事例検索

出典: finemems

事例タイトルとの一致 (98件)

• Alマスクの表面酸化を用いたシリカのエッチング
• BHF、KOHによるシリコン表面の粗化
• CMOS集積化のためのAlN薄膜の表面マイクロマシニングによる2GHzレゾネータ
• CMP-Cu：表面
• CMP-Cu：表面粗さ
• CO2レーザーによるガラスの表面加工
• CuコートSiO2表面に形成されるナノ周期構造
• CuコートSiO2表面に形成されるナノ周期構造の照射レーザーフルーエンス依存性
• DNAチップ_–_自己組織化ポリマーを用いた金表面へのDNAの固定化法
• Poly-SiC表面マイクロマシニングによる垂直共振子
• SAMによる表面改質を利用した高分子、Ａｌパターンの自己整合配置技術
• SiC表面マイクロマシニングのためのpoly-SiへのSiC成膜
• SiO2表面に形成されるナノ周期構造
• SiO2表面に形成されるナノ周期構造の照射レーザーフルーエンス依存性
• Si表面のアモルファス化
• Si表面のナノ周期構造形成
• Si表面のナノ周期構造（軸対称偏光ビーム照射）
• Si表面の再結晶化：波長依存性
• Si表面への突起構造形成（軸対称偏光ビーム照射）
• Si表面平坦化技術
• アルミニウムおよび銅薄膜の表面自然酸化膜破壊に必要な荷重
• セラミック基板への表面活性化常温フリップチップ実装プロセスの開発
• テクスチャ加工された超疎水性表面におけるドロップレット接触角のヒステリシス
• フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層
• フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層2
• フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層3
• フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層：加工しきい値
• フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層：波長依存性2
• フュージョンボンディングとシリコンナノ表面粗さの関係
• プラズマ表面活性化を利用したウェハ低温接合技術
• プラズマ表面活性化を利用したウエハのダイレクトボンディング
• プラズマ表面活性化を利用した低温接合技術
• プロセス中の表面保護のための酸化膜犠牲層
• レーザーによるSi表面近傍の内部加工
• レーザーによるガラス表面近傍の内部加工
• レーザーによるガラス表面近傍の内部加工2
• レーザーによるガラス表面近傍の内部加工3
• 凹凸表面を用いた撥水性の切り替え
• 各種試料表面への突起構造形成（軸対称偏光ビーム照射）
• 塩素原子ビームを用いたSiエッチングにおけるUV照射による表面反応増大効果
• 実装：光素子表面活性化接合における接合条件の影響
• 弾性表面波素子を用いた匂い提示装置の開発
• 振動を用いた表面実装部品のウエハへの配列
• 接合　表面活性化　O2プラズマの照射時間
• 液体の表面張力を利用した位置合わせ技術１
• 液体の表面張力を利用した位置合わせ技術２
• 液体の表面張力を利用した位置合わせ技術３
• 液体の表面張力を利用した位置合わせ技術４
• 液体の表面張力を利用した位置合わせ技術５
• 液体の表面張力を利用した位置合わせ技術６
• 液体の表面張力を利用した位置合わせ技術７
• 液体の表面張力を利用した位置合わせ技術８
• 液体の表面張力を利用した位置合わせ技術９
• 液滴の表面張力を用いたマイクロモーター
• 生体模倣ポリマーによる表面処理
• 真空封止：表面粗さ条件
• 真空紫外(VUV)光による酸化膜表面の照射損傷
• 自己組織化単分子膜を重合開始種とした表面開始重合法
• 表面の接触解析
• 表面プラズモン共鳴を利用した赤外光源
• 表面マイクロ構造による液滴駆動
• 表面処理：MVD
• 表面処理：SAM処理による付着力の影響
• 表面処理：SAM膜の摩耗特性
• 表面処理：毛管凝縮による付着力の影響
• 表面処理：毛管力の簡易モデル
• 表面処理：表面化学処理およびDLC膜による付着力の影響
• 表面処理：親／疎水性処理による付着力の影響
• 表面処理：酸素大気圧プラズマによる表面洗浄
• 表面張力を用いたマイクロインジェクタ
• 表面弾性波による流路を流れるビーズのパターニング
• 表面形状：パワースペクトル密度による表面形状周波数分布の解析
• 表面活性化常温接合法によるGaAs基板へのレーザの実装
• 表面活性化常温接合法：界面
• 表面活性化接合とＴＳＶを用いた3D-ウエハレベルパッケージング
• 表面活性化接合を用いたMEMS低応力ウエハレベルパッケージ
• 表面活性化接合を用いたMEMS高気密ウエハレベルパッケージ
• 表面活性化：Ar_fast_atom_beam_(Ar-FAB)
• 表面活性化：Arプラズマ活性化を用いたサブミクロンAuパターン接合
• 表面活性化：Si-Si接合によるLiNbO3/Si実装
• 表面活性化：nano-adhesion_layer
• 表面活性化：シーケンシャルプラズマプロセス
• 表面活性化：プラスマ活性化を用いたAu-Au接合によるLiNbO3/Si実装
• 表面活性化：プラスマ活性化を用いたAu-Sn微小バンプの低温直接接合
• 表面活性化：プラスマ活性化を用いたSOI基板へのレーザ実装
• 表面活性化：従来ウェハ接合法との比較
• 表面活性化：窒化ガリウムと異種材料の低温接合
• 表面活性化：酸素大気圧プラズマ活性化によるAu薄膜接合
• 表面活性化：金属薄膜を介したウエハ低温接合
• 表面溝加工によるガラスの割断
• 表面溝加工による多層試料の割断
• 補正マスクによるSi表面3次元加工技術
• 超臨界CO2を用いたガラス表面への生態適合材料のコーティング
• 金表面へのDNAの固定化法
• 金表面へのアビジンの固定化法
• 鉛フリーハンダ：表面
• 電気浸透流による表面修飾パターン評価
• 高感度表面変位検出オプトメカニカルプローブ

事例本文との一致 (499件)

• 3D-MEMSウエハレベルパッケージ実現のためのウエハAu/Au接合
  ・・・ == 　シリコン貫通孔配線とAu/Au表面活性化接合を用いた3-Dウエハレベルパッ・・・


• 3D-MEMSウエハレベルパッケージ実現のための貫通孔配線
  ・・・ == 　シリコン貫通孔配線とAu/Au表面活性化接合を用いた3-Dウエハレベルパッ・・・


• ALDで成膜したAl2O3/ZnOを誘電体膜に用いた静電容量式RF_MEMSスイッチ
  ・・・た。 成膜温度や膜の組成比に関係なく平均表面粗さは0.27nmであることがAFM像か・・・


• APCVDによるSiO2とSi3N4上へのSiC成膜
  ・・・math>はそれぞれ核の体積エネルギー、表面エネルギーである。 \De・・・


• AlNのウェットエッチング
  ・・・ン定数 R0：(OH)-イオンとAlN表面間の反応の頻度を表わす定数 である。結・・・


• AlNの垂直加工
  ・・・目の説明 【必須】 == 　AlNは弾性表面波(SAW)デバイスの圧電基板として用い・・・


• Au薄膜を用いた毛管力に起因するスティクション防止
  ・・・鏡を用いた付着力測定によって行っている．表面の酸化膜により親水性であるSiO
  
• BHF、KOHによるシリコン表面の粗化
  ・・・コンフュージョンボンディングにおいては、表面粗さができるだけ小さい方がよい。しかしな・・・


• CMOSチップ上のシリコンフィンレゾネータの作製
  ・・・示すように、2つのシリコンフィンがチップ表面に垂直方向に立っている構造をしている。こ・・・


• CMOSプロセスによるシリコンナノワイヤアレイの作製
  ・・・される。 --> [[Category:表面マイクロマシーニング]] [[Categ・・・


• CMOS互換AFMチップ(TMAH作製)の利用
  ・・・ == TMAHによってCMOS ICの表面を削って作っている。都合、チップは凹んで・・・


• CMOS互換AFMチップ作製(TMAH)
  ・・・て薄膜カンチレバーにしてある。 *チップ表面から奥まったところに針先があるので壊れに・・・


• CMOS集積化のためのAlN薄膜の表面マイクロマシニングによる2GHzレゾネータ
  ・・・= CMOS集積化のために、AlN薄膜の表面マイクロマシニングを用いて作製したエアギ・・・


• CMP-Cu：表面
  ・・・て良好な接合性を得るために必要な要素が「表面の清浄さを維持し」，「全面的に密着させる・・・


• CMP-Cu：表面粗さ
  ・・・いられる研磨手法である．数nm以下の金属表面粗さを大面積で確保できることが特徴で，将・・・


• CNT-AFM探針を用いた計測
  ・・・，単層カーボンナノチューブの自由端と試料表面との相互作用力から，単層カーボンナノチュ・・・


• CNT-bridging_CNT
  ・・・ロギャップ構造を基板上に製作した後，基板表面全体に触媒層を形成し，アルコールCVDに・・・


• CNT-メンブレンとポリカーボネイトの比較
  ・・・側から貫通直前までエッチングする、次に、表面に、触媒を塗布し、垂直配向カーボンナノチ・・・


• CNT-メンブレンのガス選択性
  ・・・側から貫通直前までエッチングする、次に、表面に、触媒を塗布し、垂直配向カーボンナノチ・・・


• CNT-メンブレンの液体透過特性B
  ・・・側から貫通直前までエッチングする、次に、表面に、触媒を塗布し、垂直配向カーボンナノチ・・・


• CNT-メンブレンコロイド透過測定
  ・・・側から貫通直前までエッチングする、次に、表面に、触媒を塗布し、垂直配向カーボンナノチ・・・


• CNT-メンブレン作製法B
  ・・・側から貫通直前までエッチングする、次に、表面に、触媒を塗布し、垂直配向カーボンナノチ・・・


• CNT/ナノ微粒子ハイブリッドの作製
  ・・・を過酷な酸化条件におき、ナノ微粒子をその表面に共有結合により固定する場合、CNTの機・・・


• CNT_arrayを用いた接触熱抵抗低減
  ・・・のCNTについて行い、接触させる相手方は表面粗さRzは7.9μｍの銅である。図よりC・・・


• CNTs-加工成形－０１
  ・・・ーブの本来の特性をそのまま保持し、高い比表面積1000m2/g、導電性（1Ω/□）、・・・


• CNTによる水晶振動子のQ値増加
  ・・・ブラシを用いて水晶振動子(fig.1)の表面に散布し，乾燥させる。SWNTsとNMP・・・


• CNTウエハーの高密度化
  ・・・NTに含ませたIPAを乾かすことにより、表面張力と強いファンデルワールス力により密度・・・


• CNTスーパーグロース法－水分添加による触媒賦活効果－
  ・・・== 製法 == Feナノ粒子（触媒）を表面に担持したSiO2ナノボール（50 nm・・・


• CNT複合金メッキ
  ・・・せるには界面活性剤ではなく CNT自体に表面修飾をおこなうことが効果的であり、カルボ・・・


• CO2レーザーによるガラスの表面加工
  ・・・吸収するため、内部加工を行うことはできず表面を加熱又は溶融する。また、光学素子として・・・


• Cavity-SOIウェハ
  ・・・le wafer)(a)を熱酸化し、 *表面に酸化膜を形成する(b)。 *次に、酸化・・・


• Cu_layerの高アスペクト比メッキ
  ・・・の速度でメッキされる． 電流値が低いほど表面粗さは細かくなる． == 禁・・・


• CuコートSiO2表面に形成されるナノ周期構造
  ・・・近赤外）を用いてCuをコートしたSiO2表面の加工を行った。Cuのコート厚は100n・・・


• CuコートSiO2表面に形成されるナノ周期構造の照射レーザーフルーエンス依存性
  ・・・近赤外）を用いてCuをコートしたSiO2表面の加工を行った。Cuのコート厚は100n・・・


