接合 表面活性化 O2プラズマの照射時間

出典: finemems

←この記事が参考になった方はボタンを押して投票して下さい。

目次

項目の説明 【必須】

Si-Si界面接合、SiO2-SiO2界面接合において、 基板表面活性化にO2プラズマを使用した時の照射時間による 表面エネルギー、ボイド発生状態について。

~文献1より~ 基板洗浄: 硫酸過酸化洗浄(5:2)

表面活性化: O2プラズマ条件 (流量100sccm, 圧力90mTorr, 出力300W)

→照射時間3Secと20Secで比較。

アニール(接合): 400℃100h 大気圧N2

20Secの照射時間は、アニール後に細かいボイドが生じる。表面エネルギーのバラツキ大きい。(アニール前:図1左上 アニール後:図1右上) 3Secの照射時間では、アニール後では変化なし。表面エネルギーのバラツキ小さい。(アニール前:図1左下 アニール後:図1右下)



~文献2より~

O2プラズマ照射時間と表面エネルギーの関係(図2)


対象材料

Si-Si、SiO2-SiO2界面

装置

条件

禁則事項

留意事項

文献情報,参考文献

[文献1] Xuan xiong Zhang, JeanPierre Raskin, Low-Temperature Wafer Bonding Optimal O2 Plasma Surface Pretreatment Time Electrochemical and Solid-State Letters, 7(8) G172-G174 (2004)

[文献2] Xuan xiong Zhang, JeanPierre Raskin, Low-Temperature Wafer Bonding : A Study of Void Formation and Influence on Bonding Strength JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS,VOL.14,No.2,APRIL (2005)

コメント

アニール時間が長い。

←この記事が参考になった方はボタンを押して投票して下さい。


運営
(財)マイクロマシンセンター