CuコートSiO2表面に形成されるナノ周期構造の照射レーザーフルーエンス依存性
出典: finemems
目次 |
項目の説明 【必須】
パルス幅100fsのTi:Sapphireレーザー(波長800nm:近赤外)を用いてCuをコートしたSiO2表面の加工を行った。Cuのコート厚は100nmであった。照射フルーエンスを変化させ加工痕を観察した。図1に照射強度 (a) 1.3J/cm^2、(b) 2.1J/cm^2、(c) 2.7J/cm^2、(d) 6.4J/cm^2、(e) 15.0J/cm^2、(f) 17.1J/cm^2の時の加工痕のSEM像を示す。照射パルス数は照射強度に対して適宜調整した。いずれの場合も表面にコートしたCuはアブレーションにより除去されている。図1(a)〜(c)においては、加工痕中心部に偏光方向と垂直な周期構造が確認できる。一方、照射強度が高い図1(d)〜(f)においては、加工痕中心部に偏光方向と平行な周期構造が確認できる。図4に周期構造間隔の照射強度依存性を示す。SiO2単体のレーザー加工しきい値を境にして、表面に形成される微細集光増の間隔が大きく変化することが明らかとなった。
対象材料
CuコートSiO2
装置
条件
禁則事項
留意事項
文献情報,参考文献
鶴見洋輔,井澤友策,藤田雅之:フェムト秒レーザーによる誘電体表面への微細構造,第68回応用物理学会学術講演会,5p-Y-4,(2007).
