液体の表面張力を利用した位置合わせ技術４
出典: finemems
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チップ側に円柱のペグ(CP)を形成し、支持基板にはこの円柱よりも半径が大きい穴(CT)を形成する。これにCPがはまることによってチップを支持基板に位置合わせするのが特徴である。その手法は2種類あり、1つ目は一組のCPとCTによって荒く位置合わせした後に、張り合わせ領域とそれ以外の領域のぬれ性の差を利用して、液体によって高精度に位置合わせする方法(SEMI-DUO-SPASS)である。このとき、チップの寸法と同じ大きさの張り合わせ領域が支持基板側に酸化膜によって形成されており、チップ側のCPの位置に合うように支持基板側のCTが形成されている。また、2つ目はCPやCT以外とは別にチップ側には交差したペグ(XP)と、XPよりも幅が広い穴(XT)を支持基板側に形成し、これを位置合わせに用いる方法(DUO-SPASS)である。CPとCTによって荒い位置合わせをした後に、CPやCTよりも寸法が小さいXPとXTによって位置合わせすることでより精度よく位置合わせすることができる。実験では1mm角チップを使用し、SEMI-DUO-SPASSプロセスでは、位置合わせ誤差は50μm、回転誤差は3°であった。またDUO-SPASSプロセスでは、388個の張り合わせ領域を持つ基板に対しては歩留り97.7％、720個の張り合わせ領域を持つ基板に対しては歩留り98.6%であった。また、位置合わせ誤差は20μm、回転誤差は2°であった。
対象材料
装置
条件
禁則事項
留意事項
文献情報，参考文献
"Wafer-Level Packaging Based on Uniquely Orienting Self-Assembly (The DUO-SPASS Processes)", Jiandong Fang and Karl F. Böhringer, J. of MEMS, Vol.15, No.3, pp.531-540 (2006)
