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No.
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公開／公表番号
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出願日
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出願人
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発明（考案）名称
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A分類
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分類
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国際出願日
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国際公開番号
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要約
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1
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2008-000857
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H180623
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独立行政法人物質・材料研究機構
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光ナノスイッチ
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A1
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DA01
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【課題】スイッチの切換を電流制御によらないナノスイッチ、具体的には、光誘導による新規なナノスイッチを提供するものである。【解決手段】導波路1を介して光を導入し、近接場光５を発生させ、この近接場光５を電子・イオン混合伝導体2に注入し、前記電子・イオン混合体中の金属イオンの還元または酸化反応を誘起することにより、微少間隔をもって配置された少なくとも一対の電極間に金属原子で構成される金属原子架橋６を形成することによって、光ナノスイッチを実現する。【選択図】図１
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2
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2008-000869
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H180626
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松下電工株式会社
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マイクロ揺動デバイス及び光学素子
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A4
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DA01 DA02 DA04
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【課題】光学素子に適用可能なマイクロ揺動デバイスにおいて、可動板を低い駆動電圧でも大きな揺動角で駆動可能にする。【解決手段】光学素子１は、可動板２と、可動板２を揺動可能に保持する梁４を支持する支持部３ａを備えている。梁４は、捻り梁４ａとそれの端部を支持する支持梁４ｂとを有している。可動板２の端部とそれに対向するフレーム部には垂直静電コム５が形成され、支持梁４ｂとそれに対向するフレーム部とには水平静電コム６が形成されている。可動板２は、垂直静電コム５が発生する駆動力により、捻り梁４ａをねじりながら揺動する。水平静電コム６は、垂直静電コム５の駆動に応じて駆動力を発生し、周期的に捻り梁４ａに圧縮方向の力を加え、捻り梁４ａの捻り剛性を変化させる。可動板２は、パラメトリック共振を伴い揺動するので、揺動角が大きくなる。【選択図】図２
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3
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2008-000870
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H180626
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松下電工株式会社
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マイクロ揺動デバイス及び光学素子
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A4
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DA01 DA02 DA04
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【課題】光学素子に適用可能なマイクロ揺動デバイスにおいて、可動板を低い駆動電圧でも大きな揺動角で駆動可能にする。【解決手段】光学素子１は、可動板２と、可動板２を揺動可能に保持する梁４を支持する支持部３ａを備えている。梁４は、２本の梁片４ａからなる捻り梁４０と、それらの端部を支持する可動電極部４ｂ及び支持梁４ｃとを有している。可動板２の端部とそれに対向するフレーム部には垂直静電コム５が形成され、可動電極部４ｂとそれに対向するフレーム部には水平静電コム６が形成されている。可動板２は、垂直静電コム５が発生する駆動力により、捻り梁４０をねじりながら揺動する。水平静電コム６は、垂直静電コム５の駆動に応じて駆動力を発生し、周期的に２本の梁片４ａの端部間の間隔を変更し、捻り梁４０の捻り剛性を変化させる。可動板２はパラメトリック共振を伴い揺動し、揺動角が大きくなる。【選択図】図２
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4
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2008-000880
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H190329
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三星電子株式会社
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２軸駆動型ＭＥＭＳデバイス
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A4
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DA02 DA04
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【課題】２軸駆動型ＭＥＭＳデバイスを提供する。【解決手段】第１軸と同軸に支持されて、第１軸及び前記第１軸と垂直の第２軸に対して回転駆動される可動板と、可動板の内側領域で第２軸と同軸に支持されたステージと、可動板の第１軸線上に沿って配置され、中央のステージ領域を挟んで両分された同軸コイル部と、それぞれ同軸コイル部の左側端部及び右側端部を相互逆の位置で相互連結する第１連結コイル部及び第２連結コイル部とを備える駆動コイルと、駆動コイルを横切る磁場を形成するように、それぞれ第１連結コイル部及び第２連結コイル部に近接して配置された相互逆極性のマグネット対と、マグネット対による磁場が、マグネットとの距離に応じて急激に変化する磁束密度が形成されるように、マグネット対間の上側領域または下側領域に配置され、マグネットにより磁化される磁性物質からなるヨーク磁性体とを備えることを特徴とするＭＥＭＳデバイスである。【選択図】図１
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5
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2008-003074
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H190306
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有限会社フルイド
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マイクロ流体デバイス、計測装置及びマイクロ流体撹拌方法
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A4
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DC01
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【課題】従来、シンプルな流路構造のマイクロ流体デバイスで、効果的に速やかに流体を攪拌し混合することは難しかった。また、流体中に浮遊する粒子状試料を沈殿させずに長時間、流路内で保持する手段が無かった。また、浮遊流動する粒子状試料の真の大きさを顕微鏡で計測する方法が無かった。【解決手段】流路内あるいはチャンバ内に広いギャップ幅の電極対を形成したマイクロ流体デバイスを用い、この電極対に交流電圧を印加し、流体がトーラス状に旋回する渦を発生させて上記課題を解決する。特に、旋回流れ４１が垂直に通過する位置に顕微鏡の対物レンズ５２の合焦点面５３を設定することにより、合焦点面を横切る粒子状試料の正確な大きさが計測可能になる。【選択図】図６
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6
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2008-003309
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H180622
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富士フイルム株式会社
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微小電気機械素子及び微小電気機械素子アレイ並びに変調装置
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A4
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DA01 DA04 PI02
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【課題】高速化の障害、駆動電圧の増大、構造の複雑化、ヒンジ残留歪みの発生による各種問題の低減が可能となる微小電気機械素子を得、任意方向への変位を可能にしつつ、高速応答と低電圧駆動を実現し、設計を容易にし、動作信頼性を向上させる。【解決手段】可動部５１の変位動作に応じた変調機能を有する微小電気機械素子１００であって、下側面５１ｂの中心位置で支柱５３によって傾斜自在に支持された平板状の可動部５１と、この可動部５１に対向してそれぞれ配置され可動部５１に物理的作用力を加える複数の駆動部６３とを備え、駆動部６３によって少なくとも２つ以上の回転軸回りで可動部５１が複数方向に傾斜変位可能となるように構成した。【選択図】図１
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7
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2008-003310
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H180622
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富士フイルム株式会社
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微小電気機械素子及び微小電気機械素子アレイ、並びに変調装置、画像形成装置
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A4
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DA01 DA04 PI02
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【課題】高速化の障害、駆動電圧の増大、構造の複雑化、ヒンジ残留歪みによる各種問題の低減が可能となる微小電気機械素子及び微小電気機械素子アレイ、並びに変調装置、画像形成装置を提供し、もって、高速応答と低電圧駆動を実現し、設計を容易にし、動作信頼性を向上させる。【解決手段】可動部１５の変位動作に応じた変調機能を有する微小電気機械素子１００であって、平板状の可動部１５と、基板１１上に立設された支柱２７と、可動部１５を支柱２７に支持させる支持部１７と、可動部１５に対向して配置され可動部１５に対して物理的作用力を加える固定電極１９，２１とを備え、支持部１７は、可動部１５の重心線の位置に配置される軸体２５が、軸体２５との間に隙間を有して挿入される収容穴２３に係止されることで、可動部１５を支持する構成とした。【選択図】図１
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8
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2008-003330
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H180622
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ
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A4
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DA02 PGX
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【課題】高精度に質量部の挙動を検知し、質量部の挙動を所望のものとすることができるアクチュエータを提供すること。【解決手段】本発明にかかるアクチュエータ１は、駆動手段を作動させることにより、弾性部２４、２５を捩れ変形させながら、質量部２１を回動させるように構成され、質量部２１の挙動を検知する挙動検知手段を有し、挙動検知手段は、１対の弾性部２４、２５のうちの少なくとも一方の弾性部上に設けられた第１のピエゾ抵抗素子と、第１のピエゾ抵抗素子の温度条件とほぼ同等の温度条件の位置で、かつ、質量部２１の回動駆動による応力を実質的に受けない位置に設けられた第２のピエゾ抵抗素子とを備え、第１のピエゾ抵抗素子および第２のピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化に基づいて質量部２１の挙動を検知するよう構成されている。【選択図】図１
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9
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2008-003453
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H180626
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日本電信電話株式会社
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微小可動デバイスの振動抑制機構
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A4
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DA01 DA04
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【課題】振動の影響をより効果的に抑制することができる微小可動デバイスの振動抑制機構を提供する。【解決手段】外部部材ｇが振動すると、まず、弾性高分子からなる第１の支持部材によりその振動の低周波成分が吸収される。また、弾性部材等から成る第２の支持部材４によりその振動の高周波成分が吸収される。これにより、光スイッチ２に対する振動の高周波成分および低周波成分の影響を抑制することができる。【選択図】図１
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10
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2008-003505
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H180626
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松下電工株式会社
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マイクロ揺動デバイス及び光学素子
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A4
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DA01 DA02 DA04
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【課題】光学素子に適用可能なマイクロ揺動デバイスにおいて、製造コストを安価にし、可動板を低い駆動電圧でも大きな揺動角で駆動可能にする。【解決手段】光学素子１は、可動板２と、可動板２を支持し、その回転軸となる梁３と、梁３の端部を支持するフレーム部４と、梁３の一部に形成された駆動板５とを備えている。駆動板５の端部とそれに対向するフレーム部４とには、互いに噛み合い水平静電コム６を構成する櫛歯形状の電極５ａ，４ｃがそれぞれ形成されている。水平静電コム６に電圧が印加されて駆動力が発生すると、駆動板５が梁３の長手方向と直交する水平方向に変位する。駆動板５が往復駆動されて回転軸が変位すると、可動板２にモーメントが発生する。可動板２は、梁３がねじられて発生する復元力と、回転軸が変位することで生じるモーメントにより大きな揺動角で揺動する。強磁性体等を用いず、構造が簡単で製造コストが安価になる。【選択図】図１
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11
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2008-005441
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H180626
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松下電器産業株式会社
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音響感応装置
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A4
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DD07 PI02
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【課題】安定した特性を有する小型かつ高感度なコンデンサを備えた音響感応装置を提供することにある。【解決手段】半導体基板１１上に形成された固定電極膜１２と、固定電極膜１２上に堆積されたシリコン酸化膜１３を介して形成された多結晶シリコン膜からなる振動電極膜１４ａと、固定電極膜１２と振動電極膜１４ａとの間に位置するシリコン酸化膜１３内に形成された中空部１５とで構成されたエアギャップ型のコンデンサを備え、振動電極膜１４ａの上面に、振動電極膜１４ａに対して引張り応力を与えるシリコン窒化１４ｂが堆積されている。【選択図】図２
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12
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2008-005642
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H180623
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株式会社東芝
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圧電駆動型ＭＥＭＳアクチュエータ
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A4
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DB01 DB05
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【課題】残留歪の多少に拘らず作用端と固定電極間の距離が一定に保たれ、再現性や信頼性の優れた機構を有する圧電駆動型ＭＥＭＳアクチュエータを提供する。【解決手段】第１のアクチュエータ１の固定端１１は基板に固定し、他端１２は第２のアクチュエータの一端２１に接続されて、端折り返し梁構造とする。この端折り返し梁構造の圧電駆動アクチュエータを２個平行に線対称に配置し、作用端２２、４２付近で接続した構造を有している。【選択図】図１
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13
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2008-006524
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H180628
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富士ゼロックス株式会社
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中空デバイス及びその製造方法
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A4
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DC01 MEX
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【課題】微小流路を有し、簡便に製造することができる中空デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】中空デバイス１０は、微小流路１６を有する中空繊維１２、及び前記中空繊維の周囲にデバイス本体形成部１４を有する。この中空デバイス１０の製造方法は、微小流路１６を有する中空繊維１２を所望の形状に配置する工程、中空繊維の周囲にデバイス本体形成材料を導入する工程、及びデバイス本体形成材料を硬化又は固化しデバイス本体形成部１４内に中空繊維１２を封止する工程を含む。前記中空繊維１２の材質は、樹脂、炭素繊維、樹脂と無機材料との複合材料、又はガラスであることが好ましい。【選択図】図１
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14
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2008-008347
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H180628
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日本精工株式会社
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マイクロバルブ
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A4
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DC02
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【課題】極めてシンプルな構造で、微細化・集積化が容易に可能で、高い耐久性を有し、高圧で粘度の高い流体または弁の出入口間における圧力差が大きくても弁が損傷することなく、安定かつ確実に弁の開閉動作が行われるマイクロバルブを提供する。【解決手段】微小球２が第１の位置に移動したときに、流路Ａ，Ｂ内を流れる非磁性流体の流量は、微小球２が第２の位置に移動したときに、流路Ａ，Ｂ内を流れる非磁性流体の流量よりも少ないので、極めてシンプルな構造で、微細化・集積化が容易に可能で、高い耐久性を有し、高圧で粘度の高い流体または微小球２の出入口間における圧力差が大きくても弁が損傷することなく、安定かつ確実に弁の開閉動作が行われるマイクロバルブを提供することができる。【選択図】図１
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15
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2008-008673
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H180627
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松下電工株式会社
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加速度センサ
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A4
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DD01
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【課題】加速度を検出可能な複数方向それぞれについて容易に動作確認を行うことが可能な加速度センサを提供する。【解決手段】重り部１２と４つの撓み部１３とからなる可動部にゲージ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４，Ｒｙ１〜Ｒｙ４，Ｒｚ１〜Ｒｚ４が設けられ３方向の加速度を検出可能なセンサ基板１と、センサ基板１の一表面側に接合された第１のカバー基板２と、センサ基板１の他表面側に接合された第２のカバー基板３とを備え、各カバー基板２，３とセンサ基板１のフレーム部１１とでパッケージを構成する。可動部を電磁力により強制的に動かす動作確認用の駆動手段として、第１のカバー基板２に設けられたコイルからなる励磁部２６と重り部１２に設けられ励磁部２６に磁気結合可能な磁気結合部１５との対を複数有し、励磁部２６と磁気結合部１５との対ごとに独立して動作確認用の電磁力を発生可能としてある。【選択図】図１
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16
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2008-008820
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H180630
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株式会社日立製作所
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慣性センサおよびその製造方法
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A2
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DD01 PI01
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【課題】ＭＥＭＳによる慣性センサを小型化したときにも、構造体の強度（信頼性）と慣性センサの感度を両立することが可能で、かつ、広い加速度領域で一定レベルの感度が得られるＭＥＭＳによる慣性センサを提供する。また、標準的なＬＳＩ製造技術であるＣＭＯＳの製造工程で、慣性センサを封止・実装することにより、小型化、かつ、半導体集積回路装置またはＭＥＭＳによる異種のセンサをモノリシックに混載可能な慣性センサとその製造方法を提供する。【解決手段】慣性センサの錘を複数の分割錘１０７から構成し、この分割錘１０７同士を弾性変形可能な梁１０８で接続する。各分割錘１０７の可動範囲、質量、各梁１０８の剛性等を調整する、または、加速度に対する感度領域の異なる複数の変形モードを併用することにより、加速度の検出感度を向上させるとともに加速度応答範囲を広げる。【選択図】図１
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17
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2008-008880
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H181220
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住友ベークライト株式会社
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プラスチック製マイクロチップ、及びその製造方法、並びにそれを利用したバイオチップ又はマイクロ分析チップ
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A4
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DC01 DC02 DEX PGX
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【課題】比較的低温で、安価簡便に、かつ強固確実に接合された多層のプラスチック製マイクロチップ、及びその製造プロセスを提供すること。【解決手段】厚み０．０５〜１．０ｍｍの熱可塑性プラスチックフィルムを２層以上積層した積層体から構成されるプラスチック製マイクロチップであって、層間は接着剤で接着又は粘着剤で粘着され、前記プラスチックフィルムの一部又は全部の表面に微細流路又は貫通孔を有し、前記熱可塑性プラスチックの一部又は全部が厚み０．１ｍｍにおける可視光線の光線透過率が７０％以上であることを特徴とするプラスチック製マイクロチップ。【選択図】図１
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18
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2008-008884
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H190329
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ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
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時間で変動する電圧を使用したＭＥＭＳ慣性センサのフォース・リバランシング
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A4
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DD02
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【課題】時間で変動する再平衡用の電圧に結合された１又は複数の電極を用いるＭＥＭＳデバイス及び方法を提供する。【解決手段】一実施形態のＭＥＭＳ慣性センサ（１０、１４２）は、１以上のプルーフ・マス（１２、１４、１７２、１７４）と、各プルーフ・マス（１２、１４、１７２、１７４）に隣接して配された少なくとも１つのセンス電極（７４、７６、７８、８０、１８８、１９０）と、１以上のトルカ電極（８４、８６、８８、９０、１４６、１５０、１５４、１５８）とを含む。トルカ電極にリバランシング電圧を印加して、デバイスのセンス軸（７２）に沿ったプルーフ・マスの直角位相及び／又はコリオリに関連する運動を静電的にゼロにできる。トルカ電極のそれぞれに印加されるリバランシング電圧は、１以上のフォース・リバランシング制御ループからのフィードバックを用いて調節できる。【選択図】図１
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19
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2008-009440
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H190720
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イリディグム ディスプレイ コーポレーション
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可視スペクトルモジュレーターアレイ
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A4
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DAX
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【課題】非金属の変形自在の干渉型変調素子を製造する。【解決手段】各変形自在素子は変形機構と光学的部分を有し、それぞれ制御された変形特性と制御された変調特性とを独立して素子に与える。変形自在の変調素子は非金属である。素子は、最終の共振器寸法と関係がある層厚を有している犠牲層と犠牲層をそれら間にてサンドウィッチする２つの層を形成し、化学薬品（例えば、水）を使い又はプラズマに基づいた処理を行い犠牲層を除去することによって形成される。各変調素子は引張応力下で保持される変形自在部分を有し、制御回路は変形された部分の変形を制御する。【選択図】図２５Ｎ
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20
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2008-009446
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H190802
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キヤノン株式会社
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画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】角速度の変動を押さえることが可能な共振型光偏向器を用いた画像形成装置を提供する。【解決手段】本発明に係る画像形成装置は、レーザー光を出射する光源と、該レーザー光を偏向する共振型光偏向器と、該共振型光偏向器で偏向されたレーザー光を結像する結像光学系と、該結像光学系で結像されたレーザー光により画像が形成される感光体とを有し、前記共振型光偏向器は複数の可動子を含み、複数の可動子の少なくとも１つ動作は、可動子の揺動軸まわりの第１の方向に変位する第１の動作と、該第１の方向と反対方向である第２の方向に変位する第２の動作とを含み、第１の動作の期間は第２の動作の期間よりも長く、共振型光偏向器は第１の動作時に光源からのレーザー光を偏向し、結像光学系は第１の動作時に偏向されたレーザー光を感光体上に結像させる画像形成装置である。【選択図】図７
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21
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2008-010711
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H180630
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ソニー株式会社
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マイクロデバイスモジュール及びその製造方法
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A3
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PH04 PHX MEX
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【課題】ＳＡＷ素子などのマイクロデバイスを封止する樹脂シートと基板の接着面積を縮小して高密度実装を実現できるマイクロデバイスモジュールとその製造方法を提供する。【解決手段】モジュール基板１０のマイクロデバイスマウント領域Ｒ１に第１電極１１が形成され、その外部の領域Ｒ２に第２電極１２が形成され、機能面に可動部または振動子が形成された機能素子と、機能面に形成されたバンプとを有するマイクロデバイス（２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ)が、バンプが第１電極１１に接続して、機能面がモジュール基板１０に接しないようにモジュール基板１０のマイクロデバイスマウント領域Ｒ１にマウントされ、機能面が封止されて中空部分Ｖが構成されるようにマイクロデバイスの機能面を除く面及びモジュール基板を被覆して、第２電極を露出させる開口部が形成されている、繊維に樹脂を含浸させてなる樹脂含浸シート３０が形成されている構成とする。【選択図】図１
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22
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2008-012453
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H180706
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独立行政法人産業技術総合研究所
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高温高圧マイクロミキサー
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A4
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DCX
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【課題】超臨界水反応用マイクロミキサーを提供する。【解決手段】第一反応溶液と第二反応溶液を混合して所定の反応系及び温度場を形成するためのマイクロミキサーであって、第一反応溶液と第二反応溶液を混合するマイクロ混合部、第一反応溶液を該混合部に導入するための第一反応溶液導入管、該混合部において第一反応溶液に対して側面から第二反応溶液を導入して衝突混合させる複数の第二反応溶液導入管、及び混合溶液を流出させる流出管を第一反応溶液導入管と同一軸に設置したことを特徴とするマイクロミキサー。【効果】超臨界水を反応媒体とする反応系の反応システムにおける反応溶液と反応媒体の高速混合及び温度操作手段として有用である。【選択図】図４
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23
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2008-012631
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H180706
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ソニー株式会社
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電気機械素子及びその製造方法
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A4
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DB04 PI02
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【課題】電気機械素子の下部電極と可動子の上部電極間のギャップ長を小さくする。【解決手段】空間２４を介して下部電極２３と上部電極を有した可動子２５とを備え、下部電極２３及び上部電極２５のいずれか一方、又は両方が積層構造で形成されて成る。【選択図】図１
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24
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2008-012654
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H190109
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松下電器産業株式会社
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半導体装置の製造方法
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A4
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PI02 PJ03
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【課題】脆弱な部分を有する構造の半導体装置を製造する際に、半導体装置の破損を避けてダイシングを行なう。【解決手段】本発明の半導体装置１００の製造方法は、複数のチップを有する半導体ウェーハ１０１における各チップの所定の領域上に、振動膜１０３を形成する工程（ａ）と、各チップの振動膜１０３上に位置する犠牲層１１３を含む中間膜１０２を半導体ウェーハ上に形成する工程（ｂ）と、中間膜１０２上に固定膜１０４を形成する工程（ｃ）と、半導体ウェーハ１０１をブレードダイシングすることにより、各チップ１００ａを分離する工程（ｄ）と、各チップ１００ａに対するエッチングにより、犠牲層１１３を除去して振動膜１０３と固定膜１０４との間に空隙を設ける工程（ｅ）とを備える。【選択図】図２
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2008-012706
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H180703
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セイコーエプソン株式会社
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基板の製造方法、インクジェットヘッドの製造方法および電子部品の製造方法
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A4
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DCX PB01
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【課題】基板をエッチングしたときに、エッチングにより形成された凹部に隣接する凸部の頂部近傍を除去する基板の製造方法、その方法を用いたインクジェットヘッドの製造方法およびその方法を用いた電子部品の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の基板の製造方法は、エッチングにより形成された凹部２２に隣接する凸部２３の頂部近傍を除去する基板の製造方法であって、前記基板の前記凹部２２に液状または半固形状の補強材２４を充填する第１の工程と、前記補強材２４を固化する第２の工程と、前記基板を、前記頂部側から所定の厚みに薄板化する第３の工程と、前記基板から前記補強材２４を除去する第４の工程とを有する。【選択図】図５
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26
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2008-014683
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H180704
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株式会社日立製作所
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液体搬送装置
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A4
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DC01 DEX
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【課題】二次元方向に液体を搬送する基板について，搬送に必要な電極を同一基板上に備え，電位を制御する機構の数を抑える。【解決手段】表面が撥水性の表面をもつ誘電体に覆われ，基板平面上に配置された矩形電極１３１と，矩形電極１３１をｘ方向に連結した第一軸電極列１３１１〜１３２２と，矩形電極１３１をｙ方向に連結した第二軸電極列１３３１〜１３４２を持つ液体搬送基板１３を用いる。これにより，液滴の搬送に必要な電極を同一基板上に備え，電位を制御する機構の数を抑えることができる。【選択図】図４
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27
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2008-015486
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H190516
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三星電子株式会社
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スキャン装置及びスキャン方法
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A4
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DA02 DA04
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【課題】ピンチ効果が減少するスキャン装置及びスキャン方法を提供する。【解決手段】ミラー部３１は、ミラー７１と、ミラー７１の両翼に、回動コーム電極７２を有する回動コーム電極部Ｒとを備える。ミラー７１の両翼をなす回動コーム電極部は、第１回動コーム電極部と第２回動コーム電極部により構成される。駆動部Ｈ１、Ｈ２は、駆動コーム電極７３を有する。回動コーム電極７２と駆動コーム電極７３とは、点線の楕円で拡大して表示したように、それぞれの歯が互い違いになるように配置する。回動コーム電極は、第１コーム電極と第２コーム電極により構成される。駆動コーム電極は、第３コーム電極と第４コーム電極により構成される。【選択図】図８
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28
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2008-015546
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H190827
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日本電信電話株式会社
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可変光減衰器アレイ
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A4
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DA03 DA05 PB02
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【課題】レンズアレイとスペーサと回転駆動鏡アレイと、駆動電極アレイを集積化して小型化を図る。【解決手段】入力用光ファイバ群３１と、出力用光ファイバ群３２と、サーキュレータ３４と、スペーサ３７，３８と、レンズアレイ３５と、ＭＥＭＳミラーアレイ３６と、ＭＥＭＳ電極３９を一体化してアレイ化した構成とする。【選択図】図７
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29
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2008-016919
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H180703
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松下電器産業株式会社
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音響感応装置
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A4
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PI02
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【課題】簡単な構成で安定した特性を有する小型かつ高感度なコンデンサを備えた音響感応装置を提供することにある。【解決手段】音響感応装置１０は、半導体基板１１上に形成された固定電極膜１２及び振動電極膜１４で構成されたコンデンサを備えており、固定電極膜１２と振動電極膜１４との間には、中空部１５が設けられている。中空部１５は、半導体基板１１上に形成された犠牲層１８がエッチング除去されて形成されたものである。そして、振動電極膜１４は、タングステン膜またはチタン膜で構成されている。【選択図】図１
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30
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2008-019744
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H180711
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富士フイルム株式会社
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光駆動型アクチュエータ、受光素子、光ゲート素子、光反射素子、および光駆動型アクチュエータの使用方法
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A1
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DF01
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【課題】光の照射量を連続的に制御でき、かつ応答速度が実用的な光応答性、柔軟性、および軽量性を有するとともに複雑な構造体も形成可能であり無音で駆動する光駆動型アクチュエータ、その光駆動型アクチュエータを応用することで実現される受光素子、光ゲート素子、および光反射素子、さらにその光駆動型アクチュエータの使用方法を提供することを目的とする。【解決手段】上記目的を達成する本発明の光駆動型アクチュエータは、光の刺激を受けて変形する高分子を備え、その高分子の変形をアクチュエータとして利用する光駆動型アクチュエータにおいて、光の刺激により構造変化を引き起こす光応答性基を含み、その光応答性基の構造変化に応じて変形する高分子層と、光を吸収又は反射する光不透過層とを有する。【選択図】図１
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31
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2008-020540
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H180711
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株式会社リコー
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光走査装置及び画像形成装置
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A4
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DA02 DA04 PI03
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【課題】金属電極に金属膜を低コストで形成することが可能であると共に、金属電極の小型化に対応可能な小型の光走査装置及びこれを用いた画像形成装置の提供。【解決手段】振動ミラー３を駆動する駆動電極が基板上に設けられた振動ミラーのねじり回転軸４の垂直方向及び水平方向に複数個存在する光走査装置において、駆動電極の外部電極が振動ミラー３の反射面側と同一方向の基板１上全面に形成される。また、振動ミラー３の反射面が外部電極と同じ材質によって構成される。【選択図】図３
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32
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2008-020701
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H180713
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スタンレー電気株式会社
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２次元光スキャナ、それを用いた光学装置および２次元光スキャナの製造方法
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A4
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DA02 DA04 PI03
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【課題】小型で動作の安定した２次元光スキャナを提供する。【解決手段】共通基板と共通基板上に形成された反射膜とを有するミラー部と、共通基板とその下に接続された構造体とを含んで形成され、ミラー部を内包する開口を有する内部可動枠と、共通基板とその下に接続されたベース層とを含んで形成され、内部可動枠を内包する開口を有する支持体と、第１の軸上でミラー部を回動可能に支持する一対の第１のトーションバーと、第１のトーションバーに回動トルクを印加する第１の圧電振動板とを含み、ミラー部と内部可動枠とを連結する第１の連結部と、第１の軸と交差する第２の軸上で内部可動枠を回動可能に支持する一対の第２のトーションバーと、第２のトーションバーに回動トルクを印加する第２の圧電振動板とを含み、内部可動枠と支持体とを連結する第２の連結部とを有する２次元光スキャナを作製する。【選択図】図１
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33
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2008-021532
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H180713
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ソニー株式会社
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可動素子、ならびにその可動素子を内蔵する半導体デバイス、モジュールおよび電子機器
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A4
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DB01 PI02
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【課題】寄生容量を効果的に低減することの可能な可動素子を提供する。【解決手段】基板１０上に、信号を伝送するための信号線路２０と、その信号線路２０を機械的に継断するための継断部３０と、その継断部３０を切り替えると共に、継断部３０の切り替え後の状態を保持するための切替部４０とを備える。本実施の形態では、信号線路２０が導通し、オン状態となっているとき、信号線路２０および継断部３０は基板１０に接しておらず、基板１０上の中空に存在している。【選択図】図３
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34
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2008-023406
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H180718
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富士ゼロックス株式会社
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一体型接続部を有するマイクロリアクター装置
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A4
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DC01 DCX
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【課題】微小流路や給排チューブを閉塞したり汚したりすることがない接続部材を有し、その交換が容易なマイクロリアクター装置を提供すること。また、接続部においてスムーズな流れを得ることのできる一体型接続部を有するマイクロリアクター装置を提供すること。【解決手段】マイクロリアクター本体、前記マイクロリアクター本体内に形成された微小流路、及び、前記マイクロリアクター本体に着脱可能に設けられ、前記微小流路端部に給排パイプを接続する一体型接続部を有することを特徴とするマイクロリアクター装置、好ましくは、前記ジョイント部材の中心軸が、マイクロリアクター本体における前記微小流路端における接線方向に一致するように設ける。【選択図】図１
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35
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2008-023418
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H180718
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富士ゼロックス株式会社
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マイクロ流路デバイス
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A4
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DC01
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【課題】異なる２以上の流体を接触させる界面を効率よく形成することができるマイクロ流路デバイスを提供すること。【解決手段】異なる２以上の流体を多相流として形成する微小流路を有し、前記多相流の断面形状が、（１）複数の多角形が２次元状に配列されかつ前記多角形が相互に隣接した形状、（２）多角形が円若しくは楕円に内接するか若しくは多角形が円若しくは楕円に外接する形状、又は、（３）複数の円及び／若しくは楕円が２次元状に配列されかつ前記円及び／若しくは楕円が相互に隣接した形状、を少なくとも一部に有することを特徴とするマイクロ流路デバイス。【選択図】図２
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36
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2008-023627
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H180719
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株式会社デンソー
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光学式ガス濃度検出器およびそれに用いられるマイクロ構造体の製造方法
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A4
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DA04 DDX PB01
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【課題】平面を３次元的に加工する手法を提供し、この方法によってガス濃度検出器に用いる凹面ミラーを製造する。【解決手段】Ｓｉ基板１１０上にマスク２００を形成する（図４（ａ））。このとき、マスク２００を半径の異なる複数の同心円として形成すると共に、各同心円間の開口部が外径方向に向かうほど小さくなるようにマスク２００を形成する。この後、Ｓｉ基板１１０をドライエッチングし、マスク２００の開口部の面積に応じた深さの溝を形成する（図４（ｂ））。続いて、Ｓｉ基板１１０が露出した部分を熱酸化し（図４（ｃ））、フッ酸でＳｉ基板１１０の表面に形成された熱酸化膜を除去する（図４（ｄ））。そして、Ｓｉ基板１１０を熱処理し（図４（ｅ））、Ｓｉ基板１１０の表面に金属を蒸着して反射膜３００を形成する。こうして、ガス濃度検出器に用いられる凹面ミラーが完成する。【選択図】図４
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37
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2008-023756
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H180719
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セイコーエプソン株式会社
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静電アクチュエータ及び静電駆動デバイスの駆動制御方法、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置の吐出制御方法並びに静電駆動デバイス及び液滴吐出装置
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A4
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DCX
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【課題】駆動回路の簡単な制御により、静電駆動デバイスにおける各静電アクチュエータの独立した駆動制御を実現する方法を得る。【解決手段】固定電極となる個別電極１２及びそれぞれの個別電極１２と所定の距離で対向して支持された可動電極となる振動板２２を複数組有し、個別電極１２及び／又は振動板２２への電荷供給を制御して個別電極１２と振動板２２との間の電圧に基づいて発生する静電気力と、振動板２２に加わる復元力とにより、個別電極１２との当接と離間とを繰り返すように振動板２２を駆動させる液滴吐出ヘッド等に搭載された静電アクチュエータの駆動制御方法において、静電気力の発生時間として３段階以上の設定時間を設定し、駆動制御回路４０は、駆動周期毎に、各組の静電気力の発生時間が、設定時間のいずれかの時間となるように個別電極１２及び／又は振動板２２への電荷供給を制御する。【選択図】図２
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38
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2008-024543
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H180720
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アルバック成膜株式会社
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微細加工用ガラス基板、及びガラス基板の加工方法
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A4
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PC03 PJ06 MF02
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【課題】流路などの表面に凹凸形状を安価にかつ高精度に形成することができ、微細凹凸構造のエッヂ部においても適切な加工形状が得られるガラス基板の加工方法を提供する。【解決手段】本発明のガラス基板の加工方法は、ガラス基板の被加工面を研磨する第１工程Ｓ１と、前記被加工面にエッチングマスクを形成する第３工程Ｓ３及び第４工程Ｓ４と、湿式エッチング処理により前記ガラス基板の被加工面に前記微細凹凸構造をパターン形成する第５工程Ｓ５と、を有する。【選択図】図２
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39
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2008-026109
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H180720
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富士フイルム株式会社
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微細構造体及びその製造方法、センサデバイス及びラマン分光用デバイス
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A4
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DDX DF02
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【課題】表面に凹凸構造を有する凹凸金属基板上に、複数の金属粒子が凹凸金属基板の凹部内に固着して配列した微細構造体を簡易に製造する。【解決手段】金属基板として、表面に凹凸構造を有する凹凸金属基板１１を用意する工程（Ａ）と、凹凸金属基板１１の表面上に、凹凸金属基板１１の構成金属と異なる金属を主成分とする金属膜２１を成膜する工程（Ｂ）と、アニール処理により、金属膜２１の構成金属を凝集させて粒子化させる工程（Ｃ）とを順次実施することにより、微細構造体１を製造する。【選択図】図２
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40
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2008-026876
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H190606
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アイディーシー、エルエルシー
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封止されたＭＥＭＳデバイス内の湿度を検査するシステム及び方法
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A4
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CAX
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【課題】封止されたＭＥＭＳデバイス内の湿度を検査するシステム及び方法【解決手段】一実施形態は、複数のインターフェロメトリック変調器を取り囲むデバイスの特性を測定することと、上記測定した特性に少なくとも部分的に基づいて、このデバイスの内部の相対湿度の値又は相対湿度の程度を判断することとを備える、湿度を検査する方法を提供する。一実施形態において、このデバイスの特性は、次のもの、すなわち、ｉ）このデバイスの重量、ｉｉ）このデバイス内に封入された乾燥剤の色変化、ｉｉｉ）このデバイスの内部の抵抗、ｉｖ）冷たいフィンガデバイスが接触している、このデバイスの内部領域に霜が形成されたか否か、ｖ）このデバイス内に水蒸気が供給された場合に、このデバイス内に封入された乾燥剤が的確に作用しているか否か、ｖｉ）ｉ）〜ｖ）のうちの少なくとも２つの組み合わせ、のうちの少なくとも１つを含む。【選択図】図８
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41
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2008-026877
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H190606
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アイディーシー、エルエルシー
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インターフェロメトリック変調器に関するプロセスコントロールモニター
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A4
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AKX
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【課題】インターフェロメトリック変調器に関するプロセスコントロールモニター【解決手段】ＭＥＭＳデバイス１０８の製造に用いられるプロセスステップと同じプロセスステップの少なくとも一部を用いて製造されるプロセスコントロールモニター１００、１０２、及び１０４が開示される。プロセスコントロールモニター１００、１０２、及び１０４の分析は、ＭＥＭＳデバイス１０８の性質及び前記デバイス内の構成要素又は副構成要素に関する情報を提供することができる。この情報は、加工の際の誤りを識別するために又はＭＥＭＳデバイス１０８を最適化するために用いることができる。幾つかの実施形態においては、プロセスコントロールモニター１００、１０２、及び１０４の分析は、光学的測定値を利用することができる。【選択図】図８
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42
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2008-027812
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H180724
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株式会社東芝
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ＭＥＭＳスイッチ
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A4
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DB01 PI02
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【課題】可動梁と接点電極との間に充分な接触圧力が得られ、かつ、両者間の接触抵抗も小さく抑制できる構造を有するＭＥＭＳスイッチを提供する。【解決手段】固定部２と、下部電極４上に形成された第１の絶縁層５、及び、第１の絶縁層５上に形成された上部電極６を含み、一方の端部が固定部２により支持及び固定された可動梁３と、可動梁３の他方の端部の底面に対向して、基板１上に形成された固定電極１０と、固定電極１０に対向する領域における下部電極４及び第１の絶縁層５に形成された開口部に、固定電極１０に対向する可動梁３の底面よりも下方に突出して、上部電極６と電気的に接続され且つ下部電極４と絶縁されて形成された接点電極９と、下部電極４と固定電極１０とを絶縁する一方、接点電極９と固定電極１０とが接触し得るように、接点電極９と対向する領域に開口部を有して固定電極１０上に形成された第２の絶縁層１１と、を備える。【選択図】図２
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43
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2008-028012
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H180719
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コニカミノルタオプト株式会社
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アクチュエータ素子、及びアクチュエータ素子の製造方法
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A4
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PI04 MEX
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【課題】実用的な駆動力を保ちながら大きな変位量が得られ、微細化や集積化が容易で、さらに環境負荷の小さなアクチュエータ素子を簡単に製造することができ、複数の素子の配列を同時に製造することもできるアクチュエータ素子の製造方法。【解決手段】基板上に光硬化性の剥離層と隔壁層を設ける工程と、隔壁層による凹部領域を露光して選択的に剥離層を硬化させる工程と、該凹部領域に電界により変形する層と電極層とを含む積層体を形成する工程と、隔壁層を硬化していない剥離層とともに取り外す工程とにより、複数の素子の配列を同時に、簡便に製造することが可能で、微細化、集積化も容易となる。【選択図】図４
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44
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2008-030152
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H180728
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住友電気工業株式会社
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３次元微細構造体の製造方法
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A4
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PI06 PJ06
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【課題】機械的強度を向上する３次元微細構造体の製造方法を提供する。【解決手段】導電性または表面に導電性の膜を有する基板１１上において、貫通パターンを有するレジスト１２ａ〜１２ｄを形成した後に、貫通パターンに第１の金属１３ａ〜１３ｄを充填して、積層単位ａ〜ｄを１層以上形成する工程を実施する。積層単位ａ〜ｄの最表面に貫通パターン１２ｅ１を有する最表面レジスト１２ｅを形成する工程を実施する。第１の金属１３ａ〜１３ｄをエッチングにより除去して、レジスト構造体１２を形成する工程を実施する。レジスト構造体１２の空間に第２の金属を充填することにより３次元微細構造体を形成する工程を実施する。３次元構造体からレジスト構造体１２を除去する工程を実施する。積層単位ａ〜ｄおよび最表面レジスト１２ｅのそれぞれの貫通パターンのうち、積層方向において隣接する貫通パターンは互いに一部が重なるように形成されていることを特徴としている。【選択図】図６
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45
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2008-030182
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H180801
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独立行政法人産業技術総合研究所 ＨＳＴ株式会社
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定振幅機構及びこれを用いた電位センサ
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A4
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DDX
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【課題】マイクロ構造体の振動振幅を利用するＭＥＭＳデバイスについて、環境変化や経年変化に強いＭＥＭＳデバイスを提供する。【解決手段】対象物との間の静電容量を測定するための可動電極アレイ１０２を有するマイクロ構造体と、前記マイクロ構造体を振動せしめるたに圧電素子を用いた圧電マイクロカンチレバー１０８ａ，１０８ｂからなるマイクロアクチュエータと、前記マイクロ構造体と前記マイクロアクチュエータとを揺動自在に連結するヒンジ１１２ａ，１１２ｂとからなる連結部と、前記マイクロ構造体が前記マイクロアクチュエータによって振動せしめられる際に、前記マイクロ構造体に接触して前記マイクロ構造体の振幅を規制せしめるストッパ１１０ａ、１１０ｂと、を備える。【選択図】図１
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46
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2008-030189
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H190723
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ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
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ＭＥＭＳデバイスに関するシリコン−オン−金属
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A4
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PG02 PHX
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【課題】シリコン−オン−金属（ＳＯＭ）ウェハを使用してＭＥＭＳデバイスを製造するための方法を提供する。【解決手段】活性層と犠牲層とを内部金属層を挟んで積層したシリコン−オン−金属（ＳＯＭ）ウェハを作るステップ４２と、そのＳＯＭウェハの活性層をドライまたはウエットエッチングで内部金属層をエッチング停止層としてパターニングするステップ４４と、パターニングした活性層に別途用意したカバーウェハを接合するステップ４６と、犠牲層をエッチングで内部金属層をエッチング停止層として除去するステップ４８と、さらに露出した内部金属層を選択的に除去するステップ５０とからなる。【選択図】図９
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47
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2008-032560
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H180728
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ソニー株式会社
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電気機械素子とこれを用いたセンサ素子、光変調装置及び画像表示装置
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A4
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DA02 DAX DD01 DDX
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【課題】振動又は移動する可動部を有する電気機械素子において熱雑音の影響を抑制する。【解決手段】振動又は移動が可能な可動部４２を有して成る電気機械素子であって、可動部４２の熱を排熱する温度制御部６０を設ける。温度制御部６０として例えば冷却部４５、熱線反射部４３、黒体輻射部４１、中空構造５０Ｓを有する断熱構造部５０を設ける。【選択図】図２
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48
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2008-034154
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H180727
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富士通メディアデバイス株式会社 富士通株式会社
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スイッチ
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A4
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DB01
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【課題】開放状態のアイソレーションを大きくすることが可能なスイッチを提供することを提供すること。【解決手段】本発明は、基板（１０）上に設けられた可動部（４０）と、可動部（４０）に設けられた第１電極（２２）と、第１電極と接触可能であり基板に対し固定された第２電極（２４）と、を具備し、動作周波数をｆ（Ｈｚ）、伝送インピーダンスをＲ０（Ω）、第１電極と第２電極との開放状態の静電容量をＣ（Ｆ）としたとき、ｆ×Ｒ０×Ｃ≦１．６×１０−４であることを特徴とするスイッチである。【選択図】図１
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49
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2008-034268
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H180731
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独立行政法人産業技術総合研究所
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高強度、高導電性薄膜によるアクチュエータ素子及びその製造方法
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A1 A4
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DFX MEX MI04
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【課題】アクチュエータに有用な導電性薄膜及び該導電性薄膜を有する積層体並びにアクチュエータ素子及びその製造法を提供する。【解決手段】カーボンナノチューブ、イオン液体、ポリマーを含む導電性薄膜で該導電性薄膜重量に対してカーボンナノチューブを16wt%以上含む導電性薄膜。また、イオン伝導層を有する積層体において、イオン伝導層の表面に導電性薄膜を電極とする導電性薄膜層が互いに絶縁状態で少なくとも２個形成され、導電性薄膜層に電位差を与えることにより変形可能に構成されているアクチュエータ素子。【選択図】図５
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50
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2008-035600
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H180727
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スタンレー電気株式会社
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圧電アクチュエータ及びその製造方法
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A4
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DA02 DA04 PI03
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【課題】小型で、且つ拡張されたトルク又は変位を得ることが可能な圧電アクチュエータ及びその製造方法を提供する。【解決手段】圧電アクチュエータ１は、支持体３及び支持体３上に形成された圧電体５Ａ，５Ｂを有し圧電駆動により屈曲変形を行う圧電カンチレバー２Ａ，２Ｂを複数備えると共に、該複数の圧電カンチレバーの圧電体５Ａ，５Ｂにそれぞれ駆動電圧を印加するための複数の電極７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，９，４Ａ，４Ｂ，６Ａ，６Ｂを独立に備える。複数の圧電カンチレバー２Ａ，２Ｂは、各々の屈曲変形を累積するように端部が機械的に連結され、該駆動電圧の印加により各圧電カンチレバー２Ａ，２Ｂが独立に屈曲変形される。【選択図】図１
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51
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2008-036628
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H190705
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三星電子株式会社
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弁閉鎖ユニット及びそれを備えた反応装置
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A4
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DC01 DC02 DCX
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【課題】弁閉鎖ユニット及びそれを備えた反応装置を提供する。【解決手段】常温で固体の相転移物質及び相転移物質内に分散され、外部からの電磁波の照射による電磁気波エネルギーを吸収して発熱する複数の微細発熱粒子を含んでなる充填物が充填された充填物チャンバと、充填物チャンバとチャンネルを連結する連結通路と、充填物に電磁波を照射するための外部エネルギー源と、を備えており、外部エネルギー源からの電磁波の照射によって発熱した複数の微細発熱粒子は、相転移物質を溶融及び膨脹させることによって充填物を膨張させ、膨張した充填物は、連結通路を通ってチャンネルに流入してチャンネルを閉鎖することを特徴とする弁閉鎖ユニット及びそれを備えた反応装置である。【選択図】図２
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52
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2008-036726
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H180801
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ
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A4
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DA01 DA02 DA05 DB02 DD01 DD02 DD03
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【課題】比較的簡単かつ高精度に、所望の状態で駆動することができるアクチュエータを提供すること。【解決手段】固定電極３１、３２と可動電極４１、４２との間に電圧を印加することにより、可動電極４１、４２と固定電極３１、３２との間に静電引力を生じさせ、梁部４３、４４の梁４３３、４３４、４４３、４４４を曲げ変形させながら、可動電極４１、４２を変位させるように構成されているアクチュエータであって、梁４３３、４３４、４４３、４４４の曲げ変形量が増すに従い梁４３３、４３４、４４３、４４４の曲げに関するバネ定数を上昇させるように梁４３３、４３４、４４３、４４４の変形を規制する突起４３６、４３７、４４６、４４７を有する。【選択図】図１
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53
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2008-036774
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H180807
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セイコーインスツル株式会社
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ＭＥＭＳデバイス及びＭＥＭＳデバイスの製造方法、並びに、電子機器
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A4
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DD02 PA08 PB02 PGX PI04 MA01
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【課題】パターニングすることなく、スルーホールの底部に確実にフィードスルーを形成して、シリコン基板と外部との導通を確実に図るとともに、工程数の削減を図ることが可能なＭＥＭＳデバイスの製造方法及びＭＥＭＳデバイス並びに電子機器を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳデバイス１は、シリコン基板２と、シリコン基板２に接合された絶縁性を有するリッド基板３と、リッド基板３に形成されたスルーホール６に設けられ、シリコン基板２と外部とを導通させるフィードスルー７とを備えたものであり、リッド基板３にスルーホール６を形成するスルーホール形成工程と、スルーホール６が形成されたリッド基板３をシリコン基板２に接合させる接合工程と、メッキ溶液に浸漬させた状態でシリコン基板２に電圧を印加して、スルーホール６にメッキ材を成長させることでフィードスルー７を形成するフィードスルー形成工程とを備えた製造方法で製造される。【選択図】図１
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54
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2008-036782
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H180807
|
セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ
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A4
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DA02 PI03 MA01
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【課題】高精度に質量部の挙動を検知し、質量部の挙動を所望のものとすることができるアクチュエータを提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータ１は、第１の弾性部２６、２７を捩れ変形させながら第１の質量部２１、２２を回動させ、これに伴い、第２の弾性部２８、２９を捩れ変形させながら第２の質量部２５を回動させるものであって、基体２が（００１）面のｐ型シリコン単結晶基板を加工することにより形成され、かつ、第２の弾性部２８、２９は、シリコン単結晶基板の＜１１０＞方向に沿って延在しており、１対の第２の弾性部２８、２９上に設けられたｎ型の抵抗領域４１１、４２１を備えるピエゾ抵抗素子４１、４２を有し、ピエゾ抵抗素子４１、４２の比抵抗値の変化に基づいて、第２の質量部２５の挙動を検知するように構成されている。【選択図】図１
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55
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2008-039541
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H180804
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独立行政法人物質・材料研究機構
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マイクロ流路チップ及びそれを用いた生体高分子の処理方法
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A4
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DC01 DE01 MD01
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【課題】高速に、しかもその場で高分子、例えば遺伝子の前処理や遺伝子診断を行なうことができる、マイクロ流路チップとこれを用いた生体高分子の処理方法を提供する。【解決手段】マイクロ流路チップ１は、溶液導入口２Ａ，２Ｂと溶液排出口４Ａとを有するマイクロ流路２と、マイクロ流路２に設けられるマイクロピラー２Ｐと、マイクロピラー２Ｐと溶液排出口との間に設けられるハイドロゲルバルブ５とを備え、マイクロピラー５は、溶液導入口２Ａから導入される溶液のｐＨによりゼータ電位が変化する材料で被覆され、ハイドロゲルバルブ５は高分子材料からなり溶液のｐＨの変化により開閉する。【選択図】図1
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56
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2008-039861
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H180801
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セイコーエプソン株式会社
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光学デバイス
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A4
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DA04 PI03 MA01
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【課題】安定した駆動を行うことができる光学デバイスを提供すること。【解決手段】本体部２１１および光反射部２１２を備えた板状の質量部２１と、質量部２１を支持する支持部２２と、支持部２２に対し質量部２１を回動可能とするように、質量部２１と支持部２２とを連結する弾性変形可能な１対の弾性部２４、２５と、質量部２１を回動駆動させるための駆動手段とを有し、前記駆動手段を作動させることにより、弾性部２４、２５を捩れ変形させながら、質量部２１を回動させ、光反射部２１２で光を反射させ、走査するように構成された光学デバイス１であって、質量部２１は、本体部２１１の光反射部２１２とは反対側の面に本体部２１１の構成材料よりも熱伝導率の高い材料で構成された放熱部４を有する。【選択図】図１
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57
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2008-039867
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H180802
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日立金属株式会社
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マイクロミラー、マイクロミラーアレイおよびそれを用いた光スイッチ
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A4
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DA01 DA04 PI03
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【課題】本発明はマイクロミラーの電気的短絡を回避する構造を提供する。【解決手段】梁で支持された可動ミラーを有する可動ミラー基板と電極基板を具備し、前記可動ミラーが前記梁を中心軸として回転動作する静電駆動型のマイクロミラーにおいて、前記可動ミラーは一方の面に反射面を有し、該反射面を有する面の反対の面にミラー電極部を有し、該ミラー電極部は前記電極基板と対向配置されており、前記電極基板は前記ミラー電極部との間に静電引力を発生させる駆動電極部を有し、前記梁は中心軸に直交する方向に伸びた棒状部材が複数回折り返した折り返し梁であり、前記駆動電極部は、前記ミラー電極部と前記電極基板との対向方向から見て、前記梁の折り返し部に重ならないように形成されており、前記可動ミラーの端部が前記電極基板と接触する動作状態を有するマイクロミラーとする。【選択図】図１
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58
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2008-040228
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H180808
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マイクロプレシジョン株式会社
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電磁駆動型光偏向素子
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A4
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DA02 DA04 MEX
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【課題】光偏向素子の梁の機械特性に金属配線の影響を与えることなく、部品点数を削減し、より広角により低速で駆動できる電磁駆動型光偏向素子を提供する。【解決手段】光反射面とコイルを有する可動部と、磁界形成手段を有する台座部と、可動部を台座部に軸支する梁部とを備え、コイルに流れる電流と、磁界形成手段により形成される磁界とにより発生する電磁力により可動部を回動させる電磁駆動型光偏向素子であって、梁部１０８は、コイルへ電気を流す導電体としての機能と、可動部を支持する機能と、可動部を基準位置に戻すばねとしての機能を有する単一の素材で構成されている電磁駆動型光偏向素子により前記課題を解決する。【選択図】図１
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59
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2008-040240
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H180808
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スタンレー電気株式会社
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光偏向器及びその製造方法
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A4
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DA02 DA04 PI03
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【課題】小型で、且つ偏向角を広範囲で容易に制御可能な光偏向器及びその製造方法を提供する。【解決手段】光偏向器１１は、反射面１３を有するミラー部１２と、ミラー部１２を駆動する少なくとも１つの圧電アクチュエータ１とを備えて構成される。圧電アクチュエータ１は、支持体３及び支持体３上に形成された圧電体５Ａ，５Ｂを有し圧電駆動により屈曲変形を行う複数の圧電カンチレバー２Ａ，２Ｂを含むと共に、該複数の圧電カンチレバーの圧電体５Ａ，５Ｂにそれぞれ駆動電圧を印加するための複数の電極７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，９，４Ａ，４Ｂ，６Ａ，６Ｂを独立に備える。複数の圧電カンチレバー２Ａ，２Ｂは、各々の屈曲変形を累積するように端部が機械的に連結され、該駆動電圧の印加により各圧電カンチレバー２Ａ，２Ｂが独立に屈曲変形される。【選択図】図１
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60
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2008-040296
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H180809
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船井電機株式会社
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形状可変ミラー
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A4
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DA04
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【課題】鏡面と直交する方向に伸縮して鏡面の変形を可能とする圧電素子を備える形状可変ミラーにおいて、組立て時に鏡面に発生する歪みを極力低減しながら製造できる形状可変ミラーを提供する。【解決手段】形状可変ミラー１は、支持基板２と、支持基板２と対向して設けられるミラー基板３と、支持基板２上に設けられてミラー基板３を固定する固定部材４と、支持基板２上に設けられて、その伸縮によりミラー基板３を突き上げて鏡面３ａを変形可能とする圧電素子５と、を備える。固定部材４の線膨張係数は、圧電素子５の線膨張係数よりも大きく、ミラー基板３の裏面には、少なくとも固定部材４と接合される部分に、加熱状態でミラー基板３と固定部材４とを圧接することにより接合可能とする金属の接合層６が設けられ、ミラー基板３と圧電素子５とは非接合である。【選択図】図２
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61
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2008-040298
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H180809
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船井電機株式会社 学校法人立命館
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形状可変ミラー
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A4
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DA04
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【課題】鏡面が変形可能な形状可変ミラーにおいて、組立て時に鏡面に歪みが発生するのを抑制できる構造の形状可変ミラーを提供する。【解決手段】形状可変ミラー１は、支持基板２と、支持基板２と対向して設けられるミラー基板３と、支持基板２上に設けられてミラー基板３を固定する固定部材４と、支持基板２上に設けられて、その伸縮によりミラー基板３を突き上げて鏡面３ａを変形可能とする圧電素子５と、を備える。ミラー基板３と圧電素子５とは接合されず、ミラー基板３と固定部材４とは、Ａｕ層から成る接合層６によって接合される。ミラー基板３には、固定部材４と接合される部分にのみ接合層６が設けられる。【選択図】図２
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62
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2008-040302
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H180809
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船井電機株式会社
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形状可変ミラーの製造方法
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A4
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DA04 PGX PJ03 PJ06
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【課題】形状可変ミラーの量産に適した製造方法を提供する。【解決手段】支持基板２の素になる第１ウエハ２０の一方の面、ミラー基板３の素になる第２ウエハ３０の一方の面に、個々の形状可変ミラー１となる領域それぞれの境界に沿って第１溝２１、第２溝３１を形成する。第１ウエハ２０と第２ウエハ３０を、第２溝３１が形成されている面が内向きにされた状態で、互いの前記領域がそれぞれ重なる状態に配置し、第１ウエハ２０と第２ウエハ３０との間における前記各領域内に支柱５、圧電体４を挟み込み、第１ウエハ２０と支柱５、圧電体４、及び、第２ウエハ３０と支柱５、圧電体４を互いに接合する。第２ウエハ３０の外面全域を第２溝３１に到達するまで平坦化加工してミラー基板３に分断する。第１ウエハ２０を第１溝２１に沿って破断して支持基板２に分断する。ミラー基板３の外面上に反射膜６を形成する。【選択図】図３
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63
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2008-040304
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H180809
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船井電機株式会社
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形状可変ミラーの製造方法
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A4
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DA04 PG03 MEX
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【課題】形状可変ミラーの量産に適した製造方法を提供する。【解決手段】支持基板２とミラー基板３との間に支柱５、圧電体４を挟み込み、支持基板２と支柱５、支持基板２と圧電体４、ミラー基板３と支柱５、及びミラー基板３と圧電体４を互いに接合する。ミラー基板３の外面全域に外面が平坦化された弾性膜７を形成する。弾性膜７上に反射膜６を形成する。【選択図】図３
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64
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2008-040353
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H180809
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セイコーエプソン株式会社
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光学デバイス、光スキャナおよび画像形成装置
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A4
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DA02 DA04
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【課題】省電力化および小型化を図りつつ、大きい回動角を有する光学デバイス、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】光反射部６を備える質量部２１と、支持部２４と、１対の弾性部２２、２３と、質量部２１を回動させる駆動手段とを有し、駆動手段を作動させることにより、弾性部２２、２３を捩れ変形させながら、質量部２１を回動させ、光反射部６で光を走査するように構成された光学デバイスであって、駆動手段は、質量部２１に設けられ、該質量部の面に直角な方向に磁化された磁性部４１と、非駆動状態の質量部２１の平面視にて、質量部２１を介して、その回動中心軸Ｘに直角な方向に対向するように設けられた１対の磁極５１１、５２１を備えた磁界発生手段とを有し、磁界発生手段が、１対の磁極５１１、５２１間に磁界を発生させることで、質量部２１を支持部２４に対して回動させるように構成されている。【選択図】図１
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65
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2008-040460
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H190202
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キヤノン株式会社
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揺動体装置、及び光偏向装置
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A4
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DA02 DA04
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【課題】揺動体の偏向角を高精度に検出、制御可能な揺動体装置を提供する。【解決手段】揺動体装置は、第1の揺動体101と、第2の揺動体102と、第1の揺動体と第2の揺動体とを接続する第1のねじりバネ111と、第2の揺動体102に接続される第2のねじりバネ112とを少なくとも有し構成される振動系100を有する。振動系100は、支持部121により支持される。更に揺動体装置は、複数の揺動体の少なくとも一つが複数の時間関数の和を含む式で表される振動となるように振動系100を駆動する駆動部120、揺動体の変位に応じて信号を出力する信号出力器140とを有する。更に揺動体装置は、信号出力器の出力信号に基づいて時間関数の振幅と位相の少なくとも一つが所定の値となるように駆動部を制御する駆動制御部150を備える。【選択図】図1
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66
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2008-041378
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H180804
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セイコーエプソン株式会社
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ＭＥＭＳスイッチ及びＭＥＭＳスイッチの製造方法
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A4
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DB01 PI02 MA02
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【課題】ＭＥＭＳスイッチを電圧分割回路に適用する場合、ＭＥＭＳスイッチの抵抗は低く抑えられているため、電圧分割用に外付けの抵抗が必要となる。そのためＭＥＭＳスイッチ周辺の回路部品数は増大する。従ってチップ面積が増加し、チップ内部での温度分布の絶対値が大きくなり、各抵抗間での温度に分布が生じ、抵抗が有する温度係数により抵抗値が相対的に変動し、電圧分割回路から得られる電圧値の精度が低下するという課題がある。【解決手段】ＭＥＭＳスイッチの可動部分を電気抵抗を有する可動電気抵抗体を用いる。スイッチ自体に抵抗を持たせることでＭＥＭＳスイッチに接続される分圧用の抵抗を省略することができる。そのためチップ面積を小型化することが可能となり、チップ内部での温度分布の絶対値が抑えられ、抵抗が有する温度係数による抵抗値の相対変動を抑える。【選択図】図１
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67
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2008-041589
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H180810
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ヒロセ電機株式会社 国立大学法人 東京大学
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高周波スイッチ
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A4
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DB01 PI02
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【課題】垂直方向ではなく同一面上に構造体を製造して十分なアイソレーションを確保することを可能にした高周波スイッチを提供することを目的とする。【解決手段】駆動電極と、駆動電極と自身の間に生じさせた静電力によって駆動電極側に弾性変位可能なバネ駆動部と、駆動電極側に弾性変位させたバネ駆動部との接触を通じて高周波信号の切換を行う切換部と、を同一層内に備える。バネ駆動部と切換部が接触していないときはバネ駆動部に高周波信号を通さないようバネ駆動部と切換部の接触部付近を分断し、分断された接触部付近をバネ駆動部と接触させた切換部によって中継することによりスイッチの切換を行う。バネ駆動部は、同一層内において移動可能である。高周波信号を通す部分には導電性部材が設けられており、バネ駆動部は両持ちバネとして形成されている。【選択図】図１
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68
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2008-042105
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H180810
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ソニー株式会社
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半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造に用いる基板
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A4
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DD07 PC01 PI03 MA01
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【課題】基板の表面上に電子素子が設けられた半導体装置の歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法及び基板を提供する。【解決手段】基板の表面上に電子素子が設けられた半導体装置を製造する工程中に、基板の裏面側に凸部を形成する凸部形成ステップと、凸部により基板を支持した状態で、基板の表面上に電子素子を形成する電子素子形成ステップとを設けた。【選択図】図１
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69
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2008-043912
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H180821
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株式会社日立製作所
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マイクロリアクタ
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A4
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DC01 DCX
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【課題】反応用の複数種の流体のそれぞれを複数に分割して供給する方式のマイクロリアクタについて、流体分割数を増やしても縮流部での副反応を抑制して高い反応収率を実現できるようにする。【解決手段】複数種の反応用流体ＬＡ、ＬＢのそれぞれを複数の流体に分割して供給できるように複数の流入口１４ａ、１４ｂが設けられた供給部１１を備えるとともに、供給部から流下する反応用流体を層流状態で流下させつつ縮流させる縮流部１２を備えたマイクロリアクタについて、反応用流体に対して反応性を有しない離隔用流体ＬＣを供給するための離隔用流体流入口１４ｃを供給部に設け、この離隔用流体流入口から供給する離隔用流体が種類の異なる反応用流体それぞれの層流の間に介在する層流となって反応用流体とともに縮流部を流下するようにしている。【選択図】図１
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70
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2008-044044
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H180811
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国立大学法人東京農工大学
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マイクロアクチュエータシステム
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A1
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PJX
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【課題】対象を室温下においてもナノオーダで高精度加工できるナノ構造プローブを用いたアクチュエータシステムを提供する。【解決手段】ナノ構造プローブ１１を備え、ナノ構造プローブの所定領域に押接制御用レーザ光Ｂを照射することにより針１１１の対象への押接を制御するアクチュエータシステム１であり、押接制御用レーザ光Ｂの照射により粒径が変化する材料により前記所定領域が構成されたナノ構造プローブ１１と、押接制御用レーザ光Ｂを前記所定領域に照射する光学系１２と、押接制御用レーザ光の前記所定領域への照射を制御するレーザ光照射制御装置（コントローラ１３）とを備える。【選択図】図１
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71
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2008-044045
|
H180811
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キヤノン株式会社
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微小流路の製造方法
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A4
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DC01 MEX
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【課題】平坦な基板または基板上に各種の素子が設けられて表面が凹凸を有する基板に容易に流路を形成することができる微小流路の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に第１の液体を付与して描画する工程、前記第１の液体を硬化させて凸部からなる第１の硬化物を得る工程、前記第１の硬化物を覆って第２の液体を付与する工程、第２の液体を硬化させて第２の硬化物を得る工程、前記第２の硬化物と基板上の第１の硬化物を分離して第２の硬化物中に凹部を形成する工程、前記基板から第１の硬化物を除去する工程、前記第１の硬化物を除去した基板上に第２の硬化物を設置して前記凹部からなる流路を形成する工程を有する微小流路の製造方法。【選択図】図１
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72
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2008-044065
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H180814
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日本電信電話株式会社
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ＭＥＭＳ素子及びその製造方法
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A4
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PA08 MEX
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【課題】ＭＥＭＳ素子の可動部とこれに対向する制御電極との間で起こる「リリース時のスティッキング」及び「駆動時のスティッキング」を、高価な処理装置を必要とせずに、同時に抑制できるようにする。【解決手段】シリコーン系高分子を内包したスルフォニウムイオンを含有する電着液（例えば、日本ペイント（株）、ＩＮＳＵＬＥＥＤ３０２０Ｘ）に、上述した制御電極１１５が形成された基板とＳＵＳ３０４からなる対向電極とを浸漬し、制御電極１１５に負電圧を印加するとともに、上記対向電極に正電圧を印加する。以上の操作により、電着液に分散（溶解）している撥水性有機絶縁膜形成材料を、負電圧が印加された制御電極１１５の表面に析出させ、制御電極１１５の露出している表面に膜厚０．３μｍ程度の撥水性有機絶縁膜１０９が形成された状態とする。【選択図】図１
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73
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2008-044068
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H180816
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置
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A4
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DA02 DA04 PI02
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【課題】比較的簡単かつ高精度に、所望の状態で駆動することができるアクチュエータ、光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータ１は、固定電極３１、３２と可動電極４１、４２との間に電圧を印加することにより、これらの間に静電引力を生じさせ、梁部４３を変形させながら、可動電極４１、４２をその電極指４１１、４２２の長手方向に変位させるように構成されているものであって、固定電極３１、３２および／または可動電極４１、４２における複数の電極指３１１、３２１、４１１、４２１のうちの少なくとも１つの電極指は、その先端側から基端側へ向け幅が漸減する部分を有する。【選択図】図１
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74
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2008-044093
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H190606
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アイディーシー、エルエルシー
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インターフェロメトリック変調器に関するプロセスコントロールモニター
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A4
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AKX
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【課題】ＭＥＭＳデバイスの製造プロセスおよびその結果をモニタリングする方法とそれに適したデバイスを提供する。【解決手段】ＭＥＭＳデバイス１０８の製造に用いられるプロセスステップと同じプロセスステップの少なくとも一部を用いて製造されるプロセスコントロールモニター１００、１０２、及び１０４が開示される。プロセスコントロールモニター１００、１０２、及び１０４の分析は、ＭＥＭＳデバイス１０８の性質及び前記デバイス内の構成要素又は副構成要素に関する情報を提供することができる。この情報は、加工の際の誤りを識別するために又はＭＥＭＳデバイス１０８を最適化するために用いることができる。幾つかの実施形態においては、プロセスコントロールモニター１００、１０２、及び１０４の分析は、光学的測定値を利用することができる。【選択図】図８
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75
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2008-044096
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H190719
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株式会社半導体エネルギー研究所
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微小電気機械式装置、およびその作製方法
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A2
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PI02 MDX
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【課題】微小電気機械式装置が有する微小構造体と電気回路とを同一の絶縁表面上に同一工程を経て作製する。【解決手段】微小電気機械式装置は、絶縁表面を有する基板上にトランジスタを有する電気回路と、微小構造体を有する。微小構造体とトランジスタとは、絶縁層と半導体層の積層体を有する。すなわち、構造層は、ゲート絶縁層と同じ絶縁膜から形成された層を含み、かつトランジスタの半導体層と同じ半導体膜から形成された層を含む。さらに、微小構造体は、トランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極に用いられる導電層を犠牲層に用いることで作製される。【選択図】図１
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76
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2008-044376
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H190820
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東ソー株式会社
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微小流路構造体を製造するための部材及び製造方法
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A4
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DC01 PI06
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【課題】流体を流すための微小流路に相当する凹部と、流体を導入、あるいは排出するための貫通孔が１回の成形で形成され、かつ微小流路に相当する凹部と貫通孔が連通した微小流路基板の製造方法を提供する。【解決の手段】流体を流すための微小流路及び貫通孔を備えた微小流路基板を有し、かつ前記微小流路と前記貫通孔が連通部において連通していることを特徴とする微小流路構造体を製造するための微小流路基板に貫通孔を形成するためのピンを備え前記ピンの位置及びピンの本数を任意に変更可能な金型及び、金型を用いて一回の成形により微小流路に相当する凹部及び所定の位置に貫通孔を形成する方法を用いる。【選択図】図１
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77
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2008-045745
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H190808
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三星電子株式会社
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バルブユニット、これを備えた反応装置、及びチャンネルにバルブを形成する方法
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A4
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DC02 DCX MEX
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【課題】流体の流動を遮断し、適時にチャンネルに沿って流体を流れるように開放するバルブユニット、これを備えた反応装置、及びチャンネルにバルブを形成する方法を提供する。【解決手段】流体の流路を形成し、第１高さＤ１の第１領域と第２高さＤ２の第２領域とを含む部分を備える流体チャンネル１６と、流体チャンネルの第１領域に充填されて形成され、相転移可能なバルブ物質からなるバルブ２７、２８とを備え、第１高さＤ１は第２高さＤ２よりも小さく、第２領域は、第１領域の一側に隣接して位置し、第１領域は、流体チャンネル方向に一定幅Ｇを有することを特徴とするバルブユニット、これを備えた反応装置、及びチャンネルにバルブを形成する方法である。【選択図】図１
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78
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2008-045936
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H180811
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ソニー株式会社
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検出装置
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A4
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DD01
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【課題】振動や移動を伴う可動部を有する電気機械素子において問題となる熱雑音の影響を抑制することを目的とする。【解決手段】振動又は移動が可能な可動部1を有する電気機械素子11 12 ・・が2以上設けられ、これら2以上の電気機械素子11 12 ・・において、可動部1の変位により変化する検出量がそれぞれ検出され、2以上の電気機械素子11 12 ・・における各検出量から、目的とする検出量を演算する演算部20を設ける。各検出量の平均値又は相互相関関数を求めることにより、熱雑音による影響を抑制できる。【選択図】図１
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79
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2008-046369
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H180816
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、投光装置、光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置
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A4
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DA02 DA04 PI03
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【課題】質量部の挙動を正確に検知することができるアクチュエータおよび投光装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータ１は、第２の弾性部２６、２７を捩れ変形させながら、第２の質量部２５を回動させるように構成されたものであって、駆動電圧の周期の所定位相でのタイミングを検知する第１のタイミング検知手段と、第２の質量部２５の回動角が所定角となったときのタイミングを検知する第２のタイミング検知手段とを備え、第１のタイミング検知手段によって検知されたタイミングと、第２のタイミング検知手段によって検知されたタイミングとに基づいて、第２の質量部２５の真の挙動を検知する。【選択図】図１
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80
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2008-046448
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H180818
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日本電信電話株式会社
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マイクロミラー装置および光スイッチ
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A4
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DA01 DA04
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【課題】出力光のパワーを最適値に制御する。【解決手段】光スイッチは、入力ポート１ａを出射した入力光を偏向させて任意の出力ポート１ｂに選択的に入射させるマイクロミラー装置３ａ，３ｂと、出力ポート１ｂに入射した出力光のパワーを検知する出力光検知装置４と、任意の入力ポート１ａと出力ポート１ｂとの間を接続すべくマイクロミラー装置３ａ，３ｂを制御する制御装置５とを備える。各マイクロミラー装置３ａ，３ｂは、回動可能に支持されたミラーと、ミラーから離間して配置された複数の電極とを有する。制御装置５は、接続すべき入力ポート１ａと出力ポート１ｂとの間の光路上にあるマイクロミラー装置の各電極に共通のバイアス電圧を、出力光のパワーが最適値になるように生成する。【選択図】図１
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81
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2008-046449
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H180818
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日本電信電話株式会社
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光スイッチおよびミラー制御方法
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A4
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DA01 DA04
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【課題】入力光が無くなったときのミラー装置の制御の不具合を解消する。【解決手段】光スイッチは、入力光を入力する１つ以上の入力ポート１ａと、出力光を出力する１つ以上の出力ポート１ｂと、入力ポート１ａを出射した１つ以上の入力光を独立に偏向させて任意の出力ポート１ｂに選択的に入射させるマイクロミラー装置３ａ，３ｂと、入力光の有無を検知する入力光検知装置４と、出力ポート１ｂに入射した出力光のパワーを検知する出力光検知装置５と、出力光のパワーが最適値になるようにミラー装置３ａ，３ｂの偏向角を制御する制御装置６とを備える。制御装置６は、入力光検知装置４から入力光無しの通知を受けたときに、ミラー装置３ａ，３ｂの制御を中止する。【選択図】図１
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82
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2008-046450
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H180818
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日本電信電話株式会社
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ミラー制御装置およびミラー制御方法
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A4
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DA01 DA04
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【課題】ミラーの共振周波数を所望の値に維持する。【解決手段】ミラー制御装置は、回動可能に支持されたミラー２３０と、ミラー２３０から離間して配置された電極３４０ａ〜３４０ｄと、ミラー２３０の所望の傾斜角に応じた駆動電圧を電極毎に生成する駆動電圧生成手段４０１と、ミラー２３０の共振周波数を検出するミラー共振周波数検出手段４０２と、各電極３４０ａ〜３４０ｄに共通のバイアス電圧を生成し、バイアス電圧と電極毎の駆動電圧とを加算して、加算後の電圧を対応する電極３４０ａ〜３４０ｄに印加するバイアス電圧印加手段４０３とを備える。バイアス電圧印加手段４０３は、ミラー２３０の共振周波数が所望の値になるようにバイアス電圧を制御する。【選択図】図３
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83
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2008-046452
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H180818
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日本電信電話株式会社
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ミラー制御装置
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A4
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DA01 DA04
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【課題】プルイン時のミラーの固着を解消して、ミラーを初期位置に復帰させる。【解決手段】ミラー制御装置１００は、回動可能に支持されたミラー２３０と、ミラー２３０から離間して配置された複数の電極３４０ａ〜３４０ｄと、ミラー２３０と電極３４０ａ〜３４０ｄとの固着の解除を指示するプルイン解除指令信号が外部から入力されたときに、ミラー２３０と電極３４０ａ〜３４０ｄのうち少なくとも一方に直流成分が略零の交流電圧を印加するミラー電圧印加手段４００及び駆動電圧印加手段４０１とを備える。【選択図】図３
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84
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2008-046453
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H180818
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日本電信電話株式会社
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ミラー制御装置およびミラー制御方法
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A4
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DA01 DA04
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【課題】ミラーの駆動電圧の低電圧化を実現する。【解決手段】ミラー制御装置１００は、回動可能に支持されたミラー２３０と、ミラー２３０から離間して配置された複数の電極３４０ａ〜３４０ｄと、ミラー２３０に非零のバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段４００と、複数の電極３４０ａ〜３４０ｄのうち少なくとも１つにバイアス電圧と反対極性の駆動電圧を印加する駆動電圧印加手段４０１とを備える。【選択図】図３
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85
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2008-046455
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H180818
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日本電信電話株式会社
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ミラー制御装置
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A4
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DA01 DA04
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【課題】ミラーの回動方向による駆動電圧−傾斜角特性の違いを緩和する。【解決手段】ミラー制御装置は、回動可能に支持されたミラー２３０と、ミラー２３０から離間して配置された電極３４０ａ〜３４０ｄと、ミラー２３０の所望の傾斜角に応じた駆動電圧を電極毎に生成する駆動電圧生成手段４０１と、電極３４０ａ〜３４０ｄの各々に単独に電圧を印加したときにミラー２３０の傾斜角が同一の規定値になる電圧をバイアス電圧として電極毎に生成するバイアス電圧生成手段４０２と、バイアス電圧と駆動電圧とを電極毎に加算して、加算後の電圧を対応する電極３４０ａ〜３４０ｄに印加する電極電圧印加手段４０３とを備える。【選択図】図３
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86
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2008-046511
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H180818
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置
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A4
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DA01 DA02 MA01 MEX
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【課題】小型化を図りつつ、低速駆動を行うことのできるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】質量部２１と、質量部２１を支持するための支持部２４と、質量部２１を支持部２４に対し回動可能とするように質量部２１と支持部２４とを連結する１対の連結部（弾性部）２２、２３と、質量部２１を回動駆動させるための駆動手段４とを有し、駆動手段４を作動させることにより、連結部（弾性部）２２、２３を捩れ変形させながら、質量部２１を回動させるように構成されたアクチュエータ１であって、弾性部２２、２３は、それぞれ、長手形状をなし、その長手方向での少なくとも一部が、樹脂材料を主材料として構成された樹脂部であることを特徴とする。【選択図】図１
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87
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2008-046512
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H180818
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置
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A4
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DA01 DA02 MA01 MEX
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【課題】バネ定数の微調整を行うことのできるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供する【解決手段】質量部２１と、質量部２１を支持するための支持部２４と、質量部２１を支持部２４に対し回動可能とするように、質量部２１と支持部２４とを連結する１対の連結部２２、２３と、質量部２１を回動駆動させるための駆動手段とを有し、前記駆動手段を作動させることにより、１対の連結部２２、２３を捩れ変形させながら、質量部２１を回動させるように構成されたアクチュエータ１であって、各連結部２２、２３は、シリコンを主材料として構成されたシリコン部２２１、２３１と、シリコン部２２１、２３１に接合され、樹脂材料を主材料として構成された樹脂部２２２、２３２とを有することを特徴とする。【選択図】図１
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88
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2008-046591
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H190209
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株式会社リコー
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アクチュエータの接触部位形成方法、アクチュエータ、光学システム及び画像形成装置
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A4
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DA02 DA04 PI02
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【課題】アクチュエータの接触部位をリソグラフィ技術の解像限界以下に微細に構成することにより、稼動部位が稼動時に接触する接触面積若しくは接触長を大幅に低減し、接触により生じる固着力を低減して、アクチュエータの駆動電圧を低減すること。【解決手段】アクチュエータの稼動部材５０４が接触する接触部位の形成方法であって、接触部位を少なくとも２層以上の積層膜５０２，５０３で構成し、かつ該積層膜の、任意の層のパターン端部５０２ａと他層のパターン端部５０３ａの重ね合わせ部５０５により、接触部位を構成する。【選択図】図１
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89
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2008-047901
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H190808
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三星電子株式会社
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電気的機械的メモリ素子及びその製造方法
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A2
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DBX
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【課題】高い信頼性及び優秀な動作特性を有するメモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】メモリ素子は、基板１００と、基板１００に対して垂直方向に延長される第１電極１１０と、基板１００に対して垂直する方向に延長され、電極のギャップによって第１電極１１０と互いに離隔するように配置される第２電極１２０と有する。さらに、前記電極ギャップの内部に垂直方向に延長され、第１ギャップ１１８Ａだけ第１電極１１０から離隔され、第２ギャップ１１８Ｂだけ第２電極１２０から離隔され、静電気的に変形されることが可能であって、第１曲げ状態では、第１ギャップ１１８Ａを通じて第１電極１１０と電気的に接続されるようにし、第２曲げ状態では第２ギャップ１１８Ｂを通じて第２電極１２０と電気的に接続されるようにし、待機状態では第１電極１１０及び第２電極１２０と互いに電気的に絶縁されるようにする第３電極とを含む。【選択図】図２
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90
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2008-049311
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H180828
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アルプス電気株式会社
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マイクロチッププレート
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A4
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DC01
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【課題】接着剤シートを用いて第１素材と第２素材とを接合させて形成されているマイクロチッププレートにおいて、接着剤シートが前記素材に形成されているチャンネル内に食い込むことのない適正なチャンネルを有するマイクロチッププレートを提供すること。【解決手段】第１素材２と第２素材３とを間に介在させた接着剤シート６を用いて接合させて形成されているマイクロチッププレート１であって、前記第１素材２と第２素材３とによって前記接着剤シート６を圧迫して接合させる際に前記接着剤シート６が前記両素材２、３の一方の対向面に形成されているチャンネル４内に食い込むことを防止する食い込み防止手段７を前記第１素材２と第２素材３とに形成したことを特徴とする。【選択図】図１
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91
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2008-049408
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H180822
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日本電信電話株式会社
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電子部品装置
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A4
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DA01 DA04
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【課題】可動構造体の容量が急激に変化する場合でも、容量検出の感度を調整して容量を検出する。【解決手段】形状可変構造体１は、その変位に応じて容量が変化する可動構造体１０を備え、構造変位検出ユニット２ａは、可動構造体１０に電界を発生させる可変電界発生部２６と、電界発生の基となる誘導信号Ｓｄを出力する誘導信号生成部２２と、電界の発生によって可動構造体１０から出力される容量信号Ｓｃａｐから、可動構造体１０の容量を表す情報信号Ｓｉを抽出する容量情報抽出部２３と、可動構造体１０の容量から容量信号Ｓｃａｐへの変換率を調整する調整信号Ｓｃｔｌを出力する感度調整部２７とを備え、可変電界発生部２６は、調整信号Ｓｃｔｌに応じて電界の強度を変化させる。【選択図】図１
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92
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2008-049438
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H180824
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国立大学法人大阪大学
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半導体装置の製造方法、半導体装置、及び感圧センサ
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A4
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DD03 PI03
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【課題】製造方法を大幅に簡略化することができる立体構造の片持梁状の揺動部を備える半導体装置の製造方法、半導体装置及び該半導体装置を備える感圧センサを提供する。【解決手段】ＳＯＩ基板７の裏面側からエッチングしてシリコン酸化膜４が露出するまでシリコン基板１を凹状に除去し、シリコン基板１が除去された空間１ａに面するシリコン酸化膜４及び該シリコン酸化膜４上の単結晶シリコン膜３の一部をエッチングにより除去して、圧縮応力を有するシリコン酸化膜４及び単結晶シリコン膜３よりなる片持梁状のカンチレバー１０を形成する。これにより、ＳＯＩ基板７上で反り上がったカンチレバー１０を形成する。【選択図】図１
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93
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2008-049464
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H180828
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松下電工株式会社
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半導体装置
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A4
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DC02 DD01 DD02 DD03 DDX
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【課題】実装基板との線膨張率差に起因して可撓性要素部に生じる応力をより緩和することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置たる加速度センサＡは、撓み部（可撓性要素部）１３を有するセンサ基板（機能基板）１と、センサ基板１と接合される第１のカバー基板２と、第１のカバー基板２との間にセンサ基板１を囲む形で第１のカバー基板２の一表面側に接合された第２のカバー基板３とを備える。第１のカバー基板２は、外部接続用電極２５と実装基板４０の導体パターン４３との接合に伴い撓み部１３に発生する応力を緩和する溝部２０ｂが形成されており、第２の電気接続用金属層２９と当該第２の電気接続用金属層２９に電気的に接続された外部接続用電極２５との間に蛇腹状構造部２８が形成されるように一表面側の溝部２０ｂの形成位置と他表面側の溝部２０ｂの形成位置とをずらしてある。【選択図】図１
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94
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2008-049465
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H180828
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松下電工株式会社
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半導体装置
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A4
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DC02 DD01 DD02 DD03 DDX
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【課題】実装基板との線膨張率差に起因して可撓性要素部に生じる応力を緩和することができ且つ信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置たる加速度センサＡは、センサ基板１とカバー基板２，３とで構成されており、ＳＯＩウェハ（半導体基板）の一部からなる薄肉の撓み部１３（可撓性要素部）を有するとともに一表面側に複数の外部接続用電極２５を有している。加速度センサＡは、外部接続用電極２５と実装基板４０の導体パターン４３との接合に伴い撓み部１３に発生する応力を緩和する応力緩和部６０が設けられている。応力緩和部６０は、外部接続用電極２５と撓み部１３との間の要所に形成された応力緩和用の溝部６１に充実された充実体６２からなり、当該充実体６２の材料として溝部６１の周辺部位の材料であるＳｉよりも弾性率の低い低弾性材料を用いている。【選択図】図１
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95
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2008-049466
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H180828
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松下電工株式会社
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半導体装置
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A4
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DC02 DD01 DD02 DD03 DDX
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【課題】実装基板との線膨張率差に起因して機能基板の可動部に生じる応力を緩和でき、且つ、可動部の過度な変位を規制するストッパを兼ねる第２のカバー基板の変形を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置たる加速度センサＡは、重り部１２と各撓み部１３とからなる可動部を有するセンサ基板（機能基板）１と、第１のカバー基板２と、センサ基板１における第１のカバー基板２側とは反対側方向への可動部の過度な変位を規制するストッパを兼ねる第２のカバー基板３とを備える。第１のカバー基板２は、センサ基板１の第１の電気接続用金属層１９に接合される第２の電気接続用金属層２９よりも外部接続用電極２５が内側に位置し、当該両者の間の領域に、外部接続用電極２５と実装基板４０の導体パターン４３との接合に伴い可動部に発生する応力を緩和する溝部２０ｂが形成されている。【選択図】図１
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96
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2008-049467
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H180828
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松下電工株式会社
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半導体装置
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A4
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DC02 DD01 DD02 DD03 DDX
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【課題】実装基板との線膨張率差に起因して機能基板の可動部に生じる応力を緩和でき、且つ、機能基板の厚み方向への可動部の過度な変位を規制するストッパを兼ねる第２のカバー基板の変形を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置たる加速度センサＡは、重り部１２と各撓み部１３とからなる可動部を有するセンサ基板（機能基板）１と、第１のカバー基板２と、可動部の過度な変位を規制するストッパを兼ねる第２のカバー基板３とを備える。第１のカバー基板２は、センサ基板１の第１の電気接続用金属層１９に接合される第２の電気接続用金属層２９よりも外部接続用電極２５が内側に位置するように両者の形成位置をずらし、当該両者の間の領域に、外部接続用電極２５と実装基板４０の導体パターン４３との接合に伴い可動部に発生する応力を緩和する溝部２０ｂが形成されている。【選択図】図１
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97
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2008-051512
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H180822
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富士フイルム株式会社
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近接場光を用いたセンサおよびその作製方法
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A4
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DDX
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【課題】蛍光法によるセンサを、高Ｓ／Ｎの蛍光測定が可能で、かつ光学系が簡素化されて安価に形成可能なものとする。【解決手段】所定波長の励起光８を発する光源７と、励起光８を透過させる材料からなり、光源７からの励起光８を受ける位置に配された基板２３と、励起光８を遮断する材料からなり、該励起光８の波長よりも小さい開口２４ａを有して、基板２３の光源７とは反対側の一表面２３ａに形成された薄膜２４と、基板２３と反対側から薄膜２４に試料１が接するように該試料１を保持する試料保持部２６と、薄膜２４に励起光８が照射されたとき前記開口２４ａの部分に生じる近接場光２１に励起されて、試料１中に含まれる物質が発した蛍光を検出する蛍光検出手段９とからセンサを構成する。【選択図】図１
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98
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2008-051685
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H180825
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大日本印刷株式会社
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センサーユニットおよびその製造方法
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A2
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DD01 DD02 PI01 PHX
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【課題】小型で信頼性の高いセンサーユニットと、簡便に製造するための製造方法を提供する。【解決手段】センサーユニット１は、多軸モーションセンサー２と、貫通電極５３を有するインターポーザ３と、能動素子内蔵モジュール４とをこの順に多段状態で備えたものであり、多軸モーションセンサー２は、梁を介して支持された錘２３と、錘よりも外側の領域に配設されたコンタクト電極とを有するセンサー本体１１と、所定の電極３１を有するガラス基板１２と、インターポーザ３に配設された所定の電極４１とを備え、インターポーザ３は、貫通電極５３を有する基板５１上に、センサー本体１１と対向するように配設された電極４１と配線５４，５５とを備え、能動素子内蔵モジュール４は、基板６１に内蔵された能動素子６５と、貫通電極６３と能動素子を接続する配線を有し、貫通電極６３はインターポーザの配線５５に接合したものとする。【選択図】図１
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99
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2008-051824
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H191025
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積水化学工業株式会社
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マイクロ全分析システム
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A4
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DC01 DC03 MEX
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【課題】本発明は、マイクロポンプ室が形成されているマイクロ全分析システムであって、容易且つ安価に製造しうるマイクロ全分析システムを提供する。【解決手段】基板内に微細流路とマイクロポンプ室が形成されているマイクロ全分析システムにおいて、該マイクロポンプ室に熱によりガスを発生する材料が充填されていることを特徴とするマイクロ全分析システムであり、熱によりガスを発生する材料が、酸素含有量が１５〜５５重量％のポリオキシアルキレン樹脂である。【選択図】図２
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100
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2008-051903
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H180822
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、光スキャナ、および画像形成装置
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A4
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A01 PI03
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【課題】高精度に質量部の挙動を検知することができるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータ１は、第２の弾性部２８、２９の本体部上に形成された抵抗領域を備えたピエゾ抵抗素子４１、４２とを有し、本体部および抵抗領域のうち、一方がｐ型のシリコンで構成され、他方がｎ型のシリコンで構成され、本体部と抵抗領域との間には、ｐｎ接合が形成されており、ピエゾ抵抗素子４１、４２の抵抗値の変化に基づいて、第２の質量部２５の挙動を検知し、第１の弾性部２６、２７を捩れ変形させながら第１の質量部２１、２２を回動させ、これに伴い、第２の弾性部２８、２９を捩れ変形させながら第２の質量部２５を回動させるものであって、ｐｎ接合を逆バイアス状態に維持するように、本体部にバイアスを印加する電源回路１２を有する。【選択図】図１
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101
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2008-051904
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H180822
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置
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A4
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A01 PI03
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【課題】高精度に質量部の挙動を検知することができるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータ１は、抵抗領域４１１、４２１の抵抗値の変化に基づいて、第２の質量部２５の挙動を検知し、第１の弾性部２６、２７を捩れ変形させながら第１の質量部２１、２２を回動させ、これに伴い、第２の弾性部２８、２９を捩れ変形させながら第２の質量部２５を回動させるように構成されており、第２の弾性部２８、２９は、本体部２８１、２９１上に形成され、本体部２８１、２９１の構成材料よりも導電性の高い材料で構成された高導電性領域２８２、２９２を有し、高導電性領域２８２、２９２が抵抗領域４１１、４２１の外部から抵抗領域４１１、４２１への電気的な影響を遮蔽するように構成されている。【選択図】図１
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102
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2008-051992
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H180824
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オリンパス株式会社
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マイクロミラーアレイデバイス
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A4
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A04
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【課題】マイクロミラーアレイデバイスにおけるミラー間の特性のバラツキを抑制して、光学的な品質を向上させる。【解決手段】マイクロミラーアレイデバイス１００は、例えば、薄い板状のＳｉ基板に、エッチング等でスリット１０５、１０６を形成し、反射膜を蒸着などの手法により形成することで、マイクロミラー１０１、ヒンジ１０２、梁１０３が形成される。本デバイス１００には、両端のマイクロミラー（１番目と４０番目のミラー）１０１の外側にも梁１０３が配置される。すなわち、１番目（４０番目）のミラー１０１の外側の梁１０３の形状が、１番目（４０番目）のミラー１０１と２番目（３９番目）のミラー１０１の間の梁１０３の形状と同じになるように、スリット１０６が配置される。これにより、１番目（４０番目）のミラー１０１と２番目（３９番目）のミラー１０１の間の相対的な初期傾きが改善される。【選択図】図１
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103
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2008-052218
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H180828
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松下電工株式会社
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可動構造体の製造方法及び同構造体を備えた光学素子
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A4
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A04 PI03
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【課題】可動構造体の製造方法において、簡便な製造プロセスにより加工精度良く、高速動作可能な可動構造体を製造可能にする。【解決手段】可動構造体は、第１のシリコン基板１０ａと第２のシリコン基板１０ｂとが接合されて成るＳＯＩ基板１００により形成されている。第１のシリコン基板１０ａには、ポーラスシリコン１５が形成された可動板２、ばね部３、垂直静電コム６等が形成されている。可動構造体は、第１のシリコン基板１０ａのうち可動板２が形成される部位を陽極酸化してポーラスシリコン１５を形成する第１の工程、第１のシリコン基板１０ａに第２のシリコン基板１０ｂを接合する第２の工程、第２の工程にて形成されたＳＯＩ基板１００に可動板２等を形成する第３の工程を経て製造される。これにより、従来の高段差部へのエッチング等を行う必要がなくなり、簡便な製造プロセスにより精度良く可動構造体を製造することができる。【選択図】図２
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104
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2008-052220
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H180828
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松下電工株式会社
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チルトミラー素子
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A4
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A04
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【課題】２軸静電型のチルトミラー素子において、容易に作製可能にして製造時の良品率を向上させる。【解決手段】素子１は、酸化膜１２０を介し第１のシリコン層１００ａと第２のシリコン層１００ｂとが接合されて成るＳＯＩ基板１００から構成されている。素子１は、ミラー部２と、ミラー部２を第１のヒンジ５を介し支持する可動フレーム３と、可動フレーム３を第２のヒンジ６を介し支持する固定フレーム４と、ミラー部２及び可動フレーム３間、可動フレーム３及び固定フレーム４間にそれぞれ配された第１の櫛歯電極７及び第２の櫛歯電極８とを有している。第１の櫛歯電極７は第２のシリコン層１００ｂに形成され、第１のヒンジ５は第１のシリコン層１００ａに形成されている。ミラー部２の２つのシリコン層１００ａ，１００ｂは互いにコンタクトホール９を介し電気的に接続されている。一対の櫛歯電極を同時に形成できるので容易に作製可能である。【選択図】図１
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105
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2008-052270
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H190727
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日本電信電話株式会社
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ミラー制御装置
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A4
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A04
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【課題】ミラーのドリフトの発生を抑制する。【解決手段】ミラー制御装置は、回動可能に支持されたミラー２３０と、ミラー２３０から離間して配置された電極３４０ａ〜３４０ｄと、ミラー２３０の駆動電圧として平均直流成分が電極３４０ａ〜３４０ｄ毎に略零となる交流電圧をミラー２３０の所望の傾斜角に応じて生成して電極３４０ａ〜３４０ｄに印加する駆動電圧印加手段４０１とを備える。駆動電圧印加手段４０１は、駆動電圧としてミラー２３０の所望の傾斜角に応じた振幅又はデューティー比の交流電圧を生成する。【選択図】図３
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106
