Si表面のナノ周期構造（軸対称偏光ビーム照射）

出典: finemems

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加工しきい値近傍の光強度でフェムト秒レーザーを金属や半導体表面に照射すると、間隔が波長程度の周期構造が自己形成される現象が見いだされている。サブμmの波長の光を用いるとサブμm（ナノサイズ）の周期構造となる。この周期構造はレーザーの偏光方向（電界振動方向）に対して垂直に形成される。図１にRadial偏光でSi表面に自己形成されたナノ周期構造を示す。Radial偏光は半径方向に振動する電界成分をもつために同心円状のナノ周期構造が形成される。図２にAzimuthal偏光でSi表面に自己形成されたナノ周期構造を示す。Azimuthal偏光は円周方向に振動する電界成分をもつために放射状のナノ周期構造が形成される。

対象材料

Si

装置

条件

禁則事項

留意事項

文献情報，参考文献

井澤友策,鶴見洋輔,藤田雅之：軸対称偏光フェムト秒レーザーによるSiのアブレーション加工,第55回応用物理学会学術講演会(春季),(2008).

関連情報：Si表面への突起構造形成（軸対称偏光ビーム照射）,各種試料表面への突起構造形成（軸対称偏光ビーム照射）

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