公開年：2002年

No. 公開／公表番号 出願日 出願人 発明（考案）名称 A分類 分類 発明相応図 国際出願日 国際公開番号 要約
1 2002-005887 2000/06/26 財団法人川村理化学研究所 親水性接液部を有する微小ケミカルデバイスの製造方法 A4 DEX 1

(57)【要約】【課題】 高い親水性を示し、生体物質などの吸着が少ない接液部を有し、且つ耐水性が低下しない微小ケミカルデバイス、及びその効率的な製造方法を提供する。【解決手段】 光硬化性樹脂組成物を基材に塗工し、樹脂欠損部となすべき部分以外にエネルギー線を照射し樹脂組成物を硬化させた後、未照射部分の未硬化樹脂組成物を除去して、樹脂組成物の欠損部として凹部を形成させ、次いで該凹部側面に光架橋重合性化合物と共重合可能な親水性化合物を含有する親水性層形成材料を接触させて、凹部側面に活性光線を照射し、凹部側面の表面に親水性化合物を化学的に結合させる、親水性層形成材料が凹部側面を含む光硬化性樹脂組成物硬化塗膜との接触界面以外に光重合反応を起こさないことを特徴とする、親水性接液部を有する微小ケミカルデバイスの製造方法。
2 2002-011700 1998/04/03 ユニバーシティ　オブ　サザン　カリフォルニア 電気化学製造のための物品、方法、および装置 A4 PA08 FP

(57)【要約】【課題】 構成材料と犠牲材料の両方の着電に基づいて多層３次元構造を形成する。【解決手段】 めっきされる基板２に、マスク６および支持体８を含む第１の物品４ａを接触させ、第１の金属イオン源が存在している状態で、第１の金属（例えば犠牲金属）１２を堆積し、マスク１６および支持体１８を含む第２の物品１４を基板２に接触させ、第２の金属イオン源が存在している状態で、第２の金属（例えば構成金属）２０を堆積し、層を平坦化する。そして、異なるパターンの電気めっき物品４ａ、４ｂ、１４ａ、１４ｂを用いて上記した方法を繰り返し、多層構造２４を生成する。犠牲金属１２の全てをエッチングすることによって、エレメント２６を得る。
3 2002-014297 2000/06/29 ミヨタ株式会社 ガルバノミラー A4 DA04 FP

(57)【要約】【課題】 ガルバノミラーの加工工程はエッチング回数が多く、加工精度を上げるには高価な基板を使用するためコストが高い。【解決手段】枠体と該枠体内に配置された振れ体と該振れ体を保持するためのねじり梁とが同一基板に形成されたガルバノミラーにおいて枠体及び振れ体及びねじり梁の厚みを同一にしたガルバノミラーとする。
4 2002-016264 2000/06/27 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法 A4 D01 PJ03 FP

(57)【要約】【課題】 半導体チップにおける半導体ウェハの一面に相当する主表面側に、可動電極及び固定電極を有する梁構造体が形成されてなる半導体加速度センサにおいて、ダイシングカットの際に発生する切り屑の飛散を防止し、センサ特性の劣化を防止する。【解決手段】 半導体ウェハ１５０の一面１５１側にチップ単位毎に、梁構造体２０〜４０を形成するとともに、スクライブ領域に対応する部位に幅広の外周溝部７０を形成した後、半導体ウェハ１５０の一面１５１側に保護シート１１０を貼り付けると共に、保護シート１１０を外周溝部７０の底面におけるスクライブラインＤＬに位置する部位に貼り付ける。それにより、半導体ウェハ１５０の他面１５２側からダイシングカットを行う工程では、ブレード１２０が半導体ウェハ１５０を貫通してきたときに切り屑が飛散しない。
5 2002-018800 2001/04/26 エッペンドルフ　アクチエンゲゼルシャフト ガスクッション式分配マイクロシステム A4 DC01 DC02 DC03 DDX 1

(57)【要約】 （修正有）【課題】 液をミクロリットルやミクロリットル以下のレンジの極めて微量な液量で分配するガスクッション式マイクロシステムに関する。【解決手段】 ミクロリットル及びそれ以下のレンジの液分量で液を分配するガスクッション式分配マイクロシステムであって、分配中の液の貯蔵空間であって境界線に外方に伸びる液通路が通過するものと、ガス通路とを含む液貯留部と、ガスをポンピングするミクロポンプと、ガス通路への接続部とを持つガス変位システムと、ミクロポンプと操作連通する分配制御部であってミクロポンプを作動させることにより負圧もしくは正圧を発生させ、負圧もしくは正圧を液貯留部に付加して、液通路を介して貯蔵空間に液を受け入れるかもしくは前記空間から液を吐出するものとを備えたガスクッション分配マイクロシステム。
6 2002-022763 2001/05/15 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロメカニック式構成素子 A4 DD01 FP

(57)【要約】【課題】 マイクロメカニックな構成素子を改良して、過負荷加速時における隣接部分に対する撓みばね装置の粘着作用を効果的に防止する。【解決手段】 撓みばね装置４０を介して基板１上にばね支承されていて加速によって少なくとも１つの方向Ｐに振れ可能な地震質量体１０を備え、該地震質量体１０の振れを第１のストッパ装置２００；２００′によって制限可能であり、かつ前記撓みばね装置４０を前記地震質量体１０の側方に装着した形式の、マイクロメカニック式構成素子、特に加速度センサにおいて、撓みばね装置４０の歪曲を制限するために第２のストッパ装置３００；４００；４５０；６００が設けられている。
7 2002-023073 2000/07/03 エヌティティエレクトロニクス株式会社 ＭＥＭＳ光スイッチとその製造方法 A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】耐振動性が良く、ミラー設置精度が良く、光路オン・オフの信頼性が優れているようにするＭＥＭＳ光スイッチの改良とその製造方法の改良とである。【解決手段】基板上に形成される絶縁物層の上に設けられており、基板の１端近傍に１端が固定され、他端は上方向に跳ね上げられる形状の自由端である第１のカンチレバーと、第１のカンチレバーの自由端近傍に、第１のカンチレバーの上面に垂直に、第１のカンチレバーの上面上に形成されるヒンジを介して取り付けられるミラーと、第１のカンチレバー上に重ねて設けられ、第１のカンチレバーの固定端近傍に固定端が設けられ、他端は上方向に跳ね上げられる形状の自由端であり、自由端が構成するミラー挟持用スリットを介してミラーを挟み固定する第２のカンチレバーと、ミラーの面に向かって光を照射する信号光照射手段と、ミラーの面からの信号光を入射される信号光入射手段の少なくとも一つとを有し、第１・第２のカンチレバーの上下方向移動に対応して、光信号の切り替えができる構造のＭＥＭＳ光スイッチである。
8 2002-026338 2000/07/05 株式会社豊田中央研究所 半導体装置及びその製造方法 A4 DDX FP

(57)【要約】【課題】高感度の可動部を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体から成る可動部にメッキを施すことで、可動部の質量、剛性、構造強度を大きくすることができる。ＳＯＩ基板を用いれば、例えばエッチホールの壁面のみにメッキを施した半導体装置を形成することも容易である。
9 2002-031767 2000/07/17 日立電線株式会社 江刺　正喜 光スイッチ A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 非閉塞型で多入力多出力化でき、小型集積化できる光スイッチを提供する。【解決手段】 マイクロマシニング技術で小型ミラー２０と軸状支持部２１、２２と基板２５とを一体化することにより、非閉塞型で小型集積化された光スイッチが得られる。小型ミラー２０を駆動手段で回動させる際に軸状支持部２１、２２がトーションバーとして機能するので、駆動手段の回動力と軸状支持部２１、２２の捩じれ力とのバランスを取って小型ミラー２０の角度を制御することにより光信号を切替えることができる。小型ミラー２０、軸状支持部２１、２２及び駆動手段が複数個形成された一対の基板２５、３１を互いに対向するように配置し、両基板２５、３１の近傍に複数の入出力光ファイバを配置することにより非閉塞型の多入力多出力の光スイッチを実現することができる。
10 2002-036196 2000/07/24 独立行政法人産業技術総合研究所 光駆動型集積化学システム A4 DEX FP

(57)【要約】【課題】 １つの基板上に多数の流路を形成した集積化学システムに使用するバルブを、高電圧や高温を必要とせず、電気配線の必要のないバルブを用いることにより高集積化を可能とする。【解決手段】 例えば、ポリシリコン薄膜からなる可動膜の中央部表面に、ポリジアセチレン（ＰＤＡ）薄膜を蒸着により形成する。この可動膜の縁部をシリコン製の板上に固定し、中央部は自由に変形できるようにする。この可動膜で流路の開閉を行うバルブを構成し、このバルブ３を図１の基板１上に形成した流路の任意の位置に配置する。各バルブ３に対してレーザ照射手段６で２種類の光を照射し、そのレーザ光はミラー７の傾き調整により、任意のバルブに照射して任意の流路を構成する。また、光応答性物質としては、例えばＰＬＺＴ等の１つの光の照射と非照射で形状が変化するものを用い、パルス光で作動させても良い。
11 2002-036198 2001/05/17 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロメカニック構成素子及びその製造方法 A4 DD03 PC03 FP

(57)【要約】【課題】 マイクロメカニック構成素子、特に圧力センサを提供する。【解決手段】 該構成素子は、半導体材料からなる基板（１０）と、該基板（１０）にエピタキシーで施された半導体材料からなる機能層（５０）とを有し、その際基板（１０）と機能層（５０）の間に、機能層（５０）の膜範囲（Ｍ）を規定する中空室（３００）が設けられており、かつ、膜範囲（Ｍ）の下の基板（１０）上に、たわむ際に基板（１０）上での膜範囲（Ｍ）の付着を阻止するための１つ以上のスペーサ（４０）が設けられている。
12 2002-036199 2000/07/26 科学技術振興事業団 マイクロマシンおよびマイクロマシンシステム A4 MCX FP

(57)【要約】【課題】 簡易な駆動機構によって滑らかで自由度の高い蠕動移動が可能な、新しいマイクロマシンおよびマイクロマシンシステムを提供する。【解決手段】 磁性流体（１３）が封入された弾性チューブ（１０）からなり、移動磁界に従って後退波を発生する弾性チューブ（１０）の蠕動運動により移動する。
13 2002-036200 2001/06/06 ルーセント　テクノロジーズ　インコーポレーテッド アギア　システムズ　オプトエレクトロニクス　ガーディアン　コーポレーション マイクロメカニカルデバイスの相互接続 A2 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 本明細書は、マイクロエレクトロニックマシンメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）のための相互接続戦略を述べる。【解決手段】 一般的なＭＥＭＳデバイスアレイは、各々がマルチチップモジュール（ＭＣＭ）によって駆動される多数の個々の機械的デバイスを備える。ＭＣＭをシステム相互接続基板の両面に実装することにより、高密度相互接続が達成される。所定の機械的素子を駆動する共通の回路におけるＭＣＭをシステム相互接続基板の両面に配置し、基板を通るビアを使用してそれらを相互接続することにより、相互接続長全体が低減される。電気的接続用のコンタクトピンアレイを使用してすべての能動素子をソケットに実装することにより、迅速な交換／修理が容易になる。冗長なＭＣＭのためにスペアソケットを提供することにより、インサービス信頼性が得られる。
14 2002-043449 2001/05/22 ルーセント　テクノロジーズ　インコーポレーテッド マイクロメカニカルパッケージング装置 A4 MA01 PHX FP

(57)【要約】【課題】 電子組立技術、特にマイクロエレクトロメカニカルシステムのパッケージングに関する。【解決手段】 本明細書は、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）のためのパッケージングアセンブリを記載する。これらパッケージアセンブリ内のＭＥＭＳデバイスは、シリコン支持体上のシリコンＭＥＭＳデバイスをベースとしており、該シリコン支持体は異物から機械的に分離される。異物は、ＭＥＭＳデバイスにおける光学的位置合わせに悪影響を及ぼす熱膨張を相違させる恐れがある。好ましい実施形態において、ＭＥＭＳデバイスは全シリコンチャンバ内に包含される。機械的分離はまた、ＭＥＭＳデバイスのシリコン支持基板を次の相互接続レベルに相互接続するためにピン接触アレイを用いることで助けられる。ピン接触アレイの使用はまた、ＭＥＭＳデバイスを交換または修理のために容易に取り外せるようにする。
15 2002-046099 2000/07/31 株式会社リコー 膜構造体及びその膜構造体の製造方法並びにその膜構造体を具備するセンサ及び静電アクチュエータ及びインクジェット記録ヘッド及びそれらの製造方法並びにそのインクジェット記録ヘッドを具備するインクジェット記録装置 A4 DBX 7

(57)【要約】【課題】 薄くした薄膜体の座屈による皺状の変形の発生を防止して、正確な検出と制御が行われ、歩留まりが高く低コストの膜構造体及びその膜構造体の製造方法並びにその膜構造体を具備するセンサ及び静電アクチュエータ及びインクジェット記録ヘッド及びそれらの製造方法並びにそのインクジェット記録ヘッドを具備するインクジェット記録装置を提供する。【解決手段】 シリコンからなる膜基板１と、上記膜基板１に形成された薄くした薄膜体２と、上記薄膜体２を覆う絶縁膜３と、上記絶縁膜３に覆われた上記薄膜体１に形成された線状の線状窪み４とからなる。
16 2002-046100 2000/08/01 科学技術振興事業団 レーザー駆動微小モーター A4 DBX FP

(57)【要約】 （修正有）【課題】 大きな仕事エネルギーを取り出すことのできる等温系の微小モーターを実現する。【解決手段】 液状媒質中に浮遊した物体が少なくとも２形態を有し、レーザー及び液状媒質中に浮遊させた物体から成り、液状媒質中にレーザー光を集光させて、物体の少なくとも一部がその焦点に捕捉される段階、この捕捉された物体がレーザー光から光エネルギーを吸収する段階又は焦点に存在する媒質が光エネルギーを吸収し更にこのエネルギーが媒質から物体に移動する段階、及びエネルギーを吸収した物体が安定な状態に移る段階を順に自発的及び周期的に繰り返させることにより、物体から仕事エネルギーを取り出す。
17 2002-048071 2000/08/07 セイコーインスツルメンツ株式会社 マイクロ流体システム A3 DCX FP

(57)【要約】【課題】 汎用性に富み、低コスト化を実現し、かつ取り扱いの容易なマイクロ流体システムを提供する。【解決手段】 アクチュエータ、ヒーター、クーラーの能動素子もしくは各種センサ等の受動素子を有するアクチュエータ用基板と、流路、混合室、ポンプ室等の流体要素を構成するカバー用基板が着脱可能である構造とすることによって、流体要素の配置変更をおこなう際には、カバー用基板のみを交換することによって対処できるような構造とした。またアクチュエータ用基板は、複数の能動素子もしくは受動素子があらかじめ格子状に設置してある汎用性の高い構造とした。また両基板を取り外すことによって、流体システム内に混入した異物を容易に取り除くことができる構造となっている。
18 2002-048607 2000/08/02 財団法人電気磁気材料研究所 科学技術振興事業団 薄膜触覚センサ A3 DDX FP

(57)【要約】 （修正有）【課題】従来、歪と同時に温度を正しく検知可能とする工夫がなされている触覚センサは提案されていない。又、従来の歪及び温度を同時に検知するセンサは、感度が悪い、誤差が大きい、補償回路を必要とするの問題があった。本発明は、高感度で誤差が少なく、補償回路を必要とせずに、歪及び温度を同時に検知可能とする薄膜触覚センサを、義手・義足、ロボット、マニピュレータ、体内挿入型医療器具及び人口皮膚等に提供する。【解決手段】温度感度が大きく歪感度（又は圧力感度）が小さい温度検知用薄膜、及び歪感度（又は圧力感度）が大きく温度感度が小さい歪検知用薄膜という、大きく異なる特徴を持つ二つの薄膜抵抗体を、並列構造あるいは積層構造をなして構成することにより、補償回路を用いずに温度及び歪（又は圧力）を同時に提供することが可能な薄膜触覚センサを提供することができる。
19 2002-052498 2001/06/21 テキサス　インスツルメンツ　インコーポレイテッド 自立微小機械デバイスを被覆する方法 A4 PAX FP

(57)【要約】【課題】 構造的な損傷を与えずにデバイスを被覆する。【解決手段】 回転被覆を用いた自立微小機械デバイス（３０２）を被覆する方法。固体装填量が高いが粘度の低い溶液が、マイクロ加工構造の自由区域（３０４）に浸透することが出来る。回転によってこの溶液をウエーハ又はダイから除くと、毛管作用による予想された損傷なしに、デバイスの上に被膜が出来る。固体成分として有機重合体を使う場合、従来のアッシング・プロセスによって構造を再び離型することが出来る。この方法は、微小機械デバイスの製造で、離型させた試験される構造を保護する為、並びに湿式離型過程に関連する微小機械デバイスの膠着に関係する変形を解決する為の方法として使うことが出来る。
20 2002-052499 2000/08/10 松下電工株式会社 アクチュエータ A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】 二方向に駆動するアクチュエータを提供する。【解決手段】 第１導電型半導体層１、７と、該第１導電型半導体層１、７の表面に不純物拡散により形成した第２導電型不純物拡散層２、８と、前記第１導電型半導体層１、７と前記第２導電型不純物拡散層２、８の上に形成された絶縁層３、９と、前記第２導電型不純物拡散層２、８の上に前記絶縁層３、９を介して形成され熱膨張係数が前記第１導電型半導体層の熱膨張係数に比べ大きい金属層６、１２と、該金属層６、１２を挟むように前記第２導電型不純物拡散層２、８と接触をとった２つの金属電極４、５及び１０、１１とを有してなる２つの梁構造体を、熱絶縁層１３を介して、前記絶縁層３、９が形成されていない前記第１導電型半導体層１、７の面を互いに対向させて接合した。
21 2002-052500 2001/05/14 メムスカップ プランヘッド−シルマグ・ペ・アッシュ・エス 可変キャパシタ又はマイクロスイッチタイプの電子マイクロ構成要素及びそのような構成要素の製造方法 A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】 互いに対面する固定プレートと変形可能膜とを備えた電子マイクロ構成要素を室温で製造する方法を提供することである。【解決手段】 酸化物層（２）上に固定プレートとなる第１の金属層を堆積する段階と；固定プレート（１）の周縁の少なくとも一部であって、その両側上に、固定プレート（１）と変形可能膜（２０）との間のスペーサとして作用する金属リボン（１０，１１）を堆積する段階と；固定プレートの全体にわたって犠牲樹脂層（１５）を堆積する段階と；リソグラフィによって、犠牲樹脂層の表面に複数の井戸を形成する段階と；電気分解によって、犠牲樹脂層（１５）に形成された井戸内に、変形可能膜（２０）を形成する少なくとも一つの金属領域であって前記固定プレートの両側に配置された金属リボンの間に延伸する金属領域を堆積する段階と；犠牲層を除去する段階と、を備えたことを特徴とする。
22 2002-066999 2000/08/30 財団法人川村理化学研究所 微小バルブ機構及びその製造方法 A4 DC02 2

(57)【要約】【課題】 本発明が解決しようとする課題は、耐圧性が高く、また開閉操作に大きな機構が不要で、しかも、実用的な時間で開閉が可能な、微小バルブ機構及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】 部材中に毛細管状流路を有し、流路の途中に流路に面して、感温性ゲルが充填されたゲル室を有することを特徴とする微小バルブ機構、及び毛細管状流路の途中に流路に面して形成されたゲル室に、エネルギー線照射によって感温性ゲルを形成する溶液を充填し、ゲルを形成する部分にエネルギー線を照射して、該ゲル室内に感温性ゲルを形成する微小バルブ機構の製造方法。
23 2002-072109 2000/08/29 セイコーエプソン株式会社 空間光変調装置の製造方法、空間光変調装置、光ガイド、および映像表示装置 A4 DAX FP

(57)【要約】【課題】 光の利用効率の高い空間光変調装置の製造方法を提供する。【解決手段】 光スイッチング素子１０がアレイ状に配列された周りに設けた壁３０により上方の光ガイド４１を支持する空間光変調装置５０の製造方法であって、全反射面４１ａのうち、光学素子３の抽出面３ａと接する領域４１ｂが、壁３０の上面３１に接触する面４１ｃより基板２０の側に突き出た段差Ｌが形成された光ガイド４１を採用することにより、光学素子３の抽出面３ａと壁３０の上面３１のレベルを揃えることができるので、これらの面を一括してＣＭＰなどにより平坦化することが可能であり、抽出面３ａの面精度を上げ、光の利用効率の高い空間光変調装置５０を提供できる。
24 2002-072110 2000/08/30 日本航空電子工業株式会社 光スイッチ A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 スイッチング電圧を低減した光スイッチを提供する。【解決手段】 固定電極基板８と、固定電極基板８と平行に配置されてこの固定電極基板８に対して垂直方向に変位せしめられる可動電極板２０と、可動電極板２０表面に位置決め固定されるマイクロミラー３とを有し、固定電極基板８と可動電極板２０との間に電圧を印加してマイクロミラーを変位させることにより入射光ビームの光路を変更する光スイッチにおいて、可動電極板２０はマイクロミラー３を搭載したミラー可動電極板２とミラー可動電極板２に結合ビーム２１、２１’を介して電気機械的に結合した複数枚の補助可動電極板２’より成るものである光スイッチ。
25 2002-075156 2000/09/01 日本電気株式会社 マイクロスイッチおよびその製造方法 A4 DB01 FP

(57)【要約】【課題】 スイッチオフ時の大インピーダンスおよび低電圧駆動を実現する。【解決手段】 上部電極４、下部電極６、接触電極７および信号線８は、マイクロスイッチのオフ状態における接触電極７と信号線８との最短距離が、上部電極４と下部電極６との最短距離よりも長くなるように配設されている。
26 2002-076269 2001/04/27 エスティーマイクロエレクトロニクス　ソチエタ　レスポンサビリタ　リミテ 半導体材料の第２の本体が重ねて置かれた半導体材料の第１の本体を電気的に接続するための構造、電気的接続構造を使用する複合構造、および、それらの製造方法 A2 PIX FP

(57)【要約】【課題】 ２つの半導体材料本体を機械的に接続する従来技術は、２つまたは３つのウエハに機械的な接続に加えて電気的に接続し、或いは、ウエハのうちの１つのカバーされた部品を電気的にアクセスし得るものではなかった。【解決手段】 電気的接続構造は、第１のシリコン本体１０をその上に配置された第２のシリコン本体１の表面上の導電性領域２９，３０に接続する。電気的接続構造は、各少なくとも１つの、プラグ領域３、絶縁領域２ａ，６、および、導電性電気機械的接続領域２３を含む。プラグ領域３を形成するには、第１のウエハ１内にトレンチ２ａを彫り、絶縁材料６を充填する。次に、プラグ領域３は、金属とシリコンの間の化学反応をひき起こす低温熱処理を実施することで第２のウエハ１０上の金属領域２３に固定される。その後、第１のウエハ１は、トレンチ２ａまで薄くされ、第１のウエハの自由面上に電気的接続２９，３０が形成される。
27 2002-082127 2000/09/07 三菱電機株式会社 静電容量型加速度センサ、静電容量型角加速度センサおよび静電アクチュエータ A4 DBX DD01 FP

(57)【要約】【課題】 過剰に加速度が印加されたときであっても電極が損傷しにくい構造の静電容量型加速度センサ、静電容量型角加速度センサおよび静電アクチュエータを実現する。【解決手段】 従来の固定電極を可動電極に置き換え、両方の電極をともに可動電極とする。なお、加速度が印加されたときの第１および第２の可動電極４，７の移動量がそれぞれ異なるように、両電極の梁部３，６の剛性を調節しておく。そして、第１の可動電極４および第２の可動電極７間の静電容量の変化から加速度を検出する。これにより、過剰に加速度が印加されたときであっても電極が損傷しにくい構造の静電容量型加速度センサが実現できる。
28 2002-082292 2000/09/06 日本航空電子工業株式会社 光スイッチ A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 光ファイバを平行に配列する光スイッチを提供する。【解決手段】 固定電極基板８と、基板１と、フレクチュア部２１を介して基板１に取り付け結合される可動電極板２と、可動電極板２の表面に形成されるミラーを有し、可動電極板２を静電駆動して光を切り替え制御する光スイッチにおいて、互いに平行な直線に各別に配列される出射側光ファイバ４および入射側光ファイバ５を具備し、ミラー３１、３２は出射側光ファイバ４および入射側光ファイバ５に対応して形成される光スイッチ。
29 2002-086399 2001/06/19 財団法人川村理化学研究所 積層構造を有するマイクロデバイス及びその製造方法 A4 DC01 FP

(57)【要約】 （修正有）【課題】毛細管状の空洞を有するマイクロデバイスの製造方法、特に立体的に形成された複雑な流路を有するマイクロデバイスの製造方法を提供する。即ち、複数の樹脂層が積層され、毛細管状の空洞が各層を貫通して互いに連絡し、流路、反応槽、ダイヤフラム式バルブ、及び弁構造など多機能なマイクロデバイスを提供する。【解決手段】支持体上にエネルギー線硬化性組成物から成る、欠損部を有する塗膜を形成し、該塗膜を他の部材に積層し支持体を除去し、活性エネルギー線を再照射して該塗膜を硬化させ他の部材に接着することによる、内部に空洞が形成されたマイクロデバイスの製造方法、及び部材を貫通又は表面に凹状の欠損部を有する部材に前記欠損部を有する硬化樹脂塗膜の層を１つ以上積層し、部材中の少なくとも２つ以上の欠損部が連結して空洞を形成する積層構造を有するマイクロデバイスの製法。
30 2002-086400 2000/09/08 関西ティー・エル・オー株式会社 能動マニピュレータ装置 A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】 人体内部の血管などに挿入することができる小形の能動マニピュレータ装置を提供する。【解決手段】 能動マニピュレータ装置１の基端部２から遊端部３にわたって、複数のリンク４，５，６を、関節７，８によって角変位軸線９，１０まわりに角変位自在に連結する。各関節７，８には、圧縮空気によって駆動されるピストン３６を、一方のリンク５の凹部３４に設け、圧縮空気を供給することによってピストン３６が他方のリンク４に当接し、その摩擦力で両リンク４，５の角変位を阻止し、または角変位に必要なトルクを制御することができる。一対の索条１１，１２の一端部は、遊端部３のリンク６の頂部に連結され、各索条１１，１２は、関節７，８の角変位軸線９，１０の両側方に沿って、案内部１６〜１８；１９〜２１によって導かれて案内され、索条１１，１２の他端部は、巻取り手段２３，２４によって巻取られ、または巻きほどかれる。
31 2002-094328 2001/06/14 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 通信信号ミキシング／フィルタリング・デバイスおよびその製造方法 A3 DB04 DBX FP

(57)【要約】【課題】 カプセル封止されたマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを用いる、通信信号のミキシング／フィルタリング・システムおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 簡単な単一構造のマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスは、信号のミキシング・ステップとフィルタリング・ステップとを組み合わせる。このＭＥＭＳデバイスは、従来技術の既存のデバイスに比べて、小型かつ安価で、構造および動作において信頼性が高い。
32 2002-100276 2000/09/20 松下電器産業株式会社 微小機械スイッチ A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】 本発明は、信頼性の高い接点を有する小型の機械式スイッチやリレーを提供することを目的とする。【解決手段】 梁の撓み形状と同等の形状を有する保持電極を設け、静電力により梁の撓み形状を保持する。また、接点の接触面同士を接触角を限りなく０に近づけて接触させ、接触面積を広げるととともに、等分布荷重の静電力により接点を保つため、接触抵抗が低く、またスティクション問題が低減できる高品質の接点を供給することができる。
33 2002-103297 2000/09/26 松下電工株式会社 マイクロアクチュエータ A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】 堀り込み部を形成することなく可動エレメントの部位でのギャップを確保して、製造工程の簡略化と歩留まりの向上を図ることができるマイクロアクチュエータを提供すること。【解決手段】 流体の流路又は電気配線を有する基板１と、可撓部５で支持されて変位可能な可動エレメント６とを有して、可動エレメント６の変位により流体の流路又は電気配線の開閉制御を行うマイクロアクチュエータにおいて、通常状態で開状態となる（ギャップＧを確保する）ように可撓部５を反った構造としたことを特徴とする。
34 2002-103299 2000/09/22 アイシン精機株式会社 マイクロマシンの製造方法 A4 PA01 PF03 FP

(57)【要約】【課題】 所定の厚みのポリシリコン層で凹部を平坦化したときに、かかるポリシリコン層に発生する内部応力を緩和させることができるマイクロマシンの製造方法を提供すること。【解決手段】 減圧ＣＶＤを用いた１．５μｍの厚さのポリシリコン膜の堆積と、かかるポリシリコン膜へのイオン注入とを２回繰り返した後に、アニールすることにより、ＬＴＯ層１６に形成された凹部１８の孔埋めを行うとともに、厚さが３μｍのポリシリコンの下層１９をＬＴＯ層１６に付加させる。さらに、リンをドープしたドープドポリシリコンをポリシリコンの下層１９と同じ濃度でエピタキシャル装置により成長させて、１２μｍの厚さのポリシリコンの上層２０をポリシリコンの下層１９に付加させることにより、ポリシリコンの下層１９とポリシリコンの上層２０とでポリシリコン層Ｓを成膜する。
35 2002-107641 2001/05/30 三星電子株式会社 光スイッチングのためのマイクロアクチュエータ及びその製造方法 A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 低電圧で駆動が可能であり、別の補助装置なしで反射鏡を正確に９０゜で回転駆動できるマイクロアクチュエータ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 マイクロアクチュエータはウェーハと、ウェーハの上面に形成された下部電極と、下部電極に垂直にウェーハの上面に形成された側面電極と、下部電極を挟んでウェーハの上面に突設された一対の支持ポストと、側面電極と所定間隔ほど離隔されたまま下部電極に対向配置された反射鏡と、反射鏡と支持ポストとの間に介在して反射鏡を弾性的に回動自在に支持する一対のコイルスプリングとを含んで構成される。
36 2002-113866 2001/03/19 株式会社リコー 静電アクチュエータ及びその静電アクチュエータの製造方法並びにその静電アクチュエータを具備する静電型マイクロポンプ及びその静電アクチュエータを具備するインクジェット記録ヘッドとそのインクジェット記録ヘッドを具備するインクジェット記録装置 A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】 耐腐食性薄膜が形成された振動板の座屈して撓む作動不良の発生を防止して、耐液体や耐インクの腐食に優れ、歩留まりが向上して低コストで、省資源で低消費電力で、液体やインク液噴射のバラツキが低減され、高品質のインク画像が記録される静電アクチュエータ及びその製造方法並びにそれを具備する静電型マイクロポンプ、インクジェット記録ヘッドとそのインクジェット記録ヘッドを具備するインクジェット記録装置を提供する。【解決手段】 静電力により振動する振動板１と、振動板１に対向する電極基板２と、電極基板２上に形成されて振動板１に隙間を介して対向する電極３と、電極３と対向する振動板１上に耐腐食性の薄膜が形成された耐腐食性薄膜４と、耐腐食性薄膜４の振動板１の撓みの発生を防止する振動板撓み発生防止手段５とからなる。
37 2002-116388 2000/10/05 住友電気工業株式会社 光スイッチ及びそれを含む光スイッチ・デバイス A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 導波路の集積化を妨げることなく製造可能な構造を備えた光スイッチ及び光スイッチデバイスを提供する。【解決手段】 この発明に係る光スイッチ・デバイスは、所定間隔で内部に複数の導波路(500)が設けられた導波路基板基板(100)と、これら導波路(500)のうち少なくとも一部の光軸を横切るように導波路基板(100)に設けられた溝(110)と、溝(110)に沿って所定の光学部品(310)を移動させる光スイッチ(200)を備える。この光スイッチ(200)は、導波路(500)が形成される面と一致しないように導波路(500)に沿って導波路基板(100)表面に形成されるため、導波路(500)の集積化は制限されない。
38 2002-116391 2000/10/11 キヤノン株式会社 薄膜型光変調装置 A4 DAX FP