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2008-053077
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H180825
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株式会社東芝
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ＭＥＭＳスイッチ
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A4
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DB01 MD04 MD06 MDX
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【課題】接触抵抗を低く保つことができ、寿命が長いＭＥＭＳスイッチの提供。【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳスイッチは、固定電極３又は下部電極５の少なくとも一方はＡｕで構成され、他方は、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｔｅから選ばれた一つの金属、又は、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＶＮから選ばれた一つの金属を主成分として構成されている。【選択図】図２
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107
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2008-053265
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H180822
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ポステック・ファウンデーション ポステック・アカデミー‐インダストリー・ファウンデーション
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表面誘導自己集合による単結晶共役高分子ナノ構造体の製造方法
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A1
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DEX DF01 DF02 PJ08
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【課題】表面誘導された選択的な自己集合過程によって大面積にわたって規則的な配列の形成が可能であり、低い電気抵抗と優れた電界効果を有する、高性能、高集積化された超分子トランジスター、超分子発光素子及び超分子バイオセンサーなどの次世代超分子有機電子素子に有用な、自成核型自己集合による単結晶共役高分子ナノ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の方法によって製造された表面誘導自己集合によって成長された単結晶共役高分子ナノ構造体は、選択的な表面誘導による自己集合過程によって大面積に規則的な配列が可能であり、低い電気抵抗と優れた電界効果を提供して、高性能かつ高集積化された超分子トランジスター、超分子発光素子及び超分子バイオセンサーなどの次世代超分子有機電子素子に有用に適用され得る。【選択図】図１
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108
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2008-054446
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H180825
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イーメックス株式会社
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高分子アクチュエータ素子およびその駆動方法
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A1
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DF01
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【課題】常温常圧もしくは０℃以下の開放系であっても長期間駆動することができる高分子アクチュエータ素子を提供する。また、常温常圧の開放系に長期間放置しても初期の屈曲量または変位量とほぼ同等を示すことができる高分子アクチュエータ素子を提供する。さらには、上記高分子アクチュエータ素子の駆動方法を提供する。【解決手段】金属電極と高分子電解質を含む電解質とを含む高分子アクチュエータ素子であって、上記金属電極が対を形成することができるように形成され、上記金属電極が上記電解質と接し、上記電解質中に常温常圧下で液状のポリエーテル化合物を含み、上記電解質が上記ポリエーテル化合物により膨潤した状態であることを特徴とする高分子アクチュエータ素子。【選択図】なし
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109
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2008-055516
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H180829
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富士通株式会社
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マイクロ揺動素子
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A4
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DA04 DD01 DD02
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【課題】揺動部の揺動動作に係る固有振動数を調整するのに適したマイクロ揺動素子を提供する。【解決手段】本発明のマイクロ揺動素子Ｘ１は、例えば、揺動部１１０と、フレーム１２０と、揺動部１１０およびフレーム１２０を連結してフレーム１２０に対する揺動部１１０の揺動動作における揺動軸心Ａ１を規定する連結部１３０とを備える。揺動部１１０は、揺動主部１１１、および、揺動主部１１１に取り付けられ且つ揺動軸心Ａ１と交差する方向に変移可能な錘部１１２を有する。【選択図】図２
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110
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2008-055556
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H180831
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独立行政法人物質・材料研究機構 富山県 立山マシン株式会社 立山科学工業株式会社
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マイクロピラーアレイ素子の製造方法と製造装置並びにマイクロピラーアレイ素子
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A4
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DC01 PB01 MEX
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【課題】ＰＭＭＡやＰＣ等のポリマー材料に対して、反応性イオンエッチング法を用いて、正確に微細なピラーアレイ構造を安価に形成することができるマイクロピラーアレイ素子の製造方法と製造装置並びにマイクロ流体チップ等に用いるマイクロピラーアレイ素子を提供する。【解決手段】真空容器１２内にプラズマを発生させて反応性イオンを生成し、真空容器１２内に設けられた被エッチング材料３０を、反応性イオンによりドライエッチングする。被エッチング材料３０はポリマー材料であり、ポリマー材料の表面にマイクロピラーアレイ構造に対応した所定形状のマスクを施す。酸素もしくは酸素を主体とした不活性ガスやハロゲン含有ガスとの混合ガスを用いて、これら混合ガスによる反応性イオンのプロセス圧力を０．０１Ｐａ以上０．２Ｐａ以下の条件にして、ドライエッチングを行い、ポリマー材料に微細なピラー構造を形成する。【選択図】図１
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111
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2008-055592
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H190529
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ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
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反応物質を気密カプセル化するためのマイクロコンテナ
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A4
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PHX
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【課題】反応物質を気密カプセル化するためのマイクロコンテナを提供すること。【解決手段】原子時計などの超小型電気機械システムのためのマイクロコンテナデバイスが提供される。マイクロコンテナデバイスは、基板と、該基板内に、上縁を有する側壁によって画定された空洞とを備えている。空洞は、ルビジウムまたはセシウムなどの反応物質を保持するように構成されている。下部表面を有する蓋は、空洞を覆って密閉するように構成されている。側壁の上縁の外側の周囲の周りに第１の気密材料が配置され、蓋の下部表面の周囲の周りに第２の気密材料が配置されている。側壁の上縁の内側の周囲の周りに、反応物質と化学的に適合する封止材料が、第１の気密材料に隣接して配置されている。【選択図】図１
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112
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2008-056498
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H170117
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日本板硝子株式会社
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マイクロ化学チップの製造方法
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A4
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DC01 PGX MF02
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【課題】加重（重し）をかけた状態で複数のガラス板を熱融着により接合するとき、貼り合わせ面の全体に亘って融着せず未融着個所生じる。これを防止するために融着温度を高くすると、重しの表面凹凸が貼り合わせるガラス表面に転写し、ガラスの光学特性を損なう。【解決手段】２枚のガラス板を熱融着により接合してガラス接合体を作製するに際し、精密研磨により測定波長範囲０〜５ｎｍにおける表面うねり（ωａ値）を２．５ｎｍ以下、面内板厚み差を３μｍ以下に平滑化したガラス板を用いる。熱融着する温度をガラスの転移点以上屈伏点未満の温度で接合する。ガラスの粘度ηがｌｏｇη＝１２．０となる温度以下で融着するのが好ましい。【選択図】図１
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113
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2008-057470
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H180831
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学校法人東京電機大学
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微小移動体装置およびその製造方法
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A4
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DFX
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【課題】熱変形素子が発生する衝撃力に依らず、かつ、駆動力が非接触で提供されて移動することができる移動体装置を提供する【解決手段】本発明の一の実施形態による移動体装置は、少なくとも第１の弾性層２０と第２の弾性層２１とから構成され、湾曲し、凹面側が載置面に面して載置される湾曲部材２と、この湾曲部材２にレーザ光Ｌを照射する光源３と、を備える。【選択図】図１
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114
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2008-058005
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H180829
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セイコーインスツル株式会社
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力学量センサ及び電子機器並びに力学量センサの製造方法
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A4
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DD01 DD02 PHX
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【課題】チップ間における真空度のバラツキを極力なくして、均一な品質の力学量センサを安定して製造すること。【解決手段】半導体基板に周囲を壁部１５ａで囲まれた貫通孔１９を形成すると共に、該貫通孔内にセンサ部１８を形成するセンサ部形成工程と、貫通孔同士を結ぶ排気溝２１を形成する排気溝形成工程と、排気溝に連通する連通溝２５を形成する連通溝形成工程と、ガラス基板１６に第１の排気孔２２を形成すると共に連通溝を外部に連通させるように第２の排気孔を複数形成する排気孔形成工程と、両ガラス基板を半導体基板の両面に接合する接合工程と、連通溝及び排気溝を介して密閉室内を真空状態にする真空工程と、真空中でガラス基板の表面に薄膜を成膜して密閉室を真空封止する封止工程と、半導体基板と両ガラス基板とを連通溝に沿って切断して複数に固片化する切断工程とを備えている力学量センサの製造方法を提供する。【選択図】図６
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115
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2008-058132
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H180831
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ウシオ電機株式会社
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マイクロチップの製造方法
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A4
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DC01 PGX
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【課題】特定波長の紫外線を利用して、ポリジメチルシロキサンよりなる基板の表面に、荒れやクラックを発生させることなく、流路形成部分の表面の親水化処理を行うことができると共に２枚の基板を確実に貼り合わせることができ、従って、所期の性能を有するものを確実に製造することのできるマイクロチップの製造方法を提供すること。【解決手段】ポリジメチルシリコンよりなる一方の基板、および、ガラスまたはポリジメチルシリコンよりなる他方の基板の少なくとも一方に対して波長１７２ｎｍの光を含む紫外線を照射して両基板を貼り合わせることにより、内部に媒体が流れる流路を有するマイクロチップを製造する方法において、紫外線を照射する工程においては、基板の表面における流路形成部分および当該流路形成部分以外の接着面形成部分の各々に対して、互いに異なる照射エネルギー量で、紫外線が照射される。【選択図】なし
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116
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2008-058960
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H190816
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三星電子株式会社
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電磁気方式マイクロアクチュエータおよびその製造方法
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A4
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DA02 PI02
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【課題】電磁気方式マイクロアクチュエータおよびその製造方法を提供する。【解決手段】ベースフレームと、ベースフレームに回動自在に連結されている第１可動部１１２と、第１可動部１１２に回動自在に連結されており、光路を変更させるミラーの設けられた第２可動部と、少なくとも一対の永久磁石とを備え、第１可動部１１２と第２可動部との上面に突出するように設けられた複数のコイル１１７ａからなるコイル部を具備し、複数のコイル１１７ａ間の第１可動部１１２および第２可動部にそれぞれ形成された複数のグルーブからなる変形減衰部１１９を設け、コイル部に電流が供給されるときに発生する熱変形を変形減衰部１１９が緩衝することにより、第１可動部１１２および第２可動部の変形量を減らす。【選択図】図４
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117
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2008-058965
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H190824
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スペイシャル フォトニックス， インコーポレイテッド
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抗スティクション材料を有するマイクロデバイス
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A4
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DA04
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【課題】マイクロ構造を製造する方法を提供すること。【解決手段】マイクロ構造を製造する方法であって、基板上に第１の構造部分を形成することと、該第１の構造部分上に犠牲材料を配置することと、該犠牲材料および該基板上に第１の構造材料の層を堆積させることと、該犠牲材料の少なくとも一部を除去して、第２の構造部分を該第１の構造材料の層に形成することであって、該第２の構造部分は、該基板に接続され、該第２の構造部分が該第１の構造部分から分離される第１の位置と、該第２の構造部分が該第１の構造部分と接触する第２の位置との間で移動可能である、ことと、該第２の構造部分の表面および該第１の構造部分の表面のうちの少なくとも１つにカーボン層を形成することによって、該第２の構造部分と該第１の構造部分との間のスティクションを減少させることとを包含する、方法。【選択図】図１ａ
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118
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2008-058969
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H190828
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サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．
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回折型光変調器の反射部位置リセット装置
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A4
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DAX
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【課題】回折型光変調器の反射部の位置を特定の循環に初期位置にリセットさせ、反射部の位置に対する制御可能性を増加させた回折型光変調器の反射部位置リセット装置の提供。【解決手段】回折型光変調器で生成された回折光を処理して連続的な映像を生成するディスプレイシステムに使用される前記回折型光変調器において、前記ディスプレイシステムに位置する前記回折型光変調器から出射される回折光が前記ディスプレイシステムのスクリーン上のブランクタイム区間にあるとき、リセット制御信号を出力する制御部と、前記制御部からリセット制御信号が印加されると、前記回折型光変調器を初期化するリセット駆動回路とを含んでなることを特徴とする、回折型光変調器の上部反射部位置リセット装置を提供する。【選択図】図４Ａ
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119
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2008-058974
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H190830
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サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．
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回折型光変調器
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A4
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DAX
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【課題】少なくとも一つのリボンを使用して一つのピクセルを形成することができる回折光を得るようにして、製品の小型化を可能にする回折型光変調器を提供する。【解決手段】基盤部材；前記基盤部材から離隔して空間を確保する中間部分、入射光を透過させる透過性物質、及び中間部分の一部に前記基盤部材に配向され、入射光を反射させる反射面を持ち、前記基盤部材に支持される第１反射部；前記第１反射部と基盤部材との間に位置し、第１反射部から離隔しており、前記第１反射部を透過した透過光を反射させる反射表面を有する第２反射部；及び前記第１反射部の中間部分を前記第２反射部に対して動かし、前記第１反射部と前記第２反射部の反射光から形成される回折光の光強度を変化させる駆動手段を含む。【選択図】図４Ａ
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120
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2008-059865
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H180830
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国立大学法人 鹿児島大学
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ＭＥＭＳスイッチ及び携帯無線端末機器
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A4
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DB01
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【課題】小型化、駆動電圧の低減化、及びスイッチング動作の高速化を実現可能なＭＥＭＳスイッチを提供する。【解決手段】可動電極１３と固定電極１５とをそれぞれ２個に分割し、分割した固定電極１５ａ、１５ｂ間に段差を設け、互いに隣接する可動電極１３ａ、１３ｂ間を、板バネ１４ｂを介して連結する。これにより、可動電極１３ａ、１３ｂと固定電極１５ａ、１５ｂとの間に電圧を印加すると、可動電極１３ａ、１３ｂと、それらに対向する固定電極１５ａ、１５ｂとを順次接触させることによりスイッチングを行える。従って、電極面積を広くすることなく、低い駆動電圧でも大きな静電引力が得られる。よって、従来のＲＦ−ＭＥＭＳスイッチよりも、小型化、駆動電圧の低減化、及びスイッチング動作の高速化を、単一の電源で実現可能なＲＦ−ＭＥＭＳスイッチを提供できる。【選択図】図１
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121
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2008-060382
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H180831
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松下電器産業株式会社
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電子部品及びその製造方法
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A4
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DB01 PHX
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【課題】面内異方性が大きくかつ熱膨張係数が大きく異なる基板を三層構造にしても、温度変化による反りや割れが生じない信頼性の高い電子部品を提供する。【解決手段】本発明の電子部品は、機能基板１１０と機能部１１１及び配線電極１１２とからなる二層構造の機能素子を、支持基板１２０と蓋基板１３０とで挟み込み、機能素子の入出力信号をビアホール１４０を介して端子電極１５０に引き出した構造である。そして、機能部１１１及び配線電極１１２の周囲に、空間部１３１を設けている。【選択図】図１Ｂ
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122
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2008-061313
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H180829
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セイコーエプソン株式会社
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静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置及び静電デバイス並びにそれらの製造方法
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A4
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DC03 DAX DB02 DA04 DD03
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【課題】水分除去に有効な処理を行うことができ、例えばその処理を行った際に生じ得る圧力差を吸収し、動作を安定させることができる静電アクチュエータ、製造方法等を得る。【解決手段】相対変位可能な可動電極となる振動板２２と、振動板２２と一定の間隔で対向配置され、振動板２２を相対変位させる固定電極となる個別電極１２を少なくとも有する液滴吐出ヘッド等の静電アクチュエータに対し、振動板２２と個別電極１２とで形成される空間となる振動室１５から水分を除去する工程と、振動室１５を外気と遮断するために、振動室１５の開口部分を封止材２７で封止する工程とを連続して行う。【選択図】図２
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123
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2008-062190
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H180908
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国立大学法人 東京大学
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マイクロミキサーおよび流体の撹拌方法並びに流体の混合方法
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A4
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DC01
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【課題】簡易な構成により、断面の相当直径が１０００マイクロメートル以下のマイクロ流路内に流れる導電性流体を迅速に撹拌したり混合する。【解決手段】混合流路２２の底部に、混合流路２２内に流れる流体の流心に対して偏心するようにその隙間が波線状となるよう形成された一対の電極２４ａ，２４ｂを配設し、この電極２４ａ，２４ｂに振幅が１０Ｖ以上で１０5Ｈｚ以上の周波数の交流電圧を印加する。電極２４ａ，２４ｂ上ではエレクトロサーマルフロー（ElectrothermalFlow）により導電性流体に対流現象作用が生じるため、混合流路２２内の流体を迅速に撹拌したり混合することができる。【選択図】図１
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124
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2008-062319
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H180905
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ソニー株式会社
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機能素子、半導体デバイスおよび電子機器
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A4
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DB04 DBX
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【課題】成膜時の影響が機能部に及ぶことがなく、これにより素子の信頼性を向上させることの可能な機能素子を提供する。【解決手段】基板１０の表面に可動部１１、封止層１２および壁部１３を備える。封止層１２は、可動部１１の周囲に内部空間１４を形成するドーム状の形状を有しており、封止層１２のうち可動部１１と対向する領域以外の領域に開口部１５が設けられている。壁部１３は可動部１１と開口部１５との間に、内部空間１４を分離しないように形成されており、開口部１５を貫通すると共に封止層１２および壁部１３を貫通しない直線が横切ることのない空間（影空間１９）を内部空間１４内に形成している。可動部１１は影空間１９内に配置されている。【選択図】図２
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125
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2008-064865
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H180905
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学校法人高知工科大学
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液晶流動を利用した液晶浸漬物体の移動制御機構
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A4
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DF01 DFX
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【課題】物体の大きさや性質に係わらず、液晶中に浸漬された物体を所望の方向に移動させることができる液晶流動を利用した液晶浸漬物体の移動制御機構を提供する。【解決手段】液晶ＬＣに浸漬された物体Ｍの移動を液晶流動によって制御する移動制御機構であって、互いに対向する一対の対向面を有し、一対の対向面間に液晶ＬＣが配設された液晶保持手段と、液晶保持手段によって保持された液晶ＬＣの液晶分子ｍを、一対の対向面と交差する面内で回転させる液晶分子回転手段と、液晶保持手段の一対の対向面と交差する軸周りに液晶ＬＣをツイストさせ、かつ、各液晶分子ｍがそれぞれ一方向にのみ回転するように液晶分子ｍを拘束する拘束手段とを備えており、拘束手段が複数設けられており、一対の対向面間に、複数の拘束手段により液晶分子ｍが拘束された複数の拘束領域が形成されている。【選択図】図１
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126
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2008-064903
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H180906
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独立行政法人産業技術総合研究所
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三次元構造物作製装置、センサー作製装置、及び三次元構造物作製方法
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A4
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PIX DEX
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【課題】光源と原画体とからなる非常にコンパクトな装置を用いて、わずか１回の露光で、マイクロメートルスケールの空間分解能を有する微細な三次元構造物を容易に作製することのできる三次元構造物作製装置を提供すること。【解決手段】光源１と、作製される三次元構造物に対応する階調、サイズ、及び形状のデータを有する原画体２とを備え、光源１から照射される光を、基板３上に形成されたレジスト４に、原画体２を介して照射し、原画体２の前記データをレジスト４に転写し、現像して、レジスト４に三次元構造物を形成することを特徴とする三次元構造物作製装置である。【選択図】図１
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127
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2008-065191
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H180908
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】長時間にわたって連続的に使用される場合であっても、安定した駆動を維持することができるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明にかかるアクチュエータ１は、質量部２１と支持部２２と質量部２１を片持ち支持するように、支持部２２に対して質量部２１を回動可能に連結する連結部２４と質量部２１を回動させるための圧電素子４１、５１を備えた１対の駆動源４、５とを有し、１対の駆動源４、５は、回動中心軸Ｘを介して互いに離間して設けられ、各駆動源４、５は、連結部２４または支持部２２に対して摺動可能に設けられ、１対の圧電素子４１、５１を互いに逆位相で伸縮させることにより、連結部２４の少なくとも一部を捩れ変形させつつ質量部２１を回動させるよう構成されている。【選択図】図１
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128
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2008-066799
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H180904
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セイコーインスツル株式会社
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発振器
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A4
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DB03
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【課題】周波数の温度依存特性を高精度に補正できる小型で安価なMEMS振動子を用いた発振器を提供する。【解決手段】機械的に振動する出力用振動子と、機械的に振動する温度検出用振動子と、前記温度検出用振動子の共振周波数で発振して温度検出用発振信号を出力する温度検出用発振回路と、前記温度検出用発振信号の周波数に基づく補正信号を出力する温度補償回路と、前記補正信号に応じて前記出力用振動子の共振周波数を変動させる周波数変動手段と、前記出力用振動子の共振周波数で発振して発振信号を出力する出力用発振回路とを備える。【選択図】図１
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129
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2008-066800
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H180904
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セイコーインスツル株式会社
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発振器
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A4
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DB03
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【課題】複数の基本周波数から一つの基本周波数を選択して出力できる小型のMEMS振動子を用いた発振器を提供する。【解決手段】機械的に振動し得るように設けられた出力用振動子と、前記出力用振動子に直流電圧を印加する直流電圧印加部と、前記出力用振動子の振動の腹部の近傍に配置され、該出力用振動子との間で電界を介して相互に作用する励振用電極と、前記励振用電極に電気的に接続され、前記出力用振動子の共振周波数で発振して発振信号を出力する発振回路とを備える。【選択図】図１
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130
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2008-066801
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H180904
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セイコーインスツル株式会社
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静電振動子
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A4
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DB03
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【課題】Ｑ値を向上することができる静電振動子を提供する。【解決手段】機械振動子１０ａ，１０ｂの一方の接続部である端部１０ｃは、振動伝搬部１１を介して振動緩衝部１３に接続されている。一方、機械振動子１０ａ，１０ｂの他方の接続部である端部１０ｄは、振動伝搬部１２を介して振動緩衝部１４に接続されている。振動緩衝部１３は固定部１５に接続され、振動緩衝部１４は固定部１６に接続されている。機械振動子１０から伝搬する振動が振動緩衝部１３，１４で減衰し、固定部１５，１６の振動変位が抑制される。これによって、支持による振動エネルギーの損失が抑制されるので、高いＱ値を実現することができる。【選択図】図１
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131
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2008-067549
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H180908
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株式会社東芝
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アクチュエータ
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A4
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DB01 DB05
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【課題】温度依存性などによるアクチュエータの信頼性の低下を防ぐ。【解決手段】本発明の例に関わるアクチュエータは、互いに電気的に絶縁された複数の電極部から構成され、可動部２３を駆動する駆動電極２５を備え、複数の電極部のうちの一部に選択的に駆動電圧を印加することにより可動部２３に作用する静電力の大きさを制御する。【選択図】図１１
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132
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2008-068347
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H180913
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株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
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分子通信システムおよび分子通信方法
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A1
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DF01
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【課題】分子送信機からの情報分子の選択的放出と、分子受信機での情報分子の選択的受信を人為的に制御可能な分子通信システムを提供する。【解決手段】分子通信システム（１０）は、所定の情報が符号化された情報分子（４５）を送信する分子送信機（２０）と、前記情報分子を受信する分子受信機（３０）と、前記情報分子を前記分子送信機から前記分子受信機へ輸送する分子カプセル（４０）と、を含み、前記分子送信機、前記分子受信機、及び前記分子カプセルは、外部からの入力シグナルに応答する少なくとも１種類の分子スイッチ（２２、３２、４２）が埋め込まれた脂質二分子膜（２１、３１、４１）で構成され、外部からの入力シグナルを前記分子スイッチに作用させることにより、前記分子送信機と前記分子カプセル、及び前記分子カプセルと前記分子受信機の会合と離散を制御して、前記情報分子の送受信を行う。【選択図】図１
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133
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2008-068369
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H180914
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、光スキャナ、および画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】低コスト化を図りつつ、温度変化による影響を受けることなく、質量部の挙動を高精度に検知することができるアクチュエータ、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータ１は、圧電素子３１〜３４の作動により、第１の弾性部２６、２７を捩れ変形させながら第１の質量部２１、２２を回動させ、これに伴い、第２の弾性部２８、２９を捩れ変形させながら第２の質量部２５を回動させるように構成されたものであって、第２の質量部２５の挙動を検知する挙動検知手段は、第２の質量部２５の回動に伴う第２の質量部２５の周囲の気体の振動を検知する振動検知素子８を備え、振動検知素子８の検知結果に基づいて、第２の質量部２５の挙動（振動数）を検知するように構成されている。【選択図】図１
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134
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2008-068384
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H180915
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国立大学法人東北大学
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マイクロ・ナノ突起構造体及びその製造方法
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A1
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DF02 MC03
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【課題】新規で特徴あるマイクロ・ナノ突起構造体及びその製造方法を提供する。【解決手段】大気中で加熱された金属銅の、高エネルギービームの照射領域および非照射領域に形成された、銅酸化物からなるマイクロ・ナノ突起構造体。及び、金属銅板ないしは貫通する円孔１を有する金属銅を大気中で加熱して、円孔１の内壁１１に針状の銅酸化物を形成したのち、この内壁１１に低真空下で高エネルギービームを照射することにより、高エネルギービームの照射領域に針状の銅酸化物を核として、銅酸化物からなる横断面丸形の突起を、成長、形成させるマイクロ・ナノ突起構造体の製造方法。及び、高エネルギービームの非照射領域に、銅酸化物からなる横断面角形の突起を、成長、形成させるマイクロ・ナノ突起構造体の製造方法。【選択図】図１０
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135
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2008-068396
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H190912
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エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
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ＭＥＭＳデバイスおよびアッセンブリ方法
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A4
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DA04 PIX
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【課題】ＭＥＭＳデバイスの平坦性を改善する。【解決手段】ＭＥＭＳデバイスを基板に接着し、ＭＥＭＳデバイスアッセンブリを形成する方法が提供される。この方法は以下のステップを備える。ＭＥＭＳデバイスの厚みプロファイル（１００ａ）および基板の合わせ面の平坦性（１００ｂ）の少なくとも一方を測定するステップ。ＭＥＭＳデバイスの合わせ面および基板の合わせ面の少なくとも一方に接着剤を塗布するステップ（１１０）。接着剤がＭＥＭＳデバイスと基板を接着するように、ＭＥＭＳデバイスおよび基板の合わせ面を接合するステップ（１２０）。２つの合わせ面の一方または両方のそれぞれの位置に塗布される接着剤の量は、ＭＥＭＳデバイスの厚みプロファイルまたは基板の合わせ面の平坦性の局所的なばらつきを補償するように選択される。【選択図】図３
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136
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2008-068490
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H180913
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独立行政法人産業技術総合研究所
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構造体の作製方法、及びその装置
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A4
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PJX
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【課題】形状に自由度を有する構造体を形成することができる構造物の作製方法及び装置を提供する。【解決手段】構造体形成材料を金型の貫通穴を介して押出し、成形して、基板の上に当該貫通穴に対応した２次元的な形状を有する構造体を作製する方法であって、構造体形成材料を加熱する、構造体形成材料を所望の輪郭を有する１つ又は複数個の貫通穴を具備する金型の貫通穴を介して金型逆面にまで流動させる、金型に基板を接触、又は近接させて、基板の構造体形成面と構造体形成材料とを接着させる、構造体形成材料を押出し、金型の貫通穴を介して、金型逆面にまで流動させつつ、金型及び／又は基板を相互に離れていく方向に移動させることにより、基板上に押出し、成形された構造物を形成する、構造体形成材料の貫通穴を介しての金型逆面への流動を停止させることにより、構造体の形成を終了する、ことからなる、構造体の作製方法、及びその装置。【選択図】図１
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137
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2008-070398
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H180912
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キヤノン株式会社
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揺動装置、揺動装置を用いた光偏向装置、揺動装置の周波数調整方法及び装置、並びに光偏向装置を用いた画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】可動子を揺動させる駆動部の配置された側の可動子の面を利用できる様にした揺動装置を提供することである。【解決手段】揺動装置は、支持部105と、振動部101、102、103、104と、振動部を駆動する駆動部120を備える。振動部は、永久磁石111を持つ可動子101を含む少なくとも1つの可動子101、102を有する。可動子101、102は、支持部105に対して揺動可能に支持される。駆動部は、永久磁石111と、永久磁石111に対して配置された磁性体109と、磁性体109の周りに配置されたコイル110を含む。磁性体109を周回するコイル110の内側の空間には、少なくとも1つの可動子102の面を外部に露出させるための開口部150が設けられている。【選択図】図1
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138
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2008-070863
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H190725
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株式会社リコー
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振動ミラー、光書込装置および画像形成装置
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A4
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DA04
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【課題】共振周波数を調整する機能を安定して維持できる振動ミラー、光書込装置および画像形成装置を提供する。【解決手段】より小さな力で構造体の内部応力を変化調整することができ、共振周波数を調整する機能を低エネルギーで実現することができる。さらに、本発明によれば、ミラー基板に対称に応力が作用するため、ミラー基板の光軸ずれがなく、広く調整範囲を設定し高精度の光走査が実現できる。【選択図】図１
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139
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2008-072091
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H190712
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コミツサリア タ レネルジー アトミーク
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少なくとも１つのゲッターを備えた密閉超小型部品
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A4
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PHX
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【課題】ゲッターを備える密閉超小型部品の、ゲッターのサイズ、飽和、封止などに関する不都合を克服する手段を提供する。【解決手段】密閉超小型部品は、基板２によって支持されたパッシブ部分1と、パッシブ部分を覆いパッシブ部分が収容される空洞４を画定するカバー３を有する。カバー3は基板２と接触していて、少なくとも1つの孔５を備えている。この孔５は空洞４の内側に露出されるゲッター材料からなる部分を有するプラグ６によってふさがれている。【選択図】図１Ｂ
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140
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2008-072125
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H190914
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コミツサリア タ レネルジー アトミーク
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懸架素子を実現するための犠牲層の形成方法
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A4
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DB01 DB02 DB04 PI02 MEX
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【課題】犠牲層の実現方法を提供する。【解決手段】所定の容積を占めるリソグラフィされたレジストパターンを、所定のサイズ及び所定の形状を有する基板領域上に形成するための、基板上に堆積された樹脂のリソグラフィ段階と、前記リソグラフィされたレジストパターンの熱サイクルによるアニーリング段階とを含み、前記樹脂に応じて、前記基板領域のサイズ及び形状を決定する段階と、“ダブルエアギャップ”のプロファイルと平坦化ドーム型プロファイルとのいずれか一つから選択されたプロファイルを前記熱サイクルのアニーリングが提供するように、前記領域上に堆積される前記樹脂の量を決定する段階とを含むことを特徴とする。【選択図】なし
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141
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2008-072209
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H180912
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松下電器産業株式会社 国立大学法人 東京大学
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振動子、これをもちいた電気機械共振器及びその製造方法
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A4
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DB02 DB04 PI02 PC01
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【課題】微細化に際しても電極の振動を抑制し、出力特性のばらつきを防ぎ、信頼性の高い振動子、これをもちいた電気機械共振器およびその製造方法を提供する。【解決手段】振動子３と、前記振動子３と所定の微小ギャップを隔てて配設された対向電極７Ｔとを備え、前記振動子３と前記対向電極７Ｔとの間の静電容量の変化に基づいて、前記振動子３の機械的振動を電気信号として出力するように構成され、前記対向電極７Ｔが、半導体基板表面に絶縁層５を介して形成された外部接続用の電極端子７Ｐと一体的に形成されており、前記電極端子７Ｐおよび前記電極端子７Ｐと前記対向電極７Ｔとの連結部７Ｓが、その下層の前記絶縁層５を貫通して形成された貫通孔１１に充填された支持部１３によって固定された電気機械共振器を構成する。【選択図】図１
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142
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2008-072580
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H180915
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松下電器産業株式会社
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シールドケースおよびこれを有するＭＥＭＳマイクロホン
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A4
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DD07 PHX
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【課題】気密性の観点から、ガスケットと密着する最低限の距離を天板上に確保することができるシールドケースおよびシールドケースを有するＭＥＭＳマイクロホンを提供する。【解決手段】本発明のシールドケースは、基板に実装されたＭＥＭＳチップを外部から遮蔽するシールドケースであって、天板と複数の側面板とを備え、前記複数の側面板の肉厚が、前記天板の肉厚より大きいものである。この構成により、従来の均一肉厚のシールドケースと比較して、天板の面積を広くすることができる。よって、チャッキングエリアの位置・大きさ・範囲等を従来のシールドケースから変更することなく、ガスケットを天板に密着させる領域を確保することができる。【選択図】図２
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143
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2008-073818
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H180922
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株式会社村田製作所
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電子部品および複合電子部品
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A2
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PI01
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【課題】ＭＥＭＳ素子とＡＳＩＣとの接合電極同士が１対１に対応しない場合でも両者を接続可能とし、ワイヤ−ボンディングによるＭＥＭＳ素子の損傷の問題を回避しつつ、ＭＥＭＳ素子とＡＳＩＣを備えたより小型の電子部品・複合電子部品を構成する。【解決手段】ＭＥＭＳ素子１０に対して再配線層２０を接合し、再配線層２０の上面に接合電極２６を形成し、再配線層２０の上部にＡＳＩＣ３０を実装する。再配線層２０上の外部端子用パッド２５にＡＳＩＣ３０より高いバンプ２７を形成する。【選択図】図２
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144
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2008-075175
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H190523
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キヤノン株式会社
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構造体の製造方法
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A1
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DF02 PJ08
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【課題】陽極酸化法を利用して、ナノメートルスケールの構造体を容易に得ることができる構造体の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に規則的に配列した第１の凸構造体上に第１の被陽極酸化層を成膜し、前記配列した第１の凸構造体により形成されるセルの中心部に前記第１の被陽極酸化層による第１の凹構造を形成する工程と、前記第１の凸構造体を除去して孔を形成する工程と、前記第１の被陽極酸化層を陽極酸化して第１の凹構造の位置に孔を形成する工程とを有する構造体の製造方法。【選択図】図１
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145
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2008-076259
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H180922
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シチズンホールディングス株式会社
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電気機械変換器
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A4
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DD01 DD02
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【課題】従来の電気機械変換器は、可動部周囲のリング部からカバー部材を接着するための接着部材が進入し、可動部の動作不良やカバー部材の気密不良などを引き起こしていた。【解決手段】可動部にＸ方向とＹ方向とを定義したとき、その可動部を覆うカバー部材のＸ方向の幅は、枠部のＹ方向の幅よりも狭くする。そしてこのカバー部材は、Ｙ方向の枠部との間に第１の接着剤を介して接続しており、カバー部材のＸ方向側端面と枠部の上面または側端面とは、第２の接着剤を介して接続している。このように、カバー部材と枠部との接着部材を２箇所に分けてそれぞれ適する部分に分けることによって、可動部への接着部材の進入を防止する。【選択図】図１
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146
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2008-076569
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H180919
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、光スキャナ、および画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】省電力化および小型化を図りつつ、質量部の回動角を大きくすることができるアクチュエータ、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】第１の質量部２１を平面視したときに第１の質量部２１の回動中心軸Ｘを介して互いに逆向きに周回するように第１の質量部２１と回動中心軸Ｘとに沿って形成されるとともに直列接続された１対のコイル２８と、１対のコイル２８に電圧を印加する電圧印加手段と、第１の質量部２１に対しその片側にて１対のコイル２８の各コイルに対向するように設けられ、互いに同極性の極性を有する１対の磁極４１、４２を備えた永久磁石４とを備え、電圧印加手段の作動により、１対のコイル２８が互いに反対方向の磁界を発生させ、第１の質量部２１を回動させるように構成されている。【選択図】図１
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147
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2008-076570
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H180919
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、光スキャナ、および画像形成装置
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A1
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DA02
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【課題】省電力化および小型化を図りつつ、質量部の回動角を大きくすることができるアクチュエータ、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】支持部２２は、第１の質量部２１の外周を囲むように枠状をなし、第１の質量部２１を駆動する駆動手段は、第１の質量部２１の回動中心軸Ｘから離間した位置で第１の質量部２１に設けられた強磁性体２９１と、第１の質量部２１を平面視したときに強磁性体２９１の外周を囲んで周回するように第１の質量部２１の回動中心軸Ｘおよび支持部２２に沿って形成されたコイル２８と、コイル２８に電圧を印加する電源回路５とを備え、電源回路５の作動により、コイル２８が磁界を発生させ、コイル２８に対し強磁性体２９１を変位させて、第１の質量部２１を回動させるように構成されている。【選択図】図１
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148
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2008-076695
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H180920
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】小型化を図りつつ、低速駆動を行うことのできるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】質量部２１と、支持部２４、２５と、連結部２２、２３と、質量部２１を回動駆動させるための駆動手段４と、質量部２１を駆動するための半導体回路５２とを有し、各連結部２２、２３は、弾性変形可能な弾性部で構成され、連結部２２、２３を捩り変形させつつ質量部２１を回動させるように構成されたアクチュエータであって、各連結部２２、２３は、長手形状をなし、その長手方向での少なくとも一部に樹脂材料を主材料として構成された樹脂部２２２、２３２を備え、支持部２４は、シリコンを主材料として構成されたシリコン部２４１を備え、半導体回路５２は、支持部２４のシリコン部２４１に設けられている。【選択図】図３
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149
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2008-076696
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H180920
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】小型化を図りつつ、バネ定数の微調整を行うことのできるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータ１は、質量部２１と、支持部２４、２５と、弾性部２２、２３と、駆動手段４と、質量部２１の駆動および／または挙動検知のための半導体回路５２とを有し、駆動手段４を作動させることで質量部２１を回動させるように構成され、弾性部２２、２３は、シリコンを主材料として構成されたシリコン部２２１、２３１と、該シリコン部に接合され樹脂材料を主材料として構成された樹脂部２２２、２３２とを有し、支持部２４、２５は、弾性部２２、２３のシリコン部２２１、２３１と接続しシリコンを主材料として構成されたシリコン部２４１、２５１を備え、半導体回路５２は、支持部２４のシリコン部２４１に設けられている。【選択図】図３
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150
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2008-076745
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H180921
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、アクチュエータの製造方法、光スキャナおよび画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】製造の容易化を図りつつ振動特性の設定値からのずれを防止することができるアクチュエータ、そのアクチュエータの製造方法、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明にかかるアクチュエータ１は、質量部２１と、支持部２２と、１対の弾性部材２４２１、２４２２で構成された弾性部２４２を備えた連結部２４と、１対の弾性部材２５２１、２５２２で構成された弾性部２５２を備えた連結部２５と、弾性部材２４２１、２４２２、２５２１、２５２２に接合された圧電素子４１〜４４とを有し、圧電素子４１〜４４は、それが接合されている弾性部材の幅よりも大きい幅を有し、その弾性部材の幅方向の全域を覆うように接合されていることを特徴とする。【選択図】図１
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151
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2008-078475
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H180922
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新光電気工業株式会社
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電子部品装置
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A2
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PI01 PHX
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【課題】電子部品がパッケージ内に気密封止されて実装される電子部品装置において、生産性がよく小型化を図ることができる電子部品装置を提供する。【解決手段】シリコン基板１０ａに貫通電極１４が設けられ、貫通電極１４に接続された電極ポスト２０がシリコン基板１０ａの上側に立設した構造のシリコンパッケージ部５と、電極ポスト２０の上に実装され、接続端子３２ｂが電極ポスト２０の先端部に接続された電子部品３０と、シリコンパッケージ部５の周縁側に接合され、電子部品３０を気密封止して収容する収容部Ｓを構成するキャップパッケージ部４０ａとを含む。【選択図】図５
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152
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2008-078617
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H190604
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キヤノン株式会社
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構造体の製造方法
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A4
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DA01.DC01 PB01
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【課題】ハードマスクの除去を必要としない構造体の製造方法を提供する。【解決手段】酸化ケイ素を有する構造体の製造方法である。基板上に、有機ＳＯＧからなる第一の層を形成する工程と、この第一の層の上に、無機ＳＯＧからなる第二の層を形成する工程を有する。その後、第二の層に形成された前記パターンをマスクとして、第一の層をエッチングし、第一の層と第二の層とを焼成することにより、酸化ケイ素を有する構造体を作製する。【選択図】図１
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153
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2008-079461
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H180922
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株式会社東芝
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ＭＥＭＳ装置
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A4
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DB01 DB05
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【課題】変位量を再現性良く高精度で制御可能なＭＥＭＳ装置を提供する。【解決手段】基板１０上に固定された第１固定端６０から、基板１０から離間した第１接続端６２間で延伸する第１梁４０ａと、第１接続端６２から第１梁４０ａに沿って折り返され、基板１０から離間した第１作用端６４まで延伸する第２梁４０ｂとを有する第１圧電アクチュエータと、第１固定端６０から離間して基板１０上に固定された第２固定端７０から、基板１０から離間した第２接続端７２まで延伸する第３梁４２ａと、第２接続端７２から第３梁４２ａに沿って折り返され、基板１０から離間した第２作用端７４まで延伸する第４梁４２ｂとを有する第２圧電アクチュエータとを備え、第１及び第２作用端６４、７４が基板１０の表面に垂直な方向において互いに対向して配置される。【選択図】図１
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154
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2008-080306
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H180929
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株式会社日立製作所
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化学合成装置
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A4
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DC01
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【課題】マイクロリアクタを利用しても生産量を増大させ、生成物の品質を向上する。【解決手段】マイクロ流路を有したマイクロリアクタ１０１を備えた化学合成装置において、複数個並列に配置されたマイクロリアクタ１０１と、原料を貯留する原料タンクと、原料を送液するポンプ１０５と、各マイクロリアクタの入口側及び出口側に配置された入口側電磁弁１０４及び出口側電磁弁１０５と、マイクロリアクタの温度を検出する温度センサ１０２と、ポンプ１０５の出口側に設置された圧力計１０６と、を備え、温度センサ１０２及び圧力計１０６で検出された値に関連して、入口側電磁弁１０４及び出口側流路電磁弁１０７の開閉並びにポンプ１０５の流量制御を行う。【選択図】図１
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155
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2008-080430
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H180927
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富士通株式会社
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マイクロ構造体製造方法およびマイクロ構造体
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A4
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DA04 DB03 DD01 DD02 PI03
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【課題】二つの構造部を連結する部位を備えるマイクロ構造体を製造するのに適した方法およびマイクロ構造体を提供する。【解決手段】本発明のマイクロ構造体Ｘ１は、第１加工層と、第２加工層と、当該第１および第２加工層の間に介在する中間層とを少なくとも含む積層構造を有する材料基板に対して加工を施すことにより製造されたものであり、例えば、構造部１と、構造部１に対してギャップＧを介して対向する部位を有する構造部２と、第１加工層において中間層に接する箇所に形成され、且つ、ギャップＧを横断して構造部１，２を連結する、連結部３と、第１加工層または第２加工層において中間層に接する箇所に形成され、且つ、構造部１から構造部２側に延出するか或は構造部２から構造部１側に延出する、防護部４と、を備える。【選択図】図１
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156
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2008-080442
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H180927
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株式会社東芝
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電子部品およびその製造方法
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A4
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DB01 DB05 PI02
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【課題】可動素子と固定素子とが混載されているとともにそれら各素子の構成材料および製造工程の共通化が図られた電子部品を提供する。【解決手段】第１の導電体３と第１の誘電体膜１７および第２の導電体２４とが、絶縁層５内に一旦設けられた犠牲層を除去することにより絶縁層５内に形成された空洞３６を介して対向配置されているとともに、第１の導電体３と第２の導電体２４との間隔を変化させるアクチュエータ１３を備える可動素子３７と、導電体層７と第３の導電体２５との間に第２の誘電体膜１８を挟んでなる固定素子３８とが、１枚の半導体基板１上に混載されている。犠牲層と導電体層７、第１の誘電体膜１７と第２の誘電体膜１８、第２の導電体２４と第３の導電体２５とは、それぞれ同じ材料および同じ工程により併行して設けられている。【選択図】図１３
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157
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2008-080444
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H180927
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株式会社東芝
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ＭＥＭＳ素子製造方法およびＭＥＭＳ素子
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A2
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PB02 PB04 PI01
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【課題】大きな作動力および高感度のＭＥＭＳ素子を製造すること。【解決手段】基板と、第１絶縁層と、素子層が積層されたＳＯＩ基板の前記素子層に回路層を形成すると共に、前記回路層が形成されていない前記素子層上に前記回路層に電気的に接続された導電性の梁を含む第２絶縁層を形成するＭＥＭＳ素子形成工程と、前記第２絶縁層の一部および前記素子層の一部を異方性エッチングにより除去する第１除去工程と、前記第２絶縁層に前記素子層に通じる開口部を形成して、前記開口部を通じて導電性の梁の下方に存在する前記素子層を、等方性エッチングにより除去する第２除去工程と、前記第２絶縁層を除去して前記導電性の梁を露出させると共に、前記導電性の梁の下方に存在する前記第１絶縁層を除去する第３除去工程と、を備える。【選択図】図３
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158
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2008-082961
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H180928
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住友ベークライト株式会社
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マイクロ流路デバイス
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A4
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DC01 DE01 DEX
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【課題】気泡を巻き込まないようにマイクロ流路もしくはマイクロチャンバーに流体を流すことができるマイクロ流路デバイスを提供すること。【解決手段】マイクロ流路及びマイクロチャンバーを有し流体を流すためのマイクロ流路デバイスであって、流体が重力方向と逆向きにマイクロ流路もしくはマイクロチャンバーを流れる部分を有するマイクロ流路デバイスであって、好ましくは、流体が重力方向と逆方向に流れるマイクロ流路もしくはマイクロチャンバーの断面形状の幅が１μｍ以上１ｍｍ以下で深さが１μｍ以上１ｍｍ以下であることをマイクロ流路デバイス。【選択図】図１
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159
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2008-083122
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H180926
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松下電工株式会社
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可動構造体及びそれを備えた光学素子
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A4
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DA02 DA04
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【課題】可動構造体において、素子サイズを小さく保ちつつ、可動板に大きなトルクを加えて可動板の振れ角を大きくさせる。【解決手段】光学素子１は、光を反射するためのミラー膜２ａが形成された略円形の可動板２と、可動板２の周囲を囲むように形成されたフレーム部３を有している。可動板２は、その両側部に配された捻りバネ４によりフレーム部３に支持されており、この捻りバネ４を捻りながら回動可能に構成されている。可動板２の側端部とその側端部に対向するフレーム部３の部位には櫛歯電極５が設けられている。櫛歯電極５を構成する櫛歯２ｃ，３ｃの櫛歯長は、可動板２の中央部側から捻りバネ４に掛けて次第に長くなるように構成されている。素子サイズは小さいままで、櫛歯電極５の静電容量を大きくすることができ、可動板に大きなトルクが加えられる。【選択図】図１
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160
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2008-086067
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H180926
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松下電工株式会社
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可動構造体及びそれを備えた光学素子
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A4
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DA02 DA04
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【課題】可動構造体において、櫛歯の長さを長くしても櫛歯同士が接触しにくいようにし、可動板の振れ角を大きくさせる。【解決手段】光学素子は、光を反射するためのミラー膜が形成された可動板２と、可動板２の周囲を囲むように形成されたフレーム部を有している。可動板２は、その両側部に配された捻りバネによりフレーム部に支持されており、この捻りバネを捻りながら回動可能に構成されている。可動板２の側端部とその側端部に対向するフレーム部３の固定電極部３ｂには櫛歯電極５が設けられている。櫛歯電極５を構成する櫛歯２ｃ，３ｃは、その根元部から先端部にかけて幅が漸次細くなるテーパ形状に形成されている。櫛歯２ｃ，３ｃは、共振周波数が大きく、撓みにくくなるので、櫛歯２ｃ，３ｃ同士は接触しにくい。櫛歯２ｃ，３ｃの櫛歯長を長くして櫛歯電極５の静電容量を大きくすることができ、可動板２に大きなトルクを加えることができる。【選択図】図３
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161
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2008-086888
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H180929
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富士フイルム株式会社
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流路構造体、該流路構造体を備えたマイクロデバイス、及びそれを用いた気泡除去方法
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A4
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DC01
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【課題】簡単な方法及び構成で、液体中の気泡を捕捉又は除去でき、液体を微細な流路内に安定かつ均一に供給できる。【解決手段】流通する液体中の気泡を捕捉する機能を備えた流路構造体であって、第２の滞留部２８と、第２の滞留部２８に連通する複数の流路と、を備え、複数の流路のうち、少なくとも１つの流路が第２の滞留部２８に液体を供給する供給流路２６であり、供給流路２６以外の流路が第２の滞留部２８内の液体を排出する第２の分岐流路３０Ａ〜３０Ｄであり、第２の滞留部２８の上部には、供給流路２６から第２の滞留部２８内に供給した第２の液体Ｌ２中の気泡６４を捕捉する気泡捕捉手段が設けられている。【選択図】図４
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162
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2008-086889
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H180929
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富士フイルム株式会社
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流体混合方法及びマイクロデバイス並びにその製作方法
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A4
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DC01
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【課題】複数種類の流体を混合する混合場であるマイクロ空間を狭小にすることができ、狭小な混合場の一点に交差するように流体同士を混合することができるので、均一且つ迅速な混合を行うことができる。【解決手段】各供給流路１２、１４は、該各供給流路の中心軸が混合場１８の一点で交差するように混合場１８の回りに放射状に配置され、混合場１８に接続される各供給流路１２、１４の先端部には、流体の流れを縮流するように先端部のうちの少なくとも一部にテーパー６０が形成され、テーパー６０は、放射状に配置された各供給流路１２、１４の流路先端同士を繋いで仮想円を描いたときの相当直径Ｄ１が、テーパー６０を形成しないで各供給流路１２、１４の流路先端同士を繋いで仮想円を描いたときの相当直径Ｄ２よりも小さくなるように形成されている。【選択図】図３
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163
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2008-088017
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H181002
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株式会社アルバック
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ガラス基板のエッチング方法
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A4
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PB02 MF02
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【課題】シリコンマスクの作製を容易に行うことができるとともに作業性の向上を図ることができるガラス基板のエッチング方法を提供する。【解決手段】シリコン基板をマスクとするガラス基板のドライエッチング方法において、ガラス基板１２の表面にシリコン基板１１を接合する工程と、ガラス基板１２上でシリコン基板１１からなるシリコンマスク１１Ｍを形成する工程と、シリコンマスク１１Ｍを介してガラス基板１２をエッチングする工程と、シリコンマスク１１Ｍをガラス基板１２から除去する工程とを有する。これにより、ガラス基板１２に対するシリコンマスク１１Ｍの作製を容易に行うことができるとともに、マスク形成後の接合作業を廃止できるので加工プロセスを簡素化でき、作業性の向上を図ることが可能となる。【選択図】図１
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164
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2008-089350
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H180929
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東京エレクトロン株式会社
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プローブカードおよび微小構造体の検査装置
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A4
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AEX
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【課題】微小構造体の可動部に対して音波を出力してその特性を評価する検査装置において、音源に過大な入力を必要とせず、正常に特性の動的試験を行うことができる検査装置を提供する。【解決手段】ウエハ８に形成された微小構造体の可動部１６ａに対してテスト音波を出力して、微小構造体の特性を評価する評価手段と接続されるプローブカード４であって、テスト時においてウエハ８に形成された可動部１６ａの動きに基づく電気的変化量を検出するために、ウエハ８に形成された微小構造体の検査用電極と電気的に接続されるプローブ４ａと、テスト音波の反射又は干渉を抑制する吸音材１１、遮蔽部１８及びホーン１９の少なくとも１つと、を備える。吸音材１１に代えて、又は吸音材１１に加えて拡散部を備えてもよい。また、微小構造体の検査装置は吸音材１１、遮蔽部１８又はホーン１９を有するプローブカード４を備える。【選択図】図１６
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165
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2008-089497
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H181004
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大日本印刷株式会社
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力学量検出センサおよびその製造方法
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A4
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DD01 DD02
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【課題】半導体からなるトランデューサ構造体とガラス基板との陽極接合の際に、錘部とガラス基板との接合を防止することが可能な力学量検出センサを提供する。【解決手段】力学量検出センサが、固定部と、変位部と、接続部とを有する第１の構造体と、前記変位部に接合される重量部と、前記重量部を囲んで配置され、かつ前記固定部に接合される台座とを有する第２の構造体と、絶縁性材料から構成され、かつ前記第１の構造体と前記第２の構造体とを接合する接合体と、前記第２の構造体に積層配置され、絶縁性材料から構成され、前記重量部との対向面に配置される導電性部材を有する基体と、前記固定部と前記台座とを電気的に接続する第１の導通部と、前記変位部と前記重量部とを電気的に接続する第２の導通部とを具備し、前記基体が、少なくとも前記基体と前記第２の構造体との接合時に、前記導電性部材と前記台座とを電気的に接続する導電部を有する。【選択図】図１
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166
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2008-089932
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H180929
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ブラザー工業株式会社
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光走査装置及びそれを備えた画像表示装置並びに網膜走査型画像表示装置、及び光走査素子の駆動方法
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A4
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DA02 DA04
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【課題】ねじり振動による共振振動によってミラー部を揺動状態にて共振振動させて光を走査する光走査素子であり、かつ、ねじり振動の共振周波数の低域側と高域側とに、縦振動又は横振動の副次的な共振振動が発生する第１共振周波数と第２共振周波数がある光走査素子において、副次的な共振振動によって損傷することを防止する。【解決手段】光走査素子を振動させる駆動信号の周波数を第１共振周波数と第２共振周波数との間の周波数であって、ねじり振動の共振周波数よりも高い特定周波数に設定して駆動信号の出力を開始し、その後駆動信号の出力が開始された後、出力している駆動信号の周波数をねじり振動の共振周波数に移行させるようにした。【選択図】図１１
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167
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2008-090299
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H190919
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三星電機株式会社
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温度適応型光変調器素子
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A4
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DA04
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【課題】周りの温度にかかわらず効率的に作動することのできる温度適応型光変調器素子を提供する。【解決手段】本発明の温度適応型光変調器素子は、上部がドーピングされた基板２９５と、中央部分が基板２９５と所定の間隔を置いて位置する構造物層２８０と、構造物層２８０上に位置して構造物層２８０の中央部分を上下に動かす圧電層２４０と、構造物層２８０の中央部分の上部に位置して入射光を反射して回折させる上部反射層２７０と、基板２９５上に位置して入射光を反射して回折させる下部反射層２８７とを備えていることを特徴とする。【選択図】図２
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2008-090300
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H190919
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三星電機株式会社
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ヒータを用いた温度適応型光変調器素子
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A4
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DA04
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【課題】周りの温度にかかわらず効率的に作動することのできる温度適応型光変調器素子を提供する。【解決手段】本発明の温度適応型光変調器素子は、基板２９５と、中央部分が基板２９５と所定の間隔を置いて位置する構造物層２８０と、構造物層２８０上に位置して構造物層２８０の中央部分を上下に動かす圧電層２４０と、構造物層２８０の中央部分の上部に位置して入射光を反射して回折させる上部反射層２７０と、基板２９５上に位置して入射光を反射して回折させる下部反射層２８７と、構造物層２８０の上部及び圧電層２４０の側面に位置して所定の印加電圧によって熱を発生するヒータ２０５とを備えていることを特徴とする。【選択図】図２
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2008-091167
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H180929
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株式会社東芝
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マイクロメカニカルデバイス
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A4
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DB01
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【課題】圧電膜に鉛系の材料を用いず、作製が容易であり、スティッキングが発生してもそれを解消することが可能な圧電駆動アクチュエータを備えたマイクロメカニカルデバイスの提供。【解決手段】基板１上に設けられ、圧電膜４と、圧電膜４の基板１に対向する面に設けられた下部電極３と、圧電膜４の下部電極３が設けられた面に対向する面に設けられた上部電極５とを有し、基板１上に固定された固定部１０ａと、固定部１０ａから延在した作用部１０ｂとを備えたアクチュエータ１０と、下部電極３と上部電極５との間に電圧を印加する電圧印加手段１３と、印加される電圧の極性を切り替える極性切替手段１４と、を備える。【選択図】図１
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2008-091334
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H190926
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セイコーエプソン株式会社
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ＭＥＭＳパッケージおよびその製造方法並びにＭＥＭＳパッケージを含む集積回路
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A4
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PHX
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【課題】犠牲材料層の全エッチング時間を減らし、ＭＥＭＳデバイス用の強化保護キャップ構造を提供するＭＥＭＳデバイス用の低コストウェハレベルパッケージング技術を提供する。【解決手段】キャップ構造４は、基板２上に形成されたＭＥＭＳ素子１を封入して構成される。第１の流路９は、エッチング液１２の前記ＭＥＭＳ素子を収納した室３への通路として、前記キャップ構造４上に設けられたエッチングのための流入孔８、流出孔７と連通する。前記流入孔８、流出孔７は、それらが重なり合わないように配置され、それによって、前記ＭＥＭＳ素子１の上方に多数のエッチング孔を設けることができ、封止材料１０が前記ＭＥＭＳ素子に達することを防ぐ。【選択図】図１
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2008-091417
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H180929
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セイコーインスツル株式会社
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真空パッケージ及び電子デバイス並びに真空パッケージの製造方法
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A4
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DD01 DD02 PHX
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【課題】フィードスルー部を確実に確保しながら、半導体基板とリッド基板との接合強度及び密閉室内の真空度が高い真空パッケージとその製造方法を提供する。【解決手段】第１のリッド基板２に排気孔１４及び貫通孔１２を形成する工程と、半導体基板４に排気溝１１及び収納室１０を形成する工程と、半導体基板に排気溝に連通する密閉室５、枠部４ａ及び収納室を一端側に有する支柱部４ｂを形成する工程と、第１のリッド基板及び第２のリッド基板３を半導体基板に接合する接合工程と、排気溝及び排気孔を介して密閉室を真空にする工程と、排気溝を塞ぐ膜厚で絶縁膜１３を成膜して密閉室を封止する工程と、収納室及び貫通孔を埋めるように導電性材料をめっきしてフィードスルー部を形成する工程とを備え、排気溝よりも深く収納室を形成することで、絶縁膜の一部が収納室内に落ち込んで収納され、該絶縁膜が分断される製造方法とする。【選択図】図１
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2008-091845
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H181127
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日立金属株式会社
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半導体センサー装置およびその製造方法
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A4
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DD01 DD02 DD03 PGX
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【課題】ＭＥＭＳ基板を気密封止する半導体センサー装置において、気密封止するキャップ基板をグラインディング、ダイシングにより個片化する工程で、キャップチップが破損する可能性がある。【解決方法】ＭＥＭＳ基板の上下面にキャップ基板を接合した後、ウェットエッチングで薄肉化と個片化する方法で、キャップチップの破損を防止することができた。また、キャップチップ側面を２面以上とし側面角部を鈍角とすることで、モールド樹脂材料に入るクラックを低減できた。【選択図】図４
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173
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2008-093761
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H181010
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ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
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選択シリコン融解ボンディングのための表面準備
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A4
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PG02
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【課題】シリコン基板上に形成される機構構造体に可動パーツを有するＭＥＭＳデバイスにおいて、可動パーツのシリコン基板への貼り付きを防止できる機構構造体構造とその製造方法を提供する。【解決手段】シリコンカバー構造体に形成された実質的に平滑で平らな接触表面１１２，１１３を各々備えた一対のシリコンカバー構造体１０５、１０６と、間隔が隔てられ実質的に平行で、平滑で平らな接触表面で形成され、相対的にそこに固定されたフレーム部分１０９に対して運動可能に懸垂されたパーツ１０７と、前記カバーの接触表面と前記機構構造体の可動パーツの対応する表面との間に配置された比較的粗い表面１１４，１１５と、を含み、前記カバー構造体の接触領域が、機構フレームの各々の接触表面とシリコン融解ボンディング・ジョイントＢを形成するように構成する。【選択図】図３
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2008-093801
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H181013
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松下電工株式会社 須賀 唯知
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封止接合性能評価装置、封止接合性能評価装置の製造方法、封止接合性能評価方法、及び封止接合性能評価システム
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A4
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AL
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【課題】封止接合の封止性能を簡易的に評価する。【解決手段】開口部３を有するフレーム部４と、フレーム部４の開口部３内に支持された複数の振動体５ａ，５ｂ，５ｃと、フレーム部４の上面に形成された光透過性のキャップ部６と、フレーム部４の下面に接合されたシリコン基板７とを備え、開口部３はキャップ部６とシリコン基板７とにより気密封止されている。そして、振動体５ａ，５ｂ，５ｃを振動させ、キャップ部６を介して振動体５ａ，５ｂ，５ｃに光を照射し、振動体５ａ，５ｂ，５ｃにおいて反射した光を受光し、受光した光から振動体の共振特性を測定し、測定された共振特性から開口部３内の真空度を算出する。【選択図】図２
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175
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2008-093812
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H181016
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セイコーエプソン株式会社
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ＭＥＭＳ・半導体複合回路及びＭＥＭＳ素子
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A2
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PI01 PI02
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【課題】製造時間の短縮及び製造コストの低減を図る。【解決手段】基板１０上の空間Ｓに配置されたＭＥＭＳ構造体３０と、基板上の絶縁膜と配線の積層構造と、配線上の表面保護膜と、表面保護膜の開口部により配線の一部が露出してなる接続パッドとを有するＭＥＭＳ素子の製造方法であり、少なくとも一部が犠牲層１１上に形成された態様でＭＥＭＳ構造体が形成される工程と、ＭＥＭＳ構造体上及びそれ以外の他の位置に絶縁膜１３，１５が形成される工程と、他の位置の絶縁膜上に配線１４，１６が形成される工程と、配線上に表面保護膜１７，１８を形成する保護膜形成工程と、表面保護膜を部分的に除去して接続パッドを形成すると同時にＭＥＭＳ構造体の上方に開口凹部Ｐを形成する開口工程と、開口凹部を通して犠牲層が除去されることによりＭＥＭＳ構造体がリリースされるリリース工程と、を具備する。【選択図】図３
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176
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2008-096620
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H181011
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ＮＴＴエレクトロニクス株式会社
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マイクロミラー、そのマイクロミラーを搭載するＭＥＭＳ及びそのＭＥＭＳの製造方法
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A4
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DA04 PGX
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【課題】従来の高充填比の可動ミラーを持つマイクロミラーは、可動ミラーの可動方向が制限されており、これを回避するためには複雑な構造が必要となり、製造コストが上昇するという課題があった。そこで、本発明は、二軸回転の自由度が大きい可動ミラーを高充填比で有する簡易な構造のマイクロミラー、そのマイクロミラーを搭載するＭＥＭＳ及び低コストでそのＭＥＭＳを製造できる製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係るマイクロミラーは、二つの支点間に並べられた３枚の平板をヒンジで連結した構造であり、中央の平板の両端には二軸回転が可能なヒンジを使用している。【選択図】図４
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177
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2008-096672
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H181011
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日本電信電話株式会社
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光スイッチ
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A4
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DA01 DA04
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【課題】偏向素子の最適な姿勢を正確に探索することができる光スイッチを提供する。【解決手段】探索設定部８１の測定部８１ａは、サンプリング時間間隔でミラー２３０のドリフト量を測定する。範囲設定部８１ｂは、そのドリフト量以上、すなわちドリフト量よりも広くなるように探索範囲を設定する。この探索範囲に基づいて、摂動部８２により摂動電圧が設定される。また、時間設定部８１ｃは、予め設定された出力光のパワーの損失量に対応するミラー２３０の傾動角度の範囲を、サンプリング時間当たりのドリフト量で除した値以下に探索時間を設定する。このように、探索範囲を設定することにより、ドリフトが生じた場合であっても、このドリフトよりも広い範囲で出力光の光強度のピークを探索することが可能となるので、ミラー２３０の最適な姿勢をより正確に探索することができる。【選択図】図１
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178
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2008-096674
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H181011
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日本電信電話株式会社
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光スイッチ
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A4
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DA01 DA04
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【課題】ミラーを最適な回動角に駆動させることができる光スイッチを提供する。【解決手段】検出部５２は、駆動部５１によりミラー装置３ａ，３ｂのミラーを摂動させて、最適な駆動電圧を検出する。補正部５３は、その最適な駆動電圧に基づいてＬＵＴ５４ｂを補正する。これにより、ミラー２３０のドリフトや温度などの環境変化等によりミラー２３０の最適な回動角が変化した場合であっても、ミラー２３０を最適な回動角に駆動させることができる。【選択図】図１
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179
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2008-096750
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H181012
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】省電力化を図りつつ、梁を大きく曲げ変形させることができるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータは、長手形状をなす梁２３２１と、梁２３２１に接合された圧電素子４１１〜４１４とを有し、圧電素子４１１〜４１４に通電して圧電素子４１１〜４１４を伸縮させることにより、梁２３２１を曲げ変形させるように構成され、圧電素子４１１〜４１４のそれぞれについて、その圧電素子の伸縮方向に間隔を隔てて設けられ、その圧電素子と梁２３２１とを接合する１対の接合部５１１、５１２と、圧電素子４１１〜４１４のそれぞれについて、１対の接合部５１１、５１２の間でかつその圧電素子と梁２３２１との間に形成された空間部５１３とを有している。【選択図】図４
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180
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2008-099004
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H181012
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ローム株式会社
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静電容量型センサの製造方法および静電容量型センサ
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A4
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DD04 PI02 PC01
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【課題】シリコン基板を表面側からエッチングすることができる、静電容量型センサの製造方法および静電容量型センサを提供する。【解決手段】シリコン基板２の表面上に、保護層４がパターン形成された後、保護層４が形成されていない保護層非形成領域と対向し、その保護層非形成領域の一部が露出するように、第１金属層５が形成される。その後、第１金属層５上に、第１絶縁層８、金属犠牲層、第２絶縁層１５、第２金属層１２がこの順に形成される。そして、金属犠牲層に金属エッチング液が供給されることにより、金属犠牲層が除去される。また、金属犠牲層が除去された部分から、金属犠牲層の除去によって露出した保護層非形成領域を介して、シリコン基板２にシリコンエッチング液が供給される。これにより、シリコン基板２の一部が除去されて、裏面側ほど寸法が小さくなる断面台形状の貫通孔３が形成される。【選択図】図１
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181
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2008-099020
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H181012
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三洋電機株式会社
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マイクロメカニカル共振器
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A4
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DB02
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【課題】共振周波数の微調整を行なうことが可能なマイクロメカニカル共振器を提供する。【解決手段】本発明に係るマイクロメカニカル共振器は、基板９上に両端部が支持された共振ビーム52と、該共振ビーム52の両端部間の軸部に対向して配置された２つの電極１、２とを具え、共振ビーム52の両端部間にて、一方の電極１と共振ビーム52とが互いに対向して、１或いは複数のギャップ部が形成されると共に、他方の電極２と共振ビーム52とが互いに対向して、１或いは複数のギャップ部が形成される。ここで、共振ビーム52の両端部の内、少なくとも何れか一方の端部は、共振ビーム52の軸方向とは直交する面内での移動が拘束されると共に、共振ビーム52の軸方向の変位は可能に支持されており、該端部と対向してバイアス電極４が配備され、該バイアス電極４に印加すべきバイアス電圧の調整が可能となっている。【選択図】図１
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182
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2008-099042
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H181013
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学校法人立命館 三洋電機株式会社
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マイクロメカニカル共振器
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A4
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DB02
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【課題】基板９上に両端部が支持された共振ビーム52と、該共振ビーム52を挟んで両側に配置された２つの電極とを具え、共振ビーム52の両端部間にて、一方の電極と共振ビーム52とが互いに対向して、１或いは複数のギャップ部が形成されると共に、他方の電極と共振ビーム52とが互いに対向して、１或いは複数のギャップ部が形成されているマイクロメカニカル共振器において、１次の共振モードの振動を抑えて高次の共振モードの振動を増大させる。【解決手段】本発明に係るマイクロメカニカル共振器においては、共振ビーム52に対して各ギャップ部を介して作用する静電気力の変動幅が、共振ビーム52の中央部近傍のギャップ部で最も小さく且つ両端部近傍のギャップ部で最も大きくなる様に設定されている。【選択図】図１
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183
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2008-100163
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H181019
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大日本印刷株式会社
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マイクロリアクターおよびその製造方法
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A4
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DC01 PJ06
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【課題】高効率の触媒反応を可能とする信頼性の高いマイクロリアクターと、このマイクロリアクターを簡便に製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】マイクロリアクターを、１組の金属基板が接合された接合体と、この１組の金属基板の少なくとも一方の基板の接合面に形成された微細溝部で構成されたトンネル状流路と、このトンネル状流路に連通している原料導入口およびガス排出口と、トンネル状流路に形成された触媒担持層と、この触媒担持層に担持された触媒と、接合体の少なくとも１つの面にセラミックス絶縁層を介して配設された発熱体とを備えるものとし、セラミックス絶縁層を備える接合体の表面の中心線平均粗さ（Ｒa）を０．０５〜０．１０μｍの範囲、１０点平均粗さ（Ｒz）を０．４μｍ以下とする。【選択図】図２
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184
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2008-100325
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H181020
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セイコーエプソン株式会社
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ＭＥＭＳ・半導体複合回路及びその製造方法
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A2
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PI01
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【課題】半導体基板上に設けられる層構造を平坦化しやすく、しかも、半導体素子部の素子構造とＭＥＭＳ構造体の相互間の影響を受けにくい構造を実現する。【解決手段】本発明のＭＥＭＳ・半導体複合回路は、半導体基板１０と、該半導体基板の表層部に設けられたＭＥＭＳ構造体３０Ｓ及び半導体素子部２０とを有し、前記半導体基板の前記表層部には、前記ＭＥＭＳ構造体の前記半導体基板に対する素子分離を行うための表面凹部及びその内部に配置された絶縁体よりなるＭＥＭＳトレンチ構造３１と、前記半導体素子部の素子分離を行うための素子境界部に設けられた表面溝及びその内部に配置された絶縁体よりなる境界トレンチ構造２１とが形成され、前記ＭＥＭＳトレンチ構造内の前記絶縁体３１ｄの表面３２ａは前記半導体基板の基板表面１０ａより低く構成され、該絶縁体の表面上に前記ＭＥＭＳ構造体が形成されている。【選択図】図３
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185
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2008-100342
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H190615
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三星電子株式会社
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マイクロアクチュエータのコイル製造方法
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A4
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DA04 PJ06
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【課題】マイクロアクチュエータのコイル製造方法を提供する。【解決手段】基板１００を準備する工程、基板１００の上側にコイルを形成するための複数のトレンチ１１２を形成する工程、基板１００の上側の複数のトレンチ１１２を除いた残余部分を遮蔽剤１２０で覆う工程、複数のトレンチ１１２に導電性物質１３０を電気メッキする工程、及び基板１００上にパッシベーション層を形成する工程を含むマイクロアクチュエータのコイル製造方法である。これにより、ウェーハの反りを最小化してコイルの断面積の変化を減らすことによって、コイル駆動に印加される駆動電流及び消費電力を減少させうる。【選択図】図２Ｄ
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186
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2008-100347
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H191019
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ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
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モノリシック集積回路を有するマイクロメカニカルエレメント、ならびにエレメントの製造方法
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A2
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DD01 PI01 PI03
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【課題】モノリシック集積回路とりわけ評価回路を有するマイクロメカニカル構造体を比較的コンパクトかつ低コストで製造することを可能とする方法を提供する。【解決手段】基板とマイクロメカニカル構造体と集積回路とを有するマイクロメカニカルエレメントであって、集積回路は基板２０の回路領域２１内に設けられ、マイクロメカニカル構造体はセンサ領域２２に設けられている。従来は犠牲層を除去するときにエッチングをストップさせる停止層を設ける必要があったが、基板２０は犠牲層の領域４８と機能層の領域４９とを分離する層を有していない単一の材料とする。【選択図】図１４
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187
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2008-103776
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H200118
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セイコーエプソン株式会社
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ダイシング方法およびマイクロマシンデバイス
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A4
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PJ03
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【課題】能動素子の信頼性を損なうことなく製造することができ、かつ作業性を向上させることができるダイシング方法および能動素子の信頼性が維持されたマイクロマシンデバイスを提供すること。【解決手段】まず、基板２上に複数の能動素子３が設置されたウエハー１に対し、保護部材４を接合し、能動素子３を非接触で覆う。保護部材４は、板状部材５と、該板状部材５と基板２との間に所定の間隙を形成するためのスペーサ６とで構成されており、全体として水不透過性を有している。ウエハー１を保護部材４とともに切断（ダイシング）して複数に分割する。この切断は、高速で回転する回転刃１０を用いて流水を供給しつつ行なわれる。切断位置は、スペーサ６の存在する部位である。また、基板２およびスペーサ６は、切断され、板状部材５は、その厚さ方向の一部を残して切断される。【選択図】図３
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188
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2008-103777
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H181017
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学校法人立命館 三洋電機株式会社
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マイクロメカニカル共振器
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A4
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DB02
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【課題】基板９上に両端部が支持された共振子５と、該共振子５に対向して配置された２つの電極１、２とを具え、一方の電極１と共振子５とが互いに対向して、１或いは複数のギャップ部が形成されると共に、他方の電極２と共振子５とが互いに対向して、１或いは複数のギャップ部が形成されているマイクロメカニカル共振器において、低インピーダンス化を図る。【解決手段】本発明に係るマイクロメカニカル共振器において、共振子５は、基板９上に、互いに並列の位置関係に配置された複数本の共振ビーム５２、５３、５４を具え、各共振ビームの両端部が基板９上に支持されると共に、隣接する共振ビームどうしが、それぞれの振動の腹の位置若しくはその近傍位置にて互いに連結されている。【選択図】図１
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189
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2008-105112
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H181024
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セイコーエプソン株式会社
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ＭＥＭＳデバイス
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A2
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PI02
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【課題】ＭＥＭＳ構造体と半導体基板との間の寄生容量を低減させるＭＥＭＳデバイスを提供する。【解決手段】半導体基板１０上に絶縁層４０を介して形成された固定電極２０と可動電極２６とを有するＭＥＭＳ構造体３０が備えられたＭＥＭＳデバイスにおいて、固定電極２０の下方の絶縁層４０にＳＯＧ膜１２を備えている。ＳＯＧ膜１２を形成することで容易に厚い絶縁層４０を形成することができ、ＭＥＭＳ構造体３０と半導体基板１０の間の間隔が大きくなるため、この間に生ずる寄生容量を低下させることができる。【選択図】図１
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190
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2008-105157
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H181027
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セイコーエプソン株式会社
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ＭＥＭＳ・半導体複合回路の製造方法
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A2
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PI01 PI02
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【課題】ＭＥＭＳ構造体を形成するための犠牲層及びこれに接するように設けられる構造層を半導体素子の構成要素の製造プロセスと一体化することにより、性能を犠牲にせずに、プロセス数の低減により製造コストを削減する。【解決手段】本発明は、半導体基板１０と、半導体基板の表層部に設けられたＭＥＭＳ構造体２０Ｓ及び半導体素子３０Ｓと、を有するＭＥＭＳ・半導体複合回路の製造方法において、犠牲層２３が形成されると同時に素子絶縁膜３１が形成される第１形成工程と、犠牲層に接するようにＭＥＭＳ構造層２４が形成されると同時に素子電極層３２が形成される第２形成工程と、第１形成工程及び第２形成工程の後に、犠牲層が除去されることによりＭＥＭＳ構造層が動作可能に構成されるリリース工程と、を具備する。【選択図】図３
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191
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2008-105162
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H181027
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株式会社日立製作所
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機能素子
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A4
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PG01
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【課題】ＭＥＭＳによる機能素子のウェハレベルパッケージングにおける、陽極接合による接合部の気密性を向上させ、安価なＭＥＭＳ機能素子を提供する。【解決手段】Ｓｉを主体とする基板を加工法を用いて形成した機能素子と、この機能素子の外周に形成された封止メタライズ膜と、この封止メタライズ膜に陽極接合により接合されるガラス基板を備える。この封止メタライズ膜の表面部には、Ａｌを主成分とするメタライズ膜上に、Ｓｎ、Ｔｉのうち、少なくとも一つを主成分とするメタライズ膜、またはこれらを組み合わせたメタライズ膜が形成されている。【選択図】図１
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192
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2008-106889
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H181027
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株式会社菊池製作所
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マイクロバルブ及びこれを用いたマイクロポンプ
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A4
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DC02 DC03
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【課題】一定の微量の流体を洩れなく、また逆流することなしに送る。【解決手段】マイクロバルブ及びこれを用いたマイクロポンプにおいて、弁体１はステンレス鋼その他の金属材料により、薄膜状の平面形状に形成され、当該平面内に略Ｃ字形の切り欠き１３Ｃを形成されて、リング形状の固定部１１と、フラップ形状の弁部１２とを備える。この場合、弁体１に金メッキなどにより表面処理を施すことが好ましい。【選択図】図１
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193
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2008-107336
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H190927
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独立行政法人産業技術総合研究所 オリンパス株式会社
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センサの製造方法、レゾネータの製造方法
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A4
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DB02 PE01 PE02
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【課題】高い生産性を実現することのできるセンサの製造方法等を提供することを目的とする。【解決手段】ディスク状の振動子と、振動子の外周部にギャップを隔てて配置された駆動電極、検出電極と、を備えたセンサの製造にあたり、振動子と駆動電極、検出電極とのギャップ部分を、電子線照射によりパターン形成する第一のパターン形成工程と、振動子と駆動電極、検出電極とのギャップ部分以外の部分を、ステッパによりパターン形成する第二のパターン形成工程と、を含むようにした。電子線照射によるパターン形成を行うためのアライメントマークＭは、活性Ｓｉ層５３を貫通することのないように形成し、ボックス層５２におけるチャージアップを防ぐようにした。【選択図】図２
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194
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2008-109004
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H181027
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日本電信電話株式会社 エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
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微細構造体の製造方法
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A4
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PB01
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【課題】格段が数１００μｍ程度の深さの多段の溝など、各々が数１００μｍ程度の寸法を備える複数の部分から構成された微細構造体が、より高い精度で形成できるようにする。【解決手段】公知のフォトリソグラフィ技術により、貼り付けられた感光性レジスト膜１０４に開口パターン１４１が形成された状態とする。次に、開口パターン１４１が形成された感光性レジスト膜１０４をマスクとしたドライエッチングにより、半導体基板１０１の溝１０３の底部を選択的にエッチング除去し、溝１０３と同じ方向に延在する溝１０６が、溝１０３の底部に形成された状態とする。【選択図】図１
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195
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2008-110436
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H181031
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アオイ電子株式会社
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ナノピンセットおよびその製造方法
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A1
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DFX
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【課題】汚れにくいナノピンセットの提供。【解決手段】ナノピンセット１は、開閉自在な一対のアーム３と、アーム３の各々に形成された試料把持部３ａと、各アーム３の少なくとも試料把持部３ａを含む領域に形成された撥水性膜とを備えることを特徴とする。撥水性膜には、例えば、導電性を有する撥水性膜や化学吸着単分子膜が用いられる。【選択図】図２
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196
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2008-110494
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H181027
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三菱化学メディア株式会社
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凹凸面を有する部材の製造方法
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A4
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PJX MEX
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【課題】加工精度の良好なマイクロデバイスを簡便に製造する製造方法を提供する。【解決手段】金型１の表面に設けられた凹部１１付近に熱可塑性樹脂シート２を配置し、熱可塑性樹脂シート２を減圧条件下において加熱する減圧加熱工程と、加熱された熱可塑性樹脂シート２に対し、減圧条件からの昇圧に伴う押圧力を用いて熱可塑性樹脂シート２を凹部１１に押し込んで成形する凹形状転写工程と、を有することを特徴とする凹凸面を有する成形体２１の製造方法。【選択図】図１
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197
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2008-111881
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H181027
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セイコーエプソン株式会社
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光学デバイス、光スキャナおよび画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】小型化を図りつつ、可動板をＸ軸およびＸ軸に直交するＹ軸のそれぞれの軸まわりに回動させることのできる光学デバイス、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明の光学デバイス１は、光反射部２１１を備える可動板２１と、支持部２２と、１対の連結部２３、２４と、可動板２１をＸ軸まわりに回動させる第１の駆動手段５と、可動板２１をＹ軸まわりに回動させる第２の駆動手段６とを有し、第２の駆動手段６は、支持部２２を可動板２１とともにＹ軸まわりに回動させる圧電素子６１〜６８を備え、圧電素子６１〜６８のそれぞれは、Ｙ軸から離間した位置で、かつ、可動板２１の厚さ方向へ伸縮するように設けられている。【選択図】図１
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198
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2008-111882
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H181027
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】可動板と１対の軸部材とで構成される振動子の捩り共振周波数を変更することで所望の振動特性を発揮することのできるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること【解決手段】本発明のアクチュエータは、１対の軸部材２３、２４の捩り剛性を変更する剛性変更手段６を有し、剛性変更手段６は、伸縮により１対の軸部材２３、２４にかかる張力を変化させる圧電素子６１、６２を備え、圧電素子６１、６２を介して軸部材２３、２４のそれぞれと支持部２２とを連結し、圧電素子６１、６２を伸縮させることで１対の軸部材２３、２４の捩り剛性を変更するように構成されている。【選択図】図１
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199
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2008-112036
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H181031
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大阪府
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微細構造体の製造方法
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A4
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PIX
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【課題】三次元形状の表面に凹凸を有する微細構造体を容易に効率良く製造することができる微細構造体の製造方法を提供する。【解決手段】基材１上にレジストパターン２ａを形成するパターン形成工程と、レジストパターン２ａをマスクとしてエッチングすることにより基材１の表面に凹部６を形成するエッチング工程とを備え、パターン形成工程は、複数の非レジスト部ＮＲの幅Ｗ１が少なくとも一方向に沿って段階的に変化するようにレジストパターン２ａを形成し、エッチング工程は、レジストパターン２ａの非レジスト部ＮＲの幅Ｗ１が大きいほどエッチング深さが深くなるように凹部６を形成する。【選択図】図１
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200
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2008-112168
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H191026
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スペイシャル フォトニックス， インコーポレイテッド
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非接触マイクロミラー
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A4
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DA04
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【課題】非接触マイクロミラーを製造すること。【解決手段】基板によってサポートされるヒンジと、該ヒンジに対してチルト可能なミラープレートであって、該ヒンジは、該ミラープレートがチルトされていない位置から離れてチルトされる場合に、該ミラープレート上に弾性復元力を生成するように構成されている、ミラープレートと、該弾性復元力を克服して、該ミラープレートを、該チルトされていない位置から「オン」位置まで、または「オフ」位置までチルトするように静電気力を生成するように構成されたコントローラであって、該静電気力は、該弾性復元力に対抗して該ミラープレートを該「オン」位置または該「オフ」位置に保持するように構成されている、コントローラとを備えている、マイクロミラーデバイス。【選択図】図１
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201
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2008-112169
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H191026
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スペイシャル フォトニックス， インコーポレイテッド
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ヒンジを有するマイクロミラー
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A4
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DA04
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【課題】ヒンジを有するマイクロミラーデバイスを提供すること。【解決手段】マイクロミラーデバイスであって、基板によって支持されているヒンジと、ヒンジを中心として傾斜可能なミラープレートとを備え、ヒンジは、約３０％〜７０％の間のチタンの組成を有するチタンニッケル合金、約３０％〜７０％の間のチタンの組成を有するチタンアルミニウム合金、約５％〜２０％の間の銅の組成を有するアルミニウム銅合金、および約０％〜１５％の間の窒素の組成を有する窒化チタンアルミニウムから構成されるグループから選択される材料を含む、マイクロミラーデバイス。【選択図】図１
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202
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2008-114162
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H181106
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大日本印刷株式会社
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マイクロリアクターおよびその製造方法
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A4
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DC01 PGX
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【課題】高効率の触媒反応を可能とする信頼性の高いマイクロリアクターと、このマイクロリアクターを簡便に製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】マイクロリアクターを、原料導入口およびガス排出口が連通した密閉空間を有する容器と、この容器の内部壁面から密閉空間へ突出する複数の突起と、これらの突起及び内部壁面に形成された触媒担持層と、この触媒担持層に担持された触媒とを備えるものとする。【選択図】図２
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203
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2008-114218
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H190927
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キヤノン株式会社
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流体処理装置および流体処理システム
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A4
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DC01
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【課題】多数のノズルから吐出圧力を均一にして流体を衝突させることにより、流体の均一な混合または反応を行うことができる流体処理装置を提供する。【解決手段】流体を流入させる１つの流入口と、該１つの流入口から分岐してＮ個に分かれたＮ個の搬送路と、Ｎ個の搬送路に接続されたＮ個の流出口とを備えた第１のユニットと、第１のユニットに対応して１つの流入口と、Ｎ個の搬送路と、Ｎ個の流出口とを備えた第２のユニットを有し、前記第１のユニットの流出口から流出する第１の流体と、前記第２のユニットの流出口から流出する第２の流体とを接触させて、流体の混合または反応を行う流体処理装置であって、第１のユニットにおける前記Ｎ個の搬送路の長さ及び、第２のユニットにおける前記Ｎ個の搬送路の長さのバラツキが２０％以下である流体処理装置。【選択図】図３
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204
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2008-114319
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H181102
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セイコーエプソン株式会社
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静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置及び静電デバイスの製造方法
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A4
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DCX PGX
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【課題】特に接触面積の大きな電極間の水分除去に有効な処理を行うことができる静電アクチュエータの製造方法等を得る。【解決手段】相対変位可能な可動電極となる振動板２２と、振動板２２と一定の間隔で対向配置され、振動板２２を相対変位させる、表面粗さが１５ｎｍ以下の固定電極となる個別電極１２ａとを少なくとも有する液滴吐出ヘッド等の静電アクチュエータに対し、振動板２２と個別電極１２ａとで形成される空間から水分を除去する工程と、空間を外気と遮断するために、空間の開口部分を封止する工程とを連続して行うものである。【選択図】図１
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205
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2008-114354
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H181108
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セイコーエプソン株式会社
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電子装置及びその製造方法
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A2
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PI-1
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【課題】基板上の空洞内に配置される機能構造体と電子回路を高度に一体化させることで、小型化された電子装置ならびに、基板上の空洞内に配置される機能構造体を電子回路と並行して製造可能とすることで、製造コストを低減することが可能な電子装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板１と、該基板上に形成された機能素子を構成する機能構造体３Ｘと、該機能構造体が配置された空洞部Ｓを画成する被覆構造とを具備する電子装置において、前記被覆構造は、前記空洞部の周囲を取り巻くように前記基板上に形成された層間絶縁膜４，６と配線層５，７の積層構造を含み、前記被覆構造のうち前記空洞部を上方から覆う上方被覆部７Ｙは、前記機能構造体の上方に配置された前記配線層の一部で構成されている。【選択図】図８
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206
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2008-114363
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H190926
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コミツサリア タ レネルジー アトミーク ストミクロエレクトロニクス・ソシエテ・アノニム
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平面基板上に電気機械部品を製造する方法
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A4
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PI02
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【課題】製造が容易で費用が安く特に動作特性の点で最適な性能を有する電気機械部品を製造する。【解決手段】少なくとも（ａ）２つの絶縁領域によって部分的に覆われる１つのシリコン領域を有する基板１５を形成する段階と（ｂ）シリコン領域の覆われていない部分から開始する選択的エピタキシーによってシリコンゲルマニウム合金犠牲層を形成する段階と（ｃ）犠牲層上に配置される１つの単結晶領域と絶縁領域上に配置される２つの多結晶領域とを有し、エピタキシーによって高濃度にドーピングされたシリコン層を形成する段階と（ｄ）電極２３と振動構造体２２との間に空間を形成するように単結晶領域内に所定のパターンをエッチングすることによって振動構造体と作動電極とを同時形成する段階と（ｅ）シリコンゲルマニウム合金の犠牲層を選択的エッチングによって除去する段階とを含む。【選択図】図７
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207
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2008-114388
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H181031
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チノンテック株式会社 学校法人 東洋大学 長野県
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マイクロデバイスの製造方法
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A4
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PJ04 PJX
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【課題】従来のマイクロデバイスの製造方法よりも、マイクロデバイスを製造する際の生産性を高くすることが可能なマイクロデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】成形基材を準備する成形基材準備工程Ｓ１０と、レーザ加工装置を用いて成型基材の表面を粗加工する粗加工工程Ｓ２０と、集束イオンビーム加工装置を用いて成型基材の表面を仕上げ加工する仕上げ加工工程Ｓ３０とをこの順序で含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。【選択図】図１
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208
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2008-116381
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H181107
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国立大学法人東京農工大学
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マイクロポンプ
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A4
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DC03
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【課題】μーＴＡＳ技術を実現のための、送液用のマイクロポンプを実現する。【解決方法】マイクロチャネルの流路に光吸収体を密着させ、流路に液体をみたし、光ビームを照射して、マイクロチャネル内に単一気泡を発生・成長させ、形成した単一気泡を流路の特定部位に固定させた状態で、その界面に非対称の温度勾配を付与し、発生するマランゴニ対流現象を利用し、マイクロチャネル内の流体の移送を行うマイクロポンプを提供する。【選択図】図３
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209
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2008-116668
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H181102
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】可動板の共振周波数を変更することで所望の振動特性を発揮することのできるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータ１は、長手形状をなす１対の軸部材２３、２４の捩り剛性を変更する剛性変更手段６を有している。剛性変更手段６は、１対の軸部材２３、２４のそれぞれに接合し、その長手方向に直交する方向成分を有する方向へ伸縮する１対の圧電素子６１、６２を有し、圧電素子６１、６２を伸縮させ、軸部材２３、２４の横断面形状を変化させることで１対の軸部材２３、２４の捩り剛性を変更するように構成されている。【選択図】図１
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210
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2008-116669
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H181102
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セイコーエプソン株式会社
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光学デバイス、光学デバイスの製造方法、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザ
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A4
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DAX
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【課題】低コスト化を図りつつ、可視光領域での波長分離を高精度に行うことができる光学デバイス、光学デバイスの製造方法、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザを提供すること。【解決手段】本発明の光学デバイス１は、可動部２１の第２の構造体３側の面上に設けられた第１の駆動電極２８と、第２の構造体３上に第１の駆動電極２８に対向するように設けられた第２の駆動電極３３とを有し、第１の構造体２および第２の構造体３は、金属を主材料として構成された金属層４を介して接合され、かつ、金属層４を導体として第１の駆動電極２８と第２の駆動電極３３との間に電圧を印加することにより、これらの間に静電引力を生じさせて、可動部２１を変位させるように構成されている。【選択図】図２
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211
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2008-116978
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H191207
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富士通株式会社
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マイクロ揺動素子および可動機能素子
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A4
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DA04
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【課題】揺動部の揺動動作のための駆動力を確保しつつ小型化を図るのに適したマイクロ揺動素子を提供する。【解決手段】本発明のマイクロ揺動素子Ｘ１は、揺動部１０、フレーム２１、および捩れ連結部２２を備える。揺動部１０は、可動機能部１１と、可動機能部１１から延出するアーム部１２と、アーム部１２の延び方向と交差する方向にアーム部１２から各々が延出し且つ当該延び方向に互いに離隔する複数の電極歯１３ａ，１３ｂからなる櫛歯電極１３Ａ，１３Ｂとを有する。捩れ連結部２２は、揺動部１０とフレーム２１を連結し、揺動部１０の揺動動作の、アーム部１２の延び方向と交差する揺動軸心Ａ１を規定する。また、本素子Ｘ１は、フレーム２１から各々が延出し且つアーム部１２の延び方向に互いに離隔する複数の電極歯２３ａ，２３ｂからなる、櫛歯電極１３Ａ，１３Ｂと協働して揺動動作の駆動力を発生させるための櫛歯電極２３Ａ，２３Ｂを更に備える。【選択図】図１
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212
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2008-117913
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H181102
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アルプス電気株式会社
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可変容量素子および可変容量装置
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A4
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DB05 PB01 MA01
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【課題】小さな消費電力により大きな静電容量を得ることができる可変容量素子を提供すること。【解決手段】本発明の可変容量素子１Ａは、支持壁５Ａの円柱孔内部に形成された柱状振動子４Ａ、その上方に配置された環状の第１の駆動電極６Ａおよびその中央に配置された環状の第１の容量用電極８Ａならびに支持壁５Ａの円柱孔周縁に配置された環状の第２の駆動電極７Ａおよびその内側面に配置された環状の第２の容量用電極９Ａを備える。四分割された第２の駆動電極７Ａの周方向に駆動電圧を順に増減させ、静電力を周方向の順に強弱させる。すると、柱状振動子４Ａが回転して第１の容量用電極８Ａと第２の容量用電極９Ａとの静電容量が変化する。【選択図】図７
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213
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2008-118147
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H191114
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サエス ゲッタース ソチエタ ペル アツィオニ
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マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスのための支持体
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A4
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PHX MA01
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【課題】マイクロマシーンのデバイス寿命を保証する手段を提供する。【解決手段】支持体６０は、基板６１に可動構造物９１を収容するための空洞部６５が形成されており、空洞部の天井には気体吸収物質堆積物６３が反応性スパッタリングによって形成されている。支持体６０とマイクロマシーンが構成される基板９２を接合することによって支持体６０が基板９２の可動構造物９１を被覆するもので、空洞部６５は気体吸収物質堆積物６３への通路ともなっている。【選択図】図９
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214
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2008-118850
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H191105
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ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
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マイクロアクチュエータ
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A4
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DA04
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【課題】従来のマイクロアクチュエータを改良して、その寸法及び変位角度に関して制限されることなく所望のように構成することができるようにする。【解決手段】マイクロアクチュエータであって、軸（１０）と、少なくとも１つの第１の駆動手段（２１）を有している形式のものにおいて、軸（１０）と第１の駆動手段（２１）とが第１のジョイント（３１）によって結合されている。【選択図】図４．１
