SAMによる表面改質を利用した高分子、Ａｌパターンの自己整合配置技術
出典: finemems
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テキサス大学のグループは、SEIP(surface energy induced pattering)プロセスと呼ぶ、SAMs(self-assembled monolayers)とレジストパターンのリフトオフにより、Si基板表面に表面エネルギーの異なる領域を作ることで、高分子及びAlパターンをリソグラフィを用いることなく作製できる（自己整合的に配置できる）方法を報告。ポリマー材料としてはＭＥＭＳに広く使われるレジストＳＵ－８、ポリ（エチレングリコール）ベースのブロックポリマー、この実験では、ポリ（エチレンーグリコール）－ｂーポリ（D,Lーラクチド)(PEG-PLA)を使用。ＳＡＭとしては、(heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl)trichlorosilane(FDTS)を使用。図１a)のテンプレート作製には、分子量９５０ＫのＰＭＭＡを電子線リソグラフィまたはナノインプリントを用いるとした。
文献情報，参考文献
L. Tao, A. Crouch, F. Yoon, B. K. Lee, J. S. Guthi, J. Kim, J. Gao, W. Hu,“Surface energy induced patterning of organic and inorganic materials on heterogeneous Si surfaces”,J. Vac. Sci. Technol. B 25, pp1993-pp1997(2007).