(57)【要約】【課題】 薄膜型光変調装置において、素子サイズを大きくすること無くミラーのチルト角を大きくする。【解決手段】 支持層１１１の上に変形層を有して形成されるアクチュエータと、前記支持層の上部に形成される光反射手段（ミラー１５０）とを備えた薄膜型光変調装置において、前記アクチュエータの長手方向を前記光反射手段の対角方向と一致させて配置する。この配置とすることで、素子サイズを変えることなくアクチュエータの長さを長くすることができ、従って、その上部に形成されるミラー１５０のチルト角を大きくすることができる。
39 2002-116402 2000/10/05 ミヨタ株式会社 光偏向素子及びその製造方法 A4 DAX FP

(57)【要約】【課題】 製造が容易で反りの少ない光偏向素子を提供する。【解決手段】一つの基板面内に形成され、複数の互いに運動方向の異なるばね部と、このばね部に支持され、互いに拘束されない運動をしうる互いに直交する軸を支点として二次元の回転運動をする二つの可動部と、可動部に形成される反射鏡と、二つの可動部上に導電コイルパターンを形成して構成される光偏向素子において、一つの可動部に形成される導電コイルパターンと他の可動部に形成される導電コイルパターンは基板面の表裏に分けて形成する光偏向素子とする。
40 2002-119072 2000/10/05 独立行政法人産業技術総合研究所 静電アクチュエータの運動方向変換機構 A4 DDX FP

(57)【要約】【課題】従来の、くし形静電アクチュエータ等を用いる方法では、変位を連続的に制御できるものの基板面と水平方向に運動が限定され、基板面に対して垂直方向に運動を実現する手段が無かった。また、基板面と垂直に電界を発生させる方法では、変位量が小さく、連続的な制御が困難であり、基板面と遠ざかる方向に変位させることは不可能であった。【解決手段】本発明は、基板面に対して平行に静電気力を発生する静電アクチュエータの力を受けて移動するスライダを支える弾性梁全体あるいは一部分に、スライダの移動方向と異なる方向に変位が容易になるよう変形部を設けることを特徴とする。
41 2002-127100 2000/10/25 芝浦メカトロニクス株式会社 光駆動装置 A4 DAX FP

(57)【要約】【課題】 マイクロマシン等の駆動装置の極小化を図ること。【解決手段】 光駆動装置１１であって、光源１２からの光を光伝送路１３により駆動部１４に伝送し、伝送した光エネルギにより駆動部１４を作動せしめるもの。
42 2002-131518 2000/10/20 西　孝 マイクロミラーとマイクロプリズムおよびその製造方法 A4 DA04 PEX FP

(57)【要約】 （修正有）【課題】 基板に対して任意の角度で、かつ表面形状を曲面などの任意の形状に形成可能なマイクロミラーおよびマイクロプリズムの製造方法を提供する。【解決手段】 フォトリソ工程において、所望のレジスト断面形状になるように透過光量を連続的に変化させた露光制御マスクを用いて、レジスト基板を露光・現像する工程、次にエッチング工程において、レジストとともに下地材料をＲＩＥなどの異方性エッチングでエッチバックして、レジストの断面形状を下地材料に転写する工程、を特徴とするマイクロミラーとマイクロプリズムおよびその製造方法。
43 2002-131685 2000/10/25 日本信号株式会社 アクチュエ−タ A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】超小型半導体アクチュエータにおける可動部中央部の変形量を抑制することを目的とする。【解決手段】プレーナ型ガルバノミラー１のトーションバー４，４で軸支される回動可能な可動部３の中央部にミラー５を形成し、ミラー５周囲に駆動用のコイル６を巻回し、ミラー５とコイル６との間に、可動部端部における空気抵抗や慣性力等の影響による反り力やコイル６で発生する熱が可動部中央部に伝達するのを抑制する境界部１０を設けて、可動部中央部での変形を抑制する。
44 2002-138946 2000/11/06 松下電工株式会社 半導体マイクロアクチュエータ A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】 低消費電力で、可動部の変位及び駆動力を確実に得ることが可能な半導体マイクロアクチュエータを提供する。【解決手段】 半導体基板３と、該半導体基板３に接合され温度変化に応じて定められた方向に変位する少なくとも１つの可撓部２と、該可撓部２により懸垂され前記可撓部２の変化に応じて変位する可動部１と、前記可撓部２又は前記可動部１の少なくとも一方が前記定められた方向とは反対方向に変位することを阻止する少なくとも１つのストッパー部４とを有してなる。
45 2002-139681 2000/11/02 株式会社東芝 誘導電荷ミラー A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】静電力で動作する回転ミラーをヒンジフリーとし、簡易な構造で大きな開口率を実現し、製造性の容易性を得る。【解決手段】前記絶縁基板の上面に少なくとも一部が絶縁物で囲まれた空間（１３）を設け、空間内に傾斜自在に平面状のミラー導体（１４）を配置する。透明電極（１２）と、第1、第2の固定電極（１５Ａ，１５Ｂ）を設けられる。そして透明電極（１２）に第1の電位を常時与える手段（１６）と、前記ミラー導体の傾斜角度を切替えるために、前記第1、第2の固定電極（１５Ａ，１５Ｂ）にそれぞれ第2の電位と第3の電位を交互に与える手段（１７、１８Ａ，１８Ｂ，１９Ａ，１９Ｂ）とを設ける。
46 2002-148531 2000/11/15 日本航空電子工業株式会社 光スイッチ A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 光スイッチの固定電極基板とパッケージの台座との間にダイアフラムおよび空隙を介在させることにより、外部から光スイッチに進入する振動を光スイッチＳＷの可動電極板に伝達されることを阻止する光スイッチを提供する。【解決手段】 固定電極基板８と可動電極板２の間に電圧を印加して可動電極板２を駆動することにより可動電極板２に取り付けられるミラー３を駆動する光スイッチにおいて、固定電極基板８の下面にダイアフラム８３１を有する緩衝部材８３を取り付けた光スイッチ。
47 2002-156592 2001/09/20 ゼロックス・コーポレーション シリコン基板上の光スイッチを製造する方法 A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 反射ＭＥＭＳミラーを用いた光スイッチが求められている。【解決手段】 光クロスコネクトシステムは、一般的な概念として、ＭＥＭＳチルトミラーの２次元アレイを使用して第１の光ファイバから入射した光を第２の光ファイバに向ける。２次元アレイの各ＭＥＭＳチルトミラーは、ｘ軸及びｙ軸を中心に回転し、シリコン基板に取付けられた複数のサスペンションアームによって吊られている。
48 2002-160197 2000/11/27 松下電工株式会社 半導体マイクロアクチュエータ A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】従来よりも低消費電力化が可能な半導体マイクロアクチュエータを提供する。【解決手段】枠状の支持基板１の内側に可動子２が支持基板１の厚み方向に変位可能となるように配置される。支持基板１と可動子２とは熱的膨張収縮により可動子２を変位させる腕片を介して連結される。腕片の延長方向において可動子２側の熱絶縁部４ｂの幅Ｌｂを支持基板１側の熱絶縁部４ａの幅Ｌａよりも広くしている。
49 2002-162576 2001/09/19 ゼロックス・コーポレーション 光学ＭＥＭＳコンポーネントの製造方法及び光学ＭＥＭＳ構造 A4 DAX 3

(57)【要約】【課題】 応力薄膜を用いて三次元ＭＥＭＳ構造を製造する方法の提供。【解決手段】 応力薄膜を有する成形された光学ＭＥＭＳコンポーネントの製造方法は、面を有する基体を設けるステップと、前記面上に犠牲層を付着させるステップと、前記光学ＭＥＭＳコンポーネントを画定するために前記犠牲層上にリフトオフマスクを配置するステップと、前記犠牲層上に応力勾配層を付着させるステップと、前記リフトオフマスク及び該リフトオフマスク上に存在する前記応力勾配層の一部分を除去するステップと、前記犠牲層から前記応力勾配層を解放して前記光学ＭＥＭＳコンポーネントを作るステップと、を有する。
50 2002-162577 2001/09/20 ゼロックス・コーポレーション 基板上の光スイッチの構造体 A4 DA04 FP

(57)【要約】【課題】 反射ＭＥＭＳミラーを用いた光スイッチが求められている。【解決手段】 光クロスコネクトは、一般的な概念として、ＭＥＭＳチルトミラーの２次元アレイを使用して第１の光ファイバから入射した光を第２の光ファイバに向ける。２次元アレイの各ＭＥＭＳチルトミラーは、ｘ及びｙ軸を中心に回転し、基板に取付けられた複数のサスペンションアームによって吊られている。
51 2002-162582 2001/09/20 ゼロックス・コーポレーション 基板上に光スイッチを製造する方法 A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 反射ＭＥＭＳミラーを用いた光スイッチが求められている。【解決手段】 光クロスコネクトシステムは、一般的な概念として、ＭＥＭＳチルトミラーの２次元アレイを使用して第１の光ファイバから入射した光を第２の光ファイバに向ける。２次元アレイの各ＭＥＭＳチルトミラーは、２つの非同一線上軸を中心にチルト回転し、基板に取付けられた複数のサスペンションアームによって吊られている。
52 2002-162583 2001/09/20 テキサス　インスツルメンツ　インコーポレイテッド 組立てられたマイクロミラー構造体 A4 DA04 FP

(57)【要約】【課題】 ウエハ構造体当たりに縮小されたウエハ面積領域を有するパッケージされたマイクロミラー組立体を提供する。【解決手段】 この組立体は、中間ジンバル部分とフレーム部分６１とによって取り囲まれた中央取付け部分６３を有する下側素子６０で作成された、マイクロミラー７０を有する。磁石スタンドオフ６８が中央取付け部分６３に取り付けられ、および上側ミラー表面６５が磁石スタンドオフ６８に取り付けられる。マイクロミラー７０は、コイル駆動器を備えたボディの中にパッケージすることができる。コイル駆動器によって発生された磁界が磁石スタンドオフ６８にトルクを加え、それにより磁石スタンドオフ６８が回転する。下側素子６０の中のシリコンのヒンジのために、上側ミラー６５が２つの軸のまわりに回転することができる。
53 2002-166400 2000/11/29 松下電工株式会社 半導体マイクロアクチュエータ A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】 変位させた可動エレメントを強制的に元の位置に戻すことができる半導体マイクロアクチュエータを提供する。【解決手段】 半導体基板１と、外部要因により変位する可動エレメント２と、半導体基板１と可動エレメント２を接合し温度変化により撓んで可動エレメント２を半導体基板１の基板面に対して鉛直方向に変位させる第１可撓部３１と、半導体基板１と可動エレメント２を接合し温度変化により撓んで可動エレメント２を第１可撓部３１とは反対方向に変位させる第２可撓部３２とを備えている。
54 2002-170470 2000/11/28 松下電工株式会社 半導体マイクロリレー及びその製造方法 A4 DB01 PA03 PA04 PA07 MA01 MD01 MD06 MD09 MHX 1

(57)【要約】【課題】 構造設計上の制約を受けることなく比較的簡便な製造工程にて製造可能な縦開閉型の半導体マイクロリレー及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板１と、この基板上に形成された絶縁層７と、この絶縁層７上にメッキにより形成された固定導電部２１と、この固定導電部２１と電気的に分離した状態で間隔をあけて対向するようメッキにより形成された梁状の可動導電部３１と、上記固定導電部２１よりも上位に立ち上がって上記可動導電部３１の一部に連結され該可動導電部３１を上記基板１に対し物理的に支持する支持部５１と、上記可動導電部３１上に形成され該可動導電部３１の一部を上記固定導電部２１に電気的に導通するよう上記半導体基板１の基板面の鉛直方向に撓ませる作動部８と、を備える。
55 2002-172600 2000/12/07 中山　喜萬 大研化学工業株式会社 静電ナノピンセット及びこれを用いたナノマニピュレータ装置 A4 DF02 DFX MI04 4

(57)【要約】【課題】 球状や棒状等の任意形状のナノ物質を確実に把持できるナノピンセットを開発し、同時にこれを用いたナノマニピュレータ装置を実現する。【解決手段】 本発明に係る静電ナノピンセット２０は、ホルダーに基端部８ｂ、９ｂ、１０ｂを固定して突設された３本以上の導電性ナノチューブ８、９、１０と、この中の少なくとも３本以上の導電性ナノチューブ８、９、１０にそれぞれ連結されたリード電極１２、１３、１４からなり、これらのリード電極間に電圧を印加してその静電引力により前記導電性ナノチューブの先端間を開閉自在に設けることを特徴としている。把持部を３本以上の導電性ナノチューブで構成するから、任意形状のナノ物質２８、３０を確実かつ安定に把持できる。また、前記ホルダーとしてＡＦＭ測定用のカンチレバー２を活用すれば、耐久性を向上できる。更に、この静電ナノピンセット２０に３次元駆動機構３２を装備したナノマニピュレータ装置を用いて、ナノ物質を組み立てて任意構造のナノ構造物３４を構築できる。
56 2002-182133 2000/12/11 ミヨタ株式会社 ガルバノミラー及びそれを用いた光スイッチ A4 DA01 MA01 MCX 4

(57)【要約】【課題】 小型で安価なガルバノミラー及び光スイッチを提供する。【解決手段】トーションバーに支えられ、トーションバーを回転軸として揺動可能な可動板を有し、該可動板の一端には光を反射するミラーを設け、他端には永久磁石を設け、さらに可動板に光が通過できる穴を形成し、永久磁石に対向して電磁石を配置し、電磁石のＯＮ・ＯＦＦにより可動板を２つの定位置で揺動し、可動板の一方の定位置ではミラーに光が照射されて所定位置に反射され、他方の定位置では照射された光がミラーに入射されずに直進する様にガルバノミラーを配置して光の方向を切り替える光スイッチとする。
57 2002-182136 2000/12/18 オリンパス光学工業株式会社 光偏向器用のミラー揺動体 A4 DA04 PB01 PBX MA01 MB03 ME01 4

(57)【要約】【課題】光学性能を維持しながら可動部分の慣性モーメントの低減が達成された光偏向器用のミラー揺動体を提供する。【解決手段】ミラー揺動体１００は、可動板１１０と、反射面を有する可動板１１０を揺動可能に支持する一対のトーションバー１２２，１２４と、トーションバー１２２，１２４を保持する支持部材１２６，１２８とを備えている。可動板１１０は、反射面を有する第一部分１１２と、ミラー揺動体１００を駆動する駆動手段の一部を構成する電気要素を有する第二部分１１４とを有している。第一部分１１２は、反射面が形成された反射面形成面１１６を有し、第二部分１１４は、電気要素が形成された電気要素形成面１１８を有している。反射面形成面１１６は、電気要素形成面１１８よりも小さく、電気要素形成面１１８の長方形にほぼ内接する楕円形を有している。
58 2002-184775 2000/12/19 三菱電機株式会社 柱状構造物を備えた構造体、その製造方法及びそれを用いたＤＮＡ分離デバイス A4 DC01 DE01 PA06 PB03 PB06 PJ08 MA01 2

(57)【要約】【課題】 シリコンからなる基板上に形状の均一性が優れ、熱耐性、機械的強度を十分に有した柱構造体および構造体の作製方法およびその作製方法で作成されたＤＮＡ分離用デバイスを提供する。【解決手段】 シリコンからなる基板上に主表面が熱酸化膜で被覆されていることを特徴とする柱を備え、当該柱は熱酸化膜のみもしくは熱酸化膜およびシリコンからなることを特徴とし、該柱に形成されている熱酸化膜は基板表面もしくは基板内部に形成されている熱酸化膜と連結していることを特徴とした構造体を作製する。
59 2002-186851 2001/08/27 フラウンホーファー−ゲゼルシャフト・ツア・フォルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファウ 構成可能なマイクロリアクタネットワーク A4 DC01 DC02 MA01 MF02 1

(57)【要約】 （修正有）【課題】極めて高い集積密度を有する構成可能なマイクロリアクタネットワークを提供する。【解決手段】マイクロリアクタネットワーク１２は、複数のオーバパスチャネル１４，１６が配置される基板ストレートを備える。前記チャネルは接続チャネルアレンジメント２４を介して任意に相互接続可能である。前記チャネル間に、チャネルにより接続されるマイクロリアクタ１８が配置される。ここでもまたチャネル接続アレンジメント２６が使用される。前記チャネル接続アレンジメントは複数の接続チャネルを備えており、その中に閉鎖要素が配置されるか、何らかの他の方法で挿入されるか、活性化される。閉鎖要素の配置及び／又は状態は、一連の指定された（再）構成の柔軟度（その必要性は適用の種類によって異なる）の各々に対して最高可能な集積度をそれぞれ達成することを可能にする。
60 2002-187100 2000/12/20 科学技術振興事業団 生体内を移動可能なマイクロマシン及びその制御システム A4 DCX DDX 2

(57)【要約】【課題】 患部の位置の特定が正確にでき、その患部中に発熱体を正確に位置決めでき、４３℃以上の温度に加熱できる温熱療法装置に適した生体内を移動可能なマイクロマシン及びその制御システムを提供する。【解決手段】 生体内を移動可能なマイクロマシンを、交流磁界により自己発熱する機能を有するマイクロマシン本体１１と、交流磁界を発生する磁界発生部とから構成する。
61 2002-189178 2000/12/21 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム A4 DA04 MEX MI03 1

(57)【要約】【課題】 不所望な散乱光や漏れ光を抑制して光学的機能および信頼性を向上させること。【解決手段】 このＤＭＤにおいては、シリコン基板１０の主面に１セル分のアドレス回路としてＳＲＡＭ１２がモノシリックに形成されるとともに、このＳＲＡＭ１２の上に酸化膜１４を介して三層の金属たとえばアルミニウムからなる１セル分の反射型ディジタル光スイッチまたは光変調素子１６がモノシリックに形成されている。各反射型光変調素子１６は、第１金属層としてバイアス・バス１８およびヨークアドレス電極２０，２２を有し、第２金属層としてねじれヒンジ２４、ヒンジ支持部２６，２８、ヨーク３０およびミラーアドレス電極３２，３４を有し、第３金属層としてミラー３６を有している。第１金属層の一部または全部および下地膜（絶縁膜）１４を覆うように光吸収性かつ非導電性のフィルム４０が設けられている。さらには、第３金属層表面に形成される穴を埋めるように上記フィルム４０が設けられている。
62 2002-189179 2001/09/28 テキサス　インスツルメンツ　インコーポレイテッド 光アドドロップマルチプレクサ A4 DA01 DA04 3

(57)【要約】【課題】 構成が非常に迅速で、電気変換すべき光ビームが不要な光学スイッチを提供する。【解決手段】 第１入力ファイバを通じてＯＡＤＭに入る光ビームは、波長で分離されて複数の光ビームを生じる。一方の光ビームはミラーの１つあるいは２つ以上によって反射される。光ビームの到達するミラーの位置に応じ、ビームは逆反射器の第１、第２領域に向かって反射される。光ビームが逆反射器の第２領域で反射されると、光ビームはミラーアレイに再び進行し、その後波長複合器に向かって反射され、第２出力ファイバに出力される。第１波長光ビームがドロップ出力に向けて反射されると、第１入力からの光の他の波長は、「アウト」光ファイバに向けられる。ミラーの別の１群は、第１群と協働して、「ドロップ」出力ファイバ宛ての光ビームを「ドロップ」出力に関連づけられた波長複合器に向ける。ミラーの他の群は、第２入力、「アド」ファイバからのさまざまな波長を第１出力「アウト」にスイッチするように動作する。
63 2002-190633 2000/12/21 キヤノン株式会社 微細構造の加工方法、電気的または光学的素子の加工方法及び該加工方法によって形成された電気的または光学的素子 A4 DAX 3

(57)【要約】【課題】短時間で、安定に精度よく微細構造を作製することが可能となる微細構造の加工方法、電気的または光学的素子の加工方法及び該加工方法によって形成された電気的または光学的素子を提供する。【解決手段】絶縁性基板上に形成された電極パターンの表面に、探針を対向させて配置し、該電極パターンの表面と該探針の間に物理作用を与えながら、該探針と該電極パターンを相対的に移動させることにより、該電極パターンの一部を選択的に絶縁性物質へ変化させて微細構造の領域を形成する微細構造の加工方法において、前記電極パターンの一部を選択的に絶縁性物質へ変化させるに際して、該絶縁性物質によって略平行な絶縁性細線を形成し、該略平行な絶縁性細線とこれらに挟まれた導電性の細線部とによって微細構造の領域を形成する。
64 2002-192496 2000/12/25 松下電工株式会社 マイクロアクチュエータ A4 D01 DBX DC02 DCX MA01 1

(57)【要約】【課題】 マイクロアクチュエータにおいて、可撓部の反りのばらつきを抑え、製造加工の安定化を図り歩留まりを向上させること。【解決手段】 流体の流路又は電気配線を有する基板１と、可撓部５で支持されて変位可能な可動エレメント６とを有して、可動エレメント６の変位により流体の流路又は電気配線の開閉制御を行うマイクロアクチュエータにおいて、通常状態で可動エレメント６が基板１の側に変位するように可撓部５を反った構造としたことを特徴とする。
65 2002-192497 2000/12/27 松下電工株式会社 半導体マイクロアクチュエータ A4 DA01 DAX DC02 DCX PB01 MA01 MD06 1

(57)【要約】【課題】 可撓部を構成する部材界面で起こる剥離の発生を起こしにくい半導体マイクロアクチュエータを提供する。【解決手段】 第１半導体基板３と、該第１半導体基板３に接合され温度変化に応じて定められた方向に変位する少なくとも１つの可撓部２と、該可撓部２により懸垂され前記可撓部２の変化に応じて変位する可動部１とを備えてなり、前記可撓部２は、第２半導体基板６を有してなり、該第２半導体基板６に粗面化処理を施し、この粗面化した部分に前記第２半導体基板６とは熱膨張係数の異なる前記金属膜５を形成する。
66 2002-192498 2001/10/09 アンテルユニヴェルシテール・ミクロ−エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ イーストマン　コダック　カンパニー マイクロマシンデバイスの製造方法 A4 DAX DBX DCX DDX 2a

(57)【要約】 （修正有）【課題】マイクロエレクトメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）用のマイクロマシンデバイスの製造方法。【解決手段】製造方法は、結晶性ウエハを用意するステップと、前記ウエハから、少なくとも一つの長手軸を有して延在する開口部及び／又は空洞を有する少なくとも一つのマイクロマシンデバイスを加工処理するステップとを含み、前記長手軸は、ウエハの表面と劈開面との間の交線に沿って延在する方向と角度をなしており、前記劈開面は、これに沿って前記ウエハの劈開が最も生じる面として規定される。
67 2002-192499 2001/11/09 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロマシニング構造体、および該マイクロマシニング構造体を製造するための方法 A4 DAX DBX DD01 PA03 PA05 PI03 MA01 MA02 MB01 MBX MD02 MD06 MD07 MD09 MDX MFX 6

(57)【要約】【課題】 シリコン層に複数のトレンチを設けることによって少なくとも１つの可動の構造体と定置の構造体とを１つのシリコン層から形成し、該可動の構造体を前記定置の構造体に対して相対的に可動にして、マイクロマシンニング構造体を製造するための方法を改良して、マイクロマシニング構造体上の静電的な表面帯電を防止しかつマイクロマシニング構造体の固着が減じられるような、マイクロマシニング構造体を製造するための方法を提供する。【解決手段】 トレンチ５を設けた後に、該トレンチ５の側壁に金属層７をデポジットさせ、この後、シリコン層１のシリコンとともに金属層７の金属が金属シリサイド層８を形成するように熱処理を行い、その後、前記金属層７の金属が取り除かれるが前記金属シリサイド層８は取り除かれることのないエッチングプロセスを行う。
68 2002-196267 2001/10/10 アギア　システムズ　ガーディアン　コーポレーション ドーパントが注入されたマイクロ電気光学機械デバイスおよびその製造方法 A4 DA01 DA05 DA06 DAX MD01 MD04 MD05 MD07 MDX 1

(57)【要約】【課題】 ドーパントが注入されたマイクロ電気光学機械デバイスおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明により、マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）光デバイスが提供される。マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）光デバイスは、注入光反射光学層を備えた基板を有するミラーと、該ミラーが移動可能に取り付けられる取付け基板とを含んでいる。光反射光学層中にドーパントを含有することにより、デバイスの引張り応力が増加し、ミラー構造の凹面曲率が平面構造に向かって有利に補正される。
69 2002-200597 2000/12/28 松下電工株式会社 半導体マイクロアクチュエータ及びこれを用いた半導体マイクロバルブ A4 DB01 DC02 MD01 MD06 1

(57)【要約】【課題】 可動エレメントを片持支持する構造において、回転動作に伴って生じる可動エレメントの傾斜の不具合を解消することができる半導体マイクロアクチュエータ、及びこれを用いた半導体マイクロバルブを提供する。【解決手段】 半導体基板１と、外部要因により変位する可動エレメント２と、半導体基板１と可動エレメント２を連結し温度変化により撓んで可動エレメント２を基板厚み方向に変位させる片持ち梁４とを備え、片持ち梁４から可動エレメント２を吊り下げる弾性連結部７を備えている。
70 2002-200598 2001/10/15 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マックス−プランク−ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・ヴィッセンシャフテン・エー・ファオ マイクロメカニカル素子およびその製法 A4 DD01 DDX PA03 MA01 MB01 MDX 5

(57)【要約】 （修正有）【課題】 マイクロメカニカル素子および相応するその製法【解決手段】 基板の１０上方、機能層１２中に可動性に懸垂されている複数の機能コンポーネントを有するマイクロメカニカル素子であって、これらの機能コンポーネントの向かい合っている面が相互に可動性であるべき場合に、機能コンポーネントの向かい合っている面が少なくとも部分的に導電膜５０ｂで被覆されている。
71 2002-200599 2000/12/19 ソニー株式会社 三次元構造体の作製方法 A4 DA01 DAX DB03 DBX DCX DD03 DDX PB02 PB04 PI03 MA01 MA03 MB01 MF02 MG01 6

(57)【要約】【課題】 比較的簡単な工程でウィンドウ効果を低減し、複雑な構造であってもエッチング工程に要する時間を短縮することができる三次元構造体の作製方法を提供する。【構成】 ガラス基板１１上に第１の犠牲層（フォトレジスト膜）を形成した後、フォトレジスト膜上に第２の犠牲層（二酸化シリコン膜）を形成し、そののちフォトレジスト膜を除去することにより空隙１４を形成する。続いて、第２の犠牲層（二酸化シリコン膜）上に第３の犠牲層（非晶質シリコン膜１５）を形成した後、第２の犠牲層を除去することにより空隙１４を拡大させる。続いて、第３の犠牲層上に所望の構造膜（窒化シリコン膜１６）を形成した後、第３の犠牲層（非晶質シリコン膜１５）をドライエッチングにより除去する。非晶質シリコン膜１５をエッチングする際に、下部の空隙１４が大きいため、エッチングガスの接触面積が大きくなり、エッチング工程に要する時間が短縮される。
72 2002-200600 2001/11/28 三星電子株式会社 マイクロミラーアクチュエータの製造方法 A4 DA01 DAX MA01 ME01 4F

(57)【要約】【課題】 フィルム状有機膜のラミネーション工程を用いて平坦化製造工程を単純化したマイクロミラーアクチュエータの製造方法を提供する。【解決手段】 マイクロミラーアクチュエータの製造方法は、基板上にトレンチ対応領域をエッチングする段階と、前記トレンチ対応領域が中空状態を保つように基板上にフィルム状有機膜をラミネーションする段階と、前記フィルム状有機膜上に金属膜を蒸着してパターニングした後、前記フィルム状有機膜を除去する段階とを含むことを特徴とする。
73 2002-204587 2001/10/29 マイクロソフト　コーポレイション 熱マイクロエレクトリカルメカニカルアクチュエータ A4 DA01 DA02 PA01 PB01 PI03 PI04 MA01 MA02 16

(57)【要約】【課題】 従来の熱アクチュエータに匹敵する力で面外運動を実現でき、標準的な集積回路と適合する電圧および電流で動作することが可能で、小面積の熱マイクロエレクトリカルメカニカルアクチュエータを提供すること。【解決手段】 アクチュエータを、基板に固定された第１および第２のアンカーと、アンカーの間に固定された複数の引き延ばされた熱バックルビーム部とを含む構成とした。熱バックルビーム部は、ポリシリコンなどの半導体材料で形成される。熱バックルビーム部は、熱バックルビーム部の各々に固定された枠体基部を含む旋回枠体と、１端で枠体基部に結合されアクチュエータが活動化されると面外へ旋回する自由端を含む少なくとも１つの旋回アームとによって結合されている。電流源は、アンカーを介し、熱バックルビーム部を介して電流を導き、熱バックルビーム部の熱膨張を、したがって基板の面外へのそれらの湾曲運動を伝える。
74 2002-205299 2001/10/24 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロマシニング構成部材と該マイクロマシニング構成部材を製造するための方法 A4 DD04 DDX 1

(57)【要約】【課題】 基板１０と、該基板１０上にデポジットされた薄膜４０とを有するマイクロマシニング構成部材を改良して、簡単かつコスト安に製造可能であるようなマイクロマシニング構成部材およびこのようなマイクロマシニング構成部材を製造するための方法を提供する。【解決手段】 薄膜４０の下方に、該薄膜４０を機械的に支持し熱的に絶縁する、多孔質材料からなる領域３０が設けられている。
75 2002-207048 2001/10/22 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マックス−プランク−ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・ヴィッセンシャフテン・エー・ファオ マイクロメカニズムの構成部材 A4 DD01 1

(57)【要約】【課題】 ダブルＵ字形ばね４によってばね弾性的に支承されて外部加速で変位可能、即ち振動可能な質量装置１を備えるマイクロメカニズムの構成部材、殊に加速度センサー若しくは回転量センサー又はマイクロマシンにおいて、構成部分若しくは構成素子間の過度な変位による付着若しくは永続的な変位を避ける。【解決手段】 ダブルＵ字形ばねの変位の制限のための少なくとも１つのネップ状ストッパＮ，Ｎ′が所定の箇所、例えば最大変位の生じる箇所に設けられている。
76 2002-207180 2001/10/31 アジレント・テクノロジーズ・インク マイクロエレクトロメカニカル手法によるファブリ・ペロー共振器 A4 DA07 DAX 6

