表面活性化常温接合法によるGaAs基板へのレーザの実装
出典: finemems
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表面活性化接合(SAB)法により、InGaAsP/InP歪量子井戸リッジレーザ(波長:1.3μm)のGaAs基板上への常温接合に成功した。Ar高速原子ビーム照射により接合面を活性化後、高真空中でボンディングを行った結果、接合界面にはクラック、ボイドの発生は確認されず、強固な接合強度が得られた。また、レーザの特性として、低閾値密度(500 A/cm2)が実現された。この技術は将来の光・電子集積回路のモノリシック集積の実現に期待ができる。
図1は、レーザ素子の閾値電流密度と共振器長の関係を示す。SAB法によるGaAs基板上に常温接合後InGaAsP/InP歪量子井戸リッジレーザとInP基板上にMOCVDによる結晶成長後のレーザの比較を行った結果、変化は見られず、低閾値密度(500 A/cm2)が得られた。接合プロセスにおいてレーザ素子の劣化は現れなかったことが示された。
対象材料
装置
条件
禁則事項
留意事項
文献情報，参考文献
T.Chung, N.Hosoda, T.Suga, H.Takagi, "1.3um InGaAsP/InP lasrs on GaAs substrate fabricated by the surface activated wafer bonding method at room temperature", Appl.Phys,Lett, Vol.72, no.13, pp.1565-1566,1997
