公開年:2008年

No. 公開/公表番号 出願日 出願人 発明(考案)名称 A分類 分類 国際出願日 国際公開番号 要約
1 2008-000857 H180623 独立行政法人物質・材料研究機構 光ナノスイッチ A1 DA01

【課題】スイッチの切換を電流制御によらないナノスイッチ、具体的には、光誘導による新規なナノスイッチを提供するものである。【解決手段】導波路1を介して光を導入し、近接場光5を発生させ、この近接場光5を電子・イオン混合伝導体2に注入し、前記電子・イオン混合体中の金属イオンの還元または酸化反応を誘起することにより、微少間隔をもって配置された少なくとも一対の電極間に金属原子で構成される金属原子架橋6を形成することによって、光ナノスイッチを実現する。【選択図】図1
2 2008-000869 H180626 松下電工株式会社 マイクロ揺動デバイス及び光学素子 A4 DA01 DA02 DA04

【課題】光学素子に適用可能なマイクロ揺動デバイスにおいて、可動板を低い駆動電圧でも大きな揺動角で駆動可能にする。【解決手段】光学素子1は、可動板2と、可動板2を揺動可能に保持する梁4を支持する支持部3aを備えている。梁4は、捻り梁4aとそれの端部を支持する支持梁4bとを有している。可動板2の端部とそれに対向するフレーム部には垂直静電コム5が形成され、支持梁4bとそれに対向するフレーム部とには水平静電コム6が形成されている。可動板2は、垂直静電コム5が発生する駆動力により、捻り梁4aをねじりながら揺動する。水平静電コム6は、垂直静電コム5の駆動に応じて駆動力を発生し、周期的に捻り梁4aに圧縮方向の力を加え、捻り梁4aの捻り剛性を変化させる。可動板2は、パラメトリック共振を伴い揺動するので、揺動角が大きくなる。【選択図】図2
3 2008-000870 H180626 松下電工株式会社 マイクロ揺動デバイス及び光学素子 A4 DA01 DA02 DA04

【課題】光学素子に適用可能なマイクロ揺動デバイスにおいて、可動板を低い駆動電圧でも大きな揺動角で駆動可能にする。【解決手段】光学素子1は、可動板2と、可動板2を揺動可能に保持する梁4を支持する支持部3aを備えている。梁4は、2本の梁片4aからなる捻り梁40と、それらの端部を支持する可動電極部4b及び支持梁4cとを有している。可動板2の端部とそれに対向するフレーム部には垂直静電コム5が形成され、可動電極部4bとそれに対向するフレーム部には水平静電コム6が形成されている。可動板2は、垂直静電コム5が発生する駆動力により、捻り梁40をねじりながら揺動する。水平静電コム6は、垂直静電コム5の駆動に応じて駆動力を発生し、周期的に2本の梁片4aの端部間の間隔を変更し、捻り梁40の捻り剛性を変化させる。可動板2はパラメトリック共振を伴い揺動し、揺動角が大きくなる。【選択図】図2
4 2008-000880 H190329 三星電子株式会社 2軸駆動型MEMSデバイス A4 DA02 DA04

【課題】2軸駆動型MEMSデバイスを提供する。【解決手段】第1軸と同軸に支持されて、第1軸及び前記第1軸と垂直の第2軸に対して回転駆動される可動板と、可動板の内側領域で第2軸と同軸に支持されたステージと、可動板の第1軸線上に沿って配置され、中央のステージ領域を挟んで両分された同軸コイル部と、それぞれ同軸コイル部の左側端部及び右側端部を相互逆の位置で相互連結する第1連結コイル部及び第2連結コイル部とを備える駆動コイルと、駆動コイルを横切る磁場を形成するように、それぞれ第1連結コイル部及び第2連結コイル部に近接して配置された相互逆極性のマグネット対と、マグネット対による磁場が、マグネットとの距離に応じて急激に変化する磁束密度が形成されるように、マグネット対間の上側領域または下側領域に配置され、マグネットにより磁化される磁性物質からなるヨーク磁性体とを備えることを特徴とするMEMSデバイスである。【選択図】図1
5 2008-003074 H190306 有限会社フルイド マイクロ流体デバイス、計測装置及びマイクロ流体撹拌方法 A4 DC01

【課題】従来、シンプルな流路構造のマイクロ流体デバイスで、効果的に速やかに流体を攪拌し混合することは難しかった。また、流体中に浮遊する粒子状試料を沈殿させずに長時間、流路内で保持する手段が無かった。また、浮遊流動する粒子状試料の真の大きさを顕微鏡で計測する方法が無かった。【解決手段】流路内あるいはチャンバ内に広いギャップ幅の電極対を形成したマイクロ流体デバイスを用い、この電極対に交流電圧を印加し、流体がトーラス状に旋回する渦を発生させて上記課題を解決する。特に、旋回流れ41が垂直に通過する位置に顕微鏡の対物レンズ52の合焦点面53を設定することにより、合焦点面を横切る粒子状試料の正確な大きさが計測可能になる。【選択図】図6
6 2008-003309 H180622 富士フイルム株式会社 微小電気機械素子及び微小電気機械素子アレイ並びに変調装置 A4 DA01 DA04 PI02

【課題】高速化の障害、駆動電圧の増大、構造の複雑化、ヒンジ残留歪みの発生による各種問題の低減が可能となる微小電気機械素子を得、任意方向への変位を可能にしつつ、高速応答と低電圧駆動を実現し、設計を容易にし、動作信頼性を向上させる。【解決手段】可動部51の変位動作に応じた変調機能を有する微小電気機械素子100であって、下側面51bの中心位置で支柱53によって傾斜自在に支持された平板状の可動部51と、この可動部51に対向してそれぞれ配置され可動部51に物理的作用力を加える複数の駆動部63とを備え、駆動部63によって少なくとも2つ以上の回転軸回りで可動部51が複数方向に傾斜変位可能となるように構成した。【選択図】図1
7 2008-003310 H180622 富士フイルム株式会社 微小電気機械素子及び微小電気機械素子アレイ、並びに変調装置、画像形成装置 A4 DA01 DA04 PI02

【課題】高速化の障害、駆動電圧の増大、構造の複雑化、ヒンジ残留歪みによる各種問題の低減が可能となる微小電気機械素子及び微小電気機械素子アレイ、並びに変調装置、画像形成装置を提供し、もって、高速応答と低電圧駆動を実現し、設計を容易にし、動作信頼性を向上させる。【解決手段】可動部15の変位動作に応じた変調機能を有する微小電気機械素子100であって、平板状の可動部15と、基板11上に立設された支柱27と、可動部15を支柱27に支持させる支持部17と、可動部15に対向して配置され可動部15に対して物理的作用力を加える固定電極19,21とを備え、支持部17は、可動部15の重心線の位置に配置される軸体25が、軸体25との間に隙間を有して挿入される収容穴23に係止されることで、可動部15を支持する構成とした。【選択図】図1
8 2008-003330 H180622 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ A4 DA02 PGX

【課題】高精度に質量部の挙動を検知し、質量部の挙動を所望のものとすることができるアクチュエータを提供すること。【解決手段】本発明にかかるアクチュエータ1は、駆動手段を作動させることにより、弾性部24、25を捩れ変形させながら、質量部21を回動させるように構成され、質量部21の挙動を検知する挙動検知手段を有し、挙動検知手段は、1対の弾性部24、25のうちの少なくとも一方の弾性部上に設けられた第1のピエゾ抵抗素子と、第1のピエゾ抵抗素子の温度条件とほぼ同等の温度条件の位置で、かつ、質量部21の回動駆動による応力を実質的に受けない位置に設けられた第2のピエゾ抵抗素子とを備え、第1のピエゾ抵抗素子および第2のピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化に基づいて質量部21の挙動を検知するよう構成されている。【選択図】図1
9 2008-003453 H180626 日本電信電話株式会社 微小可動デバイスの振動抑制機構 A4 DA01 DA04

【課題】振動の影響をより効果的に抑制することができる微小可動デバイスの振動抑制機構を提供する。【解決手段】外部部材gが振動すると、まず、弾性高分子からなる第1の支持部材によりその振動の低周波成分が吸収される。また、弾性部材等から成る第2の支持部材4によりその振動の高周波成分が吸収される。これにより、光スイッチ2に対する振動の高周波成分および低周波成分の影響を抑制することができる。【選択図】図1
10 2008-003505 H180626 松下電工株式会社 マイクロ揺動デバイス及び光学素子 A4 DA01 DA02 DA04

【課題】光学素子に適用可能なマイクロ揺動デバイスにおいて、製造コストを安価にし、可動板を低い駆動電圧でも大きな揺動角で駆動可能にする。【解決手段】光学素子1は、可動板2と、可動板2を支持し、その回転軸となる梁3と、梁3の端部を支持するフレーム部4と、梁3の一部に形成された駆動板5とを備えている。駆動板5の端部とそれに対向するフレーム部4とには、互いに噛み合い水平静電コム6を構成する櫛歯形状の電極5a,4cがそれぞれ形成されている。水平静電コム6に電圧が印加されて駆動力が発生すると、駆動板5が梁3の長手方向と直交する水平方向に変位する。駆動板5が往復駆動されて回転軸が変位すると、可動板2にモーメントが発生する。可動板2は、梁3がねじられて発生する復元力と、回転軸が変位することで生じるモーメントにより大きな揺動角で揺動する。強磁性体等を用いず、構造が簡単で製造コストが安価になる。【選択図】図1
11 2008-005441 H180626 松下電器産業株式会社 音響感応装置 A4 DD07 PI02

【課題】安定した特性を有する小型かつ高感度なコンデンサを備えた音響感応装置を提供することにある。【解決手段】半導体基板11上に形成された固定電極膜12と、固定電極膜12上に堆積されたシリコン酸化膜13を介して形成された多結晶シリコン膜からなる振動電極膜14aと、固定電極膜12と振動電極膜14aとの間に位置するシリコン酸化膜13内に形成された中空部15とで構成されたエアギャップ型のコンデンサを備え、振動電極膜14aの上面に、振動電極膜14aに対して引張り応力を与えるシリコン窒化14bが堆積されている。【選択図】図2
12 2008-005642 H180623 株式会社東芝 圧電駆動型MEMSアクチュエータ A4 DB01 DB05

【課題】残留歪の多少に拘らず作用端と固定電極間の距離が一定に保たれ、再現性や信頼性の優れた機構を有する圧電駆動型MEMSアクチュエータを提供する。【解決手段】第1のアクチュエータ1の固定端11は基板に固定し、他端12は第2のアクチュエータの一端21に接続されて、端折り返し梁構造とする。この端折り返し梁構造の圧電駆動アクチュエータを2個平行に線対称に配置し、作用端22、42付近で接続した構造を有している。【選択図】図1
13 2008-006524 H180628 富士ゼロックス株式会社 中空デバイス及びその製造方法 A4 DC01 MEX

【課題】微小流路を有し、簡便に製造することができる中空デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】中空デバイス10は、微小流路16を有する中空繊維12、及び前記中空繊維の周囲にデバイス本体形成部14を有する。この中空デバイス10の製造方法は、微小流路16を有する中空繊維12を所望の形状に配置する工程、中空繊維の周囲にデバイス本体形成材料を導入する工程、及びデバイス本体形成材料を硬化又は固化しデバイス本体形成部14内に中空繊維12を封止する工程を含む。前記中空繊維12の材質は、樹脂、炭素繊維、樹脂と無機材料との複合材料、又はガラスであることが好ましい。【選択図】図1
14 2008-008347 H180628 日本精工株式会社 マイクロバルブ A4 DC02

【課題】極めてシンプルな構造で、微細化・集積化が容易に可能で、高い耐久性を有し、高圧で粘度の高い流体または弁の出入口間における圧力差が大きくても弁が損傷することなく、安定かつ確実に弁の開閉動作が行われるマイクロバルブを提供する。【解決手段】微小球2が第1の位置に移動したときに、流路A,B内を流れる非磁性流体の流量は、微小球2が第2の位置に移動したときに、流路A,B内を流れる非磁性流体の流量よりも少ないので、極めてシンプルな構造で、微細化・集積化が容易に可能で、高い耐久性を有し、高圧で粘度の高い流体または微小球2の出入口間における圧力差が大きくても弁が損傷することなく、安定かつ確実に弁の開閉動作が行われるマイクロバルブを提供することができる。【選択図】図1
15 2008-008673 H180627 松下電工株式会社 加速度センサ A4 DD01

【課題】加速度を検出可能な複数方向それぞれについて容易に動作確認を行うことが可能な加速度センサを提供する。【解決手段】重り部12と4つの撓み部13とからなる可動部にゲージ抵抗Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4が設けられ3方向の加速度を検出可能なセンサ基板1と、センサ基板1の一表面側に接合された第1のカバー基板2と、センサ基板1の他表面側に接合された第2のカバー基板3とを備え、各カバー基板2,3とセンサ基板1のフレーム部11とでパッケージを構成する。可動部を電磁力により強制的に動かす動作確認用の駆動手段として、第1のカバー基板2に設けられたコイルからなる励磁部26と重り部12に設けられ励磁部26に磁気結合可能な磁気結合部15との対を複数有し、励磁部26と磁気結合部15との対ごとに独立して動作確認用の電磁力を発生可能としてある。【選択図】図1
16 2008-008820 H180630 株式会社日立製作所 慣性センサおよびその製造方法 A2 DD01 PI01

【課題】MEMSによる慣性センサを小型化したときにも、構造体の強度(信頼性)と慣性センサの感度を両立することが可能で、かつ、広い加速度領域で一定レベルの感度が得られるMEMSによる慣性センサを提供する。また、標準的なLSI製造技術であるCMOSの製造工程で、慣性センサを封止・実装することにより、小型化、かつ、半導体集積回路装置またはMEMSによる異種のセンサをモノリシックに混載可能な慣性センサとその製造方法を提供する。【解決手段】慣性センサの錘を複数の分割錘107から構成し、この分割錘107同士を弾性変形可能な梁108で接続する。各分割錘107の可動範囲、質量、各梁108の剛性等を調整する、または、加速度に対する感度領域の異なる複数の変形モードを併用することにより、加速度の検出感度を向上させるとともに加速度応答範囲を広げる。【選択図】図1
17 2008-008880 H181220 住友ベークライト株式会社 プラスチック製マイクロチップ、及びその製造方法、並びにそれを利用したバイオチップ又はマイクロ分析チップ A4 DC01 DC02 DEX PGX

【課題】比較的低温で、安価簡便に、かつ強固確実に接合された多層のプラスチック製マイクロチップ、及びその製造プロセスを提供すること。【解決手段】厚み0.05〜1.0mmの熱可塑性プラスチックフィルムを2層以上積層した積層体から構成されるプラスチック製マイクロチップであって、層間は接着剤で接着又は粘着剤で粘着され、前記プラスチックフィルムの一部又は全部の表面に微細流路又は貫通孔を有し、前記熱可塑性プラスチックの一部又は全部が厚み0.1mmにおける可視光線の光線透過率が70%以上であることを特徴とするプラスチック製マイクロチップ。【選択図】図1
18 2008-008884 H190329 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 時間で変動する電圧を使用したMEMS慣性センサのフォース・リバランシング A4 DD02

【課題】時間で変動する再平衡用の電圧に結合された1又は複数の電極を用いるMEMSデバイス及び方法を提供する。【解決手段】一実施形態のMEMS慣性センサ(10、142)は、1以上のプルーフ・マス(12、14、172、174)と、各プルーフ・マス(12、14、172、174)に隣接して配された少なくとも1つのセンス電極(74、76、78、80、188、190)と、1以上のトルカ電極(84、86、88、90、146、150、154、158)とを含む。トルカ電極にリバランシング電圧を印加して、デバイスのセンス軸(72)に沿ったプルーフ・マスの直角位相及び/又はコリオリに関連する運動を静電的にゼロにできる。トルカ電極のそれぞれに印加されるリバランシング電圧は、1以上のフォース・リバランシング制御ループからのフィードバックを用いて調節できる。【選択図】図1
19 2008-009440 H190720 イリディグム ディスプレイ コーポレーション 可視スペクトルモジュレーターアレイ A4 DAX

【課題】非金属の変形自在の干渉型変調素子を製造する。【解決手段】各変形自在素子は変形機構と光学的部分を有し、それぞれ制御された変形特性と制御された変調特性とを独立して素子に与える。変形自在の変調素子は非金属である。素子は、最終の共振器寸法と関係がある層厚を有している犠牲層と犠牲層をそれら間にてサンドウィッチする2つの層を形成し、化学薬品(例えば、水)を使い又はプラズマに基づいた処理を行い犠牲層を除去することによって形成される。各変調素子は引張応力下で保持される変形自在部分を有し、制御回路は変形された部分の変形を制御する。【選択図】図25N
20 2008-009446 H190802 キヤノン株式会社 画像形成装置 A4 DA02

【課題】角速度の変動を押さえることが可能な共振型光偏向器を用いた画像形成装置を提供する。【解決手段】本発明に係る画像形成装置は、レーザー光を出射する光源と、該レーザー光を偏向する共振型光偏向器と、該共振型光偏向器で偏向されたレーザー光を結像する結像光学系と、該結像光学系で結像されたレーザー光により画像が形成される感光体とを有し、前記共振型光偏向器は複数の可動子を含み、複数の可動子の少なくとも1つ動作は、可動子の揺動軸まわりの第1の方向に変位する第1の動作と、該第1の方向と反対方向である第2の方向に変位する第2の動作とを含み、第1の動作の期間は第2の動作の期間よりも長く、共振型光偏向器は第1の動作時に光源からのレーザー光を偏向し、結像光学系は第1の動作時に偏向されたレーザー光を感光体上に結像させる画像形成装置である。【選択図】図7
21 2008-010711 H180630 ソニー株式会社 マイクロデバイスモジュール及びその製造方法 A3 PH04 PHX MEX

【課題】SAW素子などのマイクロデバイスを封止する樹脂シートと基板の接着面積を縮小して高密度実装を実現できるマイクロデバイスモジュールとその製造方法を提供する。【解決手段】モジュール基板10のマイクロデバイスマウント領域R1に第1電極11が形成され、その外部の領域R2に第2電極12が形成され、機能面に可動部または振動子が形成された機能素子と、機能面に形成されたバンプとを有するマイクロデバイス(20A,20B,20C)が、バンプが第1電極11に接続して、機能面がモジュール基板10に接しないようにモジュール基板10のマイクロデバイスマウント領域R1にマウントされ、機能面が封止されて中空部分Vが構成されるようにマイクロデバイスの機能面を除く面及びモジュール基板を被覆して、第2電極を露出させる開口部が形成されている、繊維に樹脂を含浸させてなる樹脂含浸シート30が形成されている構成とする。【選択図】図1
22 2008-012453 H180706 独立行政法人産業技術総合研究所 高温高圧マイクロミキサー A4 DCX

【課題】超臨界水反応用マイクロミキサーを提供する。【解決手段】第一反応溶液と第二反応溶液を混合して所定の反応系及び温度場を形成するためのマイクロミキサーであって、第一反応溶液と第二反応溶液を混合するマイクロ混合部、第一反応溶液を該混合部に導入するための第一反応溶液導入管、該混合部において第一反応溶液に対して側面から第二反応溶液を導入して衝突混合させる複数の第二反応溶液導入管、及び混合溶液を流出させる流出管を第一反応溶液導入管と同一軸に設置したことを特徴とするマイクロミキサー。【効果】超臨界水を反応媒体とする反応系の反応システムにおける反応溶液と反応媒体の高速混合及び温度操作手段として有用である。【選択図】図4
23 2008-012631 H180706 ソニー株式会社 電気機械素子及びその製造方法 A4 DB04 PI02

【課題】電気機械素子の下部電極と可動子の上部電極間のギャップ長を小さくする。【解決手段】空間24を介して下部電極23と上部電極を有した可動子25とを備え、下部電極23及び上部電極25のいずれか一方、又は両方が積層構造で形成されて成る。【選択図】図1
24 2008-012654 H190109 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法 A4 PI02 PJ03

【課題】脆弱な部分を有する構造の半導体装置を製造する際に、半導体装置の破損を避けてダイシングを行なう。【解決手段】本発明の半導体装置100の製造方法は、複数のチップを有する半導体ウェーハ101における各チップの所定の領域上に、振動膜103を形成する工程(a)と、各チップの振動膜103上に位置する犠牲層113を含む中間膜102を半導体ウェーハ上に形成する工程(b)と、中間膜102上に固定膜104を形成する工程(c)と、半導体ウェーハ101をブレードダイシングすることにより、各チップ100aを分離する工程(d)と、各チップ100aに対するエッチングにより、犠牲層113を除去して振動膜103と固定膜104との間に空隙を設ける工程(e)とを備える。【選択図】図2
25 2008-012706 H180703 セイコーエプソン株式会社 基板の製造方法、インクジェットヘッドの製造方法および電子部品の製造方法 A4 DCX PB01

【課題】基板をエッチングしたときに、エッチングにより形成された凹部に隣接する凸部の頂部近傍を除去する基板の製造方法、その方法を用いたインクジェットヘッドの製造方法およびその方法を用いた電子部品の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の基板の製造方法は、エッチングにより形成された凹部22に隣接する凸部23の頂部近傍を除去する基板の製造方法であって、前記基板の前記凹部22に液状または半固形状の補強材24を充填する第1の工程と、前記補強材24を固化する第2の工程と、前記基板を、前記頂部側から所定の厚みに薄板化する第3の工程と、前記基板から前記補強材24を除去する第4の工程とを有する。【選択図】図5
26 2008-014683 H180704 株式会社日立製作所 液体搬送装置 A4 DC01 DEX

【課題】二次元方向に液体を搬送する基板について,搬送に必要な電極を同一基板上に備え,電位を制御する機構の数を抑える。【解決手段】表面が撥水性の表面をもつ誘電体に覆われ,基板平面上に配置された矩形電極131と,矩形電極131をx方向に連結した第一軸電極列1311〜1322と,矩形電極131をy方向に連結した第二軸電極列1331〜1342を持つ液体搬送基板13を用いる。これにより,液滴の搬送に必要な電極を同一基板上に備え,電位を制御する機構の数を抑えることができる。【選択図】図4
27 2008-015486 H190516 三星電子株式会社 スキャン装置及びスキャン方法 A4 DA02 DA04

【課題】ピンチ効果が減少するスキャン装置及びスキャン方法を提供する。【解決手段】ミラー部31は、ミラー71と、ミラー71の両翼に、回動コーム電極72を有する回動コーム電極部Rとを備える。ミラー71の両翼をなす回動コーム電極部は、第1回動コーム電極部と第2回動コーム電極部により構成される。駆動部H1、H2は、駆動コーム電極73を有する。回動コーム電極72と駆動コーム電極73とは、点線の楕円で拡大して表示したように、それぞれの歯が互い違いになるように配置する。回動コーム電極は、第1コーム電極と第2コーム電極により構成される。駆動コーム電極は、第3コーム電極と第4コーム電極により構成される。【選択図】図8
28 2008-015546 H190827 日本電信電話株式会社 可変光減衰器アレイ A4 DA03 DA05 PB02

【課題】レンズアレイとスペーサと回転駆動鏡アレイと、駆動電極アレイを集積化して小型化を図る。【解決手段】入力用光ファイバ群31と、出力用光ファイバ群32と、サーキュレータ34と、スペーサ37,38と、レンズアレイ35と、MEMSミラーアレイ36と、MEMS電極39を一体化してアレイ化した構成とする。【選択図】図7
29 2008-016919 H180703 松下電器産業株式会社 音響感応装置 A4 PI02

【課題】簡単な構成で安定した特性を有する小型かつ高感度なコンデンサを備えた音響感応装置を提供することにある。【解決手段】音響感応装置10は、半導体基板11上に形成された固定電極膜12及び振動電極膜14で構成されたコンデンサを備えており、固定電極膜12と振動電極膜14との間には、中空部15が設けられている。中空部15は、半導体基板11上に形成された犠牲層18がエッチング除去されて形成されたものである。そして、振動電極膜14は、タングステン膜またはチタン膜で構成されている。【選択図】図1
30 2008-019744 H180711 富士フイルム株式会社 光駆動型アクチュエータ、受光素子、光ゲート素子、光反射素子、および光駆動型アクチュエータの使用方法 A1 DF01

【課題】光の照射量を連続的に制御でき、かつ応答速度が実用的な光応答性、柔軟性、および軽量性を有するとともに複雑な構造体も形成可能であり無音で駆動する光駆動型アクチュエータ、その光駆動型アクチュエータを応用することで実現される受光素子、光ゲート素子、および光反射素子、さらにその光駆動型アクチュエータの使用方法を提供することを目的とする。【解決手段】上記目的を達成する本発明の光駆動型アクチュエータは、光の刺激を受けて変形する高分子を備え、その高分子の変形をアクチュエータとして利用する光駆動型アクチュエータにおいて、光の刺激により構造変化を引き起こす光応答性基を含み、その光応答性基の構造変化に応じて変形する高分子層と、光を吸収又は反射する光不透過層とを有する。【選択図】図1
31 2008-020540 H180711 株式会社リコー 光走査装置及び画像形成装置 A4 DA02 DA04 PI03

【課題】金属電極に金属膜を低コストで形成することが可能であると共に、金属電極の小型化に対応可能な小型の光走査装置及びこれを用いた画像形成装置の提供。【解決手段】振動ミラー3を駆動する駆動電極が基板上に設けられた振動ミラーのねじり回転軸4の垂直方向及び水平方向に複数個存在する光走査装置において、駆動電極の外部電極が振動ミラー3の反射面側と同一方向の基板1上全面に形成される。また、振動ミラー3の反射面が外部電極と同じ材質によって構成される。【選択図】図3
32 2008-020701 H180713 スタンレー電気株式会社 2次元光スキャナ、それを用いた光学装置および2次元光スキャナの製造方法 A4 DA02 DA04 PI03

【課題】小型で動作の安定した2次元光スキャナを提供する。【解決手段】共通基板と共通基板上に形成された反射膜とを有するミラー部と、共通基板とその下に接続された構造体とを含んで形成され、ミラー部を内包する開口を有する内部可動枠と、共通基板とその下に接続されたベース層とを含んで形成され、内部可動枠を内包する開口を有する支持体と、第1の軸上でミラー部を回動可能に支持する一対の第1のトーションバーと、第1のトーションバーに回動トルクを印加する第1の圧電振動板とを含み、ミラー部と内部可動枠とを連結する第1の連結部と、第1の軸と交差する第2の軸上で内部可動枠を回動可能に支持する一対の第2のトーションバーと、第2のトーションバーに回動トルクを印加する第2の圧電振動板とを含み、内部可動枠と支持体とを連結する第2の連結部とを有する2次元光スキャナを作製する。【選択図】図1
33 2008-021532 H180713 ソニー株式会社 可動素子、ならびにその可動素子を内蔵する半導体デバイス、モジュールおよび電子機器 A4 DB01 PI02

【課題】寄生容量を効果的に低減することの可能な可動素子を提供する。【解決手段】基板10上に、信号を伝送するための信号線路20と、その信号線路20を機械的に継断するための継断部30と、その継断部30を切り替えると共に、継断部30の切り替え後の状態を保持するための切替部40とを備える。本実施の形態では、信号線路20が導通し、オン状態となっているとき、信号線路20および継断部30は基板10に接しておらず、基板10上の中空に存在している。【選択図】図3
34 2008-023406 H180718 富士ゼロックス株式会社 一体型接続部を有するマイクロリアクター装置 A4 DC01 DCX

【課題】微小流路や給排チューブを閉塞したり汚したりすることがない接続部材を有し、その交換が容易なマイクロリアクター装置を提供すること。また、接続部においてスムーズな流れを得ることのできる一体型接続部を有するマイクロリアクター装置を提供すること。【解決手段】マイクロリアクター本体、前記マイクロリアクター本体内に形成された微小流路、及び、前記マイクロリアクター本体に着脱可能に設けられ、前記微小流路端部に給排パイプを接続する一体型接続部を有することを特徴とするマイクロリアクター装置、好ましくは、前記ジョイント部材の中心軸が、マイクロリアクター本体における前記微小流路端における接線方向に一致するように設ける。【選択図】図1
35 2008-023418 H180718 富士ゼロックス株式会社 マイクロ流路デバイス A4 DC01

【課題】異なる2以上の流体を接触させる界面を効率よく形成することができるマイクロ流路デバイスを提供すること。【解決手段】異なる2以上の流体を多相流として形成する微小流路を有し、前記多相流の断面形状が、(1)複数の多角形が2次元状に配列されかつ前記多角形が相互に隣接した形状、(2)多角形が円若しくは楕円に内接するか若しくは多角形が円若しくは楕円に外接する形状、又は、(3)複数の円及び/若しくは楕円が2次元状に配列されかつ前記円及び/若しくは楕円が相互に隣接した形状、を少なくとも一部に有することを特徴とするマイクロ流路デバイス。【選択図】図2
36 2008-023627 H180719 株式会社デンソー 光学式ガス濃度検出器およびそれに用いられるマイクロ構造体の製造方法 A4 DA04 DDX PB01

【課題】平面を3次元的に加工する手法を提供し、この方法によってガス濃度検出器に用いる凹面ミラーを製造する。【解決手段】Si基板110上にマスク200を形成する(図4(a))。このとき、マスク200を半径の異なる複数の同心円として形成すると共に、各同心円間の開口部が外径方向に向かうほど小さくなるようにマスク200を形成する。この後、Si基板110をドライエッチングし、マスク200の開口部の面積に応じた深さの溝を形成する(図4(b))。続いて、Si基板110が露出した部分を熱酸化し(図4(c))、フッ酸でSi基板110の表面に形成された熱酸化膜を除去する(図4(d))。そして、Si基板110を熱処理し(図4(e))、Si基板110の表面に金属を蒸着して反射膜300を形成する。こうして、ガス濃度検出器に用いられる凹面ミラーが完成する。【選択図】図4
37 2008-023756 H180719 セイコーエプソン株式会社 静電アクチュエータ及び静電駆動デバイスの駆動制御方法、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置の吐出制御方法並びに静電駆動デバイス及び液滴吐出装置 A4 DCX

【課題】駆動回路の簡単な制御により、静電駆動デバイスにおける各静電アクチュエータの独立した駆動制御を実現する方法を得る。【解決手段】固定電極となる個別電極12及びそれぞれの個別電極12と所定の距離で対向して支持された可動電極となる振動板22を複数組有し、個別電極12及び/又は振動板22への電荷供給を制御して個別電極12と振動板22との間の電圧に基づいて発生する静電気力と、振動板22に加わる復元力とにより、個別電極12との当接と離間とを繰り返すように振動板22を駆動させる液滴吐出ヘッド等に搭載された静電アクチュエータの駆動制御方法において、静電気力の発生時間として3段階以上の設定時間を設定し、駆動制御回路40は、駆動周期毎に、各組の静電気力の発生時間が、設定時間のいずれかの時間となるように個別電極12及び/又は振動板22への電荷供給を制御する。【選択図】図2
38 2008-024543 H180720 アルバック成膜株式会社 微細加工用ガラス基板、及びガラス基板の加工方法 A4 PC03 PJ06 MF02

【課題】流路などの表面に凹凸形状を安価にかつ高精度に形成することができ、微細凹凸構造のエッヂ部においても適切な加工形状が得られるガラス基板の加工方法を提供する。【解決手段】本発明のガラス基板の加工方法は、ガラス基板の被加工面を研磨する第1工程S1と、前記被加工面にエッチングマスクを形成する第3工程S3及び第4工程S4と、湿式エッチング処理により前記ガラス基板の被加工面に前記微細凹凸構造をパターン形成する第5工程S5と、を有する。【選択図】図2
39 2008-026109 H180720 富士フイルム株式会社 微細構造体及びその製造方法、センサデバイス及びラマン分光用デバイス A4 DDX DF02

【課題】表面に凹凸構造を有する凹凸金属基板上に、複数の金属粒子が凹凸金属基板の凹部内に固着して配列した微細構造体を簡易に製造する。【解決手段】金属基板として、表面に凹凸構造を有する凹凸金属基板11を用意する工程(A)と、凹凸金属基板11の表面上に、凹凸金属基板11の構成金属と異なる金属を主成分とする金属膜21を成膜する工程(B)と、アニール処理により、金属膜21の構成金属を凝集させて粒子化させる工程(C)とを順次実施することにより、微細構造体1を製造する。【選択図】図2
40 2008-026876 H190606 アイディーシー、エルエルシー 封止されたMEMSデバイス内の湿度を検査するシステム及び方法 A4 CAX

【課題】封止されたMEMSデバイス内の湿度を検査するシステム及び方法【解決手段】一実施形態は、複数のインターフェロメトリック変調器を取り囲むデバイスの特性を測定することと、上記測定した特性に少なくとも部分的に基づいて、このデバイスの内部の相対湿度の値又は相対湿度の程度を判断することとを備える、湿度を検査する方法を提供する。一実施形態において、このデバイスの特性は、次のもの、すなわち、i)このデバイスの重量、ii)このデバイス内に封入された乾燥剤の色変化、iii)このデバイスの内部の抵抗、iv)冷たいフィンガデバイスが接触している、このデバイスの内部領域に霜が形成されたか否か、v)このデバイス内に水蒸気が供給された場合に、このデバイス内に封入された乾燥剤が的確に作用しているか否か、vi)i)〜v)のうちの少なくとも2つの組み合わせ、のうちの少なくとも1つを含む。【選択図】図8
41 2008-026877 H190606 アイディーシー、エルエルシー インターフェロメトリック変調器に関するプロセスコントロールモニター A4 AKX

【課題】インターフェロメトリック変調器に関するプロセスコントロールモニター【解決手段】MEMSデバイス108の製造に用いられるプロセスステップと同じプロセスステップの少なくとも一部を用いて製造されるプロセスコントロールモニター100、102、及び104が開示される。プロセスコントロールモニター100、102、及び104の分析は、MEMSデバイス108の性質及び前記デバイス内の構成要素又は副構成要素に関する情報を提供することができる。この情報は、加工の際の誤りを識別するために又はMEMSデバイス108を最適化するために用いることができる。幾つかの実施形態においては、プロセスコントロールモニター100、102、及び104の分析は、光学的測定値を利用することができる。【選択図】図8
42 2008-027812 H180724 株式会社東芝 MEMSスイッチ A4 DB01 PI02

【課題】可動梁と接点電極との間に充分な接触圧力が得られ、かつ、両者間の接触抵抗も小さく抑制できる構造を有するMEMSスイッチを提供する。【解決手段】固定部2と、下部電極4上に形成された第1の絶縁層5、及び、第1の絶縁層5上に形成された上部電極6を含み、一方の端部が固定部2により支持及び固定された可動梁3と、可動梁3の他方の端部の底面に対向して、基板1上に形成された固定電極10と、固定電極10に対向する領域における下部電極4及び第1の絶縁層5に形成された開口部に、固定電極10に対向する可動梁3の底面よりも下方に突出して、上部電極6と電気的に接続され且つ下部電極4と絶縁されて形成された接点電極9と、下部電極4と固定電極10とを絶縁する一方、接点電極9と固定電極10とが接触し得るように、接点電極9と対向する領域に開口部を有して固定電極10上に形成された第2の絶縁層11と、を備える。【選択図】図2
43 2008-028012 H180719 コニカミノルタオプト株式会社 アクチュエータ素子、及びアクチュエータ素子の製造方法 A4 PI04 MEX

【課題】実用的な駆動力を保ちながら大きな変位量が得られ、微細化や集積化が容易で、さらに環境負荷の小さなアクチュエータ素子を簡単に製造することができ、複数の素子の配列を同時に製造することもできるアクチュエータ素子の製造方法。【解決手段】基板上に光硬化性の剥離層と隔壁層を設ける工程と、隔壁層による凹部領域を露光して選択的に剥離層を硬化させる工程と、該凹部領域に電界により変形する層と電極層とを含む積層体を形成する工程と、隔壁層を硬化していない剥離層とともに取り外す工程とにより、複数の素子の配列を同時に、簡便に製造することが可能で、微細化、集積化も容易となる。【選択図】図4
44 2008-030152 H180728 住友電気工業株式会社 3次元微細構造体の製造方法 A4 PI06 PJ06

【課題】機械的強度を向上する3次元微細構造体の製造方法を提供する。【解決手段】導電性または表面に導電性の膜を有する基板11上において、貫通パターンを有するレジスト12a〜12dを形成した後に、貫通パターンに第1の金属13a〜13dを充填して、積層単位a〜dを1層以上形成する工程を実施する。積層単位a〜dの最表面に貫通パターン12e1を有する最表面レジスト12eを形成する工程を実施する。第1の金属13a〜13dをエッチングにより除去して、レジスト構造体12を形成する工程を実施する。レジスト構造体12の空間に第2の金属を充填することにより3次元微細構造体を形成する工程を実施する。3次元構造体からレジスト構造体12を除去する工程を実施する。積層単位a〜dおよび最表面レジスト12eのそれぞれの貫通パターンのうち、積層方向において隣接する貫通パターンは互いに一部が重なるように形成されていることを特徴としている。【選択図】図6
45 2008-030182 H180801 独立行政法人産業技術総合研究所 HST株式会社 定振幅機構及びこれを用いた電位センサ A4 DDX

【課題】マイクロ構造体の振動振幅を利用するMEMSデバイスについて、環境変化や経年変化に強いMEMSデバイスを提供する。【解決手段】対象物との間の静電容量を測定するための可動電極アレイ102を有するマイクロ構造体と、前記マイクロ構造体を振動せしめるたに圧電素子を用いた圧電マイクロカンチレバー108a,108bからなるマイクロアクチュエータと、前記マイクロ構造体と前記マイクロアクチュエータとを揺動自在に連結するヒンジ112a,112bとからなる連結部と、前記マイクロ構造体が前記マイクロアクチュエータによって振動せしめられる際に、前記マイクロ構造体に接触して前記マイクロ構造体の振幅を規制せしめるストッパ110a、110bと、を備える。【選択図】図1
46 2008-030189 H190723 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド MEMSデバイスに関するシリコン−オン−金属 A4 PG02 PHX

【課題】シリコン−オン−金属(SOM)ウェハを使用してMEMSデバイスを製造するための方法を提供する。【解決手段】活性層と犠牲層とを内部金属層を挟んで積層したシリコン−オン−金属(SOM)ウェハを作るステップ42と、そのSOMウェハの活性層をドライまたはウエットエッチングで内部金属層をエッチング停止層としてパターニングするステップ44と、パターニングした活性層に別途用意したカバーウェハを接合するステップ46と、犠牲層をエッチングで内部金属層をエッチング停止層として除去するステップ48と、さらに露出した内部金属層を選択的に除去するステップ50とからなる。【選択図】図9
47 2008-032560 H180728 ソニー株式会社 電気機械素子とこれを用いたセンサ素子、光変調装置及び画像表示装置 A4 DA02 DAX DD01 DDX

【課題】振動又は移動する可動部を有する電気機械素子において熱雑音の影響を抑制する。【解決手段】振動又は移動が可能な可動部42を有して成る電気機械素子であって、可動部42の熱を排熱する温度制御部60を設ける。温度制御部60として例えば冷却部45、熱線反射部43、黒体輻射部41、中空構造50Sを有する断熱構造部50を設ける。【選択図】図2
48 2008-034154 H180727 富士通メディアデバイス株式会社 富士通株式会社 スイッチ A4 DB01

【課題】開放状態のアイソレーションを大きくすることが可能なスイッチを提供することを提供すること。【解決手段】本発明は、基板(10)上に設けられた可動部(40)と、可動部(40)に設けられた第1電極(22)と、第1電極と接触可能であり基板に対し固定された第2電極(24)と、を具備し、動作周波数をf(Hz)、伝送インピーダンスをR0(Ω)、第1電極と第2電極との開放状態の静電容量をC(F)としたとき、f×R0×C≦1.6×10−4であることを特徴とするスイッチである。【選択図】図1
49 2008-034268 H180731 独立行政法人産業技術総合研究所 高強度、高導電性薄膜によるアクチュエータ素子及びその製造方法 A1 A4 DFX MEX MI04

【課題】アクチュエータに有用な導電性薄膜及び該導電性薄膜を有する積層体並びにアクチュエータ素子及びその製造法を提供する。【解決手段】カーボンナノチューブ、イオン液体、ポリマーを含む導電性薄膜で該導電性薄膜重量に対してカーボンナノチューブを16wt%以上含む導電性薄膜。また、イオン伝導層を有する積層体において、イオン伝導層の表面に導電性薄膜を電極とする導電性薄膜層が互いに絶縁状態で少なくとも2個形成され、導電性薄膜層に電位差を与えることにより変形可能に構成されているアクチュエータ素子。【選択図】図5
50 2008-035600 H180727 スタンレー電気株式会社 圧電アクチュエータ及びその製造方法 A4 DA02 DA04 PI03

【課題】小型で、且つ拡張されたトルク又は変位を得ることが可能な圧電アクチュエータ及びその製造方法を提供する。【解決手段】圧電アクチュエータ1は、支持体3及び支持体3上に形成された圧電体5A,5Bを有し圧電駆動により屈曲変形を行う圧電カンチレバー2A,2Bを複数備えると共に、該複数の圧電カンチレバーの圧電体5A,5Bにそれぞれ駆動電圧を印加するための複数の電極7A,7B,7C,9,4A,4B,6A,6Bを独立に備える。複数の圧電カンチレバー2A,2Bは、各々の屈曲変形を累積するように端部が機械的に連結され、該駆動電圧の印加により各圧電カンチレバー2A,2Bが独立に屈曲変形される。【選択図】図1
51 2008-036628 H190705 三星電子株式会社 弁閉鎖ユニット及びそれを備えた反応装置 A4 DC01 DC02 DCX

【課題】弁閉鎖ユニット及びそれを備えた反応装置を提供する。【解決手段】常温で固体の相転移物質及び相転移物質内に分散され、外部からの電磁波の照射による電磁気波エネルギーを吸収して発熱する複数の微細発熱粒子を含んでなる充填物が充填された充填物チャンバと、充填物チャンバとチャンネルを連結する連結通路と、充填物に電磁波を照射するための外部エネルギー源と、を備えており、外部エネルギー源からの電磁波の照射によって発熱した複数の微細発熱粒子は、相転移物質を溶融及び膨脹させることによって充填物を膨張させ、膨張した充填物は、連結通路を通ってチャンネルに流入してチャンネルを閉鎖することを特徴とする弁閉鎖ユニット及びそれを備えた反応装置である。【選択図】図2
52 2008-036726 H180801 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ A4 DA01 DA02 DA05 DB02 DD01 DD02 DD03

【課題】比較的簡単かつ高精度に、所望の状態で駆動することができるアクチュエータを提供すること。【解決手段】固定電極31、32と可動電極41、42との間に電圧を印加することにより、可動電極41、42と固定電極31、32との間に静電引力を生じさせ、梁部43、44の梁433、434、443、444を曲げ変形させながら、可動電極41、42を変位させるように構成されているアクチュエータであって、梁433、434、443、444の曲げ変形量が増すに従い梁433、434、443、444の曲げに関するバネ定数を上昇させるように梁433、434、443、444の変形を規制する突起436、437、446、447を有する。【選択図】図1
53 2008-036774 H180807 セイコーインスツル株式会社 MEMSデバイス及びMEMSデバイスの製造方法、並びに、電子機器 A4 DD02 PA08 PB02 PGX PI04 MA01

【課題】パターニングすることなく、スルーホールの底部に確実にフィードスルーを形成して、シリコン基板と外部との導通を確実に図るとともに、工程数の削減を図ることが可能なMEMSデバイスの製造方法及びMEMSデバイス並びに電子機器を提供する。【解決手段】MEMSデバイス1は、シリコン基板2と、シリコン基板2に接合された絶縁性を有するリッド基板3と、リッド基板3に形成されたスルーホール6に設けられ、シリコン基板2と外部とを導通させるフィードスルー7とを備えたものであり、リッド基板3にスルーホール6を形成するスルーホール形成工程と、スルーホール6が形成されたリッド基板3をシリコン基板2に接合させる接合工程と、メッキ溶液に浸漬させた状態でシリコン基板2に電圧を印加して、スルーホール6にメッキ材を成長させることでフィードスルー7を形成するフィードスルー形成工程とを備えた製造方法で製造される。【選択図】図1
54 2008-036782 H180807 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ A4 DA02 PI03 MA01

【課題】高精度に質量部の挙動を検知し、質量部の挙動を所望のものとすることができるアクチュエータを提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータ1は、第1の弾性部26、27を捩れ変形させながら第1の質量部21、22を回動させ、これに伴い、第2の弾性部28、29を捩れ変形させながら第2の質量部25を回動させるものであって、基体2が(001)面のp型シリコン単結晶基板を加工することにより形成され、かつ、第2の弾性部28、29は、シリコン単結晶基板の<110>方向に沿って延在しており、1対の第2の弾性部28、29上に設けられたn型の抵抗領域411、421を備えるピエゾ抵抗素子41、42を有し、ピエゾ抵抗素子41、42の比抵抗値の変化に基づいて、第2の質量部25の挙動を検知するように構成されている。【選択図】図1
55 2008-039541 H180804 独立行政法人物質・材料研究機構 マイクロ流路チップ及びそれを用いた生体高分子の処理方法 A4 DC01 DE01 MD01

【課題】高速に、しかもその場で高分子、例えば遺伝子の前処理や遺伝子診断を行なうことができる、マイクロ流路チップとこれを用いた生体高分子の処理方法を提供する。【解決手段】マイクロ流路チップ1は、溶液導入口2A,2Bと溶液排出口4Aとを有するマイクロ流路2と、マイクロ流路2に設けられるマイクロピラー2Pと、マイクロピラー2Pと溶液排出口との間に設けられるハイドロゲルバルブ5とを備え、マイクロピラー5は、溶液導入口2Aから導入される溶液のpHによりゼータ電位が変化する材料で被覆され、ハイドロゲルバルブ5は高分子材料からなり溶液のpHの変化により開閉する。【選択図】図1
56 2008-039861 H180801 セイコーエプソン株式会社 光学デバイス A4 DA04 PI03 MA01

【課題】安定した駆動を行うことができる光学デバイスを提供すること。【解決手段】本体部211および光反射部212を備えた板状の質量部21と、質量部21を支持する支持部22と、支持部22に対し質量部21を回動可能とするように、質量部21と支持部22とを連結する弾性変形可能な1対の弾性部24、25と、質量部21を回動駆動させるための駆動手段とを有し、前記駆動手段を作動させることにより、弾性部24、25を捩れ変形させながら、質量部21を回動させ、光反射部212で光を反射させ、走査するように構成された光学デバイス1であって、質量部21は、本体部211の光反射部212とは反対側の面に本体部211の構成材料よりも熱伝導率の高い材料で構成された放熱部4を有する。【選択図】図1
57 2008-039867 H180802 日立金属株式会社 マイクロミラー、マイクロミラーアレイおよびそれを用いた光スイッチ A4 DA01 DA04 PI03

【課題】本発明はマイクロミラーの電気的短絡を回避する構造を提供する。【解決手段】梁で支持された可動ミラーを有する可動ミラー基板と電極基板を具備し、前記可動ミラーが前記梁を中心軸として回転動作する静電駆動型のマイクロミラーにおいて、前記可動ミラーは一方の面に反射面を有し、該反射面を有する面の反対の面にミラー電極部を有し、該ミラー電極部は前記電極基板と対向配置されており、前記電極基板は前記ミラー電極部との間に静電引力を発生させる駆動電極部を有し、前記梁は中心軸に直交する方向に伸びた棒状部材が複数回折り返した折り返し梁であり、前記駆動電極部は、前記ミラー電極部と前記電極基板との対向方向から見て、前記梁の折り返し部に重ならないように形成されており、前記可動ミラーの端部が前記電極基板と接触する動作状態を有するマイクロミラーとする。【選択図】図1
58 2008-040228 H180808 マイクロプレシジョン株式会社 電磁駆動型光偏向素子 A4 DA02 DA04 MEX

【課題】光偏向素子の梁の機械特性に金属配線の影響を与えることなく、部品点数を削減し、より広角により低速で駆動できる電磁駆動型光偏向素子を提供する。【解決手段】光反射面とコイルを有する可動部と、磁界形成手段を有する台座部と、可動部を台座部に軸支する梁部とを備え、コイルに流れる電流と、磁界形成手段により形成される磁界とにより発生する電磁力により可動部を回動させる電磁駆動型光偏向素子であって、梁部108は、コイルへ電気を流す導電体としての機能と、可動部を支持する機能と、可動部を基準位置に戻すばねとしての機能を有する単一の素材で構成されている電磁駆動型光偏向素子により前記課題を解決する。【選択図】図1
59 2008-040240 H180808 スタンレー電気株式会社 光偏向器及びその製造方法 A4 DA02 DA04 PI03

【課題】小型で、且つ偏向角を広範囲で容易に制御可能な光偏向器及びその製造方法を提供する。【解決手段】光偏向器11は、反射面13を有するミラー部12と、ミラー部12を駆動する少なくとも1つの圧電アクチュエータ1とを備えて構成される。圧電アクチュエータ1は、支持体3及び支持体3上に形成された圧電体5A,5Bを有し圧電駆動により屈曲変形を行う複数の圧電カンチレバー2A,2Bを含むと共に、該複数の圧電カンチレバーの圧電体5A,5Bにそれぞれ駆動電圧を印加するための複数の電極7A,7B,7C,9,4A,4B,6A,6Bを独立に備える。複数の圧電カンチレバー2A,2Bは、各々の屈曲変形を累積するように端部が機械的に連結され、該駆動電圧の印加により各圧電カンチレバー2A,2Bが独立に屈曲変形される。【選択図】図1
60 2008-040296 H180809 船井電機株式会社 形状可変ミラー A4 DA04

【課題】鏡面と直交する方向に伸縮して鏡面の変形を可能とする圧電素子を備える形状可変ミラーにおいて、組立て時に鏡面に発生する歪みを極力低減しながら製造できる形状可変ミラーを提供する。【解決手段】形状可変ミラー1は、支持基板2と、支持基板2と対向して設けられるミラー基板3と、支持基板2上に設けられてミラー基板3を固定する固定部材4と、支持基板2上に設けられて、その伸縮によりミラー基板3を突き上げて鏡面3aを変形可能とする圧電素子5と、を備える。固定部材4の線膨張係数は、圧電素子5の線膨張係数よりも大きく、ミラー基板3の裏面には、少なくとも固定部材4と接合される部分に、加熱状態でミラー基板3と固定部材4とを圧接することにより接合可能とする金属の接合層6が設けられ、ミラー基板3と圧電素子5とは非接合である。【選択図】図2
61 2008-040298 H180809 船井電機株式会社 学校法人立命館 形状可変ミラー A4 DA04

【課題】鏡面が変形可能な形状可変ミラーにおいて、組立て時に鏡面に歪みが発生するのを抑制できる構造の形状可変ミラーを提供する。【解決手段】形状可変ミラー1は、支持基板2と、支持基板2と対向して設けられるミラー基板3と、支持基板2上に設けられてミラー基板3を固定する固定部材4と、支持基板2上に設けられて、その伸縮によりミラー基板3を突き上げて鏡面3aを変形可能とする圧電素子5と、を備える。ミラー基板3と圧電素子5とは接合されず、ミラー基板3と固定部材4とは、Au層から成る接合層6によって接合される。ミラー基板3には、固定部材4と接合される部分にのみ接合層6が設けられる。【選択図】図2
62 2008-040302 H180809 船井電機株式会社 形状可変ミラーの製造方法 A4 DA04 PGX PJ03 PJ06

【課題】形状可変ミラーの量産に適した製造方法を提供する。【解決手段】支持基板2の素になる第1ウエハ20の一方の面、ミラー基板3の素になる第2ウエハ30の一方の面に、個々の形状可変ミラー1となる領域それぞれの境界に沿って第1溝21、第2溝31を形成する。第1ウエハ20と第2ウエハ30を、第2溝31が形成されている面が内向きにされた状態で、互いの前記領域がそれぞれ重なる状態に配置し、第1ウエハ20と第2ウエハ30との間における前記各領域内に支柱5、圧電体4を挟み込み、第1ウエハ20と支柱5、圧電体4、及び、第2ウエハ30と支柱5、圧電体4を互いに接合する。第2ウエハ30の外面全域を第2溝31に到達するまで平坦化加工してミラー基板3に分断する。第1ウエハ20を第1溝21に沿って破断して支持基板2に分断する。ミラー基板3の外面上に反射膜6を形成する。【選択図】図3
63 2008-040304 H180809 船井電機株式会社 形状可変ミラーの製造方法 A4 DA04 PG03 MEX

【課題】形状可変ミラーの量産に適した製造方法を提供する。【解決手段】支持基板2とミラー基板3との間に支柱5、圧電体4を挟み込み、支持基板2と支柱5、支持基板2と圧電体4、ミラー基板3と支柱5、及びミラー基板3と圧電体4を互いに接合する。ミラー基板3の外面全域に外面が平坦化された弾性膜7を形成する。弾性膜7上に反射膜6を形成する。【選択図】図3
64 2008-040353 H180809 セイコーエプソン株式会社 光学デバイス、光スキャナおよび画像形成装置 A4 DA02 DA04

【課題】省電力化および小型化を図りつつ、大きい回動角を有する光学デバイス、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】光反射部6を備える質量部21と、支持部24と、1対の弾性部22、23と、質量部21を回動させる駆動手段とを有し、駆動手段を作動させることにより、弾性部22、23を捩れ変形させながら、質量部21を回動させ、光反射部6で光を走査するように構成された光学デバイスであって、駆動手段は、質量部21に設けられ、該質量部の面に直角な方向に磁化された磁性部41と、非駆動状態の質量部21の平面視にて、質量部21を介して、その回動中心軸Xに直角な方向に対向するように設けられた1対の磁極511、521を備えた磁界発生手段とを有し、磁界発生手段が、1対の磁極511、521間に磁界を発生させることで、質量部21を支持部24に対して回動させるように構成されている。【選択図】図1
65 2008-040460 H190202 キヤノン株式会社 揺動体装置、及び光偏向装置 A4 DA02 DA04

【課題】揺動体の偏向角を高精度に検出、制御可能な揺動体装置を提供する。【解決手段】揺動体装置は、第1の揺動体101と、第2の揺動体102と、第1の揺動体と第2の揺動体とを接続する第1のねじりバネ111と、第2の揺動体102に接続される第2のねじりバネ112とを少なくとも有し構成される振動系100を有する。振動系100は、支持部121により支持される。更に揺動体装置は、複数の揺動体の少なくとも一つが複数の時間関数の和を含む式で表される振動となるように振動系100を駆動する駆動部120、揺動体の変位に応じて信号を出力する信号出力器140とを有する。更に揺動体装置は、信号出力器の出力信号に基づいて時間関数の振幅と位相の少なくとも一つが所定の値となるように駆動部を制御する駆動制御部150を備える。【選択図】図1
66 2008-041378 H180804 セイコーエプソン株式会社 MEMSスイッチ及びMEMSスイッチの製造方法 A4 DB01 PI02 MA02

【課題】MEMSスイッチを電圧分割回路に適用する場合、MEMSスイッチの抵抗は低く抑えられているため、電圧分割用に外付けの抵抗が必要となる。そのためMEMSスイッチ周辺の回路部品数は増大する。従ってチップ面積が増加し、チップ内部での温度分布の絶対値が大きくなり、各抵抗間での温度に分布が生じ、抵抗が有する温度係数により抵抗値が相対的に変動し、電圧分割回路から得られる電圧値の精度が低下するという課題がある。【解決手段】MEMSスイッチの可動部分を電気抵抗を有する可動電気抵抗体を用いる。スイッチ自体に抵抗を持たせることでMEMSスイッチに接続される分圧用の抵抗を省略することができる。そのためチップ面積を小型化することが可能となり、チップ内部での温度分布の絶対値が抑えられ、抵抗が有する温度係数による抵抗値の相対変動を抑える。【選択図】図1
67 2008-041589 H180810 ヒロセ電機株式会社 国立大学法人 東京大学 高周波スイッチ A4 DB01 PI02

【課題】垂直方向ではなく同一面上に構造体を製造して十分なアイソレーションを確保することを可能にした高周波スイッチを提供することを目的とする。【解決手段】駆動電極と、駆動電極と自身の間に生じさせた静電力によって駆動電極側に弾性変位可能なバネ駆動部と、駆動電極側に弾性変位させたバネ駆動部との接触を通じて高周波信号の切換を行う切換部と、を同一層内に備える。バネ駆動部と切換部が接触していないときはバネ駆動部に高周波信号を通さないようバネ駆動部と切換部の接触部付近を分断し、分断された接触部付近をバネ駆動部と接触させた切換部によって中継することによりスイッチの切換を行う。バネ駆動部は、同一層内において移動可能である。高周波信号を通す部分には導電性部材が設けられており、バネ駆動部は両持ちバネとして形成されている。【選択図】図1
68 2008-042105 H180810 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造に用いる基板 A4 DD07 PC01 PI03 MA01

【課題】基板の表面上に電子素子が設けられた半導体装置の歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法及び基板を提供する。【解決手段】基板の表面上に電子素子が設けられた半導体装置を製造する工程中に、基板の裏面側に凸部を形成する凸部形成ステップと、凸部により基板を支持した状態で、基板の表面上に電子素子を形成する電子素子形成ステップとを設けた。【選択図】図1
69 2008-043912 H180821 株式会社日立製作所 マイクロリアクタ A4 DC01 DCX

【課題】反応用の複数種の流体のそれぞれを複数に分割して供給する方式のマイクロリアクタについて、流体分割数を増やしても縮流部での副反応を抑制して高い反応収率を実現できるようにする。【解決手段】複数種の反応用流体LA、LBのそれぞれを複数の流体に分割して供給できるように複数の流入口14a、14bが設けられた供給部11を備えるとともに、供給部から流下する反応用流体を層流状態で流下させつつ縮流させる縮流部12を備えたマイクロリアクタについて、反応用流体に対して反応性を有しない離隔用流体LCを供給するための離隔用流体流入口14cを供給部に設け、この離隔用流体流入口から供給する離隔用流体が種類の異なる反応用流体それぞれの層流の間に介在する層流となって反応用流体とともに縮流部を流下するようにしている。【選択図】図1
70 2008-044044 H180811 国立大学法人東京農工大学 マイクロアクチュエータシステム A1 PJX

【課題】対象を室温下においてもナノオーダで高精度加工できるナノ構造プローブを用いたアクチュエータシステムを提供する。【解決手段】ナノ構造プローブ11を備え、ナノ構造プローブの所定領域に押接制御用レーザ光Bを照射することにより針111の対象への押接を制御するアクチュエータシステム1であり、押接制御用レーザ光Bの照射により粒径が変化する材料により前記所定領域が構成されたナノ構造プローブ11と、押接制御用レーザ光Bを前記所定領域に照射する光学系12と、押接制御用レーザ光の前記所定領域への照射を制御するレーザ光照射制御装置(コントローラ13)とを備える。【選択図】図1
71 2008-044045 H180811 キヤノン株式会社 微小流路の製造方法 A4 DC01 MEX

【課題】平坦な基板または基板上に各種の素子が設けられて表面が凹凸を有する基板に容易に流路を形成することができる微小流路の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に第1の液体を付与して描画する工程、前記第1の液体を硬化させて凸部からなる第1の硬化物を得る工程、前記第1の硬化物を覆って第2の液体を付与する工程、第2の液体を硬化させて第2の硬化物を得る工程、前記第2の硬化物と基板上の第1の硬化物を分離して第2の硬化物中に凹部を形成する工程、前記基板から第1の硬化物を除去する工程、前記第1の硬化物を除去した基板上に第2の硬化物を設置して前記凹部からなる流路を形成する工程を有する微小流路の製造方法。【選択図】図1
72 2008-044065 H180814 日本電信電話株式会社 MEMS素子及びその製造方法 A4 PA08 MEX

【課題】MEMS素子の可動部とこれに対向する制御電極との間で起こる「リリース時のスティッキング」及び「駆動時のスティッキング」を、高価な処理装置を必要とせずに、同時に抑制できるようにする。【解決手段】シリコーン系高分子を内包したスルフォニウムイオンを含有する電着液(例えば、日本ペイント(株)、INSULEED3020X)に、上述した制御電極115が形成された基板とSUS304からなる対向電極とを浸漬し、制御電極115に負電圧を印加するとともに、上記対向電極に正電圧を印加する。以上の操作により、電着液に分散(溶解)している撥水性有機絶縁膜形成材料を、負電圧が印加された制御電極115の表面に析出させ、制御電極115の露出している表面に膜厚0.3μm程度の撥水性有機絶縁膜109が形成された状態とする。【選択図】図1
73 2008-044068 H180816 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置 A4 DA02 DA04 PI02

【課題】比較的簡単かつ高精度に、所望の状態で駆動することができるアクチュエータ、光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータ1は、固定電極31、32と可動電極41、42との間に電圧を印加することにより、これらの間に静電引力を生じさせ、梁部43を変形させながら、可動電極41、42をその電極指411、422の長手方向に変位させるように構成されているものであって、固定電極31、32および/または可動電極41、42における複数の電極指311、321、411、421のうちの少なくとも1つの電極指は、その先端側から基端側へ向け幅が漸減する部分を有する。【選択図】図1
74 2008-044093 H190606 アイディーシー、エルエルシー インターフェロメトリック変調器に関するプロセスコントロールモニター A4 AKX

【課題】MEMSデバイスの製造プロセスおよびその結果をモニタリングする方法とそれに適したデバイスを提供する。【解決手段】MEMSデバイス108の製造に用いられるプロセスステップと同じプロセスステップの少なくとも一部を用いて製造されるプロセスコントロールモニター100、102、及び104が開示される。プロセスコントロールモニター100、102、及び104の分析は、MEMSデバイス108の性質及び前記デバイス内の構成要素又は副構成要素に関する情報を提供することができる。この情報は、加工の際の誤りを識別するために又はMEMSデバイス108を最適化するために用いることができる。幾つかの実施形態においては、プロセスコントロールモニター100、102、及び104の分析は、光学的測定値を利用することができる。【選択図】図8
75 2008-044096 H190719 株式会社半導体エネルギー研究所 微小電気機械式装置、およびその作製方法 A2 PI02 MDX

【課題】微小電気機械式装置が有する微小構造体と電気回路とを同一の絶縁表面上に同一工程を経て作製する。【解決手段】微小電気機械式装置は、絶縁表面を有する基板上にトランジスタを有する電気回路と、微小構造体を有する。微小構造体とトランジスタとは、絶縁層と半導体層の積層体を有する。すなわち、構造層は、ゲート絶縁層と同じ絶縁膜から形成された層を含み、かつトランジスタの半導体層と同じ半導体膜から形成された層を含む。さらに、微小構造体は、トランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極に用いられる導電層を犠牲層に用いることで作製される。【選択図】図1
76 2008-044376 H190820 東ソー株式会社 微小流路構造体を製造するための部材及び製造方法 A4 DC01 PI06

【課題】流体を流すための微小流路に相当する凹部と、流体を導入、あるいは排出するための貫通孔が1回の成形で形成され、かつ微小流路に相当する凹部と貫通孔が連通した微小流路基板の製造方法を提供する。【解決の手段】流体を流すための微小流路及び貫通孔を備えた微小流路基板を有し、かつ前記微小流路と前記貫通孔が連通部において連通していることを特徴とする微小流路構造体を製造するための微小流路基板に貫通孔を形成するためのピンを備え前記ピンの位置及びピンの本数を任意に変更可能な金型及び、金型を用いて一回の成形により微小流路に相当する凹部及び所定の位置に貫通孔を形成する方法を用いる。【選択図】図1
77 2008-045745 H190808 三星電子株式会社 バルブユニット、これを備えた反応装置、及びチャンネルにバルブを形成する方法 A4 DC02 DCX MEX