(57)【要約】【課題】光信号を用いて同調できるマイクロエレクトロメカニカル手法によるファブリ・ペロー共振器を提供すること。【解決手段】ファブリ・ペロー共振器は、同調のために離間して設けられる第１の反射鏡と第２の反射鏡を備えて波長λ0に中心を備えた共鳴応答曲線を備えているようにした光学的なキャビティ３０６と、応答曲線内の波長λ1を備えた同調光信号を発生させる光源３０２と、同調光信号を入力光信号と共にキャビティ３０６に導き、同調光信号についてλ1＞λ0であるとき、共鳴応答曲線の波長をλ1にシフトさせるのに十分な光を提供している光入力ポートとを含むように構成される。
77 2002-214548 2001/01/15 ソニー株式会社 三次元構造体およびその製造方法 A4 DA06 DAX PA01 PB04 PI02 MA03 MB03 MF02 1

(57)【要約】【課題】 可動部の両端部分での機械的強度が高く破損を防止することができる三次元構造体およびその製造方法を提供する。【構成】 ガラス基板１１上に犠牲層として非晶質シリコン膜１２を形成した後、非晶質シリコン膜１２の両端部にアルミニウム（Ａｌ）を選択的に拡散させて補強部１２Ａを形成し、さらに窒化シリコン膜１４（架橋部）を形成する。そののち非晶質シリコン膜１２をエッチング除去することにより空隙を形成する。このとき、補強部１２Ａは除去されずに残存する。窒化シリコン膜１４は空隙をエアギャップとして、平坦面を有する補強部１２Ａによってガラス基板１１上に支持されるので、可動部の両端部分での機械的強度が向上する。
78 2002-214561 2001/09/25 オリンパス光学工業株式会社 光偏向器 A4 DA06 1

(57)【要約】【課題】製造性に優れる光偏向器を提供する。【解決手段】光偏向器２００は、ミラーチップ２１０とベース２３０と磁気回路２６０とを備えている。ミラーチップ２１０は、一対の支持体２１２と、可動板２１４と、これらを連結する一対の弾性部材２１６とを備えており、可動板２１４は一対の弾性部材２１６を軸として支持体２１２に対して揺動可能となっている。ミラーチップ２１０は互いに表裏の関係にある第一面と第二面を有し、可動板２１４は、第一面に形成されたコイル２２０と、第二面に形成された鏡面とを有している。ミラーチップ２１０は、支持体２１２の第二面がベース２３０に接着されることにより、ベース２３０に固定されている。ベース２３０は鏡面を露出させるための開口２３４を有している。磁気回路２６０は、ベース２３０に対して、ミラーチップ２１０が設けられた側と同じ側に取り付けられている。
79 2002-215241 2001/01/22 独立行政法人産業技術総合研究所 流量の制御方法及びそれに用いるマイクロバルブ A4 DC01 MEX MFX 1

(57)【要約】【課題】 機械的素子や特殊な材料を用いることなく、流路中を通る流体自体の物性を利用して微小流路の流量を制御しうる新規な方法を提供する。【解決手段】 断熱性固体基板に穿設した微小流路に、熱により可逆的に固液相転移しうる流体を流しながら、相転移点以下に冷却して生成した固体をもって流路を閉塞し、また相転移点以上に加熱して流路を開放することにより微小流路内の流体の流量を調節する。またそれに用いるマイクロバルブとして、断熱性固体基板に穿設された微小流路、その流路内に充填された熱により可逆的に固液相転移しうる流体及びその微小流路の適所に配置された流体を加熱及び冷却しうる温度制御手段から構成されたものとする。
80 2002-216606 2001/11/20 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 超小型電気機械スイッチ A4 DB01 MB01 MD03 MEX MI02 5

(57)【要約】【課題】 新規な超小型電気機械（ＭＥＭ）スイッチを提供する。【解決手段】 本発明のＭＥＭスイッチは、基板上に形成されたガイドポストを有する。信号伝送線が基板上に形成され、この信号伝送線はギャップを有し、開路を形成する。スイッチは内部にバイア開口が形成されたスイッチ本体をさらに含み、スイッチ本体はガイドポストによって画定された長さに沿って移動可能に配置される。ガイドポストはバイア開口によって部分的に包囲されている。
81 2002-218768 2001/01/19 並木精密宝石株式会社 静電ワブルモータおよびその製造方法 A4 DAX DBX DCX PB01 PG03 MA01 MA02 MB01 FP

(57)【要約】【課題】 フォトファブリケーションプロセスにおいて製造され、ステータとロータ間の静電気力によって回転する静電ワブルモータおよびその製造方法。【解決手段】 複数枚のシリコンウエハを両面酸化処理後、ロータ部、シャフト部、ステータ部に対応した平面部分に、フォトレジスト保護マスクコーティング処理を施し、露光、現像後、SiＯ2エッチングを行ない、SiＯ2あるいはSiで直接接合して、上ウエハのシリコンをパターンにより深堀りした後、上ウエハ上面のSiＯ2を取り除くことにより、等価的に軸長を増し、軸出力を取出す構造とした静電ワブルモータ。
82 2002-219694 2001/01/22 松下電工株式会社 半導体マイクロアクチュエータおよびその製造方法 A4 DB01 DC02 3

(57)【要約】【課題】可動子が傾くことなく変位可能で且つ従来よりも低消費電力化が可能な半導体マイクロアクチュエータおよびその製造方法を提供する。【解決手段】矩形枠状の第２枠部３１の内側に押圧部３２が厚み方向に変位可能となるように配置される。押圧部３２と第２枠部３１とは熱的膨張収縮により押圧部３２を厚み方向に変位させる１本の腕片３３を介して連結する。腕片３３は撓み層３６に撓み層３７を重ねた可撓部３８を有し、撓み層３７への通電に伴う発熱によって可撓部３８が撓むことにより押圧部３２を変位させる。第２枠部３１には矩形枠状の第１枠部２１が接合される。第１枠部２１の内側に厚み方向に変位可能な可動子２２が配置される。可動子２２と第１枠部２１とは２本の連結片２３により連結される。第１枠部２１と第２枠部３１とで支持部を構成する。
83 2002-219695 2001/01/23 日本電信電話株式会社 微細構造およびこの製造方法 A4 DAX DDX PI02 MD02 MD04 MD09 ME01 2

(57)【要約】【課題】 金属からなる２つの部材間に空間を有する微細構造を提供する。【解決手段】 オゾン雰囲気中で２５０〜３００℃に加熱することで、上部電極１１０ａの複数の開口部を介してオゾンを犠牲膜１１７に接触させ、犠牲膜１１７を除去する。
84 2002-219696 2001/01/26 松下電工株式会社 半導体マイクロアクチュエータ A4 DB01 DC02 MA01 ME01 FP

(57)【要約】【課題】可動子を変位させて当接面に当接させる際に可動子における当接面に接触する面と当接面とを平行にでき且つ低消費電力化が可能な半導体マイクロアクチュエータを提供する。【解決手段】ベース１０に形成した弁口１１を開閉する弁体としてのシリコンよりなる可動子２を備え、可動子２を変位させることで弁口１１を開閉する。弁口１１の周部において可動子２との対向面には弁座１２が形成され、弁座１２の先端面１２ａは、支持部１の厚み方向における可動子２の移動範囲を規制する当接面となる。可動子２は、ベース１０に接合された半導体よりなる支持部１に対して腕片３と連結片５とからなる可撓部材を介して結合される。腕片３には可動子２が当接面に当たるときに当接面に対する可動子２の傾きをなくすように弾性変形する変形部４ｂが設けられる。
85 2002-219697 2001/09/25 財団法人川村理化学研究所 バルブ機構を有するマイクロ流体デバイス及びその流量調節方法 A4 DC02 PE01 PE02 MA01 MA02 ME01 ME07 MF12 MEX MF01 MF02 2

(57)【要約】【課題】 構造が簡単で、確実な開閉や流量調節が行え、しかも耐圧性が高いバルブ機構を有するマイクロ流体デバイスを提供すること。【解決手段】 表面に溝を有する部材（Ａ）の溝が形成された面に、０．５〜５００μｍの厚みを有する部材（Ｂ）が接着され、部材（Ａ）の溝と部材（Ｂ）とで幅１〜１０００μｍ、高さ１〜１０００μｍの毛細管状の流路が形成され、該流路の途上に空隙部を有し、該空隙部の幅が毛細管状の流路の幅の０．５〜１００倍で、該空隙部の最大高さ／最大幅の比が１以下であるバルブ機構を有するマイクロ流体デバイスであって、（i） 部材（Ａ）の少なくとも該空隙部周辺部が引張弾性率０．１〜５００ＭＰａの範囲にある素材で形成され、（ii） 部材（Ｂ）の少なくとも該空隙部周辺部が引張弾性率０．７〜１０ＧＰａの範囲にある素材で形成され、（iii）部材（Ｂ）側の空隙部に相対する位置に凸状構造が設けられ、部材（Ｂ）の外側から該凸状構造を介して空隙部を圧迫することによって空隙部の容積が可逆的に減少可能なバルブ機構を有するマイクロ流体デバイス。
86 2002-219698 2001/11/22 ゼロックス・コーポレーション 電気的能力を有するマイクロデバイスアセンブリ A4 DA04 DAX PB05 MA01 MA02 2

(57)【要約】【課題】 簡単な構成によってヒンジ部品とマイクロデバイスとを電気的に接続する。【解決手段】 単結晶シリコン基板中のデバイス層の上又は中に形成されたマイクロデバイスと共に、マイクロアセンブリの一部として使用されるリボン構造（リボンヒンジ）４２を提供する。このリボン構造４２は、マイクロデバイスと同様にデバイス層内に形成する。リボン構造４２の厚さは、マイクロデバイスより薄い。このリボン構造の表面には、導電性材料６５が堆積される。マイクロアセンブリの一部として実現される際に、マイクロデバイスの第１の端及びリボン構造４２の第１の端を、相互に接続する。これにより、リボン構造４２及び平面外デバイスを一つの部品とする。
87 2002-219699 2001/10/29 エア　プロダクツ　アンド　ケミカルズ　インコーポレイテッド シリコン表面の犠牲材料及び金属汚染物除去方法 A2 DC02 DD01 DD03 DDX PI02 MB01 -

(57)【要約】【課題】 集積されたマイクロメカニカルデバイスとマイクロ電子デバイスを単一チップ上に製造する際にシリコン表面から犠牲材料と金属汚染物とを除去するための新しい方法を提供すること。【解決手段】 反応室を使用してチップの温度を、選ばれたβ−ジケトンとマイクロメカニカルデバイス及びマイクロ電子デバイスの設計とにとって適切な温度に調整する工程、不活性ガスを使用して反応室をサイクルパージし雰囲気ガスと痕跡量の水を除去する工程、ＨＦ及びβ−ジケトンを、エッチングすべき基材を少なくとも一つ収容した反応室へ反応性混合物として導入する工程、犠牲材料と金属汚染物が実質的に除去されるまで基材上に反応性混合物を流す工程、反応性混合物の流れを停止する工程、そして反応室をサイクルパージして残留反応性混合物と残留している反応副生物を除去する工程を含む方法とする。
88 2002-220647 2001/09/21 財団法人　理工学振興会 ナノ結晶化素子の製造方法及びナノ結晶化素子 A4 DA01 MA03 MDX MIX 6

(57)【要約】【課題】 アモルファス状態の微細な素材を形成し、このアモルファス素材の所定の箇所をナノ結晶化するのに適した微細な処理方法を提供する。【解決手段】 原子を熱力学的に非平衡の条件で凝集させ熱力学的に準安定状態のアモルファス素材を形成し、前記アモルファスの素材に応力を加えてナノ結晶を析出させる。
89 2002-224999 2001/10/09 キヤノン株式会社 マイクロマニピュレータと表示素子、及びそれらの駆動方法 A4 DDX DEX DFX 1

(57)【要約】【課題】 本発明の目的は、微小物体の材質に関する制限が小さく、且つ構造が単純で小型化が可能なマイクロマニピュレータと、それを利用した表示素子、及びそれらの駆動方法を提供すること。【解決手段】 本発明に関するマイクロマニピュレータ及び表示素子は、一対の電極間に液晶が充填され、該液晶中に微小物体を分散させておく。前記一対の電極の一方の電極は、もう一方の電極よりも幅の小さい電極、あるいは、複数の電極幅の小さい電極群から構成されている。前記一対の電極間に周期的な電圧を印加することにより、微小物体の電極面内方向における変位及び分布を制御する。
90 2002-228033 2001/02/05 オリンパス光学工業株式会社 分離型マイクロバルブ A4 DC02 DE01 DE02 4

(57)【要約】【課題】 例えばバイオ分析に適した安価なバルブ構造を提供する。【解決手段】 流体が流れるチャネルを有する流路部と、上記流体の流れを制御するアクチュエータ部を有し、上記流路部と上記アクチュエータ部が分離可能に構成されている。チヤネル部分は使い捨てとし、アクチュエータ部は再利用するような使い方が可能で、蛋白や脂質などの生体試料を含む液体を流した場合、生体成分の吸着により流量が変化したり、流路が詰まって使用できなくなった場合には安価なチヤネル部分のみを交換して高価なアクチュエータ部分は再使用できるので、安価なバルブとして使うことができる。
91 2002-228965 2001/01/31 ミヨタ株式会社 ガルバノ装置の製造方法 A4 DA02 PA06 MAX MD01 MD04 4

(57)【要約】【課題】 基板に、可動板と可動板を基板に対し揺動可能に軸支するトーションバ６ーを一体に形成し、前記可動板を揺動するガルバノ装置の共振周波数を調整する製造方法を提供する。【解決手段】基板に、可動板と可動板を基板に対し揺動可能に軸支するトーションバーを一体に形成し、前記可動板を揺動するガルバノ装置の製造方法において、前記可動板及びトーションバーを同時に加工することにより可動板の共振周波数を調整するガルバノ装置の製造方法とする。
92 2002-233792 2001/10/01 ミノルタ株式会社 粒子分離機構 A4 DC01 DE01 DE02 PA07 PB01 PB06 1

(57)【要約】【課題】 粒子を連続して効率的に分離することができる粒子分離機構を提供する。【解決手段】 粒子２を含む溶液が流れることができる流路と、粒子を含む溶液を流路に流すためのマイクロポンプと、流路の途中において流路を横断する方向に電界を生じさせるように電圧を印加することができる電極２４，２６と、流路内において上記電界により粒子２が寄せられる側に配置され該粒子２を捕らえることができる粒子捕捉部２２とを備える。
93 2002-233997 2001/11/22 ゼロックス・コーポレーション ＳＯＩ材料上のマイクロミラー及びＭＥＭＳアセンブリ用の単結晶シリコンリボンヒンジ A4 DA01 DA02 DA04 DA06 MA01 6

(57)【要約】【課題】 ＳＯＩデバイス層構造の平面外回転又は縦方向動作に必要な機械的信頼性及び強度を備え構造が簡単で低コストなマイクロヒンジを得る。【解決手段】 マイクロ電気機械アセンブリ１８を、シリコンオンインシュレータ基板中の単結晶シリコンデバイス層内に形成された平面外デバイス（例えばミラー）２２と、デバイス層内に形成されたフレキシブルなリボン構造２０とにより構成する。平面外デバイス２２及びリボン構造２０は一体化する。リボン構造２０は、平面外デバイス２２の幅又は深さより小さい幅又は深さを有し、平面外デバイス２２の第１の端とリボン構造２０の第１の端との接続を、点とする。
94 2002-233998 2001/02/06 松下電工株式会社 半導体マイクロアクチュエータ A4 DB01 DC03 MD01 MD06 ME01 ME10 1

(57)【要約】【課題】 確実に動作する半導体マイクロアクチュエータを提供する。【解決手段】 半導体基板３と、該半導体基板３と接合され温度変化に応じて定められた方向に変位する少なくとも１つの可撓部２と、該可撓部２の変位に応じて変位する可動部１を、前記半導体基板３と前記可撓部２とを接合し、前記可撓部２と前記可動部１とを接合した半導体マイクロアクチュエータであり、初期状態においては、前記可撓部の変位方向に略垂直方向である前記可撓部２の面は、前記半導体基板３の基板面に対して所定の傾斜角Ｔを有してなる。
95 2002-236131 2001/10/01 ミノルタ株式会社 マイクロチップ A4 DC01 DC02 DC03 DE01 DE02 DEX MG01 1

(57)【要約】【課題】 マイクロ流体システムを応用した検査用のマイクロチップの具体的な構成を提供する。【解決手段】 複数の流体をそれぞれ供給することができる複数の供給部２０〜２５と、これら複数の供給部２０〜２５に共通して設けられた共通部２６と、各供給部２０〜２５と共通部２６とを接続する流路３０〜３６であって、各供給部２０〜２５に供給された各流体が共通部２６まで流れることができる流路３０〜３６と、を備え、各供給部２０〜２５に供給された各流体について、共通部２６に到達する相対的な時間的前後関係を上記供給部２０〜２５から共通部２６に至る各流路３０〜３６の寸法・形状によって設定した。
96 2002-236265 2001/11/30 ルーセント　テクノロジーズ　インコーポレーテッド アギア　システムズ　ガーディアン　コーポレーション マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）デバイスを動作するドライバおよび方法 A4 DA01 1

(57)【要約】【課題】 マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）デバイスを動作するドライバおよび方法【解決手段】 マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）デバイスと共に用いるドライバ、これを動作する方法、およびこのドライバおよび方法を採用するＭＥＭＳデバイスが開示される。一つの実施例においては、ドライバは、ＭＥＭＳデバイスの光学要素の角度を変えるためのアクチュエーション電圧を供給するアクチュエーションサブシステムを備える。ドライバは、さらに、アクチュエーションサブシステムに結合され、光学要素とアクチュエーションサブシステムとの間にバイアス電圧を加え、これによってアクチュエーション電圧を低減するためのバイアスサブシステムを備える。
97 2002-236266 2001/12/07 アギア　システムズ　ガーディアン　コーポレーション 磁気的にパッケージされた光ＭＥＭデバイス及びその作製方法 A4 DA01 DAX PA03 PA05 PG01 PG04 MA01 MA02 MD05 MD10 ME01 MF04 2b

(57)【要約】【課題】 本発明は、磁気的にパッケージされた光ＭＥＭデバイス及びその作製方法を提供する。【解決手段】 本発明に従うと、ＭＥＭデバイスの要素層、スペーサ及びアクチュエーター層は、大気温度で組立てられ、上部及び下部磁石により、横方向に位置合せされる。そのような大気温度における磁気的なパッケージ形成により、敏感なＭＥＭ要素の好ましくない高温への露出が、著しく減少する。得られるＭＥＭデバイスは、高い寸法的な精度と安定性を示す。好ましい実施例において、要素層は可動ミラーの層を含み、スペーサは各ミラーを空気力学的かつ静電的に分離し、隣接したミラー間の漏話を最小にする。
98 2002-237245 2001/02/08 ソニー株式会社 スイッチング素子及びその作製方法 A4 DB01 MD02 ME01 1

(57)【要約】【課題】 ブリッジ電極部の変形が無く、スイッチング性能の良好なスイッチング素子を提供する。【解決手段】 本スイッチング素子３０は、ガラス基板等からなる絶縁性基板１２と、絶縁性基板１２上に形成されたＣｒ薄膜等の基板側電極１４と、基板側電極１４に交差してブリッジ状に跨ぐブリッジ電極部３２とを備えている。基板側電極１４とブリッジ電極部１６との間は空隙部１８となっており、電気的に絶縁されている。ブリッジ電極部３２は、基板側電極をブリッジ状に跨いで基板上に立脚する電極支持部材として形成された、ＳｉＮX 膜等の誘電体膜からなるブリッジ部材２０と、応力補償膜として設けられたポリイミド膜３４を介して、ブリッジ部材２０の基板側電極１４に対向する基板側電極対向部２０ａ上にＩＴＯ膜等によって形成されたブリッジ側電極２２とから構成されている。
99 2002-237579 2001/02/09 キヤノン株式会社 半導体装置用基板、ＳＯＩ基板およびそれらの製造方法 A4 DFX MAX 1

(57)【要約】【課題】 半導体層上に絶縁層を介して他の半導体層や強誘電体層等の結晶層を成長させるのに適し、かつ、電気的絶縁特性、エッチングストップ特性、あるいはマイクロアクチュエータ等の繰り返し振動特性を充分に向上させることができる半導体装置用基板、ＳＯＩ基板およびそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 Ａｒ等の不活性ガス中で結晶性絶縁層を構成する金属酸化物をターゲットから飛散させて４００℃以上に加熱されたシリコン基板１上に結晶性絶縁物３の結晶層を成長させて成膜し、成膜終了後の温度保持時間中の酸素拡散あるいは冷却時の酸素の拡散により、シリコン基板１上に非晶質の絶縁性シリコン化合物層（酸化膜）２を形成し、シリコン基板１と結晶性絶縁層３との間に形成される酸化膜２中に混入する結晶性絶縁層３を構成する材料の成分元素の濃度を１０ａｔ％以下、好ましくは５ａｔ％以下とする。
100 2002-239317 2001/02/13 大日本印刷株式会社 フィルター A4 DC01 DCX DE01 DE02 DEX PB05 MA02 ME07 MF01 MF02 1

(57)【要約】【課題】 マイクロリアクター、ケミカルチツプ、パイオチツプ、Lab-on-a-chip 、ナノチップ等の構造体におけるフィルター部で、且つ、流路内にエッチング等により形成された柱状構造体を設けたフィルター部で、特に、作製の際の洗浄に耐え、接続部分等の破損、液もれを引き起こさない構造のものを提供する。【解決手段】 加工用素材である基板の表面にドライエッチング、ウエトエツチングなどの化学的処埋、あるいはレーザー、ファーストアトムビーム、イオンビームなどによるエネルギー線照射処理による加工処理を施し、表面部に突出して形成された島状の柱状物を一体として複数有する第１の基材と、前記柱状物を間に挟むように、柱状物を密閉するように接合する平板状の第２の基材とからなり、第１の基材と第２の基材とで密閉された島状の柱状物の隙間をフィルター流路として形成するもので、第１の基材への、柱状物の着床部分の面積を、１．５ＭＨｚの超音波洗浄ノズルによる超純水噴射洗浄に耐えるように、制御している。
101 2002-239999 2001/02/09 アルプス電気株式会社 マイクロマシンおよびその製造方法 A4 DD04 MA01 MA02 MA03 1

(57)【要約】【課題】 安価でかつ実用的な機械的強度を備えたマイクロマシンを提供すること。【解決手段】 支持体１７を軟質で内部応力の小さい有機膜１６により形成し、この支持体１７により機能素子１３を上方から支持することにより、反りや破損を生ずることがないようにしたもの。
102 2002-244053 2001/02/13 ソニー株式会社 マイクロミラーおよびその製造方法 A4 DA02 PA03 PA06 PA11 PC01 MA01 MB01 3

(57)【要約】【課題】 簡単な工程により作製でき、広角度に変位可能なマイクロミラーおよびその製造方法を提供する。【構成】 シリコン（１００）基板１１を異方性エッチングすることにより形成された（１１１）面をミラー部１２および連結部１４として用いる。連結部１４には駆動コイル１４Ａを設ける。シリコン基板１１の下に永久磁石２０を設置し、永久磁石２０の磁界中で駆動コイル１４Ａに電流を流すことによりローレンツ力が発生し、ヒンジ部１５をシリコン基板１１の（１００）面に略平行な方向に往復運動させる。このヒンジ部１５の駆動に伴いミラー部１２が広角度に変位する。
103 2002-246682 2001/12/06 ゼロックス・コーポレーション マイクロ電気機械的機構 A4 DAX PG04 PGX PH04 6

(57)【要約】【課題】 フリップチップ法を適用して、信頼性が高く低価格なレーザ一体形のマイクロ電気機械的機構を提供する。【解決手段】 マイクロ電気機械的機構基板１０の上面の第１の基板ボンディングパッド１４に隣接して、レーザ２６の第１の側面に位置した第１のレーザボンディングパッド２８を設ける。第２の基板ボンディングパッド１８に隣接して、レーザ２６の第２の側面に位置した第２のレーザボンディングパッドを設ける。第１の基板ボンディングパッド１４と第１のレーザボンディングパッド２８とに接した第１のハンダ接続部３８、および第２の基板ボンディングパッド１８と第２のレーザボンディングパッドとに接した第２のハンダ接続部４０、をハンダリフローにより溶融する。
104 2002-249306 2001/02/19 ソニー株式会社 カーボンナノチューブの製造方法および装置 A4 DF02 MI04 1

(57)【要約】【課題】 効率的に、かつ、高収率で、カーボンナノチューブを製造することのできるカーボンナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】 不活性なガスの減圧雰囲気に保持された反応チャンバー１内に設けられたカーボンロッド２よりなるカソード電極３とカーボンロッド４よりなるアノード電極５との間で、アーク放電を生成し、アーク放電によって生成された生成物を、カソード電極およびアノード電極の周囲に設けられたカーボンナノチューブ捕集部材６によって、捕集することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
105 2002-250886 2001/12/04 ゼロックス・コーポレーション マイクロ光電気機械式レーザスキャナ A4 DA02 PH04 MA01 MA02 MAX 5

(57)【要約】 （修正有）【課題】 製造が複雑でなく機械的な動作が頑丈であると同時に、寸法がコンパクトで、安価、また分解能が向上したスキャナシステムを提供する。【解決手段】 マイクロ光電気機械式レーザスキャナ４０は、シリコン基板層、埋込み酸化物の層、及び単結晶シリコンディバイス層を有する絶縁体シリコン基板から構成される。第１のディバイス層部分は、そこから製造されたマイクロミラー３４を有する。レーザが第２のディバイス層部分に接続され、ヒンジ２４がこの第１のディバイス層部分と第２のディバイス層部分とを接続する。このヒンジ２４はバイモルフ材料で形成され、このバイモルフ材料はヒンジ内２４で固有の応力を作り出す。バイモルフ型ヒンジ２４は、解放されたマイクロミラー３４を水平面から、レーザから放射されたレーザ光４２を直接又は間接に反射する位置に移動する。
106 2002-250890 2001/02/22 キヤノン株式会社 マイクロ構造体、マイクロ光偏向器、光走査型表示装置、及びそれらの製造方法 A4 DA06 PB02 MA01 MA02 MC01 1

(57)【要約】【課題】揺動体の揺動方向以外の剛性を高く保つことができるマイクロ光偏向器等に適用できるマイクロ構造体である。【解決手段】マイクロ構造体は、基板１０６と、揺動体１１０を有し、揺動体１１０は、基板１０６と揺動体１１０間を繋ぐように伸びた３つ以上の平板バネなどのバネ１０１〜１０４によって基板１０６に対して支持されている。複数のバネ１０１〜１０４は、その長軸の延長線が共通平面内にあって１点で交わるように配置され、最も撓みやすい方向が該共通平面に平行である様な形態を有し、これにより、揺動体１１０が該共通平面に垂直な軸回りに揺動自由に弾性支持される。
107 2002-254380 2001/03/01 株式会社日立製作所 真空チャックを搭載したマニピュレータ及び部品組立方法 A4 DFX 2

(57)【要約】【課題】真空チャックを搭載するマニピュレータにおいて、組立の際のマニピュレータ本体への負荷を軽減して自由な姿勢での組立作業を容易にすると共に位置決め精度を向上すると共に、微小な部品同士の組立を容易に行えるようにすること。【解決手段】マニピュレータ本体２の先端部に超小型の真空チャック１を搭載し、真空チャック１に、マニピュレータ本体２と組立部品４との相対位置が組立方向に対して直角な平面内でのマニピュレータ本体２の位置決め精度よりも小さい直径で円軌道運動するように相対位置微動機構１５を設けると共に、組立部品４を組立てる際に受ける反力を検出する反力検出器を設け、この検出結果に基づいて組立完了を判定して組立部品４を部品吸着機構１４より脱離する。
108 2002-254397 2001/03/01 独立行政法人物質・材料研究機構 形状記憶合金薄膜品とその製造方法並びにマイクロアクチュエーター A4 DC02 DC03 MA01 MD04 MH01 8

(57)【要約】【課題】 基板上に熱的に安定した薄膜を作製すると同時に基板との間に働く熱応力の制御を可能とし、形状記憶合金薄膜アクチュエーターとして総合的な性能を有し、マイクロマシーニングが可能な新しい形状合金薄膜品とその製造方法等を提供する。【解決手段】 基板上に配設されたＴｉ−Ｎｉ系形状記憶合金薄膜とからなる形状記憶合金薄膜品であって、Ｔｉ−Ｎｉ系形状記憶合金薄膜は、その合金組成として、含有量が５０．３原子％以上５３原子％以下のＴｉとＮｉとを含有し、粒径が１００ｎｍ以下の微細な平衡相のＴｉ2Ｎｉ粒子がＴｉＮｉ結晶粒内に分布しており、基板との間に働く熱応力が制御可能とされていることを特徴とする形状記憶合金薄膜品とする。
109 2002-254398 2001/02/28 青山　尚之 渕脇　大海 庄司　裕一 移動装置 A4 DFX 1

(57)【要約】【課題】ＸＹθ方向で独立した３自由度を有する移動装置を提供する。【解決手段】第１フレーム１０と、これに交差して配置された第２フレーム２０と、第１および第２フレーム１０・２０を走行面に一時的に固定するための固定手段３０と、第１フレーム１０と第２フレーム２０とを相対移動させる移動手段４０とを備える。第１フレーム１０と第２フレーム２０とは、相対移動可能とされている。移動手段４０は、第１フレーム１０と第２フレーム２０とを相対移動させるものとなっている。固定手段３０は、移動手段４０によって移動させられる第１フレーム１０または第２フレーム２０については、走行面への固定を解除する構成となっている。
110 2002-254399 2001/12/28 アギア　システムズ　ガーディアン　コーポレーション 静電的に作動されるマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス A4 DA01 8

(57)【要約】【課題】 静電的に作動されるマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス【解決手段】 マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）アクチュエータデバイスが開示される。このＭＥＭＳアクチュエータデバイスは支持構造にねじり部材を介して回転可能に接続された作動される要素を備える。これらねじり部材は被作動要素を下側の基板の表面に対して平らに保つための回復力を与える。基板の表面には電極が形成される。これら電極は電位を受けるように適合化される。これら電極の幾つかに電位が加えられると、被作動要素を平面からはずれて回転させる静電力が生成される。これら電極は３つのコンポーネントから成る。これら２つのコンポーネントの少なくとも一部分は被作動要素の傾斜領域内にくるように配置される。第三のコンポーネントは被作動要素の傾斜領域の外側にくるように配置される。傾斜領域は、被作動要素の下側基板上に投影されたときの表面領域として定義される。
111 2002-254400 2001/02/26 セイコーエプソン株式会社 高精度位置決め手段、光スイッチング素子、外部共振器半導体レーザ製造手段、及び、波長可変半導体レーザ製造手段 A4 DA01 PB04 1

(57)【要約】【課題】非常に高精度な位置決めができるのにも関わらず、光路を遮断することの無い高精度位置決め手段、光スイッチング素子、半導体レーザの端面及び反射ミラーにダメージを与えず、高精度の間隔を確保できる外部共振器半導体レーザ、及び、波長可変半導体レーザを提供する。【解決手段】シリコン膜に位置決めパターンを設け、部品の位置決め、接着後、シリコン膜を弗化キセノンガスによりエッチング除去する。【効果】シリコン膜成膜及び、弗化キセノンガスエッチングは、低温の工程であるため、樹脂等の部品にも使用でき、しかも、エッチング時に他の部品にダメージを与える事がない。
112 2002-254436 2001/02/28 株式会社リコー ポンチ、マイクロレンズアレイ用金型の製造方法、マイクロレンズアレイ用金型の製造装置、金型及びマイクロレンズアレイ A4 DA03 PIX 1

