公開年：2003年

No. 公開／公表番号 出願日 出願人 発明（考案）名称 A分類 分類 発明相応図 国際出願日 国際公開番号 要約
1 2003-001598 2001/06/21 ソニー株式会社 Ｓｉ膜のエッチング方法 A4 DB01 PB04 PI02 MA01 MA02 2

(57)【要約】【課題】 ＸｅＦ2ガスを用いてＳｉ膜をエッチングする際、エッチングのエンドポイントを正確に検出するできるような、Ｓｉ膜のエッチング方法を提供する。【解決手段】 本方法は、二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）ガスを用いた等方性ドライエッチング法によるＳｉ膜のエッチング方法である。本方法では、エッチングされるＳｉ膜を有する基板をエッチングチャンバ内に入れ、次いでエッチングチャンバにＸｅＦ2ガスを導入し、エッチングチャンバ内の圧力を所定圧力に維持しつつエッチングを進行させる際、エッチングチャンバ内で所定圧力値に維持されている圧力が一時的に急激に上昇した時点を、Ｓｉ膜上に生成している自然酸化膜が除去され、Ｓｉ膜のエッチングが開始された時点と認定して、Ｓｉ膜のエッチングを時間制御する。
2 2003-001599 2001/06/25 科学技術振興事業団 三次元微小構造物の製造方法及びその装置 A4 PJX MEX FP

(57)【要約】【課題】 加工時間の短縮化を図り、精度の向上を図ることができる三次元微小構造物の製造方法及びその装置を提供する。【解決手段】 光硬化樹脂に、この光硬化樹脂に吸収されない波長を有するフェムト秒パルスレーザー光９を集光照射し、二光子吸収により光硬化樹脂を光重合させて硬化させ、微小立体構造物を製造するのに、前記二光子吸収により、前記光硬化樹脂１の作製すべき微小立体構造物の外殻部分２を先に硬化させ、外殻の外の未硬化不要樹脂１を洗い流し、次いで外殻内部の未硬化樹脂４を光重合させ、この際、光ビームの走査は多項式で制御し、前記外殻をトレースする。
3 2003-003337 2001/06/15 ノリタケ伊勢電子株式会社 ナノグラファイバーの製造方法 A4 DDX DF02 4

(57)【要約】【課題】 均質で再現性のよいナノグラファイバーの製造方法を提供する。【解決手段】 陰極となる第１の炭素電極２と、陽極となる第２の炭素電極３とを対向させて配置し、水素ガス雰囲気中でこれらの炭素電極の間にアーク放電を発生させ、第１の炭素電極２にナノグラファイバーを含む堆積物を生成させるナノグラファイバーの製造方法において、第２の炭素電極３の第１の炭素電極２と対向する面に凸部を設け、第１の炭素電極２と第２の炭素電極３の凸部とを接触させ、これらの炭素電極間に第１の電流値で電流を流し、これらの炭素電極の間隔を所定距離となるまで所定速度で広げてアーク放電を発生させ、アーク放電発生から所定時間経過後の炭素電極間に流れる電流が第２の電流値となるように直流電源５の出力電流を制御する。
4 2003-005101 2001/06/26 セイコーエプソン株式会社 光変調装置及びその製造方法 A4 DA04 PA03 PA05 PB04 PG01 MA01 ME01 MF02 9

(57)【要約】【課題】 耐久性に優れる光変調装置及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】 駆動電極１３０と微小ミラー２２０との電位差により生じる静電気力により、微小ミラー２２０を傾斜駆動させる光変調装置を製造する方法であって、微小ミラー２２０を傾斜駆動させるときの支点となる支持部２８０と、微小ミラー２２０を傾斜駆動させるときの軸となる軸部２３０と、を一体的に形成することを含む。
5 2003-005102 2002/02/08 株式会社ニコン 薄膜弾性構造体及びその製造方法並びにこれを用いたミラーデバイス及び光スイッチ A4 DA01 PA07 MA01 MB03 ME01 MF02 1

(57)【要約】【課題】 優れた光学特性を保ちながら、小型化及び量産性をより一層向上させる。【解決手段】 ミラーデバイスは、ミラー２と、ミラー２を基板１に対して基板１から浮いた状態にかつ任意の方向に傾動可能に弾性支持する支持機構とを備える。支持機構は、基板１とミラー２との間を機械的に接続する３つの支持部３Ａ，３Ｂ，３Ｃを有する。各支持部３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、１層以上の薄膜で構成された１つ以上の板ばね部５を有する。板ばね部５の一端部は、基板１から立ち上がる立ち上がり部を持つ脚部９を介して基板１に接続される。板ばね部５の他端部は、当該他端部から立ち上がる立ち上がり部を持つ接続部を介して、ミラー２に機械的に接続される。ミラー２は、各３Ａ，３Ｂ，３Ｃの板ばね部５を介してのみ、基板１に対して支持される。
6 2003-008091 2001/06/26 株式会社沖データ ダイアフラム型圧電アクチュエータ及びインクジェットヘッド A4 DC03 DCX MA01 MD07 MG01 1

(57)【要約】【課題】製作が容易でダイアフラムの変位量が大きく、かつ、ダイアフラムの変位が高速なダイアフラム型圧電アクチュエータを提供すること、及び、該ダイアフラム型圧電アクチュエータを使用することによって、キャビティの体積変化が大きく、かつ、高速で、インクの噴出量が多く、小型化されたされるようにする。【解決手段】薄膜状の基板２１及び該基板２１上に形成された薄膜状の圧電体２３を備えるダイアフラムと、該圧電体２３の上面及び下面に取り付けられ、少なくとも一方が複数の領域に分割された電極とを有するか、又は、前記ダイアフラムの中央部と周縁部とで前記圧電体の分極の向きが互いに逆になる。
7 2003-011099 2001/06/27 シャープ株式会社 益田　秀樹 多孔質層及びデバイス、並びにその製造方法 A1 DAX DC01 DE01 DE02 DF02 10

(57)【要約】【課題】 ナノ構造からなる細孔を有し、細孔密度を簡便、且つ、低コストに制御し、細孔制御の大面積化を可能にした多孔質層及びその製造方法を提供する。【解決手段】 多孔質層は第１の細孔群３、第２の細孔群４の２つの異なる細孔構造から構成され、一部の第１の細孔群３と第２の細孔群４とが連続性を有する。多孔質層の製造に当たっては、多段階陽極酸化法を用いる。具体的には、陽極酸化するための化成電圧を変化させる。
8 2003-011100 2001/06/27 松下電器産業株式会社 ガス流中のナノ粒子の堆積方法、並びに表面修飾方法 A4 DF02 4

(57)【要約】【課題】 ガス流中で荷電状態にあるナノ粒子を効率的に堆積し得るとともに、表面原子の露出割合が大きいために欠陥や不純物に非常に敏感なナノ粒子の表面修飾をガス流中で制御性良くなし得るガス流中のナノ粒子の堆積方法、並びに表面修飾方法を提供すること。【解決手段】 ナノ粒子の含まれる第１のガス種の流れ101の中の荷電ナノ粒子を電子線112を照射することで中和し効率的に堆積するガス流中のナノ粒子の堆積方法、並びにガス混合室103で第１のガス種と混合し第２のガス種を活性化することでナノ粒子の表面修飾を行うガス流中のナノ粒子の表面修飾方法である。
9 2003-013160 2001/07/04 日本鋼管株式会社 三原　豊 橋口　原 大平　文和 吉村　英徳 株式会社アドバネクス マイクロ部品用金型およびその製造方法 A4 DFX PB01 PE01 PJX MD09 MDX MH01 5

(57)【要約】【課題】 製造コストが安価で且つ高い精度を有するマイクロ部品用金型およびその製造方法を提供する。【解決手段】 Ｓｉ基板の表面をフォトリソグラフィー法およびドライエッチング法等により加工することによって、マイクロ部品用金型の原型５を調製し、そして、超塑性を有するチタン合金７に原型５を転写する。
10 2003-014997 2002/04/23 ゼロックス・コーポレーション 超小型光電子機械システム（ＭＯＥＭＳ） A4 DAX 2

(57)【要約】【課題】 チップと光ファイバーを顕微鏡の下で整列させるのではなく、ミラーを使って簡単な方法で調整する機構を提供する。【解決手段】 ＭＥＭＳベースの調整可能なミラーモジュールを使えば、基板内の光ファイバーを、より速く、より低コストで、より簡単に整列状態にすることができる。基板上に形成された可動ミラーを使えば、光ファイバーを取り付けた後、光路を調整し、その後でミラーをその位置に固定して整列不良を防ぐことができる。
11 2003-015053 2002/03/11 クロッケ　ナノテヒニーク 位置付けユニットおよび少なくとも二つの位置付けユニットを備えた位置付け装置 A1 DF02 1

(57)【要約】【課題】 本発明は、少なくとも±１０ｎｍの解像度を有する加速ナノドライブと、スライダーと、静止要素とこの目的で可動要素を有するモジュールとを備え、部材が５００ｇ未満の質量を有するとともに、ドライブに関して可動に支持されている可動要素を有する位置付けユニットに関する。本発明はまた少なくとも二つのこの種の位置付けユニットを備えた位置付け装置を提供する。【解決手段】 少なくとも±１０ｎｍの解像度を有する加速ナノドライブ（２）と、スライダー（５）と、静止要素（６）とこの目的で可動要素（７）を有するモジュール（６、７）とを備え、要素（７）が５００ｇ未満の質量を有するとともに、ドライブ（２）に関して可動に支持されており、スライダー（５）とモジュール（６、７）の可動要素（７）が互いに強固に連結され、またドライブ（２）が１０Ｇを超える加速度を出すことができることを特徴とする加速ナノドライブを備えた位置付けユニット。
12 2003-015063 2001/07/03 三菱電線工業株式会社 光スイッチ及びその製造方法、並びに光スイッチシステム A4 DA01 PB01 MA01 MC01 8

(57)【要約】【課題】簡単な構造によりミラー２を光反射位置に固定保持し、固定保持のためのエネルギーが不要な光スイッチ１を提供する。【解決手段】光スイッチ１は、基板４上面にミラー２を、基板４下面に電磁コイル３を備え、それらの中央部を貫通して形成された強磁性体よりなるコア５を備えている。基板４は板バネ６により支持され、その上下には一対の永久磁石７、８が配置されている。コア５が上側の永久磁石８に吸着した状態が、スイッチＯＮ位置で、ミラー２が信号光を反射する。ＯＮ位置において、電磁コイル３に電流を流して、コア５を上側の永久磁石８と反発するような電磁石にすると、コア５が上側の永久磁石から離れて下側の永久磁石７の方へ移動してスイッチＯＦＦ位置となる。
13 2003-015064 2001/07/04 富士通株式会社 富士通メディアデバイス株式会社 マイクロミラー素子 A4 DA01 DA04 PB02 PI03 MAX 1

(57)【要約】【課題】 捩れ連結部の捩り抵抗が低く設定されつつミラー面の法線まわりの回転などのミラー形成部の不適切な動作が抑制されたマイクロミラー素子を提供すること。【解決手段】 マイクロミラー素子１００において、フレーム１１３と、ミラー平面１１４を有するミラー形成部１１１と、フレーム１１３およびミラー形成部１１１を連結するように延びるとともに、ミラー形成部１１１をフレーム１１３に対して回転させるための回転軸心Ｘ１を規定し、さらにミラー平面１１４に対して平行で回転軸心Ｘ１に対して横切方向に幅を有する捩れ連結部１１２と、を備え、捩れ連結部１１２の幅は、ミラー形成部１１１に接続される部分では相対的に広く、フレーム１１３に至るまでの少なくとも途中までは、ミラー形成部１１１から遠ざかるにつれて徐々に狭くなることとした。
14 2003-015311 2001/06/15 ジェームズ・イー・サンフォード ＭＥＭＳ装置を使用したマスクレスの露光システム A4 DA02 2

(57)【要約】 （修正有）【課題】感光処理表面を選択的に露光させるためのマスクレス露光システムを提供する。【解決手段】本システムは細長いアパーチャ２４を有する半導体基板２９を備える。一連のシャッター及びそれに連係したガイド手段が、従来のウェーハ処理方法で基板上に形成される。シャッター３３，３３Ａ，３３Ｂは、アパーチャ３０を覆う第１の位置及びアパーチャを露出する第２の位置の間を移動する。対応する一連のコンピュータ制御のアクチュエータは、電磁コイル３７の形態で、その第１及び第２の位置間で各シャッターを選択的に摺動するようシャッターと協働する。光ビームは、アパーチャに向けられ、シャッターは、アパーチャから出たパターン形成された光ビームを形成する。コンピュータ制御のステッパーは、処理材料の異なる部分にパターン形成光ビームを向けるため、シャッターアクチュエータと同期して、パターン形成光ビームと、感光処理表面との間の関係を調整する。
15 2003-016920 2001/07/04 株式会社日立製作所 電子源構造材および発光表示装置 A4 DF02 2

(57)【要約】【課題】電子放出の均一性がよく、低ゲート電圧動作が可能で寿命の長い電子源構造材と、それを用いた発光均一性のよい発光表示装置を提供する。【解決手段】平均直径が２．７ナノメートル以下の２層または３層カーボンナノチューブを１０％以上含んだカーボンナノチューブ群を電子源構造材とし、これを発光表示装置に用いた。
16 2003-017712 2001/06/29 本田技研工業株式会社 半導体基板の接合方法 A4 DAX DBX DCX DDX DEX PGX PHX 2

(57)【要約】【課題】 良好な気密性を保つことができ、接着剤のはみ出しがなく、半導体基板を接合するための工程が煩雑でない半導体基板の接合方法を提供する。【解決手段】 上側半導体基板と下側半導体基板を所定の位置で貼り合わせて、少なくとも一つのセンサ用半導体部材を含む半導体基板接合体を構成する半導体基板の接合方法であって、上側半導体基板に触刻部を形成する工程（ＳＴ１０）によって形成した上側半導体基板に接着剤を透過させる透過範囲が設けられた透過膜を宛う工程（ＳＴ１１）と、接着剤塗布工程（ＳＴ１２）と貼り合わせて接着する工程（ＳＴ１３）から成り、これらの工程によって形成された半導体基板接合体を切り出して細分化する工程（ＳＴ１４）により、ガスレートセンサ用半導体部材が作製される。
17 2003-019699 2002/04/15 富士ゼロックス株式会社 膜、自己再構成可能なロボット、膜を提供する方法、コンピュータが読取り可能なメモリを含む製品、スマート膜用のソフトウェアを提供する方法、及び膜を制御する方法 A4 DCX DDX DEX DF02 15

(57)【要約】【課題】 １つの属性を有する少なくとも１つのオブジェクトに対し、分類機能、フィルタリング機能、及び吸収機能のうちの少なくとも１つの機能全体を行う膜を提供する。【解決手段】 膜(700)は、互いに隣接して配置された複数のモジュールユニット(710)を備える。各モジュールユニットは、その周囲の環境に関する情報を取得する。これらの複数のモジュールユニットの少なくとも一部はそれぞれ、少なくとも第１の制御方法に基づいて、少なくとも１つの機能を実行する。この第１の制御方法は、各モジュールユニットに対する情報に基づいて、機能を決定する。これらの複数のモジュールユニットの少なくとも一部が、少なくとも１つの機能を実行することによって、オブジェクト(720 730)の属性に基づいて、膜の機能全体が集合的に実行される。
18 2003-019700 2001/07/06 キヤノン株式会社 マイクロ構造体、およびその作製方法 A4 DA02 PA01 PB01 MA01 1

(57)【要約】【課題】製造装置および製造コストが安価で、プロセス条件出しが容易で、所望の構造体を高精度で容易に形成でき、デバイス設計が容易なマイクロ構造体の作製方法である。【解決手段】面方位（１１０）を主面とする単結晶シリコン基板１に梁２により支持された部分３を有するマイクロ構造体の作製方法では、基板１を異方性エッチングにより加工することで、基板面に垂直な（１１１）等価面の側壁で囲まれた所定の内角の平行四辺形の複数の基板貫通孔４、及び、基板貫通孔４の間の基板面に垂直なシリコン薄膜部６を形成し、その後、シリコン薄膜部６を除去する。
19 2003-020215 2001/07/03 科学技術振興事業団 財団法人産業創造研究所 日本電気株式会社 カーボンナノホーン集合体の製造方法 A4 DF02 PJ07 MI03 2

(57)【要約】【課題】 つぼみ状とダリア状のカーボンナノホーン集合体を、それぞれを単独に、高収率で得ることができるカーボンナノホーン集合体の製造方法を提供する。【解決手段】 不活性ガスの原子量あるいは分子量に応じて圧力を制御した雰囲気中で、固体状炭素単体物質を蒸発させて炭素蒸気を不活性ガス中に放出させることで、カーボンナノホーンが先端を外周面にして集合したカーボンナノホーン集合体を、形状および大きさを制御して得るようにする。
20 2003-021798 2001/07/06 ソニー株式会社 ＭＥＭＳ素子、ＧＬＶデバイス、及びレーザディスプレイ A4 DA01 DA04 DA05 PB04 PI02 MA01 MB01 MB03 MBX MF02 1

(57)【要約】【課題】 犠牲層としてポリシリコン、アモルファスシリコン等のシリコンを使用する際、犠牲層のエッチング除去に当たり、損傷を受けないような構成のメンブレンを有するＭＥＭＳ素子を提供する。【解決手段】 本ＭＥＭＳ素子３０は、ＧＬＶデバイスを構成する光変調素子として構成され、メンブレン３２のブリッジ部材３４の構造が異なることを除いて、従来のＭＥＭＳ素子と同じ構成を備えている。メンブレン３２は、下層に膜厚が２０ｎｍのＳｉＯ2 膜３６を有し、その上に膜厚が例えば１００ｎｍのＳｉＮ膜３８を積層させたブリッジ部材３４と、ブリッジ部材３４上に形成された、膜厚１００ｎｍのＡｌ膜からなる光反射面兼メンブレン側電極１４とから構成されている。ＳｉＯ2 膜３６は、ポリシリコンからなる犠牲層を熱酸化して形成したＳｉＯ2 膜でも、ＣＶＤ法又はＰＶＤ法により成膜したＳｉＯ2 膜でも良い。
21 2003-024753 2001/07/19 株式会社山武 マイクロ抽出器 A4 DC01 MA01 MAX MB03 1

(57)【要約】【課題】 ２つのマイクロチャネルにそれぞれ導かれる２種類の流体間の差圧ΔＰの許容幅を広くし、簡易な制御の下での使用を可能とする簡易な構成のマイクロ抽出器を提供する。【解決手段】 複数の細孔４を有する隔壁３により区画されて平行に設けられた２つのマイクロチャネル１ ２を備え、特に隔壁を、各マイクロチャネルをそれぞれ流れる流体の圧力差に応じて変形して前記各マイクロチャネルの流路断面積を変化させるメンブランとして実現する。好ましくは隔壁を、マイクロチャネルの流体通流方向に沿って形成された波形の変形部５を備えたものとする。
22 2003-025295 2001/07/16 科学技術振興事業団 マイクロ構造体の光駆動装置およびその方法 A4 DEX DFX PJX MEX 6

(57)【要約】【課題】光を照射することによって硬化する光硬化性樹脂を用い光造形法によって形成したマイクロ構造体を駆動するための、マイクロ構造体の光駆動装置を提供する。【解決手段】マイクロ構造体の一部にレーザ光を集光する光照射手段１、２、３、４、５、６と、該光照射手段によって形成された集光点を三次元で移動させる移動手段５、７、８とからなることを特徴とするマイクロ構造体の光駆動装置。
23 2003-025296 2001/07/19 三菱電線工業株式会社 光スイッチの製造方法 A3 DA01 PA03 PB01 PC01 MAX MC01 MD02 MD03 MD06 MD07 ME01 1

(57)【要約】【課題】マイクロミラー１ａ〜１ｄ駆動のための磁性体層１２を備えた光スイッチＡを、加工時に破損が生じないように製造する。【解決手段】シリコン基板３０のマイクロミラー１ａ〜１ｄ形成予定場所の下面に、予め、Ｃｒスパッタを施し、さらに電解めっきによりパーマロイからなる磁性体層１２を形成しておく。それから、パターニングされた上面の熱酸化膜３４を介して、ＫＯＨ水溶液を用いて異方性ウェットエッチングを施し、ミラー面２を形成する。そして、再度上面の熱酸化膜３４をパターニングして、その上からＲＩＥによりドライエッチングを施して、マイクロミラー１ａ〜１ｄを本体から分離し、形成する。
24 2003-025297 2001/07/13 科学技術振興事業団 日本電気株式会社 財団法人産業創造研究所 カーボンナノホーンとその製造方法 A4 DF03 1

(57)【要約】【課題】 カーボンナノホーンの化学的性質や物性を多様化する。【解決手段】 カーボンナノホーンの一部に異種元素を担持する。
25 2003-025299 2001/07/11 日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社 半導体ナノ粒子及びその製造方法 A4 DE01 DE02 DF02 MAX 5

(57)【要約】【課題】 任意の粒径の半導体ナノ粒子を製造する。【解決手段】 光エッチング法を用いることにより一定の粒径の半導体ナノ粒子を得る。
26 2003-025300 2001/07/12 富士写真フイルム株式会社 微細空間にナノ粒子を導入する方法およびその方法を用いて作製された構造体 A4 DF02 MF01 MF02 -

(57)【要約】【課題】 ナノ粒子を微細空間に安定的に且つ高密度に導入可能な方法を提供する。【解決手段】 幅１０〜１０００ｎｍ、深さ１０〜１０００ｎｍの微細空間を有する基板の表面に、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察した１次粒子間の最近接距離をａ（ｎｍ）および平均粒子サイズをｄ（ｎｍ）とした場合に、ａとｄの積が０．５〜１００であり、且つｄが前記基板の空間の幅の１／１００〜１／２であるナノ粒子の分散液を塗布する工程を有する微細空間にナノ粒子を導入する方法である。
27 2003-025431 2001/07/19 積水化学工業株式会社 ロール金型の製造方法及びロール金型 A4 PE01 PE02 PJ01 MD01 MD03 MD06 MD09 ME02 ME07 ME12 2

(57)【要約】 （修正有）【課題】 光の波長以下のサブミクロンオーダーピッチの凹凸形状を円筒表面に規則的に配列したロール金型を精度よく容易に作製することが可能なロール金型の製造方法及びそれを用いたロール金型を提供する。【解決手段】 円筒表面７に微細な凹凸形状が規則的に配列されたロール金型の製造方法であって、表面に微細な凹凸形状が刻印された雄型を転写して該雄型の凹凸形状に対応するフィルム状又は薄板状の雌型３を作製し、該雌型３をロール型母材５の円筒表面７に取り付ける。
28 2003-026413 2001/07/10 本田技研工業株式会社 カーボン系水素貯蔵材の製造方法 A4 DF02 MI04 3

(57)【要約】【課題】 水素貯蔵量の大なるカーボン系水素貯蔵材を得る。【解決手段】 カーボン系水素貯蔵材を製造するに当り，複数の単層カーボンナノチューブ１よりなるバンドル２の集合体に局部構造破壊能を有する電子線を照射して，前記集合体の電子線照射前の比表面積Ａと電子線照射後の比表面積Ｂとの間にＢ＞Ａの関係を成立させる。
29 2003-028883 1998/05/22 ガメラ　バイオサイエンス　コーポレイション ミクロ流体工学システムでの流動運動を駆動するために向心的加速を使用するための装置および方法 A4 DC01 DC02 DC03 DCXDE01 DE02 DEX 3

(57)【要約】 （修正有）【課題】 微量分析および微量合成分析並びに手順を行うための方法および装置を提供する。【解決手段】 ミクロ流体工学構成要素、対抗性加熱要素、温度感知要素、混合構造、キャピラリーおよび捨てバルブを有する本発明の微量システムプラットホームおよび、生物学的、酵素的、免疫学的、および化学的アッセイを行うためのこれらの微量システムプラットホームを使用する方法を提供する。
30 2003-029169 2001/07/12 ソニー株式会社 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置 A4 DA06 PB01 PB04 MA01 MA02 MA03 MAX MF02 1

(57)【要約】【課題】 簡単な構成で、構成材料の選択にも自由度があり、かつ可視光領域においても高速応答が可能であり、しかも配線の信頼性の向上した光学多層構造体を提供する。【解決手段】 光学多層構造体１は、基板１０の上に、この基板１０に接する、光の吸収のある第１の層１１、光の干渉現象を起こし得る大きさを有すると共にその大きさを変化させることのできる間隙部１２、および透明の第２の層１３をこの順で配設した構成を有する。第１の層１１の複素屈折率をＮ1 （＝ｎ1 −ｉ・ｋ1 ，ｎ1 は屈折率，ｋ1 は消衰係数，ｉは虚数単位）、第２の層１３の屈折率をｎ2 、入射媒質の屈折率を１．０としたとき、次式の関係を満たすように設定される。
31 2003-029176 2001/07/17 三菱電線工業株式会社 光スイッチ及びその製造方法、並びに光スイッチシステム A4 DA01 PB01 PI03 MA01 MB01 MC01 MD03 ME01 8

(57)【要約】【課題】簡単な構造によりミラーを光反射位置に固定保持可能で且つこの固定保持のためのエネルギーが不要な光スイッチを提供する。【解決手段】光スイッチ１は、基板４上面にミラー２を備え、それらの中央部を貫通して形成された強磁性体よりなるコア５を備えている。基板４は板バネ６により支持され、その上下には一対の永久磁石７，８が配置され、両永久磁石７，８の相対向する面にはそれぞれ電磁コイル３が形成されている。コア５が上側の永久磁石８に吸着した状態が、スイッチＯＮ位置で、ミラー２が信号光を反射する。ＯＮ位置において、上側の電磁コイル３に電流を流して、コア５を上側の永久磁石８に反発するような電磁石にすると、コア５が上側の永久磁石８から離れて下側の永久磁石７の方へ移動してスイッチＯＦＦ位置となる。
32 2003-029177 2001/07/17 三菱電線工業株式会社 光スイッチの製造方法 A4 DA01 PB01 PC01 PE01 MA01 MAX MC01 MD03 ME01 3

(57)【要約】【課題】 異方性ウェットエッチングにより１枚のシリコン基板に可動マイクロミラーと入力側及び出力側光ファイバ保持Ｖ溝とを形成させることができる光スイッチの製造方法を提供する。【解決手段】 基板表面が｛１００｝面のいずれかであるシリコン基板を異方性ウェットエッチングすることによりミラー形成基板を形成する。ミラー形成のためのシリコン基板表面へのパターニングを、異方性ウェットエッチングによって、シリコン基板表面に垂直な｛１００｝面により可動マイクロミラーのミラー面が構成されるように施し、Ｖ溝形成のためのシリコン基板表面へのパターニングを、異方性ウェットエッチングによって、｛１１１｝面により入力側及び出力側光ファイバ保持Ｖ溝のそれぞれの各溝面が構成されるように施す。
33 2003-029178 2001/07/17 三菱電線工業株式会社 光スイッチの製造方法 A4 DA01 PB01 PC01 PG01 MA01 MAX MB01 MC01 MD03 MD07 ME01 19

(57)【要約】【課題】 ミラー面の平坦度及びシリコン基板表面に対する垂直度の精度がともに高いマイクロミラーを有する光スイッチの製造方法を提供する。【解決手段】 光信号を反射させるためのマイクロミラーが基板本体に一体に形成されたミラー形成基板を有する光スイッチの製造方法を、シリコン基板をＲＩＥすることによりマイクロミラー前駆体を形成するステップと、上記マイクロミラー前駆体が形成されたシリコン基板を異方性ウェットエッチングすることにより該マイクロミラー前駆体にミラー面を形成するステップと、を備えたものとする。
34 2003-029415 2001/07/06 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション フォトレジスト加工方法及び段型金属体製造方法 A4 DFX MD04 ME02 9

(57)【要約】【課題】 半導体製造技術を利用して、例えばマイクロアクチュエータの部品としての段型金属体を形成する場合に、フォトレジスト層間のインターミックス防止層の介在を省略する。【解決手段】 各々が、異なるマスクパターンを使用しかつ異なる露光量とされている露光操作を、フォトレジスト層２１の上面に対して、重複した露光部位を含みつつ、実施し、その後、現像する。これにより、フォトレジスト層２１は、各露光部位においてその部位における最大露光量に対応する深さまで、表面から除去され、結果、モールド用段型凹所２３がフォトレジスト層２１に形成され、該モールド用段型凹所２３より段型金属体の形成が可能になる。
35 2003-029803 2002/03/29 ゼロックス・コーポレーション 実行ユニットの大規模アセンブリのための分散されたアクチュエーション割当て A4 DFX 2

(57)【要約】【課題】スマート・マター・システムのための、アクチュエーションを割当てるための新しい方法及び装置を提供する。【解決手段】複数の実行ユニットと、システムゴールを生成する制御器と、そして、システムゴールを受信し、割当てパラメータに基づいてシステムゴールを複数のサブゴールに分割して、当該サブゴールを、複数の実行ユニットと、複数の実行ユニットのグループを含む複数の実行モジュールとの、少なくとも一つに割り当てる割当て器を備え、割当て器が複数の実行ユニットの実行を制御する、実行ユニットシステム。
36 2003-031820 2001/07/19 日本放送協会 コンデンサ型マイクロホンおよび圧力センサ A4 DD03 DD07 PG01 PG02 MA01 2

(57)【要約】【課題】 製作工程の制約を解消し、平行板電極の構造や搭載できる回路等の設計自由度を広げることができるコンデンサ型マイクロホンおよび圧力センサを提供すること。【解決手段】 振動膜基板２１０の１つの面にエッチストップ層２２０を有し、振動膜基板２１０と背面板基板３１０との接合に用いる接合膜３２０をエッチストップ層２２０と背面板基板３１０とで挟んで接合した接合基板４００をエッチングして形成するコンデンサ型マイクロホンおよび圧力センサ１００において、接合膜３２０は、エッチストップ層２２０形成のためにドープした硼素等の不純物と同じ不純物を含み、接合膜３２０中に含まれる不純物の濃度は、エッチストップ層２２０中にドープされた不純物の濃度以上であり、エッチストップ層２２０形成のための不純物拡散は１２００℃以下で行われ、その後の熱処理は９００℃以上、前記不純物拡散の温度以下で行われる構成を有する。
37 2003-034514 2001/07/17 独立行政法人産業技術総合研究所 東京瓦斯株式会社 同位体比率を制御した炭素材料及びその製造方法 A4 DF02 PA02 MI03 MI04 -

(57)【要約】【課題】炭素同位体比率を任意に制御してなる単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブまたはカーボンファイバーからなる炭素材料、その利用及びその製造方法を得る。【解決手段】単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブまたはカーボンファイバーからなる炭素材料であって、該炭素材料が12Ｃ及び13Ｃの同位体比率を人為的に制御した炭素を含む気体を原料として合成してなる炭素同位体比率が制御された単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブまたはカーボンファイバーからなることを特徴とする炭素材料、その利用及びその製造方法。
38 2003-034515 2001/07/19 ノリタケ伊勢電子株式会社 二層カーボンナノチューブの製造方法 A4 DF02 MI04 1

(57)【要約】【課題】 二層カーボンナノチューブを簡単に効率よく製造する。【解決手段】 炭素棒に長さ方向の穴を設け、この穴に鉄、ニッケル及びコバルトの中から選択した少なくとも１つの元素と硫黄と炭素とを含む混合粉末１０２ａを詰めて形成した陽極側の炭素電極１０２と陰極側の炭素電極１０３とを密閉容器１０１中に配置し、密閉容器１０１を真空に排気した後、水素ガスを導入して所定圧力とし、これらの電極間にアーク放電を発生させ、陽極側の炭素電極１０２を蒸発させて密閉容器１０１内で凝縮させる。
39 2003-034516 2001/10/10 コリア・アドヴァンスド・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー 炭素分子体及びその製造方法 A4 DF03 1

(57)【要約】【課題】 アルミニウムシリケート系のメソ多孔性分子体の気孔内部に均一な直径のカーボンナノチューブを形成させ製造された炭素分子体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の炭素分子体の製造方法は、鋳型として使われたメソ多孔性アルミニウムシリケート分子体の気孔内に炭水化物水溶液と酸の混合物または炭素高分子の前駆体を吸着及び重合させる工程と、前記気孔内に重合された物質を含むメソ多孔性分子体を真空または無酸素下に４００ないし１４００℃に加熱して、気孔内の物質を熱分解させる工程、及び加熱されたメソ多孔性分子体をフッ化水素酸または水酸化ナトリウム水溶液と反応させ鋳型部分を除去して炭素分子体を得る工程と、を備える。本発明の炭素分子体は、水素吸着効果と還元反応に対する活性度に優れるため、有機物の吸着剤、センサー、電極物質、燃料電池及び水素貯蔵物質などの開発に幅広く活用され得る。
40 2003-035752 1996/06/24 エテック・システムズ・インコーポレイテッド 微細構造素子の機能の試験方法及び装置 A4 DFX 2

(57)【要約】【課題】 微細構造素子の機能を試験するための方法及び装置を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は微細構造素子の機能を試験するための方法反び装置に関する。微細構造素子はその放出及び／又は機械的性質を試験するために励振され、微細構造素子によって放出又は反射された粒子は検出され評価される。
41 2003-035874 2001/07/23 株式会社ニコン 薄膜スライド接続機構及びその製造方法並びにこれを用いたミラーデバイス及び光スイッチ A4 DA01 PA01 MA01 MB03 MD01 MF02 1

(57)【要約】【課題】 優れた光学特性を保ちながら、小型化及び量産性をより一層向上させる。【解決手段】 ミラーデバイスは、ミラー２と、ミラー２を基板１に対して基板１から浮いた状態にかつ任意の方向に傾動可能に弾性支持する支持機構とを備える。支持機構は、基板１とミラー２との間を機械的に接続する３つの支持部３Ａ〜３Ｃを有する。各支持部３Ａ〜３Ｃは、１層以上の薄膜で構成された１つ以上の板ばね部５を有する。板ばね部５の一端部は、脚部９を介して基板１に接続される。板ばね部５の他端部は、薄膜スライド接続機構により、ミラー２に機械的に接続される。前記接続機構は、ミラー２に形成された長穴２ｃと、長穴２ｃに遊びを持って挿通され板ばね部５の他端部に固定された挿通部１０と、を有している。
42 2003-035875 2001/07/24 株式会社日立製作所 日立金属株式会社 光スイッチ A4 DA01 MA01 MA02 MB03 MBX MC01 MCX MD01 MD03 MD04 ME01 MF02 MFX 1

(57)【要約】【課題】静電力を利用した従来の光スイッチでは、電源を切断して静電力がなくなると、可動部が中立位置にもどってしまうという課題があった。そのため動作頻度が小さい光スイッチにおいては、切り換え位置を長時間保持しつづけることになる。その間も電力を消費しつづける場合は、電源の増強や装置の冷却など、付加設備が必要となる。また切り換え保持時の電力を小さくすることは電力消費量低減の上からも必要である。【解決手段】光切り換え部に移動可能な状態で置かれる反射板の位置を、反射板近傍、あるいは反射板近傍の基板上に設け、対向する基板上あるいは反射板近傍に軟磁性体を設けることにより、反射板の移動後は永久磁石の時期吸引力をもって切り換え位置を保持するよう構成するものである。
43 2003-036777 2002/05/09 三星電子株式会社 単一アンカーを備えるマイクロ電子機械システムスイッチ A4 DB01 1

(57)【要約】【課題】 単一アンカーを備えるMEMSスイッチを提供する。【解決手段】 基板と、前記基板上に所定の間隔に離隔して備えられた接地線と、前記接地線間に備えられているが、所定の間隔に離隔された信号伝送線と、前記信号伝送線間に備えられたアンカーと、前記アンカー、信号伝送線及び接地線と非接触状態に備えられ、前記アンカーを取囲む駆動電極と、前記駆動電極上に備えられ、前記信号伝送線の一部とオーバーラップされ、かつ前記アンカーと弾力的に連結された運動板とを備える。
44 2003-037313 1999/09/17 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ＤＮＡを利用した自己組織化ナノデバイス構造およびその製造方法 A4 DE01 DF01 PJ08 MA01 MF02 9

(57)【要約】【課題】 有機構造と、前記有機構造上の特定の位置に結合する無機原子を含むナノデバイスを提供する。【解決手段】 本発明はナノメートル・スケールのデバイス、すなわちナノデバイスを製造する新規の方法を含む。このようなデバイスを製造するため、本発明はある種の生物学的分子が自己組織化する性質を利用する。たとえば、核酸と、自己組織化する性質を含めて、核酸の諸性質を利用するものである。特に、本発明は、デオキシリボ核酸（ＤＮＡ）およびリボ核酸（ＲＮＡ）をデバイスの製造に利用する。
45 2003-039392 2001/07/27 日本航空電子工業株式会社 静電駆動デバイス A4 DA01 MA01 MB01 MD02 MD04 1

(57)【要約】【課題】 固定電極基板表面に第２の電極領域と第１の電極領域を電気絶縁状態で形成し、可動電極板の固定電極基板への貼り付きを防止する静電駆動デバイスを提供する。【解決手段】 マイクロマシニング技術で製造され、固定電極基板８と、アンカー部１１とフレクチュア２１を介して固定電極基板８に取り付け結合される可動電極板２とを有し、固定電極基板８の表面に互いに絶縁された第１の電極領域８７および第２の電極領域８８を形成した静電駆動デバイス。
46 2003-039393 2001/07/24 オリンパス光学工業株式会社 三次元構造体の製造方法及び揺動体の製造方法 A4 DA02 DD01 MAX ME01 9

(57)【要約】【課題】非常に小さい部材を含む三次元構造体を容易に製造し得る製造方法を提供する。【解決手段】三次元構造体の製造方法は、活性層１１６とシリコン基板１３２とがマスク１２８を間に挟んで接合されている積層構造体を形成し、その少なくとも一つの面、すなわちシリコン基板１３２の表面にマスク１４６を形成し、マスク１４６を通してＴＭＡＨ等によりエッチングする。最初、マスク１４６に覆われていない部分のシリコン基板１３２がエッチングされてゆき、やがてマスク１２８が現れる。マスク１２８が現れた後は、マスク１２８に覆われていない部分の活性層１１６のみがエッチングされる。
47 2003-039395 2002/04/23 ヒューレット・パッカード・カンパニー 懸架微細構造を形成する方法 A4 DC01 DC02 DC05 DD01 DD03 PC02 PE01 MA01 MB01 3b

(57)【要約】【課題】懸架微細構造の下方から材料の層を除去するためのエッチンク゛ホールを要しない懸架微細構造を形成する方法を提供すること。【解決手段】ヘ゛ース基板21の支持面22上に誘電体層23を形成し、誘電体層23の接触面27をハ゜ターニンク゛してウェル形状を画定する。ウェル31が支持面22を覆う誘電体層23の薄い保護層32を残す厚さDWを有するまでウェル形状をエッチンク゛する。フ゜ラットフォーム基板11をヘ゛ース基板21に圧着し、ヘ゛ース基板とフ゜ラットフォーム基板をアニールして接触面27とフ゜ラットフォーム基板11の取付面24を融着する。CMPなどによりフ゜ラットフォーム基板11を薄厚化し、ウェル31と取付面24により画定される密閉空洞部33を覆う膜11を形成する。膜11をハ゜ターニンク゛およびエッチンク゛し、膜11を貫通して密閉空洞部33まで延び、懸架フ゜ラットフォーム17と可撓部材15を画定する複数のトレンチ13を形成する。HFなどの選択的腐食剤を用いて懸架フ゜ラットフォーム17および可撓部材15の下から残った誘電体層23を除去し、懸架フ゜ラットフォームおよび可撓部材15を分離する。除去の間、支持面22は薄い誘電体層23に保護される。
48 2003-039396 2002/04/30 ダルサ　セミコンダクター　インコーポレイテッド マイクロ流体用途用マイクロ構造体の製造方法および流体デバイスの製造方法 A2 DC01 PA01 PB01 PI03 MA02 MB01 MD01 ME02 ME06 ME07 ME10 MF01 MF03 17

(57)【要約】【課題】 マイクロチャネルへの流体移動および生物学的エンティティを実行できる高性能バイオチップ装置を生じる能動マイクロマシン加工シリコン基板からの能動マイクロチャネルバイオチップ装置の改良された製造技術を得ること。【解決手段】 エッチング可能な材料の第１の層は、適当な基板上に形成される。機械的に安定した支持層は、エッチング可能な材料の上に形成される。マスクは、マスクに少なくとも一つの開口を露光するように支持体の上に用いられる。つぎに、異方性エッチングは、支持層を通ってエッチング可能な材料の前記層まで延びる穴を形成するために開口を通して実行される。支持層の下に延びるエッチング可能な材料にマイクロチャネルを形成するために穴を通して等方性エッチングを実行した後、他の層は、突き出る一部が接触するまで支持層の上に付着され、それによって開口の下に形成されたマイクロチャネルを閉じる。
49 2003-039397 2001/07/26 本田技研工業株式会社 半導体基板の接合方法 A4 DD09 PGX 2

(57)【要約】【課題】 良好な気密性を保つことができ、接着剤のはみ出しがなく、半導体基板を接合するための工程が煩雑でない半導体基板の接合方法を提供する。【解決手段】 上側半導体基板に触刻部を形成する工程（ＳＴ１０）によって形成した上側半導体基板に透過膜形成工程（ＳＴ１１）によって形成した透過膜を宛う工程（ＳＴ１２）と、接着剤塗布工程（ＳＴ１３）と貼り合わせて接着する工程（ＳＴ１４）から成り、これらの工程によって形成された半導体基板接合体を切り出して細分化する工程（ＳＴ１５）により、ガスレートセンサ用半導体部材が作製される。透過膜形成工程（ＳＴ１１）では、上側半導体基板に触刻部を形成する工程（ＳＴ１０）で用いたマスクを用いて透過膜を形成する。
50 2003-039400 2001/08/03 株式会社豊田中央研究所 微細光加工方法、微細光加工品及び光記録媒体 A4 DA01 DA03 DAX PA07 PE01 PEX MF02 2

(57)【要約】【課題】 微細光加工や光記録媒体において、単一の感光材料及び光学系によって簡易かつ安価に、微細な凹凸形状の加工もしくは２値又は多値の凹凸形状の情報記録ビットを形成する。【解決手段】 照射光強度に依存して凹部又は凸部を形成する感光材料を用いた被加工品に対し、強度を制御された照射光を用いて、感光材料面に微細な凹凸形状を加工する微細光加工方法。照射光強度に依存して凹部又は凸部を形成する感光材料を用いて構成され、強度を制御された照射光によって二通り以上の形状の異なる記録ビットを形成した光記録媒体。
51 2003-043387 2002/04/25 アジレント・テクノロジーズ・インク バブル光スイッチの熱効率を改善する高効率の断熱 A4 DA01 1

(57)【要約】【課題】コアと流体リサ゛ーハ゛との間の熱漏洩を防止し、大気カ゛スの侵入が防止された光スイッチを提供すること。【解決手段】光スイッチ(10 10')は、コア(12)、管(16)を介してコアに接続された流体リサ゛ーハ゛、熱対策装置(18)および断熱構造(32 32')を含む。コア(12)は、ヘ゛ース(20)、マトリックス制御基板(22)および平面導波回路(24)を含む。平面導波回路(24)は、複数の導波路(26)およびトレンチ(3)を有し、光流を経路変更する。流体リサ゛ーハ゛(14)は流体をコア(12)の複数のトレンチ(30)に供給する。コア(12)および流体リサ゛ーハ゛(14)は、熱対策装置(18)上に取り付けられ、熱対策装置(18)は、コア(12)から熱を除去しその熱のいくらかを流体リサ゛ーハ゛(14)に移動させることにより、流体リサ゛ーハ゛(14)をコア(12)より高い温度に維持する。断熱構造(32 32')は、流体リサ゛ーハ゛(14)からコア(12)へのあらゆる熱漏洩を低減する。さらに、断熱構造(32 32')は、平面導波回路(24)の温度分布および全体的な温度を改善し、大気カ゛スの光スイッチ(10 10')への望ましくない侵入を防止する。
52 2003-045320 2002/06/10 ヒューレット・パッカード・カンパニー 小型電界放出器の先端部を製造するための方法 A4 DF02 PB01 MI08 5

(57)【要約】【課題】シリコン基板の表面にわたって、小さなシリコンヘ゛ースの電界放出器先端部の高密度領域を製作すること。【解決手段】基板(502)の表面にわたって小さな電界放出器先端部(513-516)を製作するための方法。最初に、基板(502)は、反応性分子、イオン、又は遊離基種にさらされ(504)、基板の薄い表面層(506)内にナノクラスタ(508)を生じさせる。次いで、基板は、一様なサイス゛で規則的に間隔をおいて配置されたナノクラスタを形成するために熱的にアニールされてもよい。最後に、電界放出器先端部(513-516)を形成するために、基板がエッチンク゛される。
53 2003-048200 2001/08/06 学校法人　早稲田大学 マイクロマシンの製造方法 A4 DC04 DD09 4

(57)【要約】【課題】 三次元的な構造を有するマイクロマシンであっても、組立、接合に長時間を要せず、量産に適したマイクロマシンの製造方法を提供する。【解決手段】 基板１０上にマイクロパーツ１６，１８を受ける凹部１２，１４を形成し、該基板１０上に充分な数のマイクロパーツ１６，１８を散布して、該マイクロパーツ１６，１８を該凹部１２，１４に入れることを特徴とする。
54 2003-049286 2001/08/08 タマティーエルオー株式会社 単結晶表面テクスチャ作成方法および単結晶の微小摺動機構 A4 DAX DBX DDX PB01 PE01 MA01 2

(57)【要約】【課題】結晶の規則性を利用して除去加工または付着加工により単結晶材料表面にテクスチャを形成する方法およびその方法を用いて作成する微小摺動機構を提供する。【解決手段】単結晶材料の規則性を利用して除去加工または付着加工により単結晶材料表面にテクスチャを形成する。
55 2003-049328 2001/08/03 日立化成工業株式会社 中空状カーボンファイバー及びその製造法 A4 DF02 MI04 MI07 -

(57)【要約】【課題】中空状カーボンファイバーの壁層数、直径、長さの制御が可能であり、均一な形状及び特性を得ることができ、金属触媒を使用しないためその精製除去が不要で、量産が比較的容易である中空状カーボンファイバー及びその製造法を提供する。【解決手段】熱分解消失性ポリマーを用いて形成された中空と、炭素前駆体ポリマーを用いて形成されたカーボンの殻を有してなる中空状カーボンファイバー及びその製造法。
56 2003-049330 2001/08/03 日立化成工業株式会社 中空状カーボンファイバー及びその製造方法 A4 DF03 ME01 ME02 MEX MI05 -

(57)【要約】【課題】本発明は、中空状カーボンファイバーの壁層数、直径、長さの制御が可能であり、均一な形状及び特性を得ることができ、金属触媒を使用しないためその精製除去が不要で、量産が比較的容易である中空状カーボンファイバー及びその製造法を提供する。【解決手段】金属及び金属化合物の含有量が１重量％以下である中空状カーボンファイバー及びその製造方法。
57 2003-049331 2001/08/03 日立化成工業株式会社 金属付着カーボンファイバー、その製造方法及び電子放出素子 A4 DF03 MI03 -

(57)【要約】【課題】本発明は、電気抵抗を低減し得るカーボンファイバー並びに抵抗の絶対値及びバラツキを低減することのできる電子放出素子を目的とする。【解決手段】中空状カーボンファイバーの内面もしくは外面、または内側及び外側の両面に金属を付着させた金属付着カーボンファイバー、その製造方法及び電子放出素子。
58 2003-050247 2001/08/07 松下電器産業株式会社 衝撃記録装置およびその製造方法 A4 DDX MA01 1

(57)【要約】【課題】 近年の携帯電話や携帯情報端末など電子機器は小型化・低消費電力化してきており、衝撃記録のために上記のような装置を端末一台一台に組み込むことは難しかった。【解決手段】 重り１および梁３と、この梁３の一方を固定するベース部４とからなり、外部からの衝撃により発生する力によって梁に曲げ応力をもたらすものであって、重り１の少なくとも一つの側面は湾曲し、少なくとも一つの三角形の突起部２を有するとともに、この側面と対向する側には固定壁５を備え、この固定壁５は重り１の側面と同様に湾曲し、さらに少なくとも１ヵ所に三角形の突起部６を設けたものである。
59 2003-052163 2002/05/14 ヒューレット・パッカード・カンパニー 原子分解能記憶装置の可動子の平面方向外への運動を防止するための離隔体の使用 A4 DDX MD01 MD05 MD09 3

