表面活性化：従来ウェハ接合法との比較

出典: finemems

項目の説明 【必須】

４インチSiウエハ表面に9×9 mm²のメサ構造を4mm間隔で製作し接合試料とした。1×10^-5 Pa以下の真空条件下において、試料表面をArビームによりエッチングし接合を行う。先行研究から、除去深さは2 nm程度で十分であると言える。接合後に13×13 mm²にダイシングし、引張試験によってその強度を評価した。破断面ではバルク破壊が発生し、常温条件下ウエハ接合においてバルク破壊に匹敵する強固な接合強度が得られたことが確認された。 　また、従来の加熱による接合(conventional –Wafer Bonding, c-WB)法とSAB接合法の比較を行うため、両手法を用いてSi-Si接合及びサファイヤ−サファイヤ接合を行った。その結果を以下の図に示す。Si-Si接合において、c-WB法では温度上昇とともに接合強度が増加したが、SAB法を用いると常温でも（c-WB法の）1100℃時と同等の強度が得られた。サファイヤ−サファイヤ接合においては、Si-Si接合と同様にc-WB法を用いると温度上昇とともに接合強度が増加した。SAB法の常温条件下では（c-WB法の）1100℃時よりも強度が劣ったが、200℃までの加熱によって1100℃時と同等の強度が得られた。

対象材料

装置

条件

禁則事項

留意事項

文献情報，参考文献

Hideki Takagi, Ryutaro Maeda, "Direct bonding of two crystal substrates at room temperature by Ar-beam surface activation", Journal of Crystal Growth 292 (2006) 429-432

コメント