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215
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2008-119756
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H181108
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三菱電機株式会社
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マイクロマシンの製造方法
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A4
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PI02 MD01 MD03 MD06 MBX MEX
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【課題】良好なスイッチング性能を有し、かつ信頼性の高いマイクロマシンを、高い歩留まりで製造する方法を提供する【解決手段】カンチレバー構造の可動電極を有するマイクロマシンの製造方法が、基板を準備する工程と、基板上に、少なくとも吸引電極を形成する工程と、吸引電極を覆うように、第１犠牲層を形成する第１犠牲層形成工程と、吸引電極の段差部を覆う第１犠牲層上に、第２犠牲層を選択的に形成する第２犠牲層形成工程と、第１犠牲層および第２犠牲層の上に可動電極を形成する工程と、第１犠牲層および第２犠牲層を除去する工程を含む。【選択図】図２
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216
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2008-119792
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H181114
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セイコーエプソン株式会社
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ＭＥＭＳデバイスの製造方法
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A4
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PI02
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【課題】本発明は、ＭＥＭＳ構造体をリリースするときのエッチング領域の平面方向の大きさを軽減することを可能とし、小型化が図れて製造効率が良好なＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板１上に形成された犠牲層１５上に可動電極２０を形成し、可動電極２０上に、第一層間絶縁膜１６、第一配線層２３、第二層間絶縁膜１７、第二配線層２４を、この順に一部をパターニングしながら積層させた配線積層部を形成する。次に、可動電極２０の全面が第一層間絶縁膜１６の一部で覆われるように残して配線積層部の一部をドライエッチングにより除去し予備開口部Ｃ１ａを形成する。次に、保護膜１９を形成した後、選択比を有するエッチング液により、第一層間絶縁膜１６の残った一部および犠牲層１５を除去するリリースエッチングを行なって可動電極２０をリリースする。【選択図】図３
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217
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2008-119817
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H190517
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セイコーエプソン株式会社
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ＭＥＭＳデバイスおよびその製造方法
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A4
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PI02 MD05 MD10 MDX
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【課題】構造体の機械的な特性を保持しながら電気的な抵抗値を軽減し、優れた動作特性を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板１上に形成された多結晶シリコンからなる固定電極１０と、シリコン基板１上に形成された窒化膜３と隙間を設けて機械的に可動な状態で配置された多結晶シリコンからなる可動電極２０と、可動電極２０の周囲に形成され且つ固定電極１０の一部を覆うように形成された第１層間絶縁膜１３、第１配線層２３、第２層間絶縁膜１４、第２配線層２４、および保護膜１９がこの順に積層された配線積層部と、を有し、固定電極１０の前記配線積層部に覆われた部分がシリサイド化されてシリサイド部分２５が形成されている。【選択図】図１
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218
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2008-119818
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H190517
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セイコーエプソン株式会社
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ＭＥＭＳデバイスおよびその製造方法
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A4
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PI02 MD05 MD10 MDX
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【課題】構造体の機械的な特性を保持しながら電気的な抵抗値を軽減し、優れた動作特性を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板４１上に形成されたシリコンからなる固定電極５０と、シリコン基板４１上に形成された窒化膜４３と隙間を設けて機械的に可動な状態で配置されたシリコンからなる可動電極６０と、可動電極６０の周囲に形成され且つ固定電極５０の一部を覆うように形成された第１層間絶縁膜５２、第１配線層６３、第２層間絶縁膜５３、第２配線層６４、および保護膜５９がこの順に積層された配線積層部と、を有している。可動電極６０は、タングステンまたはモリブデンなどの高融点金属によりシリサイド化されてシリサイド部分６５が形成されている。【選択図】図１
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219
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2008-119826
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H191109
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スペイシャル フォトニックス， インコーポレイテッド
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マイクロデバイスの気密封止
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A4
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PHX
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【課題】半導体ウェハ上のマイクロデバイスの気密封止を提供するための方法、ならびに半導体ウェハ上の気密封止されたマイクロデバイスを提供すること。【解決手段】マイクロデバイスを実装する方法であって、基板上のチャンバ内にマイクロデバイスを封じ込めるステップであって、チャンバは、スペーサ壁および封じ込めカバーによって規定されている、ステップと、封じ込めカバーの一部分およびスペーサ壁の一部分を除去することにより、スペーサ壁の表面を露出させるステップと、スペーサ壁の露出された表面上に封止材料の層を形成することにより、チャンバ内にマイクロデバイスを気密封止するステップとを包含する、方法。【選択図】なし
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220
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2008-121766
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H181110
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キヤノン株式会社
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感温型マイクロ加工ワンショットバルブ、およびその製造方法
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A4
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DC02 PB01 PC02 MD02 MD09 MDX
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【課題】バルブの開放温度の設定が容易であり、該開放温度以下での漏れがなく、高い圧力差に耐え、液体環境または気体環境のいずれにも使用でき、小型化を図ることが可能となる感温型マイクロ加工ワンショットバルブを提供する。【解決手段】感温型マイクロ加工ワンショットバルブであって、シリコン基板１００と、前記シリコン基板の厚さ全体を貫いて構成されているチャンネル１０１と、前記シリコン基板の一面上に溶着され、前記チャンネルを塞いで配置された低融点金属部材１０２と、を含み構成される。その際、前記低融点金属部材と前記シリコン基板との間に金属層１０３を有する構成とし、また前記シリコン基板と前記金属層との間に、接着層１０４を有する構成とすることができる。【選択図】図１
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221
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2008-122490
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H181109
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータの製造方法、アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】製造の容易化を図りつつ、所望の振動特性を発揮することのできるアクチュエータの製造方法、アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータの製造方法は、圧電素子５１などの伸縮による駆動力を連結部２４などに伝達する伝達点を構成する第１の突起６１および第２の突起６５のうち、第１の突起６１を支持部２８に形成するとともに、第２の突起６５を第１の突起６１に対して連結部２４の長手方向に間隔を隔てて連結部２４に形成する第１の工程と、第１の突起６１および第２の突起６５を包含するように、圧電素子５１を第１の突起６１および第２の突起６５のそれぞれと固着する第２の工程とを含んでいる。【選択図】図１
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222
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2008-122622
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H181110
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セイコーエプソン株式会社
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光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】小型化を図りつつ、可動板の振れ角を大きくするとともに、互いに直交する２つの軸線のそれぞれの軸線まわりに可動板を回動させることができる光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】第２の駆動手段６は、第１の軸線Ｘに平行な方向に伸縮するように設けられた圧電素子６２、６４と、第２の軸線Ｙに対し枠状部材２１の厚さ方向に偏心した位置で枠状部材２１に接合され、圧電素子６２、６４の駆動力を枠状部材２１に伝達する伝達部材６１、６３とを備え、通電により圧電素子６２、６４を伸縮させることにより、伝達部材６１、６３が枠状部材２１に第２の軸線Ｙまわりのトルクを与え、枠状部材２１を回動させるように構成されている。【選択図】図１
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223
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2008-122714
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H181113
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セイコーエプソン株式会社
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光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】小型化を図りつつ、可動板の振れ角を大きくすることができる光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】駆動手段５は、非駆動状態の可動板２２の板面に平行でかつ軸線Ｘに直角な方向に伸縮するように設けられた圧電素子５２と、軸線Ｘに対し可動板２２の厚さ方向に偏心した位置で各軸部材２３、２４に接合され、圧電素子５２の駆動力を各軸部材２３、２４に伝達する伝達部材５１とを備え、通電により圧電素子５２を伸縮させることにより、伝達部材５１が各軸部材２３、２４に軸線Ｘまわりのトルクを与え、可動板２２を回動させるように構成されている。【選択図】図１
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224
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2008-122723
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H181114
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株式会社トプコン
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可変形状ミラー及びその製造方法
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A4
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DA04 PIX
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【課題】組立て時における薄膜構造体及び薄膜ミラー層の変形を防いで、製造ばらつきが生ずるのを低減させることができる可変形状ミラー及びその製造方法を提供すること。【解決手段】電極基板１と可変薄膜部６ａの周囲との間の複数箇所に配設され且つ接着剤１２で薄膜構造体５と電極基板１に接着固定されたミラー支持用の第１スペーサ１１が設けられ、導電性接着剤１５の部分に第２スペーサ１４を介装して、第２スペーサ１４を導電性接着剤１５で電極基板１と薄膜構造体５とに接着固定している。【選択図】図１
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225
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2008-122955
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H191031
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三星電機株式会社
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電磁気マイクロアクチュエータ
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A4
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DA04
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【課題】電磁気マイクロアクチュエータを提供する。【解決手段】基板１１０の一面に回動自在に形成されたステージ１２０と、ステージ１２０の回転軸方向にステージ１２０の両側に連結された一対のトーションバネ１３２と、トーションバネ１３２を支持してステージ１２０を取り囲む固定フレーム１５０と、ステージ１２０の上面に所定深さで巻き回された駆動コイル１３０と、駆動コイル１３０形成部分から離隔した形成されたミラー部１４０と、駆動コイル１３０から離隔し、駆動コイル１３０を挟んで対向する位置に形成された一対の永久磁石１６０と、を備えることを特徴とする電磁気マイクロアクチュエータ。【選択図】図１
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226
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2008-122961
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H191107
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スペイシャル フォトニックス， インコーポレイテッド
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低電圧マイクロメカニカルデバイス
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A4
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DA04
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【課題】複数のマイクロメカニカルデバイスを備えた装置、ならびに装置における複数のマイクロメカニカルデバイスを駆動する方法を提供すること。【解決手段】複数のマイクロメカニカルデバイスと、第１の電気回路と、第２の電気回路とを備えた装置。各マイクロメカニカルデバイスは、基板上の第１の構造部分と、第１の構造部分に接続された第２の構造部分であって、第２の構造部分は、導電性部分を備えており、電圧パルスとバイアス電圧とに応答して、運動するように構成されている、第２の構造部分と、基板上の電極であって、第２の構造部分の導電性部分の下にある、電極とを備えている。【選択図】なし
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227
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2008-124360
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H181115
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ソニー株式会社
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機能性分子素子及びその製造方法、並びに機能性分子装置
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A1
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DF01
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【課題】構成分子と電極との界面での接触抵抗を低減できる構造を有する機能性分子素子であって、特異な導電性を有する機能性分子素子、及びその製造方法、並びに機能性分子装置を提供すること。【解決手段】リニアテトラピロールの１種で、略円盤状の中心骨格部２と、アルキル基からなるフレキシブルな側鎖部３とをもつπ電子共役系分子１を、4−ペンチル−4’−シアノビフェニルまたはテトラヒドロフランに溶解させ、適切な濃度に調整する。この溶液を電極５および６に被着させ、溶媒を蒸発させ、π電子共役系分子１の配列構造体４を自己組織化的に形成させる。配列構造体４の第１層の被吸着分子９は、側鎖部３が電極５または６の表面に吸着され、骨格部２の略円盤面が電極５または６の表面に平行に密着するように固定される。配列構造体４の第２層以後のπ電子共役系分子１の積層方向は、略円盤状の中心骨格部２間のπ-π相互作用によって制御される。【選択図】図１
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228
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2008-125348
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H191113
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ウーテーアー・エス・アー・マニファクチュール・オロロジェール・スイス
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ＭＥＭＳマイクロモータおよびこのマイクロモータを装備する時計
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A4
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PB02 MA01 MA03
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【課題】効率の向上したマイクロモータを得る一方、モジュールの製造のために必要なシリコンの面積を最適化する。【解決手段】本発明は、結晶またはアモルファス材料、詳細にはシリコン基の材料からなる板中に作製されるＭＥＭＳマイクロモータであって、基板を構成する下層と、円筒形状の軸（６４）を中心にロータを回転駆動する少なくとも１つのアクチュエータおよびロータがエッチングされた上層と、を備えるＭＥＭＳマイクロモータにおいて、軸（６４）は板に接続され、軸（６４）は板の孔を通って軸方向に延び、軸（６４）は、基板中にエッチングされてかつ孔の周上に配置された固定用の弾性構造体により、孔に心出しされて締付けられることを特徴とするＭＥＭＳマイクロモータを、提案する。【選択図】図３
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229
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2008-125864
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H181122
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凸版印刷株式会社
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針状体の製造方法
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A4
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DFX
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【課題】大量生産に適し、側面が滑らかなテーパ角を有し、針状体の先端部を先鋭化した形状であっても製造可能な針状体の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、透明基材にネガ型フォトレジストを塗布する工程と、前記ネガ型フォトレジストに、開口部を有するマスクを用いて、前記透明基材側から露光処理を行う工程と、を含み、前記開口部を有するマスクは、開口部を通過した通過光を前記ネガ型フォトレジストに集光させるマイクロレンズを有することを特徴とし、マイクロレンズの径および曲率を制御することにより、針状体の寸法および形状を制御することが出来る。【選択図】図１
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230
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2008-126191
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H181124
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大日本印刷株式会社
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マイクロリアクター
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A4
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DC01
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【課題】外部への熱の影響を抑制しながら高効率の触媒反応を可能とする信頼性の高いマイクロリアクターを提供する。【解決手段】マイクロリアクター１を、真空筐体２と、この真空筐体２の真空密閉キャビティ３内に配設されたマイクロリアクター本体４と、マイクロリアクター本体４の少なくとも１つの面に位置するゲッター発熱基板６とを備えたものとし、マイクロリアクター本体４は原料供給管５Ａにより真空筐体２の外部と接続さた原料導入口１９ａ、およびガス排出管５Ｂにより真空筐体２の外部と接続されガス排出口１９ｂとを有し、ゲッター発熱基板６は、基板７と、基板７上に相互に非接触状態で配設された発熱体９とゲッター材層１０とを有するものとした。【選択図】図２
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231
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2008-126352
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H181120
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松下電器産業株式会社
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素子の製造方法
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A4
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DD01 PI03 MA01
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【課題】本発明は破壊やクラックの発生を抑制した分離可能な素子の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】枠形状の固定部３２と、この固定部３２に連結した十字形状のアーム３４と、このアーム３４の中心部に連結した４つの錘部３６とを有し、係止部５４を介して係止された検出素子３０を形成する素子形成工程を備え、レーザを係止部５４に照射することによって、係止部５４の材質を検出素子３０の材質よりも脆弱な材質に改質させて、係止部５４に改質部５６を形成する改質部形成工程と、改質部５６に応力を加えて改質部５６を検出素子３０から分離させ、検出素子３０の係止を解除する構成である。【選択図】図２
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232
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2008-126370
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H181122
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ナノクラフトテクノロジーズ株式会社 株式会社喜多製作所
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３次元マイクロ構造体、その製造方法、及びその製造装置
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A4
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PIX
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【課題】微小コイルのような３次元微小金属構造体を製造するための技術を実現することを目的し、その発展形態においては、大量生産に適した上記３次元微小金属構造体の製造方法を実現することをも目的とする。【解決手段】繊維状の芯材の表面に微細パターンが形成された鋳型を製造すると共にメッキによりそのパターンに金属を充填し、その後鋳型を除去する。好適な実施形態においては、その鋳型を、表面にレジスト層が形成された繊維状の芯材を、透光性の筒殻に非透光性のマスクパターンが形成された筒状の光リソグラフィ用マスクの筒孔に挿入すると共に、該筒殻の一部又は全部が一括照射されるように筒状マスクの外側からレーザを照射し、その後にレジスト層を現像することにより製造する。【選択図】図７
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233
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2008-126375
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H181122
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住友電気工業株式会社
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３次元微細構造体の製造方法
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A4
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PIX
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【課題】所定形状の複雑な３次元微細構造体を再現性よく製造する。【解決手段】本発明の３次元微細構造体の製造方法は、リソグラフィにより樹脂型を形成する工程と、導電性基板上で樹脂型に金属製の構成部品層を電鋳により形成する工程と、研磨または研削により平坦化する工程とを備える構成部品層を形成する第１の工程と、金属製の構成部品層上に電解メッキにより犠牲層を形成する第２の工程と、リソグラフィにより樹脂型を形成する第３の工程と、樹脂型の空孔内にある犠牲層をエッチングにより除去する第４の工程と、金属製の構成部品層上で樹脂型に金属製の構成部品層を電鋳により形成する第５の工程と、研磨または研削により平坦化する第６の工程とを備えることを特徴とする。【選択図】図１
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234
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2008-126402
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H191114
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スペイシャル フォトニックス， インコーポレイテッド
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マイクロデバイスのパッケージング
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A4
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DA04 PHX
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【課題】アンチスティクション材料をマイクロデバイスに適用するための方法、ならびにアンチスティクション材料を適用されたマイクロメカニカルデバイスを提供すること。【解決手段】マイクロデバイスにアンチスティクション材料を適用する方法であって、マイクロデバイスをチャンバ内に封じ込めることと、コンテナ内でアンチスティクション材料を蒸発させ、蒸発したアンチスティクション材料を形成することと、該チャンバと流体連通する入口を介することにより、該コンテナから該封じ込められたチャンバの中に、該蒸発したアンチスティクション材料を移送することと、該蒸発したアンチスティクション材料を該マイクロデバイスの表面上に堆積させることとを包含する、方法。【選択図】図３
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235
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2008-126460
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H181120
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リコーエレメックス株式会社
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貫通孔構造体の製造方法、貫通孔構造体、インクジェットヘッド、およびインクジェット記録装置
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A4
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DCX PJ01
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【課題】インプリント金型の転写パターンを破損するおそれがなく、しかもインプリント法のみを用いて低コストで生産性を損なうことなく、確実に貫通する貫通孔を有する貫通孔構造体を製造する製造方法を提供する。【解決手段】インプリント金型１２の転写パターン１３を、貫通孔２１を形成するために保持部材１０上の被加工材料１１に、残部１５を残して押し込むパターン押し込み工程と、例えば圧着により残部を保持部材に固着する残部固着工程と、被加工材料を硬化する材料硬化工程と、被加工材料からインプリント金型を引き離す金型引き離し工程と、保持部材から被加工材料を分離すると同時に、その被加工材料から残部を分離する構造体取り出し工程とからなる。【選択図】図１
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236
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2008-128869
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H181122
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コニカミノルタエムジー株式会社
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マイクロチップ検査システム、およびマイクロチップ検査システムに用いるプログラム
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A4
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DC01 DC03
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【課題】マイクロポンプとマイクロチップの間の流路に充填されている駆動液の量を一定にし、精度良く送液制御を行うことができるマイクロチップ検査システムを提供する。【解決手段】駆動液を流路からマイクロチップに注入するマイクロポンプと、流路の所定位置における駆動液の有無を検知して検知信号を出力する駆動液検知手段と、駆動液検知手段から得られた検知信号に基づいてマイクロポンプを駆動し、駆動液を所定位置を基準とする位置に移動させるポンプ駆動制御部と、を有することを特徴とするマイクロチップ検査システム。【選択図】図５
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237
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2008-129068
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H181116
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株式会社デンソー
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２次元光走査装置
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A4
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DA02
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【課題】低周波数側と高周波数側との周波数比を大きくすることなく、主走査方向と副走査方向とを直交させる２次元光走査装置を提供【解決手段】２次元光走査装置１００は、鏡面部が表面に形成された第３フレーム１０４と、第３フレーム１０４に対し所定の隙間を介して設けられた第２フレーム１０３と、第２フレーム１０３に対し所定の隙間を介して設けられた矩形状の第１フレーム１０２と、第１フレーム１０２に対し所定の隙間を介して設けられた矩形状の第０フレーム１０１とを備え、更に第３フレーム１０４は第３捻りバネ１０７を介して中心軸ｋを回転軸とし、第２フレーム１０３は第２捻りバネ１０６を介して中心軸ｊを回転軸とし、第１フレーム１０２は第１捻りバネ１０５を介して中心軸ｉを回転軸として捩じり振動可能に構成されることで、３自由度連成振動系を構成する。そして中心軸ｊと中心軸ｋとの交差角度が９０度未満である。【選択図】図１
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238
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2008-129280
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H181120
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、アクチュエータの製造方法、光スキャナおよび画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】製造の容易化を図りつつ、所望の振動特性を発揮することのできるアクチュエータ、アクチュエータの製造方法、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】アクチュエータ１は、可動板２１と、支持部２２と、可動板２１と支持部２２とを連結する１対の連結部２３、２４と、可動板２１の厚さ方向に伸縮する圧電素子５１〜５４とを有し、通電により圧電素子５１〜５４を伸縮させることで、連結部２３、２４を捩れ変形させて可動板２１を回動させるように構成されており、連結部２４には、回動中心軸Ｘから離間した位置に圧電素子５１の伸縮により発生する駆動力を連結部２３に伝達するための伝達点を構成する突起６１が形成され、突起６１が圧電素子５１の伸縮方向での一端と接触している。【選択図】図１
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239
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2008-129281
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H181120
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セイコーエプソン株式会社
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光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】小型化を図りつつ、可動板の振れ角を大きくするとともに、互いに直交する２つの軸線のそれぞれの軸線まわりに可動板を回動させることができる光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】第１の駆動手段５は、第２の軸線Ｙに平行な方向に伸縮するように設けられた圧電素子５２と、第１の軸線Ｘに対し可動板２２の厚さ方向に偏心した位置で各第１の軸部材２３、２４に接合され、圧電素子５２の駆動力を各第１の軸部材２３、２４に伝達する伝達部材５１とを備え、通電により圧電素子５２を伸縮させることにより、伝達部材５１が各第１の軸部材２３、２４に第１の軸線Ｘまわりのトルクを与え、可動板２２を回動させるように構成されている。【選択図】図１
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240
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2008-129424
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H181122
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株式会社トプコン
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ねじり振動鏡の調整方法、ねじり振動鏡、及び光偏向器、眼科装置、距離測定装置
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A4
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DD02
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【課題】製造誤差に拘わらず、周波数の限られた一定量の範囲内で、ねじりばねと平面鏡を含むねじり振動鏡の光偏向に伴う周波数を正確に、かつ効率よく調整し、画像の取得・表示、光の擾乱によるセンシング量の誤差の低減することができるねじり振動鏡の調整方法、及びその調整方法を適用したねじり振動鏡を提供すると共に、そのねじり振動鏡を適用し、光偏向の周波数を調整することができる光偏向器、その光偏向器を用いた眼科装置、距離測定装置を提供する。【解決手段】ねじりばね１１２と、平面鏡１１０と、ねじり角（ミラー角度θ）がゼロになる位置でトルクの角度依存が増加あるいは減少するアクチュエータＢ１とを備えるねじり振動鏡の調整方法において、バイアス駆動を行うことにより、ねじり振動鏡の振動周波数を調整するようにしている。【選択図】図２
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241
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2008-130613
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H181116
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株式会社東芝
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ＭＥＭＳ可変容量システム
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A4
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DB05
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【課題】大きな容量比を持つＭＥＭＳ可変容量を実現する。【解決手段】本発明の例に関わるＭＥＭＳ可変容量システムは、第１及び第２ポートＰ１，Ｐ２の間に直列に接続されるＭＥＭＳ可変容量ＶＣと、ＭＥＭＳ可変容量ＶＣを駆動するための第１電源回路ＰＳ１と、第１及び第２ポートＰ１，Ｐ２の間に電気信号とは異なる一定の電位差ＶP12を印加するための第２電源回路ＰＳ２とを備える。【選択図】図１
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242
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2008-130937
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H181122
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松下電工株式会社
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ダイヤフラムを具備した構造体の製造方法、半導体装置
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A4
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DD01 DD03
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【課題】表面とその周囲との間に角部のないダイヤフラムを具備した構造体の製造方法、半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板１の一表面側に絶縁膜３を形成する絶縁膜形成工程と、所望のダイヤフラム７の形状に応じた開口形状の開孔部４を絶縁膜３に形成するパターニング工程と、少なくとも半導体基板１の前記一表面と半導体基板１の前記一表面側に対向配置した陰極とを電解液に接触させた状態で、半導体基板１の他表面側に前記ダイヤフラム７の形状に応じた形状の陽極５と前記陰極との間に通電することで、半導体基板１の前記一表面側における開孔部４から露出する部位に半導体基板１を多孔質化した多孔質部６を形成する陽極酸化工程と、多孔質部６を除去することで半導体基板１の一部からなるダイヤフラム７を形成する多孔質部除去工程とを有する。【選択図】図１
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243
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2008-130961
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H181124
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日産自動車株式会社
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半導体パッケージ
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A4
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PHX
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【課題】簡便に形成でき、基板同士を接合する際に加わる力によって破壊されにくいバンプ構造体を備えた半導体パッケージを提供する。【解決手段】センサ基板電極５の直下に接続用キャビティ７を設け、バンプ４がセンサ基板電極５を接続用キャビティ７方向に押し曲げてバンプ４とセンサ基板電極５とが接続される構成としたので、製造ばらつきによりバンプ４が所定の高さより上回っていても、所定高さを超えた分が接続用キャビティ７に逃げ、バンプ４からセンサ基板２や窓基板１への応力が低減されて、センサ基板電極５や窓基板電極３やその周辺部位にクラック等の破壊を引き起こすことがない。またセンサ基板電極５を弾性体によって構成したため、弾性力によってセンサ基板電極５がバンプ４側に付勢され、センサ基板電極５とバンプ４とが確実に接続される。【選択図】図３
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244
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2008-131096
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H181116
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株式会社東芝
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移相器及びアンテナ装置
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A4
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DB01
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【課題】高周波特性である挿入損失及び反射損失の劣化を抑えることができる移相器を提供する。【解決手段】移相器３ｂにおいて、基板１１と、基板１１上に設けられ高周波信号が流れる高周波信号線１２と、高周波信号線１２の両側にそれぞれ位置付けられ基板１１上に設けられた一対の接地導体１３、１４と、高周波信号線１２が伸びる方向に所定の間隔で並べられた複数のマイクロマシンスイッチ１５Ａとを備え、それらのマイクロマシンスイッチ１５Ａは、高周波信号線１２上に設けられた誘電体と、一対の接地導体１３、１４のどちらか一方に少なくとも一端が固定され誘電体に対向して誘電体から離間し、誘電体に対向する対向領域の一部だけが電圧印加により誘電体に接触する可動片とをそれぞれ有している。【選択図】図１
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245
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2008-132447
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H181129
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横河電機株式会社
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マイクロチップ
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A4
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DC01
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【課題】微小流路内に触媒が均一に分散して充填されると共に流体が効率的に反応することが可能なマイクロチップを実現すること。【解決手段】流入させた流体に化学反応を行わせる微小流路を有するマイクロチップにおいて、微小流路を有し、この微小流路の両端に流体の流入口及び流体の流出口が形成され、複数のピラーが一列に並んで形成される第１及び第２のピラー部が前記微小流路の両端近傍にそれぞれ流体の流れる方向に垂直に形成される基板と前記微小流路内であって前記第１のピラー部と前記第２のピラー部との間の領域に充填される触媒とを備える。【選択図】図１
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246
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2008-132543
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H181127
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シャープ株式会社
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樹脂基板へのパターン形成方法及びこの方法を用いたマイクロ流路デバイスの製造方法
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A4
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DC01 PJ02
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【課題】短時間で歩留まりよく、高精度のマイクロ流路デバイスを作製する方法を提供する。【解決手段】一枚の熱可塑性樹脂基板に転写するパターンを複数のパターン要素に分割し、それぞれのパターン要素ごとにモールドを用意し、ガラス転移温度以上に加熱した前記熱可塑性樹脂基板に対して、前記複数のモールドを互いに離間させた状態で同時に押圧し、しかる後に前記熱可塑性樹脂基板と前記複数のモールドを同時に冷却することにより、熱可塑性樹脂基板にパターンを転写する樹脂基板へのパターン形成方法。【選択図】図１
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247
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2008-132574
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H181129
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並木精密宝石株式会社 国立大学法人 東京大学
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マイクロマニピュレータ
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A4
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PJ05
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【課題】先端で微細加工が可能なマイクロマニピュレータを提供する。【解決手段】アームホルダ２に保持されるアーム３と、前記アーム３の先端に備えられたモータホルダ４と、前記モータホルダ４に固定された小型モータ５と、から構成され、前記小型モータ５の出力軸６はダイヤモンドで形成され、その先端にレーザ加工を行い、ドリル刃７を形成することにより、穴あけや切削等の微細加工が可能となり、また、ドリル刃の芯出し精度を考慮する必要が無くなり、より高精度な加工が可能となる。【選択図】図１
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248
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2008-132577
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H181129
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ソニー株式会社
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電気機械素子、電子機器及びプロジェクター
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A4
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DC01 DCX
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【課題】２つの相対する面の間に空間層を有する電気機械素子において、支持部で支えられた梁（ビーム）の面の高さのばらつきが低減された信頼性の高い電気機械素子、その電気機械素子を備えた電子機器及びプロジェクターを提供すること。【解決手段】電気機械素子３０は、基板３３上に、空間を挟んで対向する梁３５と、梁３５を長軸方向の端部で支持する支持部４１とを備え、支持部４１は、梁３５の短軸方向に複数本設けられる。【選択図】図１
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249
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2008-132583
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H190713
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セイコーエプソン株式会社
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ＭＥＭＳデバイス
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A2
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PI01
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【課題】ＭＥＭＳ構造体と半導体基板との間の寄生容量を低減させるＭＥＭＳデバイスを提供する。【解決手段】半導体基板１０上に絶縁層を介して形成された固定電極２０と可動電極２６とを有するＭＥＭＳ構造体３０が備えられたＭＥＭＳデバイス１であって、固定電極２０の下方の半導体基板１０にウェル１３が形成されており、固定電極２０に正の電圧が印加されウェル１３がｐ型ウェルである。そして、ウェル１３が空乏状態となるようにウェル１３には電圧が印加されている。この電圧はウェル１３が空乏状態を維持する電圧となっている。【選択図】図１
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250
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2008-132585
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H190720
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コミサリア、ア、レネルジ、アトミク
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相互接続されたナノワイヤに基づくナノ構造体の製造方法、ナノ構造体及び熱電コンバータとしての利用
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A1
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DDX
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【課題】ｎ型及びｐ型のナノワイヤを個別に相互接続する方法を提供する。【解決手段】ナノ構造体は、それぞれｎ型及びｐ型の半導体材料からなる２つのナノワイヤのアレイを備える。第１のアレイのナノワイヤ７は、例えばｎ型であり、例えばＶＬＳ成長によって形成される。成長ステップのあいだ触媒として作用する、導電材料のドロップレット６は、成長の最後に、前記第１のアレイの各ナノワイヤ７の先端に残存する。次いで、第２のアレイのナノワイヤ９が、前記第１のアレイの各ナノワイヤ７の周囲に形成された絶縁材料層１０及び付随するドロップレット６を、ｐ型の半導体材料層で覆うことによって、前記第１のアレイの各ナノワイヤ７の周囲に形成される。これによって、ドロップレット６は、前記第１のアレイのナノワイヤ７と、前記第２のアレイの単一の同軸のナノワイヤ９とを自動的に接続する。【選択図】図２
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251
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2008-132587
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H190806
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ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
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ウェハレベル真空パッケージデバイスの製造方法
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A4
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PHX
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【課題】ハウジング内に基板とＭＥＭＳデバイスを取り付けたパッケージを低コストで提供する。【解決手段】１又はそれ以上の微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを備えたデバイス層は、第１の表面が第１のウェハにボンディングされる。第１のウエハは導電のための１またはそれ以上のシリコンピン３２を有し、シリコンピンとデバイス層を電気的に接続する。同様に１又はそれ以上のシリコンピンを有する第２のウェハが、デバイス層の第１の表面の反対面である第２の表面にボンディングされる。第１及び第２のウェハは、ホウケイ酸ガラスから作られており、デバイス層はシリコンからできている。【選択図】図２Ｋ
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252
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2008-134635
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H191120
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スペイシャル フォトニックス， インコーポレイテッド
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マイクロミラーの簡略化された製造プロセス
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A4
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DA04 PI02
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【課題】マイクロミラーの簡略化された製造方法、ならびに簡略化された製造方法によって製造されたマイクロミラーを提供すること。【解決手段】基板１５０によって支持されているヒンジ接続支柱１２２ａであって、ヒンジ接続支柱は、底層３１２、およびヒンジ接続支柱の中央においてキャビティ１２５ａを取り囲んでいる側面層３１５を含んでいる、ヒンジ接続支柱と、ヒンジ接続支柱の側面層に接続されたヒンジコンポーネント１２０ａと、ヒンジコンポーネントの回りで傾斜するように構成されたミラープレートとを備えている、マイクロミラー。【選択図】図２２
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253
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2008-134643
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H191207
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富士通株式会社
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マイクロ揺動素子
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A4
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DA04 DD01 DD02
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【課題】揺動部の揺動動作のための駆動力を確保しつつ小型化を図るのに適したマイクロ揺動素子を提供する。【解決手段】本発明のマイクロ揺動素子Ｘ１は、揺動部１０、フレーム２１、および捩れ連結部２２を備える。揺動部１０は、可動機能部１１と、可動機能部１１から延出するアーム部１２と、アーム部１２の延び方向と交差する方向にアーム部１２から各々が延出し且つ当該延び方向に互いに離隔する複数の電極歯１３ａ，１３ｂからなる櫛歯電極１３Ａ，１３Ｂとを有する。捩れ連結部２２は、揺動部１０とフレーム２１を連結し、揺動部１０の揺動動作の、アーム部１２の延び方向と交差する揺動軸心Ａ１を規定する。また、本素子Ｘ１は、フレーム２１から各々が延出し且つアーム部１２の延び方向に互いに離隔する複数の電極歯２３ａ，２３ｂからなる、櫛歯電極１３Ａ，１３Ｂと協働して揺動動作の駆動力を発生させるための櫛歯電極２３Ａ，２３Ｂを更に備える。【選択図】図１
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254
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2008-135594
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H181129
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京セラ株式会社
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微小電子機械部品封止用基板及び複数個取り形態の微小電子機械部品封止用基板、並びに微小電子機械装置及び微小電子機械装置の製造方法
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A4
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PHX
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【課題】搭載される電子部品の実装熱履歴による残留応力、及びそれらの電子部品から発生する熱により微小電子機械機構に歪や応力が加わることを防止することができるとともに、薄型化を実現することができる微小電子機械部品封止用基板を提供する。【解決手段】半導体基板と該半導体基板の主面に形成される微小電子機械機構と該微小電子機械機構に電気的に接続される第１電極とを有する微小電子機械部品の微小電子機械機構を気密封止するとともに、第１電極に電気的に接続される第２電極を有する電子部品を搭載する微小電子機械部品封止用基板であって、絶縁基板の第１主面は、半導体基板の主面に接合される第１領域と電子部品が搭載される第２領域とを有し、絶縁基板の内部に形成された配線導体は、第１主面における第１領域に導出され第１電極に電気的に接続される一端と、第１主面における第２領域に導出され第２電極に電気的に接続される他端とを備える。【選択図】図１
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255
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2008-135690
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H190604
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株式会社デンソー
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半導体力学量センサおよびその製造方法
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A4
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DD01 DD02 PHX
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【課題】キャップを薄型化できるようにすることにより、半導体力学量センサの薄型化が図れるようにでき、かつ、真空度の維持も容易に行えるようにする。【解決手段】ＳＯＩ基板１を用い、ＳＯＩ基板１をセンサウェハ１１に貼り合わせてから単結晶シリコン基台２および埋め込み酸化膜４を除去し、単結晶シリコン層３がキャップ層となるようにする。つまり、最初から薄膜のキャップ層を用意してセンサウェハ１１に貼り合わせるのではなく、貼り合わせるときまでは厚いＳＯＩ基板１にてウェハ状態を保ちつつ、貼り合わせ後にそれを薄膜化する。これにより、キャップ層を最初から薄膜とした場合のように、割れ等を防いでウェハ状態を保つために、キャップ層をある程度の厚みにしておく必要がない。また、キャップ層をポリイミド樹脂フィルムで構成する場合のように撓んで真空度の維持が困難になるなどの問題も発生しない。【選択図】図１
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256
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2008-137123
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H181204
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セイコーエプソン株式会社
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マイクロマシンの製造方法及びマイクロマシン
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A4
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DB02 DB04 PI02
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【課題】製造プロセス及び製造コストを低減した上で、高精度に形成することができるマイクロマシンの製造方法及びマイクロマシンを提供する。【解決手段】基板１上に機能素子５０が離間配置されたマイクロマシンの製造方法であって、基板１上に第一薄膜２０を形成する工程と、第一薄膜２０上に第二薄膜３０を形成する工程と、第二薄膜３０上に機能素子５０を形成する工程と、第一薄膜２０と第二薄膜３０との間で選択比を有するエッチャントにより、機能素子５０下層の第一薄膜２０をエッチングすることで、基板１上に機能素子５０を離間配置する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図３
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257
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2008-137139
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H181205
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株式会社東芝 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
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微小電気機械式装置及びその製造方法
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A4
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DB01 DD01 DD03 PHX PI02
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【課題】信頼性に優れた微小電気機械式装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板２上に形成された微小電気機械式構造体３と、前記微小電気機械式構造体３を取り囲むように基板２上に形成された枠部材４と、前記枠部材４を覆い、前記微小電気機械式構造体３との間に空洞５を形成する空洞形成膜６と、前記空洞形成膜６上に積層され、微小電気機械式構造体３を空洞５内に封止する封止層７とを具備する。【選択図】図１
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258
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2008-139486
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H181130
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ソニー株式会社
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電気機械装置組立体、光変調装置組立体及び画像生成装置
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A4
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DA01 DAX
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【課題】高集積の配線構造を有する電気機械装置組立体、光変調装置組立体、及びこられを用いた高解像度を実現できる画像生成装置を提供する。【解決手段】１次元型の光変調装置１３と、光変調装置１３を変調する駆動部１６と、これらを支持する支持部材２５とを有する光変調装置組立体４３において、光変調装置１３と駆動部１６とを接続する配線が、前記支持部材２５の内部の配線回路を介して結線される。【選択図】図２
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259
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2008-141208
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H191213
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三星電機株式会社
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フリップチップボンディング技術を用いる半導体パッケージおよびパッケージング方法
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A4
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DA04 PH04
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【課題】フリップチップボンディング方式により、光変調器の多数のマイクロミラーを外部から密閉して保護するためのパッケージおよびパッケージング方法を提供する。【解決手段】電極アレイおよび前記電極アレイに接続されたマイクロアレイが形成されたマイクロ素子２０５と、中央に開口部が形成され、前記電極アレイのそれぞれに接続される第１サブ基板電極アレイおよび前記第１サブ基板電極アレイのそれぞれに接続された第２サブ基板電極アレイが形成され、前記マイクロ素子に固定されるサブ基板と、前記マイクロアレイの周囲に設けられ、前記マイクロ素子と前記サブ基板を粘着させるシール材２０６と、前記サブ基板２１１の開口部を覆い、前記マイクロアレイを密閉させるように、前記サブ基板に接着されるカバーガラス２０２とを含んでなることを特徴とする。【選択図】図５ｃ
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260
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2008-142578
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H181205
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株式会社スズキプレシオン
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マイクロチップ及びその製造方法
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A4
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DC01
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【課題】高品質で効率性及び経済性に優れた高機能化・多機能化のために任意な平面パターンの一層微細な溝からなる流路が緻密に高集積化され積層されるマイクロチップ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のマイクロチップは、複数の基板２が積層され相互に接合された積層体１と、積層体１の基板２に相互に連通するように形成され所定位置に配置された適宜数量の流入口３、４及び流出口５と、各基板２の接合面に相互に対向して鏡面対称状に形成され、流入口３、４と流出口５とを繋ぐ所定の平面パターンの微細溝からなる片面流路１０ａ、１０ｂが、各基板２の接合により突き合わされて構成された閉断面流路１０とを備え、前記積層体１には、各基板２の接合時に対向する片面流路１０ａ、１０ｂの正確な位置合せを行なう位置決め機構が設けられている。【選択図】図１
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261
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2008-143068
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H181212
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セイコーエプソン株式会社
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パターン形成方法及び液滴吐出ヘッドの製造方法
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A4
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DCX PB01 PB03
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【課題】段差構造など異なる深さの凹部を有する構造を形成する場合に、工程数を増やすことなく精度の高いパターン形成を行う。【解決手段】基板１０上のレジスト膜１２をパターニングして第１の開口部１３ａと、第１の開口部１３ａより開口幅が狭い複数の第２の開口部１３ｂを形成する。次に垂直異方性エッチングを行い、第１の開口部１３ａに第１の凹部１４ａを形成すると共に、第２の開口部１３ｂのそれぞれに対応して複数の凹部１４ｂを形成する。次に等方性エッチングを行い、複数の第２の開口部１３ｂに形成された複数の凹部１４ｂの側壁を除去し、第２の凹部１７を形成する。第１の開口部１３ａの開口幅と第２の開口部１３ｂの開口幅は、第１の開口部１３ａが第１の凹部１４ａの深さに達する間に、複数の第２の開口部１３ｂが第２の凹部１７の深さに達するエッチングレート差が生じるように設定される。【選択図】図１
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262
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2008-145320
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H181212
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コニカミノルタエムジー株式会社
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マイクロチップ検査装置
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A4
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DC01 DC02 DC03
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【課題】ユーザが容易にメンテナンスを行うことが可能で、かつ、気泡やゴミなどが入り込まないような流路系構造としたマイクロチップ検査装置を提供すること。【解決手段】装置本体に対してポンプカートリッジが着脱可能な構造となっているので、ポンプカートリッジ部を交換することによりマイクロポンプの交換や、駆動液の補充をユーザが容易に行え、かつ装置本体にダメージを与えることがない。また、交換作業中にマイクロポンプ内に気泡やゴミなどが侵入して、マイクロポンプが正確な送液を行うことができなくなったり、送液自体行うことができなくなってしまうことがない。【選択図】図１
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263
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2008-145506
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H181206
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独立行政法人国立高等専門学校機構 国立大学法人東北大学 株式会社メムス・コア
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圧電素子による光学素子とその作成方法
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A4
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DA01 DAX
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【課題】酸化亜鉛（ＺｎＯ）により、片持ち梁構造圧電素子を作成し、作成した片持ち梁構造圧電素子により、光の分波器を構成する【解決手段】Ｇｅ層１２０を犠牲層として、過酸化水素水をエッチング液として用いて片持ち梁構造とする（ａ，ｂ）。ｎ型ＺｎＯ層（低抵抗層）１４０−ＺｎＯ層（圧電導膜）１５０−ｎ型ＺｎＯ層（低抵抗層）１６０を圧電素子として形成する（ｃ，ｄ）。形成した圧電素子部分を印加電圧により変形し、犠牲層が除去された部分の多重反射による干渉により波長選択性を持たせて、反射光を出力とする光分波器を作製する（ｅ）。【選択図】図２
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264
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2008-145542
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H181206
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セイコーエプソン株式会社
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光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】低コスト化および小型化を図りつつ、可動板を大きな振れ角でかつ円滑に回動させることができる光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明の光学デバイス１は、可動板２２の板面に略平行でかつ可動板２２の回動中心軸Ｘに対し略直角な方向に延在する長手形状をなし、その一端部２５１、２６１が支持部材２１に固定され、その固定部近傍に回動中心軸Ｘを位置させるように各軸部材２３、２４に連結された弾性変形可能な１対の変形部材２５、２６と、各変形部材２５、２６の長手方向に略平行な方向に伸縮することにより、各変形部材２５、２６を曲げ変形させる１対の圧電素子３１、３２とを備え、通電により圧電素子３１、３２が変形部材２５、２６を曲げ変形させることにより、各軸部材２３、２４に捩りモーメントを与え、可動板２２を回動させるように構成されている。【選択図】図１
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265
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2008-145543
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H181206
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セイコーエプソン株式会社
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光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】低コスト化および小型化を図りつつ、可動板を大きな振れ角でかつ円滑に回動させることができる光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明の光学デバイス１は、各軸部材２３、２４を支持する１対の駆動部材２５、２６と、支持部材２１と駆動部材２５、２６の一端部とを連結した弾性変形可能な１対の第１の変形部材２７、２８と、長手形状をなし、その一端部が前記支持部材２１に固定され、他端部が前記駆動部材２５の他端部とを連結した弾性変形可能な１対の第２の変形部材２９、３０と、各第２の変形部材２９、３０上に接合されその長手方向に伸縮する１対の圧電素子３１、３２とを備え、これらが平面視にて可動板２２の中心に対して実質的に点対称となるように設けられている。【選択図】図１
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266
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2008-145544
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H181206
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セイコーエプソン株式会社
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光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】低コスト化および小型化を図りつつ、可動板を大きな振れ角でかつ円滑に回動させることができる光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明の光学デバイス１は、可動板２２の板面に略平行で可動板２２の回動中心軸Ｘに対し略直角な方向に延在する長手形状をなし、その一端部が支持部材２１に固定され、その固定部近傍に回動中心軸Ｘを位置させるように各軸部材２３、２４に連結された弾性変形可能な１対の第１の変形部材２５、２６と、回動中心軸Ｘに略平行な方向に延在する長手形状をなし、その一端部が支持部材２１に固定され、他端部が各第１の変形部材２５、２６の他端部に連結された弾性変形可能な１対の第２の変形部材２７、２８と、各第２の変形部材２７、２８上に接合され、各第２の変形部材２７、２８の長手方向に略平行な方向に伸縮する１対の圧電素子３１、３２を備える。【選択図】図１
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267
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2008-145545
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H181206
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セイコーエプソン株式会社
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光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】低コスト化および小型化を図りつつ、可動板を大きな振れ角でかつ円滑に回動させることができる光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明の光学デバイス１は、可動板２２の板面に平行でかつ回動中心軸Ｘに対し略直角な方向に延在する長手形状をなし、その一端部近傍に回動中心軸Ｘを位置させるように軸部材２３を支持する駆動部材２５と、回動中心軸Ｘに平行な方向に延在する長手形状をなし、その一端が支持部材２１に固定され、他端が駆動部材２５の一端部２５１に連結された弾性変形可能な第１の変形部材２７と、長手形状をなし、その一端部が支持部材２１に固定され、他端部が駆動部材２５の他端部２５２に連結された弾性変形可能な第２の変形部材２９と、第２の変形部材２９上に接合され、第２の変形部材２９の長手方向に伸縮する圧電素子３１とを備える。【選択図】図１
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268
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2008-145839
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H181212
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コニカミノルタホールディングス株式会社
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光スキャナ装置
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A4
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DA02
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【課題】振動特性を変化させるための可変デバイスに関する配置設計の自由度を向上できる光スキャナ装置を提供する。【解決手段】光スキャナ１は、ミラー部１１と、ミラー部１１に連結するトーションバー１２ａ、１２ｂと、トーションバー１２ａ、１２ｂに連結する加振部２とを備えている。この加振部２は、加振用の第１圧電素子３１〜３４と、加振部２のバネ定数(振動特性)を変化させるためのバネ定数可変用の第２圧電素子４１〜４４とを有している。ここで、第１圧電素子３１〜３４に駆動電圧を印加してミラー部１１を揺動振動させる際には、第２圧電素子４１〜４４に制御電圧を印加することで光スキャナ１の振動系の共振周波数を変更できる。このような光スキャナ１では、設置スペースの制約が少ない加振部２に第２圧電素子４１〜４４を設置できるため、第２圧電素子に関する配置設計の自由度が向上できる。【選択図】図１
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269
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2008-145859
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H181212
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日本電信電話株式会社
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光スイッチ制御方法および装置
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A4
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DA01
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【課題】光スイッチの各出力ポートの出力光強度に異常な強度変化が現れる前に、光スイッチの故障を的確に検出する。【解決手段】複数の入出力ポート間で、任意の入力ポートから入力した光ビームを複数のミラーによって連続的に反射させ、任意の出力ポートに出力する光スイッチに適用され、光パスを接続する複数のミラーの角度を設定する印加電圧、および各出力ポートにおける出力光強度の安定化に用いる印加電圧を制御する光スイッチ制御装置において、ミラーの印加電圧をモニタする印加電圧モニタ手段と、ミラーの印加電圧と出力ポートの出力光強度を入力し、印加電圧と出力光強度の関係およびそれぞれの正常値との比較による評価を行い、異常箇所の組み合わせに応じた故障の状態を判断する故障診断部とを備える。【選択図】図１
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270
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2008-146939
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H181207
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富士通株式会社
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マイクロスイッチング素子
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A4
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DB01
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【課題】駆動電圧の低減を図るのに適したマイクロスイッチング素子を提供する。【解決手段】本発明の素子Ｘ１は、固定部１１と、固定部１１に固定された固定端を有して延びる可動部１２と、接触部１３ａ’，１３ｂ’を有するコンタクト電極１３と、コンタクト電極１３の接触部１３ａ’に対向する接触部１４ａ’を有し且つ固定部１１に接合しているコンタクト電極１４Ａと、コンタクト電極１３の接触部１３ｂ’に対向する接触部１４ｂ’を有し且つ固定部１１に接合しているコンタクト電極１４Ｂと、可動部１２上に駆動力発生領域を有する駆動機構とを備える。接触部１３ａ’，１４ａ’間の距離は、接触部１３ｂ’，１４ｂ’間の距離より小さい。駆動力発生領域の重心は、コンタクト電極１３における接触部１３ａ’よりも接触部１３ｂ’に近い。【選択図】図３
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271
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2008-146940
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H181207
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富士通株式会社
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マイクロスイッチング素子およびマイクロスイッチング素子製造方法
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A4
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DA01
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【課題】駆動電圧を低減するのに適したマイクロスイッチング素子を提供する。【解決手段】本発明のマイクロスイッチング素子Ｘ１は、ベース基板Ｓ１と、固定部１１と、固定部１１に固定された固定端１２ａを有してベース基板Ｓ１に沿って延びる可動部１２と、可動部１２上に設けられた可動コンタクト電極１３と、可動コンタクト電極１３に対向する部位を各々が有し且つ各々が固定部１１に接合している一対の固定コンタクト電極１４と、可動部１２上にて可動コンタクト電極１３および固定端１２ａの間に設けられた可動駆動電極１５と、可動駆動電極１５に対向する部位を含む高架部１６Ａを有し且つ固定部１１に接合している固定駆動電極１６とを備える。高架部１６Ａは、可動駆動電極１５側に、複数の段１６ａ’からなる段々形状１６ａを有し、段々形状１６ａの各段１６ａ’は、可動コンタクト電極１３から遠い段１６ａ’ほどベース基板Ｓ１に近い。【選択図】図５
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272
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2008-147707
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H200228
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アイディーシー、エルエルシー
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ＲＦデバイス
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A4
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DB04 DB05
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【課題】選択可能なキャパシタンスを有するＲＦデバイス提供すること。【解決手段】ＲＦデバイスであって、ＲＦ信号を搬送するための第１の導体と、前記第１の導体から所定の間隔をもたせて配置された変形可能膜であって、前記ＲＦ信号を選択的にフィルタリングするように構成されておりさらに前記ＲＦ信号を選択的にフィルタリングするための少なくとも３つの個別の作動可能な位置を有する変形可能膜と、を具備する。【選択図】図７Ｄ
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273
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2008-500189
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H170416
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フォルシュングスツェントルム カールスルーエ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
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幾何学的に異方性のナノ粒子に基づくアクチュエータ
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A1
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DFX MI04
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WO2005/115910
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電解質の中に少なくとも１つの活性電極及び少なくとも１つの対向電極を有するアクチュエータであって、活性電極は少なくとも２つのウェブ（３）に直交して取り付けられたかつ優先方向に単一方向に配向された多数の幾何学的な異方性ナノ粒子（２）を有する導電性材料から成る少なくとも２つのウェブ（３）を含み、ナノ粒子とウェブとの間には導電性接続が存在し、電極及び対向電極には電圧又は電流源（１２）を介して電位差が印加可能である。本発明の課題は、アクチュエータをより高いアクチュエータ力及び振幅周波数に関して改善することである。上記課題はナノチューブが両側でそれぞれウェブに接続され、この接続が素材結合であることによって解決される。
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274
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2008-500564
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H170420
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アイディーシー、エルエルシー
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微細機械加工されたデバイスの電気機械的動きの変更
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A4
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PHX
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WO2005/110914
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デバイスは、第１の表面をもつ。第２の表面は、パッケージを形成するために、第１の表面からオフセットしている。少なくとも１つの可動素子は、パッケージ内において、別の表面に接触する可動表面をもっている。環境制御物質は、パッケージ内部に含められ、可動素子の動作に影響を与える。【選択図】図４
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275
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2008-500585
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H170527
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ステレオ ディスプレイ，インコーポレイテッド アングストローム，インコーポレイテッド
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可変焦点距離レンズ
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A3
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DA04
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WO2005/119331
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マイクロミラーアレイレンズは、２つの自由回転と１つの自由平行移動とを行う、複数のマイクロミラー１３と、駆動部分とから構成されている。上記マイクロミラーのアレイは、対象の１つのポイントから散光している全ての光が、同じ周期的な位相を有するように、また、画面の１つのポイントに収束するようにすることができる。上記駆動部分は、静電気的におよび／または電磁気的に、上記マイクロミラーの位置を制御する。上記マイクロミラーアレイレンズの光学効率は、上記マイクロミラーを支持する機械的構造と上記駆動部分とを上記マイクロミラーの下に配置することにより、改善される。半導体マイクロエレクトロニクス技術は、電極パッドおよびワイヤによる有効反射領域の損失を取り除くことができる。上記レンズは、各マイクロミラーを独立に制御することにより、収差を補正することができる。各マイクロミラーの独立した制御は、公知の半導体マイクロエレクトロニクス技術によって達成することができる。上記マイクロミラーアレイは、所望の任意の形状および／またはサイズのレンズを形成することができる。
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276
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2008-501148
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H170527
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ステレオ ディスプレイ，インコーポレイテッド アングストローム，インコーポレイテッド
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マイクロミラーアレイレンズのアレイ
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A4
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DA04 DAX
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WO2005/119332
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本発明は、マイクロミラーアレイレンズのアレイに関するものである。マイクロミラーアレイレンズは、複数のマイクロミラーと駆動部分とから構成されている。各マイクロミラーアレイレンズは、高速での焦点距離変更が可能な可変焦点距離レンズである。上記レンズは、所望の任意のサイズおよび／または型を有するとともに、所望の任意の光軸を有し、さらに、各マイクロミラーを独立に制御することにより収差を補正することができる。各マイクロミラーの独立した制御は、公知のマイクロエレクトロニクス技術によって可能である。上記駆動部分は、静電気的におよび／または電磁気的に、上記マイクロミラーの位置を制御する。上記マイクロミラーアレイレンズの光学効率は、上記マイクロミラーを支持する機械的構造と上記駆動部分とを上記マイクロミラーの下に配置することにより、改善される。公知のマイクロエレクトロニクス技術は、電極パッドおよびワイヤによる有効反射領域の損失を取り除くことができる。
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277
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2008-501517
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H170609
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コーニング インコーポレイテッド
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混合および圧力降下を最適化するための微小構造設計
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A4
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DC01 DC03 DCX
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WO2005/120690
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マイクロリアクタ内のミキサのための一群の設計であって、その設計の原理が、少なくとも２つの流体が、最初に上流で接触する連続流路内の少なくとも１つの注入区域（４１０）および流路内に一連のミキサ要素（４３０）を収容する効果的な混合区域（すなわち、適切な流体の流動および最適な圧力降下）を含む設計が提供される。各ミキサ要素に、障害物（４５０）が配置されている（それによって、チャンバの典型的な内寸が減少している）各端部にあるチャンバおよびチャンネル区域内の随意的な制限要素（４６０）が設計されることが好ましい。これらの障害物は、円柱体であることが好ましいが、ある寸法範囲内で任意の形状を有していて差し支えなく、所望の流量、混合および圧力降下を提供するために、流路に沿って並列または直列になっていてもよい。注入区域は、二つ以上の界面を有していてもよく、また混合前に流体を調節するための１つ以上のコアを含んでいてもよい。
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278
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2008-501535
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H170428
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ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
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複数の空洞を備えた微細構造の構成要素及び該構成要素の製造のための方法
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A4
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DD01 DD02 PG01
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WO2005/118463
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本発明は、複数の空洞を備えた微細構造の構成要素に関し、この場合に空洞は微細構造の構成部分及びキャップによって画成されており、空洞内に互いに異なる気圧を形成してある。さらに本発明は、複数の空洞を備えた構成要素の製造のための方法に関し、空洞は微細構造の構成部分及びキャップによって画成されている。この場合に、微細構造の構成部分とキャップとは所定の第１の気圧の下で互いに気密に結合される。次いで少なくとも１つの空洞への通路を形成し、次いで該通路は所定の第２の気圧の下で気密に閉鎖される。
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279
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2008-501934
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H170509
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ザ エアロスペース コーポレーション
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分離可能な操作モジュールおよび流体保持モジュールを有するマイクロ流体装置
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A4
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DC01 DC03
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WO2005/111435
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流体輸送／封じ込め装置は、流体保持モジュールおよび操作モジュールを有する。この流体保持モジュールは、サブストレートと、このサブストレートに分散させた流体輸送／封じ込め素子とを有し、この流体輸送／封じ込め素子のうちの１個またはそれ以上の流体輸送／封じ込め素子は、マイクロ流体寸法を有する。操作モジュールは、操作素子が流体輸送／封じ込め素子と接触して作用インタフェース（境界面）を生ずるように、流体保持モジュールに着脱可能に固定する。
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280
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2008-502143
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H170524
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トラスティーズ オブ ボストン ユニバーシティ
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制御可能なナノメカニカルメモリ素子
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A1
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DBX
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WO2006/076037
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メモリ装置は、区別可能な双安定状態を振幅変調下で呈するメカニカル素子を備える。これらの状態は、所定周波数の駆動信号の適用によって、動的に双安定性となるか多安定性となる。ヒステリシス効果に関連した素子の固有共振は、区別可能な複数の状態を特定の周波数範囲に亘って生じる。共通コンタクト上に設けられた異なる周波数範囲に対応する多様な素子を持つ複数の装置は、改良された密度で形成される。これらの装置は、起磁式、容量式、圧電式及び／又は光学式方法によって励起され、そして読み取られる。これらの装置は、平面方位付けされるか面外方位付けされて、３次元メモリ構造を可能にする。ＤＣバイアスが、周波数応答をシフトして、素子の状態を弁別するための代替法を可能にすることに使用される。【選択図】図４
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281
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2008-502462
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H170509
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イー２ブイ バイオセンサーズ リミティド
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マイクロ流体デバイス用の弁
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A4
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DC02
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WO2005/107947
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マイクロ流体デバイスにおいて流体の流れを制御するための弁が提供される。弁は基板２４上に形成されたチャンバ２６と加熱コイル４２とチャンバ２６内に収容された弁材料３０とを具備する。弁が閉じられるとき、加熱コイルが作動されて、弁材料をチャンバから外へ、ネック部２８を通って主流路２２内へ膨張させてそれを閉塞させる。好適には、弁材料はパラフィンワックスであり、また加熱コイル４２によって溶融を引き起こされる。溶融するとき、溶融されたパラフィンワックスは主流路内に流れ込み、そこでそれは冷えて再凝固する。カラー３６を有する狭窄部３４が冷却表面を備え、その冷却表面上に凝固するワックスが堆積する。
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282
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2008-502882
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H170606
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ユニベールシテ・デ・スジャンス・エ・テクノロジー・ドゥ・リル サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・レシェルシュ・サイエンティフィーク−セ・エン・エール・エス−
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生化学的分析のために液滴を扱う装置、前記装置を製造する方法及びマイクロ流体分析
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A4
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DC01 DEX MEX
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WO2006/003293
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本発明の第１の課題は、エレクトロウェッティング平面による移動における液滴の取り扱いに関する装置であって、少なくとも一つの移動経路を含む。経路は、その表面上に二つ以上の交互嵌合導電性電極を配置する電気的に絶縁性の基板を含む。これらの電極は、電気的に絶縁性の層によって覆われ、それ自身は部分的に濡れ性の層で覆われる。
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283
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2008-503075
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H170520
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キャベンディッシュ−キネティックス・ベスローテン・フェンノートシャップ
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微小機械素子を制御するための装置及び方法
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A4
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DBX MD01 MD03 MD09 MD10 MDX
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WO2005/124803
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本発明は、回路のための不揮発性メモリ装置を制御するための装置に関するものである。この装置は、基板に結合された微小機械素子を備えている。この微小機械素子は、基板の上に配置された偏向手段に対応して、１つの安定した状態又は複数の安定した状態の間で微小機械素子の移動を制御する。さらに、本発明は、不揮発性メモリ装置を制御するための方法に関するものでもある。この方法は、１つの安定した状態又は複数の安定した状態の間で微小機械素子を移動させるための偏向手段に対して、１つ又は複数の信号を印加する過程を含んでいる。本発明の有効性を高めるために、さらに不揮発性メモリ装置で用いるための短絡回路が設けられている。
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284
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2008-503772
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H170615
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ステレオ ディスプレイ，インコーポレイテッド アングストローム，インコーポレイテッド
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多段階位置を有するディスクリート制御マイクロミラー
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A4
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DA04
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WO2006/009689
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本発明は、静電気を用いた従来のマイクロミラーの欠点を克服した、２種類のディスクリート制御マイクロミラー（ＤＣＭ）を提供する。第１の類型のマイクロミラーは、静電気による従来のマイクロミラーよりも変位範囲の大きい可変支持ディスクリート制御マイクロミラー（ＶＳＤＣＭ）である。ＶＳＤＣＭの変位の正確性は、静電気による従来のマイクロミラーよりも好適であり、かつ動作電圧はＩＣ構成部品に適応している。ＤＣＭの第２の類型は、セグメント電極ディスクリート制御マイクロミラー（ＳＥＤＣＭ）であり、静電気による従来のマイクロミラーと同様の欠点を有している。しかし、ＳＥＤＣＭは、公知のマイクロ電子工学技術に適応される。
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285
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2008-504549
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H170629
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コミツサリア タ レネルジー アトミーク
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ＭＥＭＳに関してのまたは小型封入デバイスに関しての密封試験
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A4
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PI02 CA01
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WO2006/008412
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本発明は、ＭＥＭＳまたは封入された小型デバイスに関しての密封性試験方法に関するものであって、ＭＥＭＳまたは小型デバイスは、支持体のキャビティ内に収容されている。キャビティは、シール手段によってシールされているとともに、外部媒体の圧力に対して曝された際になるであろう密度とは異なる密度でもってガスを含有している。本発明による方法においては、キャビティ内に含有されているガスの密度を測定する。
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286
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2008-504574
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H170624
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コーネル リサーチ ファンデーション インク．
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ファイバー状の複合材料ベースのＭＥＭＳ光スキャナー
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A4
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DA02 DA04 MB03 MD01 MIX
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WO2006/002388
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ＭＥＭＳは、基質材を使用しないでファイバーから作られる。装置は、ファイバーが基板のエッジに取り付けられる場所にのみ作ることが出来る（例えば、カンチレバー、ブリッジ）。動きは、弱い結合を有する複数のファイバー間の結合を調整することによって制御可能である（例えば、基礎部、先端、その中間）。駆動機構は、基礎部の加重（磁気、圧電、静電気）または先端の加重（磁気）を含む。光スキャナーを形成するために、ミラーがカンチレバーの自由端に形成される。【選択図】図２７Ｂ、図３０
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287
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2008-504771
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H170629
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コミツサリア タ レネルジー アトミーク
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変形量が大きな複合型微小共振器
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A4
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DB02 PI02
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WO2006/013301
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本発明は、電気的機械的共振器に関するものであって、振動ボディ（４）と、少なくとも１つの励起電極（１４，１６）と、少なくとも１つの検出電極（１０，１２）と、を具備してなる共振器において、振動ボディが、第１ヤング率を有した第１材料から形成された第１部分（２０）と、第１ヤング率よりも小さな第２ヤング率を有した第２材料から形成された第２部分（２２）と、を備え、この第２部分が、少なくとも部分的に、検出電極（１０，１２）に対向して配置されていることを特徴としている。
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288
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2008-504975
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H170623
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ウナクシス ユーエスエイ、インコーポレイテッド
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時分割多重化エッチング処理時にアスペクト比に依存するエッチングを低減する方法と装置
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A4
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PB02
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WO2006/012297
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本発明は、析出処理とエッチング処理とを交互に行うことで半導体基板にプラズマ・エッチングにより深いトレンチを形成する場合に観察されるアスペクト比依存エッチングを低減するための方法および装置を提供する。基板上の異なる寸法の複数形状特徴が、交互の析出・エッチング処理中にリアルタイムでモニタされる。次いで、モニタからの情報に基づき、少なくとも１処理パラメータが、交互の析出・エッチング処理中に調節されることで、基板上の、寸法の異なる少なくとも２形状特徴のエッチング深さが等しくされる。
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289
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2008-505044
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H170328
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フォスター−ミラー，インコーポレーテッド
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電解析出によって製造されたカーボンナノチューブに基づく電子デバイス及びその応用
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A1
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DDX DEX MI04
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WO2005/094298
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電解析出により製造されたカーボンナノチューブに基づくデバイス及びその応用が提供される。デバイスは少なくとも１つのマイクロエレクトロニクス基板に堆積されたアクティブなカーボンナノチューブ接合アレイを少なくとも１つ有する。デバイスは基板、基板に配置され電源に接続された少なくとも１対の電極、及び少なくとも１対の電極間に配置された、半導電性カーボンナノチューブから本質的に構成されたカーボンナノチューブの束を有する。半導電性デバイスは２つの電極間でのカーボンナノチューブの電着により形成されてもよい。また、半導電性デバイスを形成する方法は、カーボンナノチューブロープにバイアス電圧を印加することによる。複数の金属性単層カーボンナノチューブは半導電性デバイスの形成に十分な量だけ（例えば、バイアス電圧の印加により）除去される。デバイスは、化学的又は生物学的センサ、カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ（ＣＮＦＥＴ）、トンネル接合、ショットキー接合、及び多次元ナノチューブアレイを含む。
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290
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2008-505315
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H170617
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ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
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水平に向けられた駆動電極を有するＭＥＭＳジャイロスコープ
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A4
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DD02
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WO2006/012104
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ＭＥＭＳジャイロスコープのレートバイアス誤差及びスケールファクタ誤差を減らすデバイス及び方法を開示する。本発明の例示的実施形態によるＭＥＭＳアクチュエータデバイスには、１つ又は複数の水平駆動電極（９２、９４、９６、９８、１４０）を含む少なくとも１つの基板（６８、７０）と、１つ又は複数の水平駆動電極（９２、９４、９６、９８、１４０）から垂直に間隔をあけられ、これに隣接する可動電極（６４、６６）とを含めることができる。水平駆動電極（９２、９４、９６、９８、１４０）及び／又は可動電極（６４、６６）は、デバイスの感知軸（７２）の方向での可動電極（６４、６６）の変位から生じるレートバイアス誤差及びスケールファクタ誤差をなくすか減らすように構成することができる。
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291
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2008-505768
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H170408
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インテル・コーポレーション
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ＭＥＭＳパッケージ用に低温で形成される、耐熱性を有する気密封止部
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A4
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PG04 MD13
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WO2005/108283
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【課題】ＭＥＭＳパッケージ用に低温で形成される、耐熱性を有する気密封止部を提供する。【解決手段】マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）のように気密封止されるデバイスの中には、処理温度が高いとそれに影響されてしまうものもある。しかし封止部は、例えばデバイス動作中などに接する可能性がある高温に対して耐性を有していなければならない。気密封止部の形成は、低融点（ＬＭＰ）成分（例えばインジウム（Ｉｎ）やスズ（Ｓｎ）など）と高融点（ＨＭＰ）成分（例えば金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）など）を含有するハンダ混合物に基づいて行う、フラックスを用いないハンダ付けによって行うとしてもよい。ＬＭＰ／ＨＭＰ比は、ＨＭＰ成分が多くなるように設定される。接合処理および熱アニ−ル処理を完了すると、ＬＭＰ成分は基本的になくなって、成分元素であるＨＭＰ／ＬＭＰ成分の処理温度よりも高い融点を持つ金属間化合物（ＩＭＣ）になる。【選択図】図５
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292
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2008-505770
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H170517
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インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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ＭＥＭＳ中の部品の位置決め精度を改善するための方法
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A4
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PG04 MD13
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WO2006/005643
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【課題】製造時のＭＥＭＳ部品の位置決め精度を改善するための方法を提供する。【解決手段】製造時のＭＥＭＳ部品の位置決め精度を改善するための方法を開示する。本発明によれば、ＭＥＭＳ部品の少なくとも一つは、球体またはベアリングを中心に置き、好ましくは温度散逸材料で一時的に固定する空洞を備える。ＭＥＭＳ部品が球体またはベアリングと接触しているとき、温度散逸材料を蒸発させ、異なる方向に動く二つの対向するＭＥＭＳ部品に対して非常に低い摩擦を提供し、非常に正確な位置決めを可能にする。第一の実施態様では、各ＭＥＭＳ部品は、部品を自己位置決めさせるためにハンダ付け合金とともに用いられるパッドを備える。第二の実施態様では、各部品は少なくとも一つの空洞を備え、上部の空洞は円錐形状を有し、下部の空洞は平らな床を有し、安定な状態に到達するとき、すなわち、球体が上部空洞の円錐体中心に置かれるとき、位置決めを実現する。【選択図】図６
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293
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2008-506548
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H170719
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アンビエント システムズ， インコーポレイテッド
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ナノスケール静電および電磁モータおよび発電機
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A1
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DDX MI05
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WO2007/024204
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本発明の目的は、静電力および電磁力を活用して作動するＮＥＭを提供することである。一つのナノ静電実施形態においては、ナノスケールビームが電界に張られる。帯電されたレールがビームの周りに置かれる。ビームがレールに接触するときには、ビームは電界の中を特定の方向に動かされる。一つのナノ電磁実施形態においては、ナノスケールビームが磁界に張られる。ビームの付近にレールが置かれており、極性の異なる電荷がレールおよびビームに加えられる。この形態において、ビームおよびレールが互いに接触するときには、ビームとレールとの間に電流が流れ得る。この電流は磁界と相互作用し、その結果ビームを特定の方向に動かす。
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294
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2008-506913
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H170718
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ハリス コーポレイション
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電気活性材料を用いる組み込まれた制御バルブ
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A4
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DC02 MEX
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WO2006/020093
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マイクロ流体制御バルブ（１００）は少なくとも１つのキャビティ（２６０）を規定する誘電体構造（１０５）を有する。電気活性ポリマーのような電気活性材料（３０５）がキャビティの一部に備えられている。電気活性材料は、電気活性材料の寸法が第１値を有する第１状態と、その寸法が第２状態を有する第２状態との間で動作可能である。２つの導体（２４０、２５０）は、第１状態と第２状態との間で電気活性材料を変化させるように、電気活性材料に電位を印加するために備えられている。第１流体ポート（３１０）は、電気活性材料が第１状態にあるときに、流体が第１流体ポートを通って流れ、電気活性材料が第２状態にあるときに、電気活性材料は第１流体ポートを少なくとも一部で遮るように、電気活性材料に近接して位置している。
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295
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2008-506989
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H170706
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ステレオ ディスプレイ，インコーポレイテッド アングストローム，インコーポレイテッド
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可変焦点距離レンズ、および個々に制御されるマイクロミラーを備えたレンズアレイ
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A4
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DA04
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WO2006/019571
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個々に制御されるマイクロミラーアレイレンズ（ＤＣＭＡＬ）は、複数の個々に制御されるマイクロミラー（ＤＣＭ）と駆動部分とから構成される。上記駆動部分は、静電気的に、上記ＤＣＭの位置を制御する。上記ＤＣＭＡＬの光学効率は、ＤＣＭを支持する機械的構造と上記駆動部分とを上記ＤＣＭの下に配置して、有効反射領域を増加させることにより、改善される。公知のマイクロエレクトロニクス技術は、電極パッドおよびワイヤによる有効反射領域の損失を取り除くことができる。上記レンズは、ＤＣＭを独立に制御することにより、収差を補正することができる。各ＤＣＭの独立制御は、公知のマイクロエレクトロニクス技術によって達成できる。ＤＣＭアレイは、任意の形状および／またはサイズのレンズを形成することができる、または、任意の形状および／またはサイズのレンズを備えたレンズアレイを形成することができる。
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296
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2008-507115
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H170617
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ポイント ３５ マイクロストラクチャーズ リミテッド
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マイクロ構造体のエッチングの改良方法及び装置
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A4
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PB04
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WO2005/124827
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処理室（１１）の中に位置する１つ又は複数のマイクロ構造体をエッチングするためのエッチングガス源（１０）を備える装置（９）及び方法が提供される。この装置は、ガス源（２６）及びエッチング材料（２８）を含むための１つ又は複数の室（２７）に付設されたガス源供給ライン（１２）を有している。使用において、１つ又は複数の室（２７）の中でエッチング材料（２８）がエッチング材料蒸気に変換され、ガス供給ライン（１２）は、キャリヤーガスをエッチング材料蒸気に供給するための手段、及び次いでキャリヤーガスによって移送されたエッチング材料蒸気を処理室（１１）に供給するための手段を備える。有利なことに、本発明の装置（９）は、エッチングガスの連続的な流れを達成するためにいかなる膨張室又は他の複雑な機械的な特徴の組み込みも必要としない。
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297
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2008-507394
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H170708
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ヴェロシス，インク．
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マイクロチャネル技術を用いる蒸留プロセス
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A4
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DC01
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WO2006/019658
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開示される発明は、異なる揮発性を有する二つ以上の成分を、それら成分を含む液体混合物から分離するための蒸留プロセスに関する。本プロセスは、蒸留を実現するためにマイクロチャネル技術を使用し、エタンのエチレンからの分離など、個々の成分が互いに非常に近い揮発性を有することを特徴とする、困難な分離を実施するのに特に適する。【選択図】図１
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298
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2008-507416
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H170706
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ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー．
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静電的に引きつけられるイオンによるエッチング
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A4
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PB01
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WO2006/019572
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本発明は、少なくとも第１と第２のガスを含むプラズマを基板（202）に導くことを含む技術に関する。基板（202）は、少なくとも第１の層（206）と第２の層（204）によって少なくとも部分的に覆われている。第１のガスのイオンは、基板（202）に向かって静電的に引きつけられる。第２のガスは、第１の層（206）を第２の層（204）に対して選択的にエッチングする。【選択図】図１Ｂ
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299
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2008-507630
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H170719
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ユニヴァーシティー オブ ニューキャッスル アポン タイン
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マイクロ及びナノデバイスの製造工程
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A1
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PBX
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WO2006/010888
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ワークピース上にマイクロ又はナノスケールのパターンを堆積又はエッチングする方法が開示され、その方法は（ａ）ワークピースを電気化学反応器内に、パターン付けされたツールに近接して配置するステップと、（ｂ）ワークピースを、エッチングする場合にはアノードとなり、又は堆積する場合にはカソードとなるように、及び、パターン付けされたツールは対極になるように接続するステップと、（ｃ）２つの電極間に形成されるセルの電解動作に必要な電解液をポンプ注入するステップと、（ｄ）ワークピースをエッチング又は堆積するために、電極の両端に電流を印加するステップとを含む。
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300
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2008-507673
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H170722
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エイエフエイ・コントロールズ，リミテッド・ライアビリティ・カンパニー
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マイクロバルブアセンブリの動作方法および関連構造および関連デバイス
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A4
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DC02
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WO2006/012509
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弁アセンブリが、主要ハウジングと、第１および第２の静電駆動式弁を備えてもよい。主要ハウジングは、少なくとも３つのチャンバ、すなわち、高圧供給ポートに結合されるように構成された第１のチャンバと、出力ポートに結合されるように構成された第２のチャンバと、低圧排気ポートに結合されるように構成された第３のチャンバとを画定してもよい。第１の静電駆動式弁は、第１および第２のチャンバ間に設けられてもよく、第１の静電駆動式弁は、第１の電気信号に応答して、第１のチャンバと第２のチャンバとの間の流通を許容または実質的に阻止してもよい。第２の静電駆動式弁は、第２および第３のチャンバ間に設けられてもよく、第２の静電駆動式弁は、第２の電気信号に応答して、第２のチャンバおよび第３のチャンバ間の流通を許容または実質的に阻止してもよい。関連する方法についても記述する。
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301
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2008-507724
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H160720
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エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ
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可変焦点マイクロレンズ
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A4
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DCX
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WO2006/009514
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マイクロレンズチップは、可変焦点流体マイクロレンズ及びアクチュエータを備える。アクチュエータは、マイクロレンズチップの流体チャンネルの圧力を変え、この流体チャンネルは、マイクロレンズを含むアパーチャ開口部に結合されている。アクチュエータに電界を印可することで、流体チャンネルの流体圧力の変化が生じ、これが、今度は、流体マイクロレンズの曲率半径（すなわち、焦点距離）を変える。【選択図】図２
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302
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2008-508110
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H170531
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アナログ デバイシス， インコーポレイテッド
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ＭＥＭＳデバイスの製造方法
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A4
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PI02
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WO2006/022957
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本発明によるマイクロ電子機械（ＭＥＭＳ）デバイスの製造方法は、その可動構造が形成された後に、デバイスウェハのボトム側を除去する。その目的のために、この方法は、初期ボトム側を有するデバイスウェハを提供する。次いで、この方法は、そのデバイスウェハ上に、可動構造を形成し、続いて、このデバイスウェハの初期ボトム側全体を実質的に除去する。初期ボトム側全体を効率的に除去することによって、最終ボトム側が形成される。
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303
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2008-508995
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H170811
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ハリス コーポレイション
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単極モータを用いた内蔵型流体混合装置
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A4
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DCX
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WO2006/023351
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本発明は単極モータ（110）を有する流体置換装置（100）に関する。単極モータは、少なくとも１つの流体置換構造（120）が配置された回転可能な円板（115）を含んでいる。この流体置換構造は翼板とし得る。回転可能な円板は、例えばセラミック基板、液晶高分子基板、又は半導体基板などの基板（105）に形作られた空洞（145）内に配置されている。回転可能な円板の回転速度を制御するために閉ループ制御回路（235）が含められ得る。例えば、この制御回路は、回転可能な円板に電圧を印加する電圧源又は電流源を制御する。この制御回路はまた、回転可能な円板の回転軸（155）に実質的に整合された磁場（205）を印加する磁石（210）の強度を制御し得る。
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304
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2008-509010
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H170621
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ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
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付着防止層を堆積する方法
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A4
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PI02
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WO2006/015901
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本発明は、堆積すべき物質または前駆物質を、溶剤または移送媒体中で構造体（５ａ、７ａ）に供給することにより、基板（Ｓｕｂ）上のマイクロメカニック構造体（５ａ、７ａ）の表面上に付着防止層を堆積する方法に関する。使用される溶剤および移送媒体は超臨界ＣＯ２流体である。前記物質または前駆物質の堆積はＣＯ２流体の状態の物理的変化によりまたは表面と前駆物質の表面反応により行う。本発明の方法は、接続通路（１５）または穿孔ホールにより堆積すべき材料を供給することにより、構造体のカプセル化後に、空洞（１４）またはキャビティ中でマイクロメカニック構造体（５ａ、７ａ）を被覆することを可能にする。
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305
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2008-509396
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H170804
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スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー
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試料処理装置を位置決めする装置および方法
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A4
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DC03
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WO2006/017611
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マイクロ流体試料処理装置の処理チャンバを、マイクロプレートリーダーの適切な焦点面に位置決めする装置および方法が開示されている。この装置および方法は、異なるマイクロプレートリーダーで処理するのに必要とされる異なる高さに試料処理装置を位置決めするように適合可能である。位置決め装置は、処理チャンバをマイクロプレートリーダーの焦点面内に設置するために、試料処理装置に関連させて用いられる。
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306
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2008-509820
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H170713
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ザ・チャールズ・スターク・ドレイパ・ラボラトリー・インコーポレイテッド
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ＭＥＭＳデバイス、及び介在物、並びにＭＥＭＳデバイス、及び介在物を統合するための方法
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A4
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DD01 DD02 PHX
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WO2006/019761
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本発明の側面によると、プロセスは、ボンディングされた、エッチ・バック絶縁体上シリコン（以降は、ＢＥＳＯＩと称する）方法に基づく。ＢＥＳＯＩ方法は、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェハを含み、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェハは、（ｉ）ハンドル・レイヤ、（ｉｉ）二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）レイヤであることが好ましい誘電体レイヤ、及び（iii）装置レイヤを有する。最初、装置レイヤは、メサ・エッチングによってパターン形成される。装置レイヤがパターン形成された後、ＳＯＩウェハは、基板に面する、パターン形成された装置レイヤを有する基板にボンディングされる。ＳＯＩウェハのハンドル・レイヤ、及び誘電体レイヤは、エッチングによって除去される。更に、装置レイヤが、ＭＥＭＳ装置を定めるためにエッチングされる。ＢＥＳＯＩ方法では、誘電体ＳｉＯ2レイヤが除去された後に構造エッチングが実行される。
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307
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2008-510324
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H170311
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ジョージア テック リサーチ コーポレイション
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非対称薄膜ｃＭＵＴ素子及び製作方法
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A4
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DDX
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WO2005/087391
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【課題】非対称薄膜容量性微小機械加工超音波変換器（ｃＭＵＴ）及びｃＭＵＴ撮像アレイの製作に関する技術を提供する。【解決手段】非対称薄膜容量性微細機械加工超音波変換器（ｃＭＵＴ）素子及び製作方法。好ましい実施形態では、本発明によるｃＭＵＴ素子は、一般的に非対称特性を有する薄膜を含む。薄膜は、その端部が異なる幅を有するようにその長さにわたって変動する幅を有することができる。非対称薄膜は、その様々な幅寸法のために様々な撓み特性を有することができる。別の好ましい実施形態では、本発明によるｃＭＵＴ素子は、一般的に非対称特性を有する電極要素を含む。電極要素は、その端部が異なる幅を有するようにその長さにわたって変動する幅を有することができる。非対称電極要素は、その様々な幅寸法のために異なる受信及び送信特性を有することができる。別の好ましい実施形態では、薄膜に沿って位置決めされた質量負荷が、薄膜の質量分布を変更することができる。また、他の実施形態も特許請求して説明する。【選択図】図１３
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308
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2008-510505
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H170818
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エフ ホフマン−ラ ロッシュ アクチェン ゲゼルシャフト
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マイクロ流体システムおよびその製造方法
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A4
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DC01 ME03
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WO2006/021361
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本発明は、好ましくは穿刺部材（１４）を備えた支持体（１２）およびその上に配置された受取位置から標的位置（２２，２４）まで流体を毛管輸送するための半開のマイクロチャネル（１６）からなるマイクロ流体システムに関する。高アスペクト比を得るために、支持体（１２）が、少なくとも上部領域においてマイクロチャネル（１６）を側方向に画定する重積層（１８）で被覆されることが提案される。
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309
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2008-511105
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H170819
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テラビクタ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
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接触構造と支持腕の相対配置を有するプレート・ベース微小電気機械スイッチ
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A4
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DB01
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WO2006/023724
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可動電極の周縁から延びる３の倍数の支持腕を含む微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチが提供される。さらに、ＭＥＭＳスイッチは、固定電極と可動電極との間の空間内に延びる部分を有する複数の接触構造を含む。ある場合には、支持腕と接触構造の相対配置は、固定電極の全体と可動電極の全体をひとまとめにして構成するＭＥＭＳスイッチの３つの領域の間で合同である。他の実施形態では、接触構造は、ＭＥＭＳスイッチ内で合同に配置されなくてもよい。
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310
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2008-511825
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H170830
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コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
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マイクロ流体システム
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A4
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DC01
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WO2006/025014
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マイクロ流体システムは、例えばセンサ又はポンプユニットといった要素4を有する。それらは、チャネル7で導かれる流体の特性を測定するよう又はこの液体に関する影響を与えるよう意図される。本発明において、マイクロ流体システムは、要素構造49が形成され、それと平行にチャネル構造8が、チャネル7がチャネル構造8に組み込まれるような態様で配置され、要素4がキャストジャケット物質5に埋め込まれることが提案される。斯かるマイクロ流体システムにおいて、チャネルを通る非常に良好な流れ特性を備える流体の流れが実現されることができるという態様で、要素がチャネルに対して配置されることができる。
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311
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2008-512075
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H170901
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シルマック
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時計機構のための駆動装置
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A4
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PB02 MA01
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WO2006/024651
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【課題】運動発生機構を構成する構成要素の構造を単純化する。【解決手段】本発明は、ウエハ（１１）におけるエッチングによって形成された駆動装置に関するものであり、駆動装置は被動要素と順次噛み合うのに適した駆動要素（２５０）および被動要素を駆動するためにヒステリシス運動によって駆動要素（２５０）を移動させるのに適した作動要素を含み、駆動要素（２５０、２７０）がウエハ（１１）の外縁に配置されていることで駆動要素と向かい合って配置された被動要素との噛み合いを可能にすることを特徴とする駆動装置。本発明はかかる駆動装置および駆動装置によって回転駆動されるのに適した入力車を含む時計機構にも関するものである。【選択図】図７
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2008-512235
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H170909
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アンスティテュート キュリー セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク
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マイクロチャネルまたは他のマイクロ容器中でパケットを操作するためのデバイス
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A4
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DC01
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WO2006/027757
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本発明は、少なくとも１のパケットに対して汚染なしに化学的または物理的処理を行うためのマイクロ流体デバイス（１）に関する。【選択図】図１
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313
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2008-512237
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H170913
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スペグ カンパニー リミテッド
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マイクロチャンネルリアクター
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A4
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DC01
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WO2006/031058
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【課題】本発明はマイクロチャンネルリアクターに関し、より詳しくは分配板によって分配された異種流体が分岐ポートによって噴射されて互いに衝突することで混合するようにして、異種流体を上下で繰返し移動されるように形成された流路を通過するようにして互いに衝突しながら反応するようにするマイクロチャンネルリアクターに関する。【解決手段】混合する流体が投入される投入管がそれぞれ具備された流体投入部と、投入された流体が混合する流体混合部と、混合した流体が排出される流体排出部とを有している。前記流体投入部は、前記投入管から投入された流体が連通される連通部と、前記連通部で前記流体混合部で排出されて所定の間隔で排出口が形成された分配板をそれぞれ具備している。前記流体混合部は、前記排出口とそれぞれ貫通された通孔と連通された多数の微細チャンネルと、前記微細チャンネルの排出側端部に形成されながら隣接した微細チャンネルを通過する互いに違う流体が互いに衝突して混合するように分岐ポートとを具備している。前記流体排出部は、前記分岐ポートによって衝突して混合した流体を収容する収容部と、前記収容部で排出される排出口とを具備している。【選択図】図１
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2008-512841
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H170912
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テヒニシェ、ユニベルシテイト、デルフト スティヒティング、フォール、デ、テヒニシュ、ウェテンシャッペン
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透過型電子顕微鏡用のマイクロリアクタおよび加熱要素とその製造方法
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A4
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DC01
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WO2006/031104
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第１および第２の被覆層（１３）を備え、これらの被覆層は、両方とも電子顕微鏡の電子ビーム（１４）に対して少なくとも一部が透明性であり、さらに相互から一定の相互距離を置いて相互に隣接して延び、これらの被覆層間にチャンバ（１５）が取り囲まれている、顕微鏡で使用するマイクロリアクタであって、入口（４）および出口（５）が、流体をチャンバに通して供給するために設けられ、さらに加熱手段（８）が、チャンバおよび／またはこのチャンバの中に存在する要素を加熱するために設けられるマイクロリアクタ。
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315
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2008-513022
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H170915
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マイクロチップ バイオテクノロジーズ， インコーポレイテッド
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マイクロ流体デバイス
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A4
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DC01
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WO2006/032044
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様々なタイプのモジュールへマイクロチップをインターフェースするための方法およびデバイスが開示される。開示したテクノロジーは、ＤＮＡシーケンシングおよびゲノタイピング、プロテオミクス、病原体検出、診断ならびに生物兵器防衛などの様々な用途のためのサンプル調製および分析システムとして使用できる。本発明は、標的分析物を捕捉および精製するための手段および該標的分析物をマイクロ流体デバイス内へ導入するための手段を備える第１モジュールと、該マイクロ流体デバイスを備える第２モジュールと、を備え、ここで該マイクロ流体デバイスは該標的分析物を検出もしくは分析するために適合する、モジュラーシステムを提供する。
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2008-513801
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H170920
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パイコム・コーポレーション オグ−キ・イ
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垂直型電気的接触体の製造方法及びこれによる垂直型電気的接触体
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A4
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PIX
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WO2006/080621
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垂直型電気的接触体及びその製造方法を提供する。本発明は犠牲基板上に第１保護膜パターンを形成する第１段階と、エッチング工程を実行することによって前記犠牲基板上にトレンチを形成する第２段階と、前記第１保護膜パターンを除去し、前記犠牲基板の上部に第２保護膜パターンを形成して空間部を形成する第３段階と、前記トレンチと前記空間部に導電性物質を埋め込ませてチップ及び支持ビームを形成する第４段階と、前記チップ及び支持ビームが形成された犠牲基板の上部に第３保護膜パターンを形成して空間部を形成する第５段階と、前記空間部に導電性物質を埋め込ませて中孔型容器本体を形成する第６段階と、前記中孔型容器本体をＭＰＨ上に形成されたバンプにボンディングする第７段階と、前記犠牲基板を除去させることによって電気的接触体のチップを開放する第８段階とを含んで構成されることを特徴とする。
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2008-513975
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H170729
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ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー．
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低温プラズマ接合のためのシステムおよび方法
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A4
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PHX
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WO2006/020439
