レーザーによるSi表面近傍の内部加工

出典: finemems

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Si（厚み：300μm）にパルス幅の異なるNd:YVO4レーザー（波長1.06μm）をNA0.8の対物レンズで集光し，内部加工を行った。図１にレーザーエネルギー5μJ，パルス幅(a)10ns，(b)50ns，(c)100ns，レンズのデフォーカス量10μmで1ライン加工を行ったSi 表面の様子を示す。10nsの場合にはない表面亀裂が，パルス幅が長くなるにつれて安定して発生した。特に，100nsの場合にはウエハ全体に安定して亀裂を発生でき，レンズのデフォーカス量が表面から5μmの範囲において亀裂の進展が確認された。

対象材料

Si

装置

条件

禁則事項

留意事項

文献情報，参考文献

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