公開年：2000-2001年

No. 公開／公表番号 出願日 出願人 発明（考案）名称 A分類 分類 発明相応図 国際出願日 国際公開番号 要約
1 2000-057927 1999/08/04 ヒューズ・エレクトロニクス・コーポレーション 能動的オンオフ状態制御を備えた単極単投マイクロ電子機械的スイッチ A4 DB01 FP

(57)【要約】【課題】 本発明は、オフ状態の復帰を能動的に行うことのでき、接点の粘着による事故を防止することのできるカンチレバービーム型スイッチを提供することを目的とする。【解決手段】 一端でベース12に固定されたカンチレバービーム16と、ベースに取付けられカンチレバービーム16と接続されている第１の電極14と、カンチレバービーム16と電気的に分離されてベース12に取付けられる第２の電極18と、カンチレバービーム16の自由端の下方のベースに取付けられたコンタクト電極20と、電気回路を閉路するための付勢電圧32を供給する手段と、電気回路を開路するための付勢電圧を供給する差動演算増幅器36とを備えていることを特徴とする。
2 2000-065665 1999/08/11 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト マイクロマシンセンサおよび該センサの製造方法 A2 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 マイクロマシンセンサにおいて、簡単に製造可能であり、その上に半導体回路を簡単に取り付けることができ、さらに製造時に製品品質を損なうこなく完成させることができるようにする。【解決手段】 チップ上に集積された電子回路が設けられており、中空室１２と膜１３と対向電極１４と換気用開口部７を有している。この換気用開口部７により、中空室内が周囲と連通している。換気用開口部７はウェハの上面方向に配向されており、対向電極はチップ面全体にわたる平坦な層５の一部分である。この平坦の層の上に半導体電子回路１１が周知の半導体技術によって取り付けられる。
3 2000-090802 1999/09/10 ヒューズ・エレクトロニクス・コーポレーション マイクロ電子機械的装置 A4 DB01 FP

(57)【要約】【課題】 本発明は、低い付勢電圧で動作し、スイッチング作用がビームのスチフネスとは関係のないマイクロ電子機械的装置を提供することを目的とする。【解決手段】 それぞれギャップによって遮断されている平行な２個の相互接続ライン24a bと、２個の１次制御電極とを備えた基体22と、相互接続ライン24a bと直交して配置されそれらと交差する位置の幅が各ギャップ幅よりも大きいカンチレバービーム28と、このビーム28の中央でビームを支持するフレキシブルなアンカー36と、１次制御電極と対向してビームの下面に固定されている２次制御電極40a bと、相互接続ライン24a bと対向してビームの下面に固定されているコンタクトパッド30a bとを備え、電圧が１次制御電極と２次制御電極の対応する１つに供給されるときビームを移動させてコンタクトパッドの１つによりギャップの対応ものを短絡することを特徴とする。
4 2000-108099 1999/09/28 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト 変位測定用マイクロマシンセンサ A4 DD07 FP

(57)【要約】【課題】 基板表面に対し水平な方向の変位について、周知の同種のセンサに比べ改善された特性をもつマイクロマシンセンサを提供する。【解決手段】 ゲート領域Ｇ、ドレイン領域Ｄ、ソース領域Ｓおよびチャネル領域Ｋの設けられたＭＯＳＦＥＴが設けられている。ゲートＧは基板表面９に対し平行な方向Ｐで可動に配置されている。この方向におけるゲートの運動によって、ゲートとオーバラップするＭＯＳＦＥＴのチャネル領域が増大または減少するように構成されている。
5 2000-117700 1999/10/12 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロメカニカル式の装置のための製造方法 A4 PI02 2

(57)【要約】【解決手段】 固定領域１３２を基板上に備えたマイクロメカニカル式の装置の製法で、固定領域１３２を受容するベース領域２０を備えた基板１０上に付着層３０を形成し、構造化し、付着層３０の切欠１２０内で、ほぼ島領域の形状の固定領域１３２を、ベース領域２０内に形成し、これを、少なくとも１つの薄いウエブ１３０だけで付着層３０の残りの部分に接続して、固定領域１３２とこれに隣接する成長領域１３３とをマスクキングしないマスク４０，５０を付着層３０上に形成し、マスキングされない固定領域１３２上でめっき層３５を析出して、この固定領域１３２を、これに隣接する成長領域１３３上で成長させ、マスク４０，５０及び、付着層３０の成長しない部分を取り除く。【効果】 公知の解決策に対して、典型的な場合４μｍ×４μｍの最小値及び、典型的な場合３μの間隔を有する付加的な構造部のための固定領域が得られる。
6 2000-127100 1999/09/03 ティーアールダブリュー・インコーポレーテッド ウエ―ハをミクロ加工する方法 A4 PEX FP

(57)【要約】【課題】 簡単な工程によりウエーハをミクロ機械加工する方法を提供する。【解決手段】 本方法においては、乾燥ホトレジスト材料すなわちドライフィルム状のホトレジスト材料を用いて、ウエーハをミクロ機械加工する。ドライフィルム状のホトレジスト材料は、ウエーハのロースポットの上方にテントを形成して、ドライエッチング処理を行うためのマスクを形成する効果を有している。
7 2000-131509 1999/08/05 ティーアールダブリュー・インコーポレーテッド ミクロ光学部材の製造法 A4 PIX 7

(57)【要約】 （修正有）【課題】 モノリシックのミクロ光学部材の製造法を提供する。【解決手段】 ミクロ光学部材の組み立ては、標準的な半導体製造技術を使用することによって達成され、半導体基板42上にエッチストップ層44を付着させる工程；前記エッチストップ層44上に光学部材層46を付着させる工程；前記光学部材層の全表面をフォトレジスト物質で被覆する工程；前記光学部材層46上の前記フォトレジスト物質にフォトレジストマスクを施す工程；前記光学部材層46を選択的にエッチングして、少なくとも１つの光学カラムを形成させる工程；前記エッチストップ層44を選択的にエッチングすることにより、前記光学カラムのそれぞれに対してペデスタルを形成させる工程；そして最後に前記光学カラムのそれぞれをポリッシングし、これによってモノリシックの光学部材を形成させる工程；を含む。
8 2000-141300 1999/04/16 シーピー・クレア・コーポレイション アンテルユニヴェルシテール・ミクロ−エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ 内部空洞を有する微小構造体の作製方法 A4 PG04 FP

(57)【要約】【課題】 内部空洞を有する微小構造体の作製方法を提供する。【解決手段】 本発明は、内部空洞を有する微小構造体の作製方法に関するものであり、以下のステップを含む。それは、第１基板上に実質的に閉じた幾何学的配置で第１層または層の第１スタックを蒸着するステップと、第１層、または層の前記第１スタックの上部層にくぼみを作成するステップと、第２基板上に実質的に閉じた前記幾何学的配置で、第２層または層の第２スタックを蒸着するステップと、空洞を有する微小構造体が前記の閉じた幾何学的配置に基づいて形成されるように、前記第２基板上の前記第１基板を並べて結合するステップである。
9 2000-150251 1999/09/09 ルーセント　テクノロジーズ　インコーポレイテッド 受動自己組立てインダクタを有する物品 A2 PI01 FP

(57)【要約】【課題】 モノリシック集積可能なＭＥＭＳ型インダクタを実現する。【解決手段】 インダクタ１０２は、受動自己組立て手段を含む少なくとも２個の導電性サポート１１０，１１４によって、１巻回以上が基板１００の上方に懸垂された導電性ループ１０４からなる。一実施例では、受動自己組立て手段は、導電性サポート１１０，１１４上に設けられた高レベルの固有応力を有する層を含む。応力層は、導電性サポート１１０，１１４の構造層（例えばポリシリコン）の上に堆積される。インダクタ１０２のサポートなどの構造が、ある犠牲層を除去することによって製造プロセス中に「解放」されると、応力層が収縮して残留歪みを小さくする。その結果、導電性ループが付属するサポートの自由端に上向きの力がかかる。結果として、サポートおよびループが、基板１００から離れて持ち上がる。
10 2000-158400 1999/11/26 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 局部的に補強された金属性のマイクロ構造を製作する製法並びに局部的に補強された金属性のマイクロ構造 A4 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 技術的に簡単でしかも経済的な製法を得ることにある。【解決手段】 本発明は、電気的な接触接続手段又は制御回路を備えた基板、及び、金属性のマイクロ構造を設けた後で除去される有機的な構造化された犠牲層に、局部的に補強された金属性のマイクロ構造を製作する製法に関する。マイクロ構造の局部的な補強部を製作する場合、マスクとして成形された有機的な少なくとも１つの別の層（１６，１９，２０，２６，３０，１１６，１２０）を設け、該層を金属層（１４，１５，１８，２４，２８，１１４，１１８）を構造化した後で同様に除去する。
11 2000-176900 1999/12/14 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 金属製のマイクロ構成素子をカプセル封止するための方法 A2 PH03 FP

(57)【要約】【課題】 チップ面を節約し、最終製品を安価にする。【解決手段】 評価回路２を有する基板ウェーハ１上に金属製のマイクロ構成素子３，４を配置し、保護キャップウェーハ５に結合媒体７を被着させ、保護キャップウェーハ５を基板ウェーハ１に被せる前に保護層６を設け、結合媒体７を直接、評価回路２の上に位置させる。
12 2000-190298 1999/10/25 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ スイッチング構造体及びその製法 A4 DB01 PA07 Pj02 PJ04 MA01 ME01 ME10 ME12 MH01 8

(57)【要約】 （修正有）【課題】 高密度相互接続（ＨＤＩ）回路環境内部に一体型スイッチング機構を形成する。【解決手段】 ベース面１０層上に積層されたＨＤＩプラスチック相互接続層１２、ＨＤＩプラスチック相互接続層１２内のキャビティー１６、ＨＤＩプラスチック相互接続層及びキャビティー上に積層された少なくとも１つのパターン化された形状記憶合金（ＳＭＡ）層２２、該ＳＭＡ層の上の少なくとも１つのパターン化された導電層、キャビティー内でベース面に付けられている固定接触パッドと、キャビティー内でパターン化ＳＭＡ層２２の一部に取り付けられた可動接触パッドを有しており、パターン化ＳＭＡ層の通電による変形で第一の安定位置にあるとき、可動接触パッドが固定接触パッドに接触することにより、電気的に接続し閉じたスイッチを形成する。また、第二の安定な位置では、接触パッドが接触せず開いたスイッチを形成する。
13 2000-190299 1999/04/16 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロ機械的な構造部材の製造方法 A4 PB03 FP

(57)【要約】【課題】 比較的簡単なプロセスにおいてさらに効果的にリード線酸化物を保護する。【解決手段】 第１の層（１）上に構造化された第１及び第２の絶縁範囲の形の第２の層（２）を設け、第１の絶縁範囲の縁範囲上及び第１の層（１）の相応する境界範囲上に第１の保護層（１００，１５０）を設け、その上に第３の層（３）を設け、第３の層（３）から、第１の絶縁範囲上に延びた導体路（４）の構造と、第２の絶縁範囲上のマイクロ機械的な構造部材の機能構造とを構造化し、かつ第２の絶縁範囲中の第２の層（２）を取り除き、その際、第１の絶縁範囲中の第２の層（２）を、ここにおいて実質的に取り除かないように、第１の保護層（１００，１５０）によって保護する。
14 2000-205862 2000/01/17 三星電機株式会社 マイクロ慣性センサ―の製造方法及びマイクロ慣性センサ― A4 DD01 FP

(57)【要約】【課題】 ガラスと接合された厚いシリコンを高断面比で加工する。【解決手段】 ガラス基板上にシリコンをボンディングし、ボンディングしたシリコンを希望の厚さに研磨した後、研磨したシリコンをRIEで蝕刻して構造体を形成し、蝕刻されたシリコンの溝を通じてシリコン構造体の底部ガラスを選択的に蝕刻してシリコン構造物を底部と分離させる。ガラスと接合された厚いシリコンを高断面比で加工して測定面積と厚さとを大きくし、信頼性及び性能を高める。マスクを一つだけ使用する簡単な製造工程なので、慣性センサーの製作コストを下げることができる。また、ガラスで形成された底面がRIE工程で確実な蝕刻停止層の役割をするので全体構造物の厚さを均一に維持できる。
15 2000-210900 1999/05/10 ロックウェル　サイエンス　センター，　エルエルシー 電気絶縁性の高いマイクロ・エレクトロメカニカルデバイスの製造方法 A2 PFX FP

(57)【要約】 （修正有）【課題】片持支持式ビーム等のマイクロ・エレクトロメカニカルデバイスを製造する。【解決手段】キャリヤ基板として絶縁ガラス基板を使用し、ＭＥＭコンポーネント材料として単結晶シリコンを使用し、シリコン基板上で生成されるドーピングされたシリコン層１０８の上面に二酸化シリコン等の絶縁材料のオプション層を堆積させる。二酸化シリコンはガラス基板１０２にエポキシ結合されて、シリコン−二酸化シリコン−エポキシ−ガラス構造を作る。シリコンは、異方性プラズマ乾式エッチング技術を使ってパターニングされ、次に、二酸化シリコン層１１０をパターニングするために第２パターニングが続き、酸素プラズマエッチングをし、エポキシ樹脂フィルムをアンダーカットし、シリコンＭＥＭコンポーネントを解放する。選択されたエリアに二酸化シリコン絶縁材料を保持することによって、ＭＥＭコンポーネントを機械的に支持する。
16 2000-211136 1999/12/06 三星電機株式会社 マイクロアクチュエ―タおよびその製造方法 A4 PCX FP

(57)【要約】【課題】 エッチングによって形成される圧電体の側面が、上部面から基板に至るなだらかな曲線形態を有するので、上部電極を圧電体の上部面から側面を経て基板へ延長することができ、上部電極を基板まで延長させることによって圧電体と電圧印加線間の連結の自由度を高める。【解決手段】 基板と、電圧および信号を印加するための電圧印加線と、前記基板の（上部に形成された下部電極と、前記下部電極の）上部に形成され、電圧印加線と連結される方に溝が形成されてエッチングされることによって、その部分に傾斜がなだらかな側面が形成された圧電体と、前記圧電体の上部から傾斜がなだらかな側面まで形成され、前記電圧印加線に連結される上部電極を構成する。
17 2000-233400 2000/02/09 エスティーマイクロエレクトロニクス　エス．アール．エル 残留応力を伴わない電気機械的超小型構造体を含む集積装置及びその製造方法 A2 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 残留応力を除去し又は相当に低減し得る超小型集積構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体材料の基板（２０）上に犠牲領域（２１）を形成し、そしてエピタキシャル層（２５）が成長し、その後、電気機械的超小型集積構造体が形成されるエピタキシャル層（２５）の領域（３３）を囲んで応力解放溝（３１）が形成され、その後、残留応力を解放するために、ウェハ（２８）が熱処理される。引き続いて、応力解放溝（３１）に誘電体材料のシール領域が充填され、そして集積構成素子が形成される。最後に、シール領域で囲まれた領域の内側に超小型構造体を画定する溝が形成され、その後、犠牲領域が除去され、そして、残留応力のない超小型集積構造体が形成される。
18 2000-246700 2000/02/25 エスティーマイクロエレクトロニクス　ソチエタ　レスポンサビリタ　リミテ 微小構造の製造方法 A4 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 微小構造の移動部分の懸架部の破断の危険を減じる解決方法を提供する。【解決手段】 少なくとも一つの固定領域及び移動領域を具備する微小構造の製造方法において、移動領域を固定領域と一時的に一体にする一時的な固定支持構造を形成する段階と、機械的圧力を受ける段階と、非機械的除去方法によって一時的な固定支持構造を除去する段階とを具備する。
19 2000-309000 2000/02/10 松下電工株式会社 半導体装置及びこれを用いた半導体マイクロアクチュエータ及び半導体マイクロバルブ及び半導体マイクロリレー並びに半導体装置の製造方法及び半導体マイクロアクチュエータの製造方法 A4 DC02 FP

(57)【要約】【課題】消費電力が小さく、かつ製造プロセスが簡単な半導体装置及びこれを用いた半導体マイクロアクチュエータ及び半導体マイクロバルブ及び半導体マイクロリレー並びに半導体装置の製造方法及び半導体マイクロアクチュエータの製造方法を提供する。【解決手段】枠体となる半導体基板３に熱絶縁領域７を介して可撓領域２の一端が連結されており、可撓領域２の他端は可動エレメント５が連設されている。この熱絶縁領域は、ポリイミド又はフッ素化樹脂などの樹脂からなる熱絶縁材料により構成されている。また、可撓領域２は互いに熱膨張係数の異なる薄肉部２Ｓと薄膜２Ｍにより構成されている。薄肉部２Ｓの表面に形成された拡散抵抗６が加熱されると、薄肉部２Ｓと薄膜２Ｍの熱膨張差により可撓領域２が変位し、可動エレメント５が半導体基板３に対して変位する。
20 2000-314842 2000/03/30 アジレント・テクノロジーズ・インク 光超小型機械及び光ビームの制御方法 A4 DA01 4

(57)【要約】【課題】ＣＭＯＳ回路へ適し、ミラーを低電圧で正確に位置決めできる光スイッチ。【解決手段】反射面を持つ反射素子（３０）は表面静電アクチュエータ（３４及び３６）に結合されている。前記表面静電アクチュエータが、静電力に応じて前記静電アクチュエータの固定部材（３６）に対して位置を移動させることが出来る可動部材（３４）を含む。可動部材は第一の面に第一の複数の電極を有し、固定部材は第二の複数の電極を、第一の面と対向する前記固定部材の第二の面上に有する。第一及び第二の複数の前記電極が、前記可動部材を前記第一及び第二の面に対して概ね平行な方向に横移動させる為の前記静電力を発生させる。反射素子が光ビームの経路において可動部材の移動により選択的に操作されるように、可動部材が前記反射素子に機械的に取り付けられている。
21 2000-315785 1999/04/30 キヤノン株式会社 ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体デバイス A4 DF02 FP