(57)【要約】【課題】 固定子ウェハに対する超小型可動子の平面外への運動を防止するマイクロアクチュエータを提供すること。【解決手段】 特にセンサ及びデータ記憶装置で使用するための超小型アクチュエータ(10)。該アクチュエータ(10)は、固定子ウェハ(20)及びそれに隣接して配置された超小型可動子(50)を含む。固定子ウェハ(20)と超小型可動子(50)との間に電極(80 90)が配設される。該電極は、所定の電圧に設定されて、固定子ウェハ(20)に対して超小型可動子(50)を位置決めする電界を生成する。固定子ウェハ(20)と超小型可動子(50)との間にはまた、電極(80 90)が互いに接触するのを防止する緩衝体(120)が配設される。
60 2003-053699 2001/08/10 株式会社ニコン ピンホール製造方法及び測定装置 A4 DAX PE02 1

(57)【要約】【課題】 微小径のピンホールを安価に製造するピンホール製造方法を提供する。【解決手段】 ピンホール製造方法は第１工程から第３工程を有する。第１工程では、基板１上にスパッタリングにより導電膜３を形成し、続いて導電膜３上に電子線ｅを照射して炭素を主成分とする微小径の円柱７を形成する。第２工程では、スパッタリングにより導電膜３上であって円柱７の周囲に光学遮蔽膜９を形成する。第３工程では、光学遮蔽膜９が成膜された基板１を大気中で、例えば、約７００゜で熱処理する。これにより、大気中の酸素が光学遮蔽膜９を介して円柱７に供給され、炭素製の円柱７は酸化されて二酸化炭素として散逸し、その結果として円柱７があった位置に微小径のピンホール５が形成される。
61 2003-053700 2001/08/17 富士ゼロックス株式会社 シリコン結晶異方性エッチング方法、インク流路板製造方法、インク流路板、インクジェットプリントヘッドおよびインクジェットプリンタ A4 DC01 DC03 DCX PA01 PA03 PC01 MA01 2

(57)【要約】【課題】 インクプール底面のエッチングを良好に行い、かつ、インクプール開口部の微細形状薄膜マスクパターンを塞ぐことを可能とする。【解決手段】 単結晶シリコン基板２に犠牲層５となる層を形成する工程と、犠牲層５の上に数μｍオーダ幅の開口を持つ薄膜マスクパターン４を形成する工程と、シリコン結晶異方性ケミカルエッチング液６にて犠牲層５を除去して薄膜マスクパターン４と単結晶シリコン基板２との間に空洞を形成するとともに単結晶シリコン基板２にケミカルエッチングを行う工程と、薄膜マスクパターン４を塞ぐ保護膜１２を形成する工程とを有する。犠牲層５は、シリコン結晶異方性ケミカルエッチング液６により、単結晶シリコン基板２をエッチングする速度よりも速い速度で選択的にエッチング可能な材料で構成する。
62 2003-054901 2001/08/13 ソニー株式会社 水素吸蔵用コア・シェル型カーボンナノファイバー及びその製造方法 A4 DF02 1

(57)【要約】 （修正有）【課題】経済的で、安全な、軽量で、しかも簡潔な方法で水素吸蔵を発現出来るコア・シェル型ナノ構造体。【解決手段】このコア・シェル型ナノ構造体１は、各々、水素吸蔵物質６を包み込むスリット状ポア型ナノファイバー２を含む。水素は、スリット状ポア型カーボンナノファイバー自体の中にも、そのナノファイバーの内部に含まれる水素吸蔵物質の中にも吸蔵されるので、このコア・シェル型ナノ構造体の水素吸蔵能力は増大する。更に、水素吸蔵物質はナノメートルサイズの粒子で存在し、ナノファイバーによって酸素の通過はできないので，酸化が防がれるので、水素吸着／脱着の動力学が改善される。また、このコア・シェル型ナノ構造体はアーク放電、及びアークＣＶＤ方法を使用することによって合成することができる。
63 2003-054923 2001/08/23 株式会社国際基盤材料研究所 多層フラーレンの製造方法 A4 DF02 PJ04 MI03 1

(57)【要約】【課題】 収率よく多種類の多層フラーレンを製造する方法を提供する。【解決手段】 フラーレン化合物と触媒を含む複合材をターゲット１０にして、レーザー３０照射をすることによってアブレージョンを行う工程を含む。本発明によれば、収率よく多種類の多層フラーレンを製造することができる。
64 2003-054924 2001/08/13 畑中　武史 フラーレンおよびカーボンナノチューブの製造法およびその装置 A4 DF02 MI03 1

(57)【要約】【目的】 安価な炭素原料から連続的に大量生産が可能なフラーレンおよびカーボンナノチューブの製造法およびその製造装置を提供することを目的とする。【構成】 この発明のフラーレン製造法および製造装置において、中心部に中性電極を配置して、これと同心的に配置された円筒状多相交流電極３６，３８，４０の内部にアークプラズマ密閉室４１を形成し、アークプラズマ密閉室４１内に炭素材と触媒金属との混合物を充填した後、炭素材と金属触媒の混合物の隙間内に連続的に周期的に軸方向で移動するアークプラズマを発生させて炭素蒸気を生成し、フイルタ８４で炭素蒸気を分離して凝縮器１８でフラーレンを分離回収する。キャリアガスはポンプ１２６により排熱回収部６３を経て、ガス供給口５２からアークプラズマ室３４内に循環される。
65 2003-055768 2001/06/29 株式会社アルバック 成膜方法及び成膜装置 A4 DF02 PAX MA01 MB01 MI03 4

(57)【要約】【課題】導電性の表面を有する基板上にグラファイト系の薄膜を層状に形成する技術を提供する。【解決手段】本発明の成膜装置１は、所定の反応ガスを導入可能に構成された真空槽２を有し、この真空槽２内に、所定の方向の交流電界を発生するように構成された電界発生手段６を備える。電界発生手段６は、矩形環状のコア６０と、コア６０に巻回されたコイル９とを有する。コイル９に対して高周波電力を印加することによって基板５０に沿う方向の交流電界を発生させて基板５０に印加する。
66 2003-057477 2001/08/21 セイコーインスツルメンツ株式会社 ３次元構造体の製作方法およびその方法で作製された３次元構造体 A4 DAX DCX 1

(57)【要約】【課題】 屈折率の異なる材料を複合した立体的な光導波路などの構造体の製作法および複合した立体的な構造物を提供する。【解決手段】 相対的に屈折率の高い光硬化性樹脂である第１の光硬化性樹脂による３次元光造形工程に引き続き、相対的に屈折率の低い光硬化性樹脂である第二の光硬化性樹脂による３次元光造形工程を行い、第１の光硬化性樹脂による３次元光造形工程によって光導波路のコア部分の形成を行い、第２の光硬化性樹脂による３次元光造形工程によってクラッド領域を形成して、立体的な光導波路部品の製作を行うようにした。さらに、第１の光硬化性樹脂による３次元光造形の工程において、３次元形状保持のための支持部分を第１の光硬化性樹脂の３次元構造体と同時に形成し、第１の光硬化性樹脂による３次元光造形工程によって形成された形状が保持されるようにした。
67 2003-057571 2001/08/16 ソニー株式会社 光学多層構造体および光スイッチング素子、並びに画像表示装置 A4 DA01 DA04 DA06 MF02 1

(57)【要約】【課題】 簡単な構成で、小型軽量であるとともに、紫外光に対して高速スイッチングが可能な光学多層構造体を提供する。【構成】 ガラスからなる基板１０の上に、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2 ）からなる低屈折率層１２Ａ〜１２Ｈと酸化アンチモン（Ｓｂ2 Ｏ3 ）からなる高屈折率層１３Ａ〜１３Ｈとを交互に積層する。間隙部１４（低屈折率層１２Ｅ）を挟んで、基板１０側の低屈折率層１２Ａから高屈折率層１３Ｄまでが第１の層１５を形成しており、基板１０と反対側の高屈折率層１３Ｅから高屈折率層１３Ｈまでが第２の層１６を形成している。紫外光を透過させるための窓１７Ａ，１８Ａが形成された金属薄膜からなる下部電極層１７および上部電極層１８を設け、両者の間に生じる静電力により間隙部１４の光学的大きさを変化させ、紫外光の反射または透過の量を切り換える。
68 2003-057572 2001/08/16 日本電気株式会社 薄膜電磁石およびこれを用いたスイッチング素子 A4 DA01 DB01 7

(57)【要約】【課題】 磁気ヨークの磁化が容易な薄膜電磁石を使用し磁極間の引力と反発力を使って、大きな力での大きな空間動作の可能な低消費電力のスイッチング素子を提供する。【解決手段】 基体１ａ上に、第２磁気ヨーク（２ａ、２ａ´）、薄膜コイル２ｃ、２ｃ´および第１磁気ヨーク（２ｂ、２ｂ´）が配置される。基体１上に、電気接点４、４´、及び、電気接点５、５´を配備した可動部３ａをばね部３ｃ、３ｃ´を介して支柱部３ｂ、３ｂ´に固定した可動構造体３が配備されている。電気接点４、４´は絶縁層６、６´を介して配置しているが、絶縁層６、６´は必要に応じて配置したり配置しなかったりすることができる。可動部３ａを磁性体とすることで、可動部端部と、薄膜電磁石２、２´の磁極である第１磁気ヨーク（２ｂ、２ｂ´）上面との間に電磁力が働く。
69 2003-057574 2001/08/20 富士通株式会社 富士通メディアデバイス株式会社 マイクロミラー素子の製造方法およびこれにより製造されるマイクロミラー素子 A4 DA04 PB02 PI03 MA01 MA02 MAX 26

(57)【要約】 （修正有）【課題】 材料基板の厚み方向の中間に正確に位置しつつ、より高精度の厚み寸法を有する薄肉のトーションバーを有するマイクロミラー素子の製造方法、およびこれにより製造されたマイクロミラー素子を提供すること。【解決手段】 複数のシリコン層２０，２１および少なくとも１つの中間層１６０を含む積層構造を有する材料基板８において、ミラー形成部と、フレーム部と、トーションバーとを備えるマイクロミラー素子を製造するにあたり、シリコン層２０に対してエッチング処理を行うことによって、ミラー形成部よりも薄肉であって中間層に接するプレトーションバーＴ’を形成する工程と、プレトーションバーＴ’に接する中間層１６０を除去することによってトーションバーＴを形成する工程とを行うこととした。
70 2003-057575 2001/10/10 日本電信電話株式会社 マイクロミラー装置およびその製造方法 A4 DA04 PA01 PB01 PB03 PG05 MA01 MAX 1

(57)【要約】【課題】 低い電圧でミラーを大きく傾動させることができるマイクロミラー装置を提供する。【解決手段】 本発明のマイクロミラー装置は、ミラー３３と、ミラー３３を上部基板２７に対して傾動可能に支持する複数のトーションスプリング３５、３６と、ミラー３３の下面と対向して配置された下部基板２１と、下部基板２１の上面に設けられた凸部３４と、凸部３４の外面に形成された複数の下部電極２２、２３を有する。トーションスプリング３６は、その長手方向に対して垂直な断面における高さ／幅のアスペクト比が１．８以上である。
71 2003-060254 2001/08/14 ソニー株式会社 マイクロデバイスの製造方法 A4 DD02 DDX PA03 PB01 PB06 MC04 MD03 MD04 MD06 MD07 MDX 14

(57)【要約】【課題】シリコン基板をベースとするマイクロデバイスにおいて、シリコン基板を貫通する開口部を形成するときに、ひびや反りなどの発生を抑制し、寸法精度を向上して加工することができるマイクロデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板１０にマスク層１５を形成し、マスク層１５をマスクとするドライエッチングによりシリコン基板１０を貫通する開口部Ｇを形成する。ここで、マスク層１５として、Ｐｔなどのポーリングの電気陰性度が１．８以上の材料を含む膜を用いる。
72 2003-062797 2001/08/23 東ソー株式会社 微小流路構造体 A4 DC01 PA03 PA07 PE01 MD02 MD04 MD06 MF01 MF02 1

(57)【要約】【課題】液体あるいは気体といった流体を流すための流路壁面に薄膜層構造が円筒状に形成されることにより、流路構造強度及び耐薬品性の向上、流路壁面への配線による液体及び気体の流体内での電気化学的現象の誘起、電界・磁界・温度等の測定精度や流体加熱精度を向上させたり、触媒反応等の化学反応を促進することが可能な微小流路構造体を提供する。【解決の手段】内部に流体を充填又は移動させるための微小流路を有し、かつ、該微小流路の内壁面が１種以上の材質からなる層構造となっている微小流路構造体を用いる。
73 2003-062798 2001/08/21 株式会社アドバンテスト アクチュエータ及びスイッチ A4 MA01 MA02 MB01 MB03 MBX 1

(57)【要約】【課題】 消費電力が極めて少ないスイッチを提供する。【解決手段】 両端が支持された可動部５０と、可動部５０に設けられた接点７０とを備えたスイッチ１００であって、可動部５０は、温度に応じて所定の方向に接点を変位させる第１のバイメタル１０と、温度に応じて所定の方向と反対方向に接点を変位させる第２のバイメタル２０とを有することを特徴とするスイッチ１００。
74 2003-062799 2001/08/27 科学技術振興事業団 炭素ボール分子または炭素チューブ分子による潤滑システム A1 DF02 MI03 3

(57)【要約】【課題】 ナノメータスケールの構造物に対して適用することのできる潤滑システムを提供する。【解決手段】 炭素ボール分子（１）をグラファイト基板（２）に蒸着し２枚のグラファイト基板（２）で挟み込むようにする。もしくは炭素チューブ分子を、炭素チューブ分子アレイの状態で２枚のグラファイト基板（２）で挟み込む。
75 2003-063813 2001/08/29 財団法人ファインセラミックスセンター カーボンナノチューブ膜、カーボンナノチューブ膜体及びカーボンナノチューブ膜付き基板並びにそれらの製造方法 A4 DF02 PA02 MI04 1

(57)【要約】【課題】 所定方向に配向するカーボンナノチューブ膜、カーボンナノチューブ膜体及びカーボンナノチューブ膜付き基板及びこれらを大面積且つ低コストで製造する方法を提供する。【解決手段】 本カーボンナノチューブ膜３は、グラファイト等からなる基板１上に炭化珪素からなる多結晶膜２を形成させ、その後、微量酸素を含有する雰囲気において炭化珪素が分解して炭化珪素多結晶膜の表面から珪素原子が失われる温度に加熱することにより、炭化珪素から珪素原子を完全に除去して得られる多数のカーボンナノチューブからなる。
76 2003-066361 2001/08/23 株式会社リコー 光偏向器及びその製造方法、光走査モジュール、光走査装置、画像形成装置、画像表示装置 A4 DA02 DA05 2

(57)【要約】【課題】 本発明は、可動ミラーの厚さが薄くても撓み変形し難くすることができ、可動ミラーを薄くできるので可動ミラーを小さい電力によって大きな振幅で往復振動させることができる光偏向器及びその製造方法、光走査モジュール、光走査装置、画像形成装置、画像表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】 可動ミラー１００とそれを軸支するトーションバー１０１が一体形成されており、往復振動する可動ミラー１００で光ビームを反射することにより、光ビームを偏向する光偏向器において、可動ミラー１００を少なくともトーションバー１０１を含む断面内で湾曲させアーチ型にしたことにより、可動ミラー１００の厚さが薄くても往復振動を行っているときに可動ミラー１００が撓み変形し難くすることができ、可動ミラー１００を薄くできるので小さい電力によって大きな振幅で往復振動させることができる。
77 2003-066362 2001/08/23 オリンパス光学工業株式会社 光偏向器 A4 DA04 DA06 2

(57)【要約】【課題】可動部に光が入射するタイプの光偏向器であっても、入射光が永久磁石によってけられることのない光偏向器を提供する。【解決手段】光偏向器１００は、一次元に揺動し得る一つの可動板を含む揺動体１１０と、磁界発生手段である二つの永久磁石１５２、１５４とを備えている。揺動体１１０は、可動板１１２と、これを支持するための支持部１１４と、可動板１１２と支持部１１４を連結する一対のトーションバー１１６、１１８とを有しており、可動板１１２はその周縁部を周回する電磁コイル１３２を有している。永久磁石１５２、１５４は共に、揺動体１１０に対して、可動板の裏面の側に位置している。二つの永久磁石１５２、１５４は、中立位置にある可動板１１２の面に平行な平面への射影において、可動板の中心に対して対称的に揺動軸から外れて位置しており、好ましくは揺動体１１０の内側に位置している。
78 2003-071798 2001/08/30 株式会社東芝 マイクロメカニカルデバイス及びその製造方法 A4 DB1 DB04 1

(57)【要約】【課題】 簡単な構造とプロセスにより高性能特性を得ることを可能としたマイクロメカニカルデバイスを提供する。【解決手段】 表面マイクロマシン技術により、シリコン基板１０上に所定ギャップをもって、少なくとも一対の近接配置されたビーム１１が形成される。ビーム１１の両端部は基板１０に固定されたアンカー部１２となり、中央部に可動接点１３が形成される。ビーム１１の間には、基板１０に固定された駆動電極１４が、ビーム１１と同時に形成される。駆動電極１４に電圧を印加することにより、これを挟んで配置されたビーム１１は、基板１０と平行方向に変位して、可動接点１３が接触する。
79 2003-072090 2001/09/06 株式会社リコー 液滴吐出ヘッド及びその製造方法、マイクロデバイス、インクカートリッジ並びにインクジェット記録装置 A4 DC03 MA01 1

(57)【要約】 （修正有）【課題】 シリコン基板上に，複数のヘッドチップに対応する液室などを形成し、これを各チップごとに分離する。この場合に、位置合わせ精度を確保しつつ低コスト化を図れない。【解決手段】液滴吐出ヘッドは、異なる方向が異なる方法でシリコンウェハから分離されたシリコンウェハから形成したチップを含む。ウエハ２０のチップ２１の一方向はダイシングで、他の方向は異なる方向（直交する方向）でエッチングして分離する方法でシリコンウエハ３０から分離した。
80 2003-073859 2001/09/03 独立行政法人物質・材料研究機構 基体上に接合して規則化配列したナノ構造体およびその製造方法 A4 DDX DF02 PA03 PA05 MF02 MFX MI01 2

(57)【要約】【課題】 基体上に規則化配列した酸化物などのナノ構造体を陽極酸化皮膜を用いて製作する。【構成】 導電層を有する基体上に金属を蒸着し、該金属を陽極酸化処理して基体上に多孔質陽極酸化皮膜からなる規則化配列した細孔を形成し、該細孔を化学溶解して細孔径を拡大し、該細孔中にナノ構造体物質を充填する。導電層は微細凹凸構造を設けてアンカー効果を発現させてナノ構造体物質と基体とを接合する。多層蒸着により形成される層間の隙間にもナノ構造体物質が充填されナノ構造体の倒壊が防止される。ナノ構造体を形成する物質をＴｉＯ2やＺｎＯのように少なくとも紫外光や太陽光の紫外部を吸収して光触媒特性を有する化合物とすることができる。複合酸化物ナノ構造体を形成した後に、該陽極酸化皮膜のみを溶解除去すると、ナノチューブ、ナノドット、ナノロッド、ナノファイバ、ナノワイアなどの形状を有する基体上に規則化配列したナノ構造体が得られる。
81 2003-074475 2001/08/22 日本碍子株式会社 マイクロポンプ A4 DC02 DC03 MF02 MFX 1

(57)【要約】【課題】 より小型、薄型であって、且つ、流体の排出量（移動量）の増大化及び応答性の高速化を図ることが出来るマイクロポンプを提供する。【解決手段】 少なくとも１つのポンプ部を備えてなり、圧力の働きによって流体を送り得るマイクロポンプである。ポンプ部は、ポンプユニット４４から構成され、ポンプユニット４４は、圧力の変動を起こす少なくとも１つのアクチュエータ部２と、流体が流れる流路部４２と、から構成される。アクチュエータ部２は、連通板６８上に、圧電／電歪体又は反強誘電体からなる２つの側壁６を配列し、側壁６の、連通板６８と対向する面を蓋板７で塞いでセル３を形成してなり、側壁６が伸縮して生じるセル３の変位を通じて、流路部４２に圧力の変動を生じせしめ、流体の流路を選択的に形成し得るものである。
82 2003-075737 2002/05/31 アジレント・テクノロジーズ・インク 可動レンズを備えた光学的スイッチ A4 DA01 3

(57)【要約】【課題】高度の漏話排除と平坦な帯域応答特性を有する、大容量純光学的スイッチを提供すること。【解決手段】光学的スイッチは、複数の切子面を有する光ファイバ列（２２）と、光ファイバ列（２２）から離間させた位置に各ファイバ（２２ａ）に対応して一つのレンズ（２４ａ）を有するレンズ列と、対応するレンズ（２４ａ）をそれぞれ平面内でＸ軸とＹ軸に沿って所定量だけ個別並進させる複数のアクチュエータ（２６）と、レンズ列の平面からほぼ平行に離間させたミラー（２８）とを備える。選択された第１の光ファイバ（２２ａ）の切子面から発した光ビーム（３０）は、レンズ（２４ａ）の一つにより屈折され、ミラー（２８）により反射されてレンズ列（２４）へ戻り、他の一つのレンズにより屈折され、選択された第２の光ファイバ（２２ｂ）の切子面に合焦される。
83 2003-075744 2001/09/05 株式会社リコー 光マイクロスキャナの製造方法、光マイクロスキャナ、及び光マイクロスキャナアレイ A4 DA02 MC01 MD02 MD03 MDX MF02 1

(57)【要約】【課題】 微細で高密度なスキャナを容易にアレイ化することを可能とする光マイクロスキャナの製造方法、光マイクロスキャナ、及び光マイクロスキャナアレイを提供する。【解決手段】 透明基板６上に電析用電極パターン１による塗布電析用電極６とミラー駆動部用パターン２によるミラー駆動部３とを形成させた後、マスク部４を積層し、これをエッチングして塗布電析用電極６に開口部５を形成する。次に、第２ステップにおいて電析を行い、ミラー部７を形成する。その後、第３ステップでマスク部４を除去する。これにより、図１の（ｄ）に示すように、基板上領域を有効に活用した光マイクロスキャナアレイが成形される。
84 2003-075746 2001/08/10 日本碍子株式会社 光スイッチ A4 DA01 DC03 2

(57)【要約】【課題】 応答速度を上げても損失が増大することなく、低コストで製造出来、耐久性に優れ、且つ、消費電力の小さい光スイッチを提供すること。【解決手段】 内部にセル３が形成されたセル部材２と、微細スリット１３を有する導波路部材４２とから構成され、側壁６が圧電／電歪体又は反強誘電体で形成されたセル３に気体３１が充填され、微細スリット１３に液体３２が充填され、セル３と微細スリット１３とは連通孔７３を介して通じてなり、微細スリット１３中において光導波路と交差させ、その交差箇所にセル３を配設して、セル３の側壁６を形成する圧電／電歪体又は反強誘電体に電界を加えることにより側壁６を伸縮させて、交差箇所においてセル３に充填された気体３１の一部を連通孔７３から微細スリット１３中へ突出させ得る光スイッチの提供による。
85 2003-080420 2001/11/15 セイコーインスツルメンツ株式会社 部品製作方法 A4 DAX DBX DCX DDX DFX 8

(57)【要約】【課題】 従来の機械加工や放電加工で加工する部品製作法では、最終的な部品の形状となるまで加工材料全体を除去加工していくため、材料に無駄が多く加工時間も長くかかり、加工時に加工具が消耗し、加工具と加工対象が接触して物理的な力が加わるため、加工具や製作する部品の微小化に限界があった。【解決手段】 ベース基板１０１上に直接、あるいは犠牲層１０２や剥離層を介して、構造体材料層１０３を形成し、この構造体材料層１０３に目的とする部品外形形状に沿って、電気化学的に溝加工を実施、その後、犠牲層１０２やベース基板１０１のみを選択的に除去、あるいは剥離層から部品１０５を機械的に分離することにより、部品１０５とベース基板１０１とを分離して目的とする部品を得る、あるいは、分離する部分を一部に制限することで、可動部を有する部品を製作する。
86 2003-080500 2001/09/06 セイコーインスツルメンツ株式会社 カンチレバーおよびその作製方法 A4 DDX 7

(57)【要約】【課題】 少ない工程で作製できるカンチレバーとその作製法を提供したり、より立体的な形状にも対応可能なカンチレバーの作製法を提供する。【解決手段】 微細なカンチレバーを作製するために、光硬化性樹脂に励起光を集光して照射することで焦点付近で光重合を行いながら、集光位置を移動させることで、カンチレバーとその支持部分を一体に光硬化性樹脂によって形成することにした。さらに、励起光の光軸を前記カンチレバーのレバー面と同じ方向とすることによって、薄膜状にレバーを形成できるようにした。
87 2003-084001 2001/09/14 財団法人川村理化学研究所 微小バルブ機構を有するマイクロ流体デバイス、マイクロ流体デバイスの微小バルブ機構駆動装置、及び流量調節方法 A4 DC02 DE01 DEX 3

(57)【要約】 （修正有）【課題】 バルブ機構駆動用配管又は結線の接続を必要とせず、簡便な方法で流体の流量調節を行うことのできるマイクロ流体デバイスを提供すること。【解決手段】 欠損部を有する部材Ａにダイヤフラムを接着して、前記部材Ａの欠損部と前記ダイヤフラムで流体の流入口、流出口又は流路となる空洞Ａを形成し、ダイヤフラムの面積が１×１０−１０〜１×１０−５ｍ２、厚みが０．１〜５００μｍの範囲にあり、ダイヤフラムに強磁性物質を接着、固定して装着し、或いはダイヤフラムの部材Ａと反対側に、欠損部を有する部材Ｂを接着し、部材Ｂの欠損部とダイヤフラムとで、ダイヤフラムを隔てて空洞Ａに相対する位置に空洞Ｂを形成し、空洞Ｂ内部に強磁性物質が充填を装着され、磁力線によりダイヤフラムが変形して空洞Ａの容積を変化させ空洞Ａを流れる流体の流量が調節される微小バルブ機構を有する。
88 2003-089100 2001/09/13 財団法人上田繊維科学振興会 小西　哉 振動子を用いた流体内推進機構 A4 DCX 1

(57)【要約】【課題】生体，水道管，ガス管，プラントや各種装置内の複雑な微細配管や，原子炉などのように危険性が高く狭小空間であるために人間の作業環境としては好ましくない場所における保守・点検・修理・治療などに用いられる微小機械のための流体内推進機構．【解決手段】２個の振動子のうち，一方の振動子はスリットを有し，他方の振動子はそのスリットを貫いてスリット中をスライドしながら，スリットを有する振動子の振動方向に対して直交して振動するように複合化し，その結果として両振動子の振動を合成することによって，複合振動子の先端において回転運動を発生させ，その回転運動により推進力を得る流体内推進機構．
89 2003-091066 2001/09/17 リコー光学株式会社 三次元構造体の製造方法 A4 DA03 PB01 6

(57)【要約】【課題】 パターンのシャープネスを向上させるとともに、滑らかな表面形状とする。【解決手段】 基板上にポジ型レジスト材料を塗付し、プリベークした。次いで、液晶用微小寸法ＭＬＡ製作の濃度分布マスクレチクルを用い、ステッパー装置でジャストフォーカス露光を行なった。露光後、ＰＥＢを実施し、次いで現像、リンスを行なった。次いで、プリ・ポストベークを行ない、その後、加熱処理をしてレジスト材料の表面凹凸を僅かに流動させて滑らかな表面をもつ目的形状とした。レジストのハードニングを行なった後、レジストパターンをマスクとしてＴＣＰドライエッチング装置にて基板をドライエッチングしてレジストパターンを基板に転写し、ＭＬＡを得た。
90 2003-094395 2001/09/26 オリンパス光学工業株式会社 アレイ化マイクロ流体素子 A3 DC01 DC02 DC03 DE01 DE02 DEX MA02 MAX ME01 MEX 2

(57)【要約】【課題】 特にバイオ分析適した流体制御、反応システムを提供する。【解決手段】 流体が流れる流路部分、および反応部と流れを制御するアクチュエータ部が分離した構造を有する。好適には、別々に製作し後で上下２つを組み合わせ可能な素子上部に、複数のポンプやバルブ構造部（２３，２４，３４，２６，２７，３４’）、反応容器（２９）を配してこれらのレイアウトは自由とし、素子下部のアクチュエータ部は共通で利用できる構造として再利用の対象となす。アクチュエータ部はヒータ（４２，４４，４７）を複数配列し、これを適宜選択することによりバルブやポンプまたは反応容器温度の制御に用いる。例えばはじめに複雑な製作プロセスを要するヒータアレイや制御回路を形成した基板を製作しておいてこれを共通の部品とし、反応部等の他の部分は目的のデザインに合わせてエッチング加工することで、様々な組み合わせにも対応可能とする。
91 2003-094397 2002/05/21 ヒューレット・パッカード・カンパニー ＡＲＳシステムを製造する方法 A2 DBX DF02 MA01 MAX 2A

(57)【要約】【課題】損傷をおさえ、熱制限の問題を克服し、歩留まりを向上させるＡＲＳシステムの製造方法。【解決手段】本発明では、研磨やＣＭＰによるウェーハの薄層化処理の前にロータウェーハの媒体側に導電性電極を被着させ、電極を研磨等から保護する。製造の後半工程でＣＭＯＳ回路を形成し、熱処理の影響を最小限とし、また、他の処理において熱制限を緩和させることが可能となる。ロータウェーハとスタータウェーハのウェーハボンディングも後続の過程で行われることにより、ウェーハボンディングの劣化も最小限にすることができる。よって、歩留まりが向上し、製造コストの低減が可能となる。
92 2003-094398 2002/05/21 ヒューレット・パッカード・カンパニー ＡＲＳシステムを製造する方法 A2 DBX DF02 MA01 MAX 3

(57)【要約】【課題】損傷をおさえ、熱制限の問題を克服し、歩留まりを向上させるＡＲＳシステムの製造方法。【解決手段】本発明では、他の素子の処理の前にロータウェーハの媒体側に保護層、導電体電極を被着させてＡＲＳ格納媒体を後続のウェーハの薄層化処理に対する表面を確保する。ＣＭＯＳ回路も後続の段階でステータウェーハに形成させ、熱処理の影響をほとんど受けない。ロータウェーハの処理も緩やかな熱制限で実施できる。ロータウェーハとスタータウェーハのウェーハボンディングも後続の過程で行われるのでウェーハボンディングの劣化も最小限にすることができる。よって、歩留まりが向上し、製造コストの低減が可能となる。
93 2003-094399 2001/09/19 株式会社小松製作所 多元素系酸化物のナノチューブ A4 DDX DF02 PJ04 MI05 1

(57)【要約】【課題】 新たな特性を有し各種デバイスへの適用が期待される多元素系酸化物のナノチューブを提供する。【解決手段】 このナノチューブは、Ｂｉ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｃの少なくとも１つを成分とする多元素系酸化物を含み、管の直径が１×１０-6ｍ未満であることを特徴とする。
94 2003-096568 2001/09/20 株式会社アルバック グラファイトナノファイバ成膜装置 A4 MI03 2

(57)【要約】【課題】試料基板上に直接純粋なグラファイトナノファイバを成長させることができるグラファイトナノファイバ成膜装置を提供する。【解決手段】本発明によるグラファイトナノファイバ成膜装置においては、水素ガスと原料ガスである一酸化炭素ガスを混合させて減圧槽内に導入する導入パイプが減圧槽内で少なくとも一回巻回されて配置される。
95 2003-098448 2001/09/19 株式会社リコー ミラー偏向装置及び光交換装置 A4 DA01 PA03 PA05 MA01 MB01 MD01 1

(57)【要約】【課題】静電駆動のねじり梁型ミラー偏向装置において、ミラー基板の振れ角の高精度制御を可能とする。【解決手段】 ミラー基板101を駆動するために、ミラー基板101の裏面に対向して設けられた電極114及び115を、それぞれ複数の独立した電極に分割する。電極114 115の駆動電圧を印加する電極の位置、数を調整することによって、ミラー基板101に作用する静電引力の強さを精度よく調整できるため、ミラー基板101の振れ角の高精度制御が可能である。
96 2003-098469 2001/09/21 株式会社リコー 光走査装置及び画像形成装置 A4 DA02 DA04 PG05 PH01 PH03 1

(57)【要約】【課題】 多重反射型の光走査装置における基板間の接合、駆動回路とのワイヤボンディング、封止のための改良。【解決手段】 マイクロミラー１０と対向ミラー基板２０を接合し、可動ミラーと対向ミラーの間の多重反射によって走査角を拡大する光反射装置。対向ミラー基板２０の接合面は、マイクロミラー１０の基板上の電極配線を避けた部位のみでマイクロミラー基板と当接し接合される。対向ミラー基板２０に設けられた貫通部より電極配線が露出し、その部分に電極金属１４を追加成膜した後にワイヤボンディング（１５）、封止（１６）がなされる。
97 2003-100250 2002/06/10 ヒューレット・パッカード・カンパニー 低圧超小型素子用超小型筐体のためのマイクロイオンポンプ A4 DC03 1

(57)【要約】【課題】マイクロデバイスを収容する低圧超小型筐体内の低圧環境を低コストで維持し、かつモニタするための手段を提供する。【解決手段】低圧超小型デバイス用超小型筐体(306)内に収容することが可能な小型イオンポンプ(308 310 316 318)と、この小型イオンポンプを製造するための方法である。小型イオンポンプは、周知のマイクロチップ製造技術によって製造された、一定距離だけ分離した２つの帯電板(308 310)を備えており、気体分子をイオン化する垂直方向の電界を生成するために、それらの帯電板に電位差が与えられる。生成された正に帯電したイオンは、帯電板に吸着されるので、低圧超小型筐体の内部から気体分子が除去され、封入された超小型デバイス(302)の周囲の低圧環境が維持される。
98 2003-105583 2001/09/28 セイコーエプソン株式会社 微細構造パターンを備えた構造体製造用母型及びそれを用いた前記構造体の製造方法、並びにこの製造方法によって製造された前記構造体 A4 DF02 DFX MD01 MD03 MDX MF02 FP

(57)【要約】【解決課題】 金型などに形成されたもともとの微細構造パターンが正確に転写された微細構造体を提供する。【構成】 ベース層（樹脂フィルム）２１と反転形状パターン層（紫外線硬化樹脂層）２０とからなる母型１３から微細構造体を製造する。すなわち、微細構造パターンの反転形状パターンを有する反転形状パターン層を備え、この反転形状パターンから前記微細構造パターンを備える構造体を製造するための母型であって、前記反転形状パターン層に湾曲可能なベース層が一体化された構成を備えて成る母型。
99 2003-105638 2001/09/28 日立化成工業株式会社 中空状カーボンファイバー及びその製造法 A4 DF03 MEX MI03 -

(57)【要約】【課題】本発明は、カーボンで形成された外殻の側面に空孔を有する特殊な形状の中空状カーボンファイバー及びその製造方法を提供する。【解決手段】カーボンで形成された外殻の側面に空孔を有する中空状カーボンファイバー及びその製造法。
100 2003-105639 2001/09/28 日立化成工業株式会社 中空カーボンファイバーの製造方法 A4 DF03 MI03 -

(57)【要約】【課題】本発明は、機械的強度、水素貯蔵特性、電界放出特性及び量産性に優れた、ファイバーの内部空間内にフラーレンを含有する中空カーボンファイバーの製造方法を提供する。【解決手段】中空カーボンファイバーの製造方法において、（１）熱分解消失ポリマーと炭素前駆体ポリマーを混合後、延伸する工程、（２）フラーレンを含有する熱分解消失ポリマー微粒子を製造する工程、（３）前記（２）で得られた熱分解消失ポリマー微粒子表面に炭素前駆体ポリマーを被覆して被覆粒子を作成する工程、（４）前記（３）で得られた被覆粒子と熱分解消失ポリマーを混合して樹脂塊を作成する工程、（５）前記樹脂塊を溶融紡糸してファイバーを作成する工程、（６）前記（５）で得られたファイバーを加熱して熱分解消失ポリマーを分解し、炭素前駆体ポリマーを炭素化する工程を有する内部空間内にフラーレンを含有する中空カーボンファイバーの製造方法。
101 2003-107094 2001/09/27 株式会社東芝 化学分析装置、分析方法 A4 DC01 DC02 DE01 DE02 DEX MW10 1

(57)【要約】【課題】複雑な化学反応などを行うことができ、ランニングコストの低減や用途の多目的化に寄与することのできるマイクロリアクタ（化学分析装置）を提供する。【解決手段】化学分析装置（核酸増幅器）は、試料を入れる容器として使用される試料ウェル９を複数配置した容器状部材１２と、容器状部材１２の試料を注入する面を覆うカバー部材１１と、試料ウェル９の底部を着脱可能に保持するべース側ウェル１０、ベース側ウェル１０毎に個別に加熱することが可能な発熱部３５を有するベース１４とから少なくとも構成される。核酸（ＤＮＡ）の増幅反応が終了した後は、容器状部材１２のみを使い捨てにすることができ、ベース１４等は繰り返し使用することができる。
102 2003-107388 2001/09/28 キヤノン株式会社 光学ユニットの組み立て方法および光学ユニット A4 DA02 PA03 PG01 MA01 MD03 MD06 3

(57)【要約】【課題】 ガルバノミラーを組み込んだ光学ユニットについて、製品として十分な強度を確保しつつ、その小型化を図る。【解決手段】 光学ユニット箱（本体）２６のプラスチックハウジング１４には、穴１５ａ、１５ｂ、１６ａ、１６ｂが開けられており、互いに勘合して、ビスが通るようになっている。光学ユニット箱２６に対するガルバノミラー１の組み付けは、非磁性の合金（非磁性のＳＵＳ）やプラスチック製のビス１７により、トーションバー６の形成されていない枠部分２５ａ、２５ｂを光学ユニット箱２６の支持部１９に固定することによって行う。
103 2003-111456 2001/09/28 財団法人　理工学振興会 圧電アクチュエータ及び能動点字装置並びにワーク支持装置 A4 DDX DFX MD01 MD09 MDX MG01 MG02 1

(57)【要約】【課題】 圧電素子のたわみ振動による上下運動と、縦振動による伸縮運動とを組み合わせて円運動または楕円運動させる圧電アクチュエータを複数個使用して、移動体を移動させる駆動力として利用することができる圧電アクチュエータ、または移動体自身の駆動力となる圧電アクチュエータを提供する。【解決手段】 基体２と、前記基体２の両面に設けた圧電素子３ａ、３ｂと、複数の電極４ａ、４ｂ、５ａ、５ｂとからなる圧電アクチュエータ素子１が、所定位置に複数配置された側壁６と、位相差発生手段とからなり、被搬送部材９を側壁６に沿って所定方向に移動する圧電アクチュエータ７ａであって、基体２の先端部が被搬送部材９と接触しながら繊毛運動を行なうことにより移動させることを特徴とする圧電アクチュエータ７ａである。
104 2003-114182 2002/05/31 科学技術振興事業団 カンチレバーアレイ、その製造方法及びそれを用いた走査型プローブ顕微鏡、案内・回転機構の摺動装置、センサ、ホモダインレーザ干渉計、試料の光励振機能を有するレーザドップラー干渉計ならびにカンチレバーの励振方法 A1 DA04 DDX MA01 7

(57)【要約】【課題】 構成が簡単で、的確な試料表面の検出が可能なカンチレバーアレイ、その製造方法及びそれを用いた走査型プローブ顕微鏡、案内・回転機構の摺動装置、センサ、ホモダインレーザ干渉計、試料の光励振機能を有するレーザドップラー干渉計ならびにカンチレバーの励振方法を提供する。【解決手段】 カンチレバーアレイにおいて、試料１の表面２上を摺動する多数のコンプライアントなカンチレバー３を具備する。
105 2003-114392 2002/06/28 ルーセント　テクノロジーズ　インコーポレーテッド 光学ＭＥＭＳ装置を使用する像形成技術 A4 DA01 DA04 3

(57)【要約】【課題】 スイッチング機能を実行するために用いるマイクロ・ミラーの数を増大させない、ＭＥＭＳ装置を使用する全光学スイッチングを提供する。【解決手段】 像形成システムを使用して、光学ＭＥＭＳ装置は、像形成され、実際の１つ以上の他の光学ＭＥＭＳ装置、またはそれらの像と組み合わせて、組み合わされる各光学ＭＥＭＳ装置のサイズを有する単一の仮想光学ＭＥＭＳ装置が、形成される。構成の物理的サイズは、光学経路、例えば適切な従来のミラーを使用してコンパクトにすることによって、および／または折りたたまれた構成、すなわち少なくとも１つの従来のミラーの使用によって、入力および出力に関する２重のデューティである唯一の１つのＭＥＭＳ装置が存在する構成を用いて低減されることができる。
106 2003-115658 2001/10/05 株式会社アドバンテスト 配線基板の製造方法、充填物挿入方法、配線基板、及び素子パッケージ A4 DB01 DBX DDX MA01 MF02 1

(57)【要約】【課題】 非常に微細な導電性部材を有する配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】 貫通孔を有する配線基板の製造方法であって、第１の面及び第２の面を有する第１基板を用意する基板用意工程と、第１の面から第２の面へ第１基板を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、貫通孔に固形の充填物を挿入する充填物挿入工程とを備える。
107 2003-117707 2001/10/11 株式会社　ナノ マイクロマシン用自動チャック A4 DFX 1

(57)【要約】【課題】 コレットの開閉およびチャック力の調節の機能を確保した上で、構成の微細化に適合するマイクロマシン用チャックを提供する。【解決手段】 マイクロマシン用自動チャック１は、ワークＷを囲むように回転主軸３上に配置された複数のコレット５ａ…とスリーブ４とを備え、両者間の相互摺動によりコレット５ａ…の内径を変化させるテーパ状の相互摺動部１０を形成し、かつ、上記複数のコレット５ａ…とスリーブ４との間の軸線方向位置を変化させる超磁歪素子による伸縮体１１と、固定側から磁界を作用するコイル磁石７とを備える。
108 2003-117896 2001/10/02 日本電気株式会社 薄膜構造部材とその製造方法およびこれを用いたスイッチング素子 A4 DA01 DAX DB01 PA03 PA05 PEX MA01 MA02 MCX MD03 MD04 MFX 1

(57)【要約】【課題】 ヒンジバネやミラーなどの可動部における反りの発生を抑制し、信頼性の高いスイッチング動作を実現する。【解決手段】 基体１上に配設された電気接点４，４’と、電気接点５，５’を配備した可動部３ａを備え、可動部３ａは、ばね部３ｃ，３ｃ’を介して支持部３ｂ，３ｂ’に固定する。ばね部３ｃ，３ｃ’は、１つ以上の平面と、この平面と例えば略９０°の角度をなして連続した別の１つ以上の平面とからなる薄膜構造部材から構成する。
109 2003-117897 2001/10/11 日本電信電話株式会社 マイクロアクチュエータ A4 DA01 MA01 2

(57)【要約】【課題】 印加電圧を高くすることなく可動体の制御可能最大可動範囲を大きくする。【解決手段】 下部基板２１に上部基板２２を取り付け、上部基板２２の基部２３に支持梁２４を介して移動枠体２５を設け、移動枠体２５に支持梁２６を介して移動体２７を設け、移動枠体２５の裏面に上部電極２８を設け、移動体２７の裏面に上部電極２９を設け、下部基板２１の上面３０に凹部３１を設け、上面３０に下部電極３２を設け、凹部３１に下部電極３３を設け、下部電極３２、３３をそれぞれ上部電極２８、２９と対応する個所に位置させる。
110 2003-117898 2002/07/30 ヒューレット・パッカード・カンパニー マイクロマシンを高密度に収容するシステム A4 DAX DBX DDX DFX PB02 1

(57)【要約】【課題】基板上にマイクロマシンを高密度に収容するシステムおよび方法を提供する。【解決手段】マイクロマシンシステム(100)を提供する。本発明のマイクロマシンシステムの１実施態様は、トレンチ(116 512)を画定する基板(111 504)を備える。第１の超小型電気機械デバイス(110 502）及び第２の超小型電気機械デバイス(110 502）の少なくとも一部がトレンチ内に配置される。これらの超小型電気機械デバイスの各々には、基板に対して移動するよう構成された第１の部分が組み込まれている。マイクロマシンシステムを製造する方法も提供される。
111 2003-117899 2001/10/10 本田技研工業株式会社 半導体センサの製造方法 A4 DDX MA01 7

(57)【要約】 （修正有）【課題】 生産性良く、高精度な半導体センサを容易に製造することができるようにする。【解決手段】 所定のマイクロマシニング加工が施された下側半導体チップと上側半導体チップとが接合された半導体センサを製造するに際して、下側半導体ウエハ１１１と上側半導体ウエハ１１２とにそれぞれ所定のマイクロマシニング加工を施したうえで、上側半導体ウエハ１１２の表裏に対峙するように切溝１３，１５を設けて下側半導体ウエハ１１１を重ね合せて接着し、下側半導体ウエハを支点側にして、上側半導体ウエハの切溝１３，１５に応力を集中させて折ることによってチップ化された半導体センサを得るようにした半導体センサの製造方法。
112 2003-120851 2001/10/15 松下電工株式会社 半導体マイクロバルブ A4 DC02 1

(57)【要約】【課題】 制御する流体が直接可動エレメントと接触することを防止し、低消費電力にて可動エレメントを駆動することができる密閉型の半導体マイクロバルブを提供すること。【解決手段】 流体の流入口となるオリフィス１１を有した弁座１と、オリフィス１１を開閉して流体の流量を制御する弁蓋２１を有した弁座１上に設けられる中間弁体２と、バイメタル３１に連設されて中間弁体２を押圧する可動エレメント３１を有した中間弁体２上に設けられるアクチュエータ３とを備えてなる半導体マイクロバルブ。中間弁体２は、弁蓋２１を支持して弁座１とアクチュエータ３とで構成される空間を隔てるダイヤフラム２２を有してなり、中間弁体２と弁座１にて形成される空間のダイヤフラム２２面を除く面に流体排出口１２ａ、１２ｂを設けている。
113 2003-121607 2001/10/10 キヤノン株式会社 マイクロ構造体アレイ、マイクロレンズアレイ用金型、及びその作製方法 A4 DA03 DAX 1

(57)【要約】【課題】開口部サイズと開口部の間隔の比を制御することにより、曲率半径が小さいマイクロレンズアレイを作製可能なマイクロレンズアレイ用金型等のマイクロ構造体アレイを実現することである。【解決手段】マイクロ構造体アレイの作製方法では、基板２２の導電部２３上に絶縁性マスク層２４を形成し、絶縁性マスク層２４に複数個の開口部を形成し、開口部より電気メッキないし電着層２５を形成する。開口部の径ないし幅をφとし、開口部の間隔をLとしたとき、５≦L／φなる関係式を満たす。
114 2003-124063 2001/10/18 ソニー株式会社 容量可変型キャパシタ装置 A4 DB05 PI03 MA01 MA02 MF02 2

(57)【要約】【課題】 寄生インダクタを低減して広周波数帯域での動作を可能とする。【解決手段】 微小電気機械システム技術によって製作され、主面２ａ上に少なくとも２個のキャパシタ電極３，４が互いに絶縁を保持されて形成された絶縁基板２と、絶縁材によって形成され各キャパシタ電極３，４に跨る外形を有してこれらキャパシタ電極３，４との間にそれぞれキャパシタを構成する導電体６が形成されたアクチュエータ５と、このアクチュエータ５を絶縁基板２の主面２ａに対して接離動作させる駆動手段７とを備えてなる。
115 2003-124199 2001/10/19 松下電器産業株式会社 プラズマ処理方法 A4 PB03 1

(57)【要約】【課題】 イオン性が支配的なエッチングプロセスに対してトレンチングの発生を抑制することが可能なプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】 被エッチング膜を一定量エッチングした後、アッシング工程などを経ることで、被エッチング膜の上に形成されたマスクの幅を調整し、更に、再度エッチングを実施し、パターン近傍の残膜を集中的に除去することによってトレンチングを防ぐことが可能となる。
116 2003-127100 2001/10/24 日本電気株式会社 静電アクチュエータ A4 DA01 DB01 DBX MA01 1

(57)【要約】【課題】 傾斜構造の利点を持ちつつ、量産品として信頼性のある特性の揃ったデバイスを作製・供給することができること。【解決手段】 基板上に設けられた支持台にアームを介して接続され、基板上の空間に支持された上部構造体と、上部構造体に対向して基板位置に設けられた下部構造体とを有し、上部構造体および下部構造体のいずれか一方に互いの距離を小さくする傾斜構造が設けられると共に、他方の構造体には１つ以上の電極が設けられ、電極と、傾斜構造を持つ構造体と、の間に電圧が印加されることにより、上部構造体が下部構造体の側に傾くように構成される。電極パターンを、傾斜構造を持つ基板の側ではなく、他方の基板側に作製するため、通常のフォトリソグラフィー技術を用いてフォトマスクに忠実に作製可能である。
117 2003-128832 2001/10/23 理化学研究所 昭和電工株式会社 自己組織化有機薄膜を有する構造体 A4 DDX DF03 PJ08 MEX 5

