プラズマ表面活性化を利用したウエハのダイレクトボンディング
出典: finemems
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ウエハのダイレクトボンディングを行う際には、ボンディング前にプラズマ処理を行い、その後熱処理を行う。Fig.1(a)-(f) に示すようにガス種：酸素or窒素、プラズマ照射時間、ボンディング雰囲気、熱処理温度を変化させ実験を行った結果、全ての条件においてボンディングには成功したのだが、プラズマ処理を行ったウエハ上に多くの隙間が生じた。これは、熱処理によってシリコン結合部のH2Oが拡散または反応することが原因である。しかし、酸化膜付きのシリコン(Fig1.(g))を用いるとこの問題は解決できる。
Fig.1 Typical infrared images of the bonded wafers.
対象材料
シリコンウエハ
装置
条件
禁則事項
留意事項
文献情報，参考文献
Pilijoong Kang, Shuji Tanaka and Masayoshi Esashi, “CAVITY-THROUGH DEEP REACTIVE ION ETCHING OF DIRECTLY-BONDED SILICON WAFERS”
