Aligned room-temperature bonding of silicon wafers in vacuum by argon beam surface activation

出典: finemems

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目次

記事

 熱処理、圧力、高電圧印加または中間粘着層などの手段を用いないで、高精度でウエハを互いに接着させるプロセスを開発した。アルゴンビームによる表面処理と高真空中での結合が、室温でシリコンウエハ間での強い直接結合を可能にした。この方法を前もって形成してあるMEMSウエハの結合に適用するために、真空中で正確に整合する結合装置を開発した。これを用いて、直径が100mmの縞模様パターン付きシリコンウエハに2μm以下の精度で結合させることができた。

文献

Journal of Micromechanics and Microengineeri(巻-号)15-2 (ページ)290-295 (発行年-月)2005-2

著者

H.Takagi/AIST,JPN R.Maeda/AIST,JPN

キーワード

wafer bonding,surface treatment, high-vacuum environment,direct bonding, bonding apparatus,argon beam, low-damage assembling,MEMS structure, packaging

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