実装：光素子表面活性化接合における接合条件の影響
出典: finemems
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Au表面活性化接合法を用いた光素子の実装において、接合条件が素子に与えるダメージの評価を行った。評価に用いられた実験条件としては接合荷重と接合温度についての検討を行い、接合前後の光素子の光出力—電流—電圧特性を計測することにより、ダメージを評価した。実験には波長850 nmの面発光レーザ素子を用い、結果として荷重140 MPa以上、温度330℃での接合において素子の劣化が確認され、接合後の素子について電気的信頼性を確保するためには接合プロセスはこの値より低い条件で行われなければならないということを示した。
対象材料
Au
発光レーザ素子：（Optwell社製、GaAs系）
Si基板：Ti/Au 100/500 nm
装置
条件
表面活性化：アルゴン高周波プラズマ
禁則事項
留意事項
文献情報，参考文献
今村鉄平, 日暮栄治, 須賀唯知, 澤田廉士, "表面活性化接合した半導体光素子の光出力－電流－電圧特性に及ぼす接合条件の影響", 200年度秋季精密工学会学術講演大会論文集(2007) 549-550
