成した半導体基板の表面に半導体素子を形成した半導体装置
113 2006-055991 2005/08/15 パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド 応力固有素材及び形状記憶素材を使用したＭＥＭＳデバイス並びにその製造方法 A2 PJX FP

【課題】ツーウェイ複数回アクチュエーション型ＭＥＭＳデバイスを実現する。【解決手段】少なくとも一種類の形状記憶素材を含む少なくとも一層の形状記憶素材層例えばＳＭＡ（形状記憶合金）膜１１０と、少なくとも一種類の応力固有素材を含む少なくとも一層の応力固有素材
114 2006-066178 2004/08/26 日本電信電話株式会社 静電駆動スイッチ及びその製造方法 A2 DB01 FP

【課題】ＭＥＭＳ素子などの微細な構造体から構成された異なる形態の素子を、ＬＳＩなどが形成されている半導体基板の上にモノリシックに搭載できるようにする。【解決手段】平板可動電極１０５の側部に接続するばね梁１０７、ばね梁１０７を層間絶縁層１０２の上に固定する
115 2006-066474 2004/08/24 松下電器産業株式会社 製造方法 A2 PE01 FP

【課題】半導体基板やマイクロマシン等の微細な加工を施される加工対象物の表面の凹凸を従来よりも高い平坦度で凹部の深さが異なる場合においても簡易に平坦化し、後工程における当該表面への加工を容易にする製造方法を提供する。【解決手段】加工対象物１の表面の凹凸を平
116 2006-080470 2004/09/13 キヤノン株式会社 基板間の電極間接合方法及び構造体 A2 PGX FP

【課題】基板間の接合の際の印加荷重の加え過ぎが防止され、基板間での線膨張係数差などに起因する内部応力によって歪を生じる恐れを少なくした基板間の電極間接合方法ないし構造体である。【解決手段】第一の基板1に、電極バンプ5、補強バンプ6、ストッパーバンプ7を形成し
117 2006-082166 2004/09/15 セイコーエプソン株式会社 微細構造体の製造方法 A2 PJ03 6

【課題】簡便な方法で、歩留り向上にも寄与することが可能な微細構造体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の微細構造体の製造方法は、基板１０上に複数の半導体デバイスを形成する工程と、基板１０上に、該基板１０の外周部が接着部となるようにエッチング保護膜１８
118 2006-082167 2004/09/15 セイコーエプソン株式会社 微細構造体の製造方法 A2 PCX 1

【課題】簡便な方法で、歩留り向上にも寄与することが可能な微細構造体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の微細構造体の製造方法は、半導体基板１０上に微細構造体を形成する工程と、半導体基板１０上に、該半導体基板１０の外周部が接着部２４となるようにエッチン
119 2006-086259 2004/09/15 日本電信電話株式会社 トンネル接合の形成方法 A2 PJX FP

【課題】カーボンナノチューブの所定の箇所に、容易にトンネル接合が形成できるようにする。【解決手段】シリコン基板１０１を所定の電子線露光装置の処理室に搬入し、カーボンナノチューブ１０３の所望の領域に電子線１１０が照射された状態とする。電子線１１０は、加速電
120 2006-088268 2004/09/24 日本電信電話株式会社 半導体装置及びその製造方法 A2 PI01 6ｌ

【課題】ＭＥＭＳ素子などの微細な構造体から構成された異なる形態の素子が、ＬＳＩなどが形成されている半導体基板の上にモノリシックに搭載された半導体装置を提供する。【解決手段】側壁枠１０６ａの上部に金属製の天井壁１０６ｄが形成され、ＭＥＭＳ素子１０６が形成さ
121 2006-095607 2004/09/28 セイコーエプソン株式会社 ＭＥＭＳ素子の製造方法及びＭＥＭＳ素子 A2 PI02 FP

【課題】小型化及びコストの低減を可能にするＭＥＭＳ素子の製造方法及び、ＭＥＭＳ素子を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳ素子１０の製造方法は、半導体基板３０の表面に不純物を注入して周囲から絶縁分離されたｗｅｌｌ３２を形成する工程と、ｗｅｌｌ３２の表面の一部を含
122 2006-095682 2005/09/22 アイディーシー、エルエルシー インターフェロメトリックモジュレータを静電放電から保護するための方法及びデバイス A2 DAX 1

【課題】インターフェロメトリックモジュレータを静電放電から保護するための方法及びデバイス【解決手段】インターフェロメトリックモジュレータ等のＭＥＭＳデバイスは、該ＭＥＭＳデバイス内の導電体によって搬送された過電流をアースに分流させることができる一体化ＥＳ
123 2006-100614 2004/09/30 株式会社日立製作所 陽極接合構造を用いた電子装置 A2 PG01 FP

【課題】高電圧に対して耐性の高くないデバイスに与えるダメージを抑えた電子装置を提供する。【解決手段】第１の電極と、デバイスを備えた第１の部材と、第２の電極を備えた第２の部材とを備え、前記第１の電極と第２の電極は、デバイスと重畳しない領域に形成され、該第１
124 2006-102845 2004/10/01 ソニー株式会社 機能素子パッケージ及びその製造方法、機能素子パッケージを有する回路モジュール及びその製造方法 A2 PH04 FP

【課題】機能素子体の封止構造を有して小型薄型化を図る。【解決手段】機能面に微小な可動部を有する機能素子体１２を実装したパッケージ基板１１と、機能素子体１２の周辺回路を構成した薄膜多層回路体１４とを接着樹脂枠体１３を介して接合して、機能素子体１２を封装する
125 2006-147995 2004/11/24 日本電信電話株式会社 可変容量素子及びその製造方法 A2 DB05 PA03 PA08 PB05 PC03 PC05 PE01 PI03 MA01 MA02 MB01 ME03 1a b

【課題】ＭＥＭＳ素子である可動部分を備えた可変容量素子を、容易に封止した状態に形成できるようにする。【解決手段】可変容量素子は、シリコンなどの半導体基板１０１の上に絶縁層１０２を介して備えられ、固定電極１０３と、固定電極１０３の上に所定距離離れて対向配置
126 2006-167814 2004/12/13 セイコーエプソン株式会社 ＭＥＭＳ素子、ＭＥＭＳ素子の製造方法 A2 DD01 DD03 PA01 PB03 PC03 PI03 MA01 MA02 MB01 1a〜c

