Poly-SiC表面マイクロマシニングによる垂直共振子
出典: finemems
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両端固定のpoly-SiCの梁を作成し、UHF（300～3000MHz）帯域で使用できる共振子を作成する。SiCはSiに比べ硬いので、より高い共振周波数が期待できる。
作成
SiC表面マイクロマシニングにおいて、SiCを加工するとき、SiやSiO2との選択比との問題でRIEは使用できない。ここではAPCVDによるSiO2とSi3N4上へのSiC成膜で紹介した手法を用いている。 また構造層として用いるpoly-Siにはカーボナイゼイション(SiC表面マイクロマシニングのためのpoly-SiへのSiC成膜)が必要である。
次に作成の工程をFig.1に示す。 （a）Si基板にSiO2/SiN/SiO2層を成膜する。
（b）SiO2をエッチングし電極パターンを形成する。
（c）ドーピングしたSiCをAPCVDで成膜する。
（d）SiO2をエッチングし、SiCをリフトオフする。
（e）犠牲層となるpoly-Siを成膜する。
（f）poly-Siをエッチングし、構造層と電極とを通電させる窓をあける。
（g）リフトオフのためのSiO2を成膜する。
（h）SiO2をエッチングする。
（i）ドーピングしたSiCを成膜する。
（j）SiO2をエッチングしSiCをリフトオフする。
（k）poly-SiをエッチングしSiC構造体をリリースする。
完成したデバイスのSEM像をFig.2(a)(b)に示す。
特徴
この工程で重要なのがSiO2の厚さとSiCの厚さの比が3：1にすることで、効率よくSiCをリフトオフできる。 このプロセスではSiCをエッチングせずに加工できるので、基板へのダメージはほぼゼロになった。
文献情報，参考文献
Robert F.Wiser et. al., "Polycrystalline Silicon-Carbide Surface-Micromachined Vertical Resonator―Part Ⅰ:Growth Study and Device Fabrication", J. Microelectromech. Syst, VOL 14, No.3,JUNE(2005),567-578
