表面活性化：Arプラズマ活性化を用いたサブミクロンAuパターン接合
出典: finemems
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異種材料混載による高度集積化光マイクロデバイスの更なる発展のためには、低温・高精度の表面実装技術が必要である。Au表面活性化接合法は、大気解放環境下で高精度かつ低温領域での接合を実現するものであり、光デバイス分野への応用が期待されているが、課題として100〜300 MPaという高荷重が必要であり、素子へのダメージが懸念される。この課題に対するアプローチとして、サブミクロンAuパターンの接合実験を行った。直径500 nm、ピッチ1000 nm、高さ170 nm、340 nmのAuドットパターンを用いて、アルゴン高周波プラズマ照射60秒、常温（25 ℃）、低荷重（20 MPa）での接合において、ダイシェアテストの規格であるMIL-STD-883の２倍基準値を上回る非常に高い強度を得ることができた。
対象材料
Au
装置
表面活性化フリップチップボンダ
条件
表面活性化：アルゴン高周波プラズマ照射60秒 接合時間：30秒 接合温度：25℃ 接合荷重：20MPa
禁則事項
留意事項
文献情報，参考文献
今村鉄平, "MEMSスイッチにおけるスティクションに関する研究", 平成19年度東京大学工学系研究科精密機工学専攻修士論文