【課題】ＭＯＳＦＥＴ構造を用いた、小型で、検出感度が高いＭＥＭＳ素子と、ＣＭＯＳ製造プロセスによる安価なＭＥＭＳ素子の製造方法を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳ素子１０は、Ｓｉ基板２０にＭＯＳＦＥＴを形成する工程を用いて製造されるＭＥＭＳ素子であって、ＭＯ
127 2006-175554 2004/12/22 松下電工株式会社 微小電気機械デバイス A2 DD02 PAX PB03 PG01 PH01 PI03 MA01 MD01 1a b

【課題】微小電気機械要素と集積回路との両方の高性能化が可能な微小電気機械デバイスを提供する。【解決手段】微小電気機械要素であるジャイロセンサと集積回路３とが１つの素子形成基板１に形成されたジャイロセンサ装置であり、素子形成基板１が、シリコン基板１Ａと、シ
128 2006-175555 2004/12/22 松下電工株式会社 微小電気機械デバイスの製造方法 A2 DD2 PAX PB03 PBX PE01 PG01 PH01 PI03 MA01 MB03 MD01 1a b

【課題】高性能の微小電気機械要素と集積回路とが集積化された微小電気機械デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】微小電気機械要素であるジャイロセンサＳと集積回路３とが集積化された微小電気機械デバイスの製造にあたって、半導体基板であるシリコン基板１Ａの一表
129 2006-212773 2006/02/03 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロマシニング型の構成素子および相応する製造方法 A2 DB05 DD03 PB03 PC03 PE01 MA01 MA02 MAX MB01 MD01 1L

【課題】改善された線形特性を有するマイクロマシニング型の構成素子を提供する。【解決手段】シリコンウェーハ基板１と、弾性的に変位可能な導電性のダイヤフラムＭとが設けられており、該ダイヤフラムＭが、湾曲させられてかつシリコンウェーハ基板１から電気的に絶縁され
130 2006-228989 2005/02/17 国立大学法人　東京大学 株式会社東芝 混在型半導体集積回路及びその製造方法 A2 DA01 DDX DEX PA03 PA05 PB01 PC03 PC04 PE01 PF02 PI03 MA01 MA02 MB01 MB03 MD01 ME03 1

【課題】同一基板に機械的駆動系及び電気的駆動系を混在しつつ、電気的駆動系上に機械的駆動系を積層する構造を無くした簡易な構造を有するＭＥＭＳを備えた混在型半導体集積回路及びその製造方法を提供する。【解決手段】混在型半導体集積回路１は、基板１０上の第１の領域
131 2006-247815 2005/03/14 オリンパス株式会社 ＭＥＭＳシステム及びその製造方法 A2 DA04 FP

【課題】Ａｌの融点温度以上の熱処理が必要な材料を用いて形成したＭＥＭＳデバイスを有するＭＥＭＳシステムを提供すること。【解決手段】複層電極２０や配線電極２８等を形成した半導体デバイスと、その半導体デバイス上に一体的に形成されたＭＥＭＳデバイスと、からなる
132 2006-247820 2005/03/14 ソニー株式会社 可動素子並びに半導体デバイスおよび電子機器 A2 DBX 1

【課題】チャージング現象の発生を抑制し、長時間の駆動による駆動電圧の上昇および薄膜電極と駆動電極との貼り付きなどを低減することのできる可動素子を提供する。【解決手段】基板１０上にマイクロマシン技術により形成された微小構造体２０と、この微小構造体２０の駆動
133 2006-255855 2005/03/18 セイコーエプソン株式会社 電気機械素子の製造方法 A2 PI01 FP

【課題】狭ギャップ構造を備えた電気機械素子を低コストで製造可能とする製造技術を提供する。【解決手段】本発明の電気機械素子の製造方法は、基板１１上に犠牲層１２が形成される犠牲層形成工程と、前記犠牲層上に第１導電層１３，１４，１５が形成される第１導電層形成工
134 2006-255856 2005/03/18 セイコーエプソン株式会社 電気機械素子の製造方法 A2 PI01 FP

【課題】狭ギャップ構造を備えた電気機械素子の素子構造や素材選択の自由度を高めることのできる製造方法を提供する。【解決手段】本発明の電気機械素子の製造方法は、基板１１上に犠牲層１２を形成する犠牲層形成工程と、犠牲層１２上に開口部１３ａを備えた電極層１３を形
135 2006-255879 2005/11/16 セイコーエプソン株式会社 ＭＥＭＳ素子およびＭＥＭＳ素子の製造方法 A2 PCX FP

【課題】構造体のリリース工程で配線への損傷を与えることがなく、耐湿性が良好で信頼性の向上した、ＭＥＭＳ素子およびＭＥＭＳ素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板１０に可動電極１５および固定電極１６ａ，１６ｂから構成される構造体１８が形成され、構造
136 2006-263902 2005/08/04 株式会社日立製作所 集積化マイクロエレクトロメカニカルシステムおよびその製造方法 A2 PI01 FP

【課題】半導体集積回路装置（ＣＭＯＳ等）と微小機械とを半導体基板上にモノリシックに集積化した集積化ＭＥＭＳの製造技術において、半導体集積回路装置の通常の製造技術とは異なる特別な工程を使用することなく集積化ＭＥＭＳを製造できる技術を提供する。【解決手段】Ｃ
137 2006-271032 2005/03/22 三洋電機株式会社 半導体集積回路及びチャージポンプ回路 A2 DBX FP

【課題】スイッチング素子（トランジスタ）の大型化に伴うＩＣのサイズの大型化を防止する。【解決手段】従来ＭＯＳトランジスタを電荷転送用のスイッチング素子として用いていたが、かかるスイッチング素子をマイクロマシン・スイッチＡ，Ｂに置換する。マイクロマシン・ス
138 2006-294591 2006/01/25 オムロン株式会社 静電マイクロ接点開閉器およびその製造方法、ならびに静電マイクロ接点開閉器を用いた装置 A2 DBX FP

【課題】従来と同等の復帰力を確保しつつ、接触力の向上、印加電圧の低減、および／または、電極の寸法の縮小を実現する。【解決手段】静電マイクロリレー１０は、ベース１１に設けた固定電極１２と、アクチュエータ２１の可動電極２４との間に電圧を印加して生じる静電引力
139 2006-297502 2005/04/15 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法 A2 DDX FP

