SiC表面マイクロマシニングのためのpoly-SiへのSiC成膜
出典: finemems
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SiC表面マイクロマシニングにおいて、poly-Siなどの犠牲層にSiCを成膜する技術は必要である。ここではpoly-Siに良質のSiC膜を付ける方法について紹介する。
比較・評価
Si基板に絶縁膜として、Si3N4を200nm、poly-Siを100nm付けた基板を用意し、Table.1とTable.2に示すプロセスでSiC成膜を行った場合の表面の成膜状態をFig.1とFig.2にそれぞれ示す。カーボナイゼイションのあるプロセスのFig.1は滑らかで均一な表面（Ra＝12.2）になっている。Fig.2では大きな粒子が見られゴツゴツした表面（Ra=28.3）になっている。
またSiC/poly-Siの界面についてTEM像について観察すると、Table.1のプロセスではFig.3に示すように、滑らかで均一な界面となっているが、Table.2のプロセスのFig.4ではpoly-Siが部分的に消えている部分があり、さらにはSi3N4も部分的に消えてしまって、SiCで埋め尽くされている。そのためSiC表面が不均一になっている。このようにpoly-SiにSiCを成膜するときはカーボナイゼイションが必須となる。
禁則事項
留意事項
文献情報，参考文献
Robert F.Wiser et. al., "Polycrystalline Silicon-Carbide Surface-Micromachined Vertical Resonator―Part Ⅰ:Growth Study and Device Fabrication", J. Microelectromech. Syst, VOL 14, No.3,JUNE(2005),567-578