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複数の基板（１４５、４４０、４５０）を接合する方法が、複数の基板（１４５、４４０、４５０）上でガスプラズマ処理を実施すること、および複数の基板（１４５、４４０、４５０）上で水プラズマ処理を実施することを含む。さらに、低温プラズマ強化接合を実行するためのシステムが、基板（１４５、４４０、４５０）収容空間を有する基板ハウジング構造と、基板ハウジング構造に流体連通するガス源と、基板ハウジング構造に流体連通する水蒸気源（２３０）と、基板ハウジング構造に接続される無線周波数（ＲＦ）発生器（２６０）とを備え、そのシステムは、ガスプラズマ処理および水プラズマ処理の両方が基板（１４５、４４０、４５０）上で実施されるように構成されている。
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318
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2008-514438
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H170830
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アイディーシー、エルエルシー
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微小電気機械システムデバイス内の構造物の電気機械的挙動の制御
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A4
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PI02 MA03 MB02 MB03 MD05 MD09 MDX
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WO2006/036435
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【課題】微小電気機械システムデバイス内における構造物の電気機械的動作を制御すること。【解決手段】一実施形態においては、本発明は、微小電気機械システムデバイスを製造する方法を提供する。前記方法は、特徴的な電気機械的反応、及び特徴的な光学的反応を有する膜を具備する第１の層を製造することであって、前記特徴的な光学的反応は望ましく、前記特徴的な電気機械的反応は望ましくないことと、前記電気機械システムデバイスの起動中に蓄積される電荷を少なくとも減少させることによって前記特徴的な電気機械的反応を修正すること、とを具備する。
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319
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2008-514441
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H170927
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トラシット テクノロジーズ
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マイクロエレクトロニクス及びマイクロシステムの新規構造、及びその製造方法
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A4
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PI02
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WO2006/035031
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本発明は、表面層（２）、少なくとも一つの埋め込み層（４）、及び支持体から構成される半導体構造体の形成方法に関する。本方法は、第一の支持体上に第一の材料からなる第一の層（４４）を形成し、更に第一の層の内部に、第一の材料よりエッチング速度の大きい第二の材料からなる少なくとも一つの領域（２６、２８）を形成する第一のステップと、第二の支持体の上に構造体を組み立てることにより表面層（２）を形成し、二つの支持体の少なくとも一方を薄膜化する第二のステップとを含む。
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320
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2008-514901
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H170902
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クリーブランド バイオセンサーズ プロプライエタリー リミテッド
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マイクロ流体デバイス
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A4
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DC01 DC03
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WO2006/034525
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本体内に形成された少なくとも１本のマイクロチャネル（７４）と該マイクロチャネルに連通するポンプ（７２）とを有する閉ループマイクロ流体デバイス。ポンプは外部駆動力によって作動し、マイクロチャネル内の流体の押進及び牽引を行う。試薬を貯蔵するために、マイクロチャネルに連通する複数のチャンバ（７３，７６）が形成される。試薬はポンプによってマイクロチャネル内を移動させられる。マイクロチャネルには複数の活性区域（７０，７１）も形成される。様々な反応及び診断は活性区域において行なわれる。試料はシール可能な流入ポート（７７）を介してマイクロチャネルへ導入される。マイクロチャネルは、すべての必要な試薬及び診断装置を閉ループマイクロ流体デバイス内に収容して、閉ループを形成する。試料は、完全に閉ループマイクロチャネル内で処理され分析される。
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321
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2008-514964
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H170929
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ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
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スモールギャップ光センサ
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A4
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DDX
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WO2006/039444
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カソードからのとるに足らないスパッタリングと、その後のキャビティ内の不活性ガスを葬ることを最小にすることにより、検出器の長い寿命を生じさせ、高圧キャビティ（２６）を可能にし、カソード（１８）とアノード（１５）との間の小さなギャップを備えた光検出器（１０）を有するセンサ。検出器は、ＭＥＭＳ技術で作られる。センサは、光センサ（１０）のアレイを包含しうる。検出器のいくつかは、ＵＶ検出器であって良い。
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322
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2008-514984
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H170822
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アイディーシー、エルエルシー
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光干渉変調器中のミラーの傾斜を抑制するための方法およびデバイス
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A4
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DA04 DAX
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WO2006/036384
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【課題】光干渉変調器中のミラーの傾斜を抑制するための方法およびデバイスを提供する。【解決手段】分離可能な変調器アーキテクチャを有する光干渉変調器が、キャビティの上の可撓層からつるされた反射層を有していることを開示する。光干渉変調器は、丸まりおよび／または傾斜などの反射層の不所望な動作を抑制する一つ以上の反傾斜部材を有している。反傾斜部材による反射層の安定化は、光干渉変調器の光学出力の品質を改善することが可能であり、またそのような光干渉変調器を備えているディスプレイの光学出力の品質を改善ことも可能である。【選択図】
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323
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2008-514987
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H170830
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アイディーシー、エルエルシー
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光干渉変調器中の変形可能な膜の作動電圧しきい値を修正するためのデバイスと方法
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A4
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DA04 DAX
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WO2006/036437
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【課題】光干渉変調器中の変形可能な膜の作動電圧しきい値を修正するためのデバイスと方法を提供する。【解決手段】部分的に反射的で部分的に透過性のある表面１６と、部分的に反射的で部分的に透過性のある表面１６の後ろに配置された反射面１４との間の間隔を変えることによって、光干渉変調器１２は、二つの反射面１４，１６で反射して去る光波の強め合うおよび／または弱め合う干渉を作り出す。間隔は電圧を印加することによって変えることができ、二つの表面１４，１６の間の静電引力を作り出し、それは一方または両方の表面１４，１６を変形させ互いにより近くに移動させる。そのような引力がない状態では、表面１４，１６は弛緩位置にあり、それらは互いにそれ以上離れない。作動電圧は、表面１４，１６を変形させるに十分な静電引力を作り出す必要がある。【選択図】
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324
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2008-514991
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H170902
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アイディーシー、エルエルシー
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リフトオフ工程技術を用いたインターフェロメトリック変調器の製造方法
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A4
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DAX PI02
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WO2006/036470
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【課題】リフトオフ工程技術を用いたインターフェロメトリック変調器の製造方法【解決手段】本開示の実施形態は、リフトオフ工程技術を用いてインターフェロメトリックデバイスを製造する方法を含む。光学的スタックまたは屈曲層などのインターフェロメトリック変調器の種々の層の製造においてリフトオフ工程を用いることは、各層に関連する複数の材料に関する個々の化学現象を有利に避けることができる。さらに、リフトオフ工程を使用することは、インターフェロメトリック変調器の製造に利用される材料及び施設の選択を増やすことを可能にする。【選択図】図８
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325
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2008-514993
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H170909
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アイディーシー、エルエルシー
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自立型微細構造を製造する方法
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A4
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DAX PI02
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WO2006/036518
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【解決手段】統合ポストおよび変形可能層８７０を備えるＭＥＭＳデバイス８００が提供される。いくつかの実施形態では、ポストと変形可能層との間の移行部は、実質的に単一の弓形又は凸形状の表面を備えており、これによって、機械的にロバストな構造を提供する。いくつかの実施形態は、その上に比較的一様な変形可能層を形成することに役立つ面を提供する自己平坦化犠牲材料の使用を含むＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。【選択図】図８Ｇ
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326
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2008-514995
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H170915
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アイディーシー、エルエルシー
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充てん物質を使用した光干渉光変調器と方法
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A4
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DAX PI02
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WO2006/036542
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【課題】充てん物質を使用した光干渉光変調器と方法を提供する。【解決手段】基板と可動ミラーと変形可能層と支持構造とを備えているＭＥＭＳデバイスたとえば光干渉変調器を備えている装置と製造するための方法とシステムとが記述されている。いくつかの実施形態では、支持構造は複数の支持ポストを備えている。コネクターは、変形可能層に固定された可動ミラーを固定する。コネクターと支持ポストの少なくとも一つが、第一の構成部分と第一の構成部分と第二の構成部分とからなる複合物であり、ここで第一の構成部分においてがコネクターと支持ポストの周囲の少なくとも一つの少なくとも一部を形成する。【選択図】
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327
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2008-514998
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H170919
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アイディーシー、エルエルシー
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薄膜トランジスター製造技術を使用して反射表示デバイスを作る方法
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A4
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DAX PI02 MA03 MB03 MD02 MD05
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WO2006/036642
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【課題】薄膜トランジスター製造技術を使用して反射表示デバイスを作る方法を提供する。【解決手段】（光干渉変調器などの）ＭＥＭＳデバイスは薄膜トランジスター（ＴＦＴ）製造技術を使用して製造されうる。ある実施形態では、ＭＥＭＳ製造プロセスは、ＴＦＴ生産ラインを識別することと、ＴＦＴ生産ラインでＭＥＭＳデバイスの製造の準備をすることとを含んでいる。別の実施形態では、光干渉変調器は、あらかじめＴＦＴ生産のために構成された生産ラインで少なくとも部分的に製造される。【選択図】
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328
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2008-515002
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H170923
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アイディーシー、エルエルシー
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ＭＥＭＳディスプレイ素子をアクチュエートするシステム及び方法
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A4
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DAX
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WO2006/036803
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【解決手段】ＭＥＭＳディスプレイ素子をアクチュエートする装置及び方法。実施形態は、ビデオデータのフレームを表示する素子を制御する装置である。アレイ（３０）を備える素子は、素子を第１のディスプレイ状態にするため、フレームディスプレイ書込処理の第１の部分（１００）の間、素子に電位差をアサートし、素子を第２のディスプレイ状態にしてビデオデータのフレームを表示するために、フレームディスプレイ書込処理の第２の部分（１０１）の間、素子上に電位差をアサートするアレイコントローラ（２２）を含む。第１のディスプレイ状態は、第２のディスプレイ状態とは異なる。別の実施形態では、アレイコントローラ（２２）は、電荷蓄積及びオフセット電圧レベルに対して影響を与える素子に大きな電位差をアサートする。別の実施形態では、アレイコントローラ（２２）は、素子の動作に影響を与える逆境条件に打ち勝つため状態間で素子を迅速に切り替えるためパルスをアサートする。【選択図】図１１Ｂ
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329
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2008-515004
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H170923
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アイディーシー、エルエルシー
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インターフェロメトリック変調器の欠陥を視覚的に検査する方法
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A4
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DAX
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WO2006/036903
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【課題】インターフェロメトリック変調器の欠陥を視覚的に検査する方法【解決手段】様々な駆動状態における、インターフェロメトリック変調器のアレイ６０の視覚的検査のための方法が提供される。この方法は、検査パッド７２等の単一の検査パッド又は検査リードを介して、インターフェロメトリック変調器の多数の列又は行を駆動することと、その後に、アレイ６０の予想した光出力と実際の光出力の相違についてアレイ６０を観察することとを含むことができる。この方法は、特に、例えば、列６２等の隣接しない行又は列からなるセットを、列６４等の間にある行又は列とは異なる状態に駆動することと、その後に、アレイ６０の光出力を観察することとを含むことができる。【選択図】図８
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330
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2008-515150
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H170914
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アイディーシー、エルエルシー
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変形する薄膜を備えたＭＥＭＳスイッチ
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A4
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DB1
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WO2006/036560
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【解決手段】電圧が加えられると変形可能となる薄膜あるいは層を備えたＭＥＭＳスイッチが形成される。いくつかの実施形態では、電圧の印加が、スイッチコンタクトを開く。【選択図】図１１Ａ
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331
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2008-516196
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H170705
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アナログ デバイシス， インコーポレイテッド
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プリモールドタイプパッケージを有するパッケージ化されたマイクロチップ
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A4
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DD01 DD02 PH05
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WO2006/036250
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ＭＥＭＳ慣性センサは、少なくとも部分的に低湿度浸透性成形材料から形成されるプリモールドタイプパッケージ内に固定される。その結果、そのような動き検出器は、セラミックパッケージを使用したものより経済的に製造され得る。これらの目的のために、パッケージは、空洞を形成するようにリードフレームから延びている（低湿度浸透性を有する）少なくとも一つの壁と空洞内の（上面を有する）アイソレータとを有する。ＭＥＭＳ慣性センサは、底面を有する基板上に保持された可動構造を有する。基板の底面は、接触領域でアイソレータ上面に固定されている。例示的実施形態において、該接触領域は、基板の底面の表面領域より小さい。従って、アイソレータは、基板底面の少なくとも一部とパッケージとの間にスペースを形成する。従って、このスペースは、アイソレータから自由になっている。
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332
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2008-516252
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H180919
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ビ−エイイ− システムズ パブリック リミテッド カンパニ−
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センサー装置
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A4
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DDX PI03 MD06 MD10
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WO2007/034240
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基板の開口又は凹部の上方に隔膜が設けられている上側を有する基板を具備するセンサー装置において、前記隔膜は熱的及び電気的に絶縁性であり、抵抗材料層を備える加熱素子の上面に設けられており、加熱素子との電気的接続は隔膜及び／又は基板に埋め込まれており、かつ基板の下側に電気端子を提供する、航空機の外部における風速を検出するためのセンサー装置。加熱素子は雰囲気中にさらされるが、残りの電気部品はさらされていない。【選択図】図１
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333
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2008-516254
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H161013
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キオニックス インコーポレイテッド
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成層マイクロ流体構造、成層高分子マイクロ流体構造を形成するために少なくとも２つの高分子構成要素を積層する方法、および成層高分子マイクロ流体構造製造方法
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A4
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DC01 ME07 MEX PGX
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WO2006/043922
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マイクロ流体構造の２つ以上の構成要素が、固く結合されるか、または弱溶剤結合剤、特にアセトニトリルやアセトニトリルとアルコールとの混合物により成層された、高分子マイクロ流体構造の製造方法。ある態様では、アセトニトリルは、ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル、または三次元マイクロ流体ネットワークを形成する他の線状高分子などの非エラストマー重合体内のマイクロ構造を封止するための、弱溶剤結合剤として使用可能である。本方法は、所与の、より低い温度範囲の、対向する表面へ隣接接触し、所与の時間の間に低い温度範囲よりも高い温度で結合剤を活性化する弱溶剤結合剤により、高分子基板構成要素の対向する表面の少なくとも１つを濡らすステップを伴っている。また、接触した高分子基板は、熱活性化の前に整列され、熱活性化の間圧縮されてもよい。また、成層高分子マイクロ流体構造が開示されている。
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334
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2008-516267
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H170916
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アイディーシー、エルエルシー
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インターフェロメトリック変調器に関するプロセスコントロールモニター
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A4
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DAX
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WO2006/036601
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【課題】インターフェロメトリック変調器に関するプロセスコントロールモニター【解決手段】ＭＥＭＳデバイス１０８の製造に用いられるプロセスステップと同じプロセスステップの少なくとも一部を用いて製造されるプロセスコントロールモニター１００、１０２、及び１０４が開示される。プロセスコントロールモニター１００、１０２、及び１０４の分析は、ＭＥＭＳデバイス１０８の性質及び前記デバイス内の構成要素又は副構成要素に関する情報を提供することができる。この情報は、加工の際の誤りを識別するために又はＭＥＭＳデバイス１０８を最適化するために用いることができる。幾つかの実施形態においては、プロセスコントロールモニター１００、１０２、及び１０４の分析は、光学的測定値を利用することができる。【選択図】図８
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335
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2008-516282
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H170830
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ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー．
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微小電気機械システムにおけるアモルファス屈曲部
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A4
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DA01 DAX MDX
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WO2006/041585
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微小電気機械システム（１００、２００、３００、４００及び５００）は、屈曲部（１２０）を含み、屈曲部（１２０）はアモルファス材料で作成される。同様に、微小電気機械システム（１００、２００、３００、４００及び５００）を形成する方法は、基板（１１０，２１０）を形成することと、アモルファス屈曲部（１２０）を形成することとを含み、アモルファス屈曲部（１２０）は、基板（１１０，２１０）に結合されている。
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336
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2008-516784
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H171011
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フジフィルム ディマティックス，インコーポレイテッド
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圧電ブロックを有するマイクロ電子機械デバイスおよびこれを作製する方法
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A4
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MGX
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WO2006/044329
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圧電アクチュエータ（１０４）を有する構造体を備えたマイクロ電子機械システムについて説明する。各アクチュエータは、ボディ（２００）に支持される圧電アイランドを含む。圧電アイランドは、工程の一部として、圧電材料の厚いレイヤにカット（１４５）を形成し、カットされた圧電レイヤ（１０７）を、エッチング形成構造を持つ前記ボディ（２００）に接着し、圧電レイヤをカット（１４０）の深さより薄い厚さに研磨することによって形成することができる。導電材料（１５８、２１０）を圧電レイヤ上に形成して電極（１０６、１１２）を形成することができる。
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337
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2008-516787
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H171012
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フジフィルム ディマティックス，インコーポレイテッド
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圧電ブロックを有するマイクロ電子機械デバイスおよびこれを作製する方法
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A4
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MGX
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WO2006/044592
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圧電アクチュエータ（１０４）を有する構造体を備えたマイクロ電子機械システムについて説明する。各アクチュエータは、ボディ（２００）に支持される圧電アイランドを含む。圧電アイランドは、工程の一部として、圧電材料の厚いレイヤにカット（１４５）を形成し、カットされた圧電レイヤ（１０７）を、エッチング形成構造を持つ前記ボディ（２００）に接着し、圧電レイヤをカット（１４０）の深さより薄い厚さに研磨することによって形成することができる。導電材料（１５８、２１０）を圧電レイヤ上に形成して電極（１０６、１１２）を形成することができる。
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338
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2008-517159
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H171020
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コミツサリア タ レネルジー アトミーク
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ナノ構造コーティング及びコーティング方法
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A1
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DF02
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WO2006/043006
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【課題】本発明はナノ粒子を用いて表面をコーティングする方法、この方法によって得られるナノ構造コーティング、及びこの方法を実施する装置に関する。【解決手段】本発明に係る方法は分散かつ安定された前記ナノ粒子のコロイド溶液を熱プラズマジェットに注入する工程と熱プラズマジェットが前記ナノ粒子を前記表面にスプレーする工程とを備えることを特徴とする。本発明に係る装置（１）は、プラズマトーチ（３）と、ナノ粒子のコロイド溶液（７）を含む少なくとも一つの容器（５）と、基材（S）を固定及び移動する装置（９）と、前記プラズマトーチのプラズマジェット（１３）に前記コロイド溶液を注入する装置（１１）とを備える。本発明は、前記方法によって得られるナノ構造コーティングを備えている光学、電子及びエネルギー装置（電池、断熱材）に応用できる。【選択図】図２
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339
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2008-517218
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H170811
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ハリス コーポレイション
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液晶ポリマー中に埋め込まれたマイクロ流体チェックバルブ
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A4
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DC01 DC02
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WO2006/028641
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マイクロ流体システムを集積するために埋め込まれたチェックバルブ集合体(100 600)。その集合体は、チェックバルブチャンバ(104 604)、流入ポート(106 606)、及び流出ポート(108 608)を有して良い。これらは、基板(102 602)を形成する少なくとも1層の液晶ポリマー(LCP)から形成される。プラグ(114 614)がチェックバルブチャンバ内部に設けられている。
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340
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2008-517250
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H170930
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ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン
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コンピュータを用いた微少流体制御方法およびシステム並びにこれに用いるコンピュータプログラム製品
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A4
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DC01 DC02 DC03
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WO2007/015703
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バルブ、蠕動ポンプ、および混合部といった可動構造を有する微少流体装置を、この可動構造の上に薄いエラストマー膜を設けて構成する。この可動構造は、前記膜の外側から触覚アクチュエータにより作動される。このアクチュエータを制御すべくコンピュータがソフトウェアを実行する。このソフトウェアは、ユーザに選択されたプロセスをプロセスライブラリから実行するプロセスマネージャを具える。【選択図】図８
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341
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2008-517324
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H161015
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ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー．
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微小電気機械素子のための電荷制御回路
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A4
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DB05
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WO2006/043937
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本発明は、可変キャパシタンスに基づいて撓み距離だけ隔離された第１のプレート及び第２のプレートを有する、静電気的に制御される微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）素子（２６）と、ある電荷量を蓄積するよう構成された電荷蓄積素子（２２）と、スイッチ回路（１８）とを備える、微小電気機械システム（１０）を提供する。前記電荷蓄積素子と前記ＭＥＭＳ素子との間で前記電荷量を分配して、該電荷蓄積素子と該ＭＥＭＳ素子とを同じ電圧に均等化することによって、ＭＥＭＳ素子の可変キャパシタンスを制御するよう前記スイッチ回路が構成される。
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342
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2008-517574
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H170929
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インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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マイクロシステム及びマイクロシステムにおいて第１の要素に対して第２の要素を位置決めするための方法
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A4
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DFX
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WO2006/040654
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【課題】可動要素が駆動させられるとともに、機械的な接触がなく、付着される磁気粒子も持たず、少なくとも斥力が生成される場合に適用されるマイクロシステムを提供する。【解決手段】静止した第１の要素（１）と、可動かつ非結合の第２の要素（２）と、第１及び第２の要素（１、２）間に力を生じさせるためのアクチュエータ（３）とを含むマイクロシステムであり、該アクチュエータ（３）は、第１の要素（１）及び第２の要素（２）の一方の温度（Ｔ１、Ｔ２）を制御するように設計されている。マイクロシステムにおいて第１の要素（１）に対して第２の要素（２）を位置決めするための対応する方法が導入される。【選択図】図６
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343
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2008-517780
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H171021
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フジフィルム ディマティックス，インコーポレイテッド
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エッチングのための犠牲基板
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A4
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PB02 MA01 PGX
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WO2006/047326
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シリコン基板をエッチングする方法が記載される。本方法は、第１シリコン基板（２００）を犠牲シリコン基板（２４０、２４１）へ接合するステップを含む。第１シリコン基板（２００）がエッチングされる。第１シリコン基板（２００）が犠牲シリコン基板（２４０、２４１）から分離することを引き起こすために、第１シリコン基板（２００）と犠牲シリコン基板（２４０、２４１）との界面に圧力が加えられる。金属刃（６２０）を有する装置を使用すると、これらの基板を分離することができる。
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344
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2008-517784
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H171024
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コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
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ＭＥＭＳデバイス用のバネ構造体
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A4
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DA01 DB01 DB02 DB05 DD03 DD07
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WO2006/046192
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ＭＥＭデバイスは、可動要素（３０）と、可動要素を移動させるための一対の電極（ｅ１，ｅ２）と、電極のプルイン（引き込み）に対する更なる抵抗を与えるために他のそれぞれの電極に対して弾性的に結合された独立可動部（ｅ３）を有する一つの電極とを有している。これは、高い解放電圧Ｖｒｅｌを可能にし、従って、スティクションの危険を低減することができる。また、Ｖｒｅｌに対するＶＰＩの比率も減少させることができ、そのため、可動要素の移動のために幅広い範囲の電圧を利用できる。これにより、高速切り換えが可能になる。独立可動部の面積は他の電極よりも小さく、また、弾性カップリングのバネ定数はフレキシブルな支持体のそれよりも大きい。あるいは、可動要素は、それが基板と接触するときにプルインに対する更なる抵抗を与えるために基板に対して弾性的に結合され且つ基板に向けて突出する可動スタンプ部分を有することができる。
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345
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2008-517785
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H171024
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コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
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電子デバイス
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A4
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DB01 DB05
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WO2006/046193
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基板（１４）の第１の側に微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）素子を有する電子デバイス。ＭＥＭＳ素子は、第１の電極（１０１）と、可動素子の一部であり、第１の電極の方へ行き来できると共に第１の位置と第２の位置との間で動くことができる第２の電極（１１）とを有する。第２の電極（１１）は、その第１の位置では、第１の電極（１０１）から空隙（１１０）を置いて離されている。可動素子は、メカニカル層（１２）及び第２の電極（１１）が構成される中間層を有する。第２の電極（１１）は、中間層の複数の部分（１３１，１３２，１３３）によって構成され、これら部分は各々、別個の垂直相互連結部（１２１，１２２，１２３）によってメカニカル層（１２）に機械的に連結されている。
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346
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2008-517786
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H171024
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コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
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ＭＥＭＳデバイスにおける空気制動の低減
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A4
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DA01 DB01 DB02 DB05 DD03 DD07
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WO2006/046194
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微小電気機械システムが、基板（１０）と、電極に加わる静電力によって基板に向かって動くことができる可動要素とを有し、可動要素と基板の対向した表面は、１つ又は２つ以上の通気チャネル（ＶＣ）をこれらが閉鎖位置にあるときにかかる対向した表面によって構成するように形作られており、これら通気チャネルは、対向した表面相互間の流体が、対向した表面を横切って流れ、対向した表面相互間の領域に出入りすることができるよう構成されている。かかるチャネルにより、可動要素の運動の流体制動を制御できる。対向した電極相互間の領域に出入りする流れを増加させることにより、かかる制動を低減させることができ、それ故、デバイスの開閉速度を増大させることができる。チャネルは、電極に設けられた穴に繋がるのがよい。
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347
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2008-517792
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H181020
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ビ−エイイ− システムズ パブリック リミテッド カンパニ−
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微細加工
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A4
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PJX
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WO2007/045885
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ＭＥＭＳ素子の所望の輪郭に順応するミクロン寸法の表面を形成する方法であって、その上面に凹部を有する結晶質シリコン基板を提供する工程、前記基板の上面に結晶質シリコンの薄層を提供する工程、前記層を前記基板に真空条件で融着する工程、及び前記層に熱及び圧力を加え、前記凹部内に前記層を所望の輪郭に塑性変形させる工程を具備する方法。基板は、ジップ原理に基づき動作する静電ＭＥＭＳ素子の固定電極を形成する。【選択図】図１
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348
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2008-518793
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H170822
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アイディーシー、エルエルシー
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封止されたＭＥＭＳデバイス内の湿度を検査するシステム及び方法
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A4
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PHX ABX
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WO2006/036383
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【課題】封止されたＭＥＭＳデバイス内の湿度を検査するシステム及び方法【解決手段】一実施形態は、複数のインターフェロメトリック変調器を取り囲むデバイスの特性を測定することと、上記測定した特性に少なくとも部分的に基づいて、このデバイスの内部の相対湿度の値又は相対湿度の程度を判断することとを備える、湿度を検査する方法を提供する。一実施形態において、このデバイスの特性は、次のもの、すなわち、ｉ）このデバイスの重量、ｉｉ）このデバイス内に封入された乾燥剤の色変化、ｉｉｉ）このデバイスの内部の抵抗、ｉｖ）冷たいフィンガデバイスが接触している、このデバイスの内部領域に霜が形成されたか否か、ｖ）このデバイス内に水蒸気が供給された場合に、このデバイス内に封入された乾燥剤が的確に作用しているか否か、ｖｉ）ｉ）〜ｖ）のうちの少なくとも２つの組み合わせ、のうちの少なくとも１つを含む。【選択図】図８
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349
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2008-519241
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H171103
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ヴェロシス インコーポレイテッド
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ミニチャンネル及びマイクロチャンネルにおけるパーシャル沸騰
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A4
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DC01
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WO2006/065387
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ミニチャンネル又はマイクロチャンネル内の液体が、前記ミニチャンネル又はマイクロチャンネルの少なくとも１５ｃｍの長さにおいてパーシャル沸騰を生じる方法及び装置が提供される。
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350
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2008-519695
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H171025
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フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
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ばね解放ブリッジを備えたマイクロ電気機械（ＭＥＭ）装置およびその製造方法
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A4
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DA01 DA02 PC03 PI02 MB02
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WO2006/052472
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マイクロ電気機械（ＭＥＭ）装置は基板、懸架ばね、構造体および解放ブリッジを備えている。懸架ばね（１２２）は基板に接続されると共に、基板の上に懸架される。構造体は懸架ばね（１２２）に接続され、基板の上に弾力的に懸架される。解放ブリッジ（２０４）は懸架ばね（１２２）に接続される。センサの製造中に、懸架ばねと構造体は解放プロセスを受けることにより基板の上に懸架される。解放ブリッジは、解放プロセス中に、構造体と懸架ばねが実質的に同時に解放される寸法に構成されている。
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351
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2008-520409
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H171115
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コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
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マイクロ流体素子
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A4
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DC01
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WO2006/054238
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流体試料流を案内するマイクロ流体素子が開示されている。マイクロ流体素子は、2つの横方向に伸び、かつ垂直方向に貫通する凹部を少なくとも1つ有する底部プレート(1)、少なくとも第1貫流位置(3.1)及び第2貫流位置(3.2)を有する貫流ユニット(2)、及びプレート構造(4)を有する。底部プレート(1)の凹部(1.1)に対する貫流ユニット(2)の配置は、この配置の一の面から第1貫流位置(3.1)及び第2貫流位置(3.2)を介して反対の面へ、流体流が垂直に流れることができるような配置である。さらにプレート構造(4)と貫流ユニット(2)との相対的な配置は、流体が第1貫流位置(3.1)から第2貫流位置(3.2)への横方向に流れることができるようにチャネル間接続用空洞が形成されるような配置である。
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352
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2008-520909
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H171117
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イーストマン コダック カンパニー
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変化する曲げ剛性を有する２点係止式熱アクチュエータ
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A4
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DCX
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WO2006/058003
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２点係止式熱アクチュエータ（９０）は、対向するアンカー（１４）を有する凹部が形成されたベース部材（１０）を含む。ベース部材に、対向する係止縁部にて取り付けられる変形可能な部材（２０）は、低い熱膨張係数を有する第１の材料の第１の層（２２）と高い熱膨張係数を有する第２の材料の第２の層（２４）とを有する平らな積層体として構成される。変形可能な部材は、係止縁部の近傍に係止部（２４ａ）、及び、係止部間に中央部を有し、係止部の曲げ剛性が中央部の曲げ剛性よりも実質的に低い。
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353
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2008-520933
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H171118
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イーストマン コダック カンパニー
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変化する曲げ剛性を有する二点固定型熱アクチュエータ
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A4
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DCX
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WO2006/057909
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二点固定型熱アクチュエータは、対向する固定端を有する凹部を備えて形成された基盤要素を有する。対向する固定端の位置で基盤要素に取り付けられた変形要素が、低い熱膨張係数を有する第１の材料から成る第１の層と高い熱膨張係数を有する第２の材料から成る第２の層とを含む平面状の積層体として構築される。この変形要素は固定端に隣接する固定部分と該固定部分間の中心部分とを有し、固定部分の曲げ剛性は中心部分の曲げ剛性より実質的に低くされる。
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354
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2008-520978
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H171122
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エフ ホフマン−ラ ロッシュ アクチェン ゲゼルシャフト
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湾曲微細構造
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A4
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DC01
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WO2006/053461
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ナノリットルおよびマイクロリットル範囲で、流体媒体のサンプリング、移送および／または分配用装置は、開放あるいは閉じられた溝あるいは毛細管をそれぞれ持った基板からなり、開放あるいは閉じられた溝あるいは毛細管をそれぞれ持った該基板は、少なくとも１つの位置で曲げられあるいは弓状になっている。該基板は、開放あるいは閉じられた毛細管状溝あるいは経路それぞれ伸びている少なくとも１つの端からなり、該端は、その応用あるいは用途にしたがって、たとえば、針状、直線状カット、チップ状、少なくとも半円形状、円形などとして、形成されている。
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355
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2008-520983
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H171121
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リテフ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
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動力学系の物理量を制御／調整する方法
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A4
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DD02
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WO2006/056389
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本発明は、設定値の特定の経過に関して、動力学系の物理変数を制御／調整する方法に関する。このため、上記物理変数の制御あるいは調整を達成する一連の離散変調信号を生成するパルス変調器が用いられる。以下に示すステップは、繰り返し実行される：ａ）上記物理変数の瞬時設定値及び瞬時実際値の間の差の正確な値あるいは近似値を決定する、ｂ）瞬時変調信号の維持あるいは他の変調信号への移動という結果になる上記差における各々の変化を決定する、ｃ）上記瞬時設定値の最も良い近似値に導く変調信号を生成する。
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356
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2008-521205
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H171118
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イーストマン コダック カンパニー
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曲げ剛性が変化する２点固定熱アクチュエータ
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A4
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DCX
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WO2006/057910
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２点固定熱アクチュエータは、相対する固定部分を有するくぼみ部が形成されたベース素子を含む。ベース素子に、相対する固定端縁において接合されている変形素子は熱膨張率が低い第一の材料の第一の層と、熱膨張率が高い第二の材料の第二の層を含む平坦の積層構造として構成される。変形素子は、固定端縁の付近に固定部分を有し、固定部分の間に中央部分を有し、固定部分の曲げ剛性は中央部分の曲げ剛性より実質的に低い。
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357
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2008-522492
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H171121
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センテラ インコーポレイテッド
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高周波信号放出装置
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A4
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DB03
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WO2006/055960
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高周波信号放出装置が提供される。この放出装置は、ギガヘルツ（ＧＨｚ）領域及びテラヘルツ（ＴＨｚ）領域内の信号を放出することができる。この装置は、例えば、曲げられた時にその電気的特性を変えることができる材料を含んで成るカンチレバーを利用することができる。
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358
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WO2005/102909
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松下電器産業株式会社
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アクチュエータ
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A4
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DA04
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H170414
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WO2005/102909
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本発明のアクチュエータは、基台１と、基台１に対して変位可能な可動部７と、可動部７の基台１に対する変位が可能なように可動部７を支持する弾性支持部１３ａ〜１３ｃと、基台１に対して可動部７を変位させる複数の駆動部６ａ〜６ｃとを備え、複数の駆動部６ａ〜６ｃのそれぞれは、可動部７へ駆動力を伝達する時に可動部に接触する駆動力伝達部１０ａ〜１０ｃを備える。
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359
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WO2005/109076
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住友精密工業株式会社
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静電駆動型ＭＥＭＳミラースキャナ
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A4
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DA02 DA04
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H170511
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WO2005/109076
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この発明は、ポリゴンミラースキャナと同等以上の高速スキャニングを実現でき、静電力の少ない駆動力でも駆動可能な柔軟なミラーの支持構造を有する構成からなるMEMSミラースキャナの提供を目的とし、基板の同一直線上に棒状に形成配置される一対のサスペンションビーム間にスキャニングミラーを形成して該直線を揺動軸として該ミラーを揺動可能に支持し、かつサスペンションビームの片側または両側に沿って静電容量駆動部が配置される構成であり、静電容量駆動部の揺動軸中心から軸直交方向(サスペンションビーム幅方向)の最大距離を、該ミラーの揺動軸中心(回転中心)よりの軸直交方向(ミラー長さ方向)の最大距離の例えば60%以下、より好ましくは40%以下とすることにより、大きなスキャニングミラーの共振周波数を高めることが可能である。
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360
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WO2005/117051
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よこはまティーエルオー株式会社
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マイクロマシンスイッチ
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A4
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DB01
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H170531
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WO2005/117051
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本発明は、接点部の疲労破壊およびスティクション現象を防止し、広範な信号周波数に適応した高い信頼性且つ長寿命のマイクロマシンスイッチを提供する。固定接続端子（５０）及び可動接続端子（４０）は、基板（９）の平面と実質的に平行な方向に離間し、可動接続端子は、この方向の支持部材（３）の変位によって固定接続端子と接触するように配置される。基板には、複数の固定接続端子が固定され、複数の可動接続端子が、支持部材の変位に従って所定の固定接続端子と同時に接触する。
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361
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WO2005/120130
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オリンパス株式会社
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静電容量型超音波振動子とその製造方法、静電容量型超音波プローブ
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A4
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DBX PI02 MGX PA10 PG01 MA01 MF02
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H170602
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WO2005/120130
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超音波送受信側の面に、一方の電極７を形成したメンブレン９と、その背面に構成されたキャビティ１３と、これらを載置支持し、その表面に他の電極１２を配設した基板２とからなる静電容量型超音波振動子であり、前記メンブレン９が複数の層からなり、その内の少なくとも一層が、高誘電率謨８からなることを特徴とする静電容量型超音波振動子により、高い周波数領域で高い音圧を得ることができるようにした。
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362
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WO2005/121019
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独立行政法人理化学研究所
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ナノ構造体の製造方法およびナノ構造体
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A1
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DF02 PA10 PI04
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H170608
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WO2005/121019
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容易に微細化構造を作製することができるナノ構造体の製造方法および該製造方法により得られるナノ構造体を提供する。基板上に設けられた鋳型の表面に、液相吸着により薄膜を形成する工程と、前記薄膜の一部を除去する工程と、前記鋳型を除去する工程とを含むナノ構造体の製造方法を採用した。
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363
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WO2006/001162
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松下電器産業株式会社
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電気機械フィルタ
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A4
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DB04
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H170602
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WO2006/001162
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振動子が所望の振動モードのみで励振されるように、振動モードを規定することのできる電気機械フィルタ、つまり所望の振動モード以外の振動モードを抑制するフィルタを提供することを目的とし、信号を入力するための第１部材と、前記第１部材を囲むように、前記第１部材から所定間隔を隔てて配置され、前記第１部材から入力した信号による静電力で励振される第２部材と、前記第２部材から所定の間隔を隔てて、前記第２部材を囲むように配置され、第２部材の振動を検出するための第３部材とを備え、前記第２部材が前記第１部材と前記第３部材から引力を受けて拘束され、振動方向が規定されるように構成される。
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364
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WO2006/009216
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学校法人立命館
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光圧回転体及び光圧回転装置
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A4
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DCX
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H170721
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WO2006/009216
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光の照射により光圧トラップされるとともに、回転中心軸回りに光圧回転する側方に複数の羽根を備えた光圧回転体を提供する。本発明の光圧回転体１は、光の照射により光圧トラップされると共に、回転中心軸Ｏ回りに光圧回転する光圧回転体であって、回転中心軸Ｏから放射方向に伸びた第１の側面３と、回転中心軸Ｏと対向する第２の側面４と、第１の側面３と対面する第３の側面５と、回転中心軸Ｏと交わる下面６と、該下面６に対面する上面７を具備した羽根を３枚配して構成される部分から前記所定方向と逆方向へ回転させるトルクを発生させる逆トルク発生部が除去されたことを特徴とする。又、このような光圧回転体１と、光源Ｃと、対物（集光）レンズＤとを具備した光圧回転装置であることを特徴とする。
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365
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WO2006/013741
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松下電器産業株式会社 川勝 英樹
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捩り共振器およびこれを用いたフィルタ
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A4
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DB02 DB04
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H170722
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WO2006/013741
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捩り共振器において、不要なたわみ振動を抑制し、共振特性の優れた共振器を提供する。振動体は梁構造、または梁構造上にパドル状の突起構造を付加したものであり、電極と振動体間の電位差により生ずる静電力が、振動体の梁の軸を中心軸としたモーメントは加えるが、梁にたわみ振動を生ずる力は加えないようにする。その１つの方法として、振動体の捩り振動に伴い、振動体との距離が遠ざかる電極と、振動体との距離が近づく電極の電極対には、同一交流信号と、極性の異なる直流バイアス電圧が加えられる構成とすることで、捩り振動のみを励振することができる。
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366
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WO2006/025210
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松下電器産業株式会社
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マイクロマシンデバイス
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A4
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MA02
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H170815
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WO2006/025210
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マイクロマシンデバイスは、不純物をドーピングしたポリシリコンからなるパッド１０７ａ及びパッド１０７ｂを備えている。
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367
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WO2006/025391
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国立大学法人京都大学
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分子デバイス及びその製造方法
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A1
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DF01 MI05 MI06
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H170830
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WO2006/025391
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本発明の分子デバイス（１）は、基板（４）の酸化物からなる酸化物層（４ｂ）上に、その表面に化学的に結合するように形成された、自己組織化された単分子膜（３）が設けられ、単分子膜（３）上には、ナノ構造体が配置されている。これにより、基板と、該基板上に配置されるナノ構造体との相互作用を低減し、基板上でのナノ構造体の配向を容易に制御し得る分子デバイス及びその製造方法を提供することができる。
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368
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WO2006/025456
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株式会社アドバンテスト
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バイモルフ素子、バイモルフスイッチ、ミラー素子及びこれらの製造方法
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A4
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DA04
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H170831
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WO2006/025456
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酸化シリコン層と、酸化シリコン層上に形成され、酸化シリコン層の熱膨張率よりも高い熱膨張率を有する高膨張率層と、酸化シリコン層の表面を覆い、経時変化による酸化シリコン層の変形を防止する変形防止膜とを備えるバイモルフ素子が提供される。変形防止膜は、変形防止膜は、水分及び酸素の透過率が酸化シリコン層よりも低くてもよく、酸化シリコン層を形成する場合よりも高いエネルギーで成膜される酸化シリコンであってもよく、窒化シリコンの膜であってもよく、金属の膜であってもよい。
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369
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WO2006/035524
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独立行政法人科学技術振興機構
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微小電極製造方法及びその製造方法によって作製された微小電極
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A1
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PA05 PJX
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H170325
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WO2006/035524
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第２の基板（４）上に有機分子を配置し、或いは、有機分子層を形成し、第１の基板（１）上に形成された所望のパターン上に剥離材（２）を塗布し、前記剥離材（２）上に電極材料（３）を付着させ、第１の基板（１）の電極材料（３）が付着された面と、前記第２の基板（４）上の有機分子が配置された面とを密着させて前記電極材料（３）を前記第２の基板（４）上に転写する。
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370
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WO2006/043642
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株式会社荏原製作所
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流体反応装置
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A4
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DC01
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H171020
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WO2006/043642
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マイクロ空間を使用して複数の流体を混合させ、種々の化学反応作業を効率良く行うことができる、実用的な量産手段として好適な流体反応装置を提供する。この流体反応装置は、複数の流体Ａ，Ｂをマイクロ反応空間を有する反応流路６２に導入して反応させる流体反応装置にある。この装置は、反応に使用する流体を個々に導入する導入部２と、流体を合流させて混合する混合流路５６，５７，５８を有する平板状の混合基板４０と、流体を複数の輸送管２１Ａ，２１Ｂを介して前記混合流路に向けて輸送する流体輸送手段１６Ａ，１６Ｂと、流体の流量を制御する流量制御手段２０と、反応流路６２の温度を制御する温度制御手段７と、反応後の物質を導出する導出部１０４と、これらの動作を制御する動作制御手段６とを有する。
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371
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WO2006/054771
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国立大学法人 香川大学 アオイ電子株式会社
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ナノピンセットおよびこれを備える走査型プローブ顕微鏡
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A1
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DFZ
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H171122
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WO2006/054771
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本発明によるナノピンセット（１）は、支持体（２５）と、支持体（２５）から突出して試料の表面を観察する観察プローブ（１０）と、支持体（２５）から突出した観察プローブ（１０）と並んで配設され、観察プローブ（１０）との間で試料を把持解放するために開閉する可動アーム（２０）と、観察プローブ（１０）との間で可動アーム（２０）を開閉駆動する駆動機構とを備え、支持体（２５）、観察プローブ（１０）および可動アーム（２０）のそれぞれは、半導体ウエハ（３０）をフォトリソグラフィープロセスにより加工して製作される。本発明によれば、寸法精度が高く、正確な試料の観察と確実な試料の把持が可能となる。
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372
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WO2006/062191
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日立化成工業株式会社
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マイクロ流体システム用支持ユニット及びその製造方法
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A4
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DC01
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H171209
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WO2006/062191
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本発明は、固定層中に少なくとも１本の中空フィラメントの一部が任意の形状に敷設され、固定されているマイクロ流体システム用支持ユニットに関し、固定層は、基材上、保護層上または中間層上に設けられていてもよい。これにより、敷設された中空フィラメントの外径仕様が異なる場合や、該中空フィラメントが交差する場合でも表面凹凸が少なく、また、中空フィラメントが交差部で位置ずれを起こさないマイクロ流体システム用支持ユニット及びその製造方法を提供できる。
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373
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WO2006/075717
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松下電器産業株式会社 国立大学法人 東京大学
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捩り共振器およびこれを用いたフィルタ
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A4
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DB02 DB04 MA01
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H180113
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WO2006/075717
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パドルをもたず、効率よく励振することのできる高周波捩り振動子を提供する。捩り振動子としては、パドルをもたない断面ほぼ一定の梁構造とし、梁側面に空隙を介して電極を近接させ配置する。両者間の静電容量は単位捩り振動量あたりの静電容量変化が最大となる、または単位交流電圧あたりの静電容量変化比が最大となるように調整する。この調整は半導体プロセスを用いる場合、電極の厚みを制御することで可能とした。また振動子を単結晶シリコンとし、梁形状の加工を異方性エッチングにより行うことで、微細でかつ表面性状の優れた高Ｑ値の振動子を生成する。
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374
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WO2006/080336
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日本電気株式会社
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フィルタおよびその製造方法
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A4
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DCX PGX
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H180125
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WO2006/080336
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本発明は、フィルタ特性を決定する隙間の作製精度を保持した上で、安価な材料と、一般的な加工手段を用いて、少ない工程で、より安価に製造できるフィルタ構造とその製造方法を提供する。本発明にかかるフィルタ構造は、基板と、第一の中間層と、第二の中間層と、フタとで構成され、第一の中間層は、所定の幅と深さを有する第一の流路と第二の流路を有し、第二の中間層は、所定の幅と深さを有する第三の流路を有し、第三の流路は、第一の流路と第二の流路とに連通し、第三の流路の最大深さは、第一の流路および第二の流路の最小深さより小さい構造を有する。そのため、第二の中間層の厚さを利用して、フィルタ特性を決定する隙間の作製精度を高く維持できる。
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375
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WO2006/085559
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松下電器産業株式会社
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微細構造体を保持するための構造体、半導体装置、ＴＦＴ駆動回路、パネル、ディスプレイ、センサおよびこれらの製造方法
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A1
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DDX
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H180208
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WO2006/085559
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この発明は、カーボンナノチューブ、半導体ナノワイヤなどの微細構造体を基板の上に配列させる方法と、その方法によって配列された微細構造体を備えた基板とに関する。この方法の発明は、基板（１）に溝（２）を形成する工程と、前記溝の中に、微細構造体（３）が分散された溶液（６）を滴下する工程と、前記溶液を蒸発させることにより、前記微細構造体を前記溝の中に自己組織的に配列させる工程とを含む。この発明の方法により微細構造体が配列された基板は、電界効果トランジスタやセンサに用いることができる。
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376
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2008-148677
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H181216
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新井 史人 林 育菁 山西 陽子
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マイクロ磁気ツールの製造方法及びマイクロ磁気ツールデバイスの製造方法
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A4
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PI02 MCC
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【課題】従来のバイオチップ内で使用される磁気ツールは金属製であり、機械加工の限界より精密形状のマイクロ磁気ツールの作成は困難であり、また磁気ツールに柔軟性をもたせることは困難であった。【解決手段】本発明は硬化性樹脂と磁性微粒子を混合し、リソグラフィー技術で微細加工された型に流して固めることにより、多様な形状をマイクロスケールで量産することが可能になった。この技術により磁気駆動の回転子、併進運動を行うバルブ、細胞などの微粒子の送り出し機構など多岐な形状・機能を持つマイクロスケールの磁気ツールやマイクロ磁気アクチュエーターが製作可能になる。この磁気ツールは樹脂の特性、種類や混合濃度変化で柔軟性をもたせることが可能であり、硬さを変えることが可能である。また表面コーティング処理を行うことで、硬化性樹脂もしくはガラスもしくはプラスチック製流路内において、磁気ツールが流路などに付着することを防止することが可能である。【選択図】図４
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377
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2008-149394
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H181215
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セイコーエプソン株式会社
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ＭＥＭＳデバイスの製造方法
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A4
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PI02
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【課題】可動電極をリリースするときの本来エッチングを望まない部分のサイドエッチング量を軽減し、小型化を図ることが可能なＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】可動電極５０を形成した後、第１の層間絶縁膜１５と第１の配線層２５とをこの順に積層させて形成し、第１の層間絶縁膜１５の一部を可動電極５０の全面が覆われるように残して除去し予備開口部Ｃ１ａを形成する。次に、第２の層間絶縁膜下層１１を形成し、さらにＳＯＧ膜１４を積層させてからエッチバックして予備開口部Ｃ１ａにＳＯＧ膜を残留させる。次に、第２の層間絶縁膜上層１２を積層させて第２の層間絶縁膜１６を完成し、さらに第２の配線層２６を形成して配線積層部３０を完成させ、この上に保護膜２０を形成する。そして、保護膜２０、予備開口部Ｃ１ａに残留させたＳＯＧ膜を含む配線積層部３０および犠牲層５のそれぞれの一部を除去して可動電極５０をリリースする。【選択図】図４
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378
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2008-149405
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H181218
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セイコーエプソン株式会社
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ＭＥＭＳデバイスの製造方法
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A4
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PI02
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【課題】可動電極をリリースするときの本来エッチングを望まない部分のサイドエッチング量を軽減し、小型化を図ることが可能なＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】一部が犠牲層５上に形成された態様で可動電極５０を形成した後、第１の層間絶縁膜１５、第１の配線層２５、第２の層間絶縁膜１６、第２の配線層２６をこの順に積層して配線積層部３０を形成し、配線積層部３０上に保護膜２０を形成する。次に、リリース必要領域Ｔの中央上方の保護膜２０、配線積層部３０の一部を可動電極５０を露出しない深さに除去することにより、リリース必要領域Ｔ内に所定の間隔を設けて複数配設されたが平面視略矩形状の予備開口部Ｃ１ｂを形成する。そして、配線積層部３０および犠牲層５の一部をリリース必要領域Ｔを露出するように除去して開口部Ｃ１を形成することにより可動電極５０を可動な状態にリリースする。【選択図】図７
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379
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2008-149451
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H191211
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ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
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組み込まれた受動的な電子的な構成素子を備えたマイクロマシニング型の構成エレメントおよびマイクロマシニング型の構成エレメントを製作するための方法
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A4
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PI02
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【課題】マイクロマシニング型のセンサの適用時の費用を公知先行技術に比べて一層減少させ、場合により新たな組付けスペースを提供するために、必要となる組付けスペースを減少させる可能性を提供する。【解決手段】基板２が設けられており、該基板２に少なくとも１つの層列が配置されており、該層列が、少なくとも１つのマイクロマシニング型の機能素子を有しており、基板２に少なくとも１つの層列が配置されており、該層列が、少なくとも１つのマクロ電子的な受動的な構成素子として作用するようになっているようにした。【選択図】図３
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380
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2008-151772
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H191115
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富士フイルム株式会社
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マイクロ流体チップの温調方法及び検体分析システム並びにマイクロ流体チップ
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A4
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DC01 DE01
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【課題】マイクロチップの流路内において一定量の液体を加熱して、所望の化学反応を得るに際し、蒸発に伴う液量の減少・濃縮、液の移動、気泡の発生が生じないようにし、検体の安定した検出を図る。【解決手段】平面板内に形成された微細な反応流路３５を有するマイクロ流体チップ２００に対して、反応流路３５に溜められた液体の温度を制御するマイクロ流体チップ２００の温調方法であって、反応流路３５を所定の反応温度に加熱すると同時に、反応流路３５の一端に連通する第１の流路４９ａと反応流路の他端に連通する第２の流路４９ｂとを、加熱又は冷却によって所定の反応温度と異なる同一の温度に保持する。【選択図】図２
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381
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2008-152254
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H191211
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ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
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マイクロミラーデバイス
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A4
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DA04
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【課題】光ビームを互いに垂直な２つの方向で偏向し得る改善されたマイクロミラーデバイスを提供する。【解決手段】マイクロミラー（２）およびねじりばね（６）が基板ウェーハ（８）から構造化されており、実質的に１つの平面内に位置しているようにした。【選択図】図１
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382
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2008-153245
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H181213
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独立行政法人科学技術振興機構
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分子素子
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A1
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DF01
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【課題】金属内包フラーレンの方向を制御することで、多値スイッチや各種書き換え可能な論理素子を実現する分子素子を提供する。【解決手段】分子素子１０は、第１の電極２と第１の電極上に配置した第１の自己組織化単分子膜４と第２の電極３と第２の電極上に配置した第２の自己組織化単分子膜５と第１の自己組織化単分子膜及び第２の自己組織化単分子膜５間に配置した金属内包フラーレン６とを備え、金属内包フラーレン６と第１の電極２との間に第１の自己組織化単分子膜４を介して第１のトンネル接合８を形成し、金属内包フラーレンと第２の電極３との間に第２の自己組織化単分子膜５を介して第２のトンネル接合９を形成し、金属内包フラーレンに印加する電界で、金属内包フラーレンの双極子モーメントの方向を制御する。【選択図】図１
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383
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2008-153420
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H181218
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セイコーエプソン株式会社
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基材の分割方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、半導体装置の製造方法、基板の製造方法、及び電気光学装置の製造方法
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A4
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DCX PJ03
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【課題】本発明は、工程の途中で加工対象物が分離することを抑制するために、新たな工程を必要としたり、加工対象物が損なわれる可能性がある処理を施したりすることなく、工程の途中で加工対象物が分離することを抑制することができる基材の分割方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、半導体装置の製造方法、基板の製造方法、及び電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明による基材の分割方法は、複数の部材が区画形成された部材領域と、部材領域を囲む外周部と、を有する基材の部材領域を分割して部材を形成する基材の分割方法であって、基材を個々の部材に分割する際に分離される部分である分割予定面に対して、周辺に比べて分割予定面の強度が小さくなるような加工である分割前加工を実行する前加工工程と、外周部を部材領域から分離して除去する外周部除去工程と、部材領域を部材に分割する分割工程と、を有する分割方法である。【選択図】図３
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384
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2008-153817
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H181215
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セイコーエプソン株式会社
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ＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法
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A2
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DB02 PI01
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【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。【選択図】図２
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385
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2008-155161
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H181226
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京セラ株式会社
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反応装置
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A4
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DC01
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【課題】反応に悪影響を及ぼす温度変化や添加物等が無くとも簡単な仕組みで流路に気体や液体を脈動無く流すことができる反応装置を提供すること。【解決手段】少なくとも供給路３または排出路４となる溝２と前記溝２に形成された反応部分５を有する基体１と、前記供給路３または排出路４となる溝２の内壁に形成されており、導体または磁性体と、前記導体または前記磁性体を覆う保護膜とからなる複数の微小突起７と、前記複数の微小突起７を駆動する電磁誘導発生手段とを備えていることを特徴とする。【選択図】図１
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386
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2008-155166
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H181226
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京セラ株式会社
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流体装置
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A4
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DC01
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【課題】領域毎の均熱性が高く、小型化を容易に達成することができる流体装置を提供する。【解決手段】流体が流れる流路７，８がそれぞれ設けられ、少なくとも一方は加熱又は冷却することが可能な２つの流路基板２，３と、２つの流路基板２，３を収容する収容容器４と、収容容器４にそれぞれ接合されるとともに、対応する流路基板２，３の流路にそれぞれ接続される２つの第１管５，６と、流路基板２，３の流路同士を接続する第２管９とを備え、各第１管５，６と収容容器４との接合部位から各第１管５，６と対応する流路７，８との接続部位までの長さは、各第１管５，６がそれぞれ接続された流路が設けられている２つの流路基板２，３の温度の大小に応じて異なる。【選択図】図１
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387
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2008-155245
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H181222
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松下電工株式会社
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接合方法
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A4
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PGX
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【課題】接合特性の安定性および接合歩留まりの向上を図れる接合方法を提供する。【解決手段】接合対象物を導入した接合室内を真空排気する真空排気工程（Ｓ３）と、真空排気工程（Ｓ３）の後に接合対象物の接合部位の表面にイオンビームもしくは原子ビームもしくはプラズマを照射して接合部位の表面を活性化する表面活性化工程（Ｓ５）と、表面活性化工程（Ｓ５）の後に接合対象物の接合部位同士を接合する接合工程（Ｓ６）とを備える。真空排気工程（Ｓ３）と表面活性化工程（Ｓ５）との間に、接合対象物の接合部位を加熱する加熱工程（Ｓ４）を設け、表面活性化工程（Ｓ５）と接合工程（Ｓ６）とは、接合対象物の接合部位へのガス成分の吸着を防止するために接合対象物の接合部位を加熱した状態で行う。【選択図】図１
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388
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2008-155290
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H181221
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株式会社ニコン
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薄膜構造体、マイクロアクチュエータ、光シャッタ装置、光束調整装置及びマイクロスイッチ
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A4
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DA01 DB01
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【課題】薄膜で構成された湾曲梁部にねじれ現象が生じ難い薄膜構造体を提供する。【解決手段】薄膜で構成された梁部であって、力を受けていない状態で自身の保有する応力によって湾曲する梁部を備えた薄膜構造体において、前記梁部は、その長さ方向に延びた一本以上のスリットで複数の梁構成部に分断されている。【選択図】図１
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389
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2008-155314
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H181222
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住友精密工業株式会社
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ＭＥＭＳデバイスの製造方法
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A4
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DA02 PIX
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【課題】テンポラリーブリッジを必要としないＭＥＭＳデバイス製造方法を提供する。【解決手段】シリコンウエハ４を加熱して、該シリコンウエハの両面に酸化膜４１を形成する酸化膜形成工程と、シリコンウエハ４の一方の面に形成された酸化膜４１を除去する第１酸化膜除去工程と、一方の面の酸化膜が除去されたシリコンウエハに上層基板２を複数形成する成形工程と、上層基板が複数形成されたシリコンウエハと、下層基板が複数形成された絶縁ウエハとを積層して、上層基板と下層基板とが積層された積層体を複数形成する積層工程と、積層体のシリコンウエハの他方の面に形成された酸化膜を除去する第２酸化膜除去工程と、積層工程において形成された複数の積層体を切り離して、複数のＭＥＭＳデバイスを形成するダイシング工程とを備える。【選択図】図２
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390
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2008-155326
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H181225
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松下電工株式会社
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半導体装置及びその製造方法
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A4
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DD01 PGX
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【課題】各基板間の接合強度を向上させることで信頼性を向上させることのできる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】第１の基板であるセンサ基板１を複数形成したセンサウェハ１０の一方の面に第２の基板である貫通孔配線形成基板２を複数形成した第１のパッケージウェハ２０を積層し、他方の面に第３の基板であるカバー基板３を複数形成した第２のパッケージウェハ３０を積層し、当該積層した複数のセンサ基板１、貫通孔配線形成基板２及びカバー基板３のそれぞれに貫通孔を形成し、当該貫通孔内に連結部材を充填した後に各チップにダイシングするものである。【選択図】図１
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391
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2008-155333
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H181225
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独立行政法人科学技術振興機構
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金属ガラスを用いたマイクロマシン及びそれを用いたセンサ並びにその製造方法
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A4
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DD03 MFX MGX
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【課題】金属ガラス薄膜を構成要素とする、新規なマイクロマシン及びそれを用いたセンサ並びにマイクロマシンの製造方法を提供する。【解決手段】マイクロマシン１は、基板２と基板２に配置される金属ガラス薄膜３とを備えている。金属ガラス薄膜３は、基板の開口部２Ａ上に配置してもよいし、金属ガラス薄膜３は基板に配置されているカンチレバーであってもよい。好ましくは、基板２はＳｉからなり、金属ガラス薄膜３は、Ｚｒ−Ａｌ−Ｃｕ−Ｎｉ系又はＰｔ−Ｐｔ−Ｂ−Ｚｒ系の材料からなる。【選択図】図１
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392
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2008-155342
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H181226
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日本電信電話株式会社 エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
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微細構造体の製造方法
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A4
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PI02
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【課題】酸化シリコンなどの無機材料からなる絶縁層を備えた可動構造体を、樹脂からなる犠牲層を用いてより容易に高い歩留りで作製できるようにする。【解決手段】支持部材１０５と第１樹脂犠牲層１０６の上面に金属犠牲層１０７が形成された状態とし、次に、金属犠牲層１０７の上面に、シリコン酸化膜をスパッタ法により堆積し、公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とにより加工することで絶縁層１０８が形成された状態とし、この後、板状の上部電極１１１，梁部１１２，及びアンカー部１１３を含む可動構造体が形成された状態とする。【選択図】図２
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393
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2008-157932
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H191130
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株式会社荏原製作所
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マイクロ流体デバイス、および、マイクロ流体デバイスの温度制御システム
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A4
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DC01
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【課題】本発明の課題は、マイクロ流体デバイスを局所的に温度制御することである。【手段】温度制御する部位の近傍に開口部を備えるマイクロ流体デバイスにより、マイクロ流体デバイスを局所的に温度制御することが可能になる。また、本発明は、マイクロ流体デバイスの開口部に、熱交換流体を導入あるいは熱交換部材を挿入する工程と、該熱交換流体または該熱交換部材を介してマイクロ流体デバイスと熱交換を行う工程とを含む、マイクロ流体デバイスの温度制御方法を提供する。【選択図】図１
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394
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2008-160563
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H181225
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宝川 幸司 株式会社多摩川電子
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高周波信号の処理装置及び減衰装置並びに共振装置
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A4
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DB01
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【課題】高周波信号の減衰装置等においてインピーダンス不整合、挿入損失等を少なくする。【解決手段】高周波信号減衰装置１００の入出力側端部で、コプレナー線路２の一部を構成する信号線２Ｓは、中心部分が延長され中心線路２ＳＡを構成する。中心線路２ＳＡの両外側に側線路２ＳＢ、２ＳＣを形成しコプレナー構造とする。入出力側端部からそれぞれ延長される中心線路２ＳＡ間に、抵抗減衰器４を形成する。信号線２Ｓと側線路２ＳＢ、２ＳＣとを接断するMEMSスイッチ(以下、ＭＳ)１０，３０及び、側線路２ＳＢ，２ＳＣとグランド線２ｇ１、２ｇ２を接断するＭＳ２０を設ける。ユーザーの指示により、制御部(不図示)は、ＭＳ１０の接触部Ｓ１，Ｓ１、ＭＳ３０の接触部Ｓ３，Ｓ３をオフ、且つＭＳ２０の接触部Ｓ２，Ｓ２をオンとして高周波信号を抵抗減衰器４を通過させ、又は接触部Ｓ１，Ｓ１、接触部Ｓ３，Ｓ３をオン、且つ接触部Ｓ２，Ｓ２をオフとしスルーさせる。コプレナー線路構造によりインピーダンス不整合等が少なくなる。【選択図】図１
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395
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2008-160906
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H181221
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株式会社ニコン
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マイクロアクチュエータ
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A4
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DC01
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【課題】より低い駆動電圧で作動するマイクロアクチュエータを提供する。【解決手段】マイクロアクチュエータは、基板を含む固定部と、湾曲部と直線状部とを有する片持ち構造の可動部とを備える。湾曲部は駆動力が加えられていない状態において湾曲する。直線状部は片持ち構造の固定端と湾曲部との間に配置され、駆動力が加えられていない状態において基板の主平面と略平行に延びる。駆動電圧が印加されたときに湾曲部の少なくとも一部と直線状部の少なくとも一部が固定部側にプルインされる。【選択図】図３
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396
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2008-162006
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H190414
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サノンウェルス エレクトリック マシーン インダストリー カンパニー リミテッド
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微小スクラッチ駆動アクチュエータの新規なレイアウト設計
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A4
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DA01 DC03
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【課題】微小スクラッチ駆動アクチュエータ(ＳＤＡ)の歩留り、寿命および駆動電圧を改善するために、本発明は、エッチング孔およびフランジ構造設計を含む新規なレイアウト設計を提案する。【解決手段】エッチング孔が、従来のＳＤＡ板のレイアウトに加えられると、構造層の解放が促進され、ＳＤＡ板の前端における蓄積された残留電荷が低下する。この斬新な設計により、ＳＤＡ装置の長寿命化および低電圧化が実現する。他方、ビーム−ＳＤＡ板結合路間のコーナー部にフランジ構造設計を追加することで、細いポリシリコンサポートビームの曲げ剛性が向上し、さらにＳＤＡ装置の歩留りが高まり、作動中の亀裂破損を減少させることができる。【選択図】図２
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397
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2008-162229
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H190103
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株式会社リコー
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静電型アクチュエータ、液体吐出ヘッド、画像形成装置、マイクロポンプ
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A4
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DC03
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【課題】低電圧駆動が可能で大きな振動板戻り力を得ることが困難である。【解決手段】振動板１１は、振動板１１の短辺方向でおいて、相対的に剛性が異なる少なくとも第１、第２、第３の領域１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃを有し、第１の領域１１Ａよりも第２の領域１１Ｂの剛性が低く、第１の領域１１Ａよりも第３の領域１１Ｃの剛性が高い関係にあり、第２の領域１１Ｂ、１１Ｂは振動板１１の短辺方向の固定端側（隔壁部９側）に設けられ、第３の領域１１Ｃは振動板１１の中央部側に設けられ、更に第３の領域１１Ｃの一部には相対的に剛性の低い低剛性領域１１Ｄが設けられている構成となる。【選択図】図８
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398
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2008-162993
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H190202
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国立大学法人富山大学
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オクタエチルポルフィリン誘導体からなる分子機能素子
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A1
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DF01
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【課題】合成が容易で分子モーター、分子スイッチなどに利用できる分子機能素子を提供。【解決手段】オクタエチルポルフィリン環（ＯＥＰ）とピリジン環（Ｐｙ）などの含窒素複素環式基をジアセチレン結合で連結し、その間にジヘキシルビチオフェン(ＤＨＢＴｈ)またはジヘキシルビチフラン成分を組み込んだ拡張共役系一次元分子構造を有するオクタエチルポルフィリン誘導体を用いる。ｐＨおよび／または温度を調整する事により、ポルフィリン環部分の回転を制御するができる。そのため、ナノマシンの素材（分子モーター、分子スイッチなど）として利用できる。【選択図】図１
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399
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2008-164452
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H181228
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日本板硝子株式会社
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圧力ヒューズ
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A4
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DC01
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【課題】マイクロチップに試料溶液を送液する配管が詰まったとき等の異常時に配管内の圧力を制御することができると共に、正常時の測定を精度よく行うことができる圧力ヒューズを提供する。【解決手段】マイクロ化学システム１は、流路２及びこれに合流する圧力ヒューズ３を内部に備えるマイクロチップ１００と、マイクロチップ１００に試料溶液を供給するチューブ７１と、外部にマイクロチップ１００内の試料溶液を排出するチューブ７２と、チューブ７１に試料溶液を送液するシリンジポンプ７とを備える。シリンジポンプ７による試料溶液の送液中に、流路２に異物等が混入して詰まった場合などでチューブ７１内部の試料溶液にかかる圧力Ｐ１がＰｇｍの最大値（１０ｋＰａ）以上になると、圧力ヒューズ３内に試料溶液を流れ込ませることにより圧力Ｐ１を下げる。【選択図】図１
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400
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2008-164592
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H191114
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インフィニオン・テクノロジーズ・センソノール・エーエス
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バックスキャッタセンサ
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A4
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DDX
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【課題】現在のデバイスに比較して小型かつ軽量であり、機械的構造が簡素かつ製造コストを安く、Ｑファクタが高くかつ広い周波数範囲にわたって良好な検出が可能なバックスキャッタセンサを提供すること。【解決手段】変調された電磁波信号を受信して受信信号として出力する受信部（２８）と、前記受信部が出力した前記受信信号の周波数に応じた電圧を前記容量要素の両端子間に生成させる容量部（２２）と、前記電圧によって励振され、かつ外力によって共振周波数が変化するとともに、前記共振周波数の変調信号を出力する共振部（２１）と、前記受信信号を復調して搬送波信号を出力する復調部（２７）と、前記復調部が出力した前記搬送波信号と前記共振部が出力した前記変調信号と混合して変調された送信信号を生成する変調部（２７）と、前記送信信号を電磁波信号として送信する送信部（２８）とを備えたことを特徴とするバックスキャッタセンサ（２０）。【選択図】図２
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401
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2008-164827
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H181227
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ブラザー工業株式会社
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光走査素子、光走査装置、光走査型表示装置、網膜走査型表示装置及び光走査素子における貫通孔の生成方法
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A4
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DA02 DA04
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【課題】光走査素子において反射ミラーの振れ角を大きくした場合の梁部の強度低下を容易に抑えること。【解決手段】反射面を有するミラー部２と、ミラー部２に連結されるミラー支持部３ａ，３ｂと、ミラー支持部３ａ，３ｂに連結され、振動によりミラー支持部３ａ，３ｂに捻れ変位を生じさせる枠部とを有する第１部材８と、第１部材８の枠部４を固定して保持する第２部材１１と、枠部４に固着され、枠部４に振動を伝達する圧電体１２ａ，１２ｂとから構成され、枠部４は梁部５ａ，５ｂとその梁部５ａ，５ｂの両端に位置する固定部６ａ〜６ｄとを有し、ミラー支持部３ａ，３ｂは梁部５ａ，５ｂの連結部Ｑａ，Ｑｂにおいて連結され、枠部４は固定部６ａ〜６ｄにおいて第２部材１１に固定され、圧電体１２ａ，１２ｂは固定部６ａ，６ｂと梁部５ａとに跨って設けられ、圧電体１２ａ，１２ｂと連結部Ｑａとの間の梁部５ａに貫通孔７ａ，７ｂを設けた。【選択図】図２
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402
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2008-165227
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H191217
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サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．
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光変調器モジュールパッケージ
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A4
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DA04 DAX PHX
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【課題】光変調器モジュールパッケージを提供する。【解決手段】本発明の光変調器モジュールパッケージは、光源から入射された入射光をミラーの上下離隔距離に応じて回折及び干渉させて変調された変調光を出射する光変調器と、前記光変調器を駆動するために前記光変調器の周辺に実装されるドライバＩＣと、前記入射光のうち前記光変調器のミラー領域に入射されない光を遮断するノイズ除去部材とを備える。これによれば、光源から出射された光のうち光変調器から反射しない光が光変調器から出射された変調光に及ぼす影響を最小化させることができる。【選択図】図３
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403
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2008-166111
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H181228
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松下電器産業株式会社
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スイッチ
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A4
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DB01 MG01 MG04 MGX
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【課題】スティッキングを起こすことなくスイッチング動作を可能とするスイッチを提供することを目的としている。【解決手段】基板２と、基板２上に配置した信号線路導体１と、信号線路導体１上を可動する可動電極部とを備え、可動電極部は、圧電体３と、圧電体３の表裏面に配置した駆動電極６Ａ，６Ｂと、圧電体３の表面に配置したスイッチ電極４とを有し、スイッチ電極４は圧電体３を介して信号線路導体１と対向させたり対向させなかったりする構成である。【選択図】図１
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404
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2008-166484
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H181228
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松下電器産業株式会社
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可変容量素子及びそれを用いた可変フィルタ
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A4
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DB05 MG01 MG02 MG04 MGX
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【課題】可動時に容量値の差が小さく、また連続的に容量値を可変することができる素子を提供することを目的としている。【解決手段】基板４と、基板４上に配置した複数の信号線路導体１，２と、複数の信号線路導体１，２上を可動する可動電極部とを備え、可動電極部は複数の導体電極５，６を配置した誘電体３を有し、導体電極５，６の少なくとも１つは、誘電体３を介して信号線路導体１，２と常時対向させ、導体電極５，６の他の少なくとも１つは、誘電体３を介して信号線路導体１，２と対向させたり対向させなかったりしているものである。【選択図】図１
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405
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2008-166593
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H181228
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株式会社東芝
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ＭＥＭＳインダクタ、ＭＥＭＳ共振回路およびＭＥＭＳインダクタの製造方法
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A4
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DB02 DB06 PI02
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【課題】ＭＥＭＳインダクタを支持基板の面から高く形成する必要なく薄型化して構成できるようにする。【解決手段】シリコン基板２の両面２ａおよび２ｂ間に設けられた貫通孔２ｃを通じて導電線材３を形成する。するとＭＥＭＳインダクタ１をシリコン基板２の表面２ａおよび裏面２ｂ内に沿って形成できると共に貫通孔２ｃ内を利用してＭＥＭＳインダクタ１をより小型に構成できる。しかも、導電線部３ａはシリコン基板２の貫通孔２ｃ内では間隙Ａ２を存して形成されているため、浮遊容量を低減できる。【選択図】図２
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406
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2008-166676
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H190414
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サノンウェルス エレクトリック マシーン インダストリー カンパニー リミテッド
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超低抵抗シリコンウエハーによる低駆動電圧微細スクラッチ駆動アクチュエータの開発
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A4
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PI02 MA01
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【課題】分圧理論に基づき、本発明は、基板として超低抵抗シリコンウエハーを用いて微細スクラッチ駆動アクチュエータ(SDA)の駆動電圧を下げる新しい方法を提案する。【解決手段】本発明では、同一レイアウト、同一製造プロセスを用いるが異なった抵抗の基板を用いて、２つのSDAアクチュエータを比較した。超低抵抗シリコンウエハー上に製造されたSDAは、わずか約4〜12Vo-pという低い駆動電圧を実現した。しかし、通常のシリコンウエハーを用いた従来のSDAは、より高い駆動電圧(30〜75Vo-p)を必要とし、このため実用化への可能性は低い。これに対して、本発明は、従来のマスクアライナに固有の線幅限界２μmを4360Åの紫外線光源(ｇ線)を用いて克服し、また、さらにSDAの駆動電圧を下げるための新しいSDAプロセスを提供する。【選択図】図２
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407
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2008-166837
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H200310
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京セラ株式会社
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電子部品封止用基板およびそれを用いた電子装置、並びに電子装置の製造方法
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A4
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PHX
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【課題】半導体基板の表面の微小電子機械機構を気密封止した電子装置を構成する電磁ノイズ特性に優れた電子部品封止用基板を提供すること。【解決手段】半導体基板１０と該半導体基板１０の表面に設けられた微小電子機械機構８と表面に設けられるとともに微小電子機械機構８に電気的に接続される電極９とを有する電子部品１０の微小電子機械機構８を封止するための電子部品封止用基板であって、一方主面から他方主面または側面に導出された配線導体２が形成された絶縁基板１と、該絶縁基板１の一方主面に形成された、配線導体２と電気的に接続される接続端子５と、絶縁基板１の一方主面に形成された、微小電子機械機構８を取り囲んで気密封止するための導電性枠状封止部４と、該導電性枠状封止部４に電気的に接続されて絶縁基板１に形成された接地用貫通導体１２とを有し、接地用貫通導体１２は、平面視して、微小電子機械機構８を取り囲むように複数形成されている。【選択図】図１
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408
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2008-166903
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H181227
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エプソントヨコム株式会社
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輪郭振動子
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A4
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DBX PI02 MA01
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【課題】振動漏れの防止、および振動子の小型化を図ることを可能とする輪郭振動子を提供する。【解決手段】上記課題を解決するための輪郭振動子は、輪郭滑りモードの振動が励起される振動部１２と、前記振動部１２との間に間隙を設けて配置された支持部１４と、前記振動部１２における振動の節を基端として設けられた接続アーム１６と、前記接続アーム１６と前記支持部１４との間に、前記接続アーム１６と平行に設けられた補助アーム１８と、前記接続アーム１６の先端部１６ａと前記補助アーム１８の一方の端部１８ａ、前記補助アーム１８の他方の端部１８ｂと前記支持部１４とをそれぞれ連結する連結部２０とを有することを特徴とする。【選択図】図１
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409
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2008-167508
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H181227
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独立行政法人産業技術総合研究所 太陽誘電株式会社
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アクチュエータ及びアクチュエータ製造方法
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A4
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PI02
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【課題】新規な構造を有するアクチュエータを提供する。【解決手段】本願のアクチュエータは、圧電体層の上下に電極層を有し、一端又は両端が基板に支持されている駆動アームと、信号線とを有する。そして、駆動アームが、基板と一部の層を共有しており、信号線が、駆動アームとねじれの関係になるように駆動アーム上に架橋されているものである。このように駆動アームが基板と一部の層を共有するような構成となれば、弾性層として機能するだけではなく、基板に支持部を別途形成するより強度を高くすることができる。さらに、信号線は、駆動アームより上に形成されるので、圧電体層の形成の影響がほとんど無くなり、信号線に適切な材料（例えばＡｕやＡｌなど）を用いることができるようになる。【選択図】図１
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410
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2008-168423
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H191225
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三星電機株式会社
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回転型ＭＥＭＳデバイス
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A4
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DA02 DD02
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【課題】ねじりバネに支持されたステージの回転角度を正確に測定できるセンサを備えたマイクロ光スキャナを提供する。【解決手段】ステージ１０の両側を支持する一対のねじりバネ３０と、ねじりバネ３０の中央軸に沿って形成された抵抗体Ｒ１〜Ｒ４と、抵抗体の抵抗変化を検出する電気的回路とを具備する回転型ＭＥＭＳデバイスである。また、該ねじりバネは、（１００）面を有するｎ型シリコン基板であって＜１００＞方向に形成され、ねじりバネに形成された抵抗体は、ねじりバネで＜１１０＞方向に形成されている。【選択図】図３
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411
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2008-170495
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H190109
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キヤノン株式会社
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揺動体装置
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A4
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DA02 DA04
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【課題】可動子の揺動を安定的にすることができ、流体騒音の低減、低消費エネルギー駆動を可能とした揺動体装置を提供することである。【解決手段】揺動体装置1101は、少なくとも1つの可動子1102、1104と、可動子1102、1104を揺動させる駆動手段を有する。可動子1102、1104は、支持基板1106または他の可動子に対して、支持部1103、1105により軸の回りで揺動可能に支持される。可動子1102、1104の表面の少なくとも一部に、揺動時の表面付近の流体の流れを整えるための凹凸形状1107が形成されている。【選択図】図1
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412
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2008-170565
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H190110
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キヤノン株式会社
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揺動体装置、及び揺動体装置を用いた画像形成装置
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A4
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DA02 DA04
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【課題】揺動体である可動板を可動に弾性支持する支持部上の配線を比較的幅広くした形状でも形成することを可能にした揺動体装置を提供することである。【解決手段】揺動体装置は、支持基板204と、支持部203と、支持部203によって支持基板204に対して振動可能に支持されている可動板202と、第1の機能を行う第1機能素子205と、第2の機能を行う第2機能素子208とを有する。この揺動体装置において、第1機能素子205に繋がった配線207が、支持部203の第1面に形成され、第2機能素子に繋がった配線210が、第1面に配線207が形成された支持部203の第1面とは異なる第2面に形成されている。【選択図】図1
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413
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2008-170654
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H190110
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置
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A4
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DA02 DA04
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【課題】小型化を図りつつ、環境温度に対する影響を緩和または防止し、所望の振動特性を発揮することができるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータは、可動板２１と、支持部２２と、可動板２１と支持部２２とを連結する１対の連結部２３、２４と、可動板２１を回動駆動させるための駆動手段とを有し、連結部２３は、可動板２１から延出する軸部材２３１と、軸部材２３１と支持部２２とを連結し、可動板２１側へ折り返すように形成された折り返し部２３２とを有している。【選択図】図１
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414
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2008-170902
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H190115
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セイコーエプソン株式会社
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光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置
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A4
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DA02 DA04
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【課題】オフセット電圧による可動板の厚さ方向での変位を防止しつつ、圧電駆動により可動板を回動させることができる光学デバイス、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明の光学デバイス１は、光反射性を有する光反射部２２１を備えた可動板２２を含む可動部１０と、可動部１０を支持する弾性変形可能な４つの変形部材２７、２８、２９、３０と、各変形部材２７、２８、２９、３０上に接合され、各変形部材２７、２８、２９、３０を可動板２２の厚さ方向に曲げ変形させることにより可動板２２を回動させる４つの圧電素子３１、３２、３３、３４とを有し、４つの圧電素子３１、３２、３３、３４のうち、２つの圧電素子３１、３２が可動板２２の一方の面側に設けられ、他の２つの圧電素子３３、３４が可動板２２の他方の面側に設けられている。【選択図】図１
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415
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2008-171586
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H190109
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松下電器産業株式会社
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電気機械スイッチ、その製造方法およびそれを用いた電気機器
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A4
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DB01 PI02
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【課題】高速応答・低電圧駆動、高信頼性（耐久性、高電力）、拡張性（SPDT：SinglePoleDoubleThrowなど）などの電気機械スイッチの高性能化を同時にかつ単体で実現する電気機械スイッチおよびそれを用いた電気機器を提供する。【解決手段】本発明電気機械スイッチは、基板上に形成された電気機械スイッチであって、少なくとも１点を固定された第１の電極と、前記第１の電極と所定の間隔を隔てて、配された第２の電極とで構成され、前記第１及び第２の電極の両方が変位して接触可能に構成された電気機械スイッチにより、従来実現困難であった高性能化を同時にかつ単体で実現する電気機械スイッチを実現する。【選択図】図１
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416
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2008-172696
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H190115
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松下電器産業株式会社
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音響検出機構及びその製造方法
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A4
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DDX PI03.MA02.MB03
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【課題】信頼性を劣化させることなくヒンジ構造の深い振動膜を容易に形成できるようにし、それによって音響感度が高い音響検出機構を安価に提供する。【解決手段】基板１０の中央部に貫通穴１２が設けられている。基板１０の上に、貫通穴１２を覆うように、下部電極を含む振動膜１が設けられている。振動膜１の上方にエアギャップ４を介在させて上部固定電極３が配置されている。振動膜１には、５０度以上で且つ８０度以下のテーパ角を持つヒンジ構造１９が設けられている。【選択図】図１
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417
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2008-172902
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H190110
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セイコーエプソン株式会社 国立大学法人 東京大学
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アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置
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A4
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DA02 DA04
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【課題】小型化および省電力化を図りつつ、大きな回動角を有するアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】アクチュエータ１は、質量部２１と、支持部２３１、２３２と、固定平板電極３と、可動平板電極２２と、支持部２３１、２３２と質量部２１とを連結する１対の第１の連結部２４１、２４２と、質量部２１と可動平板電極２２とを連結する１対の第２の連結部２５１、２５２とを有し、固定平板電極３と可動平板電極２２との間に電圧を印加し、固定平板電極３と可動平板電極２２との間に静電力を発生させることで、可動平板電極２２と固定平板電極３とを略平行に保ちつつ、可動平板電極２２をその厚さ方向へ変位させ、それに伴い、第１の連結部２４１、２４２および第２の連結部２５１、２５２のそれぞれを変形させつつ質量部２１を回動させるように構成されている。【選択図】図１
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418
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2008-173719
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H190119
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キヤノン株式会社
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複数の導電性の領域を有する構造体
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A4
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DD01 DD02 DDX PI03
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【課題】応力の発生しにくい、電気的に絶縁された複数の導電性の領域を有するマイクロ構造体などの構造体を、比較的簡易な構成で提供することである。【解決手段】マイクロ構造体などの構造体は、互いに電気的に絶縁された複数の導電性の領域106、107、108、109を有する。複数の導電性の領域106、107、108、109間は、連続した酸化領域104によって絶縁されている。酸化領域104は、複数の貫通孔105もしくは溝が形成された材料の酸化物から成っている。【選択図】図1
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419
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2008-175812
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H191214
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有限会社フルイド
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マイクロ流体デバイスおよびそれを用いた分析装置
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A4
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DC01 DEX
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【課題】従来から用いられているマイクロポンプとマイクロミキサーには次のような課題がある。機械的あるいは流体力学的な方法は、流路内の構造が複雑で目詰まりしやすく、製造コストが高く、デッドボリュームが多い。また、電気的方法は流路の構造がシンプルではあるが、医用やバイオで重要な生理食塩水濃度の液体で動作しなかった。【解決手段】電極間ギャップが鉛直に設置された電極対に交流電圧を印加し、電極間ギャップに沿って反重力方向への流体の流れを発生させて上記課題を解決する。特に、電極間ギャップに沿って鉛直方向へマイクロ流路１１を形成することによりマイクロポンプ４３，４４が実現でき、電極間ギャップに直交する水平方向へマイクロ流路１１を形成することによりマイクロミキサー４１が実現できる。【選択図】図１２
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420
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2008-176181
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H190122
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ブラザー工業株式会社
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光走査装置
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A4
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DA02 DA04
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【課題】本発明は、被走査面上における静止ゴースト像の発生を抑制することができる光走査装置を提供することを課題とする。【解決手段】光走査装置は、レーザダイオードと、光を平行な光束にするカップリングレンズと、回転振動する振動ミラー１５ａと、振動ミラー１５ａを支持し、振動ミラー１５ａよりも大きな開口１５ｅを有するミラー支持体１５ｂと、カップリングレンズと振動ミラー１５ａとの間に配置された絞り部材１３と、絞り部材１３と振動ミラー１５ａとの間に配置される遮光壁１４とを備える。そして、遮光壁１４の開口１４ａの光軸に直交する任意の方向の幅、例えば横幅Ｗは、横幅Ｗに対応する絞り部材１３の開口１３ａの幅をａ、横幅Ｗに対応するミラー支持体１５ｂの開口１５ｅの幅をｂとしたとき、ａ＜Ｗ＜ｂを満たすように設定される。【選択図】図２
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421
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2008-176268
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H190608
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富士通株式会社 国立大学法人 東京大学
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光波面制御装置およびその製造方法
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A4