• Cuボイドフリーめっき技術
  ・・・き液の濡れ性に影響するめっきレジスト膜の表面エネルギーを，UV照射と酸素プラズマ処理・・・


• Cu配線上の無電解Auめっきバンプ形成技術
  ・・・71 (1997). 2)関東学院大学表面工学研究所編, 図解最先端表面処理技術の・・・


• DNAを用いた逐次自己組み立て
  ・・・鎖になる（図1）。 そこで、微細部品の表面に塩基対含有割合が異なるDNA修飾を行っ・・・


• DNAチップ_–_自己組織化ポリマーを用いた金表面へのDNAの固定化法
  ・・・題点があった。1),2) 本文献では金表面にポリアリルアミンによる自己組織化膜で修・・・


• DRIEと拡散による垂直チャネルマイクロヒータ
  ・・・DRIEで作成したシリコンスクリーンの孔表面にn型ドーパントを拡散させる。これにより・・・


• DRIEと酸化を用いたマイクロオプティカルレンズの新しい形成方法
  ・・・る。 　光学特性は、反射防止膜がレンズ表面にコートされていない状態で71％であった・・・


• DRIEによる位置合せ機構付シリコンシャドウマスク(ドーナツ形状可能)
  ・・・蒸着時には真ん中の出っ張り構造がサンプル表面にあたってドーナツの中の「口」パターンを・・・


• DRIE垂直壁面に不純物拡散でフォトダイオードを作る
  ・・・肩がだれる、泡が入るなど問題多数)ので、表面が平坦なうちにあらかじめ必要なマスクレイ・・・


• DRIE垂直壁面に作るダイオードの特性測定
  ・・・簡略化のためパシベーションをさぼった結果表面にPN接合がむきだしになっておりそこから・・・


• DRIE等方エッチによるシリコン薄膜グリッドのひきはがし作製
  ・・・けである。 * 用いたバルクウェハには、表面からPNジャンクションを拡散してあるが、・・・


• Deep-RIEと埋め込みによる高速化対応シリコン貫通配線
  ・・・化を行う上で大変重要であるが、貫通配線と表面配線が垂直に接続されていると、角部におい・・・


• EMIテスタ
  ・・・て、XYZθの4軸プローブ移動機構により表面をスキャンすることにより、磁界分布を測定・・・


• Electrowettingの接触角を容易に測定するテスト構造
  ・・・（[[撥水性(疎水性)・親水性]]参照）表面の内側につくりこんだ平面電極に電圧をかけ・・・


• Electrowettingを利用したアメンボロボットA
  ・・・ルとチップコンデンサによる無線電源回路を表面実装して自立自走式にしたタイプ([[エレ・・・


• Electrowetting（液滴駆動）
  ・・・>\gammaは水と空気の表面自由エネルギーである． 参考としてサイト・・・


• Epiパッケージング
  ・・・される。 --> [[Category:表面マイクロマシーニング]] [[Categ・・・


• FIB-CVD法によるカーボンナノ構造体作製技術
  ・・・l>+を試料表面上で走査することにより、発生した二次電子・・・


• FIBによるタングステン堆積を用いたナノギャップの作成方法
  ・・・ (d)集束イオンビーム(FIB)により表面のチッ化膜に1 um程度のギャップを作成・・・


• Fox-Liの方法
  ・・・であり、 鏡上の電磁界を記述するために鏡表面をメッシュ状に離散化し、 各点における電・・・


• HF気相エッチングによる犠牲層酸化膜エッチング技術
  ・・・ッチングレートが高くなる。これは、酸化膜表面に付着するガス分子や生成されるHF2-が・・・


• HMDSによるInPの疎水化処理
  == 項目の説明 【必須】 == InP表面はもともと疎水性が強いが，エッチングなど・・・


• HMDSを原料とするSiCN膜
  ・・・ても注目されている。（HMDSは、半導体表面の制御に有効である。[[HMDSによるI・・・


• He_bombing法によるシリコンRF-MEMSパッケージの気密性試験
  ・・・ デバイスのパッケージングを図1に示す。表面マイクロマシーニングによるスイッチに、高・・・


• ICP-RIEトレンチの側壁平滑化
  ・・・px|図1 ICP-RIEトレンチ側壁の表面粗さの比較(a)通常サイクリックプロセス・・・


• III-V族化合物半導体の横方向成長メカニズム
  ・・・aの分解生成物とGaAsとの反応は、基板表面の再配列構造に強く依存する。GaAs(<・・・


• III-V族化合物半導体結晶のSi基板への転写
  ・・・AFM像；(a)as-grown InP表面(図1(a)), (b)転写されたInG・・・


• IISE法による触媒担持
  ・・・ロTAS等のリアクタ、反応センサ、流路の表面に触媒作用を担持する方法。イオン注入およ・・・


• In-Au薄膜によるマイクロ接合
  ・・・b|250px|図3 引張試験後のガラス表面（200℃）]] [[画像:Image3・・・


• In-Situ_ボロンドープによるポリシリコン貫通電極
  ・・・ル（1000°C） #CMP, 表面平滑化 == 禁則事項 == == ・・・


• LIGA-likeプロセスによる導波路型光デバイスのクラッド形成技術
  ・・・路となってしまう。 　そこで成形面と金型表面の高精度な平行性を確保するためにフリーシ・・・


• LIGA-likeプロセスによる導波路型光デバイスの電鋳型形成技術
  ・・・ 　①導波路形状を形成したレジスト構造体表面にニッケルまたは銀の薄膜をスパッタリング・・・


• LPCVD法による多結晶SiGe薄膜の作製方法
  ・・・に関する論文の紹介。 　多結晶Siは、表面マイクロマシニングの構造材料としての特性・・・


• LSI集積化MEMS:Analog_Devicesの慣性センサの例
  ・・・もので，LSIが作製された後，ポリSiの表面マイクロマシニングによって，センサ構造体・・・


• LSI集積化MEMS:DMDの例
  ・・・レジストの犠牲層をエッチングで除去する。表面をポリマーで保護して，ダイシングする。 ・・・


• LiNbO3とSiの直接接合
  ・・・薬液で洗浄後、Ar、N2、O2プラズマで表面処理を行い、 その後大気中・室温でウェハ・・・


• MEMS-IC縦方向集積のためのバンプなし接合
  ・・・ることが出来るため、接合のためにSiO2表面の高さとAuの高さをあわせる困難が軽減さ・・・


• MEMSにおけるトライボロジー問題
  == 項目の説明 【必須】 == 近年，表面マイクロマシニング技術は大きく進歩してい・・・


• MEMSスイッチのコンタクト部における滑剤としてのナノ粒子溶液
  ・・・ように結論付けている，1)ナノスケールの表面粗さを制御することで，電流はナノコンタク・・・


• MEMSスイッチを用いたディスプレイ
  ・・・特徴は、図１のようにＭＥＭＳモジュールの表面が反射膜となっており、非開口部で反射した・・・


• MEMSチップのダイシング工程に対する保護(両面レジスト編)
  ・・・ * (論文には無いが、このタイミングで表面からのRIEを行なってカンチレバー構造を・・・


• MEMSチップのダイシング工程に対する保護(保護フィルム編)
  ・・・「ダイシング用裏打ちシート」をローラーで表面に貼る.通常の実験室で使用している条件。・・・


• MEMS実装：GaNの常温直接接合
  ・・・なる多層にも積層して行った場合においても表面凹凸を増幅して行かない[[常温接合|常温・・・


• MEMS実装：光素子の低温直接接合
  ・・・，接続プロセスの低温化が求められている．表面活性化手法(surface activa・・・


• MEMS用撥水性シリル化コーティング技術
  ・・・ッキングを引き起こすことを防止するため、表面エネルギーを低下させる撥水性シリル化コー・・・


• MEMS駆動のための結晶シリコン太陽電池アレイ
  ・・・p層リソ＋エッチング 3) p層熱拡散＋表面熱酸化 4) （フリップチップ後の）表面・・・


• NドーピングしたSiC薄膜の電気特性
  ・・・。このドーパントの量による結晶の配向性、表面の粗さに変化はない。 次にFig.2,・・・


• O2プラズマ処理を用いたInP基板とSi基板の接合
  ・・・InP基板とSi基板を接合する際のInP表面の前処理として，HFを用いた疎水化処理，・・・


• O3-TEOS-CVDを用いたSiO2によるCNT埋め込み
  ・・・ fig.2はSiO2による埋め込み後、表面を機械研磨したサンプルの断面像。 作製さ・・・


• PDMSのエッチング
  ・・・m/minのエッチレートが得られ、また、表面性状も良好である。 Ni電鋳マスクはE・・・


• PDMSボンディング
  ・・・ (DRIE: C4F8, 35 s)で表面処理した 基板（Siウェハなど）を用意す・・・


• PHによるマイクロ自己組立ての組立て順序制御
  ・・・Hの値を変化させることで、マイクロパーツ表面の帯電状況を変化させることを利用する。帯・・・


• Poly-SiC表面マイクロマシニングによる垂直共振子
  ・・・期待できる。 == 作成 == SiC表面マイクロマシニングにおいて、SiCを加工・・・


• Pyrexガラスのヘリウム透過性
  ・・・充填されたチャンバ側のパイレックスガラス表面に、ヘリウム分子が溶解する。 そして、・・・


• P型＜111＞方位シリコンナノワイヤのピエゾ抵抗特性
  ・・・11>方位に成長していることやナノワイヤ表面に薄い酸化膜ができていることが確認できる・・・


• RCWA法
  ・・・e Plasmon Resonance：表面プラズモン共鳴)現象などのシミュレーショ・・・


• RFCMOSMEMS基板をプリント基板へ転写
  ・・・ * CMOSポストプロセスをする * 表面からアライメントのための貫通孔をあける ・・・


• RF_MEMSスイッチの信頼性
  ・・・るもの:接触性能の劣化(機械的，熱的)．表面膜の構造，材料特性の変化． (2・・・


• RF駆動MEMSセンサ_の_分布埋め込みセンサへの応用
  ・・・状態となる。 水漏れ検知スイッチは、Si表面に櫛歯状の電極を形成し、電極間に水滴が付・・・


• SAMによる表面改質を利用した高分子、Ａｌパターンの自己整合配置技術
  ・・・Ｔｇ温度以上、または融点以上に加熱すると表面エネルギーの高い領域に自己整合する、f)・・・


• SAMを用いたSU8への埋め込み型金属パターニング技術
  ・・・。このプロセスにより形成されたパターンの表面はほぼ同一平面にあり、またメタルの表面粗・・・


• SAWデバイスの波数領域解析
  ・・・ダイオード(λ=635nm)からSAWの表面に斜めに入射した光は、プリズムに入射し、・・・


• SEM式ナノプロービング
  ・・・、図3に示すように、電子線照射により試料表面にカーボン系の物質が付着するため、プロー・・・


• SOIウェーハの直接接合を用いた三次元集積化
  ・・・ず、SOIウェーハ上にデバイスを作製し、表面に酸化膜を堆積させた後にCMPにより平坦・・・


• SOIウエーハのDeep_RIEにおけるノッチング現象
  ・・・体なので、SiO2表面に付着したイオンの電荷は逃げることができ・・・


• SOI基板とPDMSスタンプを用いたマイクロ構造のスタンピング転写法
  ・・・な位置精度の低下を招く．PDMSスタンプ表面に，被転写シリコン構造と同じピッチで凹凸・・・


• SPRを利用した尿中疾病マーカー検出デバイス
  ・・・= 項目の説明 【必須】 == SPR（表面プラズモン共鳴）法は、生体分子計測に適し・・・


• STMのインデントによるシリコンナノワイヤの作成方法
  ・・・0.5 nAの状態で サンプルの表面観察を行う。 次に、サンプルに-・・・


• SiC表面マイクロマシニングのためのpoly-SiへのSiC成膜
  == 項目の説明 【必須】 == SiC表面マイクロマシニングにおいて、poly-S・・・


