表面活性化接合を用いたMEMS低応力ウエハレベルパッケージ

出典: finemems

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　表面活性化接合をMEMSのウエハレベルパッケージングに適用し、低応力のダイヤフラム構造を実現。 　図1にダイヤフラム構造の加工方法を示す。フォトレジスト工程、D-RIEエッチングにより、ウエハにダイヤフラムを形成した後、パッケージ用ウエハとを表面活性化を用いた常温接合により気密封止した。 　ウエハ材質、接合材料を変化させたときの接合界面近傍の応力を顕微ラマン分光装置により測定した結果を図2に示す。ガラスとSiの陽極接合、およびSiとSiをAuSn共晶接合した場合は、接合界面に応力発生。一方、SiとSiを常温直接接合した場合は、接合界面に応力が発生しない。

対象材料

接合ウエハ材料：ガラス/Si、Si/Si

装置

条件

禁則事項

留意事項

文献情報，参考文献

出典：Yoshiyuki Takegawa, Toru Baba, Takafumi Okudo, Yuji Suzuki,"MEMS Wafer Level Packaging by Using Surface Activated Bonding",Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials,Yokohama,2006,pp234-235

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