(57)【要約】【課題】 発光デバイス、光デバイス、磁性デバイス、マイクロデバイスなどの機能材料として、広い範囲で利用可能な細孔を有するナノ構造体を提供する。【解決手段】 被加工物を陽極酸化もしくは陽極化成して細孔を形成するナノ構造体の製造方法において、被加工物１１上のレジスト１３を干渉露光及び現像し、レジスト１３に被加工物１１表面まで貫通した部位１７を形成して規則的ナノ構造パターンを形成した後、被加工物１１を陽極酸化もしくは陽極化成することにより規則的ナノ構造パターンに対応して規則的配列した真円状の細孔２０を有する細孔体を形成する。
22 2000-317896 1999/05/07 東京工業大学長 薄膜平面構造体の製造方法 A4 PI02 4

(57)【要約】【課題】 薄膜加工体の内部応力を制御して、高い再現性の下に薄膜平面構造体製造する方法を提供する。【解決手段】 過冷却液体域を有する非晶質材料からなる薄膜を所定の基板上に形成する。次いで、この薄膜にウエットエッチングなどを施して、例えば片持ち梁形状の薄膜加工体を形成する。次いで、この薄膜加工体を前記過冷却液体域まで加熱処理して、好ましくは０．５〜５分保持する。その後、前記薄膜加工体を室温まで冷却する。次いで、前記基板の少なくとも一部をウエットエッチングなどによって除去し、片持ち梁形状の前記薄膜加工体からなる薄膜平面構造体を形成する。
23 2000-317897 1999/10/26 松下電工株式会社 熱絶縁構造体及びこれを用いた半導体マイクロアクチュエータ及び半導体マイクロバルブ及び半導体マイクロリレー A4 DC02 FP

(57)【要約】【課題】熱絶縁効率が高く、かつ製造プロセスが簡単な熱絶縁構造体及びこれを用いた半導体マイクロアクチュエータ及び半導体マイクロバルブ及び半導体マイクロリレーを提供する。【解決手段】中央の可動エレメント５に連接され外方に延びる４つの可撓領域２がそれぞれポリイミド、フッ素化樹脂等の熱絶縁材料からなる熱絶縁領域７を介して、枠体となる半導体基板３に接合される。この熱絶縁領域７は、半導体基板３と可撓領域２との間の可撓領域２の厚み内に、可撓領域２とほぼ同じ厚さで設けられている。可撓領域２上の表面に設けられた不純物拡散抵抗等よりなる加熱手段６により可撓領域２が加熱されると、この可撓領域２上に設けられたアルミニウム薄膜またはニッケル薄膜などからなる薄膜４との熱膨張差で可撓領域２が撓み可動エレメント５が変位する。
24 2000-317900 1999/05/07 東京工業大学長 薄膜構造体の製造方法 A4 PIX FP

(57)【要約】【課題】 高い生産性と高い再現性とを有し、成形後の形状安定性に優れた薄膜構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 過冷却液体域を有する非晶質材料からなる薄膜を所定に基板上に形成する。そして、この薄膜を前記過冷却液体域に加熱し、機械的な外力、静電的な外力などによって湾曲させ、薄膜構造体を形成する。そして、前記過冷却液体域から室温まで冷却することによって前記薄膜の変形を終了させる。
25 2000-337885 1999/12/28 三星電機株式会社 マイクロジャイロスコープ A4 DD02 FP

(57)【要約】【課題】 外部の振動による影響を極小化させることの出来るマイクロジャイロスコープを提供する。【解決手段】 外部フレーム120の内側にビーム弾性体を介してY軸方向に多数のコーム150が形成された内部質量部110の内部フレーム140の内側に、コーム150の間に隔離される状態で電極支持部160に固定支持される垂直方向感知電極170が配置され、内部質量部110の両側の二箇所に弾性体を介して加振可能なるように外部質量部210、210'が設置される。
26 2000-338445 1999/05/28 三菱電機株式会社 マイクロミラー装置およびその製造方法 A4 DA04 FP

(57)【要約】【課題】 ミラー部１０１が形成されるミラー形成基板１０２のサイズと、ミラー形成基板１０２の下部に設けた駆動電極１０５との間の距離であるギャップｇｏとにより、安定して走査される走査角度とこの走査に要する駆動電圧などが決定されていたため、低駆動電圧で大きな走査角度を実現するマイクロミラー装置を設計することが困難であるという課題があった。【解決手段】 ミラー部１が形成され、対向する２辺と直交する線上にねじれ梁３を有するミラー形成基板２と、支持基板６上に突出して設けられ、ねじれ梁３の端部を支持してミラー形成基板２を支持基板６上に固定するアンカー部４と、少なくともミラー形成基板２のねじれ梁３の片側外周を囲むように設けられ、ねじれ梁３の軸方向と平行に一端をミラー形成基板２に接続したリンク梁１０を有する駆動フレーム７と、この駆動フレーム７に駆動力を与える駆動力発生手段１２，１４，１４Ａ、１４Ｂとを備えた。
27 2000-340485 1999/05/28 株式会社日立製作所 微細加工法 A4 PEX FP

(57)【要約】【課題】レジスト膜厚が厚くかつ高解像度のパターンが描画できる微細加工法を提供する。【解決手段】走査プローブリソグラフィーを用い描画したパターン間の隙間を利用して微細な構造物を作製する。
28 2000-343499 2000/03/16 セイコーインスツルメンツ株式会社 マイクロポンプ及びその製造方法 A4 DC03 FP

(57)【要約】【課題】 流体の移送をおこなうポンプにおける、パッキンとバルブダイアフラムから構成されるバルブにおいて、天板とバルブダイアフラムが形成された基板を接合後に、天板上に設けた充填口よりパッキン原料を充填し、硬化させてパッキンを形成する場合、形状にばらつきのないパッキンを形成することが困難で、ポンプの流量精度や順方向に圧力がかかったときの耐圧性、吐出圧力などのポンプ性能が低下する。【解決手段】 パッキン原料が所望の位置にのみ充填され、それ以外の位置に拡散しないようにあらかじめガイド７を設けておくことにより、常に一定形状のパッキン８が形成できるような構造とする。またガイド７を形成せずに同様の効果を得る方法として、天板と基板を接合したのち、パッキン原料を充填し、必要な部位のみを選択的に硬化させ、その後不必要である未硬化のパッキンを除去する方法を用いる。
29 2000-348593 1999/06/04 オムロン株式会社 マイクロリレー A4 DBX FP

(57)【要約】【課題】 接触安定性の高いマイクロリレーを提供することを目的とする。【解決手段】 固定基板１０の上面のうち、固定接点１３，１４の間に、前記固定接点１３，１４の対向する先端縁部がはみ出す凹部１１ａを形成する。一方、前記可動接点２７の接触面にテーパ面２７ａ，２７ｂを形成する。
30 2000-348594 1998/12/22 日本電気株式会社 マイクロマシンスイッチおよびその製造方法 A4 DB01 FP

(57)【要約】【課題】 接触電極の反りを抑制する。【解決手段】 基板上に設けられた第１の信号線と、前記基板上に設けられかつ前記第１の信号線の端部から所定のギャップを隔てて端部の設けられた第２の信号線との間の導通／非導通を制御するマイクロマシンスイッチにおいて、前記基板上に前記ギャップと近接して設けられた支持部材によって前記基板上に支持された可撓性の梁部材と、この梁部材の前記基板側における少なくとも前記ギャップと対向する位置に設けられた接触電極と、前記基板上に前記梁部材の一部と対向して設けられた下部電極と、前記梁部材に前記下部電極と対向して設けられた中間電極とを備え、前記梁部材は、前記接触電極が設けられた面の反対側の面に、前記接触電極と対向して補強部材が設けられているものである。
31 2000-348595 1998/12/22 日本電気株式会社 マイクロマシンスイッチおよびその製造方法 A4 DB01 FP

(57)【要約】【課題】 従来よりも低い駆動電圧で動作可能とし、絶縁体膜の耐圧特性を上昇させることによってデバイス特性を改善する。【解決手段】 基板上に設けられた第１の信号線と、前記基板上に設けられかつ前記第１の信号線の端部から所定のギャップを隔てて端部の設けられた第２の信号線との間の導通／非導通を制御するマイクロマシンスイッチにおいて、前記基板上に前記ギャップと近接して設けられた支持部材によって前記基板上に支持された可撓性の梁部材と、この梁部材の前記基板側における少なくとも前記ギャップと対向する位置に設けられた接触電極と、前記基板上に前記梁部材の一部と対向して設けられた下部電極と、前記梁部材に前記下部電極と対向して設けられた中間電極とを備え、前記梁部材の一部または前記下部電極の少なくとも一方は、他方と向かい合う面積が互いに等しい複数の電極によって構成されている。
32 2000-505180 1996/12/11 ヒグラマ　アクツィエンゲゼルシャフト マイクロバルブ A4 DC02 6
WO1997/21930 (57)【要約】流体流量を制御するためのマイクロバルブは、封止端部を有するバルブ開口部（１２；４０）が設けられるバルブ本体（１０）、および流体開口部（１６；６０）が設けられるバルブプレート（１４）を含む。バルブプレート（１４）は、第１の位置において前記バルブプレート（１４）がバルブ開口部（１２；４０）を閉鎖するように、一方、第２の位置において前記バルブ開口部（１２；４０）および前記バルブプレート（１４）によって定められる流量断面が封止端部およびバルブプレート（１４）間の距離によって決定的に定められるようにバルブプレートが前記バルブ開口部（１２；４０）から垂直方向に距離が置かれるような方法で、バルブ本体（１０）に対して垂直に動くように調節される。バルブ開口部（１２；４０）の封止端部（４２）の外形は、封止端部（４２）の長さが面積が等しい正方形のバルブ開口部の封止端部（３９）の長さを超えるように、選択される。
33 2000-514928 1998/05/22 ガメラ　バイオサイエンス　コーポレイション ミクロ流体工学システムでの流動運動を駆動するために向心的加速を使用するための装置および方法 A4 DC01 DEX 3A
WO1998/53311 (57)【要約】本発明は、微量分析および微量合成分析並びに手順を行うための方法および装置を提供する。特に、本発明は、微量操作装置とともに使用して、回転によりプラットホームを操作し、それによって、プラットホームの回転から生じる向心力を、微量プラットホームに埋設された微細チャンネルを介した流体運動を誘導するのに利用するための微量システムプラットホームを提供する。ミクロ流体工学構成要素、対抗性加熱要素、温度感知要素、混合構造、キャピラリーおよび捨てバルブを有する本発明の微量システムプラットホームおよび、生物学的、酵素的、免疫学的、および化学的アッセイを行うためのこれらの微量システムプラットホームを使用する方法を提供する。本発明の微量システムプラットホームに、それから電気的信号を伝達することができる電気スピンドル設計ローターも、提供される。
34 2000-516544 1997/10/01 コミツサリア　タ　レネルジー　アトミーク 堅牢な基板内に絶縁部分を備えた構造およびその製造方法 A4 DD01 DD03 FP
WO1998/14787 (57)【要約】本発明は、第１部分（１４）と、該第１部分（１４）に対して電気的に絶縁された少なくとも１つの第２部分（１６）と、を具備する構造に関するものであって、この場合、第１部分および第２部分は、各々が、同一の材料プレート内に形成されるとともに、実質的に同一の厚さとされ、さらに、実質的に同一の平面内に延在し、しかも、少なくとも１つの相互に隣接するエッジ（１８、２０）を有し、これら隣接エッジどうしは、空間（１２ａ、１２ｂ）によって隔離されている。構造は、さらに、第１部分および第２部分を一体とするために、空間内に設けられるとともに絶縁材料からなる少なくとも１つのジョイント（２８ａ、２８ｂ）を具備している。本発明は、センサ、および、絶縁回路を作製するのに有効である。
35 2001-009798 1999/06/29 東京工業大学長 静電マイクロアクチュエータの製造方法 A4 PI02 FP

(57)【要約】【課題】 垂直方向への大きな駆動が可能であるとともに、駆動力の発生点が駆動中において変化することのない、新たな静電マイクロアクチュエータを製造する方法を提供する。【解決手段】 基板１と、基板電極絶縁層２と、基板電極３と、駆動電極絶縁層５と、過冷却液体域を有する非晶質材料からなる平面電極１１とがこの順に積層されてなるアセンブリを設置治具１２に上下逆向きに設置する。そして、平面電極１１を前記非晶質材料の過冷却液体域に加熱することにより軟化させ、平面電極１１自身の自重によって下方に向かって変形させる。これによって、螺旋状の駆動電極１４を得、静電マイクロアクチュエータを完成させる。
36 2001-009799 2000/03/22 エスティーマイクロエレクトロニクス　エス．アール．エル 埋込接続を備えた微小集積構造、特に、ハードディスクドライブユニット用の集積マイクロアクチュエータを製造する方法 A2 PIX FP

(57)【要約】【課題】 実用的なバイアス電圧値を増大することである。【解決手段】 本方法は、微小集積構造、概してハードディスクドライブユニット用のマイクロアクチュエータであり、半導体材料の基板３１内に内部接続領域３２ａ，３２ｂを形成し、単結晶質エピタキシャル領域３３を形成し、単結晶質エピタキシャル領域内で内部接続領域に直接接触する下方食い込み領域３５ａ，３５ｂを形成し、単結晶質エピタキシャル領域３３の構成部に絶縁材領域４０，４１を形成し、単結晶質エピタキシャル領域の構成部の上方に多結晶質部４５′と、他の場所では単結晶質部４５″とで形成された擬似エピタキシャル領域４５を成長させ、多結晶質部内で下方食い込み領域に直接接触する上方食い込み領域４６，４７を形成するステップを含む。これにより、擬似エピタキシャル領域の多結晶質部４５′の内部にＰＮ接続が存在せず、構造が高い破壊電圧を有する。
37 2001-013443 1999/06/29 富士通株式会社 ガルバノマイクロミラー A4 DA04 6

(57)【要約】【課題】 製造コストの上昇を極力抑えつつ、ダンピングの発生を良好に防止できるガルバノマイクロミラーを提供する。【解決手段】 枠状の基部６と、一方の主面に光を反射させるミラー面１２が形成され、他方の主面に電極板１４ａ，１４ｂが形成されたミラー部８と、基部６とミラー部８とを連結し、かつミラー部８を所定の角度範囲で回動可能に支持するトーションバー部１０とを含むミラー基板４と、電極板１４ａ，１４ｂに対向する電極板１８ａ，１８ｂが形成された電極基板２とを有し、電極板１４ａ，１４ｂと電極板１８ａ，１８ｂとの間に電圧を印加することにより、静電引力によってミラー部８をトーションバー部１０の軸芯周りに微小角度回動させるガルバノマイクロミラーであって、電極基板２のミラー部８との対向面の一部に、電極基板２を厚み方向に貫通する貫通孔１６を形成した。
38 2001-026000 2000/04/28 松下電器産業株式会社 有機分子膜を含む構造体およびその利用 A1 DF01 2

(57)【要約】【課題】微小なギャップを介して近接して相対する二つの基体表面からなる構造体の微小ギャップを維持する構造を開発し、かかる構造体の利用を図る。【解決手段】近接して相対する二つの基体表面の少なくとも一方に有機分子膜が形成され、この有機分子膜表面と、相対する基体表面または基体表面上の有機分子膜表面とのギャップが通常１００μｍ未満、好ましくは１μｍ未満に維持される構造体を提供すると共に、かかる構造体を含むモータ、アクチュエーター、除振装置等を提供する。
39 2001-033713 2000/05/26 エルジー電子株式会社 マイクロミラー素子並びにそれを用いた光ピックアップ装置 A4 DA04 FP

(57)【要約】 （修正有）【課題】 光ピックアップ装置において、光ビームの位置を微調整させる。【解決手段】 光源から発生した光を光に４５度傾斜していて、その４５度の方向並進移動するミラーによって反射させるようにした。そして、そのミラーの並進移動はミラーを正方形の支持体に載せ、その支持体の各辺に片持ちばりをその先端部で支持体を支えるように配置し、片持ちばりの表面に圧電体を配置して、圧電体への電圧の印加によって圧電体を変位させ、ひいては片持ちばりを変位させてミラーを並進移動させる。
40 2001-035288 1999/07/26 オムロン株式会社 マイクロリレーの接点表面構造及び接点表面加工方法 A4 DB01 1

(57)【要約】【課題】 接点表面であっても、複数の突部を形成する。【解決手段】 接点表面に、接点１０の面方位の違いによる酸化レートの差を利用してエッチングマスク５を選択的に形成する。そして、エッチングによりエッチングマスク５及び接点表面を除去する。その後、接点メタル８を形成することにより突部９を得る。
41 2001-038698 1999/07/27 松下電工株式会社 半導体マイクロ構造体及びその製造方法 A4 PC01 FP

(57)【要約】【課題】チップサイズの増大無しに且つ互いに隣接する２つのＶ型の溝を形成することができる半導体マイクロ構造体及びその製造方法を提供するにある。【解決手段】２つのＶ型の溝を形成するに当たり、シリコン基板２０の溝形成部位の一つに段差２２を予め形成した上で、エッチング保護膜２３をシリコン基板１２０の表面に形成する。このエッチング保護膜２３の形成後、２つのＶ型の溝を形成する領域外のエッチング保護膜２３の表面に溝領域規定用レジストマスク２４を形成する。レジストマスク２４の形成後、ＲＩＥ装置によりエッチング保護膜２３の一部をエッチング加工した後、不要な溝領域規定用レジストマスク２４を除去する。ここで段差２２の側壁部にエッチングされずに残ったエッチング保護膜が分離用エッチング保護膜２３’を構成する。この後水酸化カリウム水溶液等のエッチング液により、異方性エッチングを行いＶ型の溝２５，２６を形成する。
42 2001-041837 1999/07/27 松下電工株式会社 半導体センサおよびその製造方法 A4 PG01 FP

