CMP-Cu：表面粗さ
出典: finemems
目次 |
項目の説明 【必須】
CMPプロセスはダマシンプロセスによるCu埋め込み配線の形成などに用いられる研磨手法である．数nm以下の金属表面粗さを大面積で確保できることが特徴で，将来のMEMS実装技術における高密度3次元配線接続などに応用が期待される．微細CMP-Cu配線接続を考慮に入れた場合，アライメント精度や信頼性の観点から，接続プロセス温度は常温域まで低くなることが望ましい．現在まで，表面活性化常温接合法(surface activated bonding, SAB)のようなビーム照射プロセスによる清浄表面の創製を利用した接続手法により，超低プロファイルCu電極による10umピッチ100,000ピンレベル接続などが達成されている．ところが，ビーム照射の物理的衝撃による清浄化プロセスはCu表面粗さを増大させる傾向があるため，清浄化と表面の荒れのバランスがとれたエッチングプロセス設計が必要である．図は，平均粗さ1nm以下のCMP-Cu薄膜に対してAr高速原子ビームによるドライエッチングを施し，そのエッチング深さに応じた表面粗さの変化を追ったものである．右図の原子間力顕微鏡(atomic force microscope, AFM)が示すように，CMP-Cu薄膜表面に表出した結晶粒の軸方向によりエッチングレートが異なり，それにより粗さが増大することが確認された．
対象材料
装置
条件
禁則事項
留意事項
文献情報，参考文献
重藤暁津，伊藤寿浩，須賀唯知，“超微細・薄型Cu電極の100万ピンレベル直接接合”，エレクトロニクス実装学会, 2006, pp. 9-10.