• SiO2モールドによるSiCのパターニング技術
  ・・・て行われるが、SiO2を犠牲層に用いて、表面マイクロマシニングによっても加工できる。・・・


• SiO2表面に形成されるナノ周期構造
  ・・・波長800nm：近赤外）を用いてSiO2表面の加工を行った。波長800nmはSiO2・・・


• SiO2表面に形成されるナノ周期構造の照射レーザーフルーエンス依存性
  ・・・波長800nm：近赤外）を用いてSiO2表面の加工を行った。波長800nmはSiO2・・・


• Siのレーザー加工特性（波長800nm、パルス幅〜100fs、軸対称偏光）
  ・・・),(2008). 関連情報：[[Si表面のナノ周期構造（軸対称偏光ビーム照射） ・・・


• Siの内部加工クラック形状のエネルギー依存性
  ・・・まで変化させ加工を行った。集光点をウェハ表面から45 μmの位置で走査速度100 m・・・


• Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性（パルス幅10ns、低エネルギー）
  ・・・を行った。図１に示すように集光点をウェハ表面5 μm の位置から5 μmピッチでウェ・・・


• Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性（パルス幅10ns、高エネルギー）
  ・・・を行った。図１に示すように集光点をウェハ表面5 μm の位置から5 μmピッチでウェ・・・


• Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性（パルス幅〜100ns）
  ・・・を行った。図１に示すように集光点をウェハ表面から5 μmピッチで内部へと移動しビーム・・・


• Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性（パルス幅〜200ns）
  ・・・を行った。図１に示すように集光点をウェハ表面から5 μmピッチで内部へと移動しビーム・・・


• Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性（パルス幅〜50ns）
  ・・・を行った。図１に示すように集光点をウェハ表面5 μm の位置から5 μmピッチでウェ・・・


• Siの内部加工（波長1064nm）
  ・・・線状に加工を行った。15μmずつ集光点を表面に向かってずらしながら約8層のライン加工・・・


• Siの内部加工（波長1560nm）
  ・・・繰り返し200kHz）からの出射光を試料表面までミラーで導き、NA0.8の対物レンズ・・・


• Siの金属誘起エッチング（metal-induced_etching）
  ・・・>溶液中に浸漬して、Si基板表面に無電解メッキによりAg粒子を形成し、こ・・・


• Siフュージョンボンディングを用いた微小ガラス管の製作
  ・・・で酸化膜を成長させる # HF等でウェハ表面のSiO2を除去し，必要なガラス管先端長・・・


• SiマイクロプローブおよびSiO2マイクロチューブアレイとMOSFETの集積化プロセス
  ・・・sub>2の表面は極めて平滑であり、絶縁膜として適してい・・・


• Si上への選択成長によるGaNのサスペンド構造作製
  ・・・される。 --> [[Category:表面マイクロマシーニング]] [[Categ・・・


• Si内部でのレーザー光の集光
  ・・・光を集光した場合、球面収差が生じる。Si表面から内部へ20μm集光点をシフトさせた場・・・


• Si内部クラック形状のレーザーパルス幅依存性
  ・・・しやすくなったため，ウェハ全面に安定的に表面亀裂が形成されたと考えられる。 [[画・・・


• Si基板トレンチを利用したメッキモールドによる集積型インダクターの開発
  ・・・l" /> ジンケート処理は配線用アルミ表面の酸化による難メッキ層に対する前処理とし・・・


• Si基板上へのIII/V化合物結晶接合"SmartCut"
  ・・・やGaAsなどのIII/V化合物ウエハの表面をシリコン基板上に「貼り付ける」技術。開・・・


• Si深堀側壁のモホロジー
  ・・・図３に示す。as-etchedの試料側壁表面の平坦性は悪く、peak-to-vall・・・


• Si異方性エッチングにおけるアンダーカットの抑制
  ・・・NC-200を適切に添加することにより、表面荒れが生じることなくアンダーカットを抑制・・・


• Si表面のアモルファス化
  ・・・ムト秒レーザーを単結晶Siに照射すると、表面にアモルファス層を形成することができる。・・・


• Si表面のナノ周期構造形成
  ・・・光強度でフェムト秒レーザーを金属や半導体表面に照射すると、間隔が波長程度の周期構造が・・・


• Si表面のナノ周期構造（軸対称偏光ビーム照射）
  ・・・光強度でフェムト秒レーザーを金属や半導体表面に照射すると、間隔が波長程度の周期構造が・・・


• Si表面の再結晶化：波長依存性
  ・・・やレーザー照射は大気中で行ったため、試料表面には自然酸化膜が約3nm形成されていた。・・・


• Si表面への突起構造形成（軸対称偏光ビーム照射）
  ・・・の強度分布となる。このようなビームをSi表面に集光照射すると、図２に示すような加工痕・・・


• Si表面平坦化技術
  ・・・能になりつつある。こうした場合においては表面での散乱などによる光学的ロスをなくすため・・・


• ZiBond　：酸化膜の低温接合技術
  ・・・= 項目の説明 【必須】 == 酸化膜の表面をアンモニア処理することにより、低温で酸・・・


• かしめ工法を利用した常温接合技術
  ・・・裏面（入出力パッドの裏側）から孔を空け、表面電極と接続したフィードスルーをメッキで形・・・


• はんだバンプ電極変形量のフラックス依存性評価
  ・・・実装した試料のバンプ電極変形量を，はんだ表面張力によるバンプ電極変形モデルを用いてフ・・・


• めっきによる貫通配線ガラスの作製
  ・・・検出するために，パイレックスガラス基板の表面にAu/Ptを成膜する。その後，フェムト・・・


• アルミナ系スラリーを用いたCuのCMP技術
  ・・・MP後は0.17nmとなっており高平坦な表面を有するCu配線を形成できる。MRAMで・・・


• アルミニウムおよび銅薄膜の表面自然酸化膜破壊に必要な荷重
  ・・・ 【必須】 == これまでアルミニウムの表面自然酸化膜を機械的に破壊するためには約0・・・


• イオン注入法
  ・・・照射する。 照射後のイオンが、基板材料の表面に付着（蒸着など）するデポジション、基板・・・


• インクジェットを用いたオンデマンド配線および接合
  ・・・状態を保つことが鍵となる。また，塗布先の表面の化学処理を行い，適度な接触角を持つよう・・・


• インクジェットプリンティング技術を用いた濃縮分離デバイスの作製
  ・・・mのマイクロピラーを3500個持ち、その表面には高分子材料の吸着材がインクジェットプ・・・


• ウェハ貫通エッチング孔(DRIEによる)精度の電気的測定
  ・・・わりにDRIEの貫通エッチングを行ない、表面に作っておいた電気的測長素子を貫通孔経由・・・


• ウェハ貫通エッチング孔(KOHによる)精度の電気的測定
  ・・・500nm。低ストレス。 *TiN電極を表面スパッタする。100nm。 *貫通孔が貫・・・


• ウエハスケールのマイクロデバイス転写
  ・・・MEMSデバイスを固定する ・CMOS表面につくった電気接続用のバンプが、機械的位・・・


• ウエハレベルパッケージングした酸化金属(MOX)ガスセンサ
  ・・・成されるガスセンサの作製にあたり、ウエハ表面に形成したヒーターに向かってウエハ裏側か・・・


• ウエハレベルパッケージング技術を用いた静電２軸MEMS光スキャナの製造プロセス
  ・・・1 mmで，高い光学反射率を得るために,表面にアルミニウム薄膜が形成されている。また・・・


• ウエハ接合：ガラスなど
  ・・・成されることが望ましい．[[常温接合|常表面活性化常温接合法]]は，固体表面が本来持・・・


• エアロゾルデポジション法による圧電材料の成膜
  ・・・"エアロゾルデポジション法とその応用" 表面科学, vol.25, No.10, (・・・


• エネルギー回収用のマイクロファイバー.ナノワイヤー.ハイブリッド構造.
  ・・・．高強度で耐熱性に優れたケブラー129の表面上にZnOナノワイヤーを生成させたマイク・・・


• エピGaAs薄膜の犠牲層ひきはがし
  ・・・アニール *(c)厚い金メッキ *(d)表面をブラックワックスで覆いHFで選択犠牲層・・・


• エピタキシャル成長したGaAs/InGaAs層の格子不整合を用いた3次元構造の作製（マイクロ折り紙）
  ・・・される。 --> [[Category:表面マイクロマシーニング]] [[Categ・・・


• エレクトロウェッティングで動作するマイクロ井戸アレイ
  ・・・，構造の下に隠してある色のついたオイルを表面に吸い上げることで，ディスプレイとして利・・・


• カンチレバー型流速センサ
  ・・・レバーを用いた流速センサ。カンチレバーの表面に流れが当たり，カンチレバーが歪むことで・・・


• カーボンナノチューブ(CNT)と金属ナノワイヤのハイブリッド構造
  ・・・イブリッド構造が出来る。 #テンプレート表面上のアモルファスカーボンをプラズマエッチ・・・


• カーボンナノチューブを用いた真空センサ
  ・・・r> カーボンナノチューブは体積に対する表面積の比率が非常に大きいため、大きな圧力感・・・


• カーボンナノファイバー(CNF)の室温合成
  ・・・|図1.(a)イオン照射後のC/Si基板表面のSEM像、(b)イオン誘起CNFの形成・・・


• ガスクラスターイオンビームによるSi側壁の平坦化技術
  ・・・ことにより、スカロップ構造を除去し、側壁表面を平坦化（平滑化）することが出来る。これ・・・


• ガスデポジションＧＤ法による金バンプ形成技術
  ・・・のSi基板を図１の成膜室内に固定し、その表面のフォトレジスト開口部に、ガスデポジショ・・・


• ガラスとガラスの陽極接合
  ・・・C)などが陽極側の パイレックスガラス表面に成膜されている場合Naイオンのバリアと・・・


• ガラスの内部クロス加工による割断
  ・・・示す。クラックは底面および内部に形成し、表面加工は行っていない。 [[画像:Imag・・・


• ガラスの内部加工による割断
  ・・・を示す。クラックは底面及び内部に形成し、表面加工は行っていない。 [[画像:Imag・・・


• ガラスの内部加工（波長800nm）
  ・・・ジを移動させ線状に加工を行った。集光点を表面から内部にずらしながら約10ラインの加工・・・


• ガラスの内部加工（波長800nm）における集光NAの比較
  ・・・試料内部にレーザー光を集光した場合、試料表面と内部での集光強度のコントラストが低く、・・・


• ガラスを積層して形成した高密度貫通配線ガラス
  ・・・作製プロセスを表している。まず，ガラスの表面に金属のラインを形成する。次に，形成した・・・


• ガラス熱割断のレーザー照射形状依存性
  ・・・】 == 低強度のCO2レーザーをガラス表面に照射することで、局所的な加熱とそれにと・・・


• ガラス真空封止MEMSにシリコン垂直フィードスルーを開ける
  ・・・ig.3 --> * Si(400μm)表面リセスを掘る(熱絶縁のため) * パイレ・・・


• キャビティ構造の基板を用いた電子回路モジュールの製造性と信頼性
  ・・・ディング接合性を考慮したキャビティ部分の表面処理を評価した。さらに，回路基板のビア接・・・


• グリーンレーザーによる自己形成光導波路（Self-Written_Waveguide）
  ・・・34. 【参考文献】　 光表面実装技術に関する解説； 三上・・・