(57)【要約】【課題】接合強度および生産性が高く高精度化が可能な半導体センサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板３０’と支持用のシリコンウェハ４０’とを重ね合わせる（図１（ａ））。その後、ガラス基板３０’とシリコンウェハ４０’とを陽極接合する（図１（ｂ））。ガラス基板３０’の主表面上の析出層３１を除去した後、ガラス基板３０’を研磨して厚みを調整する。その後、圧力センシング用のデバイスを形成したシリコンウェハ１’とガラス基板３０’とを陽極接合する。次に、ダイシング工程にて個々のチップに切り出す。センサチップＣは、図１（ｃ）中に一点鎖線で示した位置で分割され、同図中の１はシリコンウェハ１’から切り出された第１の基板を示し、３０はガラス基板３０’から切り出されたガラス板を示し、４０はシリコンウェハ４０’から切り出された第２の基板を示す。
43 2001-041973 1999/07/27 株式会社デンソー 半導体力学量センサ A4 DD01 2

(57)【要約】【課題】 差動容量式の半導体加速度センサにおいて、センサの加工ばらつきにより、支持基板の開口縁部に固定される固定電極部の配線部の寄生容量がばらついても、センサのオフセットを極力低減可能とする。【解決手段】 センサ１００は、可動電極部３０との間に各々第１の検出容量ＣＳ１、第２の検出容量ＣＳ２を形成する第１の固定電極部４０、５０及び第２の固定電極部６０、７０を備える。第１及び第２の固定電極部４０〜７０を共に、各々が支持基板２０の開口部２１上にて可動電極部３０に対向配置された第１及び第２の対向電極４２、５２、６２、７２と、支持基板２０に固定されて第１及び第２の対向電極４２〜７２をそれぞれ支持する第１及び第２の配線部４１、５１、６１、７１とにより構成し、これら両配線部４１〜７１を互いに電気的に独立させ支持基板２０の開口縁部において互いに対向するように配置する。
44 2001-052587 1999/08/03 オムロン株式会社 マイクロリレー A4 DBX 4d

(57)【要約】【課題】 基板をシリコンウェハにより形成し、高周波信号を取り扱う場合であっても、所望のアイソレーション特性およびインサーション・ロス特定を得ると共に、不要輻射の発生を防止する。【解決手段】 可動接点１５に導通し、かつ、可動基板２の上面に露出する上方接点部１５ａを設ける。固定基板１に、可動基板２を覆うキャップ部材３を設ける。キャップ部材３に、可動基板２の非駆動時に、上方接点部１５ａに接続される導電部１９を形成すると共に、該導電部１９を接地する。
45 2001-054900 2000/07/17 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロメカニズムの構成部材を製造するための方法 A4 PI02 FP

(57)【要約】【解決手段】 サブストレート１上に犠牲層２を施し、かつ犠牲層上にシリコン層３を施して、シリコン層から構造体１０，１１を形成し、次いで構造体の少なくとも一部分１１の下側で犠牲層を除去することによって、マイクロメカニズムの構成部材を製造するための方法において、シリコン層をインプランテーションプロセスによってドーピングする。【効果】 シリコン層内に応力をほとんど生ぜしめることなく、若しくは応力を意識的にコントロールして、シリコン層からマイクロメカニズムの構成部材、即ち微小構造体を正確に形成できる。
46 2001-057358 2000/06/19 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 薄膜を備えたセンサを製作するための方法 A4 PA01 PA02 FP

(57)【要約】【課題】 膜厚を正確にコントロールすることのできる、薄膜を備えたセンサの製作法を提供することである。【解決手段】 窒化珪素層をＬＰＣＶＤプロセス又はＰＥＣＶＤプロセスに基づき堆積させ、前記窒化珪素層（３）においてストップするエッチングプロセスを用いるようにした。
47 2001-066321 2000/07/03 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロマシニング型の構成エレメント A4 DD01 2

(57)【要約】【課題】 固定のストッパにサイズモ質量体が付着したままとなることを回避する。【解決手段】 第１の撓みばね装置を介して基板上にばね弾性的に支承されたサイズモ質量体３が設けられていて、該サイズモ質量体３が、加速により少なくとも１つの方向ｘに変位可能であり、しかも変位がストッパ装置によって制限可能であり、該ストッパ装置が、第２の撓みばね装置５０を介して基板上にばね弾性的に支承された少なくとも１つのストッパ５１を有しており、第２の撓みばね装置５０が、第１の撓みばね装置２，１２よりも高い曲げ剛性を有している。
48 2001-076605 2000/01/12 株式会社アドバンテスト 集積型マイクロスイッチおよびその製造方法 A4 DB01 FP

(57)【要約】【課題】 耐久性の高い集積型マイクロスイッチを提供する。【解決手段】 可動板をシーソー運動可能な状態に支持し、この可動板を静電気力または磁気力によってシーソー運動させ、可動板の両方の遊端に装着した可動接点によって固定接点間を電気的に断続制御する構造とした集積型マイクロスイッチ。
49 2001-084884 2000/07/13 ティーアールダブリュー・インコーポレーテッド 平面エアブリッジＭＥＭＳスイッチ A4 DB01 4

(57)【要約】【課題】 多数のストロークを含み、単一のメタライゼーション層のみを利用して製造可能なＲＦスイッチ、およびＲＦスイッチの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明によるスイッチは、１つ以上の金属トレースに隣接して配置されているエアーブリッジ懸垂ビーム２４を含む。エアブリッジ懸垂ビームに隣接して、１つ以上の制御パッドを２６，２８配置し、スイッチを静電的に動作させる。懸垂ビームならびに金属トレースおよび接点パッドは全て、単一のメタライゼーション層によって製作する。スイッチは、ビームの撓みが基板の面に対してほぼ平行な面内で生ずるように構成されている。多数のメタライゼーション層を不要とすることによって、スイッチ製造の複雑性が大幅に緩和する。更に、このスイッチ構成により、単一のメタライゼーション・レベルを用いて、多投多極も可能となる。
50 2001-088096 1999/09/14 財団法人川村理化学研究所 吸収式送液機構を有する微小ケミカルデバイス A4 DE01 DEX FP

(57)【要約】【課題】 反応、分析、検査などの目的で微小ケミカルデバイスを多数並列に設置し、同時に稼働させる場合に、多数の送液手段を必要としない微小ケミカルデバイスを提供すること。【解決手段】 互いに接着された２つの部材間に毛細管状の流路を形成し、流路の一方の端を該微小ケミカルデバイスの外部に連絡し、流路の他方の端に連絡して、多孔質体から成る液体吸収部を設け、液体吸収部の空隙体積を特定の範囲とする。また、液体吸収部を毛細管状の流路を有する部材とは別の部材に形成し、これらの部材を連結・固定する。
51 2001-088098 1999/09/14 財団法人川村理化学研究所 減圧送液機構を有する微小ケミカルデバイス A4 DEX FP

(57)【要約】【課題】 反応、分析、検査などの目的で微小ケミカルデバイスを多数並列に設置し、同時に稼働させる場合に、多数の送液手段を必要としない微小ケミカルデバイスを提供すること。【解決手段】 互いに接着された２つの部材間に毛細管状の流路を形成し、該流路に連絡して減圧室を設ける。また、減圧室を毛細管状の流路を有する部材とは別の部材に形成し、これらの部材を連結・固定する。
52 2001-099855 2000/08/14 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロマシニング型の回転角加速度センサ A4 DD01 5

(57)【要約】【課題】 比較的単純な電子評価装置しか必要としないマイクロマシニング型の回転角加速度センサを提供する。【解決手段】 リング状のはずみ質量体１０が、撓みばね装置１５ａ，１５ｂ，１５ｃを介して中央の固定装置２０に結合されており、はずみ質量体１０が、回転軸線ｚを中心にして、検出したい回転角加速度によって弾性的に静止位置から変位可能であり、はずみ質量体１０に、変位可能な第１のコンデンサプレート装置１０１〜１０６が設けられており、基板上に、固定の第２のコンデンサプレート装置２０１〜２１８が設けられており、両コンデンサプレート装置が、回転軸線ｚを中心とした回転角加速度を表すパラメータｘを検出するための差動コンデンサ装置として形成されている。
53 2001-099861 1999/09/30 株式会社デンソー 容量式物理量検出装置 A4 DD01 FP

(57)【要約】【課題】 別体の自己診断用の電極を設けることなく、効率的に自己診断を可能な容量式半導体加速度センサを提供する。【解決手段】 加速度センサ１００は、梁の長手方向と直交する方向に変位する梁部２２を有し、この梁部２２に一体に形成された可動電極２４と固定電極３２、４２との間に周期的に変化する信号を印加して、これら両電極間の容量ＣＳ１、ＣＳ２の差動容量変化に応じた電圧を出力することにより加速度を検出する。ここで、加速度を検出するための検出信号と自己診断信号とを切り替えて印加し、自己診断信号の印加によって可動電極２４に疑似的な加速度を発生させるようになっており、可動電極２４の変位方向の梁幅Ｗ１を梁部２２の変位方向の梁幅Ｗ２と略同一とし且つ可動電極２４の変位方向の剛性を梁部２２の変位方向の剛性よりも大きくしている。
54 2001-102597 1999/09/30 富士電機株式会社 半導体構造およびその製造方法 A4 DD01 FP

(57)【要約】【課題】 特殊な工程を用いることなく、スティッキング現象を防止して歩留りを向上させ、安価で、信頼性を高めること。【解決手段】 基板１００から離間した可動自在な検出構造体１０３を有する半導体装置を作製するに際して、検出構造体１０３の下面に先端部の面積が狭くなった凸部１２０を設け、検出構造体１０３の下面と基板１００の表面との接触面積を減少させ、液体の表面張力３００によって発生する検出構造体１０３の下面から基板１００の表面方向への吸引力Ｆを減少させる。
55 2001-102804 1999/09/30 日本電気株式会社 移相器およびその製造方法 A4 DB01 2

(57)【要約】【課題】 スイッチング素子としてマイクロマシンスイッチを使用する移相器を小型化する。【解決手段】 一端が第２の分布定数線路３ａ，３ｂに固定されるとともに他端が第１の分布定数線路２ａ，２ｂと接離自在に形成されたカンチレバー１１ａ，１１ｂと、第１の分布定数線路２ａ，２ｂとカンチレバー１１ａ，１１ｂとの対向領域に形成された第１の絶縁手段と、第１の絶縁手段と共に第１の制御信号４の電圧値を保持する第２の絶縁手段１５ａ，１５ｂを含むマイクロマシンスイッチを備える。
56 2001-105399 2000/08/16 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロメカニックな構造エレメントを製作する方法 A4 PIX FP

(57)【要約】【課題】 マイクロメカニックな構造要素の機能能力の確実性を増大させる。【解決手段】 基板（１）の前面（ＶＳ）上のマイクロメカニックな組織（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）上に保護層（Ｓ）を取り付ける段階と、少なくとも一時的に、前面（ＶＳ）上のマイクロメカニックな組織（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３）を支えて、背面（ＲＳ）上にマイクロメカニックな組織（Ｂ４）を形成する段階と、前面（ＶＳ）上の保護層（Ｓ）を除去する段階とを備えている。
57 2001-113500 1999/10/14 セイコーエプソン株式会社 半導体基板上に構造物を有する装置の製造方法 A2 DA01 PI01 FP

(57)【要約】【課題】 樹脂の構造物をアクチュエータの上部にもつ光スイッチング素子を製造できる方法を提供する。【解決手段】 アクチュエータ部６あるいは樹脂製の光学素子部３を形成するときの犠牲層３２および３４をアモルファスシリコンにして、光学素子部３、半導体基板２０などに影響を与えないで犠牲層３２および３４をフッ化ガス４８により除去できるようにする。
58 2001-116159 2000/08/29 ジェイディーエス　ユニフェイズ　インコーポレイテッド マイクロアクチュエータおよびマイクロアクチュエータを使用したマイクロ電気機械式バルブ並びにそのバルブの製造方法 A4 DC02 2

(57)【要約】【課題】 動作エネルギの効率がよく小型のマイクロ電気機械式バルブを提供する。【解決手段】 基板５０上に間隔を介して対の支持体２２を配置する。支持体２２間には単結晶アーチ梁２４を掛け渡す。アーチ梁２４にはアクチュエータ部材２６を連結し、このアクチュエータ部材２６にバルブ板３０を結合する。支持体２２間に電位差を与えてアーチ梁２４に電流を流すことで、アーチ梁２４を通電加熱してアーチ梁２４を湾曲変位し、アクチュエータ部材２６を介してバルブ板３０をその湾曲変位方向に移動する。アーチ梁２４の通電加熱と通電加熱停止によって、バルブ板３０の腕３０ａを基板５０に設けたバルブ開口４０の閉鎖位置と開放位置間に移動し、バルブ開口４０の開閉を制御する。
59 2001-117027 2000/09/01 ルーセント　テクノロジーズ　インコーポレーテッド マイクロ電気機械光学デバイス A4 PI02 3

(57)【要約】【課題】 それに結合された光学デバイスの運動を制御することができるマイクロ電気機械光学デバイスを提供すること。【解決手段】 それに結合された光学デバイスの運動を制御するマイクロ電気機械構造を開示する。電気機械構造および光学デバイスはともに基板表面上に配設される。電気機械構造は、光学デバイスの運動を制御する際には、最初に光学デバイスを基板表面の平面の上方に所定距離だけ上昇させる。その後、上昇させた光学デバイスを、電気機械構造と基板の間に生成された静電界に応答して基板表面の平面に対して相対的に動作させることができる
60 2001-117028 2000/09/01 ルーセント　テクノロジーズ　インコーポレーテッド マイクロ電気機械光学デバイス A4 DA04 FP

(57)【要約】【課題】 結合された光学デバイスの運動を制御することができるマイクロ電気機械光学デバイスを提供すること。【解決手段】 マイクロ電気機械光学デバイスを開示する。マイクロ電気機械光学デバイスは、光学デバイスに結合されたマイクロ電気機械構造を含む。マイクロ電気機械構造および光学デバイスは、ともに基板表面上に配設される。マイクロ電気機械構造は、光学デバイスを基板表面の平面の上方に所定距離だけ上昇させる。その後、上昇させた光学デバイスは、光学デバイスと基板の間に生成した静電界に応答して基板表面の平面に対して相対的に動作させることができる。
61 2001-117029 2000/09/01 ルーセント　テクノロジーズ　インコーポレーテッド マイクロ電気機械光学デバイス A4 DA04 FP

(57)【要約】【課題】 光学デバイスの運動の範囲を増大させる方法を提供すること。【解決手段】 光学デバイスをその１つまたは複数の軸の周りで枢動させる方法を開示する。ばねで光学デバイスをマイクロ電気機械構造に結合する。これらのばねの一部分は、マイクロ電気機械構造上に固定される。各ばねのこの部分を電気機械構造上に固定することにより、光学デバイスが１つまたは複数の軸の周りで枢動するときに、ばねが光学デバイスを並進方向に移動させることを防止する。
62 2001-121499 2000/09/05 モトローラ・インコーポレイテッド マイクロマシン構造体および製造方法 A4 DD01 FP

(57)【要約】【課題】横方向に検出可能なマイクロマシン化された容量加速度センサを提供する。【解決手段】容量性要素を形成する検出フィンガのスティクションに対して、耐性を強化した横方向に検出可能なマイクロマシン化された容量加速度センサは、梁のように形成された固定検出フィンガ（３１６，３１８，５１６，５１８，５３６，５３８）を含み、それらの各フィンガは、複数の支持要素または固定体（３２０，３２２，３３０，３３２，３３４，３３６，５２０，５３０）によって支持される。慣性質量（３０４，５０２）に付加されたフィンガ要素（３１２，５１２）は、根元と同様に先端でも互いに締結でき、それによって一斉に動くフィンガの横方向および縦方向の硬度もまた増加する。
63 2001-124014 1999/10/26 松下電工株式会社 マイクロ加工センサモジュールの実装構造及びその製造方法 A4 DD03 FP

(57)【要約】【課題】 マイクロ加工センサモジュールのさらなる小型化を可能とするマイクロ加工センサモジュールの実装構造及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 流体の流路４を形成した台座３に、流体の流量を制御するマイクロバルブ１と、流体の圧力を検知する圧力センサ２を実装したマイクロ加工センサモジュールの実装構造において、台座３の中に、第１の流路４ａをある所定方向に設け、該第１の流路４ａとは異なる方向に第２の流路４ｂを設けて両者が交差して一体の流路４となるように形成するとともに、台座３の表面に少なくとも３個の流路の孔を形成し、第１の孔にマイクロバルブ１を実装し、第２の孔に圧力センサ２を実装し、第３の孔を流体導入孔としたことを特徴とする。
64 2001-125036 1999/10/29 ミヨタ株式会社 プレーナ型ガルバノミラー A4 DA04 FP

(57)【要約】【課題】 外的応力の影響を受けにくく、実装性、生産性の良いプレーナ型ガルバノミラーを得る。【解決手段】 半導体基板に、平板状の可動板と該可動板を半導体基板に対して基板上下方向に揺動可能に軸支するトーションバーとを一体形成し、前記可動板の一方の面にミラーを形成し、他方の面に磁界を発生する平面コイルを形成したプレーナ型ガルバノミラーチップと、前記チップのトーションバーの軸方向と平行に配置された可動板の対辺の平面コイルに磁界を作用させるための対をなす永久磁石と、ヨークとで構成されるプレーナ型ガルバノミラーにおいて、前記チップを台座基板に搭載し、該台座基板に設けたバネ部材により前記チップを押圧して固定すると共に前記チップと前記台座基板との電気的導通を確保し、ベース基板上に前記台座基板と永久磁石とヨークを固定してプレーナ型ガルバノミラーを構成する。
65 2001-126603 1998/12/22 日本電気株式会社 マイクロマシンスイッチおよびその製造方法 A4 DB01 FP