(57)【要約】【課題】 自己組織化有機薄膜の微細パターンの製造方法と、前記有機薄膜微細パターン内の特定の部位に位置する微粒子を含む構造体を提供すること。【解決手段】 自己組織化によって形成された有機薄膜の微細パターンの細孔内に微粒子を規則的に配列配置させた構造体。
118 2003-129288 2001/10/16 キヤノン株式会社 細孔構造体及びその製造方法 A4 DF02 PJ07 PJ08 ME02 2

(57)【要約】【課題】 細孔が規則的に配列した細孔構造体を簡易に製造する方法を提供する。【解決手段】 被加工物を陽極酸化もしくは陽極化成する工程を含む細孔構造体の製造方法において、前記被加工物１上にブロックコポリマー層２を形成する工程（１）、前記ブロックコポリマー層２を熱アニールし海島構造３，４を形成する工程（２）、前記海島構造３，４を有するブロックコポリマー層２の島構造４を除去する工程（３）、前記被加工物を陽極酸化もしくは陽極化成して前記ブロックコポリマー層の構造を反映したナノ細孔構造を形成する工程（４）を有する細孔構造体の製造方法。
119 2003-130702 2001/10/25 株式会社デンソー 薄膜構造部を有するセンサおよびその製造方法 A4 DC03 DC04 DC09 PA01 PB06 PI03 MA01 3

(57)【要約】 （修正有）【課題】 薄膜構造部を有するセンサにおいて、薄膜構造部の熱容量増大や熱絶縁性低下を起こすことなく破壊強度を向上させる。【解決手段】 薄膜構造部を有するセンサとしての流量センサＳ１においては、薄膜構造部２０ａの下には、薄膜構造部２０ａが変形したときに当接するように薄膜構造部２０ａとは空隙１２を介して対向する平面を有する変形防止板４０が設けられている。
120 2003-131161 2002/07/01 キヤノン株式会社 光偏向器及びその製造方法、それを用いた光学機器そしてねじれ揺動体 A4 DA01 DA04 DA06 DDX PB02 MA01 1

(57)【要約】【課題】 従来の光偏向器は慣性モーメントを低減しようとすると、剛性が不足し、十分な動的歪の抑制ができない。【解決手段】 支持基板２に可動板６の両端が弾性支持部３で支持され、可動板６の一方の面に反射面４が形成され、可動板６を弾性支持部３のねじり軸を中心にねじり振動させることによって反射面４に入射する入射光を偏向する光偏向器において、可動板６の反射面４とは反対側の面であって弾性支持部３のねじり軸を挟む両側の少なくとも一方の面に凹部５Ｂ、５Ｃを形成する。また、可動板６の側面に凹部５Ａを形成する。
121 2003-133202 2001/10/22 財団法人新産業創造研究機構　 三次元微細構造体加工用Ｘ線マスクとそれを用いた三次元微細構造体の加工方法 A4 DF02 PE04 MA01 1

(57)【要約】【課題】 断面形状が円錐状のものや、先端部が丸みを帯びた形状の三次元微細構造体を一枚のＸ線マスクで形成することができる三次元微細構造体加工用Ｘ線マスク及びそれを用いた三次元微細構造体の加工方法を提供する。【解決手段】 Ｘ線リソグラフィーによって三次元微細構造体を加工するために用いられるＸ線マスク１であって、Ｘ線吸収体６の断面がＸ線透過方向に対して均一な肉厚を有しない四角形以外の形状で、該Ｘ線吸収体６の投影部分へのＸ線透過強度を変化させて三次元微細構造体を加工する。
122 2003-133541 2002/07/09 ソニー　インターナショナル　（ヨーロッパ）　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 核酸金属化方法、金属化核酸、ナノワイヤ作製方法及びナノワイヤ A4 DEX DF02 MD03 MD04 MD06 MD07 MDXMI06 1

(57)【要約】【課題】 生体外（ex-situ）で作製された金属ナノ粒子を用いて核酸を効率的に金属化する。【解決手段】 本実施の形態における核酸金属化方法では、先ず、トリス（ヒドロキシメチル）ホスフィン（ＴＨＰ）と金との複合体粒子（ＴＨＰ−Ａｕ粒子）の溶液を作製し、次に、このＴＨＰ−Ａｕ粒子溶液を核酸の固定化された基板に滴下することによって、ＴＨＰ−Ａｕ粒子と核酸とを結合させる。そして、ＴＨＰ−Ａｕ粒子と核酸との複合体に対して無電界めっき処理を施すことにより、金ナノ粒子の大きさを制御する。
123 2003-133880 2002/07/01 メムスカップ マイクロエレクトロメカニカルコンポーネント A4 DB04 MA02 1

(57)【要約】【課題】 ＭＥＭＳコンポーネントを提供することを目的とする。【解決手段】 半導体ベースの基板に作られ、かつ２つの入力端子と２つの出力端子とを備えたフィルタリング機能を提供するマイクロエレクトロメカニカルコンポーネント１において：少なくとも１つの変形可能部分により基板に結合され、かつ強磁性体材料からなる領域を含む移動可能要素４と；各入力端子又は各出力端子３０，３１と結合され、かつ前記移動可能要素４の強磁性体領域と磁気的に相互作用することができる金属コイル５と；前記各出力端子又は前記各入力端子の一方と結合され、前記移動可能要素４に取り付けられた相補面に対向配置された第１電極６を形成する面と； をさらに備え、この相補面が前記出力端子又は前記入力端子の他方と結合され、かつ前記第１電極６と静電的に相互作用することができる第２電極を形成することを特徴とする。
124 2003-134853 2001/10/24 ミノルタ株式会社 電気機械変換素子を使用した駆動装置及びその応用装置 A4 DA01 DAX 24

(57)【要約】【課題】 多数の駆動部材に対して単一の係合部材を摩擦結合した組立作業が容易な高密度のアクチエータ、及びその応用装置を提供する。【解決手段】 アクチエータは、電気機械変換素子を使用した複数個のアクチエータ駆動部３０を高密度に行列配置し、駆動部材３３（３３−１〜３３−９）の上に、共通の１個の係合部材３４を摩擦結合させて構成する。応用装置としての光スイッチ２０は、アクチエータ駆動部３０と係合部材３４で構成される。該当する位置にあるアクチエータ駆動部３０を選択し、その圧電素子に駆動パルスを印加することにより発生する伸び速度と縮み速度とが異なる振動により駆動部材３３の先端を係合部材３４から突出させる。突出した駆動部材３３の先端の平面３３ａはミラーとして機能するから、光ファイバー３７からの入射光は、平面即ちミラー３３ａで反射して光ファイバー３８に射出される。
125 2003-134859 2001/10/16 樋口　俊郎 株式会社ナベヤ 圧電アクチュエータ A4 DAX DBX FP

(57)【要約】【課題】 サブミクロンのオーダーでの位置調整を行ない得ると共に、正確な位置精度が安定的に確保され得、しかも、より十分に大きなストロークと駆動力とが簡略な構造で、有利に実現され得る圧電アクチュエータを提供する。【解決手段】 第一の移動体２６と第二の移動体２８とを、ベース１０における第一の案内面２２と第二の案内面２４とに案内されつつ、上下方向と該上下方向に交叉する横方向にそれぞれ移動せしめられ得るように配設すると共に、該第二の移動体２８の横方向への移動に伴って該第一の移動体２６を上下方向に移動させる楔機構を設け、更に、該第二の移動体２８に対して、該横方向に伸縮可能な圧電素子３４と質量体４４を該第二の移動体２８と一体移動可能に取り付けて、該圧電素子３４の変形の急速な発生乃至は停止に伴って、該質量体４４が急速移動乃至は急停止せしめられたときに、該第二の移動体２８が該横方向に移動せしめられるように構成した。
126 2003-136491 2001/10/30 キヤノン株式会社 貫通孔を有する構造体、その製造方法及び液体吐出ヘッド A4 DC03 DCX MA01 1

(57)【要約】【課題】 シリコンなどの基板に貫通孔を設けた構造体において、製造時の工程数を削減するとともに信頼性を向上させる。【解決手段】 少なくとも貫通孔１２０の側面部分において、酸化シリコン膜１０３の上面に接して窒化シリコン膜１０４が形成されているようにして窒化シリコン膜１０４の段差被覆性を改善する。この酸化シリコン膜１０３及び窒化シリコン膜１０４は、基板１００の裏側から貫通孔１２０をエッチングにより形成する際のメンブレンとして機能する。
127 2003-136492 2001/10/30 キヤノン株式会社 貫通孔を有する構造体、その製造方法及び液体吐出ヘッド A4 DC03 DCX MA01 1

(57)【要約】【課題】 シリコンなどの基板に貫通孔を設けた構造体において、製造時の工程数を削減するとともに信頼性を向上させる。【解決手段】 異方性エッチングにより基板１００の裏側から貫通孔を設ける際に、基板の表側にメンブレンとなるシリコン窒化膜を形成し、エッチング液が基板の表側には漏れ出さないようにする。このシリコン窒化膜１０４の内部応力が圧縮応力であってかつ３×１０8Ｐａ以下であるように、シリコン窒化膜１０４を好ましくはプラズマＣＶＤ法によって形成する。
128 2003-136493 2001/10/25 日本航空電子工業株式会社 静電駆動デバイス A4 DA01 PI03 MA01 MD02 MD04 2

(57)【要約】【課題】 マイクロマシニング技術を採用して製造した静電駆動デバイスにおける可動電極板の固定電極基板に対する張り付きを固定電極基板の可動電極板に対向する面に絶縁材料より成る微小球を介在させることにより防止する静電駆動デバイスを提供する。【解決手段】 固定電極基板８とアンカー部１１およびフレクチュア２１を介して固定電極基板に取り付け結合される可動電極板２とを有し、可動電極板２と固定電極基板８との間に電圧を印加して可動電極板２を静電駆動する静電駆動デバイスにおいて、固定電極基板８の可動電極板２に対向する表面に絶縁材料より成る微小球１３’を介在させ、微小球１３’はエポキシ樹脂により構成した静電駆動デバイス。
129 2003-136494 2001/10/26 住友金属工業株式会社 マイクロ構造体、物理量検出装置及びその製造方法 A4 DD01 PB02 MAX 1

(57)【要約】【課題】 出力信号中のスパイクノイズや出力信号のドリフトが極めて少ない、安定動作可能なＳＯＩ構造の加速度センサ等のマイクロ構造体を提供する。【解決手段】 ＳＯＩ層１５と支持基板１７とが埋め込み絶縁膜１６で電気的に絶縁されてなる積層構造を有する加速度センサ等のマイクロ構造体であって、ＳＯＩ層１５及び埋め込み絶縁膜１６を貫通し支持基板１７に達するコンタクトコンタクトホール２４が形成され、そのコンタクトホール２４内には、ＳＯＩ層１５と支持基板１７とを電気的に導通させる導電体層が形成されている。
130 2003-136495 2001/10/31 松下電工株式会社 半導体マイクロアクチュエータ及びこれを用いたマイクロバルブ、マイクロリレー A4 DB01 DBX DC02 DCX MA01 MD06 ME01 ME12 MEX 1

(57)【要約】【課題】 周囲温度に対する可動子の位置変化を低減して制御性能を向上させた半導体マイクロアクチュエータを提供すること。【解決手段】 半導体基板により形成した枠状のフレーム１と、フレーム１より内方に突設して温度変化により可撓する可撓部２と、可撓部２の一端に連設してフレームの開口面と直交する方向に相対的に変位する可動子３とを備えた半導体マイクロアクチュエータ。周囲温度による可動子３の変位量を相殺する位置補正手段４を備えている。
131 2003-136496 2001/11/06 オムロン株式会社 静電アクチュエータ及び該アクチュエータを用いた静電マイクロリレーその他の機器 A4 DB01 MA01 MA02 MB01 MB03 MF02 7

(57)【要約】【課題】 静電アクチュエータにおけるオン電圧やオフ電圧等の動作電圧特性の変動を抑制し、静電アクチュエータに定格電圧を印加しても静電アクチュエータがオンにならなかったり、駆動電圧をオフにしても静電アクチュエータがオフにならなかったりする現象を防止する。【解決手段】 固定電極３０と可動電極３８を対向させて配設し、固定電極３０の表面に絶縁膜３１を形成する。絶縁膜３１は窒化膜（ＳｉＮ）３７を主材料として構成されており、窒化膜３７の表裏両面に酸化膜（ＳｉＯ２）３９、４８が形成されている。さらに、絶縁膜３１の上面のうち、可動電極３８と対向する領域には複数の突起３２が設けられている。絶縁膜３１における帯電量は主に酸化膜４８の膜厚で決まり、窒化膜４７は耐電圧特性など必要な膜厚を確保するために使われている。
132 2003-136497 2002/08/26 三星電子株式会社 光スキャナおよびその製造方法 A4 DA02 PA05 PB01 PBX MAX MF02 1

(57)【要約】【課題】 超小型かつ高速駆動が可能な光スキャナを提供する。【解決手段】 本発明にかかる光スキャナは、ベース基板と、このベース基板上に形成される長方形のフレームと、このフレームの内側で１軸周りに揺動自在に設けられたＨ形状に形成されたステージと、このステージを揺動自在に支持する支持部と、ステージを駆動するステージ駆動体とから構成される。このステージ駆動対は、ステージの底面に対して垂直となるように形成されたくし形の電極（移動くし形電極）と、この移動くし形電極と噛み合うように基板上に形成されたくし形の電極（固定くし形電極）とを有している。このくし形電極に電流を流すと、移動くし形電極と固定くし形電極との間に生じる静電引力により、ステージが揺動駆動される。これらの電極はくし形状を有しており表面積が大きいので、従来よりも微弱な電流で容易に駆動される。
133 2003-136498 2001/10/30 シチズン時計株式会社 自走体 A4 DFX MA01 ME12 MFX 1

(57)【要約】【課題】 リード線での外部からのエネルギー供給又は電池などを搭載することなく、間接的に外部からのエネルギー供給を受けて自律走行できる小型ロボットを提供する。【解決手段】 フレーム１と、フレーム１に回転自在に取り付ける車輪３と、車輪３を駆動するモーターと輪列とを備えたムーブメント２と、ムーブメント２を駆動制御する回路４と、回路４とムーブメント２を駆動するエネルギー源とを備える自走体１０であって、エネルギー源として温度差により発電する熱電発電器５を用いる。
134 2003-136499 2001/11/05 セイコーエプソン株式会社 マイクロマシンおよびその製造方法 A4 DA01 PA01 PA03 PB04 MA03 MD01 MD03 MD09 MF02 4

(57)【要約】【課題】 犠牲層の密着性を向上し、マイクロマシンを歩留り良くまた精度良く製造する方法を提供する。【解決手段】 微細構造を備えたマイクロマシンを犠牲層９１を用いて製造する際に、犠牲層９１を成膜する前に、薄膜状で、犠牲層９１が積み重ねられる構造体５１あるいは基板との密着性の高い密着層６１を犠牲層９１とは異なる素材あるいは犠牲層と同種の素材を、スパッタリングにより薄く成膜することで、犠牲層９１の密着性を改善する。したがって、製造プロセスの途中でのハンドリングが容易となり、犠牲層９１との密着性を向上するために構造体の面を粗面化する必要もないので、精度の高いマイクロマシンを歩留まり良く量産することができる。
135 2003-136500 2001/11/02 財団法人川村理化学研究所 樹脂ダイヤフラムを有するマイクロ流体デバイスの製造方法 A4 DC01 DC02 DC03 MA01 ME02 ME06 ME07 MF01.MF02 4

(57)【要約】【課題】 本発明の課題は、柔軟で破損しやすくかつ極微小な樹脂ダイヤフラムが形成されたマイクロ流体デバイスの製造方法、特にダイヤフラム式バルブやダイヤフラム式ポンプが形成された該デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 (i)支持体上に第一部材形成材料を固化した塗膜状の第一部材を形成する工程、(ii)支持体上の第一部材と第二部材とを接着剤を介して積層し接着する工程、及び、(iii)支持体を第一部材から除去し、第一部材を第二部材に転写する工程を含む、樹脂ダイヤフラムを有する第一部材と、部材表面に達しかつ流体の流路を成す欠損部を有する第二部材とが、該欠損部形成面を接着面として該欠損部と樹脂ダイヤフラムが重なるよう接着剤で積層、接着されて、該欠損部が第一部材との間で流路を形成する樹脂ダイヤフラムを有するマイクロ流体デバイスの製造方法。
136 2003-137521 2001/10/31 株式会社アルバック 独立行政法人産業技術総合研究所 成膜方法 A4 DF02 MI04 1

(57)【要約】【課題】大面積の基板にカーボンナノチューブを成膜する。【解決手段】真空槽１１内部に基板１７を搬入し、試料ステージ１６とターゲット１９との間に交流電圧を印加し、まずターゲット１９をスパッタリングさせて基板１７の表面に、触媒材料であるターゲット材料からなる薄膜を成膜させ、その後真空槽１１内部を原料ガスと置換し、触媒材料の薄膜表面に、カーボンナノチューブの薄膜を成長させている。このため、一つの真空槽１１を用いて、基板１７上に、触媒材料の薄膜と、カーボンナノチューブの薄膜との両方を成膜することができる。また、試料ステージ１６とターゲット１９の面積を大きくするだけで、大面積の基板表面にもカーボンナノチューブを成膜することができる。
137 2003-139065 2001/11/02 財団法人川村理化学研究所 ダイヤフラム式ポンプ機構を有するマイクロ流体デバイス、ポンプ駆動装置、及び流体移送方法 A4 DC01 DC03 DE01 DEX 1

(57)【要約】【課題】 本発明の課題は、ポンプ機構駆動用の圧力配管や電気配線の接続を必要としない、ポンプ機能を有するマイクロ流体デバイス、及び、ポンプ駆動機構に高い位置決め精度を必要とせず高い信頼性で流体の移動を行える操作性の優れたポンプ機能を有するマイクロ流体デバイスを提供する。【解決手段】 内部に流路を有し該流路の途上に逆止弁が形成されており、該流路と連絡して空洞が形成されており、該空洞に面して、面積１×１０−１０ｍ２ 〜１×１０−５ｍ２の可撓性のダイヤフラムが形成されており、ダイヤフラムの空洞と反対の側に凸状構造が設けられている、該凸状構造を部材外から圧迫することによってダイヤフラムの空洞に相対する部分が選択的に圧迫され、空洞の容積が変化して流体を移送することが可能なダイヤフラム式ポンプ機能を有するマイクロ流体デバイス。
138 2003-139761 2001/10/30 伊永　隆史 スターライト工業株式会社 化学用マイクロデバイス及びその使用方法 A4 DC01 DDX DEX 3

(57)【要約】【課題】 マイクロチップ，マイクロアレイ，マイクロリアクター等の微小な量で反応や分析を行うのに使用する化学用マイクロデバイスにおいて、反応や分析を行う試料と接触する部分に、試料が吸着されて残留するのを抑制し、これにより反応効率を向上させると共に、迅速で高感度な分析が行えるようにする。【解決手段】 化学用マイクロデバイスにおいて、少なくとも１つの試料と接触する部分をフッ素系高分子材料で処理した。
139 2003-140064 2002/08/02 日本電気株式会社 機能デバイス、その製造方法及び駆動回路 A2 DA01 PA01 PB01 PJ04 MA01 MA02 MB01 MB03 MD04 MF02 2

(57)【要約】【課題】 多チャンネル化しても大型化することを抑制でき、更に、低コスト化及び光通信の信頼性の向上を図った機能デバイス、その製造方法及び駆動回路を提供する。【解決手段】 駆動回路基板２を設け、この駆動回路基板２に積層するように、ミラー基板１を設ける。ミラー基板１には、例えば９個のミラー素子１１を設け、（３行×３列）のマトリクス状に配列する。ミラー素子１１は微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）により作製する。また、駆動回路基板２には絶縁性の基板を設け、この基板上にミラー素子１１を駆動する駆動回路を設ける。駆動回路基板２は、熱硬化性接着剤からなる樹脂層３を介してミラー基板１に接合する。
140 2003-142076 2001/11/07 独立行政法人産業技術総合研究所 ナノコンポジット、その製造方法及びそれを用いたリチウム二次電池 A4 DF03 MI03 1

(57)【要約】【課題】 リチウム二次電池の正極活物質として好適に用いることができ、これによって薄膜型二次電池の実現を可能にしうる新規な材料を提供する。【解決手段】 マンガン酸化物又はマンガン含有複合酸化物系ナノシートと炭素系ナノシートの交互積層体からなるナノコンポジットであって、層状のマンガン酸化物又はマンガン含有複合酸化物を水中で膨潤又は剥離させて得たナノシート懸濁液と、層状の炭素又はその酸化物を水中で膨潤又は剥離させて得たナノシート懸濁液とを混合し、ナノシートの再配列が行われるのに十分な時間静置したのち、生成物を回収することにより製造し、このナノコンポジット又はその加熱処理物を正極活物質とし、リチウムイオン放出物質を負極活物質としたリチウム二次電池とする。
141 2003-142680 2001/10/30 独立行政法人物質・材料研究機構 科学技術振興事業団 同位体シリコンナノワイヤーとその作製方法 A4 DF02 MI06 3

(57)【要約】【課題】 不純物金属の含有を不可避的な含有にまで抑え、高性能量子素子の実現をより現実的なものとする同位体シリコンナノワイヤーとその作製方法を提供する。【解決手段】 28Si、29Si、又は30Siのいずれか一つの同位体が自然同位体組成より濃縮されるとともに、少なくとも酸素若しくはフッ素のいずれかを含む一方、不純物金属の含有は不可避的のみとされた同位体シリコンフレーク若しくは同位体シリコン粉末のいずれかをロッド状に成形した後、帯域溶融法により、その成形物から直径がナノメートルオーダーの同位体シリコンナノワイヤーを作製する。
142 2003-142695 2001/11/01 日本電信電話株式会社 微細構造素子の作製方法 A4 DA01 DD01 DDX DF02 PE02 MAX 5

(57)【要約】【課題】 リソグラフィー技術の加工精度限界に比べて小さく、かつ、高い結晶性を維持した梁を作製できる、微細構造素子の作製方法を提供する。【解決手段】 ガリウム砒素基板１の上に、結晶成長あるいは結晶成長後の表面処理により、単原子あるいは単分子ステップの束を形成する第１の工程と、ステップの束に梁を構成するためのインジウム砒素を、選択的に成長させる第２の工程と、インジウム砒素の細線２の成長後、その下部のガリウム砒素基板１のみを、選択的エッチングにより取り除き、インジウム砒素カンチレバー２Ａを形成する第３の工程とを含む。
143 2003-145496 2001/11/12 株式会社リコー マイクロマシン、インクジェットヘッド及びインクジェット記録装置 A4 DA01 DB01 DC02 DC03 DCX DD03 DDX 3

(57)【要約】【課題】 本発明は、結線時に加圧する必要が無いため、形状の自由度が広がり、半田を用いた場合並に安価で、高密度化に対応できるマイクロマシン、インクジェットヘッド及びインクジェット記録装置を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明のマイクロマシンは、少なくとも駆動のための電極を有し、電極への電圧印加により駆動可能なアクチュエータを、少なくとも１つ以上有する。そして、電圧印加により溶融する導電材料を介して電源に繋がる配線と結線し、電位を印加するための電極の採り出し部を有する。
144 2003-145497 2001/11/20 日本セラミック株式会社 ダイヤフラム形成方法 A4 DD03 DDX PC01 MA01 1

(57)【要約】【課題】従来のダイヤフラム形成方法は、（１００）シリコンウェハーに、方位〈０１１〉と〈０１−１〉に直線の耐エッチング性を有するパターンを形成し、異方性エッチングを行うというものであった。従来技術では、ダイヤフラム支え部側壁が垂直に形成できず、この部分に余分なスペースを要するため、チップを多数配列したアレイが大型化してしまうという欠点があった。【解決手段】（１１０）シリコンウェハーの方位〈００１〉に頂角１０９．４８度の二等辺三角形が連続する形状であり、方位〈１−１０〉に直線である耐エッチング性を有するパターンを形成し、異方性エッチングにてダイヤフラムを形成する。さらには、方位〈００１〉に頂角１０９．４８度の二等辺三角形が連続する形状であり、方位〈１−１０〉に頂角７０．５２度の二等辺三角形が連続する形状の耐エッチング性を有するパターンを形成し、異方性エッチングにてダイヤフラムを形成する。
145 2003-145499 2001/11/12 株式会社三菱総合研究所 財団法人宇宙環境利用推進センター 微粒子集積半導体 A4 DF03 PJ07 MA01 MAX MD03 MD04 MD06 MD07 MDX 1

(57)【要約】【課題】 従来得られなかった電気伝導特性を有する半導体、およびその製造法の提供。【解決手段】 量子効果を有する微粒子を、実質的に非接触的かつ規則的に配列させた微粒子集積体からなることを特徴とする微粒子集積半導体、およびその製造法。保護剤で被覆された微粒子を分散媒体中に分散させ、ついで析出させることによって製造する。
146 2003-145751 2001/11/07 株式会社リコー マイクロポンプ、該マイクロポンプを用いたインクジェット記録ヘッド、及びインクジェット記録装置 A4 DC03 PGX ME01 MEX 1

(57)【要約】【課題】 耐腐食性に優れ、液の性質によらず、あらゆる液を輸送することができ、インクジェット記録ヘッド等に用いられるマイクロポンプを提供する。【解決手段】 静電型マイクロポンプは、単結晶シリコン基板１１、ノズル板１４、電極基板の３部分で構成される。単結晶シリコン基板１１にはシリコン振動板２、個別液室１８、共通液室１６、液流路１７が異方性エッチングにより形成されており、液ノズル１９、液供給口１５が形成されたノズル板１４と接合部材２７で接合される。単結晶シリコン基板１１のインク等の液が接触する全表面には、ポリイミド或いはポリベンゾオキサゾールからなる有機樹脂膜２６が形成され、その表面は凹凸等の接着剤吸収構造を有するので、接合時の余剰の接着剤２７は吸収され、個別液室１８内へはみ出すことはない。
147 2003-145759 2001/11/19 株式会社リコー 液滴吐出ヘッド、インクカートリッジ、インクジェット記録装置、マイクロアクチュエータ、マイクロポンプ、光学デバイス A4 DA01 DA06 DAX DC03 DCX DD03 DD09 PA01 PBX PG02 MA01 MA02 MB01 MB03 25

(57)【要約】【課題】 低コストで高吐出効率が得られない。【解決手段】 振動板１０には絶縁膜１１を形成し、絶縁膜１１の表面に電気的に互いに絶縁分離された導電性を有する構造体からなる複数の電極１４を設け、電極１４、１４間に静電力を発生させることによって振動板１０を変形させる。
148 2003-146631 2001/11/12 科学技術振興事業団 独立行政法人物質・材料研究機構 吸熱性反応を利用した機能性ナノ材料の製造方法 A4 DF02 DF03 MI03 MI04 MI05 1

(57)【要約】【課題】 単層カーボンナノチューブ、単層窒化ホウ素ナノチューブ、単層炭化珪素ナノチューブ、層数の制御された多層カーボンナノチューブ、層数の制御された多層窒化ホウ素ナノチューブ、層数の制御された多層炭化珪素ナノチューブ、金属内包フラーレン及び層数の制御された金属内包フラーレンを収率良く生成できる製造方法を提供する。【解決手段】 化学的気相成長法または液相成長法により多層カーボンナノチューブ３を生成する際に、化学的気相成長法または液相成長法の主反応剤（ＣＨ4、Ｈ2 ）の他に吸熱反応性の反応補助剤（Ｈ2 Ｓ）を添加して、単層カーボンナノチューブ４を生成する。
149 2003-149262 2001/11/07 住友金属工業株式会社 マイクロ構造体、その熱制御方法及びマイクロ構造体の製造方法 A4 DA01 DA04 DA06 DAX DD01 MA02 MAX 1

(57)【要約】【課題】 検出回路からの出力信号のドリフトが極めて少ないピエゾ抵抗検出型のＳＯＩ基板からなるマイクロ構造体を提供する。【解決手段】 ＳＯＩ層１５、埋め込み絶縁膜層１６及び支持基板層１７がこの順で積層されてなる加速度センサ１０等を構成するマイクロ構造体であって、ＳＯＩ層１５に形成されたピエゾ抵抗素子Ｒｘ１〜Ｒｘ４、Ｒｙ１〜Ｒｙ４、Ｒｚ１〜Ｒｚ４、Ｒｄと、ＳＯＩ層１５及び埋め込み絶縁膜層１６を貫通し支持基板層１７に達するコンタクトホール内にポリシリコン等が堆積されてなるヒートパス５０ａ〜５０ｈ、５１ａ〜５１ｄ、５２ａ、５２ｂとを備える。
150 2003-149568 2002/07/30 メムスカップ 微小電子機械光学コンポーネントを製造するための方法 A4 DA01 DA05 DAX PB01 PB02 1

(57)【要約】【課題】 二つの光伝送路と、移動壁部と、静電アクチュエータとを備え、前記アクチュエータは、対向して相対的に移動可能とされた複数の電極を備え、一方の電極が移動壁部に機械的に接続され、他方の電極が基板の他の残りの部分に固定され、かつ、梁部によって形成された復帰手段を備えている微小電子機械光学コンポーネントを製造するための方法を提供する。【解決手段】 本発明により、前記基板を形成する単結晶シリコンの（１１１）面が基板の面２０に平行とされ、第一の一連のディープ反応性イオンエッチング工程を通して、移動壁部６、電極１１，１２、及び梁部１５，１６の高さを異なる値にして決定し、第二のウェットエッチング工程を通して、移動壁部６、電極１１，１２、及び梁部１５，１６を前記基板の他の残りの部分から自由にすることができる。
151 2003-152488 2002/08/05 メムスカップ マイクロマシンコンポーネント A4 DB04 MA01 1

(57)【要約】【課題】 ＭＥＭＳ技術を用いて製造されたフィルタの共振周波数を増大されたマイクロマシンコンポーネントを提供することである。【解決手段】 半導体母体基板１０上に作製され、入力ターミナル７，８及び出力ターミナル２６，２７を備えたフィルタリング機能を示すマイクロマシンコンポーネント１は：入力コイル７，８に結合され、電流がその中を流れるとき磁場を生成できる金属入力コイル２と；少なくとも一の変形部によって基板に結合され、強磁性材料から成る少なくとも一の領域１１，１２を含む可動要素３であって、強磁性材料から成る領域１１がさらされる力であって入力コイル２によって生成される磁場によって生じる力の効果のもとで移動できる可動要素３と；出力ターミナル２６，２７に接続され、可動要素３の移動によって変化できる電気信号を生成できる磁場センサを成す出力部材４と；を備えたことを特徴とする。
152 2003-153518 2001/11/09 日本信号株式会社 プレーナ型電磁アクチュエータ A4 DA01 DA04 DA06 DAX DDX MA01 1

(57)【要約】【課題】 一対の磁界発生手段に挟まれた半導体基板の可動部を二軸方向に揺動するプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、上記可動部が揺動するときの電力消費を低減する。【解決手段】 半導体基板２に、外側可動板３及び内側可動板４からなる可動部５と、上記外側可動板３を軸支する第１トーションバー６と、上記内側可動板を軸支する第２トーションバー７とを一体形成し、上記可動部５に駆動コイル８，９を形成し、それに磁界Ｈ0を与える磁界発生手段１０ａ，１０ｂが半導体基板２を挟んで対向配置して成るプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、上記磁界発生手段１０ａ，１０ｂから発生した磁界が駆動コイル８，９に与える磁気力を向上する構成とした。これにより、上記磁界Ｈ0が上記駆動コイル８，９に与える磁気力が向上し、上記可動部５が揺動するときの電力消費を低減することができる。
153 2003-153519 2001/11/09 日本信号株式会社 プレーナ型電磁アクチュエータ A4 DA01 DA04 DA06 DAX DDX 1

(57)【要約】【課題】 電気信号を用いることにより、磁界発生手段に挟まれた半導体基板の可動部を自在に揺動し得るプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、上記可動部に設けられた駆動コイルに与える磁界を確保し、装置全体の部品点数を減らす。【解決手段】 下部基部材１１上に、駆動コイル４を備えた可動部３が揺動可能に形成された半導体基板５と、それを挟んで対向配置され上記駆動コイル４に磁界Ｈを与える磁界発生手段６ａ，６ｂと、その周囲に配置された磁路形成手段７とを備えてなるプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、上記下部基部材１１の表面に半導体基板５を直接載置し、上記駆動コイル４を含む面に、上記磁界発生手段６ａ，６ｂの中心面を一致又は接近させて配置した。これにより、上記駆動コイル４に与える磁界Ｈを確保し、また装置全体の部品点数を減らして製造工程の効率化を図ることができる。
154 2003-154668 2001/11/21 ソニー株式会社 プリンタヘッドの製造方法、プリンタヘッド及びプリンタ A4 DC03 DCX PA03 PA07 PB04 PB05 PC03 PI04 MA01 MB01 MD02 MD06 ME12 MEX 1

(57)【要約】【課題】 本発明は、プリンタヘッドの製造方法、プリンタヘッド及びプリンタに関し、特に静電方式のインクジェット方式によるプリンタヘッドに適用して、接合等の一体化の工程を経ることなく高い精度で作成することができるようにする。【解決手段】 本発明は、犠牲層を介して固定電極５を作成した後、犠牲層を除去して可動電極４との間の空隙２１を作成する。
155 2003-155590 2001/11/16 住友電気工業株式会社 金属微細構造体の製造方法 A4 DFX PA03 PB05 PC05 PC06 MAX MB03 MD03 MD04 MDX ME12 2

(57)【要約】【課題】 コーナーエッジが鋭く、深さ方向の垂直性にも優れた金属微細構造体を大量に製造することができる方法を提供する。また、樹脂型と基板との強い接合が得られ、かつ樹脂型積層体の形成後に空孔部内の接着剤を除去する工程を必要としない金属微細構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の金属微細構造体の製造方法は、基板上および樹脂型上に金属薄膜を形成する工程と、基板上の金属薄膜と樹脂型上の金属薄膜とを接触させて厚さ方向に加圧することにより金属薄膜の表層にある汚染層を破壊して接合し樹脂型積層体を形成する工程と、樹脂型積層体の空孔部に電鋳により金属層を形成する工程と、からなる。
156 2003-156157 2002/08/08 アジレント・テクノロジーズ・インク 高温微細加工されたバルブ A4 DC02 DEX PG01 MA01 MF02 3

(57)【要約】【課題】 高い歩留まりで製造することができるマイクロバルブを提供する。【解決手段】 本発明のマイクロバルブは、排出口（70）及び開口（40）を有する座基板（15）と、排出口（70）及び開口（40）が座基板（15）を介して形成されていることと、座基板（15）が、座基板（15）のくぼみ部から突出しているバルブシート（20）と、くぼみ部（30）から突出している支持体を有し、座基板（15）上に配置されているとともに弁座（20）と共にシールを形成可能なダイアフラム（10）とを有することを特徴とする。
157 2003-156502 2002/07/16 學校法人浦項工科大學校 流体マイクロチップ用ブレッドボードを用いたアセンブリマイクロチップ A4 DC01 DDX DE01 DEX ME06 MF02 1

(57)【要約】【課題】 本発明の目的は、流体マイクロチップ用ブレッドボードと、注入、混合、抽出、精製、濃縮、希釈、反応、分離、及び検出のような機能を行うためにデザインされたモジュールを一つ以上用いて組み立てられ、用途に応じて可逆的に変形できる改善されたマイクロチップを提供することである。【解決手段】 本発明の１実施形態によると、基板の上面に一定な間隔で配列された複数対の開口部を含み、開口部の各々の対は基板の内部に形成された微細チャンネルによって連結されている流体マイクロチップ用ブレッドボードが提供される。
158 2003-159526 2001/11/28 伊永　隆史 スターライト工業株式会社 化学マイクロデバイス A4 DC01 DE01 DEX ME02 ME07 MEX 1

(57)【要約】【課題】 微少な量で分析や反応等を行うのに用いるマイクロチップ，マイクロリアクター等の化学用マイクロデバイスにおいて、その製造が簡単に行えて、安価に量産できるようにすると共に、分析や反応等に用いる試料がこの化学マイクロデバイスと接触する部分に吸着されて残留するのを抑制し、試料が効率よく反応に利用されて、反応効率が向上すると共に、迅速で高感度な分析が行えるようにする。【解決手段】 化学用マイクロデバイス１０を親水性樹脂材料で構成するようにした。
159 2003-159678 1992/11/02 セイコーエプソン株式会社 マイクロロボット A3 DAX DBX DC03 DD03 DD04 DDX DFX PI01 1

(57)【要約】 （修正有）【課題】 １立方センチメートル程度の大きさのワイヤレス制御可能なマイクロロボットを提供する。【解決手段】 検出領域が一部重複する少なくとも２個のセンサ１２，１４と、互いに独立して駆動され、移動方向に対し直角方向に離れた駆動点を有する少なくとも１対の駆動部と、センサの出力に基づいて前記駆動部を制御する制御部と、充電可能であり、センサ、駆動部及び制御部に電源電圧を供給する電源部とを有し、制御部及び電源部が駆動部の間に配置され、前１対の駆動部によって走行グラウンドに対して駆動される２つの駆動点と、走行グランドに対して摩擦接触する摺動点１、２の３点により支持されている。
160 2003-159696 2001/11/27 スターライト工業株式会社 化学マイクロデバイス A4 DC01 ME02 ME07 MEX 1

(57)【要約】【課題】 微少な量で分析や反応等を行うのに用いるマイクロチップ，マイクロリアクター等の化学マイクロデバイスの成形が簡単に行えると共に、適当な位置に金属層を設けることも簡単に行え、適当な位置に金属層が設けられた化学マイクロデバイスを安価に量産できるようにする。【解決手段】 化学マイクロデバイスを無電解メッキ性能の異なる２種以上のプラスチック材料１０ａ，１０ｂで構成し、無電解メッキが容易なプラスチック材料１０ａで構成された少なくとも一部に無電解メッキによる金属層１１を設けるようにした。
161 2003-159697 2001/12/05 日本碍子株式会社 マトリクス型アクチュエータ A4 DA01 DA06 DAX DB01 DBX DC02 DC03 DCX MFX MG01 MG02 MG05 1

(57)【要約】【課題】 低電圧で大変位が得られ、応答速度が速く、且つ、発生力が大きく、又、実装性に優れ、高集積化が可能であり、光変調器、光スイッチ、電気スイッチ、マイクロバルブ、搬送装置、ポンプ、液滴吐出装置、画像表示装置、等に好ましく適用することが可能な、圧電／電歪アクチュエータを提供すること。【解決手段】 厚肉のセラミック基体２上に、圧電／電歪体４と少なくとも一対の電極１８，１９とからなる複数の圧電／電歪素子３１が形成されてなり、圧電／電歪体４の変位により駆動し、複数の圧電／電歪素子３１が、セラミック基体２とそれぞれ一体的に接合され、且つ、互いに独立して二次元に整列配置されてなることを特徴とするマトリクス型アクチュエータ１の提供による。
162 2003-159698 2001/12/03 株式会社ニコン マイクロアクチュエータ、並びに、これを用いたマイクロアクチュエータ装置、光スイッチ及び光スイッチアレー A3 DA01 DAX MA01 MA02 MB01 2

(57)【要約】【課題】 高い電圧をかけたり小型化を損なったりすることなく、可動部の可動範囲を広げ、しかも、消費電力を低減する。【解決手段】 可動板２１は、フレクチュア部２７ａ，２７ｂを介して基板１１に固定され、基板１１に対して上下動し得る。基板１１は固定電極を兼用する。可動板２１は、基板１１との間の電圧により基板１１との間に静電力を生じ得る第２の電極部２３ａ，２３ｂと、磁界内に配置されて通電によりローレンツ力を生ずる電流経路２５と、を有する。光路に進出及び退出するミラー１２が、可動板２１に設けられている。
163 2003-159699 2001/11/27 富士ゼロックス株式会社 中空グラフェンシート構造体及び電極構造体とそれら製造方法並びにデバイス A4 DF02 MI04 4

(57)【要約】【課題】 カーボンナノチューブを含む中空グラフェンシート体の構造にダメージを与えることなく、簡易に中空グラフェンシート体を切断等することにより、新たな中空グラフェンシート構造体及び電極構造体を提供すること、及び上記電極構造体を利用して、カーボンナノチューブ等の中空グラフェンシート体の微小デバイスへの応用を実現させることである。【解決手段】 少なくとも一対の中空グラフェンシート体が連続した形状に配置されており、前記一対の中空グラフェンシート体の互いに近接する側の端部同士が、間隙を介して相対していることを特徴とする中空グラフェンシート構造体である。
164 2003-159700 2001/11/22 トヨタ自動車株式会社 カーボンナノチューブの加工方法 A4 DF02 MI04 2

(57)【要約】【課題】不純物が残存しないカーボンナノチューブの加工方法を提供すること。【解決手段】エネルギーが１２０ｋｅＶより低いエネルギー線をカーボンナノチューブに照射することを特徴とする。つまり、３００ｋＶ以上で加速した電子線をカーボンナノチューブに照射する方法では、照射された電子によりカーボンナノチューブを構成する炭素原子が単独で弾き出されることで欠陥が生成し、非晶質化しているのに対して、エネルギーを１２０ｋｅＶより小さくしたエネルギー線の照射を行うことで、照射された電子はカーボンナノチューブを構成する炭素原子を弾き出すことができず、カーボンナノチューブを構成する炭素原子からなる構造中に取り込まれ蓄積する結果、電荷等の集中による発熱などで局所的に応力が発生してその部分の化学結合が切断されて、ｎｍオーダーの破断部位が生起することとなるものと考えられる。
165 2003-161896 2002/08/27 日本碍子株式会社 表示装置及びその製造方法 A4 ME12 MEX 2

(57)【要約】【課題】画素構成体の耐熱性を向上させて、光導波板に対する接触離隔の応答性の向上及び画像表示の安定性を図る。【解決手段】アクチュエータ部２２を有するアクチュエータ基板３２と、光導波板２０と、該光導波板２０とアクチュエータ基板３２との間に介在して、かつ、アクチュエータ部２２を囲繞する桟４２と、アクチュエータ部２２上に接合された画素構成体３０とを具備した表示装置１０において、画素構成体３０を構成する積層体のうち、光導波板２０と対向する透明層５４について、変性エポキシ、もしくはビスフェノールＡ型エポキシ、もしくはビスフェノールＦ型エポキシ、もしくはグリシジルエーテル型エポキシの中から選択された１種以上を主剤とし、変性ポリアミン、もしくは変性脂環式ポリアミン、もしくは複素環式ジアミン変性物三級アミンの中から選択された１種以上を硬化剤として重合させた樹脂硬化物を主成分として構成する。
166 2003-161899 2001/11/28 三菱電線工業株式会社 光スイッチ及びその製造方法 A4 DA01 PI03 MA01 MB01 1

(57)【要約】【課題】 簡単な構造によりミラーを光反射位置に固定保持可能で且つこの固定保持のためのエネルギーが不要な光スイッチ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 光スイッチ１は、基板４上面にミラー２を備え、ミラー２上面に永久磁石５を備えている。基板４は板バネ６により支持されて、基板４の上方には強磁性体のコア７と電磁コイル３とからなる電磁石８が配置されている。図に示されている永久磁石５がコア７から離れている状態がスイッチＯＦＦ位置であり、永久磁石５がコア７に吸着している状態がスイッチＯＮ位置である。ＯＮ位置のときにミラー２が信号光を反射する。ＯＮからＯＦＦ或いはＯＦＦからＯＮに切り替えるには、電磁コイル３に通電して永久磁石５をコア７の方に引きつける、或いはコア７との間に反発力を生じさせる。駆動時以外は、電磁コイル３には通電する必要はない。
167 2003-164168 2002/09/11 酒井　捷夫 鏡像力を使う静電モータ A4 DAX DCX 8

(57)【要約】【課題】静電モータの方式は、多数あるが、その共通の問題点は電圧極性を切り替えるため、あるいは高電圧を維持するために外部から電気的なエネルギーを電源装置一式を使って供給しなければならないことである。【解決手段】固定子１Ａ（電界形成電極）と固定子１Ｂ（電荷発生電極）でその間に電子放出電界またはコロナ放電開始電界に近いがそれ以下の電界を形成し、移動子２（電荷搬送体）を固定子１Ｂに接近させてその間の電界を電子放出またはコロナ放電開始以上にして固定子１Ｂから電子を放出させるかその間にコロナ放電を発生させ、その電子またはコロナイオンで帯電された移動子２を固定子１Ｃ（電荷回収電極）まで移動させて該帯電電荷を固定子１Ｃに放出する過程において、該帯電電荷に作用する固定子１Ｃとの間の鏡像力と、固定子１Ｂとの間の鏡像力の差を機械的なエネルギーとして使用することで電源を不要にする。
168 2003-165097 2001/11/20 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング メンブランセンサーアレーの製造方法およびメンブランセンサーアレー A4 DD06 DD09 MA01 MA02 6

(57)【要約】 （修正有）【課題】 メンブランセンサーアレーの製造方法を提供する。【解決手段】 半導体材料支持体３２を有し、該支持体上に複数の平坦なメンブラン領域３５がセンサー素子のための支持体層として配置され、平坦なメンブラン領域３５が、メンブラン領域３５およびウェブの横方向の周囲部分と比較して明らかに改良された熱伝導性を有する材料からなるウェブにより互いに断熱されているメンブランセンサーアレーは、まず半導体材料支持体３２に、断熱のためにウェブが形成される位置で、多孔質の半導体材料を形成させる次の工程のためのマスキングを維持し、マスキングにより保護されない半導体材料を多孔質化し、この上にメンブラン領域を形成させることにより製造される。
169 2003-165098 2001/11/30 住友電気工業株式会社 微細部品の製造方法 A4 DAX DBX DCX DDX DFX PA03 PA05 PB05 PE02 PJ02 MDX ME02 ME07 1

(57)【要約】【課題】 接着剤残さが付着する問題がなく、不良品が発生した場合に不良品発生箇所を容易につきとめることができ、微細部品の接触による損傷のない、微細部品の製造方法を提供すること。【解決手段】 基板１１の表面に互いに一定の配置で形成された複数の微細部品１５全体を樹脂モールド１６で覆うことにより、前記微細部品の配置を固定する工程と、前記基板と前記樹脂モールドとを相対的に異なる方向に移動することにより前記基板から前記微細部品を剥離する工程と、前記樹脂モールドを、酸素プラズマ１７によるアッシングによって除去する工程を含む。
170 2003-166129 2001/11/29 科学技術振興事業団 独立行政法人産業技術総合研究所 ナノチューブの製法 A4 DF02 MI04 -

(57)【要約】【課題】 従来のナノチューブの製造方法では、高収率で再現性よくナノチューブを作成することができなかった。【解決手段】 界面活性有機化合物を水溶液に分散する際の温度や、この分散溶液の保存温度が、ナノチューブの形成時間や形態に影響を与えることがわかった。本発明においては、（１）Ｏ−グリコシド型糖脂質の水溶液を調製する工程、（２）この水溶液を所定温度（分散温度）まで加熱する工程、（３）この水溶液を所定の冷却速度で所定温度（保存温度）まで冷却する工程、及び（４）この水溶液をこの保存温度で所定時間（保存時間）保存する工程から成る中空繊維状ナノチューブの製法において、分散温度、冷却速度、保存温度及び保存時間を制御する。
171 2003-167157 2001/12/04 松下電器産業株式会社 光実装基板及び光デバイス A4 DAX PJ02 ME01 MF02 3

(57)【要約】【課題】 プレス成形は、同一形状の部品を大量かつ安価に製造できる工法であるが、従来のマイクログラインダーによる金型加工では、光ファイバガイド用のＶ溝を成形する程度にとどまっており、汎用性に乏しかった。【解決手段】 マイクロ放電加工を用いることにより、マイクログラインダーによる研削加工では実現困難であった金型を得て、これを用いてプレス成形することによって、光実装基板を製作する。これにより、光ファイバと光導波路とをパッシブアライメントで実装でき、多機能を有する光デバイスを大量かつ安価に製造できる。
172 2003-168682 2001/11/30 関西ティー・エル・オー株式会社 シリコン製被加工物への微細パターンの形成方法 A4 DAX DFX MA01 MAX 1