【課題】ＭＥＭＳデバイスをＣＭＯＳＬＳＩと同一基板上に混載する点において、ＬＳＩプロセスと整合性良く、またＬＳＩ領域から発生する水分、熱などのＭＥＭＳデバイスへの影響を抑制することができる半導体装置を提供する。【解決手段】第１領域及びこの第１領域に隣接す
140 2006-503717 2003/10/17 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 微小電気機械装置を製造するための方法及びこの方法により得られる微小電気機械装置 A2 DBX FP
WO2004/037713 この発明は、微小電気機械装置（１０）を製造するための方法であって、第一の電極（２Ａ）が内部に形成される第一の導電層（２）と、第一の材料の第一の電気絶縁層（３）と、第一の材料とは異なる第二の材料の第二の電気絶縁層（４）と、第二の電極（５Ａ）が内部において第
141 2006-506237 2003/11/07 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 集積構造体およびその製造方法 A2 PI01 FP
WO2004/043850 【課題】従来の２次元配置の電気的限界を克服するために、ＭＥＭＳデバイスとその制御デバイス（ＣＭＯＳロジック・チップなど）を相互接続することができる３次元集積方式を提供すること。【解決手段】垂直集積構造体は、マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）およびＭＥＭ
142 2006-509476 2003/07/31 チャールズ　スターク　ドレイパー　ラボラトリー　インコーポレイテッド ＭＥＭＳ圧電縦モード共振器 A2 DB03 1
WO2004/059836 縦モード共振器は、基板と、基板に対してつり下げられたバーを備える。バーは、バーの厚みを横切る電界の印加に応答して、長手方向に自由に膨張及び収縮するようにつり下げられる。バーの膨張と収縮により、バーの基本周波数にほぼ等しい周波数を有する電界に応答して共振が
143 2006-514414 2003/10/28 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 微小電子機械誘導性スイッチ A2 DB01 FP
WO2004/078638 【課題】電気信号を誘導結合または減結合することができる微小電子機械（ＭＥＭＳ）スイッチを提供することにある。【解決手段】誘導性ＭＥＭＳスイッチは、可動プラットフォーム上の第１の複数のコイルと、固定されたプラットフォームまたは基板上の第２の複数のコイルから
144 2006-517688 2004/02/11 リフレクティヴィティー，　インク． 投写型ディスプレイにおけるマイクロミラーアレイ用のマイクロミラーおよび非対角上ヒンジ構造 A2 DA04 FP
WO2004/072696 空間光変調器が、そのような変調器を作製するための方法とともに開示される。空間光変調器はマイクロミラーのアレイを備え、各マイクロミラーは、ヒンジと、基板上に前記ヒンジを介して保持されたマイクロミラープレートであって、前記ヒンジから離れた平面に配置され、前記
145 2006-519111 2004/02/10 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 電子デバイスおよびその製造方法 A2 DD01 PB01 FP
WO2004/071943 電子デバイス、特に加速度センサを製造する方法であって、埋込酸化物層（１４）を間に備える第１および第２の半導体層（１２，１６）を有するウェハ（１０）を提供すること、および第１の半導体層（１６）内でウェハ（１０）の一方の面に半導体デバイス（検出回路など）を形
146 2006-519396 2003/05/30 ミラディア　インク 反射型空間光変調器 A2 DA04 1
WO2004/001487 例えば反射型空間光変調器に有用なマイクロミラー・アレイ。一実施の形態において、前記マイクロミラー・アレイは、スペーサ支持壁部と、上下方向ねじりバネと、ミラープ板とからなり、これらの構成要素のすべては単一のウェーハから作られている。前記マイクロミラー・アレ
147 2006-526509 2004/03/30 ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング マイクロ電気機械的装置及びその封緘方法及び製造方法 A2 DBX 1
WO2004/109769 【課題】本願には多くの発明が記載されており且つ例示されている。１つの特徴では、本発明は、最終パッケージ前に機械構造がチャンバ内に封緘されたＭＥＭＳ装置及びその製造技術に関する。【解決手段】付着させたときに機械構造を封緘する材料は、一体化に列挙する特性のう
148 2006-526805 2004/02/12 ミラディア　インク 隠れヒンジを備えた高充填率反射型空間光変調器の作製 A2 DA04 1
WO2004/109363 隠れヒンジを備えたマイクロミラーアレイであって、例えば、反射型空間光変調器には有用なマイクロミラーアレイである。一実施形態では、このマイクロミラーアレイは、スペーサ支持壁、ヒンジ、ミラープレート、およびこのミラープレートの上面上にあり、かつヒンジとミラー
149 2006-526806 2004/02/12 ミラディア　インク 隠れヒンジを備えた高充填率反射型空間光変調器の作製 A2 DA04 8
WO2004/109364 本発明は、隠れヒンジを備えたマイクロミラーアレイの作製に関し、このマイクロミラーアレイは、例えば、反射型空間光変調器には有用である。一実施形態では、このマイクロミラーアレイは、単結晶材料からなる第１の基板である基板から作製される。この第１の基板の第１の側
150 2006-332576 H170926 松下電工株式会社 半導体装置およびその製造方法 A2 PH04 PI01


【課題】半導体ベアチップの回路形成面側に他のチップまたは基板を対向させて積層し、コンポジット材料でそれらの間を接合して成る半導体装置において、前記コンポジット材料中のフィラーによる半導体ベアチップへのストレスを緩和して不具合の発生を防止する。【解決手段】ＭＥＭＳチップ２をシリコン半導体チップ３に積層して成る半導体装置１において、両者の回路形成面を相互に対向させて導電性微小突起４で電極間を接続するとともに、両者間に、低い硬化温度および線膨張係数で、充分な強度を得ることができるコンポジット材料５を充填して接合するにあたって、チップ２，３側には保護層７，８を介在する。したがって、コンポジット材料５中の硬いフィラー１０が、チップ２，３の表面を傷付けることを未然に防止し、半導体装置１の信頼性を向上することができる。【選択図】図１
151 2007-035290 H170722 株式会社日立製作所 スイッチ、半導体装置およびその製造方法 A2 DB01 DBX -

【課題】ＣＭＯＳ回路と混載でき、なおかつ、機械的にも電気的にも信頼性の高い接点を持つＭＥＭＳスイッチを実現することを目的としている。【解決手段】ＭＥＭＳスイッチを構成する可動部１と、これに対向する固定部２の接触面にＣＭＯＳプロセスと親和性の高い絶縁膜３を形成する。スイッチを使用する際には、駆動部４と可動部１に電圧を印加して可動部１を動かす。そして、可動部１と固定部２とを接触させた後、絶縁膜３の破壊電界強度を超える電圧を絶縁膜３に印加し、絶縁破壊を起こす。このように絶縁膜３を一度改質することで、スイッチ接点の機械な疲労集中箇所を保護し、なおかつ、絶縁破壊によって形成された電流経路を通じて電気的な信号を伝達する接点を実現する。【選択図】図２
152 2007-044864 H180708 株式会社半導体エネルギー研究所 微小電気機械式装置の作製方法 A2 PI02 -