• グルコースオキシダーゼ親和性ペプチドの開発
  ・・・ージの表層タンパク質にペプチドを融合して表面に提示させライブラリーとして用いる。この・・・


• ゲルマニウムの過酸化水素水によるエッチング
  ・・・/small>イオンはGeの表面に拡散して、錯体を生成し、表u面に付着す・・・


• コーン形状型マイクロバンプの形成
  ・・・に示す。従来のＡｕメッキで形成したバンプ表面は平坦な構造を有するため、接合の歩留りを・・・


• サブミクロン開口10μmトレンチによる偏光検出フォトダイオードの特性
  ・・・うな構造に直線偏光を入射すると、シリコン表面で光により誘起された電子正孔対が偏光の電・・・


• シリコンのドライエッチングと形状
  ・・・過剰にシリコンをエッチングした後に絶縁体表面でチャージアップする結果、局所的に異方性・・・


• シリコンの鏡面化技術
  ・・・ェーハとの間の摩擦によりシリコンウェーハ表面が改質する。この改質層を化学的に取り除く・・・


• シリコンの高速研削技術
  ・・・より粒子の細かいスラリーを用いて研削し、表面の研削痕を除去する。以下に研削結果を示す・・・


• シリコンウェーハの反り測定方法
  ・・・通り、シリコンウェーハ上に成膜した材料の表面を表面段差計を用いて走査することにより、・・・


• シリコン異方性エッチングを用いたナノワイヤの作成方法
  ・・・を行い、 その後に、熱酸化により表面をSiO_2 で覆う。 ・・・


• シリコン貫通電極（TSV）構造の分類
  ・・・a last (ビア最終作製)：ウェハの表面から製作　 (D)Via las・・・


• シリコン酸化膜のナノテクスチャ加工によるEWODの低電圧化
  ・・・状にテクスチャ加工をして得られる超疎水性表面を用いることがあるが、膜が厚すぎると動作・・・


• シリコン酸化膜のナノテクスチャ加工によるEWODの低電圧化_-_特性
  ・・・性・性能・評価 == テクスチャ加工した表面にドロップレット（水）を載せたときの接触・・・


• シリコン酸化膜上での湿度に対する毛管力の挙動
  ・・・た毛管力，特に近年報告されている固体試料表面上で湿度20%〜40%の低湿領域において・・・


• ジブロックコポリマーのミクロ相分離を利用したナノ構造パターニング
  ・・・ダー構造部を成したP4VP直下のシリコン表面に対してダイレクトに 希フッ酸での結晶異・・・


• スタンピングによる有機ELのマイクロ加工
  ・・・スタンプとの密着性向上のために，スタンプ表面を Cr 及び Ag でコーティングする・・・


• スタンプ疎水性局所制御PDMSによる細胞培養チャンバ
  ・・・た後、全面に撥水性処理をほどこし、さらに表面に疎水基をスタンプすることで、垂直壁面と・・・


• ステルスダイシング
  ・・・ドなど外部応力を加えることにより，ウェハ表面に亀裂を成長させてチップを小片化するカッ・・・


• スプレーコートを用いた三次元構造体への配線形成技術
  ・・・を形成できる。走査スピードとレジスト塗布表面の関係をFig.2に示す。走査スピード7・・・


• スマートカットによるSOIウェハの製作
  ・・・ち込む深さがデバイス層の厚さになる。また表面の酸化膜はイオン打ち込みに対する表面保護・・・


• セラミック基板への表面活性化常温フリップチップ実装プロセスの開発
  ・・・bump)]] 　スタッドバンプを用いた表面活性化法によりセラミック基板への高強度な・・・


• セルフパターニング構造による金属薄膜並びに有機トランジスタ特性評価
  ・・・報告で用いられたデバイスは、ポリシコンの表面マイクロマシーニングで構造をつくり、犠牲・・・


• セルラーオートマトンを用いたSi異方性エッチングシミュレーション
  ・・・べる。 (1)セルフアレイは更新の際、表面にあるセルとその近接のみを対象として情報・・・


• ゼオライト含有カンチレバーによる化学物質の選択検出
  ・・・かの方法が試みられてきたが，カンチレバー表面に化学物質が吸着することによる共振周波数・・・


• ソーキングを用いたリフトオフ
  ・・・ストを溶液に浸し(soak)、レジストの表面を硬化し、パターニング時に底部をオーバー・・・


• タングステンナノギャップによる単分子捕獲
  ・・・入することで、N_2 が気泡となって溶液表面に移動する。これをバブリングと呼ぶ。 溶・・・


• タンパク質中のリン酸基を選択的に検出する分子プローブ
  ・・・分かってきた。とりわけこれら生体高分子の表面を介した認識、即ち「タンパク質表面・表面・・・


• タンパク質検出用アレイ
  ・・・えないため、直接比較ができない。リンパ球表面の分化抗原に対する抗体アレイにリンパ球そ・・・


• ダイヤモンドナノエミッタの開発
  ・・・の低いものである。 エミッタの付いた試料表面にタングステン製のプローブを接触させ、そ・・・


• ダブルサイド加工プロセス
  ・・・エッチングによりリリース、加速度センサは表面からXeF{}_2
  
• チオニンの媒介によるCNT/Auナノ微粒子コンポジットの作製
  ・・・概要 == チオニンにより覆われたCNT表面に非共有結合によりAuナノ微粒子を吸着さ・・・


• チューニング可能な外部電界印加でのPZT中Auナノ粒子のSPR特性
  ・・・ナノ粒子は図１(a)に示すとおりPZTの表面に析出している。450℃、650℃に関し・・・


• テクスチャ加工された超疎水性表面におけるドロップレット接触角のヒステリシス
  ・・・介する。 図1に示すように、シリコンの表面にDRIEでピラーを形成した基板の上にド・・・


• ディップペン・ナノリソグラフィ技術
  ・・・たプローブ先端とAu基板との間の吸着水の表面張力によってODTをAu基板に転写する技・・・


• デュアルハードマスクプロセスを用いたダマシン配線構造
  ・・・のハードマスクがあるので,Low-k膜は表面に露出しておらず,上層ハードマスクのパタ・・・


• ドライエッチング
  ・・・ラジカルやイオンを生成する。これをウエハ表面に存在する物質と反応させ発生した反応性生・・・


• ドライプロセスによる有機EL製作
  ・・・層パターニング #ウェハ洗浄 #ITO 表面改質 #ホール輸送層，発光層成膜（α-N・・・


• ナノスケールシリコンワイヤの振動特性
  ・・・るが、筆者らは実験的にＱ値とナノワイヤの表面積/体積の関係を調査している。 == ・・・


• ナノステンシルリソグラフィーによるフルウェハのCMOS上へのNEMSの集積技術
  ・・・集積領域のナノステンシルを通してのウェハ表面(c)、Alパターン化およびSiエッチン・・・


• ナノ圧子形状の先端部を備えたRFマイクロスイッチの特性評価
  ・・・れた値とは異なっている．これは，スイッチ表面に抵抗性のコンタミネーションが堆積してい・・・


• ナノ構造を用いた高出力発光ダイオードの作製
  ・・・りである。 *電着のシード層となるGaN表面に形成する。 *光硬化性樹脂をシード層の・・・


• ノンシアン無電解金めっきによる微細バンプ形成技術
  ・・・71 (1997). 2)関東学院大学表面工学研究所編, 図解最先端表面処理技術の・・・


• ノンシアン銀めっきによる微細配線技術
  ・・・用の光沢剤を添加することで、平滑な 銀膜表面を得ることができた。光沢剤添加時のアニー・・・


• ノンシアン銀めっきによる銀薄膜堆積技術
  ・・・humb|350px|図２　銀メッキ薄膜表面のSEM写真　a)光沢剤有り、b)無し]・・・


• ハイブリットボンディングによる低温ボイドレス接合方法
  ・・・ 項目の説明 【必須】 == 　プラズマ表面活性化接合と陽極接合を併用するハイブリッ・・・


• ハイブリッドSiエバネセント・レーザーの接合プロセス
  ・・・b|300px|図2.接合したIII-V表面のノマルスキー顕微鏡像；接合温度(a)6・・・


• ハードディスクドライバ用スライダーのマイクロヒータによる浮遊間隔制御
  ・・・セスでウエハーを作製する。そして作製した表面をABSのエッチングを行うため、個々のピ・・・


• バクテリアの鞭毛による流れの創出
  ・・・る方法]]を用いて、セラチア菌をPDMS表面に固定することで、バクテリアのカーペット・・・


• バッキープラスティック
  ・・・ティックフィルム b)断面SEM像 c)表面AFM像]] == 測定手法（装置、試・・・


• バンプレスインタコネクト
  ・・・細ピッチで直接接続を得る．Cu配線の接続表面はパッシベーション層と同一平面上にあるた・・・


• パイレックスガラスのDRIEによる高密度貫通配線ガラスの作製
  ・・・きにより貫通穴に金属を埋め込む（図4）。表面から突出した金属を化学機械研磨（CMP）・・・


• パリレンで封止した液体の変形を利用したスキャニングミラー
  ・・・ーを支持しており，梁を持たない．パリレン表面に蒸着した金電極と液体下のアルミ電極の間・・・


• パリレンナノ転写法
  ・・・写手法が広く用いられている。ナノサイズの表面構造を持つマスターモールド（Siなどで直・・・


• パリレン薄膜を利用した試料の固定化・パターニング
  ・・・プロセスは以下の通り。 (a) 基板の表面にパリレン蒸着装置を使ってパリレン薄膜を・・・


• パルス状の正の電圧をチャックに加えることによるノッチングの抑制
  ・・・めである。SiO2表面に付着したイオンの電荷は逃げることができ・・・


• ピラミッド構造型マイクロバンプの形成
  ・・・示す。 従来のＡｕメッキで形成したバンプ表面は平坦な構造を有するため、接合の歩留りを・・・


• ファージディスプレイ法による分子認識ペプチドのスクリーニング
  ・・・のであり、1985年のSmithらによる表面に目的のペプチドを提示させた繊維状ファー・・・


• フィルタSPRチップ
  ・・・= 項目の説明 【必須】 == SPR(表面プラズモン共鳴)センシングにおいて、セン・・・


• フィードバック型STｈMによる局所実温度計測法
  ・・・度をコントロールする事により、サンプルの表面状態や接触状態により変化する接触熱抵抗に・・・


• フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層
  ・・・ムト秒レーザーを単結晶Siに照射すると、表面にアモルファス層を形成することができる。・・・


• フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層2
  ・・・ムト秒レーザーを単結晶Siに照射すると、表面にアモルファス層を形成することができる。・・・


• フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層3
  ・・・ムト秒レーザーを単結晶Siに照射すると、表面にアモルファス層を形成することができる。・・・


• フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層：波長依存性2
  ・・・ムト秒レーザーを単結晶Siに照射すると、表面にアモルファス層を形成することができる。・・・


• フェリチン内包鉄コアマスクと中性粒子ビームエッチングを用いたナノスケール加工技術
  ・・・リートメント（基板上の有機物を取り除き、表面を親水性にする）、(c)鉄内包フェリチン・・・


• フォトリソグラフィー法によるDNAチップの作製
  ・・・ == DNAアレイはガラスやシリコンの表面に膨大な数の異なるDNAを配置させた高集・・・


• フュージョンボンディングとシリコンナノ表面粗さの関係
  ・・・ンフュージョンボンディングにおいて、ナノ表面粗さがその品質に影響を与えるのは容易に想・・・


• フラーレンとペンタセンによるCMOSインバータ
  ・・・k膜をゲート酸化膜に使ってある。表面は界面活性剤HMDSで修飾してある。 ・・・


• フレキシブルトランスデューサーデバイス
  ・・・ンチを形成する。次にPDMSを埋め込む。表面のPDMSを除去し、BG(Backsid・・・


• フレキシブル基板への光リソグラフィを用いたサブミクロンパタン形成
  ・・・がすことができるとした（図２）。表１に、表面のフラットネスを計測した結果を示すが、ウ・・・


