CMP-Cu：表面
出典: finemems
目次 |
項目の説明 【必須】
SAB手法において良好な接合性を得るために必要な要素が「表面の清浄さを維持し」，「全面的に密着させる」ことである．このうち表面の清浄さに関しては，1) 表面エネルギーの高い状態を創製するために必要な処理の度合いと，2) 活性表面間の再酸化・吸着挙動の制御，の二つが求められる．Arビーム照射の物理衝撃を例にとると，清浄表面を確保するために必要なエッチング深さの明確化と，清浄表面の酸化量と接合性の関係の最適化が重要である．さらに，多結晶試料の場合は表面の結晶粒の軸方向によるエッチングレートの違いが原因で照射に伴い表面粗さが増大傾向があるが，これについては割愛する．図はCMP-Cu表面の化学的構成(図A)と，清浄表面を真空雰囲気中で異なる露出量(Pa・s)にて静置した試料の露出量と接合達成面積の関係(図B)，さらに清浄表面に異なる圧力で酸素を導入し，酸化速度を定量かしたもの(図C)を示したものである．図Aから，CやOで構成される不活性な表面層の厚さが約8nmなので，それが最低限必要なエッチング量であることがわかる．また，図Bからは，真空装置内において，約0.2Pa・sの露出量が全面的接合のthresholdであることが判明した．図Cでは，CMP-Cuの酸化挙動が対数則を用いて記述できることが示唆され，限界露出量条件下は約2nm厚の酸化物の生成に相当すると算出された．
対象材料
装置
条件
禁則事項
留意事項
文献情報，参考文献
文献1
重藤暁津，伊藤寿浩，須賀唯知，”CMP-Cu薄膜の表面活性化常温直接接合における真空露出量の影響の評価”, エレクトロニクス実装学会誌, vol. 9, No. 4, (2006) pp. 278-281.
文献2
A. Shigetou, T. Itoh and T. Suga, “Direct Bonding of CMP-Cu Films by Surface Activated Bonding (SAB) Method”, J. of Materials Science, 40 (2005), pp.3149-3154.