【課題】微小構造を有するマイクロマシンの量産に際して、微小構造体と微小構造体を制御する半導体素子を同一基板上に形成し、コストを低減する方法を提供する。【解決手段】マイクロマシンの作製に際して、膜のパターン形成を行うためのマスク材料を用いて犠牲層を形成し、半導体素子を形成する領域におけるマスクの除去と、微小構造体を形成する領域における犠牲層とマスクの除去を同一の工程にて行う。具体的には絶縁性基板上に選択的に犠牲層１０３を形成し、犠牲層を覆って半導体層１０４を形成し、半導体層上にマスク１０５を形成し、マスクを用いて半導体層をエッチングし、マスク及び犠牲層の除去を同時に行う微小電気機械式装置の作製方法を提供する。【選択図】図１
153 2007-073366 H170907 株式会社東芝 モノリシックマイクロ波集積回路および製造方法 A2 DB01 -

【課題】小型であってもスイッチング動作特性が安定し、かつ、汎用性のあるマイクロマシンスイッチを備えたモノリシックマイクロ波集積回路を提供すること。【解決手段】モノリシックマイクロ波集積回路１のマイクロマシンスイッチ５を、固定電極９とこの固定電極９に対向して設けられた可動電極１０による平行平板構造で構成し、かつ、両電極９、１０の接触面９ａ、１０ａは相互に噛み合うような凹凸形状に形成する。【選択図】図１
154 2007-098565 H180825 株式会社半導体エネルギー研究所 微小電気機械式装置の作製方法 A2 DD03 PIX -

【課題】同一表面上に微小構造体及び半導体素子を形成する工程を簡略化する方法を提供する。【解決手段】絶縁基板上に微小構造体を成す開口部と半導体素子が形成された微小電気機械式装置形成部分について、一方の面を第１のシート材１２４に接着させて絶縁基板から剥離する。次に剥離した絶縁基板側に第２のシート材を貼り合わせるとともに、第１のシート材１２４を剥離する。次に第１の構造層１０５と第２の構造層１１８とが向かい合わされ一部が重なるように第２のシート材と共に全体を屈曲させ封止する。これによって微小構造体１２６と半導体素子１２７，１２８が一体に封止される。【選択図】図５
155 2007-134453 H171109 ソニー株式会社 マイクロマシン混載の電子回路装置、およびマイクロマシン混載の電子回路装置の製造方法 A2 PI01 PI02 -

【課題】電子回路の信頼性を損なうことなく、マイクロマシンの動作が確実になされる空洞部の形成を行うことができるようにする。【解決手段】マイクロマシン動作構造部７が、配線層間絶縁層９に形成されたエッチング用開口１２ａ内に配置され、マイクロマシン動作構造部７下に、エッチングストップ層４が配置される。配線層間絶縁層９におけるエッチング用開口１２ａの内側壁面に、エッチング保護壁１２がマイクロマシン動作構造部７と所要の間隔を保持して形成され、上記マイクロマシン動作構造部７の配置部に、その全外表面が、他部と非接触状態を保持する空洞部１３が形成されて、エッチング保護壁１２によって空洞部１３の形成による隣接配線部への特性劣化を回避する。【選択図】図４
156 2007-152546 H181019 株式会社半導体エネルギー研究所 微小構造体及び微小電気機械式装置の作製方法 A2 PI02 -

【課題】微小構造体の空間を形成するために設ける犠牲層に使用されるフォトマスクの枚数を低減し、製造コストを削減する。【解決手段】同一のフォトマスクを用いてパターニングされたレジストマスクにより犠牲層を形成する。レジストマスクにより第１の犠牲層をエッチングして形成した後に、同一のフォトマスクを使用してパターンを形成されたレジストマスクを用いて第２の犠牲層をエッチングして形成する。レジストマスクは一方の犠牲層のエッチング前に外形寸法を拡大又は縮小する等して変形することで、大きさの異なる犠牲層を形成することができる。【選択図】図１
157 2007-160435 H171212 株式会社日立製作所 半導体装置およびその製造方法 A2 PI02 -

【課題】ＭＥＭＳ素子の製造過程におけるスティッキングの発生を抑制して、ＭＥＭＳ素子またはＭＥＭＳ素子を含む半導体装置の歩留まりを向上させる。【解決手段】ＭＥＭＳ素子１を、基板２と、基板２の主面上に形成された絶縁膜３と、絶縁膜３の上部に形成された静止状態の時に基板２の主面に対して非平面的な凸形状となる変形可能な構造体４と、構造体４上の一部に絶縁膜５を介して形成された電極６とから構成することにより、製造工程におけるスティッキングの発生を抑制する。【選択図】図１
158 2007-212818 H180210 セイコーエプソン株式会社 ＭＥＭＳデバイス、ＭＥＭＳデバイスの製造方法 A2 DA04 PI02 -

【課題】入射光の変調を安定して行うことができるＭＥＭＳデバイスと、ＣＭＯＳ製造プロセスを用いて、ＭＥＭＳ構造体を製造できるＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳデバイス１は、ＭＥＭＳ構造体領域３と、半導体領域２と、がＳｉ基板１０上に併設されるＭＥＭＳデバイス１であって、ＭＥＭＳ構造体が、下部電極５１と可動電極６１と上部電極７１とが層状にそれぞれほぼ等間隔に離間して配設して構成され、上部電極７１が、入射光が透過可能な開口部７２を有し、可動電極６１が、開口部７２からの入射光を反射する反射面６２を有し、可動電極６１が上部電極７１の近接位置にあるとき反射光を開口部７２から透過する第１の状態と、下部電極５１の近接位置にあるとき反射光を開口部７２から透過させない第２の状態とを有し、第１の状態または第２の状態により、前記入射光を変調する。【選択図】図１
159 2007-216358 H180220 セイコーエプソン株式会社 ＭＥＭＳデバイスおよびその製造方法 A2 PA08 PI01 -