(57)【要約】【課題】本発明はマイクロレンズアレイ用金型に高精度に圧痕を形成するポンチ、マイクロレンズアレイ用金型の製造方法、マイクロレンズアレイ用金型の製造装置、金型及びマイクロレンズアレイを提供する。【解決手段】マイクロレンズアレイ用金型製造装置１は、押圧機構２のヘッド３の部分に先端部に転写面を有するポンチ３が着脱可能に装着され、ポンチ３の下方には、マイクロレンズアレイ成形用の金型４がステージ５に固定されている。ステージ５は、ベース６上に取り付けられており、位置決め装置７により移動及び位置決めされる。ポンチ３は、その転写面が、押圧方向と平行な中心軸に対して、非回転対象形状に形成されている。したがって、金型４に対して周囲の圧痕からの干渉を受けた圧痕を精度良く形成することができ、高精度なマイクロレンズアレイを製造することができる。
113 2002-254444 2001/03/06 セイコーエプソン株式会社 マイクロレンズ基板の製造方法およびマイクロレンズ基板の製造装置 A4 DA03 PA03 MA02 MA03 MAX MD02 MD04 MD07 MD09 MEX MF02 8

(57)【要約】【課題】第１基板と第２基板との位置合わせを容易、正確かつ確実に行うことができるマイクロレンズ基板の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】マイクロレンズ基板１は、複数の第１凹部３８と第１アライメントマーク７１とが設けられた第１基板２と、複数の第２凹部３９と第２アライメントマーク７２とが設けられた第２基板８と、樹脂層９と、スペーサー５とを有し、樹脂層９では、第１凹部３８と第２凹部３９との間に充填された樹脂によりマイクロレンズ４が形成されている。製造の際は、第１基板２に未硬化の樹脂を供給し、減圧下または真空中で、その樹脂を介して第１基板２と第２基板８とを接合する。次いで、基板間距離をスペーサー５で保ちつつ、第１基板２と第２基板８とを相対的に移動し、第１アライメントマーク７１と第２アライメントマーク７２とを用いて第１基板２と第２基板８との位置合わせを行う。次いで、前記樹脂を硬化させる。
114 2002-255520 2001/02/27 科学技術振興事業団 日本電気株式会社 ハイブリッドカーボンナノチューブの作製方法 A4 DF03 MI04 6

(57)【要約】【課題】 任意の組成比のハイブリッドカーボンナノチューブを容易に作製することができる方法と、そのハイブリッドカーボンナノチューブを提供する。【解決手段】 開孔を有するカーボンナノチューブを、ドーパント物質を溶解させた溶液中に浸漬してドーピング反応を生じさせ、カーボンナノチューブ内にドーパント物質が導入されたハイブリッドカーボンナノチューブを作製する。
115 2002-255522 2001/03/01 ソニー株式会社 炭素質材料の製造方法及び製造装置 A4 DF02 MI04 2

(57)【要約】【課題】 アーク放電部で生成した炭素質材料を捕獲器で効率よく捕獲でき、安定した炭素質材料の生成を行う炭素質材料の製造方法及び製造装置を提供。【解決手段】 炭素質材料の製造装置は、反応管１１とガス供給部とを有し、反応管１１内には、アーク放電部を規定するアノード、カソードが設けられている。反応管１１には供給管１７が反応管１１の接線方向に延びて設けられている。ガス供給部は供給管１７を介して反応管１１内にガスを供給可能に構成されている。炭素質材料の製造方法では、供給管１７から有機ガスと触媒ガスとの混合ガスを反応管１１内に供給し、混合ガスはアーク放電部にアノードとカソードとを結ぶ方向に進む螺旋流にて供給される。アーク放電部に原料ガスたる有機ガスを偏りのない濃度勾配で供給てき、安定して炭素質材料を生成できる。
116 2002-255523 2001/03/01 ソニー株式会社 炭素質材料の製造装置 A4 DF02 MI04 2

(57)【要約】【課題】 アーク放電部で生成した炭素質材料を捕獲器で効率よく捕獲でき、安定した炭素質材料の生成を行う炭素質材料の製造装置の提供。【解決手段】 炭素質材料の製造装置は、反応管１１、ガス供給部を有しており、反応管１１内には、アーク放電部を規定するアノード１３、カソード１４が設けられている。ガス供給部は、反応管１１内にガスを供給可能に構成されている。反応管１１の一部であってアーク放電部の位置は縮径部１１Ｅとなっており、他の部分よりも径が小さい。ガス供給部から供給された有機ガスと触媒ガスとの混合ガスは、反応管１１内で縮径部１１Ｅによりアーク放電部に収束されるので、アーク放電部に原料ガスたる有機ガスを安定して供給することができ、アーク放電部で安定して炭素質材料が生成される。
117 2002-255524 2001/03/01 ソニー株式会社 炭素質材料の製造方法及び製造装置 A4 DF02 MI04 1

(57)【要約】【課題】 純度の高い単層カーボンナノチューブを高効率で得ることができる炭素質材料の製造方法及び製造装置の提供。【解決手段】 炭素質材料の製造装置１は、反応管１１、ガス供給部を有する。反応管１１内にはアーク放電部を規定するアノード１３、カソード１４が設けられ、生成された炭素質材料を捕獲する捕獲器２３が設けられている。反応管１１の外周であって捕獲器２３が設けられている位置にはＲＦヒーター２４が設けられている。炭素質材料の製造方法では、アーク放電部で生成された炭素質材料は、ガス供給部から反応管１１内に供給されたガスによって捕獲器２３へ搬送され、捕獲器２３において大気に曝されない状態でＲＦヒーター２４により加熱処理され、不純物の除去、単層カーボンナノチューブの成長促進がなされる。
118 2002-255525 2001/03/02 株式会社国際基盤材料研究所 多層フラーレンの製造方法 A4 DF02 MI03 1

(57)【要約】【課題】 収率良くかつ比較的容易な方法で多層フラーレンを製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】 多層フラーレンを製造する方法は、不活性ガス雰囲気中で光増感剤の存在下に例えばＣ60フラーレン化合物にレーザー４０を照射して炭素化合物を熱分解し、生成した多層フラーレンを含む生成物を加熱したグリッド基板６０に集積する工程を含む。
119 2002-255526 2001/03/02 財団法人ファインセラミックスセンター カーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ膜、カーボンナノチューブ膜付ＳｉＣ基板、並びにカーボンナノチューブ付ウィスカー及びその製造方法 A4 DF02 DF03 MI04 MI05 7

(57)【要約】【課題】 多結晶質ＳｉＣ、多孔質ＳｉＣ及びＳｉＣウィスカーから製造され、大面積で且つ所定方向に配向するカーボンナノチューブ膜、及び所定方向に配向するカーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ膜付ＳｉＣ基板、並びにカーボンナノチューブ付ウィスカー及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本カーボンナノチューブ膜は、真空下でＳｉＣからなる多結晶質又は多孔質焼結体を、真空の真空度においてＳｉＣが分解して焼結体の表面から珪素原子が失われる温度に加熱することにより、ＳｉＣから珪素原子を除去して、焼結体の表面に形成され、且つ所定の方向に配向したカーボンナノチューブからなる。また、本カーボンナノチューブ２は、ＳｉＣウィスカー３の先端に、ウィスカーの延長線方向に形成される。
120 2002-255527 2001/02/28 株式会社筑波リエゾン研究所 カーボンナノチューブ及び該カーボンナノチューブを得るための加工法 A4 DF02 MI04 2

(57)【要約】【課題】 簡単な工程、低コストで、きわめて電界集中の高い、電子放出特性にすぐれた開端を有するカーボンナノチューブを得る。【解決手段】 ＣＶＤ法により基板に垂直配向されて製造された、先端に触媒金属２が残存するカーボンナノチューブ１を、触媒金属に対向する位置に磁石１５を配置し、磁石１５の磁力により触媒金属２を吸着して除去し、カーボンナノチューブの先端に複数のエッジを有する開端を形成する。
121 2002-255528 2001/09/18 松下電器産業株式会社 微粒子分散液およびその製造方法 A4 DF02 MI03 MI04 1

(57)【要約】【課題】 凝集し易いカーボンナノチューブやグラファイトナノファイバーなどのように擬一次元形状を有する微粒子を均一に分散した分散液およびその製造方法、効率の良い微粒子の精製方法、微粒子の密度が高く、且つ均一な微粒子皮膜、および長寿命で電子が安定に、高効率で放出できる低コストの電子放出素子および面発光装置および画像表示装置および固体真空デバイスおよびプラズマディスプレイパネルおよび液晶表示装置を提供する。【解決手段】 支持部材の上に第１の導電性電極を形成し、双極性非プロトン溶剤にカーボンナノチューブやグラファイトナノファイバーを分散した分散液を第１の導電性電極上に滴下または印刷により塗布して微粒子皮膜を積層する。
122 2002-257606 2001/12/21 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロマシン構成部材 A4 DD09 DDX 1

(57)【要約】【課題】 マイクロマシン構成部材特に質量流量センサを改良して、簡単かつ安価に製造可能なものを提供する。【解決手段】 舌片１の第１の領域に作用する外部の圧力の影響を受けて弾性的に変形可能なマイクロマシン材料より成る舌片１と、この弾性的な舌片１に設けられた応力検出装置２ａ，２ｂと、弾性的な舌片１の第２の領域１１ａを保持するための保持装置１５と、を備えており、該保持装置１５が、外部の圧力によって前記応力検出装置２ａ，２ｂにおいて機械的な応力の変化を生ぜしめるように、構成されている。
123 2002-257845 2001/03/01 松下電器産業株式会社 加速度センサ用圧電素子およびその製造方法、この製造方法に用いる研削用砥石 A4 DD01 MD02 MD04 MD06 MD09 1

(57)【要約】【課題】 断線の少ない加速度センサ用圧電素子およびその製造方法、この製造方法に用いる研削用砥石を提供するものである。【解決手段】 自由振動部１１に略Ｌ字型となるように支持体１２を設け、この自由振動部１１と支持体１２とが接する領域の角部に傾斜面１３を備えるものである。
124 2002-258173 2001/02/28 株式会社リコー 光変調装置 A4 DA01 DA04 PA03 PB01 MA01 MA02 MB03 1

(57)【要約】【課題】 両端固定梁の構造の光変調装置において、駆動電圧を低くすることを課題とする。【解決手段】 基板１０２と、表面に光反射面を有した両端固定梁１０１と、空隙１０５と、電極１０３とを有し、且つ、両端固定梁１０１の一端に伸縮構造１０６を有する。伸縮構造１０６は、狭い幅を有し、変位が容易である。駆動電圧は低くなる。伸縮構造１０６は、梁の変位量を増やし、光反射面の偏向角度を大きくする。
125 2002-258174 2001/03/02 セイコーエプソン株式会社 光変調装置及びそれを有する電子機器 A4 DA04 PI03 MA01 MAX MB01 MD01 MD04 MF02 1

(57)【要約】【課題】 正確な光変調制御が可能な光変調装置を提供すること。【解決手段】 電極基板１００には複数の駆動電極１３０が形成されている。ミラー基板２００には複数の微小ミラー２２０がマトリクス状に形成されている。駆動電極１３０と微小ミラー２２０との電位差による静電気力により、各微小ミラー２２０が傾斜駆動される。微小ミラー２２０はシリコン単結晶層から構成される。
126 2002-258175 2001/03/02 セイコーエプソン株式会社 光変調装置の製造方法及び光変調装置製造用基板 A4 DA04 PA03 PA06 PB04 MA01 MA02 MAX MD01 MD02 MD04 MDX MF02 1

(57)【要約】【課題】 歩留まりを高くすることが可能な光変調装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 駆動電極１３０が形成された第１基板１００Ａと、微小ミラー２００が形成された第２基板２００Ａを準備する。第２基板２００Ａは、シリコン基板２５０、シリコン酸化層２２５、シリコン単結晶層２６０からなるＳＯＩ基板を用いて形成される。第１基板１００Ａと第２基板２００Ａを接合する。その後、シリコン酸化層２２５をエッチングストッパーとして、ウエットエッチングによりシリコン基板２５０を除去する。
127 2002-258176 2001/03/02 セイコーエプソン株式会社 光変調装置の製造方法 A4 DA04 PA03 PB01 PB04 PG01 MA01 MAX MD01 MF02 7

(57)【要約】【課題】 歩留まりを高くすることが可能な光変調装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 駆動電極１３０が形成された第１基板１００Ａと、第２基板２００Ａを準備する。第２基板２００Ａは、シリコン基板２５０、シリコン酸化層２２５、シリコン単結晶層２６０からなるＳＯＩ基板を用いて形成される。第１基板１００Ａと第２基板２００Ａを接合する。シリコン酸化層２２５をエッチングストッパーとして、ウエットエッチングによりシリコン基板２５０を除去する。そして、反射層２２７形成後、シリコン単結晶層２６０をパターニングすることにより、微小ミラー２２０を形成する。
128 2002-258205 2001/03/05 富士通株式会社 富士通メディアデバイス株式会社 ガルバノミラーの製造方法およびガルバノミラー A4 DA01 DA02 PB01 PB03 MA01 FP

(57)【要約】【課題】トーションバー部の設計仕様に多様性をもたせることができるとともに、上記トーションバー部の各部を所望の寸法に正確に仕上げることができるガルバノミラーの製造方法を提供する。【解決手段】ガルバノミラーＡのミラー基板１を形成する工程は、基板の片面の各スリット１０が形成される箇所に有底状の複数の凹溝を設けることにより、ミラー形成部１１、枠部１２およびトーションバー部１３のそれぞれの一部を形成する第１のエッチング処理と、上記基板の上記片面とは反対の面のうち、上記複数の凹溝に対向する部分および上記トーションバー部１３の一部に対向する部分を上記基板の厚み方向にエッチングする第２のエッチング処理と、この第２のエッチング処理の前において、上記複数の凹溝のうち、上記トーションバー部１３の一部を挟む領域の底面を、上記第２のエッチング処理に対する耐食性を備えた保護部によって覆う工程とを含んでいる。
129 2002-263875 2001/03/06 三菱電機株式会社 固体レーザ加工装置 A4 DF02 1

(57)【要約】【課題】 装置の大型化や高価格化を招くことなく、ナノ構造体発生可能に適した固体レーザ加工装置を実現する。【解決手段】 横単一モードで発振するレーザビームを出射する固体レーザ発振装置１と、上記固体レーザ発振装置１から出射されたレーザビーム２を複数本のレーザビーム１２に分割するレーザビーム分割装置１１と、上記レーザビーム分割装置１１によって分割されたレーザビーム１２を被加工物５の表面に集光する集光レンズ３とを備える。
130 2002-264089 2001/03/07 株式会社リコー マイクロアクチュエータ及びその製造方法並びにインクジェットヘッド及びその製造方法 A4 DC03 PG01 MA01 MD01 MD02 MD06 MD09 MD10 MF02 1

(57)【要約】 （修正有）【課題】 振動板の厚さのバラツキの低減と低コスト化、ならびに信頼性の向上を図る。【解決手段】 振動板を可動部分とするマイクロアクチュエータの製造方法であって、振動板はシリコン基板に予め軽元素を打ち込んだ層を形状して、このシリコン基板の軽元素を打ち込んだ層をベース基板に接合した後、熱処理を加えて、前記軽元素を打ち込んだ層を前記ベース基板に剥離転写することによって、振動板厚のバラツキの少ないマイクロアクチュエータをを提供する。
131 2002-264090 2001/12/13 コミツサリア　タ　レネルジー　アトミーク 熱アクチュエータを備えたマイクロデバイス A4 DB01 DB05 MB01 MB03 MD01 MD07 MF01 MF02 1

(57)【要約】【課題】 比較的小さい熱交換でもって迅速にトリガーできるマイクロデバイスの提供。【解決手段】 マイクロデバイスであって、第１高さレベルに配置されるとともに、熱アクチュエータによってトリガーされる変形可能部材（１１）によって支持された、導体（１３）と；第２高さレベルに配置された導体（４，５）と；を具備し、トリガーによって、導体（１３）と導体（４，５）との間の距離が変更されるようになっており、熱アクチュエータが、変形可能部材（１１）に対して局所位置において当接する電気抵抗（１４，１５）から構成されている。
132 2002-264092 2001/03/13 三菱電機株式会社 マイクロマシン用車輪 A4 DFX 1

(57)【要約】【課題】 旋回性能に優れたマイクロマシン用車輪の提供。【解決手段】 車輪の車軸を通る横断面において、転動面の両端縁部をＲ形状、或いは面取り形状としたり、転動面を円弧形状としたことを特徴とする。
133 2002-264093 2001/03/14 株式会社リコー 光学反斜面作製方法、光学素子、ＬＤ用サブマウント、光ピックアップ A4 DAX PC01 MA01 1

(57)【要約】【課題】 Ｓｉの異方性エッチングを利用して、光学反射面に利用可能な面を、任意の形状を持つエッチングマスクによって一度の異方性エッチングで実現し得るようにする。【解決手段】 （１００）面の単結晶Ｓｉ基板に異方性エッチングを用いて（１１１）面からなる光学反射面を形成する光学反射面作製方法であって、光学反射面を形成するためのエッチングマスクの形状を、オリフラから予想される（１１１）面の方向に対して１度より大きく４４度より小さい角度の線分からなる円弧または多角形の凹形状としている。
134 2002-264094 2001/03/14 三菱電機株式会社 加熱接続装置及びこの加熱接続装置を用いた加熱接続方法 A4 DFX 1

(57)【要約】【課題】 安価でしかも高速に加熱するとともに小さな部材同士を確実に接続する加熱接続装置を得る。【解決手段】 第１マイクロパーツ２０の第１接続部２２及び第２マイクロパーツ２１の第２接続部２３が互いに接触する部分の表面にそれぞれホットメルト層２４及び２５を予め設け、光源１２と、この光源１２からの光を反射して集光する反射鏡１３と、反射鏡１３で集光される受光面１５及び第１接続部２２に接触する接触面１６を有するヒータブロック１４とを備え、ヒータブロック１４は集光面である受光面１５より小さな面積の接触面１６を有していることにより集光面より小さなスペースでも接触面１６が接触するスペースがあれば加熱可能であり、第１接続部２２の熱伝導によりホットメルト層２４及び２５を溶融し一体化させた後に放熱させて固化させる。
135 2002-264095 2001/11/13 ゼロックス・コーポレーション 絶縁体上シリコン及びポリシリコンウェーハの製造方法 A2 DAX DBX DDX DFX MA01 MA02 MF01 MF02 9

(57)【要約】【課題】 トップの単結晶シリコン層の下に埋没しているポリシリコン及び絶縁体を有する複合ウェーハを形成させることによって、光マイクロ電子機械デバイスを製造する方法を提供する。【解決手段】 本方法は、２つの面を有する第１のウェーハを処理し、これらの２つの面の少なくとも一方の上に少なくとも１つのパターン化されて且つ平面化された半導体層を設けるステップと、単結晶シリコンの第２のウェーハを、第１のウェーハ上の半導体層に結合させるステップとを含む。
136 2002-264096 2001/03/09 野口　裕之 村川　正夫 光造形用微細光源および光照射装置 A4 DFX 1

(57)【要約】【課題】微細な３次元造形物を形成するための光のスポットサイズが極めて微小でしかも安価にかつ簡単に製作することができ、レーザーだけでなく各種の光源を使用することが可能な光造形装置用微細光源と光照射装置を提供する。【解決手段】光造形用微細光源が、シングルモードのコアを有する光ファイバーを加熱し，引き延ばすことにより出力端面のコア径が細径化された光ファイバーからなっている。
137 2002-264097 2001/03/02 富士ゼロックス株式会社 カーボンナノチューブ構造体、およびその製造方法 A4 DF02 MI04 FP

(57)【要約】【課題】 カーボンナノチューブのハンドリング性を向上させ、カーボンナノチューブを含む電子デバイスや機能材料、およびその他構造材料などの、広範なカーボンナノチューブの応用を実現し得るカーボンナノチューブ構造体、およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 複数の物体４相互の間隙、および／または、物体の複数の部位における間隙に液架橋部を形成し、該液架橋部に複数のカーボンナノチューブ８を会合させることにより、カーボンナノチューブ８を構造化して配置することを特徴とするカーボンナノチューブ構造体の製造方法、およびカーボンナノチューブ構造体である。
138 2002-264099 2001/03/08 キヤノン株式会社 微細加工装置および微細加工方法 A4 DF02 DF03 PJ04 2

(57)【要約】【課題】導電性の被加工物に対し絶縁物に変成された加工パターンを加工するに際して、絶縁物によるパターンで囲まれた閉領域の内部に対しても容易に加工することが可能となり、より複雑で微細なパターンを自由に加工することができる微細加工装置および微細加工方法を提供する。【解決手段】導電性探針と該導電性の被加工物間に電圧を印加して、該被加工物に対し絶縁物に変成された加工パターンを形成する微細加工装置または方法において、加工データ入力手段と加工済みデータ記憶手段からのデータによって加工条件を算出する加工条件算出手段を有し、前記加工条件算出手段による加工条件に基づいて前記被加工物を加工するように構成する。
139 2002-264100 2001/03/08 キヤノン株式会社 微細加工装置および微細加工方法 A4 DFX PA03 MBX MD09 4

(57)【要約】【課題】導電性の被加工物に対し絶縁物に変成された複雑な加工パターンを加工するに際して、加工することが不可能なパターンを発生させることがなく、全てのパターンを容易に加工することができる微細加工装置および微細加工方法を提供する。【解決手段】導電性探針を備え、該導電性探針を導電性の被加工物に対して相対走査し、該導電性探針と該導電性の被加工物間に電圧を印加して、該被加工物に対し絶縁物に変成された加工パターンを形成する加工装置において、前記絶縁物に変成された加工パターンによって囲まれる閉領域に関する加工データを処理して加工手順を並び替えるように構成する。
140 2002-264251 2001/03/08 エヌイーシートーキン株式会社 耐フッ酸多層薄膜及びその使用方法 A4 DFX PC01 MB01 MD03 MD04 MD06 MDX 2

(57)【要約】【課題】 表面がフッ酸に対して高い耐腐食性を有すると共に、表面被覆部分が壊れた場合にも効果的にアシストできる膜厚の厚い優れた強度を持った耐フッ酸多層薄膜を提供すること。【解決手段】 この耐フッ酸多層薄膜１は、Ａｕ及びＣｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｐｔ，Ｐｄの何れか一種を用いて成る低抵抗導体を組み合わせて多層化したＡｕ薄膜層１ａと、Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｆｅの何れか一種を用いて成る低抵抗金属層１ｂとをＡｕ薄膜層１ａが両方の主面（表裏面）に配置されるように交互に積層した積層体から成る。又、この積層体では、Ａｕ薄膜層１ａの厚みを５〜１００［ｎｍ］の範囲とし、且つ低抵抗金属層１ｂの厚みを５０ｎｍ〜数μｍの範囲とすると共に、Ａｕ薄膜層１ａ及び低抵抗金属層１ｂを積層する積層数を増やして全体の膜厚Ｄ１を厚くしている。
141 2002-265209 2001/03/12 田路　和幸 ソニー株式会社 カーボンナノチューブの精製方法 A4 DFX MI04 1

(57)【要約】【課題】 精製カーボンナノチューブの回収率が高く、精製工程の自動化が容易な精製方法を提供する。【解決手段】 カーボンナノチューブを高濃度で含有する煤状粉末を過酸化水素水溶液中で湿式酸化処理し、アモルファスカーボン微粒子を除去する湿式酸化工程（ステップ１）と、酸化処理後の煤状固形物を蒸留水中にて超音波分散と沈降分離を繰り返し行い、ナノ粒子とグラファイトを分離除去する沈降処理工程（ステップ２）と、沈降処理後の煤状固形物を例えば塩酸等の酸溶液にて洗浄し金属微粒子を除去する酸処理工程（ステップ３）とで構成する。
142 2002-265223 2001/03/12 独立行政法人物質・材料研究機構 チタニア超薄膜およびその製造方法 A4 DF02 DF03 MA01 MEX MF01 MF02 MI07 1

(57)【要約】【課題】 本発明者が先に開発したチタニアナノシートとポリマーが積層した超薄膜は、紫外光を高効率で吸収するなどの優れた特性を有するが、ポリマーがナノシートのバインダー的な役割で薄膜の中に積層されていることから、熱的安定性、化学的安定性、機械的強度に欠けるという側面があり、用途によっては実用化の障害になりかねない問題点を有していた。【構成】 層状チタン酸化物微結晶を剥離して得られる薄片粒子からなるチタニアナノシートの多層構造からなりポリマー介在層を有しないことを特徴とするチタニア超薄膜。層状チタン酸化物微結晶を剥離して得られる薄片粒子からなるチタニアナノシートとカチオン性ポリマーをそれぞれ液相から基板上に交互に積層してチタニア超薄膜と介在層のポリマーが積層した多層構造の膜を作製し、該多層構造の膜からポリマーを加熱処理または紫外線などの電磁波照射により除去してチタニア超薄膜を製造する。
143 2002-266007 2001/03/08 科学技術振興事業団 独立行政法人産業技術総合研究所 金属ナノワイヤー及びその製造方法 A4 DF02 MD03 MI06 1

(57)【要約】【課題】 本発明は、このような事情のもとで、これまで生成することができなかった平均長さが１μｍ以上というサイズ形態を持つ金属のみから成るナノワイヤー及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、一般式（式中、Ｖａｌはバリン残基、ｍは１〜３、ｎは６〜１８を表す。）で表される双頭型ペプチド脂質及び金属イオンから形成された金属複合化ペプチド脂質から成るナノファイバーを、該双頭型ペプチド脂質に対し５〜１０当量の還元剤を用いて還元することから成る金属ナノワイヤーの製造方法、及び平均径が１０〜２０ｎｍであって平均長さが１μｍ以上である金属ナノワイヤーを提供する。金属としては銅が好ましい。
144 2002-267956 2001/03/08 ソニー株式会社 マイクロミラーおよびその製造方法 A4 DA02 DA04 PA01 PA06 PB02 PC01 MA01 MB03 MBX MD01 1

(57)【要約】【課題】 高速かつ広角度に変位可能なマイクロミラーおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 ヒンジ部１３の可動部分１３Ａから固定部分１３Ｂにかけての表側の面には、不純物例えばリン（Ｐ）を含む多結晶シリコン膜１５が、また、ヒンジ部１３の可動部分１３Ａの裏側の面には、アルミニウム（Ａｌ）膜１６が形成されている。これにより、多結晶シリコン膜１５とアルミニウム膜１６とが窒化シリコンからなるヒンジ部１３を挟んでバイモルフ構造を構成している。多結晶シリコン膜１５に通電すると、多結晶シリコンのジュール熱によりヒンジ部１３が加熱され、その結果、多結晶シリコン膜１５とアルミニウム膜１６との両方が熱膨張し、可動部分１３Ａとともにミラー部１２が変位する。ミラー部１２はヒンジ部１３に対して傾斜しているので、先端のミラー部１２に一層大きな角度変位を得ることができる。
145 2002-267959 2001/03/13 株式会社リコー 光変調装置及びその製造方法 A4 DA04 PA02 PA03 MA01 MB03 MD01 MD02 MD04 MD09 MF02 3

(57)【要約】【課題】 静電力により両端固定梁を撓ませる光変調装置の駆動電圧を低電圧化する。【解決手段】 基板２０１の窪みに電極２０３を設け、この電極に対向させて、梁２０５を、その両端のＬ型形状の固定端部２１０により基板２０１よりせり出すように固定する。梁２０５が静電力によって変形させられない状態で、梁２０５と電極２０３との間に非平行な空隙２０８が形成される。
146 2002-267996 2001/03/13 株式会社リコー 光走査装置及びその製造方法 A4 DA02 PB01 MA01 MD01 MD07 1

(57)【要約】【課題】 ミラー基板を静電力により往復振動させる光走査装置において、ミラー基板の湾曲を防止する。【解決手段】 ミラー基板１０１のミラー面が形成されない裏面に、応力調整層として圧縮応力を有する金属薄膜１１８が成膜される。金属薄膜１１８が成膜されない状態ではミラー基板は上に凸に湾曲するが、金属薄膜１１８を成膜した後は、その圧縮応力によりミラー基板は湾曲が抑えられ平坦になる。
147 2002-270462 2001/11/15 連匯科技有限公司 マイクロ機電技術を応用して製作された高周波通信用集積受動素子とその設計方法 A2 DB01 DB04 DB05 DB06 PB01 MD01 MD03 ME01 ME02 MFX 2

(57)【要約】【課題】マイクロ機電技術を応用して高周波通信用集積受動素子とセラミックの低温共焼で得た比較的精度の低い受動素子とを併用して、コストが低く、信頼度が高いハイブリッド通信素子の製作工程と材料を提供する。【解決手段】本発明では上述のハイブリッド通信素子の設計方法、材料と製作工程を提供し、その可用周波数の範囲は０．９ＧＨｚ〜１００ＧＨｚの広さに達し、低回路面積と低コストの要求に符合し、受動素子の基本構造は２層基板で、下層はセラミック、上層は廉価なガラス、或いは透明プラスチック、また、１層のセラミック基板を最下層に加えてもよく、全体の工程の材料と温度はみんな、ＣＭＯＳの製作工程と相容し、ＲＦ−ＣＭＯＳの後続製作工程となり得る外、素子の設計と製作に際し、素子間の隔離の方法を提供して、素子間のカップリングや干渉の現象を大幅に抑制し、集積化とミニ化の効果を向上した。
148 2002-273627 2001/03/14 毛利　尚武 三菱電機株式会社 微細軸成形方法及び装置 A4 DFX PEX PIX PJX MD10 1

(57)【要約】【課題】 微細軸の成形を安定的かつ効率的に行うことができる実用的な微細軸成形方法及び装置を得る。【解決手段】 マイナス極性の細線電極６とプラス極性の電極７とを位置決め手段により相対位置決めし、細線電極６と電極７との極間に加工電力供給手段１０により加工電力を供給することにより放電を発生させ、細線電極６に微細形状軸を成形する微細軸成形方法及び装置において、細線電極６に加工液４ａを付着させる加工液付着手段を備え、気中にて微細軸の成形を行う。微細軸の成形を安定的かつ効率的に行うことができ、微細軸成形コストを低減することができる。また、成形した微細軸をそのまま放電加工用電極として使用して微細穴加工を行う等の工程の自動化を実現することができる。
149 2002-273699 2002/01/31 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロメカニカル素子およびその製法 A4 DD01 PA03 PG01 MA02 MF02 1

