表面活性化接合を用いたMEMS高気密ウエハレベルパッケージ

出典: finemems

項目の説明 【必須】

　　表面活性化接合をMEMSのウエハレベルパッケージングに適用し、高気密のダイヤフラム構造を実現。 　図1にダイヤフラム構造の加工方法を示す。フォトレジスト工程、D-RIEエッチングにより、ウエハにダイヤフラムを形成した後、パッケージ用ウエハとを表面活性化を用いた常温接合により気密封止した。 　接合後のウエハの超音波顕微鏡観察結果を、図2に示す。接合部は、黒色、キャビティー形成部、及び、接合不良部は、白色で示される。ウエハ全面で均一性良く、良好な接合を実現。 　Heリークによる気密性評価結果を図3に示す。接合材料、Si/Si、Au/Auともに検出限界以下のリークレートを実現。 　 　

対象材料

接合材料：Si/Si、Au/Au

装置

条件

表面活性化は1.0x10-5Pa以下の真空下にてArイオンビーム照射することにより行い、その後、加圧により接合を行った。

禁則事項

留意事項

文献情報，参考文献

出典：Yoshiyuki Takegawa, Toru Baba, Takafumi Okudo, Yuji Suzuki,"MEMS Wafer Level Packaging by Using Surface Activated Bonding",Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials,Yokohama,2006,pp234-235

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