プラズマ表面活性化を利用したウェハ低温接合技術

出典: finemems

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プラズマ表面活性化接合と陽極接合を併用するハイブリッドボンディングで、 従来の陽極接合と比較すると、接合温度が160℃と低温でかつボイドレスの接合ができる。

Si（100）とガラスウェハ（Py#7740）の接合において
①接合温度160℃の時、十分な接合強度を得るのに必要な直流印加電圧は1100V
②接合温度200℃の時、十分な接合強度を得るのに必要な直流印加電圧は300V
③ボイド面積も電圧印加による静電気力の発生により減少していることを確認

Si-パイレックスでの200℃以下低温ハイブリッドボンディングにおける接合温度と直流印加電圧との関係

対象材料

シリコン、熱酸化膜、パイレックスガラス、石英ガラス

装置

R＆D用　表面活性化ウェハー接合キット　（型式：WP-100）

条件

①Si（100）とガラスウェハ（Py#7740）の接合表面をO2プラズマ処理により 　表面活性化する。（界面にOH基生成）

②表面活性化したSiとガラスウェハを仮接合して200℃以下で加熱する。

③3分間加熱後、10分間陽極接合する。

禁則事項

留意事項

文献情報，参考文献

加々見丈二、「プラズマ表面活性化によるウェハー低温接合技術」　関西ワークショップ2006

http://www.pm-t.com/products/souchi/wp100/index.html

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