【課題】流体の流動を遮断し、適時にチャンネルに沿って流体を流れるように開放するバルブユニット、これを備えた反応装置、及びチャンネルにバルブを形成する方法を提供する。【解決手段】流体の流路を形成し、第1高さD1の第1領域と第2高さD2の第2領域とを含む部分を備える流体チャンネル16と、流体チャンネルの第1領域に充填されて形成され、相転移可能なバルブ物質からなるバルブ27、28とを備え、第1高さD1は第2高さD2よりも小さく、第2領域は、第1領域の一側に隣接して位置し、第1領域は、流体チャンネル方向に一定幅Gを有することを特徴とするバルブユニット、これを備えた反応装置、及びチャンネルにバルブを形成する方法である。【選択図】図1
78 2008-045936 H180811 ソニー株式会社 検出装置 A4 DD01

【課題】振動や移動を伴う可動部を有する電気機械素子において問題となる熱雑音の影響を抑制することを目的とする。【解決手段】振動又は移動が可能な可動部1を有する電気機械素子11 12 ・・が2以上設けられ、これら2以上の電気機械素子11 12 ・・において、可動部1の変位により変化する検出量がそれぞれ検出され、2以上の電気機械素子11 12 ・・における各検出量から、目的とする検出量を演算する演算部20を設ける。各検出量の平均値又は相互相関関数を求めることにより、熱雑音による影響を抑制できる。【選択図】図1
79 2008-046369 H180816 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、投光装置、光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置 A4 DA02 DA04 PI03

【課題】質量部の挙動を正確に検知することができるアクチュエータおよび投光装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータ1は、第2の弾性部26、27を捩れ変形させながら、第2の質量部25を回動させるように構成されたものであって、駆動電圧の周期の所定位相でのタイミングを検知する第1のタイミング検知手段と、第2の質量部25の回動角が所定角となったときのタイミングを検知する第2のタイミング検知手段とを備え、第1のタイミング検知手段によって検知されたタイミングと、第2のタイミング検知手段によって検知されたタイミングとに基づいて、第2の質量部25の真の挙動を検知する。【選択図】図1
80 2008-046448 H180818 日本電信電話株式会社 マイクロミラー装置および光スイッチ A4 DA01 DA04

【課題】出力光のパワーを最適値に制御する。【解決手段】光スイッチは、入力ポート1aを出射した入力光を偏向させて任意の出力ポート1bに選択的に入射させるマイクロミラー装置3a,3bと、出力ポート1bに入射した出力光のパワーを検知する出力光検知装置4と、任意の入力ポート1aと出力ポート1bとの間を接続すべくマイクロミラー装置3a,3bを制御する制御装置5とを備える。各マイクロミラー装置3a,3bは、回動可能に支持されたミラーと、ミラーから離間して配置された複数の電極とを有する。制御装置5は、接続すべき入力ポート1aと出力ポート1bとの間の光路上にあるマイクロミラー装置の各電極に共通のバイアス電圧を、出力光のパワーが最適値になるように生成する。【選択図】図1
81 2008-046449 H180818 日本電信電話株式会社 光スイッチおよびミラー制御方法 A4 DA01 DA04

【課題】入力光が無くなったときのミラー装置の制御の不具合を解消する。【解決手段】光スイッチは、入力光を入力する1つ以上の入力ポート1aと、出力光を出力する1つ以上の出力ポート1bと、入力ポート1aを出射した1つ以上の入力光を独立に偏向させて任意の出力ポート1bに選択的に入射させるマイクロミラー装置3a,3bと、入力光の有無を検知する入力光検知装置4と、出力ポート1bに入射した出力光のパワーを検知する出力光検知装置5と、出力光のパワーが最適値になるようにミラー装置3a,3bの偏向角を制御する制御装置6とを備える。制御装置6は、入力光検知装置4から入力光無しの通知を受けたときに、ミラー装置3a,3bの制御を中止する。【選択図】図1
82 2008-046450 H180818 日本電信電話株式会社 ミラー制御装置およびミラー制御方法 A4 DA01 DA04

【課題】ミラーの共振周波数を所望の値に維持する。【解決手段】ミラー制御装置は、回動可能に支持されたミラー230と、ミラー230から離間して配置された電極340a〜340dと、ミラー230の所望の傾斜角に応じた駆動電圧を電極毎に生成する駆動電圧生成手段401と、ミラー230の共振周波数を検出するミラー共振周波数検出手段402と、各電極340a〜340dに共通のバイアス電圧を生成し、バイアス電圧と電極毎の駆動電圧とを加算して、加算後の電圧を対応する電極340a〜340dに印加するバイアス電圧印加手段403とを備える。バイアス電圧印加手段403は、ミラー230の共振周波数が所望の値になるようにバイアス電圧を制御する。【選択図】図3
83 2008-046452 H180818 日本電信電話株式会社 ミラー制御装置 A4 DA01 DA04

【課題】プルイン時のミラーの固着を解消して、ミラーを初期位置に復帰させる。【解決手段】ミラー制御装置100は、回動可能に支持されたミラー230と、ミラー230から離間して配置された複数の電極340a〜340dと、ミラー230と電極340a〜340dとの固着の解除を指示するプルイン解除指令信号が外部から入力されたときに、ミラー230と電極340a〜340dのうち少なくとも一方に直流成分が略零の交流電圧を印加するミラー電圧印加手段400及び駆動電圧印加手段401とを備える。【選択図】図3
84 2008-046453 H180818 日本電信電話株式会社 ミラー制御装置およびミラー制御方法 A4 DA01 DA04

【課題】ミラーの駆動電圧の低電圧化を実現する。【解決手段】ミラー制御装置100は、回動可能に支持されたミラー230と、ミラー230から離間して配置された複数の電極340a〜340dと、ミラー230に非零のバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段400と、複数の電極340a〜340dのうち少なくとも1つにバイアス電圧と反対極性の駆動電圧を印加する駆動電圧印加手段401とを備える。【選択図】図3
85 2008-046455 H180818 日本電信電話株式会社 ミラー制御装置 A4 DA01 DA04

【課題】ミラーの回動方向による駆動電圧−傾斜角特性の違いを緩和する。【解決手段】ミラー制御装置は、回動可能に支持されたミラー230と、ミラー230から離間して配置された電極340a〜340dと、ミラー230の所望の傾斜角に応じた駆動電圧を電極毎に生成する駆動電圧生成手段401と、電極340a〜340dの各々に単独に電圧を印加したときにミラー230の傾斜角が同一の規定値になる電圧をバイアス電圧として電極毎に生成するバイアス電圧生成手段402と、バイアス電圧と駆動電圧とを電極毎に加算して、加算後の電圧を対応する電極340a〜340dに印加する電極電圧印加手段403とを備える。【選択図】図3
86 2008-046511 H180818 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置 A4 DA01 DA02 MA01 MEX

【課題】小型化を図りつつ、低速駆動を行うことのできるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】質量部21と、質量部21を支持するための支持部24と、質量部21を支持部24に対し回動可能とするように質量部21と支持部24とを連結する1対の連結部(弾性部)22、23と、質量部21を回動駆動させるための駆動手段4とを有し、駆動手段4を作動させることにより、連結部(弾性部)22、23を捩れ変形させながら、質量部21を回動させるように構成されたアクチュエータ1であって、弾性部22、23は、それぞれ、長手形状をなし、その長手方向での少なくとも一部が、樹脂材料を主材料として構成された樹脂部であることを特徴とする。【選択図】図1
87 2008-046512 H180818 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置 A4 DA01 DA02 MA01 MEX

【課題】バネ定数の微調整を行うことのできるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供する【解決手段】質量部21と、質量部21を支持するための支持部24と、質量部21を支持部24に対し回動可能とするように、質量部21と支持部24とを連結する1対の連結部22、23と、質量部21を回動駆動させるための駆動手段とを有し、前記駆動手段を作動させることにより、1対の連結部22、23を捩れ変形させながら、質量部21を回動させるように構成されたアクチュエータ1であって、各連結部22、23は、シリコンを主材料として構成されたシリコン部221、231と、シリコン部221、231に接合され、樹脂材料を主材料として構成された樹脂部222、232とを有することを特徴とする。【選択図】図1
88 2008-046591 H190209 株式会社リコー アクチュエータの接触部位形成方法、アクチュエータ、光学システム及び画像形成装置 A4 DA02 DA04 PI02

【課題】アクチュエータの接触部位をリソグラフィ技術の解像限界以下に微細に構成することにより、稼動部位が稼動時に接触する接触面積若しくは接触長を大幅に低減し、接触により生じる固着力を低減して、アクチュエータの駆動電圧を低減すること。【解決手段】アクチュエータの稼動部材504が接触する接触部位の形成方法であって、接触部位を少なくとも2層以上の積層膜502,503で構成し、かつ該積層膜の、任意の層のパターン端部502aと他層のパターン端部503aの重ね合わせ部505により、接触部位を構成する。【選択図】図1
89 2008-047901 H190808 三星電子株式会社 電気的機械的メモリ素子及びその製造方法 A2 DBX

【課題】高い信頼性及び優秀な動作特性を有するメモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】メモリ素子は、基板100と、基板100に対して垂直方向に延長される第1電極110と、基板100に対して垂直する方向に延長され、電極のギャップによって第1電極110と互いに離隔するように配置される第2電極120と有する。さらに、前記電極ギャップの内部に垂直方向に延長され、第1ギャップ118Aだけ第1電極110から離隔され、第2ギャップ118Bだけ第2電極120から離隔され、静電気的に変形されることが可能であって、第1曲げ状態では、第1ギャップ118Aを通じて第1電極110と電気的に接続されるようにし、第2曲げ状態では第2ギャップ118Bを通じて第2電極120と電気的に接続されるようにし、待機状態では第1電極110及び第2電極120と互いに電気的に絶縁されるようにする第3電極とを含む。【選択図】図2
90 2008-049311 H180828 アルプス電気株式会社 マイクロチッププレート A4 DC01

【課題】接着剤シートを用いて第1素材と第2素材とを接合させて形成されているマイクロチッププレートにおいて、接着剤シートが前記素材に形成されているチャンネル内に食い込むことのない適正なチャンネルを有するマイクロチッププレートを提供すること。【解決手段】第1素材2と第2素材3とを間に介在させた接着剤シート6を用いて接合させて形成されているマイクロチッププレート1であって、前記第1素材2と第2素材3とによって前記接着剤シート6を圧迫して接合させる際に前記接着剤シート6が前記両素材2、3の一方の対向面に形成されているチャンネル4内に食い込むことを防止する食い込み防止手段7を前記第1素材2と第2素材3とに形成したことを特徴とする。【選択図】図1
91 2008-049408 H180822 日本電信電話株式会社 電子部品装置 A4 DA01 DA04

【課題】可動構造体の容量が急激に変化する場合でも、容量検出の感度を調整して容量を検出する。【解決手段】形状可変構造体1は、その変位に応じて容量が変化する可動構造体10を備え、構造変位検出ユニット2aは、可動構造体10に電界を発生させる可変電界発生部26と、電界発生の基となる誘導信号Sdを出力する誘導信号生成部22と、電界の発生によって可動構造体10から出力される容量信号Scapから、可動構造体10の容量を表す情報信号Siを抽出する容量情報抽出部23と、可動構造体10の容量から容量信号Scapへの変換率を調整する調整信号Sctlを出力する感度調整部27とを備え、可変電界発生部26は、調整信号Sctlに応じて電界の強度を変化させる。【選択図】図1
92 2008-049438 H180824 国立大学法人大阪大学 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び感圧センサ A4 DD03 PI03

【課題】製造方法を大幅に簡略化することができる立体構造の片持梁状の揺動部を備える半導体装置の製造方法、半導体装置及び該半導体装置を備える感圧センサを提供する。【解決手段】SOI基板7の裏面側からエッチングしてシリコン酸化膜4が露出するまでシリコン基板1を凹状に除去し、シリコン基板1が除去された空間1aに面するシリコン酸化膜4及び該シリコン酸化膜4上の単結晶シリコン膜3の一部をエッチングにより除去して、圧縮応力を有するシリコン酸化膜4及び単結晶シリコン膜3よりなる片持梁状のカンチレバー10を形成する。これにより、SOI基板7上で反り上がったカンチレバー10を形成する。【選択図】図1
93 2008-049464 H180828 松下電工株式会社 半導体装置 A4 DC02 DD01 DD02 DD03 DDX

【課題】実装基板との線膨張率差に起因して可撓性要素部に生じる応力をより緩和することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置たる加速度センサAは、撓み部(可撓性要素部)13を有するセンサ基板(機能基板)1と、センサ基板1と接合される第1のカバー基板2と、第1のカバー基板2との間にセンサ基板1を囲む形で第1のカバー基板2の一表面側に接合された第2のカバー基板3とを備える。第1のカバー基板2は、外部接続用電極25と実装基板40の導体パターン43との接合に伴い撓み部13に発生する応力を緩和する溝部20bが形成されており、第2の電気接続用金属層29と当該第2の電気接続用金属層29に電気的に接続された外部接続用電極25との間に蛇腹状構造部28が形成されるように一表面側の溝部20bの形成位置と他表面側の溝部20bの形成位置とをずらしてある。【選択図】図1
94 2008-049465 H180828 松下電工株式会社 半導体装置 A4 DC02 DD01 DD02 DD03 DDX

【課題】実装基板との線膨張率差に起因して可撓性要素部に生じる応力を緩和することができ且つ信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置たる加速度センサAは、センサ基板1とカバー基板2,3とで構成されており、SOIウェハ(半導体基板)の一部からなる薄肉の撓み部13(可撓性要素部)を有するとともに一表面側に複数の外部接続用電極25を有している。加速度センサAは、外部接続用電極25と実装基板40の導体パターン43との接合に伴い撓み部13に発生する応力を緩和する応力緩和部60が設けられている。応力緩和部60は、外部接続用電極25と撓み部13との間の要所に形成された応力緩和用の溝部61に充実された充実体62からなり、当該充実体62の材料として溝部61の周辺部位の材料であるSiよりも弾性率の低い低弾性材料を用いている。【選択図】図1
95 2008-049466 H180828 松下電工株式会社 半導体装置 A4 DC02 DD01 DD02 DD03 DDX

【課題】実装基板との線膨張率差に起因して機能基板の可動部に生じる応力を緩和でき、且つ、可動部の過度な変位を規制するストッパを兼ねる第2のカバー基板の変形を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置たる加速度センサAは、重り部12と各撓み部13とからなる可動部を有するセンサ基板(機能基板)1と、第1のカバー基板2と、センサ基板1における第1のカバー基板2側とは反対側方向への可動部の過度な変位を規制するストッパを兼ねる第2のカバー基板3とを備える。第1のカバー基板2は、センサ基板1の第1の電気接続用金属層19に接合される第2の電気接続用金属層29よりも外部接続用電極25が内側に位置し、当該両者の間の領域に、外部接続用電極25と実装基板40の導体パターン43との接合に伴い可動部に発生する応力を緩和する溝部20bが形成されている。【選択図】図1
96 2008-049467 H180828 松下電工株式会社 半導体装置 A4 DC02 DD01 DD02 DD03 DDX

【課題】実装基板との線膨張率差に起因して機能基板の可動部に生じる応力を緩和でき、且つ、機能基板の厚み方向への可動部の過度な変位を規制するストッパを兼ねる第2のカバー基板の変形を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置たる加速度センサAは、重り部12と各撓み部13とからなる可動部を有するセンサ基板(機能基板)1と、第1のカバー基板2と、可動部の過度な変位を規制するストッパを兼ねる第2のカバー基板3とを備える。第1のカバー基板2は、センサ基板1の第1の電気接続用金属層19に接合される第2の電気接続用金属層29よりも外部接続用電極25が内側に位置するように両者の形成位置をずらし、当該両者の間の領域に、外部接続用電極25と実装基板40の導体パターン43との接合に伴い可動部に発生する応力を緩和する溝部20bが形成されている。【選択図】図1
97 2008-051512 H180822 富士フイルム株式会社 近接場光を用いたセンサおよびその作製方法 A4 DDX

【課題】蛍光法によるセンサを、高S/Nの蛍光測定が可能で、かつ光学系が簡素化されて安価に形成可能なものとする。【解決手段】所定波長の励起光8を発する光源7と、励起光8を透過させる材料からなり、光源7からの励起光8を受ける位置に配された基板23と、励起光8を遮断する材料からなり、該励起光8の波長よりも小さい開口24aを有して、基板23の光源7とは反対側の一表面23aに形成された薄膜24と、基板23と反対側から薄膜24に試料1が接するように該試料1を保持する試料保持部26と、薄膜24に励起光8が照射されたとき前記開口24aの部分に生じる近接場光21に励起されて、試料1中に含まれる物質が発した蛍光を検出する蛍光検出手段9とからセンサを構成する。【選択図】図1
98 2008-051685 H180825 大日本印刷株式会社 センサーユニットおよびその製造方法 A2 DD01 DD02 PI01 PHX

【課題】小型で信頼性の高いセンサーユニットと、簡便に製造するための製造方法を提供する。【解決手段】センサーユニット1は、多軸モーションセンサー2と、貫通電極53を有するインターポーザ3と、能動素子内蔵モジュール4とをこの順に多段状態で備えたものであり、多軸モーションセンサー2は、梁を介して支持された錘23と、錘よりも外側の領域に配設されたコンタクト電極とを有するセンサー本体11と、所定の電極31を有するガラス基板12と、インターポーザ3に配設された所定の電極41とを備え、インターポーザ3は、貫通電極53を有する基板51上に、センサー本体11と対向するように配設された電極41と配線54,55とを備え、能動素子内蔵モジュール4は、基板61に内蔵された能動素子65と、貫通電極63と能動素子を接続する配線を有し、貫通電極63はインターポーザの配線55に接合したものとする。【選択図】図1
99 2008-051824 H191025 積水化学工業株式会社 マイクロ全分析システム A4 DC01 DC03 MEX

【課題】本発明は、マイクロポンプ室が形成されているマイクロ全分析システムであって、容易且つ安価に製造しうるマイクロ全分析システムを提供する。【解決手段】基板内に微細流路とマイクロポンプ室が形成されているマイクロ全分析システムにおいて、該マイクロポンプ室に熱によりガスを発生する材料が充填されていることを特徴とするマイクロ全分析システムであり、熱によりガスを発生する材料が、酸素含有量が15〜55重量%のポリオキシアルキレン樹脂である。【選択図】図2
100 2008-051903 H180822 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、光スキャナ、および画像形成装置 A4 A01 PI03

【課題】高精度に質量部の挙動を検知することができるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータ1は、第2の弾性部28、29の本体部上に形成された抵抗領域を備えたピエゾ抵抗素子41、42とを有し、本体部および抵抗領域のうち、一方がp型のシリコンで構成され、他方がn型のシリコンで構成され、本体部と抵抗領域との間には、pn接合が形成されており、ピエゾ抵抗素子41、42の抵抗値の変化に基づいて、第2の質量部25の挙動を検知し、第1の弾性部26、27を捩れ変形させながら第1の質量部21、22を回動させ、これに伴い、第2の弾性部28、29を捩れ変形させながら第2の質量部25を回動させるものであって、pn接合を逆バイアス状態に維持するように、本体部にバイアスを印加する電源回路12を有する。【選択図】図1
101 2008-051904 H180822 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置 A4 A01 PI03

【課題】高精度に質量部の挙動を検知することができるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータ1は、抵抗領域411、421の抵抗値の変化に基づいて、第2の質量部25の挙動を検知し、第1の弾性部26、27を捩れ変形させながら第1の質量部21、22を回動させ、これに伴い、第2の弾性部28、29を捩れ変形させながら第2の質量部25を回動させるように構成されており、第2の弾性部28、29は、本体部281、291上に形成され、本体部281、291の構成材料よりも導電性の高い材料で構成された高導電性領域282、292を有し、高導電性領域282、292が抵抗領域411、421の外部から抵抗領域411、421への電気的な影響を遮蔽するように構成されている。【選択図】図1
102 2008-051992 H180824 オリンパス株式会社 マイクロミラーアレイデバイス A4 A04

【課題】マイクロミラーアレイデバイスにおけるミラー間の特性のバラツキを抑制して、光学的な品質を向上させる。【解決手段】マイクロミラーアレイデバイス100は、例えば、薄い板状のSi基板に、エッチング等でスリット105、106を形成し、反射膜を蒸着などの手法により形成することで、マイクロミラー101、ヒンジ102、梁103が形成される。本デバイス100には、両端のマイクロミラー(1番目と40番目のミラー)101の外側にも梁103が配置される。すなわち、1番目(40番目)のミラー101の外側の梁103の形状が、1番目(40番目)のミラー101と2番目(39番目)のミラー101の間の梁103の形状と同じになるように、スリット106が配置される。これにより、1番目(40番目)のミラー101と2番目(39番目)のミラー101の間の相対的な初期傾きが改善される。【選択図】図1
103 2008-052218 H180828 松下電工株式会社 可動構造体の製造方法及び同構造体を備えた光学素子 A4 A04 PI03

【課題】可動構造体の製造方法において、簡便な製造プロセスにより加工精度良く、高速動作可能な可動構造体を製造可能にする。【解決手段】可動構造体は、第1のシリコン基板10aと第2のシリコン基板10bとが接合されて成るSOI基板100により形成されている。第1のシリコン基板10aには、ポーラスシリコン15が形成された可動板2、ばね部3、垂直静電コム6等が形成されている。可動構造体は、第1のシリコン基板10aのうち可動板2が形成される部位を陽極酸化してポーラスシリコン15を形成する第1の工程、第1のシリコン基板10aに第2のシリコン基板10bを接合する第2の工程、第2の工程にて形成されたSOI基板100に可動板2等を形成する第3の工程を経て製造される。これにより、従来の高段差部へのエッチング等を行う必要がなくなり、簡便な製造プロセスにより精度良く可動構造体を製造することができる。【選択図】図2
104 2008-052220 H180828 松下電工株式会社 チルトミラー素子 A4 A04

【課題】2軸静電型のチルトミラー素子において、容易に作製可能にして製造時の良品率を向上させる。【解決手段】素子1は、酸化膜120を介し第1のシリコン層100aと第2のシリコン層100bとが接合されて成るSOI基板100から構成されている。素子1は、ミラー部2と、ミラー部2を第1のヒンジ5を介し支持する可動フレーム3と、可動フレーム3を第2のヒンジ6を介し支持する固定フレーム4と、ミラー部2及び可動フレーム3間、可動フレーム3及び固定フレーム4間にそれぞれ配された第1の櫛歯電極7及び第2の櫛歯電極8とを有している。第1の櫛歯電極7は第2のシリコン層100bに形成され、第1のヒンジ5は第1のシリコン層100aに形成されている。ミラー部2の2つのシリコン層100a,100bは互いにコンタクトホール9を介し電気的に接続されている。一対の櫛歯電極を同時に形成できるので容易に作製可能である。【選択図】図1
105 2008-052270 H190727 日本電信電話株式会社 ミラー制御装置 A4 A04

【課題】ミラーのドリフトの発生を抑制する。【解決手段】ミラー制御装置は、回動可能に支持されたミラー230と、ミラー230から離間して配置された電極340a〜340dと、ミラー230の駆動電圧として平均直流成分が電極340a〜340d毎に略零となる交流電圧をミラー230の所望の傾斜角に応じて生成して電極340a〜340dに印加する駆動電圧印加手段401とを備える。駆動電圧印加手段401は、駆動電圧としてミラー230の所望の傾斜角に応じた振幅又はデューティー比の交流電圧を生成する。【選択図】図3
106 2008-053077 H180825 株式会社東芝 MEMSスイッチ A4 DB01 MD04 MD06 MDX

【課題】接触抵抗を低く保つことができ、寿命が長いMEMSスイッチの提供。【解決手段】本発明に係るMEMSスイッチは、固定電極3又は下部電極5の少なくとも一方はAuで構成され、他方は、Ir、Rh、Os、Ru、Re、Teから選ばれた一つの金属、又は、TiN、ZrN、HfN、VNから選ばれた一つの金属を主成分として構成されている。【選択図】図2
107 2008-053265 H180822 ポステック・ファウンデーション ポステック・アカデミー‐インダストリー・ファウンデーション 表面誘導自己集合による単結晶共役高分子ナノ構造体の製造方法 A1 DEX DF01 DF02 PJ08

【課題】表面誘導された選択的な自己集合過程によって大面積にわたって規則的な配列の形成が可能であり、低い電気抵抗と優れた電界効果を有する、高性能、高集積化された超分子トランジスター、超分子発光素子及び超分子バイオセンサーなどの次世代超分子有機電子素子に有用な、自成核型自己集合による単結晶共役高分子ナノ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の方法によって製造された表面誘導自己集合によって成長された単結晶共役高分子ナノ構造体は、選択的な表面誘導による自己集合過程によって大面積に規則的な配列が可能であり、低い電気抵抗と優れた電界効果を提供して、高性能かつ高集積化された超分子トランジスター、超分子発光素子及び超分子バイオセンサーなどの次世代超分子有機電子素子に有用に適用され得る。【選択図】図1
108 2008-054446 H180825 イーメックス株式会社 高分子アクチュエータ素子およびその駆動方法 A1 DF01

【課題】常温常圧もしくは0℃以下の開放系であっても長期間駆動することができる高分子アクチュエータ素子を提供する。また、常温常圧の開放系に長期間放置しても初期の屈曲量または変位量とほぼ同等を示すことができる高分子アクチュエータ素子を提供する。さらには、上記高分子アクチュエータ素子の駆動方法を提供する。【解決手段】金属電極と高分子電解質を含む電解質とを含む高分子アクチュエータ素子であって、上記金属電極が対を形成することができるように形成され、上記金属電極が上記電解質と接し、上記電解質中に常温常圧下で液状のポリエーテル化合物を含み、上記電解質が上記ポリエーテル化合物により膨潤した状態であることを特徴とする高分子アクチュエータ素子。【選択図】なし
109 2008-055516 H180829 富士通株式会社 マイクロ揺動素子 A4 DA04 DD01 DD02

【課題】揺動部の揺動動作に係る固有振動数を調整するのに適したマイクロ揺動素子を提供する。【解決手段】本発明のマイクロ揺動素子X1は、例えば、揺動部110と、フレーム120と、揺動部110およびフレーム120を連結してフレーム120に対する揺動部110の揺動動作における揺動軸心A1を規定する連結部130とを備える。揺動部110は、揺動主部111、および、揺動主部111に取り付けられ且つ揺動軸心A1と交差する方向に変移可能な錘部112を有する。【選択図】図2
110 2008-055556 H180831 独立行政法人物質・材料研究機構 富山県 立山マシン株式会社 立山科学工業株式会社 マイクロピラーアレイ素子の製造方法と製造装置並びにマイクロピラーアレイ素子 A4 DC01 PB01 MEX

【課題】PMMAやPC等のポリマー材料に対して、反応性イオンエッチング法を用いて、正確に微細なピラーアレイ構造を安価に形成することができるマイクロピラーアレイ素子の製造方法と製造装置並びにマイクロ流体チップ等に用いるマイクロピラーアレイ素子を提供する。【解決手段】真空容器12内にプラズマを発生させて反応性イオンを生成し、真空容器12内に設けられた被エッチング材料30を、反応性イオンによりドライエッチングする。被エッチング材料30はポリマー材料であり、ポリマー材料の表面にマイクロピラーアレイ構造に対応した所定形状のマスクを施す。酸素もしくは酸素を主体とした不活性ガスやハロゲン含有ガスとの混合ガスを用いて、これら混合ガスによる反応性イオンのプロセス圧力を0.01Pa以上0.2Pa以下の条件にして、ドライエッチングを行い、ポリマー材料に微細なピラー構造を形成する。【選択図】図1
111 2008-055592 H190529 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 反応物質を気密カプセル化するためのマイクロコンテナ A4 PHX

【課題】反応物質を気密カプセル化するためのマイクロコンテナを提供すること。【解決手段】原子時計などの超小型電気機械システムのためのマイクロコンテナデバイスが提供される。マイクロコンテナデバイスは、基板と、該基板内に、上縁を有する側壁によって画定された空洞とを備えている。空洞は、ルビジウムまたはセシウムなどの反応物質を保持するように構成されている。下部表面を有する蓋は、空洞を覆って密閉するように構成されている。側壁の上縁の外側の周囲の周りに第1の気密材料が配置され、蓋の下部表面の周囲の周りに第2の気密材料が配置されている。側壁の上縁の内側の周囲の周りに、反応物質と化学的に適合する封止材料が、第1の気密材料に隣接して配置されている。【選択図】図1
112 2008-056498 H170117 日本板硝子株式会社 マイクロ化学チップの製造方法 A4 DC01 PGX MF02

【課題】加重(重し)をかけた状態で複数のガラス板を熱融着により接合するとき、貼り合わせ面の全体に亘って融着せず未融着個所生じる。これを防止するために融着温度を高くすると、重しの表面凹凸が貼り合わせるガラス表面に転写し、ガラスの光学特性を損なう。【解決手段】2枚のガラス板を熱融着により接合してガラス接合体を作製するに際し、精密研磨により測定波長範囲0〜5nmにおける表面うねり(ωa値)を2.5nm以下、面内板厚み差を3μm以下に平滑化したガラス板を用いる。熱融着する温度をガラスの転移点以上屈伏点未満の温度で接合する。ガラスの粘度ηがlogη=12.0となる温度以下で融着するのが好ましい。【選択図】図1
113 2008-057470 H180831 学校法人東京電機大学 微小移動体装置およびその製造方法 A4 DFX

【課題】熱変形素子が発生する衝撃力に依らず、かつ、駆動力が非接触で提供されて移動することができる移動体装置を提供する【解決手段】本発明の一の実施形態による移動体装置は、少なくとも第1の弾性層20と第2の弾性層21とから構成され、湾曲し、凹面側が載置面に面して載置される湾曲部材2と、この湾曲部材2にレーザ光Lを照射する光源3と、を備える。【選択図】図1
114 2008-058005 H180829 セイコーインスツル株式会社 力学量センサ及び電子機器並びに力学量センサの製造方法 A4 DD01 DD02 PHX

【課題】チップ間における真空度のバラツキを極力なくして、均一な品質の力学量センサを安定して製造すること。【解決手段】半導体基板に周囲を壁部15aで囲まれた貫通孔19を形成すると共に、該貫通孔内にセンサ部18を形成するセンサ部形成工程と、貫通孔同士を結ぶ排気溝21を形成する排気溝形成工程と、排気溝に連通する連通溝25を形成する連通溝形成工程と、ガラス基板16に第1の排気孔22を形成すると共に連通溝を外部に連通させるように第2の排気孔を複数形成する排気孔形成工程と、両ガラス基板を半導体基板の両面に接合する接合工程と、連通溝及び排気溝を介して密閉室内を真空状態にする真空工程と、真空中でガラス基板の表面に薄膜を成膜して密閉室を真空封止する封止工程と、半導体基板と両ガラス基板とを連通溝に沿って切断して複数に固片化する切断工程とを備えている力学量センサの製造方法を提供する。【選択図】図6
115 2008-058132 H180831 ウシオ電機株式会社 マイクロチップの製造方法 A4 DC01 PGX

【課題】特定波長の紫外線を利用して、ポリジメチルシロキサンよりなる基板の表面に、荒れやクラックを発生させることなく、流路形成部分の表面の親水化処理を行うことができると共に2枚の基板を確実に貼り合わせることができ、従って、所期の性能を有するものを確実に製造することのできるマイクロチップの製造方法を提供すること。【解決手段】ポリジメチルシリコンよりなる一方の基板、および、ガラスまたはポリジメチルシリコンよりなる他方の基板の少なくとも一方に対して波長172nmの光を含む紫外線を照射して両基板を貼り合わせることにより、内部に媒体が流れる流路を有するマイクロチップを製造する方法において、紫外線を照射する工程においては、基板の表面における流路形成部分および当該流路形成部分以外の接着面形成部分の各々に対して、互いに異なる照射エネルギー量で、紫外線が照射される。【選択図】なし
116 2008-058960 H190816 三星電子株式会社 電磁気方式マイクロアクチュエータおよびその製造方法 A4 DA02 PI02

【課題】電磁気方式マイクロアクチュエータおよびその製造方法を提供する。【解決手段】ベースフレームと、ベースフレームに回動自在に連結されている第1可動部112と、第1可動部112に回動自在に連結されており、光路を変更させるミラーの設けられた第2可動部と、少なくとも一対の永久磁石とを備え、第1可動部112と第2可動部との上面に突出するように設けられた複数のコイル117aからなるコイル部を具備し、複数のコイル117a間の第1可動部112および第2可動部にそれぞれ形成された複数のグルーブからなる変形減衰部119を設け、コイル部に電流が供給されるときに発生する熱変形を変形減衰部119が緩衝することにより、第1可動部112および第2可動部の変形量を減らす。【選択図】図4
117 2008-058965 H190824 スペイシャル フォトニックス, インコーポレイテッド 抗スティクション材料を有するマイクロデバイス A4 DA04

【課題】マイクロ構造を製造する方法を提供すること。【解決手段】マイクロ構造を製造する方法であって、基板上に第1の構造部分を形成することと、該第1の構造部分上に犠牲材料を配置することと、該犠牲材料および該基板上に第1の構造材料の層を堆積させることと、該犠牲材料の少なくとも一部を除去して、第2の構造部分を該第1の構造材料の層に形成することであって、該第2の構造部分は、該基板に接続され、該第2の構造部分が該第1の構造部分から分離される第1の位置と、該第2の構造部分が該第1の構造部分と接触する第2の位置との間で移動可能である、ことと、該第2の構造部分の表面および該第1の構造部分の表面のうちの少なくとも1つにカーボン層を形成することによって、該第2の構造部分と該第1の構造部分との間のスティクションを減少させることとを包含する、方法。【選択図】図1a
118 2008-058969 H190828 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. 回折型光変調器の反射部位置リセット装置 A4 DAX

【課題】回折型光変調器の反射部の位置を特定の循環に初期位置にリセットさせ、反射部の位置に対する制御可能性を増加させた回折型光変調器の反射部位置リセット装置の提供。【解決手段】回折型光変調器で生成された回折光を処理して連続的な映像を生成するディスプレイシステムに使用される前記回折型光変調器において、前記ディスプレイシステムに位置する前記回折型光変調器から出射される回折光が前記ディスプレイシステムのスクリーン上のブランクタイム区間にあるとき、リセット制御信号を出力する制御部と、前記制御部からリセット制御信号が印加されると、前記回折型光変調器を初期化するリセット駆動回路とを含んでなることを特徴とする、回折型光変調器の上部反射部位置リセット装置を提供する。【選択図】図4A
119 2008-058974 H190830 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. 回折型光変調器 A4 DAX

【課題】少なくとも一つのリボンを使用して一つのピクセルを形成することができる回折光を得るようにして、製品の小型化を可能にする回折型光変調器を提供する。【解決手段】基盤部材;前記基盤部材から離隔して空間を確保する中間部分、入射光を透過させる透過性物質、及び中間部分の一部に前記基盤部材に配向され、入射光を反射させる反射面を持ち、前記基盤部材に支持される第1反射部;前記第1反射部と基盤部材との間に位置し、第1反射部から離隔しており、前記第1反射部を透過した透過光を反射させる反射表面を有する第2反射部;及び前記第1反射部の中間部分を前記第2反射部に対して動かし、前記第1反射部と前記第2反射部の反射光から形成される回折光の光強度を変化させる駆動手段を含む。【選択図】図4A
120 2008-059865 H180830 国立大学法人 鹿児島大学 MEMSスイッチ及び携帯無線端末機器 A4 DB01

【課題】小型化、駆動電圧の低減化、及びスイッチング動作の高速化を実現可能なMEMSスイッチを提供する。【解決手段】可動電極13と固定電極15とをそれぞれ2個に分割し、分割した固定電極15a、15b間に段差を設け、互いに隣接する可動電極13a、13b間を、板バネ14bを介して連結する。これにより、可動電極13a、13bと固定電極15a、15bとの間に電圧を印加すると、可動電極13a、13bと、それらに対向する固定電極15a、15bとを順次接触させることによりスイッチングを行える。従って、電極面積を広くすることなく、低い駆動電圧でも大きな静電引力が得られる。よって、従来のRF−MEMSスイッチよりも、小型化、駆動電圧の低減化、及びスイッチング動作の高速化を、単一の電源で実現可能なRF−MEMSスイッチを提供できる。【選択図】図1
121 2008-060382 H180831 松下電器産業株式会社 電子部品及びその製造方法 A4 DB01 PHX

【課題】面内異方性が大きくかつ熱膨張係数が大きく異なる基板を三層構造にしても、温度変化による反りや割れが生じない信頼性の高い電子部品を提供する。【解決手段】本発明の電子部品は、機能基板110と機能部111及び配線電極112とからなる二層構造の機能素子を、支持基板120と蓋基板130とで挟み込み、機能素子の入出力信号をビアホール140を介して端子電極150に引き出した構造である。そして、機能部111及び配線電極112の周囲に、空間部131を設けている。【選択図】図1B
122 2008-061313 H180829 セイコーエプソン株式会社 静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置及び静電デバイス並びにそれらの製造方法 A4 DC03 DAX DB02 DA04 DD03

【課題】水分除去に有効な処理を行うことができ、例えばその処理を行った際に生じ得る圧力差を吸収し、動作を安定させることができる静電アクチュエータ、製造方法等を得る。【解決手段】相対変位可能な可動電極となる振動板22と、振動板22と一定の間隔で対向配置され、振動板22を相対変位させる固定電極となる個別電極12を少なくとも有する液滴吐出ヘッド等の静電アクチュエータに対し、振動板22と個別電極12とで形成される空間となる振動室15から水分を除去する工程と、振動室15を外気と遮断するために、振動室15の開口部分を封止材27で封止する工程とを連続して行う。【選択図】図2
123 2008-062190 H180908 国立大学法人 東京大学 マイクロミキサーおよび流体の撹拌方法並びに流体の混合方法 A4 DC01

【課題】簡易な構成により、断面の相当直径が1000マイクロメートル以下のマイクロ流路内に流れる導電性流体を迅速に撹拌したり混合する。【解決手段】混合流路22の底部に、混合流路22内に流れる流体の流心に対して偏心するようにその隙間が波線状となるよう形成された一対の電極24a,24bを配設し、この電極24a,24bに振幅が10V以上で105Hz以上の周波数の交流電圧を印加する。電極24a,24b上ではエレクトロサーマルフロー(ElectrothermalFlow)により導電性流体に対流現象作用が生じるため、混合流路22内の流体を迅速に撹拌したり混合することができる。【選択図】図1
124 2008-062319 H180905 ソニー株式会社 機能素子、半導体デバイスおよび電子機器 A4 DB04 DBX

【課題】成膜時の影響が機能部に及ぶことがなく、これにより素子の信頼性を向上させることの可能な機能素子を提供する。【解決手段】基板10の表面に可動部11、封止層12および壁部13を備える。封止層12は、可動部11の周囲に内部空間14を形成するドーム状の形状を有しており、封止層12のうち可動部11と対向する領域以外の領域に開口部15が設けられている。壁部13は可動部11と開口部15との間に、内部空間14を分離しないように形成されており、開口部15を貫通すると共に封止層12および壁部13を貫通しない直線が横切ることのない空間(影空間19)を内部空間14内に形成している。可動部11は影空間19内に配置されている。【選択図】図2
125 2008-064865 H180905 学校法人高知工科大学 液晶流動を利用した液晶浸漬物体の移動制御機構 A4 DF01 DFX

【課題】物体の大きさや性質に係わらず、液晶中に浸漬された物体を所望の方向に移動させることができる液晶流動を利用した液晶浸漬物体の移動制御機構を提供する。【解決手段】液晶LCに浸漬された物体Mの移動を液晶流動によって制御する移動制御機構であって、互いに対向する一対の対向面を有し、一対の対向面間に液晶LCが配設された液晶保持手段と、液晶保持手段によって保持された液晶LCの液晶分子mを、一対の対向面と交差する面内で回転させる液晶分子回転手段と、液晶保持手段の一対の対向面と交差する軸周りに液晶LCをツイストさせ、かつ、各液晶分子mがそれぞれ一方向にのみ回転するように液晶分子mを拘束する拘束手段とを備えており、拘束手段が複数設けられており、一対の対向面間に、複数の拘束手段により液晶分子mが拘束された複数の拘束領域が形成されている。【選択図】図1
126 2008-064903 H180906 独立行政法人産業技術総合研究所 三次元構造物作製装置、センサー作製装置、及び三次元構造物作製方法 A4 PIX DEX

【課題】光源と原画体とからなる非常にコンパクトな装置を用いて、わずか1回の露光で、マイクロメートルスケールの空間分解能を有する微細な三次元構造物を容易に作製することのできる三次元構造物作製装置を提供すること。【解決手段】光源1と、作製される三次元構造物に対応する階調、サイズ、及び形状のデータを有する原画体2とを備え、光源1から照射される光を、基板3上に形成されたレジスト4に、原画体2を介して照射し、原画体2の前記データをレジスト4に転写し、現像して、レジスト4に三次元構造物を形成することを特徴とする三次元構造物作製装置である。【選択図】図1
127 2008-065191 H180908 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置 A4 DA02

【課題】長時間にわたって連続的に使用される場合であっても、安定した駆動を維持することができるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明にかかるアクチュエータ1は、質量部21と支持部22と質量部21を片持ち支持するように、支持部22に対して質量部21を回動可能に連結する連結部24と質量部21を回動させるための圧電素子41、51を備えた1対の駆動源4、5とを有し、1対の駆動源4、5は、回動中心軸Xを介して互いに離間して設けられ、各駆動源4、5は、連結部24または支持部22に対して摺動可能に設けられ、1対の圧電素子41、51を互いに逆位相で伸縮させることにより、連結部24の少なくとも一部を捩れ変形させつつ質量部21を回動させるよう構成されている。【選択図】図1
128 2008-066799 H180904 セイコーインスツル株式会社 発振器 A4 DB03

【課題】周波数の温度依存特性を高精度に補正できる小型で安価なMEMS振動子を用いた発振器を提供する。【解決手段】機械的に振動する出力用振動子と、機械的に振動する温度検出用振動子と、前記温度検出用振動子の共振周波数で発振して温度検出用発振信号を出力する温度検出用発振回路と、前記温度検出用発振信号の周波数に基づく補正信号を出力する温度補償回路と、前記補正信号に応じて前記出力用振動子の共振周波数を変動させる周波数変動手段と、前記出力用振動子の共振周波数で発振して発振信号を出力する出力用発振回路とを備える。【選択図】図1
129 2008-066800 H180904 セイコーインスツル株式会社 発振器 A4 DB03

【課題】複数の基本周波数から一つの基本周波数を選択して出力できる小型のMEMS振動子を用いた発振器を提供する。【解決手段】機械的に振動し得るように設けられた出力用振動子と、前記出力用振動子に直流電圧を印加する直流電圧印加部と、前記出力用振動子の振動の腹部の近傍に配置され、該出力用振動子との間で電界を介して相互に作用する励振用電極と、前記励振用電極に電気的に接続され、前記出力用振動子の共振周波数で発振して発振信号を出力する発振回路とを備える。【選択図】図1
130 2008-066801 H180904 セイコーインスツル株式会社 静電振動子 A4 DB03

【課題】Q値を向上することができる静電振動子を提供する。【解決手段】機械振動子10a,10bの一方の接続部である端部10cは、振動伝搬部11を介して振動緩衝部13に接続されている。一方、機械振動子10a,10bの他方の接続部である端部10dは、振動伝搬部12を介して振動緩衝部14に接続されている。振動緩衝部13は固定部15に接続され、振動緩衝部14は固定部16に接続されている。機械振動子10から伝搬する振動が振動緩衝部13,14で減衰し、固定部15,16の振動変位が抑制される。これによって、支持による振動エネルギーの損失が抑制されるので、高いQ値を実現することができる。【選択図】図1
131 2008-067549 H180908 株式会社東芝 アクチュエータ A4 DB01 DB05

【課題】温度依存性などによるアクチュエータの信頼性の低下を防ぐ。【解決手段】本発明の例に関わるアクチュエータは、互いに電気的に絶縁された複数の電極部から構成され、可動部23を駆動する駆動電極25を備え、複数の電極部のうちの一部に選択的に駆動電圧を印加することにより可動部23に作用する静電力の大きさを制御する。【選択図】図11
132 2008-068347 H180913 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 分子通信システムおよび分子通信方法 A1 DF01

【課題】分子送信機からの情報分子の選択的放出と、分子受信機での情報分子の選択的受信を人為的に制御可能な分子通信システムを提供する。【解決手段】分子通信システム(10)は、所定の情報が符号化された情報分子(45)を送信する分子送信機(20)と、前記情報分子を受信する分子受信機(30)と、前記情報分子を前記分子送信機から前記分子受信機へ輸送する分子カプセル(40)と、を含み、前記分子送信機、前記分子受信機、及び前記分子カプセルは、外部からの入力シグナルに応答する少なくとも1種類の分子スイッチ(22、32、42)が埋め込まれた脂質二分子膜(21、31、41)で構成され、外部からの入力シグナルを前記分子スイッチに作用させることにより、前記分子送信機と前記分子カプセル、及び前記分子カプセルと前記分子受信機の会合と離散を制御して、前記情報分子の送受信を行う。【選択図】図1
133 2008-068369 H180914 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、光スキャナ、および画像形成装置 A4 DA02

【課題】低コスト化を図りつつ、温度変化による影響を受けることなく、質量部の挙動を高精度に検知することができるアクチュエータ、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータ1は、圧電素子31〜34の作動により、第1の弾性部26、27を捩れ変形させながら第1の質量部21、22を回動させ、これに伴い、第2の弾性部28、29を捩れ変形させながら第2の質量部25を回動させるように構成されたものであって、第2の質量部25の挙動を検知する挙動検知手段は、第2の質量部25の回動に伴う第2の質量部25の周囲の気体の振動を検知する振動検知素子8を備え、振動検知素子8の検知結果に基づいて、第2の質量部25の挙動(振動数)を検知するように構成されている。【選択図】図1
134 2008-068384 H180915 国立大学法人東北大学 マイクロ・ナノ突起構造体及びその製造方法 A1 DF02 MC03

【課題】新規で特徴あるマイクロ・ナノ突起構造体及びその製造方法を提供する。【解決手段】大気中で加熱された金属銅の、高エネルギービームの照射領域および非照射領域に形成された、銅酸化物からなるマイクロ・ナノ突起構造体。及び、金属銅板ないしは貫通する円孔1を有する金属銅を大気中で加熱して、円孔1の内壁11に針状の銅酸化物を形成したのち、この内壁11に低真空下で高エネルギービームを照射することにより、高エネルギービームの照射領域に針状の銅酸化物を核として、銅酸化物からなる横断面丸形の突起を、成長、形成させるマイクロ・ナノ突起構造体の製造方法。及び、高エネルギービームの非照射領域に、銅酸化物からなる横断面角形の突起を、成長、形成させるマイクロ・ナノ突起構造体の製造方法。【選択図】図10
135 2008-068396 H190912 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. MEMSデバイスおよびアッセンブリ方法 A4 DA04 PIX

【課題】MEMSデバイスの平坦性を改善する。【解決手段】MEMSデバイスを基板に接着し、MEMSデバイスアッセンブリを形成する方法が提供される。この方法は以下のステップを備える。MEMSデバイスの厚みプロファイル(100a)および基板の合わせ面の平坦性(100b)の少なくとも一方を測定するステップ。MEMSデバイスの合わせ面および基板の合わせ面の少なくとも一方に接着剤を塗布するステップ(110)。接着剤がMEMSデバイスと基板を接着するように、MEMSデバイスおよび基板の合わせ面を接合するステップ(120)。2つの合わせ面の一方または両方のそれぞれの位置に塗布される接着剤の量は、MEMSデバイスの厚みプロファイルまたは基板の合わせ面の平坦性の局所的なばらつきを補償するように選択される。【選択図】図3
136 2008-068490 H180913 独立行政法人産業技術総合研究所 構造体の作製方法、及びその装置 A4 PJX

【課題】形状に自由度を有する構造体を形成することができる構造物の作製方法及び装置を提供する。【解決手段】構造体形成材料を金型の貫通穴を介して押出し、成形して、基板の上に当該貫通穴に対応した2次元的な形状を有する構造体を作製する方法であって、構造体形成材料を加熱する、構造体形成材料を所望の輪郭を有する1つ又は複数個の貫通穴を具備する金型の貫通穴を介して金型逆面にまで流動させる、金型に基板を接触、又は近接させて、基板の構造体形成面と構造体形成材料とを接着させる、構造体形成材料を押出し、金型の貫通穴を介して、金型逆面にまで流動させつつ、金型及び/又は基板を相互に離れていく方向に移動させることにより、基板上に押出し、成形された構造物を形成する、構造体形成材料の貫通穴を介しての金型逆面への流動を停止させることにより、構造体の形成を終了する、ことからなる、構造体の作製方法、及びその装置。【選択図】図1
137 2008-070398 H180912 キヤノン株式会社 揺動装置、揺動装置を用いた光偏向装置、揺動装置の周波数調整方法及び装置、並びに光偏向装置を用いた画像形成装置 A4 DA02

【課題】可動子を揺動させる駆動部の配置された側の可動子の面を利用できる様にした揺動装置を提供することである。【解決手段】揺動装置は、支持部105と、振動部101、102、103、104と、振動部を駆動する駆動部120を備える。振動部は、永久磁石111を持つ可動子101を含む少なくとも1つの可動子101、102を有する。可動子101、102は、支持部105に対して揺動可能に支持される。駆動部は、永久磁石111と、永久磁石111に対して配置された磁性体109と、磁性体109の周りに配置されたコイル110を含む。磁性体109を周回するコイル110の内側の空間には、少なくとも1つの可動子102の面を外部に露出させるための開口部150が設けられている。【選択図】図1
138 2008-070863 H190725 株式会社リコー 振動ミラー、光書込装置および画像形成装置 A4 DA04

【課題】共振周波数を調整する機能を安定して維持できる振動ミラー、光書込装置および画像形成装置を提供する。【解決手段】より小さな力で構造体の内部応力を変化調整することができ、共振周波数を調整する機能を低エネルギーで実現することができる。さらに、本発明によれば、ミラー基板に対称に応力が作用するため、ミラー基板の光軸ずれがなく、広く調整範囲を設定し高精度の光走査が実現できる。【選択図】図1
139 2008-072091 H190712 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 少なくとも1つのゲッターを備えた密閉超小型部品 A4 PHX

【課題】ゲッターを備える密閉超小型部品の、ゲッターのサイズ、飽和、封止などに関する不都合を克服する手段を提供する。【解決手段】密閉超小型部品は、基板2によって支持されたパッシブ部分1と、パッシブ部分を覆いパッシブ部分が収容される空洞4を画定するカバー3を有する。カバー3は基板2と接触していて、少なくとも1つの孔5を備えている。この孔5は空洞4の内側に露出されるゲッター材料からなる部分を有するプラグ6によってふさがれている。【選択図】図1B
140 2008-072125 H190914 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 懸架素子を実現するための犠牲層の形成方法 A4 DB01 DB02 DB04 PI02 MEX

【課題】犠牲層の実現方法を提供する。【解決手段】所定の容積を占めるリソグラフィされたレジストパターンを、所定のサイズ及び所定の形状を有する基板領域上に形成するための、基板上に堆積された樹脂のリソグラフィ段階と、前記リソグラフィされたレジストパターンの熱サイクルによるアニーリング段階とを含み、前記樹脂に応じて、前記基板領域のサイズ及び形状を決定する段階と、“ダブルエアギャップ”のプロファイルと平坦化ドーム型プロファイルとのいずれか一つから選択されたプロファイルを前記熱サイクルのアニーリングが提供するように、前記領域上に堆積される前記樹脂の量を決定する段階とを含むことを特徴とする。【選択図】なし
141 2008-072209 H180912 松下電器産業株式会社 国立大学法人 東京大学 振動子、これをもちいた電気機械共振器及びその製造方法 A4 DB02 DB04 PI02 PC01

【課題】微細化に際しても電極の振動を抑制し、出力特性のばらつきを防ぎ、信頼性の高い振動子、これをもちいた電気機械共振器およびその製造方法を提供する。【解決手段】振動子3と、前記振動子3と所定の微小ギャップを隔てて配設された対向電極7Tとを備え、前記振動子3と前記対向電極7Tとの間の静電容量の変化に基づいて、前記振動子3の機械的振動を電気信号として出力するように構成され、前記対向電極7Tが、半導体基板表面に絶縁層5を介して形成された外部接続用の電極端子7Pと一体的に形成されており、前記電極端子7Pおよび前記電極端子7Pと前記対向電極7Tとの連結部7Sが、その下層の前記絶縁層5を貫通して形成された貫通孔11に充填された支持部13によって固定された電気機械共振器を構成する。【選択図】図1
142 2008-072580 H180915 松下電器産業株式会社 シールドケースおよびこれを有するMEMSマイクロホン A4 DD07 PHX

【課題】気密性の観点から、ガスケットと密着する最低限の距離を天板上に確保することができるシールドケースおよびシールドケースを有するMEMSマイクロホンを提供する。【解決手段】本発明のシールドケースは、基板に実装されたMEMSチップを外部から遮蔽するシールドケースであって、天板と複数の側面板とを備え、前記複数の側面板の肉厚が、前記天板の肉厚より大きいものである。この構成により、従来の均一肉厚のシールドケースと比較して、天板の面積を広くすることができる。よって、チャッキングエリアの位置・大きさ・範囲等を従来のシールドケースから変更することなく、ガスケットを天板に密着させる領域を確保することができる。【選択図】図2
143 2008-073818 H180922 株式会社村田製作所 電子部品および複合電子部品 A2 PI01

【課題】MEMS素子とASICとの接合電極同士が1対1に対応しない場合でも両者を接続可能とし、ワイヤ−ボンディングによるMEMS素子の損傷の問題を回避しつつ、MEMS素子とASICを備えたより小型の電子部品・複合電子部品を構成する。【解決手段】MEMS素子10に対して再配線層20を接合し、再配線層20の上面に接合電極26を形成し、再配線層20の上部にASIC30を実装する。再配線層20上の外部端子用パッド25にASIC30より高いバンプ27を形成する。【選択図】図2
144 2008-075175 H190523 キヤノン株式会社 構造体の製造方法 A1 DF02 PJ08

【課題】陽極酸化法を利用して、ナノメートルスケールの構造体を容易に得ることができる構造体の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に規則的に配列した第1の凸構造体上に第1の被陽極酸化層を成膜し、前記配列した第1の凸構造体により形成されるセルの中心部に前記第1の被陽極酸化層による第1の凹構造を形成する工程と、前記第1の凸構造体を除去して孔を形成する工程と、前記第1の被陽極酸化層を陽極酸化して第1の凹構造の位置に孔を形成する工程とを有する構造体の製造方法。【選択図】図1
145 2008-076259 H180922 シチズンホールディングス株式会社 電気機械変換器 A4 DD01 DD02

【課題】従来の電気機械変換器は、可動部周囲のリング部からカバー部材を接着するための接着部材が進入し、可動部の動作不良やカバー部材の気密不良などを引き起こしていた。【解決手段】可動部にX方向とY方向とを定義したとき、その可動部を覆うカバー部材のX方向の幅は、枠部のY方向の幅よりも狭くする。そしてこのカバー部材は、Y方向の枠部との間に第1の接着剤を介して接続しており、カバー部材のX方向側端面と枠部の上面または側端面とは、第2の接着剤を介して接続している。このように、カバー部材と枠部との接着部材を2箇所に分けてそれぞれ適する部分に分けることによって、可動部への接着部材の進入を防止する。【選択図】図1
146 2008-076569 H180919 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、光スキャナ、および画像形成装置 A4 DA02

【課題】省電力化および小型化を図りつつ、質量部の回動角を大きくすることができるアクチュエータ、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】第1の質量部21を平面視したときに第1の質量部21の回動中心軸Xを介して互いに逆向きに周回するように第1の質量部21と回動中心軸Xとに沿って形成されるとともに直列接続された1対のコイル28と、1対のコイル28に電圧を印加する電圧印加手段と、第1の質量部21に対しその片側にて1対のコイル28の各コイルに対向するように設けられ、互いに同極性の極性を有する1対の磁極41、42を備えた永久磁石4とを備え、電圧印加手段の作動により、1対のコイル28が互いに反対方向の磁界を発生させ、第1の質量部21を回動させるように構成されている。【選択図】図1
147 2008-076570 H180919 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、光スキャナ、および画像形成装置 A1 DA02

【課題】省電力化および小型化を図りつつ、質量部の回動角を大きくすることができるアクチュエータ、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】支持部22は、第1の質量部21の外周を囲むように枠状をなし、第1の質量部21を駆動する駆動手段は、第1の質量部21の回動中心軸Xから離間した位置で第1の質量部21に設けられた強磁性体291と、第1の質量部21を平面視したときに強磁性体291の外周を囲んで周回するように第1の質量部21の回動中心軸Xおよび支持部22に沿って形成されたコイル28と、コイル28に電圧を印加する電源回路5とを備え、電源回路5の作動により、コイル28が磁界を発生させ、コイル28に対し強磁性体291を変位させて、第1の質量部21を回動させるように構成されている。【選択図】図1
148 2008-076695 H180920 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置 A4 DA02

【課題】小型化を図りつつ、低速駆動を行うことのできるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】質量部21と、支持部24、25と、連結部22、23と、質量部21を回動駆動させるための駆動手段4と、質量部21を駆動するための半導体回路52とを有し、各連結部22、23は、弾性変形可能な弾性部で構成され、連結部22、23を捩り変形させつつ質量部21を回動させるように構成されたアクチュエータであって、各連結部22、23は、長手形状をなし、その長手方向での少なくとも一部に樹脂材料を主材料として構成された樹脂部222、232を備え、支持部24は、シリコンを主材料として構成されたシリコン部241を備え、半導体回路52は、支持部24のシリコン部241に設けられている。【選択図】図3
149 2008-076696 H180920 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置 A4 DA02

【課題】小型化を図りつつ、バネ定数の微調整を行うことのできるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータ1は、質量部21と、支持部24、25と、弾性部22、23と、駆動手段4と、質量部21の駆動および/または挙動検知のための半導体回路52とを有し、駆動手段4を作動させることで質量部21を回動させるように構成され、弾性部22、23は、シリコンを主材料として構成されたシリコン部221、231と、該シリコン部に接合され樹脂材料を主材料として構成された樹脂部222、232とを有し、支持部24、25は、弾性部22、23のシリコン部221、231と接続しシリコンを主材料として構成されたシリコン部241、251を備え、半導体回路52は、支持部24のシリコン部241に設けられている。【選択図】図3
150 2008-076745 H180921 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、アクチュエータの製造方法、光スキャナおよび画像形成装置 A4 DA02

【課題】製造の容易化を図りつつ振動特性の設定値からのずれを防止することができるアクチュエータ、そのアクチュエータの製造方法、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明にかかるアクチュエータ1は、質量部21と、支持部22と、1対の弾性部材2421、2422で構成された弾性部242を備えた連結部24と、1対の弾性部材2521、2522で構成された弾性部252を備えた連結部25と、弾性部材2421、2422、2521、2522に接合された圧電素子41〜44とを有し、圧電素子41〜44は、それが接合されている弾性部材の幅よりも大きい幅を有し、その弾性部材の幅方向の全域を覆うように接合されていることを特徴とする。【選択図】図1
151 2008-078475 H180922 新光電気工業株式会社 電子部品装置 A2 PI01 PHX

【課題】電子部品がパッケージ内に気密封止されて実装される電子部品装置において、生産性がよく小型化を図ることができる電子部品装置を提供する。【解決手段】シリコン基板10aに貫通電極14が設けられ、貫通電極14に接続された電極ポスト20がシリコン基板10aの上側に立設した構造のシリコンパッケージ部5と、電極ポスト20の上に実装され、接続端子32bが電極ポスト20の先端部に接続された電子部品30と、シリコンパッケージ部5の周縁側に接合され、電子部品30を気密封止して収容する収容部Sを構成するキャップパッケージ部40aとを含む。【選択図】図5
152 2008-078617 H190604 キヤノン株式会社 構造体の製造方法 A4 DA01.DC01 PB01

【課題】ハードマスクの除去を必要としない構造体の製造方法を提供する。【解決手段】酸化ケイ素を有する構造体の製造方法である。基板上に、有機SOGからなる第一の層を形成する工程と、この第一の層の上に、無機SOGからなる第二の層を形成する工程を有する。その後、第二の層に形成された前記パターンをマスクとして、第一の層をエッチングし、第一の層と第二の層とを焼成することにより、酸化ケイ素を有する構造体を作製する。【選択図】図1
153 2008-079461 H180922 株式会社東芝 MEMS装置 A4 DB01 DB05

【課題】変位量を再現性良く高精度で制御可能なMEMS装置を提供する。【解決手段】基板10上に固定された第1固定端60から、基板10から離間した第1接続端62間で延伸する第1梁40aと、第1接続端62から第1梁40aに沿って折り返され、基板10から離間した第1作用端64まで延伸する第2梁40bとを有する第1圧電アクチュエータと、第1固定端60から離間して基板10上に固定された第2固定端70から、基板10から離間した第2接続端72まで延伸する第3梁42aと、第2接続端72から第3梁42aに沿って折り返され、基板10から離間した第2作用端74まで延伸する第4梁42bとを有する第2圧電アクチュエータとを備え、第1及び第2作用端64、74が基板10の表面に垂直な方向において互いに対向して配置される。【選択図】図1
154 2008-080306 H180929 株式会社日立製作所 化学合成装置 A4 DC01

【課題】マイクロリアクタを利用しても生産量を増大させ、生成物の品質を向上する。【解決手段】マイクロ流路を有したマイクロリアクタ101を備えた化学合成装置において、複数個並列に配置されたマイクロリアクタ101と、原料を貯留する原料タンクと、原料を送液するポンプ105と、各マイクロリアクタの入口側及び出口側に配置された入口側電磁弁104及び出口側電磁弁105と、マイクロリアクタの温度を検出する温度センサ102と、ポンプ105の出口側に設置された圧力計106と、を備え、温度センサ102及び圧力計106で検出された値に関連して、入口側電磁弁104及び出口側流路電磁弁107の開閉並びにポンプ105の流量制御を行う。【選択図】図1
155 2008-080430 H180927 富士通株式会社 マイクロ構造体製造方法およびマイクロ構造体 A4 DA04 DB03 DD01 DD02 PI03

【課題】二つの構造部を連結する部位を備えるマイクロ構造体を製造するのに適した方法およびマイクロ構造体を提供する。【解決手段】本発明のマイクロ構造体X1は、第1加工層と、第2加工層と、当該第1および第2加工層の間に介在する中間層とを少なくとも含む積層構造を有する材料基板に対して加工を施すことにより製造されたものであり、例えば、構造部1と、構造部1に対してギャップGを介して対向する部位を有する構造部2と、第1加工層において中間層に接する箇所に形成され、且つ、ギャップGを横断して構造部1,2を連結する、連結部3と、第1加工層または第2加工層において中間層に接する箇所に形成され、且つ、構造部1から構造部2側に延出するか或は構造部2から構造部1側に延出する、防護部4と、を備える。【選択図】図1
156 2008-080442 H180927 株式会社東芝 電子部品およびその製造方法 A4 DB01 DB05 PI02