(57)【要約】【課題】 シリコン製被加工物の表面にシリコン酸化物の微細パターンを形成する方法において、低電圧でも酸化物を生成でき、微細パターン以外の部分でのシリコンの酸化が起こりにくく、探針による陽極酸化の際には同探針の摩耗が起こりにくいようにする。【解決手段】 シリコン基板１０の表面を水素終端処理することによって同表面を水素原子１３の膜で被覆し、その水素原子１３を有機分子で置換することにより有機化合物の単分子膜１６を形成する。有機分子としては、例えば１−アルケンのように、末端に炭素原子の二重結合を有するものを用いる。
173 2003-170399 2001/11/26 財団法人工業技術研究院 熱分解反応駆動ポンプ A4 DC03 MA01 ME07 ME09 1

(57)【要約】 （修正有）【課題】 １平方ミリメートル未満の断面積を持つ流路を画定する１組の壁を含み、該流路内に液体が受容され、反応室を画定する第２組の壁を含み、該反応室内に熱分解体が支持された、熱分解反応駆動ポンプシステムを提供する。【解決方法】 第１組および第２組の壁１２，１６は、反応室１８から流路１４内へのガスの流動が可能となるように構成し、配置する。加熱器２４を配置して熱分解体に熱を提供し、熱分解体を解離させてガスを発生させ、流路内に液体を揚送させる。
174 2003-170400 2001/12/04 独立行政法人産業技術総合研究所 アクチュエータ素子の製造方法 A4 DC02 DC03 DDX DFX 2

(57)【要約】【課題】変位量および変位力が大きく、構造が簡単で、小型化が容易であり、かつ応答が早く、柔軟なアクチュエータ素子の製造方法を提供する。【解決手段】アニオン交換樹脂成形品の表面に、相互に絶縁状態で金属電極を形成し、次いで、該金属電極上に、電解重合法によって電子導電性高分子膜を形成することを特徴とするアクチュエータ素子の製造方法。
175 2003-170411 2002/03/11 東陶機器株式会社 セラミックス成形体およびその製造方法 A4 DC01 DEX MFX 1

(57)【要約】【課題】 内部空間を持つセラミックス成形体の製造方法において、内部空間が非常に微細な場合においても容易に製作可能なセラミックス成形体およびその製造方法を提供する。【解決手段】 内部空間を有するセラミックス成形体の製造方法において、前記内部空間の形状を有する第１の成形体を成形し、前記第１の成形体をインサート部材として用いて第２の成形体を成形し、前記第２の成形体を加工して２次加工部材を作製し、前記２次加工部材をインサート部材として用いて第３の成形体を成形し、前記第３の成形体を焼結して内部空間を形成するようにした。
176 2003-170581 2001/12/04 株式会社リコー 液滴吐出ヘッド、インクカートリッジ、インクジェット記録装置、マイクロアクチュエータ、マイクロポンプ、光学デバイス A4 DA05 DC03 DCX 33

(57)【要約】【課題】 低コストで高吐出効率が得られない。【解決手段】 振動板１０には絶縁膜１１を形成し、絶縁膜１１の表面に電気的に互いに絶縁分離された導電性を有する構造体からなる複数の電極１４を、短辺方向端部から少なくとも短辺長比で３５％以上の領域に設けた。
177 2003-170582 2001/12/04 株式会社リコー 液滴吐出ヘッド、インクカートリッジ、インクジェット記録装置、マイクロアクチュエータ、マイクロポンプ、光学デバイス A4 DA05 DC03 DCX PA06 PC01 MA01 MA02 MB03 MF02 39

(57)【要約】【課題】 低コストで高吐出効率が得られない。【解決手段】 振動板１０には絶縁性薄膜である窒化シリコン膜１０Ａで形成し、振動板１０の表面に電気的に互いに絶縁分離された導電性を有する構造体からなる複数の電極１４を設け、電極１４、１４間に静電力を発生させることによって振動板１０を変形させる。
178 2003-172664 2001/12/07 株式会社フジクラ 圧力センサおよびその製造方法 A4 DC03 PA03 PA05 PC05 PG01 MAX MD03 MD04 MD07 MD09 3

(57)【要約】【課題】 高品質の圧力センサを歩留まりよく、低コストで製造するための製造方法の提供。【解決手段】 絶縁層２２を介して２つのシリコン層２１，２３を接合してなるＳＯＩ基板２０を用意し、次いで該ＳＯＩ基板の一方のシリコン層にエッチングを施して絶縁層近傍まで厚みを減じてギャップ２４を形成し、次いで該一方のシリコン層の表面にボロンを拡散して所定厚さのＰ+層２５を形成し、次いで該ＳＯＩ基板のＰ+層側を、一面側に対向電極とそれを覆う誘電体膜が形成されたセンサ基板３０上に接合し、次いで該ＳＯＩ基板の他方のシリコン層を、絶縁層をエッチストップ層としてエッチングして絶縁層を露出させてダイヤフラム２６を形成する各工程を有することを特徴とする圧力センサ４０の製造方法。
179 2003-172891 2002/04/05 三星電機株式会社 光スイッチ A4 DA01 1

(57)【要約】【課題】 アクチュエータの電力消耗を最小化ができる光スイッチを提供する。【解決手段】 MEMS光スイッチは、中央に位置した往復質量体と、往復質量体の左右側に対称的に位置した第１回転軸と、第１回転軸に回転連結される第１回転質量体と、第１回転質量体を支持する第１回転スプリングと、第１回転質量体に連結され第１回転スプリングと共に第１回転質量体を支持する線形スプリングと、線形スプリングに連結され一側方向の変位が制限される第２回転質量体と、第２回転質量体を左右側の両端に連結支持する第２回転スプリングと、第２回転質量体を回転連結する第２回転軸と、第２回転軸を含む左右側の両端の構造体アンカーと、駆動電極と、往復質量体と同じ変位に運動する微小ミラーを含み、往復質量体と左右側の回転質量体に対する２個所での構造的な安定点を有する静電アクチュエータ；及び基板；を有する。
180 2003-172897 2002/07/25 株式会社リコー 光走査装置とその製造方法、光書込装置、画像形成装置、振動ミラーチップとその製造方法、光走査モジュール A4 DA02 FP

(57)【要約】【課題】 梁をねじり回転軸としてミラー基板を往復振動させる光走査装置において、安定なビーム形状での光走査を可能にする。【解決手段】 ミラー基板１０１のミラー面１１５の形成されない裏面に、少なくとも梁１０２，１０３と直交する方向に延びる補強用状リブ１２１が形成され、それ以外の領域には肉抜き領域とされる。この補強用リブ１２１を設けることによって、ミラー基板１０１の振動時における変形が効果的に抑えられてミラー面１１５の平坦性が維持されるため、安定したビーム形状での光走査が可能である。補強用リブについては、ミラー基板の外縁をとり囲むように設ける等、様々な態様が開示される。また、ミラー基板を薄膜と枠体とから構成した態様も開示される。
181 2003-175352 2002/08/29 マイクロフロー・エンジニアリング・エス　エイ 液滴スプレーデバイス A4 DC03 FP

(57)【要約】【課題】 製造が単純であり、確実であり、かつ安価である、大きさが小さくエネルギー消費および費用が低いような、デバイスを提供すること。【解決手段】 本発明は、液状物質を噴霧するための液滴スプレーデバイスを提供し、このデバイスは、以下：ハウジング、液状物質を空間に供給するための手段、ノズル本体に配置されるノズル膜であって、少なくとも１つの出口ノズルおよび少なくとも１つの排出チャネルを備え、この排出チャネルは、空間を少なくとも１つの出口ノズルの各々に接続し、出口ノズルおよび排出チャネルが、公差の厳しい真っ直ぐなテーパでない形状を有する、ノズル膜、ならびに振動要素であって、この振動要素は、ノズル膜の出口ノズルを通るスプレーとして、液状物質を噴出させるように、空間中の液体を振動させるよう配置されている、振動要素、を備える。
182 2003-175498 2002/10/31 ゼロックス・コーポレーション マイクロ素子のための膜構造，膜構造を含むマイクロ素子，及び膜構造を作るための方法 A4 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 エッチングに起因するたわみを削減する。【解決手段】 マイクロ素子のための構造が、第１の犠牲材料の層，第１の犠牲材料層の上の構造材料の層，構造材料層の上の第２の犠牲材料の層，及び、第２の犠牲材料層の上の保護層、を形成することによって製造される。実質的に同じ率で第１と第２の犠牲材料層を除去するために開放エッチングが用いられる。構造的特徴もまた、第１の材料の第１の層，第１の材料の第１の層の上の構造材料の層，構造材料層の少なくとも一つのカット，及び、少なくとも一つのカットにおいて第１の犠牲材料の層と第１の材料の第１の層との間にインターフェースが形成されるようにするための構造材料層の上の第１の材料とは異なる第１の犠牲材料の層、を形成することによって製造され得る。
183 2003-175499 2002/07/24 ダルサ　セミコンダクター　インコーポレイテッド マイクロ流体デバイス A2 DC01 FP

(57)【要約】 （修正有）【課題】能動的マイクロ流体デバイスの製造方法において、種々の形状のマイクロ溝及びフィルターの形成を可能にする。【解決手段】マイクロフルイディックス用途用のマイクロ構造体の形成方法において、機械的に安定な支持体層をエッチング可能な材料の層上に形成する。異方性エッチングを、マスクを介して行い、支持体層を通り上記エッチング可能な材料中にまで伸びている孔パターンを形成する。各孔を通して等方性エッチングを行い、各孔の下のエッチング可能な材料中支持体層の下に広がる対応する空洞を形成する。追加の堆積可能な層を、この堆積可能な層の上記各孔上に張り出している部分が合流し、これにより各孔の下に形成された空洞が閉鎖されるまで支持体層上に形成する。
184 2003-175500 2001/12/11 ソニー株式会社 マイクロパッケージ構造 A4 PHX FP

(57)【要約】【課題】 マイクロパッケージ構造において、セラミックや樹脂製のパッケージ材料を省略して、マイクロデバイスの機能部分を形成する基板とガラス板等からなる蓋材とを接合し、かつ基板と蓋材との熱膨張差による割れやヒビ等の気密不良を防止する。【解決手段】 マイクロパッケージ構造１Ａにおいて、マイクロデバイスの機能部分２が形成されている基板（Ｓｉ基板３）と、マイクロデバイスの機能部分２上に空間的隔たりをおいて設けられている蓋材（ガラス板６）とが、それぞれ接着層７、８を介して半田層９と接合することにより、マイクロデバイスの機能部分２が気密封止されている。基板側の接着層７のパターン又は蓋材側の接着層８のパターンの少なくとも一方は、該パターンの縁辺の縦方向の長さと横方向の長さとが略等しい帯状パターンから形成されている。
185 2003-177062 2001/12/12 多摩電気工業株式会社 ＳＯＩウェハーを使用した赤外線センサーおよびその製造方法 A4 PC01 2

(57)【要約】【課題】従来の赤外線センサーは、シリコンウェハー上にシリコン熱酸化膜とシリコンチッ化膜をＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２のように積層させることでお互いの応力を相殺し、シリコンをエッチングで除去することによってこれを厚み１μｍ程度のダイアフラムに加工して、上部に熱電対を形成するものが多く、ダイシング等で素子を切断するにはあまりに薄く、実装などの後行程も困難であった。【手段】本発明ではシリコンウェハーを張り合わせて作製されたＳＯＩウェハーを利用して、丈夫で物理力で破壊されにくく、かつ、ＣＶＤ法などで形成されるシリコンチッ化膜を用いないでシリコン熱酸化膜の応力を相殺する事ができる構造を、上下のシリコンウェハーを部分的にエッチングで除去することにより実施した。
186 2003-178663 1997/08/26 オムロン株式会社 マトリックスリレー A4 DB01 FP

(57)【要約】【課題】 超小型で組立が容易なマトリックスリレーを提供することにある。【解決手段】 単結晶からなる薄板状基材１２５に圧電素子１２８を設け、かつ、片面に可動接点１３０を設けた第１，第２，第３，第４可動片１２１，１２２，１２３，１２４を絶縁状態で並設するとともに、その両端をベース１１０にそれぞれ固定支持し、前記圧電素子１２８を介して前記可動片１２１，１２２，１２３，１２４を個々に湾曲させることにより、前記可動接点１３０を、前記ベース１１０の上方に位置するカバー１４０の天井面に形成した固定接点１４５，１４６に接離させて複数の電気回路を開閉する。
187 2003-179031 2001/12/11 財団法人新産業創造研究機構　 無機多層レジストのイオンビーム注入リソグラフィーによるＳｉ半導体微細構造体の加工方法及びその方法による集積回路、デバイス及びマイクロマシーンコンポーネント A4 PBX FP

(57)【要約】 （修正有）【課題】 ドライエッチング用マスクを形成することなく、Ｓｉ基板表面に量子デバイスに用いられる微細回路パターンを形成するイオンビーム微細加工方法を提供する。【解決手段】 Ｓｉウェハー基板１表面に、Ａｌ層２とＳｉアモルファス層３を形成した後、該Ｓｉアモルファス層３表面にマスク５を通して金属イオン６を注入後に、マスク５を外して金属イオン９を注入し、前記Ｓｉアモルファス層３表面に形成されている表面自然酸化膜４の存在又は酸素分子放射のもと前記表面自然酸化膜を選択的にＳｉＯ2７に置換又は生成させ、更にイオンを注入することにより、前記Ａｌ層２表面にＡｌxＯy８を生成させた後、臭素化物により一原子層単位でドライエッチングし、前記ＳｉＯ2及びＡｌxＯy８に置換した部分以外の前記表面自然酸化膜、Ｓｉアモルファス層、Ａｌ層及びＳｉウェハー基板の一部を除去する。
188 2003-179032 2001/12/11 財団法人新産業創造研究機構　 無機多層レジストのイオンビーム微細加工方法及びこの方法による半導体デバイス、量子デバイス、マイクロマシーンコンポーネント及び微細構造体 A4 PBX 5

(57)【要約】 （修正有）【課題】 Ｓｉ、ＳｉＣやＧａＡｓ等の無機材料からなる多層基板表面に、量子デバイスに用いられる微細な２次元及び３次元の回路パターンを形成する。【解決手段】 半導体基板Ｘの表面に、前記基板Ｘの酸化を防止し化学的にも熱的にも安定な酸化膜層を形成できる無機材料Ｙ層を形成し、該Ｙ層表面に該Ｙ層の酸化を防止し熱的に不安定な自然酸化膜又はＹ層よりも弱いが化学的に安定な強制酸化膜といった複数の酸化膜を形成できる無機材料Ｚ層を形成した後、該Ｚ層表面に自然に形成されている表面自然酸化膜の存在又は酸素分子放射のもとでの金属イオン打ち込みにより、前記表面自然酸化膜を選択的に安定な強制酸化膜Ｚ'層に置換又は生成させ、自然酸化膜または強制酸化膜Ｚ'層からのＯイオンの伝播及びＺ層のスパッタリングにより前記Ｙ層に熱的にも化学的にも安定な酸化膜Ｙ'層を生成させた後、前記基板Ｘ表面を反応性エッチングガスによりドライエッチングする。
189 2003-181800 2001/12/19 株式会社日立製作所 日立金属株式会社 日立電線株式会社 圧電型マイクロアクチュエータ及びこれを備えたマイクロミラー A4 DA04 4

(57)【要約】【課題】低い印加電圧にて大きな回転角度を生じ、また、マイクロマシニング技術を応用して容易に実現できる圧電型マイクロアクチュエータ及びこれを備えるマイクロミラーを提供する。【解決手段】中間電極２０４の一方の面側に位置する圧電素子膜２０１ａと中間電極２０４の他方の面側に位置する圧電素子膜２０１ｂとを分極方向を逆にして配置し、一方の面側に位置する圧電素子膜２０１ａ及び他方の面側に位置する圧電素子膜２０１ｂの外側面に、正極及び負極の電極を交互に配置し、電極に電圧を印加することにより、圧電素子膜の隣り合う直線部１０２ｂで交互に反対方向に屈曲変形する。
190 2003-181976 2001/12/19 オムロン株式会社 積層体、開閉器、検出装置、接合部、配線、静電アクチュエータ、キャパシタ、計測装置及び無線機 A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】 ヒロックを抑制する積層体、開閉器、検出装置、接合部、配線、静電アクチュエータ、キャパシタ、計測装置及び無線機を提供する。【解決手段】 少なくとも、基板１０４上に形成された第３層１０３と、第３層１０３上に形成される第２層１０２と、第２層１０２上に形成される第１層１０１とを備える積層体であって、第２層１０２の硬度が、第１層１０１の硬度よりも高いことを特徴とする。また、このような積層体を用いて、開閉器、検出装置、接合部、配線、静電アクチュエータ、キャパシタ、計測装置及び無線機を製造する。
191 2003-185496 2001/12/13 三菱電機株式会社 赤外線検出アレイおよびその製造方法 A4 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 熱絶縁構造部の支持角の補正が可能な赤外線検出器を含む赤外線検出アレイを提供する。【解決手段】 複数の赤外線検出器が基板上にマトリックス状に配置された赤外線検出アレイにおいて、赤外線検出器が、一端が基板に固定された支持脚であって、絶縁層と配線層との積層構造を有する支持脚と、支持脚に支持された熱絶縁構造部であって、赤外線の入射側となる第１面と、読み出し光の入射側となる第２面を有する絶縁層と、絶縁層の第２面に形成された反射膜と、配線層に接続された抵抗体とを有する熱絶縁構造部とを含み、赤外線により検出温度に加熱された支持脚が可逆的に撓むことにより、反射膜に入射した読み出し光の反射方向を変える赤外線検出器からなり、配線層を介して抵抗体に通電し、検出温度より高い温度に支持脚を加熱することにより、支持脚が非可逆的に撓むようにした。
192 2003-185656 2001/12/20 富士通株式会社 生体高分子検出デバイス及び生体高分子検出方法、それに用いるカーボンナノチューブ構造体、並びに、疾病診断装置 A1 DEX FP

(57)【要約】【課題】 試料中に存在する一連の機能的に密接な関係のある複数の標的生体高分子の存在量を容易にかつ確実にしかも簡便に検出可能であり、効率良く病気の診断等を行うことが可能であり、アレイチップテクノロジーに適用可能な生体高分子検出デバイスの提供。【解決手段】 振動を誘起させる振動誘起手段と、該振動誘起手段により誘起された振動により共振可能であり、かつ標的生体高分子と結合乃至相互作用可能な結合手段と、該結合手段が前記標的生体高分子と結合乃至相互作用したか否かを検出する検出手段とを有する生体高分子検出デバイス。振動誘起手段が、結合手段の一端に設けられた基部電極と、該結合手段の近傍に配置された振動誘起電極と、該基部電極及び該振動誘起電極と導通可能に接続され、交流電圧を印加可能な交流電源とを有してなる態様、などが好ましい。
193 2003-185941 2001/12/20 横河電機株式会社 ファブリペローフィルタ A4 DAX FP

(57)【要約】【課題】 可動鏡に反りが発生せず光学的活性領域が広く、可動鏡の傾きを容易に制御することができ、製造の容易なファブリペローフィルタを提供すること。【解決手段】 固定鏡と可動鏡とを有するァブリペローフィルタにおいて、固定鏡が形成される固定基板と、固定基板にスペーサを介して接続される可動基板と、可動基板が方形溝状にエッチングされて薄肉に形成される導電性を有するダイアフラムと、可動基板のダイアフラムに囲まれる位置に厚肉に形成されると共に可動鏡が形成される突起部と、固定鏡上に形成され前記ダイアフラムに対向配置される固定電極と、固定電極上に形成される絶縁膜とを有し、固定電極とダイアフラムとの間に駆動電圧を印加して発生する静電力により可動基板を駆動してギャップを可変としたことを特徴とするファブリペローフィルタ。
194 2003-185946 2002/09/18 イーストマン　コダック　カンパニー 連続的に制御可能な回折効率を有する電気機械的な回折格子装置 A4 DA06 FP

(57)【要約】【課題】 本発明の目的は、回折効率の連続制御の提供が可能で、リボン要素の機械的な故障をほとんど有しない電気機械的な回折格子装置を提供する。【解決手段】 表面を有する基部；基部に提供される底の伝導性の層；上部表面を確定し、第一と第二の相対する側壁及び底部を有する通路を確定するスペーサー層が提供され、縦方向の通路がスペーサー層に形成されること；互いに平行に間隔が置かれて位置し、通路にかかっている複数のリボン要素であって、リボン要素は通路の各側のスペーサー層の上部表面に固定され、各リボン要素は伝導性の層を備えて提供されることを特徴とするリボン要素；底の伝導性の層と通路の底との間に提供される機械的な停止であって、機械的な停止は距離ｈ０でリボン要素の低部のリボン表面から分離される固い障壁を形成することを特徴とする機械的な停止を含有する電気機械的な回折格子装置。
195 2003-191199 2002/12/10 三星電子株式会社 ＭＥＭＳ構造物及びその作製方法 A4 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 基板上に固定された固定部と基板上から浮き上がった浮上部とが互いに堅固に連結されており、浮上部の長さの調節が精度良く制御でき、また他の回路との電気的連結が容易なＭＥＭＳ構造物及びその作製方法を提供する。【解決手段】 基板上に積層された犠牲層を、固定部が形成される領域に対応する領域を取り囲むグルーブ状の空間が形成されるようにパターニングし、パターニングされた犠牲層上にＭＥＭＳ構造物層を積層して、空間内に側壁を形成するとともに、犠牲層上に固定部と浮上部とを形成し、犠牲層をエッチング液を用いて除去することで、固定部の下部の犠牲層を側壁によってエッチング液から保護し、犠牲層のうち側壁によって取り囲まれている部分を除いた残り部分を取り除くことで、浮上部の下部の犠牲層だけを取り除く。
196 2003-194574 2001/12/25 旭化成株式会社 集積化方位センサ A3 DD01 DDX FP

(57)【要約】【課題】 方位検出および姿勢検出が可能であって、携帯機器に搭載できるようにした小型の集積化方位センサの提供。【解決手段】 この発明は、地磁気を検出する３軸の磁気センサ４と、重力加速度を検出する２軸の加速度センサ３と、磁気センサ４からの磁気情報および加速度センサ３からの加速度情報を演算処理する演算処理部６とを備えている。これらの磁気センサ４、加速度センサ３、および演算処理部６は、同一のシリコン基板７上に配置されている。加速度センサ３は、シリコン基板７に固定された櫛歯状の固定電極と、この固定電極と対向する櫛歯状の可動電極を有する重り部と、この重り部をシリコン基板７上に可動自在に支持する梁とから構成するものである。
197 2003-194845 2001/12/25 松下電工株式会社 半導体加速度センサ A4 DD01 FP

(57)【要約】【課題】 加速度に対する感度の調整が行え、錘部の変位ばらつきを抑えて加速度の検出精度を向上させた半導体加速度センサを提供すること。【解決手段】 半導体基板にエッチングを施して設けた支持部１１と、可動電極１２ａ，１２ｂを有して支持部１１と相対的に変位する錘部１２と、支持部１１から突設して錘部１２を弾性的に支持する懸架部１３と、錘部１２の変位量に応じて抵抗値の変位する歪みゲージ抵抗１４と、錘部１２の最大変位量を規制し、錘部１２に設けた可動電極１２ａ，１２ｂと相対する位置に固定電極１５ａ，１６ａを有するストッパ１５，１６とを備えてなる半導体加速度センサ。可動電極１２ａ，１２ｂと固定電極１５ａ，１６ａ間に電圧を印加して錘部１２の変位制御を行う変位制御回路２と、変位制御回路２の出力に基づいて加速度信号を演算する演算回路３を設けたことを特徴としている。
198 2003-195189 2001/12/25 富士写真フイルム株式会社 光変調素子およびその作製方法 A4 DAX PI02 FP

(57)【要約】【課題】 光変調用可動部を光変調用固定部に対して離間、近接させることによって光変調する素子において、スティッキングの発生を防止するとともに、不良品の発生や、成膜に係る工数の増加を防止する。【解決手段】 基板10の表面から突出した突部材11を形成し、その上から成膜を行なって光変調用固定部13、犠牲層14および光変調用可動部15をこの順に形成し、光変調用固定部13の上に、突部材11の形状に倣ったスペーサ21を形成する。そして光変調用可動部15を支持するヒンジ19を、光変調用可動部15が光変調用固定部13に離間した位置から近接位置に移動するのに伴って、この可動部15を基板10の表面と平行な面内での位置を変えるように案内する形状とする。それにより、突部材11による可動部15の凹部22にスペーサ21が入り込まないようにし、該スペーサ21により可動部15が固定部13に密着することを回避する。
199 2003-195195 2001/12/26 エヌティティエレクトロニクス株式会社 株式会社ニコン 光スイッチ及びその製造方法 A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 容易でかつ歩留りの良い製造を可能にする。【解決手段】 光導波路基板２は、ミラー受け入れ用の溝２４と光導波路とを有する。光導波路は、入力ポートに入力された光を、溝２４に対するミラー３１の進出及び退出に応じて選択された出力ポートに導く。アクチュエータ基板４は、ミラー３１と、ミラー３１を基板４側に引っ込んだ状態と基板４から突出した状態とにするアクチュエータを有する。ミラー３１が基板４側に引っ込んだときに溝２４から退出するとともにミラー３１が基板４から突出したときに溝２４内に進出するように、光導波路基板２とアクチュエータ基板４とが、アライメントマークを利用して位置合わせして、スペーサ３を介して接合される。この位置合わせは、全てのミラー３１を基板４側に引っ込んだ状態にして行われる。
200 2003-195196 2001/12/27 三菱電線工業株式会社 光スイッチ及びその製造方法 A4 DA04 5

(57)【要約】【課題】 可動マイクロミラーとそれを支持する梁とを同時形成する必要がなく、エッチング残りによって可動マイクロミラーが基板と直接繋がったり、オーバーエッチングにより梁が消失するといった事態が回避されうる光スイッチを提供する。【解決手段】 シリコン基板に一体に形成された梁１１を介して支持されその梁１１により突出位置及び没入位置に移動可能に構成された可動マイクロミラー１ａ〜１ｄを有し、その可動マイクロミラー１ａ〜１ｄの移動により光信号の導波路選択のスイッチングを行うようにした光スイッチにおいて、可動マイクロミラー１ａ〜１ｄを感光性材料で形成する。
201 2003-195197 2001/12/27 三菱電線工業株式会社 光スイッチの製造方法 A4 DA04 PIX 8

(57)【要約】【課題】 可動マイクロミラーとそれを支持する梁とを同時形成する必要がなく、エッチング残りによって可動マイクロミラーが基板と直接繋がったり、オーバーエッチングにより梁が消失するといった事態が回避されうる光スイッチの製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板に一体に形成された梁を介して支持されその梁により突出位置及び没入位置に移動可能に構成された可動マイクロミラーを有する光スイッチの製造方法を、第１のシリコン基板の一方面側をエッチングすることにより浮き彫り状の梁前駆体を形成する。その梁前駆体を形成した第１のシリコン基板の他方面側をエッチングすることにより梁を形成する。梁前駆体の形成の後、第１のシリコン基板の一方面側に第２シリコン基板を積層接合し、その第２シリコン基板をエッチングすることにより可動マイクロミラーを形成する。
202 2003-200394 2001/12/26 ソニー株式会社 静電駆動型ＭＥＭＳ素子とその製造方法、光学ＭＥＭＳ素子、光変調素子、ＧＬＶデバイス、及びレーザディスプレイ A4 DAX PI02 FP

(57)【要約】【課題】 静電駆動型ＭＥＭＳ素子の駆動側電極表面の平坦化を図る。【解決手段】 基板側電極３３と、基板側電極３３に対向して配置され、該基板側電極３３との間に働く静電引力又は静電反発力により駆動する駆動側電極３８を有してなるビーム３５とを備え、基板側電極３３が、半導体基板３２内の不純物導入された導電性半導体領域で形成されて成る。
203 2003-200395 2001/12/26 ソニー株式会社 ＭＥＭＳ素子の製造方法 A4 DAX PI02 Fp

(57)【要約】【課題】 静電駆動型ＭＥＭＳ素子の駆動側電極表面の平坦化を図る。【解決手段】 基板上に基板側電極を形成し、犠牲層の形成前又は形成後に流動性膜を形成し、さらに平坦化された表面上に駆動側電極を有するビームを形成し、その後、犠牲層を除去する。
204 2003-202418 2002/02/18 日本電信電話株式会社 ミラー、それを用いた光スイッチならびにその製造方法 A4 DA04 PI03 FP

(57)【要約】【課題】光ビームやその位置が検出できる光検出手段をミラー自体に設け、部品点数を低減し、構成が簡易で、コストを低減できるミラーを提供する。【解決手段】ミラー基板２面上に、面積が均等な、光を検出する光検出層３が４個に分割して形成され、その上に、光を反射する反射率Ａ％（Ａ＜ｌ００）の光反射層４が設けられ、４個の光検出層３により取り出されるそれぞれの光信号に基いて、ミラー１に入射する光ビームの位置を検出する光ビーム位置検出手段を有する。
205 2003-202508 2002/01/09 エヌティティエレクトロニクス株式会社 株式会社ニコン 光スイッチおよびミラー素子 A4 DA01 5

(57)【要約】【課題】微小なミラーを導波路基板に挿入することにより光路の切り換えを行う光スイッチであって、ミラーの挿入深さを精度良く制御することのできる光スイッチを提供する。【解決手段】光導波路基板と、ミラー１０１と、ミラー１０１を搭載し、光導波路基板に挿入するための可動板１０２とを有する。可動板１０２には、ストッパ部材１０３が搭載されている。ストッパ部材１０３は、ミラー１０１を光導波路基板に挿入した際に光導波路基板の一部と接触し、ミラーの挿入深さを制限する。ストッパ部材１０３としては、例えば、片端１０３ｃが可動板１０２に固定され、片端１０３ｃから他端１０３ｄに向かって湾曲して立ち上がった板状部材を用いることができる。板状部材は、材料の異なる２以上の膜の積層体により構成することができる。
206 2003-202509 2002/10/04 日立マクセル株式会社 磁性材料及び磁歪アクチュエータ並びに磁歪アクチュエータを用いた光スイッチ A4 DA01 MCX FP

(57)【要約】【課題】 小型で簡易な構造の光スイッチに加え、磁歪感度の高い磁歪材料、磁歪アクチュエータ及びその磁歪アクチュエータを用いた光スイッチを提供する。【解決手段】 光スイッチ１００は素片１０と磁界印加部２００を備える。素片１０は、可撓性を有する基体１上に磁歪薄膜３及び反射膜４を備え、素片１０で入射部３１からの光を反射させる。磁歪薄膜３が磁化方向に伸びたり縮んだりすることにより、素片１０の撓み量が変化する。磁界印加部２００で素片１０に異なる方向の磁界を印加して素片１０の撓み量を変化させる。これにより素片１０で反射する光の方向が変化するため、光入射部３１からの光を、出射部３２の光ファイバ１４または１５に光路を切り替えることができる。また、サマリウム−鉄等の非晶質合金にエルビウムまたはツリウムを添加した磁歪薄膜を用いて、磁歪アクチュエータ及び光スイッチを作製する。
207 2003-202678 2002/08/09 東レ株式会社 マイクロ流体操作部材 A4 DC01 MEX 1

(57)【要約】【課題】簡便な製造工程で高アスペクト比の流路にも対応でき、大量生産を実現し、安価なマイクロ流体操作部材を提供する。【解決手段】基板上にマイクロ流路が形成された層を有することを特徴とするマイクロ流体操作部材であり、該部材を得るための製造方法に関し、無機微粒子と感光性成分を含む有機成分を必須成分とする感光性ペーストを基板上に塗布した後、フォトマスクを介して露光を行い、これらの塗布、露光を１回または数回繰り返して積層し、露光されていない部分を現像により溶出してパターンを形成した後、焼成により有機成分を除去して形成したマイクロ流路を有することを特徴とするマイクロ流体操作部材の製造方法。
208 2003-203549 2002/10/18 アジレント・テクノロジーズ・インク 微細電子機械システムスイッチ A4 DB01 FP

(57)【要約】【課題】 出力処理能力が改善されたMEMSスイッチを提供する。【解決手段】 本発明のスイッチは、絶縁性基板（110）と、基板（110）に接続されている撓み梁（120）と、梁（120）に接続されている第１の信号経路板（150）と、基板（110）に接続されている第２の信号経路板（170）と、記梁（120）に接続されている駆動板（160）と、記梁（120）に接続されている被駆動板（140）を備える微細加工電磁スイッチであって、基板（110）に接続されている外装（190）が、微細加工電磁スイッチ（100）を取り囲むチャンバ（195）を形成し、チャンバ（195）に絶縁性パーフルオロカーボンが充填されていることを特徴とする。
209 2003-207398 2002/01/10 株式会社神戸製鋼所 応力分布予測方法及び応力分布シミュレーション装置 A4 AAX 9

(57)【要約】【課題】 基板上に形成された構造体に印加される応力分布を予測する応力分布予測方法及びこの応力分布予測方法において使用する応力分布シミュレーション装置において、微小領域における応力分布予測が可能で、前記構造体が金属により構成されていても予測可能な応力分布予測方法及び応力分布シミュレーション装置を提供する。【解決手段】 ウエハ状のシリコン基板１を設け、シリコン基板１上に基台２を設け、基台２から立設するように支柱３を設け、支柱３上にカンチレバー４を設ける。支柱３の形状は四角柱とし、カンチレバー４の形状は直方体とする。カンチレバー４は支柱３により片持梁状に支持される。基台２、支柱３、カンチレバー４からなる測定素子５を、シリコン基板上にマトリクス状に設ける。
210 2003-207475 2002/10/07 エフ．ホフマン−ラ　ロシュ　アーゲー バイオセンサー A4 DEX FP

(57)【要約】【課題】 バイオセンサーの中を通過する小容量の液体の流れをコントロールするための物理的構造物を有する新規なバイオセンサーを提供する。【解決手段】 支持体、および、該支持体の少なくとも一部を横切って延在し、該支持体に面する第１の表面と第２の表面とを有するカバー、を含むバイオセンサーであって、該第１の表面の少なくとも一部が除去されて毛管チャネルが形成されており、該毛管チャネルの表面エネルギーが約60 mN/m〜約72 mN/mであることを特徴とする、上記バイオセンサー。
211 2003-207516 2002/01/15 松下電工株式会社 半導体加速度センサおよびその製造方法 A4 DD01 FP

(57)【要約】【課題】撓み部の反りを抑制することが可能な半導体加速度センサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】センサ本体１は、矩形枠状の支持部１１を備え、支持部１１の中央に形成された開口窓１１ａの中に重り部１２が配置され且つ重り部１２が２つの撓み部１３を介して支持部１１に連続一体に連結されている。各撓み部１３には、それぞれ２個ずつのゲージ抵抗１５が形成されている。センサ本体１の主表面にはシリコン酸化膜１８ａが形成され、シリコン酸化膜１８ａ上には、シリコン窒化膜１９ａが撓み部１３に重なる部位を除いて形成されている。シリコン酸化膜１８ａの膜厚は撓み部１３の反り量が所望の規定範囲内となる程度に小さく設定してある。シリコン窒化膜１９ａはセンサ本体１の主表面側の全面にシリコン窒化膜１９ａを形成した後で撓み部１３に重なる部位が除去されている。
212 2003-207737 2002/01/15 日産自動車株式会社 東京大学長 ２次元光スキャナ A4 DA02 2

(57)【要約】【課題】 共振周波数の設計自由度を高くしかも大きな変位角度を可能としながら、コンパクト、低コストの２次元光スキャナとする。【解決手段】 反射面を備えたミラー部３３が第１の両持ち梁３４ａ、３４ｂを介して内部フレーム３２に支持され、内部フレームは第２の両持ち梁３５ａ、３５ｂを介して外側フレーム３１に支持される。第１、第２の両持ち梁は互いに直交し、第２の両持ち梁の曲げと第１の両持ち梁の捩れの共振周波数を近いものとしてある。第２の両持ち梁には磁歪膜が形成され、外部コイル３９により捩れと曲げ振動を生じさせることにより、第１および第２の両持ち梁を軸としてミラー部が回動し、ミラー部の反射膜３６に入射する光を２次元に走査反射する。
213 2003-208841 1998/12/22 日本電気株式会社 マイクロマシンスイッチおよびこれを用いたフェーズドアレイアンテナ装置 A4 DB01 FP

(57)【要約】 （修正有）【課題】 大量生産可能で安価かつ高性能なマイクロマシンスイッチを実現する。【解決手段】 基板１上にギャップと近接して設けられた支持部材７によって基板１上に支持された可撓性の梁部材８と、この梁部材８の基板側における少なくともギャップと対向する位置に設けられた接触電極５と、基板上に梁部材８の一部と対向して設けられた下部電極４とを備え、梁部材８は、支持部材７との接続部分から下部電極９と対向する位置にかけて導電性を有することにより上部電極９として機能し、かつ、少なくとも支持部材との接続部分から下部電極４と対向する位置までの間の一部の領域で、基板面に平行な梁部材８の中心面に対して基板面に直交する厚み方向に沿った熱膨張係数が対称となるように配置された二種類以上の材料によって構成されており、かつ、接触電極が、梁部材８における基板側の面に設けられた場合の絶縁性部材６よりも厚い絶縁性部材を介して設けられている。
214 2003-209027 2002/10/18 アジレント・テクノロジーズ・インク 微細加工バラクター A4 DB05 FP

(57)【要約】【課題】 ブラウンノイズが排除された微細加工バラクターを提供する。【解決手段】 本発明のバラクターは、撓み梁（130）に取り付けられている一対の信号経路板（150、170）及び、撓み梁を撓ませる手段を含む微細加工バラクターであって、バラクター（100）が気密真空（210）内に収容されていることを特徴とする。
215 2003-209305 2002/11/12 ヒューレット・パッカード・カンパニー 電界調整式双安定分子システム A4 DF01 FP

(57)【要約】【課題】 化学的な酸化及び／又は還元を回避し、第１の状態から第２の状態に適度な速度で切り換えることができる分子システムを提供する。【解決手段】 本願発明の分子システムは、第１の分岐、第２の分岐及び第３の分岐の３つの分岐を有し、各分岐の一端が接合ユニットに接続されて「Ｙ」字形状を形成し、第１の分岐及び第２の分岐が前記接合ユニットの一方の側にあり、第３の分岐が前記接合ユニットのもう一方の側にある分子システムであって、第１の分岐（32）が、そのバックボーンに、第１の固定子ユニット（40）を含み、接合ユニット（38）が、第２の固定子ユニット（38）を有し、さらに第１の分岐（32）が、そのバックボーンにおいて、第１及び第２の固定子ユニットの間に回転可能な回転子ユニット（42）を含み、第２の分岐（34）が、そのバックボーンに、第１の分岐（32）の長さと実質上等しい長さの第２の分岐（34）を設けるための絶縁性支持基を含み、回転子ユニット（42）が、外部から印加される電界の関数として２つの状態間で回転することを特徴とする。
216 2003-211393 2002/01/16 株式会社リコー マイクロアクチュエータ、液滴吐出ヘッド、インクカートリッジ、インクジェット記録装置、マイクロポンプ、光学デバイス A4 DAX DC02 FP

(57)【要約】【課題】 低コストで高動作効率が得られない。【解決手段】 振動板１０には絶縁膜１１を形成し、絶縁膜１１の表面に電気的に互いに絶縁分離された導電性を有する構造体からなる複数の電極１４を設け、振動板固定端近傍の電極１４の膜厚を薄くした領域１４Ｃを設けた。
217 2003-211394 2002/01/17 株式会社リコー 静電型アクチュエータ、液滴吐出ヘッド及びインクジェット記録装置、マイクロポンプ、光学デバイス A4 DAX DC03 FP

(57)【要約】【課題】 低コストで高駆動効率が得られない。【解決手段】 可動部分となる振動板１０には絶縁膜１１を形成し、絶縁膜１１の表面に電気的に互いに絶縁分離された導電性を有する構造体からなる複数の電極を設け、複数の電極１４の静電力作用部１４Ｂは電極材料で埋め込まれた溝３７内の一部をエッチングすることで形成されている。
218 2003-211396 2002/01/21 株式会社リコー マイクロマシーン A1 PAX MI04 FP

(57)【要約】【課題】 量産性があって、欠陥が少なく、信頼性の高いマイクロマシーンおよびその作製法を得る。【解決手段】 ニッケルの硫黄化合物微粒子を触媒とし、高温下で炭化水素ガスを導入し、特定方向に電界をかけながら、化学的気相成長法によってカーボンナノチューブを作製する。触媒１１は基板１０上に種々の方法で微粒子化させることによって、欠陥が少なく直線性のよいカーボンナノチューブ４が得られる。さらに、保持材５によりカーボンナノチューブ４を被覆して梁６とし、両端もしくは一端をリブ３に固定し、中間に可動電極７を固着させ、基板１上の固定電極２と対向させる。そのため可動電極７と固定電極２間に電圧を印加し静電引力によって可動電極７を駆動した場合にも、梁６は可動電極７とリブ３から外れない。
219 2003-211397 2002/10/02 コリア　インスティテュート　オブ　サイエンス　アンド　テクノロジー マイクロシステム用マイクロ発電機 A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】 従来のマイクロシステム用マイクロ発電機に比較して、大きな電流と電圧を提供できるマイクロ発電機を提供する。【解決手段】 ハウジングと、前記ハウジングに形成された加熱手段と、前記ハウジングにて前記加熱手段に対向する位置に形成された冷却手段と、前記加熱手段と前記冷却手段との間に位置し、前記加熱手段に対向する第１面と、前記冷却手段に対向する第２面とを含む伝熱部と、前記伝熱部を外側から支持し、前記伝熱部を前記加熱手段に隣接させる状態の第１位置と前記伝熱部を前記冷却手段に隣接させる第２位置との間で変形し、前記伝熱部と共に前記ハウジングを、加熱手段側に密閉された第１空間と冷却手段側の第２空間とに分離する支持部材と、前記第１空間と第２空間とに各々充填された第１流体と第２流体と、前記支持部材の変形動作によって発電する発電手段と、を含むマイクロシステム用マイクロ発電機である。
220 2003-211399 2002/10/30 センソノール　エイエスエイ マイクロメカニカルデバイスおよびその製造方法 A4 DD02 PG01 FP

(57)【要約】【課題】 高精度で制御することが可能なＱ因子を有し、その結果、その計測の点で正確であり、ならびに振動、衝撃およびその他の外部要因に対する抵抗性がある精密なサポート回路をほとんど必要としないデバイスを提供する。【解決手段】 多層のマイクロメカニカルデバイスを製造する方法。上記デバイスは、マイクロメカニカル構成要素をその中に有する内部キャビティを備える。上記方法は、マイクロメカニカル構成要素を第１の材料の層から形成するステップと、第１の材料の少なくとも一方の表面上にシール層を設けて、キャビティを形成するステップと、キャビティ内にゲッタ材料を設けるステップと、陽極接合によって第１の材料をシール層とシールするステップと、キャビティ内部の圧力を調整するために不活性ガスをキャビティに供給するステップとを含む。上記方法によって作成された、これに対応するデバイスもまた開示されている。
221 2003-214349 2002/01/24 松下電器産業株式会社 マイクロポンプおよびその製作方法 A4 DC02 PJ04 2

(57)【要約】【課題】 マイクロポンプとその製作方法において、容易に入手可能で安価な有機材料を母材とすることで、コストの低減、環境に影響を与える廃棄物処理工程の削減、及び多品種少量生産の実現を目的とする。【解決手段】 マイクロポンプ１１の主要部を第１〜第６の有機材料１２〜１７と圧電材料１８とで構成する。これにより、各層を形成する有機材料に対してそれぞれレーザーを用いた微細形状加工が可能となり、これら加工された有機材料を積層、接合して構造体を構成し、駆動源とする圧電素子を接合することでマイクロポンプを実現でき、金型を製作することなく構造体を製作できるため、材料コストおよび加工コストが低減されるとともに、加工後の廃棄物処理工程を最小限に抑えることができ、多品種少量生産にも対応が可能となる。
222 2003-214918 2002/01/25 株式会社タカハシ 電子式高集積化モジュール及び電子式流体制御装置 A3 DCX PI01 FP

(57)【要約】【課題】マイクロチップを流体流路に、簡単かつ高精度に組み付けることができ、マイクロチップを使用することにより拡張機能を備え、かつ幅広い産業分野のアプリケーションを小型化させることが可能である。【解決手段】電子式高集積化モジュール２は、複数の基板２０，２１に溝と孔を形成し、この複数の基板２０，２１を接合して積層構造とし、溝と孔とにより入口と出口とを有するモジュール流体流路Ａを形成し、モジュール流体流路Ａにマイクロチップを備える。また、電子式流体制御装置１は、電子式高集積化モジュール２を、入口流路と出口流路とを有するベース３に組み付け、電子式高集積化モジュール２の入口を入口流路と連通し、出口を出口流路と連通し、ベース３に、電子式高集積化モジュール２のマイクロチップを制御する制御部Ｃを実装する電子回路基板４を備える。
223 2003-215155 2002/01/28 松下電工株式会社 半導体加速度センサ及びその製造方法 A4 DD01 FP

(57)【要約】【課題】 上部ストッパと錘部との空隙の間隔の制御を容易に行なえ、製造コストを低減することのできる半導体加速度センサを提供する。【解決手段】 錘部１３と、錘部１３に加速度が印加されることで撓むよう一端を錘部１３に接続した撓み部１２と、撓み部１２の撓みに基づいて加速度を電気信号に変換するよう撓み部１２に形成された拡散ゲージ抵抗１４と、端子と接続する複数の電極パッド２２を一面側に設けて錘部１３の外周縁を空間を設けて外囲して撓み部１２の他端を支持する支持部１１と、錘部１３が当接し得る上部当接面及び支持部の一面側に形成された一面側接合部２３と固着される上部固着面をそれぞれ設けた上部ストッパ３１とを備え、上部ストッパ３１は、上部固着面３１ｂが電極パッド２２と同一材料からなる一面側接合部２３と固着されるとともに、上部固着面３１ｂ及び上部当接面３１ａが同一平面に形成されてなる。
224 2003-215475 2002/01/22 ソニー株式会社 光スイッチング素子およびその製造方法 A4 DA01 PI02 2

(57)【要約】【課題】 優れた光スイッチング性能を確保可能な光スイッチング素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 変位板３と支持体５とが別体をなす設計にしたので、支持体５とは別個に変位板３を形成することが可能になる。具体的には、犠牲膜１３と共に平坦面Ｍを構成するように支持体５（支持部５Ｒ，５Ｌ）を形成したのち、平坦面Ｍ上に変位板３を形成する。平坦面Ｍにより変位板３が安定的に支持されるため、形成時における力学的負荷に起因して歪むことなく平坦状をなすように変位板３を形成可能となる。しかも、変位板３は十分な張力を有するため、この変位板３の平坦状態は、犠牲膜を除去してエアギャップを形成した際にも維持される。変位板３の歪みに起因する弊害が抑制されることにより反射率の再現性が確保されるため、光スイッチング性能に優れた光スイッチング素子を形成可能となる。
225 2003-215479 2002/10/21 アジレント・テクノロジーズ・インク 圧電駆動型液体起動式光クロスバースイッチ A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】伝送状態と反射状態との間の信頼に足る反復遷移を可能にする光スイッチ、及びその作動方法を提供する。【解決手段】ギャップ内での流体の動きを選択的に操作するよう、物理的に動けるようにしたアクチュエータ（５０）と、ギャップと交差する第１の光学的導波路（６２、６４）及び第２の光学的導波路（６８、７０）を備える。流体は、アクチュエータ（５０）の物理的な動きに応答して選択的に移動される。ギャップ内に流体が位置するか否かによって、第１の導波路から第２の導波路への光学的接続が決定される。アクチュエータの一例は、圧電アクチュエータとされる。
226 2003-215491 2002/01/24 住友金属鉱山株式会社 日本信号株式会社 ガルバノミラー及びその製造方法 A4 DA04 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 簡単な構造で容易に製作することができるとともに、光の反射性及び駆動性について高い性能を有する小型のガルバノミラーを提供する。【解決手段】 トーションバー４のねじり変形によってミラー可動部２が揺動可能となるように支持されている。ミラー可動部の上面にはミラー面７が形成され、下面には硬磁性体層９が形成されている。一方、上記ミラー可動部と対向する支持基板１上には、ミラー可動部と対向する位置に複数の平面コイル１０が形成されており、これらに通電することによってミラー可動部を駆動することができる。ミラー面は、ミラー可動部の上面のほぼ全域に大きく設けられるとともに、硬磁性体層がコイルと近接しており、効率のよい駆動が可能となる。また、ミラー可動部は、シリコーンオイル等の粘性液体の上に支持し、トーションバー等を設けることなく、任意の方向に揺動可能な構造とすることもできる。
227 2003-217421 2002/01/24 松下電器産業株式会社 マイクロマシンスイッチ A4 DB01 FP