(57)【要約】【課題】 マイクロメカニカル素子ならびにその製法【解決手段】 基板（３）；構造化層（５）少なくとも１つ、ここで、構造化層（５）中には機能構造（７）少なくとも１つが形成されている；機能構造（７）を覆うキャップ（１）、ここで、キャップ（１）と機能構造（７）との間には中空部（７ａ）少なくとも１つが形成されている；キャップ（１）と構造化層（５）とを接合する接合層（２）を有するマイクロメカニカル素子において、接合層（２）が殊には、３００ｎｍ〜１００μｍの範囲、有利には３００ｎｍ〜５０μｍの範囲の厚さを有する陽極接合可能なガラス、即ちボンディングガラスにより形成されている。
150 2002-277764 2001/03/14 住友重機械工業株式会社 光スイッチ A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 光スイッチの駆動部を減らして構造を単純にし、信頼性を高めると共に、小型化する。【解決手段】 各入力チャンネルに対応して設けた、入力光が常時入射される光路切換用ミラー３１、３２を、駆動機構によりデジタル的に駆動する。
151 2002-277765 2001/03/14 住友重機械工業株式会社 光スイッチ A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 光スイッチの駆動部を減らして構造を単純にし、信頼性を高めると共に小型化する。【解決手段】 各入力チャンネルに入力された光を、そのまま又は入れ換えて出力チャンネルに出力するための光路切換用ミラー４２、４３、８２、８３、８４あるいはプリズム７０と、該ミラーあるいはプリズムをデジタル的に駆動するための、単一のデジタル駆動機構とを備える。
152 2002-277766 2001/03/16 ソニー株式会社 株式会社村田製作所 光変調素子の製造方法及び光変調素子 A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 品質の安定化及び製造工程の簡素化が可能な光変調素子の製造方法及び光変調素子を提供すること。【解決手段】 基板４の導体箔９形成面に溝５を設け、光反射面１０と、外部電極（＋）６及び外部電極（−）７とこれに接続されたそれぞれの内部電極６ａ、７ａとが形成された圧電体ブロック１Ａを溝５に嵌め込み、導電性接着剤３を用いて圧電体ブロック１Ａを基板４に接着固定後に、圧電体ブロック１Ａを切断可能な切り込み深さで導体箔９と共に、圧電体ブロック１Ａの長さ方向と直交する方向に所定間隔で切断分割し、一方向一列に配列されたピクセル２ａを有する光変調素子２Ａを形成する。これにより性能特性が均一で分割後も光反射面１０の向きや位置が変らないと共に、電極の配線が同時に形成され、光変調素子を容易に作製することができる。
153 2002-277767 2001/03/16 株式会社リコー 光変調装置及びその光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備する画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影表示装置 A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、駆動電圧が低く作動が安定で信頼性も高く、製造工程が少なく低コストの光変調装置及びその製造方法並びにその光変調装置を具備する画像形成装置及び画像投影表示装置を提供する。【解決手段】 反射手段１を側面に組み合わせ構成する薄膜で形成され両端が固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁と、薄膜両端固定梁２の他方側面に形成される非平行な空隙を介して上記薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極３と、基板電極３の駆動電圧の印加による薄膜両端固定梁２の変形を当接により規制して光変調を行なう薄膜両端固定梁２に基板電極３が対向する対向面４と、対向面４からなる上記基板電極３を形成して薄膜両端固定梁２の一方の固定端２ａと他方の固定端２ｂの両端を固定する基板５とからなる。
154 2002-277807 2001/03/14 株式会社リコー 光走査装置 A4 DA02 FP

(57)【要約】【課題】 可動ミラー面に対向して所定角度を有する対向ミラーの光反射面を、高精度に位置決め配備できる光走査装置を得るとともに、多重反射に伴う走査線の曲がりを補正し高品位な画像記録を行なう機構を提供する。【解決手段】 光走査装置に配置するミラーユニット１は可動ミラー基板２に可動ミラー３を保持し、対向ミラー１０の間で照射光の反射を複数回行わせる。前記対向ミラー１０は、２枚の結晶面方位の異なるＳｉ基板１１、１２を用いて結晶異方性エッチングして作成し、光反射面としての傾斜面１４……を形成することで、前記２枚の基板の傾斜面の角度を正確に形成することができ、上部に配置するプリズムを介しての光ビームの反射と感光体ドラムへの光照射を行わせる。
155 2002-280470 2001/03/22 アイシン精機株式会社 半導体装置及びその製造方法 A4 DD02 FP

(57)【要約】【課題】小型化及び製造を容易にできる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ヨーレートセンサ１は、シリコン基板２上にセンシング部３を備え、センシング部３を囲むように、封止用接合壁15が形成されている。封止用接合壁15には、孔16が形成されている。封止用接合壁15の外側に電極パッド７，10，13が設けられ、センシング部３の電気信号が電極パッド７，10，13に取り出されるように構成されている。封止用接合壁15の上面には、カバー部材17が低融点ガラス19を介して接合されている。カバー部材17の上部には蒸着層20が形成され、蒸着層20と同じ金属で形成された蒸着封止部20ａにより孔16が真空封止され、真空チップパッケージ21を備えたヨーレートセンサ１が構成されている。
156 2002-282682 2001/03/26 独立行政法人産業技術総合研究所 桐生　昭吾 村川　正宏 樋口　哲也 微小化学反応装置 A4 DC01 DC02 FP

(57)【要約】【課題】 光造形法を含むマイクロマシニング技術を利用して大量且つ安価に製造できるとともに、用途に応じて反応系を自在に変更可能な微小化学反応装置を提供する。【解決手段】 反応通路３に連結されたそれぞれ２つずつの流入側通路４、５と流出側通路６、７を含んで構成される微小化学反応モジュール２Ａが、少なくとも一つの層２内にそれぞれの反応通路の方向を層の前後方向に揃えて複数左右方向に配列され、且つ、前記配列が前後方向に複数列形成されている。前後の列間において、後列側の微小化学反応モジュールは、その２つの流入側通路がそれぞれ微小バルブ８を介して、前列側の左右方向に並んだ２つの微小化学反応モジュールの各一方の流出側通路と連結され、微小バルブの開閉によって反応系を自在に変更でき、目的に応じた微小化学反応を実現することが可能となる。
157 2002-283293 2001/03/22 タマティーエルオー株式会社 マイクロ流体素子とその製造方法 A4 DC01 PJ04 FP

(57)【要約】【課題】 形成する溝などのパターンの変更が容易で、加工工程が短縮化などが可能で、さらに、汚染上の理由によって完全使い捨てにする必要がなく、基板を簡単に再生使用できるマイクロ流体素子を提供する。【解決手段】 基板１と基板上の樹脂層２と樹脂層上の樹脂コート７からなり、前記樹脂層に、流体回路５を形成したマイクロ流体素子８。
158 2002-283294 2002/01/23 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロメカニック構造部材の製造方法 A4 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 従来の技術の欠点を有しないマイクロメカニック構造部材の製造方法を提供する。【解決手段】 該製造方法は、前面及び背面を有する基板（１；２；４）を準備する、基板（１；２；４）の前面を構造化する、基板（１；２；４）の構造化した前面をゲルマニウム含有保護層（７；７’；７”）で少なくとも部分的に覆う、基板（１；２；４）の背面を構造化する、及び基板（１；２；４）の構造化した前面からゲルマニウム含有保護層（７；７’；７”）を少なくとも部分的に除去する工程からなる。
159 2002-283295 2001/03/27 セイコーエプソン株式会社 微細構造体の製造方法 A4 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 複数の構造層を積層して微細構造を製造するのに適した製造方法を提供する。【解決手段】 アクチュエータ６となる第１の構造層１０１が形成された半導体基板２０と、剥離層９７を介してプリズムとなる第２の構造層１０２が形成されたガラス基板９６とを、各々の構造層１０１および１０２が対面するように組み合わせる際に、チップ化される微細構造グループ５９の間にエッチャントの導入路８０を確保する。これにより、剥離層９７のエッチング効率を向上し、剥離層９７を除去して基板９６を分離する工程に必要な時間を短縮し、微細構造体を短時間で製造できるようにする。
160 2002-283296 2001/11/27 マイクロスキャン　システムズ　インコーポレイテッド ゼロックス・コーポレーション 事前のパターニングを有する、マイクロメカニカルおよびマイクロオプトメカニカルな構造物を製造するための方法 A4 PI03 FP

(57)【要約】【課題】 絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェーハにおいて、マイクロメカニカルまたはマイクロオプトメカニカルな構造物によって、機械的、光学的特質を改良する。【解決手段】 本発明は、マイクロメカニカルまたはマイクロオプトメカニカルな構造物を提供する。この構造物は、以下の段階を含む処理によって製作される。すなわち、絶縁層１６によって基板層１４から分離されている単結晶シリコン層１２上にパターンを定義すること、単結晶シリコン層１２に構造物を定義すること、構造物の機械的要素または光学的要素を形成するポリシリコンを残したままで、単結晶シリコン層１２上にポリシリコン層４０，４２を蒸着およびエッチングすること、形成された構造物を解離することである。
161 2002-283297 2001/11/27 マイクロスキャン　システムズ　インコーポレイテッド ゼロックス・コーポレーション 裏面に金属被覆を備える、マイクロメカニカルおよびマイクロオプトメカニカルな構造物を製造するための方法 A4 PI03 FP

(57)【要約】【課題】 絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェーハにおいて、マイクロメカニカルまたはマイクロオプトメカニカルな構造物によって、機械的、光学的特質を改良する。【解決手段】 本発明は、マイクロメカニカルまたはマイクロオプトメカニカルな構造物を提供する。この構造物は、以下の段階を含む処理によって製作される。すなわち、絶縁層１６によって基板層１４から分離されている単結晶シリコン層１２に構造物を定義すること、単結晶シリコン層１２を選択的にエッチングすること、構造物の機械的要素を形成するポリシリコンを残したままで、絶縁層１６上にポリシリコン層４０，４２を蒸着およびエッチングすること、構造物の裏面を金属被覆すること、形成された構造物を解離することである。
162 2002-283298 2002/02/14 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロマシン構成エレメントと該マイクロマシン構成エレメントを製造するための方法 A4 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 付着現象が有効に減じられたマイクロマシン構成エレメントと、このようなマイクロマシン構成エレメントを簡単かつ安価に製造するための方法を提供する。【解決手段】 互いに可動である複数の構成部分７，８を有したマイクロマシン構成エレメントを１つの基板から製造するための方法において、伝導性の層１０を、互いに可動な構成部分７，８の少なくとも互いに向き合う表面９に設ける。マイクロマシン構成エレメントであって、基板を有しており、該基板に、互いに可動な構成部分７，８が形成されている形式のものにおいて、前記構成部分７，８の、少なくとも互いに向かい合った表面９が、伝導性の層１０を支持している。
163 2002-283299 2001/03/21 セイコーエプソン株式会社 微小電気機械の製造方法 A4 DA01 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 光スイッチングデバイスなどの微小電気機械を、歩留りよく製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】 基板２０に、金属製の可動な上電極７および固定された下電極８とシリコン製の犠牲層９９により可動層を形成し、さらに酸化シリコン製の光学素子層を積層する。光学素子層を素子分離して溝９０を形成した後に基板２０をパッケージ材１００にダイアタッチ材１２０で貼り付けワイヤーボンディングする。その後にＸｅＦ2をエッチェントとして犠牲層９９を除去する。これにより、パッケージ材１００に取り付けて配線する間は、アクチュエータ６は犠牲層９９に守られ、構造的に安定な状態となるため損傷やゴミの侵入などを防止でき、歩留りを向上できる。
164 2002-287043 2001/03/27 セイコーエプソン株式会社 微細構造体および微細構造体の製造方法 A4 DA01 PI06 FP

(57)【要約】【課題】 光学素子をアクチュエータで駆動する光スイッチングデバイスにおいて、低コストで、耐久性および信頼性の高いデバイスを提供する。【解決手段】 フォトリソグラフィ技術により製造したアクチュエータ６の層に光学素子の層に光潜在性重合開始剤添加エポキシ樹脂３５を用いて成形型７０で成形して製造する際に、樹脂３５の温度を６０℃以上５００℃以下の温度にヒータ１０５で制御すると共に、光源１２５からの光を部分的に当てて仮止めする。これにより、精度良く成形型７０とアクチュエータ６が成形されたワーク２０との位置合わせができ、膜厚も管理できる。したがって、アクチュエータ６と光学素子が積層された構成の微細構造体を精度良く製造でき、歩留まりを向上できる。
165 2002-287048 2001/03/26 三菱電線工業株式会社 江刺　正喜 光スイッチ及びその製造方法 A4 DA01 PI02 19

(57)【要約】【課題】 大規模の光スイッチの挿入損失の低減と小型化とを併せ図る。【解決手段】 パーマロイ１２を下面に有しかつ板ばね部１０により支持されて突出位置及び没入位置に移動可能な可動マイクロミラー１ａ〜１ｄ、光ファイバＦ１〜Ｆ４を保持するためのファイバ保持Ｖ溝４ａ〜４ｄ、並びにコリメート用のマイクロレンズＬ１，Ｌ２が保持されたレンズ保持凹部５ａ，５ｂを有する第１層Ａ１と、支持用ガラス基板４０からなる第２層Ａ２と、メッキで形成され、可動マイクロミラー１ａ〜１ｄを駆動する平面マイクロコイル２１，２２からなる電磁アクチュエータ２０ａ〜２０ｄを有する第３層Ａ３と、永久磁石からなる第４層Ａ４とを積層して接合一体化する。
166 2002-287049 2001/03/26 三菱電線工業株式会社 光スイッチ及びその製造方法 A4 DA01 PI02 19

(57)【要約】 （修正有）【課題】 大規模の光スイッチの挿入損失の低減と小型化とを併せ図る。【解決手段】 下部に強磁形状記憶合金体を有する板ばね部１０により支持されて、突出位置及び没入位置に移動可能な可動マイクロミラー１ａ〜１ｄ、光ファイバＦ１〜Ｆ４を保持するためのファイバ保持Ｖ溝４ａ〜４ｄ、並びにコリメート用のマイクロレンズＬ１，Ｌ２が保持されたレンズ保持凹部５ａ，５ｂを有する第１層Ａ１と、支持用ガラス基板からなる第２層Ａ２と、メッキで形成され、可動マイクロミラー１ａ〜１ｄを駆動する平面マイクロコイルからなる電磁アクチュエータ２０ａ〜２０ｄを有する第３層Ａ３とを積層して接合一体化する。
167 2002-289875 1992/04/27 株式会社デンソー 半導体力学量センサ及びその製造方法 A4 DD01 PI02 FP

(57)【要約】【目的】 可動電極と固定電極との間を確実に電気的に絶縁し、全体構造を簡素化しつつ、ノイズの影響を低減して加速度の検出精度，検出感度を向上する。【構成】 単結晶シリコン基板１の下面側に絶縁層９を介して単結晶シリコン基板８を設け、片持ち梁１３の全周に亘って単結晶シリコン基板１を上面側から下面側まで貫通するトレンチ溝１３を穿設することにより、片持ち梁１３と該片持ち梁１３に対向する各固定電極１４〜１７とを一体的に形成する構成とした。これにより、片持ち梁１３と各固定電極１４〜１７とはトレンチ溝３により電気的に絶縁される。
168 2002-289876 1992/04/27 株式会社デンソー 半導体力学量センサ及びその製造方法 A4 DD01 PI03 FP

(57)【要約】【課題】 半導体力学量センサを製造するとき、固定部および可動部が形成されるエッチング工程でそれぞれのエッチング剤が溝の周囲に浸入して破壊するのを防止し、生産性を高める。【解決手段】 固定電極１４〜１７および可動電極１３はシリコン材により形成されているから、シリコンウエハにより一度に複数個を形成する。ここで、第１のエッチング工程で、固定電極１４〜１７および可動電極１３を独立させるための溝と該溝が周囲と連通するのを遮断する溝とを形成する。そして、シリコンウエハの他側面から第２のエッチング工程では、各半導体力学量センサを周辺部で仕切ることにより、エッチング剤が隣接する半導体力学量センサに浸入するのを防止する。
169 2002-292600 2001/03/30 三井化学株式会社 マイクロ配管およびその製造方法 A4 DC01 PJ01 2

(57)【要約】【課題】 耐衝撃性、加工精度、量産性、製造コストに優れたマイクロ配管およびその製造方法を提供する。【解決手段】 マイクロ配管１０は、溝加工によって微細な流路が形成されたベース基板２１と、流路を覆うようにベース基板２１に接合されたカバー基板１９などで構成される。流路立体形状を有する原版２０を用いてトランスファー成形または射出成形等によって高分子材料を成形すると、流路が転写されたベース基板２１が得られ、成形されたベース基板２１の上に熱可塑性樹脂シート等から成るカバー基板１９を接合すると、マイクロ配管１０が得られる。
170 2002-296293 2001/03/30 住友金属工業株式会社 株式会社ワコー 加速度センサ A4 DD01 FP

(57)【要約】【課題】 重量を大きくすることができるとともに、ビームの長さを長くして検出感度を従来の加速度センサより向上させることができ、周波数特性及び耐衝撃性が良好であり、小型化が可能である加速度センサを提供する【解決手段】 マイクロ構造体からなるセンサ部１は、矩形の枠部１１を有し、枠部１１の中心部には円柱状の重錘体１２が設けられている。この重錘体１２は枠部１１の各辺の中央部と、ビーム１３，１３，１３，１３により接続されている。そして、四角柱状の補助重錘体１４，１４，１４，１４が、ビーム１３，１３と枠部１１の内周面とにより包囲される空間内に遊挿する状態で、重錘体１２に連設してある。
171 2002-296516 2001/03/29 日本航空電子工業株式会社 微小可動デバイス A4 DA04 PI03 FP

(57)【要約】【課題】 固定電極が形成される固定基板に更に粘着解消電極を付加形成して可動電極板が固定基板に対して貼着することを防止する微小可動デバイスを提供する。【解決手段】 マイクロマシニング技術で製造され、固定電極８０が形成される固定電極基板８と、アンカー部１１およびフレクチュア２１を介して固定枠１’に取り付け結合され、固定電極基板８に対して垂直方向に変位する可動電極板２とを有する微小可動デバイスにおいて、固定電極基板８に固定電極８０の他に粘着解消電極８４を付加形成した微小可動デバイス。
172 2002-296518 2001/03/29 ミヨタ株式会社 ガルバノミラーチップおよびその製造方法 A4 DA04 FP

(57)【要約】【課題】露光、現像、エッチング精度を厳密に制御することなく、絶縁層段差部における引出電極パターン間隔が確保できるガルバノミラーチップ及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板に、枠状の外側可動板と該外側可動板の内側に配置される内側可動板とからなる可動部と、前記外側可動板を揺動可能に軸支する第１トーションバーと該第１トーションバーと軸方向が直交し前記内側可動板を揺動可能に軸支する第２トーションバーとからなる軸支部とを一体に形成し、外側可動板及び内側可動板の上面には絶縁層を介して平面コイルを設け、内側可動板の下面には反射ミラーを設けたガルバノミラーチップにおいて、前記平面電極コイルより第１トーションバー上を経由してボンディングパッドに接続される引出電極の絶縁層縁部における電極間隔が、第１トーションバー上での電極間隔より広く形成したガルバノミラーチップとする。
173 2002-296520 2001/03/30 株式会社リコー 空間光変調器および画像表示装置 A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】 光変調手段の数で制限される量を超える情報を空間伝達でき、かつ構成が簡単な空間光変調器を提供すること。【解決手段】 １は空間光変調器で、複数の光変調手段２が平面３上に一次元アレイ状に設けられ、平面３は軸４を中心に回転可能となっている。図示しない光源（例えばレーザ光源）から発せられた光ビーム５は空間光変調器１に入射すると、空間光変調手段２によって空間的に変調されると同時に、平面３が振動または回転することによって偏向・走査され、出射ビーム６となる。出射ビーム６は投射レンズ７によって画面の大きさ、焦点を合わせられてスクリーン８上に照射され、画像が投影表示される。以上の動作において、画像データからの信号はコントローラを介して、空間光変調手段２および平面３の駆動信号として与えられる。
174 2002-299714 2001/03/30 セイコーエプソン株式会社 圧電体素子及びこれを用いた電気機器 A4 DC03 FP

(57)【要約】【課題】 電歪領域で駆動させる場合に好適な特性を示すことのできる圧電体素子を提供する。【解決手段】 圧電体膜２３と、この圧電体膜の両面を挟んで配置される下部電極２２および上部電極２４とを備えた圧電体素子２１であって、前記圧電体膜は、菱面体晶系で、かつ（００１）面優先配向であり、電界方向の格子定数が面内の格子定数より大きいことを特徴とする。前記圧電体膜は、面方向に圧縮応力を有することが好ましく、前記圧電体膜をＳｉＯ２基板上に形成し、かつ膜厚を１μｍ以上とすることが好ましい。
175 2002-301695 2001/12/21 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 精密機械的な構造要素、及びその製造方法 A4 PI02 10

(57)【要約】 （修正有）【課題】 重大な結果を招く幾つかの欠点を有さずにフッ化水素ガスエッチング法による犠牲層除去を行う。【解決手段】 僅かな層及びホトリソグラフィー工程しか必要としない自由可動な構造下に埋設された導体路と同様に犠牲層も同じ層からなる精密機械的な構成素子及び製造方法を提供する。
176 2002-301696 2001/04/03 日本航空電子工業株式会社 微小可動デバイス A4 PI02 1

(57)【要約】【課題】 可動板を成膜製造するに際して必然的に生起する反りを積極的に利用することにより、可動板或いは固定基板の何れか一方に微小突起を形成することその他の格別の工夫をする必要なしに可動板と固定基板との間の貼り付きを防止する微小可動デバイスを提供する。【解決手段】 マイクロマシニング技術で製造され、シリコン基板２と、アンカー部３２およびフレクチュア３１を介してシリコン基板２に取り付け結合され、シリコン基板２と接合された固定基板１に対して垂直方向に変位する可動板３とを有する微小可動デバイスにおいて、可動板３に反りを形成した微小可動デバイス。
177 2002-301697 2001/11/27 マイクロスキャン　システムズ　インコーポレイテッド ゼロックス・コーポレーション 単結晶シリコンの露光の工程を備える、マイクロメカニカルおよびマイクロオプトメカニカルな構造物を製造するための方法 A2 DA06 DB01 DB05 PB01 PE01MA01 MD01 MD02 MD04 MD07 18

(57)【要約】【課題】 絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェーハにおいて、マイクロメカニカルまたはマイクロオプトメカニカルな構造物によって、機械的、光学的特質を改良する。【解決手段】 本発明は、マイクロメカニカルまたはマイクロオプトメカニカルな構造物を提供する。この構造物は、以下の段階を含む処理によって製作される。すなわち、絶縁層１６によって基板層１４から分離されている単結晶シリコン層１２上に構造物を定義すること、構造物の機械的要素または光学的要素を形成するポリシリコンを残したままで、単結晶シリコン層１２上にポリシリコン層４０，４２を蒸着およびエッチングすること、単結晶シリコン層１２の選択された区域を露光すること、形成された構造物を解離することである。
178 2002-301698 2002/01/17 ゼロックス・コーポレーション 波形の多層膜構造を持つ、静電的にアクチュエートされるデバイス A4 DC03 FP

(57)【要約】【課題】 イジェクタ寸法を減少させずに、あるいは、膜厚を増加させずに、実用的な寸法のインク飛沫を排出する、インクジェット飛沫のイジェクタ能力を増加させる。【解決手段】 絶縁層と、導電層と、犠牲層及び、第２の導電層を持つ当該基板を提供し、第２の導電層に一連の穴をパターン化し、第２の犠牲層を第２の導電層の上に蒸着し、第２の犠牲層を放射状等のグリッドパターンでパターン化し、該パターンが第２の導電層で満たされ、第２の導電層と接触状態となるように、第３の導電層を蒸着し、開放腐食液に浸すことによって、第１及び第２の犠牲層を除去するステップを含む、マイクロ電子機械的液体イジェクタを製造するための方法
179 2002-307393 2001/04/12 松下電工株式会社 半導体マイクロアクチュエータ A4 ME01 FP

(57)【要約】【課題】 低消費電力で、応答性のよい半導体マイクロアクチュエータを提供する応答性のよい半導体マイクロアクチュエータを提供する。【解決手段】 半導体基板３と、該半導体基板３と熱絶縁領域１０を介して接合され温度変化に応じて定められた方向に変位する少なくとも１つの可撓部２と、該可撓部２により熱絶縁領域１０を介して懸垂され前記可撓部２の変化に応じて変位する可動部１とを備えてなる半導体マイクロアクチュエータにおいて、前記熱絶縁領域１０を、略中央部の底面部で不連続面を形成するように、連結する部材の表面に沿って順次複数のポリイミド薄膜１１を積層して構成する。
180 2002-307394 2001/04/12 松下電工株式会社 半導体マイクロアクチュエータ A4 ME01 FP

(57)【要約】【課題】 低消費電力で、応答性のよい半導体マイクロアクチュエータを提供する応答性のよい半導体マイクロアクチュエータを提供する。【解決手段】 半導体基板３と、該半導体基板３に接合され温度変化に応じて定められた方向に変位する少なくとも１つの可撓部２と、該可撓部２により懸垂され前記可撓部２の変化に応じて変位する可動部１とを備えてなる半導体マイクロアクチュエータにおいて、前記可撓部２を構成する材料の有する熱伝達率よりも小さい熱伝導率を有する断熱部を、前記可撓部２を被覆するように設けて、前記可撓部２から空気中への熱伝達を抑制する。
181 2002-307395 2001/04/12 松下電工株式会社 半導体マイクロアクチュエータ A4 MD06 FP

(57)【要約】【課題】 低消費電力で、応答性のよい半導体マイクロアクチュエータを提供する。【解決手段】 半導体基板３と、該半導体基板３と熱絶縁領域１０を介して接合され内部に備えた加熱手段８による温度変化に応じて定められた方向に変位する少なくとも１つの可撓部２と、該可撓部２により懸垂され前記可撓部の変化に応じて変位する可動部１とを備えてなる半導体マイクロアクチュエータにおいて、前記可撓部２から前記可動部１に向う方向に、前記加熱手段８を、該可撓部２幅の略１／２部分までの間にわたり設ける。
182 2002-307396 2001/04/13 オリンパス光学工業株式会社 アクチュエータ A4 DA02 FP

(57)【要約】【課題】共振周波数が大きく異なる第一のトーションバーと第二のトーションバーとを有している二次元駆動アクチュエータを提供する。【解決手段】アクチュエータ１００は、可動板１０２と、これを取り囲む可動内枠１０４と、可動板１０２と可動内枠１０４を連結する第一のトーションバー１１２・１１４と、可動内枠１０４を取り囲む固定外枠１０６と、可動内枠１０４と固定外枠１０６を連結する第二のトーションバー１１６・１１８とを有する板バネ構造体を備えている。第一のトーションバー１１２・１１４と第二のトーションバー１１６・１１８は異なる材料で構成されている。アクチュエータ１００は、可動内枠１０４を周回する駆動コイル１２２と、第一の軸に平行な静磁界を与える一対の第一の永久磁石１３２・１３４と、第一の軸に平行な一対の第二の永久磁石１３６・１３８とを更に有している。
183 2002-307397 2001/04/16 ソニー株式会社 ３次元構造物の形成方法 A4 PI02 ME02 FP

(57)【要約】【課題】 変形や破損を招くことなく、プラスチック基板などの低融点基板の表面に３次元構造物を形成可能な３次元構造物の形成方法を提供する。【解決手段】 下地膜２１および被覆膜２４により構成されるマイクロマシン１００を形成する際、成膜ソースとしてＦＣＶＡイオンソース，エッチングソースとしてカウフマン型イオンソースをそれぞれ用いると共に、被覆膜２４の支持体として、アセトンに可溶なＰＭＭＡにより構成された犠牲膜を形成する。処理温度が比較的低くなるため（約１５０°Ｃ以下）、プラスチックにより構成された基板Ｋを用いた場合においても、処理時における基板Ｋの変形や破損等の不具合の発生を招くことなく、基板Ｋの表面にマイクロマシン１００を容易に形成することが可能となる。
184 2002-318073 2001/04/23 株式会社日立サイエンスシステムズ 微細構造物の乾燥装置 A4 PCX FP

(57)【要約】【課題】微細構造物の乾燥装置において、乾燥媒体の乾燥室への初期導入量を増加させることで乾燥媒体の液面を高め、被乾燥物が乾燥媒体の液面下になるようにすることで、制御外乾燥を防止する。【解決手段】微細構造物の乾燥装置用の乾燥媒体の充填されているボンベの温度を計測する機能を備えること、該ボンベの温度をボンベ内乾燥媒体の蒸気圧を高く保てる温度に常に制御できる機構を備えること、また該ボンベ内の圧力を計測できる機能を備えたこと。
185 2002-319684 2001/10/12 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法 A4 PCX FP

(57)【要約】【課題】 ダイヤフラム等の凹部の形成のための工数を簡略化できると共に、凹部形成のためのエッチングに対するウェハへの処理の煩雑化を無くせ、かつ、凹部内壁面の曲率が大きくなり過ぎないようにする。【解決手段】 シリコン基板１のうち、ダイヤフラムを形成する予定の領域に対し、先端形状が例えば三角錐の物体を用いて圧力を加える。その後、ダイヤフラム形成のためのエッチングを施す。これにより、圧力が加えられた部分において、その部分を中心とした丸みを帯びた凹部３が形成される。この凹部３をダイヤフラムとして使用する。
186 2002-321195 2001/04/20 オリンパス光学工業株式会社 振動体およびその製造方法 A4 DA01 FP

(57)【要約】【課題】環境温度変化による共振周波数の変動が少ない振動体を提供する。【解決手段】光偏向器２００は、振動部材であるミラーチップ２１０と固定部材であるベース２３０とを有する振動体２０２と、ミラーチップ２１０を駆動するための磁気回路２６０とを備えている。ミラーチップ２１０は、一対の支持体２１２と、支持体２１２に対して振動し得る可動板２１４と、可動板２１４と支持体２１２を連結する一対の弾性部材２１６とを備えている。ミラーチップ２１０の支持体２１２はベース２３０に設けられた接着部２３６に常温硬化性接着剤によって固定されている。ベース２３０を主に構成している材料(例えば金属)はミラーチップ２１０の弾性部材２１６を主に構成している材料(例えば単結晶シリコン)よりも大きい熱膨張率を有している。
187 2002-321196 2001/09/14 キヤノン株式会社 マイクロ構造体、マイクロ力学量センサ、マイクロアクチュエータ、マイクロ光偏向器、光走査型ディスプレイ、及びそれらの製造方法 A4 DA01 PI03 FP

(57)【要約】【課題】比較的ねじれやすくて、ねじれの軸に角度を成す方向に対して撓みにくいトーションスプリングで揺動自由に支持された揺動体を有するマイクロ構造体である。【解決手段】マイクロ構造体は、基板１２０と、少なくとも一つ以上の揺動体１３０を有し、揺動体１３０が１本以上のトーションスプリング１２２、１２４によって基板１２０に対して弾性的に揺動自由に支持されている。トーションスプリング１２２、１２４は、その長軸に垂直な面の断面形状が回転対称形状であり、且つ実質的に扁平な形状部分の組み合わせで構成され、扁平な形状部分は最も撓みやすい方向が交差するように配置されている。
188 2002-321197 2001/09/14 キヤノン株式会社 マイクロ構造体、マイクロ力学量センサ、マイクロアクチュエータ、マイクロ光偏向器、光走査型ディスプレイ、及びそれらの製造方法 A4 DA01 PI03 FP

