BHF、KOHによるシリコン表面の粗化
出典: finemems
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項目の説明 【必須】
シリコンフュージョンボンディングにおいては、表面粗さができるだけ小さい方がよい。しかしながら、頻繁に使うプロセスの中にも、シリコンの表面粗さを増加させるものがある。本項目では、BHF、KOHにより、シリコン表面がいかに影響を受けるかを記す。 図にBHF(図中はBOE）による表面の変化および表面粗さの増加を示す。時間とともに、平均深さ、標準偏差（ＲＭＳ）が増加していることがわかる。
また、KOHを組み合わせてエッチングすると、表面粗さの特性が変化する。すなわちBHFだけであれば、表面の高さ（深さ）はガウス分布に近いが、KOHによりエッチングすると、その傾向から外れる。
対象材料
シリコン
装置
条件
禁則事項
留意事項
BHF、KOHはシリコン表面を粗くする。フュージョンボンディングのように可能な限り表面を平坦に保ちたい場合は、使用を避けるか、表面の保護をしっかりと行う必要がある。
文献情報，参考文献
N.Miki, S.M. Spearing, "Effect of nanoscale surface roughness on the bonding energy of direct-bonded silicon wafers," JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol.94, no.10, pp.6800-6806, 2003.
