接合 表面活性化 O2プラズマの照射時間
出典: finemems
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Si-Si界面接合、SiO2－SiO2界面接合において、 基板表面活性化にO2プラズマを使用した時の照射時間による 表面エネルギー、ボイド発生状態について。
～文献１より～ 基板洗浄： 硫酸過酸化洗浄（5:2）
表面活性化： O2プラズマ条件 （流量100sccm, 圧力90mTorr, 出力300W）
→照射時間3Secと20Secで比較。
アニール（接合）： 400℃100h 大気圧N2
20Secの照射時間は、アニール後に細かいボイドが生じる。表面エネルギーのバラツキ大きい。（アニール前：図１左上 アニール後：図１右上） 3Secの照射時間では、アニール後では変化なし。表面エネルギーのバラツキ小さい。（アニール前：図１左下 アニール後：図１右下）
～文献２より～
O2プラズマ照射時間と表面エネルギーの関係(図２)
対象材料
Si-Si、SiO2-SiO2界面
装置
条件
禁則事項
留意事項
文献情報，参考文献
[文献1] Xuan xiong Zhang, JeanPierre Raskin, Low-Temperature Wafer Bonding Optimal O2 Plasma Surface Pretreatment Time Electrochemical and Solid-State Letters, 7(8) G172-G174 (2004)
[文献2] Xuan xiong Zhang, JeanPierre Raskin, Low-Temperature Wafer Bonding : A Study of Void Formation and Influence on Bonding Strength JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS,VOL.14,No.2,APRIL (2005)
コメント
アニール時間が長い。