(57)【要約】【課題】 高周波信号の切り替えを行うマイクロマシンスイッチにおいて、スイッチ機構の構成が簡単で且つ高周波信号を効率良く遮断することで、低消費電力且つ高信頼性を実現することを目的とする。【解決手段】 基板上に形成された信号線路導体１２と、高周波信号の通過を遮断する駆動短絡機構１５と、制御信号を与えることにより駆動短絡機構１５を変位させる駆動手段である圧電体１６とを備え、圧電体１６に制御信号として電圧を印加することで、信号線路導体１２と接地導体１３とが駆動短絡機構底面の導電層１７を介して短絡し、高周波信号を効率良く遮断することができる。
228 2003-217422 2002/10/30 アジレント・テクノロジーズ・インク 長手方向圧電ラッチングリレー A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】ラッチ能力のある圧電駆動式リレーを提供すること。【解決手段】本発明は液体金属(170)によりスイッチ及びラッチする圧電駆動式リレー(100)を開示する。本リレー(100)は、伸長モードの圧電要素(150)の長手方向の変位によって液体金属滴(170)を変位させ、圧電要素または基板上の少なくとも１つの接触パッド(160)と少なくとも１つの他の固定パッドとの間を液体金属滴で濡らすことにより、そのスイッチ接点を閉じる。圧電要素(150)の運動は高速であるため、液体金属滴(170)に与えられる運動量は、液体金属滴(170)の塊を接触パッドまたは駆動用圧電要素(150)付近にあるパッド(160)に接触させた状態に保つ表面張力に打ち勝つ。本スイッチ(100)は表面張力および接触パッド(160)を濡らす液体金属(170)によってラッチする。
229 2003-217423 2002/10/18 アジレント・テクノロジーズ・インク 高出力微細加工スイッチ A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】 高出力環境下で駆動可能なMEMSスイッチを提供する。【解決手段】 本発明のMEMSスイッチは、基板（120）に取りつけられている撓み梁（130）と、基板（120）に取りつけられている駆動板（160）と、撓み梁（130）に取りつけられている被駆動板（140）と、基板（120）に取りつけられている第１の信号経路板（150）と、撓み梁（130）に取りつけられている第２の信号経路板（170）と、第１の信号経路板（150）及び第２の信号経路板（170）のうち一方に取りつけられている絶縁体（180）を備えるMEMSスイッチであって、第１の信号経路板（150）及び第２の信号経路板（170）が信号経路に接続され、それによって第１の信号経路板（150）と第２の信号経路板（170）が互いに近接すると、信号経路が閉じ、固体スイッチ（300）がMEMSスイッチ（100）と並列であり、信号経路に接続していることを特徴とする。
230 2003-219663 2002/01/23 株式会社村田製作所 静電型アクチュエータ A4 DAX FP

(57)【要約】【課題】 複数の駆動電極によって可動体を順次変位させることにより、可動体の剛性と変位量とを大きく設定し、アクチュエータの性能を向上させる。【解決手段】 可動体固定部３には、可動側連結梁５を介して可動体４をＸ軸方向に変位可能に連結する。また、駆動電極固定部９には、駆動側連結梁１２，１３を介して駆動電極支持部１０，１１を近接，離間可能に接続する。また、可動電極６，７，８と駆動電極１４，１５，１６との間の隙間寸法ａ，ｂ，ｃを順次大きく設定する。そして、アクチュエータ１の作動時には、電極６，１４間、電極７，１５間、電極８，１６間に順次発生する静電力により可動体４を複数段階で変位させる。これにより、可動体４に高い剛性（共振周波数）を与えて動作を安定化できると共に、その変位量を大きく設定することができる。
231 2003-220599 2002/01/25 株式会社タカハシ 電子式高集積化モジュールの組付方法及び電子式流体制御装置 A3 PI01 FP

(57)【要約】【課題】マイクロチップを使用することにより拡張機能を備え、かつ幅広い産業分野のアプリケーションを小型化させることが可能で、しかも制御が可能な電子式高集積化モジュールの部品の共通化を図り、製作コストを低減することが可能である。【解決手段】マイクロチップをモジュール流体流路Ａに実装した電子式高集積化モジュール２を複数個準備し、この複数の電子式高集積化モジュール２は同じ形状で、かつモジュール流体流路Ａの入口と出口とが同じ位置に形成されており、複数の電子式高集積化モジュール２が組み付けられるベース１１０に、電子式高集積化モジュール２に応じてモジュール流体流路Ａの入口と出口に連通するベース流体流路Ｂを設け、ベース１１０に、電子式高集積化モジュール２を組み付けてベース流体流路Ｂとモジュール流体流路Ａとを連通する。
232 2003-222805 2002/01/29 日立マクセル株式会社 光スイッチ A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 小型で簡易な構造を有し、容易に製造できる光スイッチを提供する。【解決手段】 本発明においては、光の伝送経路を切り替えるための光スイッチにおいて、光入射部と、光出射部と、基板と、上記基板上にそれぞれ形成された磁歪材料、光反射部および磁束供給部とを含む光スイッチが提供される。また、上記磁束供給部の磁束供給による上記基板の撓みの違いを利用して上記光入射部からの光を上記光出射部に切り替えることを特徴とする光スイッチが提供される。
233 2003-222810 2002/10/30 アジレント・テクノロジーズ・インク 長手方向圧電光学ラッチングリレー A4 DAX FP

(57)【要約】【課題】発熱量が少なく、構造の簡単な光リレーを提供すること。【解決手段】本発明は、ラッチする圧電駆動式リレー(100)である。本リレー(100)は圧電モードの圧電要素(190)の長手方向の変位によって動作する。圧電要素(190)が液体金属滴(194)を変位させ、少なくとも１つの接触パッド(192)の集合と少なくとも１つの他の接触パッド(192)の集合との間を液体金属で濡らす。液体金属(194)の配置により光路(130)が妨害される。液体金属滴(194)の位置を変化させる同じ運動により、圧電要素(190)または圧電要素付近の基板上の固定パッド(192)と接触パッド(192)との間の妨害が除去される。圧電要素(190)の運動が高速であるため、液体金属滴に与えられる運動量は、液体金属滴の塊を駆動用圧電要素(190)付近にある接触パッドに接触させた状態に維持する表面張力に打ち勝つ。スイッチは、表面張力及び接触パッド(192)を濡らす液体金属(194)によってラッチする。
234 2003-222817 2002/01/30 株式会社リコー 光走査装置、光走査モジュール及び画像形成装置 A4 DA02 FP

(57)【要約】【課題】 マイクロマシニング技術を用いて作製される光走査装置の作製プロセスにおける問題点を解決し、加工精度が良く、かつ歩留まりの高い光走査装置を提供する。【解決手段】 枠状フレームと、該枠状フレームの上面に設けられた絶縁体と、該絶縁体の上面であって対向する辺にそれぞれ設けられた固定電極と、前記絶縁体上であって前記固定電極が設けられた辺と直交する辺にそれぞれ設けられたねじり梁支持部と、各ねじり梁支持部より伸び、同一直線上に設けられたねじり梁と、該ねじり梁に接合し、前記固定電極と対向する位置に可動電極を有し、かつ上面に反射面を有するミラー基板とからなり、前記固定電極と可動電極との間に生じる静電引力によって前記ねじり梁をねじり回転軸として前記ミラー基板を往復振動させる光走査装置において、前記枠状フレームの枠の内側から外側に通じる少なくとも一つの連通口を備えた。
235 2003-224099 2002/01/30 ソニー株式会社 表面処理方法 A4 PD05 FP

(57)【要約】【課題】 超臨界流体を用いた処理のみによって確実に残渣物の除去を行うことが可能な表面処理方法を提供する。【解決手段】 構造体が形成された表面を超臨界流体４によって処理する表面処理方法であって、アンモニウム水酸化物，アルカノールアミン，フッ化アミン，フッ化水素酸等を溶解助剤５として超臨界流体４に添加することを特徴としている。また、超臨界流体４には、溶解助剤５と共に界面活性物質６を添加しても良い。界面活性物質６には、極性溶剤を用いても良い。
236 2003-225895 2002/01/31 中山　喜萬 大研化学工業株式会社 ダイオード型ナノピンセット及びこれを用いたナノマニピュレータ装置 A1 DF03 FP

(57)【要約】【課題】 ナノ物質を把持する握力を検出制御できるナノピンセットを開発し、同時にこのナノピンセットを使用したナノマニピュレータ装置を開発する。【解決手段】 本発明に係るダイオード型ナノピンセット１は、少なくとも第１アームと第２アームを静電気的に開閉自在にしてナノ物質を把持する構造を有し、第１アームは基端部８ｂをホルダー６に固定して先端部８ａを突出させたゲート用ナノチューブ８で形成され、第２アームは２本のナノチューブ基端部９ｂ・１０ｂをホルダー６に固定し先端部にダイオード特性部ＤＰを形成したナノチューブダイオードＮＤで構成される。基端部間に印加されたダイオード電圧ＶDと流れるダイオード電流ＩDは、バリスタ性や整流性などの非線形ダイオード特性を示し、ゲート用ナノチューブ８とナノチューブダイオードＮＤ間にゲート電圧ＶGを印加したとき、ゲート電圧ＶG又はダイオード電流ＩDの変化でアーム間隔Ｓを制御して、アーム間に把持するナノ物質に対する握力を検出できる。
237 2003-225896 2002/11/22 三星電子株式会社 粘着防止膜を有する超小型機械構造体及びその製造方法 A4 PA02 FP

(57)【要約】【課題】 粘着防止膜を有する超小型機械構造体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板１００と、前記基板１００上に形成され、前記基板１００と対向する面に対して接触する少なくとも一つ以上の可動構造物１０８と、前記可動構造物１０８との電気的接続を行う電極１０４とを有する超小型機械構造体において、基板１００の全面にプラズマ化学気相蒸着法により形成されるパッシベーション層１１０は、可動構造物１０８の上面及びウェーハボンディング１１２が行われる電極１０４の一部の上面を除いた領域にのみ粘着防止膜１１０が形成されている超小型機械構造体。
238 2003-225898 2002/02/06 富士電機株式会社 多層基板型マイクロ構造物の製造方法及びマイクロポンプ A4 DC02 2

(57)【要約】【課題】基板の元厚より肉薄の可動部を形成でき加工時間が短い多層基板型マイクロ構造物の製造方法と単純な構造の安価なマイクロポンプを提供する。【解決手段】陽極接合技術が最も有効に活用できるシリコン基板及びガラス基板の両方に表面保護層を用いて露出部分を切削する選択的サンドブラスト加工を適用して溝や凹みを形成し、逆止弁やダイアフラム等の可動部や溝、貫通孔等を形成する。サンドブラスト加工で形成したダイアフラムに圧電素子を貼り付けたユニモルフ構造のアクチュエータは3000万回の駆動でも異常を発生しない。この加工方法はシリコン基板及びガラス基板の両方に適用可能であるから、多層基板型マイクロ構造物の設計の自由度が大きくなる。
239 2003-227572 2002/09/25 ランドックス・ラボラトリーズ・リミテッド 受動マイクロバルブ A4 DC02 FP

(57)【要約】【課題】 本発明は、全体の製造プロセスが簡略化され、システム全体が小型化される受動マイクロバルブを提供する。【解決手段】 本発明の受動マイクロバルブは、第１孔部（２）を有する基板（１）を備える。上側プレート（７ａ）は、基板上に実装され、基板と上側プレートの間に形成された空間と連通する第２孔部（７ｂ）を有する。閉塞部材（４）が空間内に実装され、第１位置と第２位置の移動することができる。第１位置にある閉塞部材により、流体が第１孔部と第２孔部の間を流れることを可能とし、第２位置にある閉塞部材により、第２孔部が閉塞される。
240 2003-227574 2000/10/26 松下電工株式会社 半導体マイクロバルブ A4 DC02 FP

(57)【要約】【課題】ボス部のシ−ル部に対する傾きに起因するシ−ル特性の低下を解消し、充分なシ−ル特性を確保できるバイメタル式半導体マイクロバルブを提供する。【解決手段】シール部４とボス部６とが正対する凹凸曲面部を形成して相互に近接する構造となっているため、バイメタル部５の変位特性の個体差等により、左右対称の位置に存在するバイメタル部５a及び５bの変位に差異が生じ、ボス部６がシ−ル部４に対して傾きを生じても、ギャップ７が角のない凹凸曲面部を介して相互に近接するシ−ル部４及びボス部６によって形成されるので、シ−ル部４に対してボス部６の角が傾斜したまま接触する等の不具合は発生せず、充分なシ−ル特性を確保することができる。
241 2003-229407 2002/02/05 株式会社デンソー 半導体基板およびそのエッチング方法 A4 PC01 FP

(57)【要約】【課題】 半導体基板をエッチング液中に浸すことによりエッチング処理を行なうにあたって、エッチング液としてＫＯＨ水溶液を用いてエッチング面の平滑性を向上させる。【解決手段】 半導体基板としてシリコンウェハ５０を用い、このシリコンウェハ５０の主表面５１にシリコン酸化膜７０を形成した後、エッチング液として水酸化カリウム水溶液を用いて、酸化膜７０をエッチング除去し、続いてシリコンウェハ５０をその主表面５１側からエッチング処理する。
242 2003-230829 2002/02/07 株式会社日立製作所 平面マイクロファクトリー A4 DC01 FP

(57)【要約】【課題】流路作製のため基板に溝を切ったり、あるいは小さな土手となる部品を基板に取りつけるといった高度な加工技術を要せず作製できるマイクロファクトリーを提供すること。【解決手段】平面上に少なくとも複数の試薬槽，反応槽，目的物を回収するための部位、及び該試薬槽と該反応槽、あるいは該反応槽と目的物を回収するための部位を結ぶ流路を有するマイクロファクトリーにおいて、該試薬槽，該反応槽，該流路等の試薬及び反応物の存在する部分の水との接触角が３０°以下であり、且つそれ以外の部分の水との接触角が８０°以上であるマイクロファクトリー。【効果】流路作製のため基板に溝を切ったり、あるいは小さな土手となる部品を基板に取りつけるといった高度な加工技術を要しなくても基材表面の撥水性と親水性のパターンニングによって作製できるマイクロファクトリーを提供することが可能になった。
243 2003-231074 2002/02/12 大研化学工業株式会社 中山　喜萬 ナノピンセットの操作方法 A1 MI05 FP

(57)【要約】【課題】 ナノピンセットに固定された２本以上のナノチューブを如何に操作するかを明らかにして、原材料位置から目的位置までナノ物質を搬送制御し、目的位置でナノ物質を放出して、ナノ構造物を構築する具体的手順を提供する。【解決手段】 本発明に係るナノピンセットの操作方法は、走査型プローブ顕微鏡の走査によって試料表面６ａを撮像して原料となるナノ物質８の位置を確認し、そのナノ物質８の上方位置にナノピンセット１２を移動し、開状態で降下させたナノピンセット１２を閉鎖してナノ物質８を把持し、ナノ物質８を把持した状態でナノピンセット１２を上昇させて目的位置まで移動し、ナノ物質８を把持したままナノピンセット１２を降下させ、ナノピンセット１２を開状態にしてナノ物質８を試料表面６ａの目的位置に放出することを特徴としている。
244 2003-231096 2003/02/07 三星電子株式会社 ＭＥＭＳ構造物用捻れバネ A4 DAX FP

(57)【要約】【課題】 捻れ剛性に対する曲げ剛性の比率が大きく、その作製工程が簡単なＭＥＭＳ構造物用捻れバネを提供する。【解決手段】 ＭＥＭＳ構造物用捻れバネ３０は、両端が所定部位に固定される一対のビーム３１、及びビーム３１を連結しビームの長手方向について垂直方向に配置された連結台３３を具備する。連結台間の距離LHはそれぞれの前記ビームの幅ｗより大きいか等しい。本発明の捻れバネ３０は、捻れ剛性に比べて曲げ剛性の比率が大きくなり、これにより捻れ変形が容易になる。また、単一のエッチング工程によって容易に作製できる。
245 2003-236797 2002/02/14 株式会社リコー 液滴吐出ヘッド、インクカートリッジ、インクジェット記録装置、マイクロアクチュエータ、マイクロポンプ、光学デバイス A4 DC03 FP

(57)【要約】【課題】 低コストで高い動作効率効率が得られない。【解決手段】 振動板１０には絶縁膜１１を形成し、絶縁膜１１の表面に電気的に互いに絶縁分離された導電性を有する構造体からなる複数の電極１４を設け、電極１４、１４間に電位差を生じる第１の電位と第２の電位を与えて静電力を発生させることによって振動板１０を変形させる。
246 2003-236798 2002/02/18 関西ティー・エル・オー株式会社 紫外線又は紫外線より波長の短い光を用いた材料の表面加工方法及び表面加工装置、並びにそれらを用いた高分子化合物からなる製品の製造方法及び製造装置 A4 PI05 2

(57)【要約】【課題】 ＬＩＧＡプロセスにおけるリソグラフィ工程を含むＸ線リソグラフィやフォトリソグラフィ等により微小構造体を加工した際において、マスクエッジ形状の欠陥や、レジスト内に生じる反応等によって発生する微小構造体の表面の微小な荒れを改善し、当該微小構造体の表面を光学レベルで平滑にすることができる表面加工方法及び表面加工装置等を提供する。【解決手段】 加工対象となる材料の表面に紫外線又は紫外線より波長の短い光を照射する光照射工程１の後、前記材料を加熱してその表面を溶融させる加熱処理工程２、もしくは前記材料に溶剤を作用させてその表面を溶融させる溶剤処理工程３、又はこれら加熱処理工程２及び溶剤処理工程３の双方を行なう。
247 2003-236799 2002/02/20 佐々木　実 羽根　一博 スプレーコーティングによるレジスト膜の成膜方法とこれを実施したレジスト膜の成膜装置 A4 PA11 FP

(57)【要約】【課題】 スプレーコーティングによって立体構造を持つサンプル上に形成されるレジスト膜には、凸部での切れは生じていないが多数の穴が空いており、そのままフォトリソグラフィの後工程に利用できない膜質となる問題が多々生じる。サンプルが大面積化したり、凹凸が深く急峻で狭い構造を含むようになると、切れも穴も生じない状態でレジストを塗ることは困難になる。【解決手段】 本発明は、立体構造を持つサンプル上にスプレーコーティングにより成膜した後、一定時間置いてサンプル上のレジスト剤の拡散移動を促す処置を実行することによって、サンプルのレジスト膜に含まれる微小な穴や膜厚の局所的な不均一を修正してリソグラフィ加工への使用を可能にしたものである。
248 2003-240930 2002/02/13 株式会社国際電気通信基礎技術研究所 反射装置およびその製造方法 A4 DA04 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 ３つの反射層を所定の角度に正確に組み合わせることができ、かつ小型化が可能であるとともに容易に製造することができる反射装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 第１、第２および第３の領域６０１，６０２，６０３の反射層６が分離溝１１で周辺の領域の反射層６から分離される。第１の領域６０１が谷折溝１０で基板１に対して谷状に折曲され、第１の領域６０１と第２の領域６０２とが谷折溝１０で互いに谷状に折曲され、第３の領域６０３が谷折溝１０で基板１に対して谷状に折曲され、かつ、第２の領域６０２と第３の領域６０３とが山折線２０で互いに山状に折曲される。
249 2003-241115 2002/02/14 三菱電線工業株式会社 光スイッチおよびその製造方法 A4 DA01 PI03 8

(57)【要約】【課題】 磁束漏れの発生が抑制・防止され、且つ、高密度で可動マイクロミラーが形成され得る光スイッチおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 突出位置および没入位置に電磁力により移動可能に構成された可動マイクロミラー１ａ〜１ｄを有し、可動マイクロミラー１ａ〜１ｄの移動により光信号の導波路選択のスイッチングを行う電磁駆動方式の光スイッチである。可動マイクロミラー１ａ〜１ｄは、シリコン基板３０を加工することにより形成されたミラー面２と、磁性体から形成されたコア部１２とを有している。
250 2003-241116 2002/02/14 三菱電線工業株式会社 光スイッチおよびその製造方法 A4 DA01 PA08 PI03 6

(57)【要約】【課題】 磁束漏れの発生が抑制・防止され、且つ、高密度で可動マイクロミラーが形成され得る光スイッチおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 突出位置および没入位置に電磁力により移動可能に構成された可動マイクロミラー１ａ〜１ｄを有し、可動マイクロミラー１ａ〜１ｄの移動により光信号の導波路選択のスイッチングを行う電磁駆動方式の光スイッチであって、可動マイクロミラー１ａ〜１ｄは磁性体から形成されている。
251 2003-241117 2002/02/18 株式会社村田製作所 光スイッチ装置 A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 可動電極と固定電極とに印加する電圧を低い電圧値に設定でき、全体を小型化し、光の切換動作を安定させ信頼性を向上できるようにする。【解決手段】 基板１１上に第１の可動体１２、第２の可動体１６，１６および第３の可動体２１を設ける。可動体１２は支持梁１４により支えられた可動部１３を有し、その端部には光の切換を行うミラー部１５Ａを設ける。可動体１２を駆動する可動体１６，１６は、可動部１３に対して斜め側方に配置し、支持梁１８により支えられた可動部１７を有すると共に可動電極１９を形成する。また、可動電極１９に対向して固定電極２０を設ける。可動体１２の位置保持を行う可動体２１は、支持梁２３により支えられた可動部２２を有すると共に可動電極２４を形成する。また、可動電極２４に対向して固定電極２５を設ける。
252 2003-241118 2002/02/19 住友電気工業株式会社 学校法人立命館 光スイッチの製造方法 A4 DA01 PA08 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 ミラー及び可動部を精度良く形成する方法を提供する。【解決手段】 先ず、ＳＯＩ基板３０のＳｉ層３０ｃ上に金属膜３１を形成する。次に、フォトリソグラフィとエッチングとにより、金属膜３１から所定のパターンを有する金属パターン３２を形成する。金属パターン３２が設けられたＳｉ層３０ｃ上にレジスト膜３３を塗布形成し、開口部３３ａを設ける。続いて、開口部３３ａをメッキ法によりＮｉで埋めた後、レジスト膜３３を除去してミラー９を形成する。その後、ミラー９及び金属パターン３２をマスクとして用いてＳｉ層３０ｃとＳｉＯ2層３０ｂとをエッチングする。これにより、櫛歯８ａと可動部材７とが形成され、ミラーデバイス６ａが得られる。
253 2003-241120 2002/02/22 日本航空電子工業株式会社 光デバイス A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 少ない工数で精度良く作製することを可能とする。【解決手段】 可動板３１を変位させることにより、その可動板３１に搭載されたミラー３８の変位によって光路の切り替えを行う構造とされた光スイッチ（光デバイス）において、可動板３１をその板面と平行に、その互いに対向する側面から突出延長された対をなす支持ビーム３２によって基体３３に両持ち支持し、その板面及び上記側面と平行に変位させる構造とし、可動板３１、支持ビーム３２、基体３３及び可動板を駆動変位させる駆動手段３４，３５が一枚の基板から形成されるものとする。
254 2003-241121 2002/02/22 セイコーインスツルメンツ株式会社 光スイッチ A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 多チャンネル化及び小型化することができる光スイッチを提供する。【解決手段】 平行ビーム１５を出射又は入射させて光路を形成する一対の入出射光学系を複数有して光路を相互に切替える光スイッチ１０において、複数の入出射光学系１６〜１９、２０〜２３を光切替え領域１４の周囲に配置し、その光切替え領域１４の各光路ａ〜ｄの交差部２６〜２９に光路を含む面に直交する方向に移動自在である反射板３０Ａ〜Ｄ、３１Ａ〜Ｄを設け、これら反射板３０Ａ〜Ｄ、３１Ａ〜Ｄが光路の交差部２６〜２９外に移動した場合と交差部２６〜２９内に移動した場合とで光路を切替えるようにした。
255 2003-241134 2002/02/15 株式会社リコー 光走査装置、その製造方法、その光走査装置を具備する画像形成装置、及び読取装置 A4 DA02 FP

(57)【要約】【課題】 構造が簡単で、光走査を行なう振れ角が大きく、駆動電圧が低く、低コストである光走査装置及びその光走査装置の製造方法並びにその光走査装置を具備する画像形成装置及び読取装置を提供する。【解決手段】 反射手段１を保持する反射手段保持基板２を回動可能に両端部を支持する梁部材３ａからなるねじり回動軸３と、ねじり回動軸３に支持された反射手段保持基板２の側面に形成された可動電極４と、可動電極をねじり回動軸を介して固定電極５の第１固定電極５ａと対向して支持する第１の基板６と、第１の基板の可動電極４と第１固定電極５ａを電気的に絶縁して分離する第１電気的絶縁分離手段６ａと、第１の基板６に電気的に絶縁して重ねて接合した第２の基板７と、第２の基板７に可動電極４と対向して形成された第２固定電極５ｂからなる。
256 2003-242873 2002/02/19 富士通コンポーネント株式会社 マイクロリレー A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】 本発明は静電引力によって駆動されるマイクロリレーに関し、アイソレーション特性の向上を図ると共に、可動接点がグランド接点へ粘着することを防止することを課題とする。【解決手段】 固定基板５１上に、固定接点５２，５３、可動接点６０、グランド接点７０、固定電極５６、可動板５７等が作り込まれている。グランド接点７０は可動接点６７の上方に位置している。駆動時には、可動接点６０が固定接点５２，５３から離れたときにグランド接点７０と接触する。非駆動時には、可動板５７が撓んでいないで水平の状態にあり、可動接点６０がグランド接点７０に対して離れている。
257 2003-243377 2002/02/12 戸田　和男 シリコンのエッチング方法 A4 PB01 -

(57)【要約】【課題】シリコンの異方性エッチングにおいて高速にエッチングしようとするとエッチング側壁の段差（荒れ）が生じる。またこの荒れを押さえる方法ではマイナス１００℃に冷却する必要があるなど煩雑である。エッチングの荒れや煩雑さを伴わずにシリコンを高速に異方性エッチングする方法を提供する。【解決手段】添加ガスとして二酸化イオウを使用することによりエッチング側壁の段差（荒れ）を生じることなくまたマイナス１００℃の極低温を用いることもなくシリコンを高速に異方性エッチングする。
258 2003-243550 2002/12/03 三星電子株式会社 低温の酸化防止ハーメチックシーリング方法 A4 PH03 FP

(57)【要約】【課題】 可動の超小型機械構造物素子において酸化を防止して低温でシーリングできるハーメチックシーリング方法を提供する。【解決手段】 準備された蓋２に接合層５、ウェッティング層６及びソルダ層７を蒸着する段階と、前記ソルダ層７上に酸化防止のための第１保護層８を蒸着して蓋２を形成する段階と、素子４が配置され、前記素子４の周辺にメタル層９及び第２保護層１０が形成されたパッケージベース１を準備する段階と、前記蓋２とパッケージベース１とを組立てて加熱してシーリングする段階とを含むことを特徴とする。これにより、蓋２に形成されたソルダ層７に第１保護層８を積層してフラックスなしに酸化防止でき、低温でシーリングできるので、特にＭＥＭＳ素子のように熱や水分、その他の副産物に弱い素子に適している。
259 2003-244971 2002/02/18 ミノルタ株式会社 静電駆動装置及びこの静電駆動装置を有する光スイッチ A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 本発明は、基板表面に対して垂直な状態で設置された移動子を駆動させることのできる静電駆動装置を提供することを目的とする。【解決手段】 高抵抗のＳｉ基板をエッチングして、穴を設け、該穴にＮｉが満たされるようにＮｉメッキを施した後、基板表面上のＮｉ層を除去する。このようにして、高抵抗のＳｉ層によって絶縁されたＮｉ層が形成され、移動子５３を駆動させるために駆動電圧が供給される電極５４が生成される。
260 2003-245541 2002/02/22 ジェイエスアール株式会社 反応・分離精製・分析検出用セル集積化マイクロチツプ A4 DEX 1

(57)【要約】【課題】 反応・分離精製・分析検出用に有用なマイクロチツプおよびそれを利用したシステムに関するものである。【解決手段】 マイクロチップを構成するセルの少なくとも１部が金属およびカーボンのいずれかからなることを特徴とする反応・分離精製・分析検出用セル集積化マイクロチツプならびにマイクロチップを構成する基材の少なくとも１部が金属アルコキシドを原料とするセラミツクスからなることを特徴とする反応・分離精製・分析検出用セル集積化マイクロチツプ。
261 2003-245897 2002/02/25 株式会社リコー 静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド及びインクジェット記録装置 A4 DC03 FP

(57)【要約】【課題】 低コストで高吐出効率が得られない。【解決手段】 振動板１０は弾性率が２Ｅ1１dyn/cm2を越えない材料で形成し、振動板１０には電気的に互いに絶縁分離された導電性を有する構造体からなる複数の電極１４を設けた。
262 2003-245898 2002/12/24 三星電子株式会社 ステップアップ構造を有する片持ちばり及びその製造方法 A4 DAX PI02 FP

(57)【要約】 （修正有）【課題】製造過程で発生する初期曲げ変形を最小化する。【解決手段】基板１０と、前記基板１０に接着固定された支持部４２ａと、前記支持部４２ａと連結された状態で前記基板１０と所定のギャップを維持する運動板４２ｄから構成されるが、支持部４２ａは正方形の支持部の４２ｂと、正方形の支持部の４２ｂの縁部に垂直に運動板４２ｄの長手方向に形成された第１支持部４２ｃとがあるので、その製造過程中の高温高圧による変形、すなわち、片持ちばりの運動板の初期曲げ変形を従来に比べて大きく減らすことができる。
263 2003-245899 2002/02/22 タマティーエルオー株式会社 生体機能分子の光駆動方法およびマイクロ−ナノマシン A1 MIX FP

(57)【要約】【課題】光を利用して生体機能分子に可逆的な構造変化を起こす生体機能分子の光駆動方法とマイクロ−ナノマシンを提供する。【解決手段】式（８）で表される架橋性フォトクロミック分子を、生体機能分子中の２つのチオール基と結合させて架橋し、紫外線照射により架橋性フォトクロミック分子をシス型とし、架橋部分の距離を縮小して、生体機能分子を第１の構造とする工程と、可視光線照射により架橋性フォトクロミック分子をトランス型とし、架橋部分の距離を拡大して、生体機能分子を第２の構造とする工程とを有する生体機能分子の光駆動方法と、これにより制御されるマイクロ−ナノマシン。【化８】
264 2003-246070 2002/02/25 株式会社リコー 液滴吐出ヘッド及びその製造方法、インクジェット記録装置並びにマイクロデバイス A4 DC03 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 低コストで安定した滴吐出特性が得られない。【解決手段】 振動板１０には絶縁膜１１を介して電気的に互いに絶縁分離された導電性を有する構造体からなる、間隔を犠牲膜３５を用いて形成した複数の電極１４を設け、電極１４、１４間に静電力を発生させることによって振動板１０を変形させる。
265 2003-247831 2003/02/10 三星電子株式会社 回転型デカップルドＭＥＭＳジャイロスコープ A4 DD02 FP

(57)【要約】【課題】 駆動質量体と感知質量体とを両方デカップルド構造とする。【解決手段】 Ｘ軸を中心に揺動自在な駆動質量体10、Ｚ軸を中心に揺動可能な感知質量体30、及びＸ軸を中心に駆動質量体10と共に揺動しＺ軸を中心に感知質量体30と共に揺動する媒介質量体20を備える。駆動質量体10はＸ軸を中心に捻れ変形する第１捻れバネ51により基板に、媒介質量体20はＺ軸を中心に曲げ変形する第１曲げバネ61により駆動質量体10に、感知質量体30はＸ軸を中心に捻れ変形する第２捻れバネ52により媒介質量体20に、かつＺ軸を中心に曲げ変形する第２曲げバネ62により基板に、各々連結する。駆動質量体10が駆動電極110によってＸ軸を中心に振動中に外部から角速度が印加されれば、コリオリの力によって感知質量体30がＺ軸を中心に回転し感知電極130はこれを感知する。
266 2003-248182 2002/02/25 住友電気工業株式会社 光スイッチ A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 駆動電圧を低くしつつ、大ストローク化を図ることができる光スイッチを提供する。【解決手段】 光スイッチ１は、上面に電極６が設けられた平面導波路２を有している。平面導波路２上には、可動部材１２の片持ち梁１３が片持ち支持され、この片持ち梁１３の先端には、平面導波路２の光路上を通る光を遮断するミラー１４が固定されている。片持ち梁１３には、可動部材１２の駆動を補助するための複数の駆動補助用突起１５が櫛歯状に設けられている。平面導波路２には、各駆動補助用突起１５が入り込む複数の突起収容用凹部１６が設けられている。突起収容用凹部１６の底面及び両側面には電極１７が設けられている。可動部材１２と電極６，１７との間に電圧を印可すると、両者間に静電気力が発生し、ミラー１４が下方に移動する。
267 2003-248183 2002/12/13 三星電子株式会社 マイクロミラーアクチュエータ及びその製造方法 A4 DA04 FP

(57)【要約】【課題】 マイクロミラーの駆動角が精度良く調節可能に能動駆動し得るアクチュエータ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板と、前記基板の所定位置に形成され、少なくとも一つ以上の電極が備えられたトレンチと、前記少なくとも一つ以上の電極との相互作用による静電力により回動して入射光を所定方向に反射させるマイクロミラーと、前記マイクロミラーの回動軸の位置が調節可能に前記マイクロミラーを支持する駆動角調節ユニットと、を備えることを特徴とするマイクロミラーアクチュエータ。よって、マイクロミラーの駆動角の誤差を補正するための別途のアクチュエータ無しにマイクロミラーを正確に直立させることにより、挿入損失を低減できる。
268 2003-249137 2002/11/14 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 微小電気機械スイッチ A4 DB01 FP

(57)【要約】 （修正有）【課題】 静止摩擦に打ち勝つのに十分大きな復元力を有する微小電気機械スイッチを提供する。【解決手段】 本発明に係る微小電気機械スイッチは、そり可能で導電性を有する梁１０と、弾性的に変形可能な導電層１１で被覆した複数の電極とを備えている。復元力は、まず、そり可能な梁１０と、スイッチ電極１３と同一平面をなす制御電極１２との間に制御電圧を印加することにより、梁１０による単一のばね定数ｋ０によって生成される。次いで、微小電気機械スイッチが閉状態に近づき上記導電層１１が圧縮されると、変形可能な複数の導電層１１が有する追加のばね定数ｋ１、・・・、ｋｎによる復元力が梁１０のばね定数ｋ０による復元力に順次加算される。別の実例では、変形可能な層の代わりに、変形可能なばね状素子を用いる。さらに別の実例では、圧縮可能な層または変形可能なばね状素子が、スイッチ電極が対面するそり梁に取り付けられている。
269 2003-249157 2002/02/22 凸版印刷株式会社 学校法人早稲田大学 マイクロリレー及びその製造方法 A4 DB01 PI02 MD06 FP

(57)【要約】【課題】 可動接点と固定接点との金属の粘着が起こらず、簡便に製造できるマイクロリレー及びその製造方法を提供する。【解決手段】 マイクロリレー１００が、第１の金属層１０８が設けられた可動接点と、第２の金属層１０７が設けられた固定接点とを有し、前記可動接点が前記固定接点に接して電気的に導通し、前記可動接点が前記固定接点から離れて電気的に切断するマイクロリレーにおいて、第１の金属層１０８と第２の金属層１０７とは、その金属組成が異なるものである。
270 2003-251597 2002/02/26 古河電気工業株式会社 ミヨタ株式会社 シリコンデバイスの製造方法およびこのシリコンデバイスを用いた光部品 A4 PB02 FP

(57)【要約】【課題】 コムなどの三次元独立構造を有するシリコンデバイスであっても、精度の高いシリコンデバイスを安定かつ容易に製造すること。【解決手段】 シリコン基板２０の両面を部分的に除去してシャッター部３５、櫛歯部３６、ばね部３７などの構造体を形成するシリコンデバイスの製造方法であって、シリコン基板２０の上面３０に形成する構造体に対向する下面３１表面以外にレジスト３２によってマスキングし、下面３１の露出領域のシリコンを上面３０側に形成する構造体の厚みを残してエッチングし、構造体を形成するために上面３０表面にレジスト３４によってマスキングし、上面３０の露出領域のシリコンを深異方性の反応性イオンエッチングによって貫通するまでエッチングを行って構造体を形成し、下面に絶縁基板４０を貼付し、各シリコンデバイスを分割する。
271 2003-251804 2002/03/06 セイコーエプソン株式会社 シリコンデバイスの製造方法及びインクジェット式記録ヘッドの製造方法 A4 DC03 PIX FP

(57)【要約】【課題】 製造効率を向上でき、且つ犠牲ウェハを確実に除去することのできるシリコンデバイスの製造方法及びインクジェット式記録ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板上に薄膜パターンを有するシリコンデバイスの製造方法において、シリコンウェハ１００の一方面にシリコン単結晶基板からなる犠牲ウェハ１１０を接合する工程と、シリコンウェハ上に薄膜パターンを形成する工程と、犠牲ウェハ１１０表面の二酸化シリコン膜５６をパターニングすることによって所定パターンで配置された複数の補正部５７からなる補正マスク１３０を形成する工程と、補正マスク１３０を介して犠牲ウェハ１１０を異方性エッチングにより除去する工程とを有する。
272 2003-255237 2002/07/17 三星電機株式会社 可変光減衰器 A4 DA05 PI02 2

(57)【要約】【課題】 光ファイバの相対的な光軸整列が容易で、光信号の干渉と挿入損失、波長及び偏光の依存性が低い新しい構造の可変光減衰器を提供する。【解決手段】 光を伝送する伝送ファイバと、転送された光を受信する受信ファイバと、前記伝送ファイバ及び受信ファイバ間で、光を伝送するための伝送部、光を減衰させる減衰部、減衰部の光を受信する受信部とから形成された減衰モジュール部と、前記減衰部を駆動させるためのアクチュエータと、これを含む基板とから構成された可変光減衰器に関するもので、前記減衰部は側方向又は角方向にオフセット駆動して光を減衰することを特徴とし、前記伝送部、減衰部、受信部が１つのモジュールとして形成される。
273 2003-255259 2002/12/19 キヤノン株式会社 キヤノン電子株式会社 揺動体装置 A4 DA02 FP

(57)【要約】【課題】小型かつ軽量にでき、偏向角を大きくでき、走査を高速にでき、消費電力を小さくできる光偏向器などの揺動体装置、光偏向器、及び揺動体装置を用いた装置である。【解決手段】揺動体装置は、回転軸中心に回転可能な揺動体1を有する。回転軸の方向と角度を成す所定方向に着磁されて永久磁石にされた硬磁性体3が揺動体1に設けられ、着磁方向と回転軸の方向に角度を成して制御可能に磁束線を発生させるための平面コイルである磁気発生手段22が設けられ、さらに磁気発生手段22により発生された磁束線を硬磁性体3の磁極付近に有効に分布させるために端が硬磁性体3の磁極に近接して配置された軟磁性体21a、21bが設けられている。
274 2003-258502 2002/03/06 株式会社村田製作所 ＲＦＭＥＭＳ素子 A4 DB01 FP

(57)【要約】【課題】 高周波信号の誘電体損失の低減を図る。【解決手段】 基板２上に形成されたコプレーナー線路３の上方側に可動体６を配置し、可動体６に可動電極１０をコプレーナー線路３に対向させて形成する。可動体６は、高周波信号に対しては絶縁体として振る舞い、かつ、直流信号に対しては電極として振る舞う高抵抗半導体により構成する。電極としての可動体６と可動用固定電極１２との間の直流電圧印加による静電引力によって、可動体６が可動用固定電極１２側に変位し、可動電極１０とコプレーナー線路３間の静電容量が可変する。ガラス等の絶縁体は信号周波数が高くなるにつれて誘電体損失が増加するのに対して、高抵抗半導体から成る可動体６は信号周波数が高くなるに従って誘電体損失が低下する特性を有し、高周波信号の誘電体損失を低減することが容易となる。
275 2003-260351 2002/03/12 独立行政法人産業技術総合研究所 マイクロリアクター及びその製造方法 A4 DC01 1

(57)【要約】【課題】 触媒反応を効率よく行うためのマイクロリアクターを提供する。【解決手段】 不活性材料からなる固体表面に、マイクロチャネルを刻設し、そのマイクロチャネルの壁面に触媒能を有する有機分子を固定させたマイクロリアクターとし、ガラス又はシリカ系セラミックス表面にマイクロチャネルを刻設し、次いでそのマイクロチャネルの壁面にアミノ基含有ケイ素化合物残基を導入し、それを介して酵素分子又は有機金属錯体分子を結合させることにより製造する。
276 2003-260695 2003/01/09 ゼロックス・コーポレーション シリコン構造の熱隔離のためのシステム及び方法 A4 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 基板から熱隔離された、マイクロマシン化された素子を提供する。【解決手段】 シリコン構造は基板とシリコン構造がその中に形成されるシリコン層の間に配置された絶縁層に形成されたギャップによって、少なくとも部分的に熱的に基板から隔離される。実施例では基板はシリコンで作られ、シリコン層は単一結晶シリコンで作られる。実施例ではギャップが、ギャップの下の基板の表面が実質的にエッチングされずに維持されるように形成される。他の実施例では、ギャップの下の基板の表面に影響を与えること無しにギャップが形成される。特にギャップは絶縁層の一部分をギャップの下の基板の表面に影響を与えないエッチングで除去することによって形成され得る。実施例でエッチングは、絶縁層の材料と基板の材料との間で高度に選択的である。エッチングの選択性は約20：1あるいはそれより大で有り得る。
277 2003-260696 2003/01/14 イーストマン　コダック　カンパニー サーマルアクチュエータ A4 DC03 FP

(57)【要約】【課題】 少ない入力エネルギーで動作し、かつ、動作温度の低い熱機械アクチュエータを提供する。【解決手段】 長さＬの、作動前に、第一の位置に静止しているカンチレバー素子を有する。カンチレバー素子は長さＬH（ただし、０．３Ｌ≦ＬH≦０．７Ｌ）のチタンアルミナイド等の電気抵抗材料で構成された層を有する。カンチレバー素子は、第一層に接着され、低い熱膨張率を有する誘電材料で構成された第二層を有する。均一抵抗部に電気パルスを印加して抵抗加熱を発生させ、第一層の均一抵抗部が第二層に対して熱膨張し、第二の位置にたわみ、その後、温度が下がると、第一の位置に復帰する。第一層は、ほぼカンチレバー素子の長さ全体にわたって延び、均一抵抗部は、この材料の中央スロットをカンチレバー素子の長さの一部から除去することによって形成される。均一抵抗部を、長さＬH（ただし、０．３Ｌ＜ＬH＜０．７Ｌ）となるよう形成する。
278 2003-260697 2003/01/17 マイクロソフト　コーポレイション 熱ＭＥＭＳアクチュエータの面外作動方法及び熱ＭＥＭＳアクチュエータ A4 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 面外運動が可能なジュール加熱によって駆動される熱ＭＥＭＳアクチュエータを提供する。【解決手段】 面外熱バックルビームＭＥＭＳアクチュエータ５０は、半導体材料の基板上に形成される。アクチュエータ５０は、第１のアンカ５２および第２のアンカ５４と、複数の熱バックルビーム５６とを含む。バックルビームは半導体材料で形成される。各バックリングビームは、各バックルビームに固定されたフレームベース６６と、一端がフレームベース６６に結合され、アクチュエータ５０が駆動されたときに面外に旋回する自由端を含む少なくとも１つのピボットアーム７２とを含むピボットフレーム６４によって結合される。周期電流源８０は、熱バックルビーム中に周期電流を送り、バックルビームの熱膨張をもたらし、基板から離れる方向へのバックルビームの周期的湾曲運動をもたらす。
279 2003-260698 2003/01/06 ヒューレット・パッカード・カンパニー 静電駆動装置 A4 DAX FP

(57)【要約】【課題】容易な制御で所望の移動を生じさせる静電駆動装置を提供する。【解決手段】 静電駆動装置（１５０）において、複数のムーバ電極（１５２）を含むムーバ（１５４）、複数のステータ電極（１５６）を含むステータ（１５８）を備える。前記ムーバ及びステータが、前記ムーバ電極（１５２）と前記ステータ電極（１５６）の間の静電力によって相対的に移動可能である。さらに、前記ステータ電極（１５６）を、複数の順次的な電圧状態の任意の状態にさせるように構成された駆動装置（１６０）が含まれており、ある電圧状態から隣接電圧状態への遷移によって、前記ムーバ（１５４）と前記ステータ（１５８）との間に、あるステップ・サイズで相対的移動が生じる。各電圧状態毎に、前記ステータ電極の１つに印加される電圧をＬＯ電圧レベルとＨＩ電圧レベルの間のある量に選択的に変更し、前記駆動装置（１６０）は、さらに、ステップ・サイズを小さくできる。
280 2003-260699 2003/01/06 ゼロックス・コーポレーション 自己整合されたマイクロヒンジの製造方法 A4 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 シリコンオンインシュレータウェハ上に３次元マイクロヒンジを直接作製する表面マイクロマシニングプロセスを提供する。【解決手段】 （ａ）単一層のシリコン単結晶内において所望のヒンジピンの表面の周りに開口部を画定するステップと、（ｂ）ヒンジとなる領域下の開口部と隣接関係に配置された酸化物材料を除去するために、開口部にエッチングプロセスを施すステップと、（ｃ）ヒンジピンと後に堆積されるポリシリコンキャップとの間にギャップを画定するために熱酸化物を成長させるステップと、（ｄ）ヒンジのキャップ又はステープルを画定するために、ポリシリコン５９を堆積し、エッチングするステップと、（ｅ）成長した酸化物を取り除き、前記キャップ又はステープルの内側でピンが回転できるようにウエットエッチングを行うステップとを含む表面マイクロマシニング製造方法によって上記課題を解決できる。
281 2003-262803 2002/03/07 オリンパス光学工業株式会社 可動構造体およびこれを用いた偏向ミラー素子と光スイッチ素子と形状可変ミラー A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】弾性部材の内部に発生する応力が緩和されるとともに弾性部材の異常な変形の発生が防止されたマイクロマシン素子用の可動構造体を提供する。【解決手段】光偏向素子は、可動構造体と、これを支持する基板１３２とを備えている。可動構造体は、内側可動板１１２と、内側可動板１１２を取り囲む外側可動板１１６と、内側可動板１１２と外側可動板１１６を連結する一対のねじりバネ１１４と、外側可動板１１６の外側に位置する一対の支持体１２０と、外側可動板１１６と支持体１２０を連結する一対のねじりバネ１１８とで構成されている。内側ねじりバネ１１４と外側ねじりバネ１１８は共に少なくとも部分的にメッシュ構造を有している。例えば、内側ねじりバネ１１４と外側ねじりバネ１１８は、その全体がメッシュ構造で構成されている。あるいは、内側ねじりバネ１１４と外側ねじりバネ１１８は、部分的にメッシュ構造を有している。
282 2003-262832 2002/12/02 マイクロスキャン・システムズ・インコーポレーテッド パターン付き反射器を使用する回折補償 A4 DAX 5

(57)【要約】【課題】 屈折要素および回折要素の欠点を克服するデバイスを提供すること。【解決手段】 本出願は、複数の層を備えるシリコン・ウェハと、複数の層の１つの中に形成される反射器と、放射線の入射ビームを反射ビームに合焦またはコリメートするための反射器上のパターンとを備えるマイクロオプトエレクトロメカニカル装置を開示する。
283 2003-266390 2002/03/19 日本航空電子工業株式会社 静電駆動デバイス A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 固定電極基板と可動電極板との間にはプルイン電圧より小さな駆動電圧を印加して駆動し、或いは電圧非印加時の固定電極基板と可動電極板との間の距離を定められた駆動電圧印加時の可動電極板の変位量の３倍よりも大きな距離に設定した静電駆動デバイスを提供する。【解決手段】 マイクロマシニング技術で製造され、固定電極基板８と、アンカー部１１およびフレクチュア２１を介して固定電極基板８に取り付け結合され、固定電極基板８に対して垂直方向に変位する可動電極板２とを有する静電駆動デバイスにおいて、固定電極基板８と可動電極板２との間にはプルイン電圧より小さな駆動電圧を印加して駆動する静電駆動デバイス。
284 2003-266391 2002/03/19 日本航空電子工業株式会社 静電駆動デバイス A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 可動電極板の上側および下側にそれぞれ固定の電極基板を配置した静電駆動デバイスを提供する。【解決手段】 可動電極板２と下側固定電極基板８とが同電位とされると共に可動電極板２と上側電極板３との間に上側のプルイン電圧より小さな電圧を印加して得る可動電極板２の上側変位状態と、可動電極板２と上側電極板３とが同電位とされると共に可動電極板２と下側固定電極基板８との間に下側のプルイン電圧より小さな電圧を印加して得る可動電極板２の下側変位状態とをスイッチＳＷを介して切り替え駆動する静電駆動デバイス。
285 2003-266393 2002/03/08 アジレント・テクノロジーズ・インク 微細管構造の製造方法 A4 DC01 PGX FP

