表面活性化常温接合法：界面
出典: finemems
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SAB手法によって接合したサンプルの場合、接合界面において吸着層に相当する中間層は存在しない。すなわち常温・直接接合を可能にしている。この方法を用いることによって、例えば、線膨張係数の異なる、かつ格子定数の異なる異種半導体間においても、ヘテロ接合を可能にする。室温で接合が可能なため、接合界面に熱歪を生じないことや、結晶構造の異なる材料間の接合も可能であるから、このSAB手法は光半導体のヘテロ接合にも応用できる。GaNのような人工鉱物は、ミスフィットのできるだけ小さい異種基板（Sapphire）面を用いてエピ成長によって作製される。エピ層と異種基板は熱膨張係数が異なるため、このようなエピ基板を用いた場合、高温下での接合においては、接合界面に線膨張係数差に起因する熱歪が生ずる。常温・直接接合法は室温で接合するため、線膨張差に起因する熱歪を生じない。このため、例えば高い寸法精度を必要とするフォトニック結晶の作製に好都合である。とりわけ、青色レーザ発振を可能にするGaNを用いたフォトニック結晶の作製に好都合である。図は，異なる格子定数を有する材料間を接合した時、ミスフィットによって生ずる応力を緩和するため、接合界面に転位が導入された様子を示す．すなわち界面転位である。この界面転位は接合界面にのみ存在するため、ミスフィットのあるエピ基板から成長して行き、エピ層に渡って生ずる貫通転位とは異なる。
対象材料
装置
条件
禁則事項
留意事項
文献情報，参考文献
文献1
藤野真久、細田奈麻絵、石川信博、山口博、須賀唯知、桑山直樹，”ダイヤモンドとアルミニウムの常温接合"，日本金属学会講演概要集，第130回，(2002) 272．
文献2
赤池正剛，舟久保弘康，"超高真空中におけるＡｌ単結晶の常温圧接に及ぼす接合面での変形の影響について”，日本金属学会誌，第46巻，第9号 (1982) p.935.
文献3
赤池正剛，舟久保弘康，”超高真空中における金属の常温圧接” 真空，第23巻, 第10号 (1980) p.455.