【課題】可動素子と固定素子とが混載されているとともにそれら各素子の構成材料および製造工程の共通化が図られた電子部品を提供する。【解決手段】第1の導電体3と第1の誘電体膜17および第2の導電体24とが、絶縁層5内に一旦設けられた犠牲層を除去することにより絶縁層5内に形成された空洞36を介して対向配置されているとともに、第1の導電体3と第2の導電体24との間隔を変化させるアクチュエータ13を備える可動素子37と、導電体層7と第3の導電体25との間に第2の誘電体膜18を挟んでなる固定素子38とが、1枚の半導体基板1上に混載されている。犠牲層と導電体層7、第1の誘電体膜17と第2の誘電体膜18、第2の導電体24と第3の導電体25とは、それぞれ同じ材料および同じ工程により併行して設けられている。【選択図】図13
157 2008-080444 H180927 株式会社東芝 MEMS素子製造方法およびMEMS素子 A2 PB02 PB04 PI01

【課題】大きな作動力および高感度のMEMS素子を製造すること。【解決手段】基板と、第1絶縁層と、素子層が積層されたSOI基板の前記素子層に回路層を形成すると共に、前記回路層が形成されていない前記素子層上に前記回路層に電気的に接続された導電性の梁を含む第2絶縁層を形成するMEMS素子形成工程と、前記第2絶縁層の一部および前記素子層の一部を異方性エッチングにより除去する第1除去工程と、前記第2絶縁層に前記素子層に通じる開口部を形成して、前記開口部を通じて導電性の梁の下方に存在する前記素子層を、等方性エッチングにより除去する第2除去工程と、前記第2絶縁層を除去して前記導電性の梁を露出させると共に、前記導電性の梁の下方に存在する前記第1絶縁層を除去する第3除去工程と、を備える。【選択図】図3
158 2008-082961 H180928 住友ベークライト株式会社 マイクロ流路デバイス A4 DC01 DE01 DEX

【課題】気泡を巻き込まないようにマイクロ流路もしくはマイクロチャンバーに流体を流すことができるマイクロ流路デバイスを提供すること。【解決手段】マイクロ流路及びマイクロチャンバーを有し流体を流すためのマイクロ流路デバイスであって、流体が重力方向と逆向きにマイクロ流路もしくはマイクロチャンバーを流れる部分を有するマイクロ流路デバイスであって、好ましくは、流体が重力方向と逆方向に流れるマイクロ流路もしくはマイクロチャンバーの断面形状の幅が1μm以上1mm以下で深さが1μm以上1mm以下であることをマイクロ流路デバイス。【選択図】図1
159 2008-083122 H180926 松下電工株式会社 可動構造体及びそれを備えた光学素子 A4 DA02 DA04

【課題】可動構造体において、素子サイズを小さく保ちつつ、可動板に大きなトルクを加えて可動板の振れ角を大きくさせる。【解決手段】光学素子1は、光を反射するためのミラー膜2aが形成された略円形の可動板2と、可動板2の周囲を囲むように形成されたフレーム部3を有している。可動板2は、その両側部に配された捻りバネ4によりフレーム部3に支持されており、この捻りバネ4を捻りながら回動可能に構成されている。可動板2の側端部とその側端部に対向するフレーム部3の部位には櫛歯電極5が設けられている。櫛歯電極5を構成する櫛歯2c,3cの櫛歯長は、可動板2の中央部側から捻りバネ4に掛けて次第に長くなるように構成されている。素子サイズは小さいままで、櫛歯電極5の静電容量を大きくすることができ、可動板に大きなトルクが加えられる。【選択図】図1
160 2008-086067 H180926 松下電工株式会社 可動構造体及びそれを備えた光学素子 A4 DA02 DA04

【課題】可動構造体において、櫛歯の長さを長くしても櫛歯同士が接触しにくいようにし、可動板の振れ角を大きくさせる。【解決手段】光学素子は、光を反射するためのミラー膜が形成された可動板2と、可動板2の周囲を囲むように形成されたフレーム部を有している。可動板2は、その両側部に配された捻りバネによりフレーム部に支持されており、この捻りバネを捻りながら回動可能に構成されている。可動板2の側端部とその側端部に対向するフレーム部3の固定電極部3bには櫛歯電極5が設けられている。櫛歯電極5を構成する櫛歯2c,3cは、その根元部から先端部にかけて幅が漸次細くなるテーパ形状に形成されている。櫛歯2c,3cは、共振周波数が大きく、撓みにくくなるので、櫛歯2c,3c同士は接触しにくい。櫛歯2c,3cの櫛歯長を長くして櫛歯電極5の静電容量を大きくすることができ、可動板2に大きなトルクを加えることができる。【選択図】図3
161 2008-086888 H180929 富士フイルム株式会社 流路構造体、該流路構造体を備えたマイクロデバイス、及びそれを用いた気泡除去方法 A4 DC01

【課題】簡単な方法及び構成で、液体中の気泡を捕捉又は除去でき、液体を微細な流路内に安定かつ均一に供給できる。【解決手段】流通する液体中の気泡を捕捉する機能を備えた流路構造体であって、第2の滞留部28と、第2の滞留部28に連通する複数の流路と、を備え、複数の流路のうち、少なくとも1つの流路が第2の滞留部28に液体を供給する供給流路26であり、供給流路26以外の流路が第2の滞留部28内の液体を排出する第2の分岐流路30A〜30Dであり、第2の滞留部28の上部には、供給流路26から第2の滞留部28内に供給した第2の液体L2中の気泡64を捕捉する気泡捕捉手段が設けられている。【選択図】図4
162 2008-086889 H180929 富士フイルム株式会社 流体混合方法及びマイクロデバイス並びにその製作方法 A4 DC01

【課題】複数種類の流体を混合する混合場であるマイクロ空間を狭小にすることができ、狭小な混合場の一点に交差するように流体同士を混合することができるので、均一且つ迅速な混合を行うことができる。【解決手段】各供給流路12、14は、該各供給流路の中心軸が混合場18の一点で交差するように混合場18の回りに放射状に配置され、混合場18に接続される各供給流路12、14の先端部には、流体の流れを縮流するように先端部のうちの少なくとも一部にテーパー60が形成され、テーパー60は、放射状に配置された各供給流路12、14の流路先端同士を繋いで仮想円を描いたときの相当直径D1が、テーパー60を形成しないで各供給流路12、14の流路先端同士を繋いで仮想円を描いたときの相当直径D2よりも小さくなるように形成されている。【選択図】図3
163 2008-088017 H181002 株式会社アルバック ガラス基板のエッチング方法 A4 PB02 MF02

【課題】シリコンマスクの作製を容易に行うことができるとともに作業性の向上を図ることができるガラス基板のエッチング方法を提供する。【解決手段】シリコン基板をマスクとするガラス基板のドライエッチング方法において、ガラス基板12の表面にシリコン基板11を接合する工程と、ガラス基板12上でシリコン基板11からなるシリコンマスク11Mを形成する工程と、シリコンマスク11Mを介してガラス基板12をエッチングする工程と、シリコンマスク11Mをガラス基板12から除去する工程とを有する。これにより、ガラス基板12に対するシリコンマスク11Mの作製を容易に行うことができるとともに、マスク形成後の接合作業を廃止できるので加工プロセスを簡素化でき、作業性の向上を図ることが可能となる。【選択図】図1
164 2008-089350 H180929 東京エレクトロン株式会社 プローブカードおよび微小構造体の検査装置 A4 AEX

【課題】微小構造体の可動部に対して音波を出力してその特性を評価する検査装置において、音源に過大な入力を必要とせず、正常に特性の動的試験を行うことができる検査装置を提供する。【解決手段】ウエハ8に形成された微小構造体の可動部16aに対してテスト音波を出力して、微小構造体の特性を評価する評価手段と接続されるプローブカード4であって、テスト時においてウエハ8に形成された可動部16aの動きに基づく電気的変化量を検出するために、ウエハ8に形成された微小構造体の検査用電極と電気的に接続されるプローブ4aと、テスト音波の反射又は干渉を抑制する吸音材11、遮蔽部18及びホーン19の少なくとも1つと、を備える。吸音材11に代えて、又は吸音材11に加えて拡散部を備えてもよい。また、微小構造体の検査装置は吸音材11、遮蔽部18又はホーン19を有するプローブカード4を備える。【選択図】図16
165 2008-089497 H181004 大日本印刷株式会社 力学量検出センサおよびその製造方法 A4 DD01 DD02

【課題】半導体からなるトランデューサ構造体とガラス基板との陽極接合の際に、錘部とガラス基板との接合を防止することが可能な力学量検出センサを提供する。【解決手段】力学量検出センサが、固定部と、変位部と、接続部とを有する第1の構造体と、前記変位部に接合される重量部と、前記重量部を囲んで配置され、かつ前記固定部に接合される台座とを有する第2の構造体と、絶縁性材料から構成され、かつ前記第1の構造体と前記第2の構造体とを接合する接合体と、前記第2の構造体に積層配置され、絶縁性材料から構成され、前記重量部との対向面に配置される導電性部材を有する基体と、前記固定部と前記台座とを電気的に接続する第1の導通部と、前記変位部と前記重量部とを電気的に接続する第2の導通部とを具備し、前記基体が、少なくとも前記基体と前記第2の構造体との接合時に、前記導電性部材と前記台座とを電気的に接続する導電部を有する。【選択図】図1
166 2008-089932 H180929 ブラザー工業株式会社 光走査装置及びそれを備えた画像表示装置並びに網膜走査型画像表示装置、及び光走査素子の駆動方法 A4 DA02 DA04

【課題】ねじり振動による共振振動によってミラー部を揺動状態にて共振振動させて光を走査する光走査素子であり、かつ、ねじり振動の共振周波数の低域側と高域側とに、縦振動又は横振動の副次的な共振振動が発生する第1共振周波数と第2共振周波数がある光走査素子において、副次的な共振振動によって損傷することを防止する。【解決手段】光走査素子を振動させる駆動信号の周波数を第1共振周波数と第2共振周波数との間の周波数であって、ねじり振動の共振周波数よりも高い特定周波数に設定して駆動信号の出力を開始し、その後駆動信号の出力が開始された後、出力している駆動信号の周波数をねじり振動の共振周波数に移行させるようにした。【選択図】図11
167 2008-090299 H190919 三星電機株式会社 温度適応型光変調器素子 A4 DA04

【課題】周りの温度にかかわらず効率的に作動することのできる温度適応型光変調器素子を提供する。【解決手段】本発明の温度適応型光変調器素子は、上部がドーピングされた基板295と、中央部分が基板295と所定の間隔を置いて位置する構造物層280と、構造物層280上に位置して構造物層280の中央部分を上下に動かす圧電層240と、構造物層280の中央部分の上部に位置して入射光を反射して回折させる上部反射層270と、基板295上に位置して入射光を反射して回折させる下部反射層287とを備えていることを特徴とする。【選択図】図2
168 2008-090300 H190919 三星電機株式会社 ヒータを用いた温度適応型光変調器素子 A4 DA04

【課題】周りの温度にかかわらず効率的に作動することのできる温度適応型光変調器素子を提供する。【解決手段】本発明の温度適応型光変調器素子は、基板295と、中央部分が基板295と所定の間隔を置いて位置する構造物層280と、構造物層280上に位置して構造物層280の中央部分を上下に動かす圧電層240と、構造物層280の中央部分の上部に位置して入射光を反射して回折させる上部反射層270と、基板295上に位置して入射光を反射して回折させる下部反射層287と、構造物層280の上部及び圧電層240の側面に位置して所定の印加電圧によって熱を発生するヒータ205とを備えていることを特徴とする。【選択図】図2
169 2008-091167 H180929 株式会社東芝 マイクロメカニカルデバイス A4 DB01

【課題】圧電膜に鉛系の材料を用いず、作製が容易であり、スティッキングが発生してもそれを解消することが可能な圧電駆動アクチュエータを備えたマイクロメカニカルデバイスの提供。【解決手段】基板1上に設けられ、圧電膜4と、圧電膜4の基板1に対向する面に設けられた下部電極3と、圧電膜4の下部電極3が設けられた面に対向する面に設けられた上部電極5とを有し、基板1上に固定された固定部10aと、固定部10aから延在した作用部10bとを備えたアクチュエータ10と、下部電極3と上部電極5との間に電圧を印加する電圧印加手段13と、印加される電圧の極性を切り替える極性切替手段14と、を備える。【選択図】図1
170 2008-091334 H190926 セイコーエプソン株式会社 MEMSパッケージおよびその製造方法並びにMEMSパッケージを含む集積回路 A4 PHX

【課題】犠牲材料層の全エッチング時間を減らし、MEMSデバイス用の強化保護キャップ構造を提供するMEMSデバイス用の低コストウェハレベルパッケージング技術を提供する。【解決手段】キャップ構造4は、基板2上に形成されたMEMS素子1を封入して構成される。第1の流路9は、エッチング液12の前記MEMS素子を収納した室3への通路として、前記キャップ構造4上に設けられたエッチングのための流入孔8、流出孔7と連通する。前記流入孔8、流出孔7は、それらが重なり合わないように配置され、それによって、前記MEMS素子1の上方に多数のエッチング孔を設けることができ、封止材料10が前記MEMS素子に達することを防ぐ。【選択図】図1
171 2008-091417 H180929 セイコーインスツル株式会社 真空パッケージ及び電子デバイス並びに真空パッケージの製造方法 A4 DD01 DD02 PHX

【課題】フィードスルー部を確実に確保しながら、半導体基板とリッド基板との接合強度及び密閉室内の真空度が高い真空パッケージとその製造方法を提供する。【解決手段】第1のリッド基板2に排気孔14及び貫通孔12を形成する工程と、半導体基板4に排気溝11及び収納室10を形成する工程と、半導体基板に排気溝に連通する密閉室5、枠部4a及び収納室を一端側に有する支柱部4bを形成する工程と、第1のリッド基板及び第2のリッド基板3を半導体基板に接合する接合工程と、排気溝及び排気孔を介して密閉室を真空にする工程と、排気溝を塞ぐ膜厚で絶縁膜13を成膜して密閉室を封止する工程と、収納室及び貫通孔を埋めるように導電性材料をめっきしてフィードスルー部を形成する工程とを備え、排気溝よりも深く収納室を形成することで、絶縁膜の一部が収納室内に落ち込んで収納され、該絶縁膜が分断される製造方法とする。【選択図】図1
172 2008-091845 H181127 日立金属株式会社 半導体センサー装置およびその製造方法 A4 DD01 DD02 DD03 PGX

【課題】MEMS基板を気密封止する半導体センサー装置において、気密封止するキャップ基板をグラインディング、ダイシングにより個片化する工程で、キャップチップが破損する可能性がある。【解決方法】MEMS基板の上下面にキャップ基板を接合した後、ウェットエッチングで薄肉化と個片化する方法で、キャップチップの破損を防止することができた。また、キャップチップ側面を2面以上とし側面角部を鈍角とすることで、モールド樹脂材料に入るクラックを低減できた。【選択図】図4
173 2008-093761 H181010 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 選択シリコン融解ボンディングのための表面準備 A4 PG02

【課題】シリコン基板上に形成される機構構造体に可動パーツを有するMEMSデバイスにおいて、可動パーツのシリコン基板への貼り付きを防止できる機構構造体構造とその製造方法を提供する。【解決手段】シリコンカバー構造体に形成された実質的に平滑で平らな接触表面112,113を各々備えた一対のシリコンカバー構造体105、106と、間隔が隔てられ実質的に平行で、平滑で平らな接触表面で形成され、相対的にそこに固定されたフレーム部分109に対して運動可能に懸垂されたパーツ107と、前記カバーの接触表面と前記機構構造体の可動パーツの対応する表面との間に配置された比較的粗い表面114,115と、を含み、前記カバー構造体の接触領域が、機構フレームの各々の接触表面とシリコン融解ボンディング・ジョイントBを形成するように構成する。【選択図】図3
174 2008-093801 H181013 松下電工株式会社 須賀 唯知 封止接合性能評価装置、封止接合性能評価装置の製造方法、封止接合性能評価方法、及び封止接合性能評価システム A4 AL

【課題】封止接合の封止性能を簡易的に評価する。【解決手段】開口部3を有するフレーム部4と、フレーム部4の開口部3内に支持された複数の振動体5a,5b,5cと、フレーム部4の上面に形成された光透過性のキャップ部6と、フレーム部4の下面に接合されたシリコン基板7とを備え、開口部3はキャップ部6とシリコン基板7とにより気密封止されている。そして、振動体5a,5b,5cを振動させ、キャップ部6を介して振動体5a,5b,5cに光を照射し、振動体5a,5b,5cにおいて反射した光を受光し、受光した光から振動体の共振特性を測定し、測定された共振特性から開口部3内の真空度を算出する。【選択図】図2
175 2008-093812 H181016 セイコーエプソン株式会社 MEMS・半導体複合回路及びMEMS素子 A2 PI01 PI02

【課題】製造時間の短縮及び製造コストの低減を図る。【解決手段】基板10上の空間Sに配置されたMEMS構造体30と、基板上の絶縁膜と配線の積層構造と、配線上の表面保護膜と、表面保護膜の開口部により配線の一部が露出してなる接続パッドとを有するMEMS素子の製造方法であり、少なくとも一部が犠牲層11上に形成された態様でMEMS構造体が形成される工程と、MEMS構造体上及びそれ以外の他の位置に絶縁膜13,15が形成される工程と、他の位置の絶縁膜上に配線14,16が形成される工程と、配線上に表面保護膜17,18を形成する保護膜形成工程と、表面保護膜を部分的に除去して接続パッドを形成すると同時にMEMS構造体の上方に開口凹部Pを形成する開口工程と、開口凹部を通して犠牲層が除去されることによりMEMS構造体がリリースされるリリース工程と、を具備する。【選択図】図3
176 2008-096620 H181011 NTTエレクトロニクス株式会社 マイクロミラー、そのマイクロミラーを搭載するMEMS及びそのMEMSの製造方法 A4 DA04 PGX

【課題】従来の高充填比の可動ミラーを持つマイクロミラーは、可動ミラーの可動方向が制限されており、これを回避するためには複雑な構造が必要となり、製造コストが上昇するという課題があった。そこで、本発明は、二軸回転の自由度が大きい可動ミラーを高充填比で有する簡易な構造のマイクロミラー、そのマイクロミラーを搭載するMEMS及び低コストでそのMEMSを製造できる製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係るマイクロミラーは、二つの支点間に並べられた3枚の平板をヒンジで連結した構造であり、中央の平板の両端には二軸回転が可能なヒンジを使用している。【選択図】図4
177 2008-096672 H181011 日本電信電話株式会社 光スイッチ A4 DA01 DA04

【課題】偏向素子の最適な姿勢を正確に探索することができる光スイッチを提供する。【解決手段】探索設定部81の測定部81aは、サンプリング時間間隔でミラー230のドリフト量を測定する。範囲設定部81bは、そのドリフト量以上、すなわちドリフト量よりも広くなるように探索範囲を設定する。この探索範囲に基づいて、摂動部82により摂動電圧が設定される。また、時間設定部81cは、予め設定された出力光のパワーの損失量に対応するミラー230の傾動角度の範囲を、サンプリング時間当たりのドリフト量で除した値以下に探索時間を設定する。このように、探索範囲を設定することにより、ドリフトが生じた場合であっても、このドリフトよりも広い範囲で出力光の光強度のピークを探索することが可能となるので、ミラー230の最適な姿勢をより正確に探索することができる。【選択図】図1
178 2008-096674 H181011 日本電信電話株式会社 光スイッチ A4 DA01 DA04

【課題】ミラーを最適な回動角に駆動させることができる光スイッチを提供する。【解決手段】検出部52は、駆動部51によりミラー装置3a,3bのミラーを摂動させて、最適な駆動電圧を検出する。補正部53は、その最適な駆動電圧に基づいてLUT54bを補正する。これにより、ミラー230のドリフトや温度などの環境変化等によりミラー230の最適な回動角が変化した場合であっても、ミラー230を最適な回動角に駆動させることができる。【選択図】図1
179 2008-096750 H181012 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置 A4 DA02

【課題】省電力化を図りつつ、梁を大きく曲げ変形させることができるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータは、長手形状をなす梁2321と、梁2321に接合された圧電素子411〜414とを有し、圧電素子411〜414に通電して圧電素子411〜414を伸縮させることにより、梁2321を曲げ変形させるように構成され、圧電素子411〜414のそれぞれについて、その圧電素子の伸縮方向に間隔を隔てて設けられ、その圧電素子と梁2321とを接合する1対の接合部511、512と、圧電素子411〜414のそれぞれについて、1対の接合部511、512の間でかつその圧電素子と梁2321との間に形成された空間部513とを有している。【選択図】図4
180 2008-099004 H181012 ローム株式会社 静電容量型センサの製造方法および静電容量型センサ A4 DD04 PI02 PC01

【課題】シリコン基板を表面側からエッチングすることができる、静電容量型センサの製造方法および静電容量型センサを提供する。【解決手段】シリコン基板2の表面上に、保護層4がパターン形成された後、保護層4が形成されていない保護層非形成領域と対向し、その保護層非形成領域の一部が露出するように、第1金属層5が形成される。その後、第1金属層5上に、第1絶縁層8、金属犠牲層、第2絶縁層15、第2金属層12がこの順に形成される。そして、金属犠牲層に金属エッチング液が供給されることにより、金属犠牲層が除去される。また、金属犠牲層が除去された部分から、金属犠牲層の除去によって露出した保護層非形成領域を介して、シリコン基板2にシリコンエッチング液が供給される。これにより、シリコン基板2の一部が除去されて、裏面側ほど寸法が小さくなる断面台形状の貫通孔3が形成される。【選択図】図1
181 2008-099020 H181012 三洋電機株式会社 マイクロメカニカル共振器 A4 DB02

【課題】共振周波数の微調整を行なうことが可能なマイクロメカニカル共振器を提供する。【解決手段】本発明に係るマイクロメカニカル共振器は、基板9上に両端部が支持された共振ビーム52と、該共振ビーム52の両端部間の軸部に対向して配置された2つの電極1、2とを具え、共振ビーム52の両端部間にて、一方の電極1と共振ビーム52とが互いに対向して、1或いは複数のギャップ部が形成されると共に、他方の電極2と共振ビーム52とが互いに対向して、1或いは複数のギャップ部が形成される。ここで、共振ビーム52の両端部の内、少なくとも何れか一方の端部は、共振ビーム52の軸方向とは直交する面内での移動が拘束されると共に、共振ビーム52の軸方向の変位は可能に支持されており、該端部と対向してバイアス電極4が配備され、該バイアス電極4に印加すべきバイアス電圧の調整が可能となっている。【選択図】図1
182 2008-099042 H181013 学校法人立命館 三洋電機株式会社 マイクロメカニカル共振器 A4 DB02

【課題】基板9上に両端部が支持された共振ビーム52と、該共振ビーム52を挟んで両側に配置された2つの電極とを具え、共振ビーム52の両端部間にて、一方の電極と共振ビーム52とが互いに対向して、1或いは複数のギャップ部が形成されると共に、他方の電極と共振ビーム52とが互いに対向して、1或いは複数のギャップ部が形成されているマイクロメカニカル共振器において、1次の共振モードの振動を抑えて高次の共振モードの振動を増大させる。【解決手段】本発明に係るマイクロメカニカル共振器においては、共振ビーム52に対して各ギャップ部を介して作用する静電気力の変動幅が、共振ビーム52の中央部近傍のギャップ部で最も小さく且つ両端部近傍のギャップ部で最も大きくなる様に設定されている。【選択図】図1
183 2008-100163 H181019 大日本印刷株式会社 マイクロリアクターおよびその製造方法 A4 DC01 PJ06

【課題】高効率の触媒反応を可能とする信頼性の高いマイクロリアクターと、このマイクロリアクターを簡便に製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】マイクロリアクターを、1組の金属基板が接合された接合体と、この1組の金属基板の少なくとも一方の基板の接合面に形成された微細溝部で構成されたトンネル状流路と、このトンネル状流路に連通している原料導入口およびガス排出口と、トンネル状流路に形成された触媒担持層と、この触媒担持層に担持された触媒と、接合体の少なくとも1つの面にセラミックス絶縁層を介して配設された発熱体とを備えるものとし、セラミックス絶縁層を備える接合体の表面の中心線平均粗さ(Ra)を0.05〜0.10μmの範囲、10点平均粗さ(Rz)を0.4μm以下とする。【選択図】図2
184 2008-100325 H181020 セイコーエプソン株式会社 MEMS・半導体複合回路及びその製造方法 A2 PI01

【課題】半導体基板上に設けられる層構造を平坦化しやすく、しかも、半導体素子部の素子構造とMEMS構造体の相互間の影響を受けにくい構造を実現する。【解決手段】本発明のMEMS・半導体複合回路は、半導体基板10と、該半導体基板の表層部に設けられたMEMS構造体30S及び半導体素子部20とを有し、前記半導体基板の前記表層部には、前記MEMS構造体の前記半導体基板に対する素子分離を行うための表面凹部及びその内部に配置された絶縁体よりなるMEMSトレンチ構造31と、前記半導体素子部の素子分離を行うための素子境界部に設けられた表面溝及びその内部に配置された絶縁体よりなる境界トレンチ構造21とが形成され、前記MEMSトレンチ構造内の前記絶縁体31dの表面32aは前記半導体基板の基板表面10aより低く構成され、該絶縁体の表面上に前記MEMS構造体が形成されている。【選択図】図3
185 2008-100342 H190615 三星電子株式会社 マイクロアクチュエータのコイル製造方法 A4 DA04 PJ06

【課題】マイクロアクチュエータのコイル製造方法を提供する。【解決手段】基板100を準備する工程、基板100の上側にコイルを形成するための複数のトレンチ112を形成する工程、基板100の上側の複数のトレンチ112を除いた残余部分を遮蔽剤120で覆う工程、複数のトレンチ112に導電性物質130を電気メッキする工程、及び基板100上にパッシベーション層を形成する工程を含むマイクロアクチュエータのコイル製造方法である。これにより、ウェーハの反りを最小化してコイルの断面積の変化を減らすことによって、コイル駆動に印加される駆動電流及び消費電力を減少させうる。【選択図】図2D
186 2008-100347 H191019 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング モノリシック集積回路を有するマイクロメカニカルエレメント、ならびにエレメントの製造方法 A2 DD01 PI01 PI03

【課題】モノリシック集積回路とりわけ評価回路を有するマイクロメカニカル構造体を比較的コンパクトかつ低コストで製造することを可能とする方法を提供する。【解決手段】基板とマイクロメカニカル構造体と集積回路とを有するマイクロメカニカルエレメントであって、集積回路は基板20の回路領域21内に設けられ、マイクロメカニカル構造体はセンサ領域22に設けられている。従来は犠牲層を除去するときにエッチングをストップさせる停止層を設ける必要があったが、基板20は犠牲層の領域48と機能層の領域49とを分離する層を有していない単一の材料とする。【選択図】図14
187 2008-103776 H200118 セイコーエプソン株式会社 ダイシング方法およびマイクロマシンデバイス A4 PJ03

【課題】能動素子の信頼性を損なうことなく製造することができ、かつ作業性を向上させることができるダイシング方法および能動素子の信頼性が維持されたマイクロマシンデバイスを提供すること。【解決手段】まず、基板2上に複数の能動素子3が設置されたウエハー1に対し、保護部材4を接合し、能動素子3を非接触で覆う。保護部材4は、板状部材5と、該板状部材5と基板2との間に所定の間隙を形成するためのスペーサ6とで構成されており、全体として水不透過性を有している。ウエハー1を保護部材4とともに切断(ダイシング)して複数に分割する。この切断は、高速で回転する回転刃10を用いて流水を供給しつつ行なわれる。切断位置は、スペーサ6の存在する部位である。また、基板2およびスペーサ6は、切断され、板状部材5は、その厚さ方向の一部を残して切断される。【選択図】図3
188 2008-103777 H181017 学校法人立命館 三洋電機株式会社 マイクロメカニカル共振器 A4 DB02

【課題】基板9上に両端部が支持された共振子5と、該共振子5に対向して配置された2つの電極1、2とを具え、一方の電極1と共振子5とが互いに対向して、1或いは複数のギャップ部が形成されると共に、他方の電極2と共振子5とが互いに対向して、1或いは複数のギャップ部が形成されているマイクロメカニカル共振器において、低インピーダンス化を図る。【解決手段】本発明に係るマイクロメカニカル共振器において、共振子5は、基板9上に、互いに並列の位置関係に配置された複数本の共振ビーム52、53、54を具え、各共振ビームの両端部が基板9上に支持されると共に、隣接する共振ビームどうしが、それぞれの振動の腹の位置若しくはその近傍位置にて互いに連結されている。【選択図】図1
189 2008-105112 H181024 セイコーエプソン株式会社 MEMSデバイス A2 PI02

【課題】MEMS構造体と半導体基板との間の寄生容量を低減させるMEMSデバイスを提供する。【解決手段】半導体基板10上に絶縁層40を介して形成された固定電極20と可動電極26とを有するMEMS構造体30が備えられたMEMSデバイスにおいて、固定電極20の下方の絶縁層40にSOG膜12を備えている。SOG膜12を形成することで容易に厚い絶縁層40を形成することができ、MEMS構造体30と半導体基板10の間の間隔が大きくなるため、この間に生ずる寄生容量を低下させることができる。【選択図】図1
190 2008-105157 H181027 セイコーエプソン株式会社 MEMS・半導体複合回路の製造方法 A2 PI01 PI02

【課題】MEMS構造体を形成するための犠牲層及びこれに接するように設けられる構造層を半導体素子の構成要素の製造プロセスと一体化することにより、性能を犠牲にせずに、プロセス数の低減により製造コストを削減する。【解決手段】本発明は、半導体基板10と、半導体基板の表層部に設けられたMEMS構造体20S及び半導体素子30Sと、を有するMEMS・半導体複合回路の製造方法において、犠牲層23が形成されると同時に素子絶縁膜31が形成される第1形成工程と、犠牲層に接するようにMEMS構造層24が形成されると同時に素子電極層32が形成される第2形成工程と、第1形成工程及び第2形成工程の後に、犠牲層が除去されることによりMEMS構造層が動作可能に構成されるリリース工程と、を具備する。【選択図】図3
191 2008-105162 H181027 株式会社日立製作所 機能素子 A4 PG01

【課題】MEMSによる機能素子のウェハレベルパッケージングにおける、陽極接合による接合部の気密性を向上させ、安価なMEMS機能素子を提供する。【解決手段】Siを主体とする基板を加工法を用いて形成した機能素子と、この機能素子の外周に形成された封止メタライズ膜と、この封止メタライズ膜に陽極接合により接合されるガラス基板を備える。この封止メタライズ膜の表面部には、Alを主成分とするメタライズ膜上に、Sn、Tiのうち、少なくとも一つを主成分とするメタライズ膜、またはこれらを組み合わせたメタライズ膜が形成されている。【選択図】図1
192 2008-106889 H181027 株式会社菊池製作所 マイクロバルブ及びこれを用いたマイクロポンプ A4 DC02 DC03

【課題】一定の微量の流体を洩れなく、また逆流することなしに送る。【解決手段】マイクロバルブ及びこれを用いたマイクロポンプにおいて、弁体1はステンレス鋼その他の金属材料により、薄膜状の平面形状に形成され、当該平面内に略C字形の切り欠き13Cを形成されて、リング形状の固定部11と、フラップ形状の弁部12とを備える。この場合、弁体1に金メッキなどにより表面処理を施すことが好ましい。【選択図】図1
193 2008-107336 H190927 独立行政法人産業技術総合研究所 オリンパス株式会社 センサの製造方法、レゾネータの製造方法 A4 DB02 PE01 PE02

【課題】高い生産性を実現することのできるセンサの製造方法等を提供することを目的とする。【解決手段】ディスク状の振動子と、振動子の外周部にギャップを隔てて配置された駆動電極、検出電極と、を備えたセンサの製造にあたり、振動子と駆動電極、検出電極とのギャップ部分を、電子線照射によりパターン形成する第一のパターン形成工程と、振動子と駆動電極、検出電極とのギャップ部分以外の部分を、ステッパによりパターン形成する第二のパターン形成工程と、を含むようにした。電子線照射によるパターン形成を行うためのアライメントマークMは、活性Si層53を貫通することのないように形成し、ボックス層52におけるチャージアップを防ぐようにした。【選択図】図2
194 2008-109004 H181027 日本電信電話株式会社 エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 微細構造体の製造方法 A4 PB01

【課題】格段が数100μm程度の深さの多段の溝など、各々が数100μm程度の寸法を備える複数の部分から構成された微細構造体が、より高い精度で形成できるようにする。【解決手段】公知のフォトリソグラフィ技術により、貼り付けられた感光性レジスト膜104に開口パターン141が形成された状態とする。次に、開口パターン141が形成された感光性レジスト膜104をマスクとしたドライエッチングにより、半導体基板101の溝103の底部を選択的にエッチング除去し、溝103と同じ方向に延在する溝106が、溝103の底部に形成された状態とする。【選択図】図1
195 2008-110436 H181031 アオイ電子株式会社 ナノピンセットおよびその製造方法 A1 DFX

【課題】汚れにくいナノピンセットの提供。【解決手段】ナノピンセット1は、開閉自在な一対のアーム3と、アーム3の各々に形成された試料把持部3aと、各アーム3の少なくとも試料把持部3aを含む領域に形成された撥水性膜とを備えることを特徴とする。撥水性膜には、例えば、導電性を有する撥水性膜や化学吸着単分子膜が用いられる。【選択図】図2
196 2008-110494 H181027 三菱化学メディア株式会社 凹凸面を有する部材の製造方法 A4 PJX MEX

【課題】加工精度の良好なマイクロデバイスを簡便に製造する製造方法を提供する。【解決手段】金型1の表面に設けられた凹部11付近に熱可塑性樹脂シート2を配置し、熱可塑性樹脂シート2を減圧条件下において加熱する減圧加熱工程と、加熱された熱可塑性樹脂シート2に対し、減圧条件からの昇圧に伴う押圧力を用いて熱可塑性樹脂シート2を凹部11に押し込んで成形する凹形状転写工程と、を有することを特徴とする凹凸面を有する成形体21の製造方法。【選択図】図1
197 2008-111881 H181027 セイコーエプソン株式会社 光学デバイス、光スキャナおよび画像形成装置 A4 DA02

【課題】小型化を図りつつ、可動板をX軸およびX軸に直交するY軸のそれぞれの軸まわりに回動させることのできる光学デバイス、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明の光学デバイス1は、光反射部211を備える可動板21と、支持部22と、1対の連結部23、24と、可動板21をX軸まわりに回動させる第1の駆動手段5と、可動板21をY軸まわりに回動させる第2の駆動手段6とを有し、第2の駆動手段6は、支持部22を可動板21とともにY軸まわりに回動させる圧電素子61〜68を備え、圧電素子61〜68のそれぞれは、Y軸から離間した位置で、かつ、可動板21の厚さ方向へ伸縮するように設けられている。【選択図】図1
198 2008-111882 H181027 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置 A4 DA02

【課題】可動板と1対の軸部材とで構成される振動子の捩り共振周波数を変更することで所望の振動特性を発揮することのできるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること【解決手段】本発明のアクチュエータは、1対の軸部材23、24の捩り剛性を変更する剛性変更手段6を有し、剛性変更手段6は、伸縮により1対の軸部材23、24にかかる張力を変化させる圧電素子61、62を備え、圧電素子61、62を介して軸部材23、24のそれぞれと支持部22とを連結し、圧電素子61、62を伸縮させることで1対の軸部材23、24の捩り剛性を変更するように構成されている。【選択図】図1
199 2008-112036 H181031 大阪府 微細構造体の製造方法 A4 PIX

【課題】三次元形状の表面に凹凸を有する微細構造体を容易に効率良く製造することができる微細構造体の製造方法を提供する。【解決手段】基材1上にレジストパターン2aを形成するパターン形成工程と、レジストパターン2aをマスクとしてエッチングすることにより基材1の表面に凹部6を形成するエッチング工程とを備え、パターン形成工程は、複数の非レジスト部NRの幅W1が少なくとも一方向に沿って段階的に変化するようにレジストパターン2aを形成し、エッチング工程は、レジストパターン2aの非レジスト部NRの幅W1が大きいほどエッチング深さが深くなるように凹部6を形成する。【選択図】図1
200 2008-112168 H191026 スペイシャル フォトニックス, インコーポレイテッド 非接触マイクロミラー A4 DA04

【課題】非接触マイクロミラーを製造すること。【解決手段】基板によってサポートされるヒンジと、該ヒンジに対してチルト可能なミラープレートであって、該ヒンジは、該ミラープレートがチルトされていない位置から離れてチルトされる場合に、該ミラープレート上に弾性復元力を生成するように構成されている、ミラープレートと、該弾性復元力を克服して、該ミラープレートを、該チルトされていない位置から「オン」位置まで、または「オフ」位置までチルトするように静電気力を生成するように構成されたコントローラであって、該静電気力は、該弾性復元力に対抗して該ミラープレートを該「オン」位置または該「オフ」位置に保持するように構成されている、コントローラとを備えている、マイクロミラーデバイス。【選択図】図1
201 2008-112169 H191026 スペイシャル フォトニックス, インコーポレイテッド ヒンジを有するマイクロミラー A4 DA04

【課題】ヒンジを有するマイクロミラーデバイスを提供すること。【解決手段】マイクロミラーデバイスであって、基板によって支持されているヒンジと、ヒンジを中心として傾斜可能なミラープレートとを備え、ヒンジは、約30%〜70%の間のチタンの組成を有するチタンニッケル合金、約30%〜70%の間のチタンの組成を有するチタンアルミニウム合金、約5%〜20%の間の銅の組成を有するアルミニウム銅合金、および約0%〜15%の間の窒素の組成を有する窒化チタンアルミニウムから構成されるグループから選択される材料を含む、マイクロミラーデバイス。【選択図】図1
202 2008-114162 H181106 大日本印刷株式会社 マイクロリアクターおよびその製造方法 A4 DC01 PGX

【課題】高効率の触媒反応を可能とする信頼性の高いマイクロリアクターと、このマイクロリアクターを簡便に製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】マイクロリアクターを、原料導入口およびガス排出口が連通した密閉空間を有する容器と、この容器の内部壁面から密閉空間へ突出する複数の突起と、これらの突起及び内部壁面に形成された触媒担持層と、この触媒担持層に担持された触媒とを備えるものとする。【選択図】図2
203 2008-114218 H190927 キヤノン株式会社 流体処理装置および流体処理システム A4 DC01

【課題】多数のノズルから吐出圧力を均一にして流体を衝突させることにより、流体の均一な混合または反応を行うことができる流体処理装置を提供する。【解決手段】流体を流入させる1つの流入口と、該1つの流入口から分岐してN個に分かれたN個の搬送路と、N個の搬送路に接続されたN個の流出口とを備えた第1のユニットと、第1のユニットに対応して1つの流入口と、N個の搬送路と、N個の流出口とを備えた第2のユニットを有し、前記第1のユニットの流出口から流出する第1の流体と、前記第2のユニットの流出口から流出する第2の流体とを接触させて、流体の混合または反応を行う流体処理装置であって、第1のユニットにおける前記N個の搬送路の長さ及び、第2のユニットにおける前記N個の搬送路の長さのバラツキが20%以下である流体処理装置。【選択図】図3
204 2008-114319 H181102 セイコーエプソン株式会社 静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置及び静電デバイスの製造方法 A4 DCX PGX

【課題】特に接触面積の大きな電極間の水分除去に有効な処理を行うことができる静電アクチュエータの製造方法等を得る。【解決手段】相対変位可能な可動電極となる振動板22と、振動板22と一定の間隔で対向配置され、振動板22を相対変位させる、表面粗さが15nm以下の固定電極となる個別電極12aとを少なくとも有する液滴吐出ヘッド等の静電アクチュエータに対し、振動板22と個別電極12aとで形成される空間から水分を除去する工程と、空間を外気と遮断するために、空間の開口部分を封止する工程とを連続して行うものである。【選択図】図1
205 2008-114354 H181108 セイコーエプソン株式会社 電子装置及びその製造方法 A2 PI-1

【課題】基板上の空洞内に配置される機能構造体と電子回路を高度に一体化させることで、小型化された電子装置ならびに、基板上の空洞内に配置される機能構造体を電子回路と並行して製造可能とすることで、製造コストを低減することが可能な電子装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板1と、該基板上に形成された機能素子を構成する機能構造体3Xと、該機能構造体が配置された空洞部Sを画成する被覆構造とを具備する電子装置において、前記被覆構造は、前記空洞部の周囲を取り巻くように前記基板上に形成された層間絶縁膜4,6と配線層5,7の積層構造を含み、前記被覆構造のうち前記空洞部を上方から覆う上方被覆部7Yは、前記機能構造体の上方に配置された前記配線層の一部で構成されている。【選択図】図8
206 2008-114363 H190926 コミツサリア タ レネルジー アトミーク ストミクロエレクトロニクス・ソシエテ・アノニム 平面基板上に電気機械部品を製造する方法 A4 PI02

【課題】製造が容易で費用が安く特に動作特性の点で最適な性能を有する電気機械部品を製造する。【解決手段】少なくとも(a)2つの絶縁領域によって部分的に覆われる1つのシリコン領域を有する基板15を形成する段階と(b)シリコン領域の覆われていない部分から開始する選択的エピタキシーによってシリコンゲルマニウム合金犠牲層を形成する段階と(c)犠牲層上に配置される1つの単結晶領域と絶縁領域上に配置される2つの多結晶領域とを有し、エピタキシーによって高濃度にドーピングされたシリコン層を形成する段階と(d)電極23と振動構造体22との間に空間を形成するように単結晶領域内に所定のパターンをエッチングすることによって振動構造体と作動電極とを同時形成する段階と(e)シリコンゲルマニウム合金の犠牲層を選択的エッチングによって除去する段階とを含む。【選択図】図7
207 2008-114388 H181031 チノンテック株式会社 学校法人 東洋大学 長野県 マイクロデバイスの製造方法 A4 PJ04 PJX

【課題】従来のマイクロデバイスの製造方法よりも、マイクロデバイスを製造する際の生産性を高くすることが可能なマイクロデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】成形基材を準備する成形基材準備工程S10と、レーザ加工装置を用いて成型基材の表面を粗加工する粗加工工程S20と、集束イオンビーム加工装置を用いて成型基材の表面を仕上げ加工する仕上げ加工工程S30とをこの順序で含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。【選択図】図1
208 2008-116381 H181107 国立大学法人東京農工大学 マイクロポンプ A4 DC03

【課題】μーTAS技術を実現のための、送液用のマイクロポンプを実現する。【解決方法】マイクロチャネルの流路に光吸収体を密着させ、流路に液体をみたし、光ビームを照射して、マイクロチャネル内に単一気泡を発生・成長させ、形成した単一気泡を流路の特定部位に固定させた状態で、その界面に非対称の温度勾配を付与し、発生するマランゴニ対流現象を利用し、マイクロチャネル内の流体の移送を行うマイクロポンプを提供する。【選択図】図3
209 2008-116668 H181102 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置 A4 DA02

【課題】可動板の共振周波数を変更することで所望の振動特性を発揮することのできるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータ1は、長手形状をなす1対の軸部材23、24の捩り剛性を変更する剛性変更手段6を有している。剛性変更手段6は、1対の軸部材23、24のそれぞれに接合し、その長手方向に直交する方向成分を有する方向へ伸縮する1対の圧電素子61、62を有し、圧電素子61、62を伸縮させ、軸部材23、24の横断面形状を変化させることで1対の軸部材23、24の捩り剛性を変更するように構成されている。【選択図】図1
210 2008-116669 H181102 セイコーエプソン株式会社 光学デバイス、光学デバイスの製造方法、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザ A4 DAX

【課題】低コスト化を図りつつ、可視光領域での波長分離を高精度に行うことができる光学デバイス、光学デバイスの製造方法、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザを提供すること。【解決手段】本発明の光学デバイス1は、可動部21の第2の構造体3側の面上に設けられた第1の駆動電極28と、第2の構造体3上に第1の駆動電極28に対向するように設けられた第2の駆動電極33とを有し、第1の構造体2および第2の構造体3は、金属を主材料として構成された金属層4を介して接合され、かつ、金属層4を導体として第1の駆動電極28と第2の駆動電極33との間に電圧を印加することにより、これらの間に静電引力を生じさせて、可動部21を変位させるように構成されている。【選択図】図2
211 2008-116978 H191207 富士通株式会社 マイクロ揺動素子および可動機能素子 A4 DA04

【課題】揺動部の揺動動作のための駆動力を確保しつつ小型化を図るのに適したマイクロ揺動素子を提供する。【解決手段】本発明のマイクロ揺動素子X1は、揺動部10、フレーム21、および捩れ連結部22を備える。揺動部10は、可動機能部11と、可動機能部11から延出するアーム部12と、アーム部12の延び方向と交差する方向にアーム部12から各々が延出し且つ当該延び方向に互いに離隔する複数の電極歯13a,13bからなる櫛歯電極13A,13Bとを有する。捩れ連結部22は、揺動部10とフレーム21を連結し、揺動部10の揺動動作の、アーム部12の延び方向と交差する揺動軸心A1を規定する。また、本素子X1は、フレーム21から各々が延出し且つアーム部12の延び方向に互いに離隔する複数の電極歯23a,23bからなる、櫛歯電極13A,13Bと協働して揺動動作の駆動力を発生させるための櫛歯電極23A,23Bを更に備える。【選択図】図1
212 2008-117913 H181102 アルプス電気株式会社 可変容量素子および可変容量装置 A4 DB05 PB01 MA01

【課題】小さな消費電力により大きな静電容量を得ることができる可変容量素子を提供すること。【解決手段】本発明の可変容量素子1Aは、支持壁5Aの円柱孔内部に形成された柱状振動子4A、その上方に配置された環状の第1の駆動電極6Aおよびその中央に配置された環状の第1の容量用電極8Aならびに支持壁5Aの円柱孔周縁に配置された環状の第2の駆動電極7Aおよびその内側面に配置された環状の第2の容量用電極9Aを備える。四分割された第2の駆動電極7Aの周方向に駆動電圧を順に増減させ、静電力を周方向の順に強弱させる。すると、柱状振動子4Aが回転して第1の容量用電極8Aと第2の容量用電極9Aとの静電容量が変化する。【選択図】図7
213 2008-118147 H191114 サエス ゲッタース ソチエタ ペル アツィオニ マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスのための支持体 A4 PHX MA01

【課題】マイクロマシーンのデバイス寿命を保証する手段を提供する。【解決手段】支持体60は、基板61に可動構造物91を収容するための空洞部65が形成されており、空洞部の天井には気体吸収物質堆積物63が反応性スパッタリングによって形成されている。支持体60とマイクロマシーンが構成される基板92を接合することによって支持体60が基板92の可動構造物91を被覆するもので、空洞部65は気体吸収物質堆積物63への通路ともなっている。【選択図】図9
214 2008-118850 H191105 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング マイクロアクチュエータ A4 DA04

【課題】従来のマイクロアクチュエータを改良して、その寸法及び変位角度に関して制限されることなく所望のように構成することができるようにする。【解決手段】マイクロアクチュエータであって、軸(10)と、少なくとも1つの第1の駆動手段(21)を有している形式のものにおいて、軸(10)と第1の駆動手段(21)とが第1のジョイント(31)によって結合されている。【選択図】図4.1
215 2008-119756 H181108 三菱電機株式会社 マイクロマシンの製造方法 A4 PI02 MD01 MD03 MD06 MBX MEX

【課題】良好なスイッチング性能を有し、かつ信頼性の高いマイクロマシンを、高い歩留まりで製造する方法を提供する【解決手段】カンチレバー構造の可動電極を有するマイクロマシンの製造方法が、基板を準備する工程と、基板上に、少なくとも吸引電極を形成する工程と、吸引電極を覆うように、第1犠牲層を形成する第1犠牲層形成工程と、吸引電極の段差部を覆う第1犠牲層上に、第2犠牲層を選択的に形成する第2犠牲層形成工程と、第1犠牲層および第2犠牲層の上に可動電極を形成する工程と、第1犠牲層および第2犠牲層を除去する工程を含む。【選択図】図2
216 2008-119792 H181114 セイコーエプソン株式会社 MEMSデバイスの製造方法 A4 PI02

【課題】本発明は、MEMS構造体をリリースするときのエッチング領域の平面方向の大きさを軽減することを可能とし、小型化が図れて製造効率が良好なMEMSデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1上に形成された犠牲層15上に可動電極20を形成し、可動電極20上に、第一層間絶縁膜16、第一配線層23、第二層間絶縁膜17、第二配線層24を、この順に一部をパターニングしながら積層させた配線積層部を形成する。次に、可動電極20の全面が第一層間絶縁膜16の一部で覆われるように残して配線積層部の一部をドライエッチングにより除去し予備開口部C1aを形成する。次に、保護膜19を形成した後、選択比を有するエッチング液により、第一層間絶縁膜16の残った一部および犠牲層15を除去するリリースエッチングを行なって可動電極20をリリースする。【選択図】図3
217 2008-119817 H190517 セイコーエプソン株式会社 MEMSデバイスおよびその製造方法 A4 PI02 MD05 MD10 MDX

【課題】構造体の機械的な特性を保持しながら電気的な抵抗値を軽減し、優れた動作特性を有するMEMSデバイス、およびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1上に形成された多結晶シリコンからなる固定電極10と、シリコン基板1上に形成された窒化膜3と隙間を設けて機械的に可動な状態で配置された多結晶シリコンからなる可動電極20と、可動電極20の周囲に形成され且つ固定電極10の一部を覆うように形成された第1層間絶縁膜13、第1配線層23、第2層間絶縁膜14、第2配線層24、および保護膜19がこの順に積層された配線積層部と、を有し、固定電極10の前記配線積層部に覆われた部分がシリサイド化されてシリサイド部分25が形成されている。【選択図】図1
218 2008-119818 H190517 セイコーエプソン株式会社 MEMSデバイスおよびその製造方法 A4 PI02 MD05 MD10 MDX

【課題】構造体の機械的な特性を保持しながら電気的な抵抗値を軽減し、優れた動作特性を有するMEMSデバイス、およびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板41上に形成されたシリコンからなる固定電極50と、シリコン基板41上に形成された窒化膜43と隙間を設けて機械的に可動な状態で配置されたシリコンからなる可動電極60と、可動電極60の周囲に形成され且つ固定電極50の一部を覆うように形成された第1層間絶縁膜52、第1配線層63、第2層間絶縁膜53、第2配線層64、および保護膜59がこの順に積層された配線積層部と、を有している。可動電極60は、タングステンまたはモリブデンなどの高融点金属によりシリサイド化されてシリサイド部分65が形成されている。【選択図】図1
219 2008-119826 H191109 スペイシャル フォトニックス, インコーポレイテッド マイクロデバイスの気密封止 A4 PHX

【課題】半導体ウェハ上のマイクロデバイスの気密封止を提供するための方法、ならびに半導体ウェハ上の気密封止されたマイクロデバイスを提供すること。【解決手段】マイクロデバイスを実装する方法であって、基板上のチャンバ内にマイクロデバイスを封じ込めるステップであって、チャンバは、スペーサ壁および封じ込めカバーによって規定されている、ステップと、封じ込めカバーの一部分およびスペーサ壁の一部分を除去することにより、スペーサ壁の表面を露出させるステップと、スペーサ壁の露出された表面上に封止材料の層を形成することにより、チャンバ内にマイクロデバイスを気密封止するステップとを包含する、方法。【選択図】なし
220 2008-121766 H181110 キヤノン株式会社 感温型マイクロ加工ワンショットバルブ、およびその製造方法 A4 DC02 PB01 PC02 MD02 MD09 MDX

【課題】バルブの開放温度の設定が容易であり、該開放温度以下での漏れがなく、高い圧力差に耐え、液体環境または気体環境のいずれにも使用でき、小型化を図ることが可能となる感温型マイクロ加工ワンショットバルブを提供する。【解決手段】感温型マイクロ加工ワンショットバルブであって、シリコン基板100と、前記シリコン基板の厚さ全体を貫いて構成されているチャンネル101と、前記シリコン基板の一面上に溶着され、前記チャンネルを塞いで配置された低融点金属部材102と、を含み構成される。その際、前記低融点金属部材と前記シリコン基板との間に金属層103を有する構成とし、また前記シリコン基板と前記金属層との間に、接着層104を有する構成とすることができる。【選択図】図1
221 2008-122490 H181109 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータの製造方法、アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置 A4 DA02

【課題】製造の容易化を図りつつ、所望の振動特性を発揮することのできるアクチュエータの製造方法、アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータの製造方法は、圧電素子51などの伸縮による駆動力を連結部24などに伝達する伝達点を構成する第1の突起61および第2の突起65のうち、第1の突起61を支持部28に形成するとともに、第2の突起65を第1の突起61に対して連結部24の長手方向に間隔を隔てて連結部24に形成する第1の工程と、第1の突起61および第2の突起65を包含するように、圧電素子51を第1の突起61および第2の突起65のそれぞれと固着する第2の工程とを含んでいる。【選択図】図1
222 2008-122622 H181110 セイコーエプソン株式会社 光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置 A4 DA02

【課題】小型化を図りつつ、可動板の振れ角を大きくするとともに、互いに直交する2つの軸線のそれぞれの軸線まわりに可動板を回動させることができる光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】第2の駆動手段6は、第1の軸線Xに平行な方向に伸縮するように設けられた圧電素子62、64と、第2の軸線Yに対し枠状部材21の厚さ方向に偏心した位置で枠状部材21に接合され、圧電素子62、64の駆動力を枠状部材21に伝達する伝達部材61、63とを備え、通電により圧電素子62、64を伸縮させることにより、伝達部材61、63が枠状部材21に第2の軸線Yまわりのトルクを与え、枠状部材21を回動させるように構成されている。【選択図】図1
223 2008-122714 H181113 セイコーエプソン株式会社 光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置 A4 DA02

【課題】小型化を図りつつ、可動板の振れ角を大きくすることができる光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】駆動手段5は、非駆動状態の可動板22の板面に平行でかつ軸線Xに直角な方向に伸縮するように設けられた圧電素子52と、軸線Xに対し可動板22の厚さ方向に偏心した位置で各軸部材23、24に接合され、圧電素子52の駆動力を各軸部材23、24に伝達する伝達部材51とを備え、通電により圧電素子52を伸縮させることにより、伝達部材51が各軸部材23、24に軸線Xまわりのトルクを与え、可動板22を回動させるように構成されている。【選択図】図1
224 2008-122723 H181114 株式会社トプコン 可変形状ミラー及びその製造方法 A4 DA04 PIX

【課題】組立て時における薄膜構造体及び薄膜ミラー層の変形を防いで、製造ばらつきが生ずるのを低減させることができる可変形状ミラー及びその製造方法を提供すること。【解決手段】電極基板1と可変薄膜部6aの周囲との間の複数箇所に配設され且つ接着剤12で薄膜構造体5と電極基板1に接着固定されたミラー支持用の第1スペーサ11が設けられ、導電性接着剤15の部分に第2スペーサ14を介装して、第2スペーサ14を導電性接着剤15で電極基板1と薄膜構造体5とに接着固定している。【選択図】図1
225 2008-122955 H191031 三星電機株式会社 電磁気マイクロアクチュエータ A4 DA04

【課題】電磁気マイクロアクチュエータを提供する。【解決手段】基板110の一面に回動自在に形成されたステージ120と、ステージ120の回転軸方向にステージ120の両側に連結された一対のトーションバネ132と、トーションバネ132を支持してステージ120を取り囲む固定フレーム150と、ステージ120の上面に所定深さで巻き回された駆動コイル130と、駆動コイル130形成部分から離隔した形成されたミラー部140と、駆動コイル130から離隔し、駆動コイル130を挟んで対向する位置に形成された一対の永久磁石160と、を備えることを特徴とする電磁気マイクロアクチュエータ。【選択図】図1
226 2008-122961 H191107 スペイシャル フォトニックス, インコーポレイテッド 低電圧マイクロメカニカルデバイス A4 DA04

【課題】複数のマイクロメカニカルデバイスを備えた装置、ならびに装置における複数のマイクロメカニカルデバイスを駆動する方法を提供すること。【解決手段】複数のマイクロメカニカルデバイスと、第1の電気回路と、第2の電気回路とを備えた装置。各マイクロメカニカルデバイスは、基板上の第1の構造部分と、第1の構造部分に接続された第2の構造部分であって、第2の構造部分は、導電性部分を備えており、電圧パルスとバイアス電圧とに応答して、運動するように構成されている、第2の構造部分と、基板上の電極であって、第2の構造部分の導電性部分の下にある、電極とを備えている。【選択図】なし
227 2008-124360 H181115 ソニー株式会社 機能性分子素子及びその製造方法、並びに機能性分子装置 A1 DF01

【課題】構成分子と電極との界面での接触抵抗を低減できる構造を有する機能性分子素子であって、特異な導電性を有する機能性分子素子、及びその製造方法、並びに機能性分子装置を提供すること。【解決手段】リニアテトラピロールの1種で、略円盤状の中心骨格部2と、アルキル基からなるフレキシブルな側鎖部3とをもつπ電子共役系分子1を、4−ペンチル−4’−シアノビフェニルまたはテトラヒドロフランに溶解させ、適切な濃度に調整する。この溶液を電極5および6に被着させ、溶媒を蒸発させ、π電子共役系分子1の配列構造体4を自己組織化的に形成させる。配列構造体4の第1層の被吸着分子9は、側鎖部3が電極5または6の表面に吸着され、骨格部2の略円盤面が電極5または6の表面に平行に密着するように固定される。配列構造体4の第2層以後のπ電子共役系分子1の積層方向は、略円盤状の中心骨格部2間のπ-π相互作用によって制御される。【選択図】図1
228 2008-125348 H191113 ウーテーアー・エス・アー・マニファクチュール・オロロジェール・スイス MEMSマイクロモータおよびこのマイクロモータを装備する時計 A4 PB02 MA01 MA03

【課題】効率の向上したマイクロモータを得る一方、モジュールの製造のために必要なシリコンの面積を最適化する。【解決手段】本発明は、結晶またはアモルファス材料、詳細にはシリコン基の材料からなる板中に作製されるMEMSマイクロモータであって、基板を構成する下層と、円筒形状の軸(64)を中心にロータを回転駆動する少なくとも1つのアクチュエータおよびロータがエッチングされた上層と、を備えるMEMSマイクロモータにおいて、軸(64)は板に接続され、軸(64)は板の孔を通って軸方向に延び、軸(64)は、基板中にエッチングされてかつ孔の周上に配置された固定用の弾性構造体により、孔に心出しされて締付けられることを特徴とするMEMSマイクロモータを、提案する。【選択図】図3
229 2008-125864 H181122 凸版印刷株式会社 針状体の製造方法 A4 DFX

【課題】大量生産に適し、側面が滑らかなテーパ角を有し、針状体の先端部を先鋭化した形状であっても製造可能な針状体の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、透明基材にネガ型フォトレジストを塗布する工程と、前記ネガ型フォトレジストに、開口部を有するマスクを用いて、前記透明基材側から露光処理を行う工程と、を含み、前記開口部を有するマスクは、開口部を通過した通過光を前記ネガ型フォトレジストに集光させるマイクロレンズを有することを特徴とし、マイクロレンズの径および曲率を制御することにより、針状体の寸法および形状を制御することが出来る。【選択図】図1
230 2008-126191 H181124 大日本印刷株式会社 マイクロリアクター A4 DC01

【課題】外部への熱の影響を抑制しながら高効率の触媒反応を可能とする信頼性の高いマイクロリアクターを提供する。【解決手段】マイクロリアクター1を、真空筐体2と、この真空筐体2の真空密閉キャビティ3内に配設されたマイクロリアクター本体4と、マイクロリアクター本体4の少なくとも1つの面に位置するゲッター発熱基板6とを備えたものとし、マイクロリアクター本体4は原料供給管5Aにより真空筐体2の外部と接続さた原料導入口19a、およびガス排出管5Bにより真空筐体2の外部と接続されガス排出口19bとを有し、ゲッター発熱基板6は、基板7と、基板7上に相互に非接触状態で配設された発熱体9とゲッター材層10とを有するものとした。【選択図】図2
231 2008-126352 H181120 松下電器産業株式会社 素子の製造方法 A4 DD01 PI03 MA01

【課題】本発明は破壊やクラックの発生を抑制した分離可能な素子の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】枠形状の固定部32と、この固定部32に連結した十字形状のアーム34と、このアーム34の中心部に連結した4つの錘部36とを有し、係止部54を介して係止された検出素子30を形成する素子形成工程を備え、レーザを係止部54に照射することによって、係止部54の材質を検出素子30の材質よりも脆弱な材質に改質させて、係止部54に改質部56を形成する改質部形成工程と、改質部56に応力を加えて改質部56を検出素子30から分離させ、検出素子30の係止を解除する構成である。【選択図】図2
232 2008-126370 H181122 ナノクラフトテクノロジーズ株式会社 株式会社喜多製作所 3次元マイクロ構造体、その製造方法、及びその製造装置 A4 PIX

【課題】微小コイルのような3次元微小金属構造体を製造するための技術を実現することを目的し、その発展形態においては、大量生産に適した上記3次元微小金属構造体の製造方法を実現することをも目的とする。【解決手段】繊維状の芯材の表面に微細パターンが形成された鋳型を製造すると共にメッキによりそのパターンに金属を充填し、その後鋳型を除去する。好適な実施形態においては、その鋳型を、表面にレジスト層が形成された繊維状の芯材を、透光性の筒殻に非透光性のマスクパターンが形成された筒状の光リソグラフィ用マスクの筒孔に挿入すると共に、該筒殻の一部又は全部が一括照射されるように筒状マスクの外側からレーザを照射し、その後にレジスト層を現像することにより製造する。【選択図】図7
233 2008-126375 H181122 住友電気工業株式会社 3次元微細構造体の製造方法 A4 PIX

【課題】所定形状の複雑な3次元微細構造体を再現性よく製造する。【解決手段】本発明の3次元微細構造体の製造方法は、リソグラフィにより樹脂型を形成する工程と、導電性基板上で樹脂型に金属製の構成部品層を電鋳により形成する工程と、研磨または研削により平坦化する工程とを備える構成部品層を形成する第1の工程と、金属製の構成部品層上に電解メッキにより犠牲層を形成する第2の工程と、リソグラフィにより樹脂型を形成する第3の工程と、樹脂型の空孔内にある犠牲層をエッチングにより除去する第4の工程と、金属製の構成部品層上で樹脂型に金属製の構成部品層を電鋳により形成する第5の工程と、研磨または研削により平坦化する第6の工程とを備えることを特徴とする。【選択図】図1
234 2008-126402 H191114 スペイシャル フォトニックス, インコーポレイテッド マイクロデバイスのパッケージング A4 DA04 PHX

