表面活性化：プラスマ活性化を用いたSOI基板へのレーザ実装
出典: finemems
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次世代の低コスト・高集積フォトニックデバイスの実現のためにはSi上での電流励起による発光が要求される。しかし、Si単体での電流励起による発光は非常に困難である。そこで、本稿ではIII-V発光材料とSi導波路が形成されたSOI基板の酸素プラズマボンディングによる接合を行い、電流励起型AlGaAs-Siハイブリッドエバネッセントレーザを作製した。大きな特徴として以下が挙げられる。 (1)共振器がSi導波路により決められる。 (2)III-V発光材料とSOIのボンディングの際、高精度アライメントが要求されない。 常温CW駆動により(閾値電流:65 mA、光出力:~1.8 mW、微分量子効率:12.7 %)レーザ発振が確認できた。
図1はAlGaAs-Siハイブリッドエバネッセントレーザの断面構造である。InPチップとSi導波路が形成されたSOI基板を酸素プラズマボンディングによる接合により作製されている(アニール条件：300 ℃、12 時間)。電圧が加えられるとInPで発せられた光がエバネッセント結合によりSi導波路に結合する構造となっている。
対象材料
装置
条件
禁則事項
留意事項
文献情報，参考文献
Alexander W. Fang , Hyundai Park, Oded Cohen, Richard Jones, Mario J. Paniccia, and John E. Bowers, "Electrically pumped hybrid AlGaAS-Silicon evanescnt laser", Optics Express,Vol.14,PP.9203-9210 , 2006