(57)【要約】【課題】 大量生産可能で安価かつ高性能なマイクロマシンスイッチを実現する。【解決手段】 基板上にギャップと近接して設けられた支持部材によって基板上に支持された可撓性の梁部材と、この梁部材の基板側における少なくともギャップと対向する位置に設けられた接触電極と、基板上に梁部材の一部と対向して設けられた下部電極とを備え、梁部材は、支持部材との接続部分から下部電極と対向する位置にかけて導電性を有することにより上部電極として機能し、かつ、少なくとも支持部材との接続部分から下部電極と対向する位置までの間の一部の領域で、基板面に平行な梁部材の中心面に対して基板面に直交する厚み方向に沿った熱膨張係数が対称となるように配置された二種類以上の材料によって構成されており、かつ、接触電極が、梁部材における基板側の面に設けられた場合の絶縁性部材よりも厚い絶縁性部材を介して設けられている。
66 2001-129798 2000/08/25 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 表面マイクロマシニング型構造体の製法 A4 PI02 5

(57)【要約】【課題】 表面マイクロマシニング型構造体の製法【解決手段】 加熱可能な基板（２５）上に、少なくとも大部分又は部分的に二酸化シリコンからなる犠牲層（２）を設置し、かつパターン化し、該犠牲層（２）上に第２の層（３）を堆積させ、かつパターン化し、並びに犠牲層（２）をエッチングプロセスで気体状のフッ化水素酸含有エッチング媒体（２４）により除去して、表面マイクロマシニング型構造体（９）を生じさせる製法において、犠牲層（２）の除去の進行に伴い、エッチング媒体（２４）中の相対湿度を制御変化させる。
67 2001-129800 1999/11/04 科学技術振興事業団 フィードスルー付き基板とその製造方法 A4 PHX FP

(57)【要約】【課題】 マイクロマシンセンサーやアクチュエータ等を搭載したマイクロパッケージ製品の製造において、マイクロデバイスのパッケージ工程の単純化を実現し、さらには、マイクロパッケージ製品の小型化にも貢献する新しい基板材料を提供する。【解決手段】 マイクロデバイスのパッケージに用いられる基板であって、基板（３１）内部に基板表面から基板裏面を貫通する配線（３３）を具備し、この配線により基板表面と基板裏面の間に電気的導通を有する。
68 2001-132861 1999/11/05 株式会社荏原製作所 微小バルブ A4 DC02 FP

(57)【要約】【課題】 マイクロマシン等の微細流路用の流量制御素子として、構造が簡単で且つ制御が容易であり、更に交換修理も可能な微小バルブを提供する。【解決手段】 微細流路８と、流路内に配置され流路を開放又は閉塞する微小弁体１０とからなり、微小弁体１０は、電気分極性を有する強磁性超微粒子１及び反磁性超微粒子２とを分散させたコロイド溶液を、微小カプセル４に内包したものである。
69 2001-133477 2000/09/07 エスティマイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ マイクロアクチュエータを有する半導体一体型慣性センサ A4 DD01 FP

(57)【要約】【課題】 較正マイクロアクチュエータを有する半導体一体型慣性センサを形成すること。【解決手段】 本発明の慣性センサは、半導体材料のボディ内に一体化された慣性センサであって、静電気的に１つに結合された固定子エレメントおよび回転子エレメントを含み、回転子エレメントが、移動体と、半導体材料のボディ内に一体化されたマイクロアクチュエータ手段とを含む慣性センサであって、マイクロアクチュエータ手段が、回転子エレメントの該移動体に接続されるかまたは同一平面にあることを特徴とする。
70 2001-137613 1999/11/11 財団法人川村理化学研究所 抽出機構を有する微小ケミカルデバイス A4 DEX FP

(57)【要約】【課題】 微少量の互いに混和しない液体を層状に接触させて安定して流すことにより液液間物質移動を行わしめる微小ケミカルデバイスを提供すること。また、その後、互いに接触している液体を再び連続的に分離、回収することのできる微小ケミカルデバイスを提供すること。【解決手段】 断面積が１×１０-12m2 〜１×１０-6m2の範囲にある毛細管状の流路を有する微小ケミカルデバイスであって、流路の内面が、水との接触角が２５゜以下の低接触角部分と、水との接触角が低接触角部分のそれより１０゜以上高い高接触角部分を有し、かつ、低接触角部分と高接触角部分がそれぞれ流路の上流端から下流端にわたって途切れずに連続している微小ケミカルデバイス。
71 2001-138296 1999/11/15 松下電工株式会社 半導体マイクロバルブ A4 DC02 FP

(57)【要約】【課題】駆動性の良好な半導体マイクロバルブを提供する。【解決手段】第２の基板２の可撓部３が撓むことにより弁体４が変位し、第１の基板１に形成された貫通孔７の上面開口部７ｂの外周部に位置する弁座部７ａと、弁体４の下面部４ａとの距離が変化し、貫通孔７に流れる流体の流量が調整される。第１の基板１と第２の基板２とは緩衝層１０を介して接合される。
72 2001-138298 2000/09/12 ジェイディーエス　ユニフェイズ　インコーポレイテッド ＭＥＭＳ熱式アクチュエータ、ＭＥＭＳ熱式アクチュエータシステムおよびＭＥＭＳ熱式アクチュエータの製造方法 A4 PIX FP

(57)【要約】【課題】 ＭＥＭＳ熱式アクチュエータを提供する。【解決手段】 マイクロ電子基板１４上に片持ち梁状の合成梁１２を基板表面に沿って伸長して設け、合成梁１２の基端をアンカー部を介して基板１４に取付ける。アンカー部は空隙３６を介して第１と第２のアンカー部１８，２０とする。各アンカー部１８，２０上に対応する接触部３２，３４を形成する。合成梁１２は第１層２８と第２層の垂直向きの重層構造とする。第１層２８はシリコンにより形成し、第２層３０は金属層とする。第１層２８のシリコン材の画定領域にドープ処理を行って電気抵抗を持つ伝導経路を形成する。第１接触部３２から第１層２８の電気抵抗通路、第２層３０、を順に通って第２接触部３４に至る経路に電流を流す。この通電により、第１層２８の電気抵抗通路が発熱し、第１層２８と第２層３０の熱膨張係数の違いにより、合成梁１２を基板１４の面に平行に曲げ変位させて熱作動力を発生させる。
73 2001-141092 1999/11/15 松下電工株式会社 半導体マイクロバルブ A4 DC02 FP

(57)【要約】【課題】電力当たりのビームの変位量が大きな半導体マイクロバルブを提供する。【解決手段】第１の基板１０は、厚み方向に貫設された弁口１２を中央部に有し、第２の基板２０側の一面において弁口１２の周縁には、第２の基板２０に設けられた弁体２３が離接する弁座１３が突設されている。第２の基板２０は、シリコン基板よりなり、該第２の基板２０の周部２１である支持部に複数のビーム２２を介して支持されるとともにビーム２２の撓みに応じて上記弁座１３に離接する上記弁体２３とを備えている。ビーム２２上には、ビーム２２とともにバイメタルを構成するバイメタル素膜２４が積層されている。弁口１２を通して流入した流体をビーム２２近傍を通さずに排出可能とする位置に排出孔３０が設けられ、ビーム２２および弁体２３を覆うように支持部２１の上面に全周にわたって第２の基板２０に結合されたパッケージ４０を備えている。
74 2001-141463 1999/11/15 日本特殊陶業株式会社 マイクロ構造物及びその製造方法 A4 PH03 FP

(57)【要約】【目的】 素子の導通信頼性の向上と製造コストの低減を両立したマイクロ構造物及びその製造方法を提供すること。【構成】 マイクロ構造体からの電気的信号を取り出すためにマイクロ構造体に電気的に接続された少なくとも１つの接続端子部と、接続端子部から貫通孔を介して電気的信号を取り出すために形成された貫通孔導体とを備えたマイクロ構造物であって、接続端子部の貫通孔の開口面が対向する部分の少なくとも一部に凹部を有するとともに、貫通孔導体の少なくとも一部が該凹部に接するように構成する。
75 2001-143595 2000/09/06 モトローラ・インコーポレイテッド マイクロ・エレクトロメカニカルＲＦスイッチをベースにした折り返しバネとその製造方法 A4 DB01 5

(57)【要約】【課題】 マイクロ・エレクトロメカニカルRFスイッチをベースにした折り返しバネとその製造方法が提供される。【解決手段】 マイクロ・エレクトロメカニカル・スイッチ１０は、バネ懸架装置２２の上に懸架されたマイクロプラットフォーム構造２０を用いて、基板１２上に形成される。バネ懸架装置は、１つの端部でアンカー構造２４に付着されて、信号ライン１８上で、実質的に直交する方向で伸びる。マイクロプラットフォーム２０は、信号ライン内の間隙２１に面して配置される短絡片３４を有し、電気接点ポストが、信号ライン上に形成されて、コンデンサ構造を形成し、このコンデンサ構造は、選択された電圧が印加されると、静電気より、底部電極１４の方向に引きつけられる。このスイッチは、２０ＧＨｚにおける電気的分離が３５ｄＢ、挿入損が０．５ｄＢの状態で、ＤＣから少なくとも５０ＧＨｚまで機能する。ＲＦスイッチは、ワイヤレス通信を含む電気通信において用途を有する。
76 2001-147236 2000/09/08 エスティマイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ 機械的応力に対して不感受性であるマイクロ電気機械構造体 A4 DB03 DB04 DD01 DD02 DDX PI02 PI03 MA01 MA02 9

(57)【要約】【課題】 機械的応力に対して不感受性であるマイクロ電気機械構造体を提供すること。【解決手段】 マイクロ電気機械構造体は、重心軸を有するとともに該重心軸に対して距離をおいて配置された懸架領域を含む回転子部材を備えたマイクロ電気機械構造体であって、回転子部材が重心軸に沿って延びる単一の固定部に接続されている。
77 2001-148310 2000/09/21 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロコイル A4 DBX PA03 PB03 MD06 MI01 MI02 2

(57)【要約】【課題】 高電流使用のために適した高インダクタンス及び低抵抗のコイルを構成できるような、アディティブ技術で構成されたマイクロコイル用の構造を提供することにある。【解決手段】 アディティブ技術により基板表面（１）に構成されているコイルにおいて、コイルの導体（６）が、絶縁材料（１１）に接触接続していて、該絶縁材料が、少なくとも部分的にダイヤモンド又はダイヤモンドに類似した炭素材料を有している。
78 2001-150391 1999/11/25 松下電工株式会社 半導体マイクロアクチュエータ A4 DC02 MA01 MF02 1

(57)【要約】【課題】低電力で駆動できる半導体マイクロアクチュエータを提供する。【解決手段】半導体マイクロアクチュエータは、所定の位置に貫通孔１０を有する第１の基板１と、貫通孔１０に対応する位置に配置される弁体１１と、熱膨張係数の異なる２種の材料からなる薄膜部６及び金属薄膜７を接合して形成され、電気的作用による発熱を駆動源として変位する可撓部３と、弁体１１が可撓部３を介して枠部５に連結され、第１の基板１に接合される第２の基板２とで構成される。可撓部３を構成する薄膜部６及び金属薄膜７には、弁体１１と枠部５とを連結する方向と略直交する方向において薄膜部６及び金属薄膜７を２つの領域に分割する隙間８が形成される。
79 2001-150392 1999/11/25 松下電工株式会社 半導体マイクロアクチュエータ A4 DC02 MA01 ME01 1

(57)【要約】【課題】可動子を変位させるのに要するエネルギを低減した半導体マイクロアクチュエータを提供する。【解決手段】枠状の支持基板１の内側に周縁が矩形状である可動子２が支持基板１の厚み方向に変位可能となるように配置される。支持基板１と可動子２とは熱的膨張収縮により可動子２を変位させる腕片３を介して連結される。腕片３は撓み層６に撓み層７を重ねた可撓部８を有し、撓み層７への通電に伴う発熱によって可撓部８が撓むことにより可動子２を変位させる。また、腕片３は可動子の長手方向に沿った２辺に連結され、可動子２の短手方向に沿った中心線に平行に延長されている。
80 2001-150393 1999/11/25 松下電工株式会社 半導体マイクロアクチュエータ A4 DC02 MA01 ME01 1

(57)【要約】【課題】小型であり、低消費電力で駆動可能な半導体マイクロアクチュエータを提供する。【解決手段】枠体６に第１の接合部１１を介して一端部が接合された各可撓部３の他端部が第２の接合部１２を介して可動エレメント４に接合される。各可撓部３を加熱すると可撓部３と薄膜５との熱膨張係数差により可撓部３が撓み、可動エレメント４が変位する。この可動エレメント４の変位により弁座７ａとの距離が変化して、貫通孔７を流れる流体の流量が制御される。上記可撓部３と可動エレメント４を接合する第１の接合部１１の方が、枠体６と可撓部３を接合する第２の接合部１２よりも曲げ剛性が低くなっている。
81 2001-150394 1999/11/25 松下電工株式会社 半導体マイクロアクチュエータ A4 DC02 PA07 PB01 PB05 MA01 MB01 MB03 MD01 MD06 ME01 1

(57)【要約】【課題】 可動部位（可動エレメント）の変位を大きくできるようにする。【解決手段】 温度変化に応じて変位する４つの可撓領域２、これら可撓領域２の各上面上に形成された薄膜４、および各可撓領域２の変位に応じて上下方向に移動する可動エレメント５Ａを有して成る可動部位８と、この可動部位８の各可撓領域２側を支持する半導体基板３とを備える半導体マイクロアクチュエータ１Ａに対して、各可撓領域２と半導体基板３との間に熱絶縁領域７を設け、可動エレメント５Ａ側に熱絶縁部５１Ａを設けた。つまり、可動エレメント５Ａ全体を熱絶縁部５１Ａとして形成した。
82 2001-150396 1999/11/25 富士通株式会社 把持部を有するマイクロアクチュエータ A4 DA04 2

(57)【要約】 （修正有）【課題】電圧を印加しない状態で移動部の位置を維持することができるマイクロアクチュエータを提供すること。【解決手段】静電力を利用して微少部位を移動させるマイクロアクチュエータにおいて、第１の固定部１と、第１の固定部と所定の距離を隔てて対抗し、第１の固定部に第１の支持部を介して設けられ、第１の固定部に対して移動可能な移動部２と、第２の固定部１１と、第２の固定部と所定の距離を隔てて対抗し、第２の固定部に第２の支持部を介して設けられ、第２の固定部に対して移動可能なロック部１２とを有する構成とし、第１の固定部１と移動部２との間に第１の電圧Ｖ１を印加することにより、移動部２が移動し、第２の固定部とロック部との間に第２の電圧Ｖ２を印加することにより、ロック部が移動し、ロック部（１２）は第２の電圧を印加しない状態で移動部を把持し、第２の電圧を印加した状態で移動部を開放する。
83 2001-150397 2000/09/12 エスティーミクロエレクトロニクス・エス・アール・エル マイクロメカニズムの互いに対して移動可能な２つの部分を電気的に接続する浮遊部材の製造方法 A4 DDX 19

(57)【要約】【課題】 マイクロメカニズムの互いに対して移動可能な２つの部分を電気的に接続する浮遊部材の製造方法を提供する。【解決手段】 マイクロメカニズムの互いに対して移動可能な２つの部分の間を電気的に接続する浮遊部材の製造方法であって、犠牲材料層を形成する工程と、犠牲材料層上に電気的に接続部材を形成する工程と、電気的に接続部材の下の犠牲材料層を除去する工程とを含み、犠牲材料層は、マイクロメカニズムの表面に乾燥した状態で付着可能な少なくとも１つの粘着面を有する薄いフィルムであることを特徴とする方法。
84 2001-153257 1999/11/25 松下電工株式会社 半導体マイクロバルブ A4 DC02 1

(57)【要約】【課題】可撓部の変位量を大きくした半導体マイクロバルブを提供する。【解決手段】流体の流入する貫通孔１０が形成されたシート部１２を有する第１の基板１と、シート部１２に対応する位置に設けられた弁体１１と、電気的作用による発熱を駆動源として変位するバイメタル部３ａからなる可撓部３と、可撓部３を介して弁体１１が連結された第２の基板２とを備え、第２の基板２には、貫通孔１０から弁体１１とシート部１２との間の隙間１３を介して流入する流体を外部に通過させる流出口１５が形成されている。シート部１２の形状は円形であって、円の略中心に貫通孔１０が設けられているので、貫通孔１０から可撓部３の方向に延びるシート部１２の長さは、流出口１５の方向に延びるシート部１２の長さと略等しくなり、隙間１３を通って可撓部３側に流入する流体の流速は、隙間１３を通って流出口１５側に流入する流体の流速と略等しくなる。
85 2001-153258 1999/11/25 松下電工株式会社 半導体マイクロバルブ A4 DC02 PC01 MA01 ME01 1

(57)【要約】【課題】十分な熱絶縁性能が得られる半導体マイクロバルブを提供する。【解決手段】熱絶縁領域４近傍の可撓部３と枠部５に跨る部位（いわゆる入り隅の部位）に有機材料から成る隅肉部８を形成し、この隅肉部８に電力供給用配線７を形成している。而して、電力供給配線７を隅肉部８に形成することで従来例に比較して電力供給用配線８の熱絶縁距離を大きくすることができるため、熱絶縁領域４における熱抵抗（熱絶縁性能）の低下を防ぐことができ、十分な熱絶縁性能が得られる。
86 2001-158000 1999/12/02 科学技術振興事業団 化学集積回路およびその製造方法 A3 DC01 DC02 DCX DE02 1

(57)【要約】【課題】特に光造形法等を利用して一つのチップ内に同一機能、同一機構からなる部品を複数配置してなる単一機能チップを形成し、異なる単一機能を持つチップ同志を複数層に組み合わせることにより、目的とする化学反応回路を構成する。【解決手段】単一機能を達成するマイクロチップを構成し、前記構成したチップの中から異なる単一機能を有するチップを複数取り出し、これらチップ同志を組み合わせることにより目的とする化学反応回路を構成することを特徴とするバイオケミカルＩＣ。
87 2001-160344 1999/12/03 株式会社豊田中央研究所 半導体圧力スイッチ A4 DB01 4