【課題】アンチスティクション材料をマイクロデバイスに適用するための方法、ならびにアンチスティクション材料を適用されたマイクロメカニカルデバイスを提供すること。【解決手段】マイクロデバイスにアンチスティクション材料を適用する方法であって、マイクロデバイスをチャンバ内に封じ込めることと、コンテナ内でアンチスティクション材料を蒸発させ、蒸発したアンチスティクション材料を形成することと、該チャンバと流体連通する入口を介することにより、該コンテナから該封じ込められたチャンバの中に、該蒸発したアンチスティクション材料を移送することと、該蒸発したアンチスティクション材料を該マイクロデバイスの表面上に堆積させることとを包含する、方法。【選択図】図3
235 2008-126460 H181120 リコーエレメックス株式会社 貫通孔構造体の製造方法、貫通孔構造体、インクジェットヘッド、およびインクジェット記録装置 A4 DCX PJ01

【課題】インプリント金型の転写パターンを破損するおそれがなく、しかもインプリント法のみを用いて低コストで生産性を損なうことなく、確実に貫通する貫通孔を有する貫通孔構造体を製造する製造方法を提供する。【解決手段】インプリント金型12の転写パターン13を、貫通孔21を形成するために保持部材10上の被加工材料11に、残部15を残して押し込むパターン押し込み工程と、例えば圧着により残部を保持部材に固着する残部固着工程と、被加工材料を硬化する材料硬化工程と、被加工材料からインプリント金型を引き離す金型引き離し工程と、保持部材から被加工材料を分離すると同時に、その被加工材料から残部を分離する構造体取り出し工程とからなる。【選択図】図1
236 2008-128869 H181122 コニカミノルタエムジー株式会社 マイクロチップ検査システム、およびマイクロチップ検査システムに用いるプログラム A4 DC01 DC03

【課題】マイクロポンプとマイクロチップの間の流路に充填されている駆動液の量を一定にし、精度良く送液制御を行うことができるマイクロチップ検査システムを提供する。【解決手段】駆動液を流路からマイクロチップに注入するマイクロポンプと、流路の所定位置における駆動液の有無を検知して検知信号を出力する駆動液検知手段と、駆動液検知手段から得られた検知信号に基づいてマイクロポンプを駆動し、駆動液を所定位置を基準とする位置に移動させるポンプ駆動制御部と、を有することを特徴とするマイクロチップ検査システム。【選択図】図5
237 2008-129068 H181116 株式会社デンソー 2次元光走査装置 A4 DA02

【課題】低周波数側と高周波数側との周波数比を大きくすることなく、主走査方向と副走査方向とを直交させる2次元光走査装置を提供【解決手段】2次元光走査装置100は、鏡面部が表面に形成された第3フレーム104と、第3フレーム104に対し所定の隙間を介して設けられた第2フレーム103と、第2フレーム103に対し所定の隙間を介して設けられた矩形状の第1フレーム102と、第1フレーム102に対し所定の隙間を介して設けられた矩形状の第0フレーム101とを備え、更に第3フレーム104は第3捻りバネ107を介して中心軸kを回転軸とし、第2フレーム103は第2捻りバネ106を介して中心軸jを回転軸とし、第1フレーム102は第1捻りバネ105を介して中心軸iを回転軸として捩じり振動可能に構成されることで、3自由度連成振動系を構成する。そして中心軸jと中心軸kとの交差角度が90度未満である。【選択図】図1
238 2008-129280 H181120 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、アクチュエータの製造方法、光スキャナおよび画像形成装置 A4 DA02

【課題】製造の容易化を図りつつ、所望の振動特性を発揮することのできるアクチュエータ、アクチュエータの製造方法、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】アクチュエータ1は、可動板21と、支持部22と、可動板21と支持部22とを連結する1対の連結部23、24と、可動板21の厚さ方向に伸縮する圧電素子51〜54とを有し、通電により圧電素子51〜54を伸縮させることで、連結部23、24を捩れ変形させて可動板21を回動させるように構成されており、連結部24には、回動中心軸Xから離間した位置に圧電素子51の伸縮により発生する駆動力を連結部23に伝達するための伝達点を構成する突起61が形成され、突起61が圧電素子51の伸縮方向での一端と接触している。【選択図】図1
239 2008-129281 H181120 セイコーエプソン株式会社 光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置 A4 DA02

【課題】小型化を図りつつ、可動板の振れ角を大きくするとともに、互いに直交する2つの軸線のそれぞれの軸線まわりに可動板を回動させることができる光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】第1の駆動手段5は、第2の軸線Yに平行な方向に伸縮するように設けられた圧電素子52と、第1の軸線Xに対し可動板22の厚さ方向に偏心した位置で各第1の軸部材23、24に接合され、圧電素子52の駆動力を各第1の軸部材23、24に伝達する伝達部材51とを備え、通電により圧電素子52を伸縮させることにより、伝達部材51が各第1の軸部材23、24に第1の軸線Xまわりのトルクを与え、可動板22を回動させるように構成されている。【選択図】図1
240 2008-129424 H181122 株式会社トプコン ねじり振動鏡の調整方法、ねじり振動鏡、及び光偏向器、眼科装置、距離測定装置 A4 DD02

【課題】製造誤差に拘わらず、周波数の限られた一定量の範囲内で、ねじりばねと平面鏡を含むねじり振動鏡の光偏向に伴う周波数を正確に、かつ効率よく調整し、画像の取得・表示、光の擾乱によるセンシング量の誤差の低減することができるねじり振動鏡の調整方法、及びその調整方法を適用したねじり振動鏡を提供すると共に、そのねじり振動鏡を適用し、光偏向の周波数を調整することができる光偏向器、その光偏向器を用いた眼科装置、距離測定装置を提供する。【解決手段】ねじりばね112と、平面鏡110と、ねじり角(ミラー角度θ)がゼロになる位置でトルクの角度依存が増加あるいは減少するアクチュエータB1とを備えるねじり振動鏡の調整方法において、バイアス駆動を行うことにより、ねじり振動鏡の振動周波数を調整するようにしている。【選択図】図2
241 2008-130613 H181116 株式会社東芝 MEMS可変容量システム A4 DB05

【課題】大きな容量比を持つMEMS可変容量を実現する。【解決手段】本発明の例に関わるMEMS可変容量システムは、第1及び第2ポートP1,P2の間に直列に接続されるMEMS可変容量VCと、MEMS可変容量VCを駆動するための第1電源回路PS1と、第1及び第2ポートP1,P2の間に電気信号とは異なる一定の電位差VP12を印加するための第2電源回路PS2とを備える。【選択図】図1
242 2008-130937 H181122 松下電工株式会社 ダイヤフラムを具備した構造体の製造方法、半導体装置 A4 DD01 DD03

【課題】表面とその周囲との間に角部のないダイヤフラムを具備した構造体の製造方法、半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1の一表面側に絶縁膜3を形成する絶縁膜形成工程と、所望のダイヤフラム7の形状に応じた開口形状の開孔部4を絶縁膜3に形成するパターニング工程と、少なくとも半導体基板1の前記一表面と半導体基板1の前記一表面側に対向配置した陰極とを電解液に接触させた状態で、半導体基板1の他表面側に前記ダイヤフラム7の形状に応じた形状の陽極5と前記陰極との間に通電することで、半導体基板1の前記一表面側における開孔部4から露出する部位に半導体基板1を多孔質化した多孔質部6を形成する陽極酸化工程と、多孔質部6を除去することで半導体基板1の一部からなるダイヤフラム7を形成する多孔質部除去工程とを有する。【選択図】図1
243 2008-130961 H181124 日産自動車株式会社 半導体パッケージ A4 PHX

【課題】簡便に形成でき、基板同士を接合する際に加わる力によって破壊されにくいバンプ構造体を備えた半導体パッケージを提供する。【解決手段】センサ基板電極5の直下に接続用キャビティ7を設け、バンプ4がセンサ基板電極5を接続用キャビティ7方向に押し曲げてバンプ4とセンサ基板電極5とが接続される構成としたので、製造ばらつきによりバンプ4が所定の高さより上回っていても、所定高さを超えた分が接続用キャビティ7に逃げ、バンプ4からセンサ基板2や窓基板1への応力が低減されて、センサ基板電極5や窓基板電極3やその周辺部位にクラック等の破壊を引き起こすことがない。またセンサ基板電極5を弾性体によって構成したため、弾性力によってセンサ基板電極5がバンプ4側に付勢され、センサ基板電極5とバンプ4とが確実に接続される。【選択図】図3
244 2008-131096 H181116 株式会社東芝 移相器及びアンテナ装置 A4 DB01

【課題】高周波特性である挿入損失及び反射損失の劣化を抑えることができる移相器を提供する。【解決手段】移相器3bにおいて、基板11と、基板11上に設けられ高周波信号が流れる高周波信号線12と、高周波信号線12の両側にそれぞれ位置付けられ基板11上に設けられた一対の接地導体13、14と、高周波信号線12が伸びる方向に所定の間隔で並べられた複数のマイクロマシンスイッチ15Aとを備え、それらのマイクロマシンスイッチ15Aは、高周波信号線12上に設けられた誘電体と、一対の接地導体13、14のどちらか一方に少なくとも一端が固定され誘電体に対向して誘電体から離間し、誘電体に対向する対向領域の一部だけが電圧印加により誘電体に接触する可動片とをそれぞれ有している。【選択図】図1
245 2008-132447 H181129 横河電機株式会社 マイクロチップ A4 DC01

【課題】微小流路内に触媒が均一に分散して充填されると共に流体が効率的に反応することが可能なマイクロチップを実現すること。【解決手段】流入させた流体に化学反応を行わせる微小流路を有するマイクロチップにおいて、微小流路を有し、この微小流路の両端に流体の流入口及び流体の流出口が形成され、複数のピラーが一列に並んで形成される第1及び第2のピラー部が前記微小流路の両端近傍にそれぞれ流体の流れる方向に垂直に形成される基板と前記微小流路内であって前記第1のピラー部と前記第2のピラー部との間の領域に充填される触媒とを備える。【選択図】図1
246 2008-132543 H181127 シャープ株式会社 樹脂基板へのパターン形成方法及びこの方法を用いたマイクロ流路デバイスの製造方法 A4 DC01 PJ02

【課題】短時間で歩留まりよく、高精度のマイクロ流路デバイスを作製する方法を提供する。【解決手段】一枚の熱可塑性樹脂基板に転写するパターンを複数のパターン要素に分割し、それぞれのパターン要素ごとにモールドを用意し、ガラス転移温度以上に加熱した前記熱可塑性樹脂基板に対して、前記複数のモールドを互いに離間させた状態で同時に押圧し、しかる後に前記熱可塑性樹脂基板と前記複数のモールドを同時に冷却することにより、熱可塑性樹脂基板にパターンを転写する樹脂基板へのパターン形成方法。【選択図】図1
247 2008-132574 H181129 並木精密宝石株式会社 国立大学法人 東京大学 マイクロマニピュレータ A4 PJ05

【課題】先端で微細加工が可能なマイクロマニピュレータを提供する。【解決手段】アームホルダ2に保持されるアーム3と、前記アーム3の先端に備えられたモータホルダ4と、前記モータホルダ4に固定された小型モータ5と、から構成され、前記小型モータ5の出力軸6はダイヤモンドで形成され、その先端にレーザ加工を行い、ドリル刃7を形成することにより、穴あけや切削等の微細加工が可能となり、また、ドリル刃の芯出し精度を考慮する必要が無くなり、より高精度な加工が可能となる。【選択図】図1
248 2008-132577 H181129 ソニー株式会社 電気機械素子、電子機器及びプロジェクター A4 DC01 DCX

【課題】2つの相対する面の間に空間層を有する電気機械素子において、支持部で支えられた梁(ビーム)の面の高さのばらつきが低減された信頼性の高い電気機械素子、その電気機械素子を備えた電子機器及びプロジェクターを提供すること。【解決手段】電気機械素子30は、基板33上に、空間を挟んで対向する梁35と、梁35を長軸方向の端部で支持する支持部41とを備え、支持部41は、梁35の短軸方向に複数本設けられる。【選択図】図1
249 2008-132583 H190713 セイコーエプソン株式会社 MEMSデバイス A2 PI01

【課題】MEMS構造体と半導体基板との間の寄生容量を低減させるMEMSデバイスを提供する。【解決手段】半導体基板10上に絶縁層を介して形成された固定電極20と可動電極26とを有するMEMS構造体30が備えられたMEMSデバイス1であって、固定電極20の下方の半導体基板10にウェル13が形成されており、固定電極20に正の電圧が印加されウェル13がp型ウェルである。そして、ウェル13が空乏状態となるようにウェル13には電圧が印加されている。この電圧はウェル13が空乏状態を維持する電圧となっている。【選択図】図1
250 2008-132585 H190720 コミサリア、ア、レネルジ、アトミク 相互接続されたナノワイヤに基づくナノ構造体の製造方法、ナノ構造体及び熱電コンバータとしての利用 A1 DDX

【課題】n型及びp型のナノワイヤを個別に相互接続する方法を提供する。【解決手段】ナノ構造体は、それぞれn型及びp型の半導体材料からなる2つのナノワイヤのアレイを備える。第1のアレイのナノワイヤ7は、例えばn型であり、例えばVLS成長によって形成される。成長ステップのあいだ触媒として作用する、導電材料のドロップレット6は、成長の最後に、前記第1のアレイの各ナノワイヤ7の先端に残存する。次いで、第2のアレイのナノワイヤ9が、前記第1のアレイの各ナノワイヤ7の周囲に形成された絶縁材料層10及び付随するドロップレット6を、p型の半導体材料層で覆うことによって、前記第1のアレイの各ナノワイヤ7の周囲に形成される。これによって、ドロップレット6は、前記第1のアレイのナノワイヤ7と、前記第2のアレイの単一の同軸のナノワイヤ9とを自動的に接続する。【選択図】図2
251 2008-132587 H190806 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド ウェハレベル真空パッケージデバイスの製造方法 A4 PHX

【課題】ハウジング内に基板とMEMSデバイスを取り付けたパッケージを低コストで提供する。【解決手段】1又はそれ以上の微小電子機械システム(MEMS)デバイスを備えたデバイス層は、第1の表面が第1のウェハにボンディングされる。第1のウエハは導電のための1またはそれ以上のシリコンピン32を有し、シリコンピンとデバイス層を電気的に接続する。同様に1又はそれ以上のシリコンピンを有する第2のウェハが、デバイス層の第1の表面の反対面である第2の表面にボンディングされる。第1及び第2のウェハは、ホウケイ酸ガラスから作られており、デバイス層はシリコンからできている。【選択図】図2K
252 2008-134635 H191120 スペイシャル フォトニックス, インコーポレイテッド マイクロミラーの簡略化された製造プロセス A4 DA04 PI02

【課題】マイクロミラーの簡略化された製造方法、ならびに簡略化された製造方法によって製造されたマイクロミラーを提供すること。【解決手段】基板150によって支持されているヒンジ接続支柱122aであって、ヒンジ接続支柱は、底層312、およびヒンジ接続支柱の中央においてキャビティ125aを取り囲んでいる側面層315を含んでいる、ヒンジ接続支柱と、ヒンジ接続支柱の側面層に接続されたヒンジコンポーネント120aと、ヒンジコンポーネントの回りで傾斜するように構成されたミラープレートとを備えている、マイクロミラー。【選択図】図22
253 2008-134643 H191207 富士通株式会社 マイクロ揺動素子 A4 DA04 DD01 DD02

【課題】揺動部の揺動動作のための駆動力を確保しつつ小型化を図るのに適したマイクロ揺動素子を提供する。【解決手段】本発明のマイクロ揺動素子X1は、揺動部10、フレーム21、および捩れ連結部22を備える。揺動部10は、可動機能部11と、可動機能部11から延出するアーム部12と、アーム部12の延び方向と交差する方向にアーム部12から各々が延出し且つ当該延び方向に互いに離隔する複数の電極歯13a,13bからなる櫛歯電極13A,13Bとを有する。捩れ連結部22は、揺動部10とフレーム21を連結し、揺動部10の揺動動作の、アーム部12の延び方向と交差する揺動軸心A1を規定する。また、本素子X1は、フレーム21から各々が延出し且つアーム部12の延び方向に互いに離隔する複数の電極歯23a,23bからなる、櫛歯電極13A,13Bと協働して揺動動作の駆動力を発生させるための櫛歯電極23A,23Bを更に備える。【選択図】図1
254 2008-135594 H181129 京セラ株式会社 微小電子機械部品封止用基板及び複数個取り形態の微小電子機械部品封止用基板、並びに微小電子機械装置及び微小電子機械装置の製造方法 A4 PHX

【課題】搭載される電子部品の実装熱履歴による残留応力、及びそれらの電子部品から発生する熱により微小電子機械機構に歪や応力が加わることを防止することができるとともに、薄型化を実現することができる微小電子機械部品封止用基板を提供する。【解決手段】半導体基板と該半導体基板の主面に形成される微小電子機械機構と該微小電子機械機構に電気的に接続される第1電極とを有する微小電子機械部品の微小電子機械機構を気密封止するとともに、第1電極に電気的に接続される第2電極を有する電子部品を搭載する微小電子機械部品封止用基板であって、絶縁基板の第1主面は、半導体基板の主面に接合される第1領域と電子部品が搭載される第2領域とを有し、絶縁基板の内部に形成された配線導体は、第1主面における第1領域に導出され第1電極に電気的に接続される一端と、第1主面における第2領域に導出され第2電極に電気的に接続される他端とを備える。【選択図】図1
255 2008-135690 H190604 株式会社デンソー 半導体力学量センサおよびその製造方法 A4 DD01 DD02 PHX

【課題】キャップを薄型化できるようにすることにより、半導体力学量センサの薄型化が図れるようにでき、かつ、真空度の維持も容易に行えるようにする。【解決手段】SOI基板1を用い、SOI基板1をセンサウェハ11に貼り合わせてから単結晶シリコン基台2および埋め込み酸化膜4を除去し、単結晶シリコン層3がキャップ層となるようにする。つまり、最初から薄膜のキャップ層を用意してセンサウェハ11に貼り合わせるのではなく、貼り合わせるときまでは厚いSOI基板1にてウェハ状態を保ちつつ、貼り合わせ後にそれを薄膜化する。これにより、キャップ層を最初から薄膜とした場合のように、割れ等を防いでウェハ状態を保つために、キャップ層をある程度の厚みにしておく必要がない。また、キャップ層をポリイミド樹脂フィルムで構成する場合のように撓んで真空度の維持が困難になるなどの問題も発生しない。【選択図】図1
256 2008-137123 H181204 セイコーエプソン株式会社 マイクロマシンの製造方法及びマイクロマシン A4 DB02 DB04 PI02

【課題】製造プロセス及び製造コストを低減した上で、高精度に形成することができるマイクロマシンの製造方法及びマイクロマシンを提供する。【解決手段】基板1上に機能素子50が離間配置されたマイクロマシンの製造方法であって、基板1上に第一薄膜20を形成する工程と、第一薄膜20上に第二薄膜30を形成する工程と、第二薄膜30上に機能素子50を形成する工程と、第一薄膜20と第二薄膜30との間で選択比を有するエッチャントにより、機能素子50下層の第一薄膜20をエッチングすることで、基板1上に機能素子50を離間配置する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図3
257 2008-137139 H181205 株式会社東芝 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 微小電気機械式装置及びその製造方法 A4 DB01 DD01 DD03 PHX PI02

【課題】信頼性に優れた微小電気機械式装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板2上に形成された微小電気機械式構造体3と、前記微小電気機械式構造体3を取り囲むように基板2上に形成された枠部材4と、前記枠部材4を覆い、前記微小電気機械式構造体3との間に空洞5を形成する空洞形成膜6と、前記空洞形成膜6上に積層され、微小電気機械式構造体3を空洞5内に封止する封止層7とを具備する。【選択図】図1
258 2008-139486 H181130 ソニー株式会社 電気機械装置組立体、光変調装置組立体及び画像生成装置 A4 DA01 DAX

【課題】高集積の配線構造を有する電気機械装置組立体、光変調装置組立体、及びこられを用いた高解像度を実現できる画像生成装置を提供する。【解決手段】1次元型の光変調装置13と、光変調装置13を変調する駆動部16と、これらを支持する支持部材25とを有する光変調装置組立体43において、光変調装置13と駆動部16とを接続する配線が、前記支持部材25の内部の配線回路を介して結線される。【選択図】図2
259 2008-141208 H191213 三星電機株式会社 フリップチップボンディング技術を用いる半導体パッケージおよびパッケージング方法 A4 DA04 PH04

【課題】フリップチップボンディング方式により、光変調器の多数のマイクロミラーを外部から密閉して保護するためのパッケージおよびパッケージング方法を提供する。【解決手段】電極アレイおよび前記電極アレイに接続されたマイクロアレイが形成されたマイクロ素子205と、中央に開口部が形成され、前記電極アレイのそれぞれに接続される第1サブ基板電極アレイおよび前記第1サブ基板電極アレイのそれぞれに接続された第2サブ基板電極アレイが形成され、前記マイクロ素子に固定されるサブ基板と、前記マイクロアレイの周囲に設けられ、前記マイクロ素子と前記サブ基板を粘着させるシール材206と、前記サブ基板211の開口部を覆い、前記マイクロアレイを密閉させるように、前記サブ基板に接着されるカバーガラス202とを含んでなることを特徴とする。【選択図】図5c
260 2008-142578 H181205 株式会社スズキプレシオン マイクロチップ及びその製造方法 A4 DC01

【課題】高品質で効率性及び経済性に優れた高機能化・多機能化のために任意な平面パターンの一層微細な溝からなる流路が緻密に高集積化され積層されるマイクロチップ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のマイクロチップは、複数の基板2が積層され相互に接合された積層体1と、積層体1の基板2に相互に連通するように形成され所定位置に配置された適宜数量の流入口3、4及び流出口5と、各基板2の接合面に相互に対向して鏡面対称状に形成され、流入口3、4と流出口5とを繋ぐ所定の平面パターンの微細溝からなる片面流路10a、10bが、各基板2の接合により突き合わされて構成された閉断面流路10とを備え、前記積層体1には、各基板2の接合時に対向する片面流路10a、10bの正確な位置合せを行なう位置決め機構が設けられている。【選択図】図1
261 2008-143068 H181212 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法及び液滴吐出ヘッドの製造方法 A4 DCX PB01 PB03

【課題】段差構造など異なる深さの凹部を有する構造を形成する場合に、工程数を増やすことなく精度の高いパターン形成を行う。【解決手段】基板10上のレジスト膜12をパターニングして第1の開口部13aと、第1の開口部13aより開口幅が狭い複数の第2の開口部13bを形成する。次に垂直異方性エッチングを行い、第1の開口部13aに第1の凹部14aを形成すると共に、第2の開口部13bのそれぞれに対応して複数の凹部14bを形成する。次に等方性エッチングを行い、複数の第2の開口部13bに形成された複数の凹部14bの側壁を除去し、第2の凹部17を形成する。第1の開口部13aの開口幅と第2の開口部13bの開口幅は、第1の開口部13aが第1の凹部14aの深さに達する間に、複数の第2の開口部13bが第2の凹部17の深さに達するエッチングレート差が生じるように設定される。【選択図】図1
262 2008-145320 H181212 コニカミノルタエムジー株式会社 マイクロチップ検査装置 A4 DC01 DC02 DC03

【課題】ユーザが容易にメンテナンスを行うことが可能で、かつ、気泡やゴミなどが入り込まないような流路系構造としたマイクロチップ検査装置を提供すること。【解決手段】装置本体に対してポンプカートリッジが着脱可能な構造となっているので、ポンプカートリッジ部を交換することによりマイクロポンプの交換や、駆動液の補充をユーザが容易に行え、かつ装置本体にダメージを与えることがない。また、交換作業中にマイクロポンプ内に気泡やゴミなどが侵入して、マイクロポンプが正確な送液を行うことができなくなったり、送液自体行うことができなくなってしまうことがない。【選択図】図1
263 2008-145506 H181206 独立行政法人国立高等専門学校機構 国立大学法人東北大学 株式会社メムス・コア 圧電素子による光学素子とその作成方法 A4 DA01 DAX

【課題】酸化亜鉛(ZnO)により、片持ち梁構造圧電素子を作成し、作成した片持ち梁構造圧電素子により、光の分波器を構成する【解決手段】Ge層120を犠牲層として、過酸化水素水をエッチング液として用いて片持ち梁構造とする(a,b)。n型ZnO層(低抵抗層)140−ZnO層(圧電導膜)150−n型ZnO層(低抵抗層)160を圧電素子として形成する(c,d)。形成した圧電素子部分を印加電圧により変形し、犠牲層が除去された部分の多重反射による干渉により波長選択性を持たせて、反射光を出力とする光分波器を作製する(e)。【選択図】図2
264 2008-145542 H181206 セイコーエプソン株式会社 光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置 A4 DA02

【課題】低コスト化および小型化を図りつつ、可動板を大きな振れ角でかつ円滑に回動させることができる光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明の光学デバイス1は、可動板22の板面に略平行でかつ可動板22の回動中心軸Xに対し略直角な方向に延在する長手形状をなし、その一端部251、261が支持部材21に固定され、その固定部近傍に回動中心軸Xを位置させるように各軸部材23、24に連結された弾性変形可能な1対の変形部材25、26と、各変形部材25、26の長手方向に略平行な方向に伸縮することにより、各変形部材25、26を曲げ変形させる1対の圧電素子31、32とを備え、通電により圧電素子31、32が変形部材25、26を曲げ変形させることにより、各軸部材23、24に捩りモーメントを与え、可動板22を回動させるように構成されている。【選択図】図1
265 2008-145543 H181206 セイコーエプソン株式会社 光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置 A4 DA02

【課題】低コスト化および小型化を図りつつ、可動板を大きな振れ角でかつ円滑に回動させることができる光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明の光学デバイス1は、各軸部材23、24を支持する1対の駆動部材25、26と、支持部材21と駆動部材25、26の一端部とを連結した弾性変形可能な1対の第1の変形部材27、28と、長手形状をなし、その一端部が前記支持部材21に固定され、他端部が前記駆動部材25の他端部とを連結した弾性変形可能な1対の第2の変形部材29、30と、各第2の変形部材29、30上に接合されその長手方向に伸縮する1対の圧電素子31、32とを備え、これらが平面視にて可動板22の中心に対して実質的に点対称となるように設けられている。【選択図】図1
266 2008-145544 H181206 セイコーエプソン株式会社 光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置 A4 DA02

【課題】低コスト化および小型化を図りつつ、可動板を大きな振れ角でかつ円滑に回動させることができる光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明の光学デバイス1は、可動板22の板面に略平行で可動板22の回動中心軸Xに対し略直角な方向に延在する長手形状をなし、その一端部が支持部材21に固定され、その固定部近傍に回動中心軸Xを位置させるように各軸部材23、24に連結された弾性変形可能な1対の第1の変形部材25、26と、回動中心軸Xに略平行な方向に延在する長手形状をなし、その一端部が支持部材21に固定され、他端部が各第1の変形部材25、26の他端部に連結された弾性変形可能な1対の第2の変形部材27、28と、各第2の変形部材27、28上に接合され、各第2の変形部材27、28の長手方向に略平行な方向に伸縮する1対の圧電素子31、32を備える。【選択図】図1
267 2008-145545 H181206 セイコーエプソン株式会社 光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置 A4 DA02

【課題】低コスト化および小型化を図りつつ、可動板を大きな振れ角でかつ円滑に回動させることができる光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明の光学デバイス1は、可動板22の板面に平行でかつ回動中心軸Xに対し略直角な方向に延在する長手形状をなし、その一端部近傍に回動中心軸Xを位置させるように軸部材23を支持する駆動部材25と、回動中心軸Xに平行な方向に延在する長手形状をなし、その一端が支持部材21に固定され、他端が駆動部材25の一端部251に連結された弾性変形可能な第1の変形部材27と、長手形状をなし、その一端部が支持部材21に固定され、他端部が駆動部材25の他端部252に連結された弾性変形可能な第2の変形部材29と、第2の変形部材29上に接合され、第2の変形部材29の長手方向に伸縮する圧電素子31とを備える。【選択図】図1
268 2008-145839 H181212 コニカミノルタホールディングス株式会社 光スキャナ装置 A4 DA02

【課題】振動特性を変化させるための可変デバイスに関する配置設計の自由度を向上できる光スキャナ装置を提供する。【解決手段】光スキャナ1は、ミラー部11と、ミラー部11に連結するトーションバー12a、12bと、トーションバー12a、12bに連結する加振部2とを備えている。この加振部2は、加振用の第1圧電素子31〜34と、加振部2のバネ定数(振動特性)を変化させるためのバネ定数可変用の第2圧電素子41〜44とを有している。ここで、第1圧電素子31〜34に駆動電圧を印加してミラー部11を揺動振動させる際には、第2圧電素子41〜44に制御電圧を印加することで光スキャナ1の振動系の共振周波数を変更できる。このような光スキャナ1では、設置スペースの制約が少ない加振部2に第2圧電素子41〜44を設置できるため、第2圧電素子に関する配置設計の自由度が向上できる。【選択図】図1
269 2008-145859 H181212 日本電信電話株式会社 光スイッチ制御方法および装置 A4 DA01

【課題】光スイッチの各出力ポートの出力光強度に異常な強度変化が現れる前に、光スイッチの故障を的確に検出する。【解決手段】複数の入出力ポート間で、任意の入力ポートから入力した光ビームを複数のミラーによって連続的に反射させ、任意の出力ポートに出力する光スイッチに適用され、光パスを接続する複数のミラーの角度を設定する印加電圧、および各出力ポートにおける出力光強度の安定化に用いる印加電圧を制御する光スイッチ制御装置において、ミラーの印加電圧をモニタする印加電圧モニタ手段と、ミラーの印加電圧と出力ポートの出力光強度を入力し、印加電圧と出力光強度の関係およびそれぞれの正常値との比較による評価を行い、異常箇所の組み合わせに応じた故障の状態を判断する故障診断部とを備える。【選択図】図1
270 2008-146939 H181207 富士通株式会社 マイクロスイッチング素子 A4 DB01

【課題】駆動電圧の低減を図るのに適したマイクロスイッチング素子を提供する。【解決手段】本発明の素子X1は、固定部11と、固定部11に固定された固定端を有して延びる可動部12と、接触部13a’,13b’を有するコンタクト電極13と、コンタクト電極13の接触部13a’に対向する接触部14a’を有し且つ固定部11に接合しているコンタクト電極14Aと、コンタクト電極13の接触部13b’に対向する接触部14b’を有し且つ固定部11に接合しているコンタクト電極14Bと、可動部12上に駆動力発生領域を有する駆動機構とを備える。接触部13a’,14a’間の距離は、接触部13b’,14b’間の距離より小さい。駆動力発生領域の重心は、コンタクト電極13における接触部13a’よりも接触部13b’に近い。【選択図】図3
271 2008-146940 H181207 富士通株式会社 マイクロスイッチング素子およびマイクロスイッチング素子製造方法 A4 DA01

【課題】駆動電圧を低減するのに適したマイクロスイッチング素子を提供する。【解決手段】本発明のマイクロスイッチング素子X1は、ベース基板S1と、固定部11と、固定部11に固定された固定端12aを有してベース基板S1に沿って延びる可動部12と、可動部12上に設けられた可動コンタクト電極13と、可動コンタクト電極13に対向する部位を各々が有し且つ各々が固定部11に接合している一対の固定コンタクト電極14と、可動部12上にて可動コンタクト電極13および固定端12aの間に設けられた可動駆動電極15と、可動駆動電極15に対向する部位を含む高架部16Aを有し且つ固定部11に接合している固定駆動電極16とを備える。高架部16Aは、可動駆動電極15側に、複数の段16a’からなる段々形状16aを有し、段々形状16aの各段16a’は、可動コンタクト電極13から遠い段16a’ほどベース基板S1に近い。【選択図】図5
272 2008-147707 H200228 アイディーシー、エルエルシー RFデバイス A4 DB04 DB05

