Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性(パルス幅〜100ns)

出典: finemems

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単結晶Siウェハ(厚み300μm)内部にNd:YVO4レーザー(波長1064nm:赤外、パルス幅〜95ns)を集光照射して加工を行った。図1に示すように集光点をウェハ表面から5 μmピッチで内部へと移動しビームを掃引しウェハ内部 -70 μmまで変化させた。線間隔は100μm、走査速度は200 mm/sec、パルス繰り返し周波数は200kHzで加工を行った。パルスエネルギーは3μJから5μJまで変化させた。ダイヤモンドペンで劈開し断面観察を行った結果を図2に示す。パルスエネルギー3μJの時には表面アブレーション無しに内部加工を施すことができた。

対象材料

Si

装置

条件

禁則事項

留意事項

文献情報,参考文献

Y.Izawa,Y.Tsurumi,S.Tanaka,H.Kikuchi,K.Sueda,Y.Nakata,M.Esashi,N.Miyanaga,M.Fujita,“Debris-Free Laser-Assisted Low-Stress Dicing for Multi-Layered MEMS”,IEEE J.,Trans.SM,Vol.128,No.3,(2008)pp.91-96.

関連情報:Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性(パルス幅〜200ns) , Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性(パルス幅〜50ns)

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