【課題】小型のＭＥＭＳデバイスおよび小型のＭＥＭＳデバイスが一連の工程で製造できる簡略化した製造方法を提供すること。【解決手段】ＣＭＯＳ素子２３上に可動電極５が形成されているので、ＣＭＯＳ素子２３とは別の領域に可動電極５を形成した場合と比較して、ＭＥＭＳデバイス１の基板表面に占める面積を少なくでき、小型のＭＥＭＳデバイス１を得ることができる。また、可動電極５の形成とバンプ９０の形成とがメッキ工程で同時に行なわれる。したがって、ＭＥＭＳデバイス１が半導体製造工程の一連の工程で製造でき、製造方法を簡略化できる。【選択図】図１
160 2007-260866 H180329 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法 A2 PGX PI01 -

【課題】ＭＥＭＳデバイスと半導体デバイスとを備えていても、高集積化および薄化することを可能にする。【解決手段】ＭＥＭＳデバイス２ａが形成された第１チップ２と、半導体デバイス４ａが形成された第２チップ４と、第１チップの側面と第２チップの側面とを接着し、第１および第２チップの材料よりも小さいヤング率を有する接着層１０と、を有する接合チップを備えている【選択図】図２
161 2007-263765 H180328 松下電工株式会社 ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサ装置 A2 DD01 DD02 DD04 PHX PI01 -

【課題】パッケージを含めたセンサ装置の低背化が可能で且つ製造時のＩＣ部の絶縁破壊を防止することが可能なウェハレベルパッケージ構造体およびセンサ装置を提供する。【解決手段】センシング部およびセンシング部と協働するＩＣ部Ｅ２が設けられたセンサ本体１を複数形成した第１の半導体ウェハからなるセンサウェハ１０と、センサウェハ１０の一表面側で各センサ本体１それぞれに接合される複数の第１のパッケージ用基板部２ごとにＩＣ部Ｅ２と電気的に接続される貫通孔配線２４が形成された第２の半導体ウェハからなる第１のパッケージウェハ２０と、センサウェハ１０の他表面側で各センサ本体１それぞれに接合される複数の第２のパッケージ用基板部３を有する第３の半導体ウェハからなる第２のパッケージウェハ３０とを備え、センサウェハ１０と各パッケージウェハ２０，３０とがウェハレベルで接合されている。【選択図】図１
162 2007-283480 H190313 株式会社半導体エネルギー研究所 マイクロマシン、およびその作製方法 A2 PI02 PJX MA02 -

【課題】微小構造体、当該微小構造体を制御する電気回路を同一基板上に形成したマイクロマシンおよびその作製方法を提供する。【解決手段】電気回路の半導体素子はゲート電極上に半導体層を有する。半導体素子の半導体層は、基板１０１上で、非晶質シリコンを加熱処理またはレーザ照射により結晶化した多結晶シリコンを含む層でなる。得られた多結晶シリコンを含む層を構造体１１９の可動電極などの構造層１０８にも用いられる。そのため、構造体１１９と構造体１０８を制御する電気回路を同一基板上に同時に形成することができる。その結果、マイクロマシンを小型化することができる。また、組み立てやパッケージが不要となり、製造コストを低減することが可能となる。【選択図】図４
163 2007-313594 H180524 オムロン株式会社 積層デバイス、およびその製造方法 A2 DDX PI01 PHX -

【課題】各基板に形成された構造物を容易に保護できる積層デバイスを実現する。【解決手段】本発明の物理量検知装置１は、センサコントロール部４０およびＲＦ部２０の形成面が、ＭＥＭＳ層３と接する側となるようにセンサコントロール部４０を備えるセンサコントロール層４およびＲＦ部２０を備えるＲＦ層２がそれぞれ配置され、マイクロマシン部３０が形成されたＭＥＭＳ層３が、センサコントロール層４とＲＦ層２とによって挟み込まれる。【選択図】図１
164 2007-329226 H180607 日本電信電話株式会社 エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 薄膜形成方法及び装置 A2 DD03 DDX PI01 -

【課題】貼り合わてせてから加熱処理する薄膜により、膨出部や破損部などが発生しない状態で、封止ができるようにする。【解決手段】樹脂膜１０２が被着（転写）されたシリコン基板１０３を、オーブン（加熱処理装置）１１０の処理室１１１内部に搬入し、処理室１１１の内部温度を、室温（約２０℃）から５．５℃／ｍｉｎの速度で昇温する。処理室１１１の内容積は１リットルである。このとき、処理室１１１の内部温度と処理室１１１の内部圧力（処理圧力）とが、「内部圧力＝大気圧×（２７３＋内部温度）／（２７３＋開始温度）」で示される関係が保持されるように、処理室１１１の内部圧力を上昇させる。【選択図】図１
165 2007-331095 H190517 株式会社半導体エネルギー研究所 微小構造体、マイクロマシンおよび半導体装置、ならびに微小構造体およびマイクロマシンの作製方法 A2 PI01 -

【課題】犠牲層エッチングを行わずに微小構造体及びマイクロマシンを作製する。【解決手段】基板１０１上に剥離層１０２を形成し、剥離層１０２上に可動電極となる層１０３を形成する。剥離層１０２を境界に、可動電極となる層１０３を基板から剥離する。別の基板１０５に固定電極となる層１０６を形成する。可動電極となる層１０３と固定電極となる層１０６が向かい合うように、部分的に設けられたスペーサ層１０３を挟んで、可動電極となる層１０３を基板１０５に固定する。これにより、犠牲層エッチングを行わずに、層１０３と層１０６の間に空間部分１０９が形成される。【選択図】図１
166 2007-533113 H170414 バオラブ　マイクロシステムズ　エス　エル アナログ接続マトリクスを有する集積回路 A2 DB01 -
WO2005/101442 本発明はアナログ接続マトリクスを有する集積回路に関するものである。この集積回路は、複数のアナログＩ／Ｏ接点(2)を有するアナログ接続マトリクスを具えている。アナログＩ／Ｏ接点(2)は、ミニチュアリレーを通した互いに対する相互接続(4)を有し、各ミニチュアリレーは中間的空間(25)内に配置された導電素子(7)を具え、導電素子(7)は、電磁的制御信号に応じて第１位置と第２位置との間の移動を行うのに適し、導電素子(7)は、前記第１位置にあるか前記第２位置にあるかに応じて電気回路を開放または閉路する。
167 2007-536105 H170623 インテル・コーポレーション マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）と受動素子が集積化されたモジュール A2 DB01 DB02 PI01 -
WO2006/012255 【課題】ＭＥＭＳと受動素子が集積化されたモジュールを提供する。【解決手段】第１基板、第１基板に接合された１以上のＭＥＭＳ、第１基板に接合された第２基板、第２基板に接合された１以上の受動素子を備える装置を提供するとしてもよい。１以上のＭＥＭＳが接合された第１基板と、１以上の受動素子が接合された第２基板を位置合わせすることと、位置合わせされた第１基板と第２基板を接合することとを含む方法を提供するとしてもよい。【選択図】図１
168 2008-008820 H180630 株式会社日立製作所 慣性センサおよびその製造方法 A2 DD01 PI01 -

