真空封止:常温封止接合

出典: finemems

←この記事が参考になった方はボタンを押して投票して下さい。

目次

項目の説明 【必須】

 MEMSでは微少可動部の保護や動作雰囲気の制御(真空、不活性ガス雰囲気)のため、微少可動部の動作を妨げないよう、中空構造を形成した封止を行う必要がある。これまでに、表面マイクロマシーニングで作製した薄膜シェル構造による方法や陽極接合、中間層を介した接合などにより封止が可能であることが発表されているが、いずれの手法も加熱を伴うため、PZTなど加熱に弱い材料を用いたデバイスには適用できないことや、真空封止では封止されたキャビティー内壁からのガス放出による真空度の低下などの問題が生じている。表面活性化法を用いた常温接合は室温で強固な接合が得られるため、上記の問題を解決できる可能性がある。本稿ではSi/Si, Si/Cuによる表面活性化法を用いた常温接合の封止への適用可能性を調査した。封止されたキャビティー内部の圧力は原子間力顕微鏡で用いるマイクロカンチレバーチップをキャビティー内に設置し、マイクロカンチレバーの機械的Q値の圧力依存性を利用して内部圧力を推定した。その結果、リーク率やキャビティー内部圧力は、封止接合部の材料や接合条件に依存するが、その条件を最適化することにより真空封止が可能となることがわかった。


対象材料

装置

条件

禁則事項

留意事項

文献情報,参考文献

岡田浩尚、伊藤寿浩、高木秀樹、前田龍太郎、須賀唯知,"Si/Si, Si/CuのAr高速原子ビームによる表面活性化常温封止接合",電子情報通信学会論文誌 Vol. J88-C No.11 November (2005) pp.913-919.

コメント

←この記事が参考になった方はボタンを押して投票して下さい。


運営
(財)マイクロマシンセンター