(57)【要約】【課題】揺動体の平面に対して垂直、平行方向へ撓みにくいトーションスプリングで揺動自由に支持された揺動体を有するマイクロ構造体である。【解決手段】基板１２０と平板状の揺動体１３０を有し、揺動体１３０がトーションスプリング１２８、１２９によって基板１２０に弾性的に揺動自由に支持されているマイクロ構造体である。トーションスプリング１２８、１２９は、その長軸に垂直な面の断面形状の少なくとも一部が、平板状の揺動体１３０の平面に対して傾斜している。
189 2002-321198 2001/09/28 キヤノン株式会社 マイクロ構造体、マイクロ力学量センサ、マイクロアクチュエータ、マイクロ光偏向器、光走査型ディスプレイ、及びそれらの製造方法 A4 DA01 PI03 FP

(57)【要約】【課題】ねじれ方向に十分なコンプライアンスを確保しながら、ねじれの軸に垂直な方向には剛性の高いマイクロ構造体である。【解決手段】マイクロ構造体は、基板１２０と、少なくとも一つ以上の揺動体１３０を有し、揺動体１３０が複数のトーションバー１２２〜１２５から成る一組以上のトーションスプリング１２８、１２９によって基板１２０に対して弾性的に揺動自由に支持されている。一組のトーションスプリング１２８、１２９は、互いに長軸が平行であるように並列的に近接して配置され、長軸に垂直な面の断面形状が扁平であり、最も撓みやすい方向が交差するように配置された少なくとも２つのトーションバー１２２〜１２５を含む。
190 2002-321199 2002/01/16 アジレント・テクノロジーズ・インク 長距離の動きに適応した屈曲体構成を持つアクチュエータ A4 DA01 FP

(57)【要約】 （修正有）【課題】 固定部材に対する可動部材の制御された長距離に及ぶ運動をサポートする屈曲体を提供する。【解決手段】 本発明のアクチュエータは、第１の駆動電極アレイと第１の浮揚電極アレイを有する固定部材112と、第２の駆動電極アレイ126、及び第２の浮揚電極アレイ124を有する可動部材110と、可動部材が距離ｇだけ固定部材から離間され、第１及び第２の駆動電極が駆動電極間の平均中心間距離によって画定される第１及び第２のピッチを有し、この第１及び第２のピッチの最大値が距離ｇの８倍であることと、可動部材を固定部材へ接続する複数の屈曲体102、104、106、108とを含み、屈曲体のうち少なくとも１つが、固定部材に固定されている第１の端部から、可動部材に固定されている第２の端部まで連続的に可撓であることを特徴とする。
191 2002-321200 2002/01/10 テキサス　インスツルメンツ　インコーポレイテッド マイクロエレクトロメカニカル機械およびその製造方法 A4 DFX FP

(57)【要約】【課題】 マイクロエレクトロメカニカル機械（ＭＥＭＳ）マイクロアクチュエータのモータ・ギャップに汚染粒子が入るのを防止する。【解決手段】 マイクロアクチュエータの基板に位置するスライダは、複数のモータ・ギャップによって複数のプレーナ・コイルから分離され、かつ複数の障壁要素によって支持され、例えば電磁力によりステータに対して所望方向に運動させられる。障壁要素をフレキシブルに形成してマイクロアクチュエータの周辺にかつモータ・ギャップを満たすように挿入して、汚染粒子がモータ・ギャップに入るのを防止する一方スライダの運動を許すように配置し、それによって、汚染粒子のマイクロアクチュエータ動作への悪影響を緩和する。
192 2002-321363 2002/02/14 ゼロックス・コーポレーション 流体噴射システム A4 DC03 FP

(57)【要約】【課題】 流体噴射システムの性能を改善する。【解決手段】 流体噴射システムは、静電引力または磁力に基づいて動作する。流体噴射システムは、少なくとも１つの振動板部分２３０、および該少なくとも１つの振動板部分２３０によって少なくとも部分的に規定される振動板チャンバ２３２とを有する密封振動板構造と、少なくとも１つの振動板部分２３０上に配置されるノズル穴２４２と、ノズル穴２４２と少なくとも１つの振動板部分２３０との間に規定される噴射チャンバ２５０と、第２の誘電流体２３４を含む第２の誘電流体リザーバ２７０とを含む。噴射チャンバ２５０は、第１の噴射流体２５２を収容する。第２の誘電流体リザーバ２７０は、振動板チャンバ２３２との間で流体が流れるように連通して、第２の誘電流体２３４を振動板チャンバ２３２へ供給する。
193 2002-323323 2001/04/25 三菱電機株式会社 角速度センサ A4 DD02 FP

(57)【要約】【課題】 振動駆動時の同相の振動モードと逆相の振動モードとの共振周波数分離を容易にでき、検出精度を向上させた角速度センサを提供する。【解決手段】 角速度センサは、端部が基板にアンカ部で固定された複数の第１の梁３１と、前記複数の第１の梁に支持され、ｘ軸方向に延在し、該ｘ軸方向に振動可能な互いに平行な２本の連結支持梁１、２と、前記平行な２本の各連結支持梁の間に複数の第２の梁３２を介して支持され、ｘ軸方向に振動駆動される２つの駆動用振動体３、４と、前記各駆動用振動体をそれぞれ振動駆動させる振動駆動手段と、ｙ軸方向に延在し、前記各駆動用振動体にそれぞれ第３の梁を介して支持された検出用振動体と、ｚ軸を軸とする角速度の印加によって前記各検出用振動体に生じるｙ軸方向への変位を静電容量の変化として検出する変位検出手段とを備える。
194 2002-323669 2001/09/14 キヤノン株式会社 揺動体装置、光偏向器、及び光偏向器を用いた光学機器 A4 DA02 FP

(57)【要約】【課題】非常に小型化できて耐久性が高くでき2次元走査可能な構造にもできる光偏向器等の揺動体装置である。【解決手段】揺動体装置は、軟磁性体或いは硬磁性体からなる可動コア7A、7Bを有する揺動体5と、コイル9A、9Bを周回させた固定コア10A、10Bと、揺動体5を支持基板に対して揺動可能に支持する弾性支持部6を有する。可動コア7A、7Bと固定コア10A、10Bは、揺動体5の揺動方向に対し垂直方向にずれて略平行に空隙を介して対向する対向面を夫々有して配置され、揺動体5が揺動するに伴って前記各々の対向面の前記垂直方向から見た重なり部分の面積が変化するように形成されている。
195 2002-328313 2001/05/01 ソニー株式会社 光スイッチング素子およびその製造方法、並びに画像表示装置 A4 DA01 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 簡単な構成で、小型軽量であると共に、速い動きの動画表示が求められる直視・反射型画像表示装置にも好適に用いることができる高速応答可能なカラー表示用の光スイッチング素子を提供する。【構成】 光スイッチング素子１０は、基板１１の上に、赤色，緑色，青色表示用光学多層構造体１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを有する。各層（または間隙部）の膜厚（または大きさ）は各色で異なり、グレースケールマスクまたはリフトオフ法を用いて形成される。赤色，緑色，青色表示用間隙部１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂの大きさを変化させることにより、入射した光の反射、透過若しくは吸収の量を変化させ、カラー表示を行う。基板１１は例えばカーボン（Ｃ）、第１の層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは例えばタンタル（Ｔａ）、第２の層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂは例えば窒化珪素（ＳｉＮx ）により形成される。
196 2002-328316 2001/04/26 富士通株式会社 富士通メディアデバイス株式会社 マイクロミラー素子およびその製造方法 A4 DA04 PB02 FP

(57)【要約】【課題】 トーションバーの設計仕様に多様性をもたせることができるとともに、トーションバーの各部を所望の寸法に正確に仕上げることができるマイクロミラー素子およびマイクロミラー素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 マイクロミラー素子の製造において、基板１１０′上に、フレーム１１３およびミラー形成部１１１へと加工される箇所をマスクするための第１のマスクパターン１０を形成する工程と、基板１１０′上に、架橋部１１２へと加工される箇所をマスクするための第２のマスクパターン２０を形成する工程と、第１および第２のマスクパターン１０，２０をマスクとして、基板１１０′に対して第１のエッチング処理を行う工程と、第２のマスクパターン２０を選択的に除去する工程と、第１のマスクパターン１０をマスクとして、基板１１０′に対して第２のエッチング処理を行う工程と、第１のマスクパターン１０を除去する工程と、を含めることとした。
197 2002-328318 2001/04/27 株式会社リコー 光変調装置及びその光変調装置の製造方法並びにその光変調装置を具備する画像形成装置及びその光変調装置を具備する画像投影表示装置 A4 DA01 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 光変調を行う構造が簡単で応答も速く、使用する入射光の波長が制限されることなく、駆動電圧が低く作動が安定で信頼性も高く、製造工程とその所要時間が少なく低コストの光変調装置及びその光変調装置の製造方法並びにそれを具備する画像形成装置及びそれを具備する画像投影表示装置を提供する。【解決手段】 反射手段１と、上記反射手段を組み合わせ構成する薄膜で形成され両端を固定されて静電力で変形する薄膜両端固定梁２と、薄膜両端固定梁に対向して駆動電圧を印加する基板電極３と、基板電極と薄膜両端固定梁が対向して形成される空隙４と、空隙の底部に形成された基板電極を凹形状部に形成して薄膜両端固定梁の両端を保持固定する基板５と、薄膜両端固定梁の空隙の上部に形成されて他の部分より変位し易くする孔形状部６とからなる。
198 2002-328329 2001/04/27 株式会社リコー 光走査装置及びその光走査装置の製造方法並びにその光走査装置を具備する画像形成装置及びその光走査装置を具備する読取装置 A4 DA02 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 光走査を行なう振れ角が大きく、駆動電圧が低く、回動が安定である光走査装置及びその光走査装置の製造方法並びにその光走査装置を具備する画像形成装置及びその光走査装置を具備する読取装置を提供する。【解決手段】 入射光を正反射する反射手段１と、上記反射手段１を保持する反射手段保持基板２と、上記反射手段保持基板２を回動可能に支持するねじり回動軸３と、上記ねじり回動軸３に支持された上記反射手段保持基板２の側面の可動電極４と、上記可動電極４の対向面４ａと上記反射手段保持基板２の厚み方向にずれた位置に形成された固定電極５とからなる。
199 2002-331380 2001/05/02 住友精密工業株式会社 シリコン基板用レーザ加工装置 A4 DD02 PJ04 FP

(57)【要約】【課題】溶融シリコンの飛び散りを防止し、加工精度に優れるとともに、効率的にシリコン基板の穴あけ加工を行うことができるレーザ加工装置の提供。【解決手段】特性検査部１３、加工位置決定部14-1、加工位置記憶部14-2、加工処理判断部14-3、加工着手位置の半径80μｍ以内に加工済み穴がない場合には、改質処理を施した後に穴あけ加工を行う加工パターンを選択し、加工着手位置の半径80μｍ以内に加工済み穴がある場合には、改質処理を施すことなく穴あけ加工を行う加工パターンを選択する加工パターン決定部14-4、加工制御部１５、ならびに、加工部１６を具備するシリコン基板用レーザ加工装置である。
200 2002-334645 2002/01/17 三星電子株式会社 ＭＥＭＳリレイ及びその製造方法 A4 DB01 PI02 7

(57)【要約】【課題】 ＭＥＭＳリレイ及びその製造方法を提供する。【解決手段】第１ウェーハは、その下部の表面に位置する駆動電極とその表面において駆動電極と互いに隣接する入力信号電極及び出力信号電極と電極上において第１ウェーハを貫通するビアホールとビアホール上に形成された金属パッドとを備え、第２ウェーハは、その縁部に第１と第３のウェーハとの間を密封させるシーリング部が形成された胴体と胴体から内側に離れて位置しシリコン基板とその上に形成されたパッシベーション層及びその層上の両側に形成されて信号電極と対向するコンタクト電極と一体的に形成され、胴体の上部表面から下方に所定距離離れて位置する駆動本体と駆動本体が第２ウェーハ内に支持されるように駆動本体の対向する両側から各々外方に延びて胴体の内側に連結される連結支持部とを備え、第３ウェーハは駆動本体が回動できる空洞を備えることを特徴とする。
201 2002-335683 2001/05/09 オリンパス光学工業株式会社 静電アクチュエータおよびそれを用いた光ピックアップ A4 DAX FP

(57)【要約】【課題】 開口制限素子を二次元方向に変位させ得る著しく小型化した静電アクチュエータおよびそれを用いて著しく小型化した光ピックアップを提供する。【解決手段】 基板２１上に固定され第１固定電極２２ａを形成される第１固定部材２２と、該第１固定部材に第１リンク部材２３を介してＸ方向に変位可能に連結され第１可動電極２４ａおよび第２固定電極２４ｂを形成される第２固定部材２４と、第２固定部材２４に第２リンク部材２７を介してＹ方向に変位可能に連結され第２可動電極２６ａを形成される可動部材２６とから成り、前記第１固定および可動電極間ならびに前記第２固定および可動電極間にそれぞれ所定電圧を印加することにより、可動部材２６に一体形成したピンホール８を光軸に対して直交するＸ，Ｙ方向に変位させる二次元駆動型静電アクチュエータ９は、マイクロマシン技術により小型に製造され、光ピックアップに用いられる。
202 2002-337098 2001/05/15 沖電気工業株式会社 光学レンズ素子組立体 A4 DA03 FP

(57)【要約】【課題】 一方の端面にレンズ面が形成されかつ相互に光学的に直列に結合されて基準面上に配置される２つの光学レンズ素子の製造誤差に拘わらず両光学レンズ素子に実用的な軸ずれを生じにくい特定の姿勢関係を見出す。【解決手段】 両光学レンズ素子１０ａ、１０ｂは、それぞれの一方の端面がレンズ面であり、これら両光学レンズ素子が相互に直列的に結合して配置される。両光学レンズ素子は、該両レンズ光学素子間の仮想中間面Ｐ１に関して相互に面対称の姿勢で配置される。
203 2002-337099 2001/05/15 シンワ測定株式会社 微細摺動部品の摺動面加工方法並びに微細摺動部品の摺動面加工における凹部形成条件の決定方法 A4 PJX FP

(57)【要約】【課題】 マイクロキサゲ技術によって、所望の摩擦係数の摺動面をもった微細部品を大量生産でき、また、マイクロマシン等の小型工業製品の稼動特性を格段に向上できる画期的な微細摺動部品の摺動面加工方法を提供すること。【解決手段】 マイクロマシンなどの微細工業製品の摺動面を有する部品に対して、写真製版（Photo engraving）を用いた腐食加工を施し、摺動面に所定の形状、大きさ、深さ、配列、数の凹部を形成し、所望の摺動特性を有する摺動面に加工する微細摺動部品の摺動面加工方法。
204 2002-337100 2001/12/25 理化学研究所 ナノ被覆分子性材料 A4 MI07 FP

(57)【要約】【課題】 個々の分子あるいはナノ粒子としての物理的、化学的特性が保持あるいは改良された分子性材料を提供すること。【解決手段】 分子、分子集合体またはナノ粒子の少なくとも一部の表面が、酸素金属結合を有する超薄膜で被覆されていることを特徴とするナノ被覆分子性材料。
205 2002-338271 2001/05/15 ミノルタ株式会社 金型製造方法、金型、光学素子、および光学素子製造方法 A4 PI06 FP

(57)【要約】【課題】 高精度な光学素子や部品を製造する。【解決手段】 タングステンカーバイトを主成分とする超合金を素材として、所望の形状に切削・研磨した上にプラズマＣＶＤ法によりシリコンを保護層としてコートし、さらにその上に１μｍの厚さのクロム窒化物をコートして予備形状金型を製造する。製造された予備形状金型の形状、あるいはそれにより製造したサンプルの形状を測定し、その製造誤差から下型用予備形状金型３０の形状補正量を求める。さらに、求めた形状補正量に基づいて、下型用予備形状金型３０の下型成形面３０１に所望の精度が得られるようにエッチングによる補正を行って金型を完成させる。この金型を用いて光学素子や部品を製造する。
206 2002-340926 2001/05/14 アイシン精機株式会社 加速度センサ A4 DD01 FP

(57)【要約】【課題】 動作環境に応じたセンサ出力のオフセット及びその変動を簡易に吸収することができる加速度センサを提供する。【解決手段】 第１可動部１１は、所定の変位方向を有して基板１０に対して浮動支持されている。第２可動部１２は、上記変位方向を有して第１可動部１１に対して支持されている。第１可動部１１の基板１０に対する変位方向への変位は、変位検出用固定電極１４ａ，１４ｂ及び変位検出用可動電極１６間の静電容量の変動として検出される。サーボ電極１３には、検出された第１可動部１１の変位に基づき同変位を抑制する静電引力が生じるようにサーボ電圧が供給される。第２可動部１２の基板１０に対する変位方向への変位は、加速度検出用固定電極１５ａ，１５ｂ及び加速度検出用可動電極１８間の静電容量の変動として検出される。検出された第２可動部１２の変位に基づき加えられた加速度が検出される。
207 2002-340927 2001/05/14 アイシン精機株式会社 加速度センサ A4 DD01 FP

(57)【要約】【課題】 単一の交流信号源のみで動作環境に応じたセンサ出力のオフセット及びその変動を簡易に吸収することができる加速度センサを提供する。【解決手段】 第１可動部１１は、所定の変位方向を有して基板１０に対して浮動支持されている。第２可動部１２は、上記変位方向を有して第１可動部１１に対して支持されている。第１及び第２可動部１１，１２（構造体）には、交流信号源３１からの交流信号が入力される。この交流信号に基づき第１可動部１１と固定電極１４ａとの間に形成される静電容量に蓄えられる電荷に相当する信号が固定電極１４ａから第１検出回路３２に入力され、第１可動部１１の基板１０に対する変位方向への変位を検出する。同様に、第２可動部１２の基板１０に対する変位方向への変位を検出する。サーボ電極１３ａには、検出された第１可動部１１の変位に基づき同変位を抑制する静電引力が生じるようにサーボ電圧が供給される。
208 2002-341269 2001/05/11 ソニー株式会社 光変調素子とそれを用いた光学装置、および光変調素子の製造方法 A4 DAX 2

(57)【要約】【課題】 高い光効率と信頼性を有する光変調素子とそれを用いた光学装置を提供し、高い歩留まりで光変調素子を製造することができる光変調素子の製造方法を提供する。【解決手段】光変調素子１０は、反射面１６ａを備えたリボン状の回折部２０が長手方向に平行に配列されて構成される。回折部２０自体は、構造体１５の上に反射層１６，第１の誘電体層１７および第２の誘電体層１８が形成されたものであり、この部分が基板１１に垂直な方向に変位し（状態Ｉ→状態ＩＩ）、回折面となって入射光の角度，強度および位相を変調する。誘電体層１７，１８は、入射波長や回折部２０全体の応力を考慮して層数，材料および厚みが設計される。これにより、回折部２０の反射率を向上させ、Ａｌの反射層１６における光吸収と発熱を抑制すると共に、反射層１６が洗浄やレジスト除去の際に保護される。
209 2002-345089 2001/05/21 日本放送協会 ＩＣマイクおよびＩＣマイクの振動板形成方法 A4 PC01 FP

(57)【要約】【課題】 高濃度不純物層（エッチストップ層）形成後の熱処理によって生じるエッチストップの効果の低下を抑制し、高濃度不純物層形成後の熱処理が原因の座屈を防ぐことができるＩＣマイクの振動板形成方法およびＩＣマイクを提供すること。【解決手段】 コンデンサ型マイクの振動板形成のためのエッチング処理におけるエッチング量の制御に用いる高濃度不純物層を所定の第１の温度下で形成するための高濃度層形成工程と、高濃度層形成工程の後に所定の第２の温度下でエッチングマスクを形成するマスク形成工程とを備え、第２の温度が第１の温度よりも低い構成を有している。ここで、第２の温度は、９００℃以上１０００℃以下の温度範囲のいずれかの温度である。
210 2002-346997 2001/05/28 元島　栖二 シーエムシー技術開発　株式会社 マイクロアクチュエータ及びその用途 A4 DFX FP

(57)【要約】【課題】 電場、磁場又は電磁場の雰囲気中への配置、若しくは通電によって生じるコイル状炭素繊維の特異な性質を活用し、これを駆動力とすることができるマイクロアクチュエータ及びその用途を提供する。【解決手段】 マイクロアクチュエータは、対向配置された板状をなす一対の案内部材１２と、両案内部材１２の間に配設されたコイル状炭素繊維１１と、コイル状炭素繊維１１に接続された一対の電極１４とから構成されている。両案内部材１２の間にはコイル状炭素繊維１１の一端を固定する固定部材１３が架設されている。このコイル状炭素繊維１１が電場、磁場又は電磁場の雰囲気中への配置されるか、あるいはコイル状炭素繊維１１に電極１４を介して通電することにより、コイル状炭素繊維１１の周囲に磁場が発生するようになっている。
211 2002-346998 2001/05/22 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 段付き金属体形成方法 A4 PGX FP

(57)【要約】【課題】 小径金属部分２６及び大径金属部分２８を含む段付き金属体２９の形成方法において、小径金属部分２６の径の過小を回避しつつ、小径金属部分２６−大径金属部分２８間の密着性を改善する。【解決手段】 非感光性有機膜１２、上側シードレイヤー１３、及び上側レジスト１４を成膜してから、上側金属形成空間２２、中間金属形成孔１９、及び下側金属形成孔２４をリソグラフィやエッチング等により上側レジスト１４、上側シードレイヤー１３、及び非感光性有機膜１２に形成する。基層部１０側から下側金属形成孔２４に露出する下側シードレイヤー１１を陰極にして電気めっきを行い、小径金属部分２６及び大径金属部分２８を連続的に形成する。
212 2002-346999 2001/05/24 富士写真フイルム株式会社 機能性ナノ構造体およびこれを用いた分子素子 A4 DF02 1

(57)【要約】【課題】 高い方向性および／または選択性を示す機能を高密度に発現可能な機能性ナノ構造体を提供する。【解決手段】 開口部の口径が２００ｎｍ以下で且つ深さが２０ｎｍ以上である互いに独立した複数の細孔を有する支持体と、前記細孔の内部に少なくとも分子の一部が導入された１種類以上の機能性有機化合物とを有することを特徴とする機能性ナノ構造体である。
213 2002-349975 2002/02/18 ソニー株式会社 熱輸送装置 A4 DC03 FP

(57)【要約】【課題】 マイクロチャンネル及びマイクロポンプを用いた熱輸送装置において、薄型化を図り、伝熱特性を向上させる。【解決手段】 熱輸送装置１において、冷媒を通過させるための微小チャンネルと、冷媒を輸送するための微小ポンプを一体化した構造にする。例えば、マイクロチャンネル２ａが形成されたチャンネル層２と、マイクロポンプ４ａが形成されたポンプ層４とを積層した多層構造にしたり、あるいはマイクロチャンネルとマイクロポンプとを一体化した単位構造のものを多数配列させる。そして、可撓性材料を用いた樹脂基材上にマイクロチャンネルやマイクロポンプを形成することで、柔軟性を持たせた。
214 2002-350457 2001/05/24 オリンパス光学工業株式会社 揺動体 A4 DA02 FP

(57)【要約】【課題】トーションバー等の弾性部材上を延びている配線を覆う絶縁層にクラックが生じ難い揺動体を提供する。【解決手段】ねじり揺動体１１０は、可動板１１２と、これを揺動可能に支持するための一対の弾性部材１１４ａ，１１４ｂと、これらを保持する一対の支持体１１６ａ，１１６ｂとを備えている。弾性部材１１４ａには配線１３０ａ，１５０ａが延びており、弾性部材１１４ｂには配線１３０ｂ，１５０ｂが延びている。配線１３０ａ，１３０ｂ，１５０ａ，１５０ｂはいずれも、弾性部材１１４ａ，１１４ｂの長手方向に対して平行に間隔を置いて直線的に延びる複数の狭い線幅の配線要素からなる櫛歯状の領域を備えている。それらの櫛歯状の領域は、弾性部材１１４ａ，１１４ｂの長さ全体にわたって延びている。
215 2002-350751 2001/05/30 ソニー株式会社 光学多層構造体およびその製造方法、光スイッチング素子、並びに画像表示装置 A4 DA01 2

(57)【要約】【課題】 基板の材質を考慮せずに任意の基板上に作製でき、画像表示装置に好適に用いることができる光学多層構造体を提供する。【構成】 基板１０は、例えばシリコン（Ｓｉ）からなり、開口１０Ａとこれを囲む枠部１０Ｆとからなる網目状の平面形状を有する。光学多層構造体１は、この基板１０の開口１０Ａ上に、第１の層１１、光の干渉現象を起こし得る大きさを有すると共にその大きさを変化させることのできる間隙部１２、および第２の層１３をこの順で配設した構造を有する。基板１０の光学特性を考慮せずに第１の層１１や第２の層１３の膜厚や間隙部１２の大きさを設計することができる。基板１０はシリコンからなるので高温プロセスに影響されず、プロセス自由度が向上する。光学多層構造体１と駆動回路等とを同一の基板１０に作製することが可能となる。
216 2002-355798 2001/06/04 株式会社日立製作所 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ マイクロポンプ、マイクロミキサー、マイクロ機械デバイス、マイクロ可動ミラーおよび光スイッチ A4 PE01 2

(57)【要約】【課題】エポキシ系感光性樹脂を用いることで、積層することなく厚肉化を容易に実現して低コスト化をはかり、使い捨て可能なマイクロマシンおよびその製造方法を提供することにある。【解決手段】エポキシ系感光性樹脂そのものを構造材料としてマイクロ機械デバイスを構成することを特徴とする。半導体のフォトリソグラフィー技術により組立工程なしに樹脂の三次元構造体がバッチ処理で作成できるため、樹脂デバイスの微小化や複雑化が容易に行え、低コスト化がはかれる。また、処理回路と一体化ができるために浮遊容量の問題等を押さえることができ、高精度なセンサ等のデバイスを作り込むことが可能となる。
217 2002-355800 2002/01/09 三星電子株式会社 粘着防止微細構造物の製造方法 A4 PI02 FP

(57)【要約】 （修正有）【課題】 粘着防止微細構造物の製造方法を提供する。【解決手段】 基板から浮上する微細構造物を製造するために犠牲層１０３を利用するマイクロマシニング工程において、上記犠牲層の積層前後に乾式エッチングにより除去可能な粘着防止膜１０１を積層する段階を含む微細構造物の製造方法が提供される。これにより、湿式エッチングで犠牲層を除去する時に発生する粘着現象を防止できる。さらに、乾式エッチングにより粘着防止膜を除去し、犠牲層除去時には安価の湿式エッチング工程をそのまま利用できるので低廉に微細構造物を製造できる効果がある。
218 2002-356327 2002/03/27 三星エスディアイ株式会社 球形のナノサイズバナジウム酸化物粒子の製造方法 A4 MI07 FP

(57)【要約】【課題】 球形かつナノサイズのバナジウム酸化物粒子の製造方法を提供する。【解決手段】 バナジウムイオン含有物質を溶解してバナジウムイオン水溶液を得る段階（ａ）と、前記バナジウムイオン水溶液に、極性非プロトン性有機溶媒およびグリコール類溶媒からなる群より選択される一以上の反応溶媒を添加してこれらを混合する段階（ｂ）と、得られた混合物を熟成させる段階（ｃ）とを含むことを特徴とするバナジウム酸化物粒子の製造方法である。
219 2002-357774 2001/04/25 オリンパス光学工業株式会社 可変焦点光学素子 A4 DAX FP

(57)【要約】【課題】本発明は、作成が容易であると共に、大きな変形を得ることが可能な可変焦点光学素子を提供する。【解決手段】本発明によると、基板または積層された基板に形成され、上面又は下面の少なくとも一方に薄膜部を有し、上記薄膜は第１の電極を有し、上記薄膜の対向面には第２の電極を有し、上記第１の電極と上記第２の電極間に印加される電圧で上記薄膜が変形可能である第１室と、上記基板又は積層された上記基板に形成され、上面又は下面の少なくとも一方に薄膜部を有し、上記薄膜部の変形により焦点距離が可変な光学素子として作用する第２室と、上記第１室と上記第２室を接続する通路とを有し、上記第１室の薄膜部は上記第２室の薄膜部より面積が大きく、上記第１室と上記第２室及び上記通路には流体が封入されており、上記第１の電極と上記第２の電極間に印加される電圧で光学素子としての上記第２室の焦点距離が可変に構成されている可変焦点光学素子が提供される。
220 2002-357777 2001/05/31 セイコーエプソン株式会社 光変調装置及びその製造方法 A4 DAX PGX FP

(57)【要約】【課題】 高い信頼性で容易に基板間の接合を行える光変調装置及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】 光変調装置の製造方法は、駆動電極１３０と微小ミラー２２０との電位差により生じる静電気力により、微小ミラー２２０を傾斜駆動させる光変調装置を製造する方法であって、駆動電極１３０が形成される第１基板１００Ａと、微小ミラー２２０が形成される第２基板２００Ａと、のそれぞれの接合面をエッチングして、結合力が発現するように活性化させることと、第１及び第２基板１００Ａ、２００Ａを、重ね合わせることで接合することと、を含む。
221 2002-361596 2002/03/07 株式会社豊田中央研究所 シリコン系構造体の製造装置と製造方法 A4 PB04 6

(57)【要約】【課題】 中空のシリコン系構造体の製造工程を簡単化する。【解決手段】 シリコン系構造体の製造装置は、シリコン基板上に酸化シリコン層が形成され、その酸化シリコン層がシリコン層で覆われた試料を加工して中空のシリコン系構造体を製造する装置である。この装置は、第１ガス供給部２０、２１と、第２ガス供給部３０、３１と、エッチング反応室１０と、選択連通手段２３〜２６、３４、３５と、ガス排出手段４２を備えている。第１ガスは、シリコンをエッチングする。第２ガスは、酸化シリコンをエッチングしてシリコンをほとんどエッチングしない。選択連通手段２３〜２６、３４、３５は、エッチング反応室１０を第１ガス供給部２０、２１と第２ガス供給部３０、３１のいずれかに選択的に連通させる。ガス排出手段４２は、エッチング反応室１０内のガスを排出する。
222 2002-361597 2001/06/11 株式会社ニコン マイクロレンズアレイの製造方法、マイクロレンズアレイ、光学系、投影露光装置 A4 DA03 PJX FP

(57)【要約】【課題】マイクロレンズアレイの表面形状をエッチングやモールドで形成することにより、マイクロレンズ表面に生じる凹凸のために、表面粗さが粗くなっていることにより、回折や散乱が生じ、透過率の低下や透過光のムラが生じるという問題を解決し、表面精度を向上させることにより、高い透過率の、透過光ムラを低減させたマイクロレンズアレイの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】マイクロレンズアレイの製造方法において、マイクロレンズアレイをエッチングまたはモールドにより成形した後に、研磨することにより、高い透過率の、透過光ムラを低減させたマイクロレンズアレイの製造方法を提供することができる。
223 2002-365153 2001/06/06 日本電信電話株式会社 微細構造の製造方法 A4 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 封止された微細な中空構造をより容易に形成できるようにする。【解決手段】 可動電極１０８上に、有機ポリマー樹脂をスピン塗布することで、封止膜１１０を形成する。有機ポリマー樹脂としては、金メッキ膜に対する濡れ性の悪いものが好ましく、例えば、ポリベンゾオキサゾール(もしくはこの前駆体)などを用いる。
224 2002-370198 2001/06/12 テクノクオーツ株式会社 マイクロチャンネル構造体およびその製造方法 A4 DEX FP