【課題】ＭＥＭＳによる慣性センサを小型化したときにも、構造体の強度（信頼性）と慣性センサの感度を両立することが可能で、かつ、広い加速度領域で一定レベルの感度が得られるＭＥＭＳによる慣性センサを提供する。また、標準的なＬＳＩ製造技術であるＣＭＯＳの製造工程で、慣性センサを封止・実装することにより、小型化、かつ、半導体集積回路装置またはＭＥＭＳによる異種のセンサをモノリシックに混載可能な慣性センサとその製造方法を提供する。【解決手段】慣性センサの錘を複数の分割錘１０７から構成し、この分割錘１０７同士を弾性変形可能な梁１０８で接続する。各分割錘１０７の可動範囲、質量、各梁１０８の剛性等を調整する、または、加速度に対する感度領域の異なる複数の変形モードを併用することにより、加速度の検出感度を向上させるとともに加速度応答範囲を広げる。【選択図】図１
169 2008-044096 H190719 株式会社半導体エネルギー研究所 微小電気機械式装置、およびその作製方法 A2 PI02 MDX -

【課題】微小電気機械式装置が有する微小構造体と電気回路とを同一の絶縁表面上に同一工程を経て作製する。【解決手段】微小電気機械式装置は、絶縁表面を有する基板上にトランジスタを有する電気回路と、微小構造体を有する。微小構造体とトランジスタとは、絶縁層と半導体層の積層体を有する。すなわち、構造層は、ゲート絶縁層と同じ絶縁膜から形成された層を含み、かつトランジスタの半導体層と同じ半導体膜から形成された層を含む。さらに、微小構造体は、トランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極に用いられる導電層を犠牲層に用いることで作製される。【選択図】図１
170 2008-047901 H190808 三星電子株式会社 電気的機械的メモリ素子及びその製造方法 A2 DBX -

【課題】高い信頼性及び優秀な動作特性を有するメモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】メモリ素子は、基板１００と、基板１００に対して垂直方向に延長される第１電極１１０と、基板１００に対して垂直する方向に延長され、電極のギャップによって第１電極１１０と互いに離隔するように配置される第２電極１２０と有する。さらに、前記電極ギャップの内部に垂直方向に延長され、第１ギャップ１１８Ａだけ第１電極１１０から離隔され、第２ギャップ１１８Ｂだけ第２電極１２０から離隔され、静電気的に変形されることが可能であって、第１曲げ状態では、第１ギャップ１１８Ａを通じて第１電極１１０と電気的に接続されるようにし、第２曲げ状態では第２ギャップ１１８Ｂを通じて第２電極１２０と電気的に接続されるようにし、待機状態では第１電極１１０及び第２電極１２０と互いに電気的に絶縁されるようにする第３電極とを含む。【選択図】図２
171 2008-051685 H180825 大日本印刷株式会社 センサーユニットおよびその製造方法 A2 DD01 DD02 PI01 PHX -

【課題】小型で信頼性の高いセンサーユニットと、簡便に製造するための製造方法を提供する。【解決手段】センサーユニット１は、多軸モーションセンサー２と、貫通電極５３を有するインターポーザ３と、能動素子内蔵モジュール４とをこの順に多段状態で備えたものであり、多軸モーションセンサー２は、梁を介して支持された錘２３と、錘よりも外側の領域に配設されたコンタクト電極とを有するセンサー本体１１と、所定の電極３１を有するガラス基板１２と、インターポーザ３に配設された所定の電極４１とを備え、インターポーザ３は、貫通電極５３を有する基板５１上に、センサー本体１１と対向するように配設された電極４１と配線５４，５５とを備え、能動素子内蔵モジュール４は、基板６１に内蔵された能動素子６５と、貫通電極６３と能動素子を接続する配線を有し、貫通電極６３はインターポーザの配線５５に接合したものとする。【選択図】図１
172 2008-073818 H180922 株式会社村田製作所 電子部品および複合電子部品 A2 PI01 -

【課題】ＭＥＭＳ素子とＡＳＩＣとの接合電極同士が１対１に対応しない場合でも両者を接続可能とし、ワイヤ−ボンディングによるＭＥＭＳ素子の損傷の問題を回避しつつ、ＭＥＭＳ素子とＡＳＩＣを備えたより小型の電子部品・複合電子部品を構成する。【解決手段】ＭＥＭＳ素子１０に対して再配線層２０を接合し、再配線層２０の上面に接合電極２６を形成し、再配線層２０の上部にＡＳＩＣ３０を実装する。再配線層２０上の外部端子用パッド２５にＡＳＩＣ３０より高いバンプ２７を形成する。【選択図】図２
173 2008-078475 H180922 新光電気工業株式会社 電子部品装置 A2 PI01 PHX -

【課題】電子部品がパッケージ内に気密封止されて実装される電子部品装置において、生産性がよく小型化を図ることができる電子部品装置を提供する。【解決手段】シリコン基板１０ａに貫通電極１４が設けられ、貫通電極１４に接続された電極ポスト２０がシリコン基板１０ａの上側に立設した構造のシリコンパッケージ部５と、電極ポスト２０の上に実装され、接続端子３２ｂが電極ポスト２０の先端部に接続された電子部品３０と、シリコンパッケージ部５の周縁側に接合され、電子部品３０を気密封止して収容する収容部Ｓを構成するキャップパッケージ部４０ａとを含む。【選択図】図５
174 2008-080444 H180927 株式会社東芝 ＭＥＭＳ素子製造方法およびＭＥＭＳ素子 A2 PB02 PB04 PI01 -