• ブロック共重合体とシリケートのミクロ相分離（ラメラ）構造を用いた自己整合、自己組織化ナノラインパターン形成
  ・・・リメチルシロキサンのラメラ構造(a)薄膜表面のＳＥＭ写真、(b)高倍率の薄膜表面のＳ・・・


• プラズマによるSU-8の変性を用いた3次元自己組立
  ・・・ラズマにさらされたことによってSU-8の表面の組成が大きく変化したためであると考えら・・・


• プラズマ活性化法による水晶とSiの低温直接接合
  ・・・いて接合力の改善を行う。プラズマによって表面処理を行ったウェハはアニール時に剥離せず・・・


• プラズマ表面活性化を利用したウェハ低温接合技術
  ・・・= 項目の説明 【必須】 == プラズマ表面活性化接合と陽極接合を併用するハイブリッ・・・


• プラズマ表面活性化を利用した低温接合技術
  ・・・= 項目の説明 【必須】 == プラズマ表面活性化接合と陽極接合を併用するハイブリッ・・・


• プラズマ重合法を用いたタンパク質固定化技術
  ・・・法により固定化する時の膜厚の検討。ガラス表面に0から240 Åのプラズマ重合膜を形成・・・


• プラズマ重合薄膜を利用したグルコースセンサー
  ・・・スバイオセンサーについての論文。金電極の表面をプラズマ重合処理することによってGDH・・・


• プラズマ重合装置の製作
  ・・・、モレキュラーインプリンティング[6]、表面プラズモン共鳴（SPR）用チップ[7, ・・・


• プロセス中での真空封止
  ・・・される。 --> [[Category:表面マイクロマシーニング]] [[Categ・・・


• プロセス中の表面保護のための酸化膜犠牲層
  ・・・= シリコンフュージョンボンディングは、表面の清浄度が接合の可否に最も支配的である。・・・


• プロテインアレイ
  ・・・ 　自己組織化膜(SAM)の利用は、基板表面を自由自在に修飾でき、利用価値が高い(F・・・


• プロービング：フリッティングコンタクト
  ・・・100 mN 程度の大きな力をかけて電極表面の酸化膜を機械的に破壊して電気的接触を得・・・


• ホットエンボスを用いたナノスケール加工技術
  ・・・同様にO2アッシングすることで、SiO2表面が部分的に露出する。SiO2エッチングす・・・


• ホットエンボスを用いたプラスチックマイクロレンズの作製技術
  ・・・をPCフィルムに押し付けることによって、表面が滑らかなマイクロレンズを作製する技術。・・・


• ボイド形成剥離(Viod-Assited_Separation
  ・・・ight|thumb|200px|図1 表面にTiNのnano-netを形成したGa・・・


• ボンダ：SAB-FCボンダ
  == 項目の説明 【必須】 == 　表面活性化常温接合法(surface act・・・


• ボンダ：SABウエハボンダ
  ・・・の説明 【必須】 == 　[[常温接合|表面活性化常温接合法]](surface a・・・


• ボンディングツールのボンディング精度への影響
  ・・・る限り低減する必要がある。 一方でウエハ表面に欠陥が多い場合は、テフロンチャックによ・・・


• ポリシラザンを用いた無機材料低温接合法
  ・・・110℃の場合が、体積収縮を回避しつつ、表面の流動性も確保でき、最も接合強度に優れる・・・


• ポリスチレン微粒子を用いたナノ金ディスクの作製（LSPR基板）
  ・・・される。 --> [[Category:表面マイクロマシーニング]] [[Categ・・・


• ポリマーによるナノポーラスグレーティング構造
  ・・・ームとして、ナノポーラスシリコンのような表面積が大きい多孔質物質が良く用いられる。近・・・


• ポリマーのプラズマ処理による直接接合
  ・・・2min プラズマ処理をすることにより表面処理が行われ炭素に接合されている水素が除・・・


• ポリマー基板上のマルチモーダル触覚センサ
  ・・・】 == 接触物の硬さ，熱伝導率，温度，表面の凸凹を検出可能な触覚センサである．物体・・・


• ポリマー製レンズの作成
  ・・・濡れる量を入れたのち、適量まで吸出し。 表面張力により凹面（両側）レンズができる。乾・・・


• マイクロコンタクトプリンティングを用いたカーボンナノチューブ成長法
  ・・・作成する。 スタンプ表面を親水性状態にするために、O2・・・


• マイクロコンタクトプリント法による自己組織単分子膜パターニングと銀ナノ粒子の選択的析出
  ・・・= 銀などの金属ナノ粒子上に発生する局在表面プラズモンを利用した超高感度センサの開発・・・


• マイクロコンタクト時の材料特性評価
  ・・・における接触力，接触抵抗，および接触面の表面粗さを示している．装置の模式図を図1に示・・・


• マイクロスケールの自己組立て
  ・・・/NEMS）や型転写，切削加工，ビーズの表面修飾などにより人工的に大量に作製し，それ・・・


• マイクロチップ電気泳動を利用したタンパク質の分離法
  ・・・気泳動デバイスについての論文。PMMAの表面をSO2ガスでプラズマ重合処理した基板表・・・


• マイクロバルンアクチュエーター
  ・・・ 空気圧アクチュエーターのcavity上表面をフレキシブル材料で作ると空気圧により脹・・・


• マイクロ流体環境下におけるMEMSの付着特性
  ・・・，酸化終端されたカンチレバーについては，表面が親水性のため水中においては周囲の水分子・・・


• マスクレスDRIEによるナノポーラスSiの作製方法
  ・・・プロセス]] 　ヒロックを有する粗いSi表面をICP-DRIE(Deep React・・・


• マスクレスグレースケールリソグラフィによるマイクロレンズアレイ作製
  ・・・ンズが形成されている。図2はレンズアレイ表面をレーザー顕微鏡で測定したもので，均一で・・・


• マスクレスリソグラフィーの為の新たな単結晶マイクロミラー
  ・・・ミラー構造製作において、平面性、たるみ、表面粗さ、安定性などの要求が多くなる。そこで・・・


• マルチプローブによるパラレルナノライティング技術
  ・・・る[1]。 マルチプローブアレイは試料表面を検出するためのイメージングプローブと、・・・


• マルチプローブ化学センサ
  ・・・の説明 【必須】 == 薄膜カンチレバー表面を選択的に化学修飾し、DNAハイブリダイ・・・


• メサ技術を用いたICとティップの集積化
  ・・・ン基板。欠陥ができるだけ無いこと。 * 表面にレジストのメサを作り、深さ方向に転写す・・・


• メンブレン構造容量検出型センサの化学・バイオセンサへの応用
  ・・・R，カンチレバーなどと同じく，化学物質の表面吸着によるMEMS構造の共振周波数変化（・・・


• モルフォ蝶を規範とした構造発色デバイス
  ・・・arbon）を材料としたモルフォ蝶鱗粉の表面構造に似せた3次元構造を作成している[4・・・


• ヤング率の測定法（押込法）
  ・・・iらは、高ドーズイオン注入により、鋼材の表面にSiCの層を作製した試験片について押し・・・


• ヤング率の測定法（超音波原子間力顕微鏡）
  ・・・での測定が可能の利点を持ち、 材料内部（表面近傍）の不均一性の評価や結晶の粒界部など・・・


• レジストマスクによるシリコンウエットエッチング
  ・・・ーカットが小さくなることがわかるが、底の表面ラフネスが３０％よりも大きいことがわかっ・・・


• レジスト溶融法を用いたマイクロレンズの製作
  ・・・ストの流出が防がれている．レジストがその表面張力によりレンズ形状となったら常温で冷ま・・・


• レーザーによるSi表面近傍の内部加工
  ・・・ス量10μmで1ライン加工を行ったSi 表面の様子を示す。10nsの場合にはない表面・・・


• レーザーによるアモルファスSiの再結晶化
  ・・・やレーザー照射は大気中で行ったため、試料表面には自然酸化膜が約3nm形成されていた。・・・


• レーザーによるガラスの熱割断
  ・・・】 == 低強度のCO2レーザーをガラス表面に照射することで、局所的な加熱とそれにと・・・


• レーザーによるガラス表面近傍の内部加工
  ・・・が支配的であることが確認された。しかし、表面溝加工を行う際にはアブレーションによる飛・・・


• レーザーによるガラス表面近傍の内部加工2
  ・・・必須】 == ガラスの内部加工において、表面ではないが表面近傍に内部加工を集中させた・・・


• レーザーによるガラス表面近傍の内部加工3
  ・・・の割断において曲げ応力を低下させるには、表面への亀裂の進展が重要であることが確認され・・・


• レーザーの産業応用
  ・・・が低く加熱を利用した応用（焼き入れなどの表面改質、溶接）が中心となる。レーザーによる・・・


• レーザーリフローによる真空パッケージング
  ・・・金属構造を作成する。これらの作成は通常の表面マイクロマシニングの手法を用いて行う。パ・・・


• レーザー内部加工によるガラス/Si多層ウェハの割断例２
  ・・・の掃引速度は20mm/sであった。ガラス表面にはレーザー加工を行わず、ガラスおよびS・・・


• レーザー内部加工によるガラス/Si多層ウェハ割断例１
  ・・・ス下面に亀裂を進展させ、上段のガラスには表面アブレーションによる溝加工を行った。機械・・・


• レーザー加工形状のパルス幅依存性（Cu）
  ・・・ザーパルスを30ショット照射した時の試料表面のSEM像である。いずれも照射スポットサ・・・


• レーザー加工形状のパルス幅依存性（Si）
  ・・・ーパルスを300ショット照射した時の試料表面のSEM像である。200psのパルスは、・・・


• ローダミンBを用いたマイクロチップ上局所温度分布計測法
  ・・・定できず、赤外放射型温度計ではデバイスの表面のみの測定に制限され、また水など赤外線を・・・


• ローラー・ナノインプリントリソグラフィ技術
  == 項目の説明 【必須】 == 表面にナノサイズのパターンを有するローラーを・・・


• 三次元集積化のための直接接合技術
  ・・・ずデバイスや配線層まで形成されたチップの表面をCMPして配線層(AlやNi)と酸化膜・・・


• 位置決め用垂直くし歯型アクチュエータのクロストーク低減設計
  ・・・エータは、２層に重ねたマスクを順に使い、表面から２度の深掘り反応性イオンエッチングを・・・


• 低侵襲に細胞シートを作製し移動する方法
  ・・・ol化し、脱着され、心筋でできたシートが表面から離れ、他の箇所に配置可能になる。 ・・・


• 低圧水素雰囲気下で成膜したペンタセンの移動度
  ・・・ ペンタセンを1.0nm堆積した初期成膜表面のAFM像を図3(a)に示す。 ・・・


• 低温SOGウェハ接合
  ・・・ss(SOG)を用いた、CMPプロセスや表面のエッチングを必要としないウエハ接合法を・・・


• 低温拡散接合で用いるAg-In層の組成分析
  ・・・humb|450px|図4 ＸＲＤによる表面分析（1.4MPaー180℃、接合時間：・・・


• 低温接合プロセス
  ・・・ズマ活性化接合】 ・ プラズマ照射による表面活性化により、ウエハー界面での接合を促進・・・


• 共振のQ_factrの劣化による気密性試験
  ・・・ デバイスのパッケージングを図2に示す。表面マイクロマシーニングによるスイッチに、高・・・


• 内部加工されたSiウェハ割断に要する曲げ応力のレーザー走査速度依存性（パルス幅10ns）
  ・・・返し周波数100kHzで、集光点をウェハ表面から内部30 μm の位置から10 μm・・・


• 内部加工されたSiウェハ割断に要する曲げ応力の加工層数依存性（パルス幅10ns）
  ・・・m/secで加工を行った。集光点をウェハ表面から内部30 μm の位置から70μmま・・・


