各種試料表面への突起構造形成（軸対称偏光ビーム照射）
出典: finemems
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図１にGaussianビームと軸対称偏光ビームの集光強度分布の比較を示す。軸対称偏光ビームはビーム中心部で電界強度がゼロになるためにドーナツ状の強度分布となる。このようなビームを試料に集光照射すると、ドーナツ状の加工痕が形成される。図２にアルミナセラミックス表面にフェムト秒軸対称ビームを集光照射した時の加工形状を示す。図３にTi表面にフェムト秒軸対称ビームを集光照射した時の加工形状を示す。図４に銅薄膜表面にフェムト秒軸対称ビームを集光照射した時の加工形状を示す。用いたレーザー光の波長は800nm、パルス幅は100fsである。
対象材料
アルミナセラミックス，Ti，Cu薄膜
装置
条件
禁則事項
留意事項
文献情報，参考文献
井澤友策,鶴見洋輔,藤田雅之：軸対称偏光フェムト秒レーザーによるSiのアブレーション加工,第55回応用物理学会学術講演会(春季),(2008).
関連情報：Si表面のナノ周期構造（軸対称偏光ビーム照射）,Si表面への突起構造形成（軸対称偏光ビーム照射）
