CuコートSiO2表面に形成されるナノ周期構造

出典: finemems

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パルス幅100fsのTi:Sapphireレーザー（波長800nm：近赤外）を用いてCuをコートしたSiO2表面の加工を行った。Cuのコート厚は100nmであった。波長800nmはSiO2に対して透明であるが、図１に示すようにSiO2表面にCuを薄くコートすることで加工特性がどのように影響を受けるかを調べた。照射フルーエンスを2.1J/cm^2に固定し、ショット数の増加による加工痕の変化を観察した。図２にそれぞれ、ショット数10、100、1000、5000の時の加工痕のSEM像を示す。いずれの場合も表面にコートしたCuはアブレーションにより除去されている。加工痕中心部に偏光方向と垂直な微細な周期構造が確認できる。図３に周期構造間隔の照射パルス数依存性を示す。周期構造間隔はパルス数に依存せず、約180nmであった。この周期構造間隔は初期にCu表面に形成される微細周期構造よりも細かな周期間隔であることが確認された。

対象材料

CuコートSiO2

装置

条件

禁則事項

留意事項

文献情報，参考文献

鶴見洋輔,井澤友策,藤田雅之：フェムト秒レーザーによる誘電体表面への微細構造,第68回応用物理学会学術講演会,5p-Y-4,(2007).

関連情報：CuコートSiO2表面に形成されるナノ周期構造の照射レーザーフルーエンス依存性

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