Siのレーザー加工特性(波長800nm)

出典: finemems

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目次

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単結晶Siウェハにパルス幅約100fs のTi:Sapphireレーザー(波長800nm:近赤外)を集光照射してアブレーションレート(nm/shot)を求めた。実験は大気中で行い、集光強度分布はガウシアンであった。レーザーエネルギーを調整しながらレーザー光を試料に照射し、ショット数を変化させて加工深さをレーザー顕微鏡で測定した。加工深さはショット数に比例して増加した。図1にアブレーションレートの照射フルーエンス依存性を示す。実線はモデル直線である。この近似により、加工閾値は0.34J/cm2、光進入長は20nmであることが分かる。

対象材料

Si

装置

条件

禁則事項

留意事項

文献情報,参考文献

井澤友策,藤田雅之:フェムト秒レーザーを用いた半導体微細加工,オプトロニクス,No.4,(2006)pp.181-184.

関連情報:Siのレーザー加工特性(波長400nm)

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