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DA04 PI03
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【課題】歩留まりおよび消費電力が改善される。【解決手段】支持基板層１１ａおよび中間層１１ｂが順に積層された底面部１１ｃと、底面部１１ｃ上に形成され、内壁にトーションバー１２を介してマイクロミラー１３が一体的に形成され、上面にスペーサ１４を備えるデバイス部１１ｄとを有するミラー基板１１と、一対の透明電極１６が、マイクロミラー１３の両端部もしくは両端部近傍にそれぞれ重なるように配置され、スペーサ１４を介してミラー基板１１と接合する上部ガラス基板１５と、により構成するようにした。【選択図】図１
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422
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2008-177043
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H190118
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富士通株式会社
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マイクロスイッチング素子およびマイクロスイッチング素子製造方法
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A4
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DB01 PI02
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【課題】固定コンタクト電極に対する可動コンタクト電極の配向ばらつきを抑制するのに適したマイクロスイッチング素子及び当該マイクロスイッチング素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の素子Ｘ１は、固定部１１と、可動部１２と、接触部１３ａ’，１３ｂ’を有する電極１３と、接触部１３ａ’に当接する接触部１４ａ’を有する電極１４Ａと、接触部１３ｂ’に対向する接触部１４ｂ’を有する電極１４Ｂとを備える。本発明の方法は、基板上に電極１３を形成する工程、電極１３を覆うように基板上に犠牲層を形成する工程、犠牲層において電極１３に対応する位置に、第１凹部とこれより浅い第２凹部とを形成する工程、犠牲層を介して電極１３に対向する部位を有して第１凹部を充たす電極１４Ａを形成する工程、犠牲層を介して電極１３に対向する部位を有して第２凹部を充たす電極１４Ｂを形成する工程、及び犠牲層を除去する工程を含む。【選択図】図３
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423
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2008-177074
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H190119
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富士通株式会社
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マイクロスイッチング素子
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A4
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DB01
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【課題】駆動電圧を低減するのに適し且つコンタクト電極間のスティクションを回避するのに適したマイクロスイッチング素子を提供する。【解決手段】本発明のマイクロスイッチング素子Ｘ１は、基板Ｓ１と、第１面１２ａおよび第２面１２ｂを有して基板Ｓ１に支持された可動部１２と、第１面１２ａ上に設けられた可動コンタクト電極１３と、可動コンタクト電極１３に対向する部位を有する固定コンタクト電極１４と、固定コンタクト電極１４に可動コンタクト電極１３が接近するように可動部１２を動作ないし弾性変形させることが可能な第１駆動機構（駆動電極１５Ａ，１５Ｂ）と、固定コンタクト電極１４から可動コンタクト電極１３が離反するように可動部１２を動作させることが可能な第２駆動機構（駆動電極１６Ａ，１６Ｂ）とを備える。【選択図】図５
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424
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2008-177481
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H190122
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日立金属株式会社
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半導体センサー装置およびその製造方法
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A4
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PHX
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【課題】ＭＥＭＳチップとシリコン製キャップチップを接合したＭＥＭＳ組立体を樹脂モールドすると、樹脂モールド時にワイヤーが動きシリコン製キャップチップの側面と接触して、ノイズの発生や線間短絡の不具合がある。【解決手段】シリコン製キャップチップの側面をウェットエッチングで形成し、ウェットエッチング面に絶縁性保護膜を形成することで、密着力の高い絶縁性保護膜が形成でき、樹脂モールド時にワイヤーが動いてキャップチップ側面に接触しても、ノイズの発生や線間短絡を防止できる。【選択図】図４
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425
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2008-177933
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H190119
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ソニー株式会社
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電気機械素子、並びに信号処理デバイス、通信装置
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A4
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DB04 DBX MG04
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【課題】より簡単な素子構造で能率よく高周波領域の電気信号の加工を行うことができる、電気機械素子を提供する。【解決手段】圧電体膜５に設けられた複数の電極２、３、４と、複数の電極２〜４のうち所要の電極４と誘電体層６を挟んで対向する他の電極７とを有し、誘電体層６を挟む電極４及び７に入力される複数の信号による静電気的な外力により圧電体膜５が駆動し、圧電体膜５の圧電性により誘起される電気信号を出力する。【選択図】図１
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426
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2008-178173
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H190116
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置
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A4
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DA02 DA04
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【課題】小型化を図りつつ、圧電素子を用いて可動板の挙動検知と回動駆動とを効率的に行うことのできるアクチュエータ、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】アクチュエータは、１対の圧電素子５１、５２（１対の圧電素子５３、５４）と、１対の圧電素子５１、５２に電圧を交互にかつ周期的に印加する電圧印加手段６と、圧電素子５１、５２の電圧が印加されていない状態での変形により生じる起電力に基づいて可動板の挙動を検知する挙動検知手段７と、挙動検知手段７の検知結果に基づいて、電圧印加手段６の作動を制御する制御部８とを有している。【選択図】図３
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427
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2008-181042
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H190126
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松下電工株式会社
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半導体構造及びその製造方法
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A4
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DA02 DA04 PI03
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【課題】可動部中に絶縁分離構造を設けた半導体構造を容易に製造可能にする。【解決手段】光走査ミラー（半導体構造）１は、第１シリコン層１００ａ、酸化膜１２０、第２シリコン層１００ｂから成るＳＯＩ基板１００を加工することにより形成されている。第１シリコン層１００ａには、固定フレーム４に第１ヒンジ５を介して支持された可動部５０が形成されている。可動部５０は、トレンチ（絶縁分離構造）１０１ａが形成されることにより複数の部位に分かれている。トレンチ１０１ａの下方に、酸化膜１２０及び第２シリコン層１００ｂから成る支持体９が形成されている。支持体９にはトレンチ１０１ａにより分割された可動フレーム３の複数の部位が接合されており、可動部５０は支持体９と一体に揺動可能である。これにより、簡易なエッチングによる製造工程により支持体９を形成し、可動部５０の機械的強度を確保可能である。【選択図】図１
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428
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2008-181127
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H200123
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三星電機株式会社
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ＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法
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A4
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DA02 DDX PI03
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【課題】外部衝撃による破損およびそれによるコストアップを抑制できるＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法を提供する。【解決手段】フレーム１１１と、フレームと同じ層に形成され、フレームに対して相対運動可能に連結された駆動体１１５と、駆動体の高さ方向変位を制限する少なくとも一つのストッパ１４０、１５０と、を備えることを特徴とするＭＥＭＳデバイスである。また、第１基板１１０上に第２基板１３０を接着する工程と、第１基板を部分的に除去して、フレームおよびフレームに対して相対運動可能に連結された駆動体を形成する工程と、第２基板を部分的に除去して、駆動体の高さ方向変位を制限する少なくとも一つのストッパを形成する工程と、を含むことを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法である。【選択図】図１
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429
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2008-181725
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H190124
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富士通株式会社 富士通メディアデバイス株式会社
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マイクロマシンデバイスの駆動制御方法および装置
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A4
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DB01 DB05
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【課題】可変容量のマイクロマシンデバイスの制御において、ヒステリシスの生じるのを抑え、従来よりも容易に正確な制御を行えること。【解決手段】互いに対向する第１の電極２４と第２の電極２５を有しかつそれらの間に誘電体層２６が形成されてなるマイクロマシンデバイス１１の駆動制御方法であって、第１の電極２４と第２の電極２５との間に制御電圧ＶＣを加えることによって、第１の電極２４と第２の電極２５とに静電力を作用させて第１の電極２４または第２の電極２５を変位させるとともに、制御電圧ＶＣの正負極性を所定の周期以内で反転させる。【選択図】図１
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430
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2008-182014
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H190124
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株式会社フジクラ
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パッケージ基板及びその製造方法
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A4
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PHX
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【課題】気密信頼性に優れ、機能素子の特性劣化がなく、ウエハレベルでの機能素子の封止が容易なパッケージ基板を提供する。【解決手段】本発明のパッケージ基板１０は、一方の面に機能素子１２を備えた第一基板１１、該第一基板の機能素子に重なるように、一方の面が配された第二基板２１、第一基板と第二基板との間に挟まれ、機能素子に対応する位置に空間５１を成すと共に、該空間を包囲するように配された封止部１５、を少なくとも備える。第一基板は、機能素子と電気的に接続された第一導電部１３を備える。第二基板は、一方の面に配された第二導電部２３、他方の面に配された第三導電部２５、第二導電部と第三導電部とを電気的に接続する第四導電部からなる貫通電極２６を備える。封止部は、第一基板と第二基板の重なる方向から見て、該第二基板の一方の面内に内包される位置にあり、第一導電部と第二導電部は半田バンプ１６により電気的に接続される。【選択図】図１
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431
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2008-182134
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H190126
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富士通株式会社
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可変キャパシタ
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A4
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DB05
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【課題】駆動電圧特性の変動を抑制するのに適し、且つ、静電容量について大きな可変率を実現するのに適した、可変キャパシタを提供する。【解決手段】本発明の可変キャパシタＸ１は、例えば、対向面１２ａを有する固定電極１２と、対向面１２ａに対向する対向面１３ａを有し且つ固定電極１２の側に突き出るように湾曲している部位を有する可動電極１３と、対向面１２ａに設けられた誘電体パターン１４とを備える。【選択図】図４
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432
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2008-183636
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H190126
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ソニー株式会社
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ＭＥＭＳデバイス、ＭＥＭＳデバイスの製造方法、及び電子機器
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A4
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DD02 PHX
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【課題】薄型で耐久性の高いＭＥＭＳデバイスを提供する。【解決手段】回路基板２００の部品搭載側の主面を被う蓋３００を、金属材料からの等方性エッチングによって作製することで、高い自由度で最適な形状を選定することができ、高強度で、小型薄型の蓋３００を得ることができる。例えば、金属材料の不要部分を選択的に除去して形成された空間のコーナ部に第１の補強部３０３であるアール部を形成したり、エッチングにより蓋３００の側壁部３０２を選択的に肉厚にすることで、その肉厚の部分を第２の補強部３０４として形成したりすることができる。さらには、エッチングによって蓋３００の天板部３０１のほぼ中央部分またはその近傍に、天板部３０１の撓みを抑止するための補強用の壁部を第３の補強部３０５として形成する。【選択図】図１
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433
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2008-183658
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H190130
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太陽誘電株式会社
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マイクロカンチレバー
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A4
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DB01
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【課題】簡単な構造でかつ低電圧でより大きな変位量を得ることができるマイクロカンチレバーを提供する。【解決手段】マイクロカンチレバー１は、板状の圧電体３の両面に上部電極４ａ及び下部電極４ｂとなる電極膜を形成しかつ前記圧電体３の下部電極４ｂ側に板状の弾性体５を密着させた駆動部材を、支持体２に片持ち梁状に支持させた構造を有する。またさらに、前記弾性体５には、支持体２に固定された根元部分の近傍に、薄肉部６が形成されている。【選択図】図１
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434
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2008-183717
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H200507
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ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
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マイクロメカニカル素子およびその製法
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A4
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PG01 MF02
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【課題】マイクロメカニカル素子ならびにその製法【解決手段】基板（３）；構造化層（５）少なくとも１つ、ここで、構造化層（５）中には機能構造（７）少なくとも１つが形成されている；機能構造（７）を覆うキャップ（１）、ここで、キャップ（１）と機能構造（７）との間には中空部（７ａ）少なくとも１つが形成されている；キャップ（１）と構造化層（５）とを接合する接合層（２）を有するマイクロメカニカル素子において、接合層（２）が殊には、３００ｎｍ〜１００μｍの範囲、有利には３００ｎｍ〜５０μｍの範囲の厚さを有する陽極接合可能なガラス、即ちボンディングガラスにより形成されている。【選択図】図１
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435
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2008-185415
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H190129
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東洋ゴム工業株式会社
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マイクロ流体の微小流路形成型の製造方法およびマイクロ流体デバイスの製造方法
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A4
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DC01 PI06 MEX
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【課題】マイクロ流体の微小流路を形成するための微小流路形成型を簡単に得る製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、マイクロ流体の微小流路を形成するための微小流路形成型を用いて簡単にマイクロ流体デバイスを製造する方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のマイクロ流体の微小流路形成型の製造方法は、樹脂材料２０を平板１０上に吐出し、当該樹脂材料２０を固化して、平板１０上に断面凸状の鋳型２０ｂを形成することを特徴とする。【選択図】図１
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436
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2008-185621
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H190126
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ブラザー工業株式会社
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光偏向器
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A4
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DA02 DA04
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【課題】振動ミラーの回転振動に起因する配線の振動騒音を低減できる光偏向器を提供する。【解決手段】光偏向器Ｌは、所定の回転振動軸Ａを中心に回転振動する振動ミラー３と、振動ミラー３を保持するＭＥＭＳパッケージ１０と、振動ミラー３に電力を供給するためにＭＥＭＳパッケージ１０に電極７を介して接続される配線６とを備えている。そして、配線６の引出開始位置である電極７は、振動ミラー３の回転振動軸Ａを含み、かつ静止状態における振動ミラー３と直交する面と交わるように配置されている。【選択図】図１
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437
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2008-185723
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H190129
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ブラザー工業株式会社
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光走査装置
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A4
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DA02 DA04
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【課題】本発明は、ＭＥＭＳミラーのフレームへの取付作業を容易に行うことができる光走査装置を提供することを主たる課題とする。【解決手段】光走査装置１は、光を出射する光源ユニット１０と、光源ユニット１０を支持するフレーム４０と、回転振動することで、光源ユニット１０から出射された光の反射方向を変化させて走査を行う振動ミラーと、振動ミラーを保持するミラーパッケージ２２と、振動ミラーの回転振動軸と直交する方向へ延び、かつ、ミラーパッケージ２２よりも長く形成される長尺状の梁状部材５０と、ミラーパッケージ２２を梁状部材５０に固定させる第１固定部材６０と、梁状部材５０をフレーム４０に固定させる第２固定部材７０とを備えている。【選択図】図１
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438
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2008-185943
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H190131
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セイコーエプソン株式会社
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プロジェクタ
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A4
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DA02 DA04
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【課題】被投射面に投射される投射光の投射角度に関わらず解像度、かつ輝度が高い画像を投射することが可能なプロジェクタを提供する。【解決手段】光を射出する光源装置１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと、該光源装置１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂから射出された光を非平面形状の被投射面３０に向けて走査する走査手段２０と、被投射面３０の形状に基づいて、被投射面３０の法線方向から見たときの被投射面３０に投射された光の画素ピッチが一定となるように制御する光源装置１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂまたは走査手段２０を制御する制御手段とを備えることを特徴とする。【選択図】図１
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439
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2008-186771
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H190131
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松下電器産業株式会社
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スイッチ及びこれを用いた無線端末
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A4
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DB01
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【課題】梁で懸架された回転子を利用して、スティクションを有効に回避するスイッチを構成する。【解決手段】スイッチ接触面に介在するメニスカスをせん断方向に変形させることでメニスカスの架橋を切り離し、スティクション状態から復帰する。変形には、トルクの強い静電駆動型ウォブル機構、またはウォブル機構により巻き上げられたばねの復元力を利用する。【選択図】図４
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440
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2008-186863
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H190126
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ソニー株式会社
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ＭＥＭＳデバイス、ＭＥＭＳデバイスの製造方法、及び電子機器
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A4
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DD02 PJX MGX
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【課題】回路基板への蓋の接合作業に伴う熱の影響を解消して良好な特性を確保することのできるＭＥＭＳデバイスを提供する。【解決手段】圧電材を用いた振動子を固定する回路基板２００と、この回路基板２００の部品搭載側の面を気密封止のために被う金属製の蓋３００とを、レーザ溶接によって接合する。また、回路基板２００の蓋３００が接合される部位表面に、溶接用の金属パターン２１８を設けておき、レーザ溶接によって金属パターン２１８と金属製の蓋３００とを溶融一体化することで確実な接合を図る。【選択図】図２
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441
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2008-187881
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H190131
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、アクチュエータの製造方法、光スキャナおよび画像形成装置
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A4
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DA02 PGX
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【課題】長時間にわたり導通状態を維持することができ、長時間にわたり優れた信頼性を発揮することのできるアクチュエータ、アクチュエータの製造方法、光スキャナおよび画像形成装置を提供すること。【解決手段】アクチュエータ１は、可動板２１と、支持部２２と、可動板２１と支持部２２とを連結する連結部２３、２４と、圧電体層５１１および圧電体層５１１を狭持するように設けられた１対の電極層５１２、５１３とを備え、電極層５１２が連結部２３に接合された圧電素子５１と、支持部２２に対して固定的に設置された配線基板６１とを有し、１対の電極層５１２、５１３のそれぞれと配線基板６１上の配線とが、伸縮性を有する導電性バンプ７１１、７２１を介して導通している。【選択図】図２
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442
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2008-188711
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H190205
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沖電気工業株式会社
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半導体装置製造方法
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A4
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PHX PI02
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【課題】融点の低い材料で形成された構造体を使用することを可能とし、またその構造体が封止された空間を高真空にすることができるとともに構造体に封止部材が成膜されない半導体装置製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板１上に形成された可動の構造体３を犠牲膜で覆い、その犠牲膜をシリコン酸化膜５で覆い、さらにそのシリコン酸化膜５に貫通孔を形成する。そして、その貫通孔を介して犠牲膜を除去して可動の構造体３とシリコン酸化膜５との間に空間を形成し、シリコン酸化膜５に流動性の高いアルミニウムまたはアルミニウム合金をスパッタ法により成膜して貫通孔を封止するようにした。【選択図】図１
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443
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2008-188754
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H191228
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ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー．
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三次元微細構造体およびその形成方法
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A4
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DFX PIX
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【課題】三次元微細構造体およびその形成方法が提供される。【解決手段】微細構造体は逐次的構築プロセスにより形成され、互いに機械的に固定された微細構造体要素を含む。微細構造体は例えば、電磁エネルギーの同軸伝送路に使用される。【選択図】図１３
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444
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2008-188755
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H191228
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ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー．
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三次元微細構造体およびその形成方法
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A4
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DFX PIX
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【課題】三次元微細構造体およびその形成方法が提供される。【解決手段】微細構造体は逐次的構築プロセスにより形成され、互いに固着された微細構造体要素を含む。微細構造体は例えば、電磁エネルギーのための同軸伝送路に使用される。【選択図】図２
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445
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2008-188756
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H191228
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ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー．
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三次元微細構造体およびその形成方法
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A4
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DFX PIX
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【課題】三次元微細構造体およびその形成方法が提供される。【解決手段】微細構造体は逐次的構築プロセスにより形成され、互いに固着された微細構造体要素が含まれる。微細構造体は例えば、電磁エネルギーのための同軸伝送路に使用される。【選択図】なし
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446
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2008-192863
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H190206
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株式会社住友金属エレクトロデバイス
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セラミック蓋体
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A4
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PHX MFX
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【課題】セラミック枠体にガラス板を接合する接合強度が高く、気密信頼性が高いクラックの発生を防止する安価なセラミック蓋体を提供する。【解決手段】パッケージに搭載される半導体素子を封止するためのセラミック蓋体１０において、半導体素子に光を透過させるための第１と第２の開口部１１、１２を設けるセラミック枠体１３の内周側壁面に上面側の第１の開口部１１を下面側の第２の開口部１２より大きくする段差１４を有すると共に、第１の開口部１１の角部に曲線を設けて形成され、段差１４の上段上面から下段上面に至って形成される切り欠き１５と、第２の開口部１２の角部にアール１６を有し、しかも、切り欠き１５を除く第１の開口部１１の外周に嵌合し、段差１４の下段上面に接着材１７で接合されて第２の開口部１２を塞ぐ角部が直角のガラス板１８を有する。【選択図】図１
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447
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2008-193638
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H190208
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セイコーエプソン株式会社
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ＭＥＭＳ振動子
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A4
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DB03
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【課題】初期容量が大きくなることを防止し、出力信号を大きくすることにより特性の良好なＭＥＭＳ振動子を提供する。【解決手段】本発明のＭＥＭＳ振動子１００は、基板としての半導体基板１０２の上に成膜された絶縁膜１０３上に形成された駆動電極１１０と可動電極１３０とから構成されている。この駆動電極１１０および可動電極１３０にそれぞれ形成された駆動電極指１１１と可動電極指１３４，１３６とが交差する交差指幅が長さの異なる第１の交差指幅と第２の交差指幅とを有して形成されている。【選択図】図１
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448
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2008-193652
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H190601
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インダストリアル テクノロジー リサーチ インスティテュート
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柔軟容量性超音波変換器およびその製作方法
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A4
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DDX PI02
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【課題】柔軟容量性超音波変換器、およびその製作方法を提供すること。【解決手段】容量性超音波変換器が、柔軟層、柔軟層の上の第１導電層、第１導電層の上にあり、柔軟材料を含む支持体フレーム、支持体フレームによって第１導電層から間隔をおいて配置されている支持体フレームの上にわたり、柔軟材料を含む膜、第１導電層、支持体フレーム、および膜によって画定された空洞、ならびに膜の上の第２導電層を備えること、からなる。【選択図】図３
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449
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2008-194593
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H190209
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国立大学法人東京工業大学 三井造船株式会社
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マイクロ反応装置および触媒反応方法
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A4
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DC01
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【課題】反応原料を微細な反応流路に流通させることによって複数の触媒反応を進行させるとともに、その反応を効率よく行うことが可能なマイクロ反応装置を提供する。【解決手段】反応原料を流通させる微細な反応流路を有する反応器と、前記反応流路に形成された触媒層と、を備えたマイクロ反応装置であって、前記触媒層は、複数の触媒である触媒Ｃ１、触媒Ｃ２、・・・触媒Ｃｎ（ｎは２以上の整数）によって形成され、触媒Ｃ１の形成領域、触媒Ｃ２の形成領域、・・・触媒Ｃｎの形成領域が、前記反応流路の上流側から、Ｃ１、Ｃ２、・・・Ｃｎの順番で配列されて設けられていることを特徴とする、マイクロ反応装置を用い、反応原料を反応流路に流通させている間に、触媒Ｃ１、触媒Ｃ２、・・・触媒Ｃｎ（ｎは２以上の整数）による触媒反応を、該触媒の配列の順番に進行させ、容易に目的生成物を得ることができる。【選択図】図７
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450
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2008-194813
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H191107
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オリンパス株式会社
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可動素子およびその製造方法
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A4
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DA04 PI03
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【課題】基板の反りの発生が防止された可動素子を提供する。【解決手段】チルトミラー素子１００はミラー基板１１０とＭＣＭ基板１３０とから構成されている。ミラー基板１１０とＭＣＭ基板１３０はパッド１５０によって接合されている。ミラー基板１１０は、ミラー支持外枠１１１と、ミラー支持外枠１１１の内側に位置しているミラー支持内枠１１３と、ミラー支持外枠１１１とミラー支持内枠１１３を接続している二本のねじりばね１１２と、ミラー支持内枠１１３の内側に位置しているミラープレート１１５と、ミラー支持内枠１１３とミラープレート１１５を接続している二本のねじりばねとから構成されている。ミラー支持外枠１１１は二つのシリコン層１２１，１２２と酸化シリコン膜１２３とから構成されている。酸化シリコン膜１２３は、ミラープレート１１５に面したミラー支持外枠１１１の端面の近傍のみに形成されている。【選択図】図２
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451
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2008-194816
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H200125
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コミツサリア タ レネルジー アトミーク
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基板上のコンポーネントを保護するカバーの作製方法
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A4
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PHX
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【課題】基板上のコンポーネントを保護するためのカバーを調製する方法を提供する。【解決手段】基板２の表面上または中に収容されたコンポーネント５を保護するためのカバー１を調製する方法であって、コンポーネント５を覆う、単層または複数の積み重ねられたサブ層６．１、６．２を有し、コンポーネント５の上に位置する領域では、基板に対する接着力よりも低い接着力を有する座屈層６を基板２の上に形成する工程と、座屈層６がコンポーネント５の上に位置する領域において空洞７の境界を画定するように座屈層を座屈する工程と、を含み、画定する工程は、形成する工程の前に、間に、または後に、しかし座屈する工程の前に実行可能であり、座屈する工程は、形成する工程の間にまたは後に実行可能である。【選択図】図２Ｄ
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452
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2008-196481
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H200117
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国立大学法人横浜国立大学
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マイクロポンプ
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A4
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DC03
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【課題】駆動要素の慣性力又は揚力や、流路の容積変化に依存することなく、マイクロチップ又はバイオチップ内流路の流体を輸送する。【解決手段】マイクロポンプは、マイクロチップ又はバイオチップの流路壁(4)によって形成されたＵ形流路(20)を有する。Ｕ形流路は、流入側流路部分(21)及び流出側流路部分(22)を有し、円板形、円柱形又は円筒形の回転子(10 90)が、流路(21 22)の折返し部(23)に回転可能に配置される。回転子は、流路(21 22)を区画する隔壁(5)の先端面と対向する。回転子は、遠隔駆動手段(レーザー光L L1 L2 L3)によって、その回転中心軸線(X-X)を位置決めされ且つ回転駆動される。【選択図】図２
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453
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2008-197140
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H190208
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株式会社リコー
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光走査装置
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A4
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DC02 DC04 MA01
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【課題】一対の捻り梁を軸としてミラー部材が往復振動する光走査装置の共振周波数調整機構等の改良。【解決手段】捻り梁２の支点側端はフレーム１に固定される。捻り梁２は一対のカンチレバーの非固定側端に結合される。カンチレバー４上に駆動用圧電素子８が形成される。カンチレバー４の固定側端の近傍部位にバネ部４ａが形成され、このバネ部４ａに櫛歯状の電極５が、これに対向した櫛歯状の電極６がフレーム１側にそれぞれ形成される。電極５，６間の印加電圧を変化させるとカンチレバー４に働く引っ張り力が変化するため捻り梁２のバネ定数が変化する結果、ミラー部材３の共振周波数が変化する。【選択図】図１
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454
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2008-197206
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H190209
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ブラザー工業株式会社
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光走査装置及びその製造方法
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A4
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DA02 DA04
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【課題】入射光束を揺動する振動ミラー部により反射して反射光束を走査する光走査装置に集光レンズを組み込んで、小型化、製造コストの低減化を図る。【解決手段】反射面が形成された振動ミラー部２、振動ミラー部２の揺動軸をなす支持部３、支持部３を保持する枠部５を有する光走査部１と、光走査部１を収納する筐体１４とを備え、入射光束を振動ミラー部２により走査して反射光束を出射する光走査装置２０であり、振動ミラー部２は、揺動軸の軸方向の幅が揺動軸に直交する方向の幅よりも狭い形状を有し、筐体１４は、入射光束及び前記反射光束を透過する透過部１２を備え、透過部１２は、入射光束を振動ミラー部２の形状に応じた形状に収束させる第１の光学素子を有する。【選択図】図１
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455
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2008-198607
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H200212
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ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
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ＭＥＭ装置用パワーオーバーレイ構造およびＭＥＭ装置用パワーオーバーレイ構造を作製するための方法。
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A4
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DD01 ME01
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【課題】高い入出力電流で動作可能なＭＥＭＳスイッチおよびＭＥＭＳリレーに適用可能な相互接続手法およびパッケージング手法を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態によれば、１つまたは複数の接点構造（２４４、２４５、２４６）をその上に有する第１の表面を有し、自体の機能性素子と結合したＭＥＭＳ装置（２４０）と、これらの接点構造（２４４、２４５、２４６）を露出させる開口を内部に画定する第１の表面を覆う誘電体層（１００）と、前記接点構造（２４４、２４５、２４６）から誘電体層（１００）内の開口を通ってこの誘電体層の表面まで延びる導電性材料を含むパターニングされた金属化層（２５４、２５５、２５６）と、これらの金属化層（２５４、２５５、２５６）と熱連通した第１のヒートシンク（１９０）と、をさらに備えるＭＥＭＳ構造体を含む。【選択図】図１１
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456
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2008-200757
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H190216
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セイコーエプソン株式会社
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ＭＥＭＳ素子およびその製造方法
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A4
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PI02
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【課題】基板と可動部との固着が少ないＭＥＭＳ素子およびその簡便な製造方法を提供すること。【解決手段】ＭＥＭＳ構造体１の可動部１１は、最大可動部１５および中間可動部１４を有し、最大可動部１５とシリコン基板３との距離ｄ１は、中間可動部１４とシリコン基板３との距離ｄ２と比較して長い。最大可動部１５は、シリコン基板３方向への変位量が最大の部分を含んでいる。シリコン基板３方向への変位量が最大の部分は、シリコン基板３と接触する機会が多いが、最大可動部１５とシリコン基板３との距離が長いので、最大可動部１５がシリコン基板３と接触する機会を少なくできる。したがって、シリコン基板３との固着が起こりにくいＭＥＭＳ素子１０を得ることができる。【選択図】図１
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457
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2008-200758
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H190216
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セイコーエプソン株式会社
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ＭＥＭＳ素子およびその製造方法
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A4
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PI02
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【課題】１つの設計によるＭＥＭＳ素子で、特性値を可変可能で、可変後の特性値を維持可能なＭＥＭＳ素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】フローティングゲート２の他に、可動電極でもある可動部１３を駆動する駆動電極１６を備えているので、フローティングゲート２に電荷を注入し可動部１３との間に静電気力を生じさせた状態で可動部１３を可動できる。したがって、ＭＥＭＳ素子１０は力が加わった状態で可動状態に応じた特性値を有する。フローティングゲート２に注入する電荷量は調整できるので、注入した電荷量に応じて可動部１３に加わる力も可変でき、ＭＥＭＳ素子１０の特性値も可変できる。フローティングゲート２に注入した電荷量が変化しない限り、ＭＥＭＳ素子１０の特性値を維持できる。【選択図】図５
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458
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2008-200818
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H190221
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富士通株式会社
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ＭＥＭＳデバイス
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A4
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DA01 DA04
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【課題】マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム（ＭＥＭＳ）デバイスにおいて、外部からＭＥＭＳデバイスに振動が加わった際にＭＥＭＳの可動部が有する共振周波数の振動を減衰する構造を備えたＭＥＭＳデバイスを提供する。【解決手段】ＭＥＭＳデバイスは、可動部を有する基板と、該基板と収容する筐体１と、可動部の共振周波数に対応した振動を機械的動作により吸収する可動吸収部を有する振動吸収体６とから構成される。このように、ＭＥＭＳデバイスに加わった振動の中から可動部の共振周波数に対応した振動を吸収する振動吸収体を設けることで、ＭＥＭＳデバイスの可動部の共振振動を吸収することができる。【選択図】図２
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459
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2008-201723
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H190220
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富士ゼロックス株式会社
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マイクロ流体デバイス、反応装置、及び、反応方法
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A4
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DC01
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【課題】常温において反応性及び反応効率に優れ、反応を安全に実施可能であるマイクロ流体デバイス、反応装置、並びに、反応方法を提供すること。【解決手段】気体放電を用いるプラズマ生成機構を備えた気体用微小流路、液体用微小流路、並びに、気体用微小流路及び液体用微小流路が合流して形成される気液混相用微小流路を少なくとも有することを特徴とするマイクロ流体デバイス、前記マイクロ流体デバイスを用いた反応装置。また、前記反応装置を準備する工程、前記気体用微小流路に気体を供給する工程、前記液体用微小流路に被反応物を含む液体を供給する工程、前記プラズマ生成機構により前記気体由来のラジカルを発生させる工程、前記気液混相用微小流路において、被反応物を含む前記液体とラジカルを含む前記気体との気泡流又はスラグ流を形成する工程、並びに、前記被反応物と前記ラジカルとを反応させる工程を含む反応方法。【選択図】図１
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460
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2008-203186
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H190222
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ローム株式会社
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基板の貼り合わせ方法、マイクロチップの製造方法およびマイクロチップ
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A4
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DC01 PGX
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【課題】生産性がよく、基板に微細な流路パターンが形成されている場合であっても、該流路パターンの変形を生じない基板の貼り合わせ方法およびマイクロチップの製造方法、ならびに流体回路の変形が抑制されたマイクロチップを提供する。【解決手段】光を透過する熱可塑性樹脂からなる第１の基板（１０１）と、光吸収物質が分散され、熱可塑性樹脂からなる第２の基板（１０２）とを貼り合わせる方法であって、（Ａ）少なくとも一方の基板の貼り合わせ面の温度を、熱板（１０４）等により、該基板を構成する熱可塑性樹脂のガラス転移温度近傍に調整する工程と、（Ｂ）第１の基板（１０１）および第２の基板（１０２）を重ね合わせて圧力を印加する工程と、（Ｃ）第１の基板を介して、光吸収物質に対して光（１０５）を照射する工程とを含む基板の貼り合わせ方法およびマイクロチップの製造方法、ならびにマイクロチップ。【選択図】図１
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461
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2008-203299
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H190216
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コニカミノルタオプト株式会社
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マイクロスキャナおよびそれを備える光学機器
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A4
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DA02 DA04
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【課題】偏向角を容易に増大させられる光スキャナを提供する。【解決手段】光を反射させるミラー部ＭＲと、ミラー部ＭＲを揺動可能に支持する主軸部ＭＡと、主軸部ＭＡを保持する変形可能な保持部ＨＤと、を含む光スキャナＬＳでは、保持部ＨＤ自身の変形をねじれ変形に変化させるトーションバーＴＢが、保持部ＨＤおよびミラー部ＭＲの少なくとも一方に形成され、このトーションバーＴＢに生じるねじれ変形を用いて、ミラー部ＭＲが揺動する。【選択図】図１
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462
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2008-203355
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H190216
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セイコーエプソン株式会社
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共振周波数調整装置および共振周波数調整方法
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A4
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DA02 DA04
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【課題】極めて効率的に共振周波数を調整することのできる共振周波数調整装置および共振周波数調整方法を提供すること。【解決手段】共振周波数調整装置は、アクチュエータ６の共振周波数を測定する測定手段２と、アクチュエータ６の可動板６１１の板面上に、樹脂材料を含む液体の液滴を付与する液滴付与手段４と、測定手段２の測定結果に基づいて、可動板６１１の板面上における液滴の付与位置および当該付与位置における液滴数の組み合わせを求め、それを実行するように液滴付与手段４を制御する制御手段３とを有し、可動板６１１の板面上に液滴を付与した後、それを硬化または固化させて、可動板６１１の回動中心軸Ｘ１まわりの慣性モーメントを増加させ、アクチュエータ６の共振周波数を調整するように構成されている。【選択図】図１
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463
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2008-203462
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H190219
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セイコーエプソン株式会社
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アクチュエータ、光スキャナ、および画像形成装置
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A4
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DA02 DA04
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【課題】可動板の回動角を大きくしつつ、耐衝撃性を向上させることができるアクチュエータ、光スキャナ、および画像形成装置を提供すること。【解決手段】本発明のアクチュエータ１は、可動板２２が所定量以上変位したときに可動板２２に接触して、可動板２２の変位を所定範囲内に規制し得る規制部材６１を有し、規制部材６１は、可動板２２に対しその平面視にて重なる部分を有するように位置する第１の状態と、可動板２２に対しその平面視にて重ならないように位置する第２の状態とをとり得るように変位可能に設けられている。【選択図】図２
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464
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2008-204768
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H190220
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オムロン株式会社
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マイクロリレー、無線通信機、計測器、携帯情報端末
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A4
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DB01
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【課題】高度のアライメント精度を必要とすることなく、接点間の容量結合成分を可能な限り小さくすることにより、アイソレーション特性が高く、容易に製造可能なマイクロリレーを提供する。【解決手段】可動電極を備えた可動基板と、前記可動基板に対向して配置され、かつ固定電極を備えた固定基板とからなり、前記可動基板の一部は前記固定基板に接合され、かつ弾性的に支持されており、前記可動基板の前記固定基板に対向する側に可動接点が配置されており、前記固定基板の前記可動基板に対向する側に、その端部が固定接点である一対の信号線が前記端部を対向させるように配置されており、前記可動接点と前記固定接点が接離可能であるマイクロリレーにおいて、少なくとも一方の固定接点において、前記可動接点と前記固定接点が当接する箇所の少なくとも一部に凹部を設けていることを特徴とするマイクロリレー。【選択図】図３
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465
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2008-206140
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H200116
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松下電器産業株式会社
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電気機械共振器及びその製造方法
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A4
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DB02 PI02 MA02
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【課題】電気機械共振器の共振周波数は、構造の振動モードで決定し、最適な入出力電極の配置が必要となる。必要に応じて電極の高さを可変でき、かつ電極強度を維持することのできる平行駆動型の電気機械共振器を提供することを目的とする。【解決手段】振動子の側面に同一レイヤで構成される複数の固定電極と、振動子と前記固定電極の間で構成されるギャップを有し、前記ギャップ間の幅の一部が広がる領域を有するようにしたことを特徴とする。すなわち本発明の電気機械共振器は、固定電極と、前記固定電極とギャップを介して形成された振動子とを具備した共振部を備え、前記固定電極の厚さ方向で、前記ギャップ幅が異なる領域を有する。【選択図】図１
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466
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2008-207178
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H200304
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バッテル・メモリアル・インスティチュート
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積層型微小チャネル装置
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A4
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DC01
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【解決課題】より低い製造コストを有し、圧力損失が低減した微小チャネル物質交換器を提供する。【解決手段】畝５０６及びスロット５０８を具備する第１の外側シート５０４と、畝及びスロットを具備する第２の外側シートとを具備し、当該第２の外側シートの畝は当該第１の外側シート５０４の畝５０６に対してずれた位置にある、積層型微小チャネル装置【選択図】図５ｃ
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467
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2008-207306
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H190228
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富士通株式会社 富士通メディアデバイス株式会社
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パッケージングされたマイクロ可動素子の製造方法およびパッケージングされたマイクロ可動素子
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A4
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PH02 PHX
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【課題】マイクロ可動素子の有する可動部の動作特性のばらつきを抑制するのに適した、パッケージングされたマイクロ可動素子の製造方法、および、そのような素子を提供する。【解決手段】本発明の方法は、可動部１０，２０を有するマイクロ可動素子Ｙと、凹部８１ａを有するパッケージング部材８１と、凹部８２ａを有するパッケージング部材８２とを備えるパッケージドデバイスＸを製造するためのものであり、複数のマイクロ可動素子Ｙを形成するためのデバイスウエハに、複数の凹部８１ａが設けられたパッケージングウエハを接合する工程と、当該デバイスウエハに、複数の凹部８２ａが設けられた他のパッケージングウエハを接合する工程と、デバイスウエハおよび両パッケージングウエハを含む積層構造体を切断する工程とを含む。【選択図】図３
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468
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2008-207311
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H190228
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富士通株式会社
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マイクロ構造体およびマイクロ構造体製造方法
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A4
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DA04 DD01 DD02 MB01 MB03 ME04
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【課題】電流リークの発生を抑制するのに適したマイクロ構造体およびマイクロ構造体製造方法を提供する。【解決手段】本発明のマイクロ構造体Ｘ１は、第１導体層と、第２導体層と、両導体層間の中間絶縁層とからなる積層構造を含む材料基板に加工を施すことによって得られたものであって、中間絶縁層が部分的に露出するように第１導体層に対して異方性エッチング処理が施されることによって当該第１導体層において成形された導体部１１と、異方性エッチング処理を経ることによって中間絶縁層において露出した部分からエッチングが進行するように当該中間絶縁層に対して等方性エッチング処理が施されることによって当該中間絶縁層において成形された中間絶縁部１３と、第２導体層において成形された導体部１２と、導体部１１のエッジ部１１ｄの少なくとも一部および／または側面１１ｃの少なくとも一部を覆う領域を有する絶縁膜１４とを備える。【選択図】図１
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469
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2008-209281
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H190227
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コニカミノルタホールディングス株式会社
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分析システム、並びにこれに用いるマイクロ化学チップ及び液駆動方法
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A4
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DC03 DEX
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【課題】安価で且つ簡易な構成及び方法で分析用物質の吸着体への吸着効率を高める。【解決手段】複数種類の混合材を混合するための混合用流路と、該混合用流路内に移動可能に装填された吸着体であって、前記複数種類の混合材が混合されてなる混合液における所定の分析用物質を吸着可能な吸着体とを備えるマイクロ化学チップと、前記混合用流路中の前記混合液と前記吸着体とが混在してなる混在液を、該混合用流路の上流側から下流側への正方向、及び下流側から上流側への逆方向に流す液駆動が可能に構成されたマイクロポンプと、前記マイクロポンプの液駆動を制御することで前記混在液を前記混合用流路中で攪拌させる制御系とを備えた分析システムとする。【選択図】図２
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470
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2008-209616
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H190226
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株式会社リコー
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光偏向装置及びその製造方法
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A4
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DA01 DA04 PHX
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【課題】ヒンジ等で支持されないミラー部材を、電極との間に作用する静電引力により支点部材を支点として制御された方向に傾斜させて保持するタイプの光偏向装置の製造を容易にする。【解決手段】支点部材１０６と電極１０３が形成された第１の基板１００と、ミラー面を有する板状部材２０３とその移動範囲規制用の規制部材２０４が形成された、透明パッケージを兼ねる透明な第２の基板２００とを接合した構造である。両基板とその接合部分で板状部材２０３の運動空間は気密封止される。接合前の第１の基板は一般的なＬＳＩプロセスによって、接合前の第２の基板は一般的なＭＥＭＳプロセスによって容易に製作可能である。【選択図】図５
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471
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2008-209719
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H190227
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株式会社リコー
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光偏向装置及び光偏向アレイ
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A4
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DA01 DA04
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【課題】ヒンジ等で支持されない板状のミラー部材を、静電引力により、支点部材を支点として傾斜変位させるタイプの光偏向装置の駆動電圧を低電圧化する。【解決手段】板状部材（ミラー部材）１０４の基板１０１の面方向への移動範囲を規制するために設けられる規制部材１０２の基板近傍部分を順テーパ形状とする。このようにすると、規制部材の表面が基板面に対し垂直の場合に比べ、板状部材を最大傾斜角度に傾斜した状態から別の方向へ変位させる動作の初期において、板状部材と規制部材との接触によって発生する板状部材の変位を妨げる力を減らし、あるいは、変位を促進させる向きの力を発生させることができる。【選択図】図３
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472
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2008-209924
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H200219
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スペイシャル フォトニックス， インコーポレイテッド
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キャビティの上の層の平面化
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A4
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DA04 PI02
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【課題】ミラー面を有するマイクロデバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】マイクロ構造を製造する方法であって、下層に形成されたへこみの中に犠牲材料を配置することと、該へこみの中の該犠牲材料上に補償材料の層を形成することと、該補償材料の第１の部分を除去することによって、該犠牲材料上に実質的に平らな表面を形成することであって、該実質的に平らな表面は、実質的に該下層の該上面と共平面であることと、該下層上に上層を形成し、実質的に平らな表面に形成することとを包含する、方法。【選択図】図１
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473
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2008-210640
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H190226
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株式会社村田製作所
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静電駆動素子およびそれを備えた静電駆動デバイス
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A4
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DB05
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【課題】動作に対する信頼性の高い静電駆動素子を提供する。【解決手段】基板２の表面には固定導体パターン３ａ，３ｂを形成し、固定導体パターン３ａ，３ｂの上方側には可動部４を配置する。可動部４には可動導体パターン７を形成する。可動部４は、梁６ａ，６ｂによって、基板２に固設されている固定部５に支持固定された状態と成す。梁６ａ，６ｂには当該梁６ａ，６ｂとは異なる膨張係数を持つ材質部１８を形成して基板２に対して上に凸の形状の湾曲部分１７を形成する。湾曲部分１７の頂部は駆動用固定電極８に押圧状態で当接し湾曲部分１７は基板２側に弾性変形した状態となって可動部４を基板２側に押し付ける。可動部４と駆動用固定電極８との間に静電引力が発生すると、湾曲部分１７の頂部を支点として可動部４が駆動用固定電極８側に変位して、固定導体パターン３ａ，３ｂと可動導体パターン７間の間隔が広がる。【選択図】図１
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474
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2008-210957
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H190226
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富士通株式会社
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マイクロ可動デバイス
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A4
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DB05 PB02 PI03 MAX MD01 MD03 MD04 MDX
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【課題】高いＱ値を得るのに適したマイクロ可動デバイスを提供する。【解決手段】本発明のマイクロ可動デバイスＸ１は、可動本体１１、キャパシタ櫛歯電極１２、および駆動櫛歯電極１３を有する可動部１０と、キャパシタ櫛歯電極１２に向けて延出するキャパシタ櫛歯電極２２および駆動櫛歯電極１３に向けて延出する駆動櫛歯電極２３を有するフレーム２０と、可動部１０およびフレーム２０を連結する連結部とを備える。キャパシタ櫛歯電極１２，２２は、金属材料よりなり、初期位置において電極歯重なり合いを有する。駆動櫛歯電極１３，２３は、同一の材料層内に作り込まれた部位である。可動部１０は、駆動櫛歯電極１３，２３の電極歯重なり合いの程度が変化するように、回転変位可能である。【選択図】図５
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475
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2008-211124
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H190228
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株式会社ミスズ工業
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半導体装置収納パッケージ
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A4
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PH05 MEX
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【課題】半導体チップの上方露出面の電気的接続部だけを樹脂封止し、センサーやＭＥＭＳが形成された上方露出面を機能的に損傷させずに液状の封止樹脂が流出しないような手段を提供する。【解決手段】センサーチップ２の表面２ａと僅少な隙間を有してダム梁５を配置し、ダム梁５から電極２ｂ形成領域２ｃ側を封止樹脂７ａで封止し封止部７を形成する。この隙間は、封止部７の形成時に、その封止用液状樹脂が隙間内に流れ込む寸法であるとともに、ダム梁５とセンサーチップの表面２ａとの表面張力によりダム梁５より先方へはみ出さない寸法に設定されている。このため、センサーチップ２を損傷することがなく、小型化が可能となる。【選択図】図２
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476
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2008-211420
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H190226
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セイコーインスツル株式会社
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発振器
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A4
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DB03 DB05
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【課題】周波数の温度依存特性をＭＥＭＳキャパシタの温度依存特性を利用して自動的に補正する、MEMS振動子を用いた発振器を提供する。【解決手段】機械的に振動するＭＥＭＳ振動子と、ＭＥＭＳ振動子の共振周波数で発振して発振信号を出力する出力用発振回路と、周囲の温度によってアノード電極とカソードビームの距離が変わり、容量値が変化するＭＥＭＳキャパシタとを備える。【選択図】図１
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477
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2008-212764
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H190228
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財団法人川村理化学研究所
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遷移金属固定化リアクター、及びその製造方法
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A4
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DC01 MEX
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【課題】触媒固定量が多く、かつ、繰り返しの使用安定性に優れた遷移金属固定化リアクター、及び、長時間反応や高温反応を行うことなく、簡便な操作により調製できる遷移金属固定化リアクターの製造方法を提供することにある。【解決手段】アミノ基と反応しうる官能基を有する活性エネルギー線重合性化合物の重合体を含む多孔質ポリマー層の表面に、アミノ基を２つ以上有する化合物を反応させた後、遷移金属化合物を前記アミノ基を２つ以上有する化合物のアミノ基に結合させ、更に、前記遷移金属化合物の遷移金属を還元させることにより遷移金属粒子を固定した有機多孔質ポリマー層が、管状流路の壁面の一部に形成されている遷移金属固定化リアクター。【選択図】なし
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478
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2008-212765
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H190228
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財団法人川村理化学研究所
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遷移金属固定化リアクター、及びその製造方法
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A4
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DC01 MEX
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【課題】触媒固定量が多く、かつ、繰り返しの使用安定性に優れた遷移金属固定化リアクター、及び、長時間反応や高温反応を行うことなく、簡便な操作により調製できる遷移金属固定化リアクターの製造方法を提供する。【解決手段】管状の流路を有し、且つ該流路を形成する壁面の少なくとも一部が、表面に遷移金属化合物が固定された有機多孔質ポリマー層で形成されているリアクターであって、前記有機多孔質ポリマー層が、式１（ＣＨ２＝ＣＨＣ６Ｈ４ＰＲ１Ｒ２）２ＭＬ１Ｌ２（１）または式２［ＣＨ２＝ＣＨＣ６Ｈ４ＰＲ３−（ＣＨ２）−ｎＰＲ３Ｃ６Ｈ４ＣＨ＝ＣＨ２］ＭＬ３Ｌ４（２）で表される化合物の重合体を含む多孔質ポリマー層である遷移金属固定化リアクター。【選択図】なし
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479
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2008-212811
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H190302
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富士ゼロックス株式会社
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微細流路構造体およびその製造方法
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A4
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DC01 PIX MD01 MD06
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【課題】３次元の微細流路の形成が容易で、流路の必要な箇所に触媒を担持させることができる微細流路構造体およびその製造方法を提供する。【解決手段】この微細流路構造体１は、ターゲット基板２に、第１および第２のパターン層３Ａ，３Ｂを積層状態で接合し、各パターン層３Ａ，３Ｂに形成された開口が連通して３次元の流路を構成し、各パターン層３Ａ，３Ｂの上面に触媒担持層４を形成し、流路に露出した触媒担持層４の部分に触媒５を担持させたものである。【選択図】図１
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480
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2008-212814
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H190302
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キヤノン株式会社
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流体搬送路、流体処理装置および流体処理システム
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A4
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DC01
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【課題】流路を流れる流体の速度分布を流路中心軸に対して対象にし、下流に設けられた分岐部において、流体を略均等に分配させる流体搬送路を提供する。【解決手段】流体を流入させる流入口と、流体を搬送する流路と、前記流路中に設けられた流体の進行方向を変化させ分岐させる分岐部と、該分岐部を経た流体を流出させる複数の流出口とを有する流体搬送路であって、前記流入口と、前記分岐部との間に流体の進行方向を変化させる領域が存在し、該領域において、前記流路中の流体の進行方向における中心線が、異なる位置を中心とする二つの円弧の連なりに沿うと共に、該連なりは各円弧に沿った流体の回転方向が互いに逆となるような二つの円弧を組み合わせたものであり、流体の進行方向の変化する角度をθとして、第一の円弧はＡ×θ（但し、Ａは正の整数または小数を表す。）の角度を有し、第二の円弧は（Ａ−１）×θの角度を有する流体搬送路。【選択図】図１３
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481
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2008-212882
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H190307
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富山県 コーセル株式会社
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マイクロミキサー
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A4
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DC01.PJ05
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【課題】本発明は、μTAS（MicroTotalAnalysisSystem）に代表されるマイクロ流体素子における流体混合操作に関して、特別な攪拌子を配置せずとも流路形状のみで効果的な混合が進むスタティックマイクロミキサーの流路構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】合流後の流路（主流流路1）の左右一方の側を主流流路の底部よりさらに深く掘りこみ、下流にむけて、主流流路の左右別の側まで斜めに掘り込む流路（支流流路２）を適切な形状寸法で形成することによって、流路形成領域を流れる流体の流動断面が縦横に伸縮回転し重ね合わさる効果を起こさしめ、混合流路の下流に向けて、この効果を繰り返し起こさせることによって、流体要素の層間距離を縮小し混合を促進する手段をとる。図２【選択図】図1
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482
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2008-212894
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H190307
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財団法人川村理化学研究所
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有機溶剤耐性を有するマイクロ流体デバイス
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A4
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DC01 MEX
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【課題】有機溶剤に対して優れた耐性を示し、且つ、破損しにくく取り扱い性に優れる上、厚みが薄く省スペースであり、加工が容易で複雑な構造や積層構造を形成しやすく、生産性が高く安価である樹脂を素材とするマイクロ流体デバイスを提供する。【解決手段】流路の底部となる底部材Ａと、該流路の壁部を形成する部材であって、該部材の表裏を貫通する長孔状の欠損部を有する壁部材Ｂと、蓋部材Ｃとを備えたマイクロ流体デバイスであって、前記壁部材Ｂが樹脂Ｙにより形成され、前記蓋部材Ｃが樹脂Ｘにより形成されており、前記樹脂Ｘが、トルエン、N N-ジメチルホルムアミド及び１，４−ジオキサンから成る群から選択される１種以上の有機溶剤に２５℃で２４時間浸漬したときの重量増加率が３％以下であり、前記樹脂Ｙが、前記樹脂Ｘを浸漬した条件と同一の条件で浸漬したときの重量増加率が前記樹脂Ｘの重量増加率よりも大きいマイクロ流体デバイス。【選択図】図1
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483
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2008-212920
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H191221
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アンテルユニヴェルシテール・ミクロ−エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
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ナノ構造体のドーピング
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A1
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DF02 MI06
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【課題】本発明は、良好な触媒粒子を用いて、ドープされた細長のナノ構造体を形成するための良好な方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、細長のナノ構造体の成長において使用される触媒粒子を提供する。触媒粒子は、ナノ構造体材料中に実質的に溶解することなく、ナノ構造体材料を含む細長のナノ構造体の成長を促進する触媒化合物と、ナノ構造体材料中に実質的に完全に溶解することにより、成長の間に細長のナノ構造体にドープされる少なくとも１種のドーパント元素とを備える。さらに、本発明は、触媒粒子を使用して、少なくとも１種のドープされた細長のナノ構造体を基板の上に形成するための方法を提供する。当該方法により、細長のナノ構造体においてドーパント濃度を制御することが可能となる。さらに、当該方法により、１０１７原子／ｃｍ３より小さい低ドーパント濃度の細長のナノ構造体を得ることができる。【選択図】図５Ｃ
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484
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2008-213057
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H190301
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セイコーエプソン株式会社
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振動子構造体及びその製造方法
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A4
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PI02
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【課題】基本周波数に影響を与えない方法で不要な振動モードによる振動子特性への影響を回避することのできる振動子構造体の構造を実現する。【解決手段】本発明の振動子構造体は、基板１０と、該基板上に形成された固定電極１２と、該固定電極に対して間隙１７を有して対向配置され、前記基板上に形成された被固定部１５に対して支持梁１６を介して支持された可動電極１４とを具備し、前記固定電極と前記可動電極の間に静電力を生じさせることにより前記可動電極が振動するように構成された振動子構造体において、前記可動電極は、実質的に均一な厚みを有する板状に構成される領域Ａを有するとともに、当該領域内に平面方向に伸びる段差１４ｘを有することを特徴とする。【選択図】図２
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485
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2008-213061
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H190301
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株式会社東芝
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半導体装置及びその製造方法
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A4
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PHX PI02
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【課題】ＭＥＭＳ部を有する半導体装置において製造の歩留まりを上げて生産性の向上を図るとともに、高い信頼性を確保した半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板２と、半導体基板２の表面に形成されるＭＥＭＳ部３と、ＭＥＭＳ部３とは離間して配置されＭＥＭＳ部３を覆うように半導体基板２の表面に設けられるキャップ部とを有する半導体装置であって、キャップ部は、ＭＥＭＳ部３を囲む側壁領域Ｅと、中空層を有し半導体基板２と側壁領域Ｅとともに閉空間を形成する天板領域Ｆとから構成される。【選択図】図３
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486
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2008-213101
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H190306
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凸版印刷株式会社
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流路および流路製造方法
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A4
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DC01 PEX
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【課題】流体を流すにあたって流路が破損することを抑制することができる微細流路および流路製造方法を提供する。【解決手段】流体を流すための流路において、基板１と前記基板上にパターンニングされた吸光層２と前記基板１および前記吸光層２上に設けられたネガ型感光性樹脂１１の内部に形成した断面が丸みを帯びた形状である空孔１２を備え、前記空孔１２は前記パターニングされた吸光層２上のネガ型感光性樹脂１１を基板垂直方向および傾斜方向より露光を行い形成する。【選択図】図５
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487
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2008-213141
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H200512
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ヒューレット・パッカード・カンパニー
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力学的に平衡の超小型可動子
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A4
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DDX
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【課題】ＭＥＭＳ駆動型の情報記憶システムに力学的平衡を与えるために、逆方向に動くように調整された複数の超小型可動子を提供する。【解決手段】板の各対（４１，４２，４３，４４）は、板の各対（４１，４２，４３，４４）の少なくとも一方の板が他方の板に対して動くように超小型可動子に関連付けられる。第１の板の対（４１）の第１の板（４１ａ）は、第１の運動量で第１の方向（Ｗ）に動かされる。第２の板の対（４２）の第２の板（４２ａ）は、第１の運動量に概ね等しい第２の運動量で第１の方向とは逆の方向（Ｅ）に動かされる。第１および第２の板の動きは、第１および第２の運動量を概ね相殺するように構成される。【選択図】図４
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488
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2008-216121
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H190306
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コニカミノルタオプト株式会社
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マイクロチップの製造方法
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A4
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DC01 PGX
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【課題】流路のシール性を向上させ、かつ、マイクロチップ基板同士をより強固に接合することが可能なマイクロチップの製造方法を提供する。【解決手段】マイクロチップ基板１の表面には流路用溝２が形成されている。マイクロチップ基板３の表面には突起部４が形成されている。流路用溝２、突起部４が形成された面を内側にして、マイクロチップ基板１とマイクロチップ基板３を重ねることで、突起部４を流路用溝２に嵌合させる。その状態でマイクロチップ基板１、３に超音波又はレーザを照射することで、接合する面を溶融させ、基板を加圧することで、マイクロチップ基板１、３を接合する。【選択図】図１
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489
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2008-216192
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H190307
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積水化学工業株式会社
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マイクロポンプ装置及びマイクロ流体デバイス
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A4
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DC01 DC03
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【課題】マイクロ流体デバイスに用いられるマイクロポンプ装置であって、比較的簡単な構造を有し、製造が容易であるだけでなく、液体を送液するためのガス発生効率が高められたマイクロポンプ装置を提供する。【解決手段】基板２内にガス発生室１１が設けられており、ガス発生室１１が、光学窓１２に臨んでおり、該ガス発生室１１内に、光の照射によりガスを発生する光応答性ガス発生部材１３が収納されており、該光応答性ガス発生部材１３が、支持部材に光の照射によりガスを発生する光応答性ガス発生樹脂組成物が付着されており、かつ光が照射された際に発生するガスが、外表面に放出される多数のガス流路を有している、マイクロポンプ装置１０。【選択図】図１
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490
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2008-218400
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H200110
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ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
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ゲート電圧制御システムおよび微小電子機械デバイスを静電作動させる方法
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A4
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DB01
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【課題】ＭＥＭＳスイッチ（１４）を静電作動させるゲート電圧制御システムを提供する。【解決手段】閉状態／開状態を切り替えるため、ギャップを通って移動可能な静電応答性のアクチュエータを備える。駆動回路（１０）はゲート電圧制御シーケンスにしたがってデバイスのゲート端子（１６）にゲート電圧を印加する。ゲート電圧制御シーケンスは、アクチュエータを加速させてアクチュエータがギャップの一部を横断して各作動状態に達するのに十分な静電力を発生する電圧レベルまで、ゲート電圧を一定比率で増加させる第１の時間間隔（Ｔ１）と、移動可能なアクチュエータに作用する静電力を低減するのに十分なレベルまで、ゲート電圧を一定比率で減少させる第２の時間間隔（Ｔ２）を含む。【選択図】図１
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491
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2008-218744
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H190305
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株式会社デンソー
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半導体装置の製造方法
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A4
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PGX PHX
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【課題】半導体素子に設けられた可動部の動作を阻害することなく、可動部を外部雰囲気から保護することができる半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】センサ基体１１に可動部１２が形成されたセンサ素子１０において、可動部１２の周辺に４つのセンサ側バンプ１３を形成し（突起部形成工程）、可動部１２に対向する領域を含む４つのセンサ側バンプ１３によって囲まれる領域を覆いつつ、その領域の外部まで達する接着フィルム２０を４つのセンサ側バンプ１３上に被せ（被覆工程）、センサ素子１０における接着フィルム２０との対向面の反対面からホットプレート５０によって加熱して、接着フィルム２０とセンサ基体１１とを接着して可動部１２と接着フィルム２０との間に中空部４０を形成する（中空部形成工程）。【選択図】図３
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492
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2008-221376
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H190312
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株式会社リコー
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加工用カンチレバー
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A4
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DFX
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【課題】微細加工をするためのＳＰＭ（走査型プローブ顕微鏡）の機能を利用した加工法に使用する加工用カンチレバーについて、加工抵抗によってプローブの姿勢が変化しない加工用カンチレバーを実現し、これによって、高精度な微細形状の形成を可能とすること。【解決手段】工作物を加工するためのプローブが固定されていて、弾性変形することによって工作物に荷重を負荷するためのレバー部を有する加工用カンチレバーについて、そのレバー部の支持部を複数設け、そのレバー部の重心位置にプローブを配置したこと。【選択図】図６
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493
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2008-221394
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H190313
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セイコーエプソン株式会社
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ＭＥＭＳ構造体の製造方法及び半導体装置の製造方法
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A2
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PI01
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【課題】ＭＥＭＳ構造体を効率的に製造することができる製造技術を実現する。【解決手段】本発明のＭＥＭＳ構造体は、基板１０上に絶縁膜１１を形成する工程と、該絶縁膜上にＭＥＭＳ機能構造部１２，１４，１５Ａ，１５Ｂ，１６Ａ，１６Ｂを形成する工程と、該ＭＥＭＳ機能構造部の縁部側面にサイドウォール１８Ｓを形成し、また、前記ＭＥＭＳ機能構造部及び前記サイドウォールで被覆された部分を残して前記絶縁膜１１を除去する工程と、前記サイドウォール１８Ｓを除去するサイドウォール除去工程と、を具備することを特徴とする。【選択図】図１０
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494
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2008-221398
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H190313
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沖電気工業株式会社
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微小電気機械システムおよび微小電気機械システムの製造方法
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A4
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PI04 MA02 MAX MD10
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【課題】可動部のスティッキングを防止しつつ狭小ギャップを安定して形成することができる微小電気機械システムおよび微小電気機械システムの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の主面上に設けられた固定電極と、主面上に設けられかつ主面および固定電極の双方から離間しかつ、これらに対して可動な可動部を含む可動電極と、を有する微小電気機械システムの製造方法であって、主面上に犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、犠牲膜を覆うように主面上に電極層を形成する電極層形成工程と、電極層をパターンを介してエッチングして可動電極および固定電極を形成するエッチング工程と、犠牲膜を除去する犠牲膜除去工程と、可動電極および固定電極の表面に導電膜を形成する導電膜形成工程と、を含む。【選択図】図４
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495
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2008-221435
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H190315
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セイコーエプソン株式会社
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電子装置及びその製造方法
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A4
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PI02 MD04 MD07 MD09 MD10
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【課題】基板上の空洞内に配置される機能素子と電子回路からなる電子装置の製造工程を効率的に実施し、製造歩留まりを確保するとともに製造コストを低減することの可能な電子装置の構造及び製法を実現する。【解決手段】本発明の電子装置は、基板１と、基板上に形成された機能素子３Ｘと、機能素子が配置された空洞部Ｓを画成する被覆構造とを具備し、被覆構造は、空洞部の周囲を取り巻くように基板上に形成された層間絶縁膜４．６と配線層５．７の積層構造を含み、被覆構造のうち前記空洞部を上方から覆う上方被覆部の少なくとも厚み方向の一部は、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔの少なくともいずれか一つ若しくはこれらの合金よりなる耐食性層を含み、上方被覆部は、空洞部に臨む貫通孔７ａを備えた第１被覆層７Ｙと、貫通孔を閉鎖する第２被覆層９とを有することを特徴とする。【選択図】図８
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496
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2008-221439
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H190315
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国立大学法人東北大学
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ナノ突起構造体及びその製造方法
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A1
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DF02 PJX
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【課題】従来のナノ突起構造体をさらに改良して、広範な用途が期待できるナノ突起構造体を提供する。【解決手段】金属銅３などに低真空下で高エネルギービームが照射されることにより成長された突起２からなるナノ突起構造体であって、当該ナノ突起構造体は、高エネルギービームの照射方向が成長途中で変更されて、屈曲状または湾曲状または螺旋コイル状に形成されていることを特徴とするナノ突起構造体。および、突起２の成長途中で高エネルギービームの照射方向を変えることにより、突起２を屈曲状または湾曲状または螺旋コイル状に成長、形成することを特徴とするナノ突起構造体の製造方法。【選択図】図４
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497
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2008-221450
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H190316
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三菱電機株式会社
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ＭＥＭＳパッケージの製造方法およびＭＥＭＳパッケージ
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A4
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PI02 PHX
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【課題】中空化工程後の塵埃の付着を防ぐとともに、製造工程中における破壊等が発生しないＭＥＭＳパッケージの製造方法を提供する。【解決手段】中空構造のＭＥＭＳ素子を有するＭＥＭＳパッケージの製造方法が、ＭＥＭＳ基板を準備する工程と、ＭＥＭＳ基板上に、犠牲層を形成する工程と、ＭＥＭＳ基板に接続され、犠牲層の上に延在したＭＥＭＳ素子を形成する工程と、ＭＥＭＳ基板上に、ＭＥＭＳ素子を覆うように蓋基板を接合する基板接合工程と、犠牲層を除去してＭＥＭＳ素子を中空構造とする中空化工程と、通路を封止する封止工程とを含む。【選択図】図１
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498
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2008-221456
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H191219
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ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
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フリップチップＵＳＰウェハに関するダイシング技術
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A4
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DDX PG01 PG02
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【課題】製造コストを低減した密封ＭＥＮＳセンサの製造方法を提供する。【解決手段】個々のダイに複数のＭＥＮＳ機構４２を有する第１のウエハ１２と、個々のダイにセンスプレート４５を有する第２のウエハ１５を製造する。第１のウエハ１２のトレース２４と第２のウエハ１５のコンタクト２１とを陽極ボンディングあるいはシリコン溶融ボンディングで接合することで、第１のウエハ１２の各ダイを第２のウエハ１５の各ダイに対して個々に密封する。その後第２のウエハ１５の第１のひき目３３と第２のひき目３６を切断しインタスペース材料１８を除去する。最後に第１ウエハ１２の第３のひき目で個々のダイにダイシングする。【選択図】図１
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499
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2008-224254
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H190308
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沖電気工業株式会社 宮崎沖電気株式会社
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センサ装置、センサ装置の製造方法
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A4
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DDX PI03
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【課題】良好な耐衝撃性を有し、小型化が可能なセンサ装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】錘部１２と、錘部１２を囲うように配置された枠部１０と、枠部１０上に第１絶縁層１４を介して設けられた支持部２４と、錘部１２上に第２絶縁層１８を介して設けられた質量部２６と、支持部２４と質量部２６とを接続している梁部１６と、支持部２４の枠部１０上面と対向する面３６、枠部１０の支持部２４底面と対向する面３８、及び第１絶縁層１４の錘部１２側の側面２０、により区画された第１凹部３０と、質量部２６の錘部１２上面と対向する面４０、錘部１２の質量部２６底面と対向する面４２、及び第２絶縁層１８の枠部１０側の側面２２、により区画された第２凹部３２と、を有し、第１凹部３０の深さ３４、及び第２凹部３２の深さ３５が、枠部１０の幅の３．３％以上５．０％以下である。【選択図】図１
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500
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2008-224431
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H190313
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コニカミノルタオプト株式会社
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マイクロチップの製造方法、及びマイクロチップ
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A4
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DC01 PGX
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【課題】マイクロチップ基板の位置決めを容易にし、マイクロチップ基板同士をより強固に接合することが可能なマイクロチップの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】マイクロチップ基板１の表面には流路用溝２が形成されている。流路用溝２が形成された面には、表面に直交する方向に突設するピン３が設けられている。マイクロチップ基板４には基板の厚さ方向に貫通する貫通孔５が形成されている。貫通孔５の孔径と、ピン３の径はほぼ等しくなっている。マイクロチップ基板１については流路用溝２が形成された面を内側にし、マイクロチップ基板１とマイクロチップ基板４を重ねることで、ピン３は貫通孔５に挿入される。ピン３を貫通孔５に挿入した状態で、マイクロチップ基板１とマイクロチップ基板４を超音波溶着やレーザ溶着によって接合する。【選択図】図１
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501
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2008-224662
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H200218
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三星電子株式会社
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ポンプユニット及びこれを具備した遠心式の微細流動システム
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A4
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DC03
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【課題】ポンプユニット及びこれを具備した遠心式の微細流動システムを提供する。【解決手段】静止した流体Ｆの上流側に配置されたチャンバと、チャンバに収容され、複数の微細発熱粒子を含むガス発生剤３２と、を具備し、ガス発生剤３２にエネルギーが供給されれば、ガス発生剤３２が気圧を上昇させ、流体Ｆを下流側に移動させることを特徴とするポンプユニット３０及びポンプユニット３０を具備した遠心式の微細流動システムとである。【選択図】図２
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502
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2008-224807
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H190309
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住友精密工業株式会社
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ＭＥＭＳデバイス
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A4
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DA02
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【課題】共振特性の調整幅が比較的大きく、温度変化等による共振特性の変動を十分に抑えることが可能なＭＥＭＳデバイスを提供することを課題とする。【解決手段】ＭＥＭＳデバイス１は、上層基板２と下層基板３とを具備し、上層基板２は、可動電極２８を有する揺動部２Ａと、固定電極２９を有する固定部２Ｂ、２Ｃとを有し、揺動部２Ａは、固定電極２９と可動電極２８との間に交流電圧が印加されることによって揺動する。下層基板３は、揺動部２Ａの所定範囲内での揺動を妨げないように揺動部２Ａの下方に形成された凹部３１を備え、凹部３１を区画する揺動軸ｘと直交する方向の内側壁面３２に、補助電極層４が形成されている。補助電極層４が形成される内側壁面３２は、可動電極２８と固定電極２９とが略同一平面上に位置するとき、可動電極２８に対する最短距離が凹部３１を区画する内底壁面３３との最短距離よりも短くされている。【選択図】図１
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503
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2008-225363
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H190315
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株式会社リコー
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光偏向装置及び光偏向アレイ
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A4
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DA01 DA04
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【課題】ヒンジ等で支持されないミラー部材を静電力により支点部材を支点として傾斜変位させる光偏向装置／アレイにおいて、ミラー部材の安定した傾斜変位動作を可能にする。【解決手段】板状部材１０７（ミラー部材）の基板面方向の移動範囲を規制するための規制部材１０８に、ある程度の導電性を持たせる。また、規制部材１０８、着地部材１０９、支点部材（電極）１０６を相互に配線導体１１０により電気的に接続する。規制部材１０８の帯電を防止し、あるいは、規制部材１０８の静電気を逃げやすくすることにより、規制部材１０８と板状部材１０７との間に、板状部材１０７の傾斜変位動作を妨げるような静電引力が作用しないようにする。【選択図】図１
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504
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2008-226876
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H190308
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オリンパス株式会社
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半導体装置
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A4
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PH04
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【課題】中空構造をもちながら小型化と共に製法を簡略化し、歩留まりの向上とコストダウンを達成できる、接続封止用樹脂の付着が許されないＭＥＭＳ構造物などのデバイスの実装が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳ構造のメカニカルスイッチ６を形成した第１の基板２を、回路が形成された第２の基板２に、フリップチップ実装封止用樹脂１を用いてフリップチップ実装してなる半導体装置８において、第１の基板に形成したメカニカルスイッチと向かい合わせになる第２の基板の対応部分に、フリップチップ実装封止用樹脂と濡れ性の悪い撥水処理部３を予め形成し、封止された内部に中空部７が形成されるように構成する。【選択図】図１
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505
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2008-226990
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H190309
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国立大学法人 香川大学 学校法人同志社
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パターン状の絶縁性微粒子膜およびそれを用いた電子部品、マイクロマシン、光学部品ならびにパターン状の絶縁性微粒子膜の製造方法
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A4
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MAX
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【課題】絶縁性微粒子本来の機能を損なうことなく、任意の基材表面にパターン状に絶縁性微粒子を１層のみ並べたパターン状の単層絶縁性微粒子膜、および複数層累積したパターン状の絶縁性微粒子累積膜、ならびにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】パターン状の絶縁性微粒子膜１、３は、第１の官能基を有する第１の膜化合物の形成するパターン状の被膜で被覆された基材１４の表面に、第１の官能基とカップリング反応により結合を形成する第１のカップリング反応基を有する第１のカップリング剤の形成する被膜で被覆された反応性微粒子４２が配列した絶縁性の微粒子層が、カップリング反応により形成される結合を介して１層結合固定されている。あるいは、さらにその上に第１のカップリング反応基と反応する膜化合物の被膜で被覆された微粒子３４および反応性微粒子４２が交互に結合固定されている。【選択図】図１
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506
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2008-227152
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H190313
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沖電気工業株式会社 宮崎沖電気株式会社
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半導体装置の製造方法
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A4
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DD01 PJ03 PB02
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【課題】ＳＯＩ基板で形成されたＭＥＭＳチップの個片化を、一般的なダイシング装置を用いて行うとＳＯＩ層にチッピングが発生し、発生したチッピング片がＭＥＭＳ製品の中空構造内に浸入し動作異常を引き起こすといった問題があった。【解決手段】ＢＯＸ層１０３の一方の面に活性層１０１が形成され、他方の面に支持基板１０２が形成されたＳＯＩ基板１００を個片化する際に、スクライブラインを、活性層１０１のみ、所定の除去幅Ａで予めエッチングして除去するエッチング工程と、所定の除去幅Ａよりも小さいブレード幅（切削幅Ｂ）のダイシング装置によって、活性層１０１が除去された箇所に対応する支持基板１０２の所定箇所を切削する工程とを経て、ＳＯＩ基板１００を個片化する。【選択図】図８
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507
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2008-227211
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H190314
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セイコーエプソン株式会社
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圧電装置の製造方法及び圧電装置
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A4
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PJ06 MGX
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【課題】微細化を図りやすくすることができる圧電装置の製造方法及び圧電装置を提供する。【解決手段】基板３の一の面に形成された第１電極５と、圧電体材料で構成され、第１電極５に重ねられたＰＺＴ等の圧電体膜７と、圧電体膜７を挟んで第１電極５に対向する第２電極１１と、を有する圧電装置１の製造方法であって、第１電極５が形成された基板３の一の面に第１絶縁膜を形成し、第１電極５の少なくとも一部を露呈させるように第１絶縁膜を除去する工程と、第１絶縁膜が除去された領域内に圧電体材料を充填し、領域内に圧電体膜７を形成する工程と、を有する。【選択図】図１
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508
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2008-522806
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H171206
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キュー チップ リミテッド
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流体輸送のための装置
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A4
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DC01
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WO2006/061605
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ほぼ均一な速度で複数の流体の流れを作り出すための装置（1）であって。第１入口ポート(3)及び第２入口ポートを有し、各入口ポートが前記入口ポートからそれぞれの環状通路（4 5 6）に流体を輸送するために配置されているマニホールドと；第１開口の組(12)とその中に第２開口の組(13)を有し、各開口の組が少なくとも１つの開口を備え、かつ環状通路の１つと流体連通するように配置されている分配要素(7)とを含み、前記環状通路からそれぞれの流体出口に１つの開口を介して流体が流れ出るようになっている。
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509
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2008-523385
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H170503
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エムディーティー カンパニー リミテッド
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磁歪効果を利用した可変インダクター型のＭＥＭＳ圧力センサー
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A4
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DB06 DD03
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WO2006/062275
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第１基板上に複数の環状電極が直列連結されるコイル部が形成され、第１基板と一定距離で平行に対向する第２基板上に環状電極と一対一対応する磁歪物質薄膜が形成され、コイル部と磁歪物質薄膜とがインダクターを構成し、外部の圧力によって磁歪物質薄膜の透磁率変化を誘導させてコイル部のインダクタンスを変化させるインダクターアレイ部と、インダクターアレイ部とＬＣ共振回路とを構成し、インダクターアレイ部で放電される磁気的エネルギーを電圧形態に変換させて保存するキャパシタと、を備える磁歪効果を利用した可変インダクター型のＭＥＭＳ圧力センサーである。これにより、本発明は、既存の圧抵抗型または静電容量型センサーに比べてさらに敏感であるので、解像度が優秀であり、半導体工程と互換可能なＭＥＭＳ工程技術を利用して製作されるので、小型化及び大量一括工程が可能であるので、生産コストが減らせる。【選択図】図１
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510
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2008-523444
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H171024
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ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー．
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光変調デバイス
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A4
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DAX PI02
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WO2006/062600
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光変調デバイス（２００、３００、３００−１、３００−２、３００−３、３００−４、３０５、１１００）は、下側電荷プレート（２１０、３１０、３１０−３、３１０−４）と、少なくとも１つの可撓性部材（２３５、３３５、３３５−１、３３５−２、３３５−３、３３５−４）によって支持される、反射性の上側表面を含むピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）であって、可撓性部材（２３５、３３５、３３５−１、３３５−２、３３５−３、３３５−４）は当該ピクセルプレート（２０５、３０５、３１０、１１２０）の概ね下に配置される、ピクセルプレートと、上側電荷プレート（５４０、６３５、６４０）とを備える。
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511
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2008-523466
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H171206
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エヌエックスピー ビー ヴィ
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マルチセンサアセンブリ
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A3
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DD01 DDX PI01
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WO2006/061781
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本出願の１つの実施例は、マルチセンサアセンブリ（２０）を含む。このアセンブリ（２０）は、１つのウエハー層（５１）により規定される電気機械動きセンサ部材（５７）と、２以上の別のウエハー層（３１、４１）のうち第１のウエハー層に支持される第１センサ（３２）と、該別のウエハー層（３１、４１）のうち第２のウエハー層に支持される第２センサ（４２）とを具える。前記１つのウエハー層（５１）は、センサ部材（５７）をアセンブリ（２０）のキャビティ（５６）内で包囲するように前記別のウエハー層（３１、４１）の間に位置する。
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512
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2008-523999
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H171208
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ウードゥヴェ セミコンダクターズ トラシ テクノロジー
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重ねられた要素から成る微細構造の集合的な製作方法
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A4
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PHX
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WO2006/063961
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本発明は集積回路及び保護カバーのような重ねられた微細構造の集合的製作に関する。各々が重ねられた第一と第二の要素を備えた個々の構造は集合的に製作される。第一の要素（例えば集積回路チップ）は第一の板（１０）上に用意され、第二の要素（例えば透明カバー）は第二の板（４０）の上に用意される。板はそれらの対向面の主要部分にわたって互いに接着されているが、付着のない限られた区域（ＺＤn）では接着されない。個々の構造は次に一方で上端部を経由し、他方で底部を経由して、付着のない区域を通る異なった平行な切断線（ＬＨ１n、ＬＨ２n、ＬＤn）に沿って切り取られ、切り取り後に第一の要素が第二の要素によって覆われない表面部分（平行な切断線の間にある部分）を保有するようにする。接続端子（ＰＬn）は従ってこの場所においてアクセス可能なまま残り得る。ガラス板で覆われたイメージセンサ又はディスプレイの製作へだけでなく、一般にあらゆる種類の微細加工された構造（ＭＥＭＳ、ＭＯＥＭＳ）にも適用される。【選択図】図９
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513
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2008-524008
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H171215
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ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
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ＭＥＭＳ慣性センサ用射出成形パッケージ
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A4
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DD01 PHX
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WO2006/068907
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ＭＥＭＳデバイスなどのデバイスをパッケージングする方法が開示される。本発明の例示的実施形態に従ってデバイスをパッケージングする例示的方法は、中または上に設けられたデバイスを有する基板を供給するステップと、基板にキャップを取り付け、キャップの付いた基板の内部空所内にデバイスを封止するステップと、キャップの付いた基板を真空チャンバに挿入し、内部空所内に含まれるガスおよび／または汚染物質を排出するステップと、真空チャンバ内でキャップの付いた基板のまわりにパッケージを射出成形するステップとを含むことができる。キャップを通して配置されたいくつかの小さいサイズの開口を利用して、パッケージをキャップの付いた基板のまわり射出成形する前に、デバイスが真空チャンバ内にあるときデバイスの内部空所内に制御された真空圧力を生成することができる。実施形態によっては、キャップの付いた基板のまわりにパッケージを射出成形する前に、排出された内部空所に不活性ガスを注入して慣性センサ用の分圧を生成することができる。
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514
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2008-524617
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H171104
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ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
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マイクロマシニングによる容量式のセンサエレメント
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A4
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DD01 DD03 PI02
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WO2006/066997
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本発明は、モノリシックに集積された構造形式で形成され、物理的な値を容量式に検出する、マイクロマシニングによるセンサエレメントを製造するための方法に関する。また本発明は、前記製造方法と共に、例えば圧力センサ又は加速度センサのようなセンサエレメントを有するマイクロマシニングによる装置に関するものである。
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515
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2008-524666
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H161221
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マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット
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半導体材料を含むＳＬＭ構造
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A4
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DA04 MAX
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WO2006/068547
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本発明の一観点は、静電アクチュエータを有するマイクロミラー・デバイスの偏向のドリフトに対する安定化方法において、前記マイクロミラーと前記マイクロミラーの下の少なくとも１つの電極とである少なくとも２つの部材を含むアクチュエータであって、前記少なくとも２つの部材の少なくとも１つが半導体材料で形成されているアクチュエータを提供する行為と、前記アクチュエータの前記他の部材に面する前記少なくとも１つの半導体部材上に、１０１７ｃｍ３以上のキャリア密度を有する表面層を提供する行為とを含む方法を含む。
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516
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2008-525182
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H171222
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ユニバーシティ・オブ・ヴァージニア・パテント・ファウンデーション
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マイクロデバイスまたはナノスケールデバイスにおける熱用途または非熱用途のためのマイクロ波の使用
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A4
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DC01
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WO2006/069305
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本発明は、例えば加熱を目的として、マイクロ流体素子にマイクロ波放射線を供給する方法及びシステムに関する。本発明のマイクロ流体素子は、マイクロ流体素子内の特定の領域にマイクロ波放射線を供給するためのマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）を有する。この回路は、好ましくは、マイクロ流体素子の一表面上の伝送路と、対向する表面上の基平面とを有する。本発明の方法は、マイクロ領域と該マイクロ領域上に配置されるマイクロ波回路とを有するマイクロ流体素子を提供する段階と、前記マイクロ領域内に試料を提供する段階と、前記マイクロ領域に約５００ＭＨｚから１０ＧＨｚの周波数でマイクロ波放射線を加える段階と、を含む。
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517
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2008-525207
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H171007
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ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
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構造化された担体ストリップ
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A4
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PHX
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WO2006/072474
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本発明は、少なくとも１つの電子的な構成部分（１２）またはマイクロマシニング型の構成部品（１２）を保持するための担体ストリップ（１１，３１）から出発する。本発明の核心は、担体ストリップ（１１，３１）が少なくとも１つの第１の領域（２１）で、他の領域（２３）よりも僅かな厚さを有していることにある。
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518
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2008-525721
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H171228
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カリフォルニア インスティテュート オブ テクノロジー
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熱管理のための流体ポンプ
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A4
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DC03
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WO2006/071930
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【課題】熱管理のための流体ポンプ【解決手段】熱発生デバイスは、流体ポンプに流体的に結合される熱交換器に接触させて配置される。流体ポンプは、熱交換器と熱が放散される箇所との間の閉じた流体システムを通して流体をポンプ作用で注入するように作動する。一態様では、アクチュエータは、ポンプの壁を通過せずに流体をポンプ作用で注入するように作用する。一態様では、ポンピング要素としてインピーダンスポンプを使用する。【選択図】図１
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519
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2008-525778
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H171222
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コミツサリア タ レネルジー アトミーク
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小滴分配装置
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A4
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DC01
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WO2006/070162
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本発明は、流体注入用の開口部（４０）を備えた第一基板（４２）と、多数の電極を備えた第二基板（４６）とを含む液体分配装置に関する。多数の電極は、前記開口部（４０）に少なくとも部分的に対向して配置された移送用電極と称される少なくとも一つの電極（４４）と、少なくとも二つの小滴形成用電極（５０、５２）と、前記移送用電極（４４）及び前記小滴形成用電極（５０、５２）に対応していて、前記小滴形成用電極のそれぞれの面積の少なくとも三倍に等しい面積を有する、リザーバ電極と称される少なくとも一つの電極（４８）とを含む。
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520
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2008-526537
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H171221
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ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
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応力制御を備えた結合システム
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A4
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PGX
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WO2006/073829
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周囲温度で結合された物品の間に、冷却により収縮し零の残留応力が生じるように、異なる温度の物品が互いに結合される方法。結合した物品の材料が異なる熱膨張係数を有し且つ異なる結合温度で互いに結合する場合に、それら物品は、温度降下の異なる範囲が異なる収縮を補償するので、周囲温度（例えば常温）まで冷却する際に殆ど残留応力を発生しない。
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521
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2008-527263
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H171219
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ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
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マイクロ流体的な変調弁
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A4
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DC02
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WO2006/073746
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弁を通る流体流れを変調するために弁内の流れチャンネルの寸法を選択的に変更できる弁が提供される。弁は空洞内へ延びる入口（１０）及び出口（１２）を備えた、空洞（１４）を画定するハウジング（８）を有する。膜（３０）が空洞内に位置し、この場合、膜の少なくとも一部が流体経路（１５）の少なくとも一部を画定する。１又はそれ以上の電極（２０）が膜に関して固定され、１又はそれ以上の電極（２２）が、弁を通る流体流れを変調するために膜を静電的に作動できるように、ハウジングに関して固定される。
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522
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2008-527421
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H171223
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インテル コーポレイション
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光エレクトロニクス送信器又は受信器モジュールのためのシリコンパッケージ
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A4
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DAX PHX
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WO2006/074048
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光エレクトロニクスパッケージ（104）は、ベース層（202）、スペーサ層（204）、及びＭＥＭＳ微小ステージを含む光学ＭＥＭＳ層（206）を有する。ベース層（202）はパッケージ（104）全体を支持し、パッケージ内の光素子及びその他の素子に電気信号と電力とを送達する経路を備えている。加えて、ベース層（202）はパッケージ（104）内で発生した熱を逃がす熱伝達路を備えている。ベース層（202）はその上に配置又は形成された様々な光素子及び電子素子を含んでいる。スペーサ層は光素子を囲んでおり、パッケージを密閉している。光エレクトロニクスパッケージ（104）の最後の要素は、スペーサ層（204）及びベース層（202）の上方の光学ＭＥＭＳ層（206）である。
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523
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2008-527426
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H180103
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ミラディア インク
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集積空間光変調器を形成する方法および構造
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A4
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DA04 PIX
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WO2006/074175
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集積空間光変調器を製造する方法。該方法は、ボンディング表面を含む第１の基板を提供するステップと、デバイス基板を処理して少なくとも１つの電極層を形成するステップであって、該電極層が複数の電極を含むステップと、該電極層上にスタンドオフ層を堆積するステップとを含んでいる。該方法はさらに、該スタンドオフ層からスタンドオフ構造を形成するステップと、該第１の基板の該ボンディング表面を該デバイス基板の該スタンドオフ構造に接合するステップとを含んでいる。具体的な実施形態では、該方法はさらに、スタンドオフ層を堆積する該ステップの後に、該スタンドオフ層の化学的機械的研磨を実行して該スタンドオフ層の上部表面を平坦化するステップを含んでいる。【選択図】図３Ｆ
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524
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2008-527455
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H180110
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コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
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２自由度ボディ傾斜をなす微小電気機械装置
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A4
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DA02 DA04
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WO2006/075292
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本発明は、担体素子３と薄膜４とを有する２自由度でボディ２を傾斜させるための微小電気機械装置１´であって、ボディ２は、薄膜４を介して担体素子３に接続され、ボディ２び担体素子３の各々は、少なくとも１つの電極５，６を有する。ボディ２は、電圧源から電極５，６への電圧Ｖ１，Ｖ２の印加によるボディ２の少なくとも１つの電極５と担体素子３の少なくとも１つの電極６との間の静電気力７によって傾斜される。
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525
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2008-527642
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H180106
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シュネーデル、エレクトリック、インダストリーズ、エスアーエス
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電磁制御マイクロシステム
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A4
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DB01 DBX
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WO2006/072627
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本発明は、少なくとも一つの電気回路をスイッチングするために、磁気効果によって第一位置と第二位置の間で制御される、基板３によって支持された可動部材を備えた磁気マイクロアクチュエータ２、２’と、可動部材を第一位置に維持するために可動部材に均一な第一磁界Ｂ０をかける永久磁石または電磁石と、基板３の外部に励起コイル４、６とを備え、該励起コイル４、６は、通電時に可動部材に第二磁界ＢＳ1をかけて可動部材を第一位置から第二位置へ移動させるマイクロシステムにおいて、励起コイルはソレノイド型であって、可動部材を支持する基板を取り囲んでいるマイクロシステムに関する。
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526
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2008-527730
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H180104
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フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー．ファオ
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半導体デバイスの空洞内に所定の内圧を形成する方法
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A4
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DB02 DD02 DDX