(57)【要約】【課題】高感度でチャタリングの少ない半導体圧力スイッチを提供する。【解決手段】圧力によって変形する上面受圧部１１と下面受圧部１２からなる半導体圧力スイッチである。上面受圧部１１に上面電極１６と突起部１５を設ける。下面受圧部１２に、両持ち梁のねじり変形を利用した変位拡大機構部（微小梃子）を配置する。そして、微小梃子の一方のアーム２４の先端に電極２５を配置する。受圧時には、上面受圧部１１が変形し突起部１５は微小梃子の他方のアームを押圧する。梃子の原理によりアーム部２４の先端は大きく変位せられ、電極２５と上面電極１６が接触する。これにより、圧力が感知される。変位拡大機構部を用いているので、高感度となり僅かな圧力を感知することができる。又、微小梃子は両持ち梁を使用しているので振動に対して頑強である。これにより、チャタリングが低減される。
88 2001-174722 2000/10/20 三星電子株式会社 マイクロミラー装置 A4 DA04 5

(57)【要約】【課題】 基板と、基板上に形成されたアドレス電極と、基板に対して所定間隔離隔したまま向い合うように配置されたマイクロミラーとを含んで、アドレス電極とマイクロミラーとの静電引力により前記マイクロミラーの傾斜を調節できるようにしたマイクロミラー装置を提供する。【解決手段】 基板上に突設され、上部がマイクロミラーの周辺に位置する補助電極を含んで、マイクロミラーが静電力により一方向に傾いた場合にもマイクロミラーと補助電極との間隔が狭く維持されて、復元時補助電極の静電力により復元されるようになったことを特徴とする。これにより、アドレス電極周辺にマイクロミラー方向に突出した補助電極を具備することによって、傾いたマイクロミラーの復元時補助電極とマイクロミラーとの静電引力により復元速度を上げられて、高速応答速度を要求する画像表示装置に広く用いられる。
89 2001-179699 2000/10/16 ルーセント　テクノロジーズ　インコーポレイテッド 二重マイクロ−電子機械アクチュエータ装置 A4 DA01 MA02 MB01 MB03 4

(57)【要約】【課題】二重動作が可能なマイクロ電子機械アクチュエータ装置を提供する。【解決手段】 第１基板１２と、前記第１基板１２上に形成された第１作動電極２０と、前記第１基板から離間して形成された第２基板５２と、前記第１作動電極とは離間した位置で前記第２基板上に形成された第２作動電極５４と、前記第１作動電極２０と第２作動電極５４の間に配置されたマイクロマシーン１４とからなり、前記第１作動電極は、前記マイクロマシーンを前記第１基板の方向の第１位置に移動させるために前記第１作動電極に選択的に印加された電圧に応答して前記マイクロマシーンに静電気引力を加え、前記第２作動電極は、前記マイクロマシーンを前記第２基板の方向の第２位置に移動させるために前記第２作動電極に選択的に印加された電圧に応答して前記マイクロマシーンに静電気引力を加えることを特徴とする。
90 2001-179700 1999/12/28 株式会社　東北テクノアーチ 移動可能なマイクロマシンおよびその移動制御システム A4 DCX 2

(57)【要約】【課題】 自律して移動可能なマイクロマシンを目的の位置まで到達させること。【解決手段】 回転磁界を発生する磁界発生部１２Ｘ，１２Ｙ，１２Ｚと、前記磁界発生部１２Ｘ，１２Ｙ，１２Ｚが発生した回転磁界を受け、回転して推力を得るロボット本体１１と、前記ロボット本体１１の位置を検出する位置検出部５’と、前記位置検出部５’が検出した前記ロボット本体１１の位置に基づき、前記ロボット本体１１を目的地へ到達させる方向へ向けるべく前記磁界発生部１２Ｘ，１２Ｙ，１２Ｚによる回転磁界の向きを変更する磁界変向手段５５と、から構成する。
91 2001-185635 2000/10/16 ルーセント　テクノロジーズ　インコーポレイテッド ＭＥＭＳデバイスを有能するキャビティを具備するパッケージ A2 DAX DBX DCX DDX PH03 PH04 MA02 MB01 MD04 ME01 1

(57)【要約】【課題】 ＭＥＭＳデバイスがＣＭＯＳ回路等組み込むことができるように、ＭＥＭＳデバイスを気密にシールするパッケージ技術を提供すること。【解決手段】本発明のパッケージ技術は、従来のＣＭＯＳパッケージ手順がＭＥＭＳデバイスをパッケージするのに用いることができるようにする。さらに本発明は、同時にＭＥＭＳデバイスの動作環境を制御する手段を提供する。本発明のパッケージは、フリップチップ接合プロセスにより形成されたＭＥＭＳデバイスの周囲に、保護されたキャビティを提供する。本発明の一実施例によれば、防火壁がＭＥＭＳデバイスの周囲の第１基板上に形成され、防火壁により結合されたキャビティ内にＭＥＭＳデバイスを封止する。その後別の基板が、ＭＥＭＳデバイスを保持している第１基板に、フリップチップ結合される。
92 2001-188187 1999/12/28 ソニー株式会社 マイクロミラー装置及びこれを用いた光ディスク装置並びにマイクロミラー装置の製造方法 A4 DA04 PA02 PB01 MA01 MB01 MB03 MBX MD02 MD04 MF02 1

(57)【要約】【課題】 ミラー部の回動に対するヒンジ部の強度を確保してヒンジ部の破損を有効に抑制すると共に、製造工程に多様性を持たせ、ヒンジ部を微細に且つ精密に成形することを可能とし、更に短時間で簡便に製造することを可能にする。【解決手段】 枠体１１及びミラー部１２のミラー基板を構成する材料とは異なる、例えばＳｉＮX等の材料でヒンジ部１３を構成する。
93 2001-194597 2000/11/10 ルーセント　テクノロジーズ　インコーポレーテッド ＭＥＭＳオプティカル・アイソレータ A4 DAX PH05 1

(57)【要約】 （修正有）【課題】 信号源から、信号源とは離れた検出器に、光路に沿って光信号を選択的に搬送するオプトアイソレータを提供すること。【解決手段】 ＭＥＭＳデバイス１６を内蔵したオプトアイソレータ１０は、光信号の通信用の光路を間に定める光信号源１２と光信号検出器１４とを含む。可動エレメント１８を制御するアクチュエータ２２を有するＭＥＭＳデバイス１６は、光信号を操作するために、光信号源１２と光信号検出器１４との間に設けられている。１つの実施形態においては、可動エレメント１８は、光信号が光信号検出器１４によって受け取られることを選択的に可能にし、信号が検出されることを防止するように動作可能であるシャッタである。他の実施形態においては、可動部材は、光信号を光信号検出器１４に選択的に向けるＭＥＭＳ傾斜ミラーである。
94 2001-196484 2000/11/01 三星電子株式会社 ウェーハレベル真空パッケージングが可能なＭＥＭＳ構造物の製作方法 A4 DAX DBX DCX DD02 DDX PB01 PG01 PG02 MA01 1

(57)【要約】【課題】 ウェーハレベル真空パッケージングが可能なMEMS構造物の製作方法を提供する。【解決手段】 第１ウェーハにシグナルラインを含む多層構造の積層を形成する第１段階と、前記多層構造の積層に第２ウェーハを付着する第２段階と、前記第１ウェーハを所定厚さで研磨する第３段階と、前記第１ウェーハに、前記シグナルラインに連結されたものであって真空化領域内に位置するMEMS構造物と真空化領域の外部に位置するパッドを形成する第４段階と、第３ウェーハに前記MEMS構造の真空化領域に対応する空間を有する構造を形成する第５段階と、前記第１ウェーハの研磨面と第３ウェーハを真空環境で結合する第６段階とを含む。
95 2001-198897 2000/10/16 ルーセント　テクノロジーズ　インコーポレイテッド 混成集積回路 A2 DB01 PH04 1

(57)【要約】【課題】 ＣＭＯＳチップにフリップチップ結合されたＭＥＭＳリレーを有する混成集積回路を提供すること。【解決手段】 ＣＭＯＳチップをＭＥＭＳマイクロリレーに結合することにより、頑強な電気的接続がチップ間に形成され、これにより混成集積回路を通過する高い一体性のある電気的伝送が形成できる。さらにまた、ＣＭＯＳチップとＭＥＭＳチップ間の信号伝搬遅延を大幅に減少することにより、高い帯域のアプリケーションでも本発明の混成集積回路を用いることができる。
96 2001-201699 2000/11/17 ルーセント　テクノロジーズ　インコーポレイテッド 光学スイッチ A4 DA01 2

(57)【要約】【課題】 ＭＥＭＳシャッター素子を用いて様々な光学スイッチ構造を提供する。【解決手段】 本発明の光学スイッチは、ＭＥＭＳ反射性シャッターと入力と複数の出力間に光学切替を行う少なくとも１つの反射デバイスとを有し、これにより入力と出力を配置するのに必要な空間を縮小して光学スイッチの大きさを低減する。
97 2001-205599 2000/01/27 キヤノン株式会社 マイクロガイド機構、マイクロアクチュエータおよびマイクロセンサ A4 DAX DBX DCX DD03 DDX MC01 2

(57)【要約】【課題】 電気メッキの埋まる速度の差を少なくし、最終的に出来上がる構造体の高さをそろえることで、メッキ時間を短縮し、後加工の必要性を少なくしたマイクロガイド構造体を提供する。【解決手段】 基板と、該基板に固定された固定部材と、長方形平板部材の一部が幅方向に膨らんで柱状構造部を形成しているマイクロばね部材とを有し、前記マイクロばね部材が一端において前記固定部に結合されているマイクロカンチレバーと、可動子を有し、該可動子が、前記マイクロカンチレバーの自由端に連結されており、前記マイクロカンチレバーがたわむことで前記可動子が前記基板に対して相対的に可動であり、前記可動子と前記マイクロばね部材が、同一材料からなるマイクロガイド機構。
98 2001-208766 2000/01/28 株式会社豊田中央研究所 加速度検出装置 A4 DD01 MA01 MB01 MD06 2

(57)【要約】【課題】 確実に動作することが可能な加速度検出装置を提供すること。【解決手段】 加速度検出装置１は、マイクロマシニング技術により作製されたものである。加速度検出装置１は、固定電極１３と、長さがそれぞれ異なる複数の可動電極１５ａ〜１５ｋと、を備える。固定電極１３は、薄膜の永久磁石からなる。可動電極１５ａ〜１５ｋの材質は、強磁性体である。可動電極１５ａ〜１５ｋは、片持はりである。自動車が加速すると、可動電極１５ａ〜１５ｋは、固定電極１３側に移動する。可動電極１５ａ〜１５ｋは、それぞれ、長さが異なるので、固定電極１３に吸着する加速度が異なる。これにより、無電源で、最大加速度の記録とスイッチ動作ができる。
99 2001-208988 2000/11/09 ルーセント　テクノロジーズ　インコーポレイテッド マイクロ電子機械可変光学遅延線 A4 DA01 DA05 DAX 1

(57)【要約】【課題】 ＭＥＭＳデバイスを用いた可変の光学遅延線を提供すること。【解決手段】 マイクロマシーンリニアラック上の反射機を入力ソースおよび／または出力点から離して配置し、入力光波信号を受領し、それを出力点に向ける。反射機と入力点と出力点との間の距離は可変で、それにより入力光波信号の選択的なパス遅延補償が可能となる。他の実施例においてはピボット駆動可能なＭＥＭＳミラーとミラーのピボット角を調整して、光学システムに必要とされる選択的なパス遅延補償を与える。
100 2001-221962 2000/10/10 ルーセント　テクノロジーズ　インコーポレイテッド マイクロ電気機械式光学装置 A4 DA1 DA05 MD02 MD04 1

(57)【要約】【課題】 縮小された占有面積を有するマイクロ電気機械式光学装置を提供すること。【解決手段】 本発明によれば、マイクロ電気機械式（ＭＥＭ）光学装置が、基板上の生産量を増大するため、縮小された占有面積を有する。ＭＥＭ装置は、外縁を有し、かつ、基板に配置された支持構造体により支持された光学要素を有する。支持構造体は、光学要素を基板の上方へ持ち上げる起動位置へ構造体を移動する第一と第二のビームの対により、基板へ機械的に接続されている。持ち上げられた位置において、光学要素は光学的信号を偏向するため選択的に傾斜する。ビームが一端において支持構造体へ、他端において基板へ接続されており、第一と第二ビームの端が光学要素の外縁に接近して位置するように、配置されている。好適な実施態様において、光学要素の縁と基板との間の接触面積を減少するため、静止摩擦力低減要素が光学要素の外縁にある。
101 2001-225244 2000/02/14 中原　康弘 導光体の反射面加工装置 A4 DA03 1

(57)【要約】【課題】金型材あるいは透明樹脂表面に単結晶工具先端を押付けて工具先端形状を前記材料表面に転写してマイクロレンズアレイを形成する際に、前記材料表面のうねりや加工誤差の影響で、加工工具位置をシーケンス制御する加工機では、ワーク表面からの転写深度が異なるレンズアレイになっていた。前記の問題を回避し、ワーク表面から一定の深さのマイクロレンズアレイを形成する。【解決手段】板バネ４にひずみゲージを取りつけて加工工具軸方向の加工圧力をひずみ量に変換し、回路１０で増幅、フィルタリングされたアナログ信号を制御用パソコンにフィードバックすることにより、加工工具軸方向圧力を一定に保つことによって、ワーク表面から一定の深さのマイクロレンズアレイが形成可能となった。
102 2001-232599 2000/02/21 日本合成化学工業株式会社 立体構造体 A4 DAX DBX DCX DDX DEX DFX PG05 ME12 MEX MF02 MFX 1

(57)【要約】【課題】 ＦＥＤやＰＤＰ等の隔壁や支柱を形成するための硬化レジスト（凹型）としても大変有用であり、更には、マイクロマシン等の部品やその鋳型としての有用性も期待される立体構造体を提供すること。【解決手段】 基材上に高さが２００μｍ以上のストライプ状の硬化レジストが設けられてなり、更に該ストライプ状の硬化レジストにはその側面と基材とに接する補強硬化レジスト部が設けられてなる。
103 2001-232600 2000/02/22 経済産業省産業技術総合研究所長 光駆動型アクチュエータ A4 DC02 DEX MEX 1

(57)【要約】【課題】 マイクロマシン等の小型のシステムに用いられるアクチュエータにおいて、高電圧や高温を必要とせず、電気配線の必要のないアクチュエータを得る。【解決手段】 例えば、ポリシリコン薄膜からなる可動膜１の中央部表面に、ポリジアセチレン（ＰＤＡ）薄膜２を蒸着により形成する。この可動膜１の両端をシリコン製の基板３上に固定し、中央部は自由に変形できるようにして光駆動アクチュエータを構成する。ポリジアセチレンは、主鎖の結合状態の異なるＡ相とＢ相の２状態が共に安定であり、Ａ相の状態で波長４５０〜５５０nmの第１の光を照射するとＢ相に相転移を起こして体積が膨張し、この状態で安定する。一方、Ｂ相の状態で波長３５０〜４００nmの第２の光を照射するとＡ相に相転移を起こし体積が収縮する。この体積変化を利用して、オリフィスを開閉する弁等の各種アクチュエータが得られる。
104 2001-235369 2000/12/14 ゼロックス　コーポレーション ファブリペロー・キャビティ分光光度計およびその製造方法 A4 DA07 1

(57)【要約】【課題】 カラープリンタに組み込むことのできる、カラー検知能力を有するコンパクトで経済的な分光光度計を得る。【解決手段】 マイクロ電子機械的に調整可能なファブリペロー分光光度計をカラー検知のために設ける。光ファイバが、スイッチドキャパシタ回路によって調整されるファブリペロー・フィルタへ光入力を行う。スペクトル強度は、一体の光検出器によって検出される。
105 2001-239532 2000/03/01 セイコーエプソン株式会社 マイクロレンズ基板の製造方法及びマイクロレンズ基板成形型 A4 DA03 PA01 PA03 PA06 MA01 MD04 ME10 1

(57)【要約】【課題】 破損しにくく、耐久性が高いとともに、従来よりも高精度の成形面形状を有するマイクロレンズ基板成形型を提供することにあり、また、上記のような耐久性及び形状精度が高いマイクロレンズ基板成形型を用いることによって、高精度で、歩留まりの高いマイクロレンズ基板の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板１０の表面にマスク層１１を形成し、このマスク層１１に開口１１ａを穿設する。この後、湿式エッチング法によって開口１１ａから略等方的にシリコン基板１０をエッチングし、半球状の凹部１０ａを形成し、マスク層１１を除去する。
106 2001-242395 2000/12/27 テキサス　インスツルメンツ　インコーポレイテツド デジタル・マイクロミラー・デバイスと非接触の端部結合型隠れヒンジ構造のための方法 A2 DA04 6

(57)【要約】【課題】 従来の素子に見られていたミラーの“固着”問題が解決され、結果として、絶妙な非活性化コーティングと高コストの密閉パッケージへの要求を緩和することにより、製造過程が簡素化される。【解決手段】 新たなＤＭＤ素子および非接触、端部結合、隠れヒンジ構造の方法が開示されている。この新技術により、ミラーあるいは下部のヨークと、ＣＭＯＳ基板表面上の着地パッドとの間の物理的な接触が不要となる。この新たなＤＭＤ構造では、素子表面上の適度な高さ位置に、ミラーが所望の角度の領域に回転した際に、ミラー２０またはヨーク２２の連続した端部と近接するように、捕獲電極２４が設けられる。この捕獲電極２４とミラーアセンブリは、これらの間に極めて高い静電引力を生み出し、ミラーがほか区電極の平面に近づいた際にはミラーを止めるように、バイアスされる。ミラーアセンブリのパルス波形を調整することにより、ミラーは確実に減衰され、ミラーアセンブリが所望の回転角で停止した際のＤＭＤミラーの振動を防ぐことができる。
107 2001-242396 2001/01/19 アジレント・テクノロジーズ・インク ２軸マイクロミラーを用いた光学スイッチを構成するマイクロマシン A4 DA04 1