【課題】選択可能なキャパシタンスを有するRFデバイス提供すること。【解決手段】RFデバイスであって、RF信号を搬送するための第1の導体と、前記第1の導体から所定の間隔をもたせて配置された変形可能膜であって、前記RF信号を選択的にフィルタリングするように構成されておりさらに前記RF信号を選択的にフィルタリングするための少なくとも3つの個別の作動可能な位置を有する変形可能膜と、を具備する。【選択図】図7D
273 2008-500189 H170416 フォルシュングスツェントルム カールスルーエ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 幾何学的に異方性のナノ粒子に基づくアクチュエータ A1 DFX MI04
WO2005/115910 電解質の中に少なくとも1つの活性電極及び少なくとも1つの対向電極を有するアクチュエータであって、活性電極は少なくとも2つのウェブ(3)に直交して取り付けられたかつ優先方向に単一方向に配向された多数の幾何学的な異方性ナノ粒子(2)を有する導電性材料から成る少なくとも2つのウェブ(3)を含み、ナノ粒子とウェブとの間には導電性接続が存在し、電極及び対向電極には電圧又は電流源(12)を介して電位差が印加可能である。本発明の課題は、アクチュエータをより高いアクチュエータ力及び振幅周波数に関して改善することである。上記課題はナノチューブが両側でそれぞれウェブに接続され、この接続が素材結合であることによって解決される。
274 2008-500564 H170420 アイディーシー、エルエルシー 微細機械加工されたデバイスの電気機械的動きの変更 A4 PHX
WO2005/110914 デバイスは、第1の表面をもつ。第2の表面は、パッケージを形成するために、第1の表面からオフセットしている。少なくとも1つの可動素子は、パッケージ内において、別の表面に接触する可動表面をもっている。環境制御物質は、パッケージ内部に含められ、可動素子の動作に影響を与える。【選択図】図4
275 2008-500585 H170527 ステレオ ディスプレイ,インコーポレイテッド アングストローム,インコーポレイテッド 可変焦点距離レンズ A3 DA04
WO2005/119331 マイクロミラーアレイレンズは、2つの自由回転と1つの自由平行移動とを行う、複数のマイクロミラー13と、駆動部分とから構成されている。上記マイクロミラーのアレイは、対象の1つのポイントから散光している全ての光が、同じ周期的な位相を有するように、また、画面の1つのポイントに収束するようにすることができる。上記駆動部分は、静電気的におよび/または電磁気的に、上記マイクロミラーの位置を制御する。上記マイクロミラーアレイレンズの光学効率は、上記マイクロミラーを支持する機械的構造と上記駆動部分とを上記マイクロミラーの下に配置することにより、改善される。半導体マイクロエレクトロニクス技術は、電極パッドおよびワイヤによる有効反射領域の損失を取り除くことができる。上記レンズは、各マイクロミラーを独立に制御することにより、収差を補正することができる。各マイクロミラーの独立した制御は、公知の半導体マイクロエレクトロニクス技術によって達成することができる。上記マイクロミラーアレイは、所望の任意の形状および/またはサイズのレンズを形成することができる。
276 2008-501148 H170527 ステレオ ディスプレイ,インコーポレイテッド アングストローム,インコーポレイテッド マイクロミラーアレイレンズのアレイ A4 DA04 DAX
WO2005/119332 本発明は、マイクロミラーアレイレンズのアレイに関するものである。マイクロミラーアレイレンズは、複数のマイクロミラーと駆動部分とから構成されている。各マイクロミラーアレイレンズは、高速での焦点距離変更が可能な可変焦点距離レンズである。上記レンズは、所望の任意のサイズおよび/または型を有するとともに、所望の任意の光軸を有し、さらに、各マイクロミラーを独立に制御することにより収差を補正することができる。各マイクロミラーの独立した制御は、公知のマイクロエレクトロニクス技術によって可能である。上記駆動部分は、静電気的におよび/または電磁気的に、上記マイクロミラーの位置を制御する。上記マイクロミラーアレイレンズの光学効率は、上記マイクロミラーを支持する機械的構造と上記駆動部分とを上記マイクロミラーの下に配置することにより、改善される。公知のマイクロエレクトロニクス技術は、電極パッドおよびワイヤによる有効反射領域の損失を取り除くことができる。
277 2008-501517 H170609 コーニング インコーポレイテッド 混合および圧力降下を最適化するための微小構造設計 A4 DC01 DC03 DCX
WO2005/120690 マイクロリアクタ内のミキサのための一群の設計であって、その設計の原理が、少なくとも2つの流体が、最初に上流で接触する連続流路内の少なくとも1つの注入区域(410)および流路内に一連のミキサ要素(430)を収容する効果的な混合区域(すなわち、適切な流体の流動および最適な圧力降下)を含む設計が提供される。各ミキサ要素に、障害物(450)が配置されている(それによって、チャンバの典型的な内寸が減少している)各端部にあるチャンバおよびチャンネル区域内の随意的な制限要素(460)が設計されることが好ましい。これらの障害物は、円柱体であることが好ましいが、ある寸法範囲内で任意の形状を有していて差し支えなく、所望の流量、混合および圧力降下を提供するために、流路に沿って並列または直列になっていてもよい。注入区域は、二つ以上の界面を有していてもよく、また混合前に流体を調節するための1つ以上のコアを含んでいてもよい。
278 2008-501535 H170428 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 複数の空洞を備えた微細構造の構成要素及び該構成要素の製造のための方法 A4 DD01 DD02 PG01
WO2005/118463 本発明は、複数の空洞を備えた微細構造の構成要素に関し、この場合に空洞は微細構造の構成部分及びキャップによって画成されており、空洞内に互いに異なる気圧を形成してある。さらに本発明は、複数の空洞を備えた構成要素の製造のための方法に関し、空洞は微細構造の構成部分及びキャップによって画成されている。この場合に、微細構造の構成部分とキャップとは所定の第1の気圧の下で互いに気密に結合される。次いで少なくとも1つの空洞への通路を形成し、次いで該通路は所定の第2の気圧の下で気密に閉鎖される。
279 2008-501934 H170509 ザ エアロスペース コーポレーション 分離可能な操作モジュールおよび流体保持モジュールを有するマイクロ流体装置 A4 DC01 DC03
WO2005/111435 流体輸送/封じ込め装置は、流体保持モジュールおよび操作モジュールを有する。この流体保持モジュールは、サブストレートと、このサブストレートに分散させた流体輸送/封じ込め素子とを有し、この流体輸送/封じ込め素子のうちの1個またはそれ以上の流体輸送/封じ込め素子は、マイクロ流体寸法を有する。操作モジュールは、操作素子が流体輸送/封じ込め素子と接触して作用インタフェース(境界面)を生ずるように、流体保持モジュールに着脱可能に固定する。
280 2008-502143 H170524 トラスティーズ オブ ボストン ユニバーシティ 制御可能なナノメカニカルメモリ素子 A1 DBX
WO2006/076037 メモリ装置は、区別可能な双安定状態を振幅変調下で呈するメカニカル素子を備える。これらの状態は、所定周波数の駆動信号の適用によって、動的に双安定性となるか多安定性となる。ヒステリシス効果に関連した素子の固有共振は、区別可能な複数の状態を特定の周波数範囲に亘って生じる。共通コンタクト上に設けられた異なる周波数範囲に対応する多様な素子を持つ複数の装置は、改良された密度で形成される。これらの装置は、起磁式、容量式、圧電式及び/又は光学式方法によって励起され、そして読み取られる。これらの装置は、平面方位付けされるか面外方位付けされて、3次元メモリ構造を可能にする。DCバイアスが、周波数応答をシフトして、素子の状態を弁別するための代替法を可能にすることに使用される。【選択図】図4
281 2008-502462 H170509 イー2ブイ バイオセンサーズ リミティド マイクロ流体デバイス用の弁 A4 DC02
WO2005/107947 マイクロ流体デバイスにおいて流体の流れを制御するための弁が提供される。弁は基板24上に形成されたチャンバ26と加熱コイル42とチャンバ26内に収容された弁材料30とを具備する。弁が閉じられるとき、加熱コイルが作動されて、弁材料をチャンバから外へ、ネック部28を通って主流路22内へ膨張させてそれを閉塞させる。好適には、弁材料はパラフィンワックスであり、また加熱コイル42によって溶融を引き起こされる。溶融するとき、溶融されたパラフィンワックスは主流路内に流れ込み、そこでそれは冷えて再凝固する。カラー36を有する狭窄部34が冷却表面を備え、その冷却表面上に凝固するワックスが堆積する。
282 2008-502882 H170606 ユニベールシテ・デ・スジャンス・エ・テクノロジー・ドゥ・リル サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・レシェルシュ・サイエンティフィーク−セ・エン・エール・エス− 生化学的分析のために液滴を扱う装置、前記装置を製造する方法及びマイクロ流体分析 A4 DC01 DEX MEX
WO2006/003293 本発明の第1の課題は、エレクトロウェッティング平面による移動における液滴の取り扱いに関する装置であって、少なくとも一つの移動経路を含む。経路は、その表面上に二つ以上の交互嵌合導電性電極を配置する電気的に絶縁性の基板を含む。これらの電極は、電気的に絶縁性の層によって覆われ、それ自身は部分的に濡れ性の層で覆われる。
283 2008-503075 H170520 キャベンディッシュ−キネティックス・ベスローテン・フェンノートシャップ 微小機械素子を制御するための装置及び方法 A4 DBX MD01 MD03 MD09 MD10 MDX
WO2005/124803 本発明は、回路のための不揮発性メモリ装置を制御するための装置に関するものである。この装置は、基板に結合された微小機械素子を備えている。この微小機械素子は、基板の上に配置された偏向手段に対応して、1つの安定した状態又は複数の安定した状態の間で微小機械素子の移動を制御する。さらに、本発明は、不揮発性メモリ装置を制御するための方法に関するものでもある。この方法は、1つの安定した状態又は複数の安定した状態の間で微小機械素子を移動させるための偏向手段に対して、1つ又は複数の信号を印加する過程を含んでいる。本発明の有効性を高めるために、さらに不揮発性メモリ装置で用いるための短絡回路が設けられている。
284 2008-503772 H170615 ステレオ ディスプレイ,インコーポレイテッド アングストローム,インコーポレイテッド 多段階位置を有するディスクリート制御マイクロミラー A4 DA04
WO2006/009689 本発明は、静電気を用いた従来のマイクロミラーの欠点を克服した、2種類のディスクリート制御マイクロミラー(DCM)を提供する。第1の類型のマイクロミラーは、静電気による従来のマイクロミラーよりも変位範囲の大きい可変支持ディスクリート制御マイクロミラー(VSDCM)である。VSDCMの変位の正確性は、静電気による従来のマイクロミラーよりも好適であり、かつ動作電圧はIC構成部品に適応している。DCMの第2の類型は、セグメント電極ディスクリート制御マイクロミラー(SEDCM)であり、静電気による従来のマイクロミラーと同様の欠点を有している。しかし、SEDCMは、公知のマイクロ電子工学技術に適応される。
285 2008-504549 H170629 コミツサリア タ レネルジー アトミーク MEMSに関してのまたは小型封入デバイスに関しての密封試験 A4 PI02 CA01
WO2006/008412 本発明は、MEMSまたは封入された小型デバイスに関しての密封性試験方法に関するものであって、MEMSまたは小型デバイスは、支持体のキャビティ内に収容されている。キャビティは、シール手段によってシールされているとともに、外部媒体の圧力に対して曝された際になるであろう密度とは異なる密度でもってガスを含有している。本発明による方法においては、キャビティ内に含有されているガスの密度を測定する。
286 2008-504574 H170624 コーネル リサーチ ファンデーション インク. ファイバー状の複合材料ベースのMEMS光スキャナー A4 DA02 DA04 MB03 MD01 MIX
WO2006/002388 MEMSは、基質材を使用しないでファイバーから作られる。装置は、ファイバーが基板のエッジに取り付けられる場所にのみ作ることが出来る(例えば、カンチレバー、ブリッジ)。動きは、弱い結合を有する複数のファイバー間の結合を調整することによって制御可能である(例えば、基礎部、先端、その中間)。駆動機構は、基礎部の加重(磁気、圧電、静電気)または先端の加重(磁気)を含む。光スキャナーを形成するために、ミラーがカンチレバーの自由端に形成される。【選択図】図27B、図30
287 2008-504771 H170629 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 変形量が大きな複合型微小共振器 A4 DB02 PI02
WO2006/013301 本発明は、電気的機械的共振器に関するものであって、振動ボディ(4)と、少なくとも1つの励起電極(14,16)と、少なくとも1つの検出電極(10,12)と、を具備してなる共振器において、振動ボディが、第1ヤング率を有した第1材料から形成された第1部分(20)と、第1ヤング率よりも小さな第2ヤング率を有した第2材料から形成された第2部分(22)と、を備え、この第2部分が、少なくとも部分的に、検出電極(10,12)に対向して配置されていることを特徴としている。
288 2008-504975 H170623 ウナクシス ユーエスエイ、インコーポレイテッド 時分割多重化エッチング処理時にアスペクト比に依存するエッチングを低減する方法と装置 A4 PB02
WO2006/012297 本発明は、析出処理とエッチング処理とを交互に行うことで半導体基板にプラズマ・エッチングにより深いトレンチを形成する場合に観察されるアスペクト比依存エッチングを低減するための方法および装置を提供する。基板上の異なる寸法の複数形状特徴が、交互の析出・エッチング処理中にリアルタイムでモニタされる。次いで、モニタからの情報に基づき、少なくとも1処理パラメータが、交互の析出・エッチング処理中に調節されることで、基板上の、寸法の異なる少なくとも2形状特徴のエッチング深さが等しくされる。
289 2008-505044 H170328 フォスター−ミラー,インコーポレーテッド 電解析出によって製造されたカーボンナノチューブに基づく電子デバイス及びその応用 A1 DDX DEX MI04
WO2005/094298 電解析出により製造されたカーボンナノチューブに基づくデバイス及びその応用が提供される。デバイスは少なくとも1つのマイクロエレクトロニクス基板に堆積されたアクティブなカーボンナノチューブ接合アレイを少なくとも1つ有する。デバイスは基板、基板に配置され電源に接続された少なくとも1対の電極、及び少なくとも1対の電極間に配置された、半導電性カーボンナノチューブから本質的に構成されたカーボンナノチューブの束を有する。半導電性デバイスは2つの電極間でのカーボンナノチューブの電着により形成されてもよい。また、半導電性デバイスを形成する方法は、カーボンナノチューブロープにバイアス電圧を印加することによる。複数の金属性単層カーボンナノチューブは半導電性デバイスの形成に十分な量だけ(例えば、バイアス電圧の印加により)除去される。デバイスは、化学的又は生物学的センサ、カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNFET)、トンネル接合、ショットキー接合、及び多次元ナノチューブアレイを含む。
290 2008-505315 H170617 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 水平に向けられた駆動電極を有するMEMSジャイロスコープ A4 DD02
WO2006/012104 MEMSジャイロスコープのレートバイアス誤差及びスケールファクタ誤差を減らすデバイス及び方法を開示する。本発明の例示的実施形態によるMEMSアクチュエータデバイスには、1つ又は複数の水平駆動電極(92、94、96、98、140)を含む少なくとも1つの基板(68、70)と、1つ又は複数の水平駆動電極(92、94、96、98、140)から垂直に間隔をあけられ、これに隣接する可動電極(64、66)とを含めることができる。水平駆動電極(92、94、96、98、140)及び/又は可動電極(64、66)は、デバイスの感知軸(72)の方向での可動電極(64、66)の変位から生じるレートバイアス誤差及びスケールファクタ誤差をなくすか減らすように構成することができる。
291 2008-505768 H170408 インテル・コーポレーション MEMSパッケージ用に低温で形成される、耐熱性を有する気密封止部 A4 PG04 MD13
WO2005/108283 【課題】MEMSパッケージ用に低温で形成される、耐熱性を有する気密封止部を提供する。【解決手段】マイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)のように気密封止されるデバイスの中には、処理温度が高いとそれに影響されてしまうものもある。しかし封止部は、例えばデバイス動作中などに接する可能性がある高温に対して耐性を有していなければならない。気密封止部の形成は、低融点(LMP)成分(例えばインジウム(In)やスズ(Sn)など)と高融点(HMP)成分(例えば金(Au)、銀(Ag)または銅(Cu)など)を含有するハンダ混合物に基づいて行う、フラックスを用いないハンダ付けによって行うとしてもよい。LMP/HMP比は、HMP成分が多くなるように設定される。接合処理および熱アニ−ル処理を完了すると、LMP成分は基本的になくなって、成分元素であるHMP/LMP成分の処理温度よりも高い融点を持つ金属間化合物(IMC)になる。【選択図】図5
292 2008-505770 H170517 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション MEMS中の部品の位置決め精度を改善するための方法 A4 PG04 MD13
WO2006/005643 【課題】製造時のMEMS部品の位置決め精度を改善するための方法を提供する。【解決手段】製造時のMEMS部品の位置決め精度を改善するための方法を開示する。本発明によれば、MEMS部品の少なくとも一つは、球体またはベアリングを中心に置き、好ましくは温度散逸材料で一時的に固定する空洞を備える。MEMS部品が球体またはベアリングと接触しているとき、温度散逸材料を蒸発させ、異なる方向に動く二つの対向するMEMS部品に対して非常に低い摩擦を提供し、非常に正確な位置決めを可能にする。第一の実施態様では、各MEMS部品は、部品を自己位置決めさせるためにハンダ付け合金とともに用いられるパッドを備える。第二の実施態様では、各部品は少なくとも一つの空洞を備え、上部の空洞は円錐形状を有し、下部の空洞は平らな床を有し、安定な状態に到達するとき、すなわち、球体が上部空洞の円錐体中心に置かれるとき、位置決めを実現する。【選択図】図6
293 2008-506548 H170719 アンビエント システムズ, インコーポレイテッド ナノスケール静電および電磁モータおよび発電機 A1 DDX MI05
WO2007/024204 本発明の目的は、静電力および電磁力を活用して作動するNEMを提供することである。一つのナノ静電実施形態においては、ナノスケールビームが電界に張られる。帯電されたレールがビームの周りに置かれる。ビームがレールに接触するときには、ビームは電界の中を特定の方向に動かされる。一つのナノ電磁実施形態においては、ナノスケールビームが磁界に張られる。ビームの付近にレールが置かれており、極性の異なる電荷がレールおよびビームに加えられる。この形態において、ビームおよびレールが互いに接触するときには、ビームとレールとの間に電流が流れ得る。この電流は磁界と相互作用し、その結果ビームを特定の方向に動かす。
294 2008-506913 H170718 ハリス コーポレイション 電気活性材料を用いる組み込まれた制御バルブ A4 DC02 MEX
WO2006/020093 マイクロ流体制御バルブ(100)は少なくとも1つのキャビティ(260)を規定する誘電体構造(105)を有する。電気活性ポリマーのような電気活性材料(305)がキャビティの一部に備えられている。電気活性材料は、電気活性材料の寸法が第1値を有する第1状態と、その寸法が第2状態を有する第2状態との間で動作可能である。2つの導体(240、250)は、第1状態と第2状態との間で電気活性材料を変化させるように、電気活性材料に電位を印加するために備えられている。第1流体ポート(310)は、電気活性材料が第1状態にあるときに、流体が第1流体ポートを通って流れ、電気活性材料が第2状態にあるときに、電気活性材料は第1流体ポートを少なくとも一部で遮るように、電気活性材料に近接して位置している。
295 2008-506989 H170706 ステレオ ディスプレイ,インコーポレイテッド アングストローム,インコーポレイテッド 可変焦点距離レンズ、および個々に制御されるマイクロミラーを備えたレンズアレイ A4 DA04
WO2006/019571 個々に制御されるマイクロミラーアレイレンズ(DCMAL)は、複数の個々に制御されるマイクロミラー(DCM)と駆動部分とから構成される。上記駆動部分は、静電気的に、上記DCMの位置を制御する。上記DCMALの光学効率は、DCMを支持する機械的構造と上記駆動部分とを上記DCMの下に配置して、有効反射領域を増加させることにより、改善される。公知のマイクロエレクトロニクス技術は、電極パッドおよびワイヤによる有効反射領域の損失を取り除くことができる。上記レンズは、DCMを独立に制御することにより、収差を補正することができる。各DCMの独立制御は、公知のマイクロエレクトロニクス技術によって達成できる。DCMアレイは、任意の形状および/またはサイズのレンズを形成することができる、または、任意の形状および/またはサイズのレンズを備えたレンズアレイを形成することができる。
296 2008-507115 H170617 ポイント 35 マイクロストラクチャーズ リミテッド マイクロ構造体のエッチングの改良方法及び装置 A4 PB04
WO2005/124827 処理室(11)の中に位置する1つ又は複数のマイクロ構造体をエッチングするためのエッチングガス源(10)を備える装置(9)及び方法が提供される。この装置は、ガス源(26)及びエッチング材料(28)を含むための1つ又は複数の室(27)に付設されたガス源供給ライン(12)を有している。使用において、1つ又は複数の室(27)の中でエッチング材料(28)がエッチング材料蒸気に変換され、ガス供給ライン(12)は、キャリヤーガスをエッチング材料蒸気に供給するための手段、及び次いでキャリヤーガスによって移送されたエッチング材料蒸気を処理室(11)に供給するための手段を備える。有利なことに、本発明の装置(9)は、エッチングガスの連続的な流れを達成するためにいかなる膨張室又は他の複雑な機械的な特徴の組み込みも必要としない。
297 2008-507394 H170708 ヴェロシス,インク. マイクロチャネル技術を用いる蒸留プロセス A4 DC01
WO2006/019658 開示される発明は、異なる揮発性を有する二つ以上の成分を、それら成分を含む液体混合物から分離するための蒸留プロセスに関する。本プロセスは、蒸留を実現するためにマイクロチャネル技術を使用し、エタンのエチレンからの分離など、個々の成分が互いに非常に近い揮発性を有することを特徴とする、困難な分離を実施するのに特に適する。【選択図】図1
298 2008-507416 H170706 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. 静電的に引きつけられるイオンによるエッチング A4 PB01
WO2006/019572 本発明は、少なくとも第1と第2のガスを含むプラズマを基板(202)に導くことを含む技術に関する。基板(202)は、少なくとも第1の層(206)と第2の層(204)によって少なくとも部分的に覆われている。第1のガスのイオンは、基板(202)に向かって静電的に引きつけられる。第2のガスは、第1の層(206)を第2の層(204)に対して選択的にエッチングする。【選択図】図1B
299 2008-507630 H170719 ユニヴァーシティー オブ ニューキャッスル アポン タイン マイクロ及びナノデバイスの製造工程 A1 PBX
WO2006/010888 ワークピース上にマイクロ又はナノスケールのパターンを堆積又はエッチングする方法が開示され、その方法は(a)ワークピースを電気化学反応器内に、パターン付けされたツールに近接して配置するステップと、(b)ワークピースを、エッチングする場合にはアノードとなり、又は堆積する場合にはカソードとなるように、及び、パターン付けされたツールは対極になるように接続するステップと、(c)2つの電極間に形成されるセルの電解動作に必要な電解液をポンプ注入するステップと、(d)ワークピースをエッチング又は堆積するために、電極の両端に電流を印加するステップとを含む。
300 2008-507673 H170722 エイエフエイ・コントロールズ,リミテッド・ライアビリティ・カンパニー マイクロバルブアセンブリの動作方法および関連構造および関連デバイス A4 DC02
WO2006/012509 弁アセンブリが、主要ハウジングと、第1および第2の静電駆動式弁を備えてもよい。主要ハウジングは、少なくとも3つのチャンバ、すなわち、高圧供給ポートに結合されるように構成された第1のチャンバと、出力ポートに結合されるように構成された第2のチャンバと、低圧排気ポートに結合されるように構成された第3のチャンバとを画定してもよい。第1の静電駆動式弁は、第1および第2のチャンバ間に設けられてもよく、第1の静電駆動式弁は、第1の電気信号に応答して、第1のチャンバと第2のチャンバとの間の流通を許容または実質的に阻止してもよい。第2の静電駆動式弁は、第2および第3のチャンバ間に設けられてもよく、第2の静電駆動式弁は、第2の電気信号に応答して、第2のチャンバおよび第3のチャンバ間の流通を許容または実質的に阻止してもよい。関連する方法についても記述する。
301 2008-507724 H160720 エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ 可変焦点マイクロレンズ A4 DCX
WO2006/009514 マイクロレンズチップは、可変焦点流体マイクロレンズ及びアクチュエータを備える。アクチュエータは、マイクロレンズチップの流体チャンネルの圧力を変え、この流体チャンネルは、マイクロレンズを含むアパーチャ開口部に結合されている。アクチュエータに電界を印可することで、流体チャンネルの流体圧力の変化が生じ、これが、今度は、流体マイクロレンズの曲率半径(すなわち、焦点距離)を変える。【選択図】図2
302 2008-508110 H170531 アナログ デバイシス, インコーポレイテッド MEMSデバイスの製造方法 A4 PI02
WO2006/022957 本発明によるマイクロ電子機械(MEMS)デバイスの製造方法は、その可動構造が形成された後に、デバイスウェハのボトム側を除去する。その目的のために、この方法は、初期ボトム側を有するデバイスウェハを提供する。次いで、この方法は、そのデバイスウェハ上に、可動構造を形成し、続いて、このデバイスウェハの初期ボトム側全体を実質的に除去する。初期ボトム側全体を効率的に除去することによって、最終ボトム側が形成される。
303 2008-508995 H170811 ハリス コーポレイション 単極モータを用いた内蔵型流体混合装置 A4 DCX
WO2006/023351 本発明は単極モータ(110)を有する流体置換装置(100)に関する。単極モータは、少なくとも1つの流体置換構造(120)が配置された回転可能な円板(115)を含んでいる。この流体置換構造は翼板とし得る。回転可能な円板は、例えばセラミック基板、液晶高分子基板、又は半導体基板などの基板(105)に形作られた空洞(145)内に配置されている。回転可能な円板の回転速度を制御するために閉ループ制御回路(235)が含められ得る。例えば、この制御回路は、回転可能な円板に電圧を印加する電圧源又は電流源を制御する。この制御回路はまた、回転可能な円板の回転軸(155)に実質的に整合された磁場(205)を印加する磁石(210)の強度を制御し得る。
304 2008-509010 H170621 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 付着防止層を堆積する方法 A4 PI02
WO2006/015901 本発明は、堆積すべき物質または前駆物質を、溶剤または移送媒体中で構造体(5a、7a)に供給することにより、基板(Sub)上のマイクロメカニック構造体(5a、7a)の表面上に付着防止層を堆積する方法に関する。使用される溶剤および移送媒体は超臨界CO2流体である。前記物質または前駆物質の堆積はCO2流体の状態の物理的変化によりまたは表面と前駆物質の表面反応により行う。本発明の方法は、接続通路(15)または穿孔ホールにより堆積すべき材料を供給することにより、構造体のカプセル化後に、空洞(14)またはキャビティ中でマイクロメカニック構造体(5a、7a)を被覆することを可能にする。
305 2008-509396 H170804 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 試料処理装置を位置決めする装置および方法 A4 DC03
WO2006/017611 マイクロ流体試料処理装置の処理チャンバを、マイクロプレートリーダーの適切な焦点面に位置決めする装置および方法が開示されている。この装置および方法は、異なるマイクロプレートリーダーで処理するのに必要とされる異なる高さに試料処理装置を位置決めするように適合可能である。位置決め装置は、処理チャンバをマイクロプレートリーダーの焦点面内に設置するために、試料処理装置に関連させて用いられる。
306 2008-509820 H170713 ザ・チャールズ・スターク・ドレイパ・ラボラトリー・インコーポレイテッド MEMSデバイス、及び介在物、並びにMEMSデバイス、及び介在物を統合するための方法 A4 DD01 DD02 PHX
WO2006/019761 本発明の側面によると、プロセスは、ボンディングされた、エッチ・バック絶縁体上シリコン(以降は、BESOIと称する)方法に基づく。BESOI方法は、絶縁体上シリコン(SOI)ウェハを含み、絶縁体上シリコン(SOI)ウェハは、(i)ハンドル・レイヤ、(ii)二酸化ケイ素(SiO2)レイヤであることが好ましい誘電体レイヤ、及び(iii)装置レイヤを有する。最初、装置レイヤは、メサ・エッチングによってパターン形成される。装置レイヤがパターン形成された後、SOIウェハは、基板に面する、パターン形成された装置レイヤを有する基板にボンディングされる。SOIウェハのハンドル・レイヤ、及び誘電体レイヤは、エッチングによって除去される。更に、装置レイヤが、MEMS装置を定めるためにエッチングされる。BESOI方法では、誘電体SiO2レイヤが除去された後に構造エッチングが実行される。
307 2008-510324 H170311 ジョージア テック リサーチ コーポレイション 非対称薄膜cMUT素子及び製作方法 A4 DDX
WO2005/087391 【課題】非対称薄膜容量性微小機械加工超音波変換器(cMUT)及びcMUT撮像アレイの製作に関する技術を提供する。【解決手段】非対称薄膜容量性微細機械加工超音波変換器(cMUT)素子及び製作方法。好ましい実施形態では、本発明によるcMUT素子は、一般的に非対称特性を有する薄膜を含む。薄膜は、その端部が異なる幅を有するようにその長さにわたって変動する幅を有することができる。非対称薄膜は、その様々な幅寸法のために様々な撓み特性を有することができる。別の好ましい実施形態では、本発明によるcMUT素子は、一般的に非対称特性を有する電極要素を含む。電極要素は、その端部が異なる幅を有するようにその長さにわたって変動する幅を有することができる。非対称電極要素は、その様々な幅寸法のために異なる受信及び送信特性を有することができる。別の好ましい実施形態では、薄膜に沿って位置決めされた質量負荷が、薄膜の質量分布を変更することができる。また、他の実施形態も特許請求して説明する。【選択図】図13
308 2008-510505 H170818 エフ ホフマン−ラ ロッシュ アクチェン ゲゼルシャフト マイクロ流体システムおよびその製造方法 A4 DC01 ME03
WO2006/021361 本発明は、好ましくは穿刺部材(14)を備えた支持体(12)およびその上に配置された受取位置から標的位置(22,24)まで流体を毛管輸送するための半開のマイクロチャネル(16)からなるマイクロ流体システムに関する。高アスペクト比を得るために、支持体(12)が、少なくとも上部領域においてマイクロチャネル(16)を側方向に画定する重積層(18)で被覆されることが提案される。
309 2008-511105 H170819 テラビクタ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 接触構造と支持腕の相対配置を有するプレート・ベース微小電気機械スイッチ A4 DB01
WO2006/023724 可動電極の周縁から延びる3の倍数の支持腕を含む微小電気機械システム(MEMS)スイッチが提供される。さらに、MEMSスイッチは、固定電極と可動電極との間の空間内に延びる部分を有する複数の接触構造を含む。ある場合には、支持腕と接触構造の相対配置は、固定電極の全体と可動電極の全体をひとまとめにして構成するMEMSスイッチの3つの領域の間で合同である。他の実施形態では、接触構造は、MEMSスイッチ内で合同に配置されなくてもよい。
310 2008-511825 H170830 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ マイクロ流体システム A4 DC01
WO2006/025014 マイクロ流体システムは、例えばセンサ又はポンプユニットといった要素4を有する。それらは、チャネル7で導かれる流体の特性を測定するよう又はこの液体に関する影響を与えるよう意図される。本発明において、マイクロ流体システムは、要素構造49が形成され、それと平行にチャネル構造8が、チャネル7がチャネル構造8に組み込まれるような態様で配置され、要素4がキャストジャケット物質5に埋め込まれることが提案される。斯かるマイクロ流体システムにおいて、チャネルを通る非常に良好な流れ特性を備える流体の流れが実現されることができるという態様で、要素がチャネルに対して配置されることができる。
311 2008-512075 H170901 シルマック 時計機構のための駆動装置 A4 PB02 MA01
WO2006/024651 【課題】運動発生機構を構成する構成要素の構造を単純化する。【解決手段】本発明は、ウエハ(11)におけるエッチングによって形成された駆動装置に関するものであり、駆動装置は被動要素と順次噛み合うのに適した駆動要素(250)および被動要素を駆動するためにヒステリシス運動によって駆動要素(250)を移動させるのに適した作動要素を含み、駆動要素(250、270)がウエハ(11)の外縁に配置されていることで駆動要素と向かい合って配置された被動要素との噛み合いを可能にすることを特徴とする駆動装置。本発明はかかる駆動装置および駆動装置によって回転駆動されるのに適した入力車を含む時計機構にも関するものである。【選択図】図7
312 2008-512235 H170909 アンスティテュート キュリー セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク マイクロチャネルまたは他のマイクロ容器中でパケットを操作するためのデバイス A4 DC01
WO2006/027757 本発明は、少なくとも1のパケットに対して汚染なしに化学的または物理的処理を行うためのマイクロ流体デバイス(1)に関する。【選択図】図1
313 2008-512237 H170913 スペグ カンパニー リミテッド マイクロチャンネルリアクター A4 DC01
WO2006/031058 【課題】本発明はマイクロチャンネルリアクターに関し、より詳しくは分配板によって分配された異種流体が分岐ポートによって噴射されて互いに衝突することで混合するようにして、異種流体を上下で繰返し移動されるように形成された流路を通過するようにして互いに衝突しながら反応するようにするマイクロチャンネルリアクターに関する。【解決手段】混合する流体が投入される投入管がそれぞれ具備された流体投入部と、投入された流体が混合する流体混合部と、混合した流体が排出される流体排出部とを有している。前記流体投入部は、前記投入管から投入された流体が連通される連通部と、前記連通部で前記流体混合部で排出されて所定の間隔で排出口が形成された分配板をそれぞれ具備している。前記流体混合部は、前記排出口とそれぞれ貫通された通孔と連通された多数の微細チャンネルと、前記微細チャンネルの排出側端部に形成されながら隣接した微細チャンネルを通過する互いに違う流体が互いに衝突して混合するように分岐ポートとを具備している。前記流体排出部は、前記分岐ポートによって衝突して混合した流体を収容する収容部と、前記収容部で排出される排出口とを具備している。【選択図】図1
314 2008-512841 H170912 テヒニシェ、ユニベルシテイト、デルフト スティヒティング、フォール、デ、テヒニシュ、ウェテンシャッペン 透過型電子顕微鏡用のマイクロリアクタおよび加熱要素とその製造方法 A4 DC01
WO2006/031104 第1および第2の被覆層(13)を備え、これらの被覆層は、両方とも電子顕微鏡の電子ビーム(14)に対して少なくとも一部が透明性であり、さらに相互から一定の相互距離を置いて相互に隣接して延び、これらの被覆層間にチャンバ(15)が取り囲まれている、顕微鏡で使用するマイクロリアクタであって、入口(4)および出口(5)が、流体をチャンバに通して供給するために設けられ、さらに加熱手段(8)が、チャンバおよび/またはこのチャンバの中に存在する要素を加熱するために設けられるマイクロリアクタ。
315 2008-513022 H170915 マイクロチップ バイオテクノロジーズ, インコーポレイテッド マイクロ流体デバイス A4 DC01
WO2006/032044 様々なタイプのモジュールへマイクロチップをインターフェースするための方法およびデバイスが開示される。開示したテクノロジーは、DNAシーケンシングおよびゲノタイピング、プロテオミクス、病原体検出、診断ならびに生物兵器防衛などの様々な用途のためのサンプル調製および分析システムとして使用できる。本発明は、標的分析物を捕捉および精製するための手段および該標的分析物をマイクロ流体デバイス内へ導入するための手段を備える第1モジュールと、該マイクロ流体デバイスを備える第2モジュールと、を備え、ここで該マイクロ流体デバイスは該標的分析物を検出もしくは分析するために適合する、モジュラーシステムを提供する。
316 2008-513801 H170920 パイコム・コーポレーション オグ−キ・イ 垂直型電気的接触体の製造方法及びこれによる垂直型電気的接触体 A4 PIX
WO2006/080621 垂直型電気的接触体及びその製造方法を提供する。本発明は犠牲基板上に第1保護膜パターンを形成する第1段階と、エッチング工程を実行することによって前記犠牲基板上にトレンチを形成する第2段階と、前記第1保護膜パターンを除去し、前記犠牲基板の上部に第2保護膜パターンを形成して空間部を形成する第3段階と、前記トレンチと前記空間部に導電性物質を埋め込ませてチップ及び支持ビームを形成する第4段階と、前記チップ及び支持ビームが形成された犠牲基板の上部に第3保護膜パターンを形成して空間部を形成する第5段階と、前記空間部に導電性物質を埋め込ませて中孔型容器本体を形成する第6段階と、前記中孔型容器本体をMPH上に形成されたバンプにボンディングする第7段階と、前記犠牲基板を除去させることによって電気的接触体のチップを開放する第8段階とを含んで構成されることを特徴とする。
317 2008-513975 H170729 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. 低温プラズマ接合のためのシステムおよび方法 A4 PHX
WO2006/020439 複数の基板(145、440、450)を接合する方法が、複数の基板(145、440、450)上でガスプラズマ処理を実施すること、および複数の基板(145、440、450)上で水プラズマ処理を実施することを含む。さらに、低温プラズマ強化接合を実行するためのシステムが、基板(145、440、450)収容空間を有する基板ハウジング構造と、基板ハウジング構造に流体連通するガス源と、基板ハウジング構造に流体連通する水蒸気源(230)と、基板ハウジング構造に接続される無線周波数(RF)発生器(260)とを備え、そのシステムは、ガスプラズマ処理および水プラズマ処理の両方が基板(145、440、450)上で実施されるように構成されている。
318 2008-514438 H170830 アイディーシー、エルエルシー 微小電気機械システムデバイス内の構造物の電気機械的挙動の制御 A4 PI02 MA03 MB02 MB03 MD05 MD09 MDX
WO2006/036435 【課題】微小電気機械システムデバイス内における構造物の電気機械的動作を制御すること。【解決手段】一実施形態においては、本発明は、微小電気機械システムデバイスを製造する方法を提供する。前記方法は、特徴的な電気機械的反応、及び特徴的な光学的反応を有する膜を具備する第1の層を製造することであって、前記特徴的な光学的反応は望ましく、前記特徴的な電気機械的反応は望ましくないことと、前記電気機械システムデバイスの起動中に蓄積される電荷を少なくとも減少させることによって前記特徴的な電気機械的反応を修正すること、とを具備する。
319 2008-514441 H170927 トラシット テクノロジーズ マイクロエレクトロニクス及びマイクロシステムの新規構造、及びその製造方法 A4 PI02
WO2006/035031 本発明は、表面層(2)、少なくとも一つの埋め込み層(4)、及び支持体から構成される半導体構造体の形成方法に関する。本方法は、第一の支持体上に第一の材料からなる第一の層(44)を形成し、更に第一の層の内部に、第一の材料よりエッチング速度の大きい第二の材料からなる少なくとも一つの領域(26、28)を形成する第一のステップと、第二の支持体の上に構造体を組み立てることにより表面層(2)を形成し、二つの支持体の少なくとも一方を薄膜化する第二のステップとを含む。
320 2008-514901 H170902 クリーブランド バイオセンサーズ プロプライエタリー リミテッド マイクロ流体デバイス A4 DC01 DC03
WO2006/034525 本体内に形成された少なくとも1本のマイクロチャネル(74)と該マイクロチャネルに連通するポンプ(72)とを有する閉ループマイクロ流体デバイス。ポンプは外部駆動力によって作動し、マイクロチャネル内の流体の押進及び牽引を行う。試薬を貯蔵するために、マイクロチャネルに連通する複数のチャンバ(73,76)が形成される。試薬はポンプによってマイクロチャネル内を移動させられる。マイクロチャネルには複数の活性区域(70,71)も形成される。様々な反応及び診断は活性区域において行なわれる。試料はシール可能な流入ポート(77)を介してマイクロチャネルへ導入される。マイクロチャネルは、すべての必要な試薬及び診断装置を閉ループマイクロ流体デバイス内に収容して、閉ループを形成する。試料は、完全に閉ループマイクロチャネル内で処理され分析される。
321 2008-514964 H170929 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド スモールギャップ光センサ A4 DDX
WO2006/039444 カソードからのとるに足らないスパッタリングと、その後のキャビティ内の不活性ガスを葬ることを最小にすることにより、検出器の長い寿命を生じさせ、高圧キャビティ(26)を可能にし、カソード(18)とアノード(15)との間の小さなギャップを備えた光検出器(10)を有するセンサ。検出器は、MEMS技術で作られる。センサは、光センサ(10)のアレイを包含しうる。検出器のいくつかは、UV検出器であって良い。
322 2008-514984 H170822 アイディーシー、エルエルシー 光干渉変調器中のミラーの傾斜を抑制するための方法およびデバイス A4 DA04 DAX
WO2006/036384 【課題】光干渉変調器中のミラーの傾斜を抑制するための方法およびデバイスを提供する。【解決手段】分離可能な変調器アーキテクチャを有する光干渉変調器が、キャビティの上の可撓層からつるされた反射層を有していることを開示する。光干渉変調器は、丸まりおよび/または傾斜などの反射層の不所望な動作を抑制する一つ以上の反傾斜部材を有している。反傾斜部材による反射層の安定化は、光干渉変調器の光学出力の品質を改善することが可能であり、またそのような光干渉変調器を備えているディスプレイの光学出力の品質を改善ことも可能である。【選択図】
323 2008-514987 H170830 アイディーシー、エルエルシー 光干渉変調器中の変形可能な膜の作動電圧しきい値を修正するためのデバイスと方法 A4 DA04 DAX
WO2006/036437 【課題】光干渉変調器中の変形可能な膜の作動電圧しきい値を修正するためのデバイスと方法を提供する。【解決手段】部分的に反射的で部分的に透過性のある表面16と、部分的に反射的で部分的に透過性のある表面16の後ろに配置された反射面14との間の間隔を変えることによって、光干渉変調器12は、二つの反射面14,16で反射して去る光波の強め合うおよび/または弱め合う干渉を作り出す。間隔は電圧を印加することによって変えることができ、二つの表面14,16の間の静電引力を作り出し、それは一方または両方の表面14,16を変形させ互いにより近くに移動させる。そのような引力がない状態では、表面14,16は弛緩位置にあり、それらは互いにそれ以上離れない。作動電圧は、表面14,16を変形させるに十分な静電引力を作り出す必要がある。【選択図】
324 2008-514991 H170902 アイディーシー、エルエルシー リフトオフ工程技術を用いたインターフェロメトリック変調器の製造方法 A4 DAX PI02
WO2006/036470 【課題】リフトオフ工程技術を用いたインターフェロメトリック変調器の製造方法【解決手段】本開示の実施形態は、リフトオフ工程技術を用いてインターフェロメトリックデバイスを製造する方法を含む。光学的スタックまたは屈曲層などのインターフェロメトリック変調器の種々の層の製造においてリフトオフ工程を用いることは、各層に関連する複数の材料に関する個々の化学現象を有利に避けることができる。さらに、リフトオフ工程を使用することは、インターフェロメトリック変調器の製造に利用される材料及び施設の選択を増やすことを可能にする。【選択図】図8
325 2008-514993 H170909 アイディーシー、エルエルシー 自立型微細構造を製造する方法 A4 DAX PI02
WO2006/036518 【解決手段】統合ポストおよび変形可能層870を備えるMEMSデバイス800が提供される。いくつかの実施形態では、ポストと変形可能層との間の移行部は、実質的に単一の弓形又は凸形状の表面を備えており、これによって、機械的にロバストな構造を提供する。いくつかの実施形態は、その上に比較的一様な変形可能層を形成することに役立つ面を提供する自己平坦化犠牲材料の使用を含むMEMSデバイスの製造方法を提供する。【選択図】図8G
326 2008-514995 H170915 アイディーシー、エルエルシー 充てん物質を使用した光干渉光変調器と方法 A4 DAX PI02
WO2006/036542 【課題】充てん物質を使用した光干渉光変調器と方法を提供する。【解決手段】基板と可動ミラーと変形可能層と支持構造とを備えているMEMSデバイスたとえば光干渉変調器を備えている装置と製造するための方法とシステムとが記述されている。いくつかの実施形態では、支持構造は複数の支持ポストを備えている。コネクターは、変形可能層に固定された可動ミラーを固定する。コネクターと支持ポストの少なくとも一つが、第一の構成部分と第一の構成部分と第二の構成部分とからなる複合物であり、ここで第一の構成部分においてがコネクターと支持ポストの周囲の少なくとも一つの少なくとも一部を形成する。【選択図】
327 2008-514998 H170919 アイディーシー、エルエルシー 薄膜トランジスター製造技術を使用して反射表示デバイスを作る方法 A4 DAX PI02 MA03 MB03 MD02 MD05
WO2006/036642 【課題】薄膜トランジスター製造技術を使用して反射表示デバイスを作る方法を提供する。【解決手段】(光干渉変調器などの)MEMSデバイスは薄膜トランジスター(TFT)製造技術を使用して製造されうる。ある実施形態では、MEMS製造プロセスは、TFT生産ラインを識別することと、TFT生産ラインでMEMSデバイスの製造の準備をすることとを含んでいる。別の実施形態では、光干渉変調器は、あらかじめTFT生産のために構成された生産ラインで少なくとも部分的に製造される。【選択図】
328 2008-515002 H170923 アイディーシー、エルエルシー MEMSディスプレイ素子をアクチュエートするシステム及び方法 A4 DAX
WO2006/036803 【解決手段】MEMSディスプレイ素子をアクチュエートする装置及び方法。実施形態は、ビデオデータのフレームを表示する素子を制御する装置である。アレイ(30)を備える素子は、素子を第1のディスプレイ状態にするため、フレームディスプレイ書込処理の第1の部分(100)の間、素子に電位差をアサートし、素子を第2のディスプレイ状態にしてビデオデータのフレームを表示するために、フレームディスプレイ書込処理の第2の部分(101)の間、素子上に電位差をアサートするアレイコントローラ(22)を含む。第1のディスプレイ状態は、第2のディスプレイ状態とは異なる。別の実施形態では、アレイコントローラ(22)は、電荷蓄積及びオフセット電圧レベルに対して影響を与える素子に大きな電位差をアサートする。別の実施形態では、アレイコントローラ(22)は、素子の動作に影響を与える逆境条件に打ち勝つため状態間で素子を迅速に切り替えるためパルスをアサートする。【選択図】図11B
329 2008-515004 H170923 アイディーシー、エルエルシー インターフェロメトリック変調器の欠陥を視覚的に検査する方法 A4 DAX
WO2006/036903 【課題】インターフェロメトリック変調器の欠陥を視覚的に検査する方法【解決手段】様々な駆動状態における、インターフェロメトリック変調器のアレイ60の視覚的検査のための方法が提供される。この方法は、検査パッド72等の単一の検査パッド又は検査リードを介して、インターフェロメトリック変調器の多数の列又は行を駆動することと、その後に、アレイ60の予想した光出力と実際の光出力の相違についてアレイ60を観察することとを含むことができる。この方法は、特に、例えば、列62等の隣接しない行又は列からなるセットを、列64等の間にある行又は列とは異なる状態に駆動することと、その後に、アレイ60の光出力を観察することとを含むことができる。【選択図】図8
330 2008-515150 H170914 アイディーシー、エルエルシー 変形する薄膜を備えたMEMSスイッチ A4 DB1
WO2006/036560 【解決手段】電圧が加えられると変形可能となる薄膜あるいは層を備えたMEMSスイッチが形成される。いくつかの実施形態では、電圧の印加が、スイッチコンタクトを開く。【選択図】図11A
331 2008-516196 H170705 アナログ デバイシス, インコーポレイテッド プリモールドタイプパッケージを有するパッケージ化されたマイクロチップ A4 DD01 DD02 PH05
WO2006/036250 MEMS慣性センサは、少なくとも部分的に低湿度浸透性成形材料から形成されるプリモールドタイプパッケージ内に固定される。その結果、そのような動き検出器は、セラミックパッケージを使用したものより経済的に製造され得る。これらの目的のために、パッケージは、空洞を形成するようにリードフレームから延びている(低湿度浸透性を有する)少なくとも一つの壁と空洞内の(上面を有する)アイソレータとを有する。MEMS慣性センサは、底面を有する基板上に保持された可動構造を有する。基板の底面は、接触領域でアイソレータ上面に固定されている。例示的実施形態において、該接触領域は、基板の底面の表面領域より小さい。従って、アイソレータは、基板底面の少なくとも一部とパッケージとの間にスペースを形成する。従って、このスペースは、アイソレータから自由になっている。
332 2008-516252 H180919 ビ−エイイ− システムズ パブリック リミテッド カンパニ− センサー装置 A4 DDX PI03 MD06 MD10
WO2007/034240 基板の開口又は凹部の上方に隔膜が設けられている上側を有する基板を具備するセンサー装置において、前記隔膜は熱的及び電気的に絶縁性であり、抵抗材料層を備える加熱素子の上面に設けられており、加熱素子との電気的接続は隔膜及び/又は基板に埋め込まれており、かつ基板の下側に電気端子を提供する、航空機の外部における風速を検出するためのセンサー装置。加熱素子は雰囲気中にさらされるが、残りの電気部品はさらされていない。【選択図】図1
333 2008-516254 H161013 キオニックス インコーポレイテッド 成層マイクロ流体構造、成層高分子マイクロ流体構造を形成するために少なくとも2つの高分子構成要素を積層する方法、および成層高分子マイクロ流体構造製造方法 A4 DC01 ME07 MEX PGX
WO2006/043922 マイクロ流体構造の2つ以上の構成要素が、固く結合されるか、または弱溶剤結合剤、特にアセトニトリルやアセトニトリルとアルコールとの混合物により成層された、高分子マイクロ流体構造の製造方法。ある態様では、アセトニトリルは、ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル、または三次元マイクロ流体ネットワークを形成する他の線状高分子などの非エラストマー重合体内のマイクロ構造を封止するための、弱溶剤結合剤として使用可能である。本方法は、所与の、より低い温度範囲の、対向する表面へ隣接接触し、所与の時間の間に低い温度範囲よりも高い温度で結合剤を活性化する弱溶剤結合剤により、高分子基板構成要素の対向する表面の少なくとも1つを濡らすステップを伴っている。また、接触した高分子基板は、熱活性化の前に整列され、熱活性化の間圧縮されてもよい。また、成層高分子マイクロ流体構造が開示されている。
334 2008-516267 H170916 アイディーシー、エルエルシー インターフェロメトリック変調器に関するプロセスコントロールモニター A4 DAX
WO2006/036601 【課題】インターフェロメトリック変調器に関するプロセスコントロールモニター【解決手段】MEMSデバイス108の製造に用いられるプロセスステップと同じプロセスステップの少なくとも一部を用いて製造されるプロセスコントロールモニター100、102、及び104が開示される。プロセスコントロールモニター100、102、及び104の分析は、MEMSデバイス108の性質及び前記デバイス内の構成要素又は副構成要素に関する情報を提供することができる。この情報は、加工の際の誤りを識別するために又はMEMSデバイス108を最適化するために用いることができる。幾つかの実施形態においては、プロセスコントロールモニター100、102、及び104の分析は、光学的測定値を利用することができる。【選択図】図8
335 2008-516282 H170830 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. 微小電気機械システムにおけるアモルファス屈曲部 A4 DA01 DAX MDX
WO2006/041585 微小電気機械システム(100、200、300、400及び500)は、屈曲部(120)を含み、屈曲部(120)はアモルファス材料で作成される。同様に、微小電気機械システム(100、200、300、400及び500)を形成する方法は、基板(110,210)を形成することと、アモルファス屈曲部(120)を形成することとを含み、アモルファス屈曲部(120)は、基板(110,210)に結合されている。
336 2008-516784 H171011 フジフィルム ディマティックス,インコーポレイテッド 圧電ブロックを有するマイクロ電子機械デバイスおよびこれを作製する方法 A4 MGX
WO2006/044329 圧電アクチュエータ(104)を有する構造体を備えたマイクロ電子機械システムについて説明する。各アクチュエータは、ボディ(200)に支持される圧電アイランドを含む。圧電アイランドは、工程の一部として、圧電材料の厚いレイヤにカット(145)を形成し、カットされた圧電レイヤ(107)を、エッチング形成構造を持つ前記ボディ(200)に接着し、圧電レイヤをカット(140)の深さより薄い厚さに研磨することによって形成することができる。導電材料(158、210)を圧電レイヤ上に形成して電極(106、112)を形成することができる。
337 2008-516787 H171012 フジフィルム ディマティックス,インコーポレイテッド 圧電ブロックを有するマイクロ電子機械デバイスおよびこれを作製する方法 A4 MGX
WO2006/044592 圧電アクチュエータ(104)を有する構造体を備えたマイクロ電子機械システムについて説明する。各アクチュエータは、ボディ(200)に支持される圧電アイランドを含む。圧電アイランドは、工程の一部として、圧電材料の厚いレイヤにカット(145)を形成し、カットされた圧電レイヤ(107)を、エッチング形成構造を持つ前記ボディ(200)に接着し、圧電レイヤをカット(140)の深さより薄い厚さに研磨することによって形成することができる。導電材料(158、210)を圧電レイヤ上に形成して電極(106、112)を形成することができる。
338 2008-517159 H171020 コミツサリア タ レネルジー アトミーク ナノ構造コーティング及びコーティング方法 A1 DF02
WO2006/043006 【課題】本発明はナノ粒子を用いて表面をコーティングする方法、この方法によって得られるナノ構造コーティング、及びこの方法を実施する装置に関する。【解決手段】本発明に係る方法は分散かつ安定された前記ナノ粒子のコロイド溶液を熱プラズマジェットに注入する工程と熱プラズマジェットが前記ナノ粒子を前記表面にスプレーする工程とを備えることを特徴とする。本発明に係る装置(1)は、プラズマトーチ(3)と、ナノ粒子のコロイド溶液(7)を含む少なくとも一つの容器(5)と、基材(S)を固定及び移動する装置(9)と、前記プラズマトーチのプラズマジェット(13)に前記コロイド溶液を注入する装置(11)とを備える。本発明は、前記方法によって得られるナノ構造コーティングを備えている光学、電子及びエネルギー装置(電池、断熱材)に応用できる。【選択図】図2
339 2008-517218 H170811 ハリス コーポレイション 液晶ポリマー中に埋め込まれたマイクロ流体チェックバルブ A4 DC01 DC02
WO2006/028641 マイクロ流体システムを集積するために埋め込まれたチェックバルブ集合体(100 600)。その集合体は、チェックバルブチャンバ(104 604)、流入ポート(106 606)、及び流出ポート(108 608)を有して良い。これらは、基板(102 602)を形成する少なくとも1層の液晶ポリマー(LCP)から形成される。プラグ(114 614)がチェックバルブチャンバ内部に設けられている。
340 2008-517250 H170930 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン コンピュータを用いた微少流体制御方法およびシステム並びにこれに用いるコンピュータプログラム製品 A4 DC01 DC02 DC03
WO2007/015703 バルブ、蠕動ポンプ、および混合部といった可動構造を有する微少流体装置を、この可動構造の上に薄いエラストマー膜を設けて構成する。この可動構造は、前記膜の外側から触覚アクチュエータにより作動される。このアクチュエータを制御すべくコンピュータがソフトウェアを実行する。このソフトウェアは、ユーザに選択されたプロセスをプロセスライブラリから実行するプロセスマネージャを具える。【選択図】図8
341 2008-517324 H161015 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. 微小電気機械素子のための電荷制御回路 A4 DB05
WO2006/043937 本発明は、可変キャパシタンスに基づいて撓み距離だけ隔離された第1のプレート及び第2のプレートを有する、静電気的に制御される微小電気機械システム(MEMS)素子(26)と、ある電荷量を蓄積するよう構成された電荷蓄積素子(22)と、スイッチ回路(18)とを備える、微小電気機械システム(10)を提供する。前記電荷蓄積素子と前記MEMS素子との間で前記電荷量を分配して、該電荷蓄積素子と該MEMS素子とを同じ電圧に均等化することによって、MEMS素子の可変キャパシタンスを制御するよう前記スイッチ回路が構成される。
342 2008-517574 H170929 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション マイクロシステム及びマイクロシステムにおいて第1の要素に対して第2の要素を位置決めするための方法 A4 DFX
WO2006/040654 【課題】可動要素が駆動させられるとともに、機械的な接触がなく、付着される磁気粒子も持たず、少なくとも斥力が生成される場合に適用されるマイクロシステムを提供する。【解決手段】静止した第1の要素(1)と、可動かつ非結合の第2の要素(2)と、第1及び第2の要素(1、2)間に力を生じさせるためのアクチュエータ(3)とを含むマイクロシステムであり、該アクチュエータ(3)は、第1の要素(1)及び第2の要素(2)の一方の温度(T1、T2)を制御するように設計されている。マイクロシステムにおいて第1の要素(1)に対して第2の要素(2)を位置決めするための対応する方法が導入される。【選択図】図6
343 2008-517780 H171021 フジフィルム ディマティックス,インコーポレイテッド エッチングのための犠牲基板 A4 PB02 MA01 PGX
WO2006/047326 シリコン基板をエッチングする方法が記載される。本方法は、第1シリコン基板(200)を犠牲シリコン基板(240、241)へ接合するステップを含む。第1シリコン基板(200)がエッチングされる。第1シリコン基板(200)が犠牲シリコン基板(240、241)から分離することを引き起こすために、第1シリコン基板(200)と犠牲シリコン基板(240、241)との界面に圧力が加えられる。金属刃(620)を有する装置を使用すると、これらの基板を分離することができる。
344 2008-517784 H171024 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ MEMSデバイス用のバネ構造体 A4 DA01 DB01 DB02 DB05 DD03 DD07
WO2006/046192 MEMデバイスは、可動要素(30)と、可動要素を移動させるための一対の電極(e1,e2)と、電極のプルイン(引き込み)に対する更なる抵抗を与えるために他のそれぞれの電極に対して弾性的に結合された独立可動部(e3)を有する一つの電極とを有している。これは、高い解放電圧Vrelを可能にし、従って、スティクションの危険を低減することができる。また、Vrelに対するVPIの比率も減少させることができ、そのため、可動要素の移動のために幅広い範囲の電圧を利用できる。これにより、高速切り換えが可能になる。独立可動部の面積は他の電極よりも小さく、また、弾性カップリングのバネ定数はフレキシブルな支持体のそれよりも大きい。あるいは、可動要素は、それが基板と接触するときにプルインに対する更なる抵抗を与えるために基板に対して弾性的に結合され且つ基板に向けて突出する可動スタンプ部分を有することができる。
345 2008-517785 H171024 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 電子デバイス A4 DB01 DB05
WO2006/046193 基板(14)の第1の側に微小電気機械システム(MEMS)素子を有する電子デバイス。MEMS素子は、第1の電極(101)と、可動素子の一部であり、第1の電極の方へ行き来できると共に第1の位置と第2の位置との間で動くことができる第2の電極(11)とを有する。第2の電極(11)は、その第1の位置では、第1の電極(101)から空隙(110)を置いて離されている。可動素子は、メカニカル層(12)及び第2の電極(11)が構成される中間層を有する。第2の電極(11)は、中間層の複数の部分(131,132,133)によって構成され、これら部分は各々、別個の垂直相互連結部(121,122,123)によってメカニカル層(12)に機械的に連結されている。
346 2008-517786 H171024 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ MEMSデバイスにおける空気制動の低減 A4 DA01 DB01 DB02 DB05 DD03 DD07
WO2006/046194 微小電気機械システムが、基板(10)と、電極に加わる静電力によって基板に向かって動くことができる可動要素とを有し、可動要素と基板の対向した表面は、1つ又は2つ以上の通気チャネル(VC)をこれらが閉鎖位置にあるときにかかる対向した表面によって構成するように形作られており、これら通気チャネルは、対向した表面相互間の流体が、対向した表面を横切って流れ、対向した表面相互間の領域に出入りすることができるよう構成されている。かかるチャネルにより、可動要素の運動の流体制動を制御できる。対向した電極相互間の領域に出入りする流れを増加させることにより、かかる制動を低減させることができ、それ故、デバイスの開閉速度を増大させることができる。チャネルは、電極に設けられた穴に繋がるのがよい。
347 2008-517792 H181020 ビ−エイイ− システムズ パブリック リミテッド カンパニ− 微細加工 A4 PJX
WO2007/045885 MEMS素子の所望の輪郭に順応するミクロン寸法の表面を形成する方法であって、その上面に凹部を有する結晶質シリコン基板を提供する工程、前記基板の上面に結晶質シリコンの薄層を提供する工程、前記層を前記基板に真空条件で融着する工程、及び前記層に熱及び圧力を加え、前記凹部内に前記層を所望の輪郭に塑性変形させる工程を具備する方法。基板は、ジップ原理に基づき動作する静電MEMS素子の固定電極を形成する。【選択図】図1
348 2008-518793 H170822 アイディーシー、エルエルシー 封止されたMEMSデバイス内の湿度を検査するシステム及び方法 A4 PHX ABX
WO2006/036383 【課題】封止されたMEMSデバイス内の湿度を検査するシステム及び方法【解決手段】一実施形態は、複数のインターフェロメトリック変調器を取り囲むデバイスの特性を測定することと、上記測定した特性に少なくとも部分的に基づいて、このデバイスの内部の相対湿度の値又は相対湿度の程度を判断することとを備える、湿度を検査する方法を提供する。一実施形態において、このデバイスの特性は、次のもの、すなわち、i)このデバイスの重量、ii)このデバイス内に封入された乾燥剤の色変化、iii)このデバイスの内部の抵抗、iv)冷たいフィンガデバイスが接触している、このデバイスの内部領域に霜が形成されたか否か、v)このデバイス内に水蒸気が供給された場合に、このデバイス内に封入された乾燥剤が的確に作用しているか否か、vi)i)〜v)のうちの少なくとも2つの組み合わせ、のうちの少なくとも1つを含む。【選択図】図8
349 2008-519241 H171103 ヴェロシス インコーポレイテッド ミニチャンネル及びマイクロチャンネルにおけるパーシャル沸騰 A4 DC01
WO2006/065387 ミニチャンネル又はマイクロチャンネル内の液体が、前記ミニチャンネル又はマイクロチャンネルの少なくとも15cmの長さにおいてパーシャル沸騰を生じる方法及び装置が提供される。
350 2008-519695 H171025 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド ばね解放ブリッジを備えたマイクロ電気機械(MEM)装置およびその製造方法 A4 DA01 DA02 PC03 PI02 MB02
WO2006/052472 マイクロ電気機械(MEM)装置は基板、懸架ばね、構造体および解放ブリッジを備えている。懸架ばね(122)は基板に接続されると共に、基板の上に懸架される。構造体は懸架ばね(122)に接続され、基板の上に弾力的に懸架される。解放ブリッジ(204)は懸架ばね(122)に接続される。センサの製造中に、懸架ばねと構造体は解放プロセスを受けることにより基板の上に懸架される。解放ブリッジは、解放プロセス中に、構造体と懸架ばねが実質的に同時に解放される寸法に構成されている。
351 2008-520409 H171115 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ マイクロ流体素子 A4 DC01
WO2006/054238 流体試料流を案内するマイクロ流体素子が開示されている。マイクロ流体素子は、2つの横方向に伸び、かつ垂直方向に貫通する凹部を少なくとも1つ有する底部プレート(1)、少なくとも第1貫流位置(3.1)及び第2貫流位置(3.2)を有する貫流ユニット(2)、及びプレート構造(4)を有する。底部プレート(1)の凹部(1.1)に対する貫流ユニット(2)の配置は、この配置の一の面から第1貫流位置(3.1)及び第2貫流位置(3.2)を介して反対の面へ、流体流が垂直に流れることができるような配置である。さらにプレート構造(4)と貫流ユニット(2)との相対的な配置は、流体が第1貫流位置(3.1)から第2貫流位置(3.2)への横方向に流れることができるようにチャネル間接続用空洞が形成されるような配置である。
352 2008-520909 H171117 イーストマン コダック カンパニー 変化する曲げ剛性を有する2点係止式熱アクチュエータ A4 DCX
WO2006/058003 2点係止式熱アクチュエータ(90)は、対向するアンカー(14)を有する凹部が形成されたベース部材(10)を含む。ベース部材に、対向する係止縁部にて取り付けられる変形可能な部材(20)は、低い熱膨張係数を有する第1の材料の第1の層(22)と高い熱膨張係数を有する第2の材料の第2の層(24)とを有する平らな積層体として構成される。変形可能な部材は、係止縁部の近傍に係止部(24a)、及び、係止部間に中央部を有し、係止部の曲げ剛性が中央部の曲げ剛性よりも実質的に低い。
353 2008-520933 H171118 イーストマン コダック カンパニー 変化する曲げ剛性を有する二点固定型熱アクチュエータ A4 DCX
WO2006/057909 二点固定型熱アクチュエータは、対向する固定端を有する凹部を備えて形成された基盤要素を有する。対向する固定端の位置で基盤要素に取り付けられた変形要素が、低い熱膨張係数を有する第1の材料から成る第1の層と高い熱膨張係数を有する第2の材料から成る第2の層とを含む平面状の積層体として構築される。この変形要素は固定端に隣接する固定部分と該固定部分間の中心部分とを有し、固定部分の曲げ剛性は中心部分の曲げ剛性より実質的に低くされる。
354 2008-520978 H171122 エフ ホフマン−ラ ロッシュ アクチェン ゲゼルシャフト 湾曲微細構造 A4 DC01
WO2006/053461 ナノリットルおよびマイクロリットル範囲で、流体媒体のサンプリング、移送および/または分配用装置は、開放あるいは閉じられた溝あるいは毛細管をそれぞれ持った基板からなり、開放あるいは閉じられた溝あるいは毛細管をそれぞれ持った該基板は、少なくとも1つの位置で曲げられあるいは弓状になっている。該基板は、開放あるいは閉じられた毛細管状溝あるいは経路それぞれ伸びている少なくとも1つの端からなり、該端は、その応用あるいは用途にしたがって、たとえば、針状、直線状カット、チップ状、少なくとも半円形状、円形などとして、形成されている。
355 2008-520983 H171121 リテフ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 動力学系の物理量を制御/調整する方法 A4 DD02
WO2006/056389 本発明は、設定値の特定の経過に関して、動力学系の物理変数を制御/調整する方法に関する。このため、上記物理変数の制御あるいは調整を達成する一連の離散変調信号を生成するパルス変調器が用いられる。以下に示すステップは、繰り返し実行される:a)上記物理変数の瞬時設定値及び瞬時実際値の間の差の正確な値あるいは近似値を決定する、b)瞬時変調信号の維持あるいは他の変調信号への移動という結果になる上記差における各々の変化を決定する、c)上記瞬時設定値の最も良い近似値に導く変調信号を生成する。
356 2008-521205 H171118 イーストマン コダック カンパニー 曲げ剛性が変化する2点固定熱アクチュエータ A4 DCX
WO2006/057910 2点固定熱アクチュエータは、相対する固定部分を有するくぼみ部が形成されたベース素子を含む。ベース素子に、相対する固定端縁において接合されている変形素子は熱膨張率が低い第一の材料の第一の層と、熱膨張率が高い第二の材料の第二の層を含む平坦の積層構造として構成される。変形素子は、固定端縁の付近に固定部分を有し、固定部分の間に中央部分を有し、固定部分の曲げ剛性は中央部分の曲げ剛性より実質的に低い。
357 2008-522492 H171121 センテラ インコーポレイテッド 高周波信号放出装置 A4 DB03
WO2006/055960 高周波信号放出装置が提供される。この放出装置は、ギガヘルツ(GHz)領域及びテラヘルツ(THz)領域内の信号を放出することができる。この装置は、例えば、曲げられた時にその電気的特性を変えることができる材料を含んで成るカンチレバーを利用することができる。
358 WO2005/102909
松下電器産業株式会社 アクチュエータ A4 DA04 H170414 WO2005/102909 本発明のアクチュエータは、基台1と、基台1に対して変位可能な可動部7と、可動部7の基台1に対する変位が可能なように可動部7を支持する弾性支持部13a〜13cと、基台1に対して可動部7を変位させる複数の駆動部6a〜6cとを備え、複数の駆動部6a〜6cのそれぞれは、可動部7へ駆動力を伝達する時に可動部に接触する駆動力伝達部10a〜10cを備える。
359 WO2005/109076
住友精密工業株式会社 静電駆動型MEMSミラースキャナ A4 DA02 DA04 H170511 WO2005/109076 この発明は、ポリゴンミラースキャナと同等以上の高速スキャニングを実現でき、静電力の少ない駆動力でも駆動可能な柔軟なミラーの支持構造を有する構成からなるMEMSミラースキャナの提供を目的とし、基板の同一直線上に棒状に形成配置される一対のサスペンションビーム間にスキャニングミラーを形成して該直線を揺動軸として該ミラーを揺動可能に支持し、かつサスペンションビームの片側または両側に沿って静電容量駆動部が配置される構成であり、静電容量駆動部の揺動軸中心から軸直交方向(サスペンションビーム幅方向)の最大距離を、該ミラーの揺動軸中心(回転中心)よりの軸直交方向(ミラー長さ方向)の最大距離の例えば60%以下、より好ましくは40%以下とすることにより、大きなスキャニングミラーの共振周波数を高めることが可能である。
360 WO2005/117051
よこはまティーエルオー株式会社 マイクロマシンスイッチ A4 DB01 H170531 WO2005/117051 本発明は、接点部の疲労破壊およびスティクション現象を防止し、広範な信号周波数に適応した高い信頼性且つ長寿命のマイクロマシンスイッチを提供する。固定接続端子(50)及び可動接続端子(40)は、基板(9)の平面と実質的に平行な方向に離間し、可動接続端子は、この方向の支持部材(3)の変位によって固定接続端子と接触するように配置される。基板には、複数の固定接続端子が固定され、複数の可動接続端子が、支持部材の変位に従って所定の固定接続端子と同時に接触する。
361 WO2005/120130
オリンパス株式会社 静電容量型超音波振動子とその製造方法、静電容量型超音波プローブ A4 DBX PI02 MGX PA10 PG01 MA01 MF02 H170602 WO2005/120130 超音波送受信側の面に、一方の電極7を形成したメンブレン9と、その背面に構成されたキャビティ13と、これらを載置支持し、その表面に他の電極12を配設した基板2とからなる静電容量型超音波振動子であり、前記メンブレン9が複数の層からなり、その内の少なくとも一層が、高誘電率謨8からなることを特徴とする静電容量型超音波振動子により、高い周波数領域で高い音圧を得ることができるようにした。
362 WO2005/121019
独立行政法人理化学研究所 ナノ構造体の製造方法およびナノ構造体 A1 DF02 PA10 PI04 H170608 WO2005/121019 容易に微細化構造を作製することができるナノ構造体の製造方法および該製造方法により得られるナノ構造体を提供する。基板上に設けられた鋳型の表面に、液相吸着により薄膜を形成する工程と、前記薄膜の一部を除去する工程と、前記鋳型を除去する工程とを含むナノ構造体の製造方法を採用した。
363 WO2006/001162
松下電器産業株式会社 電気機械フィルタ A4 DB04 H170602 WO2006/001162 振動子が所望の振動モードのみで励振されるように、振動モードを規定することのできる電気機械フィルタ、つまり所望の振動モード以外の振動モードを抑制するフィルタを提供することを目的とし、信号を入力するための第1部材と、前記第1部材を囲むように、前記第1部材から所定間隔を隔てて配置され、前記第1部材から入力した信号による静電力で励振される第2部材と、前記第2部材から所定の間隔を隔てて、前記第2部材を囲むように配置され、第2部材の振動を検出するための第3部材とを備え、前記第2部材が前記第1部材と前記第3部材から引力を受けて拘束され、振動方向が規定されるように構成される。
364 WO2006/009216
学校法人立命館 光圧回転体及び光圧回転装置 A4 DCX H170721 WO2006/009216 光の照射により光圧トラップされるとともに、回転中心軸回りに光圧回転する側方に複数の羽根を備えた光圧回転体を提供する。本発明の光圧回転体1は、光の照射により光圧トラップされると共に、回転中心軸O回りに光圧回転する光圧回転体であって、回転中心軸Oから放射方向に伸びた第1の側面3と、回転中心軸Oと対向する第2の側面4と、第1の側面3と対面する第3の側面5と、回転中心軸Oと交わる下面6と、該下面6に対面する上面7を具備した羽根を3枚配して構成される部分から前記所定方向と逆方向へ回転させるトルクを発生させる逆トルク発生部が除去されたことを特徴とする。又、このような光圧回転体1と、光源Cと、対物(集光)レンズDとを具備した光圧回転装置であることを特徴とする。
365 WO2006/013741
松下電器産業株式会社 川勝 英樹 捩り共振器およびこれを用いたフィルタ A4 DB02 DB04 H170722 WO2006/013741 捩り共振器において、不要なたわみ振動を抑制し、共振特性の優れた共振器を提供する。振動体は梁構造、または梁構造上にパドル状の突起構造を付加したものであり、電極と振動体間の電位差により生ずる静電力が、振動体の梁の軸を中心軸としたモーメントは加えるが、梁にたわみ振動を生ずる力は加えないようにする。その1つの方法として、振動体の捩り振動に伴い、振動体との距離が遠ざかる電極と、振動体との距離が近づく電極の電極対には、同一交流信号と、極性の異なる直流バイアス電圧が加えられる構成とすることで、捩り振動のみを励振することができる。
366 WO2006/025210
松下電器産業株式会社 マイクロマシンデバイス A4 MA02 H170815 WO2006/025210 マイクロマシンデバイスは、不純物をドーピングしたポリシリコンからなるパッド107a及びパッド107bを備えている。
367 WO2006/025391
国立大学法人京都大学 分子デバイス及びその製造方法 A1 DF01 MI05 MI06 H170830 WO2006/025391 本発明の分子デバイス(1)は、基板(4)の酸化物からなる酸化物層(4b)上に、その表面に化学的に結合するように形成された、自己組織化された単分子膜(3)が設けられ、単分子膜(3)上には、ナノ構造体が配置されている。これにより、基板と、該基板上に配置されるナノ構造体との相互作用を低減し、基板上でのナノ構造体の配向を容易に制御し得る分子デバイス及びその製造方法を提供することができる。
368 WO2006/025456
株式会社アドバンテスト バイモルフ素子、バイモルフスイッチ、ミラー素子及びこれらの製造方法 A4 DA04 H170831 WO2006/025456 酸化シリコン層と、酸化シリコン層上に形成され、酸化シリコン層の熱膨張率よりも高い熱膨張率を有する高膨張率層と、酸化シリコン層の表面を覆い、経時変化による酸化シリコン層の変形を防止する変形防止膜とを備えるバイモルフ素子が提供される。変形防止膜は、変形防止膜は、水分及び酸素の透過率が酸化シリコン層よりも低くてもよく、酸化シリコン層を形成する場合よりも高いエネルギーで成膜される酸化シリコンであってもよく、窒化シリコンの膜であってもよく、金属の膜であってもよい。
369 WO2006/035524
独立行政法人科学技術振興機構 微小電極製造方法及びその製造方法によって作製された微小電極 A1 PA05 PJX H170325 WO2006/035524 第2の基板(4)上に有機分子を配置し、或いは、有機分子層を形成し、第1の基板(1)上に形成された所望のパターン上に剥離材(2)を塗布し、前記剥離材(2)上に電極材料(3)を付着させ、第1の基板(1)の電極材料(3)が付着された面と、前記第2の基板(4)上の有機分子が配置された面とを密着させて前記電極材料(3)を前記第2の基板(4)上に転写する。
370 WO2006/043642
株式会社荏原製作所 流体反応装置 A4 DC01 H171020 WO2006/043642 マイクロ空間を使用して複数の流体を混合させ、種々の化学反応作業を効率良く行うことができる、実用的な量産手段として好適な流体反応装置を提供する。この流体反応装置は、複数の流体A,Bをマイクロ反応空間を有する反応流路62に導入して反応させる流体反応装置にある。この装置は、反応に使用する流体を個々に導入する導入部2と、流体を合流させて混合する混合流路56,57,58を有する平板状の混合基板40と、流体を複数の輸送管21A,21Bを介して前記混合流路に向けて輸送する流体輸送手段16A,16Bと、流体の流量を制御する流量制御手段20と、反応流路62の温度を制御する温度制御手段7と、反応後の物質を導出する導出部104と、これらの動作を制御する動作制御手段6とを有する。
371 WO2006/054771
国立大学法人 香川大学 アオイ電子株式会社 ナノピンセットおよびこれを備える走査型プローブ顕微鏡 A1 DFZ H171122 WO2006/054771 本発明によるナノピンセット(1)は、支持体(25)と、支持体(25)から突出して試料の表面を観察する観察プローブ(10)と、支持体(25)から突出した観察プローブ(10)と並んで配設され、観察プローブ(10)との間で試料を把持解放するために開閉する可動アーム(20)と、観察プローブ(10)との間で可動アーム(20)を開閉駆動する駆動機構とを備え、支持体(25)、観察プローブ(10)および可動アーム(20)のそれぞれは、半導体ウエハ(30)をフォトリソグラフィープロセスにより加工して製作される。本発明によれば、寸法精度が高く、正確な試料の観察と確実な試料の把持が可能となる。
372 WO2006/062191
日立化成工業株式会社 マイクロ流体システム用支持ユニット及びその製造方法 A4 DC01 H171209 WO2006/062191 本発明は、固定層中に少なくとも1本の中空フィラメントの一部が任意の形状に敷設され、固定されているマイクロ流体システム用支持ユニットに関し、固定層は、基材上、保護層上または中間層上に設けられていてもよい。これにより、敷設された中空フィラメントの外径仕様が異なる場合や、該中空フィラメントが交差する場合でも表面凹凸が少なく、また、中空フィラメントが交差部で位置ずれを起こさないマイクロ流体システム用支持ユニット及びその製造方法を提供できる。
373 WO2006/075717
松下電器産業株式会社 国立大学法人 東京大学 捩り共振器およびこれを用いたフィルタ A4 DB02 DB04 MA01 H180113 WO2006/075717 パドルをもたず、効率よく励振することのできる高周波捩り振動子を提供する。捩り振動子としては、パドルをもたない断面ほぼ一定の梁構造とし、梁側面に空隙を介して電極を近接させ配置する。両者間の静電容量は単位捩り振動量あたりの静電容量変化が最大となる、または単位交流電圧あたりの静電容量変化比が最大となるように調整する。この調整は半導体プロセスを用いる場合、電極の厚みを制御することで可能とした。また振動子を単結晶シリコンとし、梁形状の加工を異方性エッチングにより行うことで、微細でかつ表面性状の優れた高Q値の振動子を生成する。
374 WO2006/080336
日本電気株式会社 フィルタおよびその製造方法 A4 DCX PGX H180125 WO2006/080336 本発明は、フィルタ特性を決定する隙間の作製精度を保持した上で、安価な材料と、一般的な加工手段を用いて、少ない工程で、より安価に製造できるフィルタ構造とその製造方法を提供する。本発明にかかるフィルタ構造は、基板と、第一の中間層と、第二の中間層と、フタとで構成され、第一の中間層は、所定の幅と深さを有する第一の流路と第二の流路を有し、第二の中間層は、所定の幅と深さを有する第三の流路を有し、第三の流路は、第一の流路と第二の流路とに連通し、第三の流路の最大深さは、第一の流路および第二の流路の最小深さより小さい構造を有する。そのため、第二の中間層の厚さを利用して、フィルタ特性を決定する隙間の作製精度を高く維持できる。
375 WO2006/085559
松下電器産業株式会社 微細構造体を保持するための構造体、半導体装置、TFT駆動回路、パネル、ディスプレイ、センサおよびこれらの製造方法 A1 DDX H180208 WO2006/085559 この発明は、カーボンナノチューブ、半導体ナノワイヤなどの微細構造体を基板の上に配列させる方法と、その方法によって配列された微細構造体を備えた基板とに関する。この方法の発明は、基板(1)に溝(2)を形成する工程と、前記溝の中に、微細構造体(3)が分散された溶液(6)を滴下する工程と、前記溶液を蒸発させることにより、前記微細構造体を前記溝の中に自己組織的に配列させる工程とを含む。この発明の方法により微細構造体が配列された基板は、電界効果トランジスタやセンサに用いることができる。
376 2008-148677 H181216 新井 史人 林 育菁 山西 陽子 マイクロ磁気ツールの製造方法及びマイクロ磁気ツールデバイスの製造方法 A4 PI02 MCC

【課題】従来のバイオチップ内で使用される磁気ツールは金属製であり、機械加工の限界より精密形状のマイクロ磁気ツールの作成は困難であり、また磁気ツールに柔軟性をもたせることは困難であった。【解決手段】本発明は硬化性樹脂と磁性微粒子を混合し、リソグラフィー技術で微細加工された型に流して固めることにより、多様な形状をマイクロスケールで量産することが可能になった。この技術により磁気駆動の回転子、併進運動を行うバルブ、細胞などの微粒子の送り出し機構など多岐な形状・機能を持つマイクロスケールの磁気ツールやマイクロ磁気アクチュエーターが製作可能になる。この磁気ツールは樹脂の特性、種類や混合濃度変化で柔軟性をもたせることが可能であり、硬さを変えることが可能である。また表面コーティング処理を行うことで、硬化性樹脂もしくはガラスもしくはプラスチック製流路内において、磁気ツールが流路などに付着することを防止することが可能である。【選択図】図4
377 2008-149394 H181215 セイコーエプソン株式会社 MEMSデバイスの製造方法 A4 PI02

【課題】可動電極をリリースするときの本来エッチングを望まない部分のサイドエッチング量を軽減し、小型化を図ることが可能なMEMSデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】可動電極50を形成した後、第1の層間絶縁膜15と第1の配線層25とをこの順に積層させて形成し、第1の層間絶縁膜15の一部を可動電極50の全面が覆われるように残して除去し予備開口部C1aを形成する。次に、第2の層間絶縁膜下層11を形成し、さらにSOG膜14を積層させてからエッチバックして予備開口部C1aにSOG膜を残留させる。次に、第2の層間絶縁膜上層12を積層させて第2の層間絶縁膜16を完成し、さらに第2の配線層26を形成して配線積層部30を完成させ、この上に保護膜20を形成する。そして、保護膜20、予備開口部C1aに残留させたSOG膜を含む配線積層部30および犠牲層5のそれぞれの一部を除去して可動電極50をリリースする。【選択図】図4
378 2008-149405 H181218 セイコーエプソン株式会社 MEMSデバイスの製造方法 A4 PI02

【課題】可動電極をリリースするときの本来エッチングを望まない部分のサイドエッチング量を軽減し、小型化を図ることが可能なMEMSデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】一部が犠牲層5上に形成された態様で可動電極50を形成した後、第1の層間絶縁膜15、第1の配線層25、第2の層間絶縁膜16、第2の配線層26をこの順に積層して配線積層部30を形成し、配線積層部30上に保護膜20を形成する。次に、リリース必要領域Tの中央上方の保護膜20、配線積層部30の一部を可動電極50を露出しない深さに除去することにより、リリース必要領域T内に所定の間隔を設けて複数配設されたが平面視略矩形状の予備開口部C1bを形成する。そして、配線積層部30および犠牲層5の一部をリリース必要領域Tを露出するように除去して開口部C1を形成することにより可動電極50を可動な状態にリリースする。【選択図】図7
379 2008-149451 H191211 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 組み込まれた受動的な電子的な構成素子を備えたマイクロマシニング型の構成エレメントおよびマイクロマシニング型の構成エレメントを製作するための方法 A4 PI02

【課題】マイクロマシニング型のセンサの適用時の費用を公知先行技術に比べて一層減少させ、場合により新たな組付けスペースを提供するために、必要となる組付けスペースを減少させる可能性を提供する。【解決手段】基板2が設けられており、該基板2に少なくとも1つの層列が配置されており、該層列が、少なくとも1つのマイクロマシニング型の機能素子を有しており、基板2に少なくとも1つの層列が配置されており、該層列が、少なくとも1つのマクロ電子的な受動的な構成素子として作用するようになっているようにした。【選択図】図3
380 2008-151772 H191115 富士フイルム株式会社 マイクロ流体チップの温調方法及び検体分析システム並びにマイクロ流体チップ A4 DC01 DE01

【課題】マイクロチップの流路内において一定量の液体を加熱して、所望の化学反応を得るに際し、蒸発に伴う液量の減少・濃縮、液の移動、気泡の発生が生じないようにし、検体の安定した検出を図る。【解決手段】平面板内に形成された微細な反応流路35を有するマイクロ流体チップ200に対して、反応流路35に溜められた液体の温度を制御するマイクロ流体チップ200の温調方法であって、反応流路35を所定の反応温度に加熱すると同時に、反応流路35の一端に連通する第1の流路49aと反応流路の他端に連通する第2の流路49bとを、加熱又は冷却によって所定の反応温度と異なる同一の温度に保持する。【選択図】図2
381 2008-152254 H191211 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング マイクロミラーデバイス A4 DA04

【課題】光ビームを互いに垂直な2つの方向で偏向し得る改善されたマイクロミラーデバイスを提供する。【解決手段】マイクロミラー(2)およびねじりばね(6)が基板ウェーハ(8)から構造化されており、実質的に1つの平面内に位置しているようにした。【選択図】図1
382 2008-153245 H181213 独立行政法人科学技術振興機構 分子素子 A1 DF01

【課題】金属内包フラーレンの方向を制御することで、多値スイッチや各種書き換え可能な論理素子を実現する分子素子を提供する。【解決手段】分子素子10は、第1の電極2と第1の電極上に配置した第1の自己組織化単分子膜4と第2の電極3と第2の電極上に配置した第2の自己組織化単分子膜5と第1の自己組織化単分子膜及び第2の自己組織化単分子膜5間に配置した金属内包フラーレン6とを備え、金属内包フラーレン6と第1の電極2との間に第1の自己組織化単分子膜4を介して第1のトンネル接合8を形成し、金属内包フラーレンと第2の電極3との間に第2の自己組織化単分子膜5を介して第2のトンネル接合9を形成し、金属内包フラーレンに印加する電界で、金属内包フラーレンの双極子モーメントの方向を制御する。【選択図】図1
383 2008-153420 H181218 セイコーエプソン株式会社 基材の分割方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、半導体装置の製造方法、基板の製造方法、及び電気光学装置の製造方法 A4 DCX PJ03

【課題】本発明は、工程の途中で加工対象物が分離することを抑制するために、新たな工程を必要としたり、加工対象物が損なわれる可能性がある処理を施したりすることなく、工程の途中で加工対象物が分離することを抑制することができる基材の分割方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、半導体装置の製造方法、基板の製造方法、及び電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明による基材の分割方法は、複数の部材が区画形成された部材領域と、部材領域を囲む外周部と、を有する基材の部材領域を分割して部材を形成する基材の分割方法であって、基材を個々の部材に分割する際に分離される部分である分割予定面に対して、周辺に比べて分割予定面の強度が小さくなるような加工である分割前加工を実行する前加工工程と、外周部を部材領域から分離して除去する外周部除去工程と、部材領域を部材に分割する分割工程と、を有する分割方法である。【選択図】図3
384 2008-153817 H181215 セイコーエプソン株式会社 MEMSレゾネータ及びMEMSレゾネータの製造方法 A2 DB02 PI01

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするMEMSレゾネータ及びMEMSレゾネータの製造方法を提供する。【解決手段】MEMSレゾネータの製造方法は、基板10上に形成された半導体デバイスとMEMS構造体部4とを有するMEMSレゾネータ2の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極30と下部電極26とを有するONOキャパシタ部6と、CMOS回路部8と、を含み、ONOキャパシタ部6の下部電極26を、第1シリコン層26を用いて、形成する。MEMS構造体部4の下部構造体16とONOキャパシタ部6の上部電極30とを、第2シリコン層52を用いて、形成する。及び、MEMS構造体部4の上部構造体18とCMOS回路部8のゲート電極34とを、第3シリコン層54を用いて、形成する。【選択図】図2
385 2008-155161 H181226 京セラ株式会社 反応装置 A4 DC01

【課題】反応に悪影響を及ぼす温度変化や添加物等が無くとも簡単な仕組みで流路に気体や液体を脈動無く流すことができる反応装置を提供すること。【解決手段】少なくとも供給路3または排出路4となる溝2と前記溝2に形成された反応部分5を有する基体1と、前記供給路3または排出路4となる溝2の内壁に形成されており、導体または磁性体と、前記導体または前記磁性体を覆う保護膜とからなる複数の微小突起7と、前記複数の微小突起7を駆動する電磁誘導発生手段とを備えていることを特徴とする。【選択図】図1
386 2008-155166 H181226 京セラ株式会社 流体装置 A4 DC01

【課題】領域毎の均熱性が高く、小型化を容易に達成することができる流体装置を提供する。【解決手段】流体が流れる流路7,8がそれぞれ設けられ、少なくとも一方は加熱又は冷却することが可能な2つの流路基板2,3と、2つの流路基板2,3を収容する収容容器4と、収容容器4にそれぞれ接合されるとともに、対応する流路基板2,3の流路にそれぞれ接続される2つの第1管5,6と、流路基板2,3の流路同士を接続する第2管9とを備え、各第1管5,6と収容容器4との接合部位から各第1管5,6と対応する流路7,8との接続部位までの長さは、各第1管5,6がそれぞれ接続された流路が設けられている2つの流路基板2,3の温度の大小に応じて異なる。【選択図】図1
387 2008-155245 H181222 松下電工株式会社 接合方法 A4 PGX

【課題】接合特性の安定性および接合歩留まりの向上を図れる接合方法を提供する。【解決手段】接合対象物を導入した接合室内を真空排気する真空排気工程(S3)と、真空排気工程(S3)の後に接合対象物の接合部位の表面にイオンビームもしくは原子ビームもしくはプラズマを照射して接合部位の表面を活性化する表面活性化工程(S5)と、表面活性化工程(S5)の後に接合対象物の接合部位同士を接合する接合工程(S6)とを備える。真空排気工程(S3)と表面活性化工程(S5)との間に、接合対象物の接合部位を加熱する加熱工程(S4)を設け、表面活性化工程(S5)と接合工程(S6)とは、接合対象物の接合部位へのガス成分の吸着を防止するために接合対象物の接合部位を加熱した状態で行う。【選択図】図1
388 2008-155290 H181221 株式会社ニコン 薄膜構造体、マイクロアクチュエータ、光シャッタ装置、光束調整装置及びマイクロスイッチ A4 DA01 DB01

【課題】薄膜で構成された湾曲梁部にねじれ現象が生じ難い薄膜構造体を提供する。【解決手段】薄膜で構成された梁部であって、力を受けていない状態で自身の保有する応力によって湾曲する梁部を備えた薄膜構造体において、前記梁部は、その長さ方向に延びた一本以上のスリットで複数の梁構成部に分断されている。【選択図】図1
389 2008-155314 H181222 住友精密工業株式会社 MEMSデバイスの製造方法 A4 DA02 PIX

【課題】テンポラリーブリッジを必要としないMEMSデバイス製造方法を提供する。【解決手段】シリコンウエハ4を加熱して、該シリコンウエハの両面に酸化膜41を形成する酸化膜形成工程と、シリコンウエハ4の一方の面に形成された酸化膜41を除去する第1酸化膜除去工程と、一方の面の酸化膜が除去されたシリコンウエハに上層基板2を複数形成する成形工程と、上層基板が複数形成されたシリコンウエハと、下層基板が複数形成された絶縁ウエハとを積層して、上層基板と下層基板とが積層された積層体を複数形成する積層工程と、積層体のシリコンウエハの他方の面に形成された酸化膜を除去する第2酸化膜除去工程と、積層工程において形成された複数の積層体を切り離して、複数のMEMSデバイスを形成するダイシング工程とを備える。【選択図】図2
390 2008-155326 H181225 松下電工株式会社 半導体装置及びその製造方法 A4 DD01 PGX

【課題】各基板間の接合強度を向上させることで信頼性を向上させることのできる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】第1の基板であるセンサ基板1を複数形成したセンサウェハ10の一方の面に第2の基板である貫通孔配線形成基板2を複数形成した第1のパッケージウェハ20を積層し、他方の面に第3の基板であるカバー基板3を複数形成した第2のパッケージウェハ30を積層し、当該積層した複数のセンサ基板1、貫通孔配線形成基板2及びカバー基板3のそれぞれに貫通孔を形成し、当該貫通孔内に連結部材を充填した後に各チップにダイシングするものである。【選択図】図1
391 2008-155333 H181225 独立行政法人科学技術振興機構 金属ガラスを用いたマイクロマシン及びそれを用いたセンサ並びにその製造方法 A4 DD03 MFX MGX

【課題】金属ガラス薄膜を構成要素とする、新規なマイクロマシン及びそれを用いたセンサ並びにマイクロマシンの製造方法を提供する。【解決手段】マイクロマシン1は、基板2と基板2に配置される金属ガラス薄膜3とを備えている。金属ガラス薄膜3は、基板の開口部2A上に配置してもよいし、金属ガラス薄膜3は基板に配置されているカンチレバーであってもよい。好ましくは、基板2はSiからなり、金属ガラス薄膜3は、Zr−Al−Cu−Ni系又はPt−Pt−B−Zr系の材料からなる。【選択図】図1
392 2008-155342 H181226 日本電信電話株式会社 エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 微細構造体の製造方法 A4 PI02

【課題】酸化シリコンなどの無機材料からなる絶縁層を備えた可動構造体を、樹脂からなる犠牲層を用いてより容易に高い歩留りで作製できるようにする。【解決手段】支持部材105と第1樹脂犠牲層106の上面に金属犠牲層107が形成された状態とし、次に、金属犠牲層107の上面に、シリコン酸化膜をスパッタ法により堆積し、公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とにより加工することで絶縁層108が形成された状態とし、この後、板状の上部電極111,梁部112,及びアンカー部113を含む可動構造体が形成された状態とする。【選択図】図2
393 2008-157932 H191130 株式会社荏原製作所 マイクロ流体デバイス、および、マイクロ流体デバイスの温度制御システム A4 DC01

【課題】本発明の課題は、マイクロ流体デバイスを局所的に温度制御することである。【手段】温度制御する部位の近傍に開口部を備えるマイクロ流体デバイスにより、マイクロ流体デバイスを局所的に温度制御することが可能になる。また、本発明は、マイクロ流体デバイスの開口部に、熱交換流体を導入あるいは熱交換部材を挿入する工程と、該熱交換流体または該熱交換部材を介してマイクロ流体デバイスと熱交換を行う工程とを含む、マイクロ流体デバイスの温度制御方法を提供する。【選択図】図1
394 2008-160563 H181225 宝川 幸司 株式会社多摩川電子 高周波信号の処理装置及び減衰装置並びに共振装置 A4 DB01

【課題】高周波信号の減衰装置等においてインピーダンス不整合、挿入損失等を少なくする。【解決手段】高周波信号減衰装置100の入出力側端部で、コプレナー線路2の一部を構成する信号線2Sは、中心部分が延長され中心線路2SAを構成する。中心線路2SAの両外側に側線路2SB、2SCを形成しコプレナー構造とする。入出力側端部からそれぞれ延長される中心線路2SA間に、抵抗減衰器4を形成する。信号線2Sと側線路2SB、2SCとを接断するMEMSスイッチ(以下、MS)10,30及び、側線路2SB,2SCとグランド線2g1、2g2を接断するMS20を設ける。ユーザーの指示により、制御部(不図示)は、MS10の接触部S1,S1、MS30の接触部S3,S3をオフ、且つMS20の接触部S2,S2をオンとして高周波信号を抵抗減衰器4を通過させ、又は接触部S1,S1、接触部S3,S3をオン、且つ接触部S2,S2をオフとしスルーさせる。コプレナー線路構造によりインピーダンス不整合等が少なくなる。【選択図】図1
395 2008-160906 H181221 株式会社ニコン マイクロアクチュエータ A4 DC01