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WO2006/074871
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半導体デバイスの空洞内に所定の内圧を形成する方法であって、その方法は、半導体デバイスを提供する工程（Ｓ１）であって、半導体デバイスは半導体デバイスの空洞と半導体デバイスの外部表面との間に連続的に配置される半導体酸化物区域を含む工程と、半導体デバイスを、第１の温度で所定の時間の間、希ガスを有する周囲雰囲気に曝露する工程（Ｓ３）と、その所定の時間が経過した後、第１の温度と異なる第２の温度を設定する工程（Ｓ５）とを含み、半導体酸化物区域は、第２の温度に比べて第１の温度で希ガスに対してより高い透過率を示す、方法。【選択図】図２
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2008-527753
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H180117
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ポイント ３５ マイクロストラクチャーズ リミテッド
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微細構造物のエッチング加工をモニタするための改良された方法と装置
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A4
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PB01
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WO2006/077390
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エッチング・チャンバ３内に配置された微細構造物２（及び特にＭＥＭＳ）の製作に使用するエッチング・モニタ装置と関連する方法を説明する。装置１と関連方法は、微細構造物２が配置されたチャンバ３の温度を開始温度に設定し、かつチャンバ内のエッチング・ガスの部分圧力を一定値に維持することにより作業する。結果として、チャンバ３内での微細構造物２の表面温度は、主としてエッチング速度によって決定される。したがって、エッチング中に表面温度の変化をモニタする温度計８を使用することによって、エッチング工程をモニタするための直接診断が可能になる。
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528
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2008-528264
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H180118
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エーアフェルト・ミクロテッヒニク・ベーテーエス・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
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小さい光学的層厚さ、狭い滞留時間分布および多い処理量で光化学プロセスを連続的に実施するためのデバイス
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A4
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DC01
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WO2006/079470
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本発明は、光化学反応を連続的に実施するためのデバイスに関する。かかるデバイスでは、狭い滞留時間分布および大きい処理速度で小さい光学的層厚さの照射が容易に行える。
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529
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2008-528301
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H171202
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ローズマウント インコーポレイテッド
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温度変化に対して改良された反応を有するＭＥＭＳパッケージ
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A4
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PHX
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WO2006/076089
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大規模なＭＥＭＳデバイス（１０，１００，２００，３００）は、少なくとも一つの対応するダイマウント（２８）によって支持されるＭＥＭＳダイ（２２）を含む。対応するダイマウント（２８）は、ＭＥＭＳダイ（２２）を支持構造（２０）に連結する。支持構造（２０）は、パッケージ（３８，４０）の内部に配置される。本発明の態様によれば、パッケージ（３８，４０）は、ＭＥＭＳダイ（２２）について実質的に対称形である。本発明の別の態様によれば、支持構造（２０）および／またはパッケージ（３８，４０）は、ＭＥＭＳダイ（２２）に沿う中立の屈曲軸を有するように設計されている。
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530
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2008-528968
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H180112
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ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
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高性能ＭＥＭＳ実装アーキテクチャ
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A3
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DDX PHX
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WO2006/078564
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能動半導体層に形成されたセンサ感知機構と、各々センサ機構の対向面に結合された活性層を有する対向するシリコン・カバープレートとを有する対称ほぼ完全シリコン密封封止ＭＥＭＳを実現する、シリコン・オン・オキサイドウェーハのバルク機械加工および融着に基づいたセンサ構造の装置および方法。この機構は、少なくとも１つの機構アンカーで構造的に支持されたセンサ機械特徴で構造化されている。カバープレートの活性層は、各々、センサ機械特徴と協働するように構造化された内部特徴および機構アンカーと協働するように構造化されたアンカーを含む。各カバープレートのハンドル層は、このハンドル層を通してカバープレート・アンカーと一直線に並んで延びる穴を含む。誘電体材料の完全なリムが、カバープレート・アンカーと穴の間の封止を形成し、カバープレート・アンカーの外面を露出させている。
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531
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2008-529001
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H171130
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フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
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少なくとも２つの間隙寸法と、活性コンデンサ空間の外側に配置された行程ストッパを備えているＺ軸加速度計
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A4
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DD01
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WO2006/083376
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【解決手段】加速度計（１０）は、基板（１２）表面に堅く取り付けられている一対の導電性プレート（３６、３８）、基板の表面に連結され、導電性プレートの上方に掛けられている構造体、及び、基板の表面に取り付けられている少なくとも１つの保護シールド（４４、４６）を含んでいる。構造体は、総モーメントが異なり、それぞれの導電性プレートの上方に配置されており、可撓軸（２６）によって分離されている２つの領域（２８、３０）を含んでおり、基板に垂直に加速度が掛かっている間は、構造体が可撓軸周りに回転するようになっており、各領域（２８、３０）は、実質的に平らな外側表面と、第１の起伏（３２、３４）が形成されている内側表面を有している。２つの領域それぞれにおいて、内側の間隙は、第１の起伏と、相対する導電性プレートの間に存在し、外側の間隙は、実質的に平らな外側表面と、相対する導電性プレートの間に存在しており、外側の間隙は、内側の間隙よりも大きい。少なくとも１つの保護シールド（４４、４６）が、導電性プレート（３６、３８）の何れかから離して配置されている。【選択図】図２Ａ
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532
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2008-529033
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H171201
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インテグレイテッド センシング システムズ，インク．
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バイパス一体型流体センサ装置およびその製造方法
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A4
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DC01 DDX
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WO2006/083386
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マイクロマシン加工の流体センサ装置およびその製造方法に関する。流体センサ装置は、バイパス流路、好ましくは、流体センサ装置に一体化されたバイパス流路を備える。これにより、装置内に導入された大量の流体のうち、限られた一部が、装置内の流路を通って、１つ以上の流体特性（例えば、密度、比重、化学的濃度が挙げられるが、これらに限定されない）が測定される。当該装置は、燃料電池の燃料混合体における燃料濃度を監視するために好適である。
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533
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2008-529813
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H180202
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コミサリア、ア、レネルジ、アトミク
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移動ビームを備えるマイクロ機械デバイス
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A4
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DA04 DB01 DB02 DB05 DD01
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WO2006/084977
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本発明は移動ビーム（１）を備えるマイクロ機械デバイスに関し、前記ビームはその２つの端部（２）によって硬質フレーム（３）に対して取り付けられ、硬質フレーム（３）にはそれぞれが２つの端部（５）を有する２つのアーム（４）が設けられている。アーム（４）の端部（５）はそれぞれ移動ビーム（１）の２つの端部（２）に固定される。各アーム（４）は、対応するアーム（４）の２つの端部（５）間に配置された中央部分（６）を有している。各アーム（４）の中央部分（６）の後面はベース支持体（１０）に取り付けられている。フレーム（３）は、ビームの応力状態を調整するための少なくとも１つの応力要素（１１）を備えている。応力要素（１１）は、対応するアーム（４）の前面と後面との間に中心付けることができる。フレーム（３）は、アーム（４）の前面および後面上に互いに対向するようにそれぞれ配置された前側および後側応力要素（１１）の対を備えることができる。
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534
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2008-530482
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H180106
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クーリギー インコーポレイテッド
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熱交換器製造方法、マイクロ熱交換器製造方法及びマイクロ熱交換器
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A4
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DC01 PCX
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WO2006/074353
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熱交換器に使用されるマイクロ構造を作成する構造及び方法を開示する。熱交換器は、マニホルド層及びマイクロ構造領域を備える。マニホルド層は、マイクロ構造領域に流体を供給する構造を有する。マイクロ構造領域は、ウェットエッチングプロセスによって複数のマイクロスケールアパーチャが開設された熱伝導層から形成される複数の窓化された層から形成される。そして、複数の窓化された層を連結して、複合マイクロ構造を形成する。
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535
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2008-530966
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H180113
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ピエゾモーター ウプサラ エイビー
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電気機械駆動素子
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A4
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DFX
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WO2006/083205
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電気機械駆動素子の製造において、振動特性が試験環境で定義される。これらの特性は、モータに構成されるときに優れた動作をもたらすことが認められる。２つの撓み振動モードが定義される。１つは、それぞれの外側部分の２つの支持体に固定される素子に関係するｓモードである。ｓモードは３つの節点を有する。もう１つの振動モードは、支持体および中間部分（Ｈ１）に配置された駆動パッドに固定される素子に関係するεモード（１１２）である。εモード（１１２）は、中間部分（１１１）の両側に１つずつ節点（１５５）を有し、中間部分（１１１）は、中間部分（１１１）と節点（１５５）との間の部分（１１３、１１５）のストローク振幅より小さいストローク振幅を有する。２点および３点でそれぞれ固定されたｓモードの共振周波数の平均は、εモード（１１２）の共振周波数とは２５％未満だけ異なる。【選択図】図２Ｇ
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536
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2008-531297
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H171028
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アナログ ディヴァイスィズ インク
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直流的に絶縁された信号条件付けシステム
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A4
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DD01
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WO2006/062616
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直流的に絶縁された信号条件付けシステムは、集積回路チップ上の信号条件付け回路と、フライイング・コンデンサと、１つの状態において一対の入力端子を横切ることから、もう１つの状態において前記信号条件付け回路の入力端子を横切ることに、前記フライイング・コンデンサを選択的にスイッチングするための集積回路チップ上の直流的に絶縁するＭＥＭＳスイッチング装置と、を含む。
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537
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2008-531991
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H180209
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ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
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非線形性が低減されたＭＥＭＳシーソー式加速度計
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A4
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DD01
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WO2006/091385
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シリコン半導体基板に形成された振子機構プルーフマスを有し、中間の回転軸の周りを回転できるように構成された力検出デバイスに関する装置及び方法であって、プルーフマスは、対向する第１の横方向周辺端部及び第２の横方向周辺端部と、対向する第１の縦方向周辺端部及び第２の縦方向周辺端部とを有する、実質的に矩形形状である。複数のキャパシタコム歯は、プルーフマスの対向する第１の縦方向周辺端部及び第２の縦方向周辺端部、及び第１の縦方向周辺端部及び第２の縦方向周辺端部に隣接する、プルーフマスの対向する第１の横方向周辺端部及び第２の横方向周辺端部に沿って対称に形成され、１つ又はそれ以上の質量軽減開口は、中間ヒンジ軸に対して一方側のプルーフマスの中間領域に形成されている。
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538
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2008-532371
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H180208
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エプコス アクチエンゲゼルシャフト
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ＭＥＭＳマイクロホン
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A4
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DD07
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WO2006/089641
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本発明は、改良された信号騒音比を有する高感度のＭＥＭＳマイクロホンに関する。本発明は、所定の構成においては、有利にはダイヤフラム（Ｍ１）に電気的に連結された補助ダイヤフラム（Ｍ２）を有する圧電マイクロホンを提供する。別の構成では、ダイヤフラムが、ダイヤフラム振幅の補償のために電気的な調整回路を備えている。
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539
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2008-532485
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H180125
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リード、マイケル、ダブリュー． ウェイグル、バーナード、エイチ． バーデル、ロナルド、エル．
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ナノ加工表面におけるＤＮＡ浄化および分析
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A1
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DE01
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WO2006/081324
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人間の白血球からゲノムＤＮＡを単離し、同時に、遺伝子分析を簡素化するためにＤＮＡを補足して測定するマイクロ流体装置である。装置は、流体入口ポート、流体出口ポート、および流体入口ポートに連結したＤＮＡ結合チャネルを含み、ＤＮＡ結合チャネルの少なくとも１つの表面の少なくとも一部が、ＤＮＡが表面に特異的に結合するように結合試薬で改質される。【選択図】図３
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540
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2008-532782
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H180315
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シルマック
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半導体のエッチングによって形成された作動部品を使用する被駆動部品を移動させる方法および装置
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A4
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DFX
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WO2006/097491
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本発明は、被駆動部品（１０）、被駆動部品（１０）と噛合うようになっている駆動部品（２５０）、駆動部品（２５０）を移動させるための交番運動を生み出すのに適した作動部品（２０２）を備える装置に関するものであり、該装置は、駆動部品（２５０）および作動部品（２０２）は、半導体材料のブロックにエッチングを行うことによって形成されており、作動部品（２０２）によって生み出された運動の第一の交番（ａ）の最中に、駆動部品（２５０）が被駆動部品（１０）を牽引するために被駆動部品（１０）と噛合い、作動部品（２０２）によって生み出された反対方向での第二の交番（ｂ）の最中に、駆動部品（２５０）が被駆動部品を滑動し、被駆動部品（１０）が駆動部品（２５０）によるステッピング運動に従って動作するように配置されている。
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541
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2008-533437
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H180104
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ベルタン・テクノロジーズ
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流体マイクロシステムのコンポーネントにおけるマイクロチャネルの充填
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A4
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DC01
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WO2006/077299
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本発明は、ガスを吸収する事ができるプラスチック材料又はエラストマー材料で作製された、流体マイクロシステムのコンポーネント（１０）に形成されたマイクロチャネル（１２）を充填する方法に関する。本方法は、コンポーネント（１０）を脱気し、次いで液体（２４）をマイクロチャネル（１２）の供給孔（１４）に導入することからなり、液体は、マイクロチャネル（１２）に含まれるガスの吸収によって生じる吸い込みによりマイクロチャネル（１２）に充填される。
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542
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2008-533515
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H180303
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ステレオ ディスプレイ，インコーポレイテッド アングストローム，インコーポレイテッド
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分散的に制御されるマイクロミラーの回転運動及び並進運動の精密制御
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A4
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DC04
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WO2006/096593
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マイクロミラー制御システムは、第１の端でボトムレイヤーに結合し軸の周りに回転するように構成されたストッパープレートを備えたマイクロミラー制御システムを支持するように構成されたボトムレイヤーを備えている。マイクロミラー制御システムは、また、底面で前記ストッパープレートに通信可能に結合され、光を反射するように構成された反射上面を有するマイクロミラーを備えている。マイクロミラーに接触するストッパープレートの軸の周りの回転は、前記マイクロミラーの方向を調整するように構成されている。１つの局面において、マイクロミラー制御システムは、前記ストッパープレートに通信可能に結合されて前記ストッパープレートの軸の周りの回転を制御するように構成された駆動デバイスを備えている。本発明の効果は、分散的に制御されるマイクロミラーの並進運動及び回転運動を精密に制御する能力を含んでいる。
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543
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2008-533567
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H180209
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ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
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閉ループ面内ＭＥＭＳデバイスにおける低振動整流
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A4
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DD01
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WO2006/093637
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面内、静電力フィードバック、閉ループ、微細加工加速度計又は閉ループ・コリオリ・レート・ジャイロスコープ・デバイス、あるいは閉ループ容量性圧力又は力測定デバイスの横型櫛駆動の幾何学的形状のための方法を提供する。振動をデバイスに加えると、この入力振動により、振動整流誤差である時間平均出力の誤差が最少に抑えられるか又は解消する。本発明の実施によって得られた幾何学的形状は、振動整流を最少に抑える又は解消しつつ、駆動力を最大に高めるので、空間効率が高い。
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544
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2008-533690
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H180307
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デルフメムズ
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柔軟かつ自由なスイッチ膜を持つＲＦＭＥＭＳスイッチ
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A4
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DD01
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WO2006/099945
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基板（１）により支持されかつ二つの位置：第一位置（オフ状態／図１）と第二位置（オン状態）の間で動作されることができるマイクロメカニカルスイッチ手段、及びスイッチ手段の位置を動作するための動作手段を含むＲＦＭＥＭＳスイッチ。マイクロメカニカルスイッチ手段は支持手段（３）により自由に支持される柔軟な膜（６）を含み、それは動作手段（７）の作用下に曲げられ、かつその曲げ運動時に支持手段（３）に対して自由にスライドすることができる。【選択図】図２
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545
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2008-533733
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H180315
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ハイマイト アクティーゼルスカブ
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マイクロコンポーネント用のパッケージ
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A4
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PHX
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WO2006/097842
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光電子デバイスまたはマイクロマシン技術（ＭＥＭｓ）デバイスのようなマイクロコンポーネントを覆う（housing)ための比較的薄いパッケージを製作するための技術が開示される。このパッケージはウェハーレベルのバッチプロセスで製作され得る。このパッケージは、前記マイクロコンポーネントをそのパッケージの外表面上の電気接点と結合させる密封されたフィードスルー電気接続を含み得る。【選択図】図１
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546
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2008-534291
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H180119
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ベクトン・ディキンソン・アンド・カンパニー
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ピボット式バッフルを備えたＭＥＭＳ流量モジュール
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A4
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DC01
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WO2006/083575
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流れ調節または制御構造体のピボット運動またはピボット様運動によって流れまたは圧力を調節する、ＭＥＭＳ流量モジュールの種々の実施形態が開示される。このようなＭＥＭＳ流量モジュール（４０）の１つは、複数のバッフル（６６）を含む流れ調節構造体（６２）と、複数の流れポート（５２）を含む流れプレート（５０）とを有する。流れ調節構造体（６２）はまた、流れプレート（５０）から離間して繋止された支持部も有する。各バッフル（６６）は、少なくとも１つの流れポート（５２）に位置合わせされ、バッフル（６６）がＭＥＭＳ流量モジュール（４０）の両側での少なくとも特定の圧力差の発生に基づいて流れプレート（５０）から離れる方向に屈曲できるように、流れ調節構造体（６２）の支持部（６４）に相互接続している。
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547
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2008-534306
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H180403
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リテフ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
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マイクロ機械部品およびマイクロ機械部品の製造方法
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A4
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PHX
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WO2006/105924
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本発明に係る方法は、第１の基板２と、当該第１の基板２の表面１の少なくとも一部を覆う第１の絶縁体層３とを含む第１の複合体層を形成する工程と、第２の基板１２と、当該第２の基板１２の表面１３の少なくとも一部を覆う第２の絶縁体層１４とを含む第２の複合体層を形成する工程と、少なくとも部分的に導電性の構造体層７を前記第１の絶縁体層３に取り付ける工程と、部品の実動構造８を含む前記構造体層７の少なくとも一部を、前記第１および第２の複合体層によってぴったり気密に封止するように、前記第１および第２の複合体層、ならびに前記構造体層７を配置し、前記第２の絶縁体層１４が前記構造体層７に隣接するように、前記第２の複合体層を前記構造体層７に取り付ける工程と、前記構造体層７の導電性を有する領域と接触するための接触孔４を、前記第１および／または第２の基板内２、１２に形成する工程とを含んでいる。
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548
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2008-534914
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H180117
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ユィロス・パテント・アクチボラグ
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多目的流路
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A4
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DC01
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WO2006/075966
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ａ)固相上に同一の複数の機能性構造ＲＳｓｐ；およびｂ)親和性反応物１１上に反応性構造ＲＳａｒ１；{ここで、ＲＳｓｐおよびＲＳａｒｉが、相互に互いと反応して、親和性反応物１１を固相に固定化する結合構造を形成する}を含む反応性構造の固定化ペアの使用によって、その中に親和性反応物１１が固定化されている固相が存在する反応キャビティーを含む流路。特徴的な態様は、固相が、ＲＳｓｐに由来するが、固相に親和性反応物１１を固定化しない複数の構造を含むことである。
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549
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2008-535432
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H180331
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エヌエックスピー ビー ヴィ
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低電圧ＭＥＭＳオシレータ
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A4
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DB03
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WO2006/106456
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微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）を基礎にした電気振動信号を生成するための電子デバイスを開示する。電子デバイスは、一般に基板（１０４）と、この基板（１０４）に対して移動可能な可動素子（１０２）と、アクチュエータ手段と、センサとを備える。アクチュエータ手段は、可動素子（１０２）の振動を誘導するために使用し、２個の誘導素子、すなわち基板（１０４）に固定して設けた第１誘導素子および可動素子（１０２）に固定して設けた第２誘導素子を備える。誘導された可動素子（１０２）の振動はセンサを用いて検知し、電気振動信号に変換する。この信号は増幅して少なくとも部分的にアクチュエータ手段の電力として使用することができ、これにより安定した共振周波数および一定の振幅を有する振動信号を得ることができる。異なるコンポーネントをチップ上に高度に集積することができる。
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550
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2008-535662
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H180413
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ギロス・パテント・エービー
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多数の弁を備えるマイクロ流体装置
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A4
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DC01
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WO2006/110096
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親水性マイクロチャンネル構造体を含むマイクロ流体装置であって、前記構造体には、(a)分別液を搬送することを目的とし、(b)入り口端部と出口端部とを備え、これらの間に毛管弁Iが存在するマイクロ管Iを含む機能ユニットが存在し、前記弁は、局所的な非濡れ性表面範囲の存在に基づく弁であることが好ましく、前記マイクロ管Iが、１または複数のさらなる毛管弁、典型的には１つの追加弁(毛管弁I´)を有する点を特徴とする。【選択図】図２
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551
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2008-535669
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H180208
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コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
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アクチュエータ素子をベースとした微小流体システム
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A1
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DC01 DF01 DFX PI02
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WO2006/087655
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本発明では、微小流体システム、そのような微小流体システムを製作する方法、およびそのような微小流体システムの微小チャネルを通る流体の流れを制御しまたは操作する方法が提供される。微小チャネルの壁の内側には、アクチュエータ素子が設置され、この素子は、外部刺激に応答して、形状および配向を変化させることができる。この形状および配向の変化を通じて、微小チャネルを通る流体の流れが制御され、操作される。
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552
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2008-536142
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H180413
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ギロス・パテント・エービー
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液体プラグ
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A4
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DC01
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WO2006/110093
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親水性のマイクロチャンネル構造（２）を備えた回転可能なマイクロ流体装置（１）であり、このマイクロチャンネル構造内には、ａ）液体出口Ｉ（６）を設けた上流マイクロキャビティＩ（４）と、ｂ）入口端部（１６）において液体出口と接続したマイクロ管Ｉ（１７）と、ｃ）マイクロ管に関連した毛管弁Ｉ（２４）が設けられている。マイクロ管の入口端部は、マイクロ管の出口端部（１８）よりも回転軸（３）に近い。マイクロ管の入口端部と出口端部の間の半径距離の差は、上流マイクロキャビティの最上部分（７）と同一のマイクロキャビティの液体出口との間の半径距離の差の＞５％であってよい。【選択図】図２
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553
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2008-536143
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H180413
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ギロス・パテント・エービー
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上向きマイクロ管
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A4
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DC01
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WO2006/110094
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マイクロ管を有する機能ユニットを含む親水性マイクロチャンネル構造からなるマイクロ流体装置であって、前記マイクロ管は、(a)分別された液体の搬送を目的とするとともに、(b)入り口端部と出口端部、および、一つの毛管弁を備えており、前記弁は、局所的な非濡れ性表面範囲の存在に基づく毛管弁であることが好ましく、前記マイクロ管は、マイクロ管の一部または全長に亘って伸びる上向きの区間を含む。毛管弁もこの区間に配置される。【選択図】図２
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554
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2008-536162
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H180315
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テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
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半導体デバイスのための反射防止コーティング及びそのための方法
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A4
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DA04 MD01
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WO2006/099512
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本発明の一実施例に従って、半導体デバイス（２００）は、半導体デバイスの基板（２２６）の上側表面上に配置される誘電性材料の第１の層（２０８）、及び誘電性材料の上側表面上に配置される金属の第１の非導電性層（２０６）を含む。誘電性材料の第１の層と金属の第１の非導電性層は、金属の第１の非導電性層が受ける電磁放射に対する光学トラップとして機能する。特定の実施例において、半導体デバイスは更に、金属の第１の非導電性層の上側表面上に配置される誘電性材料の第２の層、及び誘電性材料の第２の層の上側表面上に配置される金属の第２の非導電性層を含み得る。
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555
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2008-536308
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H180324
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インテル コーポレイション
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可変フィルタ用のインターデジット型駆動電極を有するコラプシングジッパー型バラクタ
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A4
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DB04
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WO2006/105031
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微小電気機械（ＭＥＭＳ）スイッチが開示される。このＭＥＭＳスイッチは、基板（205）、基板上に備えられた複数の駆動電極（230）、基板上に備えられた複数の底部電極（210）、２つ以上の底部電極（210）に備えられた部分成分群を有するキャパシタ（C1、C2、C3）、及び基板上に備えられた屈曲可能な頂部電極（215）を含んでいる。頂部電極（215）は、駆動電極（230）の１つ以上に第１の電圧が印加されたとき、駆動電極（230）側に第１の大きさだけつぶれ、駆動電極（230）に第２の電圧が印加されたとき、駆動電極（230）側に第２の大きさだけつぶれる。
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556
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2008-536395
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H180405
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バイオスケール・インコーポレーテッド
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電気的応答デバイス
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A4
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DB02 DB04 DDX MFX MGX
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WO2006/107961
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電気応答デバイス及び電気応答デバイスを製造する方法であって、電気応答材料（例えば、圧電材料）（１３２）を基板材料（１０４）の表面の少なくとも一部の上に適用するステップと、前記電気応答材料の表面の少なくとも一部の上に電極材料（１４０）を適用するステップとを含む。電極材料（１４０）の少なくとも１つの領域が選択的に除去されて、前記電気応答材料が露出される（２４４）。前記電気応答材料の少なくとも一部が、前記電極材料の前記少なくとも１つの領域に対応する領域において選択的に除去される。
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557
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2008-536697
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H180125
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ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
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マイクロマシニング型の構成エレメントおよび相応の製作法
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A4
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DD03 DD07 PI03
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WO2006/082155
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本発明は、マイクロマシニング型の構成エレメントに関する。本発明によれば、伝導性の基板（１；１’，１７，１９）が設けられており；該基板（１；１’，１７，１９）の表面（Ｖ）の上方に設けられた少なくとも１つの伝導性の層（９；９ａ）を備えた弾性的に変位可能なダイヤフラム（Ｍ；Ｍ’）が設けられており、伝導性の層（９；９ａ）が、基板（１；１’，１７，１９）に対して電気的に絶縁されており；媒体で充填された中空室（Ｈ；Ｈ’）が設けられており、該中空室（Ｈ；Ｈ’）が、基板（１；１’，１７，１９）とダイヤフラム（Ｍ；Ｍ’）との間に設けられており；該ダイヤフラム（Ｍ；Ｍ’）の下方で基板（１；１’，１７，１９）を通って延びる複数のパーフォレーション開口（１５；１５’’；１５’’’）が設けられており；該パーフォレーション開口（１５；１５’’；１５’’’）が、基板（１；１’，１７，１９）の裏面（Ｒ）から中空室（Ｈ；Ｈ’）への出入口を提供しており、これによって、媒体の、中空室（Ｈ；Ｈ’）内に位置する体積が、ダイヤフラム（Ｍ）の変位時に可変であることが提案されている。さらに、本発明は、相応の製作法に関する。
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558
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2008-536699
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H180414
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プレジデント・アンド・フエローズ・オブ・ハーバード・カレツジ
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マイクロ加工のための犠牲層における調節可能な溶解度
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A4
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PI02 MEX
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WO2006/113492
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本発明は、重合体を含む犠牲材料を使用した製造方法を提供する。ある実施形態における重合体は、製造プロセスで使用される、少なくとも１つの溶媒（例えば、水溶液）に対する溶解度を変更するために処理され得る。犠牲材料の調製は、迅速かつ簡易であり、犠牲材料の溶解は、穏やかな環境で実行され得る。本発明の犠牲材料は、選択された対応する物理的構造のために犠牲層が使用される、表面マイクロ加工、バルクマイクロ加工および他のマイクロ加工プロセスに役立つ。
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559
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2008-537063
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H180131
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プレジデント・アンド・フエローズ・オブ・ハーバード・カレツジ
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マイクロ流体システムのためのバルブおよび貯蔵器
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A4
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DC02
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WO2006/083833
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マイクロ流体のバルブアセンブリは、マイクロ流体の流体通路を画定する構造体と、チャネルを通る流れを制御し、異なる位置間で移動できるアクチュエータを含む。一実施形態では、アクチュエータは前記構造体の少なくとも一部分にねじ込むことができ、マイクロ流体の流体通路を比較的大きく狭める第一の位置と、流体通路を比較的小さく狭める第二の位置との間で回転するように移動可能である。回転などによりアクチュエータを作動させることにより、バルブと流体通路との間の材料を変形させることができ、それにより内在する流体通路の少なくとも一部分を狭め、また流体通路内の流体の流れを調整することができる。別の側面では、本発明は、流体を入れることができ、そこからマイクロ流体システムへ流体を導入することができる貯蔵器を提供する。一実施形態では、貯蔵器は膨張可能であり、そのためにマイクロ流体システムへ供給する圧力下で流体を保存できる。
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560
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2008-537146
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H180419
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プレジデント・アンド・フエローズ・オブ・ハーバード・カレツジ
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蛇行する幅の広いチャネルを備える流体構造
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A4
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DC01
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WO2006/113727
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本発明は、概してマイクロ流体構造、より具体的には、蛇行する幅の広いチャネルを含むマイクロ流体構造および方法に関する。マイクロ流体システムは、必要な試料および試薬の量の削減、オペレーティングシステムの規模の縮小、および反応時間の減少により、従来のシステムと比較して、さまざまな反応や分析を行うための有利な環境を提供することができる。残念ながら、小型のマイクロ流体チャネルは、拡大レンズ（顕微鏡、光電子増倍管など）を使用しない種の検知にときどき困難を招く場合がある。密集した一連のマイクロチャネル、すなわち、直径オーダー数ミリの蛇行する部位、または幅の広いチャネルは、広い計測領域を作り出すことにより、この問題に対する解決策として機能しうる。
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561
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2008-537462
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H180413
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アダプティブエナジー・リミテッド・ライアビリティー・カンパニー ライト，デイビッド・ディ
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ダイヤフラムを備えるアクチュエータ、およびそれを動作させる方法
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A4
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DFX MGX
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WO2006/124162
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アクチュエータアセンブリはアクチュエータ要素と２つの圧電アセンブリとを備え、２つの圧電アセンブリはアクチュエータ要素の動きを制御するために構成および配置される。いくつかの例示的な実現化例では、第１の圧電アセンブリおよび第２の圧電アセンブリは、第１の圧電アセンブリの温度依存性が第２の圧電アセンブリの温度依存性により相殺されるように構成および配置される。第１の例示的な実施例では、第１の圧電アセンブリは第１の圧電ダイヤフラムを備え、第１の主圧電ダイヤフラムは第１の圧電ダイヤフラムの変位に応じてアクチュエータ要素を変位させるためにアクチュエータ要素に接続されている。第２の例示的な実施例では、アクチュエータ要素はハウジング内に少なくとも部分的に位置し、そこでアクチュエータ要素は往復運動可能である。
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562
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2008-537658
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H180328
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エスティーマイクロエレクトロニクス エス．アール．エル．
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共振微小電気機械システムの共振周波数を制御する装置
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A4
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DB02
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WO2006/103247
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共振微小電気機械システムの共振周波数を制御する装置は、第１のボディ（１０）及び第１ボディ（１０）に容量的に結合されるとともに較正可能な共振周波数（ωＲ）で第１のボディ（１０）に対して弾性的に共振可能な第２のボディ（１１）とを有し、第２のボディ（１１）と第１のボディ（１０）との間の相対変位（ΔＹ）が外側から検出可能である微小構造（２）と、微小構造（２）に結合され、相対変位（ΔＹ）を検出する増幅器（２１）とを具える。直流減結合素子（２３）は、増幅器（２１）と微小構造（２）との間に配置される。
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563
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2008-537783
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H180413
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ギロス・パテント・エービー
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フィンガ弁を備えるマイクロ流体装置
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A4
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DC01
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WO2006/110095
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マイクロ流体装置は、内部に入り口端部、出口端部、および、局所的な非濡れ性表面域の形態をなす毛管停止機能体と関連しており、(a)毛管停止機能体は、マイクロ管の分割部分を画定し、(b)前記分割部分内のマイクロ管は、２以上のマイクロチャンネル、好ましくは、少なくとも２つが機能的に等しいマイクロチャンネルに分割され、(c)前記各マイクロチャンネルの内部壁は、前記非濡れ性表面域の一部と関連する。【選択図】図３
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564
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WO2005/123242
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日本電気株式会社
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構造体ならびにこれを用いたチップ、および親／疎液性の制御方法
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A4
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DC01
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H170615
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WO2005/123242
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本発明は、簡素な構成で材料表面の親／疎液性を精密に制御する手法と、該手法を利用して、親／疎液性の制御がなされる材料表面において、その親液性または疎液性の強さに異方性を持たせる方法、さらには、かかる手法を応用して、材料表面の所定の領域に液体を保持させる方法を提供する。例えば、基板１０１の表面に、規則的な凹凸構造からなる保液部１０３と、保液部１０３の外周を取り囲む平坦面からなる外周部１０４とを設ける。保液部１０３の凹凸構造の表面積を保液部１０３の形成領域の面積よりも大きくするとともに、その表面積の増倍率を所望の値とするように規則的な凹凸構造の形成を行う。
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565
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WO2006/088120
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国立大学法人 岡山大学
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流動調整装置、マイクロリアクター及びそれらの用途
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A4
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DC01
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H180217
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WO2006/088120
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複数の液体が導入される複数の導入流路２１，２２と、該複数の導入流路２１，２２が合流する合流部２３と、該合流部２３の下流に配置された反応流路４１とを備えたマイクロリアクターにおいて、前記合流部２３の下流かつ前記反応流路４１の上流の位置に流動調整部８０が配置され、該流動調整部８０の流路８１内に移動可能な粒子８２が含まれていることを特徴とするマイクロリアクターとする。これにより、反応流路４１内における流動状態を調整し、再現性のよい流動状態を実現することのできるマイクロリアクターを提供することができる。
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566
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WO2006/095651
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株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ
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分子通信システム
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A1
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DF01
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H180303
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WO2006/095651
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所定の情報が符号化された情報分子を制御性良く目的の宛先まで伝達できる分子通信システムを提供する。分子通信システムは、所定の情報が符号化された情報分子を送出する分子送信機と、前記情報分子を受信する分子受信機と、前記分子送信機と分子受信機との間を接続する分子伝搬経路と、を含み、分子伝搬経路は、高分子材料で形成される伝送パスと、当該伝送パスに沿って所定の方向に巡回するキャリア分子とを含み、前記キャリア分子は、分子送信機から送出された情報分子を搭載して分子受信機まで輸送する。
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567
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WO2006/098370
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日本電気株式会社
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流路の実効的な通過時間の調整機構を具える遅延回路、マイクロチップ、およびその作製方法
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A4
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DC01
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H180315
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WO2006/098370
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本発明は、予め作製された流路構成に対して、その作製後に部分的な変更操作を施すことにより、遅延装置の通過に要する実効的な所要時間を所望の範囲で調整可能な新たな遅延装置の構造、ならびに、その製造方法を提供する。例えば、最短の経路となる側壁面から、流路拡張部（２０１）に内部領域へ、最短の経路となる側壁面に沿った流線上の液体の進行を妨げることが可能な障害構造（２０２）を付加し、最短の経路となる側壁面と、障害構造の側壁面の双方に沿って、液体の進行する流線へと変更することで、流路上流部分の末端から流路下流部分の先端に達する、液体の進行する流線の延長を図り、通過時間の延長（遅延量）を得る。この通過時間の延長（遅延量）の調節は、障害構造の張り出し量、ならびに、設ける障害構造の個数を選択することで、広い範囲で設定可能となる。
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568
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WO2006/103725
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平田機工株式会社
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マイクログリッパ
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A4
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DFX
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H170325
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WO2006/103725
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【課題】構造がさらに簡単化されて、微細な把持対象物を、その位置に合わせて正確、確実に把持することが可能なマイクログリッパを提供する。【解決手段】微細なワーク９の把持を行うマイクログリッパ１の固定部３と作動部４とが、一体構造物２から成る。作動部４は、固定部３の両側に配置されて、固定部３の前方側に一対の把持部５、５と、固定部３の後方側に一対の駆動部６、６と、これら一対の把持部５、５と一対の駆動部６、６とを接続する一対の弾性変形部７、７とを備えている。一対の駆動部６、６の間には、１個ないし複数個の伸縮アクチュエータ８が組み込まれて、伸縮アクチュエータ８が伸縮することにより、一対の駆動部６、６が変位動作し、これにより、一対の弾性変形部７、７が弾性変形して、一対の把持部５、５が所望の位置に変位動作するようになっている。【選択図】図１
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569
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WO2006/103749
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平田機工株式会社
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マイクロマニピュレータ
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A4
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DFX
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H170329
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WO2006/103749
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【課題】構造が簡単で、微細物体を多次元空間内で精密に位置・姿勢制御することが可能なマイクロマニピュレータを提供する。【解決手段】マイクロマニピュレータ１０が、一対のハンドモジュール１、１から成る。各ハンドモジュール１は、第１〜第３のリンク２〜４から成る３自由度リンク機構を備えている。リンク２〜４は、ベース部の３点Ａ〜Ｃをそれぞれの揺動起点として、ベース部上方の１点Ｘにおいて互いに相対変位可能に連結されている。第１のリンク２は、点Ｘよりも先方に伸びて把持・操作部７を有し、第２、第３のリンク３、４の各々は、その中途部にピエゾ圧電素子から成る伸縮アクチュエータ５ｂ、５ｃを有し、これらの伸縮アクチュエータが伸縮することにより、第２、第３のリンク３、４がそれぞれ伸縮して、把持・操作部７が３次元空間内の所定の位置に変位動作するようにされている。【選択図】図２
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570
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2008-229432
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H190319
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国立大学法人山口大学
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機械的稼働部を持たない旋回流発生装置
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A4
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DC03 DCX
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【課題】既存のプラズマシンセティックジェットを用い、旋回流を生じさせることで、機械的稼働部を持たない旋回流発生装置、及び前記旋回流発生装置を備えたマイクロスワーラーおよびマイクロポンプを提供する。【解決手段】筐体と、前記筐体の一つの端面の内壁面にそのほぼ中心部から放射状に分離して設けられた複数個のPSJAと、を備え、前記複数個のPSJAに交流電圧を印加し、前記筐体内に旋回流を発生させる。【選択図】図４
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571
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2008-229483
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H190320
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京セラ株式会社
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マイクロ流路体およびマイクロ流路体の製造方法
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A4
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DC01 PGX
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【課題】流路への流入口および流出口において流体をスムーズに流通させることが可能なマイクロ流路体を提供することにある。【解決手段】マイクロ流路体１は、基体２の内部に、流体が流通される流路２ａを有し、流路２ａに流体を流入させる流入口２ｂまたは流出させる流出口２ｃが基体２と一体の基体２の表面から突出する筒状部２ｄとされている。流入口２ａまたは流出口２ｄが基体２と一体に形成されているので、流入口２ａまたは流出口２ｄを後で取り付けることによって生じる乱流を少なくできる。【選択図】図１
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572
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2008-229823
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H190323
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株式会社ミツトヨ
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ＭＥＭＳデバイスの製造方法
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A4
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PHX PJX
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【課題】歩留まりを向上させ、ウエハーを個片にした後、パーティクル等を可動機構部分へ付着させることなく、貫通孔を形成可能なＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】物理量検出装置は、ヒンジ部１１ａにより変位可能に支持された可動部１２と、可動部１２と対向する位置に配置された固定電極２２、３２とを有する。この物理量検出装置の製造工程において、まず、可動部１２上に配置される第１の硝子基板２の所定箇所に肉薄部２６ａを形成する。続いて、肉薄部２６ａを長波長レーザ光Ｌａにより溶解させ、第１の硝子基板２を貫通させる。その後、シリコン基板１、第１の硝子基板２、第２の硝子基板３を封止パッケージ５により封止する。【選択図】図３
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573
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2008-229833
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H191001
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株式会社デンソー
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半導体装置およびその製造方法
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A4
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DB02 DD01 DD02 DD04 PGX PI02
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【課題】ベース基板の素子上に密封キャップが配置されてなる半導体装置およびその製造方法であって、小型で安価に製造することができ、フェースダウンボンディングも可能で実装面での制約が少ない半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁分離された複数個のベース半導体領域Ｂｓが表層部に形成されてなるベース基板Ｂ１と、ベース基板Ｂ１に貼り合わされる導電性を有したキャップ基板Ｃ１であって、当該キャップ基板Ｃ１を貫通する絶縁分離トレンチ３１により、複数個のキャップ導電領域Ｃｅが形成されてなるキャップ基板とを有してなり、ベース基板Ｂ１における所定領域Ｒ１とキャップ基板Ｃ１における凹部３２とで構成される空間２３，３２が密封されると共に、所定のキャップ導電領域Ｃｅ１，Ｃｅ２が、所定のベース半導体領域Ｂｓ１，Ｂｓ２に電気的に接続されてなる半導体装置１００とする。【選択図】図１
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574
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2008-229840
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H200310
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ゼロックス コーポレイション
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プリント・メムス用複合ポリマーの方法及びシステム
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A4
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MEX
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【課題】材料がインクジェット・プリンタから液状で噴出される必要があるプリント・メムスにおいては、構造材料はポリマーとなる可能性が高いが、これは普通は導電性ではない。導電性ポリマーは可能であるが、これらの材料は大きな抵抗を有し易い。【解決手段】マイクロ電子機械システム用の複合材料を作成する方法であって、マイクロ電子機械システム・デバイスのレイアウトを決定し、少なくとも１滴のポリマーと少なくとも１滴の導電体とを交互に堆積させて、レイアウトに基づいて混交マトリックス(interwovenmatrix)を作成し、レイアウトに基づいて前記マイクロ電子機械システム・デバイスを形成する、ステップを含むことを特徴とする方法。【選択図】図４
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575
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2008-232885
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H190322
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コニカミノルタオプト株式会社
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マイクロチップの製造方法
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A4
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DC01 PA03 PA02 MB01
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【課題】流路の内面に機能性膜を形成するとともに、樹脂製のマイクロチップ基板同士を接合することが可能なマイクロチップの製造方法を提供する。【解決手段】樹脂製のマイクロチップ基板１の表面には、表面に沿って延びる流路用溝２が形成されている。マイクロチップ基板４は平板状の基板である。マイクロチップ基板１の流路用溝２の内面以外の表面における表面粗さＲａは、表面に形成されるＳｉＯ２膜３の膜厚Ｔ１以上となっている。流路用溝２が形成されている面を内側にしてマイクロチップ基板１、４を重ね、超音波を印加することで両基板を接合する。【選択図】図１
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576
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2008-235254
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H200205
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コミサリア、ア、レネルジ、アトミク
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駆動マイクロシステム及びその製造方法
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A4
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PI02
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【課題】ピボットアームの回転が制御可能となるような、ピボットアームの開き行程端制止部を備える駆動マイクロシステムを実現する。【解決手段】駆動マイクロシステム１は、平坦な基板２上に形成されており、ヒンジ４の周りを回転するように取り付けられたピボットアーム３と、前記基板２上に配置された静止コンタクトパッド６と、前記ピボットアーム３の開き行程端制止部７とを備える。前記行程端制止部７は、前記ピボットアーム３の関節端３ｃと自由端３ｄとの間において、前記ピボットアーム３の上方に、前記ピボットアーム３から距離を置いて配置された頭部９を備える。前記制止部７の下部部分は、前記基板２に接続されており、前記ヒンジ４と前記静止コンタクトパッド６との間において、前記ピボットアーム３の側方に配置される。【選択図】図３
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577
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2008-235487
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H190319
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沖電気工業株式会社
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電子部品、電子部品の製造方法、加速度センサ、及び加速度センサの製造方法
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A4
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DD01
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【課題】信頼性に優れた電子部品、その製造方法、電子部品を用いた加速度センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板１０と、基板１０上に形成される絶縁層２８と、絶縁層２８上に形成され、外部端子と電気的に接続されるパッド２４と、を含む電子部品であって、パッド２４の底面に対応する基板１０および絶縁層２８の領域の少なくとも一つに形成される空洞２６が設けられている電子部品である。【選択図】図３
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578
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2008-235628
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H190322
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トヨタ自動車株式会社
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半導体装置
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A4
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DD01 DD02
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【課題】半導体装置の運搬時に、半導体素子に塵等が付着することを低減することができる半導体装置を実現する。【解決手段】半導体装置１０は、基板２４の表面に半導体素子１２と、半導体素子１２の外側を囲む外壁１６を有している。外壁１６は、基板２４の表面に立設されている。外壁１６は、直線部１６ａと４つのコーナー部１８を有している。コーナー部１８は、直線部１６ａよりも肉厚にすることができる。直線部１６ａの一部には、薄肉部１６ｂが形成することができる。外壁１６の直線部には、同一形状の突起２０ａが複数形成することができる。【選択図】図１
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579
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2008-236386
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H190320
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ソニー株式会社
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電気機械素子とその製造方法、並びに共振器
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A4
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DB02 PI02
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【課題】マスクの合わせずれに起因する支柱の位置ずれを無くすことにより、共振周波数の変動を防止し、歩留まりの向上を図った電気機械素子及びその製造方法、さらに電気機械素子による共振器を提供する。【解決手段】基板５上に空間２７を介して配置された可動子１０を有する電気機械素子２５において、電気機械素子２５を、空間２６を介して封止する保護膜１５を備え、保護膜１５と可動子１０が、可動子１０を貫通する支柱１６Ａ，１６Ｂにより支持されている。【選択図】図１
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580
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2008-238085
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H190328
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京セラ株式会社
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反応器、反応器収納用容器および反応装置
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A4
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DC01
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【課題】反応部で発生する熱が隣り合う反応部へ伝達することを抑制し、高い反応効率を有するとともに消費電力が小さい反応器、反応器収納用容器および反応装置を提供すること。【解決手段】複数の反応部７を備えた反応器６において、反応部７間に少なくとも一つの放射熱防止板１０を設けた。また、複数の反応部７を備えた反応器６’を収納するための収納容器Ａを具備する反応器収納用容器１２であって、収納容器Ａの内面に反応部７間に配置される放射熱防止板１０’を設けた。【選択図】図１
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581
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2008-238091
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H190328
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京セラ株式会社
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マイクロ流路体
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A4
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DC01
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【課題】基体の熱設計の自由度が高いマイクロ流路体を提供すること。【解決手段】マイクロ流路体１は、基体２の内部に、流体が流通される流路２ａを有し、流路２ａに沿って面が対向するように基体２内部に金属層３が設けられている。金属層３の形成されている箇所において熱伝導率を異ならせることができ、熱伝導率の異なる箇所を適宜に設置することで、熱設計の自由度が高いマイクロ流路体１を提供することができる。【選択図】図１
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582
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2008-238097
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H190328
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東ソー株式会社
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滴生成用微小流路集合体装置
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A4
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DC01
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【課題】微小流路構造体を用いて微粒子を生成するにあたり、安価に大量に作製した微小流路構造体を、立体的に微小流路の集積度を向上させて、すべての微小流路に均一に流体を送液し、生成物を大量に生産することが可能な液滴生成用製造装置を提供する。【解決の手段】流体を導入する流体導入口と流体により微粒子を生成する微小流路と生成した微粒子を含有する流体を排出する流体排出口とを有する微小流路構造体であって、前記微小流路構造体は、流体を前記微小流路に供給する流体供給用構造体と微小流路を有する微小流路基板とこれらの間に介される板とから構成されており、前記微小流路基板の基材が、ＪＩＳＫ６２５３準拠のデュロメータ硬さ試験方法でタイプＤにおける硬度７０以上であり、かつＪＩＳＫ７１５２−４準拠の成形収縮率は３％以下の樹脂である液滴生成用微小流路集合体装置を用いる。【選択図】図１
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583
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2008-238117
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H190328
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国立大学法人 岡山大学 財団法人 岡山県産業振興財団
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転相温度乳化装置及び乳化方法
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A4
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DC01
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【課題】連続的に安定な微細エマルションを調製することのできる装置及び方法を提供する。【解決手段】転相温度乳化装置１は、連続相となる第１の液体を導入するための第１入口ポート２、分散相となる第２の液体を導入するための第２入口ポート３、これら第１及び第２入口ポートに連通し、導入された二液を合流させて第１の液体中に第２の液体が分散したエマルションを調製するマイクロ流路６、及びマイクロ流路６に連通しエマルションを回収するための出口ポート４とを具える合流マイクロリアクタユニット５と、エマルションを転相温度以上に加熱する少なくとも１つの加熱マイクロリアクタユニット９と、加熱されたエマルションを転相温度以下に冷却する少なくとも１つの冷却マイクロリアクタユニット１０とを積層してなる。【選択図】図１
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584
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2008-238122
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H190328
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国立大学法人 岡山大学 財団法人 岡山県産業振興財団
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マイクロミキサー
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A4
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DC01
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【課題】小型でありながら混合効率を有利に高めることができるマイクロミキサーを提供する。【解決手段】複数の流体の供給口を個別に有するベースプレートと、各供給口からの流体が通る各流体宛１本または複数本の分配流路を有する分配プレートと、前記流体毎の分配流路の全てを横切る向きに延び、かつ各分配路との交点から各流体を導く混合流路を少なくとも１本は有する合流プレートと、前記複数の流体が各混合流路にて合流、混合した混合流体の貯留部を有するトッププレートと、を積み重ねて構成する。【選択図】図４
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585
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2008-238313
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H190327
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富士ゼロックス株式会社
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マイクロ流路デバイス及びマイクロ流路デバイスの製造方法
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A4
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DC01
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【課題】対流の発生を抑制し、意図しない流体同士の混合や、流体内の粒子の偏在が生じにくいマイクロ流路デバイスを提供すること。さらに、前記マイクロ流路デバイスの好適な製造方法を提供すること。【解決手段】複数の流体が層流を形成して送流されるマイクロ流路を有し、該マイクロ流路の内壁に、流体の流れと略平行であり、かつ、前記複数の流体が形成する界面に対して略垂直方向に突出する凸部を有することを特徴とするマイクロ流路デバイス。前記マイクロ流路は湾曲部を有し、前記凸部は、マイクロ流路の湾曲部に設けられていることが好ましい。【選択図】図２
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586
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2008-238317
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H190327
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セイコーエプソン株式会社
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構造体の製造方法
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A4
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PJX
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【課題】基板の両面を加工する際の汚染や損傷を防ぐことを可能とする方法を提供すること。【解決手段】貫通孔(24a 24b)を有する構造体の製造方法であって、（ａ）基板(10)の一方面側に第１の凹部(16a 16b)を形成すること、（ｂ）上記基板の上記第１の凹部内に、当該第１の凹部の底部およびその近傍を覆い、かつ端部が上記第１の凹部の内壁と接する樹脂膜(18a 18b)を形成すること、（ｃ）上記基板の他方面側であって上記第１の凹部と重畳する領域に、上記樹脂膜によって上記第１の凹部と隔てられた第２の凹部(22a 22b)を形成すること、（ｄ）上記樹脂膜を除去すること、を含む製造方法である。【選択図】図１
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587
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2008-238330
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H190327
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株式会社東芝
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ＭＥＭＳ装置およびこのＭＥＭＳ装置を有する携帯通信端末
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A4
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DB01 DB05 PI02
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【課題】動作電圧が低く、圧接力および引離し力が強いＭＥＭＳ装置を提供することを可能にする。【解決手段】基板１と、基板上に設けられた支持部２と、基板上に設けられた固定電極１０と、第１の電極４と、第１の電極上に形成された第１の圧電膜５と、第１の圧電膜上に形成された第２の電極６とを有し、一端が支持部を介して基板上に固定され、支持部と固定電極とを結ぶ方向に延在しかつ第１の電極が固定電極に対向するように設けられたアクチュエータ３と、支持部と固定電極とを結ぶ直線上でかつ第１の電極に対向するように前記基板上に設けられたストッパ部９と、を備えている。【選択図】図２
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588
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2008-238391
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H200123
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セイコーエプソン株式会社
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半導体装置の製造方法および半導体装置
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A4
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PI02
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【課題】絶縁層のエッチング加工をより短時間で行い、かつ絶縁層の断面方向のエッチング量の制御をより容易に行うことにより半導体基板上に形成された可動部を開放することができる半導体装置の製造方法、および当該製造方法で製造された半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置１０の製造方法は、半導体基板１２上に設けられた絶縁層１４上に、圧電体層２２と第１の電極２０と第２の電極２４とを含む構造体３０を形成する工程と、半導体装置１０をダイシングして絶縁層１４の断面を露出する工程と、構造体３０の固定部３０ａが絶縁層１４上に固定されたまま構造体３０の可動部３０ｂが開放されるように、前記露出された断面から絶縁層１４を選択的エッチングにより除去する工程と、を含んでいることを特徴とする。【選択図】図１
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589
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2008-242451
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H200228
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スペイシャル フォトニックス， インコーポレイテッド
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改善された性能を有するカプセル化された空間光変調器
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A4
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DA04 DAX
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【課題】空間光変調器の光学的性能を確実にするために、マイクロチャンバにおける望まれない散乱された光が透明な窓を出ることを防止すること。【解決手段】カプセル化された空間光変調器であって、チャンバの中の基板上の空間光変調器と、該チャンバを部分的に画定するカプセル化カバーと、該基板と該カプセル化カバーとの間のスペーサ壁であって、該スペーサ壁は、該空間光変調器に隣接する内側表面を有する、スペーサ壁と、該スペーサ壁の該内側表面の第１の光を吸収する材料であって、該光を吸収する材料は、該チャンバ内の光を吸収するように構成されている、第１の光を吸収する材料とを備えている、カプセル化された空間光変調器。【選択図】なし
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590
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2008-243897
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H190326
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東海ゴム工業株式会社
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電歪型アクチュエータ用アクリルゴムおよびその製造方法
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A4
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MEX
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【課題】誘電率が高く、電歪型アクチュエータに用いた場合に低電圧で大きな変位量が得られるアクリルゴムを提供する。また、そのようなアクリルゴムを、架橋時間を短縮して製造することのできる方法を提供する。【解決手段】電歪型アクチュエータ用アクリルゴムは、エポキシ基含有アクリル酸エステル系重合体と、イオン性光酸発生剤と、を含むアクリルゴム組成物を架橋して得られる。また、電歪型アクチュエータ用アクリルゴムの製造方法を、エポキシ基含有アクリル酸エステル系重合体と、イオン性光酸発生剤と、を含むアクリルゴム組成物を調製するアクリルゴム組成物調製工程と、前記アクリルゴム組成物に光を照射して架橋させる架橋工程と、を有するよう構成する。【選択図】なし
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591
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2008-244169
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H190327
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松下電工株式会社
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センサエレメント
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A4
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DD01 DD02 DD03 DD04 PHX MD04
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【課題】センサ基板とパッケージ用基板との接合時に発生する残留応力の低減が可能なセンサエレメントを提供する。【解決手段】センサ基板１は、一表面側に、枠状の第１の封止用金属層１８が形成され、センシング部と電気的に接続された第１の電気接続用金属層１９が形成されている、第１のパッケージ用基板たる貫通孔配線形成基板２は、センサ基板１側の表面に、枠状の第２の封止用金属層２８が形成され、貫通孔配線２４と電気的に接続された第２の電気接続用金属層２９が形成されている。センサ基板１と貫通孔配線形成基板２とは、封止用金属層１８，２８同士および電気接続用金属層１９，２９同士それぞれに関して活性化された接合表面同士が常温接合され、センサ基板１と第２のパッケージ用基板たるカバー基板３とは、活性化された接合表面同士が、Ｓｉ−Ｓｉの組み合わせで常温接合されている。【選択図】図１
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592
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2008-244174
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H190327
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松下電工株式会社
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センサ素子の製造方法
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A4
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DD01 DD02 PHX
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【課題】センサ基板の残留応力が少なくて所望のセンサ特性を有するセンサ素子の製造歩留まりを高めることができるセンサ素子の製造方法を提供する。【解決手段】センサ基板１と各パッケージ用基板２，３との互いの接合面それぞれを清浄・活性化する活性化工程と、活性化工程の後でセンサ基板１と各パッケージ用基板２，３とを互いの接合面を突き合せて接合する接合工程とを備え、接合工程では、センサ基板１と第２のパッケージ用基板３とをＳｉ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＳｉＯ２、ＳｉＯ２−ＳｉＯ２、Ｓｉ−Ｓｉ３Ｎ４、Ｓｉ３Ｎ４−Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２−Ｓｉ３Ｎ４の群から選択される１組の組み合わせの常温接合により接合し、その後、センサ基板１の第１の電気接続用金属層１９と第１のパッケージ用基板２の第２の電気接続用金属層２９とを常温接合するとともに、センサ基板１と第１のパッケージ用基板２との封止用金属層１８，２８同士を常温接合する。【選択図】図１
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593
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2008-244244
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H190328
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ソニー株式会社
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電気機械装置および電気・電子機器
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A4
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PHX
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【課題】支持基板と封止基板とで接合層を介して気密封止された電気機械素子を、長期間にわたって安定して動作させることができるように、電気機械装置の信頼性の向上を図ることを可能とする。【解決手段】電気機械素子１１が形成された第２基板（支持基板）２００と、電気機械素子１１に電気的に接続されていて第２基板２００に形成された引き出し電極１２４と、電気機械素子１１を覆うとともに電気機械素子１１との間隔ｄを保って第２基板２００に接合層２５０を介して接合された第３基板（封止基板）３００と、引き出し電極１２４に接続されていて第３基板３００内を通るように形成された配線３１０とを備え、接合層２５０は、電気機械素子１１と第３基板３００との間隔ｄを規定するとともに、第２基板２００と第３基板３００同士を接合してその間を気密封止することを特徴とする。【選択図】図１
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594
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2008-244509
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H190323
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沖電気工業株式会社
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ＭＥＭＳ振動子の製造方法及びＭＥＭＳ振動子
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A4
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DB02 PB01 PI02
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【課題】マイクロローディング効果によるエッチング速度のバラツキを均一にし、寸法制御性に優れた共振器を形成する。【解決手段】両端が基体に固定されていて振動方向に振動する発振子と、発振子に平行に基体に振動不能に固定されていて、発振子の両側に１本以上ずつ配置された電極を備えたＭＥＭＳ振動子の製造に用いるエッチングマスクであって、発振子の両端を除いた主面の領域を被覆する犠牲膜の全面に形成された導電性膜３０上の発振子形成予定領域３４を被覆する発振子用マスクパターン３６と、導電性膜上の電極形成予定領域３８を被覆する電極用マスクパターン４０とを備え、発振子用マスクパターン及び電極用マスクパターンの振動方向に関する幅を同一とし、かつ発振子用マスクパターンと電極用マスクパターンとの間の間隔、及び、隣接する電極用マスクパターン間の間隔とを同一とする。【選択図】図６
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595
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2008-246283
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H190329
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財団法人 岡山県産業振興財団 学校法人加計学園
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衝突型マイクロミキサー
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A4
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DC01
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【課題】マイクロリアクターの小型化、集積化を可能にすることにある。【解決手段】二つの部材間に挟まれたプレート７に形成されたスリットまたは、部材もしくはプレートの表面に形成されて他の部材で蓋をされた溝によりそれぞれ構成された第１の流入流路１と第２の流入流路２と流出流路３とを具え、前記第１の流入流路１と前記第２の流入流路２とは互いに対向もしくは交差する方向に延在してそれらの衝突点または交差点で合流し、前記流出流路３は前記第１の流入流路と前記第２の流入流路とが合流した点Ｉから前記第１の流入流路１および前記第２の流入流路２の両方と交差する方向に延在していることを特徴とする、衝突型マイクロミキサーである。【選択図】図１１
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596
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2008-246348
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H190329
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富士フイルム株式会社
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マイクロ化学チップ及びその製作方法
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A4
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DC01
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【課題】微細流路の高さ調整を高精度且つ簡便に行うことができ、安価で定量性のあるマイクロ化学チップを提供する。【解決手段】親水性の流体が流通する少なくとも１以上の微細流路１２を有するマイクロ化学チップ１０において、プレート表面に微細流路１２となる親水性部分を有する基盤プレート１４と、基盤プレート１４の微細流路側に、基盤プレート１４に対して平行に対向配置された蓋プレート１６と、基盤プレート１４と蓋プレート１６との間隔を調整して微細流路１２の流路高さを調整する流路高さ調整手段１８と、を備えた。【選択図】図１
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597
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2008-246349
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H190329
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富士フイルム株式会社
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マイクロ流体デバイス
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A4
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DC01
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【課題】微細流路を流れる流体の精密な温度変化を行うことができ、しかも複数のユニットを連結した構造であっても連結部分での流体の滞留を防止できるマイクロ流体デバイスを提供する。【解決手段】内部に微細流路を有する複数のユニット１２、１４１８、２０を流路同士が連通するように一体的に連結し、微細流路内に流体Ａを流して所望の単位操作を行うデバイスであって、加熱ユニット１４と冷却ユニット１８との間に、微細流路と略同径な貫通孔１６Ａが形成された断熱板１６が介在されると共に、断熱板１６には、連結の際に流路と貫通孔１６Ａとが連通するように位置決めされる位置決め機構が設けられている。【選択図】図１
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598
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2008-246604
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H190329
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富士通株式会社 富士通メディアデバイス株式会社
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マイクロ可動素子、ウエハ、およびウエハ製造方法
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A4
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DA04 DD01 DD02 PI03 MA02 MA03 MB01 MB03 MBX
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【課題】可動構造部のスティッキングを抑制するのに適するとともに、歩留りよく製造するのに適するマイクロ可動素子、そのようなマイクロ可動素子を製造するのに用いることのできるウエハ、及び、そのようなウエハを製造するための方法を提供する。【解決手段】本発明のウエハ製造方法は、例えば、プレ第２層上にポリシリコンまたはアモルファスシリコンを成膜することによって微細凹凸面を形成する工程と、プレ第２層の微細凹凸面上にプレ中間層を形成する工程と、プレ第１層およびプレ第２層を、微細凹凸面上のプレ中間層を介して接合する工程とを含む。本発明のマイクロ可動素子Ｘ１は、例えば前記のウエハに加工を施すことによって得られたものであって、第１層において成形された構造部６２Ａと、構造部６２Ａに空隙を介して対向する部位を有して構造部６２Ａに対して相対変位可能な、第２層において成形された構造部６１とを備える。【選択図】図５
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599
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2008-246613
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H190329
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国立大学法人東北大学 国立大学法人秋田大学
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ナノ材料を曲げる方法およびナノ材料の作動装置
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A1
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MI06 MIX
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【課題】ナノ材料からなる機能的微小構造体の創製の要請に対応しつつ、ワイヤ状あるいはシート状のナノ材料に対して曲げ加工を実現できるナノ材料を曲げる方法、およびこれを利用したナノ材料の作動装置を提供する。【解決手段】ナノワイヤ１の表面に、加工後の使用温度とは相異なる加工温度において、ナノワイヤ１とは相異なる線膨張係数を有する異材２を形成する。形成後の断面は、加工温度と使用温度との温度差によって生じる熱応力が、断面に曲げモーメントを発生せしめるように、異材２の断面内配置に非対称性を有する。加工温度から使用温度に温度を変化させると、前記の曲げモーメントにより曲げ変形が発生し、これにより曲げ加工が実現できる。また、加工後の当該ナノ材料について使用温度を変化させることにより、上記と同様の原理により曲げ変形の曲率を変化させることができ、これにより超微小な作動装置を実現できる。【選択図】図１
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600
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2008-246616
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H190329
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セイコーエプソン株式会社
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結晶基板のエッチング方法
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A4
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PC01
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【課題】深さの異なる凹部を容易に且つ高精度に形成することができる結晶基板のエッチング方法を提供する。【解決手段】結晶基板１に深さの浅い第１の凹部と深い第２の凹部とを形成するマスクとして、第１の凹部を形成する第１の補正パターン２１と第２の凹部を形成する第２の補正パターン２２とを設けて当該結晶基板１を異方性エッチングすると共に、エッチング工程として、第２の補正パターン２２を用いて第２の凹部の深さ方向の途中までエッチングする第１のエッチング工程と、マスク１０の一部を除去して第１の補正パターン２１の長さと第２の補正パターン２２の残り長さを同じ長さにする除去工程と、第１の補正パターン２１及び第２の補正パターン２２とを用いて第１の凹部及び第２の凹部を形成する第２のエッチング工程とを具備する。【選択図】図２
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601
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2008-246655
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H190330
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富士通株式会社
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マイクロ揺動素子およびマイクロ揺動素子アレイ
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A4
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DA04 DD01 DD02
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【課題】素子外への電界漏れを抑制するのに適したマイクロ揺動素子およびマイクロ揺動素子アレイを提供する。【解決手段】本発明のマイクロ揺動素子Ｘ１は、フレーム２１と、基準電位が付与されるための駆動電極１２を有する揺動部１０と、フレーム２１および揺動部１０を連結して揺動部１０の揺動動作の軸心Ａ１を規定する連結部２２と、駆動電極１２と協働して揺動動作の駆動力を発生させるための駆動電極２３とを備える。駆動電極１２は、軸心Ａ１と交差する方向に延びる、離隔した端延び部１２Ａ，１２Ｂを有する。駆動電極２３は、端延び部間１２Ａ，１２Ｂの離隔距離Ｌ２以内に設けられている。本発明のマイクロ揺動素子アレイは、このようなマイクロ揺動素子Ｘ１を複数含む。【選択図】図１
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602
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2008-246663
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H191213
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ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
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ＺオフセットＭＥＭＳ装置および方法
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A4
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PG01 PI03
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【課題】機構層（１２、４８）およびベース（２０）を備える微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置を提供すること。【解決手段】ベース（２０）の上面（２１）が、機構層（１２、４８）に接合され、ベース（２０）の上面（２１）内にギャップ（２２）を画定する。機構層（１２）の一部分（１８、６２）は、それがベース（２０）に接触するまでギャップ（２２）の中へたわめられ、ベース（２０）に接合される。【選択図】図１Ａ
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603
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2008-246931
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H190330
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国立大学法人 和歌山大学
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ヤング率を制御した微小構造物の作製方法
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A4
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PJX
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【課題】任意の部分のヤング率を制御した微小構造物の作製を実施する。【解決手段】液状の光硬化性樹脂の内部にレーザー光を走査させながら連続的に照射し、その内部を線分的に連続させて硬化することにより、面状の微小構造物を作製し、さらにその面状の微小構造物を積層することで３次元計上の微小構造物を作製することを特徴とするマイクロ光造形法において、面状の微小構造物を積層する際のピッチ間隔を変更することで、完成した構造物のヤング率を制御する。【選択図】図１
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604
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2008-247031
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H200324
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ゼロックス コーポレイション
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高密度プリントヘッドのためのリリースフリー薄膜製造法を用いた高度集積ウェハ結合ＭＥＭＳデバイス
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A4
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DCX
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【課題】インクジェットプリントヘッドにおいてウェハを一緒に接合する前に、静電薄膜および駆動電極が別個のウェハ上に製造されるＭＥＭＳ静電型インクジェットプリントヘッドを提供する。【解決手段】ドライバコンポーネント１１０と、ドライバコンポーネント１１０とは別個に製造され、開口のない流体薄膜を含んだＭＥＭＳコンポーネント１１２と、ドライバコンポーネント１１０およびＭＥＭＳコンポーネント１１２を作動的に接合する結合フィーチャ３３２と、ＭＥＭＳコンポーネント１１２に取り付けられたノズルプレート１１４を備えるＭＥＭＳ型インクジェットプリントヘッドである。【選択図】図１Ａ
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605
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2008-249858
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H190329
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コニカミノルタオプト株式会社
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マイクロスキャナおよびそれを備える光学機器
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A4
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DA02 DA04
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【課題】ミラー等に成り得る部材を正確に回動させるマイクロスキャナ、およびそれを搭載する光学機器を提供する。【解決手段】変形可能な変形部ＤＰと、かかる変形部ＤＰの変形に要する力を供給する圧電素子ＰＥと、変形部ＤＰから延び出るとともに、その変形部ＤＰの変形に応じて回動する主軸部ＭＡと、かかる主軸部ＭＡによって支えられ、その主軸部ＭＡの回動に追従して回動するミラー部ＭＲと、を含む光スキャナＬＳでは、変形部ＤＰは、主軸部ＭＡの軸方向に沿って並ぶ複数の梁片ＴＭを有するとともに、梁片同士ＴＭ・ＴＭをつなげる連結片ＣＮを有しており、さらに、圧電素子ＰＥが、複数でかつ乖離して、各梁片ＴＭに位置している。【選択図】図１
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606
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2008-251986
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H190330
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富士通株式会社
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マイクロマシンデバイスの駆動制御方法および装置
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A4
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DB05
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【課題】可変容量デバイスを反転駆動したときのプラス側とマイナス側との静電容量の変動を抑えること。【解決手段】互いに対向する２つの電極を有しかつそれらの間に誘電体層が形成されてなるマイクロマシンデバイスの駆動制御方法であって、２つの電極の間に正負極性が交互に反転する方形波の制御電圧を印加し（＃３１）、制御電圧の印加によってマイクロマシンデバイスに流れる電流を正負それぞれについて検出し（＃３２）、検出した電流に基づいて、マイクロマシンデバイスの静電容量に関連するパラメータを正負それぞれについて取得し（＃３３）、正負それぞれについて取得したパラメータが互いに一致するように、制御電圧を制御する（＃３４）。【選択図】図１９
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607
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2008-252569
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H190330
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沖電気工業株式会社
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ＭＥＭＳ振動子
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A4
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DBX
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【課題】バイアス電圧、及び振動子と電極との対向面積を大きくすることなく、また、振動子及び電極間の離間距離を小さくすることなく、大きな出力電流を得る。【解決手段】基体１１の主面１１ａに平行な面内で振動する発振子振動部２１を含む発振子１３と、主面に平行な面内で振動する電極振動部２７を含む電極１５とを具える。これら発振子と電極とは、互いに離間して配置されており、電極振動部は、発振子振動部の延在方向に対して平行に配置されている。そして、発振子振動部と電極振動部は、質量、長さ、幅、厚み、及び基体の主面からの離間距離が等しく設定されている。更に、発振子振動部と電極振動部は、互いに面対称に配置されている。【選択図】図１
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608
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2008-253858
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H190330
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京セラ株式会社
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流路体、配線基板、流路形成配線基板、流路形成方法、流路体の製造方法、ならびに流路体キット
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A4
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DC01
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【課題】流路内部への異物の侵入を防止し、流路内部のコンタミネーションの少ない流路体を容易に提供する。【解決手段】流路体１は、内部に流路２ａが形成される基体２と、流路２ａと外部空間とが連通すべき部位に設けられ、基体２のうちの少なくとも周縁部が連なる部分と一体成形され、負荷を与えることによって基体２から分離可能な蓋体３とを含むことから、実際に化学反応をおこなう前の流路２ａ内部へのコンタミネーションを防止することができ、その結果、流路２ａ内で化学反応を行なった場合に、期待される反応結果を安定して得ることができる。【選択図】図１
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609
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2008-254110
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H190404
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キヤノン株式会社
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面外角度付構造部を有する構造体の作製方法
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A4
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PI03
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【課題】面外角度付構造部を有する構造体の作製において構造部の角度をつける際に、精度良く、所望の角度がつけられる作製方法を提供する。【解決手段】構造部００３を基板の主面と平行な面Ａ１，Ａ２に対し角度をつけた構造体００１を作成するために第一の工程で、構造部００３の塑性変形を行う被加工部００３に、基板の主面と平行な面に対して交差する方向に突出した突出部００４を設ける。そして第２の工程で、前記構造部の突出部００４に型により力を加えることにより、被加工部００３を塑性変形させ基板の主面Ａ１，Ａ２に対し角度をつける。【選択図】図１
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610
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2008-254120
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H190405
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セイコーエプソン株式会社
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構造体の製造方法、マイクロデバイスの製造方法
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A4
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PGX MD04
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【課題】樹脂膜からなる接着剤層を用いる場合における不都合を解消し、良好な真空処理を実現し得る製造技術を提供すること。【解決手段】構造体の製造方法であって、被加工体(10)の一方面(11)に金属膜(14)を形成する第１の工程と、上記被加工体の一方面側に上記金属膜を介してサポート用部材(16)を貼り合わせる第２の工程と、低圧雰囲気中で上記被加工体の他方面側を所定の凹凸形状(18)を形成する第３の工程と、上記サポート用部材を上記被加工体から取り外す第４の工程と、を含む。【選択図】図１
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611
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2008-254162
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H190516
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キヤノン株式会社
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揺動体装置、光偏向器、及びそれを用いた光学機器
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A4
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DA02 PJ04
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【課題】揺動部の慣性モーメント或いは重心位置の調整を比較的大きな範囲で比較的高速に行うことが可能な光偏向器などの揺動体装置、その製造方法を提供する。【解決手段】揺動体装置は揺動軸17回りに揺動可能に設けられた揺動部を有し、該揺動部は可動子11とその質量を調整するための質量調整体19とで構成される。可動子11と質量調整体19の一部との間に空隙30が形成されている。質量調整体19にレーザ光を照射することで、レーザ光の照射されない部分を含んで、空隙30上の質量調整体19の一部を除去する。揺動体装置の他の形態では、揺動軸回りに揺動可能に設けられた揺動部が、その質量を調整するための突出部を持つ可動子で構成される。【選択図】図1
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612
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2008-255284
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H190409
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富士フイルム株式会社
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光駆動型アクチュエータおよび光駆動型アクチュエータの製造方法
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A4
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DFX MEX
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【課題】光の刺激によって構造が可逆的に変形し、かつ応答速度が実用的な光応答性、柔軟性、および軽量性を有するとともに無音で動作する光駆動型アクチュエータ、その光駆動型アクチュエータの簡便な製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】上記目的を達成する本発明の光駆動型アクチュエータ１は、光の刺激を受けて変形するポリマーを備え、該ポリマーの変形をアクチュエータとして利用する光駆動型アクチュエータにおいて、光の刺激を受けて構造変化を引き起こす光異性化基を有し、該光異性化基が所定のパターン化された複数の方向に配向しているポリマーを備えたことを特徴とする。【選択図】図６
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613
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2008-256837
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H190403
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山一電機株式会社 光伸光学工業株式会社
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ファブリペロー型波長可変フィルタおよびその製造方法
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A4
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DA02 DAX PI03
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【課題】例えば赤外光から紫外光にわたる広い波長帯域の光において適用可能であり、小型で低電圧駆動するファブリペロー型波長可変フィルタを提供する。【解決手段】ＳＯＩ基板１の表面に対し水平方向に変位する可動部２、可動部２を弾性可動に支持するサスペンション支持体３、ＳＯＩ基板１に固定された固定部４が設けられる。可動部３を変位させる櫛歯型静電アクチュエータの櫛型電極５により、可動部２表面に接合して形成された第１のミラー構造体６が水平方向に制御され変位する。このファブリペロー型波長可変フィルタでは、第１のミラー構造体６の第１のミラー面６ａと、固定部４の表面に接合して形成された第２のミラー構造体７の第２のミラー面７ａとが平行に対向配置されて光共振器をなし、上記水平方向の変位によりその共振器長を変える構成になっている。【選択図】図１
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614
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2008-257226
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H200312
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株式会社リコー スタンレー電気株式会社
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光偏向器および光学装置
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A4
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DA02
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【課題】大きな偏向角および大振幅動作が得られ、また、小型化、薄型化、および軽量化を図ることができる光偏向器を提供すること。【解決手段】反射板１を弾性支持部２ａ，２ｂを中心に回転振動させる圧電ユニモルフ振動体２１０ａ〜２１０ｄを備えた光偏向器であって、圧電ユニモルフ振動体２１０ａ〜２１０ｄの振動板２３ａ〜２３ｄの両端の一方を弾性支持部２ａ，２ｂに接続するとともに、両端のもう一方を支持体９に接続し、振動板２３ａ〜２３ｄ、反射板１、弾性支持部２ａ，２ｂ、支持体９を一体に形成し、圧電ユニモルフ振動体２１０ａ〜２１０ｄが、それぞれ複数の並列振動板２３ａ−１〜３，２３ｂ−１〜３，２３ｃ−１〜３，２３ｄ−１〜３および並列アクチュエータ２８ａ−１〜３，２８ｂ−１〜３，２８ｃ−１〜３，２８ｄ−１〜３を備えていることを特徴とする光偏向器とした。【選択図】図１
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615
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2008-258087
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H190409
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三菱電機株式会社
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加速度スイッチ
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A4
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DD01
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【課題】高精度で製造が容易であり、スイッチのＯＮ状態保持時間を容易に調整でき、さらに検出加速度を調整可能な加速度スイッチを提供する。【解決手段】同一厚みの薄膜にて、梁４，５、及びフレーム２，３を有する可動構造体を形成する。可動構造体は、基板上の１点又は複数点でアンカー１に固定され、フレーム２は、アンカーと梁４で支持される。面外方向に変位するフレーム３の動作を、機械的にフレーム２の回転動作に変位させ、回転変位するフレームが閾値以上の加速度にて固定電極と接触する構造とした。【選択図】図１
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616
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2008-259100
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H190409
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三洋電機株式会社
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マイクロメカニカル共振器
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A4
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DB02
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【課題】従来のマイクロメカニカル共振器よりも高い周波数帯域の共振周波数を利用することが可能なマイクロメカニカル共振器を提供する。【解決手段】本発明に係るマイクロメカニカル共振器は、円筒形状の共振子２を具えている。共振子２は、基板７と平行な面内で振動することが可能に支持されている。又、共振子２の外周面又は内周面に対向して第１乃至第８電極30〜37が円陣に配置され、第１乃至第８電極30〜37と共振子２の外周面或いは内周面との間にギャップ部が形成されている。共振子２に主電圧を印加すると共に、第１乃至第８電極30〜37のうちの所定の複数の電極に高周波信号を入力することにより、共振子２が共振する。【選択図】図１
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617
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2008-259968
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H190412
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カシオ計算機株式会社
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基材、マイクロリアクタ及び触媒搭載方法並びにマイクロリアクタの製造方法
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A4
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DC01 PAX
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【課題】触媒層の剥離を防止して更に反応効率を高める。【解決手段】何れの触媒分散液Ａ〜Ｃも水、Ｐｄ／ＺｎＯの粉末、アルミナゾル、ヒドロキシエチルセルロース、ポリエチレングリコールを混合させたものである。アルミナゾルの組成比（質量％）については、触媒分散液Ａ、触媒分散液Ｂ、触媒分散液Ｃの順に高い。基材１に触媒分散液Ａをディップコート法によりコーティングし、基材１に付着した触媒分散液Ａの自然乾燥を行う。続いて、触媒分散液Ａの場合と同様に、触媒分散液Ｂ、触媒分散液Ｃの順に基材１に対してコーティング処理・自然乾燥処理した後、焼成処理を行う。【選択図】図１
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618
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2008-260113
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H190414
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サノンウェルス エレクトリック マシーン インダストリー カンパニー リミテッド
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ポリイミド薄膜の自己組織化プロセス
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A4
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PI02 ME01
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【課題】低コスト、製造プロセスの簡素化および小型化が可能となるポリイミドベースの薄膜自己組織化技術を提供する。【解決手段】（１）シリコン基板１０上に犠牲層２０と低応力微細構造層３０を蒸着し、（２）低応力微細構造層をパターン付けしてエッチングを施し、微細構造の静止部と可動部を備え、（３）微細構造層の弾性結合部４１として感光性ポリイミド薄膜を被覆し、その形状をフォトリソグラフィ技術を用いて画定し、（４）微細構造層の可動部の下の犠牲層を、ウエットエッチングにより除去し、（５）最後に、ポリイミドのリフロープロセスを進めて弾性接合を収縮させ、さらに可動部を回転し持ち上げて微細構造の自己組織化が完了する。【選択図】図１
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619
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2008-260114
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H190414
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サノンウェルス エレクトリック マシーン インダストリー カンパニー リミテッド
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ポリイミド薄膜弾性結合部を用いた自己組織化微細構造
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A4
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PI02 ME01
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【課題】少なくとも１つの微細構造の静止部と少なくとも１つの微細構造の可動部からなる微細構造において可動部を変位させる自己組織化構造を提供する。【解決手段】静止部５３と可動部５４との間に設けた弾性結合部５２は、感光性ポリイミド薄膜材料からなる。ポリイミド弾性結合部５２は、高温リフロープロセスの後に収縮する。硬化したポリイミドの表面張力により、微細構造の自己組織化完了に際して微細構造の可動部を回転させ、持ち上げることが可能となる。【選択図】図１
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620
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2008-262017
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H190412
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日本航空電子工業株式会社
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光スイッチ
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A4
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DA01 DA04
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【課題】本来は光結合するべきではない光伝送路へ散乱光が結合することを防止する光スイッチを提供する。【解決手段】光スイッチＡは、第１光伝送路１１、第２光伝送路１２、第３光伝送路１３、第１反射体２１、第２反射体２２を備えていて、第１配置状態では、第１反射体２１によって、第１光伝送路１１の端部１１ａと第２光伝送路１２の端部１２ａとが光学的に結合され、第２配置状態では、第２反射体２２によって、第１光伝送路１１の端部１１ａと第３光伝送路１３の端部１３ａとが光学的に結合されものであり、第１反射体２１に遮光体５０を備えた。遮光体５０は、第１配置状態では、第１反射体２１のミラー面２１ａと第３光伝送路１３の端部１３ａとの直接の光結合を遮断し、第２配置状態では、第２反射体２２のミラー面２２ａと第２光伝送路１２の端部１２ａとの直接の光結合を遮断するように、第１反射体２１に設けられる。【選択図】図１
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621
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2008-262213
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H200519
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富士通株式会社
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マイクロ揺動素子およびマイクロ揺動素子駆動方法
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A4
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DA04
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【課題】マイクロ揺動素子について、可動部における回転変位量の大きな回転動作を高い動作速度で実現すること。【解決手段】本発明のマイクロ揺動素子Ｘ３は、可動部３１０と、フレーム３２０と、可動部３１０およびフレーム３２０を連結し、且つ、フレーム３２０に対する可動部３１０の回転動作における回転軸心Ａ３を規定する、連結部３３０と、回転軸心Ａ３から相対的に遠い箇所に回転動作の駆動力を発生させるための駆動機構３４０，３５０と、回転軸心Ａ３に相対的に近い箇所に回転動作の駆動力を発生させるための駆動機構３６０，３７０とを備える。【選択図】図１７
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622
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2008-262863
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H190413
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株式会社東海理化電機製作所
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ＭＥＭＳスイッチおよびこれを備えた集積回路
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A4
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DB01
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【課題】小型が図れ、大容量の電流をオン／オフ可能な磁気駆動によるＭＥＭＳスイッチ及びこれを備えた集積回路を提供する。【解決手段】シリコン基板１にＭＥＭＳ（MicroElectroMechanicalSystem）技術により支持部２が立設され、支持部２の先端面には、シリコン基板１の表面に平行させて板状の磁性体３が設けられている。磁性体３の一端の内側には第１の接点４が設けられ、これに対向させてシリコン基板１上には第２の接点６が設けられている。シリコン基板１側から磁性体３に磁力が付与されると、吸引されて撓み、第１の接点４が第２の接点６に接触し、スイッチオンになり、磁力が消滅すると磁性体３は待機位置に復帰する。【選択図】図１
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623
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2008-263493
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H190413
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三洋電機株式会社
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マイクロメカニカル共振器
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A4
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DB02
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【課題】従来のマイクロメカニカル共振器よりも高い周波数帯域の共振周波数を利用することが可能なマイクロメカニカル共振器を提供する。【解決手段】本発明に係るマイクロメカニカル共振器は、基板７上に、基板７と平行な平面形状が円形の共振子２と、共振子２を挟んで両側に配置された一対の電極30 31とを具えている。共振子２は、中央部に位置する薄肉円盤部20と、薄肉円盤部20よりも厚さが大きく薄肉円盤部20を包囲する厚肉環状部50とを有している。厚肉環状部50は基板７に支持され、一対の電極30 31は共振子２の薄肉円盤部20との間にギャップ部を形成している。共振子２に主電圧を印加すると共に、一対の電極30 31へ高周波信号を入力することによって、共振子２と一対の電極30 31との間の静電容量の変化が高周波信号として出力される。【選択図】図１
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624
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2008-263542
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H190413
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三洋電機株式会社
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マイクロメカニカル共振器
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A4
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DB02
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【課題】従来のマイクロメカニカル共振器よりも高い周波数帯域の共振周波数を利用することが可能なマイクロメカニカル共振器を提供する。【解決手段】本発明に係るマイクロメカニカル共振器は、基板７上に、基板７と平行な１つの平面内で互いに平行に伸びる２辺を有する平面形状を有する共振子２と、共振子２の前記２辺のそれぞれに対向して配置された２つの電極30とを具えている。共振子２は、基板７と平行な１つの平面内で共振子２の平面形状の２辺が互いに逆方向へずれるすべり振動が可能に支持され、２つの電極30は、共振子２との対向面が、共振子２の平面形状の２辺に沿って互いに逆方向にずれて、食い違い位置の２つのギャップ部を形成している。共振子２に主電圧を印加すると共に、２つの電極30へ高周波信号を入力することにより、共振子２と電極30との間に交番静電気力を発生させて共振子２に振動を与え、共振子２と２つの電極30との間の静電容量の変化を高周波信号として出力する。【選択図】図１
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625
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2008-264902
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H190417
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トヨタ自動車株式会社
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シリコン構造体とシリコン構造体の製造方法
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A4
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PI02
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【課題】スティッキング現象の発生の抑制とダイシングによるゴミ発生の抑制を両立することができるシリコン構造体とシリコン構造体の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン構造体１００は、ベース層１２上に中間層１４を介して上層３０が形成されている。上層３０は可動部１８、固定部１６、ダイシング領域２０に分けられる。可動部直下の基板上には突起状の中間層１４ａが形成されているため、可動部が基板に貼り付くことがない。ダイシング領域２０の中間層は除去されているため、レーザーダイシングを行うことができ、ゴミの発生が抑制される。スティッキング現象の発生の抑制とダイシングに伴うゴミ発生の抑制を両立することができる。【選択図】図１
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626
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2008-264951
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H190423
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セイコーエプソン株式会社
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傾斜形状の加工方法
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A4
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PB01
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【課題】基体の表面に凹部又は孔部を形成するに際して、その内側面を傾斜させることができ、しかもコストや生産性を良好にした、傾斜形状の加工方法を提供する。【解決手段】基体１０上に第１マスク１１を形成する工程と、第１マスク１１を用いてエッチングし、開口部を形成する工程と、ポリマー膜を形成する堆積工程と、ポリマー膜を全面エッチバックし、第１マスク１１の内側面及び開口部の内側面に第２マスク１６（１４）を形成するエッチバック工程と、第１マスク１１及び第２マスク１６を用いて開口部内をエッチングする開口部内エッチング工程と、を備える。堆積工程とエッチバック工程とを繰り返すことにより、第２マスク１６（１８）の厚さを所望の厚さに調整し、この第２マスクの厚さの調整と、開口部内エッチング工程とを繰り返すことにより、開口部（凹部１９）の内側面を実質的に傾斜させる、傾斜形状の加工方法。【選択図】図２
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627
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2008-268107
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H190424
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横河電機株式会社
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センサユニット及びマイクロリアクタシステム
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A4
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DC01
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【課題】マイクロリアクタデバイスの入力側または／及び出力側で流体の複数種類の状態量を計測する場合において、正確に流体の状態量を計測することが可能なセンサユニットを提供する。【解決手段】マイクロリアクタデバイス用のセンサユニットであって、内部に流路を有し、当該流路内の流体計測位置における流路壁面の周方向に、前記流路に連通する複数のセンサ設置孔と、前記流路壁面の周方向において互いに対向する位置に配置された光入力孔及び光出力孔とが設けられた流路形成部材と、前記複数のセンサ設置孔の各々に、感応部を前記流路側に向けて設置され、前記流体計測位置における流体の状態量を検出する複数種類のセンサと、光出射端を前記光入力孔の流路側に向けて設置された第１の光伝送手段と、光入射端を前記光出力孔の流路側に向けて設置された第２の光伝送手段とを具備する。【選択図】図１
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628
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2008-270057
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H190424
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株式会社沖センサデバイス
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機構デバイス
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A4
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PHX
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【課題】静電気の帯電によって影響を受けるスイッチ素子の第１および第２の素子電極の誤動作を防止する機構デバイスを提供する。【解決手段】機構デバイスは、上面に形成された第１の素子電極１１と第２の素子電極１２、これら素子電極１１、１２の両端にそれぞれ電気的に接続されたスルーホール１３ａ、１３ｂ、および各スルーホール１３ａ、１３ｂにそれぞれ電気的に接続さて回路基板３０に接合された外部接続用端子１４ａ、１４ｂを有する素子形成基板１０と、この素子形成基板１０に第１の素子電極１１と第２の素子電極１２を覆うように固着され、一方のスルーホール１３ａに接合された金属膜４０を表面に有する素子保護用基板２０とを備えている。【選択図】図１
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629
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2008-270224
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H200530
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株式会社アドバンテスト 江刺 正喜
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バイモルフスイッチ、電子回路、及び電子回路製造方法
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A4
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DB01
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【課題】低コストなバイモルフスイッチを提供する。【解決手段】可動接点と固定接点とを電気的に接続するバイモルフスイッチであって、表面及び裏面、並びに当該表面から当該裏面へ貫通して設けられた貫通孔を有する基板と、貫通孔の開口部の縁部から当該開口部の内側に延伸する固定接点と、可動接点を開口部と対向して保持し、当該可動接点を駆動するバイモルフ部とを備える。バイモルフ部の一端は、基板の表面に形成された酸化シリコン層の上に形成されてよい。【選択図】図１
