表面活性化：プラスマ活性化を用いたAu-Sn微小バンプの低温直接接合

出典: finemems

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大気圧Arプラズマ照射による表面活性化によりAu-Snマイクロバンプの100℃〜200℃の低温での直接接合を実現した。 本研究ではφ30µmのフリップチップ用マイクロバンプ4908個を上記条件で接合し、通電テスト、引っ張り試験で評価を行ったところ、100%のコンタクト、接合強度10MPa以上で接合しているという結果が得られた。 またEPMAで観察したところ、接合界面で100-150℃の条件下ではAuSn, AuSn₂, AuSn₄, 200℃条件下ではさらにAu₅Snの金属間化合物が確認された。

対象材料

Au-Snはんだバンプ

装置

条件

Ar plasma 100-200℃

禁則事項

留意事項

文献情報，参考文献

Y. H. Wang, K. Nishida, M. Hutter, T. Kimura, and T. Suga, "Low-Temperature Process of Fine-Pitch Au–Sn Bump Bonding in Ambient Air", Japanese Journal of Applied Physics, Vol 46, No. 4B (2007) 1961-1967

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