Si表面のナノ周期構造形成

出典: finemems

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加工しきい値近傍の光強度でフェムト秒レーザーを金属や半導体表面に照射すると、間隔が波長程度の周期構造が自己形成される現象が見いだされている。サブμmの波長の光を用いるとサブμm（ナノサイズ）の周期構造となる。図１にSi表面に自己形成されたナノ周期構造を示す。表面形状は原子間力顕微鏡で測定した。直径5μmのビームを1回だけ掃引させた後に規則正しい縞模様が見える。周期間隔は800nmであり、初期表面よりも1.5nmだけ盛り上がっている。縞模様1本1本をビームで描いたのではなく、ビームの集光強度分布に変調を加えたわけでもない。ガウシアン集光ビームの中に自己形成されている。この周期構造はレーザーの偏光方向（電界振動方向）に対して垂直に形成される。

対象材料

Si

装置

条件

禁則事項

留意事項

文献情報，参考文献

井澤友策,藤田雅之：フェムト秒レーザーを用いた半導体微細加工,オプトロニクス,No.4,(2006)pp.181-184.

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