• 内部加工されたガラスウェハ割断に要する曲げ応力のレーザー走査速度依存性（パルス幅10ns）
  ・・・変化させ内部加工を行った。集光点をウェハ表面から内部45 μm の位置から65 μm・・・


• 内部加工されたガラスウェハ割断に要する曲げ応力の加工層数依存性（パルス幅10ns）
  ・・・m/secで加工を行った。集光点をウェハ表面から内部45 μm の位置から305μm・・・


• 凹凸表面を用いた撥水性の切り替え
  == 項目の説明 【必須】 == 　表面形状を変化させることで、動的に濡れ性を変・・・


• 分散した銀ナノ粒子による蛍光増強効果
  ・・・れている金ナノ粒子析出方法を用い，その金表面にsilver enhancing ki・・・


• 半導体素子Al電極への高速Au線熱圧着
  ・・・速く行うための必要条件を求めた。 尚、表面にFが多く検出される試料の方が、接合は破・・・


• 単層量子ドットのカンチレバー先端への成膜
  ・・・を用いている。図１－２に示すように、液体表面に単層の量子ドット膜を形成し、その中から・・・


• 単結晶ダイヤモンドの鉄系金属との化学反応および燃焼による加工
  ・・・とがわかった。加工後の単結晶ダイヤモンド表面にはニッケル原子が移動していないことがE・・・


• 単結晶内に埋め込まれた水平孔の形成
  ・・・の工程を示した ものである。先ずシリコン表面を酸化、選択的にエッチングする（a）。 ・・・


• 原子間力顕微鏡プローブ上に集積化した単電子トランジスタ
  == 項目の説明 【必須】 == 試料表面における電荷分布のナノスケール分解能での・・・


• 各種試料表面への突起構造形成（軸対称偏光ビーム照射）
  ・・・が形成される。図２にアルミナセラミックス表面にフェムト秒軸対称ビームを集光照射した時・・・


• 同軸配線プリント回路基板作製技術
  ・・・を用いた絶縁層の溝加工では、加工後の溝壁表面が粗くなっていることが分かる。これを改善・・・


• 垂直方向に配列したCNTアレイの接着力
  ・・・の条件下で7 minであり，触媒は，Si表面に熱酸化により生成したSiO2(200 ・・・


• 塩素原子ビームを用いたSiエッチングにおけるUV照射による表面反応増大効果
  ・・・/sup>以上）照射により、ClとSiの表面反応が著しく増大することが見出された。U・・・


• 多孔質アルミナ膜による低温での真空パッケージ
  ・・・に比べて次のような利点をもっている。1)表面に凹凸があるウエハのアライメントを行わな・・・


• 多層集積におけるボンディングプロセスの影響（ウエハ剛性）
  ・・・ウエハボンディングにおいて、あるウエハの表面の欠陥、例えばウエハのroughness・・・


• 太陽光による水素製造のためのGaInP/GaAs/Si電極形成
  ・・・することによりGaAsのエッチングとSi表面への再付着を行うプロセスであり，化合物層・・・


• 実装：光素子表面活性化接合における接合条件の影響
  == 項目の説明 【必須】 == Au表面活性化接合法を用いた光素子の実装において・・・


• 実装：超音波ワイヤボンディングの実装精度
  ・・・平行な方法に超音波による加振を行い、電極表面の不純物除去・空隙の収縮を行う接合法であ・・・


• 封止接合：金属薄膜を介した封止接合
  ・・・== 　Si/Si, Si/Cuにおける表面活性化法による常温接合により真空封止が可・・・


• 導電性ポリマーを記録媒体としたMEMSプローブ記録
  ・・・の記録方式は、SPM探針を用いて記録媒体表面の極微小領域に何らかの物理的・化学的作用・・・


• 小型SPRデバイス
  ・・・ブと流路を形成。 　接合はO2プラズマで表面処理後に実施。 ②（基板材料記載なし）・・・


• 小型光学式粘度センサ
  ・・・結晶ファイバーからのレーザーにより，液体表面に波が発生する。この波にレンズドファイバ・・・


• 尿素高分子膜を用いたプラスチック接合
  ・・・プラスチック同士の低温接合技術。接合前の表面親水性が接合後も維持される。 [[画像:・・・


• 常温ウエハ接合：Cu薄膜(微細電極)
  ・・・ルで一括接合が達成されることが望ましい．表面活性化[[常温接合]]法は，固体表面が本・・・


• 常温ウエハ接合：接合強度
  ・・・age2767_0.png|thumb|表面活性化法による接合強度の違い]] ==・・・


• 常温接合
  ・・・Paの高真空が保たれている。前処理室での表面活性化は、アルゴン高速原子ビーム（FAB・・・


• 平板間における水メニスカスによる付着力の挙動
  ・・・第2報) -チップレスカンチレバーによる表面間力測定-, 精密工学会学術講演会講演論・・・


• 弾性シリコンナノワイヤ配列に基づく吊り機械構造
  ・・・エハ（埋め込み酸化層の厚さは0.5μm）表面を熱酸化して160nmの酸化層をつくり、・・・


• 弾性表面波素子を用いた匂い提示装置の開発
  ・・・説明 【必須】 == 以下に示すSAW(表面弾性波：Surface Acoustic・・・


• 微小シリカによるsol-gel接合
  ・・・プロセスであったり、低信頼性であったり、表面の平坦度などに対する要求が高いなどの欠点・・・


• 微小塩素ガスセンサー
  ・・・より直径30ミクロンの穴を多数開け、この表面をシラン化処理による撥水処理して利用。 ・・・


• 微粒子セルフアセンブルと転写技術を用いたSi基板上への微粒子パターン形成技術
  ・・・SとSiテンプレートを接触させてPDMS表面に微粒子を転写する。PDMS表面にSAM・・・


• 微細コンタクトバンプ形成技術
  ・・・ールパターンへのエアバブルの除去及び基板表面の洗浄を目的としてりん酸前処理液を使用し・・・


• 微細多層配線形成技術
  ・・・重ねて多層化するために、下層ポリイミドの表面を低エネルギープラズマで処理することによ・・・


• 微細構造ウエットエッチング後の乾燥法
  ・・・力を変化させて乾燥を行う。単なる蒸発では表面張力によりスティッキングが起こるが，昇華・・・


• 微細構造体上へのCNTウエハー形成
  ・・・【必須】 == Siピラー等の微細構造体表面へCNTウエハーを形成する方法。 ==・・・


• 微細流路沸騰2相流による高性能除熱システム
  ・・・の紹介を行う。液流路と蒸気流路を分離し、表面張力による蒸発面への液移動促進効果を利用・・・


• 心筋細胞で駆動するマイクロロボット
  ・・・PAAm)を配置することで行った。 金の表面には心筋細胞がよく接着する一方で、PNI・・・


• 急速加熱による微細構造の乾燥
  ・・・温度伝達よりも急速に昇温すると，まず水の表面近傍が局所的に加熱され，図2の実線に沿っ・・・


• 感光性たんぱく質の選択的成膜
  ・・・レイ上にパターニングできる．なお，BRの表面と裏面で＋とマイナスがあり，電界をかけな・・・


• 感光性フレキソポリマーLF55GNを用いた高アスペクト光学素子の作成
  ・・・を示す。１ｍｍ厚で垂直な側壁、スムースな表面が得られた。図５では、プリズムにHe-N・・・


• 感光性ポリイミド絶縁層材料
  ・・・０分間の２段階で実施される。 膜厚は 表面荒さ計を使って、薄膜の現像の前と後に、そ・・・


• 指紋認証デバイスを用いたバイオセンサ
  ・・・装置の外観を図１に示す。指紋認証デバイス表面に、シランカップリング剤と架橋剤を用いて・・・


• 振動を用いた表面実装部品のウエハへの配列
  ・・・]] Si基板を用いて作製されるICに表面実装部品（Surface Mount D・・・


• 接合:弾性変形支配の場合
  ・・・下)における固層圧接は、常温接合もしくは表面活性化直接接合として実験的に検討されてき・・・


• 接合　表面活性化　O2プラズマの照射時間
  ・・・iO2－SiO2界面接合において、 基板表面活性化にO2プラズマを使用した時の照射時・・・


• 接合前ウエハアライメント精度：Smart_View_(Face_to_Face)アライメント
  ・・・の裏面アライメントマークと、下部ウエハの表面アライメントマークを観察しながらアライメ・・・


• 接合過程の解析
  ・・・Mを運動エネルギーの増加、Γを接着仕事（表面エネルギー増加分から界面エネルギー増加分・・・


• 撥水処理による気液分離構造
  ・・・を作成・組み立てが困難である。 そこで、表面処理を用いた気液分離構造がある。 ==・・・


• 撥水性(疎水性)・親水性
  ・・・はじく性質」であり空気中に置いてある材料表面に滴下した液体が玉のように丸くなることで・・・


• 昇温脱離分析(TDS)による熱脱離生成物の定量評価
  ・・・適用する。140KにおいてPd(111)表面の化学吸着層にメタノールを飽和させ、昇温・・・


• 昇温脱離分析法(TDS法)
  ・・・== "真空特性評価装置と各種材料及び表面処理の真空特性", 稲吉さかえ, 斎藤一・・・


• 時分割プラズマエッチングを用いた放物面マイクロミラーアレイ
  ・・・ッチングしシリコンを等方的に掘る。 # 表面を金属で覆う。可視光の場合はアルミ、赤外・・・


• 最初のLSI集積化MEMS：Resonant-Microbridge_Vapor_Sensor
  == 項目の説明 【必須】 == 表面マイクロマシニングによる最初のLSI集積・・・


• 有機メモリーを用いた情報伝達シート
  ・・・ンクジェット方式でパターニング誘電体操の表面はフッ化パリレンで覆われている。構成は図・・・


• 柔軟な基板に成膜したCNT薄膜の電気特性評価
  ・・・50px|Fig. 3 SEM画像(a)表面(b)亀裂部]] [[画像:Image9・・・


• 柔軟性を維持したPDMSのシーリング方法に関する研究
  ・・・していない元の状態のPDMS (b) 表面にパリレンをコートしたもの (c) (・・・


• 極薄カンチレバー作製法
  ・・・ == 留意事項 == 超臨界乾燥時に表面張力でカンチレバーが基板に貼付くことが多・・・


• 櫛歯駆動回転マイクロミラー
  ・・・方向に力の出るアクチュエータとした． 表面は2段階のDRIEを実施することで，櫛歯・・・


• 次世代のLSI-MEMS集積化技術：SiGe技術
  ・・・ 項目の説明 【必須】 == ポリSiの表面マイクロマシニングによる従来のLSI-M・・・


• 水に浮かんだ撥水性材料に泡が付着するとどうなるか
  ・・・はじく性質」であり空気中に置いてある材料表面に滴下した液体が玉のように丸くなることで・・・


• 水を用いたパッシブアライメント
  ・・・体の凸部がシリコン構造体の凹部にはまり、表面張力によりパッシブにアライメントされる。・・・


• 水ジェット誘導式レーザー加工
  ・・・以下の水ジェット流を伝播するため、加工物表面に焦点を合わせることがない。水ジェットは・・・


• 水素アニールを用いたSiの3次元構造形成
  ・・・Siの融点（1414℃）以下の温度帯でも表面Si原子の移動を促進し、そのため表面エネ・・・


• 水素ラジカルクリーニングによる異種III-V族化合物半導体のウェハ接合
  ・・・ight|thumb|300px|表2.表面クリーニングと接合条件]] [[画像:I・・・