【課題】大きな作動力および高感度のＭＥＭＳ素子を製造すること。【解決手段】基板と、第１絶縁層と、素子層が積層されたＳＯＩ基板の前記素子層に回路層を形成すると共に、前記回路層が形成されていない前記素子層上に前記回路層に電気的に接続された導電性の梁を含む第２絶縁層を形成するＭＥＭＳ素子形成工程と、前記第２絶縁層の一部および前記素子層の一部を異方性エッチングにより除去する第１除去工程と、前記第２絶縁層に前記素子層に通じる開口部を形成して、前記開口部を通じて導電性の梁の下方に存在する前記素子層を、等方性エッチングにより除去する第２除去工程と、前記第２絶縁層を除去して前記導電性の梁を露出させると共に、前記導電性の梁の下方に存在する前記第１絶縁層を除去する第３除去工程と、を備える。【選択図】図３
175 2008-093812 H181016 セイコーエプソン株式会社 ＭＥＭＳ・半導体複合回路及びＭＥＭＳ素子 A2 PI01 PI02 -

【課題】製造時間の短縮及び製造コストの低減を図る。【解決手段】基板１０上の空間Ｓに配置されたＭＥＭＳ構造体３０と、基板上の絶縁膜と配線の積層構造と、配線上の表面保護膜と、表面保護膜の開口部により配線の一部が露出してなる接続パッドとを有するＭＥＭＳ素子の製造方法であり、少なくとも一部が犠牲層１１上に形成された態様でＭＥＭＳ構造体が形成される工程と、ＭＥＭＳ構造体上及びそれ以外の他の位置に絶縁膜１３，１５が形成される工程と、他の位置の絶縁膜上に配線１４，１６が形成される工程と、配線上に表面保護膜１７，１８を形成する保護膜形成工程と、表面保護膜を部分的に除去して接続パッドを形成すると同時にＭＥＭＳ構造体の上方に開口凹部Ｐを形成する開口工程と、開口凹部を通して犠牲層が除去されることによりＭＥＭＳ構造体がリリースされるリリース工程と、を具備する。【選択図】図３
176 2008-100325 H181020 セイコーエプソン株式会社 ＭＥＭＳ・半導体複合回路及びその製造方法 A2 PI01 -

【課題】半導体基板上に設けられる層構造を平坦化しやすく、しかも、半導体素子部の素子構造とＭＥＭＳ構造体の相互間の影響を受けにくい構造を実現する。【解決手段】本発明のＭＥＭＳ・半導体複合回路は、半導体基板１０と、該半導体基板の表層部に設けられたＭＥＭＳ構造体３０Ｓ及び半導体素子部２０とを有し、前記半導体基板の前記表層部には、前記ＭＥＭＳ構造体の前記半導体基板に対する素子分離を行うための表面凹部及びその内部に配置された絶縁体よりなるＭＥＭＳトレンチ構造３１と、前記半導体素子部の素子分離を行うための素子境界部に設けられた表面溝及びその内部に配置された絶縁体よりなる境界トレンチ構造２１とが形成され、前記ＭＥＭＳトレンチ構造内の前記絶縁体３１ｄの表面３２ａは前記半導体基板の基板表面１０ａより低く構成され、該絶縁体の表面上に前記ＭＥＭＳ構造体が形成されている。【選択図】図３
177 2008-100347 H191019 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング モノリシック集積回路を有するマイクロメカニカルエレメント、ならびにエレメントの製造方法 A2 DD01 PI01 PI03 -

【課題】モノリシック集積回路とりわけ評価回路を有するマイクロメカニカル構造体を比較的コンパクトかつ低コストで製造することを可能とする方法を提供する。【解決手段】基板とマイクロメカニカル構造体と集積回路とを有するマイクロメカニカルエレメントであって、集積回路は基板２０の回路領域２１内に設けられ、マイクロメカニカル構造体はセンサ領域２２に設けられている。従来は犠牲層を除去するときにエッチングをストップさせる停止層を設ける必要があったが、基板２０は犠牲層の領域４８と機能層の領域４９とを分離する層を有していない単一の材料とする。【選択図】図１４
178 2008-105112 H181024 セイコーエプソン株式会社 ＭＥＭＳデバイス A2 PI02 -

【課題】ＭＥＭＳ構造体と半導体基板との間の寄生容量を低減させるＭＥＭＳデバイスを提供する。【解決手段】半導体基板１０上に絶縁層４０を介して形成された固定電極２０と可動電極２６とを有するＭＥＭＳ構造体３０が備えられたＭＥＭＳデバイスにおいて、固定電極２０の下方の絶縁層４０にＳＯＧ膜１２を備えている。ＳＯＧ膜１２を形成することで容易に厚い絶縁層４０を形成することができ、ＭＥＭＳ構造体３０と半導体基板１０の間の間隔が大きくなるため、この間に生ずる寄生容量を低下させることができる。【選択図】図１
179 2008-105157 H181027 セイコーエプソン株式会社 ＭＥＭＳ・半導体複合回路の製造方法 A2 PI01 PI02 -

【課題】ＭＥＭＳ構造体を形成するための犠牲層及びこれに接するように設けられる構造層を半導体素子の構成要素の製造プロセスと一体化することにより、性能を犠牲にせずに、プロセス数の低減により製造コストを削減する。【解決手段】本発明は、半導体基板１０と、半導体基板の表層部に設けられたＭＥＭＳ構造体２０Ｓ及び半導体素子３０Ｓと、を有するＭＥＭＳ・半導体複合回路の製造方法において、犠牲層２３が形成されると同時に素子絶縁膜３１が形成される第１形成工程と、犠牲層に接するようにＭＥＭＳ構造層２４が形成されると同時に素子電極層３２が形成される第２形成工程と、第１形成工程及び第２形成工程の後に、犠牲層が除去されることによりＭＥＭＳ構造層が動作可能に構成されるリリース工程と、を具備する。【選択図】図３
180 2008-114354 H181108 セイコーエプソン株式会社 電子装置及びその製造方法 A2 PI-1 -

【課題】基板上の空洞内に配置される機能構造体と電子回路を高度に一体化させることで、小型化された電子装置ならびに、基板上の空洞内に配置される機能構造体を電子回路と並行して製造可能とすることで、製造コストを低減することが可能な電子装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板１と、該基板上に形成された機能素子を構成する機能構造体３Ｘと、該機能構造体が配置された空洞部Ｓを画成する被覆構造とを具備する電子装置において、前記被覆構造は、前記空洞部の周囲を取り巻くように前記基板上に形成された層間絶縁膜４，６と配線層５，７の積層構造を含み、前記被覆構造のうち前記空洞部を上方から覆う上方被覆部７Ｙは、前記機能構造体の上方に配置された前記配線層の一部で構成されている。【選択図】図８
181 2008-132583 H190713 セイコーエプソン株式会社 ＭＥＭＳデバイス A2 PI01 -

