表面処理：MVD

出典: finemems

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分子気相堆積法(Molecular Vaper Deposition, MVD)と呼ばれる新規の表面修飾技術について．MVD技術は，サンプル原表面のプラズマ処理と気相化された前駆体の正確な供給を組み合わせたことで，非常に薄い有機分子を安定して堆積させることを達成している．MVDによって成膜された薄膜は微調整が可能であり，液相で堆積させた薄膜と比較して性能は上回った。さらに，他の気相法や液相法での薄膜と比べ，MVDによる薄膜は非常に高密度で滑らかであり，安定している．
適用可能なSAMとしては，フルオロカーボン終端のものではTridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyltrichlorosilane(FOTS)，Heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyltrichlorosilane(FDTS)，ハイドロカーボン終端のものではOctyltrichlorosilane(OTCS)，Dimethyldichlorosilane(DDMS)などが挙げられる．

対象材料

装置

図1は，MVD装置を模式的に示したものである．このプロセスにおいては，様々な外的要因を排除するため，MVDプロセスは真空中にて行われている．この装置はプロセス時の温度および湿度が制御可能であり，また気相化された前駆体の連続的な堆積もできる．よって本装置を使用することで，比較的簡単にSAMの安定的な堆積が行える．

条件

禁則事項

留意事項

文献情報，参考文献

B. Kobrin, V. Fuentes, S. Dasaradhi, R. Yi, R. Nowak, and J. Chinn, "Molecular Vapor Deposition - An Improved Vapor-Phase Deposition Technipue of Molecular Coating for MEMS Devices", 2004 Semiconductor Equipment and Materials International

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