(57)【要約】【課題】入力からの光信号を線形構成に制限されない複数の出力の一つに正確かつ再現可能にして向けることのできるマイクロマシンを提供すること。【解決手段】光信号の操向を行う光スイッチを構成するマイクロマシンは、第１のマイクロミラー・アレイ１６及び第２のマイクロミラー・アレイ１８を含む。コリメータ・アレイ１２から出射される入射ビームは、これらのマイクロミラー・アレイ１６、１８を介して、コリメータ・アレイ１４のコリメータの一つに導かれる。マイクロミラー・アレイ１６、１８は、静電気により回転動作するよう構成される。
108 2001-246599 2000/03/01 セイコーエプソン株式会社 マイクロレンズ成形型及びマイクロレンズ基板の製造方法 A4 DA03 MA01 ME10 MF02 1

(57)【要約】【課題】 マイクロレンズの形状精度を向上させることができるとともに製造が容易なマイクロレンズ成形型の構造を提供する。また、高い形状精度を有し、しかも製造が容易なマイクロレンズの製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板１０の表面にマスク層１１を形成し、このマスク層１１にピンホール１１ａと開口部１１ｂを穿設する。この後、開口部１１ｂに樹脂１２を塗布した状態で、湿式エッチング法によってピンホール１１ａから略等方的にシリコン基板１０をエッチングして半球状の凹曲面部１０ａを形成し、その後、樹脂１２を除去してから、シリコン基板１３をマスクとしてドライエッチングによって凹部１０ｂを形成する。
109 2001-249286 2000/03/03 富士通株式会社 ガルバノマイクロミラーとその製造方法 A4 DA04 PI03 MA01 MD01 MD03 MD04 MF02 1

(57)【要約】【課題】 この発明は、ガルバノマイクロミラーに関し、トーションバーをミラー面の下方に配置して、バルクマイクロマシン法を用いて構成要素を形成することにより、平面度の高いミラー面を持ちかつ小型化及び製造プロセスの容易化を図る。【解決手段】 一方の表面に光を反射させるミラー面が形成され、一方または両側の表面に第１電極が形成された第１基板と、枠状の基部と、前記第１電極と対向する位置に配置された第２電極と、前記ミラー面の下に位置し前記第１基板を保持する固定保持部と、前記ミラー面の下に位置し、前記基部と前記固定保持部とを連結し、かつ固定保持部を所定の角度範囲で回動可能に支持するトーションバー部とを含む第２基板とからなり、前記第１基板のミラー面が形成されていない表面の一部と、前記第２基板の前記固定保持部とが接合された構造のガルバノマイクロミラーをバルクマイクロマシンで実現することを特徴とする。
110 2001-252896 2000/03/06 株式会社日立製作所 マイクロ流路及びそれを用いたマイクロポンプ A4 DC01 DC02 PI02 MA01 MA02 MD02 MD04 MD06 MD07 MD09 MDX 2

(57)【要約】【課題】水に対する濡れ性を良くし、定量精度あるいは検出精度を安定させるマイクロ流路を提供する。【解決手段】作動流体５０が通過するマイクロ流路１００の流路表面の一部あるいは全面に形成された金属層１０４の表面に、末端基に親水基１０５を有する硫黄化合物皮膜１０６を形成する。
111 2001-252897 2000/03/10 学校法人立命館 マイクロ分析チップ、及びその製造方法 A4 DC01 DEX ME02 1

(57)【要約】【課題】 マイクロ分析チップを用いた微量化学分析において、サンプル液と試薬液とを効率よく混合撹拌する手段を提供する。【解決手段】 本マイクロ分析チップ１００は、矩形の平板の上面側に、サンプル液又は試薬液を注入するための流入口２ａ、２ｂと、サンプル液と試薬液との反応液を排出する流出口３とが凹欠され、該平板の内部に、サンプル液又は試薬液が流通するための微小流路４が各流入口２ａ、２ｂに対応して設けられ、かつ、混合部１０において合流した後、流出口３へ導通され、混合部１０に、光照射により生ずる光圧を駆動力として回転する光圧ミキサ２０が配設されたものである。
112 2001-252898 2000/03/07 キヤノン株式会社 凸型または凹型マイクロ構造体、その作製方法、及びこれを用いたマイクロレンズ付き素子基板の作製方法 A4 DA03 PB06 MA01 MF01 1

(57)【要約】【課題】大判化、高密度化が容易で、耐久性・耐薬品性に優れた構造に容易にできる凸型または凹型マイクロ構造体、その作製方法である。【解決手段】マイクロ構造体の作製方法において、電気メッキ或は電着にて作製した半球状等の構造体５またはこれを転写した構造体と基板１とを、ドライエッチングにより同時にエッチングして、凸レンズ６などのマイクロ構造体を作製する。
113 2001-252899 2000/03/07 曙ブレーキ工業株式会社 マイクロマシニングセンサエレメント及びウェッジワイヤボンディング取付け方法 A4 DDX 2

(57)【要約】【課題】 マイクロマシニングセンサエレメントへのワイヤボンディング時における超音波エネルギーによるセンサエレメントのカンチレバーのクラックや破損を防止し、また、キャピラリと接合面が正確に圧着できるようにした、マイクロマシニングセンサエレメント及びウェッジワイヤボンディング取付け法を提供する。【解決手段】 固定電極２と可動重り３２を有する可動電極３とを備えるマイクロマシニングセンサエレメント１のウェッジワイヤボンディング部２１、３１にリード線５をウェッジワイヤボンディング法により取付ける方法において、ウェッジワイヤボンディング部２１、３１に、センサの検出軸とほぼ一致させる方向に超音波を当てる。ウェッジワイヤボンディングするとき、固定電極２と可動電極３とに電圧を印加する。
114 2001-255221 2000/03/08 オリンパス光学工業株式会社 接触センサ A4 DDX PB01 PJ04 MA01 ME01 FP

(57)【要約】【課題】本発明は、非常に狭い空間に配置することができる極薄の接触センサを提供する。【解決手段】本発明の一態様によると、半導体からなる薄板に設けられた突起部と、この突起部の周辺部の前記半導体からなる薄板に設けられた開口部と、前記突起部近傍に設けられ、前記突起部に作用する力を前記半導体からなる薄板の歪みにより検出する歪みセンサとを有することを特徴とする接触センサが提供される。
115 2001-255405 2000/03/14 キヤノン株式会社 マイクロ構造体アレイ、及びその作製方法 A4 DA03 DAX MB01 MD02 MD03 MD04 MD06 MD07 MDX MF02 3

(57)【要約】【課題】面内分布が低減され、作製が容易で、安価なマイクロ構造体アレイ、及びその作製方法である。【解決手段】マイクロ構造体アレイの作製方法では、基板５の導電性部分６、９上に絶縁性マスク層７を形成し、マスク層７に複数の開口部８を形成して導電性部分６を開口部８において露出し、複数の開口部８の領域を実質的に囲む様に補助電極部９を形成し、電気メッキ或は電着を行なうことにより開口部８、マスク層７及び補助電極部９に電気メッキ層１５或は電着層を形成し、電気メッキ層１５或は電着層上に無電解メッキにて無電解メッキ層１６を形成する。
116 2001-260094 2000/03/16 住友金属工業株式会社 マイクロポンプ製造方法 A4 DC03 PA01 PA02 MA01 MA02 MB01 MB03 MF02 3

(57)【要約】【課題】 部材の接合によることなく出口部、入口部、及びチャンバを形成することが可能なマイクロポンプ製造方法を提供する。【解決手段】 単結晶シリコンから成る第１層１と、ＳｉＯ２から成る第２層２と、ＳｉＮから成る第３層３と、単結晶シリコンから成る第４層４とを順次に積層した基板５０を準備する。第１層１の反第２層側から異方性ウェットエッチングを施して、入口部２１を形成する。第３層に細孔２９を形成し、この細孔２９を介してエッチング液を供給し、液供給スペース３９を形成する。液供給スペース３９を介して第１層１に異方性ウェットエッチングを施し、出口部２２を形成する。出口部２２を形成した後に細孔４１を介した連通を成膜によって遮断する。入口部２１と出口部２２との間に存する第２層２にウェットエッチングを施して、チャンバ２３を形成する。
117 2001-264122 2000/03/22 株式会社豊田中央研究所 マイクロ物理量記録装置 A4 DD01 DDX MA01 1

(57)【要約】【課題】再書き込み可能で保守の容易なマイクロ物理量記録装置を提供する。【解決手段】ＳＯＩ基板上に物理量を変位に変換する物理量変換部１０と、その変位を針１３により読み書き消去する記録部２０と、その記録部２０を回転又は並進させる駆動部３０を形成する。この装置に加速度が作用すれば、物理量変換部１０のマス部１１と針１３が変位し、その変位が記録部２０の記録円盤２１に記録される。記録円盤２１は駆動部３０の可動電極３３から周期的な押圧力を受け、それにより回転せられる。よって、加速度等の変化が記録円盤２１の円周上に時間記録される。記録部２０に、消去部２２を備えれば再利用可能となる。これらはマイクロマシニング技術によって作製されるので、超小型の物理量記録装置となる。又、装置自体は封印されるので信頼性に優れ、保守の容易な記録装置となる。
118 2001-264373 2000/03/23 松下電器産業株式会社 圧電薄膜の圧電定数測定装置および測定方法 A4 DD01 DDX 1

(57)【要約】【課題】 シリコン表面マイクロマシンデバイス用のアクチュエータとして用いられる圧電薄膜の圧電定数測定において、精度・再現性が高く、安価な測定装置および方法を提供することを目的とする。【解決手段】 圧電薄膜２が形成されたサンプル基板１を上方から荷重針４により圧下し、発生する圧電電荷をチャージアンプ１０とパソコン１２で測定する。荷重針４は上下方向にのみコンプライアンスを持つ部材５に固定され、部材５はＺステージ６に固定される。これより、Ｚステージ６が上下すると、荷重針４はサンプル基板１上の同一個所を再現性良く圧下でき、同時に荷重は部材５の変形量により制御できる。電子はかり９での測定により正確なひずみ分布が算出でき、パソコン１２の信号処理により電気ノイズを取り除くこともできる。以上により、安定した圧電定数の測定が簡易な構成で可能となる。
119 2001-264650 2000/03/14 日本航空電子工業株式会社 微小可動デバイスおよびその製造方法 A4 DA01 DA02 PI03 MA01 MA02 MB01 MD04 1

(57)【要約】【課題】 固定基板と可動板の互いに対向する面に微小突起を一体に残存形成して両者が吸着しない微小可動デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 マイクロマシニング技術で製造され、固定基板８と、アンカー部およびフレクチュアを介して固定基板８に取付け結合される可動板とを有する微小可動デバイスにおいて、固定基板８と可動板２の互いに対向する面に微小突起を一体に残存形成した微小可動デバイスおよびその製造方法。
120 2001-264651 2000/03/16 日本航空電子工業株式会社 光スイッチ A4 DA01 MA01 1

(57)【要約】【課題】 停電等により静電気力が消失してもスイッチ状態（光路）が切り換わらないようにする。【解決手段】 静電気力により駆動されて固定電極板１１側に変位した第１可動電極板１２を係止する係止爪２１を固定電極板１１上に設ける。第１可動電極板１２はその係止孔２５に押し込まれた係止爪２１によって機械的に係止されるため、静電気力が消失してもその位置を維持し、よってマイクロミラー１５も変位（上昇）しない。係止の解除は第２可動電極板２２を静電気力により駆動し、係止爪２１を係止解除孔２９の両内縁によって押圧して弾性変形させることにより行う。
121 2001-264677 2000/03/15 オリンパス光学工業株式会社 走査ミラー A4 DA02 MA01 MD06 MD09 MD10 1

(57)【要約】【課題】繰り返し変形を受けるばね部を通る配線が断線し難く、しかもその消費電力が少ない走査ミラーを提供する。【解決手段】走査ミラーの主要構造体は、可動部１０２と、これを揺動可能に支持する一対のばね部１０４ａ，１０４ｂと、これらが固定された枠部１０６とを備えている。可動部１０２は、おもて面に、例えばアルミニュウム配線から成る駆動コイル１１２と検出コイル１２２とを備えている。駆動コイル１１２の両端は、ばね部１０４ａを延びる一対の配線１１４を介して、枠部１０６に設けられた一対のアルミニュウム配線１１６に接続されている。また、検出コイル１２２の両端は、ばね部１０４ｂを延びる一対の配線１２４を介して、枠部１０６に設けられた一対のアルミニュウム配線１２６に接続されている。配線１１４と配線１２４は共に例えば厚さ約２μｍのＴｉＳｉ層から成る。
122 2001-266727 2000/03/16 日本電気株式会社 東北日本電気株式会社 マイクロマシンスイッチ A4 DA1 MA01 MAX MD08 MDX 1

(57)【要約】【課題】 安定した動作特性を実現し、かつ多数の接点組を有し安価に大量生産が可能なマイクロマシンスイッチを提供する。【解決手段】 マイクロマシンスイッチ１は、信号線３に対して接触電極１０を接触又は開離させることにより、信号線３の導通又は非導通を制御するものである。基板２上に設けられた支持台５Ｌ，５Ｒと、基板２から離れた状態かつこの順序で連結された両持ちばね６Ｌ、上部電極７Ｌ、接触電極１０、上部電極７Ｒ及び両持ちばね６Ｒと、基板２上に設けられた下部電極４Ｌ，４Ｒとを備えている。上部電極７Ｌ，７Ｒと下部電極４Ｌ，４Ｒとの間に静電気力を発生させることにより、信号線３に接触電極１０を接触させる。両持ちばね６Ｌ，６Ｒの復元力により、信号線３から接触電極１０を開離させる。
123 2001-269900 2001/02/02 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング マイクロメカニック式のキャップ構造及びその製造方法 A4 DAX DBX DCX DDX 1

(57)【要約】【課題】 マイクロメカニック式のキャップ構造であって、サブストレート、特にウェハ（１０）の形をしたサブストレートを有し、サブストレートに空胴（Ｋ）が設けられており、該空胴（Ｋ）が１つの基面と互いに向き合った平行な側壁区分から成る２つの側壁区分を有している形式のものの安定性を高めることである。【解決手段】 前記空胴（Ｋ）が２つの側壁区分を互いに結合する少なくとも１つの安定化壁区分（ＳＫ１，ＳＫ２；Ｓ１−Ｓ４）を有していること。
124 2001-272294 2001/01/24 モトローラ・インコーポレイテッド 選択封止付き超小型電気機械式システム・センサおよびそのための方法 A4 DD03 ME12 MEX 2

(57)【要約】【課題】 超小型電気機械式圧力センサの選択封止により、圧力センサ・ダイアフラム（１２１）を周囲圧力に暴露させながら、封止によるワイヤ・ボンドの保護を達成することを可能にする。【解決手段】 圧力センサ・ダイアフラム（１２１）の外周に保護ダム（１５０）を構築して、保護ダム（１５０）とデバイス・ハウジング（１０５）との間にワイヤ・ボンド・キャビティ領域を形成することによって、選択封止が可能になる。ワイヤ・ボンド・キャビティは、封止ゲル（１６０）またはベント・キャップ（１７０）により封止することができる。代替的に、キャップ・ウェハ（１５１）をデバイス・ウェハ（１２５）に結合するガラス・フリット・パターン（１５２）によって保護ダム（１５０）を形成することができ、次いで、保護ダムが取り付けられた２つのウェハの組合せを個別ダイに裁断する。
125 2001-272613 2000/03/24 セイコーエプソン株式会社 光スイッチング素子、光スイッチングデバイス、それらの製造方法、光スイッチングユニットおよび映像表示装置 A2 DA01 PJ06 MA01 MB01 MBX 11

(57)【要約】【課題】 光の利用効率の高い光スイッチング素子、およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 樹脂層３６ａにより形成されるマイクロ光学素子４を備えた光スイッチング素子１０であって、このマイクロ光学素子４の表面でエバネセント光を抽出する抽出面（光学面）３ａを酸化シリコンによる酸化膜７０をスパッタして成膜し、この酸化膜７０をＣＭＰ法により研磨して形成する。酸化膜７０を設けることで、樹脂層３６ａの硬度に関係なく、ＣＭＰ法に適した硬度の表面を形成できるので、光スイッチング素子１０の抽出面３ａに適したサブミクロンオーダで平坦化された酸化膜７０が形成でき、光の利用効率が高い光スイッチング素子スイッチングデバイス５０を提供できる。
126 2001-277194 2000/03/29 住友金属工業株式会社 マイクロポンプ製造方法 A4 DC02 PA02 PC01 MA01 MB03 MF01 2

(57)【要約】【課題】 部材の接合によることなくマイクロポンプの出口部、入口部、及びチャンバを形成することが可能なマイクロポンプ製造方法を提供する。【解決手段】 単結晶シリコンから成る第１層１と、ＳｉＯ２から成る第２層２と、単結晶シリコンから成る第３層３とを順次に積層した基板５０を準備する。第１層１の反第２層側から異方性ウェットエッチングを施して、入口部２１と出口部２２とを形成する。第３層に細孔３９を形成し、この細孔３９を介して第２層２をウェットエッチングする。このウェットエッチングによって、入口部２１と出口部２２とを連通させるとともに、圧電素子２４によってぜん動させることが可能なチャンバ２３を形成する。細孔３９を成膜によって遮断する。
127 2001-277195 2000/03/29 青山　尚之 小野　敬之 新野　弘司 小型自走機械を用いた物質生産方法 A4 DC03 DCX 3

