Si表面への突起構造形成（軸対称偏光ビーム照射）

出典: finemems

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図１にGaussianビームと軸対称偏光ビームの集光強度分布の比較を示す。軸対称偏光ビームはビーム中心部で電界強度がゼロになるためにドーナツ状の強度分布となる。このようなビームをSi表面に集光照射すると、図２に示すような加工痕が形成される。用いたレーザー光の波長は800nm、パルス幅は100fsである。加工痕中央部をSEMで斜めから観測した結果を図３に示す。中心部の強度分布がゼロであることに起因して高さ1.5μmの突起が形成された。

対象材料

Si

装置

条件

禁則事項

留意事項

文献情報，参考文献

井澤友策,鶴見洋輔,藤田雅之：軸対称偏光フェムト秒レーザーによるSiのアブレーション加工,第55回応用物理学会学術講演会(春季),(2008).

関連情報：Si表面のナノ周期構造（軸対称偏光ビーム照射）,各種試料表面への突起構造形成（軸対称偏光ビーム照射）

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