(57)【要約】【課題】 例えばマイクロチップの製作に好適で、マイクロマシン技術を石英の精密溝加工法として活用し、従来の機械工具による通孔の穿孔を廃し、従来の機械加工およびその延長技術では困難であった数１０μｍの寸法領域の加工を実現し、微細な通孔若しくは溝を合理的かつ高精密に形成し、カバ−プレ−トないしマイクロチャンネル構造体を合理的に製作できる、マイクロチャンネル構造体およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 マイクロチャンネル４を形成した基板２と、微小の通孔１３〜１５を厚さ方向に形成したカバ−プレ−ト３とを備える。前記マイクロチャンネル４側に前記カバ−プレ−ト３を接合し、前記通孔１３〜１５をマイクロチャンネル４に連通させる。前記カバ−プレ−ト３を少なくとも二つのカバ−プレ−トピ−ス１０〜１２を接合して構成する。一方若しくは双方のカバ−プレ−トピ−ス１０〜１２の接合面に、前記通孔１３〜１５の全部または一部を形成する。
225 2002-370199 2001/06/13 西　孝 マイクロ歯車およびその製造方法 A4 PI02 5

(57)【要約】 （修正有）【課題】マイクロマシンに組み込むミクロン、サブミクロンの大きさの歯車を提供する。【解決手段】 周面に突起状の歯を有した歯車、もしくは周面に磁気歯を有した歯車、もしくは周面に静電気歯を有した歯車及びその製造方法であって、歯と歯車を同じプロセスで一括して形成するために、蒸着、スパッタリング、めっき技術、ＣＶＤ、酸化プロセスなどの薄膜形成技術、およぴフォトリソグラフィ、エッチングなどの微細加工技術を用いることで、前述のいずれかの歯を適用したウオーム歯車、平歯車、傘歯車などの歯車、さらに形状の複雑な歯車を形成する。特に、露光量制御露光法及び転写エッチング法を用いる点を特徴とする。
226 2002-370200 2001/06/12 財団法人川村理化学研究所 微小バルブ機構の製造方法 A4 DC02 FP

(57)【要約】 （修正有）【課題】 ダイヤフラム膜として、非常に薄く柔軟で取り扱いにくい薄膜を、微小なバルブ機構に組み込み、他の部材と接着して効率良くダイヤフラムを形成する、ダイヤフラム型の微小バルブ機構の製造方法を提供する。【解決手段】 液体状の樹脂組成物からなるダイヤフラム形成材料を液体表面上に展開させ、これを固化させて形成した薄膜状の部材を、表面の一部に欠損部を有するか、或いは部材を貫通して欠損部を有する、２つの部材の間に挟んで接着することにより、該薄膜状の部材をダイヤフラムと成し、各欠損部をダイヤフラムによって仕切られた空洞と成すことを特徴とする、ダイヤフラム型の微小バルブ機構の製造方法。
227 2002-371954 2001/06/12 財団法人川村理化学研究所 流体移送方法、及びマイクロ流体素子の流体移送装置 A4 DEX 2