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630
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2008-270348
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H190417
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セイコーエプソン株式会社
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ドライエッチング装置及び被加工物の加工方法
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A4
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PB02
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【課題】被加工物に凹部又は貫通孔を形成する工程において、第１の被加工物の加工を開始してから次の被加工物の加工を開始するまでの時間を短くする事ができるドライエッチング装置及び被加工物の加工方法を提供する。【解決手段】内部に配置された被加工物に対してドライエッチング処理及び保護膜形成処理が交互に行われ、かつ内壁に膜を形成することを目的として、内部に前記被加工物がないときに成膜処理が行われるチャンバ１１０と、チャンバ１１０を冷却する冷却手段１２４，１２４ａ，１２４ｂと、冷却手段１２４を制御する制御部１２６とを具備する。制御部１２６は、成膜処理が行われる場合に冷却手段１２４を動作させる。制御部１２６により制御され、チャンバ１１０を加熱する加熱手段１２２を具備してもよい。制御部１２６は、被加工物に対してドライエッチング処理及び保護膜形成処理を行う場合に、加熱手段１２２を動作させる。【選択図】図１
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631
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2008-270465
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H190419
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富士電機デバイステクノロジー株式会社
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マイクロトランスの製造方法
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A4
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DBX PIX
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【課題】マイクロトランスの製造方法において、スループットを向上させること。コイル間の絶縁膜にクラックが入るのを防ぐこと。選択比の大きなマスク材を用いずに製造すること。【解決手段】不純物拡散領域２が部分的に形成された半導体基板１の全面に絶縁膜３を堆積する。この絶縁膜３を部分的に除去し、第１の開口部４および第２の開口部５を形成する。ついで、中心パッド８が第１の開口部４を介して不純物拡散領域２に接触するように１次コイル７を形成する。そして、１次コイル７の上に薄い絶縁膜１０を堆積する。この、１次コイル側の絶縁膜１０の上に、絶縁体材料１２を、接着テープ１３によって貼り合わせる。ついで、絶縁体材料１２の表面に２次コイル１５を形成する。【選択図】図１
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632
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2008-270787
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H200325
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株式会社半導体エネルギー研究所
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半導体装置
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A4
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PG01 PG03 PGX
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【課題】異なる基板上に形成されたデバイス間で無線通信を行い、配線の接続不良を低減した半導体装置を提供する。【解決手段】第１の基板上に、第１のアンテナを有する第１のデバイスを設け、第２の基板上に、第１のアンテナと通信可能な第２のアンテナを有する第２のデバイスを設け、第１の基板と第２の基板を接合して半導体装置を作製する。第１の基板と第２の基板は、接着層を介した接合、陽極接合、又は表面活性化接合により接合される。【選択図】図１
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633
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2008-271425
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H190424
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松下電工株式会社
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音響センサおよびその製造方法
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A4
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DDX
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【課題】耐環境性が高くて安定した音響特性を有する音響センサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板を用いて形成されフレーム部１１の内側のダイヤフラム状の可動板部１２が可動電極を兼ねるとともにフレーム部１１の一表面側において可動板部１２に対向する固定板部１４が固定電極を兼ね、固定板部１４に可動板部１２と固定板部１４との間の空間１６と連通する連通孔１５が貫設された静電容量型の音響センサ本体１０ａと、音響センサ本体１０ａの固定板部１４における可動板部１２側とは反対の表面側に連通孔１５を閉塞する形で設けられたフィルタ層１７とを備える。フィルタ層１７は、防水性、防塵性および通気性を有する多孔質層１７ａと、多孔質層１７ａの一面側に設けられた接着層１７ｂとを有し、接着層１７ｂによりセンサ本体１０ａに貼着されている。【選択図】図１
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634
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2008-271700
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H190420
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日本信号株式会社
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プレーナ型電磁アクチュエータ
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A4
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DFX
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【課題】プレーナ型電磁アクチュエータにおいて、可動部の揺動動作に伴って可動部端縁部近傍に発生する渦に起因する可動部動作方向と反対方向のモーメントを低減して可動部の揺動動作の安定化を図る。【解決手段】固定部２に一対のトーションバー３，３を介して揺動可能に軸支した可動部４を、電磁力により駆動するプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、可動部４のトーションバー３，３の軸方向と平行な両端縁部４ａを凹凸形状に形成する。これにより、可動部の両端縁部近傍に生じる渦を細かく分散し、モーメントを低減する。【選択図】図１
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635
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2008-272865
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H190427
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船井電機株式会社
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ＭＥＭＳデバイスの製造方法
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A4
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DA04.PG01 PJ03
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【課題】製造時にＭＥＭＳデバイスが汚染される可能性が低いＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの製造方法は、ＭＥＭＳデバイスのベースとなるガラス基板２０をシリコン（Ｓｉ）基板と陽極接合するステップと、ガラス基板２０の分離予定部２１上にＳｉパターン７０が形成されるように、前記Ｓｉ基板のパターン形成を行うステップと、分離予定部２１について、ガラス基板２０とその上に形成されたＳｉパターン７０の一部とをダイシングするステップと、ダイシング後に、ＭＥＭＳデバイスが有する可動部とアクチュエータとをガラス基板２０のＳｉパターン７０が形成される側に配置するステップと、その後一部がダイシングされたＳｉパターン７０について力を加えて破断し、ガラス基板２０を分離予定部２１で分離するステップと、を具備する。【選択図】図５
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636
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2008-272910
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H190507
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セイコーエプソン株式会社
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微細形状の加工方法
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A4
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PAX
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【課題】基体に形成した凹部内に追加エッチングを行い、微細パターンを付与することを可能にした、微細形状の加工方法を提供する。【解決手段】基体１０に凹部１３を形成する工程と、基体１０の凹部１３内に、液滴吐出法によってレジスト液１６を選択的に配し、レジスト膜１７を形成する工程と、レジスト膜１７を露光・現像してパターニングし、レジストパターン１８を形成する工程と、レジストパターン１８をマスクにして凹部１３内をエッチングし、凹部１３内に微細パターンを付与する工程と、を備えた微細形状の加工方法。【選択図】図４
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637
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2008-272916
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H190507
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独立行政法人科学技術振興機構
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光電導特性をチューニングした自己組織化ナノチューブ
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A1
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DA01 MI05
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【課題】本発明は、ナノチューブにおける光電導性を調整することができる新規なナノサイズ構造体、及びそれを用いた光電導性材料を提供する。【解決手段】本発明は、ＴＮＦなどの電子受容性の基を分子中に有するヘキサペリヘキサベンゾコロネン誘導体、及びＴＮＦなどの電子受容性の基を分子中に有していないヘキサペリヘキサベンゾコロネン誘導体を含有してなる自己組織化ナノサイズ構造体、並びにそれを用いてなる光検出素子、光スイッチング素子、及び光応答性電荷輸送素子などの各種の光関連素子に関する。【選択図】なし
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638
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2008-274932
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H200331
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キヤノン株式会社
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マイクロ流体デバイスを用いた送液装置および送液方法
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A4
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DC01
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【課題】送液の効率を向上させた送液方法および送液手段を提供する。【解決手段】マイクロ流体デバイス内の流路に存在する液体を制御する装置システムにおいて、送液のために超音波振動子を設け、その超音波振動子は振幅変調による発振を行う。また、超音波振動子上にはマイクロ流体デバイスを保持するための保持部を設け、マイクロ流体デバイスを着脱可能とする。【選択図】図２
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639
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2008-275167
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H200530
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アプレラ コーポレイション
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微小流体デバイスのための弁アセンブリ、およびその開閉のための方法
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A4
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DC02
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【課題】通常は開いている流体操作弁アセンブリ、およびシステム、ならびにこのアセンブリを閉鎖し、再開放し、そして再閉鎖するための方法を提供すること。【解決手段】通常は開いている弁アセンブリは、第一の表面を備える基材２２を備え得、この第一の表面に、第一の凹部および第二の凹部２８が形成されている。陥凹したチャネル３４が、第一の表面に形成され得る。この陥凹したチャネルは、第一の凹部から第二の凹部まで延び得、そして少なくとも部分的に、第一の弾性率を有する第一の変形可能な材料によって規定され得る。この弁アセンブリはまた、弾性変形可能なカバー、および第一の表面に接触する接着剤層４４を備え得、この弾性変形可能なカバーは、第一の変形可能な材料の弾性率より大きい弾性率を有する材料から作製される。【選択図】図３Ｂ
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640
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2008-275628
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H200509
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株式会社デンソー
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半導体力学量センサ
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A4
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DD01 DD02
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【課題】支持基板の上に絶縁膜を介して薄膜半導体層を配した積層基板を用いて半導体力学量センサを構成した場合において配線ラインの簡素化を図ることができる半導体力学量センサを提供する。【解決手段】ＳＯＩ基板１を用いて第１のコンデンサ構成部Ｅ１と第２のコンデンサ構成部Ｅ２と第３のコンデンサ構成部Ｅ３が形成されている。第１及び第３のコンデンサ構成部Ｅ１、Ｅ３の各梁構造体の可動電極部に搬送波電圧が印加されながら各可動電極部が加速度の作用により支持基板２の表面に直交する方向に変位して各可動電極部と支持基板２との間の容量Ｃ１、Ｃ３が変化する。第２のコンデンサ構成部Ｅ２の信号取出用対向電極部２０がその下に絶縁膜３が存在する状態で区画形成され、容量Ｃ１、Ｃ３の容量差の変化が信号取出用対向電極部２０から取り出される。【選択図】図１１
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641
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2008-276971
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H190425
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株式会社沖センサデバイス
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機構デバイス
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A4
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PI02
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【課題】磁気吸引力や磁気効率をさらに向上させ、微小磁界であっても容易に動作することができる機構デバイスを提供する。【解決手段】基板２の上面に設けられ、基板２の裏面に設けられた第２の裏面電極７ｂと導通する導電性の下部電極１０と、基板２の上面に設けられ、先端部側に磁性体部２２を有し基端部側が基板２上面に取り付けられて導電性を有する梁構造２１をなし、基端部側が基板２の裏面に設けられた第１の裏面電極７ａと導通する上部電極２０とを備え、上部電極２０の基端部側と第１の裏面電極７ａとの間にこれらを導通する非磁性体６を充填すると共に、下部電極１０と第２の裏面電極７ｂとの間にこれらを導通する強磁性体９を充填した。【選択図】図１
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642
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2008-277743
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H200124
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三菱電機株式会社
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可変素子回路およびその製造方法
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A4
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DB05 PI02
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【課題】基板の片面に、ほぼ同じ素子構造を有する可変素子および固定受動素子を同時に形成することによって、安価な製造コストで、安定かつ低損失の回路特性を有する可変素子回路およびその製造方法を提供する。【解決手段】高周波可変コンポーネントは、基板１の上面に形成された、可動スイッチ素子２１、固定キャパシタ素子２２、可変インダクタ素子２３、可変キャパシタ素子２４、および各素子を電気接続するための配線とを備え、可動スイッチ素子２１の動作により、各素子の電気接続が選択可能である。【選択図】図１
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643
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2008-278147
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H190427
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富士通株式会社
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可変フィルタ素子、可変フィルタモジュール、およびこれらの製造方法
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A4
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DB04
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【課題】駆動電圧の低減に適した可変フィルタ素子および可変フィルタモジュール、並びに、これらの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の例えば可変フィルタ素子Ｘ１は、例えば、基板１０と、基板１０上において並列して延びる、二本のグラウンド線２２およびグラウンド線２２間の信号線２１と、グラウンド線２２間を架橋し、信号線２１と対向する部位２４ａを有する、可動キャパシタ電極２４と、信号線２１およびグラウンド線２２の間に位置して可動キャパシタ電極２４との間に静電引力を発生させるための駆動電極２５と、基板１０内に設けられ、信号線２１と対向する部位を有し、グラウンド線２２と電気的に接続している、グラウンド線１２ａとを備える。可動キャパシタ電極２４およびグラウンド線１２ａ，２２は、グラウンド配線部を構成し、信号線２１およびグラウンド配線部は、分布定数伝送線路を構成する。【選択図】図２
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644
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2008-278476
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H200327
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ヤマハ株式会社
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コンデンサマイク装置のＳＮ比改善方法およびコンデンサマイク装置並びにコンデンサマイク装置搭載機器
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A4
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DD07
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【課題】コンデンサマイク装置のＳＮ比を改善する。【解決手段】シリコンマイク１０の音響穴２４が形成されたマイクパッケージ１２の内部空間２６にマイクチップ１４を収容配置する。外部からの音を音響穴２４から取り込みマイクパッケージ１２の内部空間２６を経てマイクチップ１４で受音する。音響穴２４とマイクパッケージ１２の内部空間２６によるヘルムホルツ共鳴の共鳴周波数を可聴周波数帯域内に設定する。シリコンマイク１０を携帯電話機４０に搭載する場合は、音響穴の長さが機器筐体４２とガスケット４８の厚さ分（またはさらに基板４３とシール材５４の厚さを加えた分）長くなるのでヘルムホルツ共鳴周波数は低下する。マイクチップ１４の出力信号をインピーダンス変換器３０に入力する。インピーダンス変換器３０の出力信号のヘルムホルツ共鳴周波数を含む帯域を減衰手段２８，３６，３８で選択的に減衰させて該出力信号の周波数特性を平坦化する。【選択図】図１
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645
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2008-278634
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H190427
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株式会社東芝
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静電型アクチュエータ
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A4
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DB01 DB05
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【課題】十分なコンタクト力とスティクション不良に対する耐性とを有しつつ、駆動電圧を低減する。【解決手段】静電型アクチュエータは、基板１１と、この基板の上方にそれぞれ分離して配置された第１及び第２の下部電極１４ａ、１４ｂと、第１及び第２の下部電極の上方に空洞部１９を有して配置され、第１の上部電極３１ａと第２の上部電極３１ｂと第１及び第２の上部電極の間に配置された第３の上部電極２１とを有し、第１の上部電極は第１の下部電極と対向しかつ第１の下部電極に対して斜めに配置され、第２の上部電極は第２の下部電極と対向しかつ第２の下部電極に対して斜めに配置され、第１及び第３の上部電極の第１の境界部分は凸状であり、第２及び第３の上部電極の第２の境界部分は凸状であり、第１の下部電極と第１の上部電極との間及び第２の下部電極と第２の上部電極との間に電位差を印加することで前記第３の上部電極を駆動する電極部と、第１及び第２の境界部分に互いに分離して配置された第１及び第２の層４１ａ、４１ｂとを具備する。【選択図】図２
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646
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2008-278651
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H190427
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株式会社東芝
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静電アクチュエータ、マイクロスイッチ、電子機器、および静電アクチュエータの製造方法
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A4
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DA01
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【課題】本発明は、吸引開始時にも大きな力を発生させることができる静電アクチュエータ、マイクロスイッチ、電子機器、および静電アクチュエータの製造方法を提供する。【解決手段】基板上に設けられた吸引電極に電圧を印加することで膜体を静電的に吸引する静電アクチュエータであって、前記膜体には、前記吸引電極の主面との距離が漸次増加するような傾斜面が設けられていること、を特徴とする静電アクチュエータが提供される。【選択図】図１
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647
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2008-279382
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H190511
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ソニー株式会社
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流路基板の製造方法
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A4
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DC01 PC06 ME01
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【課題】親水性である微細流路を備えた基板の製造方法を提供すること。【解決手段】（Ａ）アルカリ性溶液をケミカルエッチング液として用いることで、ポリイミド樹脂層１１をエッチングするとともに、該エッチングされた前記ポリイミド樹脂層１１の表面を親水性化する工程と、（Ｂ）前記エッチングされたポリイミド樹脂層１１に、他のポリイミド樹脂層１２，１３を積層することで流路を形成する工程と、を少なくとも行なうポリイミド樹脂製の流路基板の製造方法とすること。【選択図】図１
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648
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2008-279567
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H190511
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株式会社デンソー 株式会社日本自動車部品総合研究所
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半導体装置の製造方法
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A4
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PJ03 PJX
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【課題】ダイシング時に保護キャップに作用する応力を低減し、且つ、構造体に対する保護キャップの信頼性の低下を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】表面にパッドが複数形成され、パッド形成面側に露出する構造体が複数形成された半導体ウェハと、熱剥離層を介して、支持基板の一面上にパッドを露出させつつ構造体を保護するための保護キャップが互いに離間して複数固定されたシートを準備する。支持基板としては半導体ウェハと略同一のものを用いる。次に、半導体ウェハ及び保護キャップのいずれかに接着剤を塗布し、保護キャップが対応する構造体を覆いつつパッドを露出するようように位置決めした状態で、加圧・加熱して半導体ウェハ上に保護キャップを転写し、半導体ウェハを、互いに隣接する保護キャップの間の部位でダイシングして半導体装置とする。【選択図】図９
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649
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2008-279595
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H200513
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ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
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薄膜キャップを有するミクロメカニカル構造部材およびその製造方法
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A4
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DD01 PHX
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【課題】ミクロメカニカル構造部材の分野において、処理ガスと共に付加的な不活性ガスの薄膜によりキャッピングされたセンサー中への封入を改善する。【解決手段】基板と薄膜キャップと、基板および薄膜によって制限されている空洞とを備え、この空洞内に内圧を有する少なくとも１つの気相が封入されているミクロメカニカル構造部材の場合に、気相が非大気の組成を有する。【効果】薄膜キャップにより閉じ込められている空洞内に任意の内圧を実現させることができる。従来の閉鎖処理の場合、この圧力は、閉鎖の際に使用される処理圧に制限されている。【選択図】図２ｂ
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650
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2008-280558
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H190508
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財団法人ひろしま産業振興機構
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液体を用いた局所表面処理方法
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A4
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PJX
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【課題】基板の局所に所望の大きさの液体を形成させ、高精度なエッチング、メッキやコーティング等を、微小な局所においても高精度に行いうる局所表面処理方法を提供することを課題とする。【解決手段】マイクロプローブ１１にメッキ液やエッチング液等の液体２１を付着させて、基板１２の所定の局所に付着させた後、マイクロプローブ１１と基板１２に電流を流し、基板１２界面での電気化学的反応を利用して、液体２１の接触角を変化させて接触面積を所望の大きさに制御する。所望の大きさに制御した液体２１を用いてメッキ、エッチングやコーティング等の局所表面処理を行う。【選択図】図６
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651
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2008-281366
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H190508
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日立化成工業株式会社
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マイクロ流体システム用支持ユニット
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A4
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DC01
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【課題】反応や分析のステップ数や量を制限しない、且つ、製造が容易であるマイクロ流体システム用支持ユニットを提供する。【解決手段】第一の支持体１と、マイクロ流体システムの流路として機能する少なくとも一つの中空フィラメント５０１、５１１等とを備え、この中空フィラメントが前記第一の支持体に任意の形状に固定され、かつこの中空フィラメントの内側の所定箇所にモノリス構造体３０１、３１１等を有することを特徴としたマイクロ流体システム用支持ユニットである。【選択図】図１
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652
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2008-281368
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H190508
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日立化成工業株式会社
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マイクロ流体システム用支持ユニットの製造方法
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A4
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DC01
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【課題】本発明の目的は反応や分析のステップ数や量を制限しない、且つ、製造が容易であるマイクロ流体システム用支持ユニットの製造方法を提供することである。【解決手段】少なくとも、（イ）第一の支持体に少なくとも一つの中空フィラメントを任意の形状に固定する工程、（ロ）中空フィラメント内の全部または一部にモノリス前駆体を充填する工程、（ハ）モノリス前駆体の全部または一部を反応させ、モノリス構造体を作製する工程、を備えることを特徴としたマイクロ流体システム用支持ユニットの製造方法である。【選択図】なし
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653
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2008-282967
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H190510
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セイコーエプソン株式会社
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微細構造の加工方法
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A4
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PB02 PAX
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【課題】形状及び寸法の精度が高い微細構造の加工方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の微細構造の加工方法は、基板１０に微細な凹部３０を形成する微細構造の加工方法である。エッチングマスク２０を設けた基板１０の露出部をドライエッチングして、第１の深さの凹部３０を形成する工程と、第１の深さの凹部が形成された基板のエッチングマスク上に、液滴吐出法でレジスト液体物を配する工程と、基板のエッチングマスク上に配されたレジスト液体物を硬化させて、エッチングマスクを補強する補強膜７０を形成する工程と、補強膜７０が形成された基板の凹部３０をドライエッチングして深くし、凹部３０を第１の深さよりも深い第２の深さに形成する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図２
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654
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2008-283843
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H190626
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サノンウェルス エレクトリック マシーン インダストリー カンパニー リミテッド
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低駆動電圧と長寿命用途のためのＳＤＡ微小モータのレイアウト設計および組立
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A4
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DFX PI02
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【課題】低駆動電圧と長寿命特性を有するスクラッチ駆動アクチュエータ（ＳＤＡ）微小回転モータの新規な設計と製造方法を提供する。【解決手段】駆動電圧を交流振幅で３０〜１５０Ｖｏ−ｐから１２〜３０Ｖｏ−ｐに大幅に減少するべく、超低抵抗（＜０．００４Ω−ｃｍ未満）のシリコンウェハをＳＤＡ微小モータの基板として用いる。さらに、本発明は、ＳＤＡ微小モータの寿命（＞７５時間）および回転速度（〜３０ｒｐｍ）の改善ができる新規なＳＤＡ構造および形状設計方法を提供する。【選択図】図１
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655
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2008-283844
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H190626
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サノンウェルス エレクトリック マシーン インダストリー カンパニー リミテッド
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バウンス駆動アクチュエータおよび微小モータ
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A4
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DFX PI02
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【課題】長い寿命を獲得でき、消費電力が低減でき、一定の回転方向を確保できる新規な微小回転モータの開発に寄与するバウンス駆動アクチュエータ（ＢＤＡ）を提供する。【解決手段】ＢＤＡ板８のブッシング部のアスペクト比（高さ／幅）を１より小さい値に設定し、ＢＤＡ板８の長さを７５ｍｍより短い値に設定する。微小回転モータは、起動電圧を超える追加静電気を印加してもＢＤＡ板８の自由端をそれ以上撓ませることができず、ブッシングを圧縮し内向し、印加電圧が解除されると、短尺かつ幅広のブッシングの摩擦力は自由端より大きくなり、蓄積された歪みエネルギーはアクチュエータを後方に跳ね返すようにした。【選択図】図１
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656
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2008-284433
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H190516
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独立行政法人産業技術総合研究所
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マイクロリアクターおよびその製造方法
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A4
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DC01 MBX
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【課題】規則性メソ細孔構造を持つ薄膜を利用し、通常、担持が困難な触媒を容易に固定化することができ、しかも、マイクロリアクター内でメソ多孔体の細孔構造により、触媒、触媒を担持する触媒担体を利用する反応を効率よく行なえ、加えて反応流体の圧力損失を極めて小さくすることができる、新規なマイクロリアクターを提供する。【解決手段】中空状マイクロチャンネル内表面にメソポーラスシリカ薄膜が固定化されているマイクロリアクター。メソポーラスシリカ薄膜の膜厚が200nm以下である上記マイクロリアクター。メソポーラスシリカ薄膜が規則性細孔構造を有する上記マイクロリアクター。【選択図】図１
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657
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2008-284626
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H190516
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ミライアル株式会社
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マイクロ流路デバイス
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A4
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DC01 MBX
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【課題】製造コストのかからないプラスチック製の基板を用いて、耐熱性と耐薬性に優れ、かつ簡単な工程により低コストで製造することができるマイクロ流路デバイスを提供すること。【解決手段】微量の液体を流すためのマイクロ流路２が凹んで形成されたプラスチック製の基板１に、マイクロ流路２の開放面を塞ぐと共にマイクロ流路２に連通する液体注入口４と液体排出口５とが形成された蓋板３を接合した構成を有するマイクロ流路デバイスにおいて、基板１と蓋板３との接合、及びマイクロ流路２の内面の全部又は一部に対するコーティングが共に、有機バインダーを含有するシリカゾルを主成分とする塗膜６で行われている。【選択図】図１
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658
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2008-284651
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H190518
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大日本印刷株式会社
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メンブレン構造体の製造方法
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A4
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PI03 MEX
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【課題】メンブレンの破損を抑制することが可能なメンブレン構造体の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板内に配置され、自立薄膜を有するメンブレン構造体の製造方法において、前記半導体基板の加工に付される面に所定のパターンを有するマスクを形成する工程と、前記半導体基板の加工に付される面の逆側の面に保護層を配設する工程と、前記半導体基板を前記保護層と一体の状態で、前記マスクを加工用マスク材として用いて前記半導体基板の厚み方向にエッチングして所定の厚さの自立薄膜を形成する工程と、前記自立薄膜形成後に前記保護層を除去する工程とを含むことを特徴とする。【選択図】図２
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659
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2008-284656
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H190518
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トヨタ自動車株式会社
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構造体の製造方法
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A4
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PI02
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【課題】センサ等を構成する構造体を１枚のマスクと簡単な工程で製造する方法を提供する。【解決手段】ＳＯＩ基板７の表面に金属膜８を形成し、金属膜８の表面に保護膜１２を形成する。その後に保護膜１２の表面にパターニングされたレジスト層１４を形成する。そのパターンに沿って保護膜１２と金属膜８と上層６を異方性エッチングし、トレンチ１５ａ、１５ｂを形成する。次に、遊離上層領域６ａ内に分散形成されているトレンチ群１５ａから中間層４を等方性エッチングし、遊離上層領域６ａ直下の中間層４を除去することによってベース層２から遊離上層領域６ａを遊離させる。この際に、固定上層領域６ｂの表面の金属膜８は保護膜１２によって保護される。使用するマスクは、レジスト層１４をパターニングする際の１枚ですむ。【選択図】図１
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660
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2008-287276
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H200704
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日本電信電話株式会社 株式会社ミスズ工業
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光スイッチ装置の製造方法
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A4
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DA01 DA04 PJ03
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【課題】良品歩留まりの高い状態で可動する微細なミラーを備えた光スイッチ装置が製造できるようにする。【解決手段】ミラー基板１００のミラー１０５が形成された表面に、粘着力が変化する粘着層を備えたマウントフィルム（第１粘着フィルム）１０６を貼り付けて保護した状態で、ミラー基板１００を切断分割してミラーチップ１０９を形成し、マウントフィルム１０６の粘着層の粘着力を低下させてからミラーチップ１０９を取り外す。【選択図】図２
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661
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2008-288384
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H190517
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ソニー株式会社
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３次元積層デバイスとその製造方法、及び３次元積層デバイスの接合方法
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A2
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PGX PI01
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【課題】信頼性の高い３次元積層デバイスとその製造方法、及びその３次元積層デバイスの接合方法を提供する。【解決手段】複数の半導体ウェハ２〜５が積層一体化された後、各デバイスに固片化されて成る３次元積層デバイス１であって、隣り合って積層される半導体ウェハにおいて、一方の半導体ウェハの接合部が凸状６に形成され、他方の半導体ウェハの接合部が凹状７に形成され、一方の半導体ウェハの凸状の接合部６と、他方の半導体ウェハの凹状７の接合部とが直接接合されて積層されて成る。【選択図】図１
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662
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2008-288813
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H190516
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株式会社日立製作所
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半導体装置
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A4
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DD07
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【課題】電極間絶縁膜の耐圧向上と電極間絶縁膜の電荷蓄積抑制を両立させる。【解決手段】半導体基板１Ｓ上に絶縁膜２を介して下部電極Ｍ０Ｅが形成され、下部電極Ｍ０Ｅを覆うように絶縁膜５，７が形成され、絶縁膜７上に上部電極Ｍ１Ｅが形成され、上部電極Ｍ１Ｅを覆うように絶縁膜９，１１，１３が形成され、下部電極Ｍ０Ｅと上部電極Ｍ１Ｅとの間の絶縁膜５，７間に空洞部ＶＲが形成されている。下部電極Ｍ０Ｅ、絶縁膜５、空洞部ＶＲ、絶縁膜７および上部電極Ｍ１Ｅにより超音波トランスデューサが形成される。絶縁膜５は、少なくとも下部電極Ｍ０Ｅに接する部分が酸化シリコンからなり、絶縁膜７は、少なくとも上部電極Ｍ１Ｅに接する部分が酸化シリコンからなり、絶縁膜５，７の少なくとも一方が、上部電極Ｍ１Ｅおよび下部電極Ｍ０Ｅ間に位置しかつ上部電極Ｍ１Ｅにも下部電極Ｍ０Ｅにも接しない窒化シリコン膜５ｂを含んでいる。【選択図】図１７
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663
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2008-290227
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H191024
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株式会社リコー
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微小構造体
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A1
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DE01
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【課題】本発明は、熱リソグラフィを用いて簡易に形成することが可能な微小構造体及び該微小構造体の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、該微小構造体を用いる基板のパターニング方法並びに該微小構造体を有する構造物、情報記録媒体、原盤、光学素子、光通信装置、ＤＮＡチップ、発光素子、光電変換素子及び光学レンズを提供することを目的とする。【解決手段】微小構造体は、硫黄化合物及び酸化ケイ素を含有する。微小構造体の製造方法は、基板上に、硫黄化合物、酸化ケイ素及び光吸収能を向上させる材料を含有する層を形成する工程と、基板上に形成された層にレーザ光を照射する工程と、レーザ光が照射された層をエッチングする工程を有する。【選択図】なし
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664
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2008-290230
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H200501
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コミサリア、ア、レネルジ、アトミク
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ポリマー層内にパターンを生成するための方法
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A1
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PA02 MEX
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【課題】実施するのが容易で、従来技術よりも工業化するのがより安価な方法によりポリマーを用いてパターンを生成する方法を提供する。【解決手段】ポリマー部位が支持体（２）上に形成される。これらの部位は、誘電体材料（３）のプラズマ堆積にさらされ、このプラズマと優先的に反応して前記部位の高さにおいて開口部（６）を形成する。その結果、パターン構造が誘電体材料（３）内におよび／またはポリマー（４）内に形成される。【選択図】図６
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665
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2008-290243
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H200730
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イリディグム ディスプレイ コーポレイション
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マイクロマシン（ＭＥＭＳ）装置用構造体の製作方法
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A4
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PI02
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【課題】ＭＥＭＳ装置の製造において、マスキングの工程を減少させることができる方法を提供する。【解決手段】基層１００の上に１つの層又は積み重ね層を堆積させる。１つの層又は積み重ね層の一番上の層は犠牲層１０２である。犠牲層１０２にパターンを形成し、この上に光感知ポリマーを堆積し露光することでリッジ１０６を形成する。このとき犠牲層がフォトマスクとして作用し追加のマスキング工程を必要としない。【選択図】図４
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666
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2008-292478
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H200512
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マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー
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マイクロウェル・アレイ内の物質のスクリーリングの方法
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A4
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DC01
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【課題】マイクロリッターのオーダまたはそれよりも更に少量で、多数の試薬やアナライト（analytes）を反応させ、その後に分析を行える方法の提供。【解決手段】液体や懸濁液内に存在する細胞を含む材料を大量の微小サンプルとして操作し、解析するための装置を生産し使用する方法に係わる。平行な貫通穴がプラテン内に形成され、これに液体が充填される。貫通穴の位置に関係して、特定の物質の濃度あるいはその他の物理量の傾きが生じるような方法で充填が行われる。既に充填されたマイクロ・ウェル・アレイを個々の貫通穴が一致するように互いに接触させることによって、貫通穴の内容物の混合が行われる。【選択図】図１０
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667
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2008-292703
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H190523
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パナソニック電工株式会社
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可動構造体、同構造体を用いた光走査ミラー素子、及び可動構造体の製造方法
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A4
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DA04 PI03
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【課題】可動構造体において、振動や衝撃等が加わってもヒンジ部が折損しにくいようにし、耐振動・耐衝撃性能を向上させる。【解決手段】可動構造体としての光走査ミラー素子１は、２つのヒンジ部３によりフレーム部４に可動板２を揺動可能に軸支して成っている。各ヒンジ部３の両側部近傍部位には、それぞれ、フレーム部４から可動板２に向け略水平に突設された側部ストッパ８ａが設けられている。また、ヒンジ部３の下方には、フレーム部４から突設された下部ストッパが設けられている。外部から振動や衝撃が加わったとき、ヒンジ部３が側部ストッパ８ａ、下部ストッパに接触し可動板２の異常変位が妨げられるので、ヒンジ部３の折損が防止される。【選択図】図１
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668
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2008-292951
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H190528
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ＮＴＴエレクトロニクス株式会社
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ＭＥＭＳミラー及び波長選択スイッチ
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A4
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DA01 DA04
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【課題】本発明は、モニタ用の光学系を不要とする簡易な構成の波長選択スイッチを提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る波長選択スイッチは、光を反射するミラーと、光を反射する側において前記ミラーに相対して配置され、前記ミラーに向かって照射される光の一部を透過させ該光の光強度をモニタする透過型薄膜フォトダイオードと、前記ミラーの表面を前記ミラーに向かって照射される光の光軸に対して傾斜させ、該光の反射方向を制御するミラー駆動機構と、を備えるＭＥＭＳミラーを有する。【選択図】図１
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669
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2008-294229
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H190524
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パナソニック電工株式会社
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ウェハレベルパッケージ構造体およびセンサ装置
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A4
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DD01 PGX PHX
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【課題】製造プロセスの簡略化を図れるとともにプロセス温度の低温化を図れ且つ接合工程の歩留りの向上を図れるウェハレベルパッケージ構造体およびセンサ装置を提供する。【解決手段】ウェハレベルパッケージ構造体１００は、センサウェハ１０と第１のパッケージウェハ２０との封止用金属層１８，２８同士および電気接続用金属層１９，２９同士が常温接合されている。各封止用金属層１８，２８および各電気接続用金属層１９，２９は、それぞれ、絶縁膜１６，２３上において、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮの群から選択される材料により形成された下層と、表面のＲＭＳあらさが１．８ｎｍ以下に形成された上層のＡｕ膜との積層膜により構成されている。センサ装置は、ウェハレベルパッケージ構造体１００をセンサウェハ１０におけるセンサ基板（センサ本体）１のサイズに基づいて規定した所望のサイズに分割することで形成されている。【選択図】図１
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670
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2008-294455
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H200617
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株式会社豊田中央研究所 株式会社デンソー
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可動電極を有する装置、可動ミラー装置、振動型ジャイロスコープ及びこれらの製造方法
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A4
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DD02 PI02
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【課題】簡単な製造プロセスで製造できながらも、基板垂直方向のいずれの向きに物理量が作用したかを検知すること。【解決手段】可動電極１４８ａは、ｚ軸方向（基板垂直方向）に変位可能である。可動電極１４８ａと固定電極１３２の基板対向面１４７ａ、（１３１ａ、１３１ｂ）は基板１２０に平行な平坦状である。これらの基板対向面はｚ軸方向の位置が等しい。両電極１４８ａ、１３２の検出面はｚ軸方向に伸びている。可動電極１４８ａの検出面１４９ａ−１は全体が平坦である。固定電極１３２の検出面は、基板１２０と離反する側に位置するとともに可動電極１４８ａの検出面１４９ａ−１との距離が長い第１平面部１３３ａと、基板１２０側に位置するとともに上記距離が短い第２平面部１３３ｂで構成されている。【選択図】図４
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671
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2008-294540
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H190522
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三菱電機株式会社
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アンテナビーム軸調整装置およびレーダ装置
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A4
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DB01
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【課題】挿入損失の少ない移相器を用いて、電気的にアンテナのビーム軸を切り替え、ビーム軸を簡便に調整することのできる、ビーム軸調整装置を得ることを目的とする。【解決手段】アンテナの放射素子に高周波信号を供給する送受信機と、放射素子と送受信機の間に接続され、位相調整可能なＭＥＭＳ（ＭｉｃｒｏＥｌｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌＳｙｓｔｅｍ）スイッチと、アンテナのビーム軸方向を所定方向にずらすように、ＭＥＭＳスイッチを制御する制御部とを備える。【選択図】図２
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672
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2008-296119
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H190530
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京セラ株式会社
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反応装置
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A4
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DC01
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【課題】反応媒体を安定して反応させることができる反応装置を提供すること。【解決手段】高温部１ａと低温部１ｂとを有する基体２と、前記高温部１ａと前記低温部１ｂとを連通するとともに、前記低温部１ｂから前記高温部１ａへ反応媒体が流動する第１流路２ａと、前記高温部１ａと前記低温部１ｂとの間に設けられ、冷媒が流動する第２流路３ａと、を備えたものである。また、好ましくは、前記反応媒体は、前記低温部１ｂで、複数の異なる媒体が合流することで構成されることを特徴とするものである。【選択図】図１
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673
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2008-296335
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H190531
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株式会社東芝
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中空封止構造体及び中空封止構造体の製造方法
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A4
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PI02
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【課題】中空封止構造体を小型化することができ、かつ、内部の犠牲層の除去時間を短縮できる中空封止構造体及び中空封止構造の製造方法を提供する。【解決手段】中空封止構造体１の製造方法は、基板としての絶縁層３の主面に形成される溝構造部９を第１の犠牲層によって埋める工程と、絶縁層３の主面に機能素子４を形成する工程と、機能素子４上に形成され、第１の犠牲層の一部と接続されるように第２の犠牲層を形成する工程と、第１の犠牲層及び第２の犠牲層の表面に被覆部としての第１封止体７を形成する工程と、第１の犠牲層と接する第１封止体７に設けられる開口７ａを経て犠牲層除去用の流体を流通させ第１の犠牲層及び前記第２の犠牲層を除去する工程と、開口７ａを閉塞する工程と、を具備することを特徴とする。【選択図】図１
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674
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2008-296336
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H190531
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株式会社東芝
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中空封止構造体及び中空封止構造体の製造方法
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A4
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PI02
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【課題】中空封止構造体を小型化することができ、かつ、内部の犠牲層の除去時間を短縮できる中空封止構造体及び中空封止構造の製造方法を提供する。【解決手段】中空封止構造体１は、基板２，３と、基板２，３の主面上に設けられた機能素子４と、基板２，３の主面上に設けられて中空部６を形成し、この中空部６内において機能素子４を被覆する被覆部として、複数の開口７ａを有する第１被覆構造部７と、第１被覆構造部７上に開口７ａと機能素子４とを結ぶ仮想直線上に設けられる第２被覆構造部８と、第２被覆構造部８と第１被覆構造部７との間に形成される空隙を封止する封止構造部９と、を備えることを特徴とする。【選択図】図１
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675
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2008-297168
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H190531
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独立行政法人産業技術総合研究所
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ＺｎＯウィスカー膜及びその作製方法
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A4
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MIX
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【課題】ＺｎＯウィスカー膜とその作製方法を提供する。【解決手段】基板上に形成されたＺｎＯウィスカー膜であって、ＺｎＯ結晶を主成分（モル比５０％以上）としており、アスペクト比が２以上のウィスカー形状粒子集積膜であり、高い比表面積と高い導電率を両立させたナノ構造体であり、基板上に形成したＺｎＯウィスカー膜である、ことからなるＺｎＯウィスカー膜、酸化亜鉛が析出する反応溶液系で、原料濃度、温度及び／又はｐＨを調整してＺｎＯ結晶を析出させ、基板上にＺｎＯウィスカー膜を形成させることからなるＺｎＯウィスカー膜の製造方法及びその電子デバイス材料。【選択図】図５
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676
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2008-300284
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H190601
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株式会社東芝
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半導体装置
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A4
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DB01 DB05
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【課題】高周波可動電極と静電ＭＥＭＳ駆動用可動電極を一体化した金属の可動電極という単純な製造し易い構造で、低電圧駆動でき、高周波信号でセルフアクチュエーションやセルフホールディングしない静電ＭＥＭＳを提供する。【解決手段】誘電体基板２４の表面と可動電極１０との間に空隙を形成するように可動電極の一端と誘電体基板の表面を固定するアンカー１４と、可動電極の他端と対向するように誘電体基板の表面に配置された高周波固定電極１８と、誘電体基板の裏面の下部電極２２と、高周波固定電極と下部電極を接続するビアホール２０と、誘電体基板の表面のアンカーと高周波固定電極の間に配置された駆動用固定電極１６と、高周波固定電極と駆動用固定電極を覆う絶縁膜１２からなり、駆動用固定電極と可動電極との間に、少なくとも高周波に対してインピーダンスが高いバイアス回路を経由して、駆動電圧を印加する半導体装置。【選択図】図２
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677
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2008-300301
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H190602
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株式会社ニコン
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マイクロスイッチ及びその駆動方法
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A4
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DB01
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【課題】特別な不都合を生ずることなく、駆動電圧を小さくする。【解決手段】可動板１２は、基板１１に対して上下動し得るように板ばね部１４により支持される。可動板１２の上方に、基板１１に対して固定された固定板１３が配置される。基板１１上の固定側駆動電極３２が相対的に下で、板ばね部１４に設けられた可動側駆動電極３３が相対的に上に配置される。固定板１３の電気接点１３５が相対的に上で、可動板１２の電気接点１３６が相対的に下に配置される。これにより、駆動電極３２，３３間に生ずる静電力が電気接点１３５，１３６間の間隔が拡がる方向に生ずるように、駆動電極３２，３３及び電気接点１３５，１３６が配置される。駆動電極３２，３３間に静電力が生じない場合は電気接点１３５，１３６が互いに接触する。駆動電極３２，３３間に静電力が生ずると、電気接点１３５，１３６が互いに離れる。【選択図】図２
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678
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2008-300335
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H190604
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株式会社沖センサデバイス
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機構デバイスの製造方法及び機構デバイス
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A4
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PI02
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【課題】上部磁性体部と下部磁性体部とがオーバラップし、高い磁気吸引力を発生させて動作することが可能な機構デバイスの製造方法及びその製造方法で製造された機構デバイスを提供する。【解決手段】素子形成ガラス基材１１上の下地電極膜１２内に磁性層２１を埋没形成するための凹部を形成し、その凹部内に磁性層２１を形成する。そして、磁性層２１が埋没形成された下部電極用下地電極膜１２の表面全体を覆うように導電層２２を形成して下部電極２０を形成する。これにより、下部電極２０の上面がほぼ段差のない平面状となり、下部電極２０上に膜を積層していくことで形成される上部電極３０の梁部３１ｂは、段差のない平面状に形成される。このため、梁部３１ｂ上に形成される上部電極３０の磁性層３２ａを下部電極２０の磁性層２１上方に形成でき、磁性層３２ａと磁性層２１とが所定のオーバラップを持つ構造を形成することができる。【選択図】図１
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679
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2008-300392
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H190529
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トヨタ自動車株式会社
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シリコン構造体の製造方法
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A4
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PI02
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【課題】固定領域と遊離領域が形成されているシリコン構造体の製造過程で、電極の保護膜の形成範囲を規制するためにマスクを必要とせず、保護膜の除去時にエッチングされるシリコンの厚みを低減する。【解決手段】ベース層２と酸化シリコン層４と単結晶シリコン層６が積層されている積層板の表面の一部に金属膜８を形成する。次に、多結晶シリコン膜１２を単結晶シリコン層８の表面から金属膜８の表面に亘って薄く形成する。次に、酸化シリコン層４に至るトレンチを形成する。次に、遊離領域の単結晶シリコン層６とベース層２が分離されるに至るまで酸化シリコン層４をエッチングする。金属膜８は多結晶シリコン膜１２により保護される。次に、多結晶シリコン膜１２をエッチングして除去する。単結晶シリコン層６の表面は多結晶シリコン膜１２により保護されており、エッチングされない。【選択図】図４
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680
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2008-304376
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H190608
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公立大学法人首都大学東京 富士電機システムズ株式会社
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試料導入マイクロデバイス
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A4
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DC01 DC03
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【課題】導入休止時に内部に残留する試料の量を低減するとともに、必要なタイミングで必要な量だけ試料を導入することが可能な試料導入マイクロデバイスを提供する。【解決手段】加圧室１ａの入口側には微小流路１２ａを形成し、加圧室１ａの出口側には微小流路１３ａを介して毛細管効果を持つノズル形状流路１４ａを形成し、合流点１９ａにてノズル形状流路１４ａと合流する微小流路１８ａを形成するとともに、分岐点３８ａにてノズル形状流路１４ａから分岐する微小流路２５ａを形成し、微小流路１８ａ、２５ａの間には、微小流路１８ａ、２５ａとノズル形状流路１４ａとの間で流路を共有する共有流路区間２９ａを設け、供給口４０ａから供給された過剰分の試料を排出口２７ａから排出し、供給口７ａ、４０ａからそれぞれ供給された液体の混合試料を必要なタイミングで必要な量だけノズル穴３０ａから吐出させる。【選択図】図１
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681
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2008-304377
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H190608
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公立大学法人首都大学東京 富士電機システムズ株式会社
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試料導入マイクロデバイス
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A4
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DC01
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【課題】必要なタイミングで必要な量だけ試料を導入することが可能な試料導入マイクロデバイスを提供する。【解決手段】基板１７ａに形成された加圧室１の入口側には、微小流路１２ａを形成するとともに、加圧室１ａの出口側には、微小流路１３ａを介して毛細管効果を持つノズル形状流路１４ａを形成し、微小流路１３ａには、分岐点１９ａを介して分岐した微小流路１８ａを接続し、蓋板１６ａには、微小流路１８ａの先端に接続された排出口２０ａを形成するとともに、蓋板１６ａ上には、蓋板１６ａを振動板として駆動するための圧電素子１０ａを加圧室１ａ上に位置するように配置する。【選択図】図１
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682
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2008-306359
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H190606
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三菱電機株式会社
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ハイパスフィルタ内蔵スイッチ、ハイパスフィルタ／ローパスフィルタ切替型移相器、可変共振器、通過帯域可変バンドパスフィルタ、阻止帯域可変バンドリジェクトフィルタ
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A4
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DB01 DB02 DB04
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【課題】ＭＥＭＳを用いて形成される片持ち梁構造スイッチを含み高周波信号を低損失で処理するハイパスフィルタ内蔵スイッチを提供する。【解決手段】ハイパスフィルタ内蔵スイッチは、片持ち梁の自由端に設けられる可動電極と上記可動電極に対向する固定電極とを上記片持ち梁を変形することにより開閉する２つの片持ち梁構造スイッチを備えるハイパスフィルタ内蔵スイッチであって、上記片持ち梁構造スイッチは、片持ち梁の支持端がＧＮＤと並列インダクタを介して接続され、一方の片持ち梁構造スイッチの固定電極が設けられた高周波線路に接続される第１の入出力端子と、他方の片持ち梁構造スイッチの固定電極が設けられた高周波線路に接続される第２の入出力端子と、一方の片持ち梁構造スイッチの片持ち梁の支持端と他方の片持ち梁構造スイッチの片持ち梁の支持端とを接続する直列キャパシタと、を備える。【選択図】図２
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683
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2008-306460
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H190607
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独立行政法人 宇宙航空研究開発機構
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小型発振子
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A4
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DB03 PI02 PB02
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【課題】小型軽量な小型発振子及びその製造方法を提供する。【解決手段】小型発振器(10)は、基板(20)と、基板上に形成されたアンカー(13)と、アンカーに一端部が固定されて、アンカーから延び、基板から浮いた状態の細長いカンチレバー(11)と、カンチレバーを静電引力により引き付けるため、カンチレバーに沿って設けられた駆動電極(12)と、駆動電極に電圧を印加するための電源(15)と、電源と駆動電極の間の抵抗(14)とを備える。駆動電極に電圧を印加すると、カンチレバーは静電引力により駆動電極に引き付けられ、カンチレバーが駆動電極に接触すると電荷を放電し、カンチレバーは駆動電極から離れることを繰り返し、カンチレバーは自励発振する。駆動電極にかける電圧を変えると、発振周波数が変化する。【選択図】図１
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684
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2008-306848
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H190607
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独立行政法人 宇宙航空研究開発機構
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多軸慣性駆動型アクチュエータ
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A4
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PI02 PB02
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【課題】小型軽量で多次元方向に大きい力で駆動可能な慣性駆動型アクチュエータ及びその製造方法を提供する。【解決手段】慣性駆動型アクチュエータ(10)は、外枠(11)と、外枠の内側の内枠(12)と、内枠の内側の可動重り(15)と、外枠と前記内枠を結合する外側支持バネ(13)と、内枠と可動重りを結合する内側支持バネ(14)と、可動重りと間隔をおいて可動重りの４方に配置された２対のくし歯型の駆動電極(16 17)と、駆動電極と可動重り又は内枠との間に電圧を印加する電源回路(30)とを備え、駆動電極と可動重り又は内枠との間に電圧を印加して、可動重り又は内枠を静電引力により駆動電極に引き付け、慣性力により慣性駆動型アクチュエータ全体を移動させる。くし歯型の駆動電極により、大きな駆動力を得ることができる。【選択図】図１
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685
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2008-307673
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H190618
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トヨタ自動車株式会社
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シリコン構造体のエッチング方法
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A4
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PI02 PC03
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【課題】シリコン層に酸化シリコン層に達する複数のトレンチが形成されているシリコン構造体を対象物とし、酸化シリコン層を均一にエッチングできるエッチング方法を提供する。【解決手段】ベース層２と酸化シリコン層４とシリコン層６が順に積層されているとともに、シリコン層６に酸化シリコン層４に達する複数のトレンチが形成されているシリコン構造体を対象物とする。複数のトレンチ内にＳＯＧを充填した後、ＳＯＧを固化する。次に、固化したＳＯＧ８ａの表面にエッチング液１０を接触させる。固化したＳＯＧ８ａがエッチングされるにつれてエッチング液１０がトレンチの奥へ侵入する。エッチング液１０がトレンチの底面に到達すると、酸化シリコン層４が連続的にエッチングされる。エッチング液１０はトレンチ内に均一に侵入し、酸化シリコン層４は均一にエッチングされる。【選択図】図４
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686
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2008-307686
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H200930
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セイコーエプソン株式会社
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ＭＥＭＳ・半導体複合回路及びＭＥＭＳ素子
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A2
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PI02
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【課題】製造時間の短縮及び製造コストの低減を図る。【解決手段】基板１０上の空間Ｓに配置されたＭＥＭＳ構造体３０と、基板上の絶縁膜と配線の積層構造と、配線上の表面保護膜と、表面保護膜の開口部により配線の一部が露出してなる接続パッドとを有するＭＥＭＳ素子の製造方法であり、少なくとも一部が犠牲層１１上に形成された態様でＭＥＭＳ構造体が形成される工程と、ＭＥＭＳ構造体上及びそれ以外の他の位置に絶縁膜１３，１５が形成される工程と、他の位置の絶縁膜上に配線１４，１６が形成される工程と、配線上に表面保護膜１７，１８を形成する保護膜形成工程と、表面保護膜を部分的に除去して接続パッドを形成すると同時にＭＥＭＳ構造体の上方に開口凹部Ｐを形成する開口工程と、開口凹部を通して犠牲層が除去されることによりＭＥＭＳ構造体がリリースされるリリース工程と、を具備する。【選択図】図３
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687
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2008-309571
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H190613
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株式会社リコー
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磁気センシング装置
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A4
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DDX
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【課題】本発明は、マイクロマシニング技術で作製したマイクロメカニカル構造体において、その可動部に磁気センサを設けて磁気情報を得る磁気センシング装置を提供する。【解決手段】基板１００に連結された可動部１０１の表面に磁気センサ１０２およびアクチュエータ１０３が設けられ、磁気センサ１０２は、検知した信号を読み取るための配線１０４、電極パッド１０５が接続されている。アクチュエータ１０３の作用により、可動部１０１が下方に反り、可動部先端に設けられた磁気センサ１０２が、基板１００の基準面に対してある角度をもって傾斜している。【選択図】図２
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688
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2008-310043
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H190614
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日本信号株式会社
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プレーナ型電磁アクチュエータ
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A4
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DA04
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【課題】プレーナ型電磁アクチュエータの製造コストを上昇させることなく、可動板の大型化を可能にする電磁アクチュエータ構造を提供する。【解決手段】可動板１０を、駆動コイル４を形成したフレキシブルシート１１、剛体の回動板１２及びミラー板１３で構成し、回動板１２中心部の第１の溝部１２ａにトーションバー３の中央部３ｂを貼り付け、トーションバー３の軸部３ｃを回動板１２の第２の溝部１２ｂ内で浮遊状態とする。回動板１２の上面にミラー板１３を組付け、駆動コイル４を形成したフレキシブルシート１１を回動板１２の下面に貼り付けて可動板１０を組み立てる。これにより、可動板１０の中心部にトーションバー３が連結し、可動板１０の下側にトーションバー３を潜り込ませるようにした。【選択図】図３
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689
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2008-310126
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H190615
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国立大学法人 東京大学
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ディスプレイ用マイクロデバイス
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A4
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DAX
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【課題】簡易な構成で小型化、薄型化を図ることができ、かつ生産性を向上させながら信頼性の高いディスプレイ用マイクロデバイスを提供することを目的とする。【解決手段】高真空の中でも蒸発量が少ないシリコンオイルによって液体膨出部12を形成したことで、高真空ＣＶＤ法を用いて、液体状の液体膨出部12の液表面に保護膜13を積層形成できるようにした。かくして簡易な構成で小型化、薄型化を図ることができ、また従来のようにを貼着する煩雑な組立工程を省くことができるので、その分生産性を向上させることができる。さらに、保護膜13を用いていることから、衝撃や重力などによって液体膨出部12が変形してしまうことを防止でき、一段と信頼性の高いディスプレイ用マイクロデバイス１を提供できる。【選択図】図１
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690
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2008-310301
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H200418
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キヤノン株式会社
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揺動体装置、光偏向器、光偏向器を用いた画像形成装置
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A4
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DA02
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【課題】比較的高速且つ正確に揺動体の共振周波数を検知することができる機能を持った揺動体装置を提供する。【解決手段】本発明の揺動体装置は、揺動体と弾性支持部とを少なくとも有する共振駆動可能な振動系10と、揺動体の揺動振幅を検出するための検出手段5と、揺動体を駆動する駆動手段7と、揺動体を駆動するための駆動信号を生成し駆動信号を駆動手段に供給する制御手段6と、を有する。制御手段6は、振動系の共振周波数が掃引する周波数の範囲内に含まれるように駆動信号の駆動周波数を往復掃引して、この往復掃引により得られる揺動振幅値が極大となる少なくとも2つの周波数に基づいて共振周波数を決定し、この共振周波数に基づいて駆動信号を生成する。【選択図】図1
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691
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2008-311225
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H200515
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パナソニック株式会社
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電気機械素子、その駆動方法およびそれを用いた電気機器
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A4
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DB01
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【課題】電気機械素子の接点が離れ難くなる引っ付き現象（スティクション）の発生を回避し低電圧駆動、高速応答性に優れた高信頼性の電気機械素子を提供する。【解決手段】本発明電気機械素子は、基板上に形成された電気機械素子であって、第１の電極１０１とギャップを介して形成された第２の電極１０２と第３の電極１０３を具備し、前記第１の電極と前記第３の電極の間に引力を加えることにより、前記第１の電極は前記第２の電極と接触可能であり、前記第１の電極上に屈曲部１０８を具備した電気機械素子により、従来実現困難であった高信頼性を実現する電気機械素子を実現する。【選択図】図３
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692
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2008-311617
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H200325
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キヤノン株式会社
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ナノ構造体およびナノ構造体の製造方法
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A1
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DF02
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【課題】Ｓｉを含む基板の表面に形成された、深さが２μｍ以上のパターンを有するナノ構造体、及び高アスペクトでナノオーダーのパターンを有するナノ構造体を製造する方法を提供する。【解決手段】Ｓｉを含む基板の表面に形成された、深さが２μｍ以上のパターンを有するナノ構造体であって、前記パターンの表面にＧａ又はＩｎを含み、該Ｇａ又はＩｎの濃度の最大値が前記基板の深さ方向に前記パターンの表面より５０ｎｍ以内に位置しているナノ構造体を構成する。また、その製造方法として、前記Ｓｉを含む基板の表面に集束したＧａイオン又はＩｎイオンを照射して、該基板の表面を削りながらＧａイオン又はＩｎイオンを注入し、該基板の表面にＧａ又はＩｎを含む層を形成し、これをエッチングマスクとしてドライエッチングする方法を構成する。【選択図】図１
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693
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2008-537904
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H180323
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ヴェロシス インコーポレイテッド
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マイクロプロセス技術における表面機能構造部分
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A4
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DC01
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WO2006/102675
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本発明は、流れを改質するための表面機能構造部分を内側に備えるマイクロチャンネルを含むマイクロチャンネル装置に関する。本発明は、前記マイクロチャンネルアーキテクチャを使用する方法及びそうした表面機能構造部分分を有する装置の作製方法が提供される。
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694
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2008-538077
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H180315
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ユニバーシティ オブ シカゴ
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マイクロフルイディックシステム
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A4
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DC01
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WO2006/101851
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本発明は、マイクロフルイディック技術を提供し、フェムトリッターからマイクロリッターまでの尺度での反応に対する迅速かつ経済的な操作可能にする。本発明は、非常に多くの数の反応、例えば結晶化またはアッセイを平行して行い、迅速かつ経済的な反応を可能にする方法を提供する。本発明は、タンパク質、生体分子、生体分子と束縛リガンドとの錯体などの結晶化に特に良く適している。本発明は、結晶の回折の質に関する直接的なテストを可能にする。本発明はまた、コンビナトリアルケミストリの分野に適用可能であり得、反応速度および反応生成物の両方のモニタリングを可能にする。
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695
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2008-538319
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H180413
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ギロス・パテント・エービー
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分離用構造体
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A4
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DC01
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WO2006/110097
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(Ａ)(i)液体の入り口I(５)と、(ii)前記液体の入り口I(５)よりも低位にあり、分離用マイクロキャビティ(４)の底部(８)の部位と最上部(７)の間の中間の部位にあり、それによって、分離用マイクロキャビティ(４)を下方部分(４b)と上方部分(４a)に分割する中間の部位にある液体出口(６)と、(Ｂ)液体出口I(６)に直接接続された入り口端部(１６)と入り口端部(１６)よりも低位にある出口端部(１８)とを有する液体搬送用マイクロ管I(１７)とを備える機能ユニットとが内部に存在する親和性マイクロチャンネル構造体(２)を含むマイクロ流体装置(１)。回転することができ、それによって、液体を出口部I(６)およびマイクロ管I(１７)を通す下流への搬送を駆動することを可能とする遠心力を創り出す。【選択図】図２
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696
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2008-538328
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H180424
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テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
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静電駆動される非接触式ＭＥＭＳデバイス
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A4
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DA04
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WO2006/116282
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静止摩擦を低減したマイクロ機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス（２００）が提供されている。このＭＥＭＳデバイスは、基板に形成された中心電極（２１６）と、一対の外側電極（２２０）とを含む。中心電極は複数の延長部を備え、これら延長部は当該延長部（２１８）に散在した複数の溝（２２１）を形成している。外側電極は中心電極の溝内に配置された複数の延長部を含む。
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697
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2008-539090
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H180425
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アビザ テクノロジー リミティド
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マイクロ流体構造およびその製造方法
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A4
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DC01 PI02 MEX
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WO2006/114596
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能動流体デバイス（４）を含む第一の層（１）、デバイス（４）を流体源および／または出口および／または他のデバイスに連結するための１つの相互連結流路（６）を含む第二の層（３）、およびデバイス（４）と相互連結流路（６）間の流体通路を定める少なくとも１つのビア（５）を定める中間層（２）を含むマイクロ流体構造であって、ここでデバイス（４）および相互連結通路（６）を通る流路が概して平行である。
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698
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2008-539455
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H170928
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マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット
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相互に直角の偏向可能な反射面と電極面とを有する超小型電気機械装置
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A4
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DA04 DAX
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WO2006/114127
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本発明は少なくとも１ピクセル素子１３２を有する超小型電気機械装置に関するものである。前記ピクセル素子１３２は、支持構造物１３４、該支持構造物に支持された少なくとも１つの偏向可能な反射面１３５、少なくとも１つの偏向可能な電極面１４６，１４８を含んでいる。電極面１４６，１４８は、前記偏向可能な反射面と事実上直角であり、ピクセル素子１３２間に配置された直立バー１６０，１７０によって静電引き付け可能であり、しかも、前記直立バーは、前記ピクセル素子１３２の傾斜軸線の第２側に比して、前記ピクセル素子１３２の傾斜軸線の第１側で前記電極面１４６，１４８の、より大きな部分を引き付ける。本発明は、また超小型電気機械装置の操作方法に関わるものである。
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699
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2008-539666
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H180421
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アナログ デバイシス， インコーポレイテッド
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マイクロ機械加工されたマイクロフォンおよびマルチセンサ、ならびにそれらを生産する方法
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A3
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DD01 DD07 PI02
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WO2006/116017
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マイクロフォンが、シリコンウェハまたはＳＯＩウェハから形成される。マイクロフォン用の固定感知電極が、ウェハの上面シリコン層から形成される。様々なポリシリコンのマイクロフォン構造が、少なくとも１つの酸化物層を堆積させ、構造を形成して、上面シリコン層を介して形成されたトレンチを介して、上面シリコン層の裏側から構造の下にある酸化物の一部を除去することによって、上面シリコン層の表側上に形成される。トレンチは、音波が、上面シリコン層の裏側からダイヤフラムに到達することを可能にする。ＳＯＩウェハにおいて、空洞が、底面シリコン層および中間酸化物層を介して形成されて、酸化物の除去および音波のダイヤフラムへの到達を可能にすることの両方のためにトレンチを露出させる。慣性センサが、同一のウェハ上に形成され得、様々な慣性センサが、実質的に同時に、対応するマイクロフォン構造と実質的に同一の工程を用いて形成される。
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700
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2008-540109
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H180511
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コミサリア、ア、レネルジ、アトミク
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ナノチューブで満たされた通路を有するマイクロ流体素子及びその製造方法
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A1
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DC01 MI05
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WO2006/122697
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上部壁（６）と、底部壁（３）と、２個の対向する側壁（４、５）とにより区画される少なくとも一個の通路（２）を備えてなるマイクロ流体素子。通路（２）の上部壁（６）と底部壁（３）の間隔（Ｐ）は２５マイクロメートル以上であり、該素子は、接触表面と有効体積の比が特に高く、全体的な表面サイズが限られるように、第一および第二セットのナノチューブ（９ａ、９ｂ）が、それぞれ２個の対向する側壁（４、５）により支持されている。さらに、２個の対向する側壁（４、５）の間隔は、約数マイクロメートル、好ましくは３〜５マイクロメートルである。
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701
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2008-541420
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H180421
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エヌエックスピー ビー ヴィ
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統合減結合コンデンサを有する容量性ＲＦ−ＭＥＭＳ装置
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A4
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DB01 PI02
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WO2006/117709
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本発明は、縦方向に統合される減結合コンデンサ(デカップリングキャパシタ)(14)を備える容量性のRF-MEMS装置を提供する。減結合コンデンサ(14)は従って余分な領域(面積)を取らない。さらに、本発明に従うRF-MEMSはより一層少ない相互接続しか必要とせず、それはまた、空間を節約し、及びそれはRF路(path)における連続するインダクタンス/抵抗を減らす。
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702
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2008-542051
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H180524
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レイセオン カンパニー
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ＭＥＭＳ装置における誘電体の帯電を減少させる方法及び装置
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A4
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DB01 PI02
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WO2006/130400
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微小電気機械システム(MEMS)素子は、基板の外側に設けられているドーピングされた半導体層を有する。そのMEMS素子は、そのドーピングされた半導体層の外側に設けられ、かつそれと接している絶縁層をさらに有する。MEMS素子はまた、ある距離をおいてその絶縁層の上に設けられている導体膜をも有する。その距離は、導体膜と絶縁層との間の空気ギャップを画定する。その導体膜は、適切な電圧がその導体膜とそのドーピングされた半導体層との間に印加されるときに、その絶縁層と接するように動作することができる。一の特別な実施例では、そのドーピングされた半導体層と絶縁層とは、組み合わせられることで、その絶縁層によって与えられる余分な電荷を消散させる経路を供するように機能する。
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703
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2008-542743
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H180605
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スピンエックス インコーポレイテッド
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流体のプログラム可能な微小スケール操作のための計量計
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A4
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DC01 PJX
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WO2007/057788
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本発明は、一般には、プログラム可能な方法で、中規模流体素子における流体の流れを制御するための装置および方法に向けられている。特に、本発明は、両方とも外部から定義される任意の位置および時間において、二つの微小流体素子を流体連通の状態に置くための装置および方法に向けられている。本発明の装置は、電磁気放射線を使用して、選択された吸収特性を有する材料層に穿孔を形成する。この材料層の穿孔は、微小流体素子の間の流体連通を可能にし、流体容積の定量化を可能にする。材料層の穿孔を使用することにより、計量および多重化のような機能が微小スケールで達成される。この機能は、定量容器の充填、定量容器の抽出、定量容器の通気、およびチャンネルルーティングのような基本的動作を介して達成される。従って、これらの動作は、微小流体プラットホームにおいて実施され且つ広範に特徴付けられ、小型化されたフォーマットでの複雑なアッセイの実現を可能にし、ここではタンパク質の希釈およびアッセイ読出しを、極めて小さい設置面積で行うことができる。【選択図】図１３
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704
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2008-542749
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H180531
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ギロス・パテント・エービー
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スピナーホームシーケンス
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A4
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DC01
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WO2006/130111
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本発明は、マイクロ流体システムで使用されるタイプのマイクロ流体装置上のホーム位置マークのセットによってマイクロ流体装置のアイデンティティとホーム位置を決定する方法に関する。前記方法は、マイクロ流体装置がマーク識別子について走査されるマイクロ流体装置の走査相と、ホームマークのセットの少なくとも１つの特徴的な特性が決定され、マイクロ流体装置のアイデンティティを識別するために使用されるマイクロ流体装置の識別相と、ホーム位置が前記識別相の期間中に識別されたホーム位置マークの少なくともサブセットの使用により決定されるホーム位置決定相とを含んでいる。本発明はホームマークのセット、このようなホームマークのセットを搭載するマイクロ流体装置、マイクロ流体システム、コンピュータプログラムプロダクト、コンピュータの使用可能な媒体におけるコンピュータプログラムに関する。【選択図】図３
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705
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2008-542843
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H180601
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クアルコム，インコーポレイテッド
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内部分極を伴うインターフェロメトリックモジュレータおよび駆動方法
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A4
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DAX
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WO2006/132941
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本発明の１つの実施形態では、インターフェロメトリック光変調デバイス内において内部双極子モーメントを形成する方法が開示される。特定の実施形態では、該方法は、インターフェロメトリック光変調デバイスの誘電体層に熱および電場を加えることを含む。該方法を実施される前は、誘電体層は、可動電荷を有する、またはランダムな双極子を含む。しかしながら、該方法を実施された後は、これらのランダムな双極子は、概ね揃えられ、その結果、誘電体層内に、一定の双極子モーメントが誘起される。電場は、誘電体層内に双極子モーメントを形成し、熱は、更なる活性化エネルギを供給することによってプロセスの速度を増大させる働きをする。誘電体層内に双極子モーメントを誘起されると、インターフェロメトリック光変調デバイスの作動に必要とされる電圧の少なくとも一部を提供する内部電圧源を得ることができる。誘起された双極子モーメントは、また、動作中にデバイス内で制御不能な電荷シフトが生じる可能性を低減させる。
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706
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2008-542849
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H180606
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ビーテンド リミテッド
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ＭＥＭＳ装置、傾斜マイクロミラー、光制御方法及びミラー形成方法
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A4
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DA04
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WO2006/131916
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光ビームを走査するＭＥＭＳ装置は、二重活性層シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）基板に形成された、ミラー回転軸の周りにおいて最大の回転角まで回転運動を行うミラーを備える。ＭＥＭＳ装置は、バウンス現象を起こさせ、回転運動を逆転させるバウンス機構を備えていてもよい。バウンス現象により、ミラーは、本質的に非線形力によって駆動される区分線形応答を行う。特定の実施の形態においては、バウンス機構は、二重活性層ＳＯＩ基板内の同じ活性層に形成された垂直櫛歯駆動ステータを備え、アクチュエータ櫛歯駆動ステータは、他の活性層に形成される。
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707
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2008-543594
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H180428
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フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
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パッケージレベルでキャップ付きのＭＥＭＳ用の基板接点を構築する方法
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A4
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DB01 PJ03
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WO2007/001617
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ハンドル層（１０８）とハンドル層（１０８）の上に載っているキャップを備えている基板（５００）から微小電子機械システム（「ＭＥＭＳ」）装置（１００）を形成するための方法が提供されている。或る代表的な実施形態では、本方法は、基板（５００）を貫いて切断して基板（５００）を第１ダイ（１４８）と第２ダイ（１５０）に分離する段階であって、第１ダイ（１４８）が第１側壁（１３８）を有している、段階と、導電材料（１８２）を第１側壁（１３８）の上に堆積させてキャップ（１３２）をハンドル層（１０８）と電気的に連結する段階を含んでいる。【選択図】図１
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708
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2008-543597
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H180427
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ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
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マイクロマシニング型の構成エレメントを製造する方法ならびにマイクロマシニング型の構成エレメント
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A4
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PI02
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WO2007/000363
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本発明を用いて、基板に空洞を製作するためのマイクロマシニング法もしくは該方法により製造されたマイクロマシニング型の構成エレメントが提案される。当該方法では、第１のステップで第１の層が基板上または基板内に形成される。引き続き、第１の層に少なくとも１つの第２の層が被着される。この第２の層内には、進入孔が形成される。この進入孔を通じて、第１の材料および基板の材料を溶出させることができるので、第２の層の少なくとも一部の下方で基板に空洞が形成される。この空洞上方の前記第２の層は次いでダイヤフラムとして使用され得る。しかしさらに、第２の層に別の層を析出させ、この層と第２の層の全体でダイヤフラムを形成することも可能である。本発明の本質は、第１の層の材料の溶出によって第１の層に、基板と第２の層との間の設定可能な所定の角度を有する移行縁部が形成されるように第１の層の材料を選択することにある。
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709
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2008-543721
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H190816
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アイユーシーエフ−エイチワイユー（インダストリー−ユニバーシティ コーオペレーション ファウンデーション ハンヤン ユニバーシティ）
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単結晶炭化ケイ素ナノワイヤー、その製造方法及びそれを含むフィルター
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A1
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MI06
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WO2008/018782
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単結晶炭化ケイ素ナノワイヤー、及びその製造方法を提供する。本発明による単結晶炭化ケイ素ナノワイヤーは、アスペクト比が非常に大きく、各種表示装置及び分析装置に使われる電子銃用エミッターまたはＭＥＭＳのプローブチップのようなナノ電子デバイスに適用可能である。さらに、前記ナノワイヤーを備えるフィルターを提供する。本発明によるフィルターは、自動車エンジン排ガスフィルターなどに容易に適用し、フィルター能及び寿命を増加させる。
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710
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2008-544513
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H180613
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ヴェーテーイー テクノロジーズ オサケユキチュア
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微小機械モーションセンサーを製造する方法、および、微小機械モーションセンサー
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A4
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DD01 DD02 PGX PJ03
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WO2006/134233
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本発明は、加速度、角加速度、または、角速度といった、物理量の測定において用いられる測定装置に関し、より正確には、微小機械モーションセンサーに関する。本発明によるモーションセンサーのコンポーネントのウエハー平面内の領域は、ダイシング切断されて９０゜回転されたモーションセンサーのコンポーネントの領域よりも小さい。それに対応して、本発明によるモーションセンサーのコンポーネントは、９０゜回転された該コンポーネントの高さは、接合の方向では、接合されたウエハーによって形成されるウエハー積層体の厚さよりも小さい。本発明の目的は、微小機械モーションセンサーの改善された製造方法を提供すること、および、微小機械モーションセンサーを提供することであり、小さい微小機械モーションセンサーの解決策での使用には特に好適なものである。【選択図】図３
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711
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2008-544867
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H180627
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コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
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ＭＥＭＳ素子の製造方法
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A4
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PI02
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WO2007/004119
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デバイス（100）は、第一表面（1）とそれと反対側の第二表面（2）とを有する半導体材料から成る基板（10）、及び固定電極（52）と空洞（30）内にある可動電極（51）とを備えた微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）素子（50）を有する。電極（51、52）の一方は基板（10）内に形作られている。可動電極（51）は、第１の離隔位置と第２の位置との間で固定電極（52）に対して近付いたり離れたりする方向に移動可能である。空洞（30）は、基板（10）の第二表面（2）で露出された基板（19）内の開口（18）によって開かれている。空洞（30）は、横方向で該空洞（30）を実質的に囲む基板（10）内の少なくとも１つのポスト（15）によって定められた高さを有する。
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712
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2008-545333
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H180519
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ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング
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ＭＥＭＳ共振器アレイ構造ならびにその動作および使用方法
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A4
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DB02
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WO2007/005132
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機械的に結合されたＭＥＭＳ共振器１０２ａ、ｂ、ｃ、ｄがＮｘＭのアレイで配列される。各共振器は直線状の細長いビーム部分１０６ａ、ｂ、ｃ、ｄを含む。各々の細長いビーム部分は湾曲部分１０８ａ、ｂ、ｃ、ｄを介して末端で他の細長いビーム部分に連結され、それによって幾何形状（例えば丸みの付いた正方形）を形成する。各共振器は、隣接する共振器の細長いビーム部分の間に配置されてもよい共振器結合部分１０４を介してアレイの少なくとも１つの別の隣接する共振器に機械的に結合される。共振器は同じ周波数で伸長（もしくはブリージング）モードと曲げモードとの組合せで発振する。アレイの共振器は湾曲部分にノーダルポイント１１４（すなわち共振器の発振中に静止している、共振器の部分）を含んでもよい。ノーダルポイントは共振器をアンカー結合するのに好ましい位置である。【選択図】図６Ｃ
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713
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2008-545531
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H180526
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コーニング インコーポレイテッド
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一体化された管状構造体を備えたマイクロ流体デバイス
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A4
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DC01
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WO2006/130513
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内部に画成されたミリメートルまたはミリメートル未満の大きさの１本または複数本の流体通路を有する耐熱性材料からなる１個の本体、および本体内に埋め込まれた耐熱性材料からなる少なくとも１本のチューブを備え、該チューブがミリメートル未満の通路を内部に備えかつ第１および第２の端部を備えたマイクロ流体デバイスが開示されている。上記チューブは、必須ではないが上記本体の材料よりも高い軟化点を有する材料からなることが望ましい。上記チューブは、その長さの途中またはその一端において、狭められた部分または引き伸ばされた部分を随意的に備えて、極めて微細な構造を提供する。焼成または焼結されて上記デバイスを形成する耐熱材料からなる層内に上記チューブを収容する凹部または孔を成形することによって、チューブは上記層に組み付けられかつ焼成または焼結されて、固結された耐熱性マイクロ流体デバイスを形成する。
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714
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2008-545542
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H180531
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メアーズ テクノロジーズ， インコーポレイテッド
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超格子を有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）素子、及び関連方法
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A1
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DFX PJX
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WO2006/130665
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微小電気機械システム(MEMS)素子は、基板及び該基板によって支持されている少なくとも1の可動部を有して良い。前記少なくとも1の可動部は、各々が複数の層からなる複数の群を積層した状態で有する超格子を有して良い。その超格子の複数の層からなる群の各々は、基本となる半導体部分を画定する複数の積層した基本となる半導体分子層、及び隣接する基本となる半導体部分の結晶格子に内部に束縛された少なくとも1の非半導体分子層を有する。
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715
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2008-545937
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H180602
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ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
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マイクロバルブパッケージアセンブリ
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A4
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DC02
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WO2006/132929
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マイクロバルブまたはマイクロバルブのアセンブリを環境から保護するのを助けることができるマイクロバルブアセンブリ。そのようなマイクロバルブアセンブリは、ガスを放出するかつ／または別の形で中に入れられる静電作動マイクロバルブの性能を低下させる可能性のある接着剤および／または他の材料の使用なしで、機械的に組み立てることができる。特に、マイクロバルブアセンブリは、基台取付具（１６）、基台取付具に取り付けられるように構成されるクランプ取付具（１０）、および基台取付具とクランプ取付具の間に配設される静電作動マイクロバルブ（１２）を含むことができる。クランプ取付具は基台取付具に機械的に取り付けることができる。【選択図】図１
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716
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2008-546207
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H180524
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エプコス アクチエンゲゼルシャフト
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電気的素子および製造方法
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A4
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PHX
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WO2006/131216
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高感度の素子構造体（Ｂ５１，Ｂ５２）を有する表面実装型の電気的素子を提案する。この電気的素子は、２つの基板（５１，５２）の表側に構成される。これらの基板は表側で相互に対向して接続されており、その際には、前記素子構造体（Ｂ５１，Ｂ５２）に対して空洞（ＡＮ）が形成される。すべての素子構造体（Ｂ５１，Ｂ５２）に対する電気的な外部端子（ＡＡ）は両基板のうち１つの表面上に設けられており、とりわけ、上方の基板の裏面または下方の基板の表側に設けられている。両基板間に、適切に構造化された中間層（ＺＳ）が配置されており、該中間層はスペーサとしても、空洞ケーシングを封止するためにも使用される。
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717
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2008-546243
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H180503
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ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング
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マイクロ電気機械的共振器構造及びその設計方法、作動方法、及び使用方法
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A4
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DB02
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WO2006/124303
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【課題】直線状の又は実質的に直線状の複数のビーム区分と、これらのビーム区分を連結する湾曲区分とを含むマイクロ電気機械的共振器構造を提供する。【解決手段】細長いビーム区分の各々は、先端が、湾曲区分を介して別の細長いビーム区分に連結されており、これによって、湾曲区分によって相互連結された少なくとも二つの細長いビーム区分を持つ幾何学的形状（例えば、丸みのある三角形形状、丸みのある正方形又は矩形形状）を形成する。構造は、一つ又はそれ以上の節点又は節領域（共振器構造の振動中に定置であり、ほとんど動かず、及び／又は実質的に定置の共振器構造の部分）を、構造の湾曲区分の一つ又はそれ以上の部分又は領域に含む。これらの節点は、共振器構造を基材に固定するのに適した及び／又は好ましい位置である。作動では、共振器構造は、伸長（即ちブリージング）モード及びベンディングモードの組み合わせで振動する。即ち、ビーム区分（同じ周波数で振動する）は、伸長様（即ちベンディング様）動作及びベンディング様動作を行うのである。【選択図】図１
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718
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2008-546542
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H180518
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プレジデント・アンド・フエローズ・オブ・ハーバード・カレツジ
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マイクロ流体ネットワークにおける伝導通路、マイクロ回路、マイクロ構造の製造
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A4
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DC01 PJ08 ME08 MEX
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WO2007/061448
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本明細書に開示されるのは、さまざまマイクロ流体デバイス、およびかかるデバイスを金型として形成される、固体であり通常は導電性のデバイスである。一部の実施例では、形成されるデバイスは、１つ以上のマイクロ流体チャネルに存在する液体金属を固化することにより形成される伝導通路を備える。一部の実施例では、マイクロ流体チャネルに形成される固体金属線／伝導通路は、マイクロ流体構造内に含まれたままであってよい。一部のかかる実施例では、形成された伝導通路は、流動流体を運搬する構造の他のマイクロ流体チャネルの近接に位置して、それにより伝導通路が、流動流体および／またはそれに含まれる、またはそれにより運搬される構成要素と相互作用する、および／またはそれに作用するエネルギー（電磁および／または熱エネルギーなど）を産生できてよい。
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719
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2008-546553
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H180613
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フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
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キャップを備えたＭＥＭＳ用基板コンタクト及び同基板コンタクトをウェハレベルにて形成する方法
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A4
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DD01 PJ03
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WO2007/001856
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ＭＥＭＳ装置１００が提供され、同装置１００は側壁１３８を有するハンドル層１０８と、同ハンドル層１０８を覆うキャップ１３２と、を含み、同キャップ１３２は側壁１３８を有し、かつ導電性材料１３６が同キャップの側壁１３８及び同ハンドル層の側壁１３８の少なくとも一部に堆積され、それにより同ハンドル層１０８と同キャップ１３２とが電気的に接続される。ハンドル層１０８と同ハンドル層１０８を覆うキャップ１３２とからなる基板３００からＭＥＭＳ装置をウェハレベルにて製造する方法も提供される。同方法は、第一の側壁１３８を形成するためにキャップ１３２と基板３００の少なくとも一部とを貫通する第一の切断部を形成する工程と、同第一の側壁１３８に導電性材料１３６を堆積させて、同キャップ１３２と同基板３００とを電気的に接続させる工程と、を含む。
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720
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2009-000685
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H200909
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アプレラ コーポレイション
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微小流体サイズ排除デバイス、システム、および方法
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A4
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DC01
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【課題】微小流体デバイス、アセンブリおよびシステム、同様に、流体の微小サイズのサンプルを操作するための方法が提供される。【解決手段】微小流体デバイス（４９８）の例示的な実施形態は、カラム（４０６）に配置されたフィルタフリット材料（４１２）を含む。このフィルタフリット材料（４１２）は、ゲル濾過材料（４１８）を保持するチャンバ（４１３）を備える。この微小流体デバイス（４９８）は、基材（４００）、投入開口（４０２）、第１のチャネル（４０４）、第２のチャネル（４０８）、排出開口（４１０）、ならびに第１および第２のカバー（４１４、４１６）を備える。複数の特定の処理特徴を有する微小流体デバイスもまた、提供される。【選択図】なし
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721
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2009-000759
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H190620
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セイコーエプソン株式会社
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構造体の製造方法、支持基板および電子機器の製造方法
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A4
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PGX
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【課題】被処理基板と支持基板との効果的な接合方法を提供する。【解決手段】被処理基板（１１）の第１面に、強磁性体膜（１５）を形成する工程と、第１面に磁性材料（２３）を有する支持基板（２１）の前記第１面と前記強磁性体膜（１５）とを接合する工程と、前記被処理基板（１１）に前記支持基板（２１）を接合した状態で、前記被処理基板（１１）の第２面に処理を施す工程と、を有する構造体の製造方法とする。被処理基板の第１面に、磁性材料を形成し、第１面に強磁性体膜を有する支持基板と接合してもよい。かかる方法によれば、被処理基板と支持基板を磁力により接合することができ、接着剤を用いることによる問題を解消することができる。【選択図】図２
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722
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2009-002978
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H190619
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コニカミノルタオプト株式会社
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マイクロスキャナ及びそれを備えた光走査装置。
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A4
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DA02
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【課題】変動部と可動枠とを連結する結合部の湾曲性を向上させることにより、変動部の回転角を大きくするとともに応力による結合部の破損を防止可能なマイクロスキャナ及びそれを備えた光走査装置を提供する。【解決手段】ミラー部３は、主軸部４ａ、４ｂにより可動枠５ａ、５ｂに支持されており、ユニモルフ駆動部６ａ、６ｂは、可動枠５ａ上に主軸部４ａを挟持するようにして形成され、ユニモルフ駆動部６ｃ、６ｄも可動枠５ｂ上に主軸部４ｂを挟持するようにして形成される。そして、ユニモルフ駆動部６ａと６ｂの間、及びユニモルフ駆動部６ｃと６ｄの間の領域は、主軸部４ａ、４ｂの一端と繋がる結合部７となっている。結合部７には、ミラー回転軸（Ｘ軸）と平行な溝部８１、８２から成る屈曲部８が設けられている。【選択図】図３
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723
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2009-003429
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H200512
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パナソニック株式会社
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アクチュエータ
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A4
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DA04
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【課題】アクチュエータを安定して動作させる。【解決手段】本発明のアクチュエータ１は、可動部５と、可動部５を支持する固定部１０と、可動部５を駆動する駆動電極部８および９と、可動部５と固定部１０との間に働く斥力を発生させる斥力発生部６とを備える。斥力発生部６は、固定部１０のうちの可動部５と対向する位置に設けられている。斥力発生部６の少なくとも一部は、ヒンジ７よりも可動櫛型電極９側に位置する可動部５の端部と対向している。可動部５と斥力発生部６とに同じ駆動電圧を印加することで、斥力が発生する。斥力は、可動部５の平面方向に垂直な軸を中心とする可動部５の回転を抑制する方向に働く。【選択図】図１
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724
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2009-003454
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H200620
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三星電機株式会社
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温度制御可能な光変調器モジュール及び温度センサ
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A4
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DA04
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【課題】温度による光変調器の誤作動を除去でき、かつ光変調器モジュールに電源印加直後に光変調器の動作を速やかに安定化することができる、マイクロヒータを備えた光変調器モジュールを提供する。【解決手段】本発明による光変調器モジュールは、光源から入射された光を変調して出射する光変調器と、前記光変調器に設けられるマイクロヒータと、を備えることを特徴とする。【選択図】図３
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725
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2009-004540
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H190621
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大日本印刷株式会社
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ＭＥＭＳ等のチップおよびその作製方法
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A4
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DD01 DD02 PGX PJ03
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【課題】作業性を向上して製造コストを低減する。【解決手段】チップ（７Ａ〜７Ｉ）としての素子（１Ａ〜１Ｉ）と、素子（１Ａ〜１Ｉ）と隣接する隣接部（１Ａ〜１Ｉ）とが配列された第１の基板（１）と、第１の基板（１）を挟むようにして配設され、第１の基板（１）と接合された第２の基板及び第３の基板（２、３）と、を含むチップ配列体（６）を用意し、素子（１Ａ〜１Ｉ）と隣接部（１Ａ〜１Ｉ）の間において第２の基板及び第３の基板（２、３）を切断する。【選択図】図４
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726
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2009-004643
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H190622
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株式会社船井電機新応用技術研究所 独立行政法人産業技術総合研究所 船井電機株式会社
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スイッチング素子
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A1
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DB01
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【課題】スイッチング素子の動作電圧を低下させる。【解決手段】スイッチング素子１００において、絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０の一面に設けられた第１電極２０及び第２電極３０と、第１電極２０と第２電極３０との間に設けられ、第１電極２０と第２電極３０との間への所定電圧の印加により抵抗のスイッチング現象が生じる間隙を有する電極間間隙部４０と、を備え、絶縁性基板１０の当該一面に窒素を含有させるよう構成した。【選択図】図１
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727
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2009-005536
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H190625
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独立行政法人産業技術総合研究所
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カーボンナノチューブを用いた高強度、高導電性薄膜およびアクチュエータ素子製造方法
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A1
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DFX MI04
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【課題】性能の向上したアクチュエータを提供する。【解決手段】以下の工程を含むことを特徴とするアクチュエータ素子の製造方法工程１：カーボンナノチューブ、およびイオン液体、ポリマー、溶媒を含む分散液を低速ボールミル法と高速ボールミル法をこの順に行なうことからなる２段階ボールミル法により調製する工程；工程２：ポリマーおよび溶媒、必要に応じてさらにイオン液体を含む溶液を調製する工程；工程３：工程１の分散液を用いる導電性薄膜の形成と工程２の溶液を用いるイオン伝導層の形成を同時にあるいは順次行い、導電性薄膜層とイオン伝導層の積層体を形成する工程（ここで、導電性薄膜層とイオン伝導層の形成は、塗布、印刷、押し出し、キャスト、または、射出により行う。）【選択図】なし
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728
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2009-006428
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H190627
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住友精密工業株式会社
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密閉空間内に形成されたゲッター膜を備えたＭＥＭＳデバイス
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A4
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PHX
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【課題】密閉空間内に形成されるＭＥＭＳデバイスの性能を維持しつつ、その密閉空間の容積の低減と製造プロセスの簡略化を図る。【解決手段】ガラス基板の凹部３４，３６ａ，３６ｂ，３６ｃで形成される密閉空間内のＭＥＭＳデバイスが、可動部（例えば、リング，サスペンション）と固定部（例えば、一次振動検出用電極）を備えた振動子１０であり、かつ前記固定部のみの表面上に形成されたゲッター膜４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄを備える。【選択図】図３
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729
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2009-006431
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H190627
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住友精密工業株式会社
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ゲッター膜を有する密閉空間内に形成されたＭＥＭＳデバイス
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A4
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PG01 PHX
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【課題】密閉空間内に形成されるゲッター膜が形成されたＭＥＭＳデバイスにおいて、ゲッター膜に起因する電気的なノイズの影響を防ぐ。【解決手段】密閉空間内３４に形成されたＭＥＭＳデバイス１００であって、密閉空間３４が、凹部３６ａ等が一部に形成された第１ガラス基板３０と、ＭＥＭＳデバイスの母材１０と、密閉空間３４の一部となる貫通孔３７が形成された第２ガラス基板３１と、連続の又は非連続のゲッター膜４０が形成された第３ガラス基板３２によって形成されている。さらに、第２ガラス基板３１と第３ガラス基板３２の間にゲッター膜４０の一部４０ａが挟まれている。これにより、ゲッター膜４０とＭＥＭＳデバイス１００の電極との十分な距離が確保されるため、デバイスの動作時であっても、電気的なノイズがゲッター膜４０を介してＭＥＭＳデバイスの検出用又は駆動用の電極に入り込まなくなる。【選択図】図３
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730
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2009-006453
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H190629
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富士通株式会社
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マイクロ構造体製造方法およびマイクロ構造体
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A4
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DA04 DD01 DD02 PB02
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【課題】材料基板表面に生ずる凹部の深さを抑制しつつ導電プラグを埋め込み形成するのに適したマイクロ構造体製造方法、および、これによって得られるマイクロ構造体を提供する。【解決手段】導体層１１，１２と絶縁層１３とからなる積層構造を含む材料基板１０に加工を施すことによってマイクロ構造体を製造するためのものである。導体層１１内をその厚さ方向に延びる細空間部１６と、細空間部１６に連通する閉端側空間部１７と、閉端側空間部１７とは反対の側において細空間部１６に連通し且つ細空間部１６よりも幅広である開端側の拡幅空間部１５と、を有するホールＨ１を形成するための工程と、ホールＨ１内に導体材料１８’を堆積させるための工程と、ホールＨ１内に堆積された導体材料１８’における、ホール開端側にて外部に露出する端部１８ａを、平坦化するための工程とを含む。【選択図】図１
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731
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2009-006471
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H200602
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アオイ電子株式会社
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ナノピンセットおよび把持方法
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A1
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DFX
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【課題】アームが物体に接触したことを感度良く検出することができるナノピンセットの提供。【解決手段】ナノピンセットは、開閉自在な一対のアームと、開閉駆動電圧が印加され、一対のアームの少なくとも一方を開閉駆動する静電アクチュエータ６と、静電アクチュエータ６が有する電気的等価回路を帰還回路として用いることにより自励発振させ、その自励発振によりアームを振動させる増幅器９１と、アームの物体への接触による振動の変化を検出する振動変化検出部９３とを備えたことを特徴とする。【選択図】図７
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732
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2009-006479
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H200930
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セイコーエプソン株式会社
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ＭＥＭＳ素子およびその製造方法
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A4
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DB05 PI02
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【課題】１つの設計によるＭＥＭＳ素子で、特性値を可変可能で、可変後の特性値を維持可能なＭＥＭＳ素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】フローティングゲート２の他に、可動電極でもある可動部１３を駆動する駆動電極１６を備えているので、フローティングゲート２に電荷を注入し可動部１３との間に静電気力を生じさせた状態で可動部１３を可動できる。したがって、ＭＥＭＳ素子１０は力が加わった状態で可動状態に応じた特性値を有する。フローティングゲート２に注入する電荷量は調整できるので、注入した電荷量に応じて可動部１３に加わる力も可変でき、ＭＥＭＳ素子１０の特性値も可変できる。フローティングゲート２に注入した電荷量が変化しない限り、ＭＥＭＳ素子１０の特性値を維持できる。【選択図】図５