(57)【要約】【課題】安価で簡便かつ生産が高い高性能微細管の製造。【解決手段】本発明の微細管構造の製造方法には、第1、第２の基板を用意する工程と、第1、第２の基板の少なくとも一方の基板上に接着層を形成する工程と、前記接着層上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層に写真製版法により所望のパターンを焼き付ける工程と、前記接着層と該接着層を担持する前記少なくとも一方の基板とを、パターン化されたジストをマスクとして同時にエッチングして第１の基板に凹溝あるいは貫通孔を形成する工程と、第1、第2の基板を加熱・圧着により前記接着層により接合して一体化する工程とが含まれる。
286 2003-266394 2002/03/14 セイコーエプソン株式会社 シリコンデバイスの製造方法及びインクジェット式記録ヘッドの製造方法並びにシリコンウェハ A4 DC03 PA03 PA04 FP

(57)【要約】【課題】 エッチングの際に外周面を確実に保護してエッチングの信頼性を向上することができるシリコンデバイスの製造方法及びインクジェット式記録ヘッドの製造方法並びにシリコンウェハを提供する。【解決手段】 シリコンウェハ１００の少なくとも一方面に当該シリコンウェハ１００をエッチングする際のマスクパターンとなるマスク膜５５を形成すると共に当該シリコンウェハ１００の少なくとも外周面に前記マスク膜５５とのエッチングの選択性を有する保護膜１１０をスパッタリング法又は蒸着法により形成する工程と、前記シリコンウェハ１００の他方面に前記薄膜パターンを形成する工程と、前記薄膜パターンの面を保護するエッチング保護層を形成する工程と、前記マスク膜５５をパターニングして前記シリコンウェハ１００のマスクパターンを形成する工程と、前記シリコンウェハ１００を前記マスクパターン側からエッチングする工程とを具備する。
287 2003-266395 2002/03/14 セイコーエプソン株式会社 微細構造体の製造方法 A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 複数の微細な構造層を組み合わせて微細構造体を製造する方法において、パターニングの際に発生した残渣を容易に除去可能な製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】 Ｏ2エッチングにより樹脂製の第２の構造層をパターニングした際に発生する重化合物などの残渣８０を、アクチュエータ構造３３となる第１の構造層５１の上方に位置する除去層９３と共にウェットエッチングする。したがって、第１の犠牲層９１を除去する前に、残渣８０を除去層９３ごと除去できるので、残渣８０がアクチュエータ構造３３に入り込むことはなく、信頼性の高い微細構造体を歩留まり良く製造できる。
288 2003-266396 2003/01/14 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 微細構造およびその製造方法 A4 PE01 FP

(57)【要約】【課題】 微細電気機械的構造（ＭＥＭＳ）またはシリコン・オプティカル・ベンチのような微細構造の製造方法を提供する。【解決手段】 この方法は、単一マスクを用いて、異なるエッチング工程で基板にエッチングされる２以上のくぼみ領域をパターニングし、エッチングのためのくぼみ領域を選択的に選択する工程を含む。好適な態様において、本方法は、基板をパターニングして基板にエッチングされる複数のくぼみ領域を識別し、少なくとも１つのくぼみ領域を弁別的充填材料２０３，２０５，２０６，２０７で充填する工程を含む。充填材料は、それを他の充填材料に対して選択的にエッチングできるという点で化学的に弁別的である。本発明の方法は、重ね合わせ誤差を最小化し、極端なトポグラフィの上へのリソグラフィの必要性を回避することにより、精確なくぼみ領域を有する微細構造を製造する。
289 2003-268097 2002/03/19 ユニチカ株式会社 高分子材料の加工方法、これを用いた成形体及び光デバイス A4 DA06 MEX 3

(57)【要約】【課題】 表面の微細加工が特に低エネルギーで行える加工方法と、この加工方法を用いて回折格子や光導波路等の光デバイスとすることができるポリアリレート成形体を提供する。【解決手段】 高分子材料に光または電子線を照射した後、熱現像することによって材料表面を微細加工する方法において、前記高分子材料として、含フッ素ポリアリレートを用いることを特徴とする加工方法。また、この方法で加工された含フッ素ポリアリレートの成形体、およびこれを用いた回折格子や光導波路などの光デバイス。
290 2003-270252 1998/05/22 ガメラ　バイオサイエンス　コーポレイション ミクロ流体工学システムでの流動運動を駆動するために向心的加速を使用するための装置および方法 A4 DC01 DC02 DDX 2

(57)【要約】【課題】微量分析および微量合成分析並びに手順を行うための方法および装置を提供する。【解決手段】ミクロ流体工学構成要素、対抗性加熱要素、温度感知要素、混合構造、キャピラリーおよび捨てバルブを有する本発明の微量システムプラットホームおよび、生物学的、酵素的、免疫学的、および化学的アッセイを行うためのこれらの微量システムプラットホームを使用する方法を提供する。
291 2003-270554 2002/03/15 日本電信電話株式会社 光スイッチ装置及び光スイッチ装置の製造方法 A4 DA01 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 集積度の低下や歩留りの低下を抑制した状態で、従来より容易により微細な光スイッチ装置が製造できるようにする。【解決手段】 半導体基板１０１上の特定平面上に導電性を有する支柱１２０により支持されて開口領域を備えたミラー基板１３０と、ミラー基板１３０の開口領域に回動可能に各々設けられたミラー１３１と、ミラー１３１に回動動作を行わせるための制御電極部１４０と制御回路１５０とから、光スイッチ装置を構成する。これらは、例えば、シリコンからなる半導体基板１０１上に、集積されている。
292 2003-270555 2002/03/15 日本信号株式会社 プレーナ型アクチュエータ及びその製造方法 A4 DA02 PI03 FP

(57)【要約】【課題】 電磁力を利用して内外の可動板を揺動動作する２次元走査型のプレーナ型アクチュエータにおける外内の可動板の共振周波数比を大きくして、光をラスタ走査できるようにする。【解決手段】 外側可動板２３を軸支する外側トーションバー２２を、剛性が低く共振周波数の低いポリイミドで形成し、内側可動板２５を軸支する内側トーションバー２４を、ポリイミドより剛性が高く共振周波数の高いシリコンで形成する。このように、外側トーションバー２２と内側トーションバー２４とを剛性の異なる材料で形成することにより、共振周波数比を大きくできる。
293 2003-270559 2002/03/18 住友重機械工業株式会社 マイクロデバイス及びその製造方法 A4 DA01 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 本発明は光スイッチに用いて好適なマイクロデバイス及びその製造方法に関し、高い信頼性及び駆動特性を実現することを課題とする。【解決手段】 機能素子となるミラー２１が設けられると共に基台部１２に配設された駆動電極２０により変位してミラー２１を移動させる変位部１１と、この変位部１１を支持する支持フレーム１４とを有してなるマイクロデバイスにおいて、変位部１１を形成する際、単結晶シリコンのバルクである第１及び第２のバルク層３１，３２が中間層３３を介して接合されたＳＯＩ基板３０を用い、このＳＯＩ基板３０にバルクマイクロマシニング技術である反応性イオンエッチングを実施することにより変位部１１を形成する。この際、中間層３３を反応性イオンエッチングのエッチストップ材として使用する。
294 2003-275575 2002/03/22 日本板硝子株式会社 マイクロ化学技研株式会社 マイクロ化学システム用チップ部材のチャネル形成方法、及び該形成方法によってチャネルが形成されたマイクロ化学システム用チップ部材 A4 DEX PJ02 FP

(57)【要約】【課題】 工程を容易にすると共に設備費を小さくすること、複数の断面形状を有するチャネルを形成すること、及び環境に悪影響を与えるのを抑制することができるマイクロ化学システム用チップ部材のチャネル形成方法、及び該形成方法によってチャネルが形成されたマイクロ化学システム用チップ部材を提供する。【解決手段】 マイクロ化学システム用チップ１は、互いに一体に接合されたガラス基板１０及びガラス基板１１から成り、ガラス基板１１には、その接合面側にチャネルパターンを有すると共に所定の断面形状のチャネル２０がプレス法を用いて形成されている。プレス法では、連続炉内に移動させ、プレス成形型５０によるプレス加工を行い、連続炉から取り出し、プレス成形型５０をプレス加工が行われたガラス基板１１から離型する。
295 2003-275999 2002/03/22 オリンパス光学工業株式会社 マイクロバルブおよびその製造方法 A4 DC02 PGX FP

(57)【要約】【課題】リークが少なく、流路の集積度が高いマイクロバルブを提供する。【解決手段】マイクロバルブは、基礎基板１１０と、基礎基板１１０に設けられた流路１１１と、流路１１１の内壁１１２，１１３，１１４の一部を形成しているダイアフラムシート１０１と、ダイアフラムシート１０１を流路１１１の内側に向かって膨らませて流路１１１の内壁に押しつけ、ダイアフラムシート１０１に流路１１１を塞がせる駆動手段とを備えている。ダイアフラムシート１０１は、膨らんだときの伸び分布をダイアフラムシート１０１にわたって有している。この伸び分布は、ダイアフラムシート１０１が膨らんで流路１１１の内壁に押しつけられたときに、ダイアフラムシート１０１がこの押しつけられた内壁の形状に適合するよう、設定されている。
296 2003-276000 2002/03/25 株式会社村田製作所 接合型マイクロ構造体 A4 DD02 PG01 2

(57)【要約】【課題】 通電用のランドから独立した他のランドにも電圧を容易に印加できる構成とし、陽極接合部位の信頼性や接合作業の効率を高める。【解決手段】 基板２には、可動部４を変位可能に支持する外枠ランド３と、振動発生部１２及び接続片１９を有する駆動側ランド９と、角速度検出部１７，１８を有する検出側ランド１３とを設ける。また、電極１４，１５と電極１６との対向面積を左，右非対称に形成する。そして、他の基板２０をランド３，９，１３に陽極接合するときには、外枠ランド３に電圧を印加することにより、接続片１９を静電力により撓み変形させてランド３，９間を接続すると共に、振動子６を左，右非対称な静電力によりＺ軸周りで傾くように変位させてランド３，１３間を接続する。これにより、電源に接続し難い位置にあるランド９，１３も確実に陽極接合することができる。
297 2003-276191 2002/03/22 株式会社リコー 静電アクチュエータ、液滴吐出ヘッド及びインクジェット記録装置 A4 DC03 FP

(57)【要約】【課題】 低コストで安定した滴吐出特性が得られない。【解決手段】 振動板１０には絶縁膜１１を介して電気的に互いに絶縁分離された導電性を有する構造体からなる複数の電極１４ａ、１４ｂを島状に配置して設け、電極１４ａ、１４ｂ間で発生する静電引力で振動板１０を変形させる。
298 2003-277075 2002/03/22 日本板硝子株式会社 株式会社エヌ・エス・ジー・ガラスコンポーネンツ マイクロ化学システム用チップ部材のチャネル形成方法、及び該形成方法によってチャネルが形成されたマイクロ化学システム用チップ部材 A4 DEX PJ02 FP

(57)【要約】【課題】 工程を容易にすると共に設備費を小さくすること、及び、形成されるチャネルの再現性が高く、且つ環境に悪影響を与えるのを抑制することができるマイクロ化学システム用チップ部材のチャネル形成方法、及び該形成方法によってチャネルが形成されたマイクロ化学システム用チップ部材を提供する。【解決手段】 マイクロ化学システム用チップ１は、互いに一体に接合されたガラス基板１０及びガラス基板１１から成り、ガラス基板１１には、その接合面側にチャネルパターンを有すると共に断面略矩形のチャネル２０がプレス法を用いて形成されている。プレス法では、連続炉内に移動させ、プレス成形型５０によるプレス加工を行い、連続炉から取り出し、プレス成形型５０をプレス加工が行われたガラス基板１１から離型する。
299 2003-279537 2002/03/25 株式会社東芝 化学分析装置 A4 DEX FP

(57)【要約】【課題】微細流路内の試料を流れ方向以外の四方向から計測及び環境調整することができ、加工性と量産性に優れた化学分析装置を提供する。【解決手段】化学分析装置は、微細流路４を形成するように対向配置され、微細流路４の方向に沿って伸延する１対の堤防形状の凸部２ａ、２ｂを一方の主面に有する平面部材１と、微細流路４の上部を覆う封止部材１１とを備える。平面部材１と封止部材１１の間には、微細流路４以外の空隙６ａ、６ｂがあり、この部分に充填材を注入し、接着強度の強化を実現しても構わない。又、空隙６ａ、６ｂに、微細流路４内の計測要素部品や環境調整部品を装着しても良い。平面部材１及び封止部材１１の材質は石英等を用い、プレス加工により成形を行う。
300 2003-279864 2002/03/22 松下電工株式会社 静電アクチュエータ A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 可動電極と固定電極との間に印加する電圧を消去しても可動子の変位状態を保持し、消費電力の省電力化を向上させる静電アクチュエータを提供すること。【解決手段】 支持基板１表面に固着された固定部２３に弾性を有する支持体２２を介して一体形成した可動子２１に設けられた可動電極２と、支持基板１上に固着されて可動電極２と容量結合するように間隔をおいて対向させた固定電極３と、可動子２１上に立設して可動子２１が一方位置にあるとき光を通過させ、他方位置にあるとき光を遮断するスイッチ板４と、支持基板１に固定されて可動子２１から突設した可動係合部５と凹凸結合する固定係合部６からなる保持手段とを備え、可動電極２と固定電極３との間に生じる静電気力に応じて可動係合部５と固定係合部６の凹凸係合を設定及び解除するとともに可動子２１を変位させることを特徴とする静電アクチュエータ。
301 2003-279869 2002/03/22 松下電工株式会社 静電アクチュエータ A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 光制御要素である移動体の移動変位量を大きくすることができる静電アクチュエータを提供すること。【解決手段】 直線状の走行路１２を有し、この走行路１２に沿って静電気力発生位置が変位するよう複数の電極１１を配設した基板１と、前記静電気力の発生位置に応じて走行路１２を変位する基体２１上に平板状の光制御部２２を有した移動体２とを備え、移動体２が一方位置にあるときは光を通過させ、他方位置にあるときは光制御部２２にて光を遮断することを特徴とする静電アクチュエータ。
302 2003-279872 2002/03/26 セイコーエプソン株式会社 光スイッチング素子 A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】構造が簡易であり、光の光路の切り換えを容易かつ確実に行うことができ、また、導光路の位置決めを容易、迅速、確実かつ精度良く行うことができる光スイッチング素子を提供する。【解決手段】光スイッチング素子１は、光（光束）、すなわち、光信号の光路を切り換える素子（装置）であり、光ファイバ５１〜５６が設けられる基板２と、基板２に対して回転可能に設けられた歯車３とを備えている。基板２の上面２３には、各光ファイバ５１〜５６をそれぞれ位置決めする６つの溝２２が形成されている。歯車３の上面３２には、反射鏡４１および４２が設けられている。また、光スイッチング素子１は、モータと、モータの駆動力を伝達する動力伝達機構とを有している。歯車３には、動力伝達機構の歯車が噛合しており、モータが駆動すると、歯車３が回転するようになっている。
303 2003-281988 2002/03/25 株式会社アドバンテスト スイッチ及びアクチュエータ A4 DB01 FP

(57)【要約】【課題】 消費電力が小さいスイッチを提供する。【解決手段】 第１接点部と第２接点部とを電気的に接続するスイッチであって、第２接点部を第１接点部の方向に駆動する第１駆動部と、第１駆動部の一端に設けられ、第１駆動部を第１接点部の方向に駆動する第２駆動部とを備える。
304 2003-284358 2002/03/25 古村　一郎 平行平板型静電アクチュエータの製造方法及び平行平板型静電アクチュエータ並びにヘッドスライダ及び磁気ディスク A4 DDX PB03 FP

(57)【要約】【課題】 磁気ヘッド素子を高温に晒すことなくアクチュエータ素子の形成が可能であり、信頼性の高い平行平板型静電アクチュエータを製造することが可能であり、また、大量生産が可能な平行平板型静電アクチュエータの製造方法を提供すること。【解決手段】 ＳＯＩウエハ上にピギイバックアクチュエータ素子を複数形成する工程、 前記ウエハの上面に読取／書込ヘッドを形成する工程、 当該素子カラムのシリコンバーを前記ウエハから切り取る切取工程、 読取／書込ヘッドの表面を研磨して、空気ベアリングレールを形成する工程、 犠牲層を除去してアクチュエータ構造体を解放する工程、を含むことを特徴とする平行平板型静電アクチュエータの製造方法。ことを特徴とする。
305 2003-285298 2002/03/26 セイコーインスツルメンツ株式会社 マイクロ流路デバイスおよびマイクロ流路デバイスの作製法 A4 DC01 8

(57)【要約】【課題】 接合技術が不要で、樹脂の光吸収や蛍光によって測定に制約を受けないマイクロ流路デバイスとその製作法を提供すること。【解決手段】 基板部１０１、光硬化性樹脂１０２、光透過性のあるカバー板１０３の順の３層より構成されており、基板部１０１とカバー基板１０３の間に未硬化の光硬化性樹脂を充填したのちに、光硬化反応によって光硬化性樹脂層に流路パターン１０４を形成することによって、マイクロ流路が一体に構成されるマイクロ流路デバイス、および、その製作法を提供する。
306 2003-285334 2002/03/25 三ツ星ベルト株式会社 微細加工型の製造方法及び微細パターンを有する成形体の製造方法 A4 PJ01 4

(57)【要約】【課題】大掛かりな装置や大出力のレーザを必要とせず、微弱なレーザ光を用いて大気中で作製可能な微細加工型の製造方法及び微細パターンを有する成形体の製造方法を提供する。【解決手段】溶媒中あるいは保護高分子中に金属微粒子が独立分散した金属微粒子分散液、高分子マトリクス、及び溶媒からなる金属微粒子分散剤を基板上に展開して金属微粒子分散高分子膜を作製する工程、前記金属微粒子分散高分子膜にレーザ光を照射して微細パターンを形成したマスター型を作製する工程、前記マスター型上に液状シリコーンゴムの薄膜を形成して硬化させた後、脱型してシリコーンゴムの微細加工型を作製する工程からなることを特徴とする微細加工型の製造方法である。
307 2003-286940 2002/03/27 ミノルタ株式会社 流体輸送システム A4 DC03 FP

(57)【要約】【課題】 特性の劣化を防止することができる流体輸送システムを提供する。【解決手段】 マイクロポンプ１０のチャンバー２０に、複数の流路３４又は流体リザーバ３０がそれぞれ開口部２４，２２又は開閉弁を介して連通する流体輸送システムにおいて、流路３４又は流体リザーバ３０の一部分に、流体振動圧力を吸収又は緩和する圧力吸収部を設ける。
308 2003-287691 2002/03/27 セイコーエプソン株式会社 光変調装置及び光変調装置の製造方法 A4 DA04 FP

(57)【要約】【課題】ミラーの強度を低下させることなく、省電力をはかることができる光変調装置と、その製造方法を提供すること。【解決手段】複数の駆動電極７３，７６が形成された電極基板７０と、前記駆動電極に対応して設けられ傾斜駆動されることで、光源からの光を変調する複数のミラー２１を備えるミラー基板２０とを接合して形成される光変調装置であって、前記ミラー基板には、複数のミラー２１がライン状もしくはマトリクス状に配置されており、前記複数のミラーが、前記ミラー基板と一体に形成されたトーションバー２２により一方向に連結されていて、前記トーションバーが、前記ミラーの厚みよりも小さな外径となるように構成されている。
309 2003-290653 2002/03/29 カシオ計算機株式会社 微小反応部構成体およびその製造方法 A4 DC01 PAX FP

(57)【要約】【課題】 例えば、流体化された混合物質を微小な流路内に形成された多孔質層に付着された触媒による化学反応（触媒反応）により、所望の流体物質を生成する微小反応部構成体（小型化学反応装置）において、流路内での反応速度を左右する触媒の量を比較的多くする。【解決手段】 小型の第一基板１１の一面に形成された微小な流路１２内に多孔質層形成用の湿潤体１３ａをその表面張力により流路１２上にやや盛り上がるように塗布する。次に、湿潤体１３ａの実質的な表面張力を非常に小さくすることができる超臨界乾燥法により乾燥すると、乾燥過程で多孔質層を形成するための多孔質体がほとんど収縮せず、流路１２内のほぼ全体に多孔質層が形成される。したがって、流路１２内のほぼ全体に形成された多孔質層の表面積がかなり大きくなり、これに比較的多めの触媒を付着させることができる。
310 2003-294451 2002/12/26 三星電機株式会社 マイクロ慣性センサ及びその製造方法 A4 DD02 PG02 FP

(57)【要約】【課題】 製品の小型化及び製造工程の簡易化を図る。【解決手段】 下部ガラス基板と、前記基板上に縁部、固定点、及び水平方向の静電容量を感知するための側面運動感知用構造体を含む下部シリコンと、前記下部シリコン層の縁部、固定点及び構造物に各々対応する縁部、上側に金属配線が形成されたビアホールが連結した固定点、及び前記構造物との間で垂直方向の静電容量を感知するための上部感知用電極層を含む上部シリコンと、前記上部シリコン及び下部シリコン間の接合層と、前記上部シリコンの上部に位置して金属配線が形成されたビアホールが設けられた上部基板とから構成されている。
311 2003-294556 2002/03/29 松下電工株式会社 半導体装置の製造方法及びそれを用いた半導体装置 A4 PB02 FP

(57)【要約】【課題】 薄肉部のような脆弱な構造体を有する半導体装置を破損することなく形成する製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板１に堀込加工を施すことにより、薄肉部２１と、薄肉部２１に周設された厚肉部１１とを有した半導体装置の製造方法。薄肉部２１に相当する位置を所定の厚みよりも厚く残すようにエッチングする第１の工程と、厚肉部１１をダイシングして半導体基板１から薄肉部２１を有したチップを分割する第２の工程と、薄肉部２１に相当する位置が所定の厚みになるまで堀込加工を施して薄肉部２１を形成する第３の工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
312 2003-294783 2002/03/29 アイシン精機株式会社 加速度センサ A4 DD01 FP

(57)【要約】【課題】 オフセットの補正を行い、かつ、チップサイズを小型にすること。【解決手段】 一端が前記基板に固定された第一の固定電極に接続された第一の梁と、第一の梁の他端に接続され、第一可動部側検出電極を有する第一の可動部と、第二可動部側検出電極を有する第二の可動部と、一端が第一の可動部に接続され、他端が第二の可動部に接続された第二の梁と、第一可動部側検出電極に対向するように基板上に固定された第二の固定電極と、第二可動部側検出電極に対向するように基板上に固定された第三の固定電極とを備えた検出部を備え、第二の固定電極及び第三の固定電極にそれぞれ第一の周波数及び第二の周波数をもつ交流電圧を印加し、第一の固定電極の出力を第一の周波数及び第二の周波数でそれぞれ同期検波を行い、その出力を増幅または減衰してから差分又は加算をとり、センサ出力とする。
313 2003-298151 2002/03/29 独立行政法人通信総合研究所 分子デバイスの製造方法 A1 DF01 FP

(57)【要約】【課題】 ボトムアップ式の高分子密度デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 複数の結合性残基を分子内に有する分子構造体と、増感剤とを用い、前記増感剤にエネルギーを与えるエネルギー付与工程を含み、前記のエネルギーを付与された増感剤から結合性残基へのエネルギー移動を行うエネルギー移動過程、および前記のエネルギーを付与された増感剤から結合性残基へ電子移動が行われる電子付与過程のいずれか又は両方の過程を含み、前記のエネルギー移動過程、または電子付与過程が、前記の結合性残基の化学結合反応の駆動となり、殻構造を有する分子構造体、および架橋剤を介して分子構造体間を連結した分子集合体を得る工程を含む、分子デバイスの製造方法など。
314 2003-299946 2002/04/05 カシオ計算機株式会社 化学反応装置及び電源システム A4 DC01 FP

(57)【要約】【課題】 微小空間に反応流路や薄膜ヒータ等の機能要素が集積化された化学反応装置において、高精度の位置合わせ等の作業工程を必要とすることなく、かつ、基板相互が良好に接合された構成を有するとともに、反応流路内での反応効率の向上を図ることができる化学反応装置及び電源システムを提供する。【解決手段】 化学反応装置は、微小基板からなる主基板１０と、該主基板１０の一面側に所定の溝状の断面形状及び蛇行する流路形状を有して形成された反応流路２０と、該反応流路２０の内壁面に付着形成された触媒と、主基板１０の一面側に接合された微小基板からなる閉止基板３０と、上記主基板１０と閉止基板３０との間に介在し、かつ、反応流路２０内にその一部が露出するように接合された、ＴａｘＳｉｙＯｚＮｗの材料組成を有する薄膜ヒータ４０Ａと、を備えて構成されている。
315 2003-301295 2002/04/11 カシオ計算機株式会社 微小反応炉構成体およびその製造方法 A4 DC01 PAX FP

(57)【要約】【課題】 流体化された混合物質を微小な流路内に設けられた触媒による化学反応（触媒反応）により、所望の流体物質を生成する微小反応炉構成体（小型化学反応装置）において、流路内での反応速度を左右する触媒の量を比較的多くする。【解決手段】 アルミニウム基板２１の一面に形成された微小な流路２２の内壁面には多孔質の陽極酸化膜２３が直接形成されている。この場合、アルミニウム基板２１の厚さは比較的厚くすることができるため、多孔質の陽極酸化膜２３の厚さを比較的厚くすることができ、この比較的厚めの多孔質の陽極酸化膜２３に比較的多めの触媒を担持させることができる。また、流路２２を形成するためのフォトレジスト３１はそのまま陽極酸化用マスクとして用いる。
316 2003-302359 2002/04/12 日本板硝子株式会社 マイクロ化学システム用チップ部材 A4 DEX MF02 FP

(57)【要約】【課題】 基板間の高い位置決め精度を不要とし、マイクロ化学システム全体を小型化することができるマイクロ化学システム用チップ部材を提供する。【解決手段】 マイクロ化学システム用チップ部材１００は、透明な板状のガラス基板１１と、ガラス基板１１の一方の表面に一体に接合された透明な板状のガラス基板１２とを備える。ガラス基板１１は、その一方の表面に両端が夫々Ｙ字形に分岐している分析用流路１３と、分析用流路１３の各分岐端に設けられた４つのバッファ部１４とを有し、さらに分析用流路１３の各バッファ部１４の対向位置において分析用流路１３をガラス基板１１の他方の表面に開口する４つの貫通孔１５とを有する。
317 2003-302360 2002/04/12 日本板硝子株式会社 マイクロ化学システム用チップ部材 A4 DEX MF02 FP

(57)【要約】【課題】 光熱変換分光分析用のマイクロ化学システム全体を小型化できるマイクロ化学システム用チップ部材を提供する。【解決手段】 マイクロ化学システム用チップ部材２０は、透明なガラスから成る板状のガラス基板２１と、分析用流路２６用のスリット等が形成された透明なガラスから成る板状のガラス基板２２と、フィルタガラスから成る板状のガラス基板２３とから成り、ガラス基板２２は、ガラス基板２１，２３の間に介装されている。これらのガラス基板２１，２２，２３は加熱によって接合される。分析用流路２６内部を流れる溶液試料には、レンズ付き光ファイバ１０から出射される励起光及び検出光が集光される。ガラス基板２３を構成するフィルタガラスは、レンズ付光ファイバ１０から出射される検出光を透過し、励起光を透過しない。
318 2003-302585 2002/04/09 日本信号株式会社 プレーナ型電磁アクチュエータ及びその制御方法 A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 可動板を所定位置に保持するために保持電流を不要とすることにより、光通信等における光路切換用光スイッチとして好適な消費電力を少なくできる簡易な構成のプレーナ型電磁アクチュエータ及びその制御方法を提供することである。【解決手段】 固定部２にトーションバー３，３で揺動可能に軸支した可動板４と、該可動板４を駆動するための駆動コイル５と、該駆動コイル５に静磁界を作用させる静磁界発生手段７Ａ，７Ｂとを備え、上記駆動コイル５に電流を流して上記トーションバー３，３の軸方向と平行な可動板対辺部に互いに反対方向の電磁力を作用させて上記可動板４を駆動する構成としたものであって、可動板４の回動に伴って発生する上記トーションバー３，３の弾性復元力と反対方向の抗力を上記可動板対辺部に作用させる抗力手段８を備えて構成したものである。
319 2003-302586 2002/04/09 日本電気株式会社 光デバイス及びその製造方法 A4 DA01 PI03 FP

(57)【要約】【課題】 ミラーの平坦性及び平滑性を十分確保し、かつ、バネ剛性も小さくすることにより、低挿入損失及びポート数の大規模化、低電圧駆動、更にはミラー駆動の高精度化を実現することができる光デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】 電極基板３上に複数個の電極パッド２が形成され、電極基板３の上方に電極パッド２との間に間隙を有して可動ミラー１が配置されている。電極基板３上には支柱６とアンカー７が設けられており、フレーム９は、バネ８ａを介してアンカー７により支持されている。また、フレーム９の中央部はくりぬかれた形状を有し、このフレーム９の中央部に配置された可動ミラー１がフレーム９にバネ８ｂを介して支持されている。可動ミラー１の厚さをｔｍ、バネ８ａ、８ｂの厚さをｔｓとすると、ｔｍ＞ｔｓである。
320 2003-303788 2002/04/11 三菱電機株式会社 エッチング装置 A4 PB04 FP

(57)【要約】【課題】 シリコン基板の直径にわたって均一なエッチング特性が得られる信頼性の高いエッチング装置を提供する。【解決手段】 エッチング装置２０は、排気口９を有する反応室１０と、前記反応室の内部に設けられ、シリコン基板１を載置するテーブル２と、前記テーブルを回転させる回転駆動部８と、前記反応室の内部で前記シリコン基板上にガスを供給するノズル３を有するガス供給配管とを備える。このノズルの先端部３ａは、前記シリコン基板の中心から半径方向に端部までの距離の０．６５倍〜０．７５倍の間の位置に対向して配置される。
321 2003-305696 2003/02/12 株式会社国際電気通信基礎技術研究所 半導体装置およびその製造方法 A4 DA0 DA04 DB06 FP

(57)【要約】【課題】 １対の層を正確に平行に対向させることができ、かつ小型化が可能であるとともに容易に製造することができる半導体装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 主領域５００、第１の補助領域５０１ａ，５０１ｂおよび第２の補助領域５０２１，５０２ｂの上部反射層５が分離溝１１で周辺の領域の上部反射層５から分離される。第１の補助領域５０１ａ，５０１ｂおよび第２の補助領域５０２ａ，５０２ｂが谷折溝１０で基板１に対して谷状に折曲されるとともに第１の補助領域５０１ａ，５０１ｂおよび第２の補助領域５０２ａ，５０２ｂと主領域５００とが山状に折曲され、主領域５００の上部反射層５が基板１に対して間隔をもって平行に対向する。
322 2003-305697 2002/04/12 ソニー株式会社 中空構造体の製造方法 A4 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 犠牲層の除去を行う犠牲層露出部分の残渣によって、犠牲層エッチングが不均一で時間が長いので、それだけ他の部分に与える損傷が大きい。【解決手段】 基板２に支持された膜４，１０上に所定パターンの犠牲層１３を形成する工程と、犠牲層１３の表面を覆う中空構造体の支持膜１３を堆積し、ドライエッチングにより開口部１２ａを形成し、犠牲層１３の上面の一部を露出させる工程と、表面に所定の液体を塗布し、開口部１２ａの犠牲層露出上面にレーザー光を照射して当該液体を加熱し蒸発させる洗浄工程と、支持膜の開口部１２ａを介したエッチングにより、犠牲層１３を除去し中空部を形成する工程と含む。
323 2003-309449 2002/10/31 松下電器産業株式会社 微小機械振動フィルタ A4 DB04 FP

(57)【要約】【課題】 本発明は、高周波帯域に対応した小型高性能の機械振動式フィルタを供することを目的とする。【解決手段】 機械振動子を微小化した微小円柱梁５とすることで機械共振周波数を高周波化し、かつ微小円柱梁５を複数個アレイ状に並べ、各微小円柱梁５の周囲に所定の間隙をもって共通の検出電極６を配置することにより、出力信号の低下を抑える。また、一部の機械振動子の振動を拘束することで、入力信号から出力信号への直接的な電磁結合に伴うノイズ成分の観測と除去を可能とする。
324 2003-311692 2002/04/24 株式会社沖センサデバイス 学校法人東海大学 機構デバイスおよび磁気駆動型機構デバイス A4 DAX FP

(57)【要約】【課題】 マイクロマシン技術を用いて形成した金属の多層構造を有する梁構造において、金属層間の残留応力を緩和して反りを防止し、またコスト面で有利な機構デバイスを提供する。【解決手段】 片持ち梁構造部３１の梁部１３ｂと、ニッケル層３２ａと、耐エッチング層３２ｂの多層構造部分において、ニッケル層３２ａを金層（梁部３１ｂ）と金層（耐エッチング層３２ｂ）で覆い、ニッケル層３２の上面側の金層（耐エッチング層３２ｂ）を金層（梁部３１ｂ）よりも厚く形成する。なお、これら各層はフォトリソグラフィ法および電解メッキ法を用いて形成される。
325 2003-311694 2002/04/26 松下電工株式会社 半導体マイクロアクチュエータ A4 DDX FP

(57)【要約】【課題】 熱絶縁性と支持強度を損なうことなく大きなアクチュエータ力を実現できる半導体マイクロアクチュエータを提供すること。【解決手段】 半導体基板に形成したフレーム１と、フレーム１より内方に突設して温度変化により変位する可撓領域２１と、可撓領域２１の一端に連設してフレーム１の開口面と直交する方向に相対的に変位する可動エレメント２２と、少なくとも可撓領域２１とフレーム１との間に設けられて可撓領域２１からの熱伝導を抑制する熱絶縁領域３と、を備えた半導体マイクロアクチュエータ。熱絶縁領域３を可撓領域２１の可撓方向に向かって線膨張係数が小さくなるように形成した半導体マイクロアクチュエータ。
326 2003-311695 2002/04/26 日本信号株式会社 プレーナ型アクチュエータ及びその製造方法 A4 DAX PBX 5

(57)【要約】【課題】 トーションバーの強度を高めることにより可動板の振れ角を大きくでき、且つ疲労寿命を向上させたプレーナ型アクチュエータ及びその製造方法を提供することである。【解決手段】 平板状の可動板２と、該可動板２を回動可能に軸支するトーションバー３，３と、上記可動板２に回動力を発生させる駆動手段４とを有するプレーナ型アクチュエータ１であって、上記トーションバー３，３の側面３ａ，３ａに圧縮残留応力処理層６、６を形成したものである。
327 2003-311697 2002/03/27 住友ベークライト株式会社 中空デバイス及びその製造方法並びに中空デバイスを有する反応装置 A4 DC01 PIX FP

(57)【要約】【課題】 ｎｍ〜μｍ単位の微細な直径を有する中空デバイスを簡易にかつ低コストで製造する。【解決手段】 金型１内に金属製糸３Ａを、所定の形状に張った後、エポキシ樹脂を金型１内に充填して硬化させ、デバイス本体１２を形成する。エポキシ樹脂の硬化後、デバイス本体１２からチタン合金から成る金属製糸３Ａを抜糸して、流路として機能する管状の中空部１４を形成する。金属製糸３Ａの表面に、摩擦係数の小さな材料を被覆をする。金属製糸３Ａは、引っ張りにより弾性変形して、中空部１４の内径よりも縮径する材料から形成する。中空部１４は、ｎｍ〜μｍ単位の微小な直径を有する。
328 2003-311698 2002/04/24 株式会社沖センサデバイス 学校法人東海大学 機構デバイスの製造方法、機構デバイス、マイクロリードスイッチおよび静電駆動型スイッチ A4 PA08 PI02 4

(57)【要約】【課題】 マイクロマシン技術を用いることにより小型に構成でき、また、スイッチやセンサなどに応用してこれらの小型化にも貢献できる片持ち梁構造を有する機構デバイスを得る。【解決手段】 基板１上に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、犠牲層の一部を含む基板１上に導電性材料で構成された構造層３１を形成し、犠牲層をエッチングにより除去して基板２上に片持ち梁構造部３１を形成する片持ち梁構造形成工程とを有し、犠牲層および構造層３１のそれぞれを、フォトレジスト膜をパターニングして開口パターンを形成するフォトリソグラフィ工程と、開口パターン部分に電解メッキにより所定の層を積層する電解メッキ工程と、フォトレジスト膜を除去するエッチング工程とによって形成する。
329 2003-311699 2002/04/24 株式会社沖センサデバイス 学校法人東海大学 機構デバイスの製造方法 A4 DAX 5

(57)【要約】【課題】 多層構造を有する機構デバイスの製造工程におけるオーバエッチングを防止することが可能な機構デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 基板１にフォトレジスト膜と塗布する工程と、フォトリソグラフィによりフォトレジスト膜に開口パターンを形成する工程と、基板１において開口パターンにより露呈された部分をウェットエッチングにより除去して所定のパターンを形成する工程とを少なくとも実施して多層構造を有する機構デバイス１００を製造する方法であって、所定のパターンを含む保護対象のパターンの表面全体を耐エッチング層で覆うようにしたものである。
330 2003-315698 2002/04/23 松下電工株式会社 光スイッチ A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 光束の比較的大きい光信号においてもその通過或いは遮断を制御できる光スイッチを提供すること。【解決手段】 少なくとも可動子１２の一端に可動電極１３を有し、他端に光を遮断するスイッチ板１１を設けるとともに、可動子１２から突出してねじれ方向に弾性を有する連結子１４，１４とそれに一体形成されたアンカー１５とを備えた揺動体１と、可動子１２の連結子１４，１４を設けた部位に当接して揺動体１を支持する支持部２１を有し、可動電極１３と相対する位置に固定電極２３を備えたベース基板２と、から構成され、連結子１４，１４を可動子１２の中心位置から可動電極１３側に変位した位置に設けてスイッチ板１１の変位量を大きくした光スイッチ。
331 2003-315701 2002/04/25 株式会社日立製作所 ミラーデバイス及び該ミラーデバイスを備えた光スイッチ A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】可動ミラー部に反りやうねりが無く、平面が経年変化せずに安定であり、且つ傾斜角度が大きく、また静電吸着を防止したミラーデバイス及び該をミラーデバイスを備えた小型で信頼性の高い光スイッチを提供する。【解決手段】表面に光反射面を有し、光反射面と反対側の背面に電極7が設けられた可動ミラー部2と、可動ミラー部2の下方位置にあって、可動ミラー部2の背面と対向する表面に電極7を有する基板6と、可動ミラー部2を周囲から揺動自在に支持する梁3とから構成されるミラーデバイスにおいて、基板6の電極8と対向する可動ミラー部2の背面中央に、突起部5が形成され、突起部5の先端において、可動ミラー部2が基板6に揺動自在に支持されている。
332 2003-315724 2002/04/26 株式会社リコー 振動ミラーとその製造方法、光走査装置、画像形成装置 A4 PI03 FP

(57)【要約】【課題】 可動ミラー部をねじり梁部を軸に振動させる振動ミラーにおいて、可動ミラー部の慣性モーメント減少のための凹部の形成に関連した加工の単純化、時間短縮を図る。【解決手段】 可動ミラー部１０１のミラー面１０７を、酸化膜１０５を介して接合された３層基板のシリコン基板１０４の接合面側に形成し、可動ミラー１０１の薄い領域（凹部）１０８の形成面をシリコン基板１０４の表面と同一面とする。シリコン基板１０４に対し、段差のあるエッチングスクを用いてエッチングを行うことにより、可動ミラー部１０１、ねじり梁部１０２ａ，１０２ｂ及び支持枠部１０３の輪郭をなす貫通部を形成すると同時に可動ミラー部１０１の薄い領域（凹部）１０８を形成する。
333 2003-322807 2003/04/03 ヒューレット・パッカード・カンパニー 超小型鏡デバイスおよびその形成方法 A4 DA04 FP

(57)【要約】【課題】 性能の良い超小型鏡デバイスを提供する。【解決手段】 超小型鏡デバイスは、表面を有する基板と、基板の表面から離間されており実質的に向きが平行であり、その結果基板の表面との間にキャビティを定めるプレートとを備える。キャビティ内に誘電液体が配置され、基板の表面とプレートとの間には反射要素が介在する。そのようにして、反射要素が、第１の位置と少なくとも１つの第２の位置との間で動くようになっている。
334 2003-323840 2002/04/26 オムロン株式会社 リレー A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】 例えば２ａ接点構造、ｃ接点構造、ｂ接点構造などのリレーにおいて、可動接点を駆動して接点間を速断、速入することができる簡略な構造のリレーを提供する。【解決手段】 固定基板２の表面に固定接点７Ｓ、８Ｓ、９Ｓを設ける。固定接点８Ｓと９Ｓは、互いに高さが異なり、且つ、絶縁スペーサ１２によって互いに電気的に絶縁されている。固定基板２に対向させるようにして固定基板２上に固定された可動側基板３には、屈曲可能な可動接点２０が設けられており、可動接点２０の一方端部には固定接点７Ｓが対向し、可動接点２０の他方端部には固定接点８Ｓ、９Ｓ及び絶縁スペーサ１２が対向している。また、互いに対向させるようにして固定基板２には固定電極６が、可動側基板３には可動電極１５Ａ、１５Ｂが設けられている。
335 2003-326497 2002/05/09 太陽誘電株式会社 マイクロチャンネル構造体びその製造方法 A4 DC01 PIX FP

(57)【要約】【課題】 複数のマイクロチャンネルが高精度に且つ立体的に配列されたマイクロチャンネル構造体を提供する。【解決手段】 ゾルゲル法による固体生成を可能とした材料から成り相互間に隙間を存する複数の層状物から１つの層が構成された７層構造を備え、前記隙間によって積層方向に非連続の計２４個のマイクロチャネル５ａが形成されている。１つの層を構成する複数の層状物の相互間隙間を利用して多層構造中に積層方向に非連続の計２４個のマイクロチャネル５ａが形成されているので、複数のマイクロチャンネル５ａを立体的に配列することが容易で、しかも、層状物としてゾルゲル材料を使用することから形成されるマイクロチャンネル５ａの精度も高い。
336 2003-326498 2002/05/01 ローム株式会社 半導体デバイス及びその製造方法 A4 DC03 PC01 2

(57)【要約】【課題】 半導体基板の裏面から表面側に貫通孔を形成し、基板表面の所望の位置に所望の大きさの開口を形成する。【解決手段】 半導体基板１にエッチングストッパとして機能するガイド２を形成する。ガイド２に幅Ｗ２の開口２０１を形成しておく。開口２０１は、貫通孔３の形成に用いるマスクの開口に対向しており、その幅Ｗ２はマスクの開口幅Ｗ４よりも狭い。基板裏面１ｂから表面１ａに向かってエッチングを行う途中で、エッチングの進行方向がガイド２に形成された開口２０１により制御されるので、基板表面１ａの開口１０１の幅Ｗ１及び位置のずれを抑制することができる。
337 2003-326499 2002/05/01 ローム株式会社 半導体デバイス及びその製造方法 A4 DC03 PC01 FP

(57)【要約】【課題】 半導体基板の裏面１ｂから表面１ａ側に貫通孔を形成し、基板表面の所望の位置に所望の大きさの開口を形成する。【解決手段】 半導体基板１に１μｍ程度の幅の溝状ガイド２を形成する（Ａ）。ガイド２周辺に格子欠陥１２を導入し（Ｂ）、ガイド２を覆う表面膜３上に集積回路４などを形成する（Ｃ、Ｄ）。その後、裏面からエッチングによりガイド１１の先端まで貫通孔１４を形成し(E)、次いで異方性エッチングにより貫通孔１４を表面まで貫通させる（Ｆ）。貫通孔１４に残留する表面膜３の一部を除去し（Ｇ）、貫通孔１４の幅を所望の幅までエッチングにより広げる（Ｈ）。
338 2003-326500 2002/05/07 江刺　正喜 株式会社メムス・コア ウエーハプロセス用薄板基板構造とこの薄板基板を用いたＭＥＭＳ素子の製造方法 A4 PG01 8

(57)【要約】【課題】 大口径ウエーハプロセス工程に適する基板構造を提供する。【解決手段】 本体基板と補助基板が接着層により貼り合せて一体化した構造を形成して、これをウエーハプロセス用薄板基板構造とする。補助基板は耐熱性があり容易に除去可能な材料である。接着層は耐熱性があり容易に除去可能な材料である。ウエーハプロセス用薄板基板構造は本体基板ウエーハを薄板化した構造と、薄板化した構造の基板ウエーハに、ウエーハプロセスによって所要のパターンを形成した構造を特徴とし、これによりパッケージング構造のＭＥＭＳ素子を提供する。
339 2003-328200 2002/05/10 住友電気工業株式会社 住友重機械工業株式会社 光部品の製造方法 A4 DA01 PCX FP

(57)【要約】【課題】 光部品を小型化する。【解決手段】 光励起電解研磨法を用いて支持基板２１に貫通孔３２を形成する。貫通孔３２の底面から露出するＢＯＸ層２２を除去し、ＳＯＩ層２３の裏面を露出させる。次に、再び光励起電解研磨法を用いて貫通孔３２の側面にだけ絶縁層３７を形成する。この後、溶融金属吸引法を用いて貫通孔３２に金属を充填し、貫通電極１８ａ、１８ｂを形成する。これにより、面積の小さな貫通電極を形成できるので、光部品の小型化・高集積化が可能となる。
340 2003-329945 2002/05/09 日本電気株式会社 光デバイス A4 DA04 FP

(57)【要約】【課題】 単純な構造で、低電圧駆動を可能とし、更にミラーの沈み込みを防止すると共に、ミラー可動範囲が広く、大規模集積化が可能な光デバイスを提供する。【解決手段】 可動ミラー１の表面側と裏面側に夫々上側電極基板８と下側電極基板４が配置されており、各基板８及び４には、夫々電極パッド２ａ、２ｂと、電極パッド３ａ、３ｂとがミラー１の縁部に対向するようにミラー１から適長間隔をおいて配置されている。ミラー１はバネ７ａ、７ｂを介してアンカー６ａ、６ｂに支持されている。上側電極基板８と電極パッド２ａ、２ｂ及び配線１２ａ、１２ｂは透明材料で形成されており、光信号を透過する。電極パッド２ａ、２ｂ、３ａ、３ｂとミラー１との間の静電引力により、ミラー１が傾斜し、光信号の反射方向を制御する。
341 2003-329946 2002/05/10 日本航空電子工業株式会社 光スイッチ A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 電極間距離を所望の距離に容易に設定でき、また固定電極側に突起や貼り付き防止用の電極パターン等の形成を容易に行えるようにする。【解決手段】 異方性エッチングによりＶ溝６４が形成され、かつミラー基体が形成されてそのミラー基体に金属がコーティングされてマイクロミラー６５が構成されている上面側単結晶シリコン層６１と、可動電極板６７及びフレクチャー部６８が形成されている下面側単結晶シリコン層６３と、それら間に介在する二酸化シリコン層６２との三層構造よりなる上部基板６０と、固定電極４１が形成された下部基板４０とがスペーサ５０を介して接合された構造とする。スペーサ５０の厚さによって電極間距離が設定され、下部基板４０は従来のような隆起部は不要で、固定電極形成面は平坦面とされる。
342 2003-329948 2002/05/15 日立電線株式会社 江刺　正喜 光スイッチ A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 ラッチ時にミラーが傾斜することがなく、自己保持が可能で、歩留まりが高く、信頼性に優れた光スイッチを提供する。【解決手段】 ミラー２４のラッチ時にはミラー２４を少なくとも一対の突起部５６ａ、５６ｂ、６０ａ、６０ｂで両側から挟むのでミラー２４が傾くことがなくなる。また、本発明によれば、支持枠３８のラッチ時には支持枠３８を少なくとも一対の突起部７０ａ、７０ｂ、７４ａ、７４ｂで両側から挟むのでミラー２４が傾くことがなくなる。このため、光スイッチの信頼性が向上する。ラッチを作動させるときは非通電状態であり、ラッチの解除するときだけ通電状態であるため、自己保持が可能となる。
343 2003-329949 2002/05/15 日立電線株式会社 江刺　正喜 光スイッチ及び光スイッチの製造方法 A4 DA01 PA08 FP