【課題】より低い駆動電圧で作動するマイクロアクチュエータを提供する。【解決手段】マイクロアクチュエータは、基板を含む固定部と、湾曲部と直線状部とを有する片持ち構造の可動部とを備える。湾曲部は駆動力が加えられていない状態において湾曲する。直線状部は片持ち構造の固定端と湾曲部との間に配置され、駆動力が加えられていない状態において基板の主平面と略平行に延びる。駆動電圧が印加されたときに湾曲部の少なくとも一部と直線状部の少なくとも一部が固定部側にプルインされる。【選択図】図3
396 2008-162006 H190414 サノンウェルス エレクトリック マシーン インダストリー カンパニー リミテッド 微小スクラッチ駆動アクチュエータの新規なレイアウト設計 A4 DA01 DC03

【課題】微小スクラッチ駆動アクチュエータ(SDA)の歩留り、寿命および駆動電圧を改善するために、本発明は、エッチング孔およびフランジ構造設計を含む新規なレイアウト設計を提案する。【解決手段】エッチング孔が、従来のSDA板のレイアウトに加えられると、構造層の解放が促進され、SDA板の前端における蓄積された残留電荷が低下する。この斬新な設計により、SDA装置の長寿命化および低電圧化が実現する。他方、ビーム−SDA板結合路間のコーナー部にフランジ構造設計を追加することで、細いポリシリコンサポートビームの曲げ剛性が向上し、さらにSDA装置の歩留りが高まり、作動中の亀裂破損を減少させることができる。【選択図】図2
397 2008-162229 H190103 株式会社リコー 静電型アクチュエータ、液体吐出ヘッド、画像形成装置、マイクロポンプ A4 DC03

【課題】低電圧駆動が可能で大きな振動板戻り力を得ることが困難である。【解決手段】振動板11は、振動板11の短辺方向でおいて、相対的に剛性が異なる少なくとも第1、第2、第3の領域11A、11B、11Cを有し、第1の領域11Aよりも第2の領域11Bの剛性が低く、第1の領域11Aよりも第3の領域11Cの剛性が高い関係にあり、第2の領域11B、11Bは振動板11の短辺方向の固定端側(隔壁部9側)に設けられ、第3の領域11Cは振動板11の中央部側に設けられ、更に第3の領域11Cの一部には相対的に剛性の低い低剛性領域11Dが設けられている構成となる。【選択図】図8
398 2008-162993 H190202 国立大学法人富山大学 オクタエチルポルフィリン誘導体からなる分子機能素子 A1 DF01

【課題】合成が容易で分子モーター、分子スイッチなどに利用できる分子機能素子を提供。【解決手段】オクタエチルポルフィリン環(OEP)とピリジン環(Py)などの含窒素複素環式基をジアセチレン結合で連結し、その間にジヘキシルビチオフェン(DHBTh)またはジヘキシルビチフラン成分を組み込んだ拡張共役系一次元分子構造を有するオクタエチルポルフィリン誘導体を用いる。pHおよび/または温度を調整する事により、ポルフィリン環部分の回転を制御するができる。そのため、ナノマシンの素材(分子モーター、分子スイッチなど)として利用できる。【選択図】図1
399 2008-164452 H181228 日本板硝子株式会社 圧力ヒューズ A4 DC01

【課題】マイクロチップに試料溶液を送液する配管が詰まったとき等の異常時に配管内の圧力を制御することができると共に、正常時の測定を精度よく行うことができる圧力ヒューズを提供する。【解決手段】マイクロ化学システム1は、流路2及びこれに合流する圧力ヒューズ3を内部に備えるマイクロチップ100と、マイクロチップ100に試料溶液を供給するチューブ71と、外部にマイクロチップ100内の試料溶液を排出するチューブ72と、チューブ71に試料溶液を送液するシリンジポンプ7とを備える。シリンジポンプ7による試料溶液の送液中に、流路2に異物等が混入して詰まった場合などでチューブ71内部の試料溶液にかかる圧力P1がPgmの最大値(10kPa)以上になると、圧力ヒューズ3内に試料溶液を流れ込ませることにより圧力P1を下げる。【選択図】図1
400 2008-164592 H191114 インフィニオン・テクノロジーズ・センソノール・エーエス バックスキャッタセンサ A4 DDX

【課題】現在のデバイスに比較して小型かつ軽量であり、機械的構造が簡素かつ製造コストを安く、Qファクタが高くかつ広い周波数範囲にわたって良好な検出が可能なバックスキャッタセンサを提供すること。【解決手段】変調された電磁波信号を受信して受信信号として出力する受信部(28)と、前記受信部が出力した前記受信信号の周波数に応じた電圧を前記容量要素の両端子間に生成させる容量部(22)と、前記電圧によって励振され、かつ外力によって共振周波数が変化するとともに、前記共振周波数の変調信号を出力する共振部(21)と、前記受信信号を復調して搬送波信号を出力する復調部(27)と、前記復調部が出力した前記搬送波信号と前記共振部が出力した前記変調信号と混合して変調された送信信号を生成する変調部(27)と、前記送信信号を電磁波信号として送信する送信部(28)とを備えたことを特徴とするバックスキャッタセンサ(20)。【選択図】図2
401 2008-164827 H181227 ブラザー工業株式会社 光走査素子、光走査装置、光走査型表示装置、網膜走査型表示装置及び光走査素子における貫通孔の生成方法 A4 DA02 DA04

【課題】光走査素子において反射ミラーの振れ角を大きくした場合の梁部の強度低下を容易に抑えること。【解決手段】反射面を有するミラー部2と、ミラー部2に連結されるミラー支持部3a,3bと、ミラー支持部3a,3bに連結され、振動によりミラー支持部3a,3bに捻れ変位を生じさせる枠部とを有する第1部材8と、第1部材8の枠部4を固定して保持する第2部材11と、枠部4に固着され、枠部4に振動を伝達する圧電体12a,12bとから構成され、枠部4は梁部5a,5bとその梁部5a,5bの両端に位置する固定部6a〜6dとを有し、ミラー支持部3a,3bは梁部5a,5bの連結部Qa,Qbにおいて連結され、枠部4は固定部6a〜6dにおいて第2部材11に固定され、圧電体12a,12bは固定部6a,6bと梁部5aとに跨って設けられ、圧電体12a,12bと連結部Qaとの間の梁部5aに貫通孔7a,7bを設けた。【選択図】図2
402 2008-165227 H191217 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. 光変調器モジュールパッケージ A4 DA04 DAX PHX

【課題】光変調器モジュールパッケージを提供する。【解決手段】本発明の光変調器モジュールパッケージは、光源から入射された入射光をミラーの上下離隔距離に応じて回折及び干渉させて変調された変調光を出射する光変調器と、前記光変調器を駆動するために前記光変調器の周辺に実装されるドライバICと、前記入射光のうち前記光変調器のミラー領域に入射されない光を遮断するノイズ除去部材とを備える。これによれば、光源から出射された光のうち光変調器から反射しない光が光変調器から出射された変調光に及ぼす影響を最小化させることができる。【選択図】図3
403 2008-166111 H181228 松下電器産業株式会社 スイッチ A4 DB01 MG01 MG04 MGX

【課題】スティッキングを起こすことなくスイッチング動作を可能とするスイッチを提供することを目的としている。【解決手段】基板2と、基板2上に配置した信号線路導体1と、信号線路導体1上を可動する可動電極部とを備え、可動電極部は、圧電体3と、圧電体3の表裏面に配置した駆動電極6A,6Bと、圧電体3の表面に配置したスイッチ電極4とを有し、スイッチ電極4は圧電体3を介して信号線路導体1と対向させたり対向させなかったりする構成である。【選択図】図1
404 2008-166484 H181228 松下電器産業株式会社 可変容量素子及びそれを用いた可変フィルタ A4 DB05 MG01 MG02 MG04 MGX

【課題】可動時に容量値の差が小さく、また連続的に容量値を可変することができる素子を提供することを目的としている。【解決手段】基板4と、基板4上に配置した複数の信号線路導体1,2と、複数の信号線路導体1,2上を可動する可動電極部とを備え、可動電極部は複数の導体電極5,6を配置した誘電体3を有し、導体電極5,6の少なくとも1つは、誘電体3を介して信号線路導体1,2と常時対向させ、導体電極5,6の他の少なくとも1つは、誘電体3を介して信号線路導体1,2と対向させたり対向させなかったりしているものである。【選択図】図1
405 2008-166593 H181228 株式会社東芝 MEMSインダクタ、MEMS共振回路およびMEMSインダクタの製造方法 A4 DB02 DB06 PI02

【課題】MEMSインダクタを支持基板の面から高く形成する必要なく薄型化して構成できるようにする。【解決手段】シリコン基板2の両面2aおよび2b間に設けられた貫通孔2cを通じて導電線材3を形成する。するとMEMSインダクタ1をシリコン基板2の表面2aおよび裏面2b内に沿って形成できると共に貫通孔2c内を利用してMEMSインダクタ1をより小型に構成できる。しかも、導電線部3aはシリコン基板2の貫通孔2c内では間隙A2を存して形成されているため、浮遊容量を低減できる。【選択図】図2
406 2008-166676 H190414 サノンウェルス エレクトリック マシーン インダストリー カンパニー リミテッド 超低抵抗シリコンウエハーによる低駆動電圧微細スクラッチ駆動アクチュエータの開発 A4 PI02 MA01

【課題】分圧理論に基づき、本発明は、基板として超低抵抗シリコンウエハーを用いて微細スクラッチ駆動アクチュエータ(SDA)の駆動電圧を下げる新しい方法を提案する。【解決手段】本発明では、同一レイアウト、同一製造プロセスを用いるが異なった抵抗の基板を用いて、2つのSDAアクチュエータを比較した。超低抵抗シリコンウエハー上に製造されたSDAは、わずか約4〜12Vo-pという低い駆動電圧を実現した。しかし、通常のシリコンウエハーを用いた従来のSDAは、より高い駆動電圧(30〜75Vo-p)を必要とし、このため実用化への可能性は低い。これに対して、本発明は、従来のマスクアライナに固有の線幅限界2μmを4360Åの紫外線光源(g線)を用いて克服し、また、さらにSDAの駆動電圧を下げるための新しいSDAプロセスを提供する。【選択図】図2
407 2008-166837 H200310 京セラ株式会社 電子部品封止用基板およびそれを用いた電子装置、並びに電子装置の製造方法 A4 PHX

【課題】半導体基板の表面の微小電子機械機構を気密封止した電子装置を構成する電磁ノイズ特性に優れた電子部品封止用基板を提供すること。【解決手段】半導体基板10と該半導体基板10の表面に設けられた微小電子機械機構8と表面に設けられるとともに微小電子機械機構8に電気的に接続される電極9とを有する電子部品10の微小電子機械機構8を封止するための電子部品封止用基板であって、一方主面から他方主面または側面に導出された配線導体2が形成された絶縁基板1と、該絶縁基板1の一方主面に形成された、配線導体2と電気的に接続される接続端子5と、絶縁基板1の一方主面に形成された、微小電子機械機構8を取り囲んで気密封止するための導電性枠状封止部4と、該導電性枠状封止部4に電気的に接続されて絶縁基板1に形成された接地用貫通導体12とを有し、接地用貫通導体12は、平面視して、微小電子機械機構8を取り囲むように複数形成されている。【選択図】図1
408 2008-166903 H181227 エプソントヨコム株式会社 輪郭振動子 A4 DBX PI02 MA01

【課題】振動漏れの防止、および振動子の小型化を図ることを可能とする輪郭振動子を提供する。【解決手段】上記課題を解決するための輪郭振動子は、輪郭滑りモードの振動が励起される振動部12と、前記振動部12との間に間隙を設けて配置された支持部14と、前記振動部12における振動の節を基端として設けられた接続アーム16と、前記接続アーム16と前記支持部14との間に、前記接続アーム16と平行に設けられた補助アーム18と、前記接続アーム16の先端部16aと前記補助アーム18の一方の端部18a、前記補助アーム18の他方の端部18bと前記支持部14とをそれぞれ連結する連結部20とを有することを特徴とする。【選択図】図1
409 2008-167508 H181227 独立行政法人産業技術総合研究所 太陽誘電株式会社 アクチュエータ及びアクチュエータ製造方法 A4 PI02

【課題】新規な構造を有するアクチュエータを提供する。【解決手段】本願のアクチュエータは、圧電体層の上下に電極層を有し、一端又は両端が基板に支持されている駆動アームと、信号線とを有する。そして、駆動アームが、基板と一部の層を共有しており、信号線が、駆動アームとねじれの関係になるように駆動アーム上に架橋されているものである。このように駆動アームが基板と一部の層を共有するような構成となれば、弾性層として機能するだけではなく、基板に支持部を別途形成するより強度を高くすることができる。さらに、信号線は、駆動アームより上に形成されるので、圧電体層の形成の影響がほとんど無くなり、信号線に適切な材料(例えばAuやAlなど)を用いることができるようになる。【選択図】図1
410 2008-168423 H191225 三星電機株式会社 回転型MEMSデバイス A4 DA02 DD02

【課題】ねじりバネに支持されたステージの回転角度を正確に測定できるセンサを備えたマイクロ光スキャナを提供する。【解決手段】ステージ10の両側を支持する一対のねじりバネ30と、ねじりバネ30の中央軸に沿って形成された抵抗体R1〜R4と、抵抗体の抵抗変化を検出する電気的回路とを具備する回転型MEMSデバイスである。また、該ねじりバネは、(100)面を有するn型シリコン基板であって<100>方向に形成され、ねじりバネに形成された抵抗体は、ねじりバネで<110>方向に形成されている。【選択図】図3
411 2008-170495 H190109 キヤノン株式会社 揺動体装置 A4 DA02 DA04

【課題】可動子の揺動を安定的にすることができ、流体騒音の低減、低消費エネルギー駆動を可能とした揺動体装置を提供することである。【解決手段】揺動体装置1101は、少なくとも1つの可動子1102、1104と、可動子1102、1104を揺動させる駆動手段を有する。可動子1102、1104は、支持基板1106または他の可動子に対して、支持部1103、1105により軸の回りで揺動可能に支持される。可動子1102、1104の表面の少なくとも一部に、揺動時の表面付近の流体の流れを整えるための凹凸形状1107が形成されている。【選択図】図1
412 2008-170565 H190110 キヤノン株式会社 揺動体装置、及び揺動体装置を用いた画像形成装置 A4 DA02 DA04

【課題】揺動体である可動板を可動に弾性支持する支持部上の配線を比較的幅広くした形状でも形成することを可能にした揺動体装置を提供することである。【解決手段】揺動体装置は、支持基板204と、支持部203と、支持部203によって支持基板204に対して振動可能に支持されている可動板202と、第1の機能を行う第1機能素子205と、第2の機能を行う第2機能素子208とを有する。この揺動体装置において、第1機能素子205に繋がった配線207が、支持部203の第1面に形成され、第2機能素子に繋がった配線210が、第1面に配線207が形成された支持部203の第1面とは異なる第2面に形成されている。【選択図】図1
413 2008-170654 H190110 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置 A4 DA02 DA04

【課題】小型化を図りつつ、環境温度に対する影響を緩和または防止し、所望の振動特性を発揮することができるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータは、可動板21と、支持部22と、可動板21と支持部22とを連結する1対の連結部23、24と、可動板21を回動駆動させるための駆動手段とを有し、連結部23は、可動板21から延出する軸部材231と、軸部材231と支持部22とを連結し、可動板21側へ折り返すように形成された折り返し部232とを有している。【選択図】図1
414 2008-170902 H190115 セイコーエプソン株式会社 光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置 A4 DA02 DA04

【課題】オフセット電圧による可動板の厚さ方向での変位を防止しつつ、圧電駆動により可動板を回動させることができる光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明の光学デバイス1は、光反射性を有する光反射部221を備えた可動板22を含む可動部10と、可動部10を支持する弾性変形可能な4つの変形部材27、28、29、30と、各変形部材27、28、29、30上に接合され、各変形部材27、28、29、30を可動板22の厚さ方向に曲げ変形させることにより可動板22を回動させる4つの圧電素子31、32、33、34とを有し、4つの圧電素子31、32、33、34のうち、2つの圧電素子31、32が可動板22の一方の面側に設けられ、他の2つの圧電素子33、34が可動板22の他方の面側に設けられている。【選択図】図1
415 2008-171586 H190109 松下電器産業株式会社 電気機械スイッチ、その製造方法およびそれを用いた電気機器 A4 DB01 PI02

【課題】高速応答・低電圧駆動、高信頼性(耐久性、高電力)、拡張性(SPDT:SinglePoleDoubleThrowなど)などの電気機械スイッチの高性能化を同時にかつ単体で実現する電気機械スイッチおよびそれを用いた電気機器を提供する。【解決手段】本発明電気機械スイッチは、基板上に形成された電気機械スイッチであって、少なくとも1点を固定された第1の電極と、前記第1の電極と所定の間隔を隔てて、配された第2の電極とで構成され、前記第1及び第2の電極の両方が変位して接触可能に構成された電気機械スイッチにより、従来実現困難であった高性能化を同時にかつ単体で実現する電気機械スイッチを実現する。【選択図】図1
416 2008-172696 H190115 松下電器産業株式会社 音響検出機構及びその製造方法 A4 DDX PI03.MA02.MB03

【課題】信頼性を劣化させることなくヒンジ構造の深い振動膜を容易に形成できるようにし、それによって音響感度が高い音響検出機構を安価に提供する。【解決手段】基板10の中央部に貫通穴12が設けられている。基板10の上に、貫通穴12を覆うように、下部電極を含む振動膜1が設けられている。振動膜1の上方にエアギャップ4を介在させて上部固定電極3が配置されている。振動膜1には、50度以上で且つ80度以下のテーパ角を持つヒンジ構造19が設けられている。【選択図】図1
417 2008-172902 H190110 セイコーエプソン株式会社 国立大学法人 東京大学 アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置 A4 DA02 DA04

【課題】小型化および省電力化を図りつつ、大きな回動角を有するアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】アクチュエータ1は、質量部21と、支持部231、232と、固定平板電極3と、可動平板電極22と、支持部231、232と質量部21とを連結する1対の第1の連結部241、242と、質量部21と可動平板電極22とを連結する1対の第2の連結部251、252とを有し、固定平板電極3と可動平板電極22との間に電圧を印加し、固定平板電極3と可動平板電極22との間に静電力を発生させることで、可動平板電極22と固定平板電極3とを略平行に保ちつつ、可動平板電極22をその厚さ方向へ変位させ、それに伴い、第1の連結部241、242および第2の連結部251、252のそれぞれを変形させつつ質量部21を回動させるように構成されている。【選択図】図1
418 2008-173719 H190119 キヤノン株式会社 複数の導電性の領域を有する構造体 A4 DD01 DD02 DDX PI03

【課題】応力の発生しにくい、電気的に絶縁された複数の導電性の領域を有するマイクロ構造体などの構造体を、比較的簡易な構成で提供することである。【解決手段】マイクロ構造体などの構造体は、互いに電気的に絶縁された複数の導電性の領域106、107、108、109を有する。複数の導電性の領域106、107、108、109間は、連続した酸化領域104によって絶縁されている。酸化領域104は、複数の貫通孔105もしくは溝が形成された材料の酸化物から成っている。【選択図】図1
419 2008-175812 H191214 有限会社フルイド マイクロ流体デバイスおよびそれを用いた分析装置 A4 DC01 DEX

【課題】従来から用いられているマイクロポンプとマイクロミキサーには次のような課題がある。機械的あるいは流体力学的な方法は、流路内の構造が複雑で目詰まりしやすく、製造コストが高く、デッドボリュームが多い。また、電気的方法は流路の構造がシンプルではあるが、医用やバイオで重要な生理食塩水濃度の液体で動作しなかった。【解決手段】電極間ギャップが鉛直に設置された電極対に交流電圧を印加し、電極間ギャップに沿って反重力方向への流体の流れを発生させて上記課題を解決する。特に、電極間ギャップに沿って鉛直方向へマイクロ流路11を形成することによりマイクロポンプ43,44が実現でき、電極間ギャップに直交する水平方向へマイクロ流路11を形成することによりマイクロミキサー41が実現できる。【選択図】図12
420 2008-176181 H190122 ブラザー工業株式会社 光走査装置 A4 DA02 DA04

【課題】本発明は、被走査面上における静止ゴースト像の発生を抑制することができる光走査装置を提供することを課題とする。【解決手段】光走査装置は、レーザダイオードと、光を平行な光束にするカップリングレンズと、回転振動する振動ミラー15aと、振動ミラー15aを支持し、振動ミラー15aよりも大きな開口15eを有するミラー支持体15bと、カップリングレンズと振動ミラー15aとの間に配置された絞り部材13と、絞り部材13と振動ミラー15aとの間に配置される遮光壁14とを備える。そして、遮光壁14の開口14aの光軸に直交する任意の方向の幅、例えば横幅Wは、横幅Wに対応する絞り部材13の開口13aの幅をa、横幅Wに対応するミラー支持体15bの開口15eの幅をbとしたとき、a<W<bを満たすように設定される。【選択図】図2
421 2008-176268 H190608 富士通株式会社 国立大学法人 東京大学 光波面制御装置およびその製造方法 A4 DA04 PI03

【課題】歩留まりおよび消費電力が改善される。【解決手段】支持基板層11aおよび中間層11bが順に積層された底面部11cと、底面部11c上に形成され、内壁にトーションバー12を介してマイクロミラー13が一体的に形成され、上面にスペーサ14を備えるデバイス部11dとを有するミラー基板11と、一対の透明電極16が、マイクロミラー13の両端部もしくは両端部近傍にそれぞれ重なるように配置され、スペーサ14を介してミラー基板11と接合する上部ガラス基板15と、により構成するようにした。【選択図】図1
422 2008-177043 H190118 富士通株式会社 マイクロスイッチング素子およびマイクロスイッチング素子製造方法 A4 DB01 PI02

【課題】固定コンタクト電極に対する可動コンタクト電極の配向ばらつきを抑制するのに適したマイクロスイッチング素子及び当該マイクロスイッチング素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の素子X1は、固定部11と、可動部12と、接触部13a’,13b’を有する電極13と、接触部13a’に当接する接触部14a’を有する電極14Aと、接触部13b’に対向する接触部14b’を有する電極14Bとを備える。本発明の方法は、基板上に電極13を形成する工程、電極13を覆うように基板上に犠牲層を形成する工程、犠牲層において電極13に対応する位置に、第1凹部とこれより浅い第2凹部とを形成する工程、犠牲層を介して電極13に対向する部位を有して第1凹部を充たす電極14Aを形成する工程、犠牲層を介して電極13に対向する部位を有して第2凹部を充たす電極14Bを形成する工程、及び犠牲層を除去する工程を含む。【選択図】図3
423 2008-177074 H190119 富士通株式会社 マイクロスイッチング素子 A4 DB01

【課題】駆動電圧を低減するのに適し且つコンタクト電極間のスティクションを回避するのに適したマイクロスイッチング素子を提供する。【解決手段】本発明のマイクロスイッチング素子X1は、基板S1と、第1面12aおよび第2面12bを有して基板S1に支持された可動部12と、第1面12a上に設けられた可動コンタクト電極13と、可動コンタクト電極13に対向する部位を有する固定コンタクト電極14と、固定コンタクト電極14に可動コンタクト電極13が接近するように可動部12を動作ないし弾性変形させることが可能な第1駆動機構(駆動電極15A,15B)と、固定コンタクト電極14から可動コンタクト電極13が離反するように可動部12を動作させることが可能な第2駆動機構(駆動電極16A,16B)とを備える。【選択図】図5
424 2008-177481 H190122 日立金属株式会社 半導体センサー装置およびその製造方法 A4 PHX

【課題】MEMSチップとシリコン製キャップチップを接合したMEMS組立体を樹脂モールドすると、樹脂モールド時にワイヤーが動きシリコン製キャップチップの側面と接触して、ノイズの発生や線間短絡の不具合がある。【解決手段】シリコン製キャップチップの側面をウェットエッチングで形成し、ウェットエッチング面に絶縁性保護膜を形成することで、密着力の高い絶縁性保護膜が形成でき、樹脂モールド時にワイヤーが動いてキャップチップ側面に接触しても、ノイズの発生や線間短絡を防止できる。【選択図】図4
425 2008-177933 H190119 ソニー株式会社 電気機械素子、並びに信号処理デバイス、通信装置 A4 DB04 DBX MG04

【課題】より簡単な素子構造で能率よく高周波領域の電気信号の加工を行うことができる、電気機械素子を提供する。【解決手段】圧電体膜5に設けられた複数の電極2、3、4と、複数の電極2〜4のうち所要の電極4と誘電体層6を挟んで対向する他の電極7とを有し、誘電体層6を挟む電極4及び7に入力される複数の信号による静電気的な外力により圧電体膜5が駆動し、圧電体膜5の圧電性により誘起される電気信号を出力する。【選択図】図1
426 2008-178173 H190116 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置 A4 DA02 DA04

【課題】小型化を図りつつ、圧電素子を用いて可動板の挙動検知と回動駆動とを効率的に行うことのできるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】アクチュエータは、1対の圧電素子51、52(1対の圧電素子53、54)と、1対の圧電素子51、52に電圧を交互にかつ周期的に印加する電圧印加手段6と、圧電素子51、52の電圧が印加されていない状態での変形により生じる起電力に基づいて可動板の挙動を検知する挙動検知手段7と、挙動検知手段7の検知結果に基づいて、電圧印加手段6の作動を制御する制御部8とを有している。【選択図】図3
427 2008-181042 H190126 松下電工株式会社 半導体構造及びその製造方法 A4 DA02 DA04 PI03

【課題】可動部中に絶縁分離構造を設けた半導体構造を容易に製造可能にする。【解決手段】光走査ミラー(半導体構造)1は、第1シリコン層100a、酸化膜120、第2シリコン層100bから成るSOI基板100を加工することにより形成されている。第1シリコン層100aには、固定フレーム4に第1ヒンジ5を介して支持された可動部50が形成されている。可動部50は、トレンチ(絶縁分離構造)101aが形成されることにより複数の部位に分かれている。トレンチ101aの下方に、酸化膜120及び第2シリコン層100bから成る支持体9が形成されている。支持体9にはトレンチ101aにより分割された可動フレーム3の複数の部位が接合されており、可動部50は支持体9と一体に揺動可能である。これにより、簡易なエッチングによる製造工程により支持体9を形成し、可動部50の機械的強度を確保可能である。【選択図】図1
428 2008-181127 H200123 三星電機株式会社 MEMSデバイス、およびその製造方法 A4 DA02 DDX PI03

【課題】外部衝撃による破損およびそれによるコストアップを抑制できるMEMSデバイス、およびその製造方法を提供する。【解決手段】フレーム111と、フレームと同じ層に形成され、フレームに対して相対運動可能に連結された駆動体115と、駆動体の高さ方向変位を制限する少なくとも一つのストッパ140、150と、を備えることを特徴とするMEMSデバイスである。また、第1基板110上に第2基板130を接着する工程と、第1基板を部分的に除去して、フレームおよびフレームに対して相対運動可能に連結された駆動体を形成する工程と、第2基板を部分的に除去して、駆動体の高さ方向変位を制限する少なくとも一つのストッパを形成する工程と、を含むことを特徴とするMEMSデバイスの製造方法である。【選択図】図1
429 2008-181725 H190124 富士通株式会社 富士通メディアデバイス株式会社 マイクロマシンデバイスの駆動制御方法および装置 A4 DB01 DB05

【課題】可変容量のマイクロマシンデバイスの制御において、ヒステリシスの生じるのを抑え、従来よりも容易に正確な制御を行えること。【解決手段】互いに対向する第1の電極24と第2の電極25を有しかつそれらの間に誘電体層26が形成されてなるマイクロマシンデバイス11の駆動制御方法であって、第1の電極24と第2の電極25との間に制御電圧VCを加えることによって、第1の電極24と第2の電極25とに静電力を作用させて第1の電極24または第2の電極25を変位させるとともに、制御電圧VCの正負極性を所定の周期以内で反転させる。【選択図】図1
430 2008-182014 H190124 株式会社フジクラ パッケージ基板及びその製造方法 A4 PHX

【課題】気密信頼性に優れ、機能素子の特性劣化がなく、ウエハレベルでの機能素子の封止が容易なパッケージ基板を提供する。【解決手段】本発明のパッケージ基板10は、一方の面に機能素子12を備えた第一基板11、該第一基板の機能素子に重なるように、一方の面が配された第二基板21、第一基板と第二基板との間に挟まれ、機能素子に対応する位置に空間51を成すと共に、該空間を包囲するように配された封止部15、を少なくとも備える。第一基板は、機能素子と電気的に接続された第一導電部13を備える。第二基板は、一方の面に配された第二導電部23、他方の面に配された第三導電部25、第二導電部と第三導電部とを電気的に接続する第四導電部からなる貫通電極26を備える。封止部は、第一基板と第二基板の重なる方向から見て、該第二基板の一方の面内に内包される位置にあり、第一導電部と第二導電部は半田バンプ16により電気的に接続される。【選択図】図1
431 2008-182134 H190126 富士通株式会社 可変キャパシタ A4 DB05

【課題】駆動電圧特性の変動を抑制するのに適し、且つ、静電容量について大きな可変率を実現するのに適した、可変キャパシタを提供する。【解決手段】本発明の可変キャパシタX1は、例えば、対向面12aを有する固定電極12と、対向面12aに対向する対向面13aを有し且つ固定電極12の側に突き出るように湾曲している部位を有する可動電極13と、対向面12aに設けられた誘電体パターン14とを備える。【選択図】図4
432 2008-183636 H190126 ソニー株式会社 MEMSデバイス、MEMSデバイスの製造方法、及び電子機器 A4 DD02 PHX

【課題】薄型で耐久性の高いMEMSデバイスを提供する。【解決手段】回路基板200の部品搭載側の主面を被う蓋300を、金属材料からの等方性エッチングによって作製することで、高い自由度で最適な形状を選定することができ、高強度で、小型薄型の蓋300を得ることができる。例えば、金属材料の不要部分を選択的に除去して形成された空間のコーナ部に第1の補強部303であるアール部を形成したり、エッチングにより蓋300の側壁部302を選択的に肉厚にすることで、その肉厚の部分を第2の補強部304として形成したりすることができる。さらには、エッチングによって蓋300の天板部301のほぼ中央部分またはその近傍に、天板部301の撓みを抑止するための補強用の壁部を第3の補強部305として形成する。【選択図】図1
433 2008-183658 H190130 太陽誘電株式会社 マイクロカンチレバー A4 DB01

【課題】簡単な構造でかつ低電圧でより大きな変位量を得ることができるマイクロカンチレバーを提供する。【解決手段】マイクロカンチレバー1は、板状の圧電体3の両面に上部電極4a及び下部電極4bとなる電極膜を形成しかつ前記圧電体3の下部電極4b側に板状の弾性体5を密着させた駆動部材を、支持体2に片持ち梁状に支持させた構造を有する。またさらに、前記弾性体5には、支持体2に固定された根元部分の近傍に、薄肉部6が形成されている。【選択図】図1
434 2008-183717 H200507 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング マイクロメカニカル素子およびその製法 A4 PG01 MF02

【課題】マイクロメカニカル素子ならびにその製法【解決手段】基板(3);構造化層(5)少なくとも1つ、ここで、構造化層(5)中には機能構造(7)少なくとも1つが形成されている;機能構造(7)を覆うキャップ(1)、ここで、キャップ(1)と機能構造(7)との間には中空部(7a)少なくとも1つが形成されている;キャップ(1)と構造化層(5)とを接合する接合層(2)を有するマイクロメカニカル素子において、接合層(2)が殊には、300nm〜100μmの範囲、有利には300nm〜50μmの範囲の厚さを有する陽極接合可能なガラス、即ちボンディングガラスにより形成されている。【選択図】図1
435 2008-185415 H190129 東洋ゴム工業株式会社 マイクロ流体の微小流路形成型の製造方法およびマイクロ流体デバイスの製造方法 A4 DC01 PI06 MEX

【課題】マイクロ流体の微小流路を形成するための微小流路形成型を簡単に得る製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、マイクロ流体の微小流路を形成するための微小流路形成型を用いて簡単にマイクロ流体デバイスを製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のマイクロ流体の微小流路形成型の製造方法は、樹脂材料20を平板10上に吐出し、当該樹脂材料20を固化して、平板10上に断面凸状の鋳型20bを形成することを特徴とする。【選択図】図1
436 2008-185621 H190126 ブラザー工業株式会社 光偏向器 A4 DA02 DA04

【課題】振動ミラーの回転振動に起因する配線の振動騒音を低減できる光偏向器を提供する。【解決手段】光偏向器Lは、所定の回転振動軸Aを中心に回転振動する振動ミラー3と、振動ミラー3を保持するMEMSパッケージ10と、振動ミラー3に電力を供給するためにMEMSパッケージ10に電極7を介して接続される配線6とを備えている。そして、配線6の引出開始位置である電極7は、振動ミラー3の回転振動軸Aを含み、かつ静止状態における振動ミラー3と直交する面と交わるように配置されている。【選択図】図1
437 2008-185723 H190129 ブラザー工業株式会社 光走査装置 A4 DA02 DA04

【課題】本発明は、MEMSミラーのフレームへの取付作業を容易に行うことができる光走査装置を提供することを主たる課題とする。【解決手段】光走査装置1は、光を出射する光源ユニット10と、光源ユニット10を支持するフレーム40と、回転振動することで、光源ユニット10から出射された光の反射方向を変化させて走査を行う振動ミラーと、振動ミラーを保持するミラーパッケージ22と、振動ミラーの回転振動軸と直交する方向へ延び、かつ、ミラーパッケージ22よりも長く形成される長尺状の梁状部材50と、ミラーパッケージ22を梁状部材50に固定させる第1固定部材60と、梁状部材50をフレーム40に固定させる第2固定部材70とを備えている。【選択図】図1
438 2008-185943 H190131 セイコーエプソン株式会社 プロジェクタ A4 DA02 DA04

【課題】被投射面に投射される投射光の投射角度に関わらず解像度、かつ輝度が高い画像を投射することが可能なプロジェクタを提供する。【解決手段】光を射出する光源装置10R,10G,10Bと、該光源装置10R,10G,10Bから射出された光を非平面形状の被投射面30に向けて走査する走査手段20と、被投射面30の形状に基づいて、被投射面30の法線方向から見たときの被投射面30に投射された光の画素ピッチが一定となるように制御する光源装置10R,10G,10Bまたは走査手段20を制御する制御手段とを備えることを特徴とする。【選択図】図1
439 2008-186771 H190131 松下電器産業株式会社 スイッチ及びこれを用いた無線端末 A4 DB01

【課題】梁で懸架された回転子を利用して、スティクションを有効に回避するスイッチを構成する。【解決手段】スイッチ接触面に介在するメニスカスをせん断方向に変形させることでメニスカスの架橋を切り離し、スティクション状態から復帰する。変形には、トルクの強い静電駆動型ウォブル機構、またはウォブル機構により巻き上げられたばねの復元力を利用する。【選択図】図4
440 2008-186863 H190126 ソニー株式会社 MEMSデバイス、MEMSデバイスの製造方法、及び電子機器 A4 DD02 PJX MGX

【課題】回路基板への蓋の接合作業に伴う熱の影響を解消して良好な特性を確保することのできるMEMSデバイスを提供する。【解決手段】圧電材を用いた振動子を固定する回路基板200と、この回路基板200の部品搭載側の面を気密封止のために被う金属製の蓋300とを、レーザ溶接によって接合する。また、回路基板200の蓋300が接合される部位表面に、溶接用の金属パターン218を設けておき、レーザ溶接によって金属パターン218と金属製の蓋300とを溶融一体化することで確実な接合を図る。【選択図】図2
441 2008-187881 H190131 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、アクチュエータの製造方法、光スキャナおよび画像形成装置 A4 DA02 PGX

【課題】長時間にわたり導通状態を維持することができ、長時間にわたり優れた信頼性を発揮することのできるアクチュエータ、アクチュエータの製造方法、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】アクチュエータ1は、可動板21と、支持部22と、可動板21と支持部22とを連結する連結部23、24と、圧電体層511および圧電体層511を狭持するように設けられた1対の電極層512、513とを備え、電極層512が連結部23に接合された圧電素子51と、支持部22に対して固定的に設置された配線基板61とを有し、1対の電極層512、513のそれぞれと配線基板61上の配線とが、伸縮性を有する導電性バンプ711、721を介して導通している。【選択図】図2
442 2008-188711 H190205 沖電気工業株式会社 半導体装置製造方法 A4 PHX PI02

【課題】融点の低い材料で形成された構造体を使用することを可能とし、またその構造体が封止された空間を高真空にすることができるとともに構造体に封止部材が成膜されない半導体装置製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上に形成された可動の構造体3を犠牲膜で覆い、その犠牲膜をシリコン酸化膜5で覆い、さらにそのシリコン酸化膜5に貫通孔を形成する。そして、その貫通孔を介して犠牲膜を除去して可動の構造体3とシリコン酸化膜5との間に空間を形成し、シリコン酸化膜5に流動性の高いアルミニウムまたはアルミニウム合金をスパッタ法により成膜して貫通孔を封止するようにした。【選択図】図1
443 2008-188754 H191228 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 三次元微細構造体およびその形成方法 A4 DFX PIX

【課題】三次元微細構造体およびその形成方法が提供される。【解決手段】微細構造体は逐次的構築プロセスにより形成され、互いに機械的に固定された微細構造体要素を含む。微細構造体は例えば、電磁エネルギーの同軸伝送路に使用される。【選択図】図13
444 2008-188755 H191228 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 三次元微細構造体およびその形成方法 A4 DFX PIX

【課題】三次元微細構造体およびその形成方法が提供される。【解決手段】微細構造体は逐次的構築プロセスにより形成され、互いに固着された微細構造体要素を含む。微細構造体は例えば、電磁エネルギーのための同軸伝送路に使用される。【選択図】図2
445 2008-188756 H191228 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 三次元微細構造体およびその形成方法 A4 DFX PIX

【課題】三次元微細構造体およびその形成方法が提供される。【解決手段】微細構造体は逐次的構築プロセスにより形成され、互いに固着された微細構造体要素が含まれる。微細構造体は例えば、電磁エネルギーのための同軸伝送路に使用される。【選択図】なし
446 2008-192863 H190206 株式会社住友金属エレクトロデバイス セラミック蓋体 A4 PHX MFX

【課題】セラミック枠体にガラス板を接合する接合強度が高く、気密信頼性が高いクラックの発生を防止する安価なセラミック蓋体を提供する。【解決手段】パッケージに搭載される半導体素子を封止するためのセラミック蓋体10において、半導体素子に光を透過させるための第1と第2の開口部11、12を設けるセラミック枠体13の内周側壁面に上面側の第1の開口部11を下面側の第2の開口部12より大きくする段差14を有すると共に、第1の開口部11の角部に曲線を設けて形成され、段差14の上段上面から下段上面に至って形成される切り欠き15と、第2の開口部12の角部にアール16を有し、しかも、切り欠き15を除く第1の開口部11の外周に嵌合し、段差14の下段上面に接着材17で接合されて第2の開口部12を塞ぐ角部が直角のガラス板18を有する。【選択図】図1
447 2008-193638 H190208 セイコーエプソン株式会社 MEMS振動子 A4 DB03

【課題】初期容量が大きくなることを防止し、出力信号を大きくすることにより特性の良好なMEMS振動子を提供する。【解決手段】本発明のMEMS振動子100は、基板としての半導体基板102の上に成膜された絶縁膜103上に形成された駆動電極110と可動電極130とから構成されている。この駆動電極110および可動電極130にそれぞれ形成された駆動電極指111と可動電極指134,136とが交差する交差指幅が長さの異なる第1の交差指幅と第2の交差指幅とを有して形成されている。【選択図】図1
448 2008-193652 H190601 インダストリアル テクノロジー リサーチ インスティテュート 柔軟容量性超音波変換器およびその製作方法 A4 DDX PI02

【課題】柔軟容量性超音波変換器、およびその製作方法を提供すること。【解決手段】容量性超音波変換器が、柔軟層、柔軟層の上の第1導電層、第1導電層の上にあり、柔軟材料を含む支持体フレーム、支持体フレームによって第1導電層から間隔をおいて配置されている支持体フレームの上にわたり、柔軟材料を含む膜、第1導電層、支持体フレーム、および膜によって画定された空洞、ならびに膜の上の第2導電層を備えること、からなる。【選択図】図3
449 2008-194593 H190209 国立大学法人東京工業大学 三井造船株式会社 マイクロ反応装置および触媒反応方法 A4 DC01

【課題】反応原料を微細な反応流路に流通させることによって複数の触媒反応を進行させるとともに、その反応を効率よく行うことが可能なマイクロ反応装置を提供する。【解決手段】反応原料を流通させる微細な反応流路を有する反応器と、前記反応流路に形成された触媒層と、を備えたマイクロ反応装置であって、前記触媒層は、複数の触媒である触媒C1、触媒C2、・・・触媒Cn(nは2以上の整数)によって形成され、触媒C1の形成領域、触媒C2の形成領域、・・・触媒Cnの形成領域が、前記反応流路の上流側から、C1、C2、・・・Cnの順番で配列されて設けられていることを特徴とする、マイクロ反応装置を用い、反応原料を反応流路に流通させている間に、触媒C1、触媒C2、・・・触媒Cn(nは2以上の整数)による触媒反応を、該触媒の配列の順番に進行させ、容易に目的生成物を得ることができる。【選択図】図7
450 2008-194813 H191107 オリンパス株式会社 可動素子およびその製造方法 A4 DA04 PI03

【課題】基板の反りの発生が防止された可動素子を提供する。【解決手段】チルトミラー素子100はミラー基板110とMCM基板130とから構成されている。ミラー基板110とMCM基板130はパッド150によって接合されている。ミラー基板110は、ミラー支持外枠111と、ミラー支持外枠111の内側に位置しているミラー支持内枠113と、ミラー支持外枠111とミラー支持内枠113を接続している二本のねじりばね112と、ミラー支持内枠113の内側に位置しているミラープレート115と、ミラー支持内枠113とミラープレート115を接続している二本のねじりばねとから構成されている。ミラー支持外枠111は二つのシリコン層121,122と酸化シリコン膜123とから構成されている。酸化シリコン膜123は、ミラープレート115に面したミラー支持外枠111の端面の近傍のみに形成されている。【選択図】図2
451 2008-194816 H200125 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 基板上のコンポーネントを保護するカバーの作製方法 A4 PHX

【課題】基板上のコンポーネントを保護するためのカバーを調製する方法を提供する。【解決手段】基板2の表面上または中に収容されたコンポーネント5を保護するためのカバー1を調製する方法であって、コンポーネント5を覆う、単層または複数の積み重ねられたサブ層6.1、6.2を有し、コンポーネント5の上に位置する領域では、基板に対する接着力よりも低い接着力を有する座屈層6を基板2の上に形成する工程と、座屈層6がコンポーネント5の上に位置する領域において空洞7の境界を画定するように座屈層を座屈する工程と、を含み、画定する工程は、形成する工程の前に、間に、または後に、しかし座屈する工程の前に実行可能であり、座屈する工程は、形成する工程の間にまたは後に実行可能である。【選択図】図2D
452 2008-196481 H200117 国立大学法人横浜国立大学 マイクロポンプ A4 DC03

【課題】駆動要素の慣性力又は揚力や、流路の容積変化に依存することなく、マイクロチップ又はバイオチップ内流路の流体を輸送する。【解決手段】マイクロポンプは、マイクロチップ又はバイオチップの流路壁(4)によって形成されたU形流路(20)を有する。U形流路は、流入側流路部分(21)及び流出側流路部分(22)を有し、円板形、円柱形又は円筒形の回転子(10 90)が、流路(21 22)の折返し部(23)に回転可能に配置される。回転子は、流路(21 22)を区画する隔壁(5)の先端面と対向する。回転子は、遠隔駆動手段(レーザー光L L1 L2 L3)によって、その回転中心軸線(X-X)を位置決めされ且つ回転駆動される。【選択図】図2
453 2008-197140 H190208 株式会社リコー 光走査装置 A4 DC02 DC04 MA01

【課題】一対の捻り梁を軸としてミラー部材が往復振動する光走査装置の共振周波数調整機構等の改良。【解決手段】捻り梁2の支点側端はフレーム1に固定される。捻り梁2は一対のカンチレバーの非固定側端に結合される。カンチレバー4上に駆動用圧電素子8が形成される。カンチレバー4の固定側端の近傍部位にバネ部4aが形成され、このバネ部4aに櫛歯状の電極5が、これに対向した櫛歯状の電極6がフレーム1側にそれぞれ形成される。電極5,6間の印加電圧を変化させるとカンチレバー4に働く引っ張り力が変化するため捻り梁2のバネ定数が変化する結果、ミラー部材3の共振周波数が変化する。【選択図】図1
454 2008-197206 H190209 ブラザー工業株式会社 光走査装置及びその製造方法 A4 DA02 DA04

【課題】入射光束を揺動する振動ミラー部により反射して反射光束を走査する光走査装置に集光レンズを組み込んで、小型化、製造コストの低減化を図る。【解決手段】反射面が形成された振動ミラー部2、振動ミラー部2の揺動軸をなす支持部3、支持部3を保持する枠部5を有する光走査部1と、光走査部1を収納する筐体14とを備え、入射光束を振動ミラー部2により走査して反射光束を出射する光走査装置20であり、振動ミラー部2は、揺動軸の軸方向の幅が揺動軸に直交する方向の幅よりも狭い形状を有し、筐体14は、入射光束及び前記反射光束を透過する透過部12を備え、透過部12は、入射光束を振動ミラー部2の形状に応じた形状に収束させる第1の光学素子を有する。【選択図】図1
455 2008-198607 H200212 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ MEM装置用パワーオーバーレイ構造およびMEM装置用パワーオーバーレイ構造を作製するための方法。 A4 DD01 ME01

【課題】高い入出力電流で動作可能なMEMSスイッチおよびMEMSリレーに適用可能な相互接続手法およびパッケージング手法を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態によれば、1つまたは複数の接点構造(244、245、246)をその上に有する第1の表面を有し、自体の機能性素子と結合したMEMS装置(240)と、これらの接点構造(244、245、246)を露出させる開口を内部に画定する第1の表面を覆う誘電体層(100)と、前記接点構造(244、245、246)から誘電体層(100)内の開口を通ってこの誘電体層の表面まで延びる導電性材料を含むパターニングされた金属化層(254、255、256)と、これらの金属化層(254、255、256)と熱連通した第1のヒートシンク(190)と、をさらに備えるMEMS構造体を含む。【選択図】図11
456 2008-200757 H190216 セイコーエプソン株式会社 MEMS素子およびその製造方法 A4 PI02

【課題】基板と可動部との固着が少ないMEMS素子およびその簡便な製造方法を提供すること。【解決手段】MEMS構造体1の可動部11は、最大可動部15および中間可動部14を有し、最大可動部15とシリコン基板3との距離d1は、中間可動部14とシリコン基板3との距離d2と比較して長い。最大可動部15は、シリコン基板3方向への変位量が最大の部分を含んでいる。シリコン基板3方向への変位量が最大の部分は、シリコン基板3と接触する機会が多いが、最大可動部15とシリコン基板3との距離が長いので、最大可動部15がシリコン基板3と接触する機会を少なくできる。したがって、シリコン基板3との固着が起こりにくいMEMS素子10を得ることができる。【選択図】図1
457 2008-200758 H190216 セイコーエプソン株式会社 MEMS素子およびその製造方法 A4 PI02

【課題】1つの設計によるMEMS素子で、特性値を可変可能で、可変後の特性値を維持可能なMEMS素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】フローティングゲート2の他に、可動電極でもある可動部13を駆動する駆動電極16を備えているので、フローティングゲート2に電荷を注入し可動部13との間に静電気力を生じさせた状態で可動部13を可動できる。したがって、MEMS素子10は力が加わった状態で可動状態に応じた特性値を有する。フローティングゲート2に注入する電荷量は調整できるので、注入した電荷量に応じて可動部13に加わる力も可変でき、MEMS素子10の特性値も可変できる。フローティングゲート2に注入した電荷量が変化しない限り、MEMS素子10の特性値を維持できる。【選択図】図5
458 2008-200818 H190221 富士通株式会社 MEMSデバイス A4 DA01 DA04

【課題】マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム(MEMS)デバイスにおいて、外部からMEMSデバイスに振動が加わった際にMEMSの可動部が有する共振周波数の振動を減衰する構造を備えたMEMSデバイスを提供する。【解決手段】MEMSデバイスは、可動部を有する基板と、該基板と収容する筐体1と、可動部の共振周波数に対応した振動を機械的動作により吸収する可動吸収部を有する振動吸収体6とから構成される。このように、MEMSデバイスに加わった振動の中から可動部の共振周波数に対応した振動を吸収する振動吸収体を設けることで、MEMSデバイスの可動部の共振振動を吸収することができる。【選択図】図2
459 2008-201723 H190220 富士ゼロックス株式会社 マイクロ流体デバイス、反応装置、及び、反応方法 A4 DC01

【課題】常温において反応性及び反応効率に優れ、反応を安全に実施可能であるマイクロ流体デバイス、反応装置、並びに、反応方法を提供すること。【解決手段】気体放電を用いるプラズマ生成機構を備えた気体用微小流路、液体用微小流路、並びに、気体用微小流路及び液体用微小流路が合流して形成される気液混相用微小流路を少なくとも有することを特徴とするマイクロ流体デバイス、前記マイクロ流体デバイスを用いた反応装置。また、前記反応装置を準備する工程、前記気体用微小流路に気体を供給する工程、前記液体用微小流路に被反応物を含む液体を供給する工程、前記プラズマ生成機構により前記気体由来のラジカルを発生させる工程、前記気液混相用微小流路において、被反応物を含む前記液体とラジカルを含む前記気体との気泡流又はスラグ流を形成する工程、並びに、前記被反応物と前記ラジカルとを反応させる工程を含む反応方法。【選択図】図1
460 2008-203186 H190222 ローム株式会社 基板の貼り合わせ方法、マイクロチップの製造方法およびマイクロチップ A4 DC01 PGX

【課題】生産性がよく、基板に微細な流路パターンが形成されている場合であっても、該流路パターンの変形を生じない基板の貼り合わせ方法およびマイクロチップの製造方法、ならびに流体回路の変形が抑制されたマイクロチップを提供する。【解決手段】光を透過する熱可塑性樹脂からなる第1の基板(101)と、光吸収物質が分散され、熱可塑性樹脂からなる第2の基板(102)とを貼り合わせる方法であって、(A)少なくとも一方の基板の貼り合わせ面の温度を、熱板(104)等により、該基板を構成する熱可塑性樹脂のガラス転移温度近傍に調整する工程と、(B)第1の基板(101)および第2の基板(102)を重ね合わせて圧力を印加する工程と、(C)第1の基板を介して、光吸収物質に対して光(105)を照射する工程とを含む基板の貼り合わせ方法およびマイクロチップの製造方法、ならびにマイクロチップ。【選択図】図1
461 2008-203299 H190216 コニカミノルタオプト株式会社 マイクロスキャナおよびそれを備える光学機器 A4 DA02 DA04

【課題】偏向角を容易に増大させられる光スキャナを提供する。【解決手段】光を反射させるミラー部MRと、ミラー部MRを揺動可能に支持する主軸部MAと、主軸部MAを保持する変形可能な保持部HDと、を含む光スキャナLSでは、保持部HD自身の変形をねじれ変形に変化させるトーションバーTBが、保持部HDおよびミラー部MRの少なくとも一方に形成され、このトーションバーTBに生じるねじれ変形を用いて、ミラー部MRが揺動する。【選択図】図1
462 2008-203355 H190216 セイコーエプソン株式会社 共振周波数調整装置および共振周波数調整方法 A4 DA02 DA04

【課題】極めて効率的に共振周波数を調整することのできる共振周波数調整装置および共振周波数調整方法を提供すること。【解決手段】共振周波数調整装置は、アクチュエータ6の共振周波数を測定する測定手段2と、アクチュエータ6の可動板611の板面上に、樹脂材料を含む液体の液滴を付与する液滴付与手段4と、測定手段2の測定結果に基づいて、可動板611の板面上における液滴の付与位置および当該付与位置における液滴数の組み合わせを求め、それを実行するように液滴付与手段4を制御する制御手段3とを有し、可動板611の板面上に液滴を付与した後、それを硬化または固化させて、可動板611の回動中心軸X1まわりの慣性モーメントを増加させ、アクチュエータ6の共振周波数を調整するように構成されている。【選択図】図1
463 2008-203462 H190219 セイコーエプソン株式会社 アクチュエータ、光スキャナ、および画像形成装置 A4 DA02 DA04

【課題】可動板の回動角を大きくしつつ、耐衝撃性を向上させることができるアクチュエータ、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータ1は、可動板22が所定量以上変位したときに可動板22に接触して、可動板22の変位を所定範囲内に規制し得る規制部材61を有し、規制部材61は、可動板22に対しその平面視にて重なる部分を有するように位置する第1の状態と、可動板22に対しその平面視にて重ならないように位置する第2の状態とをとり得るように変位可能に設けられている。【選択図】図2
464 2008-204768 H190220 オムロン株式会社 マイクロリレー、無線通信機、計測器、携帯情報端末 A4 DB01

【課題】高度のアライメント精度を必要とすることなく、接点間の容量結合成分を可能な限り小さくすることにより、アイソレーション特性が高く、容易に製造可能なマイクロリレーを提供する。【解決手段】可動電極を備えた可動基板と、前記可動基板に対向して配置され、かつ固定電極を備えた固定基板とからなり、前記可動基板の一部は前記固定基板に接合され、かつ弾性的に支持されており、前記可動基板の前記固定基板に対向する側に可動接点が配置されており、前記固定基板の前記可動基板に対向する側に、その端部が固定接点である一対の信号線が前記端部を対向させるように配置されており、前記可動接点と前記固定接点が接離可能であるマイクロリレーにおいて、少なくとも一方の固定接点において、前記可動接点と前記固定接点が当接する箇所の少なくとも一部に凹部を設けていることを特徴とするマイクロリレー。【選択図】図3
465 2008-206140 H200116 松下電器産業株式会社 電気機械共振器及びその製造方法 A4 DB02 PI02 MA02

【課題】電気機械共振器の共振周波数は、構造の振動モードで決定し、最適な入出力電極の配置が必要となる。必要に応じて電極の高さを可変でき、かつ電極強度を維持することのできる平行駆動型の電気機械共振器を提供することを目的とする。【解決手段】振動子の側面に同一レイヤで構成される複数の固定電極と、振動子と前記固定電極の間で構成されるギャップを有し、前記ギャップ間の幅の一部が広がる領域を有するようにしたことを特徴とする。すなわち本発明の電気機械共振器は、固定電極と、前記固定電極とギャップを介して形成された振動子とを具備した共振部を備え、前記固定電極の厚さ方向で、前記ギャップ幅が異なる領域を有する。【選択図】図1
466 2008-207178 H200304 バッテル・メモリアル・インスティチュート 積層型微小チャネル装置 A4 DC01

【解決課題】より低い製造コストを有し、圧力損失が低減した微小チャネル物質交換器を提供する。【解決手段】畝506及びスロット508を具備する第1の外側シート504と、畝及びスロットを具備する第2の外側シートとを具備し、当該第2の外側シートの畝は当該第1の外側シート504の畝506に対してずれた位置にある、積層型微小チャネル装置【選択図】図5c
467 2008-207306 H190228 富士通株式会社 富士通メディアデバイス株式会社 パッケージングされたマイクロ可動素子の製造方法およびパッケージングされたマイクロ可動素子 A4 PH02 PHX

【課題】マイクロ可動素子の有する可動部の動作特性のばらつきを抑制するのに適した、パッケージングされたマイクロ可動素子の製造方法、および、そのような素子を提供する。【解決手段】本発明の方法は、可動部10,20を有するマイクロ可動素子Yと、凹部81aを有するパッケージング部材81と、凹部82aを有するパッケージング部材82とを備えるパッケージドデバイスXを製造するためのものであり、複数のマイクロ可動素子Yを形成するためのデバイスウエハに、複数の凹部81aが設けられたパッケージングウエハを接合する工程と、当該デバイスウエハに、複数の凹部82aが設けられた他のパッケージングウエハを接合する工程と、デバイスウエハおよび両パッケージングウエハを含む積層構造体を切断する工程とを含む。【選択図】図3
468 2008-207311 H190228 富士通株式会社 マイクロ構造体およびマイクロ構造体製造方法 A4 DA04 DD01 DD02 MB01 MB03 ME04

【課題】電流リークの発生を抑制するのに適したマイクロ構造体およびマイクロ構造体製造方法を提供する。【解決手段】本発明のマイクロ構造体X1は、第1導体層と、第2導体層と、両導体層間の中間絶縁層とからなる積層構造を含む材料基板に加工を施すことによって得られたものであって、中間絶縁層が部分的に露出するように第1導体層に対して異方性エッチング処理が施されることによって当該第1導体層において成形された導体部11と、異方性エッチング処理を経ることによって中間絶縁層において露出した部分からエッチングが進行するように当該中間絶縁層に対して等方性エッチング処理が施されることによって当該中間絶縁層において成形された中間絶縁部13と、第2導体層において成形された導体部12と、導体部11のエッジ部11dの少なくとも一部および/または側面11cの少なくとも一部を覆う領域を有する絶縁膜14とを備える。【選択図】図1
469 2008-209281 H190227 コニカミノルタホールディングス株式会社 分析システム、並びにこれに用いるマイクロ化学チップ及び液駆動方法 A4 DC03 DEX

【課題】安価で且つ簡易な構成及び方法で分析用物質の吸着体への吸着効率を高める。【解決手段】複数種類の混合材を混合するための混合用流路と、該混合用流路内に移動可能に装填された吸着体であって、前記複数種類の混合材が混合されてなる混合液における所定の分析用物質を吸着可能な吸着体とを備えるマイクロ化学チップと、前記混合用流路中の前記混合液と前記吸着体とが混在してなる混在液を、該混合用流路の上流側から下流側への正方向、及び下流側から上流側への逆方向に流す液駆動が可能に構成されたマイクロポンプと、前記マイクロポンプの液駆動を制御することで前記混在液を前記混合用流路中で攪拌させる制御系とを備えた分析システムとする。【選択図】図2
470 2008-209616 H190226 株式会社リコー 光偏向装置及びその製造方法 A4 DA01 DA04 PHX

【課題】ヒンジ等で支持されないミラー部材を、電極との間に作用する静電引力により支点部材を支点として制御された方向に傾斜させて保持するタイプの光偏向装置の製造を容易にする。【解決手段】支点部材106と電極103が形成された第1の基板100と、ミラー面を有する板状部材203とその移動範囲規制用の規制部材204が形成された、透明パッケージを兼ねる透明な第2の基板200とを接合した構造である。両基板とその接合部分で板状部材203の運動空間は気密封止される。接合前の第1の基板は一般的なLSIプロセスによって、接合前の第2の基板は一般的なMEMSプロセスによって容易に製作可能である。【選択図】図5
471 2008-209719 H190227 株式会社リコー 光偏向装置及び光偏向アレイ A4 DA01 DA04

【課題】ヒンジ等で支持されない板状のミラー部材を、静電引力により、支点部材を支点として傾斜変位させるタイプの光偏向装置の駆動電圧を低電圧化する。【解決手段】板状部材(ミラー部材)104の基板101の面方向への移動範囲を規制するために設けられる規制部材102の基板近傍部分を順テーパ形状とする。このようにすると、規制部材の表面が基板面に対し垂直の場合に比べ、板状部材を最大傾斜角度に傾斜した状態から別の方向へ変位させる動作の初期において、板状部材と規制部材との接触によって発生する板状部材の変位を妨げる力を減らし、あるいは、変位を促進させる向きの力を発生させることができる。【選択図】図3
472 2008-209924 H200219 スペイシャル フォトニックス, インコーポレイテッド キャビティの上の層の平面化 A4 DA04 PI02

【課題】ミラー面を有するマイクロデバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】マイクロ構造を製造する方法であって、下層に形成されたへこみの中に犠牲材料を配置することと、該へこみの中の該犠牲材料上に補償材料の層を形成することと、該補償材料の第1の部分を除去することによって、該犠牲材料上に実質的に平らな表面を形成することであって、該実質的に平らな表面は、実質的に該下層の該上面と共平面であることと、該下層上に上層を形成し、実質的に平らな表面に形成することとを包含する、方法。【選択図】図1
473 2008-210640 H190226 株式会社村田製作所 静電駆動素子およびそれを備えた静電駆動デバイス A4 DB05

【課題】動作に対する信頼性の高い静電駆動素子を提供する。【解決手段】基板2の表面には固定導体パターン3a,3bを形成し、固定導体パターン3a,3bの上方側には可動部4を配置する。可動部4には可動導体パターン7を形成する。可動部4は、梁6a,6bによって、基板2に固設されている固定部5に支持固定された状態と成す。梁6a,6bには当該梁6a,6bとは異なる膨張係数を持つ材質部18を形成して基板2に対して上に凸の形状の湾曲部分17を形成する。湾曲部分17の頂部は駆動用固定電極8に押圧状態で当接し湾曲部分17は基板2側に弾性変形した状態となって可動部4を基板2側に押し付ける。可動部4と駆動用固定電極8との間に静電引力が発生すると、湾曲部分17の頂部を支点として可動部4が駆動用固定電極8側に変位して、固定導体パターン3a,3bと可動導体パターン7間の間隔が広がる。【選択図】図1
474 2008-210957 H190226 富士通株式会社 マイクロ可動デバイス A4 DB05 PB02 PI03 MAX MD01 MD03 MD04 MDX

【課題】高いQ値を得るのに適したマイクロ可動デバイスを提供する。【解決手段】本発明のマイクロ可動デバイスX1は、可動本体11、キャパシタ櫛歯電極12、および駆動櫛歯電極13を有する可動部10と、キャパシタ櫛歯電極12に向けて延出するキャパシタ櫛歯電極22および駆動櫛歯電極13に向けて延出する駆動櫛歯電極23を有するフレーム20と、可動部10およびフレーム20を連結する連結部とを備える。キャパシタ櫛歯電極12,22は、金属材料よりなり、初期位置において電極歯重なり合いを有する。駆動櫛歯電極13,23は、同一の材料層内に作り込まれた部位である。可動部10は、駆動櫛歯電極13,23の電極歯重なり合いの程度が変化するように、回転変位可能である。【選択図】図5
475 2008-211124 H190228 株式会社ミスズ工業 半導体装置収納パッケージ A4 PH05 MEX