(57)【要約】【課題】小型自走機械（いわゆるマイクロマシン）を用いて物質どうしの反応を生じさせる物質生産方法を提供する。【解決手段】自走可能な小型自走機械本体と、これに取り付けられかつ内部に液体を保持できる毛細管プローブとを備えた小型自走機械１を用いる。毛細管プローブは、液体を外部に吐出するための吐出部を備えている。まず、毛細管プローブ中に第１液を保持する。これと前後して、小型自走機械１が到達可能な位置に第２液６を用意する。ついで、小型自走機械１を走行させて、第２液６に接近させる。毛細管プローブの吐出部から吐出された第１液を第２液６に接触させることにより、第１液と第２液６とをごく少量づつ反応させることができる。
128 2001-277197 2000/03/30 セイコーエプソン株式会社 微細構造体の製造方法 A2 DA01 PB05 PI02 PJ01 MA01 MD01 MDX MEX 13

(57)【要約】【課題】 光学素子をアクチュエータで駆動し、全反射面から漏洩するエバネセント光を抽出して利用する光スイッチングデバイスにおいて、光の利用効率の高いデバイスを製造可能にする。【解決手段】 スリット９１を備えたスリットマスク９０を振動させながら分子、原子あるいは光などの加工媒体を透過して基板８６に照射し、任意の角度の三角形を形成できるようにする。これにより、光スイッチングデバイスのプリズムの角度を異方性エッチングで成形可能な角度に限定されることなく、最も利用効率の高い角度に製造することができる。
129 2001-281564 2000/03/30 セイコーエプソン株式会社 微細構造体、その製造方法、光スイッチングデバイス、光スイッチングユニットおよび画像表示装置 A2 DA01 PB01 PJ01 MA01 MA02 MD01 MDX MEX 3

(57)【要約】【課題】 光学素子をアクチュエータで駆動する光スイッチングデバイスにおいて、耐久性および信頼性の高いデバイスを提供する。【解決手段】 光学素子３とアクチュエータ６とが接続する上電極７の上面の接続面１５の面粗度Ｒａを０．０２μから０．２μ程度の範囲する。この程度の面粗度Ｒａは、アニールあるいはイオン照射などによって実現でき、光学素子３とアクチュエータ６との密着度を飛躍的に高めることができる。したがって、高速駆動が可能で、信頼性および耐久性の高い光スイッチングデバイス５０を提供できる。
130 2001-281565 2000/03/30 セイコーエプソン株式会社 微細構造体、その製造方法、光スイッチングデバイス、光スイッチングユニット、および画像表示装置 A2 DA01 PJ01 MA01 MA02 MD01 MDX MEX 3

(57)【要約】【課題】 光学素子をアクチュエータで駆動する光スイッチングデバイスにおいて、耐久性および信頼性の高いデバイスを提供する。【解決手段】 上電極７と光学素子３のサポート部５を積み重ねる光スイッチングデバイス５０であって、これら上電極７とサポート部５とが接合する領域となる接続面１５に、上電極７の一部をサポート部５の方向に延設した凸部７０を設け、段差７９を形成している。さらに、凸部７０は、段差７９を形成する側面７９ｂを逆テーパに形成することで、段差７９により接触面積を増やすと共に、機械的にずれ難くなり、互いの密着性を高めることができる。従って、高速駆動が可能で、信頼性および耐久性の高い光スイッチングデバイス５０を提供できる。
131 2001-281566 2000/03/30 セイコーエプソン株式会社 半導体基板上に構造層を有する装置およびその製造方法 A4 DA01 PB03 PB05 PI02 PJ01 MA01 MB01 8

(57)【要約】【課題】 有機系材料からなる構造層のパターニングの際に、工程を一つ減らすことができ、また、高精度のパターニングを可能にし、デバイスを容易に製造できる方法を提供する。【解決手段】 映像デバイスあるいは画像表示装置としての本例の光スイッチング素子アレイ５０を用いる場合に、個々の画素を構成する個々のマイクロ光学素子３を分離するため、樹脂層３５および３６の上にシリコン含有レジストを塗布し、露光及び現像を行いレジスト層３７を形成する。その後、垂直方向に酸素プラズマエッチングを用いてエッチングを開始すると、パターニングされたレジスト層３７は表面に酸素プラズマにより酸化シリコンの薄膜３８を作り、この酸化シリコン層３８をマスクとして、樹脂層３５および３６に溝４７を掘り、パターニングする。したがって、工程が一つ減るため容易に製造ができ、また、誤差の生まれる工程も減るため、高精度のパターニングができる。
132 2001-284242 2000/04/04 日本電信電話株式会社 パターン形成方法 A4 DAX DBX DCX DDX PJ06 MA01 ME01 MEX 1

(57)【要約】【課題】 平坦化をＣＭＰで行うダマシン法を用いて、従来より短時間にマイクロマシンを形成できるようにする。【解決手段】 フォトリソグラフィ技術により樹脂膜１０４を選択的に除去して凸パターン１０４ａを形成した後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）法により、凸パターン１０４ａの層間膜１０２表面上に突出している部分を研削研磨し、層間膜１０２上を平坦化する。
133 2001-287369 2001/02/23 三星電子株式会社 単結晶シリコンウェーハを利用した一体型流体ノズルアセンブリ及びその製作方法 A4 DCX PB01 MA01 11

(57)【要約】【課題】 単結晶シリコンウェーハを利用した一体型流体ノズルアセンブリ及びその製作方法を提供する。【解決手段】 （１００）面単結晶シリコンウェーハを利用した一体型マイクロ流体ノズルアセンブリは、既存の多数枚のウェーハ及び板を使用して積層していた複雑な構造を単純化して１枚の（１００）面シリコン単結晶ウェーハを利用してずれることなく一体型に具現することにより、大量生産を可能にし、さらにウェーハの結晶面を利用した異方性エッチング工程及びＬＯＣＯＳ工程を利用した適宜なマスクの形成工程などを利用する一括自動整列工程で製作することによりウェーハの数を低減できる。すなわち、一般的なシリコンフォトリソグラフィ工程を活用してこれらの整列誤差を数ミクロン以下に減らし得るだけでなく、複雑ではなく、経済性に優れているほか、歩留まり率も良い。
134 2001-296486 2000/04/13 住友大阪セメント株式会社 マトリクス光スイッチ A4 DA1 1

(57)【要約】【課題】 応答レスポンスが良好で、寿命の長いマイクロマシン用のマトリクス光スイッチを提供する。【解決手段】 マトリクス光スイッチが、周縁部に光ファイバ端部の外周面を挟持して入力ポート又は出力ポートを形成するための複数の切欠きが形成された上蓋１１ａと本体部１２ａとにより形成されるパッケージ３２、反射機構１６から構成され、上蓋１１ａ、本体部１２ａ、入力側光ファイバ２０ａ〜２０ｄの端部の外周縁及び出力側光ファイバ２２ａ〜２２ｈの端部の外周縁がシール剤１４によりシールされて、内部が真空で密閉されたパッケージ３２が形成されている。
135 2001-304440 2000/04/27 経済産業省産業技術総合研究所長 マイクロバルブ装置及びその製作方法 A4 DC02 MA01 MA02 ME06 MF02 1

(57)【要約】 （修正有）【課題】マイクロ流体装置の製作を簡単化すること【解決手段】一個または複数の一方弁マイクロバルブユニット３によって一方弁マイクロバルブ装置または三方弁マイクロバルブ装置Ａを構成した。図は三方弁マイクロバルブ装置の例であり、作動流体流路が入口ポートｌｎ１、ｌｎ２及び出口ポートＯｕｔからきてチップの中央で合する。それぞれの流路は一方弁マイクロバルブユニット３を有している。一方弁マイクロバルブユニット３は通常はメンブレンと弁座が接して閉じている。外部の駆動空気負圧が制御ポートＣ１、Ｃ２、Ｃ３を介して供給され、メンブレンを一方弁マイクロバルブユニット３を開く方向に変位させる。
136 2001-305444 2000/04/21 株式会社トキメック 光スイッチ装置 A4 DA01 1

(57)【要約】【課題】 多数の入力端及び出力端を同時に切り替えることができる極めて小型の光スイッチ装置を提供することを目的とする。【解決手段】 光スイッチ装置は、基板と、固定反射面と、入力端及び出力端の光路の各々に配置された可動反射面と、を有し、可動反射面の傾斜角が変化することによって、入力端からの光は可動反射面及び固定反射面を反射して出力端のいずれかに導かれる。基板及び固定反射面及び可動反射面は光集積回路型に構成されている。
137 2001-308225 2001/02/22 テキサス　インスツルメンツ　インコーポレイテツド 保護されたマイクロメカニカル・デバイスのフリップ・チップ組立体 A4 DAX DBX DDX PH04 PH05 9

(57)【要約】【課題】 マイクロメカニカル構成要素用のランド・グリッド・アレイまたはボール・グリッド・アレイの製作工程中に環境の影響を受けないようにし、しかも低コストのパッケージを製作する方法を提供する。【解決手段】 集積回路ウエーハ全体を保護材料で被覆加工し、はんだボール取付け用の被覆を選択的にエッチングし、チップを単体化し、セラミック基板の開口上でチップのフリップ・チップ組立てを行い、はんだ接合部の間の間隙をポリマー密封材でアンダーフィルし、構成要素の保護材料を除去し、基板に蓋を取り付けてパッケージを密封する。本発明の形態は各種の半導体マイクロメカニカル・デバイス、例えば、アクチュエータ、モータ、センサ、空間光変調器、変形ミラー・デバイスなどに適用することができる。
138 2001-317647 2000/05/08 セイコーインスツルメンツ株式会社 マイクロバルブおよびマイクロポンプ A4 DC02 DC03 MA01 ME06 MEX 1

(57)【要約】【課題】 異物混入や部分的な不具合が生じた際に、容易に洗浄や部分的な交換ができるマイクロバルブおよびマイクロポンプ。【解決手段】 実際に駆動されるアクチュエータ用基板１と、バルブ部１１やポンピング部１２を有するカバー用基板２が着脱可能である構造とすることによって、異物混入の際にはカバー用基板２を取り外すことによって容易に洗浄が可能になるようにし、さらにバルブ部１１やポンピング部１２に不具合が生じた際には、カバー用基板２のみを容易に交換できるような構造とする。また、内部容積やバルブの遮断力などの設計変更をおこなう際には、カバー用基板２だけを交換し、アクチュエータ用基板１は共通で使用することができる構造とする。
139 2001-318325 2000/05/11 セイコーエプソン株式会社 光スイッチングユニット、光スイッチングデバイス、光ガイド、および光スイッチングユニットの製造方法、映像表示装置 A2 DA1 13

(57)【要約】【課題】 エバネセント光の抽出率を維持しながら、吸着を防止できる光スイッチングユニットを提供する。【解決手段】 入射光２を全反射して伝達可能な全反射面１ａを備えた光ガイド１と、この光ガイド１から光２を抽出する抽出面３ａを備えたマイクロ光学素子３とを有する光スイッチングデバイス５０が組合された光スイッチングユニット５５において、抽出面３ａの表面に、レーザ照射によりドーム状で高さが１〜２０ｎｍ程度の複数の微小凸部７０を設ける。この微小凸部７０により僅かに生じる隙間によって吸着力を弱め、吸着を防止し、信頼性が高く低電力で高速駆動でき、同時に、エバネセント光を十分に抽出できる光スイッチングユニット５５を提供できる。
140 2001-322099 2000/05/16 ミノルタ株式会社 マイクロポンプ A4 DC02 1

(57)【要約】【課題】 簡単な構成で微少量の液体を正逆両方向に高精度に搬送すること。【解決手段】 マイクロポンプ１００は、流路抵抗が差圧に応じて変化する第１流路１１５と、差圧の変化に対する流路抵抗の変化の割合が第１流路１１５よりも小さい第２流路１１７と、第１流路１１５および第２流路１１７に接続された加圧室１０９と、加圧室１０９の内部の圧力を変化させるための圧電素子１０７とを備える。加圧室１０９の内部の圧力を圧電素子１０７で変化させることにより、第１流路１１５の流路抵抗と第２流路１１７の流路抵抗との比を異ならせることができる。
141 2001-328100 2000/05/19 シャープ株式会社 光デバイスとその作製方法及びこれを用いた光モジュール並びに光ピックアップ A4 DAX PA07 PB01 PI02 PJ04 MA01 MD01 MD04 ME01 1

(57)【要約】【課題】 量産性、安定性に優れ、可視光にも利用可能な光デバイスとその作製方法、及びこれを用いた光モジュール並びに光ピックアップを提供すること。【解決手段】 光デバイスは、基板と、基板上に形成された光学膜からなる光学素子とで構成され、光学素子は、光学膜の一部を基板から折り曲げて立ち上げることにより形成されていることを特徴とする。
142 2001-330786 2000/05/23 セイコーエプソン株式会社 微細構造体の製造方法 A2 DA01 DC02 11

(57)【要約】【課題】 光学素子をアクチュエータで駆動する光スイッチングデバイスにおいて、耐久性および信頼性の高いデバイスを提供する。【解決手段】 フォトリソグラフィ技術により製造したアクチュエータ６の層に光学素子の層を樹脂３５を成形型７０で成形して製造する際に、樹脂３５の温度をヒータ１０５で制御すると共に、光源１２５からの光を部分的に当てて仮止めする。これにより、精度良く成形型７０とアクチュエータ６が成形されたワーク２０との位置合わせができ、膜厚も管理できる。したがって、アクチュエータ６と光学素子が積層された構成の微細構造体を精度良く製造でき、歩留まりを向上できる。
143 2001-343005 2000/06/01 株式会社日本触媒 アクチュエータおよびマイクロポンプ A4 DC03 1

(57)【要約】【課題】 電極間に保持されたＥＲ流体に電圧を印加した場合に、該ＥＲ流体に剪断流れを生じさせることなく、電極面の法線方向に作用する法線応力が発生するという特性を利用したアクチュエータを提供する【解決手段】 移動電極１と固定電極２との間にＥＲ流体３を保持し、これらの電極間に電圧を印加することによって、上記ＥＲ流体３に電極面に対して法線方向の応力（法線応力）を発生させ、この法線応力によって上記両電極を引きつけることによって移動電極１に変位を生じさせる。
144 2001-347499 2000/06/05 ソニー株式会社 微細装置の製造方法 A4 DA04 DC03 PB02 PB04 MA01 MG01 1

(57)【要約】【課題】 簡易で実用的な製造方法によって厚膜の機能性材料膜を高アスペクト比にパターニングして、動作特性の高いＭＥＭＳやルゲートフィルタなどを実現することが可能な微細装置の製造方法を提供する。【解決手段】 機能性材料層であるＰＺＴ層６ａ，６ｂを成膜するための高温プロセスにも耐えることができ、しかも高アスペクト比のパターニングが可能であり、また微細装置の製造工程全体に対するプロセス整合性も良好である、Ｓｉ層２を型４として用いて、所望のＰＺＴ層６よりも深い溝状または間隙状のパターンの型４を形成し、その型４の窪みの部分を含む表面全体にＰＺＴ層６ａ，６ｂ機能性材料層（膜）を成膜する。型４上に堆積しているＰＺＴ層６ｂを、その型４と共に除去して、ＰＺＴ層６ａのパターンのみを選択的に残して所望の機能性材料層のパターンを得る。
145 2001-347500 2000/06/06 株式会社デンソー マイクロマシンの作製方法 A4 DB01 PI02 MB01 MD03 MD04 MD06 MF02 5

(57)【要約】【課題】新規な手法により、基板の選択の自由度を増し、安価な基板の使用を可能にするとともに、段差の大きな構造体の作製を可能にするマイクロマシンの作製方法を提供する。【解決手段】高抵抗シリコン基板１の上に、絶縁層５と線路用導体や制御電極となるＡｕ／Ｔｉ膜（２，３，４，１２ａ，１２ｂ）を形成した後、その上に絶縁層６を形成する。基板１の上に、導電性を有する犠牲層としての銅膜２０を形成する。フォトレジスト２２を形成した後、Ｃｕ犠牲層２０上を含む基板１上に、無電解メッキ法（無電解Ｎｉ−Ｐメッキ）によりアモルファスＮｉ−Ｐ膜８を堆積する。Ｃｕ犠牲層２０をエッチングにより除去してアモルファスＮｉ−Ｐ膜８を梁構造にする。
146 2001-349731 2000/06/06 松下電器産業株式会社 マイクロマシンデバイスおよび角加速度センサおよび加速度センサ A4 DD01 PG01 PH01 MA01 MAX MF02 1

(57)【要約】【課題】 ボンディング方向とボンディング面を単一化し、実装時のワイヤーボンディングを容易化する。【解決手段】 シリコン基板側にコンタクト部を設け、ガラス基板側電極のリード線端部をコンタクト部で挟み込むことにより、シリコン側電極とガラス側電極のボンディングパットを全てシリコン上に配置する。上記の対策により、電極の方向に関わらず、外部回路と接続するためのボンディングパットを同一平面上に形成できるため、ワイヤーボンディングが非常に容易に出来、量産時のコスト削減に大きく寄与する。
147 2001-349732 2000/06/06 松下電器産業株式会社 マイクロマシンデバイスおよび角加速度センサおよび加速度センサ A4 DD01 PB01 PH01 MA01 MAX MF02 1

(57)【要約】【課題】 ＳＯＩ型角速度センサ及び加速度センサの回路基板上への高密度表面実装実現。【解決手段】 ＳＯＩ基板の支持層側に接続穴を設け、バンプや異方性導電膜を用いて、裏面から活性層の端子部と回路基板上のランドを接続することにより、ワイヤーボンディングに要するスペースを不要とする。上記の対策により、センサの回路基板への高密度表面実装を実現し、機器の小型化に寄与せしめる。
148 2001-350107 2000/06/05 セイコーエプソン株式会社 薄膜ミラー素子及び薄膜ミラーアレイ A4 DA01 1

