表面溝加工による多層試料の割断
出典: finemems
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外力によるガラスの割断においては溝加工の影響が支配的であることが確認された。そこで、Si-SiO2の多層試料に対してレーザー光を集光し、試料表面と界面に加工を施し外力を加えて割断を試みた。用いたレーザーはパルス幅100fsのTi:Sapphireレーザー（波長800nm：近赤外）である。加工方法と加工結果を図１に示す。Si層の全面にわたる劈開は確認できなかったが、溝加工に沿った直線的な割断を行うことができた。
対象材料
Si-SiO2
装置
条件
禁則事項
留意事項
文献情報，参考文献
Y.Izawa,Y.Tsurumi,S.Tanaka,H.Kikuchi,K.Sueda,Y.Nakata,M.Esashi,N.Miyanaga,M.Fujita,“Debris-Free Laser-Assisted Low-Stress Dicing for Multi-Layered MEMS”,IEEE J.,Trans.SM,Vol.128,No.3,(2008)pp.91-96.
関連情報：表面溝加工によるガラスの割断