【課題】ＭＥＭＳ構造体と半導体基板との間の寄生容量を低減させるＭＥＭＳデバイスを提供する。【解決手段】半導体基板１０上に絶縁層を介して形成された固定電極２０と可動電極２６とを有するＭＥＭＳ構造体３０が備えられたＭＥＭＳデバイス１であって、固定電極２０の下方の半導体基板１０にウェル１３が形成されており、固定電極２０に正の電圧が印加されウェル１３がｐ型ウェルである。そして、ウェル１３が空乏状態となるようにウェル１３には電圧が印加されている。この電圧はウェル１３が空乏状態を維持する電圧となっている。【選択図】図１
182 2008-153817 H181215 セイコーエプソン株式会社 ＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法 A2 DB02 PI01 -

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。【選択図】図２
183 2008-221394 H190313 セイコーエプソン株式会社 ＭＥＭＳ構造体の製造方法及び半導体装置の製造方法 A2 PI01 -

【課題】ＭＥＭＳ構造体を効率的に製造することができる製造技術を実現する。【解決手段】本発明のＭＥＭＳ構造体は、基板１０上に絶縁膜１１を形成する工程と、該絶縁膜上にＭＥＭＳ機能構造部１２，１４，１５Ａ，１５Ｂ，１６Ａ，１６Ｂを形成する工程と、該ＭＥＭＳ機能構造部の縁部側面にサイドウォール１８Ｓを形成し、また、前記ＭＥＭＳ機能構造部及び前記サイドウォールで被覆された部分を残して前記絶縁膜１１を除去する工程と、前記サイドウォール１８Ｓを除去するサイドウォール除去工程と、を具備することを特徴とする。【選択図】図１０
184 2008-288384 H190517 ソニー株式会社 ３次元積層デバイスとその製造方法、及び３次元積層デバイスの接合方法 A2 PGX PI01 -

【課題】信頼性の高い３次元積層デバイスとその製造方法、及びその３次元積層デバイスの接合方法を提供する。【解決手段】複数の半導体ウェハ２〜５が積層一体化された後、各デバイスに固片化されて成る３次元積層デバイス１であって、隣り合って積層される半導体ウェハにおいて、一方の半導体ウェハの接合部が凸状６に形成され、他方の半導体ウェハの接合部が凹状７に形成され、一方の半導体ウェハの凸状の接合部６と、他方の半導体ウェハの凹状７の接合部とが直接接合されて積層されて成る。【選択図】図１
185 2008-307686 H200930 セイコーエプソン株式会社 ＭＥＭＳ・半導体複合回路及びＭＥＭＳ素子 A2 PI02 -

【課題】製造時間の短縮及び製造コストの低減を図る。【解決手段】基板１０上の空間Ｓに配置されたＭＥＭＳ構造体３０と、基板上の絶縁膜と配線の積層構造と、配線上の表面保護膜と、表面保護膜の開口部により配線の一部が露出してなる接続パッドとを有するＭＥＭＳ素子の製造方法であり、少なくとも一部が犠牲層１１上に形成された態様でＭＥＭＳ構造体が形成される工程と、ＭＥＭＳ構造体上及びそれ以外の他の位置に絶縁膜１３，１５が形成される工程と、他の位置の絶縁膜上に配線１４，１６が形成される工程と、配線上に表面保護膜１７，１８を形成する保護膜形成工程と、表面保護膜を部分的に除去して接続パッドを形成すると同時にＭＥＭＳ構造体の上方に開口凹部Ｐを形成する開口工程と、開口凹部を通して犠牲層が除去されることによりＭＥＭＳ構造体がリリースされるリリース工程と、を具備する。【選択図】図３
186 2009-010027 H190626 三洋電機株式会社 三洋半導体株式会社 半導体集積回路 A2 DB01 -

【課題】半導体集積回路の静電気に対する耐圧を向上させる。【解決手段】信号が入力又は出力されるパッドと、信号が入力又は出力される回路と、パッド及び回路の間に介在し、回路を動作させるための電源が投入されるとパッド及び回路を接続し、電源が投入されないとパッド及び回路を切断するスイッチ素子と、を備えてなる半導体集積回路。【選択図】図１
187 2009-502531 H180707 ヒューレット−パッカード　デベロップメント　カンパニー　エル．ピー． 微小電気機械システムのパッケージング及び配線 A2 PGX PHX -
WO2007/018955 微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスは、電気的なウェーハと、機械的なウェーハと、電気的なウェーハを機械的なウェーハに接着する、プラズマ処理された酸化物シールと、電気的なウェーハと機械的なウェーハとの間の電気配線とを備える。
188 2009-503489 H180712 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 電子的機能および流体機能をもつバイオ医療装置のための相互接続およびパッケージング方法 A2 DC01 PH04 PHX PJ03 -
WO2007/012991 ラボ・オン・チップ（LOC）およびマイクロ・トータル・アナリシス・システムズ（MicroTotalAnalysesSystems）の製造のための相互接続およびパッケージング方法が提供される。バイオセンサー、ヒーター、クーラー、バルブおよびポンプといった種々の機能が、電子的／機械的／流体的モジュール内に、超音波接合処理を使ったフリップチップ技術によって組み合わされる。チップ上での所定のポリマー環がシールのはたらきをする。
189 2009-505389 H180810 ハイマイト　アクティーゼルスカブ マイクロ部品用チップ・スケール・パッケージ A2 PG04 PHX -
WO2007/017757 パッケージは、ＭＥＭＳデバイスのようなマイクロ部品付きのセンサ・ダイと、センサ・ダイの外周付近に１つ以上の導電性接着パッドとを備え、上記ＭＥＭＳデバイスは、たとえばＣＭＯＳ回路を含むことができる集積回路に結合される。半導体用キャップ構造は、上記センサ・ダイに取り付けられる。上記キャップ構造の前面は、マイクロ部品が置かれるセンサ・ダイの領域を密閉状態で封入するために、シールリングによってセンサ・ダイに取り付けられる。センサ・ダイ上の接着パッドは、シールリングによって封入された領域の外側に置かれる。導線は、半導体キャップ構造の外側端部に沿って、キャップ構造の前面から裏面まで延び、上記接着パッドを介して上記マイクロ部品に結合される。【選択図】図２