(57)【要約】【課題】 各々の傾斜角を大きく変更可能な薄膜ミラーアレイ及び当該薄膜ミラーアレイのための薄膜ミラー素子を提供すること。【解決手段】 本発明の薄膜ミラー素子１０は、基板２０に固定するための台座部１１と、基端１２ａが台座部１１の上面１１ａに固定された薄膜圧電体１２とを備えている。薄膜圧電体１２の先端１２ｂは、台座部１１の上面１１ａから延設されている。薄膜圧電体１２の上面側には、上部薄膜電極１３が形成され、下面側には、下部薄膜電極１４が形成されている。薄膜圧電体１２の台座部１１の上面１１ａから延設された部位には、ミラー保持部１５が取付けられ、ミラー保持部１５が、反射ミラー１６を保持している。
149 2001-351906 2000/06/06 キヤノン株式会社 シリコン基板のエッチング方法 A4 DFX PC01 MA01 MEX 2

(57)【要約】【課題】アルカリ性水溶液を用いるシリコン基板の異方性エッチングにより、滑らかな、アンダーカットの小さいエッチング表面を得る。【解決手段】アルカリ性水溶液にポリエチレングリコールおよびポリプロピレングリコールの内少なくても１種、並びに３−オキシ２−メチルアントラキノン、ヒドロキノンおよびカテコールジスルホン酸の内少なくても１種を添加する
150 2001-353700 2000/06/12 オリンパス光学工業株式会社 マイクロマシン製造方法及びエッチング停止層 A4 DA02 PA01 PA03 PB01 MA01 MB03 ME01 1

(57)【要約】【課題】従来技術によるマイクロマシン製造方法は、エッチング工程においてエッチング停止層の形成時に異物が付着した場合には、ピンホールとなって、エッチングしない素子に損傷を与える場合があった。【解決手段】 本発明は、基板３１にエッチング停止層３７やエッチングマスク３６を形成する際に、成膜工程の間に基板洗浄の工程を挟んで、異物除去を高め、２層以上の多層膜からなるエッチング停止層３７若しくはエッチングマスク３６を形成することにより、ピンホール４２等の発生を防止したマイクロマシンの製造方法及びエッチング停止層である。
151 2001-356283 2000/06/15 ケイディーディーアイ株式会社 可動反射鏡とその可動反射鏡を用いた光スイッチ A4 DA01 1

(57)【要約】【課題】光ビームの光軸ずれが少なく、また光路長差が少ない微小型の可動平面反射鏡及びこの可動平面反射鏡を用いた光スイッチを提供する。【解決手段】予め定めた一平面内にある一つの長方形の各頂点に中心が位置するように各可動平面反射鏡が基板上に配置され、各可動平面反射鏡はその長方形の一対の平行な辺のうちの該当する一方と一致するように配置された回転軸を中心に回転可能なるように基板に支持されている。回転軸を含む平面に沿う方向から入射する入射光が、その回転軸の回転が有るか否かにより可動平面反射鏡の一つにより進行方向を転換するか直進する方向に反射し、かつ、前記の一平面と平行に所定の間隔を以て配置された直進光路反射鏡または交叉光路反射鏡により再反射され、他の可動平面反射鏡のいずれかに入射して反射し出力光となる。
152 2001-502247 1997/02/10 フラウンホーファー―ゲゼルシャフト、ツール、フェルデルング、デァ、アンゲヴァンテン、フォルシュング、アインゲトラーゲネル、フェライン 膜連結による双安定マイクロアクチュエータ A4 DC02 DC03 8
WO1997/29538 (57)【要約】本発明は、空気的または液体により連結された双安定静電アクチュエータに関する。静電膜アクチュエータは、密閉型金属電極（２１、２２、２３）を有する。これはマイクロバルブまたはマイクロポンプに用いられる。対を成す湾曲膜部分（２０ａ、２０ｂ、２０ｘ）と、この膜部分（２０ａ、２０ｂ）と部分的に協同する湾曲する基板電極（２１、２２、２３）を有する。
153 2001-502248 1997/09/25 レッドウッド　マイクロシステムズ，インコーポレーテッド 電気的に駆動される一体型マイクロバルブ A4 DC02 DD03 DD07 2
WO1998/13605 (57)【要約】流体流及び圧力を制御するため、電気的に駆動される一体型マイクとバルブを形成する。これらのバルブは、フレキシブルな壁（２０）を備えるシールキャビティ（１００）を有するエネルギー変換デバイス（１２０）を介して電気的エネルギーを機械的エネルギーに変換する。シールキャビティ（１００）は、加熱・冷却されると膨張・収縮する流体（１３０）を含有しており、フレキシブルな壁（２００）を運動させる。この壁(２００)、すなわち膜の運動は、バルブ要素（３００）を運動させるために用いられるとともに、所定の範囲にわたってバルブポートを開閉させるように、動的制御を行わせている。
154 2001-503681 1997/05/06 ユニバーシティ　オブ　ワシントン バルブレス液体マイクロスイッチ A4 DC01 DC02 2
WO1997/45644 (57)【要約】本発明は、交差するマイクロチャネル間で液体フローを高速で切り替えるバルブレスの方法および装置を提供する。液体フローは、外部推進圧力を操作することによって制御される。このスイッチは交差する３つのマイクロチャネルを有し、このマイクロチャネルは、交差していない端部に、液体の入口および出口用の液槽をそれぞれ有する。このスイッチは、それぞれの槽に推進圧力を付与する手段と、推進圧力を切り替える手段とをさらに含む。本発明のマイクロスイッチは、同時に３つのチャネルの合流点における圧力に等しい圧力を第３の槽に付与することによって、第３のチャネルへのフローを防ぎつつ、第１および第２の槽の間で圧力差を付与することによって、第１のチャネルから第２のチャネルへの液体フローを確立するように動作する。１つ以上の推進圧力を切り替えることによって、第２のチャネルへのフローを止めることが可能であり、そして液体フローを第３のチャネルに方向づけし直すことが可能である。
155 2001-504995 1997/11/24 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト マイクロメカニカルセンサの製造方法 A4 DD01 DD03 1
WO1998/23935 (57)【要約】シリコン基板にマイクロメカニカルデバイスとして絶対圧センサを作成する方法において、空所（４）がダイヤフラム膜（５）の下に位置する補助膜（３）にエッチング穴（６）を通してエッチング形成され、エッチング穴がパッシベーション膜（７）によって閉鎖され、接触穴エッチングの際に特別なエッチング開口部（１１）が再び開口され、この開口部が低い圧力で行われる後続のステップにおいて金属膜又は誘電体材料（１０，１２）で再び閉鎖される。
156 2001-505640 1997/12/11 ゲーシム・ゲゼルシャフト・フューア・ズィリーツィウム−ミクロズュステーメ・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング マイクロポンプ A4 DC03 DDX PC01 PG01 PJ06 MA01 MD07 MDX 1
WO1998/26179 (57)【要約】本発明は、微小滴を発生させるためのマイクロポンプに関する。このマイクロポンプは、シリコンチップ内に形成された少なくとも１つのポンプ室と、このポンプ室上に配置された圧電操作可能なシリコンダイヤフラムとを備えている。ポンプ室は少なくとも１つの流入通路と、排出口を有する流出通路に接続されている。ガラスチップはシリコンダイヤフラムに向き合って少なくともポンプ室を閉鎖している。本発明の根底をなす課題は、１兆分の数リットルから百万分の数リットルまでの容積範囲において液体または懸濁液または液状物質を取り扱うことができ、かつ高い周波数安定性を有する、マイクロポンプを提供することである。本発明は、シリコンチップ（２）内にある流入通路（７）の少なくとも一部がポンプ室（４）の方に向かってディフューザ要素（１１）として形成され、付加的にヒータが設けることができ、このヒータがヒータ接点（１８，１９）と関連して少なくともポンプ室（４）のシリコンダイヤフラム（５）に作用していることを特徴とする。
157 2001-507288 1998/01/05 シーメンス　アクチエンゲゼルシヤフト マイクロメカニズム式半導体装置及びその製法 A4 DC03 DD01 MA01 2
WO1998/29748 (57)【要約】本発明は、空所（９）内部に形成された膜（７）を有するマイクロメカニズム式半導体装置に関する。膜（７）は、半導体装置の基板（１）内部又は基板（１）上に設置されたエピタキシャル連続層内部の１つの結晶層により形成されている。この膜（７）は周縁領域で支持層（６）にのっており、かつ対向層（５）上に支持されたカバー層（４）で覆われている。一方の支持層（６）及び対向層（５）と他方の膜（７）とは、所定の化学的ウェットエッチング剤に対して異なるエッチングレートを有する材料から調製されており、かつ異なるようにドーピングされた材料からなるのが有利である。
158 2001-507289 1997/12/29 コミツサリア　タ　レネルジー　アトミーク 微細加工構造の懸架素子作成方法 A4 DD01 DD03 PB01 MA01 MB01 2
WO1998/29720 (57)【要約】本発明は、第１材料で作られた第１の所謂阻止層２と第２の材料で作られたその中に懸架素子７が形成される第２層で連続して覆われた基板１から成る構造物を、エッチング技術を使用して、微細加工することによって少なくとも懸架素子７を製造する方法に関する。本方法は、阻止層２に影響を与えることなく、第２材料の異方性エッチングのために確立された条件の下で、第２層３をエッチングすることを可能にする選択性を持つガスを用いるドライエッチング技術を使用する。そのエッチングは、阻止層２のレベルまで懸架素子７の範囲を定める第１フェイズにしたがって行われ、続けて第１フェイズ中に範囲を定められ阻止層に隣接する懸架素子の表面層をエッチングすることで懸架素子７を自由にする第２フェイズにしたがって行われる。
159 2001-507425 1997/12/19 ウエストンブリッジ　インターナショナル　リミティド 組込み中間部品をもつマイクロポンプ A4 DC03 PG01 MF02 2
WO1998/29661 (57)【要約】マイクロポンプは、少なくとも１つの基板（１）と、少なくとも１つの上部板（２）と、この２つの板（１，２）の間に置かれ、かつマイクロポンプの少なくとも入口とマイクロポンプの少なくとも出口に接続したポンプ室（４）を形成している中間板（３）とを備えている。このポンプ室は、中間板（３）に機械加工された可動壁（５）を備えている。上部板には、可動壁（５）の少なくとも一部で凹部（８）とつながっている少なくとも１つの開口（12）が設けられている。上部板（２）の自由面に接着された駆動装置（６，７，13）が、ポンプ室（４）の容量に周期的な変動をもたらすように、前記可動壁（５）を移動するのに用いられる。本発明によれば、駆動装置（６，７，13）は、可動領域（11）と前記凹部（８）とを区画形成するように、機械加工が可能な材料の駆動板（７）によって形成される。上部板（２）から形成された中間部品（13）は、可動壁（５）と接触するように、駆動板（７）に固定される。
160 2001-514434 1998/07/24 シーメンス　エレクトロメカニカル　コンポーネンツ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング　ウント　コンパニー　コマンディートゲゼルシャフト マイクロメカニカル静電リレー及びそれの作製方法 A4 DB01 MA02 MAX MD06 MF02 2
WO1999/10907 (57)【要約】マイクロメカニカル静電リレーは、ベースサブストレート（１）を有し、該ベースサブストレート（１）上には、片側にて結合された接極子ばね舌片（４１）が可動コンタクト（８）と共に、次のように構造化されている、即ち、休止状態にて、弾性的にベースサブストレート（１）から曲げ出されているように構造化されている。可動のコンタクト（８）と共働する固定コンタクト（７）が、同様に弾性的にベースサブストレート（１）から曲げ出された固定コンタクト−ばね舌片（４２）上に配されており、ここで、両接極子ばね舌片は、それの自由端部を以て、相対向し、可動のコンタクト（８）は、固定コンタクト（７）と重なりオーバーラップするように配置構成されている、２つのばね舌片上でのコンタクトの配置により、静電駆動部にて可能な接極子変位距離にも拘わらず、延伸された状態のほかにコンタクトにて比較的大きなオーバーストロークが得られ、それにより十分な接触力が生ぜしめられる。
161 2001-515183 1998/08/19 ウエストンブリッジ　インターナショナル　リミティド 自給を可能にする入口制御部材を具備するマイクロポンプ A4 DC03 PG01 MA01 MF02 1
WO1999/09321 (57)【要約】本発明は、少なくとも、第１の板（１２）と、第２の板（２０）と、中間板（１８）と、ポンプチャンバー（２４）と、入口及び出口制御部材（２８、３０）を具備するマイクロポンプ（１０；１００）に関する。本発明によると、該入口制御部材（２８）は、該中間板（１８）の厚みの主要部分に配置される逆止弁であって、可動部材（４０）と、板（１２、２０）の１つの近くに配置されており、該可動部材（４０）を該中間板（１８）の残りの部分に接続しており、更にその弾力のある特性により該弁（２８）が閉位置と開位置間で動くことを可能にする膜形状部分（４２）から形成されており、該可動部材（４０）は、そこを通過する限られた体積のオリフィスを有する。
162 2001-515201 1998/09/01 アナログ　デバイセス　インコーポレーテッド マイクロマシン加工デバイス A4 DD02 PI02 2
WO1999/12002 (57)【要約】基板上に懸垂され、その平面で基板に関して運動可能な第１および第２の同一平面のボディを有するミイクロマシン加工されたジャイロスコープ。該第１のボディが、ディザ軸に沿ってディザされ、ディザ軸上で第２のボディに関して運動可能であるが、該ディザ軸を横切る軸に沿っての運動にたいしては堅固に結合される。該第２のボディが固定され、ディザ軸に沿っての運動から抑制されるが、該横軸に沿っての第１のボディを運動できる。該ジャイロは止め部材と、破損を防止するための否浮揚システムを有する。
163 2001-517155 1996/05/16 ザ　リージェンツ　オブ　ザ　ユニバーシティ　オブ　カリフォルニア 高い垂直縦横比の多層薄膜構造 A2 DC02 DCX PB03 PI02 MAX 14
WO1996/41368 (57)【要約】本発明は、電子回路と機械装置を同一シリコンチップ上に集積させた、微小電子機械システム(マイクロエレクトロメカニカルシステム:Microelectromechanical system)の領域に関する。この方法によれば、薄膜付着工程を使用して、高さが１５０ミクロンより大きい薄膜構造体（２）を製造できる。ウエハを、このような構造体を製造に十分なモールドとして再利用可能である。電気的、機械的、または、電子機械的装置を製造するために、種々の物性を、構造体内で変化させるのがよい。
164 2001-518169 1997/10/01 ウエストンブリッジ　インターナショナル　リミティド 流体用の微細加工された装置およびその製造方法 A4 DC02 DC03 MA01 MD01 MD02 MD04 MD09 1
WO1998/14707 (57)【要約】本発明は流ダクト（１４）を備えた基板（１２）と、ポンプダイアフラムまたは逆止弁を形成するダイアフラムのような変形可能な薄い層（１８）とを具備する流体用微細加工装置（１０）に関する。薄い層（１８）は好ましくはチタンからなる薄く延ばされた金属シートであり、この金属シートは陽極溶接により流導管との重なり領域（２０）において基板（１２）に接続される。本発明は逆止弁を製造するのに有益である。
165 2001-518677 1998/08/28 クロノス・インテグレイテッド・マイクロシステムズ，インコーポレイテッド 熱アーチ状ビームマイクロ電子機械装置および関連の製造方法 A4 DB01 DC02 MA01 MA02 MB03 MD03 MD04 MD06 MD09 MF01 MF02 3
WO1999/16096 (57)【要約】大きい力および変位を提供するが、電力消費量は比較的小さいＭＥＭＳアクチュエータが提供される。ＭＥＭＳアクチュエータは、マイクロ電子基板、基板上の互いに間隔を置いて配置されているサポート、および、互いに間隔を置いて配置されているサポートの間で延びている金属アーチ状ビームを含む。ＭＥＭＳアクチュエータは、ビームがさらにアーチ状に湾曲するようにアーチ状ビームを加熱する加熱器も含む。加熱器から金属アーチ状ビームへ効率的に熱を伝達するために、金属アーチ状ビームは加熱器に跨って位置し、加熱器から僅かながら間隔を置いて配置されている。それ自体として、ＭＥＭＳアクチュエータは、加熱器により発生される熱を、金属アーチ状ビームの運動に効率的に変換する。１つ以上のＭＥＭＳアクチュエータを含み、その効率的な操作特性を利用する、例えばリレー、スイッチングアレイおよび弁などの、他のＭＥＭＳ装置のファミリーも提供される。さらに、ＭＥＭＳアクチュエータを製造する方法がさらに提供される。
166 2001-519726 1998/04/01 クセロス・インク 微細加工捩り振動子の動的特性の調整 A4 DA02 DD02 DD09 PJ04 9
WO1998/44571 (57)【要約】ビームスキャナー、ジャイロ等に用いられる改良された微細加工構造物は、基準部材（１５４，５４）と、この部材から突出する軸方向に並んだ第一の対の捩りバー（１５６、５６）を具備する。捩りバー（１５６、５６）により基準部材（１５４、５４）に連結され、この側より支持される第一のダイナミック部材（１５４、５４）は捩りバーの軸の周りに一次元振動する。二次元振動のためには、軸方向に一直線に並んだ第二の対の捩りバー（５６）により第二のダイナミック部材（５２）を第一のダイナミック部材（５４）側から支持すれば良い。ダイナミック部材（５４、５２）は、複数の振動モードをそれぞれ示し、各モードは振動数とＱ値を有する。本発明の改良により、ダイナミック部材の振動数とＱ値の特性を変更する手段が設けられる。ダイナミック部材（５４、５２）の間を連結すると、第一のダイナミック部材に適用される技術により第二のダイナミック部材の振動数とＱ値を変更することができる。振動振幅を増大する技術、或いは駆動電圧を低下させる技術、またこの構造物の機械的堅牢度を高める技術も開示される。