【課題】半導体チップの上方露出面の電気的接続部だけを樹脂封止し、センサーやMEMSが形成された上方露出面を機能的に損傷させずに液状の封止樹脂が流出しないような手段を提供する。【解決手段】センサーチップ2の表面2aと僅少な隙間を有してダム梁5を配置し、ダム梁5から電極2b形成領域2c側を封止樹脂7aで封止し封止部7を形成する。この隙間は、封止部7の形成時に、その封止用液状樹脂が隙間内に流れ込む寸法であるとともに、ダム梁5とセンサーチップの表面2aとの表面張力によりダム梁5より先方へはみ出さない寸法に設定されている。このため、センサーチップ2を損傷することがなく、小型化が可能となる。【選択図】図2
476 2008-211420 H190226 セイコーインスツル株式会社 発振器 A4 DB03 DB05

【課題】周波数の温度依存特性をMEMSキャパシタの温度依存特性を利用して自動的に補正する、MEMS振動子を用いた発振器を提供する。【解決手段】機械的に振動するMEMS振動子と、MEMS振動子の共振周波数で発振して発振信号を出力する出力用発振回路と、周囲の温度によってアノード電極とカソードビームの距離が変わり、容量値が変化するMEMSキャパシタとを備える。【選択図】図1
477 2008-212764 H190228 財団法人川村理化学研究所 遷移金属固定化リアクター、及びその製造方法 A4 DC01 MEX

【課題】触媒固定量が多く、かつ、繰り返しの使用安定性に優れた遷移金属固定化リアクター、及び、長時間反応や高温反応を行うことなく、簡便な操作により調製できる遷移金属固定化リアクターの製造方法を提供することにある。【解決手段】アミノ基と反応しうる官能基を有する活性エネルギー線重合性化合物の重合体を含む多孔質ポリマー層の表面に、アミノ基を2つ以上有する化合物を反応させた後、遷移金属化合物を前記アミノ基を2つ以上有する化合物のアミノ基に結合させ、更に、前記遷移金属化合物の遷移金属を還元させることにより遷移金属粒子を固定した有機多孔質ポリマー層が、管状流路の壁面の一部に形成されている遷移金属固定化リアクター。【選択図】なし
478 2008-212765 H190228 財団法人川村理化学研究所 遷移金属固定化リアクター、及びその製造方法 A4 DC01 MEX

【課題】触媒固定量が多く、かつ、繰り返しの使用安定性に優れた遷移金属固定化リアクター、及び、長時間反応や高温反応を行うことなく、簡便な操作により調製できる遷移金属固定化リアクターの製造方法を提供する。【解決手段】管状の流路を有し、且つ該流路を形成する壁面の少なくとも一部が、表面に遷移金属化合物が固定された有機多孔質ポリマー層で形成されているリアクターであって、前記有機多孔質ポリマー層が、式1(CH2=CHC6H4PR1R2)2ML1L2(1)または式2[CH2=CHC6H4PR3−(CH2)−nPR3C6H4CH=CH2]ML3L4(2)で表される化合物の重合体を含む多孔質ポリマー層である遷移金属固定化リアクター。【選択図】なし
479 2008-212811 H190302 富士ゼロックス株式会社 微細流路構造体およびその製造方法 A4 DC01 PIX MD01 MD06

【課題】3次元の微細流路の形成が容易で、流路の必要な箇所に触媒を担持させることができる微細流路構造体およびその製造方法を提供する。【解決手段】この微細流路構造体1は、ターゲット基板2に、第1および第2のパターン層3A,3Bを積層状態で接合し、各パターン層3A,3Bに形成された開口が連通して3次元の流路を構成し、各パターン層3A,3Bの上面に触媒担持層4を形成し、流路に露出した触媒担持層4の部分に触媒5を担持させたものである。【選択図】図1
480 2008-212814 H190302 キヤノン株式会社 流体搬送路、流体処理装置および流体処理システム A4 DC01

【課題】流路を流れる流体の速度分布を流路中心軸に対して対象にし、下流に設けられた分岐部において、流体を略均等に分配させる流体搬送路を提供する。【解決手段】流体を流入させる流入口と、流体を搬送する流路と、前記流路中に設けられた流体の進行方向を変化させ分岐させる分岐部と、該分岐部を経た流体を流出させる複数の流出口とを有する流体搬送路であって、前記流入口と、前記分岐部との間に流体の進行方向を変化させる領域が存在し、該領域において、前記流路中の流体の進行方向における中心線が、異なる位置を中心とする二つの円弧の連なりに沿うと共に、該連なりは各円弧に沿った流体の回転方向が互いに逆となるような二つの円弧を組み合わせたものであり、流体の進行方向の変化する角度をθとして、第一の円弧はA×θ(但し、Aは正の整数または小数を表す。)の角度を有し、第二の円弧は(A−1)×θの角度を有する流体搬送路。【選択図】図13
481 2008-212882 H190307 富山県 コーセル株式会社 マイクロミキサー A4 DC01.PJ05

【課題】本発明は、μTAS(MicroTotalAnalysisSystem)に代表されるマイクロ流体素子における流体混合操作に関して、特別な攪拌子を配置せずとも流路形状のみで効果的な混合が進むスタティックマイクロミキサーの流路構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】合流後の流路(主流流路1)の左右一方の側を主流流路の底部よりさらに深く掘りこみ、下流にむけて、主流流路の左右別の側まで斜めに掘り込む流路(支流流路2)を適切な形状寸法で形成することによって、流路形成領域を流れる流体の流動断面が縦横に伸縮回転し重ね合わさる効果を起こさしめ、混合流路の下流に向けて、この効果を繰り返し起こさせることによって、流体要素の層間距離を縮小し混合を促進する手段をとる。図2【選択図】図1
482 2008-212894 H190307 財団法人川村理化学研究所 有機溶剤耐性を有するマイクロ流体デバイス A4 DC01 MEX

【課題】有機溶剤に対して優れた耐性を示し、且つ、破損しにくく取り扱い性に優れる上、厚みが薄く省スペースであり、加工が容易で複雑な構造や積層構造を形成しやすく、生産性が高く安価である樹脂を素材とするマイクロ流体デバイスを提供する。【解決手段】流路の底部となる底部材Aと、該流路の壁部を形成する部材であって、該部材の表裏を貫通する長孔状の欠損部を有する壁部材Bと、蓋部材Cとを備えたマイクロ流体デバイスであって、前記壁部材Bが樹脂Yにより形成され、前記蓋部材Cが樹脂Xにより形成されており、前記樹脂Xが、トルエン、N N-ジメチルホルムアミド及び1,4−ジオキサンから成る群から選択される1種以上の有機溶剤に25℃で24時間浸漬したときの重量増加率が3%以下であり、前記樹脂Yが、前記樹脂Xを浸漬した条件と同一の条件で浸漬したときの重量増加率が前記樹脂Xの重量増加率よりも大きいマイクロ流体デバイス。【選択図】図1
483 2008-212920 H191221 アンテルユニヴェルシテール・ミクロ−エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ ナノ構造体のドーピング A1 DF02 MI06

【課題】本発明は、良好な触媒粒子を用いて、ドープされた細長のナノ構造体を形成するための良好な方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、細長のナノ構造体の成長において使用される触媒粒子を提供する。触媒粒子は、ナノ構造体材料中に実質的に溶解することなく、ナノ構造体材料を含む細長のナノ構造体の成長を促進する触媒化合物と、ナノ構造体材料中に実質的に完全に溶解することにより、成長の間に細長のナノ構造体にドープされる少なくとも1種のドーパント元素とを備える。さらに、本発明は、触媒粒子を使用して、少なくとも1種のドープされた細長のナノ構造体を基板の上に形成するための方法を提供する。当該方法により、細長のナノ構造体においてドーパント濃度を制御することが可能となる。さらに、当該方法により、1017原子/cm3より小さい低ドーパント濃度の細長のナノ構造体を得ることができる。【選択図】図5C
484 2008-213057 H190301 セイコーエプソン株式会社 振動子構造体及びその製造方法 A4 PI02

【課題】基本周波数に影響を与えない方法で不要な振動モードによる振動子特性への影響を回避することのできる振動子構造体の構造を実現する。【解決手段】本発明の振動子構造体は、基板10と、該基板上に形成された固定電極12と、該固定電極に対して間隙17を有して対向配置され、前記基板上に形成された被固定部15に対して支持梁16を介して支持された可動電極14とを具備し、前記固定電極と前記可動電極の間に静電力を生じさせることにより前記可動電極が振動するように構成された振動子構造体において、前記可動電極は、実質的に均一な厚みを有する板状に構成される領域Aを有するとともに、当該領域内に平面方向に伸びる段差14xを有することを特徴とする。【選択図】図2
485 2008-213061 H190301 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法 A4 PHX PI02

【課題】MEMS部を有する半導体装置において製造の歩留まりを上げて生産性の向上を図るとともに、高い信頼性を確保した半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板2と、半導体基板2の表面に形成されるMEMS部3と、MEMS部3とは離間して配置されMEMS部3を覆うように半導体基板2の表面に設けられるキャップ部とを有する半導体装置であって、キャップ部は、MEMS部3を囲む側壁領域Eと、中空層を有し半導体基板2と側壁領域Eとともに閉空間を形成する天板領域Fとから構成される。【選択図】図3
486 2008-213101 H190306 凸版印刷株式会社 流路および流路製造方法 A4 DC01 PEX

【課題】流体を流すにあたって流路が破損することを抑制することができる微細流路および流路製造方法を提供する。【解決手段】流体を流すための流路において、基板1と前記基板上にパターンニングされた吸光層2と前記基板1および前記吸光層2上に設けられたネガ型感光性樹脂11の内部に形成した断面が丸みを帯びた形状である空孔12を備え、前記空孔12は前記パターニングされた吸光層2上のネガ型感光性樹脂11を基板垂直方向および傾斜方向より露光を行い形成する。【選択図】図5
487 2008-213141 H200512 ヒューレット・パッカード・カンパニー 力学的に平衡の超小型可動子 A4 DDX

【課題】MEMS駆動型の情報記憶システムに力学的平衡を与えるために、逆方向に動くように調整された複数の超小型可動子を提供する。【解決手段】板の各対(41,42,43,44)は、板の各対(41,42,43,44)の少なくとも一方の板が他方の板に対して動くように超小型可動子に関連付けられる。第1の板の対(41)の第1の板(41a)は、第1の運動量で第1の方向(W)に動かされる。第2の板の対(42)の第2の板(42a)は、第1の運動量に概ね等しい第2の運動量で第1の方向とは逆の方向(E)に動かされる。第1および第2の板の動きは、第1および第2の運動量を概ね相殺するように構成される。【選択図】図4
488 2008-216121 H190306 コニカミノルタオプト株式会社 マイクロチップの製造方法 A4 DC01 PGX

【課題】流路のシール性を向上させ、かつ、マイクロチップ基板同士をより強固に接合することが可能なマイクロチップの製造方法を提供する。【解決手段】マイクロチップ基板1の表面には流路用溝2が形成されている。マイクロチップ基板3の表面には突起部4が形成されている。流路用溝2、突起部4が形成された面を内側にして、マイクロチップ基板1とマイクロチップ基板3を重ねることで、突起部4を流路用溝2に嵌合させる。その状態でマイクロチップ基板1、3に超音波又はレーザを照射することで、接合する面を溶融させ、基板を加圧することで、マイクロチップ基板1、3を接合する。【選択図】図1
489 2008-216192 H190307 積水化学工業株式会社 マイクロポンプ装置及びマイクロ流体デバイス A4 DC01 DC03

【課題】マイクロ流体デバイスに用いられるマイクロポンプ装置であって、比較的簡単な構造を有し、製造が容易であるだけでなく、液体を送液するためのガス発生効率が高められたマイクロポンプ装置を提供する。【解決手段】基板2内にガス発生室11が設けられており、ガス発生室11が、光学窓12に臨んでおり、該ガス発生室11内に、光の照射によりガスを発生する光応答性ガス発生部材13が収納されており、該光応答性ガス発生部材13が、支持部材に光の照射によりガスを発生する光応答性ガス発生樹脂組成物が付着されており、かつ光が照射された際に発生するガスが、外表面に放出される多数のガス流路を有している、マイクロポンプ装置10。【選択図】図1
490 2008-218400 H200110 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ ゲート電圧制御システムおよび微小電子機械デバイスを静電作動させる方法 A4 DB01

【課題】MEMSスイッチ(14)を静電作動させるゲート電圧制御システムを提供する。【解決手段】閉状態/開状態を切り替えるため、ギャップを通って移動可能な静電応答性のアクチュエータを備える。駆動回路(10)はゲート電圧制御シーケンスにしたがってデバイスのゲート端子(16)にゲート電圧を印加する。ゲート電圧制御シーケンスは、アクチュエータを加速させてアクチュエータがギャップの一部を横断して各作動状態に達するのに十分な静電力を発生する電圧レベルまで、ゲート電圧を一定比率で増加させる第1の時間間隔(T1)と、移動可能なアクチュエータに作用する静電力を低減するのに十分なレベルまで、ゲート電圧を一定比率で減少させる第2の時間間隔(T2)を含む。【選択図】図1
491 2008-218744 H190305 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法 A4 PGX PHX

【課題】半導体素子に設けられた可動部の動作を阻害することなく、可動部を外部雰囲気から保護することができる半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】センサ基体11に可動部12が形成されたセンサ素子10において、可動部12の周辺に4つのセンサ側バンプ13を形成し(突起部形成工程)、可動部12に対向する領域を含む4つのセンサ側バンプ13によって囲まれる領域を覆いつつ、その領域の外部まで達する接着フィルム20を4つのセンサ側バンプ13上に被せ(被覆工程)、センサ素子10における接着フィルム20との対向面の反対面からホットプレート50によって加熱して、接着フィルム20とセンサ基体11とを接着して可動部12と接着フィルム20との間に中空部40を形成する(中空部形成工程)。【選択図】図3
492 2008-221376 H190312 株式会社リコー 加工用カンチレバー A4 DFX

【課題】微細加工をするためのSPM(走査型プローブ顕微鏡)の機能を利用した加工法に使用する加工用カンチレバーについて、加工抵抗によってプローブの姿勢が変化しない加工用カンチレバーを実現し、これによって、高精度な微細形状の形成を可能とすること。【解決手段】工作物を加工するためのプローブが固定されていて、弾性変形することによって工作物に荷重を負荷するためのレバー部を有する加工用カンチレバーについて、そのレバー部の支持部を複数設け、そのレバー部の重心位置にプローブを配置したこと。【選択図】図6
493 2008-221394 H190313 セイコーエプソン株式会社 MEMS構造体の製造方法及び半導体装置の製造方法 A2 PI01

【課題】MEMS構造体を効率的に製造することができる製造技術を実現する。【解決手段】本発明のMEMS構造体は、基板10上に絶縁膜11を形成する工程と、該絶縁膜上にMEMS機能構造部12,14,15A,15B,16A,16Bを形成する工程と、該MEMS機能構造部の縁部側面にサイドウォール18Sを形成し、また、前記MEMS機能構造部及び前記サイドウォールで被覆された部分を残して前記絶縁膜11を除去する工程と、前記サイドウォール18Sを除去するサイドウォール除去工程と、を具備することを特徴とする。【選択図】図10
494 2008-221398 H190313 沖電気工業株式会社 微小電気機械システムおよび微小電気機械システムの製造方法 A4 PI04 MA02 MAX MD10

【課題】可動部のスティッキングを防止しつつ狭小ギャップを安定して形成することができる微小電気機械システムおよび微小電気機械システムの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の主面上に設けられた固定電極と、主面上に設けられかつ主面および固定電極の双方から離間しかつ、これらに対して可動な可動部を含む可動電極と、を有する微小電気機械システムの製造方法であって、主面上に犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、犠牲膜を覆うように主面上に電極層を形成する電極層形成工程と、電極層をパターンを介してエッチングして可動電極および固定電極を形成するエッチング工程と、犠牲膜を除去する犠牲膜除去工程と、可動電極および固定電極の表面に導電膜を形成する導電膜形成工程と、を含む。【選択図】図4
495 2008-221435 H190315 セイコーエプソン株式会社 電子装置及びその製造方法 A4 PI02 MD04 MD07 MD09 MD10

【課題】基板上の空洞内に配置される機能素子と電子回路からなる電子装置の製造工程を効率的に実施し、製造歩留まりを確保するとともに製造コストを低減することの可能な電子装置の構造及び製法を実現する。【解決手段】本発明の電子装置は、基板1と、基板上に形成された機能素子3Xと、機能素子が配置された空洞部Sを画成する被覆構造とを具備し、被覆構造は、空洞部の周囲を取り巻くように基板上に形成された層間絶縁膜4.6と配線層5.7の積層構造を含み、被覆構造のうち前記空洞部を上方から覆う上方被覆部の少なくとも厚み方向の一部は、TiN、Ti、W、Au、Ptの少なくともいずれか一つ若しくはこれらの合金よりなる耐食性層を含み、上方被覆部は、空洞部に臨む貫通孔7aを備えた第1被覆層7Yと、貫通孔を閉鎖する第2被覆層9とを有することを特徴とする。【選択図】図8
496 2008-221439 H190315 国立大学法人東北大学 ナノ突起構造体及びその製造方法 A1 DF02 PJX

【課題】従来のナノ突起構造体をさらに改良して、広範な用途が期待できるナノ突起構造体を提供する。【解決手段】金属銅3などに低真空下で高エネルギービームが照射されることにより成長された突起2からなるナノ突起構造体であって、当該ナノ突起構造体は、高エネルギービームの照射方向が成長途中で変更されて、屈曲状または湾曲状または螺旋コイル状に形成されていることを特徴とするナノ突起構造体。および、突起2の成長途中で高エネルギービームの照射方向を変えることにより、突起2を屈曲状または湾曲状または螺旋コイル状に成長、形成することを特徴とするナノ突起構造体の製造方法。【選択図】図4
497 2008-221450 H190316 三菱電機株式会社 MEMSパッケージの製造方法およびMEMSパッケージ A4 PI02 PHX

【課題】中空化工程後の塵埃の付着を防ぐとともに、製造工程中における破壊等が発生しないMEMSパッケージの製造方法を提供する。【解決手段】中空構造のMEMS素子を有するMEMSパッケージの製造方法が、MEMS基板を準備する工程と、MEMS基板上に、犠牲層を形成する工程と、MEMS基板に接続され、犠牲層の上に延在したMEMS素子を形成する工程と、MEMS基板上に、MEMS素子を覆うように蓋基板を接合する基板接合工程と、犠牲層を除去してMEMS素子を中空構造とする中空化工程と、通路を封止する封止工程とを含む。【選択図】図1
498 2008-221456 H191219 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド フリップチップUSPウェハに関するダイシング技術 A4 DDX PG01 PG02

【課題】製造コストを低減した密封MENSセンサの製造方法を提供する。【解決手段】個々のダイに複数のMENS機構42を有する第1のウエハ12と、個々のダイにセンスプレート45を有する第2のウエハ15を製造する。第1のウエハ12のトレース24と第2のウエハ15のコンタクト21とを陽極ボンディングあるいはシリコン溶融ボンディングで接合することで、第1のウエハ12の各ダイを第2のウエハ15の各ダイに対して個々に密封する。その後第2のウエハ15の第1のひき目33と第2のひき目36を切断しインタスペース材料18を除去する。最後に第1ウエハ12の第3のひき目で個々のダイにダイシングする。【選択図】図1
499 2008-224254 H190308 沖電気工業株式会社 宮崎沖電気株式会社 センサ装置、センサ装置の製造方法 A4 DDX PI03

【課題】良好な耐衝撃性を有し、小型化が可能なセンサ装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】錘部12と、錘部12を囲うように配置された枠部10と、枠部10上に第1絶縁層14を介して設けられた支持部24と、錘部12上に第2絶縁層18を介して設けられた質量部26と、支持部24と質量部26とを接続している梁部16と、支持部24の枠部10上面と対向する面36、枠部10の支持部24底面と対向する面38、及び第1絶縁層14の錘部12側の側面20、により区画された第1凹部30と、質量部26の錘部12上面と対向する面40、錘部12の質量部26底面と対向する面42、及び第2絶縁層18の枠部10側の側面22、により区画された第2凹部32と、を有し、第1凹部30の深さ34、及び第2凹部32の深さ35が、枠部10の幅の3.3%以上5.0%以下である。【選択図】図1
500 2008-224431 H190313 コニカミノルタオプト株式会社 マイクロチップの製造方法、及びマイクロチップ A4 DC01 PGX

【課題】マイクロチップ基板の位置決めを容易にし、マイクロチップ基板同士をより強固に接合することが可能なマイクロチップの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】マイクロチップ基板1の表面には流路用溝2が形成されている。流路用溝2が形成された面には、表面に直交する方向に突設するピン3が設けられている。マイクロチップ基板4には基板の厚さ方向に貫通する貫通孔5が形成されている。貫通孔5の孔径と、ピン3の径はほぼ等しくなっている。マイクロチップ基板1については流路用溝2が形成された面を内側にし、マイクロチップ基板1とマイクロチップ基板4を重ねることで、ピン3は貫通孔5に挿入される。ピン3を貫通孔5に挿入した状態で、マイクロチップ基板1とマイクロチップ基板4を超音波溶着やレーザ溶着によって接合する。【選択図】図1
501 2008-224662 H200218 三星電子株式会社 ポンプユニット及びこれを具備した遠心式の微細流動システム A4 DC03

【課題】ポンプユニット及びこれを具備した遠心式の微細流動システムを提供する。【解決手段】静止した流体Fの上流側に配置されたチャンバと、チャンバに収容され、複数の微細発熱粒子を含むガス発生剤32と、を具備し、ガス発生剤32にエネルギーが供給されれば、ガス発生剤32が気圧を上昇させ、流体Fを下流側に移動させることを特徴とするポンプユニット30及びポンプユニット30を具備した遠心式の微細流動システムとである。【選択図】図2
502 2008-224807 H190309 住友精密工業株式会社 MEMSデバイス A4 DA02

【課題】共振特性の調整幅が比較的大きく、温度変化等による共振特性の変動を十分に抑えることが可能なMEMSデバイスを提供することを課題とする。【解決手段】MEMSデバイス1は、上層基板2と下層基板3とを具備し、上層基板2は、可動電極28を有する揺動部2Aと、固定電極29を有する固定部2B、2Cとを有し、揺動部2Aは、固定電極29と可動電極28との間に交流電圧が印加されることによって揺動する。下層基板3は、揺動部2Aの所定範囲内での揺動を妨げないように揺動部2Aの下方に形成された凹部31を備え、凹部31を区画する揺動軸xと直交する方向の内側壁面32に、補助電極層4が形成されている。補助電極層4が形成される内側壁面32は、可動電極28と固定電極29とが略同一平面上に位置するとき、可動電極28に対する最短距離が凹部31を区画する内底壁面33との最短距離よりも短くされている。【選択図】図1
503 2008-225363 H190315 株式会社リコー 光偏向装置及び光偏向アレイ A4 DA01 DA04

【課題】ヒンジ等で支持されないミラー部材を静電力により支点部材を支点として傾斜変位させる光偏向装置/アレイにおいて、ミラー部材の安定した傾斜変位動作を可能にする。【解決手段】板状部材107(ミラー部材)の基板面方向の移動範囲を規制するための規制部材108に、ある程度の導電性を持たせる。また、規制部材108、着地部材109、支点部材(電極)106を相互に配線導体110により電気的に接続する。規制部材108の帯電を防止し、あるいは、規制部材108の静電気を逃げやすくすることにより、規制部材108と板状部材107との間に、板状部材107の傾斜変位動作を妨げるような静電引力が作用しないようにする。【選択図】図1
504 2008-226876 H190308 オリンパス株式会社 半導体装置 A4 PH04

【課題】中空構造をもちながら小型化と共に製法を簡略化し、歩留まりの向上とコストダウンを達成できる、接続封止用樹脂の付着が許されないMEMS構造物などのデバイスの実装が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】MEMS構造のメカニカルスイッチ6を形成した第1の基板2を、回路が形成された第2の基板2に、フリップチップ実装封止用樹脂1を用いてフリップチップ実装してなる半導体装置8において、第1の基板に形成したメカニカルスイッチと向かい合わせになる第2の基板の対応部分に、フリップチップ実装封止用樹脂と濡れ性の悪い撥水処理部3を予め形成し、封止された内部に中空部7が形成されるように構成する。【選択図】図1
505 2008-226990 H190309 国立大学法人 香川大学 学校法人同志社 パターン状の絶縁性微粒子膜およびそれを用いた電子部品、マイクロマシン、光学部品ならびにパターン状の絶縁性微粒子膜の製造方法 A4 MAX

【課題】絶縁性微粒子本来の機能を損なうことなく、任意の基材表面にパターン状に絶縁性微粒子を1層のみ並べたパターン状の単層絶縁性微粒子膜、および複数層累積したパターン状の絶縁性微粒子累積膜、ならびにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】パターン状の絶縁性微粒子膜1、3は、第1の官能基を有する第1の膜化合物の形成するパターン状の被膜で被覆された基材14の表面に、第1の官能基とカップリング反応により結合を形成する第1のカップリング反応基を有する第1のカップリング剤の形成する被膜で被覆された反応性微粒子42が配列した絶縁性の微粒子層が、カップリング反応により形成される結合を介して1層結合固定されている。あるいは、さらにその上に第1のカップリング反応基と反応する膜化合物の被膜で被覆された微粒子34および反応性微粒子42が交互に結合固定されている。【選択図】図1
506 2008-227152 H190313 沖電気工業株式会社 宮崎沖電気株式会社 半導体装置の製造方法 A4 DD01 PJ03 PB02

【課題】SOI基板で形成されたMEMSチップの個片化を、一般的なダイシング装置を用いて行うとSOI層にチッピングが発生し、発生したチッピング片がMEMS製品の中空構造内に浸入し動作異常を引き起こすといった問題があった。【解決手段】BOX層103の一方の面に活性層101が形成され、他方の面に支持基板102が形成されたSOI基板100を個片化する際に、スクライブラインを、活性層101のみ、所定の除去幅Aで予めエッチングして除去するエッチング工程と、所定の除去幅Aよりも小さいブレード幅(切削幅B)のダイシング装置によって、活性層101が除去された箇所に対応する支持基板102の所定箇所を切削する工程とを経て、SOI基板100を個片化する。【選択図】図8
507 2008-227211 H190314 セイコーエプソン株式会社 圧電装置の製造方法及び圧電装置 A4 PJ06 MGX

【課題】微細化を図りやすくすることができる圧電装置の製造方法及び圧電装置を提供する。【解決手段】基板3の一の面に形成された第1電極5と、圧電体材料で構成され、第1電極5に重ねられたPZT等の圧電体膜7と、圧電体膜7を挟んで第1電極5に対向する第2電極11と、を有する圧電装置1の製造方法であって、第1電極5が形成された基板3の一の面に第1絶縁膜を形成し、第1電極5の少なくとも一部を露呈させるように第1絶縁膜を除去する工程と、第1絶縁膜が除去された領域内に圧電体材料を充填し、領域内に圧電体膜7を形成する工程と、を有する。【選択図】図1
508 2008-522806 H171206 キュー チップ リミテッド 流体輸送のための装置 A4 DC01
WO2006/061605 ほぼ均一な速度で複数の流体の流れを作り出すための装置(1)であって。第1入口ポート(3)及び第2入口ポートを有し、各入口ポートが前記入口ポートからそれぞれの環状通路(4 5 6)に流体を輸送するために配置されているマニホールドと;第1開口の組(12)とその中に第2開口の組(13)を有し、各開口の組が少なくとも1つの開口を備え、かつ環状通路の1つと流体連通するように配置されている分配要素(7)とを含み、前記環状通路からそれぞれの流体出口に1つの開口を介して流体が流れ出るようになっている。
509 2008-523385 H170503 エムディーティー カンパニー リミテッド 磁歪効果を利用した可変インダクター型のMEMS圧力センサー A4 DB06 DD03
WO2006/062275 第1基板上に複数の環状電極が直列連結されるコイル部が形成され、第1基板と一定距離で平行に対向する第2基板上に環状電極と一対一対応する磁歪物質薄膜が形成され、コイル部と磁歪物質薄膜とがインダクターを構成し、外部の圧力によって磁歪物質薄膜の透磁率変化を誘導させてコイル部のインダクタンスを変化させるインダクターアレイ部と、インダクターアレイ部とLC共振回路とを構成し、インダクターアレイ部で放電される磁気的エネルギーを電圧形態に変換させて保存するキャパシタと、を備える磁歪効果を利用した可変インダクター型のMEMS圧力センサーである。これにより、本発明は、既存の圧抵抗型または静電容量型センサーに比べてさらに敏感であるので、解像度が優秀であり、半導体工程と互換可能なMEMS工程技術を利用して製作されるので、小型化及び大量一括工程が可能であるので、生産コストが減らせる。【選択図】図1
510 2008-523444 H171024 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. 光変調デバイス A4 DAX PI02
WO2006/062600 光変調デバイス(200、300、300−1、300−2、300−3、300−4、305、1100)は、下側電荷プレート(210、310、310−3、310−4)と、少なくとも1つの可撓性部材(235、335、335−1、335−2、335−3、335−4)によって支持される、反射性の上側表面を含むピクセルプレート(205、305、310、1120)であって、可撓性部材(235、335、335−1、335−2、335−3、335−4)は当該ピクセルプレート(205、305、310、1120)の概ね下に配置される、ピクセルプレートと、上側電荷プレート(540、635、640)とを備える。
511 2008-523466 H171206 エヌエックスピー ビー ヴィ マルチセンサアセンブリ A3 DD01 DDX PI01
WO2006/061781 本出願の1つの実施例は、マルチセンサアセンブリ(20)を含む。このアセンブリ(20)は、1つのウエハー層(51)により規定される電気機械動きセンサ部材(57)と、2以上の別のウエハー層(31、41)のうち第1のウエハー層に支持される第1センサ(32)と、該別のウエハー層(31、41)のうち第2のウエハー層に支持される第2センサ(42)とを具える。前記1つのウエハー層(51)は、センサ部材(57)をアセンブリ(20)のキャビティ(56)内で包囲するように前記別のウエハー層(31、41)の間に位置する。
512 2008-523999 H171208 ウードゥヴェ セミコンダクターズ トラシ テクノロジー 重ねられた要素から成る微細構造の集合的な製作方法 A4 PHX
WO2006/063961 本発明は集積回路及び保護カバーのような重ねられた微細構造の集合的製作に関する。各々が重ねられた第一と第二の要素を備えた個々の構造は集合的に製作される。第一の要素(例えば集積回路チップ)は第一の板(10)上に用意され、第二の要素(例えば透明カバー)は第二の板(40)の上に用意される。板はそれらの対向面の主要部分にわたって互いに接着されているが、付着のない限られた区域(ZDn)では接着されない。個々の構造は次に一方で上端部を経由し、他方で底部を経由して、付着のない区域を通る異なった平行な切断線(LH1n、LH2n、LDn)に沿って切り取られ、切り取り後に第一の要素が第二の要素によって覆われない表面部分(平行な切断線の間にある部分)を保有するようにする。接続端子(PLn)は従ってこの場所においてアクセス可能なまま残り得る。ガラス板で覆われたイメージセンサ又はディスプレイの製作へだけでなく、一般にあらゆる種類の微細加工された構造(MEMS、MOEMS)にも適用される。【選択図】図9
513 2008-524008 H171215 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド MEMS慣性センサ用射出成形パッケージ A4 DD01 PHX
WO2006/068907 MEMSデバイスなどのデバイスをパッケージングする方法が開示される。本発明の例示的実施形態に従ってデバイスをパッケージングする例示的方法は、中または上に設けられたデバイスを有する基板を供給するステップと、基板にキャップを取り付け、キャップの付いた基板の内部空所内にデバイスを封止するステップと、キャップの付いた基板を真空チャンバに挿入し、内部空所内に含まれるガスおよび/または汚染物質を排出するステップと、真空チャンバ内でキャップの付いた基板のまわりにパッケージを射出成形するステップとを含むことができる。キャップを通して配置されたいくつかの小さいサイズの開口を利用して、パッケージをキャップの付いた基板のまわり射出成形する前に、デバイスが真空チャンバ内にあるときデバイスの内部空所内に制御された真空圧力を生成することができる。実施形態によっては、キャップの付いた基板のまわりにパッケージを射出成形する前に、排出された内部空所に不活性ガスを注入して慣性センサ用の分圧を生成することができる。
514 2008-524617 H171104 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング マイクロマシニングによる容量式のセンサエレメント A4 DD01 DD03 PI02
WO2006/066997 本発明は、モノリシックに集積された構造形式で形成され、物理的な値を容量式に検出する、マイクロマシニングによるセンサエレメントを製造するための方法に関する。また本発明は、前記製造方法と共に、例えば圧力センサ又は加速度センサのようなセンサエレメントを有するマイクロマシニングによる装置に関するものである。
515 2008-524666 H161221 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 半導体材料を含むSLM構造 A4 DA04 MAX
WO2006/068547 本発明の一観点は、静電アクチュエータを有するマイクロミラー・デバイスの偏向のドリフトに対する安定化方法において、前記マイクロミラーと前記マイクロミラーの下の少なくとも1つの電極とである少なくとも2つの部材を含むアクチュエータであって、前記少なくとも2つの部材の少なくとも1つが半導体材料で形成されているアクチュエータを提供する行為と、前記アクチュエータの前記他の部材に面する前記少なくとも1つの半導体部材上に、1017cm3以上のキャリア密度を有する表面層を提供する行為とを含む方法を含む。
516 2008-525182 H171222 ユニバーシティ・オブ・ヴァージニア・パテント・ファウンデーション マイクロデバイスまたはナノスケールデバイスにおける熱用途または非熱用途のためのマイクロ波の使用 A4 DC01
WO2006/069305 本発明は、例えば加熱を目的として、マイクロ流体素子にマイクロ波放射線を供給する方法及びシステムに関する。本発明のマイクロ流体素子は、マイクロ流体素子内の特定の領域にマイクロ波放射線を供給するためのマイクロ波集積回路(MMIC)を有する。この回路は、好ましくは、マイクロ流体素子の一表面上の伝送路と、対向する表面上の基平面とを有する。本発明の方法は、マイクロ領域と該マイクロ領域上に配置されるマイクロ波回路とを有するマイクロ流体素子を提供する段階と、前記マイクロ領域内に試料を提供する段階と、前記マイクロ領域に約500MHzから10GHzの周波数でマイクロ波放射線を加える段階と、を含む。
517 2008-525207 H171007 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 構造化された担体ストリップ A4 PHX
WO2006/072474 本発明は、少なくとも1つの電子的な構成部分(12)またはマイクロマシニング型の構成部品(12)を保持するための担体ストリップ(11,31)から出発する。本発明の核心は、担体ストリップ(11,31)が少なくとも1つの第1の領域(21)で、他の領域(23)よりも僅かな厚さを有していることにある。
518 2008-525721 H171228 カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー 熱管理のための流体ポンプ A4 DC03
WO2006/071930 【課題】熱管理のための流体ポンプ【解決手段】熱発生デバイスは、流体ポンプに流体的に結合される熱交換器に接触させて配置される。流体ポンプは、熱交換器と熱が放散される箇所との間の閉じた流体システムを通して流体をポンプ作用で注入するように作動する。一態様では、アクチュエータは、ポンプの壁を通過せずに流体をポンプ作用で注入するように作用する。一態様では、ポンピング要素としてインピーダンスポンプを使用する。【選択図】図1
519 2008-525778 H171222 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 小滴分配装置 A4 DC01
WO2006/070162 本発明は、流体注入用の開口部(40)を備えた第一基板(42)と、多数の電極を備えた第二基板(46)とを含む液体分配装置に関する。多数の電極は、前記開口部(40)に少なくとも部分的に対向して配置された移送用電極と称される少なくとも一つの電極(44)と、少なくとも二つの小滴形成用電極(50、52)と、前記移送用電極(44)及び前記小滴形成用電極(50、52)に対応していて、前記小滴形成用電極のそれぞれの面積の少なくとも三倍に等しい面積を有する、リザーバ電極と称される少なくとも一つの電極(48)とを含む。
520 2008-526537 H171221 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 応力制御を備えた結合システム A4 PGX
WO2006/073829 周囲温度で結合された物品の間に、冷却により収縮し零の残留応力が生じるように、異なる温度の物品が互いに結合される方法。結合した物品の材料が異なる熱膨張係数を有し且つ異なる結合温度で互いに結合する場合に、それら物品は、温度降下の異なる範囲が異なる収縮を補償するので、周囲温度(例えば常温)まで冷却する際に殆ど残留応力を発生しない。
521 2008-527263 H171219 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド マイクロ流体的な変調弁 A4 DC02
WO2006/073746 弁を通る流体流れを変調するために弁内の流れチャンネルの寸法を選択的に変更できる弁が提供される。弁は空洞内へ延びる入口(10)及び出口(12)を備えた、空洞(14)を画定するハウジング(8)を有する。膜(30)が空洞内に位置し、この場合、膜の少なくとも一部が流体経路(15)の少なくとも一部を画定する。1又はそれ以上の電極(20)が膜に関して固定され、1又はそれ以上の電極(22)が、弁を通る流体流れを変調するために膜を静電的に作動できるように、ハウジングに関して固定される。
522 2008-527421 H171223 インテル コーポレイション 光エレクトロニクス送信器又は受信器モジュールのためのシリコンパッケージ A4 DAX PHX
WO2006/074048 光エレクトロニクスパッケージ(104)は、ベース層(202)、スペーサ層(204)、及びMEMS微小ステージを含む光学MEMS層(206)を有する。ベース層(202)はパッケージ(104)全体を支持し、パッケージ内の光素子及びその他の素子に電気信号と電力とを送達する経路を備えている。加えて、ベース層(202)はパッケージ(104)内で発生した熱を逃がす熱伝達路を備えている。ベース層(202)はその上に配置又は形成された様々な光素子及び電子素子を含んでいる。スペーサ層は光素子を囲んでおり、パッケージを密閉している。光エレクトロニクスパッケージ(104)の最後の要素は、スペーサ層(204)及びベース層(202)の上方の光学MEMS層(206)である。
523 2008-527426 H180103 ミラディア インク 集積空間光変調器を形成する方法および構造 A4 DA04 PIX
WO2006/074175 集積空間光変調器を製造する方法。該方法は、ボンディング表面を含む第1の基板を提供するステップと、デバイス基板を処理して少なくとも1つの電極層を形成するステップであって、該電極層が複数の電極を含むステップと、該電極層上にスタンドオフ層を堆積するステップとを含んでいる。該方法はさらに、該スタンドオフ層からスタンドオフ構造を形成するステップと、該第1の基板の該ボンディング表面を該デバイス基板の該スタンドオフ構造に接合するステップとを含んでいる。具体的な実施形態では、該方法はさらに、スタンドオフ層を堆積する該ステップの後に、該スタンドオフ層の化学的機械的研磨を実行して該スタンドオフ層の上部表面を平坦化するステップを含んでいる。【選択図】図3F
524 2008-527455 H180110 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 2自由度ボディ傾斜をなす微小電気機械装置 A4 DA02 DA04
WO2006/075292 本発明は、担体素子3と薄膜4とを有する2自由度でボディ2を傾斜させるための微小電気機械装置1´であって、ボディ2は、薄膜4を介して担体素子3に接続され、ボディ2び担体素子3の各々は、少なくとも1つの電極5,6を有する。ボディ2は、電圧源から電極5,6への電圧V1,V2の印加によるボディ2の少なくとも1つの電極5と担体素子3の少なくとも1つの電極6との間の静電気力7によって傾斜される。
525 2008-527642 H180106 シュネーデル、エレクトリック、インダストリーズ、エスアーエス 電磁制御マイクロシステム A4 DB01 DBX
WO2006/072627 本発明は、少なくとも一つの電気回路をスイッチングするために、磁気効果によって第一位置と第二位置の間で制御される、基板3によって支持された可動部材を備えた磁気マイクロアクチュエータ2、2’と、可動部材を第一位置に維持するために可動部材に均一な第一磁界B0をかける永久磁石または電磁石と、基板3の外部に励起コイル4、6とを備え、該励起コイル4、6は、通電時に可動部材に第二磁界BS1をかけて可動部材を第一位置から第二位置へ移動させるマイクロシステムにおいて、励起コイルはソレノイド型であって、可動部材を支持する基板を取り囲んでいるマイクロシステムに関する。
526 2008-527730 H180104 フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー.ファオ 半導体デバイスの空洞内に所定の内圧を形成する方法 A4 DB02 DD02 DDX
WO2006/074871 半導体デバイスの空洞内に所定の内圧を形成する方法であって、その方法は、半導体デバイスを提供する工程(S1)であって、半導体デバイスは半導体デバイスの空洞と半導体デバイスの外部表面との間に連続的に配置される半導体酸化物区域を含む工程と、半導体デバイスを、第1の温度で所定の時間の間、希ガスを有する周囲雰囲気に曝露する工程(S3)と、その所定の時間が経過した後、第1の温度と異なる第2の温度を設定する工程(S5)とを含み、半導体酸化物区域は、第2の温度に比べて第1の温度で希ガスに対してより高い透過率を示す、方法。【選択図】図2
527 2008-527753 H180117 ポイント 35 マイクロストラクチャーズ リミテッド 微細構造物のエッチング加工をモニタするための改良された方法と装置 A4 PB01
WO2006/077390 エッチング・チャンバ3内に配置された微細構造物2(及び特にMEMS)の製作に使用するエッチング・モニタ装置と関連する方法を説明する。装置1と関連方法は、微細構造物2が配置されたチャンバ3の温度を開始温度に設定し、かつチャンバ内のエッチング・ガスの部分圧力を一定値に維持することにより作業する。結果として、チャンバ3内での微細構造物2の表面温度は、主としてエッチング速度によって決定される。したがって、エッチング中に表面温度の変化をモニタする温度計8を使用することによって、エッチング工程をモニタするための直接診断が可能になる。
528 2008-528264 H180118 エーアフェルト・ミクロテッヒニク・ベーテーエス・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング 小さい光学的層厚さ、狭い滞留時間分布および多い処理量で光化学プロセスを連続的に実施するためのデバイス A4 DC01
WO2006/079470 本発明は、光化学反応を連続的に実施するためのデバイスに関する。かかるデバイスでは、狭い滞留時間分布および大きい処理速度で小さい光学的層厚さの照射が容易に行える。
529 2008-528301 H171202 ローズマウント インコーポレイテッド 温度変化に対して改良された反応を有するMEMSパッケージ A4 PHX
WO2006/076089 大規模なMEMSデバイス(10,100,200,300)は、少なくとも一つの対応するダイマウント(28)によって支持されるMEMSダイ(22)を含む。対応するダイマウント(28)は、MEMSダイ(22)を支持構造(20)に連結する。支持構造(20)は、パッケージ(38,40)の内部に配置される。本発明の態様によれば、パッケージ(38,40)は、MEMSダイ(22)について実質的に対称形である。本発明の別の態様によれば、支持構造(20)および/またはパッケージ(38,40)は、MEMSダイ(22)に沿う中立の屈曲軸を有するように設計されている。
530 2008-528968 H180112 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 高性能MEMS実装アーキテクチャ A3 DDX PHX
WO2006/078564 能動半導体層に形成されたセンサ感知機構と、各々センサ機構の対向面に結合された活性層を有する対向するシリコン・カバープレートとを有する対称ほぼ完全シリコン密封封止MEMSを実現する、シリコン・オン・オキサイドウェーハのバルク機械加工および融着に基づいたセンサ構造の装置および方法。この機構は、少なくとも1つの機構アンカーで構造的に支持されたセンサ機械特徴で構造化されている。カバープレートの活性層は、各々、センサ機械特徴と協働するように構造化された内部特徴および機構アンカーと協働するように構造化されたアンカーを含む。各カバープレートのハンドル層は、このハンドル層を通してカバープレート・アンカーと一直線に並んで延びる穴を含む。誘電体材料の完全なリムが、カバープレート・アンカーと穴の間の封止を形成し、カバープレート・アンカーの外面を露出させている。
531 2008-529001 H171130 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 少なくとも2つの間隙寸法と、活性コンデンサ空間の外側に配置された行程ストッパを備えているZ軸加速度計 A4 DD01
WO2006/083376 【解決手段】加速度計(10)は、基板(12)表面に堅く取り付けられている一対の導電性プレート(36、38)、基板の表面に連結され、導電性プレートの上方に掛けられている構造体、及び、基板の表面に取り付けられている少なくとも1つの保護シールド(44、46)を含んでいる。構造体は、総モーメントが異なり、それぞれの導電性プレートの上方に配置されており、可撓軸(26)によって分離されている2つの領域(28、30)を含んでおり、基板に垂直に加速度が掛かっている間は、構造体が可撓軸周りに回転するようになっており、各領域(28、30)は、実質的に平らな外側表面と、第1の起伏(32、34)が形成されている内側表面を有している。2つの領域それぞれにおいて、内側の間隙は、第1の起伏と、相対する導電性プレートの間に存在し、外側の間隙は、実質的に平らな外側表面と、相対する導電性プレートの間に存在しており、外側の間隙は、内側の間隙よりも大きい。少なくとも1つの保護シールド(44、46)が、導電性プレート(36、38)の何れかから離して配置されている。【選択図】図2A
532 2008-529033 H171201 インテグレイテッド センシング システムズ,インク. バイパス一体型流体センサ装置およびその製造方法 A4 DC01 DDX
WO2006/083386 マイクロマシン加工の流体センサ装置およびその製造方法に関する。流体センサ装置は、バイパス流路、好ましくは、流体センサ装置に一体化されたバイパス流路を備える。これにより、装置内に導入された大量の流体のうち、限られた一部が、装置内の流路を通って、1つ以上の流体特性(例えば、密度、比重、化学的濃度が挙げられるが、これらに限定されない)が測定される。当該装置は、燃料電池の燃料混合体における燃料濃度を監視するために好適である。
533 2008-529813 H180202 コミサリア、ア、レネルジ、アトミク 移動ビームを備えるマイクロ機械デバイス A4 DA04 DB01 DB02 DB05 DD01
WO2006/084977 本発明は移動ビーム(1)を備えるマイクロ機械デバイスに関し、前記ビームはその2つの端部(2)によって硬質フレーム(3)に対して取り付けられ、硬質フレーム(3)にはそれぞれが2つの端部(5)を有する2つのアーム(4)が設けられている。アーム(4)の端部(5)はそれぞれ移動ビーム(1)の2つの端部(2)に固定される。各アーム(4)は、対応するアーム(4)の2つの端部(5)間に配置された中央部分(6)を有している。各アーム(4)の中央部分(6)の後面はベース支持体(10)に取り付けられている。フレーム(3)は、ビームの応力状態を調整するための少なくとも1つの応力要素(11)を備えている。応力要素(11)は、対応するアーム(4)の前面と後面との間に中心付けることができる。フレーム(3)は、アーム(4)の前面および後面上に互いに対向するようにそれぞれ配置された前側および後側応力要素(11)の対を備えることができる。
534 2008-530482 H180106 クーリギー インコーポレイテッド 熱交換器製造方法、マイクロ熱交換器製造方法及びマイクロ熱交換器 A4 DC01 PCX
WO2006/074353 熱交換器に使用されるマイクロ構造を作成する構造及び方法を開示する。熱交換器は、マニホルド層及びマイクロ構造領域を備える。マニホルド層は、マイクロ構造領域に流体を供給する構造を有する。マイクロ構造領域は、ウェットエッチングプロセスによって複数のマイクロスケールアパーチャが開設された熱伝導層から形成される複数の窓化された層から形成される。そして、複数の窓化された層を連結して、複合マイクロ構造を形成する。
535 2008-530966 H180113 ピエゾモーター ウプサラ エイビー 電気機械駆動素子 A4 DFX
WO2006/083205 電気機械駆動素子の製造において、振動特性が試験環境で定義される。これらの特性は、モータに構成されるときに優れた動作をもたらすことが認められる。2つの撓み振動モードが定義される。1つは、それぞれの外側部分の2つの支持体に固定される素子に関係するsモードである。sモードは3つの節点を有する。もう1つの振動モードは、支持体および中間部分(H1)に配置された駆動パッドに固定される素子に関係するεモード(112)である。εモード(112)は、中間部分(111)の両側に1つずつ節点(155)を有し、中間部分(111)は、中間部分(111)と節点(155)との間の部分(113、115)のストローク振幅より小さいストローク振幅を有する。2点および3点でそれぞれ固定されたsモードの共振周波数の平均は、εモード(112)の共振周波数とは25%未満だけ異なる。【選択図】図2G
536 2008-531297 H171028 アナログ ディヴァイスィズ インク 直流的に絶縁された信号条件付けシステム A4 DD01
WO2006/062616 直流的に絶縁された信号条件付けシステムは、集積回路チップ上の信号条件付け回路と、フライイング・コンデンサと、1つの状態において一対の入力端子を横切ることから、もう1つの状態において前記信号条件付け回路の入力端子を横切ることに、前記フライイング・コンデンサを選択的にスイッチングするための集積回路チップ上の直流的に絶縁するMEMSスイッチング装置と、を含む。
537 2008-531991 H180209 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 非線形性が低減されたMEMSシーソー式加速度計 A4 DD01
WO2006/091385 シリコン半導体基板に形成された振子機構プルーフマスを有し、中間の回転軸の周りを回転できるように構成された力検出デバイスに関する装置及び方法であって、プルーフマスは、対向する第1の横方向周辺端部及び第2の横方向周辺端部と、対向する第1の縦方向周辺端部及び第2の縦方向周辺端部とを有する、実質的に矩形形状である。複数のキャパシタコム歯は、プルーフマスの対向する第1の縦方向周辺端部及び第2の縦方向周辺端部、及び第1の縦方向周辺端部及び第2の縦方向周辺端部に隣接する、プルーフマスの対向する第1の横方向周辺端部及び第2の横方向周辺端部に沿って対称に形成され、1つ又はそれ以上の質量軽減開口は、中間ヒンジ軸に対して一方側のプルーフマスの中間領域に形成されている。
538 2008-532371 H180208 エプコス アクチエンゲゼルシャフト MEMSマイクロホン A4 DD07
WO2006/089641 本発明は、改良された信号騒音比を有する高感度のMEMSマイクロホンに関する。本発明は、所定の構成においては、有利にはダイヤフラム(M1)に電気的に連結された補助ダイヤフラム(M2)を有する圧電マイクロホンを提供する。別の構成では、ダイヤフラムが、ダイヤフラム振幅の補償のために電気的な調整回路を備えている。
539 2008-532485 H180125 リード、マイケル、ダブリュー. ウェイグル、バーナード、エイチ. バーデル、ロナルド、エル. ナノ加工表面におけるDNA浄化および分析 A1 DE01
WO2006/081324 人間の白血球からゲノムDNAを単離し、同時に、遺伝子分析を簡素化するためにDNAを補足して測定するマイクロ流体装置である。装置は、流体入口ポート、流体出口ポート、および流体入口ポートに連結したDNA結合チャネルを含み、DNA結合チャネルの少なくとも1つの表面の少なくとも一部が、DNAが表面に特異的に結合するように結合試薬で改質される。【選択図】図3
540 2008-532782 H180315 シルマック 半導体のエッチングによって形成された作動部品を使用する被駆動部品を移動させる方法および装置 A4 DFX
WO2006/097491 本発明は、被駆動部品(10)、被駆動部品(10)と噛合うようになっている駆動部品(250)、駆動部品(250)を移動させるための交番運動を生み出すのに適した作動部品(202)を備える装置に関するものであり、該装置は、駆動部品(250)および作動部品(202)は、半導体材料のブロックにエッチングを行うことによって形成されており、作動部品(202)によって生み出された運動の第一の交番(a)の最中に、駆動部品(250)が被駆動部品(10)を牽引するために被駆動部品(10)と噛合い、作動部品(202)によって生み出された反対方向での第二の交番(b)の最中に、駆動部品(250)が被駆動部品を滑動し、被駆動部品(10)が駆動部品(250)によるステッピング運動に従って動作するように配置されている。
541 2008-533437 H180104 ベルタン・テクノロジーズ 流体マイクロシステムのコンポーネントにおけるマイクロチャネルの充填 A4 DC01
WO2006/077299 本発明は、ガスを吸収する事ができるプラスチック材料又はエラストマー材料で作製された、流体マイクロシステムのコンポーネント(10)に形成されたマイクロチャネル(12)を充填する方法に関する。本方法は、コンポーネント(10)を脱気し、次いで液体(24)をマイクロチャネル(12)の供給孔(14)に導入することからなり、液体は、マイクロチャネル(12)に含まれるガスの吸収によって生じる吸い込みによりマイクロチャネル(12)に充填される。
542 2008-533515 H180303 ステレオ ディスプレイ,インコーポレイテッド アングストローム,インコーポレイテッド 分散的に制御されるマイクロミラーの回転運動及び並進運動の精密制御 A4 DC04
WO2006/096593 マイクロミラー制御システムは、第1の端でボトムレイヤーに結合し軸の周りに回転するように構成されたストッパープレートを備えたマイクロミラー制御システムを支持するように構成されたボトムレイヤーを備えている。マイクロミラー制御システムは、また、底面で前記ストッパープレートに通信可能に結合され、光を反射するように構成された反射上面を有するマイクロミラーを備えている。マイクロミラーに接触するストッパープレートの軸の周りの回転は、前記マイクロミラーの方向を調整するように構成されている。1つの局面において、マイクロミラー制御システムは、前記ストッパープレートに通信可能に結合されて前記ストッパープレートの軸の周りの回転を制御するように構成された駆動デバイスを備えている。本発明の効果は、分散的に制御されるマイクロミラーの並進運動及び回転運動を精密に制御する能力を含んでいる。
543 2008-533567 H180209 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 閉ループ面内MEMSデバイスにおける低振動整流 A4 DD01
WO2006/093637 面内、静電力フィードバック、閉ループ、微細加工加速度計又は閉ループ・コリオリ・レート・ジャイロスコープ・デバイス、あるいは閉ループ容量性圧力又は力測定デバイスの横型櫛駆動の幾何学的形状のための方法を提供する。振動をデバイスに加えると、この入力振動により、振動整流誤差である時間平均出力の誤差が最少に抑えられるか又は解消する。本発明の実施によって得られた幾何学的形状は、振動整流を最少に抑える又は解消しつつ、駆動力を最大に高めるので、空間効率が高い。
544 2008-533690 H180307 デルフメムズ 柔軟かつ自由なスイッチ膜を持つRFMEMSスイッチ A4 DD01
WO2006/099945 基板(1)により支持されかつ二つの位置:第一位置(オフ状態/図1)と第二位置(オン状態)の間で動作されることができるマイクロメカニカルスイッチ手段、及びスイッチ手段の位置を動作するための動作手段を含むRFMEMSスイッチ。マイクロメカニカルスイッチ手段は支持手段(3)により自由に支持される柔軟な膜(6)を含み、それは動作手段(7)の作用下に曲げられ、かつその曲げ運動時に支持手段(3)に対して自由にスライドすることができる。【選択図】図2
545 2008-533733 H180315 ハイマイト アクティーゼルスカブ マイクロコンポーネント用のパッケージ A4 PHX
WO2006/097842 光電子デバイスまたはマイクロマシン技術(MEMs)デバイスのようなマイクロコンポーネントを覆う(housing)ための比較的薄いパッケージを製作するための技術が開示される。このパッケージはウェハーレベルのバッチプロセスで製作され得る。このパッケージは、前記マイクロコンポーネントをそのパッケージの外表面上の電気接点と結合させる密封されたフィードスルー電気接続を含み得る。【選択図】図1
546 2008-534291 H180119 ベクトン・ディキンソン・アンド・カンパニー ピボット式バッフルを備えたMEMS流量モジュール A4 DC01
WO2006/083575 流れ調節または制御構造体のピボット運動またはピボット様運動によって流れまたは圧力を調節する、MEMS流量モジュールの種々の実施形態が開示される。このようなMEMS流量モジュール(40)の1つは、複数のバッフル(66)を含む流れ調節構造体(62)と、複数の流れポート(52)を含む流れプレート(50)とを有する。流れ調節構造体(62)はまた、流れプレート(50)から離間して繋止された支持部も有する。各バッフル(66)は、少なくとも1つの流れポート(52)に位置合わせされ、バッフル(66)がMEMS流量モジュール(40)の両側での少なくとも特定の圧力差の発生に基づいて流れプレート(50)から離れる方向に屈曲できるように、流れ調節構造体(62)の支持部(64)に相互接続している。
547 2008-534306 H180403 リテフ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング マイクロ機械部品およびマイクロ機械部品の製造方法 A4 PHX
WO2006/105924 本発明に係る方法は、第1の基板2と、当該第1の基板2の表面1の少なくとも一部を覆う第1の絶縁体層3とを含む第1の複合体層を形成する工程と、第2の基板12と、当該第2の基板12の表面13の少なくとも一部を覆う第2の絶縁体層14とを含む第2の複合体層を形成する工程と、少なくとも部分的に導電性の構造体層7を前記第1の絶縁体層3に取り付ける工程と、部品の実動構造8を含む前記構造体層7の少なくとも一部を、前記第1および第2の複合体層によってぴったり気密に封止するように、前記第1および第2の複合体層、ならびに前記構造体層7を配置し、前記第2の絶縁体層14が前記構造体層7に隣接するように、前記第2の複合体層を前記構造体層7に取り付ける工程と、前記構造体層7の導電性を有する領域と接触するための接触孔4を、前記第1および/または第2の基板内2、12に形成する工程とを含んでいる。
548 2008-534914 H180117 ユィロス・パテント・アクチボラグ 多目的流路 A4 DC01
WO2006/075966 a)固相上に同一の複数の機能性構造RSsp;およびb)親和性反応物11上に反応性構造RSar1;{ここで、RSspおよびRSariが、相互に互いと反応して、親和性反応物11を固相に固定化する結合構造を形成する}を含む反応性構造の固定化ペアの使用によって、その中に親和性反応物11が固定化されている固相が存在する反応キャビティーを含む流路。特徴的な態様は、固相が、RSspに由来するが、固相に親和性反応物11を固定化しない複数の構造を含むことである。
549 2008-535432 H180331 エヌエックスピー ビー ヴィ 低電圧MEMSオシレータ A4 DB03
WO2006/106456 微小電気機械システム(MEMS)を基礎にした電気振動信号を生成するための電子デバイスを開示する。電子デバイスは、一般に基板(104)と、この基板(104)に対して移動可能な可動素子(102)と、アクチュエータ手段と、センサとを備える。アクチュエータ手段は、可動素子(102)の振動を誘導するために使用し、2個の誘導素子、すなわち基板(104)に固定して設けた第1誘導素子および可動素子(102)に固定して設けた第2誘導素子を備える。誘導された可動素子(102)の振動はセンサを用いて検知し、電気振動信号に変換する。この信号は増幅して少なくとも部分的にアクチュエータ手段の電力として使用することができ、これにより安定した共振周波数および一定の振幅を有する振動信号を得ることができる。異なるコンポーネントをチップ上に高度に集積することができる。
550 2008-535662 H180413 ギロス・パテント・エービー 多数の弁を備えるマイクロ流体装置 A4 DC01
WO2006/110096 親水性マイクロチャンネル構造体を含むマイクロ流体装置であって、前記構造体には、(a)分別液を搬送することを目的とし、(b)入り口端部と出口端部とを備え、これらの間に毛管弁Iが存在するマイクロ管Iを含む機能ユニットが存在し、前記弁は、局所的な非濡れ性表面範囲の存在に基づく弁であることが好ましく、前記マイクロ管Iが、1または複数のさらなる毛管弁、典型的には1つの追加弁(毛管弁I´)を有する点を特徴とする。【選択図】図2
551 2008-535669 H180208 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ アクチュエータ素子をベースとした微小流体システム A1 DC01 DF01 DFX PI02
WO2006/087655 本発明では、微小流体システム、そのような微小流体システムを製作する方法、およびそのような微小流体システムの微小チャネルを通る流体の流れを制御しまたは操作する方法が提供される。微小チャネルの壁の内側には、アクチュエータ素子が設置され、この素子は、外部刺激に応答して、形状および配向を変化させることができる。この形状および配向の変化を通じて、微小チャネルを通る流体の流れが制御され、操作される。
552 2008-536142 H180413 ギロス・パテント・エービー 液体プラグ A4 DC01
WO2006/110093 親水性のマイクロチャンネル構造(2)を備えた回転可能なマイクロ流体装置(1)であり、このマイクロチャンネル構造内には、a)液体出口I(6)を設けた上流マイクロキャビティI(4)と、b)入口端部(16)において液体出口と接続したマイクロ管I(17)と、c)マイクロ管に関連した毛管弁I(24)が設けられている。マイクロ管の入口端部は、マイクロ管の出口端部(18)よりも回転軸(3)に近い。マイクロ管の入口端部と出口端部の間の半径距離の差は、上流マイクロキャビティの最上部分(7)と同一のマイクロキャビティの液体出口との間の半径距離の差の>5%であってよい。【選択図】図2
553 2008-536143 H180413 ギロス・パテント・エービー 上向きマイクロ管 A4 DC01
WO2006/110094 マイクロ管を有する機能ユニットを含む親水性マイクロチャンネル構造からなるマイクロ流体装置であって、前記マイクロ管は、(a)分別された液体の搬送を目的とするとともに、(b)入り口端部と出口端部、および、一つの毛管弁を備えており、前記弁は、局所的な非濡れ性表面範囲の存在に基づく毛管弁であることが好ましく、前記マイクロ管は、マイクロ管の一部または全長に亘って伸びる上向きの区間を含む。毛管弁もこの区間に配置される。【選択図】図2
554 2008-536162 H180315 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド 半導体デバイスのための反射防止コーティング及びそのための方法 A4 DA04 MD01
WO2006/099512 本発明の一実施例に従って、半導体デバイス(200)は、半導体デバイスの基板(226)の上側表面上に配置される誘電性材料の第1の層(208)、及び誘電性材料の上側表面上に配置される金属の第1の非導電性層(206)を含む。誘電性材料の第1の層と金属の第1の非導電性層は、金属の第1の非導電性層が受ける電磁放射に対する光学トラップとして機能する。特定の実施例において、半導体デバイスは更に、金属の第1の非導電性層の上側表面上に配置される誘電性材料の第2の層、及び誘電性材料の第2の層の上側表面上に配置される金属の第2の非導電性層を含み得る。
555 2008-536308 H180324 インテル コーポレイション 可変フィルタ用のインターデジット型駆動電極を有するコラプシングジッパー型バラクタ A4 DB04
WO2006/105031 微小電気機械(MEMS)スイッチが開示される。このMEMSスイッチは、基板(205)、基板上に備えられた複数の駆動電極(230)、基板上に備えられた複数の底部電極(210)、2つ以上の底部電極(210)に備えられた部分成分群を有するキャパシタ(C1、C2、C3)、及び基板上に備えられた屈曲可能な頂部電極(215)を含んでいる。頂部電極(215)は、駆動電極(230)の1つ以上に第1の電圧が印加されたとき、駆動電極(230)側に第1の大きさだけつぶれ、駆動電極(230)に第2の電圧が印加されたとき、駆動電極(230)側に第2の大きさだけつぶれる。
556 2008-536395 H180405 バイオスケール・インコーポレーテッド 電気的応答デバイス A4 DB02 DB04 DDX MFX MGX
WO2006/107961 電気応答デバイス及び電気応答デバイスを製造する方法であって、電気応答材料(例えば、圧電材料)(132)を基板材料(104)の表面の少なくとも一部の上に適用するステップと、前記電気応答材料の表面の少なくとも一部の上に電極材料(140)を適用するステップとを含む。電極材料(140)の少なくとも1つの領域が選択的に除去されて、前記電気応答材料が露出される(244)。前記電気応答材料の少なくとも一部が、前記電極材料の前記少なくとも1つの領域に対応する領域において選択的に除去される。
557 2008-536697 H180125 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング マイクロマシニング型の構成エレメントおよび相応の製作法 A4 DD03 DD07 PI03
WO2006/082155 本発明は、マイクロマシニング型の構成エレメントに関する。本発明によれば、伝導性の基板(1;1’,17,19)が設けられており;該基板(1;1’,17,19)の表面(V)の上方に設けられた少なくとも1つの伝導性の層(9;9a)を備えた弾性的に変位可能なダイヤフラム(M;M’)が設けられており、伝導性の層(9;9a)が、基板(1;1’,17,19)に対して電気的に絶縁されており;媒体で充填された中空室(H;H’)が設けられており、該中空室(H;H’)が、基板(1;1’,17,19)とダイヤフラム(M;M’)との間に設けられており;該ダイヤフラム(M;M’)の下方で基板(1;1’,17,19)を通って延びる複数のパーフォレーション開口(15;15’’;15’’’)が設けられており;該パーフォレーション開口(15;15’’;15’’’)が、基板(1;1’,17,19)の裏面(R)から中空室(H;H’)への出入口を提供しており、これによって、媒体の、中空室(H;H’)内に位置する体積が、ダイヤフラム(M)の変位時に可変であることが提案されている。さらに、本発明は、相応の製作法に関する。
558 2008-536699 H180414 プレジデント・アンド・フエローズ・オブ・ハーバード・カレツジ マイクロ加工のための犠牲層における調節可能な溶解度 A4 PI02 MEX
WO2006/113492 本発明は、重合体を含む犠牲材料を使用した製造方法を提供する。ある実施形態における重合体は、製造プロセスで使用される、少なくとも1つの溶媒(例えば、水溶液)に対する溶解度を変更するために処理され得る。犠牲材料の調製は、迅速かつ簡易であり、犠牲材料の溶解は、穏やかな環境で実行され得る。本発明の犠牲材料は、選択された対応する物理的構造のために犠牲層が使用される、表面マイクロ加工、バルクマイクロ加工および他のマイクロ加工プロセスに役立つ。
559 2008-537063 H180131 プレジデント・アンド・フエローズ・オブ・ハーバード・カレツジ マイクロ流体システムのためのバルブおよび貯蔵器 A4 DC02
WO2006/083833 マイクロ流体のバルブアセンブリは、マイクロ流体の流体通路を画定する構造体と、チャネルを通る流れを制御し、異なる位置間で移動できるアクチュエータを含む。一実施形態では、アクチュエータは前記構造体の少なくとも一部分にねじ込むことができ、マイクロ流体の流体通路を比較的大きく狭める第一の位置と、流体通路を比較的小さく狭める第二の位置との間で回転するように移動可能である。回転などによりアクチュエータを作動させることにより、バルブと流体通路との間の材料を変形させることができ、それにより内在する流体通路の少なくとも一部分を狭め、また流体通路内の流体の流れを調整することができる。別の側面では、本発明は、流体を入れることができ、そこからマイクロ流体システムへ流体を導入することができる貯蔵器を提供する。一実施形態では、貯蔵器は膨張可能であり、そのためにマイクロ流体システムへ供給する圧力下で流体を保存できる。
560 2008-537146 H180419 プレジデント・アンド・フエローズ・オブ・ハーバード・カレツジ 蛇行する幅の広いチャネルを備える流体構造 A4 DC01
WO2006/113727 本発明は、概してマイクロ流体構造、より具体的には、蛇行する幅の広いチャネルを含むマイクロ流体構造および方法に関する。マイクロ流体システムは、必要な試料および試薬の量の削減、オペレーティングシステムの規模の縮小、および反応時間の減少により、従来のシステムと比較して、さまざまな反応や分析を行うための有利な環境を提供することができる。残念ながら、小型のマイクロ流体チャネルは、拡大レンズ(顕微鏡、光電子増倍管など)を使用しない種の検知にときどき困難を招く場合がある。密集した一連のマイクロチャネル、すなわち、直径オーダー数ミリの蛇行する部位、または幅の広いチャネルは、広い計測領域を作り出すことにより、この問題に対する解決策として機能しうる。
561 2008-537462 H180413 アダプティブエナジー・リミテッド・ライアビリティー・カンパニー ライト,デイビッド・ディ ダイヤフラムを備えるアクチュエータ、およびそれを動作させる方法 A4 DFX MGX
WO2006/124162 アクチュエータアセンブリはアクチュエータ要素と2つの圧電アセンブリとを備え、2つの圧電アセンブリはアクチュエータ要素の動きを制御するために構成および配置される。いくつかの例示的な実現化例では、第1の圧電アセンブリおよび第2の圧電アセンブリは、第1の圧電アセンブリの温度依存性が第2の圧電アセンブリの温度依存性により相殺されるように構成および配置される。第1の例示的な実施例では、第1の圧電アセンブリは第1の圧電ダイヤフラムを備え、第1の主圧電ダイヤフラムは第1の圧電ダイヤフラムの変位に応じてアクチュエータ要素を変位させるためにアクチュエータ要素に接続されている。第2の例示的な実施例では、アクチュエータ要素はハウジング内に少なくとも部分的に位置し、そこでアクチュエータ要素は往復運動可能である。
562 2008-537658 H180328 エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル. 共振微小電気機械システムの共振周波数を制御する装置 A4 DB02
WO2006/103247 共振微小電気機械システムの共振周波数を制御する装置は、第1のボディ(10)及び第1ボディ(10)に容量的に結合されるとともに較正可能な共振周波数(ωR)で第1のボディ(10)に対して弾性的に共振可能な第2のボディ(11)とを有し、第2のボディ(11)と第1のボディ(10)との間の相対変位(ΔY)が外側から検出可能である微小構造(2)と、微小構造(2)に結合され、相対変位(ΔY)を検出する増幅器(21)とを具える。直流減結合素子(23)は、増幅器(21)と微小構造(2)との間に配置される。
563 2008-537783 H180413 ギロス・パテント・エービー フィンガ弁を備えるマイクロ流体装置 A4 DC01
WO2006/110095 マイクロ流体装置は、内部に入り口端部、出口端部、および、局所的な非濡れ性表面域の形態をなす毛管停止機能体と関連しており、(a)毛管停止機能体は、マイクロ管の分割部分を画定し、(b)前記分割部分内のマイクロ管は、2以上のマイクロチャンネル、好ましくは、少なくとも2つが機能的に等しいマイクロチャンネルに分割され、(c)前記各マイクロチャンネルの内部壁は、前記非濡れ性表面域の一部と関連する。【選択図】図3
564 WO2005/123242
日本電気株式会社 構造体ならびにこれを用いたチップ、および親/疎液性の制御方法 A4 DC01 H170615 WO2005/123242 本発明は、簡素な構成で材料表面の親/疎液性を精密に制御する手法と、該手法を利用して、親/疎液性の制御がなされる材料表面において、その親液性または疎液性の強さに異方性を持たせる方法、さらには、かかる手法を応用して、材料表面の所定の領域に液体を保持させる方法を提供する。例えば、基板101の表面に、規則的な凹凸構造からなる保液部103と、保液部103の外周を取り囲む平坦面からなる外周部104とを設ける。保液部103の凹凸構造の表面積を保液部103の形成領域の面積よりも大きくするとともに、その表面積の増倍率を所望の値とするように規則的な凹凸構造の形成を行う。
565 WO2006/088120
国立大学法人 岡山大学 流動調整装置、マイクロリアクター及びそれらの用途 A4 DC01 H180217 WO2006/088120 複数の液体が導入される複数の導入流路21,22と、該複数の導入流路21,22が合流する合流部23と、該合流部23の下流に配置された反応流路41とを備えたマイクロリアクターにおいて、前記合流部23の下流かつ前記反応流路41の上流の位置に流動調整部80が配置され、該流動調整部80の流路81内に移動可能な粒子82が含まれていることを特徴とするマイクロリアクターとする。これにより、反応流路41内における流動状態を調整し、再現性のよい流動状態を実現することのできるマイクロリアクターを提供することができる。
566 WO2006/095651
株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ 分子通信システム A1 DF01 H180303 WO2006/095651 所定の情報が符号化された情報分子を制御性良く目的の宛先まで伝達できる分子通信システムを提供する。分子通信システムは、所定の情報が符号化された情報分子を送出する分子送信機と、前記情報分子を受信する分子受信機と、前記分子送信機と分子受信機との間を接続する分子伝搬経路と、を含み、分子伝搬経路は、高分子材料で形成される伝送パスと、当該伝送パスに沿って所定の方向に巡回するキャリア分子とを含み、前記キャリア分子は、分子送信機から送出された情報分子を搭載して分子受信機まで輸送する。
567 WO2006/098370
日本電気株式会社 流路の実効的な通過時間の調整機構を具える遅延回路、マイクロチップ、およびその作製方法 A4 DC01 H180315 WO2006/098370 本発明は、予め作製された流路構成に対して、その作製後に部分的な変更操作を施すことにより、遅延装置の通過に要する実効的な所要時間を所望の範囲で調整可能な新たな遅延装置の構造、ならびに、その製造方法を提供する。例えば、最短の経路となる側壁面から、流路拡張部(201)に内部領域へ、最短の経路となる側壁面に沿った流線上の液体の進行を妨げることが可能な障害構造(202)を付加し、最短の経路となる側壁面と、障害構造の側壁面の双方に沿って、液体の進行する流線へと変更することで、流路上流部分の末端から流路下流部分の先端に達する、液体の進行する流線の延長を図り、通過時間の延長(遅延量)を得る。この通過時間の延長(遅延量)の調節は、障害構造の張り出し量、ならびに、設ける障害構造の個数を選択することで、広い範囲で設定可能となる。
568 WO2006/103725
平田機工株式会社 マイクログリッパ A4 DFX H170325 WO2006/103725 【課題】構造がさらに簡単化されて、微細な把持対象物を、その位置に合わせて正確、確実に把持することが可能なマイクログリッパを提供する。【解決手段】微細なワーク9の把持を行うマイクログリッパ1の固定部3と作動部4とが、一体構造物2から成る。作動部4は、固定部3の両側に配置されて、固定部3の前方側に一対の把持部5、5と、固定部3の後方側に一対の駆動部6、6と、これら一対の把持部5、5と一対の駆動部6、6とを接続する一対の弾性変形部7、7とを備えている。一対の駆動部6、6の間には、1個ないし複数個の伸縮アクチュエータ8が組み込まれて、伸縮アクチュエータ8が伸縮することにより、一対の駆動部6、6が変位動作し、これにより、一対の弾性変形部7、7が弾性変形して、一対の把持部5、5が所望の位置に変位動作するようになっている。【選択図】図1
569 WO2006/103749
平田機工株式会社 マイクロマニピュレータ A4 DFX H170329 WO2006/103749 【課題】構造が簡単で、微細物体を多次元空間内で精密に位置・姿勢制御することが可能なマイクロマニピュレータを提供する。【解決手段】マイクロマニピュレータ10が、一対のハンドモジュール1、1から成る。各ハンドモジュール1は、第1〜第3のリンク2〜4から成る3自由度リンク機構を備えている。リンク2〜4は、ベース部の3点A〜Cをそれぞれの揺動起点として、ベース部上方の1点Xにおいて互いに相対変位可能に連結されている。第1のリンク2は、点Xよりも先方に伸びて把持・操作部7を有し、第2、第3のリンク3、4の各々は、その中途部にピエゾ圧電素子から成る伸縮アクチュエータ5b、5cを有し、これらの伸縮アクチュエータが伸縮することにより、第2、第3のリンク3、4がそれぞれ伸縮して、把持・操作部7が3次元空間内の所定の位置に変位動作するようにされている。【選択図】図2
570 2008-229432 H190319 国立大学法人山口大学 機械的稼働部を持たない旋回流発生装置 A4 DC03 DCX