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733
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2009-008671
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H200602
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アオイ電子株式会社 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社
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ピンセット付き走査型プローブ顕微鏡および搬送方法
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A4
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DFX
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【課題】ピンセットの基板への接触、試料の把持検出、試料の形状測定ができるピンセット付き走査型プローブ顕微鏡の提供。【解決手段】ピンセット付き走査型プローブ顕微鏡は、探針部が形成された第１のアームと、第１のアームに対して開閉自在に設けられた第２のアームと、開閉駆動電圧が印加され、第２のアームを開閉駆動する静電アクチュエータと、静電アクチュエータ６が有する電気的等価回路を帰還回路として用いることにより自励発振させ、その自励発振により第２のアームを振動させる増幅器９１と利得調整手段９５を有し、第２のアームの物体への接触による振動状態の変化を検出する振動状態検出部９３とを備える。【選択図】図７
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734
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2009-009884
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H190629
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三菱電機株式会社
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ＭＥＭＳスイッチ及びその製造方法
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A4
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DB01 PI02
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【課題】スイッチング特性と信頼性を向上させるＭＥＭＳスイッチの製造方法、及びＭＥＭＳスイッチを提供することを目的とする。【解決手段】ＭＥＭＳスイッチを構成する可動電極５と吸引電極４との間に設けられる犠牲層を、互いに異種材料にてなる第１犠牲層８及び第２犠牲層９にて分割形成すると共に、両者が重なり合う領域を設ける。【選択図】図２
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735
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2009-010027
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H190626
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三洋電機株式会社 三洋半導体株式会社
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半導体集積回路
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A2
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DB01
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【課題】半導体集積回路の静電気に対する耐圧を向上させる。【解決手段】信号が入力又は出力されるパッドと、信号が入力又は出力される回路と、パッド及び回路の間に介在し、回路を動作させるための電源が投入されるとパッド及び回路を接続し、電源が投入されないとパッド及び回路を切断するスイッチ素子と、を備えてなる半導体集積回路。【選択図】図１
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736
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2009-010323
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H200222
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ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー．
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電子デバイスパッケージとその形成方法
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A4
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PHX MA01
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【課題】光電子デバイス、ＩＣ又はＭＥＭＳデバイスなどの電子デバイスを１つ以上含んでいる密封パッケージの電子産業に応用される電子デバイスパッケージとその形成方法を提供する。【解決手段】電子デバイスパッケージは、基体４に取り付けられた電子デバイス２８と、導電性ビア１８と、この基体上の局所的に薄くされた領域を含む。【選択図】図１１
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737
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2009-012082
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H190629
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富士通株式会社
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マイクロ揺動素子およびマイクロ揺動素子アレイ
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A4
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DA04 DD01 DD02
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【課題】揺動部の重量バランスをとるのに適したマイクロ揺動素子、および、そのようなマイクロ揺動素子を含むマイクロ揺動素子アレイを、提供する。【解決手段】本発明のマイクロ揺動素子Ｘ１は、フレーム２１と、可動機能部１１、当該可動機能部１１に連結する駆動電極１２、および可動機能部１１とは反対の側において駆動電極１２に連結する錘部１４、を有する揺動部１０と、フレーム２１および揺動部１０を連結して当該揺動部１０の揺動動作の軸心Ａ１を規定する連結部２２と、駆動電極１２と協働して揺動動作の駆動力を発生させるための、フレーム２１に固定された第２駆動電極２３とを備える。本発明のマイクロ揺動素子アレイは、このようなマイクロ揺動素子Ｘ１を複数具備する。【選択図】図１
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738
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2009-012172
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H200701
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イーエム マイクロエレクトロニック−マリン エスエー
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機械部品と微細機械部品を製造する方法
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A4
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PB03 MA01
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【課題】第１材料の表皮層を含む基板から第１材料製の部品をエッチングで製造する方法を提供する。【解決手段】本発明の方法は、（Ａ）第１材料の表皮層の表面上に、第２材料の均一な表皮層を形成するステップと、前記第２材料は、第１材料の選択的エッチングに耐性があり、（Ｂ）前記第２材料の表皮層の周囲に、第２材料のビードを形成するステップと、（Ｃ）前記第２材料の表皮層とビードを、標準の光リソグラフ・プロセスにより構造化するステップと、この光リソグラフ・プロセスは、前記第２材料の表皮層はその全体厚さにわたって十分にエッチングするが、前記ビードはその全体厚さにわたって十分にはエッチングせず、かくして、前記第１材料の表皮層まで伸びる第２材料の酸化物マスクを形成し、（Ｄ）第１材料の部品を、前記第２材料の酸化物マスクを介して、方向性エッチングにより、切り出すステップとを有する。【選択図】図２ｈ
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739
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2009-012179
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H200707
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ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
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単結晶シリコン製の装置
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A4
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PC01 MA01
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【課題】最大限の機械的安定性、あるいは最大限の接着面を有するキャップウエハをボンディングパッドのできるだけ近くに配置できるため、出来るだけ急勾配のフランクが形成されている単結晶シリコン製の装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】面方位が１００であるシリコン基板の表面２０から裏面３０に向かって貫通するエッチング開口を形成するにあたって、表面２０に形成したエッチングマスクより小さい開口を有するエッチングマスクを裏面３０に形成し、両面からエッチングすることで、表面２０から裏面３０に向かって延在する面方位１１１の側面４２、側面４２から延在し裏面３０に対して垂直な側面４４、側面４４から延在する面方位１１１の側面４８が構成されるようにする。【選択図】図４
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740
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2009-014010
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H190629
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アルバック成膜株式会社
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マイクロバルブ及びその製造方法
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A4
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DC03 PG01
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【課題】環境温度の変化に対しても歪みが生じる虞がなく、したがって、圧力−流量特性等の諸特性が変化する虞のないノーマリクローズド型のマイクロバルブを実現することができるマイクロバルブ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のマイクロバルブは、ＳＯＩ基板１１のダイアフラム１２の下面側に弁１３及び固定部１４が設けられ上面側かつ弁１３に相対する位置に絶縁膜１５が設けられた第１の基板１と、ガラス基板２１に溝部２２及び開孔部２３が形成された第２の基板２と、ガラス基板３１に流体の流入口及び流出口３２が形成された第３の基板３とを重ね合わせて接合一体化した構成である。【選択図】図１
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741
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2009-014469
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H190704
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株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
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半導体装置及びその製造方法
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A4
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PHX
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【課題】半導体装置のコストの低減化を図る。【解決手段】ＭＥＭＳセンサである微小可動センサ２ｄが主面２ａ上に形成された半導体チップ２と、半導体チップ２を支持するパッケージ基板１と、半導体チップ２上に搭載され、かつキャビティ部３ａを備え、さらにキャビティ部３ａによって微小可動センサ２ｄを覆って微小可動センサ２ｄを気密封止するキャップ部材３と、パッケージ基板１の裏面に設けられた複数のバンプ電極７とから成り、半導体チップ２の主面２ａ上に形成された軟金属製のボス４ａと、キャップ部材３に形成されたくさび状の凹部３ｂとがかしめにより嵌合されて半導体チップ２とキャップ部材３とが接合され、微小可動センサ２ｄは、キャップ部材３のキャビティ部３ａによって真空状態で気密封止されている。【選択図】図１
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742
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2009-014485
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H190704
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株式会社船井電機新応用技術研究所 船井電機株式会社
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酵素電極及び酵素センサ
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A1
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DEX MI04
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【課題】標的物質を高感度で高速に検出することができる、優れた安定性を有し、且つ、長寿命の酵素電極及び当該酵素電極を用いた酵素センサを提供する。【解決手段】酵素電極１を、電極２と、電極２及び／又は電極２上に固定された金属触媒から直接延出する複数のカーボンナノチューブ３を有するカーボンナノチューブ層Ｌと、カーボンナノチューブ３同士の間に挟まれることによって、カーボンナノチューブ層Ｌに固定化された酵素４と、を備えて構成した。【選択図】図２
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743
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2009-014492
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H190704
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キヤノン株式会社
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揺動体装置
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A4
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DD02 PI03
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【課題】回転を抑制する静電気力を低減してより駆動効率の良いアクチュエータ等の、より細かい制御を可能とする揺動体装置を提供する。【解決手段】揺動体装置は、回転軸の回りに揺動可能に支持された可動体１０３を含む。可動体１０３が、厚さ方向に複数の導電性領域２０１、２０３に電気的に分離されており、厚さ方向に電気的に分離された複数の導電性領域の少なくとも１つが、更に電気的に分離された複数の導電性領域１２１、１２２を有する。【選択図】図１
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744
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2009-014762
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H190629
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オリンパス株式会社
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マイクロミラーデバイス
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A4
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DA04
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【課題】可動ミラー部が可動してもギャップ量の変動を抑制することができるマイクロミラーデバイスを提供する。【解決手段】マイクロミラーデバイス１には、マイクロミラーチップ１０と、電極基板３０と、マイクロミラーチップ１０と電極基板３０に挟まれ、マイクロミラーチップ１０と略同一形状を有し、可動ミラー部１４の可動によってミラー支持部１２が変形することを抑制する中間スペーサ５０と、が厚み方向に並べられ積層しており、中間スペーサ５０は、略中央に配置されている開口部５１と開口部５１の周辺に複数の貫通孔５２を有する板状の固定部材５３を有し、貫通孔５２は、所望する距離離れて形成され、貫通孔５２には、所望する熱と加重によって溶融する接合部材５５が挿入配置され、接合部材５５は溶融した際、マイクロミラーチップ１０と電極基板３０とを接合する。【選択図】図２
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745
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2009-014768
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H190629
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富士通株式会社
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メムスデバイスおよびその製造方法
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A4
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DA01 PI03
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【課題】放電の発生を抑制する。【解決手段】回動部１は、第１シリコン層６を含んで構成されるとともに、第１フレーム部２Ａは、第１シリコン層６，第２シリコン層７および絶縁層８を含んで構成され、第１フレーム部２Ａをなす第２シリコン層７部分の回動部１側に対向する辺縁部と、回動部１をなす第１シリコン層６部分の第１フレーム部２Ａ側に対向する辺縁部とに、対として、供給電圧によって回動部１を回動させるための静電力を発生させる第１アクチュエータ４−１がそなえられ、かつ、第１フレーム部６において第１アクチュエータ４−１がそなえられる辺縁箇所における、第１シリコン層６と絶縁層８との第１境界部位と、第２シリコン層７と絶縁層８との第２境界部位と、が面取りされた構成を有する。【選択図】図１
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746
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2009-015300
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H200415
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大日本印刷株式会社
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圧電ミラーデバイスとこれを用いた光学機器および圧電ミラーデバイスの製造方法
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A4
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DA04 PI03 PJ03
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【課題】ミラー部の変位量が大きい圧電ミラーデバイスと、このような圧電ミラーデバイスを簡便に製造するための製造方法およびこのような圧電ミラーデバイスを使用した光学機器を提供する。【解決手段】圧電ミラーデバイス１１は、中央に開口部１３を有するフレーム部１２と、開口部１３に位置するミラー部１４と、ミラー部１４をフレーム部１２に対して回動可能に支持する一対のミラー支持部１５と、下部電極１７と圧電素子１８と上部電極１９との積層体である一対の駆動部１６と、を備えたものとし、ミラー支持部１５はヤング率が１６０ＧＰａ以下の材料からなり、フレーム部１２は駆動部１６が位置する部位の一部に切欠き部１３ａを有し、この切欠き部１３ａは開口部１３に接するものとする。【選択図】図１
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747
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2009-016161
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H190704
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パナソニック株式会社
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スイッチ及びこれを用いた無線端末
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A4
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DB01
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【課題】スティクションを有効に回避する高周波スイッチを構成する。【解決手段】３枚の電極を配列させ、内側の１枚に貫通孔を設け、外側の２枚を静電力で駆動可能とし、静電力駆動された一方の外側電極と内側電極との間のギャップ内の気体圧力上昇を他方の外側電極に伝達することで、他方の外側電極をスティクションから解放する。【選択図】図１
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748
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2009-016717
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H190709
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三菱電機株式会社
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半導体装置およびその製造方法
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A4
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DD01 PGX PHX
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【課題】小型化を図り、かつ製造プロセスの簡易化を図ることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体集積回路１０１は、第１主表面Ｓ１と、第１主表面Ｓ１に対向する第２主表面Ｓ２とを有する導電性の基板と、第１主表面Ｓ１上に形成された絶縁膜５と、基板上に絶縁膜５を介して形成された構造体７と、絶縁膜５が選択的に除去された領域に形成され、構造体７と電気的に接続された第１の配線部６とを備え、基板は、第１の配線部６と電気的に接続され、第１主表面Ｓ１から第２主表面Ｓ２に達する第２の配線部１Ｂと、第２の配線部１Ｂを囲むように第１主表面Ｓ１から第２主表面Ｓ２に達する外周部１Ａと、第２の配線部１Ｂと外周部１Ａとの間に位置し、第２の配線部１Ｂと外周部１Ａとを電気的に分離するように第１主表面Ｓ１から第２主表面Ｓ２に達する分離溝２とを有する。【選択図】図２
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749
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2009-016841
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H200703
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ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
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電気モジュールを備えたハウジング
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A4
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PGX PHX
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【課題】電機部品を備えたモジュールを改良して、簡単に、小型にかつ安価に製造することができるモジュールを提供することである。【解決手段】電機部品（３）を備えたモジュール（１０）であって、電機部品（３）を取り囲んでいる内部ハウジング（１）が設けられていて、該内部ハウジング（１）が、少なくとも１つの外側に第１の電気コンタクト手段（２）を有しており、内部ハウジング（１）が内部に配置されている外側ハウジング（５）が設けられており、外側ハウジング（５）が第２の電気コンタクト手段（６）を有しており、第２の電気コンタクト手段（６）が外側ハウジング（５）の内部から少なくとも１つの外側にまで延びている形式のものにおいて、第１のコンタクト手段（２）と第２のコンタクト手段（６）とが互いに接続されている。【選択図】図２
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750
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2009-018387
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H190712
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株式会社日立製作所
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微小電気機械システム素子の製造方法
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A4
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PGX PHX
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【課題】角速度センサ、加速度センサ、コンバインドセンサ、マイクロミラーなどのＭＥＭＳ素子の製造において、ウェーハの両面加工を必要とせず、アライメントのずれにロバストなＭＥＭＳ素子を提供する。【解決手段】空隙４を有する基板２を用意した後、支持基板２ａに固定される固定部１１、端子部１６、台座１０などの固定要素が形成される位置のデバイス層２ｃに孔１８を開け、その孔１８を固定材１９で支持基板２ａに達するまで埋め込むことで孔１８周辺のデバイス層２ｃを支持基板２ａに固定する。【選択図】図２
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751
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2009-019776
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H200901
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ハンディラブ・インコーポレーテッド
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マイクロフルイディック・デバイスにおける流体制御方法及びシステム
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A4
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DC02
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【課題】マイクロフルイディック・システムにおいて使用するバルブを提供する。【解決手段】バルブ５０は、上流チャネル５２の中心軸６０に対してある角度をなして配された第１対向壁７４によって規定された導管によって合流させた上流チャネル５２と下流チャネル５４とを規定する基板を含む。感熱物質５６の少なくとも一部が、第１対向壁７４との衝合によって、導管を遮断する。通路に隣接したリザーバ５５に、感熱物質の一部が含まれることにより、通路が開放される。【選択図】図２ａ
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752
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2009-019890
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H190710
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コニカミノルタエムジー株式会社
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マイクロ検査チップおよび検査装置
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A4
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DEX
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【課題】試薬の漏れ液によって空気抜き用高抵抗流路が塞がれて流路の空気抜きができなくなることを防止し、駆動液と試薬との間に気泡が介在せず、試薬の安定した送液が行えるマイクロ検査チップおよび検査装置を提供すること。【解決手段】試薬貯留部に貯留されている試薬の上流側界面が上流側撥水バルブに接し、下流側界面が試薬貯留部の内部の空気に接するようにすることで、試薬が上流側に漏れることがないので、試薬の漏れ液によって空気抜き用高抵抗流路が塞がれて流路の空気抜きができなくなることを防止し、駆動液と試薬との間に気泡が介在せず、試薬の安定した送液が行えるマイクロ検査チップおよび検査装置を提供することができる。【選択図】図２
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753
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2009-019891
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H190710
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コニカミノルタエムジー株式会社
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マイクロ検査チップおよび検査装置
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A4
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DEX
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【課題】試薬の漏れ液によって空気抜き用高抵抗流路が塞がれて流路の空気抜きができなくなることを防止し、駆動液と試薬との間に気泡が介在せず、試薬の安定した送液が行えるマイクロ検査チップおよび検査装置を提供すること。【解決手段】試薬貯留部の下流側に設けられた下流側撥水バルブの液体保持力を、上流側に設けられた上流側撥水バルブの液体保持力よりも小さくすることで、試薬が漏れる場合は常に下流側に漏れるので、試薬が上流側に漏れることがなく、試薬の漏れ液によって空気抜き用高抵抗流路が塞がれて流路の空気抜きができなくなることを防止し、駆動液と試薬との間に気泡が介在せず、試薬の安定した送液が行えるマイクロ検査チップおよび検査装置を提供することができる。【選択図】図２
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754
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2009-020219
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H190711
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キヤノン株式会社
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揺動体装置、及びそれを用いた光偏向器
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A4
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DA02
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【課題】可動子の揺動運動で生じる気流を調整してその乱れを抑えることで、可動子の揺動運動を安定化させることが可能な揺動体装置を提供する。【解決手段】揺動体装置は、回転軸111の回りに揺動可能に支持された少なくとも1つの可動子101、102を有する。可動子101、102の少なくとも一部に、蒲鉾形状、半球形状、球形状などである気流調整体106が設けられる。気流調整体106の表面は、回転軸111に垂直な各断面において、曲線形状を有する。【選択図】図1-1
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755
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2009-020468
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H190713
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ブラザー工業株式会社
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マイクロミラーの製造方法
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A4
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DA04 PF01
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【課題】光スキャナの揺動するミラー部の共振周波数を変化させないで、ミラー部の反りを抑制することを可能とする光スキャナの製造方法を提供する。【解決手段】ミラー部１と、前記ミラー部１を揺動可能に支持する梁部２と、前記梁部２を保持する枠部３とを備えた光スキャナ１０の製造方法において、前記ミラー部１の表面に反射膜６を堆積する成膜工程と、前記ミラー部１の表面の反りを低減するために前記ミラー部１の表面にイオン注入法によりイオン化された材料を注入するイオン注入工程を含むことを特徴とする光スキャナの製造方法。【選択図】図２
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756
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2009-021227
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H200612
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パナソニック株式会社
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電気機械スイッチ、それを用いたフィルタ、および通信機器
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A4
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DB01 DB04
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【課題】低電圧駆動と高アイソレーションを両立する電気機械スイッチを提供する。【解決手段】駆動部を構成する第１の梁１０６と、前記第１の梁１０６に対して結合部１０９を介して並置された接点部としての第２の梁１０７と、前記第１の梁１０６に対して第１のギャップを介して形成された、駆動電極としての第１の電極５と、前記第２の梁１０７に対して第２のギャップを介して形成された、接点電極としての第２の電極１０３とを具備し、前記第２のギャップが、前記第１のギャップよりも大きくなるように構成されている。この構成により、駆動部に発生した変位を、結合部を介して接点部に伝え、接点部を変位させることでスイッチングを行う。その結果、駆動部と接点部で異なるギャップを形成することができ、オフ時の電気的なアイソレーションと、駆動時のプルイン電圧を低電圧化することができる。【選択図】図１
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757
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2009-021518
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H190713
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富士フイルム株式会社
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機能性膜のパターン形成方法
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A4
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PI02
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【課題】高温プロセスを用いて機能性膜を形成することが可能であり、汎用性が高く、簡易で実用的な機能性膜のパターン形成方法を提供する。【解決手段】この方法は、特定のエッチング液により選択的にエッチングされる第１の犠牲層を基板上に直接又は間接的に形成する工程と、熱又は物理的作用力に対する耐性が第１の犠牲層よりも弱い第２の犠牲層を第１の犠牲層上に形成する工程と、第１及び第２の犠牲層が形成された基板上に、機能性材料によって機能性膜を形成する工程と、第２の犠牲層に熱及び／又は物理的作用力を加えて第２の犠牲層を部分的に除去することにより、特定のエッチング液を第１の犠牲層に到達させる通過孔、クラック、又は隙間を形成する工程と、特定のエッチング液を用いて、通過孔等を介して第１の犠牲層をエッチングすることにより、第１及び第２の犠牲層と第２の犠牲層の上の機能性膜とを除去する工程とを具備する。【選択図】図１Ｇ
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758
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2009-025196
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H190720
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コバレントマテリアル株式会社
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微細流路構造体及び微細流路構造体の製造方法
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A4
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DC01 PGX
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【課題】電極を微細流路の内表面の複数形成することにより、流路内を流れる液体の濃度、あるいはまた液体中の目的物質の濃度等を正確に検出することができる微細流路構造体及び微細流路構造体の製造方法を提供する。【解決手段】薄膜からなる電極２ａ，２ｂ，２ｃが形成された基板１ａ，１ｂ，１ｃが順次積層された積層体に、所定の断面形状の微細流路３が形成された微細流路構造体１０であって、前記微細流路３が前記積層体の積層方向αに対して垂直な垂直方向βに形成されると共に、前記微細流路３の内表面３ａ、３ｂは、前記積層体の積層方向αに対して鋭角の角度θを有し、前記電極２ａ，２ｂ，２ｃが前記微細流路３の内表面３ａ、３ｂの積層方向αに複数露出して形成されている。【選択図】図１
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759
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2009-025197
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H190720
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コバレントマテリアル株式会社 学校法人日本大学
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マイクロ流路構造体及びマイクロ流路構造体の製造方法
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A4
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DC01 PGX
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【課題】マイクロ流路の垂直断面の濃度の定性的な分布を計測することができる、マイクロ流路構造体及びマイクロ流路構造体の製造方法を提供する。【解決手段】マイクロ流路Ｓを備えたマイクロ流路構造体１であって、前記マイクロ流路Ｓの方向と直交する垂直断面上において、前記マイクロ流路Ｓを構成する上壁部Ａ、下壁部Ｂ、左壁部Ｃ、右壁部Ｄの夫々に少なくとも二つ以上の電極２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１，１２，１３がマイクロ流路内に露出して形成されている。【選択図】図１
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760
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2009-025301
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H200707
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エフ．ホフマン−ラ ロシュ アーゲー
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マイクロチャンバ
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A4
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DC01
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【課題】マイクロリットル以下の液体試薬の制御された毛細管液体輸送および効率的な受動混合が可能な単純で低コストの使い捨てデバイスを提供すること。【解決手段】基材（１１）、カバー（１２）、基材（１１）とカバー（１２）の間に形成された少なくとも１つのチャンバ（２０）であって、該チャンバ（２０）は、２つの対向する表面を備え、１つは基材（１１）上、１つはカバー（１２）上にそれぞれあり、各表面は、親水性領域（７０）および疎水性領域（６０）を備える、チャンバ、少なくとも１つのチャンバ（２０）に液体を誘導する側方親水性領域（７０）を備える、液体を混合するためのミクロ流体工学的デバイスであって、少なくとも２つの液体が薄層として、少なくとも１つのチャンバ（２０）に入り、各々は、チャンバのそれぞれの１つの表面を濡らし、各々の表面上の層が増えるにつれて、該液体が互いに触れ、一体化する、デバイス。【選択図】図４
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761
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2009-025616
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H190720
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キヤノン株式会社
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ねじりバネ、光偏向器及びそれを用いた画像形成装置
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A4
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DA02 MA01
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【課題】ウエハの厚みにばらつきがある場合でも、ねじりバネのバネ定数のばらつきを抑えることができるねじりバネを提供する。【解決手段】本発明に係るねじりバネは、１枚の単結晶シリコンウエハで形成され、ねじり軸に垂直な断面がＸ字形状である。そして、Ｘ字形状の上面及び下面は（１００）等価面で構成され、上面及び下面に形成された凹部のそれぞれの底を互いに結ぶ距離Ｌ１が、Ｘ字形状の側面に形成された凹部のそれぞれの底を互いに結ぶ距離Ｌ２の略２倍となるようにする。【選択図】図２
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762
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2009-025617
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H190720
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キヤノン株式会社
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揺動体装置、光偏向器およびそれを用いた光学機器
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A4
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DA02
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【課題】ウエハ厚みばらつきがあっても、固有振動モードの周波数の誤差を小さくする。【解決手段】可動部をねじり軸を中心に揺動可能に支持する支持部を有する揺動体装置であって、前記支持部は前記ねじり軸に垂直な断面がＸ字形状であり、前記Ｘ字形状の上面及び下面に形成された凹部のそれぞれの底を互いに結ぶ距離Ｌ１と、前記Ｘ字形状の側面に形成された凹部のそれぞれの底を互いに結ぶ距離Ｌ２と、前記支持基板の厚さｔの変化に応じて、前記可動部のねじり軸まわりの慣性モーメントが変化する率αｉとが、Ｌ１／Ｌ２＝Ｃ１・Ｅｘｐ｛Ｃ２・（αｉ＋Ｃ３）｝＋Ｃ４・αｉ＋Ｃ５、前記Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５は、それぞれ、Ｃ１＝５．０×１０＾−１、Ｃ２＝−４．４、Ｃ３＝４．６×１０＾−２、Ｃ４＝−６．０×１０＾−１、１．５＜Ｃ５＜１．７の関係であることを特徴とする揺動体装置。【選択図】図１
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763
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2009-027176
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H200723
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ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
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微小電気機械システムに使用するためのウェーハを製造する方法
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A4
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PB02 MA01
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【課題】非ドープシリコン層を取り囲む２つのドープ層を有する、ＭＥＭＳデバイスに使用するためのウェーハを提供すること。【解決手段】２つのドープ層を非ドープコアの周りに形成することによって、シリコンの格子構造内部の応力が中実にドープされた層に比較して低減される。したがって、反りおよび弓形の曲がりに関連する問題が低減される。ウェーハは、深堀反応性イオンエッチングをパターン形成するために、パターニングされた酸化物層を有することができる。第１の深堀反応性イオンエッチングは層の内部にトレンチを生成する。トレンチの壁はホウ素原子でドープされる。第２の深堀反応性イオンエッチングはトレンチの底壁を除去する。ウェーハはシリコン基板から分離され、少なくとも１つのガラスウェーハに接合される。【選択図】図６
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764
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2009-028806
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H190724
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ローム株式会社
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ＭＥＭＳセンサおよびＭＥＭＳセンサの製造方法
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A4
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DD07 PI02
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【課題】基板と下薄膜との接触を防止するための凸部を形成するための時間および手間を軽減することができるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】Ｓｉマイク１の製造工程において、Ｓｉ基板２の上面２９には、Ａｌ−Ｓｉからなる下部犠牲層３０が形成される。下部犠牲層３０の上には、下貫通孔１２を有する下薄膜５が形成され、下薄膜５の上には、上部犠牲層３４が形成される。上部犠牲層３４の上には、上貫通孔１８を有する上薄膜６が形成される。そして、上部犠牲層３４は、上貫通孔１８を介するドライエッチングにより除去される。また、下部犠牲層３０中のＡｌ成分は、上部犠牲層３４の除去後、上貫通孔１８および下貫通孔１２を介するドライエッチングにより除去される。Ａｌ成分が除去されることにより、空洞１９が形成されるとともに、Ｓｉ基板２の上面２９における対向領域４１には、複数の凸部３９が残存する。【選択図】図１
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765
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2009-028807
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H190724
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ローム株式会社
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ＭＥＭＳセンサ
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A4
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DD07 PI02
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【課題】簡単な構造で、入力される音波の共振を抑制することができるＭＥＭＳセンサおよび製造工程の簡素化を図ることができるＭＥＭＳセンサを提供すること。【解決手段】Ｓｉマイク１は、センサ部３を有している。センサ部３は、Ｓｉ基板２の上面２９に接触して設けられた下薄膜５と、下薄膜５に対して間隔Ｌ１を空けて対向配置された上薄膜６とを備えている。下薄膜５は、下部電極８と、下部電極８を被覆する下薄膜絶縁層７とを備えている。下薄膜絶縁層７には、その厚さ方向に下薄膜絶縁層７を貫通する複数の下貫通孔１２が形成されている。また、上薄膜６は、上部電極１４と、上部電極１４を被覆する上薄膜絶縁層１３とを備えている。上薄膜絶縁層１３には、その厚さ方向に上薄膜絶縁層１３を貫通する複数の上貫通孔１８が形成されている。【選択図】図１
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766
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2009-028808
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H190724
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ローム株式会社
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ＭＥＭＳセンサおよびＭＥＭＳセンサの製造方法
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A4
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DD07 PI02 ME01
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【課題】基板上の薄膜構造を保護することができるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】Ｓｉマイク１は、センサ部３を有している。センサ部３は、Ｓｉ基板２の上面２９に対して間隔Ｌ１を空けて対向配置された下薄膜５と、下薄膜５に対して間隔Ｌ２を空けて対向配置された上薄膜６とを備えている。また、Ｓｉマイク１は、保護層３９を備えている。保護層３９は、センサ部３の周囲を取り囲むように突出している。また、保護層３９の上面４１は、上薄膜６の上面（第４絶縁層１６の上面４２）より上方に配置されている。【選択図】図１
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767
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2009-028891
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H200613
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住友精密工業株式会社
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ゲッター膜を有する密閉空間内に形成されたＭＥＭＳデバイス
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A4
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PHX
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【課題】密閉空間内に形成されるゲッター膜が形成されたＭＥＭＳデバイスにおいて、ゲッター膜を電気的に安定化させることによりＭＥＭＳデバイスの性能劣化を防止する。【解決手段】密閉空間内に形成された可動部と固定部を備えたＭＥＭＳデバイス１００であって、その密閉空間が、凹部３４，３６ａ，・・・，３６ｆが形成されたガラス基板３０，３２とそのＭＥＭＳデバイス１００の母材（振動子）１０によって形成されている。さらに、その密閉空間内に形成された任意の連続するゲッター膜４０の一部４０ｃが、ＭＥＭＳデバイス１００の母材１０を介して固定部の任意の１つ又は複数の一定電位のみに、又はグラウンド電位のみに接続している。【選択図】図３
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768
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2009-031066
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H190725
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株式会社デンソー
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薄膜式半導体センサの製造方法及び薄膜式半導体センサ
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A4
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PC01 MA01
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【課題】メンブレンの機械強度がより向上した薄膜式半導体センサを製造することのできる薄膜式半導体センサの製造方法及び薄膜式半導体センサを提供する。【解決手段】準備工程にて準備された半導体基板１０の上表面１２に熱酸化膜３０を形成するストッパ膜形成工程、エッチングマスク形成工程にて形成されたエッチングマスク２０を用いて半導体基板１０を下表面１１側からエッチングし凹部３０ｂを形成する第１エッチング工程、及び、半導体基板１０と熱酸化膜３０とのエッチングレート比が「２：１」に設定されたエッチング液及びエッチングマスク２０を用いて半導体基板１０及び熱酸化膜３０をエッチングすることで、熱酸化膜３０における凹部３０ｂ側の平坦面３０ｃの端部Ｔを、半導体基板１０の下表面１１側に向けて一定の勾配で傾斜した側面断面視テーパ状に形成し、この熱酸化膜３０をメンブレン３０ａとする第２エッチング工程を備える。【選択図】図６
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769
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2009-031409
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H190725
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日本航空電子工業株式会社
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光デバイス
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A4
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DA04 MA01
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【課題】迷光の再結合による反射減衰を解消する。【解決手段】基板７１上に第１及び第２の光ファイバ（光導波手段）７４，７５の端部がその光軸が基板板面と平行とされて配置され、それら光ファイバ７４，７５の端部は基板板面に垂直な側壁面によって少なくとも一部が囲まれた自由空間（凹部７６）内を伝播する伝播光を介して互いに光結合される構成とされた光デバイスにおいて、光ファイバ７４の端部と光ファイバ７５の端部とを基板板面と垂直方向において異なる高さ位置に位置させ、光ファイバ７４，７５の先端にその一方から自由空間に出射する出射光の光軸が前記垂直方向において他方が位置する側に向くように偏向する傾斜端面をそれぞれ形成する。【選択図】図８
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770
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2009-031536
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H190727
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セイコーエプソン株式会社
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スキャナ
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A4
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DA02 DA04 MA02 MI04
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【課題】スキャニングミラーの放熱効果を高め、低い駆動電圧で安定したミラー駆動が可能なスキャナを提供する。【解決手段】表面に光反射層６が形成されたミラー２と、ミラー２を挟んで同一直線上に支持部材３が配置され、支持部材３が配置された仮想直線を駆動軸Ｌとして、ミラー２を駆動軸Ｌの周りに揺動駆動させる駆動部と、を備え、ミラー２の光反射層６とは反対側の面に、ミラー２よりも熱伝導率の高い薄膜９が形成されているスキャナ１。【選択図】図１
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771
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2009-031642
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H190730
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キヤノン株式会社
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揺動体装置、光偏向器およびそれを用いた画像形成装置
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A4
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DA02 MA01
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【課題】駆動時でも可動部の平坦性を維持した揺動体装置を提供することである。【解決手段】本発明に係る揺動体装置は、支持部と、可動部と、可動部を支持部に対してねじり軸まわりにねじり振動可能に支持するねじりバネと、可動部を振動させる駆動手段とを有する。可動部は、単結晶シリコンで形成され、可動部の主面の結晶面は（１１０）面であって、可動部の主面と平行で、且つねじり軸と垂直な方向の結晶方位が［１１１］方位である。【選択図】図１
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772
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2009-031643
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H190730
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キヤノン株式会社
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揺動体装置、光偏向器およびそれを用いた画像形成装置
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A4
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DA02 MA01
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【課題】半導体プロセスによる加工ばらつきに対するねじりバネのねじりバネ定数の変化を小さくする。【解決手段】本発明に係る揺動体装置は、支持部と可動部と前記可動部を前記支持部に対してねじり軸まわりにねじり振動可能に支持するねじりバネと、前記可動部を振動させる駆動手段とを有する。前記ねじりバネは、単結晶シリコンで形成され、前記ねじりバネのねじり軸に平行方向の結晶方位が［１１１］方位である。【選択図】図１
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773
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2009-032501
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H190726
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株式会社東芝
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電気部品
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A4
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PHX
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【課題】製造時間を短縮することができる電気部品を提供する。【解決手段】電気部品１Ａにおいて、基板２と、基板２上に設けられて動作する機能素子７と、機能素子７と離間しかつ機能素子７を覆うように基板２上に設けられ、基板２との間に形成される内部空間に連通する複数の開口部８ａを有する第１封止体８と、複数の開口部８ａを閉口するように第１封止体８上に設けられた第２封止体９とを備え、第１封止体８と基板２との境界線は、内部空間が狭くなる方向に湾曲して形成されている。【選択図】図１
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774
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2009-032559
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H190727
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株式会社沖センサデバイス
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磁気駆動マイクロマシンスイッチの製造方法及び磁気駆動マイクロマシンスイッチ
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A4
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DB01 PI02
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【課題】洗浄水残渣を十分に除去でき、上下電極間における洗浄水残渣の表面張力によるスティッキングの発生がない磁気駆動マイクロマシンスイッチの製造方法及び磁気駆動マイクロマシンスイッチを得る。【解決手段】樹脂フィルム３１０上に梁部３１ｂとなる梁構造層３１１ｂを形成する工程と、梁構造層３１１ｂ上に磁性体部３２を形成する工程と、樹脂フィルム３１０の一部をエッチング除去して基部３１ａを形成すると同時に梁部３１ｂを形成する工程とを有する上部電極形成工程と、上部電極形成工程で形成された上部電極３０を、下部電極２０が形成されたベース基板１０上に接合する接合工程とを備えたものである。【選択図】図４
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775
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2009-033944
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H190824
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独立行政法人産業技術総合研究所
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高アスペクト比のカーボンナノチューブとイオン液体から構成される導電性薄膜、アクチュエータ素子
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A1
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DFX MI04
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【課題】性能の向上したアクチュエータを提供する。【解決手段】アスペクト比が104以上のカーボンナノチューブおよびイオン液体から構成される導電性薄膜；長さが50μm以上のカーボンナノチューブおよびイオン液体から構成される導電性薄膜。【選択図】図５
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776
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2009-034779
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H190802
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コニカミノルタオプト株式会社 学校法人立命館
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駆動装置、撮像ユニット、撮像装置および駆動装置の製造方法
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A4
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PI02
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【課題】固定櫛歯電極と移動櫛歯電極との間のずれを精度良く設定することが可能な技術を提供する。【解決手段】駆動装置１Ａは、第１方向と第２方向とによって規定された板面を持つとともに第１方向を歯高方向とする複数の第１歯板が互いに間隔を隔てて第３方向に配列されてなる移動櫛部と、第１方向を歯高方向とする複数の第２歯板が複数の第１歯板に対して略平行に交互配列されてなる固定櫛部とを有し、移動櫛部が可動部に駆動変位を与える駆動機構８と、移動櫛部と固定櫛部との間に、第２方向をオフセット方向として相対的なずれを発生させるオフセット機構５ａとを備える。そして、固定櫛部は、オフセット方向に弾性変形可能な弾性部を介して移動櫛部とそれぞれ一体的に形成され、オフセット機構５ａは、弾性部を弾性変形させて固定櫛部をオフセット方向に移動させ、相対的なずれを発生させる。【選択図】図３
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777
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2009-034795
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H190803
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キヤノン株式会社
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構造体の作製方法
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A4
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PI03
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【課題】面外に傾斜させられた被加工部を有する構造体の作製方法において、被加工部を効率よく変形させることを可能とする作製方法を提供する。【解決手段】基板３の被加工部４を塑性変形させて、該基板の主面Ｓ１，Ｓ２に対して傾斜した傾斜部９を有する構造体１を作製する、構造体の作製方法であって、前記被加工部に前記基板の主面に対して突出する突出部を設ける工程と、前記突出部に傾斜した押し当て面を有する型を押し当てて力を加えることによって前記被加工部を塑性変形させ、前記突出部が設けられた面と反対の面側に前記被加工部を曲げる工程と、を含み、前記被加工部を曲げる工程において、前記型に加えられる力の向きが、前記傾斜した押し当て面により前記突出部を押す力の向きと、交差することを特徴とする。【選択図】図１
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778
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2009-034814
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H200904
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カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー
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微細製作エラストマーバルブおよびポンプシステム
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A4
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DC02 DC02
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【課題】薄型化が可能かつ小さい力で作動し、しかもシリコン基板プロセスに比べて比較的製作が容易なエラストマバルブ構造及びそれを用いたポンピングシステムを提供する。【解決手段】エラストマブロック内に第一フローチャネル３０と直交して積層された第二フローチャネル３２を形成する。第一フローチャネル３０の頂部を形成する膜２５は二つのフローチャネルを分離し、第一フローチャネル３０の頂部であると同時に第二フローチャネル３２の底部を形成している。第二フローチャネル３２の圧力を変動させることにより膜２５は下方への撓みと復帰を繰り返し、それにより第一フローチャネル３０は線形動作のバルブ動作システムを構成することになる。【選択図】図７Ｂ
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779
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2009-035501
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H190731
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樋口 恒彦
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光駆動回転分子
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A1
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DF01
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【課題】光エネルギーを分子レベルで一方向回転エネルギーへ変換することができる分子（光駆動回転分子）を提供すること。【解決手段】色素部位及びブロックユニットが回転軸に結合し、色素部位の回転軌道上にブロックユニットが位置する光駆動回転分子が提供される。好ましい一形態では、回転軸に被駆動分子結合部位又は被駆動分子が結合している。【選択図】図２
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780
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2009-036886
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H190731
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日本電信電話株式会社
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光スイッチ
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A4
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DA04
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【課題】ミラー装置に角度ずれが生じた場合であっても所望する光強度の出力光を出力することができる光スイッチを提供する。【解決手段】所定の光強度を基準として角度ずれの許容範囲ｒを設定した場合、従来のように電圧Ｖyの値のみ変化させてミラーをＸ軸方向回りのみ変化させた場合、角度ずれの許容範囲は、Ｖy軸と平行な２本の直線間の領域（左側のグラフ参照）となる。一方、本発明のように、パラメータＶtを用いて駆動電圧を更新する場合、角度ずれの許容範囲は、直線Ｖtと平行な２本の直線間の領域（右側のグラフ参照）となり、従来の場合よりも許容範囲が大きくなる。したがって、角度ずれが生じた場合であっても、所望する光強度を有する出力光を出力できる駆動電圧を従来よりも広範囲に探索することができ、結果として、所望する光強度の出力光を出力することができる。【選択図】図７
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781
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2009-037247
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H200904
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富士通株式会社
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マイクロミラー素子およびマイクロミラーアレイ
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A4
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DA04
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【課題】小型化を図るのに適したマイクロミラー素子およびマイクロミラーアレイを提供する。【解決手段】本発明のマイクロミラー素子Ｘ１は、第１導体層、第２導体層、並びに当該第１および第２導体層の間の絶縁層、からなる積層構造を有する材料基板から一体的に成形された、ミラー支持部１１を有する揺動部１０と、フレーム２１と、これらを連結して揺動部１０の揺動動作の揺動軸心Ａ１を規定する捩れ連結部２２とを備える。ミラー支持部１１は第１導体層において成形された部位であり、且つ、ミラー支持部１１上には第１導体層の面内方向に広がるミラー面１１ａが設けられている。フレーム２１は第２導体層において成形された部位である。【選択図】図１
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782
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2009-039699
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H190810
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富士フイルム株式会社
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多段混合マイクロデバイス
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A4
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DC01
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【課題】複数のユニットを連結して形成されたマイクロチャンネルでプロセス流体の多段混合を行うことができ、プロセス流体の流通時の温度ないし滞留時間をそれぞれのステップで独立に制御しうる多段混合マイクロデバイスを提供する。また、混合操作の設定条件の通常の変更に対しても、対象となるユニット部位のみを交換することで柔軟に対応することができる多段混合マイクロデバイスを提供する。【解決手段】着脱自在な複数のユニットをパイプレスで連結した、プロセス流体の多段混合を行うマイクロデバイスであって、前記複数のユニットの連結により前記デバイスの内部に前記プロセス流体を流通させるマイクロチャンネルと熱交換用媒体を流通させるチャンネルとをなし、かつ、前記デバイスを部分的に独立して温度制御可能とした多段混合マイクロデバイス。【選択図】図２
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783
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2009-039826
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H190809
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富士通株式会社
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研磨装置及び研磨方法、基板及び電子機器の製造方法
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A4
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PJ06
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【課題】高い研磨精度を有してワークの両面を同時に研磨する研磨装置及び研磨方法を提供する。【解決手段】ワークＷの両面Ｗａ及びＷｂを同時に研磨する研磨装置１００において、それぞれがワークＷに接触する研磨面１４２ａ，１６２ａを有して互いに反対方向に回転する一対の定盤１４０，１６０と、一対の定盤１４０，１６０の回転数を各々検出する一対の検出部１４８，１６８と、一対の定盤１４０，１６０の間でワークＷを加圧する加圧部１７０と、定盤１４０，１６０にスラリーを供給するスラリー供給部１７５と、研磨面１４２ａ，１６２ａとワークＷとの間の摩擦力が閾値を超えたと判断した場合に、加圧部１７０が加える荷重、定盤１４０，１６０の回転数、スラリー供給部１７５が供給するスラリーの少なくとも一つを減少する制御部１８０と、を有することを特徴とする研磨装置１００を提供する。【選択図】図１
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784
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2009-039843
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H190810
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株式会社東芝
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電気部品およびその製造方法
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A4
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PGX PHX
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【課題】信頼性の高い電気部品およびその製造方法を提供する。【解決手段】機能素子１１を有する基板１２と、機能素子１１よりサイズの大きい凹部１３ａを有する蓋体１３と、凹部１３ａと機能素子１１が対向し、基板１２に蓋体１３を固着する接着層１４と、接着層１４の外側を被覆し、且つ接着層１４よりガス透過率の小さい封止層１５と、を具備する。基板１２と凹部１３ａで囲まれた空洞内の雰囲気を、接着層１４を介して調整した後に、接着層１４の外側を封止層１５で被覆する。【選択図】図１
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785
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2009-039854
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H200626
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ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
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ウェハ溶解プロセスを使用したＭＥＭＳデバイスに関する厚い活性化層
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A4
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DD02 PG01
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【課題】厚い活性化層を有する薄いＭＥＭＳデバイスをウエハ溶解プロセスを使用して製造するための方法を提供する。【解決手段】Ｐ型不純物で第１のシリコンウェハの第２の表面を高濃度にドーピングする工程１２、およびＮ型不純物で第２のシリコンウェハの第１の表面を高濃度にドーピングする工程１４、次いで、ふたつの高濃度にドープされた表面をボンディングする工程１６、第１のウェハの第１の側に対向する第１のウェハの第２の側を所望の厚さまで薄くする工程、第２の側をエッチング／パターニングする工程２０、エッチングされた表面をＰ型不純物で高濃度にドーピングする工程２２、第１のウェハの第２の側にカバーをボンディングする工程２４、第２のウェハを薄くする工程からなる。【選択図】図１
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786
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2009-042232
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H200815
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プレジデント・アンド・フェローズ・オブ・ハーバード・カレッジ
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ナノセンサ
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A1
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DEX MI06
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【課題】タンパク質、核酸、炭水化物、脂質およびステロイド等の検体を検知する。【解決手段】ナノワイヤを含む電子デバイスが、その製造方法および用途とともに記載される。ナノワイヤはナノチューブおよびナノワイヤでよい。ナノワイヤの表面は選択的に官能基化されている。ナノ検出器デバイスが記載される。タンパク質、核酸、炭水化物、脂質およびステロイド等の検体によりゲート制御される電界効果トランジスタのアレイより構成されたナノセンサである。【選択図】図１
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787
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2009-042357
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H190807
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パナソニック株式会社
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光学反射素子およびこれを用いた画像投影装置
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A4
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DA04
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【課題】本発明は、投影する画像の歪みを低減することを目的とする。【解決手段】この目的を達成する為本発明は、ミラー７が、そのＸ軸方向におけるいずれか一方の端部を、第一振動部９と連結する固定端８とし、他方の端部を自由端１４とするとともに、この自由端１４には、対向する第一振動部９側へ外方に突出し、固定端８側へ折り返す羽部１５を有するものとした。これにより本発明は、ミラー７の自由端１４側の先端部におけるミラー部の光学反射部位による光学反射角度の影響を補償し、撓みを抑制でき、投影する画像の歪みを低減するものである。【選択図】図１
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788
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2009-042456
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H190808
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株式会社東芝 株式会社トプコン
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形状可変鏡装置およびこの形状可変鏡装置を用いた眼底観察装置
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A4
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DA04
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【課題】低電圧駆動を保ちつつ低コストで動特性を向上させることを可能にする。【解決手段】基板１１と、この基板上に設けられた複数の電極２１〜２ｎと、基板上に配置されたスペーサ１３と、このスペーサ上に配置され、基板に対向する側の面から基板に対向する側の面と反対側の面に貫通する開口２６を有する支持部材１６と、この支持部材の基板に対向する側の面に設けられた絶縁膜１７と、複数の電極に対向するように間隔を持って配置されるとともに開口を覆うように形成され、絶縁膜を介して支持部材に支持される変形可能な電極膜１８と、電極膜の、複数の電極と反対側の面に設けられた反射膜１９と、反射膜および電極膜を貫通する複数の貫通孔２２と、を備え、支持部材は、電極膜、絶縁膜およびスペーサを介して基板上に配置されている。【選択図】図１
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789
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2009-043537
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H190808
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株式会社東芝
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ＭＥＭＳスイッチ及びその製造方法
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A4
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DB01 MI02
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【課題】ＭＥＭＳ構造部分にダストや水分が付着することを防止して、信頼性や歩留りを向上させる。【解決手段】本発明のＭＥＭＳスイッチ１は、所定の空間に電界を発生させる手段６を備え、空間に位置して設けられ、電界による静電気力により下方向に撓み、静電気力の消滅により弾性復元力で上方向に復帰変形する導電性材料製の梁４を備え、梁４が下方向に撓んだときに電気的に接続される信号線３を備え、電界を発生させる手段６と、梁４と、信号線３とを覆って密閉する保護キャップ７を備えて構成されている。【選択図】図１
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790
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2009-043792
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H190806
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独立行政法人物質・材料研究機構 国立大学法人 鹿児島大学
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量子導電分子スイッチ及びそれを用いたニューラル素子
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A1
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DF01
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【課題】光照射により容易に接続したり切断したりでき、配線の大きさをナノスケールまで縮小することが可能なニューラル素子を実現するための量子導電分子スイッチを提供する。【解決手段】本量子導電分子スイッチは、複数のナノスケールの導電性の配線よりなる第１の配線群１と、第１の配線群１と立体的に交差する複数のナノスケールの導電性の配線よりなる第２の配線群２とを有する配線網における第１の配線群１の各配線と第２の配線群２の各配線とをその交差点においてそれぞれ光応答性分子材料３により架橋してなる。光応答性分子材料３は、光の照射により抵抗率が量子論的な確率で変化し、第１の所定波長の光を照射したときの状態と第２の所定波長の光を照射した時の状態とが可逆的に変化する。光応答性分子材料３は、第１の所定波長の光を照射したときに配線間を導通状態とし、第２の所定波長の光を照射したときに配線間を非導通状態とする。【選択図】図１
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791
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2009-043942
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H190809
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独立行政法人産業技術総合研究所
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２端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス
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A1
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DB01 MI04
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【課題】本発明の課題は、多層カーボンナノチューブあるいは多層カーボンナノファイバー自体の直径の小ささを利用し、素子全体として20nm×20nm程度の極めて小さな抵抗スイッチ素子を、分子内包工程を必要としないより簡単な手法で、より優れた電気伝導率で提供することである。【課題を解決するための手段】多層カーボンナノファイバーあるいは多層カーボンナノチューブをナノスケールの間隙幅をもって配置したことを特徴とする２端子抵抗スイッチ素子である。【選択図】図１
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792
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2009-044741
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H200818
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ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミシガン
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基板上に形成されたマイクロ構造を局所的にアニーリングする方法およびシステムならびにそれにより形成された素子
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A4
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DB02 PF03 MA02
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【課題】マイクロ構造での高スループットでのトリミングの達成。【解決手段】機械的マイクロ構造、特にマイクロメカニカル共振器の様なマイクロメカニカル構造の共振周波数を調整し且つＱ因子を増大するのに使用することができる、一括処理に適合する製造後アニーリング方法及び装置。この技術は、マイクロメカニカル構造、又は近接するマイクロ構造（例えば、近接する抵抗器）を通して、電流を流し、これによって、電力を消費し且つマイクロ構造及び／又はその材料の特性を変化するのに十分に高い温度に構造を加熱し、マイクロ構造の共振周波数及びＱ因子に変化をもたらす。この技術は、多くのマイクロ構造の調整を同時に都合良く行うことを可能とし、且つマイクロメカニカル構造のアンカ１０部分を横切り、電圧を単に加えることによって実施出来る。【選択図】図１
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793
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2009-044787
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H190806
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コニカミノルタオプト株式会社
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駆動装置および可動構造体
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A4
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DA02 PI03 MA01
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【課題】駆動の際に、可動部を支持するばねに生じる応力集中を低減させることが可能な技術を提供する。【解決手段】駆動装置１Ａは、可動部６に駆動変位を与える駆動部５と、可動部６に設けられた支持部７と、一端および他端を有し、支持部７と一端において接続される弾性部７ａと、固定部８と弾性部７ａの他端との間に介挿され、駆動変位に応じて弾性部７ａに生じる弾性変形を緩和させる緩和部７ｂを備える。【選択図】図１
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794
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2009-500165
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H180630
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ヴェロシス，インク．
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マイクロチャネル技術を用いる触媒反応プロセス
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A4
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DC01
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WO2007/008495
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開示技術は、少なくとも１つの液体反応体と少なくとも１つの気体反応体との間の化学反応を少なくとも１つの触媒を含むプロセスマイクロチャネルの中で行うためのプロセスに関する。触媒は、固相触媒または固体上に固定化された均一系触媒を含む。一実施態様では、プロセスマイクロチャネルは、流体の流れを撹乱するための１つ以上の構造体を含むプロセス処理区域と、触媒と接触および／または担持するための１つ以上の構造体を含む反応区域とを含み、触媒と接触および／または担持するための１つ以上の構造体は、反応体が１つ以上の構造体を通って流れ、触媒と接触することができるようにする開口部を含む。本プロセスは、少なくとも１つの液体反応体と少なくとも１つの気体反応体とを含む反応体混合物を形成させる工程、反応体混合物をプロセス処理区域の中に流し、流体の流れを撹乱するための１つ以上の構造体と接触させ、液体反応体と気体反応体との混合を促進する工程、触媒と接触および／または担持するための１つ以上の構造体の開口部の中に反応体混合物を流して触媒と接触させる工程、および少なくとも１つの液体反応体を少なくとも１つの気体反応体と反応させて少なくとも１つの生成物を生成させる工程を含む。一実施態様では、本プロセスは、少なくとも１つのフィッシャー‐トロプシュ合成触媒を含むプロセスマイクロチャネルの中でフィッシャー‐トロプシュ合成を行うためのプロセスに関する。触媒は、固相触媒または固体上に固定化された均一系触媒を含む。本プロセスは、Ｈ２とＣＯとを含む反応体をプロセスマイクロチャネルの中に流す工程であって、反応体の入り口空塔速度は少なくとも約０．１ｍ／ｓである工程、フィッシャー‐トロプシュ合成触媒を反応体と接触させる工程、および触媒の存在下で反応体を反応させて少なくとも１つの生成物を生成させる工程を含む。
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795
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2009-500555
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H180629
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オブッシェストヴォ ス オグラニチェノイ オトヴェツトゥヴェナスティユ “インスチトゥートゥ レントゲノフスコイ オプチキ”
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動電学的マイクロポンプ
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A4
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DC03
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WO2007/034267
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本発明は、外来成分の導入または本来の成分の変更によるくみ上げられた液体の化学組成の変化を解消することを目的とする。本発明の別の目的は、マイクロポンプの生産性を向上させ、マイクロポンプのサイズおよびコストを低減するために、一次電極の使用を可能にすることである。この目的のために、動電学的マイクロポンプは、非導電性材料で作られた、たとえばポリキャピラリカラム体の形態を有するマルチチャネル構造８１０を備える。この構造の流入および流出口端部は、くみ上げられた液体の流入および流出用の開口部８２１、８２２を有する電極セクション８０３、８０４に隣接する。これらのセクションは、イオン交換膜８１１、８１２によって、マルチチャネル構造の端部８４１、８４２に連通する液体の流動用の室８１３、８１４と、電荷移動用補助媒質で満たされる室８１５、８１６とに分割され、後者には、電極８１７、８１８が配置される。
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796
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2009-500635
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H181116
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キオニクス，インコーポレイテッド
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三軸加速度計
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A4
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DD01
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WO2007/061756
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【課題】温度及びパッケージに対する感受性が低い、改良されたＭＥＭＳ加速度計を提供する。【解決手段】本発明のある実施形態は、基板と、第１のセンサと、第２のセンサとを含む微小電気機械（ＭＥＭＳ）加速度計を提供する。第１のセンサは、基板の面に平行な第１の軸に沿って加速度を測定するように構成される。第２のセンサは、基板の面に垂直な軸に沿って加速度を測定するように構成される。第２のセンサは、第１の梁と、第２の梁と、単支持構造とを備える。単支持構造は、基板に対して第１及び第２の梁を支持しており、第１及び第２の梁は第１のセンサを囲んでいる。【選択図】なし
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797
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2009-500807
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H180706
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アナログ デバイシス， インコーポレイテッド
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ＭＥＭＳスイッチングデバイスの保護
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A4
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DB01
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WO2007/008535
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マイクロマシン型スイッチングシステムであって、このマイクロマシン型スイッチングシステムは、電気的特性、例えば、マイクロマシン型スイッチングデバイスの入力および出力において形成される寄生容量に起因する電荷を等化する。マイクロマシン型スイッチングデバイスは、ＭＥＭＳリレーまたはＭＥＭＳスイッチであり得る。マイクロマシン型スイッチングデバイスに加え、スイッチングシステムはまた、バランシングモジュールを含み、このバランシングモジュールは、マイクロマシン型スイッチングデバイスの入力と出力との間の電気的特性を等化する。特定の実施形態において、バランシングモジュールは、スイッチを含み、このスイッチは、マイクロマシン型スイッチングデバイスの入力および出力における寄生容量に起因する電荷を実質的に均衡化させる第１の状態で動作可能である。このスイッチはまた、第２の状態でも動作可能である。
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798
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2009-500848
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H180614
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コーニング インコーポレイテッド
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超小型電気機械システムデバイスのための気密封止
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A4
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PHX
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WO2007/005228
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発明は気密封止されたデバイス及びそのようなデバイスを作成する方法に向けられる。デバイスは、１つまたは複数の光、光電子、電子または超小型電気機械（ＭＥＭＳ）素子が、単独でまたは組み合されて、その上に配置された基板、上部及び上部からある距離まで延びるエクステンションを有するカバー部材、カバー部材のエクステンション部分を基板に接合するために用いられる接着剤及びカバー部材エクステンションが基板に接合されている領域を気密封止するための封止剤を有する、光、超小型電気機械、電子及び光電子デバイスを含む。発明の方法において、封止剤は原子層堆積法を用いて与えられる。
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799
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2009-501442
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H180717
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シリコン マトリックス ピーティーイー． エルティーディー
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フレキシブル基材を用いたＭＥＭＳパッケージとその方法
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A4
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PHX
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WO2007/010361
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ＭＥＭＳパッケージとその形成方法を説明する。ＭＥＭＳパッケージは、フレキシブル基材上に配置された少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを有する。金属構造は少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを取り囲み、前記金属構造の底面はフレキシブル基材に取り付けられ、前記フレキシブル基材の一部は金属構造の上面の上に折り畳まれ、金属構造の上面に取り付けられる。それによってＭＥＭＳパッケージが構成される。
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800
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2009-501908
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H180714
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ナノ−ディテック コーポレイション
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マイクロ流体装置およびその作製方法ならびに利用方法
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A4
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DC01 DEX
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WO2007/009125
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マイクロ流体装置は、その内部で注入チャンバー、任意の反応チャンバー、および少なくとも１つの検出チャンバーが流体連通するフォトレジスト層と、フォトレジスト層の下に配置される支持体と、フォトレジスト層の上に配置されるカバーを装備する。装置は、さらに、最後尾の検出チャンバーの下流に一連の吸収チャンバーを備える。生体または免疫活性物質を反応チャンバーおよび検出チャンバーに内蔵させる。液体試料を注入チャンバーに入れると、試料液が毛管作用によって装置内に引き込まれる。検出方法としては、電気化学検出、比色検出、蛍光検出が挙げられる。
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801
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2009-502525
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H180724
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シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
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マイクロ流体システム
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A4
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DC01
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WO2007/012632
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マイクロ流体システムは、流体を案内するためのマイクロチャネル構造と、マイクロチャネル構造から少なくとも１つの隔壁によって隔離され熱伝達流体を案内するための他のチャネル構造とを有する。マイクロ流体システムにおける内部漏れの危険を適切な時機に認識することができるようにするために、マイクロチャネル構造（２）が少なくとも１つの個所において他の隔壁（１１）によって空洞（１２）から隔離され、他の隔壁（１１）が、少なくとも局所的に、マイクロチャネル構造（２）と他のチャネル構造（５）との間の隔壁（８）よりも弱く構成され、空洞（１２）が侵入流体を検出するための検出装置（１４）に接続されている。
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802
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2009-502530
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H180628
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フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
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ＭＥＭＳデバイスにおける応力緩和機構およびその製造方法
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A4
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DD01 PI03
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WO2007/018814
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ＭＥＭＳデバイス１００およびＭＥＭＳデバイスを形成するための方法を提供する。代表的な一実施形態では、ＭＥＭＳデバイス１００は、表面を有する基板１０６と、基板の表面へ結合された第１の部分および基板の表面の上に可動に懸架された第２の部分を有する電極１２８と、電極の第２の部分に配置され、電極に一体に形成された第１の溝部２０８を備える応力緩和機構２０４とを備える。別の代表的な実施形態では、基板１０６はアンカー１３４，１３６を備え、アンカー１３４，１３６に隣接して応力緩和機構が形成されている。
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803
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2009-502531
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H180707
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ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー．
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微小電気機械システムのパッケージング及び配線
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A2
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PGX PHX
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WO2007/018955
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微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスは、電気的なウェーハと、機械的なウェーハと、電気的なウェーハを機械的なウェーハに接着する、プラズマ処理された酸化物シールと、電気的なウェーハと機械的なウェーハとの間の電気配線とを備える。
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804
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2009-502534
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H180721
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ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー．
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両面をプラズマ処理し、片面だけを湿式処理することによって面同士を互いに接着する方法
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A4
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PGX
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WO2007/016003
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第１の面が第２の面に接着される（１１０）。第１の面及び第２の面がプラズマ処理される（１０２）。第１の面だけが湿式処理される（１０４）。第１の面及び第２の面が互いに接合され、第１の面を第２の面に接着する（１１０）。
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805
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2009-503489
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H180712
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コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
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電子的機能および流体機能をもつバイオ医療装置のための相互接続およびパッケージング方法
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A2
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DC01 PH04 PHX PJ03
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WO2007/012991
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ラボ・オン・チップ（LOC）およびマイクロ・トータル・アナリシス・システムズ（MicroTotalAnalysesSystems）の製造のための相互接続およびパッケージング方法が提供される。バイオセンサー、ヒーター、クーラー、バルブおよびポンプといった種々の機能が、電子的／機械的／流体的モジュール内に、超音波接合処理を使ったフリップチップ技術によって組み合わされる。チップ上での所定のポリマー環がシールのはたらきをする。
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806
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2009-503564
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H180719
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クアルコム，インコーポレイテッド
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ＭＥＭＳデバイスのための支持構造、およびその方法
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A4
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DAX PI02
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WO2007/013939
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ＭＥＭＳデバイスのための支持構造、およびその方法ドーパント材料を選択的に拡散された犠牲材料で形成された、または選択的に酸化された金属犠牲材料で形成された支持構造を有する微小電気機械システムデバイス。該微小電気機械システムデバイスは、電極を上に形成された基板を含む。別の電極が、キャビティによって第一の電極から分離され、移動可能層を形成する。該移動可能層は、拡散された、または酸化された犠牲材料で形成された支持構造によって支持される。
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807
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2009-503565
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H180719
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クアルコム，インコーポレイテッド
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ＭＥＭＳデバイスのための支持構造、およびその方法
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A4
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DAX PI02
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WO2007/013992
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ＭＥＭＳデバイスのための支持構造、およびその方法保護材料によって取り囲まれた犠牲材料で形成された支持構造を有する微小電気機械システムデバイス。微小電気機械システムデバイスは、上に電極を形成された基板を含む。キャビティによって第一の電極から分離された別の電極は、犠牲材料で形成された支持構造によって支持される移動可能層を形成する。
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808
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2009-503566
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H180720
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クアルコム，インコーポレイテッド
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支持構造を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法
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A4
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DAX PI02
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WO2007/014022
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支持構造を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法ＭＥＭＳデバイスの実施形態は、導電性の移動可能層を含み、該移動可能層は、ギャップによって導電性の固定層から隔てられ、導電性の移動可能層内のくぼみの上にある剛性の支持構造もしくはリベットによって、または導電性の移動可能層内のくぼみの下にある柱によって支持される。特定の実施形態では、リベット構造の部分は、移動可能層を通って下の層に接触する。他の実施形態では、剛性の支持構造の形成に使用される材料を、ＭＥＭＳデバイスと電気的に接続する不動態化を経ないと曝されるであろうリードを不動態化して、これらのリードを損傷またはその他の干渉から保護するためにも用いることができる。
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809
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2009-503588
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H180731
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テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
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自立スプリングチップおよび分布アドレス電極を有するデジタルマイクロミラーデバイス
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A4
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DA04
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WO2007/016444
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マイクロミラーエレメントは第１のアドレス部、第２の部分、および１つ以上のアドレスビアを含んでいる。第１のアドレス部はマイクロミラーエレメントの第１の層内に分布された複数のアドレスパッドを含んでいる。第２のアドレス部はマイクロミラーエレメントの第２の層内に分布された複数のアドレス電極を含んでいる。１つ以上のアドレスビアは第１のアドレス部を第２のアドレス部に導電的に結合して第１のアドレス部から第２のアドレス部へアドレス電圧を伝達するのに使用できる。第１のアドレス部のアドレスパッドおよび第２のアドレス部のアドレス電極の分布により、第２のアドレス部により提供される静電力は第１のアドレス部により提供される静電力よりも大きくされる。
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810
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2009-503590
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H180728
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ステレオ ディスプレイ，インコーポレイテッド アングストローム，インコーポレイテッド
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自由表面を持つマイクロミラー・アレイレンズ
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A4
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DA04
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WO2007/014387
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マイクロミラー・アレイは、複数のマイクロミラーを含み、マイクロミラーの回転および／または並進の制御によって所定の自由表面を再生成する。マイクロミラーは、制御回路によって制御され、機械構造によって支えられ、反射面を備えている。レンズの所定の自由表面は、マイクロミラーの回転および／または並進の制御によって変化する。マイクロミラーは、レンズを形成するために、１または複数の同心円状に配置されている。マイクロミラーは、扇形、六角形、長方形、正方形、または三角形の形状を有している。マイクロミラーの反射面は、ほぼ平面である。制御回路は、半導体超小型電子技術を用いてマイクロミラーの下に設けられている。マイクロミラーは、静電力および／または電磁力によって作動する。マイクロミラーの反射面は、高反射率の材料によって作られている。レンズは、画像装置、監視カメラ、カムコーダなどに用いられる。
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811
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2009-503607
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H180621
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カペラ フォトニクス インコーポレイテッド
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ＭＥＭＳミラー・アレイのディザ振幅の自動調整法
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A4
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DA04
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WO2007/018758
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光スイッチにおけるＭＥＭＳミラーに対するディザ振幅を調整する方法、およびこのような方法を用いた光スイッチが開示されている。１つまたは複数のＭＥＭＳミラーのディザ振幅を、入力ポートと、光入力／出力（Ｉ／Ｏ）ポートの１つまたは複数に選択的に光結合される１つまたは複数のＭＥＭＳミラーのアレイとを有する光スイッチにおいて、調整する。ミラーを位置付けるためのデジタル／アナログ（ＤＡＣ）設定を用いて、位置ｘにおける出力ポートに光信号を結合させるように位置付けされたＭＥＭＳミラーの１つに対して、ディザ振幅を決定する。サーボ制御アセンブリは、オープン制御ループにおいて各ミラーをポート位置ｘの関数として位置付けるためのデジタル／アナログ・コンバータ（ＤＡＣ）設定を含むメモリを含む。サーボ制御アセンブリは、記憶されたＤＡＣ設定を用いて１つまたは複数のＭＥＭＳミラーのディザ振幅を調整するようにプログラムされている。
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812
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2009-503808
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H180526
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マイクロン テクノロジー， インク．
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光子結晶を利用する撮像方法及び装置
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A4
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DAX
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WO2006/132814
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イメージセンサ及びイメージセンサを形成する方法。イメージセンサは基板表面にピクセルセル（１００）のアレイを含む。それぞれのピクセルセルは光変換デバイス（１２）を有する。光子結晶構造を含む、少なくとも一つのマイクロ電子機械的システム（ＭＥＭＳ）構成要素（３３０）が、少なくとも一つのピクセルセル上に提供される。ＭＥＭＳに基づいた光子結晶構成要素（３３０）は支持構造（７）によって支持され、電圧の印加時において、電磁気的な波長が光変換デバイスに到達するのを選択的に許容するよう、構成される。このように、本発明に係るＭＥＭＳに基づいた光子結晶構成要素は、例えば色フィルタアレイのような従来のフィルタを代替するか、或いはその補完となりうる。【選択図】図３
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813
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2009-503918
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H180518
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コロ テクノロジーズ インコーポレイテッド
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超小型電気機械デバイスの製造方法
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A4
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DBX PGX PI02
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WO2006/123299
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超小型電気機械デバイス（ｃＭＵＴなど）の製造方法が開示される。この製造方法によれば、ウェーハボンディング技術又は犠牲技術を使用して、基板、中間ばね層及び頂部プレート層が結合される。基板の頂部又は中間ばね層の底部のいずれかに空胴が形成される。中間ばね層の頂部又は頂部プレート層の底部のいずれかにコネクタが形成される。これらの３つの層が結合されると、コネクタによって、頂部プレート層と中間ばね層の間に変換空間が構成される。コネクタは、側壁から水平方向に間隔を隔てており、側壁に固定された片持ち梁を構成している。片持ち梁及び空胴は、コネクタの垂直方向の変位を可能にしており、それにより頂部プレート層がピストン運動で移動し、延いては変換空間が変化する。複数のデバイスエレメントを同じ基板上に構築することができる。
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814
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2009-504421
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H180727
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シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
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マイクロおよびナノ電気回路に機能性ナノ構造体を集積する方法
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A1
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DF03
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WO2007/017401
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本発明は基板（１７）上に少なくとも１つのナノ構造体（９）を形成する方法に関する。この方法においては、電極がそれぞれ突出している電極領域を有し、電極領域は電極側とは反対側に端部（５）を備えており、隣接する端部（５）がそれぞれ周波数により時間的に変化する電位差を形成するように１つのラインに沿って配置されている、少なくとも１つのマルチ電極構造（１１）が基板（１７）上に形成され、例えばナノチューブ、ナノワイヤおよび／またはカーボンナノチューブのようなナノオブジェクト（３）を有する懸濁液が生成され、懸濁液がそれぞれ隣接する端部（５）間において基板（１７）上に移され、隣接する端部（５）間においてラインに沿って、それぞれ行われる誘電泳動により別個のナノオブジェクトクラスタ（７）が析出され、端部（５）の領域においてナノオブジェクトクラスタ（７）がそれぞれ統合されてナノ構造体（９）が形成される。
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815
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2009-505162
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H180817
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クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
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応力に起因する変形を最小限に抑えるように構成された支持構造を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法
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A4
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DAX PI02
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WO2007/022476
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応力関連の変形を最小限に抑えるように構成された支持構造を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法ＭＥＭＳデバイスの実施形態は、上位の支持構造によって支持される移動可能層を含み、更に、下位の支持構造を含むことができる。１つの実施形態では、上位の支持構造内の残留応力と、移動可能層内の残留応力とが、実質的に等しい。別の実施形態では、上位の支持構造内の残留応力と、下位の支持構造内の残留応力とが、実質的に等しい。特定の実施形態では、実質的に等しい残留応力は、同じ厚さを有する同じ材料で形成される層の使用を通じて得られる。更なる実施形態では、実質的に等しい残留応力は、互いの鏡像である支持構造および／または移動可能層の使用を通じて得られる。
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816
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2009-505163
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H180817
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クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
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テーパ縁を実現するために、ＭＥＭＳデバイス内に層を形成するための方法
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A4
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DAX PI02
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WO2007/022479
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テーパ縁を実現するために、ＭＥＭＳデバイス内に層を形成するための方法特定のＭＥＭＳデバイスは、テーパ縁を有するようにパターン形成された層を含む。テーパ縁を有する層を形成するための１つの方法は、エッチング誘導層を使用することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、上方部分が下方部分よりも速い速度でエッチング可能な層を堆積することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、複数の反復エッチングを使用することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、リフトオフマスクの上に層が堆積され、そのマスク層が除去された後、テーパ縁を有する構造が残されるように、負の角度を含む開口を有するリフトオフマスクを使用することを含む。
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817
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2009-505389
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H180810
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ハイマイト アクティーゼルスカブ
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マイクロ部品用チップ・スケール・パッケージ
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A2
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PG04 PHX
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WO2007/017757
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パッケージは、ＭＥＭＳデバイスのようなマイクロ部品付きのセンサ・ダイと、センサ・ダイの外周付近に１つ以上の導電性接着パッドとを備え、上記ＭＥＭＳデバイスは、たとえばＣＭＯＳ回路を含むことができる集積回路に結合される。半導体用キャップ構造は、上記センサ・ダイに取り付けられる。上記キャップ構造の前面は、マイクロ部品が置かれるセンサ・ダイの領域を密閉状態で封入するために、シールリングによってセンサ・ダイに取り付けられる。センサ・ダイ上の接着パッドは、シールリングによって封入された領域の外側に置かれる。導線は、半導体キャップ構造の外側端部に沿って、キャップ構造の前面から裏面まで延び、上記接着パッドを介して上記マイクロ部品に結合される。【選択図】図２
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818
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2009-505845
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H180809
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プレジデント・アンド・フエローズ・オブ・ハーバード・カレツジ
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導電性コーディングされた側壁を有するナノ転写印刷スタンプを使用する方法
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A1
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DF02 PJ01
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WO2007/021741
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ナノ転写印刷法の既知の方法は、厚さ１０ｎｍ未満の金属層（４０）でコーティングしたスタンプ（１０）を使用して、スタンプ（１０）の凸部（２５）から第二の表面（４５）へ層（４０）を転写する。本発明によれば、スタンプ（１０）の側壁（３５）および凹部（３０）の残りの層は、材料（６０）の層（６５）への電荷印刷（ｃｈａｒｇｅｐｒｉｎｔ）に使用するか、または化学的測定および生物学的測定における電極として使用することができる。
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819
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2009-507257
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H180830
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ユニ−ピクセル・ディスプレイズ・インコーポレーテッド
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電気機械的動的力プロファイル型連接機構
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A4
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DAX
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WO2007/027997
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可変膜により生じる本来の平行板コンデンサーの作動性質の回復またはエミュレートに対する連接機構の電気機械的動態作用プロファイルは、ＭＥＭＳシステムに利用されている。柔軟な膜が曲線状に変形することにより、ＭＥＭＳの性質は動重力が作用する際に幾何的平行性を維持するリジッド板間における知られた相互作用とは異なったものとなる。本発明では平行板の性質を獲得する３つの方法を説明する。可変ＭＥＭＳ膜内、膜上において、リジッド領域を追加するまたはその場で統合する。膜と結合した導体領域内における調整・整形されたボイドの導入により、膜上の力プロファイルを変化させることより平行性を確保するイソダイン領域を形成する。隆起リジッド領域の堆積後、導体領域が堆積される複合構造の手段であり、前記領域から直接発生するリジッド性の利点と共に、リジッド領域付近における内部導体の距離増加によりイソダインの性質をエミュレートする。
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820
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2009-507343
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H180830
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インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
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微小空洞ＭＥＭＳデバイス及びその製造方法
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A4
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DB01 PI02
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WO2007/027813
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【課題】微小空洞ＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】微小空洞（４０）内部で、少なくとも１つの誘導要素により導かれて自由に移動する要素（１４０）を有するＭＥＭスイッチを説明する。スイッチは、それぞれが好ましくはパーマロイ製の金属磁心（１８０、２００）を有する上部誘導コイル（１７０）及び随意の下部誘導コイル（１９０）と、微小空洞（４０）と、やはり磁性材料製であることが好ましい自由移動スイッチング要素（１４０）とから成る。スイッチングは、上部コイルに電流を流してコイル要素内に磁場を誘起することにより達成される。磁場は、自由移動磁気要素を上方に引き寄せて２つの開いた配線（Ｍ＿１、Ｍ＿ｒ）を短絡させて、スイッチを閉じる。電流の流れが停止するか又は逆向きになると、自由移動磁気要素は重力により微小空洞の底に落下して戻り、配線を開く。チップが正しい方位で取り付けられないときは、重力は利用できない。その場合には、自由移動スイッチング要素を元の位置に引き戻して保持するために、下部コイルが必要になる。【選択図】図１
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821
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2009-507446
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H180824
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エヌエックスピー ビー ヴィ
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ＭＥＭＳキャパシタマイクロフォンを製造する方法、このようなＭＥＭＳキャパシタマイクロフォン、このようなＭＥＭＳキャパシタマイクロフォンを備えたフォイルの積層体、このようなＭＥＭＳキャパシタマイクロフォンを備えた電子デバイスおよび電子デバイスの使用
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A4
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DD07 PGX PIX
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WO2007/029134
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本発明は、ＭＥＭＳキャパシタマイクロフォンを製造する方法に関し、さらに、このようなＭＥＭＳキャパシタマイクロフォンに関する。この方法により、ＭＥＭＳキャパシタマイクロフォンを、少なくとも一方の側に導電層（１１ａ，１１ｂ）を有する前処理されたフォイル（１０）を積層することによって、製造することができる。積層の後に、フォイル（１０）は、圧力と熱を用いて密閉される。最後に、ＭＥＭＳキャパシタマイクロフォンは、積層体（Ｓ）から分離される。フォイルの前処理（好ましくはレーザー光線によって行われる）は、（Ａ）フォイルをそのまま残すステップ、（Ｂ）導電層を局部的に除去するステップ、（Ｃ）導電層を除去し、フォイル（１０）を部分的に蒸発させるステップ、および（Ｄ）導電層とフォイル（１０）の両方を除去し、これにより、フォイル（１０）に孔を形成するステップ、から選択したステップを備える。前記積層と組み合わせて、空洞および膜を形成することが可能である。このことは、ＭＥＭＳキャパシタマイクロフォンを製造する可能性をもたらす。
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822
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2009-507655
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H180824
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コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
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マイクロシステムの製造方法、当該マイクロシステム、当該マクロシステムを有するホイルの積層体、当該マイクロシステムを有するエレクトロニクス素子、及び該エレクトロニクス素子の使用
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A4
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DC01 DC02 DC03 DD03 DD07 PGX PIX
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WO2007/029132
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本発明は、マイクロシステムの製造方法に関し、さらには当該マイクロシステムにも関する。この方法によって、マイクロシステムは、少なくとも1面上に導電性層(11a 11b)を有する前処理がされた処理ホイル(10)を積層することによって製造されて良い。積層後、ホイル(10)は、圧力及び熱を用いることによって密閉される。最終的には、マイクロシステムは積層体(S)から分離される。ホイルの前処理（レーザービームの手段によって行われることが好ましい）は、次の、(A)ホイルをそのままにしておく工程、(B)導電性層を除去する工程、(C)導電性層を除去し、かつホイル(10)を部分的に蒸発させる工程、及び(D)ホイル(10)だけではなく導電性層をも除去することでホイル(10)内に穴を作る工程、を選択する。前記の積層と併用することによって、空洞、自由に浮くカンチレバー、及び膜を作製することが可能となる。これによって、MEMS素子及びマイクロ流体システムのような様々なマイクロシステムを製造する可能性が開かれる。
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823
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2009-507656
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H180824
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コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
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マイクロシステムの製造方法、当該マイクロシステム、当該マクロシステムを有するホイルの積層体、当該マイクロシステムを有するエレクトロニクス素子、及び該エレクトロニクス素子の使用
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A4
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DC01 DC02 DC03 DD03 DD07 PGX PIX
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WO2007/029133
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本発明は、マイクロシステムの製造方法に関し、さらには当該マイクロシステムにも関する。この方法によって、マイクロシステムは、少なくとも1面上に導電性層(11a 11b)を有する前処理がされた処理ホイル(10)を積層することによって製造されて良い。積層後、ホイル(10)は、圧力及び熱を用いることによって密閉される。最終的には、マイクロシステムは積層体(S)から分離される。ホイルの前処理（レーザービームの手段によって行われることが好ましい）は、次の、(A)ホイルをそのままにしておく工程、(B)導電性層を除去する工程、(C)導電性層を除去し、かつホイル(10)を部分的に蒸発させる工程、及び(D)ホイル(10)だけではなく導電性層をも除去することでホイル(10)内に穴を作る工程、を選択する。前記の積層と併用することによって、空洞、自由に浮くカンチレバー、及び膜を作製することが可能となる。これによって、MEMS素子及びマイクロ流体システムのような様々なマイクロシステムを製造する可能性が開かれる。
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824
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2009-507658
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H180829
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フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
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ＭＥＭＳ装置及び製造方法
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A4
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PB01 PI02 MA02
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WO2007/030349
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構造的信頼性を得るための複数の構造タイバー（１０８、３０３、３０４）を含むＭＥＭＳ装置（１００、３００）及び製造方法。ＭＥＭＳ装置は、活性層（２０２）と、基板（１０２）と、それらの間に形成された絶縁材（２０４）と、活性層内の第１及び第２の複数の固定電極（１０３、１０５）並びに複数の可動電極（１０７）と、を含む。複数の相互接続部（１０６、３０１、３０２）は、第１及び第２の複数の固定電極の各々の第２面に電気的に結合される。複数の固定部（２２６）は、第１及び第２の複数の固定電極の各々の第１面を基板に固定して取り付けられる。第１構造タイバーは、第１の複数の固定電極の各々の第２面を結合し、第２構造タイバーは、第２の複数の固定電極の各々の第２面を結合する。
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825
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2009-508325
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H180828
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スモルテック エービー
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ナノ構造体に基づく相互接続および熱の散逸体
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A1
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DF02 MI03
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WO2007/119123
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本発明は、導電または絶縁基板上に成長されるナノ構造体およびそれを作る方法を提供する。請求項の方法によって成長されるナノ構造体は、電子装置における相互接続および／または熱の散逸体に適切である。
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826
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2009-508367
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H180616
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コロ テクノロジーズ インコーポレイテッド
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絶縁延長を有する微小電気機械変換器
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A4
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DBX
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WO2006/134580
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絶縁延長を備えた絶縁体によって隔てられた２つの電極を有する（ｃＭＵＴなどの）微小電気機械変換器が開示される。２つの電極は、その間に変換用ギャップを画定する。絶縁体は、２つの電極間に配置された絶縁性の支持体と、変換用ギャップの増大を必要とすることなく有効な絶縁を高めるために２つの電極の少なくとも１つの中に延在する絶縁延長とを有する。また、微小電気機械変換器を製造するための方法も開示される。この方法は、従来の膜ベースのｃＭＵＴ、および剛性のある上部プレートを輸送する組込み型スプリングを有するｃＭＵＴにおいて使用することができる。
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827
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WO2006/109397
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コニカミノルタエムジー株式会社
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逆流防止構造、それを用いた検査用マイクロチップおよび検査装置
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A4
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DC01
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H180315
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WO2006/109397
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二つの流路が合流する合流部において、合流部より上流の一方の流路に設けられた逆流防止手段を備え、前記逆流防止手段の流路抵抗を、他方の流路における合流部の上流および下流の流路抵抗の合計の全流路抵抗よりも大きくなるように設定した。
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828
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WO2006/109687
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松下電器産業株式会社
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微小機械構造体
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A4
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DA04
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H180406
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WO2006/109687
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本発明の微小機械構造体は、基台１と、基台１上に形成された弾性を有する弾性支持部５と、基台１に対して相対的に移動可能なように弾性支持部５によって支持される可動部とを備える。この可動部は、第１の空隙を介して基台１に対向する可動電極６と、垂直リブ７を介して可動電極６に固定されているミラー８とを備える。
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829
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WO2006/112387
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松下電器産業株式会社
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微小機械構造体システムおよびその製造方法
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A4
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DA04 PGX PI02 MA01
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H180414
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WO2006/112387
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本発明の微小機械構造体システムは、少なくとも一部が単結晶材料で形成される可動構造体５と、可動構造体５を支持する弾性支持部材１０と、少なくとも一部が可動構造体５に対向する固定電極部１３，２５と、回路部を有し、固定電極１３、２５が固定される基台２２とを備える。固定電極部１３、２５は、可動構造体５に対して位置決めされた第１電極層（上層固定電極層）１３と、基台２２に対して位置決めされた第２電極層（下層固定電極層）２５とを備え、第１電極層１３と第２電極層２５とは、接着層１５，１６を介して接合されている。
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WO2006/126253
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独立行政法人 宇宙航空研究開発機構
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ジャイロスコープ
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A4
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DD02 PB02 PI02
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H170524
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WO2006/126253
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小型で高性能のジャイロスコープ及びその製造方法を提供する。ジャイロスコープ(10)は、外枠(11)と、外枠内に配置され、一方向に移動可能に支持された内枠(12)と、内枠内に配置され、一方向と垂直な方向に移動可能に支持された複数の検出用質量(15)と、外枠と前記内枠とを結合する複数の外側支持バネ(13)と、内枠と各々の前記検出用質量とを結合する複数の内側支持バネ(14)と、各々の検出用質量を加速するためのアクチュエータ(16)と、内枠の変位を検出するための検出器(17)とを備える。アクチュエータにより、複数の検出用質量を同位相で振動させ、それぞれの検出用質量の振動により発生するコリオリ力が内枠で足し合わされるようになっている。
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831
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WO2006/126487
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ＪＳＲ株式会社
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マイクロチップ及びマイクロチップの製造方法
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A4
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DC01 PJX MEX
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H180522
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WO2006/126487
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（要約）（課題）マイクロチップ内に形成される空洞部内の突起部の形状や配置・配列寸法の精度が非常に高いマイクロチップ並びに該マイクロチップの製造方法の提供。（解決手段）マイクロチップの下部を構成する下基部と、該下基部上方に形成される中間部と、該中間部上方に形成される上基部からなり、前記下基部と前記中間部と前記上基部が光硬化性樹脂からなるとともに一体に形成され、前記中間部内には空洞部が形成され、該空洞部の壁面から微小構造部が突出するとともに前記壁面と一体に形成されることを特徴とするマイクロチップである。
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WO2006/135061
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株式会社リッチェル 富山県
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接合構造体
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A3
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PGX MEX
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H180616
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WO2006/135061
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【課題】複数の構造体の接合面の接合性に優れた接合構造体であって、マイクロ構造体及びマイクロ部品の提供を目的とする。【解決手段】第１の構造体と第２の構造体とを、相互に対向する平滑面で接合してマイクロ構造等を形成する接合構造体であって、第１の構造体と第２の構造体との内、少なくとも一方を、ポリプロピレン系樹脂と一般式Ｘ−Ｙで表記されるブロックコポリマーの水素添加誘導体とを含有する樹脂組成物で製作してあり、接合面に、アルコキシ又はアルキルシラン化合物若しくはアルコキシ又はアルキルシラン化合物に一般式Ｘ−Ｙで表記されるブロックコポリマーの水素添加誘導体を含有させたものを塗布して加熱接着してあることを特徴とする（但し、Ｘ：ポリプロピレン系樹脂に相溶しないポリマーブロック、Ｙ：共役ジエンのエラストマー性ポリマーブロックである。）。
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833
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WO2007/011052
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国立大学法人横浜国立大学
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流体制御デバイス
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A4
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DC01
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H180719
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WO2007/011052
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流体制御デバイス（１０）は、マイクロチップ又はバイオチップの流路（２３）に配置され、流路内の流体の輸送又は圧送等を行う。流体制御デバイスは、光駆動可能な可動部（１２）と、可動部を回転可能に支持する固定部（１１）とを有し、可動部及び固定部は、光造形法によって流路内に造形した光重合性樹脂の光重合体からなる。複数の固定部が、流路を形成する基板（２）又は流路壁（２１）に固定され、複数の可動部が、各固定部に回転可能に支承される。少なくとも一つの可動部は、レーザー光（Ｌ）の照射による遠隔操作によって回転し、近接する可動部と協働して流路の容積変化又は変形を生じさせ、流路内の流体を輸送又は圧送する。
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834
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WO2007/018186
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東京エレクトロン株式会社
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微小構造体の検査装置，検査方法および検査プログラム
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A4
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DD01 CI
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H180807
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WO2007/018186
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３次元加速度センサの測定チップをチャックに装着し（ＳＰ１）、プローブ針を測定チップに移動させ（ＳＰ２）、フリッティング制御を行って（ＳＰ４）、プローブ針を測定チップの電極パッドに接続し、ＤＣテストを行った（ＳＰ７〜ＳＰ１０）後、スピーカから測定チップの可動部にテスト音波を与えて加振テストを行い（ＳＰ１１〜ＳＰ１３）、その結果に基づいて３次元加速度センサの特性を測定する。
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