(57)【要約】【課題】 製造が容易な光スイッチ及び光スイッチの製造方法を提供する。【解決手段】 基板１に形成された溝２０にミラーベース３を垂直に挿入し、第１の配線パターン２２と第２の配線パターン２３とが直交する交差部をめっきするだけでよいので、第１の配線パターン２２と第２の配線パターン２３との間のボンディング作業が不要となり、製造が容易となる。第１の配線パターンと第２の配線パターンとをフレキシブル基板に形成された第３の配線パターンで接続すると共に、基板とミラーベースとを樹脂で固定してミラーベースを垂直に折り曲げるだけでよいので、第１の配線パターンと第２の配線パターンとの間のボンディング作業が不要となり、製造が容易となる。
344 2003-334798 2002/08/30 株式会社ニコン 液中作動マイクロアクチュエータ及び光スイッチ A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 動作を高速化する。【解決手段】 固定電極２５と可動電極１７との間に電圧を供給すると、静電力により、可動電極１７を有する接続部１６の下面が、固定電極２５上に形成された絶縁膜４６の上面に接触する。この状態から、固定電極２５と可動電極１７との間に電圧を供給しない状態にすると、接続部１６は、絶縁膜４６の上面から離れていく。このとき、絶縁膜４６の上面には溝４３が形成されているため、溝４３が、接続部１６の下面とこれが接触していた絶縁膜４６の上面との間に周囲の液体を導く案内路となり、その間に周囲の液体がスムーズに入り込んでいく。よって、接続部１６は短時間で絶縁膜４６から離れていく。
345 2003-337099 2002/05/17 独立行政法人産業技術総合研究所 ナノチューブを用いた探針 A4 MI05 FP

(57)【要約】【課題】ナノチューブのベース探針からの剥離を察知し、ナノチューブ探針の交換時期を容易に把握しうるナノチューブ探針を提供する。【解決手段】ベース探針の先端形状を非先鋭化し、これにナノチューブを固定して、ナノチューブ探針を構成する。
346 2003-340795 2002/05/20 ソニー株式会社 静電駆動型ＭＥＭＳ素子とその製造方法、光学ＭＥＭＳ素子、光変調素子、ＧＬＶデバイス及びレーザディスプレイ A4 DAX FP

(57)【要約】【課題】 静電駆動型ＭＥＭＳ素子を構成するビームの平坦化を図り、或いはビーム形状の安定化、均一化を図る。【解決手段】 基板側電極３３と、基板側電極３３に対向して配置され、駆動側電極３７を有して両端部分が支持されたビーム３６とを備え、ビーム３６の両端部分に夫々少なくとも２つの支持部３５Ａ，３５Ｂ、及び３５Ｃ，３５Ｄを有し、該支持部３５のうち、内側の支持部３５Ｂ，３５Ｃの高さｔ1 が外側の支持部３５Ａ，３５Ｄの高さｔ2 より低く設定されて成る。
347 2003-340796 2002/05/29 株式会社リコー 静電型アクチュエータ、液滴吐出ヘッド及びインクジェット記録装置 A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】 振動板と電極との吸着防止のための電極形状の加工性及び信頼性が十分でない。【解決手段】 ノズル孔４が連通する吐出室６の１つの壁面を形成する振動板１４とこれに対向する電極１５とを備え、振動板１４の電極側表面には凸部１７を形成し、電極１５の振動板側表面には凹部１８を形成し、更に振動板１４の電極側表面及び電極１５の振動板側表面に絶縁膜１９、２０を形成した。
348 2003-340798 2003/04/03 ヒューレット・パッカード・カンパニー 超小型電子マシンデバイスおよびデータ記憶モジュール A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】 可動マスの相対的なサイズが大きいＭＥＭＳデバイスを提供する。【解決手段】 超小型電子マシンデバイス１１０は、可動マス１１２と、可動マス１１２を支持するフレーム１１４と、可動マス１１２とフレーム１１４との間で延びているフレクシュア１０とを備える。フレクシュア１０は、可動マス１１２をフレーム１１４に対して動かす一体型アクチュエータ１８を有する。
349 2003-340799 2002/05/27 住友電気工業株式会社 微小駆動部品の製造方法 A4 DA01 PB01 FP

(57)【要約】【課題】 梁部と基板との接着を防止することができる微小駆動部品の製造方法を提供する。【解決手段】 マイクロアクチュエータを製作する場合は、Ｓｉ基板上に片持ち梁部を形成した後、Ｓｉ基板における片持ち梁部の下側部分をエッチングする。このとき、先ずＸｅＦ2ガスを導入し、このＸｅＦ2ガスにサンプルの表面を所定時間さらしておく。これにより、Ｓｉ基板にＸｅＦ2が吸着して化学反応が起こり、ＳｉＦ4及びＸｅが生成される。次いで、真空ポンプにより所定の到達真空度まで真空引きすることで、ＳｉＦ4及びＸｅを減圧排気する。以上により、１サイクルにおけるＳｉ基板のエッチング処理が完了する。
350 2003-340832 2002/05/31 株式会社ニコン 光学素子成形用金型の製造方法 A4 PIX FP

(57)【要約】【課題】 窪みの周囲に盛上りが殆ど形成されず、深い窪みを形成することができ、圧子の形状の転写性が優れた光学素子成形用金型の製造方法を提供する。【解決手段】 金属板１の表面１１にマイクロレンズアレイを成形するための凹面状の窪み１２を形成するマイクロレンズアレイ成形用金型の製造方法において、まず、金属板１の裏面１３に凹部１４を形成するエッチング加工工程を行い、エッチング加工工程の後、凹部１４の裏面に位置する部分にダイヤモンド圧子３を押し付けて窪み１２を形成する圧痕加工工程を行うようにした。
351 2003-341051 2002/05/29 株式会社リコー マイクロアクチュエータ、液滴吐出ヘッド及びインクジェット記録装置 A4 DBX 1

(57)【要約】【課題】 低コストで、高い動作効率が得られない。【解決手段】 振動板１０の下面には相互に電気的に互いに分離された導電性を有する構造体からなる複数の櫛歯状に形成した電極１４ａ、１４ｂと、２つの電極１４ａ、１４ｂ間に形成した電気機械変換体である構造体からなる複数の圧電体１５とからなる積層圧電構造体１６を設け、電極間の距離をＷ、振動板の短辺方向における電極の寸法幅をＷｄとしたとき、Ｗ／Ｗｄが１以上であり、積層圧電構造体１６に電圧を印加して伸縮させることにより振動板１０を変形させる。
352 2003-341076 2002/07/08 セイコーエプソン株式会社 電歪アクチュエータの製造方法、及び、液体噴射ヘッドの製造方法 A4 DBX 1

(57)【要約】【課題】 製造効率を高めることができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】 複数のヘッド本体を取付ベースに取り付ける取付工程において、１つの記録ヘッドに取り付ける複数のヘッド本体を、セラミックスシート１８における収縮率が等しいチップ領域１９の電歪アクチュエータ３…から作製されたヘッド本体にする。収縮率が行方向に揃ったセラミックスシート１８では、チップ領域Ａ１〜Ａ４のアクチュエータユニット３…をセットにする。同様に、チップ領域Ｂ１〜Ｂ４、チップ領域Ｃ１〜Ｃ４、或いは、チップ領域Ｄ１〜Ｄ４のアクチュエータユニット３…をセットにする。
353 2003-342012 2002/05/27 株式会社ノリタケカンパニーリミテド カーボンナノチューブカソードの製造方法 A4 MI04 FP

(57)【要約】【課題】 直径の小さな複数のカーボンナノチューブを備えたカーボンナノチューブカソードを容易に製造できるようにする。【解決手段】 ブロックコポリマー層１０２をエッチングし、選択的に粒状領域１０２ａを除去し、複数の孔が形成されたブロックコポリマー層１０２を形成し、このブロックコポリマー層１０２をマスクとして基板１０１をエッチング加工し、基板１０１表面に複数の孔部１０１ａを形成し、この孔部１０１ａ内に触媒金属層１０３を形成する。
354 2003-342791 2003/03/10 キヤノン株式会社 細孔を有する構造体及びその製造方法 A4 DF02 FP

(57)【要約】【課題】 ナノホール底部が下地層まで貫通し、かつ陽極酸化アルミナナノホール層と下地金属層との密着性に優れたナノ構造体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板１１上に陽極酸化法により形成される陽極酸化アルミナナノホール層１５を具備するナノ構造体において、前記陽極酸化アルミナナノホール層１５の下部に微細孔１６を有する接合層１３を介して下地層１２が設けられ、且つ前記陽極酸化アルミナナノホール層１５が前記微細孔を介して前記下地層１２まで貫通しており、且つ前記微細孔を有する接合層がＳｉを主成分として含有するナノ構造体。
355 2003-342839 2002/05/23 三菱重工業株式会社 持田　勲 尹　聖昊 炭素ナノ繊維素 A4 MI04 FP

(57)【要約】【課題】 繊維状ナノ炭素を構成する新規な炭素ナノ繊維素及び繊維状ナノ炭素を提供することを課題とする。【解決手段】 一方向に伸びる中心軸を有する炭素ヘキサゴナル網面１１から炭素ナノ繊維素（カーボン ナノ- フィブラス- ロッド：Carbon Nano-fiberous-Rod ）１２が構成されており、この炭素ナノ繊維素が三次元的に集合して繊維状ナノ炭素を形成する。
356 2003-344234 2002/05/28 コニカミノルタホールディングス株式会社 マイクロサンプリングシステム、装置及び分析法並びにマイクロナイフ A4 DEX FP

(57)【要約】【課題】実体顕微鏡・ＣＣＤカメラ及びモニター・マイクロマニピュレーター・超マイクロナイフの組み合わせで、例えば５０μｍ以下のサンプルを採取して行うマイクロサンプリングに好ましく適用されるマイクロサンプリングシステム、装置及び分析法並びにマイクロナイフを提供する。【解決手段】被験物から大きさ１μｍ〜１００μｍのサンプルの切除・剥離が可能である工業目的サンプリング用のマイクロナイフにおいて、モース硬度６以上の硬度を有する材料で形成され、５０μｍ以下のサンプルの切除・剥離が可能であるブレードを備えており、且つ、該ブレードのエッジに引き続く部分に凹部が形成されていることを特徴とする工業目的サンプリング用のマイクロナイフである。
357 2003-344246 2002/05/22 有限会社アイエスアイ 日立計測器サービス株式会社 ナノ構造超微細素材の検査識別方法とそのシステムおよびそれによって得られた機能性ナノ構造超微細素材 A4 DF02 FP

(57)【要約】 （修正有）【課題】高純度なナノ構造超微細素材を迅速高精度に分解能を１．８Åに固定して分析できるＴＥＭとＥＤＸによるナノ構造の検査判定システムを総合的に提供し、それによって正確に内部構造や組織又は膜の厚さや粒子の格子間距離が測定された高い機能を有する素材をも提供すること、さらに、超微粒子界面に均質に密着成膜した酸化物層を提供し、有機化合物や生物体の構造破壊や結晶転移等の損傷を防御することを目的とする。【解決手段】ナノ構造超微細素材に超薄膜酸化物層を少くとも１層、必要に応じて複層形成し、耐電子線を付与することにより、ナノ構造超微細素材のより精密な検査識別を行おうとするものである。また、上記ナノ構造超微細素材の製造工程に分析データを即座に対応させるため、ＴＥＭに専用回線又はＰＨＳ回線が接続されたサーバを接続させることによって、製造上の問題の解決と該素材の反応の終点の確定をするものである。
358 2003-344445 2002/05/24 三菱電機株式会社 慣性力センサ A4 DD01 FP

(57)【要約】【課題】 慣性力による過度の変位に伴うセンサの損傷を防止して、信頼性を向上させた慣性力センサを提供すること。【解決手段】 可動電極部の変位を抑制するストッパー部を、一対の可動部用梁部の外側の四隅に設ける一方、可動電極部に突設された可動側片持ち梁と、可動部用支持部あるいは固定部用支持部から突設された固定側片持ち梁と、から成るダンパ部を、可動電極部が可動部用支持部及び固定部用支持部に当接するに先立って、可動側片持ち梁と固定側片持ち梁とが互いに接触するように配設した。
359 2003-344785 2002/05/24 富士通株式会社 富士通メディアデバイス株式会社 マイクロミラー素子 A4 DA04 FP

(57)【要約】【課題】 ミラー面の数の増加に伴う素子の大型化を抑制可能なマイクロミラー素子を提供すること。【解決手段】 マイクロミラー素子Ｘ１において、フレーム部１３０と、ミラー部を有する可動部１１０，１２０と、フレーム部１３０および可動部１１０，１２０を連結するトーションバー１５０とが形成されているマイクロミラー基板１００と、配線パターン２１０が形成されている配線基板２００と、マイクロミラー基板１００および配線基板２００を離隔させつつフレーム部１３０および配線パターン２１０を電気的に接続するための導電スペーサ３００とを備えることとする。
360 2003-344786 2002/05/27 松下電工株式会社 静電アクチュエータ A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】 低消費電力を可能にするとともに大きな変位を得ることができる静電アクチュエータを提供すること。【解決手段】 表面に固定電極１１と支点部１２を設けた支持基板１と、固定電極１１と空隙を有して対向するように配置された可動電極２１と、可動電極２１に一体形成されて支持基板１と連結された固定部２２と、可動電極２１と同一平面内に連設された可動子２３とからなる可動アーム２と、を具備し、固定電極１１と可動電極２１との間の静電引力により可動電極２１を中心に可動アーム２を可撓させ、可動アーム２を梃子として支点部１２を支点に可動子２３を回動させる静電アクチュエータ。
361 2003-344787 2002/05/28 松下電工株式会社 光スイッチ及びその製造方法 A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 光軸調整が容易であり、また作製が容易な光スイッチを提供する。【解決手段】 両端部が光入射部１と光出射部２として形成され、内面に光反射膜３が設けられた複数の光導波管４。光出射部２と光入射部１とを対向させて配置した隣合う光導波管４の間に設けられ、光出射部２から出射した光を反射させる位置と反射させない位置との間で移動可能なミラー５。複数の光導波管４のうち端部に位置する光導波管４の光入射部１あるいは光出射部２に移動可能なミラー５を介して光出射部２あるいは光入射部１を対向させて配置され、内面に光反射膜３が設けられた端部光導波管６。これらを備えて光スイッチを形成する。
362 2003-344788 2002/05/28 松下電工株式会社 光スイッチ及びその製造方法 A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 光軸調整が容易であり、また作製が容易な光スイッチを提供する。【解決手段】 両端部が光入射部１と光出射部２として形成され、光透過性材料の外周を光反射膜で包囲した複数の光導波路４。光出射部２と光入射部１とを対向させて配置した隣合う光導波路４の間に設けられ、光出射部２から出射した光を反射させる位置と反射させない位置との間で移動可能なミラー５。複数の光導波路４のうち端部に位置する光導波路４の光入射部１あるいは光出射部２にミラー５を介して光出射部２あるは光入射部１を対向させて配置され、光透過性材料の外周を光反射膜で包囲した端部光導波路６。これらを備えて光スイッチを形成する。
363 2003-344799 2002/05/29 日本ビクター株式会社 光偏向器の製造方法 A4 DAX FP

(57)【要約】【課題】 固定電極を配置する、良好な傾斜面を、少ない工程数で形成できる。【解決手段】 断面が三角形状の両斜面にそれぞれ配置された一対の固定電極を有する基台と、前記一対の固定電極の上方に配置され、且つ前記基台の前記三角形状の頂点の上方に位置する支持部を中心として回動可能である反射面を有する可動電極を有する光偏向器の製造方法であって、基板５１上に形成したレジスト層５２の上方にマスクパターンを有するフォトマスク５３を配置して、露光光５４を第１の入射角及び第２の入射角で照射・露光後、現像し、形成されたフォトレジストパターン５２ａと基板５１の一部をＲＩＥで除去して基台５１Ａを得、基台５１Ａ上に形成された前記三角形状の前記両斜面に一対の前記固定電極を形成し、前記三角形状の頂点の上方に前記支持部が位置するように前記可動電極を配置する。
364 2003-346629 2003/03/17 アジレント・テクノロジーズ・インク 液体金属マイクロスイッチを利用した高周波リレー A4 DB01 FP