(57)【要約】【課題】 配管や配線の接続を必要とせず、非接触で毛細管中の流体を簡便に移送する方法、及び該移送方法を用いたマイクロ流体素子の流体移送装置を提供する。【解決手段】 毛細管状の流路に磁性流体を導入して、磁性流体が流路の断面全体を占める部分が存在する状態とし、流路外部から磁気を与えることにより磁性流体を流路方向に移動させ、これを駆動力として、移送すべき対象流体を該毛細管状の流路中を移送させることを特徴とする流体移送方法と、磁石、｛磁石もしくは磁力線を毛細管の流路方向に沿って移動させ得る機構、及び／又は、磁力線の強度を変化させ得る機構｝、及びマイクロ流体素子を保持する機構とを有する、マイクロ流体素子の流体移送装置。
228 2002-500390 1998/12/01 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロマシニング型・デバイス用のデザイン法及び製作法 A4 PI02 7
WO1999/35305 (57)【要約】本発明は、定着領域（２０；１２０；２２０；３２０，３２５；４２０，４２５；６２０；７５５）を有する基板（１０；７１０）を準備し、定着領域（２０；１２０；２２０；３２０，３２５；４２０，４２５；６２０；７５５）を残して基板（１０；７１０）に犠牲層（２５）を形成し、定着領域（２０；１２０；２２０；３２０，３２５；４２０，４２５；６２０；７５５）及び犠牲層（２５）に付着層（３０）を析出し、付着層（３０）にマスク（４０，５０）を形成し、付着層（３０）の非マスキング領域にメッキ層（３５）を析出し、マスク（３０，４０）及び犠牲層（２５）を除去するステップで、マイクロマシニング型・デバイス（１００；２００；３００；４００；５００；６００；７００）をデザイン及び製作する方法を提供する。
229 2002-500410 1998/12/07 ハネウエル・インコーポレーテッド 超小型電気機械式リレー A4 DBX FP
WO1999/34383 (57)【要約】ＭＥＭＳ技術を用いて作られたリレー装置であって、電気伝導性を持った第１の表面パターンを備えた、表面に窪みのある半導体ウエハー基板を備えたもの。下部のダイヤフラムは接触を得るために窪みの上方に配置された動かせるもので、このダイヤフラム上には電気伝導性を持った第２の表面パターンが備えられている。上部のダイヤフラムは下部のダイヤフラムの上方に配置され、これらの間には、電圧の印加によりダイヤフラムを選択的に引き寄せまた動かすために中央電極が設置されている。１枚のダイヤフラムが静電的に動かされた時に、他のダイヤフラムを動かすために、１本のポストが上部および下部のダイヤフラムを接続している。２枚のダイヤフラムは中央電極を取り囲む密封領域を区画する。２個の表面パターンは、ダイヤフラムが表面に向かって移動するにつれ接触が徐々に増加するような接触等高線を備えるために、表面パターンの周辺で傾斜していてもよい。好ましいウエハーはシリコン・ウエハーで、ダイヤフラムはポリシリコンである。パターンは、金のような高導電性材料で形成されており、外周領域は、ＣｒＳｉＮのような高抵抗の化学的に安定な材料で形成されている。封入領域は真空にするために排気がなされているか、不活性気体で満たされていてもよい。好ましい実施形態においては、ダイヤフラムの動きの速度を調整するために流体の粘度が選べるよう封入領域が測定可能な粘度を持つ流体で満たされており、この領域はダイヤフラムが静電的な力によって動く際に流体が移動できるように設計されている。
230 2002-500574 1999/03/16 サーフィス　テクノロジー　システムズ　ピーエルシー ミクロメカニカルデバイスを製造する方法と装置 A4 PB04 FP
WO1999/49506 (57)【要約】ミクロメカニカルデバイスを製造する方法を開示する。この方法は、（ａ）マスク（２）を有する基板を、該マスクの開口部を通じて、所望の深さまでエッチングして、基板（１）内に、側壁（４）と底面（５）を有する深溝（６）を形成し、（ｂ）前記基板とマスクとの露出表面上に、保護物質（７）層を蒸着し、（ｃ）保護物質（７）を前記底面（５）から選択的に除去し、（ｄ）フッ素含有エッチング剤を使用して、前記底面（５）をエッチングする、各ステップから成る。前記方法によって製造されるミクロメカニカルデバイス、および該ミクロメカニカルデバイスを製造する装置をも開示する。
231 2002-500961 1998/11/26 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロメカニックな構造エレメント A4 PH03 FP
WO1999/35477 (57)【要約】本発明は、ケイ素基板上に構造化されたマイクロメカニックな少なくとも１つの表面組織と、この少なくとも１つの表面組織を覆う１つのキャップウェーハとを備えている構造エレメントに関する。キャップウェーハ（１４）がガラスウェーハ（２４）により形成されているようにすることを提案する。
232 2002-502952 1998/11/05 クロノス・インテグレイテッド・マイクロシステムズ，インコーポレイテッド マイクロ電子機械位置決め装置 A4 PJX 1A
WO1999/24783 (57)【要約】対象物をそれぞれＸ，ＹおよびＺ方向に精密に微細位置決めできるマイクロ電子機械（ＭＥＭＳ）位置決め装置を提供する。このＭＥＭＳ位置決め装置には、基準面、基準面に関して固定した位置に配置されたサポート、およびＸ−Ｙ平面を定め、サポートに隣接すると共に基準面の少なくとも一部の上方に吊り下げられるステージが含まれる。このＭＥＭＳ位置決め装置には、ステージとこのステージによって搬送される対象物を精密に位置決めさせるために、少なくとも１つの、より一般的には数個のアクチュエータも含まれる。例えば、このＭＥＭＳ位置決め装置は、動作するとステージをＸ−Ｙ平面内に移動させるための第１および第２のＭＥＭＳアクチュエータを含むことができる。さらに、このＭＥＭＳ位置決め装置は、ステージをＺ方向に移動させるための、熱バイモルフ構造体などのＺ用アクチュエータを備えることができる。これにより、このＭＥＭＳ位置決め装置は、ステージならびにステージによって運ばれたすべての対象物をそれぞれＸ，ＹおよびＺ方向に精密に微細位置決めすることができる。ＭＥＭＳ位置決め装置の後続についての結果として、このＭＥＭＳ位置決め装置によって与えられた精密アライメントを妥協せずに、手頃で、信頼性があり、しかも再現可能な方法でこのＭＥＭＳ位置決め装置を製造することもできる。
233 2002-503556 1999/02/04 オーミク　アクティエ　ボラーグ 素子製造方法 A4 PJX FP
WO1999/41772 (57)【要約】本発明は、電気素子、電子素子、光学素子、および／または機械的素子（１２）の製造方法であって、その素子の基板が３次元構造（３’’）あるいは形状として与えられ、その素子を作るために、その基板にさらなる処理過程が施される製造方法に関する。ダイあるいはモールドで、例えば、モールド成形、プレス加工、押出成形、あるいはエンボス加工等により、前記基板が成形される。ここにおいて、その素子に必要な３次元構造の精密さは、そのダイあるいはモールドを作る時のマイクロメカニカル加工によって達成される。
234 2002-504026 1998/04/17 ローベルト　ボッシュ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング マイクロメカニックデバイスの製造方法及びマイクロメカニックデバイス A4 PI02 FP
WO1998/55876 (57)【要約】マイクロメカニックデバイスの製造方法及びマイクロメカニックデバイスが提案され，その場合に可動素子（４）が犠牲層（２）上に形成される。次工程で可動素子（４）の下部の犠牲層（２）が除去されることにより，可動素子（４）が動作可能になる。犠牲層（２）の除去後に，保護膜（７）が可動素子（４）の表面上に形成される。保護膜（７）として，シリコン酸化物及び／又はシリコン窒化物が使用される。
235 2002-504977 1998/05/20 レッドウッド　マイクロシステムズ　インコーポレイテッド 低電力の熱空気圧マイクロ弁 A4 DC02 FP
WO1998/53236 (57)【要約】流体ポートを形成する流体チャンネルプレート（３０）を具備する熱空気圧弁。流体チャンネルプレートには、ダイアフラムプレート（２８）が取り付けられる。このダイアフラムプレートは、流体チャンネルプレートの流体ポートを選択的に遮断する変位可能なダイアフラム（４４）を含んでいる。ダイアフラムプレートには、断熱ヒータ（２２）が結合されている。この断熱ヒータは、加熱表面をもった断熱ヒータ本体と、変位可能なダイアフラムの位置を制御するために使用される熱空気圧作業流体（４０）を閉じ込める延長された軸方向キャビティを画定する周囲壁と、前記変位可能なダイアフラムの延長された軸方向キャビティの中への移動を制限するダイアフラム妨害構造（４６）とを含んでいる。
236 2002-505046 1998/05/29 ザ　リージェンツ　オブ　ザ　ユニバーシティー　オブ　ミシガン 基板上に形成されたマイクロ構造を局所的にアニーリングする方法およびシステムならびにそれにより形成された素子 A4 PF03 FP
WO1998/57423 (57)【要約】機械的マイクロ構造、特にマイクロメカニカル共振器の様なマイクロメカニカル構造の共振周波数を調整し且つＱ因子を増大するのに使用することができる、一括処理に適合する製造後アニーリング方法及び装置が記述されている。この技術は、マイクロメカニカル構造、又は近接するマイクロ構造（例えば、近接する抵抗器）を通して、電流を流し、これによって、電力を消費し且つマイクロ構造及び／又はその材料の特性を変化するのに十分に高いな温度に構造を加熱し、マイクロ構造の共振周波数及びＱ因子に変化をもたらす。この技術は、多くのマイクロ構造の調整を同時に都合良く行うことを可能とし、且つマイクロメカニカル構造のアンカ部分を横切って電圧を単に加えることによって実施することができるので、マイクロメカニカル構造に対して、この技術は、特に有用である。
237 2002-508259 1998/12/16 ユニバーシィダッド　デ　セビリヤ マイクロファブリケーション用コンポーネントの製造方法およびデバイス A4 DC01 PJ08 2
WO1999/30835 (57)【要約】希望するサイズ範囲（たとえば1ミクロンから約5ミクロンまで）のアトマイジングされた微粒子が、2つの不混和性の流体、アトマイジングする調合体を含む第1の流体ソース、および少なくとも第1の流体が供給されるエリアを包む、圧力チャンバ内に包含された第2の流体ソースによって作られる。本発明は、単分子層の自己アッセンブリ用テンプレートとして機能する微粒子等のマイクロファブリケーション用のテンプレートの製造；対象のマイクロアッセンブリのためのビルディング・ブロックとして機能する小さい微粒子の生成；および表面から選択部分を除去することによって、当該表面上にコンフィグレーションおよび／またはパターンをエッチングするアトマイジング生成物の使用；に関する方法を提供する。
238 2002-509808 1999/01/14 キオニックス・インコーポレイテッド 集積大面積ミクロ構造体およびミクロメカニカルデバイス A4 PI03 6
WO1999/36948 (57)【要約】深い反応性イオンエッチングは、２０〜５０マイクロメートル深さのシングルマスクＭＥＭＳ構造体をウェハ最上面に形成する。その後、底面エッチングは、ＭＥＭＳ構造体中に形成されたトレンチと協同して、スルートレンチを形成する。このスルートレンチは任意でウェハの厚さを下回る厚さの大面積構造体（８６）を開放する。開放構造体はＭＥＭＳ支持ビーム（１０２、１０４）によってウェハ中に支持され、運動は、ＭＥＭＳセンサによって検出され、かつ、アクチェータによって影響が及ぼされる。
239 2002-514520 1999/04/29 フェスト　アクツィエンゲゼルシャフト　ウント　コー マイクロバルブアレイ A4 DC02 FP
WO1999/58859 (57)【要約】本発明は、微小加工法によって製造される複数のマイクロバルブ（５）を備えたマイクロバルブバッテリーに関する。該マイクロバルブバッテリーは、複数のマイクロバルブ（５）をグループ化してプログラム制御可能なように相互に機能連結するための少なくとも１つの機能設定ユニット（２３）を含む電子制御手段（７）を備える。流体経路装置（６）は、複数のマイクロバルブ（５）に接続されていて、該流体経路装置（６）の流体経路（１２，１２’；１３，１３’；１４，１４’）は、該機能設定ユニット（２３）によって決められた機能バルブ相互連結に一致して標準化された決められた構成に基づき、流路（３２）を開閉することにより個別に相互接続されている。
240 2002-514521 1999/05/04 インフィネオン　テクノロジース　アクチエンゲゼルシャフト マイクロメカニック構造部品の製造方法 A4 PI02 1A
WO1999/58985 (57)【要約】本発明により、エッチング開口が膜（７）中に備えられ、中空の縁部から一定の距離をもって、膜の直径の最大で１０分の１の直径を有し、前記膜は化学エッチングにより製造される中空（８）上に配置されている。本発明の製造方法により、ＳｉＯ2からなる犠牲層（２）上にポリ層（３０）が被覆され、このポリ層にはエッチングホール列が備えられ、これにより犠牲層中に溝が化学エッチングにより製造される。ポリ層は酸化され、平坦化層（６）で平らにされる。膜層の縁部にエッチングホール（９）が製造される。犠牲層を、製造すべき中空の全部の領域で除去し、これによりエッチング剤が溝をとおり十分に速く分散する。
241 2002-514716 1999/05/06 インフィネオン　テクノロジース　アクチエンゲゼルシャフト マイクロ弁 A4 DC02 FP
WO1999/58841 (57)【要約】入口開口（３）と出口開口（４）との間に、短管（８）を有する弁座があり、この弁座上を、中空室（２）のところに配置されかつ有利にはポリケイ素層の一部によって形成された弾性的なダイヤフラム（５）が押す。媒体がダイヤフラムの短管に向いた側に流れると、ダイヤフラムが短管から持ち上げられて、中空室内に押し込まれ、これにより媒体が弁を通って流れることができる。ダイヤフラムはスタンプ状の載置体によって補強して、これにより弁の一様な開放を保証することができる。
242 2002-514717 1999/05/08 フェスト　アクツィエンゲゼルシャフト　ウント　コー マイクロバルブ A4 DC02 FP
WO1999/58860 (57)【要約】本発明は、バルブチャンバ（１３）を二つのチャンバ部（１４，１５）に分けるバルブ部材（７）を含むマイクロバルブに関する。第１チャンバ部（１４）は、ダクト層（３）によって規定され、該ダクト層（３）は、入力フロー開口部（１７）と、少なくとも一つの出力フロー開口部（２２，２３）とを有する。入力フロー開口部（１７）及び出力フロー開口部（２２，２３）間の流体移動は、バルブ部材（７）によって制御されるように構成されてもよい。更に、バルブ部材（７）が開位置にある時効力を有する圧力逃がし手段が設けられ、該手段は、バルブ部材上に、出力フロー開口部（２２，２３）に対向して少なくとも部分的に重なり合うように設けられた、移動する流体の膨張を許容する少なくとも一つの膨張凹部（３８）を備える。該膨張凹部（３８）は、バルブ部材（７）を通じて、第２チャンバ部（１５）に接続され、その結果、ここで反対圧力が増加し、圧力が逃がされる。
243 2002-517320 1999/06/01 キャベンディッシュ　キネティクス　リミテッド マイクロメカニカル素子 A4 DA01 2C
WO1999/63559 (57)【要約】マイクロメカニカル素子（１）は分離した切替素子（６）と、切替素子（６）に力を加えて切替素子（６）を２つの安定した位置の間で動かす切替手段（２ａ、２ｂ）とを有して構成されている。
244 2002-519183 1999/06/28 エボテック　バイオシステムズ　アクチェン　ゲゼルシャフト マイクロシステム内の粒子を操作する方法と装置 A4 DEX 2
WO2000/00816 (57)【要約】【課題】 マイクロシステム内の粒子を操作する方法と装置【解決手段】 懸濁液中の粒子が所定の基準方向に移動する流体マイクロシステム（１５）内粒子の操作に対しては、マイクロシステム（１５）は少なくとも基準方向に向いているその終端（１７ａ、１７ｂ）を封鎖している。粒子は遠心力および／または重力の影響を受けて、マイクロシステム（１５）に対して静止している懸濁液中を移動する、この遠心力および／または重力はほぼ基準方向に平行に延びている。さらに、マイクロシステム（１５）内の粒子は、その方向が基準方向と異なる偏向力を受ける。
245 2002-521222 1999/07/22 イギリス国 ダクトを有するシリコンの微細加工突起 A4 DCX DDX PB02 PB06PJ04 MA01 MF02 3b
WO2000/05166 (57)【要約】第１の材料の表面に、第１の材料に隣接する基部と、離間又は先端部分と、少なくとも先端部分の領域のダクト（１８２）とを有する微細突起（１８０）を設ける方法であって、第１の材料を微細加工して微細突起ダクトを設ける方法。マイクロ分析システムからの光ガイド及びキュベット、流体の経皮投与のためのマイクロニードル、等を含む、微細突起の種々の用途を開示する。
246 2002-522248 1999/08/03 インフィネオン　テクノロジース　アクチエンゲゼルシャフト マイクロメカニックセンサ及びそれを製作する方法 A2 PI01 FP
WO2000/09440 (57)【要約】本発明は次の段階、すなわち、ａ）ドーピングされた半導体ウェーハ（４）を準備する段階、ｂ）半導体ウェーハ上にエピタキシャル層（１）を設け、少なくとも基板に面したその面範囲において、半導体ウェーハとエピタキシャル層との間のインターフェース（１１）において電荷担体密度のジャンプが生じるようにドーピングされているようにする段階、ｃ）場合により複数の通風孔（２）をエッチングし、これらの通風孔がエピタキシャル層を貫通するようにし、かつ場合により通風孔を犠牲材料で充てんする段階、ｄ）少なくとも１つの犠牲層（９）、少なくとも１つの間隔層（１０）、１つの薄膜（５）及び場合により半導体回路（８）を公知の技術でエピタキシャル層の表面上に設け、その際半導体回路は薄膜の形成後に、あるいは薄膜を形成するのに必要な層を設ける間に設けるようにする段階、ｅ）センサの背面に配置された孔（６）をエッチングし、その際、エッチング加工が表面の方向に進捗し、ウェーハ（４）とエピタキシャル層（１）との間のインターフェースにおいて電荷担体密度の変化によって停止するように、エッチング法を選ぶ段階によって構成された、マイクロメカニックセンサ及びそれをを製作する方法に関する。本発明はマイクロメカニックセンサを圧力センサ又はマイクロフォンに使用することにも関する。
247 2002-523252 1999/08/17 インフィネオン　テクノロジース　アクチエンゲゼルシャフト マイクロメカニカルな構成エレメント、並びに、該構成エレメントの製法 A4 PI01 3
WO2000/12427 (57)【要約】マイクロメカニカルな構成エレメントが基板の表面に設けられている。中空室（Ｈ）の下側にセルのコンデンサの対向電極が配置されていて、該対向電極は例えば下側の伝導性の層の第１の部分である。中空室（Ｈ）に亘って、コンデンサの電極として作用する例えば円形の薄膜（＝ダイヤフラム）が配置されている。薄膜は均質でありほぼ均一な厚さを有しており、例えば、有利には下側の伝導性の層の第２の部分に支持される上側の伝導性の層の部分である。中空室（Ｈ）に側方でエッチング通路（Ａ）が接続されていて、該エッチング通路を介して、中空室（Ｈ）を形成するために犠牲層が除去される。エッチング通路（Ａ）が中空室（Ｈ）の垂直方向寸法に等しい垂直方向寸法を有している。閉鎖体が上方からエッチング通路（Ａ）に隣接していてかつ薄膜の外部に配置されている。構成エレメントは圧力センサとして用いられる。構成エレメントはセルを有していて、この場合、１個のセルが６個の密接するセルに隣接している。
248 2002-523741 1999/08/18 イェーノプティク　アクチエンゲゼルシャフト フラウンホーファー−ゲゼルシャフト　ツーア　フェルデルング　デアー　アンゲバンテン　フォルシュング　エー　ファー 極少量の液体を搬送する装置およびその製造方法 A4 DEX FP
WO2000/11461 (57)【要約】極少量の液体を搬送する装置およびその製造方法では、基板は、微細構造キャビティのシステムを含む。その目的は、低コストの大量生産の場合でも、前記微細構造の形状および断面に関する高度な精度要件に備えることである。さらに、光学的分析技術のための条件も改善しなければならない。前記基板は、前記微細構造キャビティは別として、モノリシックな本体の構造を有し、溶解状態でプレート形基材部分の間に導入される結合層により形成され、前記層の材料組成は、前記基板部分の材料組成に類似し、前記層の厚さは、前記微細構造キャビティの幅および深さに比べて著しく薄い。前記装置は、医療、生物工学および薬理学の分析機器として主に使用される。
249 2002-523771 1999/08/27 インフィネオン　テクノロジース　アクチエンゲゼルシャフト 外部の影響から保護されたマイクロマシニング技術による構成素子 A4 PHX FP
WO2000/12987 (57)【要約】１つのウェハーを個別化して複数のチップにする前に、少なくとも１つの構成素子保護層９および／またはスペーサ被覆体１０とを構成素子に被着させ、構成素子保護層９が、少なくともウェハー表面に対してほぼ平行に延びる開口部の壁部と、ウェハー表面に対してほぼ垂直に延びる開口部の壁部とをシールして覆い、スペーサ被覆体１０が、少なくともウェハー表面に対してほぼ垂直に延びる開口部の壁部をシールして覆うことを特徴とする、センサ開口部を有するマイクロマシニング技術による構成素子を製造するための方法が記載されている。本発明はさらにこの方法に基づき製造可能なマイクロマシニング技術による構成素子、並びにマイクロフォン、圧力センサまたは加速度センサへの使用法に関するものである。
250 2002-524698 1999/08/31 ルーカス・ノヴァセンサー・インコーポレイテッド 比例した微小機械デバイス A4 DC02 PB02 PG02 MA01 MF02 2
WO2000/14415 (57)【要約】本発明は、第１、第２、および第３の層を有し、高いアスペクト比の形状を有する比例したマイクロバルブを提供する。第１の層は、入口ポートおよび出口ポートとともにキャビティを規定する。低抵抗率を有するようにドープされ、第１と第３の層との間で結合される第２の層は、入口ポートと出口ポートとの間で流体フローが流れるのを可能にするようにフロー領域を有するキャビティを規定する。第２の層は、作動可能かつ変位可能な部材、および１つ以上の熱アクチュエータをさらに規定し、これにより流体フローが流れるのを可能にする、または塞ぐための開位置および閉位置を含み、この間の位置に変位可能な部材を作動させる。第３の層は、キャビティの１つの壁を提供し、熱膨張可能なアクチュエータを電気的に加熱する電気的コンタクトを提供する。
251 2002-525212 1999/09/13 イギリス国 マイクロ装置でのブリッジの形成 A4 PI02 3
WO2000/16105 (57)【要約】少なくとも１端部で第２材料（８、５０、６０、６２）と接触する少なくとも第１材料（ＡＡ、ＢＢ、５６）の一次領域を設ける微細機械加工方法は、第２材料の上に充填材料（３４、３６、３８）を設ける段階と、前記充填材料をパターン化、エッチングして充填材料を貫いて第２材料まで通じる穴（４０、４２）を形成する段階と、前記充填材料上に第１材料を堆積させ、第１材料の少なくとも一部が穴を通して第２材料と接触するようにする段階とを包含する。この方法は、微細機械加工した構造のトラック架橋懸架部分、たとえば、部分（２４）を設けるのに使用できる。また、ここには、ウェーハに切削したチャネルの頂部を狭くしてシールする方法も開示されている。
252 2002-525213 1999/08/20 インフィネオン　テクノロジース　アクチエンゲゼルシャフト 閉鎖されたダイヤフラム開口を有するマイクロメカニズムの構成部材 A4 DD03 FP
WO2000/12428 (57)【要約】マイクロメカニズムの構成部材の製造法は次のステップを有しており：半完成のマイクロメカニズムの構成部材をそれ自体公知の形式で形成し、開口（４）を形成し、中空室（３）を形成し、開口（４）を閉鎖カバー（７）によって閉鎖し、第１のダイヤフラム層の上側の材料を除去し、この場合、第１のダイヤフラム層の表面を露出させかつ平面化する。さらに、本発明は前記方法によって製造されたマイクロメカニズムの構成部材並びに、センサー、例えば圧力センサー、マイクロホン若しくは加速センサー内への使用に関する。
253 2002-525215 1999/09/24 レッドウッド　マイクロシステムズ マイクロマシン形ボイラ内の流体を制御する装置および方法 A4 DCX FP
WO2000/19161 (57)【要約】ハウジング外面およびハウジング内面をもつ熱伝導性ハウジングを備えたマイクロマシン形ボイラ（５２）を有するマイクロマシン形流体制御装置。ハウジング内面は、流体（６２）を収容する内部空隙を形成している。ハウジング外面には熱源（５４）が組み込まれており、該熱源は、熱伝導性ハウジングを通って伝導される熱を選択的に発生して、流体（６２）を所定の態様で選択的に膨張させる。熱伝導性ハウジング内には、負荷抵抗器（６４）を配置することができる。負荷抵抗器（６４）を通る電流を所定の態様で駆動することにより、流体（６２）の選択的膨張を更に制御することができる。
254 2002-525676 1998/09/24 リフレクティヴィティー，　インク． 自制形マイクロメカニカル素子を備える二重基板反射性空間光変調器 A2 DA04 PA01 PB04 MA01 MB03 MD01 1
WO2000/17695 (57)【要約】【解決手段】空間光変調器（１２）はアドレッシング回路（３６）を含む下部基板（３４）上方に保持された上部光透過性の基板（２０）を備える。１つ以上の静電式偏向可能素子（４８）が上部基板（２０）からヒンジ（５０）によって懸下されている。動作時、個別のミラー（４８）が、選択的に偏向され、上部基板（２０）に入射した後反射される光（５６）を空間変調する働きをする。ミラー（４８）が下部基板（３４）にスナップ動作しないように反射性偏向可能素子にモーションストップ（４９）を取り付けることができる。代わりに、モーションストップ（４９）を上部基板（２０）に固定し、反射性偏向可能素子（４８）の偏向角度を制限させてもよい。
255 2002-526273 1999/09/17 ザ　ユニヴァーシティ　オブ　ユタ　リサーチ　ファウンデーション 表面マイクロマシニングしたマイクロニードル A4 DEX 4G
WO2000/16833 (57)【要約】マイクロマシニング（微細加工）したマイクロニードル（３２）の表面は、単独のニードル（３２）、又は二次元的又は三次元的なマイクロニードルアレイ（３０）として形成する。マイクロニードル（３２）はマイクロニードル（３２）を取り付け状態に維持することができる、又は後で取り外すことができるサブストレート（１２）上に形成する。二次元的又は三次元的マイクロニードルアレイ（３０）は、マイクロニードルアレイ（３０）内で圧力均衡及び流体流のバランスをとることができる交差接続した流れチャンネル（３６）を設けることができる。各マイクロニードル（３２）にはマイクロチャンネル（３６）が貫通し、マイクロニードル（３２）の基端部における少なくとも１個の入口ポート（３７）と反対側の末端部における少なくとも１個の出口ポート（３９）との間を連通するマイクロチャンネル（３６）を貫通させて設ける。
256 2002-526354 1999/09/28 ザイデックス　コーポレイション ＭＥＭＳデバイスの機能的要素としてのカーボンナノチューブを製造するための方法 A1 DDX MI04 2
WO2000/19494 (57)【要約】ＭＥＭＳデバイスの機能的要素としてのカーボンナノチューブを製造するためのシステムおよび方法。本発明の方法は、カーボンナノチューブの合成のためにＭＥＭＳ基板を調製する工程を包含する。ナノサイズ穴または触媒保持構造が、ナノチューブ触媒が析出されるＭＥＭＳ基板上に作製される。ナノチューブは次いで、ナノサイズ穴内にて合成される。
257 2002-527249 1999/10/11 アストラゼネカ・アクチエボラーグ 装置 A4 DEX 1
WO2000/22428 (57)【要約】本発明は、化合物の物理的特性を測定するために使用するマイクロ加工装置に関し、そのような装置を使用して測定された特性は、２相間の化合物の分配、分配係数、分布係数、酸・塩基解離定数、溶解度及び蒸気圧を測定することを含むものである。前記装置は、間に化合物が分配され得る少なくとも２相を形成する２流体が流れるマイクロ加工導管、及び各流体またはその両方にある化合物の量を測定するための検出器を含む。
258 2002-527250 1999/10/13 バイオマイクロ　システムズ　インコーポレイテッド 受動流体力学に基づく流体回路構成要素 A4 DC01 ME07 ME10 MF02 2D
WO2000/22436 (57)【要約】 マイクロチャンネル中に受動弁または停止手段を使用することにより、マイクロチャンネルを通る流体の流れを制御する方法を示す。この受動弁は、圧力障壁の力を乗り越えるのに十分な力が蓄積されるまで、溶液が停止手段を通過して流れるのを妨げる圧力障壁として働く。受動弁として働くこのような停止手段を周到に計画して使用することにより、流体が単一チャンネルを介して導入された後で混合または希釈されるように、あるいは流体を個々にピペットで移さなくても流体が複数のチャンネルに分けられるように、マイクロチャンネルを流れる流体の流れを調節することができる。流体が一連のシスターウェルまたはチャンバのいずれか１つを越えて流れる前に、これらのシスターウェルまたはチャンバがすべて充填されるように、複数のチャンネルを通る流れを調節することができる。このようにシスターウェルまたはチャンバを充填することにより、反応がすべてのウェルまたはチャンバにおいて同時に行われる。マイクロチャンネル中の空気の閉じ込めを防止するための空気ダクトの使用も示す。
259 2002-527253 1999/09/22 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング エッチングプロセスを用いたシリコンの処理方法 A4 PB03 FP
WO2000/23376 (57)【要約】横側方向の空白部（２１）の定義のためのエッチングマスク（１０）が設けられている第１のシリコン層（１５）のエッチング方法が提案されている。第１のプラズマエッチングプロセスにおいて、横側方向の空白部（２１）の範囲内で異方性エッチングによりトレンチ溝（２１′）が作成される。この第１のエッチングプロセスは、第１のシリコン層（１５）及び他のシリコン層（１７）との間に埋設された分離層（１２，１４，１４′，１６）に達した際にほぼ停止する。その後、露出領域（２３，２３′）内のこの分離層を第２のエッチングプロセスを用いて貫通エッチングする。次に、引き続き第３のエッチングプロセスにより他のシリコン層（１７，１７′）のエッチングを行う。それにより、センサ素子用の遊離する構造体をＩＣ−集積技術における方法工程と完全に互換性の簡単なプロセスで作成できる。
260 2002-527335 1999/10/13 アライドシグナル　インコーポレイテッド ナノメートルスケール及びそれより大きいスケールの３次元周期性構造集成体 A1 DA01 DD03 DD04 DDX 9
WO2000/21905 (57)【要約】 本発明は、光学波長のスケールで、及び小さな及び大きな寸法の両方において、周期性を有する３次元構造体を製造する方法、並びにそうした組成物及びその用途に関する。本発明の態様は、球体粒子の３次元周期性アレイの自己集成、浸透及び抽出法の両方が存在するこれら周期性アレイの加工、これら周期性アレイについての一つ又は二つ以上の浸透工程、及び場合により抽出工程を包含する。生成する製品は、慣用的な加工方法が使用され得ないスケールで３次元周期性である。これら方法により作られる製品及び材料は、熱電体及び熱電子体、エレクトロクロミック・ディスプレー素子、低誘電率電子基板材料、電子エミッター、圧電センサー及び同アクチュエーター、並びに紫外線、可視光および赤外線領域の乳光着色剤として利用することができる。
261 2002-527790 1999/10/14 メムソルーションズ，　インコーポレイテッド 電界放出電荷制御ミラー（ＦＥＡ−ＣＣＭ） A4 DAX FP
WO2000/22472 (57)【要約】明るく、ハイコントラスト、大面積、高解像度の光変調器（５０）は、電界エミッタアレイ（ＦＥＡ）（５２）を用いて、電荷制御ミラー（ＣＣＭ）（５４）をアドレシングする。ＦＥＡは、電荷パターンをＣＣＭに蓄積し、次いで、ＣＣＭが、蓄積された電荷の量に従って、マイクロミラー（５８）を偏向する静電力を生成する。ＦＥＡと共に用いられるＣＣＭは、異なる発動モード、例えば、引き付け、反発、グリッド発動または膜発動、および異なる電荷制御モード（例えば、ＲＣディケイ、ＲＣ持続、および電荷制御）を実現するために、多くの異なる方法で構成することが可能である。
262 2002-527791 1999/10/14 メムソルーションズ，　インコーポレイテッド 膜起動電荷制御ミラー A4 DA03 FP
WO2000/22473 (57)【要約】増大したゆがみ範囲、より良好な充電効率、および改良された静電安定性を示す静電起動マイクロミラー光モジュレータ。支柱アレイ（１６）上に支持される絶縁薄膜（１４）は、真空セル（３４）内の電子ビーム（２０）をマイクロミラーアレイ（１８）から切り離す。膜は、入射電子がミラーを透過することを防ぐために十分厚いが、堆積された充電パターンの解像度を維持するために十分薄い。
263 2002-528759 1999/10/20 コーニング　インコーポレイテッド 流体が封入されたＭＥＭＳ光スイッチ A4 DA01 2
WO2000/25160 (57)【要約】流体が封入されたＭＥＭＳ光スイッチは、導波路の交差点（２９）に配置されたトレンチ内に位置づけられているＭＥＭＳミラー（２２）を有する光導波路マトリクスを含んでいる。トレンチは視準維持流体（３０）で満たされ、ミラー（２２）がその中に浸せきされている。視準維持流体（３０）は、スイッチの交差点に浸入する際の光ビームの拡散を防止する。この特徴によって格段に小さいＭＥＭＳミラー（２２）の使用が可能となり、関連技術において見受けられるＭＥＭＳミラー（２２）の典型的な問題点の幾つかが防止される。特に、本発明において開示されているＭＥＭＳミラー（２２）は、およそ幅１５、厚さ２に縮小されており、動作距離が約１５とさらに短くなっている。この特徴は、より早い切換時間を有する光スイッチをもたらす。
264 2002-529256 1999/10/13 ハネウエル・インコーポレーテッド 金属と半導体との接続用のディンプルコンタクト及び同コンタクトの製造法 A4 PG01 FP
WO2000/26963 (57)【要約】 金属面と半導体面との間の改良された電気接続部は、金属面上に導電性ディンプルを蒸着することにより与えられ、これにより導電性ディンプルが金属面と半導体基板との間に配置される。例えば絶縁基板上に蒸着される導電性トレースには導電性ディンプルが形成可能である。シリコン基板のような半導体基板は上部にディンプルを有する金属トレースの少なくとも一部の上部の絶縁基板に対し接着され、半導体基板と導電性トレースとの間に電気接続部が形成される。
265 2002-530601 1999/11/16 カリフォルニア　インスティテュート　オヴ　テクノロジー パリレン製マイクロ逆止め弁およびその製造方法 A4 DCX 2
WO2000/29770 (57)【要約】本発明は、膜キャップがツイストアップテザーで固定されている頂部粗面を有するマイクロ機械加工されたシリコン弁座を備えたパリレン製マイクロ逆止め弁に関する。本発明のマイクロ逆止め弁は、液体と気体の流体が流れるマイクロオリフィスの弁として使用すると、低いクラッキング圧力、高い逆圧、低い逆流漏洩および無視できる膜誘発流れ抵抗を示すことが見出されている。
266 2002-532749 1999/11/24 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロ振動ミラー A4 DA04 2
WO2000/36452 (57)【要約】本発明は、片持ち式の鏡面（１１）を有し、該鏡面（１１）に装着された少なくとも１つの捩り桁（１２，１２′）によって形成された少なくとも１本の捩り軸線（１９）を介して、前記鏡面（１１）を少なくとも区域的に囲む支持体（１３）と前記鏡面（１１）を連結している形式のマイクロ振動ミラーを提案する。その場合少なくとも１つの捩り桁（１２，１２′）と支持体（１３）との間には、捩り軸線（１９）を中心として鏡面（１１）の捩り振動を誘発する曲げ振動を行なう曲げ桁（１４，１４′）が位置している。この構成手段に基づいて、適当な周波数において曲げ振動の小さな振幅によって、捩り振動の大きな振幅が得られる。
267 2002-533619 1999/12/21 バテル・メモリアル・インスティテュート 圧電マイクロポンプ A4 DC03 3
WO2000/39463 (57)【要約】流体を少量かつ制御流量で、容器（１４）から送り出し点へポンプ輸送するための圧電マイクロポンプ（１０）が開示されている。ポンプ輸送作用は、２つまたは３つのダイアフラム（４０、４２、４４）の移動によって生じる。各ダイアフラムの移動は、取り付けられている圧電アクチュエータ（４６、４８、５０）の膨張および収縮によって発生する。ダイアフラム（４０、４２、４４）の移動の調整によって、流体の一方向への流れが生じる。圧電アクチュエータ（４６、４８、５０）は、ポンプ胴部（２２）およびダイアフラム（４０、４２、４４）間に片持ち式に支持されて、ダイアフラム（４０、４２、４４）をより大きく撓ませることができる。圧電アクチュエータ（４６、４８、５０）は、好ましくは、圧電バイモルであって、ダイアフラム（４０、４２、４４）がシールおよびポンプの両方として機能することができる。
268 2002-534275 1999/11/23 ハネウエル・インコーポレーテッド 微視的力及び変位を有するポリママイクロ作動器 A4 ME01 FP
WO2000/39914 (57)【要約】 マイクロ作動器アレイ装置は複数の薄い柔軟なポリマシートを含み、ポリマシートはほぼ平行で、所定のパターンに互いに結合されて少なくとも一の層上にユニットセルからなるアレイを構成する。薄い導電性の誘電体フィルムはシート上に蒸着されてアレイを構成するユニットセルと関連する複数の電極を構成する。電源が電極と動作可能に接続され、これにより静電力がシート間の間隙が最少である点の近傍で最強に発生される。各セルの入口部及び出口部により、静電力の発生中流体が変位可能である。好ましい実施形態において複数のシートはユニットセルアレイの層からなる積層体を構成する。双方向作動が互いに反対に動作する対をなす作動器により起こされるように、層が構成される。少なくとも一の対をなすシートは波形あるいはフラップにプリフォーム形成されてその対の間に所定の機械的バイアスが与えられるか、あるいはシートは荷重を印加して湾曲部を形成し対の間に変位を与える。シートは好ましくは厚さが約１μｍ〜約１００μｍであり、各セルは好ましくは約５２μｍ〜約２００μｍの変位を有する。
269 2002-534285 2000/01/14 ザ　リージェンツ　オブ　ザ　ユニヴァーシティ　オブ　カリフォルニア マイクロ電子機械システムを形成するための多結晶シリコンゲルマニウム膜 A2 PI01 13
WO2000/42231 (57)【要約】本発明は、シリコンゲルマニウム膜を用いるマイクロ電子機械システムに関する。マイクロ電子機械システムを形成する方法は、基板上へシリコンゲルマニウムの犠牲層を堆積するステップと、前記犠牲層の上へシリコンゲルマニウムの構造層を堆積し、前記犠牲層の前記ゲルマニウム含有量は前記構造層の前記ゲルマニウム含有量より多くするステップと、少なくとも一部の前記犠牲層を除去するステップとを含む。マイクロ電子機械システムは、基板と、前記基板上に形成される、０＜ｘ≦１であるＳｉ1-xＧｅxの一つ以上の構造層と、前記基板上に形成される一つ以上のトランジスタとを備える。
270 2002-534770 1999/12/21 ハネウエル・インコーポレーテッド 機械式マイクロスイッチを動作させるための装置及び方法 A4 DB01 1
WO2000/41193 (57)【要約】マイクロメカニカルスイッチ（２０）、及び磁石（５０）を二つの位置の間で移動することによってマイクロメカニカルスイッチを開位置と閉位置との間で作動するための方法を提供する。磁石は磁束を発生し、この磁束は磁気的に伝導性の層（３０、４０、２０７、２０９）を通って移動する。磁気的に伝導性の層内の磁束は、接触エレメント（６０）を強く引っ張って導電層（２７、２８、２９、２２１、２２３）と接触させ、開放した電気接点を電気的に短絡する。
271 2002-537132 2000/02/11 シルバーブルック　リサーチ　プロプライエタリイ、リミテッド インクジェットノズルの熱屈曲アクチュエータ及びパドル構造 A4 DC03 2
WO2000/48938 (57)【要約】マイクロエレクトロメカニカルなシステム（ＭＥＭＳ）用の熱アクチュエータ（７）は、２つのアーム（１０、１１）を含み、両者の間には、動作特性を改良し剪断応力を低減する間隙がある。一方のアームは、熱膨張してアクチュエータを曲げるように配置されている。アクチュエータ（７）は、インクジェットノズルチャンバ（２）用のパドル（８）を動作するのに用いてもよい。ノズルチャンバ（２）における開口部は、アクチュエータ（７）と共にメニスカスを形成して、ノズルチャンバ（２）からの漏れを防止する、隆起したリム（１９）を有する。パドル（８）は、スペーサの役割を果たしてパドル（８）とメニスカス（３）とがノズル（４）のところで接触するのを防止する、構造上の支持部（１８）を有する。ノズルチャンバ（２）は、その非噴出状態においてパドル（８）に整列し対向する、内部突出部を有し、この内部突出部は、ノズルチャンバ（２）を噴出後急速に再充填する助けとなる。
272 2002-537630 1999/02/04 タイコ　エレクトロニクス　ロジスティクス　アーゲー インスティテュート　オブ　マイクロエレクトロニクス マイクロリレー A4 DBX FP
WO2000/46852 (57)【要約】【解決手段】Ｓ字状支持部材を有する微小構造リレーが提供される。Ｓ字状支持部材は、リレーの寿命まで高接触力及び低抵抗にするために、リレーにおける過行程を生成する。Ｓ字状支持部材の適切な部分上の圧縮及び引張り応力誘導層は、所望の曲げを引き起こす。
273 2002-538512 1999/09/08 フリクセル　リミテッド 接触感知入力部および振動源を備えたマイクロ・メカニカル・フラット・パネル・ディスプレイ A4 DAX FP
WO2000/52674 (57)【要約】【解決手段】 浮揚電極（３０２）、シリコン基板（２２）、絶縁材料からなる薄膜（２３）、フリッピング電極（２４）、電極（２６）、他の電極（２８）、中央電極（３０）、中央電極の一部（２９）、中央電極の他の一部（３１）、２つの取り付け穴（３２及び３４）、２つのＵ字ブラケット（３６及び３８）、絶縁突起（４５）、及び第１の面（４０）を各々が含む複数のピクセルを備えた映像用ディスプレイ。
274 2002-538972 2000/01/26 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング エッチングプロセスによって３次元構造体を製造するための方法 A4 PB03 FP
WO2000/44667 (57)【要約】エッチングプロセスによって基板に３次元構造体、とりわけマイクロレンズを製造するための方法が提案され、まず最初に基板（１０）において部分的に既知のオリジナル表面形状を有する少なくとも１つのオリジナル形状体（１１）が設けられている。エッチングプロセスは少なくとも第１のエッチング除去レートａ１及び第２のエッチング除去レートａ２を有し、第１のエッチング除去レートａ１及び第２のエッチング除去レートａ２は材料に依存し、これら第１のエッチング除去レートａ１及び第２のエッチング除去レートａ２のうち少なくとも一方は時間的に可変的である。このエッチングプロセスによってオリジナル形状体（１１）は目標形状体（１２）に変わり、オリジナル形状体（１１）のオリジナル表面形状及び目標形状体（１２）の実現すべき目標表面形状はエッチングプロセスの前に既知である。目標表面形状に到達するために、エッチングレートａ１及びａ２のうちの少なくとも一方が、エッチングプロセスの開始前に少なくともエッチング時間の関数として計算される少なくとも１つのエッチングパラメータの変化を介して調整される。
275 2002-538974 2000/03/10 カリフォルニア　インスティテュート　オブ　テクノロジー ＩＣ共存性パリレンＭＥＭＳ技法と集積センサにおけるその用途 A2 PI01 FP
WO2000/54312 (57)【要約】組み合わせたＩＣ／ＭＥＭＳ工程によって、第一にＩＣ部分が形成され、次にＭＥＭＳ部分（１１０）が形成される。一つの選択肢の方法で、パリレンのオーバーレーヤーを形成し、次いでそのパリレンのオーバーレーヤーの下方に空洞をつくる。
276 2002-538981 2000/03/10 シルバーブルック　リサーチ　プロプライエタリイ、リミテッド 熱屈曲アクチュエータの製造方法 A4 DC03 1
WO2000/55089 (57)【要約】インクジェット印字ノズル（１）その他マイクロエレクトロメカニカルデバイスと共に用いるのに適した熱屈曲アクチュエータ（７）は、間隙によって隔てられている２つのアーム（１０、１１）を含む。この間隙によって、荷重部がアームとアームの間にはさまれている場合と比較して、熱動作特性を改善することができ、アクチュエータの荷重部にかかる剪断応力が低減する。アクチュエータ（７）の製造方法は、基板上に導電層を堆積するステップと、第１の犠牲層と、導電層に接続された第１のアーム（１１）とを堆積するステップと、第２の犠牲層と第２のアーム（１０）とを堆積するステップと、犠牲層をエッチングによって取り除くステップとを含む。導電層に供給される電流は、第１のアーム（１０）を加熱し、アクチュエータ（７）を上向きにそらす。
277 2002-539064 2000/03/08 ナノグラム・コーポレーション 亜鉛酸化物粒子 A4 DDX DF02 MG03 MI07 13
WO2000/54291 (57)【要約】レーザ熱分解（３００）により亜鉛酸化物ナノ粒子の捕集物を製造した。亜鉛酸化物ナノ粒子の平均粒子径は約９５ｎｍ未満であり、粒子サイズ分布は非常に狭い。レーザ熱分解は反応チェンバ内での反応物の流れを作り出すことを特徴とする。反応物の流れは亜鉛前駆体と他の反応物とを含む。亜鉛前駆体はエアロゾルとして供給することができる。
278 2002-539604 2000/03/03 ボード・オヴ・リージェンツ，ザ・ユニヴァーシティ・オヴ・テキサス・システム 段付き鋳張り捺印式リソグラフィー A4 PJ01 1A
WO2000/54107 (57)【要約】基板とその上に形成された転写層からなる構造体に凹凸イメージを形成する方法である。転写層が重合可能な液状組成物で被覆され、次いで、重合可能な液状組成物を凹凸構造を内部に有する鋳型に接触させて鋳型の凹凸構造を重合可能な液状組成物で実質的に充填させる。上記の重合可能な液状組成物は、その組成物を重合して転写層上に組成物から固化高分子材を形成する条件に晒される。次いで、鋳型が固化高分子材から分離され、鋳型内の凹凸構造のレプリカが固化高分子材に形成される。さらに、転写層と固化高分子材は、固化高分子材に対して転写層を選択的にエッチングして転写層に凹凸イメージを形成する環境に晒される。
279 2002-540406 2000/03/23 ザ・チャールズ・スターク・ドレイパー・ラボラトリー・インコーポレイテッド 動的にバランスのとれた微小電子機械デバイス A4 DD02 FP
WO2000/57194 (57)【要約】 動的なバランシングは、音叉ジャイロスコープなどの微小振動機器における直交相バイアスを低減し、それにより角速度入力がない場合に、運動の純度が達成される。バランシングは、音叉ビーム（６２）上で材料を溶解および移動することによりプルーフ質量（６０）自体ではなく、音叉ジャイロスコープの支持構造体上でアブレーション（７４）または被着（７２）を行うことによって達成される。このような調整は、チップ・ダイの一部もしくは外部パッケージのいずれでもよい透明な封入カバーを介してレーザ光を適用することにより、ジャイロスコープの実際の動作中に有利に行われる。
280 2002-540969 2000/03/23 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト 無支持の微細構造体、肉薄の扁平部分またはダイアフラムを製造する方法および該方法により製造された、抵抗格子体としての微細構造体の、弱いガス流を測定するための装置内での使用 A4 PC05 9
WO2000/59824 (57)【要約】まず、片側で同一平面を成すように補助層（３）が張設される開口（１０）を備えた支持フレーム（１）が製造される。微細構造体、扁平部分またはダイアフラムを補助層（３）と支持フレーム（１）とによる共通の平面に形成した後、補助層（３）を有利にはエッチングによって除去する。本発明による方法により製造された無支持の微細構造体は、有利な使用事例では、加熱可能な抵抗格子体として、弱いガス流を測定するための装置内で使用される。
281 2002-542461 2000/04/21 クリニカル・マイクロ・センサーズ・インコーポレイテッド 標的被検体の電気化学的検出でのマイクロ流体システムの使用 A4 DC01 FP
WO2000/62931 (57)【要約】図（１）は、本発明の好ましい数種の実施態様を示す。図（１Ａ）は、試料導入口（１０）、第１マイクロチャンネル（１５）、第２マイクロチャンネル（２０）を有する貯蔵モジュール（２５）（例えば、アッセイ試薬のための）、を備えた固体支持体（５）を描出する。第２マイクロチャンネルは、検出電極（３５）を含む検出モジュール（３０）と直接流体接触していてもよい（２０Ｂ）であるか、または、自己集合単層および結合リガンドと直接流体接触していてもよい（２０Ａ）である。図（１Ｂ）は、試料処理ウエル（４０）および試料処理ウエル（４０）へのマイクロチャンネル（２０）を有する第２貯蔵ウエル（２５Ａ）を描出する。例えば、試料処理ウエル（４０）は、細胞溶解チャンバーであり得、貯蔵ウエル（２５Ａ）は溶解剤を含有し得る。図（１Ｃ）は、溶出緩衝液用の付加的な試薬貯蔵ウエル（２５Ｂ）を有する細胞捕獲または豊富化チャンバーである試料処理ウエル（４０）を描出する。図（１Ｄ）は、例えば、増幅試薬の貯蔵用の貯蔵ウエル（２５Ｃ）を有する反応モジュール（４５）の付加を描出する。任意的な廃棄物モジュール（２６）は、マイクロチャンネル（２７）を通じて反応モジュール（４５）に連結している。これらの実施態様の全てが、別の電極を含めて、さらなるバルブ群、廃棄物ウエル群、およびポンプ群を含み得る。
282 2002-542949 2000/04/20 シルバーブルック　リサーチ　プロプライエタリー　リミテッド 作動装置の構成部材 A4 MDX -
WO2000/64805 (57)【要約】マイクロ電子機械装置用の作動装置構成部材は、窒化されたチタン・アルミニウム組成物により少なくとも部分的に形成される可動アームを備える。この組成物は、比較的高い酸化温度を有しているので、短時間の間に作動装置の構成部材内に高い温度を発生させることができる。１つの実施例では、作動装置の構成部材はインクジェット装置において熱屈曲作動装置の一部を形成する。
283 2002-542958 2000/04/05 エンエフテー・ナノフィルターテヒニク・ゲゼルスシャフト・ミット・ペシュレンクテル・ハフツング フィルタの製造方法 A4 PCX FP
WO2000/66815 (57)【要約】【課題】フィルタの孔の全長にわたって、ほぼ等しく規定された孔の径を維持することが可能であるように、上述した方法を改良することを目的とする。【解決手段】フィルタの製造方法であって、ｎまたはｐドープされたエッチング可能な半導体材料のブランクがドーピングに応じて陽極または陰極として接続されており、前記ブランクの第1の側は、中に対向電極が配置されているエッチング液と接触しており、かつ電気化学的にエッチングされ、少数電荷キャリアを前記ブランク内に生成するための活性化エネルギーがエッチングプロセス中に前記ブランクに供給され、単位時間あたりに供給される前記活性化エネルギーは、エッチングの進行が増加するとともに減らされることを特徴とする、フィルタの製造方法。
284 2002-543403 2000/05/03 カンション　アクティーゼルスカブ 液体中において物質の存在を検出するための方法及びセンサ、並びにセンサの製造方法 A4 DE01 DE02 PA01 PA07 PB01 PG01 PI04 MA01 MD01 MD04 MBX MF02 AH02 1
WO2000/66266 (57)【要約】本発明は、ミクロ液体処理システムにおける一体化されたマイクロ片持ち梁、マイクロブリッジあるいはマイクロメンブレインに関する。このようなミクロ液体処理システムは、そのようなシステムにおける流体の物理的、化学的又生物学的に固有の関係を監視するための新しい検出機構を提供する。本発明はまた、一体化された読取装置を有するマイクロ片持ち梁、マイクロブリッジあるいはマイクロメンブレイン型のセンサに関する。このような構造によって異なる液体の層流が混ざり合うことなくチャネル内を流れることができ、これによって、新しい種類の実験に道が開かれ、又液体の運動に関連する雑音が低減される。本発明は更に、隣接あるいは非常に近接して配置され、同時に異なる化学的な環境に露出することが可能なマイクロ片持ち梁、マイクロブリッジあるいはマイクロメンブレインを有するセンサに関する。
285 2002-543972 2000/05/13 シリコン・バイオシステムズ・ソシエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ 誘電泳動により粒子を操作するための方法及び装置 A4 DCX DEX MA01 1
WO2000/69565 (57)【要約】本発明は、粒子を操作及び検出するのに適する装置及び方法であって、閉鎖形誘電泳動電位ケージを形成し、前記ケージを正確に変位させるための装置及び方法に関する。本装置は、選択的にアドレス指定可能な複数の電極の第１のアレイを含んでおり、この第１のアレイは、実質的に平面状の基板上に横たわり、１つの電極を含んでいる第２のアレイに向かって対面している。前記２つのアレイは、粒子が懸濁液内に位置するマイクロチャンバの上部境界及び下部境界を形成する。同相信号及び逆相信号から成る周期信号を電極に印加することにより、１つ以上の独立的な電位ケージが形成され、この電位ケージは、粒子が、信号周波数と粒子及び懸濁媒体の特徴とに依存して、ケージに吸引され或いはケージから反発されることを惹起する。前記アレイ内に電圧信号パターンを適切に印加することにより、ケージは、１つ以上の粒子を捕捉し、これにより、粒子が常に浮揚及び／又は運動することを可能にする。１つのアレイが半導体基板上に集積されている好ましい実施態様では、粒子の変位は、埋込みセンサにより検出され、これにより、例えば粒子を単離，選択，及び正確に計数するなどの複雑な操作が、分析されるべき標本に対して達成される。
286 2002-544438 2000/05/05 フラウンホッファー−ゲゼルシャフト　ツァ　フェルダールング　デァ　アンゲヴァンテン　フォアシュンク　エー．ファオ． マイクロメカニック・ポンプ A4 DC03 FP
WO2000/70224 (57)【要約】規定の液体量を搬送および／または管理するための蠕動アクチュエータを有するマイクロメカニック・ポンプを提案する。基板表面内の任意の断面を有する、好適には環状の切り欠き部が薄膜（２）によって覆われる。常圧の下で基板（１）と薄膜との接合プロセスが実施されると、所定の空気容積（１７）は窪み内に封入される。従ってポンプ・アクチュエータは可動薄膜と固定床部との間の任意の形状の閉鎖空洞によって形成される。薄膜は導電体で被覆される。空洞の床には互いに絶縁された複数の電極（３、４）が埋設され、これらは少なくとも一部が互いに独立して制御可能である。薄膜と１つまたは複数の電極との間に電圧が印加されると、前記薄膜はその位置で下方に引っ張られる（６）。薄膜の下側の容積は密封されているので、排出される空気によって別の位置の薄膜が上方に隆起する。電極が適宜に制御されると、隆起は窪みに沿って蠕動することができる。カバー（９）を薄膜に接合することによって、ポンプが形成される。搬送される液体（１２）は薄膜とカバーとの間に位置する。選択された電極と薄膜との間に電圧が印加されると、薄膜はこの領域で窪みの床へと引き下げられる。薄膜は隆起した領域を固定カバー（５）に対して密封を行う。これに対し、制御される領域では薄膜とカバーとの間にスリットが生ずる。これによって、薄膜とカバーとの間にある液体は限定的に移動することが可能である。
287 WO2000-058204 2000/03/31 セイコーエプソン株式会社 狭ピッチ用コネクタ、ピッチ変換装置、マイクロマシン、圧電アクチュエータ、静電アクチュエータ、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、液晶装置、電子機器 A4 DAX DBX DC03 DDX 7 H120331 WO2000/58204 (57)【要約】熱的ストレスが加わっても、接続される端子電極相互の位置ずれを小さくすることができるとともに、搭載された半導体装置の効果的な放熱をなすことができる狭ピッチ用コネクタ、ピッチ変換装置、マイクロマシン、圧電アクチュエータ、静電アクチュエータ、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、液晶装置、電子機器。複数の第１端子電極（３０）と複数の第２端子電極（３２）が基板上に形成されてなり、第１端子電極（３０）に接続してなる第１配線（２４Ａ）と、第２端子電極（３２）に接続してなる第２配線（２４Ｂ）とが形成され、第１配線（２４Ａ）及び前記第２配線（２４Ｂ）に電気的に接続してなる半導体装置（３３）を有し、第１端子電極間のピッチは前記第２端子電極間のピッチより狭く、かつ前記第１端子電極数は前記第２端子電極数より多く設ける。
288 WO2000-058205 2000/03/31 セイコーエプソン株式会社 狭ピッチ用コネクタ、静電アクチュエータ、圧電アクチュエータ、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、マイクロマシン、液晶パネル、電子機器 A4 DAX DBX DCX DDX MA01 19 H120331 WO2000/58205 (57)【要約】電極間のピッチが微細なものにも対応できる狭ピッチ用コネクタ、この狭ピッチ用コネクタを含んだ静電アクチュエータ、圧電アクチュエータ、マイクロマシン、液晶パネル、及び、これら静電アクチュエータ、圧電アクチュエータを用いたインクジェットヘッド、これらのインクジェットヘッドを搭載したインクジェットプリンタ、電子機器。複数の第１端子電極（３０）と複数の第２端子電極（３２）が基板（２２）上に形成されてなり、第１端子電極（３０）と第２端子電極（３２）を電気的に接続するための配線（２４）が形成されてなり、前記配線（２４）は第１端子電極（３０）間のピッチと第２端子電極（３２）間のピッチを変換する機能を有してなる狭ピッチコネクタ（２０）であって、各第１の端子電極（３０）の間には溝部（３２Ａ）が形成されてなる。
289 WO2000-060652 2000/03/27 シチズン時計株式会社 薄膜基板の形成方法およびその方法によって形成された薄膜基板 A4 DAX DBX DDX PA03 PA07 PB03 PE01 MD05 MEX MF02 40 H120327 WO2000/60652 (57)【要約】支持基板（１）上に支持体（３）を配列形成し、さらに樹脂材料により犠牲層（１５）を形成して、それを支持体（３）の頭部が露出ように平坦化し、その平坦化した犠牲層（１５）および支持体（３）上に薄膜基板（５）を形成する。そして、その薄膜基板を介してプラズマ選択エッチングを行って犠牲層（１５）を除去することにより、支持基板（１）から空隙（７）だけ浮かした、面積の大きい薄膜基板（５）を形成することができる。