SiO2表面に形成されるナノ周期構造の照射レーザーフルーエンス依存性

出典: finemems

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パルス幅100fsのTi:Sapphireレーザー（波長800nm：近赤外）を用いてSiO2表面の加工を行った。波長800nmはSiO2に対して透明であるが、集光強度を上げることで多光子吸収を誘起し加工を行うことができる。照射パルス数を5ショットとして、照射フルーエンスを変化させ加工痕がどのように変化するかを観察した。図１，図２、図３にそれぞれ、照射強度5.3J/cm^2、6.3J/cm^2、7.3J/cm^2の時の加工痕のSEM像を示す。加工痕底面に偏光方向と平行な微細な周期構造が確認できる。図４に周期構造間隔の照射強度依存性を示す。周期構造間隔は約700〜800nmで照射強度の増加と共に大きくなる傾向にあった。

対象材料

SiO2

装置

条件

禁則事項

留意事項

文献情報，参考文献

鶴見洋輔,井澤友策,藤田雅之：フェムト秒レーザーによる誘電体表面への微細構造,第68回応用物理学会学術講演会,5p-Y-4,(2007).

関連情報：SiO2表面に形成されるナノ周期構造

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