(57)【要約】【課題】高周波伝送特性のよい高周波リレーを提供する。【解決手段】 上記課題は、移動極が高周波入出力端子に接続されている複数の単極双投型の液体金属マイクロスイッチが、一致して動作するように連結されており、両スイッチ間にそれぞれ高周波回路を挿入された高周波リレーにより解決される。
365 2003-347622 2002/07/08 セイコーエプソン株式会社 圧電素子の製造方法及び圧電素子、電歪アクチュエータの製造方法及び電歪アクチュエータ、液体噴射ヘッドの製造方法及び液体噴射ヘッド A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】 多層構造の圧電素子の製造効率を高めると共に、所望の圧電特性を付与する。【解決手段】 圧力室１２とは反対側の振動板表面に形成された圧電素子は、互いに積層された上層圧電体３４及び下層圧電体３５からなる圧電体層３１と、この圧電体層３１に付与される電場を発生する電極層３３，３６，３７とを備えた多層構造とする。共通上電極３６及び共通下電極３７をそれぞれ、基電極４２，４４とこれらの基電極から各圧電体層３１に延設された複数の枝電極４３，４５とからなる櫛歯状電極によって構成する。分極処理時において、上層圧電体３４と下層圧電体３５を個別に分極すると共に、その分極条件も個々に設定する。
366 2003-500205 2000/05/11 オーキッド・バイオサイエンシーズ・インコーポレイテッド 複数流体サンプルプロセッサーおよびシステム A4 DC02 DC03 DE01 DE02MA01 MD01 MD09 ME10 MF01 MF02 2
WO2000/072968 (57)【要約】複数流体サンプルプロセッサー（１０）と高スループット化学合成と生物学的アッセイおよび／または処理。マイクロチャネル、リザーバー（２０）と、反応ウエルを有する多層化流体アレイ（１０）が、ロボットおよび自動化操作にかけられる。圧力ポンピングシステムが液体デリバリーと合成プロセスによる制御に使用される。マイクロサイズチャネル、アパーチャ、およびバルブが、液体分配とチャネル充填を最適化するように調節される。流体サンプルプロセッサー（１０）は、処理の速度、量および効率を増加するためにマイクロタイター様式で一緒にグループ化することができる。
367 2003-501274 2000/05/19 エムシーエヌシー エアギャップを有するマイクロマシン静電アクチュエータ A4 DBX FP
WO2000/073839 (57)【要約】より低くより予測可能な動作電圧で動作するＭＥＭＳ静電装置を提供する。静電アクチュエータ、電磁放射線の静電減衰器、及び電磁放射線を減衰する方法を提供する。改善された動作電圧特性は、静電装置内の基板電極とフレキシブル複合材電極との間に増大しないエアギャップを定めることによって実現される。エレクトロメカニカル基板上に重なる多層のフレキシブル複合材の中間部分は、静電力の印加に関係なく所定に位置に保持され、定められたエアギャップが維持される。中間部分が片持されるときに、エアギャップが、下に横たわるマイクロ電子面からの分離について比較的一定である実施態様を提供する。あるいは、中間部分が下に横たわるマイクロ電子面に近づいて接触するときにゼロまで減少するエアギャップが与えられる実施態様も更に提供する。フレキシブル複合材の可動性の末端部分は、複合材層の間の熱膨張係数の違いによって一方に偏って自然にカールする。静電力に応答して、末端部分が動いて、その結果、フレキシブル複合材が下に横たわるマイクロ電子面から離れる距離が変化する。中間部分において一方への偏りを制御するための構造と技術、そして結果として生じるエアギャップを提供する。静電装置は、電磁放射線の経路を選択的に通過させたり遮ったりするように配置できる。減衰器に使用される材料は、様々なタイプの電磁放射線を通過させたり、反射したり、あるいは吸収したりするよう選択できる。複数の電磁減衰器がアレイに配置され、そして選択的にそのサブセットを作動することができる。
368 2003-502161 2000/06/14 キオニックス　インコーポレーテッド マイクロエレクトロメカニカルおよびマイクロフルイディック装置を製造する改良された方法 A4 DCX MA01 MF01 12A
WO2000/076911 (57)【要約】本発明の３つの基本的な側面および３つの派生した側面が開示されている。前記３つの基本的な側面はそれぞれ、全処理に統合し得る処理工程を開示する。「潜伏マスキング」と呼ばれる第１の側面は、シリコン酸化物のような耐久性のある物質にマスクを規定し、該マスクは、形成後、中間処理操作が行われている間は停止したまま保持される。この潜伏酸化物パターンは、その後、エッチングをマスクするのに用いられる。「同時多段階エッチング（simultaneous multi-level etching SMILE）」と呼ばれる第２の側面は、下の物質に対してエッチングを行う際に第１のパターンを第２のパターンより早く開始することができるので、第１のパターンを第２のパターンより深くも浅くも同じ深さにもエッチングすることができる処理工程を提供する。「遅延ＬＯＣＯＳ」と呼ばれる第３の側面は、処理のある段階でコンタクトホールのパターンを規定し、それから、この規定されたパターンを後の段階で使用してコンタクトホールを開く手段を提供する。第４の側面は、一体型液体クロマトグラフィ（ＬＣ）/エレクトロスプレーイオン化（ＥＳＩ）装置を製造するために３つの基本的側面を全て組み込んだ処理工程を提供する。第５の側面は、ＥＳＩ装置を製造するために前記基本的側面の２つを組み込んだ処理工程を提供する。第６の側面は、ＬＣ装置を製造するために前記基本的側面の２つを組み込んだ処理工程を提供する。上記の処理改良により、先に開示された製造方法に比べて製造収量および設計の自由度が増す。
369 2003-502165 2000/06/22 ハネウェル・インコーポレーテッド 精密に画定された微細電気機械構造体及び関連する製造方法 A4 PI01 FP
WO2000/078667 (57)【要約】正確に繰り返して形成することができるシリコン部分を形成するためにガラス基板のような支持基板に接着されたシリコン・オン絶縁（ＳＯＩ）ウエハからＭＥＭＳ構造を製造する方法が提供される。ＳＯＩウエハは、ハンドルウエハ、ハンドルウエハ上に配置される絶縁層、及び絶縁層上に配置されたシリコン層を含む。シリコン層を通る少なくとも１つのトレンチがリアクティブ・イオン・エッチングによってエッチングされる。トレンチは、リアクティブ・イオン・エッチングを使用することによって、０．１ミクロンないし０．２ミクロンの公差内で所定に幅で正確に形成することができる。支持基板をシリコン層に接着した後、リアクティブ・イオン・エッチングによってハンドルウエハが取り除かれる。その後、一般にリアクティブ・イオン・エッチングを用いて絶縁層が取り除かれ、１ミクロン内の差異で非常に正確で反復可能な寸法形状を有するＭＥＭＳ構造を形成する。０．２ミクロン以下の寸法で変化する複数のシリコン部分が支持基板に接着され、同じかほぼ同じ性能を有する複数のＭＥＭＳ素子を有する配列を形成する、本発明によるＭＥＭＳ構造が提供される。
370 2003-502166 2000/06/22 プレジデント・アンド・フェローズ・オブ・ハーバード・カレッジ 固体状態の次元的特徴の制御 A4 DF02 DFX PI03 PJX MA01 2D
WO2000/078668 (57)【要約】固体状態構造体上に制御された固体状態の構造体的な特徴部部を製作する方法であって、予め特定した特徴部部を構造体内に製造するように選択された条件下で、構造体を製作処理環境に暴露する工程を含む方法を提供する。ここでは構造体の処理環境への暴露の間、物理的検出種を指定された構造体位置に向け、指定された構造体位置の横断線からの軌跡内で検出種を検出し、予め特定した特徴部部の物理的次元の変化を指示する。次いで、物理種検出に応答して製作処理環境を制御し、構造体特徴部部を製作する。また、本発明は、イオンフラックス暴露に応答して、実質上、構造体原料物質が構造体特徴部部に移動されることにより、特徴部の少なくとも１つの物理的次元の変化が起るように選択された条件下、選択した構造体温度で構造体をイオンのフラックスに暴露することにより、構造体特徴部部の物理的次元を制御するか特徴部を形成させる方法を提供する。
371 2003-503227 2000/05/24 シルバーブルック　リサーチ　ピーティーワイ　リミテッド マイクロ機械装置の熱屈曲アクチュエータ A4 DBX FP
WO2001/002287 (57)【要約】熱屈曲アクチュエータ（２８）は、ロッド要素（１０２）を介して接続された二つの間隔を空けて位置するアーム（３１，３２）を有している。ロッド要素（１０２）は、ねじり棒（１１０，１１２，１１４，１１６，１１８）を介して互いに接続されている。一本のアーム（３２）を導電的に加熱して、電流を流すことによりアクチュエータ（２８）を屈曲させることができる。ロッド要素（１０２）とねじり棒（１１０，１１２，１１４，１１６，１１８）は、アクチュエータ（２８）の不適切な動作を引き起こす可能性のある不本意な屈曲状態が起きる可能性を低減する。アクチュエータ（２８）は、インクジェット装置のノズル室のなかのインク移動パドルを移動させるために使用することができる。
372 2003-503816 2000/06/23 エムシーエヌシー 高圧用マイクロ機械加工された静電スイッチ A4 DBX FP
WO2001/001434 (57)【要約】【課題】 比較的低い静電気の動作電圧を使用して、高圧を切り換えることができる、ＭＥＭＳ式の静電気的に動作する高圧用スイッチ又はリレーディバイスを提供する。【解決手段】 マイクロ電子基板、基板電極、および、１つ以上の基板接点、を備えるとともに、基板の上側にある可動の複合体、１つ以上の複合接点、および、少なくとも１つの絶縁体、も備え、その断面において可動の複合体は、電極層とバイアス層とからなるＭＥＭＳディバイス。
373 2003-504800 2000/05/04 エムシーエヌシー 耐アーク性高電圧静電スイッチ A4 DBX FP
WO2001/003152 (57)【要約】高電圧を切換えることが可能である一方で、改善された耐アーク性を提供するＭＥＭＳ（マイクロエレクトロメカニカルシステム）静電作動式装置が提供される。ＭＥＭＳ装置は、超小形電子基板、基板電極、第１の接点組および第２の接点組、絶縁体、および可動複合体を含む。可動複合体は、基板および基板電極に上重ねされる。横断面で見て、可動複合体は、電極層および偏倚層を含んでいる。長さで見て、可動複合体は、下に位置する基板に取付けられている固定部分と、中間部分と、基板電極に対して可動の遠位部分とを含んでいる。各接点組は、可動複合体に取付けられている少なくとも１つの複合体接点と、基板に取付けられている好ましくは少なくとも１つの基板接点とを有する。複数の接点組のうちの１つの接点組は、複合体遠位部分により近く位置する。可動複合体の遠位部分および／または中間部分は、静電気力が印加されない場合、偏倚されて適所に位置する。基板電極と可動複合体電極との間に電圧を印加すると、静電気力が発生され、この静電気力により、可動複合体は下に位置する基板に吸引される。第１および第２の接点組は、可動複合体の遠位部分が基板に吸引されると電気的に接続される。いったん静電気力が除去されると、可動複合体は偏倚位置を再びとり、このようにして、第１および第２の接点組がシーケンシャルに接続解除されて、アーク形成を最小化する。静電式ＭＥＭＳ装置を使用する様々な実施例および方法が提供される。
374 2003-505046 2000/06/09 ナノゲン・インコーポレイテッド マイクロ−エレクトリックデバイス用の無機浸透層 A4 DEX 3
WO2001/006496 (57)【要約】本発明は、分子生物学反応のためのマイクロ−電極デバイス上に無機浸透層を沈積させる方法、およびそれによって作成されるデバイスに関する。浸透層は好ましくはゾル−ゲルである。ゾル−ゲル浸透層は、所定の多孔度、ポアサイズ分布、ポア形態、および表面積を持つものとして作成することができる。また、ゾル−ゲル浸透層はマイクロ−位置エレクトリックデバイスの付着層としても機能することができる。
375 2003-505260 2000/07/21 ザ　ボード　オブ　トラスティーズ　オブ　ザ　ユニバーシテイ　オブ　イリノイ 微小成形加工された装置及びその製造方法 A4 DC02 DC03 DEX MA01 MEX MF02 1
WO2001/007506 (57)【要約】微小加工された装置及び該装置を製造するための方法を開示する。装置は、微小規模流体チャンネルを有する基板から作られ、また該装置の刺激応答性動作構成要素を形成するためにチャンネル内に重合可能な混合物を重合させることで作られる。動作構成要素は、機能的又は構造的構成要素である。装置の製造方法は、微小規模構成要素をin situ又は装置内で作られることから、伝統的な微小構成要素の組み立て法を不要とする。
376 2003-506755 2000/08/01 エーデーシー・テレコミュニケーションズ・インコーポレーテッド 微小電気機械光スイッチ及びその製造方法 A4 DA01 FP
WO2001/011411 (57)【要約】改善された特性を有するＭＥＭＳに基づく光スイッチ(100)とそれを製造する方法が開示されている。一実施例に従った光スイッチは、偏向ビーム構造(124)を有する単一櫛(122)形ドライブ・アクチュエータ(104)と、該アクチュエータと結合されたミラー(102)とを含む。ミラーは、導波路チャネル(106)間に介在される拡張位置と該導波路チャネル(106)から離間された格納位置との間を移動させられ得る。アクチュエータは、前記ビーム構造を偏向できると共に、前記拡張位置或は前記格納位置の内の一方へ前記ミラーを移動できる力を付与し、前記ビーム構造は、前記力の付与がない場合に、前記拡張位置或は前記格納位置の内の他方へ前記ミラーを戻す。
377 2003-506822 2000/07/28 ティーワイシーオー　エレクトロニクス　ロジスティック　エイジー マイクロ−電気機械式継電器及びその継電器の生産方法 A4 DBX FP
WO2001/009911 (57)【要約】本発明は継電器に関し、特に、ブリッジタイプのメイク接点を具備する小型化された静電継電器に関する。接点ばねは、増大する曲がったばね部（７）を介して、切替えばね（３）に連結されているねじりばねとして設計されている。よって、特に、異なる高さを有する固定接点を補うことが可能になる。更に、本発明は、マイクロ−機械式静電継電器を生産する方法に関する。
378 2003-507168 2000/08/10 フラウンホーファー−ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デル・アンゲヴァンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン マイクロアトマイザーの駆動部品および該アトマイザーの製造方法 A4 DCX FP
WO2001/012340 (57)【要約】圧電的に駆動されるマイクロアトマイザーの駆動部品は、半導体基板（１０）に形成されるダイヤフラム（１２）、該ダイヤフラム（１２）の面上に配置される圧電性駆動体、半導体基板に形成されていて、ダイヤフラムを振動させることによりアトマイズされるべき液体を流入口の端から圧電性駆動体の反対側に位置しているダイヤフラム面まで供給するために使用される搬送手段（１４）から構成されている。このような駆動部品が使用されるマイクロアトマイザーは、駆動部品が取り付けられるホルダーを備え、駆動部品の流入口の端が流体供給導管と流体的に接続され、前記搬送手段と流体供給導管及び前記搬送手段と圧電性駆動体の反対側に位置するダイヤフラム面との間に存在する流体的な接続部を除いて搬送手段がホルダーによって密封され、また、アトマイズされた液体を排出するために使用される前記ホルダーの開口部が圧電性駆動体の反対側に位置するダイヤフラム面の領域に設けられている。
379 2003-507889 2000/08/18 ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ 化学的にゲート動作する単一電子トランジスタを使用したセンシングデバイス A1 DEX DF01 10
WO2001/013432 (57)【要約】所定の電流・電圧特性を有し、室温において動作可能な化学または生物センサとしての用途に適合した化学的にゲート動作する単一電子トランジスタ（６０）が提供される。この単一電子トランジスタは、第１の絶縁材から形成された基板（ＳｕＢ）と、その基板上に配置されたソース電極（Ｓ）及びドレイン電極（Ｄ）と、そのソース電極とドレイン電極との間に配置された約１２ｎｍ以下の大きさの空間寸法を有する金属ナノ粒子（Ｌ）とを備える。検出物特異性結合剤がナノ粒子の表面上に配置される。目標検出物と結合剤の間に発生する結合事象により電流・電圧特性の検出可能な変化が引き起こされる。
380 2003-509229 2000/09/14 ナノテクノロジーズ、インコーポレイテッド 電熱銃合成によるナノ粒径材料の大量製造法及び装置 A4 MI07 FP
WO2001/020953 (57)【要約】ナノ粒径粉末を合成する方法は、各端部が開口している管の孔中に固体金属ワイヤーヒューズが入ったハイブリッド爆発ワイヤー装置を用いる。ヒューズの両端は管の両端の電極に接続されている。それら電極は重金属プラズマを維持するため浸食されるように設計されている。孔は、製造されるセラミックに対応するセラミックからなり、対応するセラミックのマイクロ結晶質粉末をその孔内に維持してもよい。電気放電はヒューズを気化し、イオン化する。管はプラズマの径方向の膨張を遮り、プラズマが管の両端から出るようにし、そこでそれは適当なガスと反応してナノスケール粒子を形成する。更に、プラズマガスは孔壁の一部分を融除及び気化し、ナノセラミック合成に寄与させる。他の別の態様では、薄い伝導性鞘又は消費可能な金属挿入物でヒューズを置き換えることを含んでいる。
381 2003-509624 2000/09/15 ハネウェル・インコーポレーテッド 二重膜ポンプ A4 DC03 FP
WO2001/020166 (57)【要約】膜ポンプは第１及び第２隔膜を有し、各隔膜はその隔膜表面に１セットのバルブ孔（これら２セットのバルブ孔は互いに整合してない）と、一つの入口ポートと一つの出口ポートを有する。これらのポートは、その隔膜の孔と整合していない位置にある点において、隔膜に接触してシールを形成するように位置する。２枚の隔膜を独立して静電的に駆動させるドライバーが設けられ、隔膜を複数の隔膜位置に移動させてポンプ内の流体の流れを制御する。
382 2003-509702 2000/09/06 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション フィジーク　インステイツート マイクロファブリケーション・デバイスの運動の磁気センシング A4 DBX DDX FP
WO2001/020616 (57)【要約】【課題】 ナノメートル・スケールの変位を測定するための磁気センシング・ユニットを提供すること。【解決手段】 マイクロデバイスの可動部分および固定部分が、磁場を有する磁気要素および磁気センサを備える。磁気要素が可動部分上に、磁気センサが固定部分上に位置し、または磁気センサが可動部分上に、磁気要素が固定部分上に位置する。磁気センサまたは磁気要素、あるいはその両方がマイクロデバイスの一体部分である。磁気要素と磁気センサは互いに対して、可動部分が変位したときに磁気センサのところの磁場の変化を磁気センサを使用して検出できるように配置される。
383 2003-509984 2000/09/13 カーネギー−メロン　ユニバーシティ エラーキャンセレーションを有するＭＥＭＳデジタル−音響トランスデューサ A4 DD07 MA01 MEX 3A
WO2001/020948 (57)【要約】【解決手段】 基板と、該基板上にマイクロマシンド・メンブレンを作成するこによって形成されたダイヤフラムとを具えている音響トランスデューサである。ダイヤフラムは、ＣＭＯＳ ＭＥＭＳ(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)の半導体作製方法を用いて、単一シリコンチップとして形成される。製造工程中のダイヤフラムのカーリングは、長アームと短アームを交互に具えるサーペンチンばねの形態を有するダイヤフラム用マイクロマシンド・メンブレンを作成することによって低減される。マイクロスピーカとして、本発明の音響トランスデューサは、デジタル音声信号を音波に直接変換するから、従来の音響トランスデューサと比べて、製造コストがより安価であり、非常に高品質の音を再生できる。マイクロマシンド・ダイヤフラムは、マイクロホンとしても用いることができる。
384 2003-510192 1999/09/28 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 溶解ウェーハ製造プロセス、およびスペーシング・メサを持つ支持基板を有する関連マイクロ電気機械デバイス A4 DBX FP
WO2001/023300 (57)【要約】本発明の方法は、より正確に画定された機械部材および／または電気機械部材を有するＭＥＭＳデバイスを製造するためのプロセスを提供する。本発明の方法は、部分犠牲基板および支持基板を提供することにより始まる。結果として生じるＭＥＭＳデバイスの機械部材および／または電気機械部材を、支持基板上方に間隔を置いて配置するために、支持基板上にメサが形成される。部分犠牲基板ではなく支持基板上にメサを形成することにより、部分犠牲基板の内面がエッチングされずに平面のままで残るため、機械部材および／または電気機械部材を、部分犠牲基板からより正確に形成することができる。したがって、部分犠牲基板の平面の内面を通して溝を正確にエッチングして、ＭＥＭＳデバイスの機械部材および／または電気機械部材を画定することができる。
385 2003-510583 2000/09/19 ヴィーコ　インスツルメンツ，　インコーポレイテッド 広帯域幅リコイルレスマイクロアクチュエータ A4 DBX FP
WO2001/022468 (57)【要約】表面修正装置または表面測定装置（ＡＦＭ）用のマイクロアクチュエータの帯域幅はマイクロアクチュエータ14を慣性平衡させてマイクロアクチュエータの動作で生じるモーメントに反作用することによりマイクロアクチュエータ14からその支持構造22に実質的な力が伝達されることを阻止することによって改善され、支持構造における共振の誘起を阻止する。実質的な力の伝達の阻止は、1)１次マイクロアクチュエータ234 とこの１次マイクロアクチュエータ234 に関して逆位相で反作用アクチュエータ236 とを含むマルチアクチュエータアセンブリ230 または2)マイクロアクチュエータの支持構造314 に取付けられた単一のマイクロアクチュエータ332 のいずれかを使用して達成され、それによりマイクロアクチュエータの動作中の支持構造にモーメントが伝達されることを阻止する。機器はまた機器の動作における僅かな初期不平衡の影響をさいしょうにするために高い内部制動を含むことが好ましい。
386 2003-511256 2000/10/06 ハーン−シッカート−ゲゼルシャフト　フア　アンゲワンテ　フォルシュンク　アインゲトラーゲナー　フェライン 電気機械部品およびその製造方法 A4 DCX DDX FP
WO2001/027025 (57)【要約】スプリング（１４ａ，１４ｂ）を持つ機械的可動部とフレーム（１８）とを含むポリマー本体（１２）と、スプリングを機械的に補強するためスプリングを略完全に包囲する金属層（３０）とを備えた電気機械部品（１０）である。この電気機械部品は、加速度センサ、回転速度センサ、マイクロバルブ、マイクロポンプ、圧力センサ、あるいは力学量センサとして用いることができる。上記電気機械部品の製造は、複雑なシリコン基礎技術に代えて簡単な射出成形および又はエンボス処理を用いることができるので、シリコン基礎技術を用いて製造される電気機械部品に比べて格段にコストを低減できる。
387 2003-511654 2000/10/06 エボテック・オーアーイー・アーゲー 構造化された反応基体およびその製造方法 A4 DEX FP
WO2001/024933 (57)【要約】【課題】 構造化された反応基体およびその製造方法【解決手段】 底部（１０）と、サンプルキャリアコンパートメントの形成のための予め決定されたコンパートメント構造（３０）を有するポリマー材料からなる可撓性のコンパートメント層（２１）とからなる反応支持自体（２０）であって、その際、該ポリマー材料が、ガラス−、金属−、もしくは半導体基板に関して固有の付着可能性を有する粘弾性ポリマー組成物（例えばシリコーンゴム）である。また該反応基体の製造のための工具が記載されている。
388 2003-512627 2000/08/25 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 加速度センサ A4 DD01 FP
WO2001/029565 (57)【要約】本発明は、加速度センサであって、基板に可動に懸吊された、加速作用に基づいて変位可能である振動構造体が設けられていて、該振動構造体の振動平面が基板平面に対してほぼ平行に位置しており、さらに、振動構造体の、加速に基づいた変位を検出するための評価手段が設けられている形式のものに関する。本発明の構成では、振動構造体（１２）の振動平面（ｘ−、ｙ−平面）に対してほぼ垂直方向に位置する、振動構造体（１２）の変位運動を制限するストッパ手段（３６）が設けられている。
389 2003-513411 2000/08/23 エイチアールエル　ラボラトリーズ，エルエルシー 光制御ＭＥＭスイッチ A4 DB01 FP
WO2001/031664 (57)【要約】ＭＥＭスイッチが組み付けられる半導体基板の光導電特性を利用するのが望ましい光制御微小電気機械（ＭＥＭ）スイッチについて説明する。一実施形態では、スイッチの動作を行うために供給されるバイアス電圧は、そのスイッチの光電部分に光を当てることで変化して、そのスイッチを動作しないようにする。他の実施形態では、全くバイアス線なしで、光起電力装置がスイッチを作動する電圧を供給する。印加電圧に応じた電気機械スイッチングのヒステリシスのために、光制御の下でスイッチを素早く開かせ、または閉じさせるためには、スイッチに印加される電圧のただ比較的小さな変化だけが必要である。
390 2003-514221 2000/11/09 モトローラ・インコーポレイテッド 生体材料とのハイブリダイゼーションのためのバイオチャネルアッセイ A3 DCX DE01 FP
WO2001/034302 (57)【要約】本発明は、多孔質ポリマー、ビーズまたはマイクロチャネル中に加工された構造物に結合したＤＮＡまたはＲＮＡのような特異的結合対メンバーを有する分離された領域を有するマイクロチャネルを有するミクロ流体デバイスに関する。本発明のマイクロチャネルは、プラスチックから加工されており、流体推進コンポーネントおよび検出器と有効に結合している。
391 2003-515235 2000/08/23 エイチアールエル　ラボラトリーズ，エルエルシー ＣＭＯＳ適合ＭＥＭスイッチおよび製法 A2 DB01 FP
WO2001/035433 (57)【要約】微小電気機械式（ＭＥＭ）スイッチは、ＣＭＯＳのような多層金属集積回路を製造するための標準的な処理ステップを使用して、安価に製造される。正確なステップは、特定のファンドリーのプロセスに適合するように調整することができ、その結果、低価格で、かつ他の回路と容易に集積化可能なデバイスが得られる。処理ステップは、誘電体層で隔てられた金属層を接続するビアとして通常使用される金属プラグで、ＭＥＭスイッチの接点を作ることを含む。そのような接点ビアは、犠牲メタライゼーション領域の両側に形成され、次いで、接点ビアの間から相互接続メタライゼーションが除去されて、その接点ビアを分離した状態にする。接点を囲繞する誘電体は、その接点が互いの方に向かって突出するように、エッチバックされる。このようにして、ＭＥＭスイッチを作動させることで、接点が互いの方に動く時に、接点は妨害なくしっかりと接続する。ＣＭＯＳプロセスでビアを形成するために、タングステンが標準的に使用され、優れた接点材料であるが、他のビア金属もまた接点として使用することができる。相互接続メタライゼーションは、ＭＥＭスイッチの他の構造上の要求および相互接続の要求のために使用することができ、使用されるファンドリーおよびプロセスに標準的なものであるのが好ましい。様々な金属および誘電体材料をスイッチを作るために使用することができるが、好ましい実施形態では、相互接続金属層はアルミニウムであり、誘電体材料はＳｉＯ2であり、標準的な４層ＣＭＯＳ製造プロセスに完全に適合した材料である。
392 2003-516241 2000/12/07 コーネル・リサーチ・ファンデーション・インコーポレイテッド ナノメートル規模の間隔で周期的表面構造を製作する方法 A4 DF02 PCX FP
WO2001/042540 (57)【要約】双結晶の形に一体的に結合された二つの単結晶間の純粋なツイスト粒界により作り出された周期的応力・歪み場は、制御可能なナノメートル規模の間隔で２次元の表面構造を製作するのに使用される。形状の間隔は、結晶ボンディング中の誤配列角により制御される。結晶の一つは薄く（１０）、ナノメートルの単位で選択される。埋設された周期的ならせん転位列はツイスト粒界（１９）に形成される。埋設された周期性を表面に出すために、薄い単結晶（２０）はエッチングされ、ナノメートル規模のサイズのピラミッド状の隆起部（２２）の列が出現する。
393 2003-516544 2000/11/11 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 特に加速度センサに用いられるマイクロメカニカル構造体 A4 DD01 FP
WO2001/042797 (57)【要約】本発明は、特に加速度センサに用いられるマイクロメカニカル構造体であって、基板（１）が設けられており、該基板（１）がアンカ固定装置を有しており、はずみ質量体（５）が設けられており、該はずみ質量体（５）が、撓みばね装置（４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ）を介してアンカ固定装置に結合されていて、はずみ質量体（５）がその休止位置から弾性的に変位可能である形式のものに関する。本発明によれば、はずみ質量体（５）が、縦長の凸面状の形状を有していて、長手方向軸線（Ｌ）に対してほぼ回転対称的である。はずみ質量体（５）が、付加的に長手方向両端部に拡幅部（５ａ，５ｂ）を有しており、該拡幅部（５ａ，５ｂ）に撓みばね装置（４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ）が取り付けられている。
394 2003-516629 2000/12/08 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ マイクロメカニカルスイッチを含む電子デバイス A2 DB01 FP
WO2001/043153 (57)【要約】共通の基板(２)上に設けられたマイクロメカニカルスイッチ(１０)と薄膜回路素子(２０)を有する集積回路デバイスを具える電子デバイスを製造する方法である。マイクロメカニカルスイッチ(１０)はそれぞれの犠牲領域の上を延在する接点ビーム(１２)を有する。薄膜回路素子を構成する素子層(５)をマイクロメカニカルスイッチに割り当てられた基板の領域において犠牲領域として使用する。これにより種々の層をマイクロメカニカルスイッチと薄膜回路素子との間で共用することができる。追加の支持層(５０)を接点ビームのために設けて、後続の処理及び製造工程中に接点ビームを損傷から保護することができる。この支持層の一部分を完成品の接点ビームに付着したまま残存させてこれを補強することもできる。
395 2003-516644 2000/12/04 オブドゥカト　アクティエボラーグ 構造物の製造に関する装置および方法 A4 DF02 PJ01 FP
WO2001/042858 (57)【要約】ナノメートルサイズの構造物のリソグラフィに関連する装置が開示され、この装置は、第１の主に平らな表面（２ａ）を有する第１の主要部分（１）と、第２の主に平らな表面（９ａ）を有する第２の主要部分（３）とを具備し、該第１の表面と該第２の表面とは、互いに対向しており、互いに対して原則として平行に配列され、それらの間に調節可能な間隔を有し、該第１の表面および該第２の表面はそれぞれ、基板（５）およびテンプレート（１０）用のサポートを形成するように配列され、または逆も同様である。本発明によると、該第２の主要部分（３）は、媒体用のキャビティ（６）と、該媒体の圧力を調節するための手段とを具備し、該キャビティの壁は、可撓性のある膜（９）から構成され、その一方の側は、該キャビティ（６）から離れて面しており、該第２の表面（９ａ）を形成する。本発明は、この装置を使用する方法にも関する。
396 2003-516882 2000/12/12 ナノゲン・インコーポレイテッド 微小反応システムおよび成型方法 A4 PAX 5
WO2001/043938 (57)【要約】基材表面上に非常に薄いフィルムを成型する微小反応成型システムおよび方法が提供される。金型および成型方法は、基材表面に適用されるフィルムの厚さにおける一貫性および均一性を可能とする。該金型は、エッチングされたシリカのごとき単一複合物、または石英／金属のごとき多複合物であり得る。該金型は、さらに調節可能な成型用金型キャビティを含み得る。本発明の金型は、マイクロチップ基材上に薄いポリマーのフィルムを生成するために特に適用可能である。
397 2003-517611 2000/11/24 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 半導体素子、殊には加速度センサをマイクロメカニカル製造するための方法 A4 DD01 PC03 4
WO2001/044822 (57)【要約】本発明は、エッチング工程により、基板（１１）と固定および可動電極（１４２、１４３）との間に位置する犠牲層を除去して、電極（１４２、１４３）を基板（１１）から分離することにより、基板（１１）上の規定の領域に半導体素子、殊には静電容量型加速度センサの、露出している層状の固定および可動電極（１４１、１４３）をマイクロメカニカル製造するための方法に関し、かつ固定電極（１４２）の領域（Ａ）に位置する犠牲層（９１、１０１）の厚さ（ｄ１）が、可動電極（１４３）の領域（Ｂ）に位置する犠牲層（９１、１０１）の厚さ（ｄ２）よりも薄いことを特徴とする。
398 2003-517612 2000/11/25 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 特にヨーレートセンサのための、マイクロメカニカル式のばね構造体 A4 DDX FP
WO2001/044823 (57)【要約】本発明は、特にヨーレートセンサのための、マイクロメカニカル式のばね構造体であって、協動する第１のばねビームと第２ばねビーム（１５１，１５２）とが設けられており、これらのばねビームが所定の区分で互いにほぼ平行に延びていて、所定の区分で互いに連結されている形式のものに関する。第１のばねビームと第２のばねビーム（１５１，１５２）とが、共通の１つの湾曲領域（１５０）を有しており、該湾曲領域で、結合領域（１５５）によって互いに連結されている。第１のばねビームと第２のばねビーム（１５１，１５２）との間に位置する、結合領域（１５５）への第１の移行領域（１６０ｃ，１６０ｄ）がほぼ曲率増減率が一定であるように延びている。
399 2003-519014 2001/01/02 ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・カリフォルニア 半導体基板内に垂直な中空針を形成する方法 A4 PC01 FP
WO2001/049362 (57)【要約】非等方的エッチングにより半導体基板の裏側にチャンネルを形成するステップを含む針形成方法を提供する。次に半導体基板の表側を等方的にエッチングしてチャンネルを囲む垂直な軸方向面を形成する。製造された針は半導体材料から形成された細長体を有する。細長体は、第１端と第２端の間に位置する軸方向面を含む。軸方向面は第１端と第２端の間にチャンネルを形成する。１実施形態において、第１端は、単一の周線尖端を備える傾斜先端を有する。
400 2003-519384 2000/12/09 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロメカニック構造及びその製造方法 A4 PI02 FP
WO2001/050137 (57)【要約】本発明は、マイクロメカニック構造並びにその製造方法に関する。前記マイクロメカニック構造は係留装置（２０）を有する基板と、曲げばね装置（４０）を介して係留装置（２０）に結合された慣性質量（３０）とを有している。慣性質量（３０）は静止位置から弾性的に偏位可能である。慣性質量（３０）は中間室を有し、その下にある犠牲層（５０）をエッチングすることによって偏位可能に構成することができる。犠牲層（５０）は慣性質量（３０）の下にある第１の領域では第１のエッチング可能な厚さ（ｄ１）で与えられておりかつ慣性質量（３０）の下にある第２の領域では第２のエッチング可能な厚さ（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）で与えられている。この場合、第２の厚さ（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３）は第１の厚さ（ｄ１）よりも大きい。慣性質量（３０）は第１の領域ではエッチングに際してエッチング残渣の堆積を制限するために最高でも２つのエッチングフロントしか互いに衝突しないように構造化されている。
401 2003-519821 2000/11/14 コーニング・インコーポレーテッド 微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）光スイッチおよびその製造方法 A4 DA01 FP
WO2001/051973 (57)【要約】導波路（24）によって伝送される光信号を切り替える基盤の導波路スロット（12）内に選択的に可動な制御要素（32）を有する片持ちアーム（40）を含む２次元光学回路基板上の光学スイッチ。アーム（40）は、温度型または圧電型アクチュエータによって作動され、導波路（24）に沿って信号をそのまま透過せしめる休止位置と、信号の方向を遮るもしくは変えるスロット（12）内の制御要素（32）を有する第２の位置との間で撓む。横方向に動く第２のアームが与えられる場合があり、このアームは、片持ちアーム（40）と連動して第２の位置でこの片持ちアーム（40）の上に乗りかつ止めるように作動し、よって、スイッチが、更なる制御信号の印加なしに作動状態で保持され得る。エッチングによって１つのウェハー上に形成されるMEMSスイッチのアレイは、導波路のアレイと結合され、複数のスイッチモジュールを与える。
402 2003-521682 2001/01/08 ビ−エイイ−　システムズ　パブリック　リミテッド　カンパニ− 角速度センサデバイスに関する改良 A4 DD02 FP
WO2001/055675 (57)【要約】マイクロ機工をした振動形構造のジャイロスコープのような角速度センサデバイス（１０）は、共振器（１６）と、駆動手段（１８）と、センシング手段（２０）と、関係する電子制御手段とを備えている。共振器（１６）と、駆動手段（１８）と、センシング手段（２０）と制御手段とは［１００］主結晶面を有するシリコン結晶（１２）の層から組立てられている。その性能を劣化させずにこの形式で共振器１６を動作させるために、共振器１６は駆動及びセンシング手段（１８，２０）によって電子制御手段の制御の下で動作するようになっていて、電子制御手段はヤング率のようなモード関連パラメータを有する振動モード対を整合させて、一定の共振器応答を与えるようにしている。とくに、共振器（１６）は、縮退したキャリヤと応答とのパラメータを用意しているsin３θ／cos３θ振動モード対で動作するようにされている。
403 2003-521739 2001/01/31 セルカロ・マイクロテクノロジー・リミテツド ビームガイドのためのスイッチ装置 A4 DA01 3a
WO2001/057578 (57)【要約】少なくとも１つのビームガイドスイッチを有するビームガイドスイッチ装置は、サンドイッチウエーハから製造される。サンドイッチウエーハは、基板、カバー層及び電気的に絶縁する中間層を有する。それぞれのビームガイドスイッチは、可動のスイッチ部分（７）、及び平面内にあるようになった少なくとも２つのビームガイド端部（６）を有し、これらのビームガイド端部は、スイッチ部分（７）によってビームガイド端部（６）から生じるビーム（１４）を、別のガイド端部（６）へのその光経路において遮断可能であり、又はここに反射可能であるように、互いに近くに隣接して配置されている。ガイド端部（６）の間においてスイッチ部分（７）を有する中間空間（５）は、所定の屈折率を有するインデックス整合液（８７）によって満たされており、かつそれぞれのビームガイド（４９）のビームを案内するコア（８）は、インデックス整合液（８７）の屈折率と液体を満たされた空間における空いたコアプロファイル（１３）との共同作用において、ビームのコリメーション（１４）を達成できるように、先細に形成されている。
404 2003-522017 2001/02/08 エボテック・オーアーイー・アーゲー 流体マイクロシステムから懸濁状微小粒子を排出する方法および装置 A4 DCX FP
WO2001/058592 (57)【要約】本発明は流体マイクロシステム（１０）から懸濁状微小粒子を包含する流体流を排出する方法に関する。本発明によると、マイクロシステムの排出チャネル（１４）の終端で、前記流体流は少なくとも１つのアウトプット流と統合されて排出流を形成し、前記排出流は導通要素（１９）を介して導通される。また、本発明は、本法を実施するためのフローアウトプット装置を備えたマイクロシステムに関する。
405 2003-522377 2001/01/26 アリゾナ　ステイト　ユニバーシティ 電気的にスイッチングを行うラッチングマイクロマグネッティックリレーおよびその動作方法 A4 DB01 FP
WO2001/057899 (57)【要約】本発明の種々の実施形態に従って、リレー（１００）が、開状態および閉状態を示すように適切に形成される。リレー（１００）は、磁界に感応するカンチレバー（１２）を、カンチレバーがリレーの開状態に対応する第１の状態、およびリレーの閉状態に対応する第２の状態を示すように提供することにより動作する。第１の磁界は、カンチレバー（１１２）の磁気トルクを誘発するように提供され得、カンチレバーは、第１の状態と第２の状態との間をスイッチングされ得、第２の磁界は、例えば、リレーの基板上に形成された伝導体により発生され得る。
406 2003-522378 2001/02/01 レイセオン・カンパニー 液体金属コンタクトを有するマイクロエレクトロメカニカル・マイクロリレー A4 DB01 FP
WO2001/057900 (57)【要約】ＭＥＭリレー（１１０’）が、アクチュエータと、アクチュエータ上に配設されたショート・バー（５２）と、コンタクト基板と、コンタクト基板上に配設された複数の液体金属コンタクト（１２６、１２８）とを含み、それにより複数の液体金属コンタクトが、ＭＥＭリレーが閉じた状態にあるときに電気連絡するように配置されている。さらに、ＭＥＭリレーが、前記コンタクト基板上に配設されたヒータ（１２９、１２９’）を含み、前記ヒータが、複数の液体金属コンタクトと熱的に連絡している。コンタクト基板はさらに、コンタクト基板上に配設された複数の湿潤金属コンタクト（１２５、１２７）を含み、複数の湿潤金属コンタクトがそれぞれ、複数の液体金属コンタクト（１２６、１２８）のそれぞれに近接し、湿潤金属コンタクトがそれぞれ、複数の液体金属コンタクトのそれぞれと電気連絡する。
407 2003-522379 2001/02/01 インフィネオン　テクノロジーズ　アクチェンゲゼルシャフト マイクロリレー A4 DBX FP
WO2001/057901 (57)【要約】本発明は、回転可能であるように基板（１）上に支持されたスイッチ素子（９）を含むマイクロリレーに関する。上記スイッチ素子は、ロッカーのように、適切に取り付けられた電極（５１、５２、６）による静電引力によって２つの交替するスイッチモード間を移行され得る。上記スイッチは、上記ロッカーの上にある上記基板上に取り付けられ、そして上記スイッチ素子の上側のメタライゼーション（７１、７２）によって短絡された電極（３１、３２）によって始動される。
408 2003-523603 2001/02/16 フラーレン　インターナショナル　コーポレイション 効率的な電子電界放出のためのダイヤモンド／カーボンナノチューブ構造体 A4 DF02 PAX MI04 1
WO2001/061719 (57)【要約】本発明は、ダイヤモンドまたはダイヤモンド様カーボンでコーティングされたナノチューブ、そのナノチューブを含む電界エミッタカソード、及び、そのカソードを含む電界エミッタに向けられたものである。また、本発明は、ナノチューブをダイヤモンドまたはダイヤモンド様カーボンでコーティングすることにより、複数のナノチューブからなるカソードを含む電界エミッタからのカーボンの蒸発を防止する方法に向けられたものでもある。別の態様では、本発明は、複数のナノチューブからなるカソードを含む電子電界エミッタからカーボンが蒸発するのを防止する方法に向けられており、その方法は、それらのナノチューブをダイヤモンドまたはダイヤモンド様カーボンでコーティングするステップを含む。
409 2003-523833 2000/07/20 メムリンク　リミテッド 移動要素を持つ微小電子機械的装置 A4 DA01 FP
WO2001/006543 (57)【要約】微小機械的（ＭＥＭＳ）装置（１００）は、基板（１０２）及び該基板の表面に平行に配される鏡等の一般的に平面の移動要素を持つ。アクチュエーターは、基板の表面に対し水平面にある第１位置とその平面の第２位置との間の移動要素（１０６）を選択的に移動するために、移動要素（１０６）の作動に携わることができる。微小機械的（ＭＥＭＳ）装置（１００）は、光学スイッチとして効果的に使用することができる。様々な異なるアクチュエーターを用いることができる。該装置は、好ましくは、表面微小機械工程を用いて製造される。
410 2003-524145 1999/05/07 ユィロス・アクチボラグ 微流体装置 A4 DCX 4
WO1999/058245 (57)【要約】装置内の流体の流れが、装置の、異なる表面特性を有する異なる表面により壊死魚されるように適合させた微流体装置。好ましくは、装置は水和酸化材料から形成されない支持体を含む。
411 2003-524738 2000/06/27 カリフォルニア　インスティチュート　オブ　テクノロジー 微細製作エラストマーバルブおよびポンプシステム A4 DC02 DC03 MA01 MA02 ME07 MEX 7H
WO2001/001025 (57)【要約】エラストマー構造を製作する方法は：第一微細製作モールドの頂部上で第一エラストマー層を形成する工程であって、該第一微細製作モールドが、該第一エラストマー層の底部表面に沿って延びる第一凹部を形成する第一隆起突出部を有する、工程；第二エラストマー層を第二微細製作モールドの頂部上に形成する工程であって、該第二微細製作モールドが、該第二エラストマー層の底部表面に沿って延びる、第二凹部を形成する第二隆起突出部を有する工程；該第二エラストマー層の底部表面を、該第一エラストマー層の頂部表面上へ結合し、その結果、制御チャネルが、該第一および第二エラストマー層の間の第二凹部中に形成される工程；および平坦基板の頂部上の該第一エラストマー層を位置決めし、その結果、フローチャネルが該第一エラストマー層と該平坦基板との間の該第一凹部中に形成される工程、を包含する。
412 2003-524801 2000/11/22 ナノヴェイション　テクノロジーズ　インコーポレイテッド 一体化平面光導波路およびシャッタ A4 DA01 FP
WO2001/048532 (57)【要約】入力導波路と２つの出力導波路とがトレンチにより分離され、トレンチの周囲に配置された光学スイッチを開示している。入力導波路と第１出力導波路は、それぞれのコアによりそれぞれの光路が画定されており、これら光路（およびコア）は互いに同軸である。これらの導波路はまた、導波路の屈折率とは異なる屈折率を有している媒体が内部に設けられたトレンチによっても分離されている。入力導波路と第１出力導波路はトレンチにより画定された距離だけ分離されており、その距離は、光信号が入力導波路から第１出力導波路まで伝播する際に異なる屈折率に出会うとしても、入力導波路から第１出力導波路まで伝播する光信号の伝達特性に影響を及ぼすのには不十分である。入力導波路と第２出力導波路は一般にトレンチの同じ側に配置されて、入力導波路から第２出力導波路まで通過する光信号が完全にはトレンチを横断しないようにしている。従って、入力導波路から第１出力導波路または第２出力導波路のいずれか一方まで通過する光信号が異なる屈折率に遭遇したとしても、光信号が両導波路間を移動しなければならない距離は、信号の光学伝達特性に影響しないようにするのに十分な程度まで小さくしてある。
413 2003-525116 2001/03/01 ニューキャッスル・ユニヴァーシティ・ヴェンチャーズ・リミテッド 毛細管反応器の分散装置と方法 A4 DEX FP
WO2001/064332 (57)【要約】接合部５で出会う第１及び第２の毛細管経路２，３と接合部５から遠ざかる第３の毛細管経路４を含んでいる毛細管反応器分散装置であって、第１及び第２の非混和性流体を予め決められた層流条件下でそれぞれ第１及び第２の毛細管経路から供給する場合、第１及び第２の流体１４，１５を小さく切断して相互に離散した小塊１６，１７とし、第３の毛細管経路４に通すように、毛細管経路の寸法が決められている装置である。隣接する小塊１６，１７間の軸方向の拡散により、また小塊１６，１７が第３の毛細管経路４中で進行するのに従って、各小塊１６，１７内の内部循環により流体１４，１５間の分子的混合が起こるようになっている。
414 2003-525755 2000/06/29 アメリカ合衆国 圧電マクロ−ファイバー複合アクチュエータ及びその製造方法 A4 DBX FP
WO2001/033648 (57)【要約】圧電マクロ−ファイバー複合アクチュエータの製造方法は、第１面及び第２面を有する圧電材料（２０）を形成することを含む。更に、この方法は上記圧電材料を切断して並置された複数の圧電マクロ−ファイバーを形成することを含む。次いで、２つの導電性フィルム（２８、４２）が上記圧電材料の両面に接着剤により接着される。第１フィルム（２８）は、互いに電気絶縁されるとともに上記圧電材料と電気接続された第１及び第２導電性パターン（３０、３２）を有する。上記第１フィルムにおける第１及び第２導電性パターンは、それぞれ、集積電極パターンを形成する、複数の電極を有する。一実施例において、第２フィルムはどのような導電性パターンも具備しない。別の実施例において、第２フィルム（４２）は、上記第１フィルムにおける導電性パターンと同様、一対の導電性パターン（４８、５２）を有する。更に別の実施例において、圧電マクロ−ファイバー複合アクチュエータは、更に、導電性フィルムの一面と圧電材料の一面間にそれぞれ配置される、一対の異方性導電シート（２１０、２１２）を含む。
415 2003-526116 2000/03/02 ザ　リージェンツ　オブ　ザ　ユニヴァーシティ　オブ　カリフォルニア 片持式ミクロ構造の方法と装置 A4 DA01 FP
WO2000/057233 (57)【要約】片持ち式ミクロ構造の装置と方法を記載する。代表的な片持ち式ミクロ構造装置はベース、カンチレバーおよびストップを含む。カンチレバーを、フレクシャを介してベースに連結して、カンチレバーが第１角度方位と第２角度方位間で動けるようにしてもよい。ストップを、カンチレバーが第２角度方位にあるときに接触部分でカンチレバーの底部に接触するように構成してもよい。その他に、ストップを、カンチレバーとストップ間に静電バイアスが付加されると、充分な力がカンチレバーをストップに接して保持するように形成された接触部分でカンチレバーに接触するように構成してもよい。その他に、ストップは、ストップの実質的に平らな表面に実質的に垂直なカンチレバーに力が付加されると、充分な力がカンチレバーをストップに接して保持して、カンチレバーがストップの実質的に平らな表面に実質的に平行な平面内にあるように形成された接触部分でカンチレバーに接触するように構成された実質的に平らな表面を持ってもよい。
416 2003-526359 2001/03/09 バイオプロセッサーズ・コーポレーション マイクロリアクター A4 DEX FP
WO2001/068257 (57)【要約】マイクロリアクターを含む化学又は生物学的反応器（リアクター）が提供される。例示的な反応器は、並列に作動可能な複数の反応器を包含し、各々の反応器の容量は小さく、それが一緒になって、反応器が大量の生成物を生産する。反応システムは混合室（１２）、加熱／分散単位（１４）、反応室（１６）、分離単位（１６）を包含できる。反応器の構成要素は様々な材料から容易に形成することができる。例えば、それらをシリコンからエッチングして作ることができる。構成要素は互いに着脱可能であり、様々な種類の反応器を形成することができる。反応器は互いに取り付け可能であり、かつ分離可能であり、並列及び／又は直列での反応器の作動に大きな柔軟性をもたらす。
417 2003-526523 2001/03/16 エスアールアイ　インターナショナル 微小実験デバイスおよび方法 A3 DC01 DC02 DC03 DE01 1A
WO2001/068256 (57)【要約】本明細書において開示されるのは、自動化された微小規模の形式での、所望の活動の実施における使用のための、装置およびデバイス、ならびにそれを用いるための方法および作成するための方法である。微小粒子は、微小規模装置内に誘導され、選択された順序および様式で種々のステーションの間を選択的に移動する。いくつかの実施形態は、反応、微量秤量、微量分析、試薬の獲得および配置、ならびにインキュベーションステーションを含む。微小粒子は、個々に移動してもトレインになって移動してもよい。粒子状のおよび固体組織のサンプルを含むサンプルは、デバイス内で操作および分析され得る。いくつかの実施形態は、微小製造活動または微小解析活動に従事し得る。このような装置を制御するためのシステムが、操作の方法と同様に、含まれる。
418 2003-527247 2001/03/01 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロメカニカル式の構成エレメント A4 DD01 FP
WO2001/069267 (57)【要約】本発明は、マイクロメカニカル式の構成エレメント特に加速度センサであって、基板（４）上で質量体（３）をばね弾性的に支承するためのたわみばね装置（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３）を有しており、該たわみばね装置（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３）が一方では質量体（３）に接続されていて、他方では基板（４）に固定されている形式のものに関する。たわみばね装置（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３）が少なくとも１つのたわみばね部材（Ｆ２，Ｆ３）を有しており、たわみばね装置（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３）の有効なばね定数を変化させるために、前記たわみばね部材の、基板（４）に対する可動性が可変である。
419 2003-527248 2001/03/14 オブデュキャット、アクチボラグ 物体へのパターン転写装置 A4 DBX FP
WO2001/069317 (57)【要約】スタンプ（１）から物体（２）へのパターン、特にミクロ構造ないしナノ構造の転写装置であって、前記スタンプ（１）のための受け面（１３）を有する第１の接触手段（１１）と、前記物体（２）のための受け面（２３）を有する第２の接触手段（２０）とを具備している。押圧手段（１０）が、前記スタンプ（１）を前記物体（２）と接触させるために前記接触手段（１１，２０）の少なくとも一方を作動させるように構成されている。一方の前記接触手段（１１，２０）は、ベース（２１）とホルダ（２２）とを備えている。そのホルダ（２２）は、前記受け面の一方（２３）を画成する第１端部と、その反対側の第２端部とを有している。この第２端部は、前記スタンプ（１）と前記物体（２）とが相互に接触する際に自動的に互いに平行な位置に置かれるよう、前記ベース（２１）に対して回動自在に連結されている。
420 2003-527621 2000/07/13 インプット／アウトプット，インコーポレーテッド マイクロマシン加工ミラー・デバイス A4 DA02 MA01 MD01 MD04 1
WO2001/004680 (57)【要約】セラミック基板上に取り付けられたマイクロマシン加工された上部キャップ（２０５）、ミラー（２１０）、および底部キャップ（２１５）を備えるマイクロマシン加工ミラー・アッセンブリを提示する。このマイクロマシン加工されたミラーは、一組のＴ字形蝶番で弾力的に支えられ、ミラーのＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向の移動を制限する止めを備える。上部と底部のマイクロマシン加工されたキャップはさらに、Ｚ軸方向のミラーの移動を制限する止めを備える。
421 2003-527972 2000/10/04 ナノストリーム・インコーポレイテッド 挟まれたステンシルを含むモジュラー型マイクロ流体デバイス A4 DC01 ME01 ME07 4A
WO2001/025138 (57)【要約】本発明は、モジュラー型マイクロ流体デバイスまたはシステムを提供し、更にそれらの製造方法も提供する。マイクロ流体デバイスは、第１および第２基板（５９，６０）と、第１および第２基板の間に挟まれて、１つまたは複数のシールされたマイクロ構造を形成する少なくとも１つのステンシル（５８）とからなる。このステンシルは、接着剤（４４）により少なくともどちらか一方の第１および第２基板に接着される。好ましい実施形態において、複数の挟まれたステンシルが設けられる。また、第１および第２基板は、略平坦であることが好ましい。これらのマイクロ流体デバイスは、低い工作機械設備費用で迅速に試作品製造可能で、複雑なマイクロ流体システム構造を有する３次元構造を形成するために容易に組み立てることが可能である。
422 2003-528276 2001/03/16 ケルシ・ヘイズ、カムパニ 熱的に作動するマイクロ弁アセンブリ A4 DC02 1A
WO2001/071226 (57)【要約】流体循環路内の流体流れを制御するマイクロ弁装置１０を提供する。マイクロ弁装置１０は内部に空洞４２を画定した本体１２を備える。本体１２はさらに空洞４２に連通するようにした第１パイロット口２０及び第２パイロット口２２を持つ。本体１２は空洞４２に連通するようにした第１の一次口２８及び第２の一次口３０を持つ。各口は指定の流体源に接続するようにしてある。本体１２に支えたパイロット弁３６は第１及び第２のパイロット口２０、２２を開閉するように空洞４２内に可動なように配置してある。アクチュエータ３８はパイロット弁３６を動かすようにこのパイロット弁３６に作動的に結合してある。マイクロ弁はパイロット弁３６により制御される流体によって位置決めされる。このマイクロ弁は第１端部４０ａ及び第２端部４０ｂを持つ滑り弁４０である。滑り弁４０は第１の位置及び第２の位置の間で動くように空洞４２内に可動なように配置してある。滑り弁４０の第１端部４０ａは、第１パイロット口２０及び第２パイロット口２２を開くと第１パイロット口２０及び第２パイロット口２２に連通する。滑り弁４０の第２端部４０ｂは第１の一次口２８に絶えず連通する。第１及び第２の位置の間で動くと、滑り弁４０は、各一次口２８、３０間の流体流れを可変的に制限するように第２一次口３０を少くとも部分的に開閉する。
423 2003-528744 2001/03/16 フラウンホーファ−ゲゼルシャフト　ツァー　フォルデルング　デア　アンゲバンデン　フォルシュンク　エー．　ファオ． マイクロアクチュエータ装置 A4 DBX 1
WO2001/073805 (57)【要約】本発明は、マイクロ反応装置、具体的には、マイクロリレーに関する。これは、２つのサーモメカニカルマイクロアクチュエータ（３、４）を有する基板（１）を備える。熱刺激に応じて、第１マイクロアクチュエータ（３）は、第２マイクロアクチュエータが基板表面（２）上に垂直な方向に移動する間に、前記基板表面（２）に平行な移動を行う。両方のサーモメカニカルマイクロアクチュエータは、第１マイクロアクチュエータ（３）が、伸びた状態で、第２マイクロアクチュエータ（４）の下に達するように、互いに関連して配置される。これらの条件によって、第１マイクロアクチュエータ（３）は、第２マイクロアクチュエータ（４）の動力源が断たれたときに、電力供給なしに、この位置で保持されうる。本マイクロアクチュエータ装置によれば、個々のスイッチング状態を維持するために、エネルギを供給する必要もなく、マイクロリレーに対するサーモメカニカルマイクロアクチュエータの高い活性化力及び長い位置決め距離という利点を実現しうる。
424 2003-529108 2001/03/22 オニックス　マイクロシステムズ　インコーポレイテッド 操作及び／又は感知のための垂直静電櫛形ドライブをもつ二次元ジンバル型走査アクチュエータ A4 DA02 FP
WO2001/073937 (57)【要約】二次元スキャナは、垂直静電櫛形ドライブアクチュエータ及びセンサを有する回転可能なジンバル構造体より成る。スキャナの２つの回転軸は、２組の垂直櫛形ドライブアクチュエータをアクチベートすることにより独立して制御することができる。第１組の垂直櫛形ドライブアクチュエータは、ジンバル構造体の外側フレームとベースとの間に配置され、そして第２組の垂直櫛形ドライブアクチュエータは、ジンバル構造体の内側部分と外側フレームとの間に配置される。ジンバル構造体の内側部分は、反射面を含み、そしてデバイスは、ミラーとして使用される。更に、垂直櫛形ドライブのキャパシタンスを測定して、ミラーの角度位置を監視することができ、そして容量性位置監視信号を使用して、ミラー角度の閉ループフィードバック制御を実施することができる。二次元スキャナは、半導体プロセスで製造することができる。二次元スキャナを使用して、光ファイバスイッチを形成することができる。
425 2003-529312 2001/03/23 オニックス　マイクロシステムズ　インコーポレイテッド 多層自己整列型垂直櫛形ドライブ静電アクチュエータ及びその製造方法 A4 DBX FP
WO2001/073934 (57)【要約】多層垂直櫛形アクチュエータは、複数の第１櫛形フィンガーを有する第１櫛形構造体と、複数の第２櫛形フィンガーを有する第２櫛形構造体とを備え、それら第１及び第２の櫛形フィンガーは実質的に指を組んだ状態にされる。第１及び第２の櫛形フィンガーは、絶縁層又はエアギャップにより互いに電気的に分離された２つ以上の積層された導電層を含む。或いは、第１又は第２のいずれかの櫛形フィンガーが１つの導電層のみを含んでもよい。第１及び第２の櫛形フィンガー間に電圧を印加すると、第２の櫛形構造体が第１の櫛形構造体に対して移動される。本発明は、２つの軸に沿って可動素子を回転させる二次元ジンバル構成を含む。
426 2003-530234 2001/03/10 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロメカニック構造素子および相当する製造方法 A4 DDX FP
WO2001/077009 (57)【要約】本発明は、以下の工程を有するマイクロメカニック構造素子の製造方法に関する：基板（１）を準備する工程、犠牲層（４）上に第１マイクロメカニック機能層（５）を備える工程、第１マイクロメカニック機能層（５）を、該機能層が可動すべきセンサー構造体（６）を有するように構造化する工程、構造化された第１マイクロメカニック機能層（５）上に第１閉鎖層（８）を備え、かつ構造化する工程、少なくとも被覆機能を有し、少なくとも部分的に第１マイクロメカニック機能層（５）内に固定されている第１閉鎖層（８）上に第２マイクロメカニック機能層（１０）を備え、かつ構造化する工程、センサー構造体（６）を可動する工程、および第２マイクロメカニック機能層（１０）上に第２閉鎖層（８）を備える工程。本発明は同様に相当するマイクロメカニック構造素子に関する。
427 2003-530235 2001/04/10 ロッキード、マーティン、コーパレイシャン カーボンナノチューブを用いるネットシェイプ製造法 A4 MI04 FP
WO2001/077015 (57)【要約】本発明はカーボンナノチューブを用いるネットシェイプ製造方法およびシステムを提供する。通常、自動制御ユニットが用いられて反応ユニットを適切な位置に置き、所定の全体形状のカーボンナノチューブ部材を生成させる。反応ユニットは、炭素気化ユニット、炭素供給／注入ユニットおよびガス圧力／温度制御隔離ユニットを含む。有利には、炭素供給／注入ユニットは所定の速度で反応領域に炭素を主成分とする材料（例えば、グラファイト粉末、固形グラファイトあるいは炭素を主成分とするガス）を注入するように作動し、反応領域で炭素気化ユニットは注入された炭素を主成分とする材料から炭素原子を解離させることができるエネルギーを供給して、反応領域内に所定の濃度の炭素蒸気を生成させる。ガス圧力／温度制御隔離ユニットは、反応領域の圧力および温度を制御してカーボンナノチューブの成長を促進するように作動する。
428 2003-531018 2001/04/13 ナノストリーム・インコーポレイテッド マイクロ流体システムにおける流体インピーダンス A4 DC01 4
WO2001/078893 (57)【要約】本発明は流体インピーダンスが埋設されたマイクロ流体装置を提供する。このインピーダンスは低い差圧では流体を通過させないが、高い差圧では流体を流動させる。インピーダンスは装置の層内に含まれる２以上の流路の３次元的重複によって形成される。このような装置は、迅速に試作することができ、多数の流体インピーダンスを有するように組み立てて、試料の規定量を計量し、試料を部分標本に分割することを含む複雑な流体取扱の仕事を行うことができる。
429 2003-531475 2001/02/01 レイセオン・カンパニー 集積回路コンポーネントを備えたマイクロ電気機械システムデバイスの真空パッケージの製造 A2 PH03 FP
WO2001/056921 (57)【要約】デバイスウエハ上に複数のＭＥＭＳデバイスを形成する工程を含むＭＥＭＳデバイスを真空パッケージするための方法を提供する。第１シーリングリングはＭＥＭＳデバイスの１つと全ての噛合パッドを取り囲むように形成される。複数の集積回路デバイスはリッドウエハ上に形成され、各集積回路デバイスは１以上の関連する噛合パッドと１以上の関連するボンディングパッドとを有する。複数の第２シーリングリングはリッドウエハ上に形成され、第２シーリングリングの各々は集積回路デバイスの１つと全ての関連するボンディングパッドを取り囲む。第２シーリングリングは集積回路デバイスの周囲と関連するボンディングパッドとの間に配置される。デバイスウエハはリッドウエハと真空環境下で噛合され、複数の真空パッケージが形成される。各真空パッケージは１以上のＭＥＭＳデバイスと１以上の集積回路デバイスとを封入する。
430 2003-531734 2001/04/06 クアンタム・ドット・コーポレーション 弁別可能なスペクトルバーコード方法及びシステム A4 DF01 1
WO2001/078288 (57)【要約】装置、システム、方法及び物質の組成物が、特に流体、粒子、細胞などと共に使用するために要素のライブラリを追跡及び／又は識別できる。１以上の半導体ナノ結晶からの信号が、結合されてスペクトルコードを定め得る。専用の波長範囲又は窓内の信号波長の分離により、スペクトルコードの弁別が容易になる一方、スペクトルコード内の較正信号により不明確さを避けることができる。事前試験に基づいたモデル化が許容可能なコードのライブラリを得るのを助け得る。
431 2003-531738 2001/05/04 ビーティージー・インターナショナル・リミテッド ナノ構造 A4 DF02 PJ07 FP
WO2001/084238 (57)【要約】ナノ構造を作製する手間の要らない方法であって、複数の部位を電荷を移動させるためのスタンプと接触させて、第一の材料の表面(1)上に、予め決められた形状をもつ一又はそれより多い電気的に帯電させた部位(5)を形成する工程と、第二の材料の電気的に帯電させたナノ粒子(7)を提供する工程と、そしてそれら粒子をそれら部位の近傍に流れるようにしてその部位の上に堆積させる工程とを含む方法。
432 2003-531739 2001/05/02 シルバーブルック　リサーチ　ピーティワイ　リミテッド 改良された熱曲げアクチュエータ A4 DBX FP
WO2001/083363 (57)【要約】アームの剛性を高めるように非平面状とした上方アーム（２３，２５，２６）と下方アーム（２７，２８）を備えた熱曲げアクチュエータ（６）が提供される。アーム（２３，２５，２６，２７，２８）は、平面でみて互いに横断方向にオーバーラップしていないので、それらのアームを単一のアーク形成層をデポジットすることによって形成することができる。
433 2003-532551 2001/05/11 オーミック・アクチボラゲット ユィロス・アクチボラグ 支持体上のマイクロチャネル A4 DC01 FP
WO2001/085602 (57)【要約】本発明は、流体の分散に適合させた、領域(１５)に少なくとも一部マイクロチャネルの底からマイクロチャネルの頂上に伸びる１個以上の溝(１７、２７、３７、４７、５７、７７、８７、９７)および／または１個以上の隣接突起(５９、６９、７９、８９、９９)を有する内部表面(７、９、１１)を有する、支持体(５)中のマイクロチャネル(１)に関する。
434 2003-533059 2001/05/10 ズァイベクス、コーパレイシャン 製造ステーションを自己複製するための方法およびシステム A1 DF02 8A
WO2001/086361 (57)【要約】非生物学的自己複製製造システム（「ＳＲＭＳ」）を提供するシステムおよび方法が開示されている。好ましい実施形態により、組立てステーションが複製することのできるＳＲＭＳが提供される。好ましい実施形態では、位置決め組立てが、同様の組立てステーションを構築するための１つまたは複数の組立てステーションによって使用される。さらに、最も好ましい実施形態では、このような組立てステーションが、同様の組立て装置を構築するため、ミクロン規模、ナノメートル規模、さらに分子規模さえもの部品などの少規模部品とともに働くことのできる少規模装置である。好ましい実施形態のＳＲＭＳが、表面対表面組立てを行う。たとえば、第１の表面（たとえば、ウェーハ）、表面Ａ上の組立てステーションが、他の表面（たとえば、ウェーハ）、面Ｂ上に同様の組立てステーションを構築する。ＳＲＭＳが、組立てステーションの構築が効率的に達成されるように実施されることが好ましい。たとえば、このような構築を、２つの表面間でピンポン方式で行う、または、このような構築を、２つの表面間で平行して行うことができる。最も好ましくは、組立てステーションが、指数関数的増加率で複製する。好ましい実施形態のＳＲＭＳを実施して、多世代成長の組立てステーションを可能にし、その中で、第１世代の組立てステーションが、第２（または「後の」）世代の組立てステーションを組立てる。その後、この後の世代の組立てステーションが、さらに後の世代の組立てステーションをさらに組立てることを続けていく。それぞれの世代の組立てステーションが同じである場合もあり、または１つの世代の組立てステーションが他の世代の組立てステーションとは異なる場合があることを理解されたい。
435 2003-533360 2001/03/21 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 微細加工構成素子及びその製造方法 A4 PIX FP
WO2001/087765 (57)【要約】本発明は、基板（１）、基板上にある第１の微細加工機能層（５）内の可動のセンサ構造体（６）、少なくとも部分的に構造化されている第１の微細加工機能層（５）上の第１の封止層（８）、少なくとも遮蔽機能を有し、少なくとも部分的に第１の微細加工機能層（５）内に固定されている第１の封止層（８）上の第２の微細加工機能層（１０）、及び第２の微細加工機能層（１０）上の第２の封止層（８）を備えた微細加工構成素子に関する。このセンサ構造体（６）はトレンチ（７）を有しており、このトレンチ（７）の幅は最大トレンチ幅（６６）よりも大きくなく、このトレンチ（７）は第１の封止層（８）によって、トレンチ底部に到達しない栓体（９）の形で封止可能である。
436 2003-533361 2001/05/15 テカン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト ミクロ流体構造での蒸着相似コーティングの使用 A4 PAX -
WO2001/087768 (57)【要約】本発明はミクロ分析的およびミクロ合成的な分析および手順を実行するための方法と装置に関する。本発明は、特に、構成要素の内部表層が、パリレンの相似コーティングを施したミクロ流体構成要素から成る、ミクロシステム・プラットフォームを提供する。
437 2003-533363 2001/05/14 ユニヴァーシティ　オヴ　フロリダ 被覆されたナノ粒子 A4 PAX 2
WO2001/088540 (57)【要約】シリカ被覆ナノ粒子とシリカ被覆ナノ粒子の製造方法が明らかにされる。油中水型マイクロエマルジョンの水区画に溶かした試薬からナノサイズの粒子を沈殿させることによって、シリカナノ粒子は調製される。反応性の高いケイ酸塩を添加し、シリカでコアを被覆する。様々な用途に使用するため、シリカ被覆されたナノ粒子を官能基化する方法も明らかにされる。
438 2003-534538 2001/05/25 プレジデント・アンド・フェローズ・オブ・ハーバード・カレッジ ３次元配列チャネルネットワークを含む微量流体システム A4 DC01 PE01 MEX 1a
WO2001/089787 (57)【要約】【課題】 本発明は、改良型微量流体システム及び改良型の微量流体システムを製造する方法を提供し、該微量流体システムは、１つ以上の微量流体チャネル段を包含する。ある本方法は、トポロジー的に複合の改良型微量流体システムへの便利な道筋を提供する。本発明の微量流体システムは、３次元配列の流体流路ネットワークを含み、該流体流路には、横断点において物理的に交差することなく該ネットワークの他のチャネルの上又は下を横断するチャネルが含まれる。微量流体ネットワークは、やはり本発明が提供するレプリカ成形工程を介して製造でき、該成形工程は、フォトリソグラフィにより形成されたトポロジー特徴を有する面を含む型マスターを利用する。微量流体ネットワークは、ある場合には単一のレプリカ成形層で構成され、他の場合は、組立てられて全微量流体ネットワーク構造物を形成する２つ以上のレプリカ成形膜で構成される。
439 2003-536058 2001/06/05 カリフォルニア・インスティテュート・オブ・テクノロジー 集積アクティブフラックスマイクロ流体デバイスおよび方法 A3 DC01 DC02 DC03 DE01 1
WO2001/094635 (57)【要約】本発明は、特定の疾患と関連したＤＮＡ、タンパク質、または他の分子の迅速な診断のための微細構築デバイスに関する。本発明のデバイスおよび方法は、ハイブリダイズされたポリヌクレオチドまたは抗原／抗体複合体と関連付けられた検出可能なレポーターのシグナルを測定することによって、ポリヌクレオチド（たとえばＤＮＡ）またはタンパク質（たとえば抗体）などの分子（たとえば分子量）を検出することによる、複数の疾患の同時診断に用いることができる。本発明による微細構築デバイスでは、分子（すなわち、ポリヌクレオチド、タンパク質、または抗原／抗体複合体）の存在の検出は、結合した分子と関連付けられた光学的に検出可能な（たとえば蛍光）レポーターからのハイブリダイゼーションシグナルと関係している。
440 2003-536068 2001/05/31 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 空気中の化学種及び生物学的種をサンプリング及び検出するための３Ｄ統合セル・アレイ A4 DEX FP
WO2001/094920 (57)【要約】寸法の小さな２次元アレイ及び３次元アレイとして配置するのに適した統合メソポンプ・センサ（３００、３２０）を開示する。１つのメソポンプ（３０、３２０）は、対向する２つの静電的に充電可能な材料層（７２、７４）の間に形成された空洞又はポンプ・チャンバ（６４）を通して配置された、静電的に引き寄せることができる可撓性ダイアフラム（７０、２４０）で構成される。流体は、ダイアフラム（７０、２４０）を第１の充電可能な層（７２）及び第２の充電可能な層（７４）に向かって順番に動かすことによって各チャンバを通してポンピングされる。この運動により、一連のチャンバ（６４、１３２、１３４、１３６）を通して、またセンサ（３０３、３５４、４２２、５０２）を通過するように流体を引き込み、押し出すことができる。１つのグループのセンサとしては、様々な分析物の存在に応答して様々に抵抗を変化させることができる複数の可変化学抵抗性センサを利用する。別のグループのセンサとして、特定の分析物が存在するときに蛍光を発する化学蛍光センサ（５０２、５０６）を利用する。いくつかのメソポンプ・センサ・システム（６００）は、ＭＥＭＳ技術を用いて製造することができる。また、これらのメソポンプ・センサ・システムは、ポンプ（６０）の順序づけを行い、主成分分析を含む様々な方法を用いてセンサ出力を分析するための制御装置（６０２）と結合することができる。
441 2003-536242 2001/01/26 モトローラ・インコーポレイテッド エッチ液およびエッチング方法 A4 PC03 -
WO2001/057921 (57)【要約】フッ化水素（ＨＦ）、カルボン酸、および水から成り、金属、ポリシリコンおよび窒化物に比べて酸化シリコンに高いエッチング選択性を有するエッチ液。該エッチ液は、正確に調節された最小量の水を有するカルボン酸に、無水ＨＦを注入することにより作製される。エッチ液は、マイクロエレクトロメカニカル（ＭＥＭＳ）デバイスの製造や、同じチップ上で集積電子回路と組み合わせたＭＥＭＳデバイスの製造に有用である。
442 2003-536273 2001/06/20 マサチューセッツ　インスティテュート　オブ　テクノロジー エッチング阻止層システム A4 PCX FP
WO2001/099169 (57)【要約】単結晶シリコン基板上のＳｉＧｅ単結晶エッチング阻止物質システムが提供される。このエッチング阻止物質システムは、正確な組成では変化し得るが、ドーピングされたまたはドーピングされていないＳｉ1-xＧｅx合金（ｘは一般に０．２〜０．５）である。その厚さ方向に横切って、エッチング阻止物質自身が均一な組成を有する。本発明のエッチング阻止物は、シリコン基板とＳｉＧｅエッチング阻止物質との間に漸変組成のバッファを有する。
443 WO2000-079288 2000/06/20 旭化成株式会社 石田　誠 加速度センサ A4 DD01 FP H120620 WO2000/079288 (57)【要約】ガラス基板５上の中央に支持体１が固定されている。この支持体１の周囲には、所定の間隔をおいて四角形の枠からなる重り部２がその支持体１を囲うように配置されている。重り部２は、肉厚の薄い梁１１〜１８により支持体１に可動自在に支持されるとともに、その各梁１１〜１８は、その長さ方向が支持体１の各辺に沿うように配置されている。支持体１、重り部２、および梁１１〜１８はシリコンの基板によって形成されている。
444 WO2001-042131 2000/12/04 西　孝 歯車及びその作成方法 A4 PCX FP H121204 WO2001/042131 (57)【要約】周面に突起状の歯を有した歯車、もしくは周面に磁気歯を有した歯車、もしくは周面に静電気歯を有した歯車及びその製造方法であって、歯と歯車を同じプロセスで一括して形成するために、蒸着、スパッタリング、めっき技術、ＣＶＤ、酸化プロセスなどの薄膜形成技術、およびフォトリソグラフィ、エッチングなどの微細加工技術を用いることで、前述のいずれかの歯を適用したウオーム歯車、平歯車、傘歯車などの歯車、さらに形状の複雑な歯車を形成する。特に、露光量制御法及び転写エッチング法を用いる点を特徴とする。
445 WO2001-053194 2000/01/19 三菱電機株式会社 マイクロデバイスとその製造方法 A4 DDX FP H120119 WO2001/053194 (57)【要約】表面に凹部を有する絶縁体基板と、絶縁体基板の表面側に凹部を挟むように形成されたシリコンの梁状構造体とからなるマイクロデバイスに関する。梁状構造体は少なくとも１つの機能部を有し、その機能部は絶縁体基板に接合された支持部と支持部と一体形成され凹部上に張出した少なくとも１つの片持ち梁とを有する。さらに、支持部と電気的に導通し、少なくとも、片持ち梁の直下の凹部表面に形成された導電性膜を有している。導電性膜は、ドライエッチングの際に、絶縁性基板の凹部が正に帯電するのを防止する。よって、正の電荷を有するエッチングガスが凹部の電気的斥力により反跳して梁状構造体を浸食することがない。したがって、本発明のマイクロデバイスは、形状及び寸法精度の高い梁状構造体を有するので、高い信頼性と設計自由度を提供する。
446 WO2001-066947 2000/03/06 株式会社日立製作所 送液装置およびそれを用いた分析装置 A4 DCX FP H120306 WO2001/066947 (57)【要約】本発明の送液装置は、数十ミリ角のマイクロダイアフラムポンプで毎秒数μＬから数百μＬの送液を行うもので、送液室内の気泡の除去を容易にするため、液体が入るときは抵抗が小さく出るときは抵抗が大きい入口弁と、外界に液体が出るときは抵抗が小さく入るときは抵抗が大きい出口弁とが、送液室内に一体形成され、前記送液室の形状を液入口側から出口側に向かって面積が拡大し、かつ、途中に平行部を有し、平行部から出口側に向かって面積が縮小するように形成したポンプ構造としたものである。
447 WO2001-068512 2001/03/16 科学技術振興事業団 マイクロアクチュエータ及びその製造方法 A4 DBX FP H130316 WO2001/068512 (57)【要約】個別に組み立てる必要がなく、極めて小型にできる、静電駆動される可動マスを駆動源に持つ自走型インパクトアクチュエータであって、台座部（１４）に固定した固定部（１）と、固定部に一端を固定した弾性支持梁（２）と、弾性支持梁の他端に固着した可動マス（３）と、台座部に固定し且つ可動マスと間隔をおいて配設した駆動電極（４）及びストッパー（５）と、可動マスと駆動電極との間に電圧を印加する電源回路（９）とを含み、電源回路（９）のＯＮにより駆動電極（４）と可動マス（３）との間に静電引力を発生させて可動マスをストッパー（５）に衝突させ、その時の運動エネルギーを外枠（６）に伝え、その後の電源回路（９）のＯＦＦにより静電引力を消滅させて可動マス（３）を弾性支持梁（２）の弾力により元の位置に戻し、その時発生する慣性力を外枠（６）に伝え、部材全部を所定方向に運動させるようにした静電インパクト機構を用いたマイクロアクチュエータである。
448 WO2001-068513 2001/03/16 松下電器産業株式会社 微小構造体の精密加工方法 A4 DF01 DF02 PB01 PE02 MA01 2 H130316 WO2001/068513 (57)【要約】シリコン基板６上に、酸化鉄からなる核１を保持させたフェリチン４の２次元結晶膜を形成した後、少なくとも核１をエッチングマスクとしてシリコン基板１をエッチングする。核１の直径は６ｎｍと微細であるため、基板上に微小構造体を形成することができ、半導体発光素子や量子効果を利用した各種半導体デバイスの製造が可能となる。
449 WO2001-071065 2001/03/22 シチズン時計株式会社 孔構造体及び孔構造体製造方法 A4 PA08 FP H130322 WO2001/071065 (57)【要約】微小な開口部を有し且つ深い貫通孔が空けられた孔構造体及びその製造方法を提供する。本発明に係る孔構造体は、第１の開口部及び第１の開口部の大きさ以上の大きさを有する第２の開口部を有する貫通孔を有し、第２の開口部の大きさｄは２μｍ以上且つ５０μｍ以下の範囲の大きさを有し、貫通孔の深さｔはｄより長く且つ１５ｄ以下の深さを有することを特徴とする。また、本発明に係る製造方法は、透明基板上に所定のパターンの不透明導電性層を形成する工程と、透明基板における前記不透明導電性層が形成されている一方の面に感光不溶性材料層を形成する工程と、透明基板における不透明導電性層が形成されていない他方の面から感光不溶性材料層に対して露光を行う工程と、感光不溶性材料を現像して所定のパターンに対応したレジストを形成する工程と、レジストが形成された一方の面に電気メッキ法によって孔構造体を形成する工程とを有することを特徴とする。
450 WO2001-082323 2001/04/23 オムロン株式会社 静電型リレー及び当該リレーを用いた通信用機器 A4 DB01 FP H130423 WO2001/082323 (57)【要約】シリコン基板（２１）の上面には固定接点（２３Ａ、２４Ａ）が設けられており、固定接点（２３Ａ、２４Ａ）と導通した信号線（２３、２４）はＳｉ基板（２１）を表面から裏面へ貫通して設けられており、シリコン基板（２１）の裏面には、信号線（２３、２４）と導通したバンプ（３２、３３）が設けられている。固定接点（２３Ａ、２４Ａ）の両側には固定電極（２２）が設けられており、固定電極（２２）と導通した配線（３０、３１）はＳｉ基板（２１）を表面から裏面へ貫通して設けられており、シリコン基板（２１）の裏面には、配線（３０、３１）と導通したバンプ（３４、３５）が設けられている。信号線（２３、２４）を貫通させたシリコン基板（２１）のスルーホール（２６、２７）と、配線（３０、３１）を貫通させたシリコン基板（２１）のスルーホール（２８、２９）は、可動基板（４０）又はキャップ（５０）によって密閉封止されている。