• 水銀液滴を用いた熱スイッチ
  ・・・。 　通常固体と固体を接触させると、表面のナノメートルサイズの凹凸のために実際に・・・


• 流体抵抗型ベンディングセンサとバルンアクチュエーター
  ・・・= 空気圧アクチュエーターのキャビティ上表面をフレキシブル材料で作ると空気圧により脹・・・


• 流路を集積化したパッチクランプチップ
  ・・・を目指した流路集積化パッチクランプ装置。表面にもPDMSのスタンピングでチャンバーを・・・


• 液中におけるマイクロ平行平面間のサブミクロンスケールにおける相互作用の計測方法
  ・・・するものである。 疎水性相互作用は, 表面の摩擦を軽減したり, ミセル構造やたんぱ・・・


• 液中自己組立における液流によるアジテーション
  ・・・る事で効率の高い撹拌を実現している。 表面張力γ、面積x^2の面が持つ表面自由エネ・・・


• 液体のパリレンを用いた封入プロセス
  ・・・Figure 2からも確認できる。液体が表面エネルギ（＋重力）により自動的に作り出す・・・


• 液体の表面張力を利用した位置合わせ技術１
  ・・・多チップ同時の並列アセンブリ技術として、表面張力を利用した自己組織化位置合わせ技術が・・・


• 液体の表面張力を利用した位置合わせ技術２
  ・・・能コンタクトレンズ製作]] [[液体の表面張力を利用した位置合わせ技術１]] [・・・


• 液体の表面張力を利用した位置合わせ技術３
  ・・・能コンタクトレンズ製作]] [[液体の表面張力を利用した位置合わせ技術１]] [・・・


• 液体の表面張力を利用した位置合わせ技術４
  ・・・能コンタクトレンズ製作]] [[液体の表面張力を利用した位置合わせ技術１]] [・・・


• 液体の表面張力を利用した位置合わせ技術５
  ・・・能コンタクトレンズ製作]] [[液体の表面張力を利用した位置合わせ技術１]] [・・・


• 液体の表面張力を利用した位置合わせ技術６
  ・・・大学の藤本らは、従来の低融点ハンダ材料の表面張力を利用したチップの位置合わせ、および・・・


• 液体の表面張力を利用した位置合わせ技術７
  ・・・【必須】 == 東工大のグループは、水の表面張力を用いた１ｍｍ以下のマイクロ部品の位・・・


• 液体の表面張力を利用した位置合わせ技術８
  ・・・が分った。流体を使用しているが、この時の表面張力の寄与は少なく、台形の形状認識効果の・・・


• 液体の表面張力を利用した位置合わせ技術９
  ・・・基板を作製する。基板上に形成された凹部の表面にはTi/Au/ハンダから構成される電極・・・


• 液液界面でのCNT/金属ナノ微粒子コンポジットフィルムの作製
  ・・・ルムおよび (d) Auヒドロゾルでは、表面プラズモン共鳴による吸収が526 nmで・・・


• 液相拡散接合の実際
  ・・・メッキした。各メッキの直前に薄めた塩酸で表面の酸化物を取り除くことが、密着性の観点か・・・


• 溶融はんだ吐出法を用いたCuランド上へのはんだ搭載
  ・・・たはんだ滴は、窒素中を通るため、はんだの表面酸化が低いレベルに抑えられフラックスレス・・・


• 溶融金属充填法における貫通孔と閉塞孔の違い
  ・・・れる。また、充填したAu-Snの先端は、表面張力により円形の形状をしていることから、・・・


• 溶融金属充填法における酸化錫の低減に向けた検討
  ・・・2　酸化皮膜付着防止対策の有無による基板表面の違い]] 　図1は、溶融金属充填プロセ・・・


• 無電解Ni-Bめっきによるフェースダウンチップ接続
  ・・・情報，参考文献 == 1) 横島時彦他，表面技術5,233 (2002). 2)　・・・


• 無電解Ni-Bめっきによる電極間接続技術
  ・・・情報，参考文献 == 1) 横島時彦他，表面技術5,233 (2002). 2)　・・・


• 無電解めっき法による微細ピッチフリップチップ接続
  ・・・情報，参考文献 == 1) 横島時彦他，表面技術5,233 (2002). 2)　・・・


• 熱制御用マイクロチャネル中での気液二相状態の評価
  ・・・混ざった状態）の場合は冷媒の蒸発により、表面温度を一定に保つことができ、同じ流速とチ・・・


• 熱圧着：Au-Au接合によるSi基板へのGaAsレーザ実装
  ・・・トが取れていなかったためSi基板側のAu表面での反射の影響で十分な光出力が取れていな・・・


• 熱応答性ポリマー
  ・・・要なツールとなる。ここでは、シリカビーズ表面に熱応答性ポリマーの一つであるポリ（Ｎ－・・・


• 熱拡散ピエゾ抵抗層のフッ酸耐性
  ・・・【必須】 == 本項目は，単結晶シリコン表面に作成したピエゾ抵抗層のフッ酸耐性に関し・・・


• 熱硬化性樹脂のマイクロモールディングによる３次元プラスチック成形
  ・・・行う．下型の３次元曲面は切削で削りだし，表面にパリレンを 5 um 蒸着する．ポリウ・・・


• 熱酸化を用いた単結晶シリコンナノワイヤの作成方法
  ・・・ルをすることでSilicon–oxide表面の質を向上する。 [[画像:Imag・・・


• 環境・バイオセンシング用統合SoC用インターポーザ
  ・・・= プロセスチャート === *貫通孔の表面にp++拡散(ボロンドープ) *ポリシコ・・・


• 環境・バイオセンシング統合SoC用‎貫通ビア
  ・・・DRIEであける(両面から行なう。) *表面にp++拡散(ボロンドープ) *ポリシコ・・・


• 生体模倣ポリマーによる表面処理
  ・・・目的として、[[ＭＰＣ]]ポリマーの基板表面のコーティング技術が注目されている。ここ・・・


• 界面：信頼性
  ・・・の説明 【必須】 == 　[[常温接合|表面活性化常温接合法(surface act・・・


• 疎水性パターニングによる液体導波路
  ・・・おこなった基板上にのせることで非疎水性の表面に液体を集めることができる．この性質を利・・・


• 真空封止：常温封止接合
  ・・・成した封止を行う必要がある。これまでに、表面マイクロマシーニングで作製した薄膜シェル・・・


• 真空封止：表面粗さ条件
  ・・・umb|Cu薄膜を介した常温封止のための表面粗さ条件]] == 対象材料 == ・・・


• 真空紫外(VUV)光による酸化膜表面の照射損傷
  ・・・2表面へのVUV光の侵入深さ]] [[画像:I・・・


• 研削によるＡｕバンプの平滑化と接合
  ・・・== 　メッキにより形成したＡｕバンプの表面を単結晶のダイヤモンドバイトを用いて研削・・・


• 研磨時のチッピング低減技術
  ・・・起こる。これを低減する手法として、チップ表面に熱膨張係数の低い樹脂を塗布した後に研磨・・・


• 秩序化したSiナノワイヤアレイの作製方法
  ・・・の真空蒸着により、Ag(またはAu)膜を表面に堆積する。(c) *Ag蒸着後、シリカ・・・


• 移動マスク紫外線露光を用いたレジストの3次元微細加工技術
  ・・・マスクを移動させることによって、レジスト表面に照射されるUVエネルギー分布を任意に制・・・


• 紫外線硬化樹脂の注入による凹レンズの作製
  ・・・において、R1、R2やh,γなどの間には表面張力が重力に等しいとして次のような関係が・・・


• 細胞膜模倣ポリマー
  ・・・Ｃポリマーをスピンコーティング法によって表面処理した人工血管とそうでない人工血管をウ・・・


• 結晶異方性エッチング
  ・・・Si ウェハでは，{111} 面はウェハ表面に対し約 55 度の角度を持ち，V 字型・・・


• 自己組立を利用した複数種類のチップ接合
  ・・・Tや抵抗など。インターコネクタ用に電極が表面にパターニングされている。接合側のプラス・・・


• 自己組立プロセスの化学反応へのアナロジー
  ・・・ートルスケールの物体を組立てる系、および表面張力を利用してマイクロ構造を組立てる系を・・・


• 自己組織化によるチップ位置合わせ技術
  ・・・膨大な時間を要する。当研究室では、液体の表面張力を利用して一括で多数のチップを高精度・・・


• 自己組織化単分子層（SAM）パターニングと銀ナノ粒子の選択堆積
  ・・・iranha solutionにより基板表面を活性化する。図２に示すように、120℃・・・


• 自己組織化単分子膜の成膜
  ・・・nolayer：SAM）とは，分子が物質表面に自発的に化学吸着し，単分子の層を形成す・・・


• 自己組織化単分子膜を重合開始種とした表面開始重合法
  == 項目の説明 【必須】 == 　表面開始重合法とは、あらかじめ基板表面に重合・・・


• 自己組織化膜を利用したスティッキング対策
  ・・・防止と、さらにSAMのコーティングによる表面自由エネルギーの低下を利用することによっ・・・


• 自己組織単分子膜と銀鏡反応を用いた銀の選択的パターニング
  ・・・グ，分散剤を加えた銀鏡反応により，ガラス表面，すなわちOTS以外の場所に銀ナノ粒子を・・・


• 自立ポーラスシリコン構造の作製法
  ・・・】 == ポーラスシリコンは非常に大きな表面積を持つために、レゾネーターベースのガス・・・


• 自立振動ゲルのマイクロアクチュエータ
  == 項目の説明 【必須】 == 表面に突起を有するゲル状の微小アクチュエータ・・・


• 薄膜SU-8MEMS上のワイヤボンディングの特性解析及び最適化
  ・・・果から収率とボンディング強度は加熱時間と表面活性の組み合わせにより改善されることが分・・・


• 薄膜グルコースバイオセンサー
  ・・・ニトリルでのプラズマ処理を行い、さらに膜表面上のアミノ基とグルコースオキシダーゼ（G・・・


• 薄膜チタンゲッターと陽極接合を用いた真空パッケージング
  ・・・陽極接合技術を解説する。この技術は通常の表面マイクロマシニングの手法にCMPのプロセ・・・


• 表面の接触解析
  ・・・項目の説明 【必須】 == 本論文では、表面凹凸を近似する四分円と剛体の接触のFEM・・・


• 表面プラズモン共鳴を利用した赤外光源
  ・・・ ナノサイズの溝を周期的に刻み込んだ金の表面を加熱することで，表面プラズモン共鳴によ・・・


• 表面マイクロ構造による液滴駆動
  == 項目の説明 【必須】 == 　表面の凹凸の形状を連続的に変化させることで、・・・


• 表面処理：MVD
  ・・・sition, MVD)と呼ばれる新規の表面修飾技術について．MVD技術は，サンプル・・・


• 表面処理：SAM膜の摩耗特性
  ・・・相プロセスによって堆積させ，これら薄膜の表面粗さ，付着力，摩耗特性を原子間力顕微鏡(・・・


• 表面処理：毛管力の簡易モデル
  ・・・た毛管力についてモデリングを行った．固体表面上で低湿領域である相対湿度20%から40・・・


• 表面処理：表面化学処理およびDLC膜による付着力の影響
  ・・・必須】 == この論文では，微小構造体の表面で発生する付着力の発生原因となっている表・・・


• 表面処理：親／疎水性処理による付着力の影響
  == 項目の説明 【必須】 == 試料表面の化学状態，またはその化学状態の結果とし・・・


• 表面処理：酸素大気圧プラズマによる表面洗浄
  ・・・射が挙げられる。酸素大気圧プラズマによる表面処理は、酸素を不活性ガスで希釈した混合ガ・・・


• 表面張力を用いたマイクロインジェクタ
  ・・・のガラス管に電極などを備えることにより、表面張力をコントロールして液滴を駆動する方法・・・


• 表面弾性波による流路を流れるビーズのパターニング
  ・・・に分散されて流れるビーズを、流路に垂直に表面弾性波を与えて、整列させる技術。 [[画・・・


• 表面形状：パワースペクトル密度による表面形状周波数分布の解析
  ・・・必須】 == 接合に用いられる電極などの表面形状の評価には、これまで平均自乗粗さが広・・・