【課題】既存のプラズマシンセティックジェットを用い、旋回流を生じさせることで、機械的稼働部を持たない旋回流発生装置、及び前記旋回流発生装置を備えたマイクロスワーラーおよびマイクロポンプを提供する。【解決手段】筐体と、前記筐体の一つの端面の内壁面にそのほぼ中心部から放射状に分離して設けられた複数個のPSJAと、を備え、前記複数個のPSJAに交流電圧を印加し、前記筐体内に旋回流を発生させる。【選択図】図4
571 2008-229483 H190320 京セラ株式会社 マイクロ流路体およびマイクロ流路体の製造方法 A4 DC01 PGX

【課題】流路への流入口および流出口において流体をスムーズに流通させることが可能なマイクロ流路体を提供することにある。【解決手段】マイクロ流路体1は、基体2の内部に、流体が流通される流路2aを有し、流路2aに流体を流入させる流入口2bまたは流出させる流出口2cが基体2と一体の基体2の表面から突出する筒状部2dとされている。流入口2aまたは流出口2dが基体2と一体に形成されているので、流入口2aまたは流出口2dを後で取り付けることによって生じる乱流を少なくできる。【選択図】図1
572 2008-229823 H190323 株式会社ミツトヨ MEMSデバイスの製造方法 A4 PHX PJX

【課題】歩留まりを向上させ、ウエハーを個片にした後、パーティクル等を可動機構部分へ付着させることなく、貫通孔を形成可能なMEMSデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】物理量検出装置は、ヒンジ部11aにより変位可能に支持された可動部12と、可動部12と対向する位置に配置された固定電極22、32とを有する。この物理量検出装置の製造工程において、まず、可動部12上に配置される第1の硝子基板2の所定箇所に肉薄部26aを形成する。続いて、肉薄部26aを長波長レーザ光Laにより溶解させ、第1の硝子基板2を貫通させる。その後、シリコン基板1、第1の硝子基板2、第2の硝子基板3を封止パッケージ5により封止する。【選択図】図3
573 2008-229833 H191001 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法 A4 DB02 DD01 DD02 DD04 PGX PI02

【課題】ベース基板の素子上に密封キャップが配置されてなる半導体装置およびその製造方法であって、小型で安価に製造することができ、フェースダウンボンディングも可能で実装面での制約が少ない半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁分離された複数個のベース半導体領域Bsが表層部に形成されてなるベース基板B1と、ベース基板B1に貼り合わされる導電性を有したキャップ基板C1であって、当該キャップ基板C1を貫通する絶縁分離トレンチ31により、複数個のキャップ導電領域Ceが形成されてなるキャップ基板とを有してなり、ベース基板B1における所定領域R1とキャップ基板C1における凹部32とで構成される空間23,32が密封されると共に、所定のキャップ導電領域Ce1,Ce2が、所定のベース半導体領域Bs1,Bs2に電気的に接続されてなる半導体装置100とする。【選択図】図1
574 2008-229840 H200310 ゼロックス コーポレイション プリント・メムス用複合ポリマーの方法及びシステム A4 MEX

【課題】材料がインクジェット・プリンタから液状で噴出される必要があるプリント・メムスにおいては、構造材料はポリマーとなる可能性が高いが、これは普通は導電性ではない。導電性ポリマーは可能であるが、これらの材料は大きな抵抗を有し易い。【解決手段】マイクロ電子機械システム用の複合材料を作成する方法であって、マイクロ電子機械システム・デバイスのレイアウトを決定し、少なくとも1滴のポリマーと少なくとも1滴の導電体とを交互に堆積させて、レイアウトに基づいて混交マトリックス(interwovenmatrix)を作成し、レイアウトに基づいて前記マイクロ電子機械システム・デバイスを形成する、ステップを含むことを特徴とする方法。【選択図】図4
575 2008-232885 H190322 コニカミノルタオプト株式会社 マイクロチップの製造方法 A4 DC01 PA03 PA02 MB01

【課題】流路の内面に機能性膜を形成するとともに、樹脂製のマイクロチップ基板同士を接合することが可能なマイクロチップの製造方法を提供する。【解決手段】樹脂製のマイクロチップ基板1の表面には、表面に沿って延びる流路用溝2が形成されている。マイクロチップ基板4は平板状の基板である。マイクロチップ基板1の流路用溝2の内面以外の表面における表面粗さRaは、表面に形成されるSiO2膜3の膜厚T1以上となっている。流路用溝2が形成されている面を内側にしてマイクロチップ基板1、4を重ね、超音波を印加することで両基板を接合する。【選択図】図1
576 2008-235254 H200205 コミサリア、ア、レネルジ、アトミク 駆動マイクロシステム及びその製造方法 A4 PI02

【課題】ピボットアームの回転が制御可能となるような、ピボットアームの開き行程端制止部を備える駆動マイクロシステムを実現する。【解決手段】駆動マイクロシステム1は、平坦な基板2上に形成されており、ヒンジ4の周りを回転するように取り付けられたピボットアーム3と、前記基板2上に配置された静止コンタクトパッド6と、前記ピボットアーム3の開き行程端制止部7とを備える。前記行程端制止部7は、前記ピボットアーム3の関節端3cと自由端3dとの間において、前記ピボットアーム3の上方に、前記ピボットアーム3から距離を置いて配置された頭部9を備える。前記制止部7の下部部分は、前記基板2に接続されており、前記ヒンジ4と前記静止コンタクトパッド6との間において、前記ピボットアーム3の側方に配置される。【選択図】図3
577 2008-235487 H190319 沖電気工業株式会社 電子部品、電子部品の製造方法、加速度センサ、及び加速度センサの製造方法 A4 DD01

【課題】信頼性に優れた電子部品、その製造方法、電子部品を用いた加速度センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板10と、基板10上に形成される絶縁層28と、絶縁層28上に形成され、外部端子と電気的に接続されるパッド24と、を含む電子部品であって、パッド24の底面に対応する基板10および絶縁層28の領域の少なくとも一つに形成される空洞26が設けられている電子部品である。【選択図】図3
578 2008-235628 H190322 トヨタ自動車株式会社 半導体装置 A4 DD01 DD02

【課題】半導体装置の運搬時に、半導体素子に塵等が付着することを低減することができる半導体装置を実現する。【解決手段】半導体装置10は、基板24の表面に半導体素子12と、半導体素子12の外側を囲む外壁16を有している。外壁16は、基板24の表面に立設されている。外壁16は、直線部16aと4つのコーナー部18を有している。コーナー部18は、直線部16aよりも肉厚にすることができる。直線部16aの一部には、薄肉部16bが形成することができる。外壁16の直線部には、同一形状の突起20aが複数形成することができる。【選択図】図1
579 2008-236386 H190320 ソニー株式会社 電気機械素子とその製造方法、並びに共振器 A4 DB02 PI02

【課題】マスクの合わせずれに起因する支柱の位置ずれを無くすことにより、共振周波数の変動を防止し、歩留まりの向上を図った電気機械素子及びその製造方法、さらに電気機械素子による共振器を提供する。【解決手段】基板5上に空間27を介して配置された可動子10を有する電気機械素子25において、電気機械素子25を、空間26を介して封止する保護膜15を備え、保護膜15と可動子10が、可動子10を貫通する支柱16A,16Bにより支持されている。【選択図】図1
580 2008-238085 H190328 京セラ株式会社 反応器、反応器収納用容器および反応装置 A4 DC01

【課題】反応部で発生する熱が隣り合う反応部へ伝達することを抑制し、高い反応効率を有するとともに消費電力が小さい反応器、反応器収納用容器および反応装置を提供すること。【解決手段】複数の反応部7を備えた反応器6において、反応部7間に少なくとも一つの放射熱防止板10を設けた。また、複数の反応部7を備えた反応器6’を収納するための収納容器Aを具備する反応器収納用容器12であって、収納容器Aの内面に反応部7間に配置される放射熱防止板10’を設けた。【選択図】図1
581 2008-238091 H190328 京セラ株式会社 マイクロ流路体 A4 DC01

【課題】基体の熱設計の自由度が高いマイクロ流路体を提供すること。【解決手段】マイクロ流路体1は、基体2の内部に、流体が流通される流路2aを有し、流路2aに沿って面が対向するように基体2内部に金属層3が設けられている。金属層3の形成されている箇所において熱伝導率を異ならせることができ、熱伝導率の異なる箇所を適宜に設置することで、熱設計の自由度が高いマイクロ流路体1を提供することができる。【選択図】図1
582 2008-238097 H190328 東ソー株式会社 滴生成用微小流路集合体装置 A4 DC01

【課題】微小流路構造体を用いて微粒子を生成するにあたり、安価に大量に作製した微小流路構造体を、立体的に微小流路の集積度を向上させて、すべての微小流路に均一に流体を送液し、生成物を大量に生産することが可能な液滴生成用製造装置を提供する。【解決の手段】流体を導入する流体導入口と流体により微粒子を生成する微小流路と生成した微粒子を含有する流体を排出する流体排出口とを有する微小流路構造体であって、前記微小流路構造体は、流体を前記微小流路に供給する流体供給用構造体と微小流路を有する微小流路基板とこれらの間に介される板とから構成されており、前記微小流路基板の基材が、JISK6253準拠のデュロメータ硬さ試験方法でタイプDにおける硬度70以上であり、かつJISK7152−4準拠の成形収縮率は3%以下の樹脂である液滴生成用微小流路集合体装置を用いる。【選択図】図1
583 2008-238117 H190328 国立大学法人 岡山大学 財団法人 岡山県産業振興財団 転相温度乳化装置及び乳化方法 A4 DC01

【課題】連続的に安定な微細エマルションを調製することのできる装置及び方法を提供する。【解決手段】転相温度乳化装置1は、連続相となる第1の液体を導入するための第1入口ポート2、分散相となる第2の液体を導入するための第2入口ポート3、これら第1及び第2入口ポートに連通し、導入された二液を合流させて第1の液体中に第2の液体が分散したエマルションを調製するマイクロ流路6、及びマイクロ流路6に連通しエマルションを回収するための出口ポート4とを具える合流マイクロリアクタユニット5と、エマルションを転相温度以上に加熱する少なくとも1つの加熱マイクロリアクタユニット9と、加熱されたエマルションを転相温度以下に冷却する少なくとも1つの冷却マイクロリアクタユニット10とを積層してなる。【選択図】図1
584 2008-238122 H190328 国立大学法人 岡山大学 財団法人 岡山県産業振興財団 マイクロミキサー A4 DC01

【課題】小型でありながら混合効率を有利に高めることができるマイクロミキサーを提供する。【解決手段】複数の流体の供給口を個別に有するベースプレートと、各供給口からの流体が通る各流体宛1本または複数本の分配流路を有する分配プレートと、前記流体毎の分配流路の全てを横切る向きに延び、かつ各分配路との交点から各流体を導く混合流路を少なくとも1本は有する合流プレートと、前記複数の流体が各混合流路にて合流、混合した混合流体の貯留部を有するトッププレートと、を積み重ねて構成する。【選択図】図4
585 2008-238313 H190327 富士ゼロックス株式会社 マイクロ流路デバイス及びマイクロ流路デバイスの製造方法 A4 DC01

【課題】対流の発生を抑制し、意図しない流体同士の混合や、流体内の粒子の偏在が生じにくいマイクロ流路デバイスを提供すること。さらに、前記マイクロ流路デバイスの好適な製造方法を提供すること。【解決手段】複数の流体が層流を形成して送流されるマイクロ流路を有し、該マイクロ流路の内壁に、流体の流れと略平行であり、かつ、前記複数の流体が形成する界面に対して略垂直方向に突出する凸部を有することを特徴とするマイクロ流路デバイス。前記マイクロ流路は湾曲部を有し、前記凸部は、マイクロ流路の湾曲部に設けられていることが好ましい。【選択図】図2
586 2008-238317 H190327 セイコーエプソン株式会社 構造体の製造方法 A4 PJX

【課題】基板の両面を加工する際の汚染や損傷を防ぐことを可能とする方法を提供すること。【解決手段】貫通孔(24a 24b)を有する構造体の製造方法であって、(a)基板(10)の一方面側に第1の凹部(16a 16b)を形成すること、(b)上記基板の上記第1の凹部内に、当該第1の凹部の底部およびその近傍を覆い、かつ端部が上記第1の凹部の内壁と接する樹脂膜(18a 18b)を形成すること、(c)上記基板の他方面側であって上記第1の凹部と重畳する領域に、上記樹脂膜によって上記第1の凹部と隔てられた第2の凹部(22a 22b)を形成すること、(d)上記樹脂膜を除去すること、を含む製造方法である。【選択図】図1
587 2008-238330 H190327 株式会社東芝 MEMS装置およびこのMEMS装置を有する携帯通信端末 A4 DB01 DB05 PI02

【課題】動作電圧が低く、圧接力および引離し力が強いMEMS装置を提供することを可能にする。【解決手段】基板1と、基板上に設けられた支持部2と、基板上に設けられた固定電極10と、第1の電極4と、第1の電極上に形成された第1の圧電膜5と、第1の圧電膜上に形成された第2の電極6とを有し、一端が支持部を介して基板上に固定され、支持部と固定電極とを結ぶ方向に延在しかつ第1の電極が固定電極に対向するように設けられたアクチュエータ3と、支持部と固定電極とを結ぶ直線上でかつ第1の電極に対向するように前記基板上に設けられたストッパ部9と、を備えている。【選択図】図2
588 2008-238391 H200123 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置 A4 PI02

【課題】絶縁層のエッチング加工をより短時間で行い、かつ絶縁層の断面方向のエッチング量の制御をより容易に行うことにより半導体基板上に形成された可動部を開放することができる半導体装置の製造方法、および当該製造方法で製造された半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置10の製造方法は、半導体基板12上に設けられた絶縁層14上に、圧電体層22と第1の電極20と第2の電極24とを含む構造体30を形成する工程と、半導体装置10をダイシングして絶縁層14の断面を露出する工程と、構造体30の固定部30aが絶縁層14上に固定されたまま構造体30の可動部30bが開放されるように、前記露出された断面から絶縁層14を選択的エッチングにより除去する工程と、を含んでいることを特徴とする。【選択図】図1
589 2008-242451 H200228 スペイシャル フォトニックス, インコーポレイテッド 改善された性能を有するカプセル化された空間光変調器 A4 DA04 DAX

【課題】空間光変調器の光学的性能を確実にするために、マイクロチャンバにおける望まれない散乱された光が透明な窓を出ることを防止すること。【解決手段】カプセル化された空間光変調器であって、チャンバの中の基板上の空間光変調器と、該チャンバを部分的に画定するカプセル化カバーと、該基板と該カプセル化カバーとの間のスペーサ壁であって、該スペーサ壁は、該空間光変調器に隣接する内側表面を有する、スペーサ壁と、該スペーサ壁の該内側表面の第1の光を吸収する材料であって、該光を吸収する材料は、該チャンバ内の光を吸収するように構成されている、第1の光を吸収する材料とを備えている、カプセル化された空間光変調器。【選択図】なし
590 2008-243897 H190326 東海ゴム工業株式会社 電歪型アクチュエータ用アクリルゴムおよびその製造方法 A4 MEX

【課題】誘電率が高く、電歪型アクチュエータに用いた場合に低電圧で大きな変位量が得られるアクリルゴムを提供する。また、そのようなアクリルゴムを、架橋時間を短縮して製造することのできる方法を提供する。【解決手段】電歪型アクチュエータ用アクリルゴムは、エポキシ基含有アクリル酸エステル系重合体と、イオン性光酸発生剤と、を含むアクリルゴム組成物を架橋して得られる。また、電歪型アクチュエータ用アクリルゴムの製造方法を、エポキシ基含有アクリル酸エステル系重合体と、イオン性光酸発生剤と、を含むアクリルゴム組成物を調製するアクリルゴム組成物調製工程と、前記アクリルゴム組成物に光を照射して架橋させる架橋工程と、を有するよう構成する。【選択図】なし
591 2008-244169 H190327 松下電工株式会社 センサエレメント A4 DD01 DD02 DD03 DD04 PHX MD04

【課題】センサ基板とパッケージ用基板との接合時に発生する残留応力の低減が可能なセンサエレメントを提供する。【解決手段】センサ基板1は、一表面側に、枠状の第1の封止用金属層18が形成され、センシング部と電気的に接続された第1の電気接続用金属層19が形成されている、第1のパッケージ用基板たる貫通孔配線形成基板2は、センサ基板1側の表面に、枠状の第2の封止用金属層28が形成され、貫通孔配線24と電気的に接続された第2の電気接続用金属層29が形成されている。センサ基板1と貫通孔配線形成基板2とは、封止用金属層18,28同士および電気接続用金属層19,29同士それぞれに関して活性化された接合表面同士が常温接合され、センサ基板1と第2のパッケージ用基板たるカバー基板3とは、活性化された接合表面同士が、Si−Siの組み合わせで常温接合されている。【選択図】図1
592 2008-244174 H190327 松下電工株式会社 センサ素子の製造方法 A4 DD01 DD02 PHX

【課題】センサ基板の残留応力が少なくて所望のセンサ特性を有するセンサ素子の製造歩留まりを高めることができるセンサ素子の製造方法を提供する。【解決手段】センサ基板1と各パッケージ用基板2,3との互いの接合面それぞれを清浄・活性化する活性化工程と、活性化工程の後でセンサ基板1と各パッケージ用基板2,3とを互いの接合面を突き合せて接合する接合工程とを備え、接合工程では、センサ基板1と第2のパッケージ用基板3とをSi−Si、Si−SiO2、SiO2−SiO2、Si−Si3N4、Si3N4−Si3N4、SiO2−Si3N4の群から選択される1組の組み合わせの常温接合により接合し、その後、センサ基板1の第1の電気接続用金属層19と第1のパッケージ用基板2の第2の電気接続用金属層29とを常温接合するとともに、センサ基板1と第1のパッケージ用基板2との封止用金属層18,28同士を常温接合する。【選択図】図1
593 2008-244244 H190328 ソニー株式会社 電気機械装置および電気・電子機器 A4 PHX

【課題】支持基板と封止基板とで接合層を介して気密封止された電気機械素子を、長期間にわたって安定して動作させることができるように、電気機械装置の信頼性の向上を図ることを可能とする。【解決手段】電気機械素子11が形成された第2基板(支持基板)200と、電気機械素子11に電気的に接続されていて第2基板200に形成された引き出し電極124と、電気機械素子11を覆うとともに電気機械素子11との間隔dを保って第2基板200に接合層250を介して接合された第3基板(封止基板)300と、引き出し電極124に接続されていて第3基板300内を通るように形成された配線310とを備え、接合層250は、電気機械素子11と第3基板300との間隔dを規定するとともに、第2基板200と第3基板300同士を接合してその間を気密封止することを特徴とする。【選択図】図1
594 2008-244509 H190323 沖電気工業株式会社 MEMS振動子の製造方法及びMEMS振動子 A4 DB02 PB01 PI02

【課題】マイクロローディング効果によるエッチング速度のバラツキを均一にし、寸法制御性に優れた共振器を形成する。【解決手段】両端が基体に固定されていて振動方向に振動する発振子と、発振子に平行に基体に振動不能に固定されていて、発振子の両側に1本以上ずつ配置された電極を備えたMEMS振動子の製造に用いるエッチングマスクであって、発振子の両端を除いた主面の領域を被覆する犠牲膜の全面に形成された導電性膜30上の発振子形成予定領域34を被覆する発振子用マスクパターン36と、導電性膜上の電極形成予定領域38を被覆する電極用マスクパターン40とを備え、発振子用マスクパターン及び電極用マスクパターンの振動方向に関する幅を同一とし、かつ発振子用マスクパターンと電極用マスクパターンとの間の間隔、及び、隣接する電極用マスクパターン間の間隔とを同一とする。【選択図】図6
595 2008-246283 H190329 財団法人 岡山県産業振興財団 学校法人加計学園 衝突型マイクロミキサー A4 DC01

【課題】マイクロリアクターの小型化、集積化を可能にすることにある。【解決手段】二つの部材間に挟まれたプレート7に形成されたスリットまたは、部材もしくはプレートの表面に形成されて他の部材で蓋をされた溝によりそれぞれ構成された第1の流入流路1と第2の流入流路2と流出流路3とを具え、前記第1の流入流路1と前記第2の流入流路2とは互いに対向もしくは交差する方向に延在してそれらの衝突点または交差点で合流し、前記流出流路3は前記第1の流入流路と前記第2の流入流路とが合流した点Iから前記第1の流入流路1および前記第2の流入流路2の両方と交差する方向に延在していることを特徴とする、衝突型マイクロミキサーである。【選択図】図11
596 2008-246348 H190329 富士フイルム株式会社 マイクロ化学チップ及びその製作方法 A4 DC01

【課題】微細流路の高さ調整を高精度且つ簡便に行うことができ、安価で定量性のあるマイクロ化学チップを提供する。【解決手段】親水性の流体が流通する少なくとも1以上の微細流路12を有するマイクロ化学チップ10において、プレート表面に微細流路12となる親水性部分を有する基盤プレート14と、基盤プレート14の微細流路側に、基盤プレート14に対して平行に対向配置された蓋プレート16と、基盤プレート14と蓋プレート16との間隔を調整して微細流路12の流路高さを調整する流路高さ調整手段18と、を備えた。【選択図】図1
597 2008-246349 H190329 富士フイルム株式会社 マイクロ流体デバイス A4 DC01

【課題】微細流路を流れる流体の精密な温度変化を行うことができ、しかも複数のユニットを連結した構造であっても連結部分での流体の滞留を防止できるマイクロ流体デバイスを提供する。【解決手段】内部に微細流路を有する複数のユニット12、1418、20を流路同士が連通するように一体的に連結し、微細流路内に流体Aを流して所望の単位操作を行うデバイスであって、加熱ユニット14と冷却ユニット18との間に、微細流路と略同径な貫通孔16Aが形成された断熱板16が介在されると共に、断熱板16には、連結の際に流路と貫通孔16Aとが連通するように位置決めされる位置決め機構が設けられている。【選択図】図1
598 2008-246604 H190329 富士通株式会社 富士通メディアデバイス株式会社 マイクロ可動素子、ウエハ、およびウエハ製造方法 A4 DA04 DD01 DD02 PI03 MA02 MA03 MB01 MB03 MBX

【課題】可動構造部のスティッキングを抑制するのに適するとともに、歩留りよく製造するのに適するマイクロ可動素子、そのようなマイクロ可動素子を製造するのに用いることのできるウエハ、及び、そのようなウエハを製造するための方法を提供する。【解決手段】本発明のウエハ製造方法は、例えば、プレ第2層上にポリシリコンまたはアモルファスシリコンを成膜することによって微細凹凸面を形成する工程と、プレ第2層の微細凹凸面上にプレ中間層を形成する工程と、プレ第1層およびプレ第2層を、微細凹凸面上のプレ中間層を介して接合する工程とを含む。本発明のマイクロ可動素子X1は、例えば前記のウエハに加工を施すことによって得られたものであって、第1層において成形された構造部62Aと、構造部62Aに空隙を介して対向する部位を有して構造部62Aに対して相対変位可能な、第2層において成形された構造部61とを備える。【選択図】図5
599 2008-246613 H190329 国立大学法人東北大学 国立大学法人秋田大学 ナノ材料を曲げる方法およびナノ材料の作動装置 A1 MI06 MIX

【課題】ナノ材料からなる機能的微小構造体の創製の要請に対応しつつ、ワイヤ状あるいはシート状のナノ材料に対して曲げ加工を実現できるナノ材料を曲げる方法、およびこれを利用したナノ材料の作動装置を提供する。【解決手段】ナノワイヤ1の表面に、加工後の使用温度とは相異なる加工温度において、ナノワイヤ1とは相異なる線膨張係数を有する異材2を形成する。形成後の断面は、加工温度と使用温度との温度差によって生じる熱応力が、断面に曲げモーメントを発生せしめるように、異材2の断面内配置に非対称性を有する。加工温度から使用温度に温度を変化させると、前記の曲げモーメントにより曲げ変形が発生し、これにより曲げ加工が実現できる。また、加工後の当該ナノ材料について使用温度を変化させることにより、上記と同様の原理により曲げ変形の曲率を変化させることができ、これにより超微小な作動装置を実現できる。【選択図】図1
600 2008-246616 H190329 セイコーエプソン株式会社 結晶基板のエッチング方法 A4 PC01

【課題】深さの異なる凹部を容易に且つ高精度に形成することができる結晶基板のエッチング方法を提供する。【解決手段】結晶基板1に深さの浅い第1の凹部と深い第2の凹部とを形成するマスクとして、第1の凹部を形成する第1の補正パターン21と第2の凹部を形成する第2の補正パターン22とを設けて当該結晶基板1を異方性エッチングすると共に、エッチング工程として、第2の補正パターン22を用いて第2の凹部の深さ方向の途中までエッチングする第1のエッチング工程と、マスク10の一部を除去して第1の補正パターン21の長さと第2の補正パターン22の残り長さを同じ長さにする除去工程と、第1の補正パターン21及び第2の補正パターン22とを用いて第1の凹部及び第2の凹部を形成する第2のエッチング工程とを具備する。【選択図】図2
601 2008-246655 H190330 富士通株式会社 マイクロ揺動素子およびマイクロ揺動素子アレイ A4 DA04 DD01 DD02

【課題】素子外への電界漏れを抑制するのに適したマイクロ揺動素子およびマイクロ揺動素子アレイを提供する。【解決手段】本発明のマイクロ揺動素子X1は、フレーム21と、基準電位が付与されるための駆動電極12を有する揺動部10と、フレーム21および揺動部10を連結して揺動部10の揺動動作の軸心A1を規定する連結部22と、駆動電極12と協働して揺動動作の駆動力を発生させるための駆動電極23とを備える。駆動電極12は、軸心A1と交差する方向に延びる、離隔した端延び部12A,12Bを有する。駆動電極23は、端延び部間12A,12Bの離隔距離L2以内に設けられている。本発明のマイクロ揺動素子アレイは、このようなマイクロ揺動素子X1を複数含む。【選択図】図1
602 2008-246663 H191213 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド ZオフセットMEMS装置および方法 A4 PG01 PI03

【課題】機構層(12、48)およびベース(20)を備える微小電気機械システム(MEMS)装置を提供すること。【解決手段】ベース(20)の上面(21)が、機構層(12、48)に接合され、ベース(20)の上面(21)内にギャップ(22)を画定する。機構層(12)の一部分(18、62)は、それがベース(20)に接触するまでギャップ(22)の中へたわめられ、ベース(20)に接合される。【選択図】図1A
603 2008-246931 H190330 国立大学法人 和歌山大学 ヤング率を制御した微小構造物の作製方法 A4 PJX

【課題】任意の部分のヤング率を制御した微小構造物の作製を実施する。【解決手段】液状の光硬化性樹脂の内部にレーザー光を走査させながら連続的に照射し、その内部を線分的に連続させて硬化することにより、面状の微小構造物を作製し、さらにその面状の微小構造物を積層することで3次元計上の微小構造物を作製することを特徴とするマイクロ光造形法において、面状の微小構造物を積層する際のピッチ間隔を変更することで、完成した構造物のヤング率を制御する。【選択図】図1
604 2008-247031 H200324 ゼロックス コーポレイション 高密度プリントヘッドのためのリリースフリー薄膜製造法を用いた高度集積ウェハ結合MEMSデバイス A4 DCX

【課題】インクジェットプリントヘッドにおいてウェハを一緒に接合する前に、静電薄膜および駆動電極が別個のウェハ上に製造されるMEMS静電型インクジェットプリントヘッドを提供する。【解決手段】ドライバコンポーネント110と、ドライバコンポーネント110とは別個に製造され、開口のない流体薄膜を含んだMEMSコンポーネント112と、ドライバコンポーネント110およびMEMSコンポーネント112を作動的に接合する結合フィーチャ332と、MEMSコンポーネント112に取り付けられたノズルプレート114を備えるMEMS型インクジェットプリントヘッドである。【選択図】図1A
605 2008-249858 H190329 コニカミノルタオプト株式会社 マイクロスキャナおよびそれを備える光学機器 A4 DA02 DA04

【課題】ミラー等に成り得る部材を正確に回動させるマイクロスキャナ、およびそれを搭載する光学機器を提供する。【解決手段】変形可能な変形部DPと、かかる変形部DPの変形に要する力を供給する圧電素子PEと、変形部DPから延び出るとともに、その変形部DPの変形に応じて回動する主軸部MAと、かかる主軸部MAによって支えられ、その主軸部MAの回動に追従して回動するミラー部MRと、を含む光スキャナLSでは、変形部DPは、主軸部MAの軸方向に沿って並ぶ複数の梁片TMを有するとともに、梁片同士TM・TMをつなげる連結片CNを有しており、さらに、圧電素子PEが、複数でかつ乖離して、各梁片TMに位置している。【選択図】図1
606 2008-251986 H190330 富士通株式会社 マイクロマシンデバイスの駆動制御方法および装置 A4 DB05

【課題】可変容量デバイスを反転駆動したときのプラス側とマイナス側との静電容量の変動を抑えること。【解決手段】互いに対向する2つの電極を有しかつそれらの間に誘電体層が形成されてなるマイクロマシンデバイスの駆動制御方法であって、2つの電極の間に正負極性が交互に反転する方形波の制御電圧を印加し(#31)、制御電圧の印加によってマイクロマシンデバイスに流れる電流を正負それぞれについて検出し(#32)、検出した電流に基づいて、マイクロマシンデバイスの静電容量に関連するパラメータを正負それぞれについて取得し(#33)、正負それぞれについて取得したパラメータが互いに一致するように、制御電圧を制御する(#34)。【選択図】図19
607 2008-252569 H190330 沖電気工業株式会社 MEMS振動子 A4 DBX

【課題】バイアス電圧、及び振動子と電極との対向面積を大きくすることなく、また、振動子及び電極間の離間距離を小さくすることなく、大きな出力電流を得る。【解決手段】基体11の主面11aに平行な面内で振動する発振子振動部21を含む発振子13と、主面に平行な面内で振動する電極振動部27を含む電極15とを具える。これら発振子と電極とは、互いに離間して配置されており、電極振動部は、発振子振動部の延在方向に対して平行に配置されている。そして、発振子振動部と電極振動部は、質量、長さ、幅、厚み、及び基体の主面からの離間距離が等しく設定されている。更に、発振子振動部と電極振動部は、互いに面対称に配置されている。【選択図】図1
608 2008-253858 H190330 京セラ株式会社 流路体、配線基板、流路形成配線基板、流路形成方法、流路体の製造方法、ならびに流路体キット A4 DC01

【課題】流路内部への異物の侵入を防止し、流路内部のコンタミネーションの少ない流路体を容易に提供する。【解決手段】流路体1は、内部に流路2aが形成される基体2と、流路2aと外部空間とが連通すべき部位に設けられ、基体2のうちの少なくとも周縁部が連なる部分と一体成形され、負荷を与えることによって基体2から分離可能な蓋体3とを含むことから、実際に化学反応をおこなう前の流路2a内部へのコンタミネーションを防止することができ、その結果、流路2a内で化学反応を行なった場合に、期待される反応結果を安定して得ることができる。【選択図】図1
609 2008-254110 H190404 キヤノン株式会社 面外角度付構造部を有する構造体の作製方法 A4 PI03

【課題】面外角度付構造部を有する構造体の作製において構造部の角度をつける際に、精度良く、所望の角度がつけられる作製方法を提供する。【解決手段】構造部003を基板の主面と平行な面A1,A2に対し角度をつけた構造体001を作成するために第一の工程で、構造部003の塑性変形を行う被加工部003に、基板の主面と平行な面に対して交差する方向に突出した突出部004を設ける。そして第2の工程で、前記構造部の突出部004に型により力を加えることにより、被加工部003を塑性変形させ基板の主面A1,A2に対し角度をつける。【選択図】図1
610 2008-254120 H190405 セイコーエプソン株式会社 構造体の製造方法、マイクロデバイスの製造方法 A4 PGX MD04

【課題】樹脂膜からなる接着剤層を用いる場合における不都合を解消し、良好な真空処理を実現し得る製造技術を提供すること。【解決手段】構造体の製造方法であって、被加工体(10)の一方面(11)に金属膜(14)を形成する第1の工程と、上記被加工体の一方面側に上記金属膜を介してサポート用部材(16)を貼り合わせる第2の工程と、低圧雰囲気中で上記被加工体の他方面側を所定の凹凸形状(18)を形成する第3の工程と、上記サポート用部材を上記被加工体から取り外す第4の工程と、を含む。【選択図】図1
611 2008-254162 H190516 キヤノン株式会社 揺動体装置、光偏向器、及びそれを用いた光学機器 A4 DA02 PJ04

【課題】揺動部の慣性モーメント或いは重心位置の調整を比較的大きな範囲で比較的高速に行うことが可能な光偏向器などの揺動体装置、その製造方法を提供する。【解決手段】揺動体装置は揺動軸17回りに揺動可能に設けられた揺動部を有し、該揺動部は可動子11とその質量を調整するための質量調整体19とで構成される。可動子11と質量調整体19の一部との間に空隙30が形成されている。質量調整体19にレーザ光を照射することで、レーザ光の照射されない部分を含んで、空隙30上の質量調整体19の一部を除去する。揺動体装置の他の形態では、揺動軸回りに揺動可能に設けられた揺動部が、その質量を調整するための突出部を持つ可動子で構成される。【選択図】図1
612 2008-255284 H190409 富士フイルム株式会社 光駆動型アクチュエータおよび光駆動型アクチュエータの製造方法 A4 DFX MEX

【課題】光の刺激によって構造が可逆的に変形し、かつ応答速度が実用的な光応答性、柔軟性、および軽量性を有するとともに無音で動作する光駆動型アクチュエータ、その光駆動型アクチュエータの簡便な製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】上記目的を達成する本発明の光駆動型アクチュエータ1は、光の刺激を受けて変形するポリマーを備え、該ポリマーの変形をアクチュエータとして利用する光駆動型アクチュエータにおいて、光の刺激を受けて構造変化を引き起こす光異性化基を有し、該光異性化基が所定のパターン化された複数の方向に配向しているポリマーを備えたことを特徴とする。【選択図】図6
613 2008-256837 H190403 山一電機株式会社 光伸光学工業株式会社 ファブリペロー型波長可変フィルタおよびその製造方法 A4 DA02 DAX PI03

【課題】例えば赤外光から紫外光にわたる広い波長帯域の光において適用可能であり、小型で低電圧駆動するファブリペロー型波長可変フィルタを提供する。【解決手段】SOI基板1の表面に対し水平方向に変位する可動部2、可動部2を弾性可動に支持するサスペンション支持体3、SOI基板1に固定された固定部4が設けられる。可動部3を変位させる櫛歯型静電アクチュエータの櫛型電極5により、可動部2表面に接合して形成された第1のミラー構造体6が水平方向に制御され変位する。このファブリペロー型波長可変フィルタでは、第1のミラー構造体6の第1のミラー面6aと、固定部4の表面に接合して形成された第2のミラー構造体7の第2のミラー面7aとが平行に対向配置されて光共振器をなし、上記水平方向の変位によりその共振器長を変える構成になっている。【選択図】図1
614 2008-257226 H200312 株式会社リコー スタンレー電気株式会社 光偏向器および光学装置 A4 DA02

【課題】大きな偏向角および大振幅動作が得られ、また、小型化、薄型化、および軽量化を図ることができる光偏向器を提供すること。【解決手段】反射板1を弾性支持部2a,2bを中心に回転振動させる圧電ユニモルフ振動体210a〜210dを備えた光偏向器であって、圧電ユニモルフ振動体210a〜210dの振動板23a〜23dの両端の一方を弾性支持部2a,2bに接続するとともに、両端のもう一方を支持体9に接続し、振動板23a〜23d、反射板1、弾性支持部2a,2b、支持体9を一体に形成し、圧電ユニモルフ振動体210a〜210dが、それぞれ複数の並列振動板23a−1〜3,23b−1〜3,23c−1〜3,23d−1〜3および並列アクチュエータ28a−1〜3,28b−1〜3,28c−1〜3,28d−1〜3を備えていることを特徴とする光偏向器とした。【選択図】図1
615 2008-258087 H190409 三菱電機株式会社 加速度スイッチ A4 DD01

【課題】高精度で製造が容易であり、スイッチのON状態保持時間を容易に調整でき、さらに検出加速度を調整可能な加速度スイッチを提供する。【解決手段】同一厚みの薄膜にて、梁4,5、及びフレーム2,3を有する可動構造体を形成する。可動構造体は、基板上の1点又は複数点でアンカー1に固定され、フレーム2は、アンカーと梁4で支持される。面外方向に変位するフレーム3の動作を、機械的にフレーム2の回転動作に変位させ、回転変位するフレームが閾値以上の加速度にて固定電極と接触する構造とした。【選択図】図1
616 2008-259100 H190409 三洋電機株式会社 マイクロメカニカル共振器 A4 DB02

【課題】従来のマイクロメカニカル共振器よりも高い周波数帯域の共振周波数を利用することが可能なマイクロメカニカル共振器を提供する。【解決手段】本発明に係るマイクロメカニカル共振器は、円筒形状の共振子2を具えている。共振子2は、基板7と平行な面内で振動することが可能に支持されている。又、共振子2の外周面又は内周面に対向して第1乃至第8電極30〜37が円陣に配置され、第1乃至第8電極30〜37と共振子2の外周面或いは内周面との間にギャップ部が形成されている。共振子2に主電圧を印加すると共に、第1乃至第8電極30〜37のうちの所定の複数の電極に高周波信号を入力することにより、共振子2が共振する。【選択図】図1
617 2008-259968 H190412 カシオ計算機株式会社 基材、マイクロリアクタ及び触媒搭載方法並びにマイクロリアクタの製造方法 A4 DC01 PAX

【課題】触媒層の剥離を防止して更に反応効率を高める。【解決手段】何れの触媒分散液A〜Cも水、Pd/ZnOの粉末、アルミナゾル、ヒドロキシエチルセルロース、ポリエチレングリコールを混合させたものである。アルミナゾルの組成比(質量%)については、触媒分散液A、触媒分散液B、触媒分散液Cの順に高い。基材1に触媒分散液Aをディップコート法によりコーティングし、基材1に付着した触媒分散液Aの自然乾燥を行う。続いて、触媒分散液Aの場合と同様に、触媒分散液B、触媒分散液Cの順に基材1に対してコーティング処理・自然乾燥処理した後、焼成処理を行う。【選択図】図1
618 2008-260113 H190414 サノンウェルス エレクトリック マシーン インダストリー カンパニー リミテッド ポリイミド薄膜の自己組織化プロセス A4 PI02 ME01

【課題】低コスト、製造プロセスの簡素化および小型化が可能となるポリイミドベースの薄膜自己組織化技術を提供する。【解決手段】(1)シリコン基板10上に犠牲層20と低応力微細構造層30を蒸着し、(2)低応力微細構造層をパターン付けしてエッチングを施し、微細構造の静止部と可動部を備え、(3)微細構造層の弾性結合部41として感光性ポリイミド薄膜を被覆し、その形状をフォトリソグラフィ技術を用いて画定し、(4)微細構造層の可動部の下の犠牲層を、ウエットエッチングにより除去し、(5)最後に、ポリイミドのリフロープロセスを進めて弾性接合を収縮させ、さらに可動部を回転し持ち上げて微細構造の自己組織化が完了する。【選択図】図1
619 2008-260114 H190414 サノンウェルス エレクトリック マシーン インダストリー カンパニー リミテッド ポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造 A4 PI02 ME01

【課題】少なくとも1つの微細構造の静止部と少なくとも1つの微細構造の可動部からなる微細構造において可動部を変位させる自己組織化構造を提供する。【解決手段】静止部53と可動部54との間に設けた弾性結合部52は、感光性ポリイミド薄膜材料からなる。ポリイミド弾性結合部52は、高温リフロープロセスの後に収縮する。硬化したポリイミドの表面張力により、微細構造の自己組織化完了に際して微細構造の可動部を回転させ、持ち上げることが可能となる。【選択図】図1
620 2008-262017 H190412 日本航空電子工業株式会社 光スイッチ A4 DA01 DA04

【課題】本来は光結合するべきではない光伝送路へ散乱光が結合することを防止する光スイッチを提供する。【解決手段】光スイッチAは、第1光伝送路11、第2光伝送路12、第3光伝送路13、第1反射体21、第2反射体22を備えていて、第1配置状態では、第1反射体21によって、第1光伝送路11の端部11aと第2光伝送路12の端部12aとが光学的に結合され、第2配置状態では、第2反射体22によって、第1光伝送路11の端部11aと第3光伝送路13の端部13aとが光学的に結合されものであり、第1反射体21に遮光体50を備えた。遮光体50は、第1配置状態では、第1反射体21のミラー面21aと第3光伝送路13の端部13aとの直接の光結合を遮断し、第2配置状態では、第2反射体22のミラー面22aと第2光伝送路12の端部12aとの直接の光結合を遮断するように、第1反射体21に設けられる。【選択図】図1
621 2008-262213 H200519 富士通株式会社 マイクロ揺動素子およびマイクロ揺動素子駆動方法 A4 DA04

【課題】マイクロ揺動素子について、可動部における回転変位量の大きな回転動作を高い動作速度で実現すること。【解決手段】本発明のマイクロ揺動素子X3は、可動部310と、フレーム320と、可動部310およびフレーム320を連結し、且つ、フレーム320に対する可動部310の回転動作における回転軸心A3を規定する、連結部330と、回転軸心A3から相対的に遠い箇所に回転動作の駆動力を発生させるための駆動機構340,350と、回転軸心A3に相対的に近い箇所に回転動作の駆動力を発生させるための駆動機構360,370とを備える。【選択図】図17
622 2008-262863 H190413 株式会社東海理化電機製作所 MEMSスイッチおよびこれを備えた集積回路 A4 DB01

【課題】小型が図れ、大容量の電流をオン/オフ可能な磁気駆動によるMEMSスイッチ及びこれを備えた集積回路を提供する。【解決手段】シリコン基板1にMEMS(MicroElectroMechanicalSystem)技術により支持部2が立設され、支持部2の先端面には、シリコン基板1の表面に平行させて板状の磁性体3が設けられている。磁性体3の一端の内側には第1の接点4が設けられ、これに対向させてシリコン基板1上には第2の接点6が設けられている。シリコン基板1側から磁性体3に磁力が付与されると、吸引されて撓み、第1の接点4が第2の接点6に接触し、スイッチオンになり、磁力が消滅すると磁性体3は待機位置に復帰する。【選択図】図1
623 2008-263493 H190413 三洋電機株式会社 マイクロメカニカル共振器 A4 DB02

【課題】従来のマイクロメカニカル共振器よりも高い周波数帯域の共振周波数を利用することが可能なマイクロメカニカル共振器を提供する。【解決手段】本発明に係るマイクロメカニカル共振器は、基板7上に、基板7と平行な平面形状が円形の共振子2と、共振子2を挟んで両側に配置された一対の電極30 31とを具えている。共振子2は、中央部に位置する薄肉円盤部20と、薄肉円盤部20よりも厚さが大きく薄肉円盤部20を包囲する厚肉環状部50とを有している。厚肉環状部50は基板7に支持され、一対の電極30 31は共振子2の薄肉円盤部20との間にギャップ部を形成している。共振子2に主電圧を印加すると共に、一対の電極30 31へ高周波信号を入力することによって、共振子2と一対の電極30 31との間の静電容量の変化が高周波信号として出力される。【選択図】図1
624 2008-263542 H190413 三洋電機株式会社 マイクロメカニカル共振器 A4 DB02

【課題】従来のマイクロメカニカル共振器よりも高い周波数帯域の共振周波数を利用することが可能なマイクロメカニカル共振器を提供する。【解決手段】本発明に係るマイクロメカニカル共振器は、基板7上に、基板7と平行な1つの平面内で互いに平行に伸びる2辺を有する平面形状を有する共振子2と、共振子2の前記2辺のそれぞれに対向して配置された2つの電極30とを具えている。共振子2は、基板7と平行な1つの平面内で共振子2の平面形状の2辺が互いに逆方向へずれるすべり振動が可能に支持され、2つの電極30は、共振子2との対向面が、共振子2の平面形状の2辺に沿って互いに逆方向にずれて、食い違い位置の2つのギャップ部を形成している。共振子2に主電圧を印加すると共に、2つの電極30へ高周波信号を入力することにより、共振子2と電極30との間に交番静電気力を発生させて共振子2に振動を与え、共振子2と2つの電極30との間の静電容量の変化を高周波信号として出力する。【選択図】図1
625 2008-264902 H190417 トヨタ自動車株式会社 シリコン構造体とシリコン構造体の製造方法 A4 PI02

【課題】スティッキング現象の発生の抑制とダイシングによるゴミ発生の抑制を両立することができるシリコン構造体とシリコン構造体の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン構造体100は、ベース層12上に中間層14を介して上層30が形成されている。上層30は可動部18、固定部16、ダイシング領域20に分けられる。可動部直下の基板上には突起状の中間層14aが形成されているため、可動部が基板に貼り付くことがない。ダイシング領域20の中間層は除去されているため、レーザーダイシングを行うことができ、ゴミの発生が抑制される。スティッキング現象の発生の抑制とダイシングに伴うゴミ発生の抑制を両立することができる。【選択図】図1
626 2008-264951 H190423 セイコーエプソン株式会社 傾斜形状の加工方法 A4 PB01

【課題】基体の表面に凹部又は孔部を形成するに際して、その内側面を傾斜させることができ、しかもコストや生産性を良好にした、傾斜形状の加工方法を提供する。【解決手段】基体10上に第1マスク11を形成する工程と、第1マスク11を用いてエッチングし、開口部を形成する工程と、ポリマー膜を形成する堆積工程と、ポリマー膜を全面エッチバックし、第1マスク11の内側面及び開口部の内側面に第2マスク16(14)を形成するエッチバック工程と、第1マスク11及び第2マスク16を用いて開口部内をエッチングする開口部内エッチング工程と、を備える。堆積工程とエッチバック工程とを繰り返すことにより、第2マスク16(18)の厚さを所望の厚さに調整し、この第2マスクの厚さの調整と、開口部内エッチング工程とを繰り返すことにより、開口部(凹部19)の内側面を実質的に傾斜させる、傾斜形状の加工方法。【選択図】図2
627 2008-268107 H190424 横河電機株式会社 センサユニット及びマイクロリアクタシステム A4 DC01

【課題】マイクロリアクタデバイスの入力側または/及び出力側で流体の複数種類の状態量を計測する場合において、正確に流体の状態量を計測することが可能なセンサユニットを提供する。【解決手段】マイクロリアクタデバイス用のセンサユニットであって、内部に流路を有し、当該流路内の流体計測位置における流路壁面の周方向に、前記流路に連通する複数のセンサ設置孔と、前記流路壁面の周方向において互いに対向する位置に配置された光入力孔及び光出力孔とが設けられた流路形成部材と、前記複数のセンサ設置孔の各々に、感応部を前記流路側に向けて設置され、前記流体計測位置における流体の状態量を検出する複数種類のセンサと、光出射端を前記光入力孔の流路側に向けて設置された第1の光伝送手段と、光入射端を前記光出力孔の流路側に向けて設置された第2の光伝送手段とを具備する。【選択図】図1
628 2008-270057 H190424 株式会社沖センサデバイス 機構デバイス A4 PHX

【課題】静電気の帯電によって影響を受けるスイッチ素子の第1および第2の素子電極の誤動作を防止する機構デバイスを提供する。【解決手段】機構デバイスは、上面に形成された第1の素子電極11と第2の素子電極12、これら素子電極11、12の両端にそれぞれ電気的に接続されたスルーホール13a、13b、および各スルーホール13a、13bにそれぞれ電気的に接続さて回路基板30に接合された外部接続用端子14a、14bを有する素子形成基板10と、この素子形成基板10に第1の素子電極11と第2の素子電極12を覆うように固着され、一方のスルーホール13aに接合された金属膜40を表面に有する素子保護用基板20とを備えている。【選択図】図1
629 2008-270224 H200530 株式会社アドバンテスト 江刺 正喜 バイモルフスイッチ、電子回路、及び電子回路製造方法 A4 DB01

【課題】低コストなバイモルフスイッチを提供する。【解決手段】可動接点と固定接点とを電気的に接続するバイモルフスイッチであって、表面及び裏面、並びに当該表面から当該裏面へ貫通して設けられた貫通孔を有する基板と、貫通孔の開口部の縁部から当該開口部の内側に延伸する固定接点と、可動接点を開口部と対向して保持し、当該可動接点を駆動するバイモルフ部とを備える。バイモルフ部の一端は、基板の表面に形成された酸化シリコン層の上に形成されてよい。【選択図】図1
630 2008-270348 H190417 セイコーエプソン株式会社 ドライエッチング装置及び被加工物の加工方法 A4 PB02

【課題】被加工物に凹部又は貫通孔を形成する工程において、第1の被加工物の加工を開始してから次の被加工物の加工を開始するまでの時間を短くする事ができるドライエッチング装置及び被加工物の加工方法を提供する。【解決手段】内部に配置された被加工物に対してドライエッチング処理及び保護膜形成処理が交互に行われ、かつ内壁に膜を形成することを目的として、内部に前記被加工物がないときに成膜処理が行われるチャンバ110と、チャンバ110を冷却する冷却手段124,124a,124bと、冷却手段124を制御する制御部126とを具備する。制御部126は、成膜処理が行われる場合に冷却手段124を動作させる。制御部126により制御され、チャンバ110を加熱する加熱手段122を具備してもよい。制御部126は、被加工物に対してドライエッチング処理及び保護膜形成処理を行う場合に、加熱手段122を動作させる。【選択図】図1
631 2008-270465 H190419 富士電機デバイステクノロジー株式会社 マイクロトランスの製造方法 A4 DBX PIX

【課題】マイクロトランスの製造方法において、スループットを向上させること。コイル間の絶縁膜にクラックが入るのを防ぐこと。選択比の大きなマスク材を用いずに製造すること。【解決手段】不純物拡散領域2が部分的に形成された半導体基板1の全面に絶縁膜3を堆積する。この絶縁膜3を部分的に除去し、第1の開口部4および第2の開口部5を形成する。ついで、中心パッド8が第1の開口部4を介して不純物拡散領域2に接触するように1次コイル7を形成する。そして、1次コイル7の上に薄い絶縁膜10を堆積する。この、1次コイル側の絶縁膜10の上に、絶縁体材料12を、接着テープ13によって貼り合わせる。ついで、絶縁体材料12の表面に2次コイル15を形成する。【選択図】図1
632 2008-270787 H200325 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置 A4 PG01 PG03 PGX

【課題】異なる基板上に形成されたデバイス間で無線通信を行い、配線の接続不良を低減した半導体装置を提供する。【解決手段】第1の基板上に、第1のアンテナを有する第1のデバイスを設け、第2の基板上に、第1のアンテナと通信可能な第2のアンテナを有する第2のデバイスを設け、第1の基板と第2の基板を接合して半導体装置を作製する。第1の基板と第2の基板は、接着層を介した接合、陽極接合、又は表面活性化接合により接合される。【選択図】図1
633 2008-271425 H190424 松下電工株式会社 音響センサおよびその製造方法 A4 DDX

【課題】耐環境性が高くて安定した音響特性を有する音響センサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板を用いて形成されフレーム部11の内側のダイヤフラム状の可動板部12が可動電極を兼ねるとともにフレーム部11の一表面側において可動板部12に対向する固定板部14が固定電極を兼ね、固定板部14に可動板部12と固定板部14との間の空間16と連通する連通孔15が貫設された静電容量型の音響センサ本体10aと、音響センサ本体10aの固定板部14における可動板部12側とは反対の表面側に連通孔15を閉塞する形で設けられたフィルタ層17とを備える。フィルタ層17は、防水性、