Stress investigation of PECVD dielectric layers for advanced optical MEMS

出典: finemems

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目次

記事

 温度が60℃と300℃のPECVDで析出した誘電体膜の二酸化シリコンと窒化シリコンの応力を調べた。300℃での析出時の周波数条件を変えて窒化シリコンの応力を+850MPa(圧縮)〜-300MPa(張力)に調整した。60℃で析出した窒化シリコンの応力は周波数によって同様な依存性を示したが、二酸化シリコンは周波数を変えてもその影響がなかった。犠牲層はホトレジストを用い表面マイクロマシン技術によって応力研究用ファブリーペロ膜構造体を作った。

文献

Journal of Micromechanics and Microengineeri(巻-号)14-3 (ページ)317-323 (発行年-月)2004-3

著者

A.Tarraf/Univ.of Kassel,DEU J.Daleiden/Infineon Technologies AG,DEU S.Irmer/Univ.of Kassel,DEU D.Prasai/Infineon Technologies AG,DEU H.Hillmer/Univ.of Kassel,DEU

キーワード

stress,silicon dioxide, silicon nitride,PECVD film, frequency interlacing,surface micro machining technology, photoresist,sacrificial layer, micro structure,Fabry-Perot filter membrane

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運営
(財)マイクロマシンセンター