• 表面活性化常温接合法によるGaAs基板へのレーザの実装
  == 項目の説明 【必須】 == 表面活性化接合(SAB)法により、InGaA・・・


• 表面活性化接合とＴＳＶを用いた3D-ウエハレベルパッケージング
  ・・・コン貫通孔配線とAu/Au[[常温接合|表面活性化接合]]を用いた3-Dウエハレベル・・・


• 表面活性化接合を用いたMEMS低応力ウエハレベルパッケージ
  ・・・nterface.]] 　[[常温接合|表面活性化接合]]をMEMSのウエハレベルパ・・・


• 表面活性化接合を用いたMEMS高気密ウエハレベルパッケージ
  ・・・he chip.]] 　　[[常温接合|表面活性化接合]]をMEMSのウエハレベルパ・・・


• 表面活性化：Ar_fast_atom_beam_(Ar-FAB)
  ・・・の説明 【必須】 == 　[[常温接合|表面活性化手法]]とは，常温で表面に高い結合・・・


• 表面活性化：Arプラズマ活性化を用いたサブミクロンAuパターン接合
  ・・・スの更なる発展のためには、低温・高精度の表面実装技術が必要である。Au表面活性化接合・・・


• 表面活性化：Si-Si接合によるLiNbO3/Si実装
  ・・・ジョンボンディングと熱処理を必要としない表面活性化接合法それぞれでLN/Si接合、S・・・


• 表面活性化：nano-adhesion_layer
  ・・・の説明 【必須】 == 　[[常温接合|表面活性化手法]]とは，常温で表面に高い結合・・・


• 表面活性化：シーケンシャルプラズマプロセス
  ・・・の説明 【必須】 == 　[[常温接合|表面活性化手法]]とは，常温で材料表面に高い・・・


• 表面活性化：プラスマ活性化を用いたAu-Au接合によるLiNbO3/Si実装
  ・・・度な位置決めを行いながら異種材料光素子を表面実装するパッシブアライメント実装技術が求・・・


• 表面活性化：プラスマ活性化を用いたAu-Sn微小バンプの低温直接接合
  ・・・須】 == 大気圧Arプラズマ照射による表面活性化によりAu-Snマイクロバンプの1・・・


• 表面活性化：従来ウェハ接合法との比較
  ・・・説明 【必須】 == ４インチSiウエハ表面に9×9 mm2の・・・


• 表面活性化：窒化ガリウムと異種材料の低温接合
  ・・・】 == 本研究では、AlやAuを用いた表面活性化接合法によるGaNの低温接合を行っ・・・


• 表面活性化：酸素大気圧プラズマ活性化によるAu薄膜接合
  == 項目の説明 【必須】 == Au表面活性化接合法における表面活性化プロセスに・・・


• 表面活性化：金属薄膜を介したウエハ低温接合
  ・・・ために，Au薄膜を介在させたウエハ接合と表面活性化を用いたSiの直接ウエハ接合を行い・・・


• 表面溝加工によるガラスの割断
  ・・・割断を再現性良く行うことは困難であるが、表面に数μmの溝加工を行うことで割断が容易と・・・


• 表面溝加工による多層試料の割断
  ・・・多層試料に対してレーザー光を集光し、試料表面と界面に加工を施し外力を加えて割断を試み・・・


• 補正マスクによるSi表面3次元加工技術
  ・・・サイズをコントロールすることにより、Si表面において場所ごとに異なるエッチング深さを・・・


• 複合型銀ナノ粒子を用いた接合技術
  ・・・ 【必須】 == 金属ナノ粒子は，多大な表面エネルギと低温焼成機能を有することから，・・・


• 誘電体を核とする厚膜配線を用いたスパイラルインダクタ
  ・・・上させる手法として、誘電体を核としてその表面を銅配線で被覆した厚膜配線を採用し、配線・・・


• 誘電体膜上のエレクトロウェッティング(EWOD)効果測定用テスト構造
  ・・・）]]は、液体、固体、気体の境界面に働く表面張力のバランスを、電界によって変調するこ・・・


• 貫通孔壁面に熱拡散して抵抗にする
  ・・・しようとする試み。 *その際、あらかじめ表面にも不純物によるパターニングをしておくこ・・・


• 走査型プローブナノリソグラフィ技術（局所電解支援酸化加工）
  ・・・ローブ間にバイアス電圧を印加しながらSi表面上をプローブ走査することで、プローブが接・・・


• 走査型プローブ顕微鏡を用いた高速ナノスケール加工技術
  ・・・ーに適切な荷重を印加することによって試料表面に形成されたSAM膜を削り、その後化学反・・・


• 超臨界CO2を媒体に用いた金属製膜
  ・・・ともに高圧容器中で加熱し，有機金属を基板表面で水素還元還元することで金属薄膜を形成す・・・


• 超臨界CO2を用いたガラス表面への生態適合材料のコーティング
  ・・・生体物質を扱う場合，流路を形成するガラス表面に生体適合性材料をコーティングし，たんぱ・・・


• 超臨界流体を用いた酸化膜製膜
  ・・・金属製膜における水素による還元反応は金属表面で起こるため，金属製膜は金属性の下地上で・・・


• 転写TFTでプロセッサまで作った例
  ・・・作し動作している。 == 構造 == 表面のTFTだけをプラスチックにのりづけした・・・


• 酸化チタンナノ粒子のリフトオフによるパターニング
  ・・・また酸化チタンのナノ粒子を用いることで，表面積を増大させ効率を上げている。 色素・・・


• 酸化物アシストSiナノワイヤ成長法
  ・・・sccm）で加熱すると、 冷却板表面に多数のシリコンナノワイヤが形成される。・・・


• 酸化還元による高分子導電性ポリマーの濡れ性制御
  ・・・酸ドープ）を成膜し、膜に電位を加えること表面にナノスケールの凹凸を作製して濡れ性を制・・・


• 金ナノ粒子の自己組立および転写によるLSPR基板の製作
  ・・・ == 金属ナノ粒子上に生成される局在表面プラズモンを利用した高感度生化学センサの・・・


• 金ナノ粒子を利用したバイオセンサー
  ・・・= 項目の説明 【必須】 == ＳＰＲ（表面プラズモン共鳴）法は、生体分子間相互作用・・・


• 金付着Siナノワイヤの熱拡散による金ナノワイヤの形成
  ・・・成した直径20nm以下のSiナノワイヤの表面にある酸化膜を除去し、 金をスパッタによ・・・


• 金属製マイクロ中空針の作製技術
  ・・・される。 --> [[Category:表面マイクロマシーニング]] [[Categ・・・


• 金表面へのDNAの固定化法
  ・・・法．Herneらはチオール基を介してAu表面に固定したDNAの特性を調べている[1]・・・


• 金表面へのアビジンの固定化法
  ・・・項目の説明 【必須】 == アビジンを金表面へ固定化する方法．【[[自己組織化単分子・・・


• 銀ナノ粒子による蛍光増強
  ・・・の説明 【必須】 == 銀ナノ粒子は局所表面プラズモンを利用して，蛍光やラマン信号を・・・


• 銀ナノ粒子を含むマイクロTASの製作
  ・・・明 【必須】 == 金属ナノ粒子は，その表面に生じる局所表面プラズモン効果により，蛍・・・


• 銀ナノ粒子を触媒とした無電解銅めっき
  ・・・ルアンモニウムクロライド（ＡＴＡ）により表面処理されたエポキシ基板に吸着する。このと・・・


• 銅単結晶の接合係数
  ・・・説明 【必須】 == Cu単結晶を用いた表面活性化常温接合における引張試験による接合・・・


• 陽極酸化によるSiニードルの作製方法
  ・・・エッチングした後、Pイオン打ち込みにより表面にｎ型領域を形成する。HF溶液中でこの基・・・


• 集積化ヒータによるローカルハンダヅケ
  ・・・れば、なんでも。 == 装置 == *表面マイクロマシーニング装置(CVD、DRI・・・


• 集積化ヒータを用いたファインジェット
  ・・・ン生成) * インクジェットなので任意の表面に配線等形成できる。 などに有効。 ・・・


• 離型剤不要のフッ素樹脂モールド材料およびフッ素含有ＵＶ硬化性樹脂
  ・・・フィルムを用いた検討も行なっている。基板表面に多少凹凸があるものや、Roll to ・・・


• 零位法による実温度放射温度計測法
  ・・・く制御する零位法を用いることで、対象物の表面状態に影響されずに実温度を計測可能な放射・・・


• 電子線照射による多結晶シリコンの単結晶化
  ・・・ームを試料に照射することで 試料表面の多結晶シリコン膜を単結晶化する。
  
• 電子線露光と電気めっきを利用したナノ電極作成法
  ・・・> 熱酸化を行ったシリコン基板表面にTi/Au（もしくはPt)をそれぞれ1・・・


• 電気浸透流による表面修飾パターン評価
  ・・・ 【必須】 == 自己組織単分子膜による表面修飾は，[[マイクロコンタクトプリント法・・・


• 電界集中係数
  ・・・th> ただし、Fは電極表面における局所的なものであり直接測定するこ・・・


• 電着ポリイミドによる絶縁層形成技術
  ・・・着ポリイミドは、これまで電着ポリイミド膜表面のラフネスが大きいため、主に電線の被覆絶・・・


• 電着ポリイミド絶縁層による微細多層配線技術
  ・・・ミドに関する問題点として電着ポリイミド膜表面のラフネスが大きいこと、薄膜作製の検討が・・・


• 電解グラフト層を用いた湿式TSV形成技術
  ・・・む液に試料を浸漬し、電気化学的にシリコン表面に膜厚5-500nm、場合によっては3u・・・


• 電解金メッキプロセスを用いた３次元マイクロ構造体の自己組織化
  ・・・な蝶番（Ｓｎ）を高温でリフローさせると、表面張力でＡｕのインダクタを垂直に立たせるこ・・・


• 非真空ボトムアップ銀ナノ粒子析出方法
  ・・・= 銀などの金属ナノ粒子上に発生する局在表面プラズモンを利用した超高感度センサの開発・・・


• 高周波カロリメトリーのための非対称誘電三層カンチレバープローブ
  ・・・= 　誘電窒化シリコンと酸化シリコンを、表面マイクロマシニングとバルクマイクロマシニ・・・


• 高平坦化のための銅CMP技術
  ・・・用することで、ディッシング深さ10nm、表面粗さ0.1nmの低デッシング深さ且つ高平・・・


• 高感度表面変位検出オプトメカニカルプローブ
  == 項目の説明 【必須】 == 垂直表面の変位を高感度で検出するためのオプトメカ・・・


• 高精度フリップチップ接続技術
  ・・・ボ制御方式に比べて若干バンプが潰れるが、表面層が壊れ熱拡散することにより、接合形成の・・・


• 高速AFM用アクチュエータ集積カンチレバー
  ・・・ight|thumb|450px|図3 表面観察像]] 原子間力顕微鏡(AFM: ・・・


• 高速原子線照射による薄膜密着力の向上
  ・・・ast Atom Beam, FAB)で表面を活性化することにより薄膜の密着力を向上・・・


• 高速熱拡散法による薄膜ピエゾ抵抗層形成
  ・・・br> ・4--HF 洗浄により，ウェハ表面に残った不純物およびガラス層を除去する．・・・


• ２方向斜めエッチングによる３次元フォトニック結晶の作製方法
  ・・・]方向は、(100)基板の表面に対して45°の方向であるため、２段階の・・・


• ３D-MID技術
  ・・・ズマ処理条件についても検討を行った。従来表面を凸凹に荒らしてアンカリング効果で密着性・・・