金付着Siナノワイヤの熱拡散による金ナノワイヤの形成

出典: finemems

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目次

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Siナノワイヤーに金粒子に付着させ、加熱することによる金ナノワイヤーの形成プロセスに関する文献の紹介。

酸化物アシストSiナノワイヤ成長法を用いて作成した直径20nm以下のSiナノワイヤの表面にある酸化膜を除去し、 金をスパッタによって付着させると図1のようになる。

この金ナノワイヤを10 − 2Torrの環境で室温から(1)500度、または(2)880度まで40度/分で昇温し、1時間のアニールを行う。次に結果を示す。

(1)図2のように金のSiナノワイヤ内への拡散は起こらず、金ナノクラスターがシリコンナノワイヤに付着している状態である。

(2)図3のように表面に存在した金ナノクラスターがシリコン内部に拡散し金ナノワイヤが形成された。結晶格子像から内部の構造は金の単結晶であることが確認できた。金ナノワイヤを覆っているものはシリコン酸化物。

対象材料

シリコン、金

装置

条件

禁則事項

留意事項

文献情報,参考文献

T. C. Wong, C. P. Li, R. Q. Zhang, and S. T. Lee, "Gold nanowires from silicon nanowire templates", Applied Physics Letters, Vol.84, No.3, 2004, pp.407-409.

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