フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層3
出典: finemems
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加工しきい値以下（あるいは多重照射で要約加工が起きる程度）の低強度でフェムト秒レーザーを単結晶Siに照射すると、表面にアモルファス層を形成することができる。図１に単結晶Si表面にフェムト秒レーザーパルス（波長800nm、パルス幅100fs）を異なるパルス数で照射したサンプルの断面TEM写真を示す。照射回数10ショット、20ショット共に同程度の厚みのアモルファス層が形成されていることが確認された。
対象材料
Si
装置
条件
禁則事項
留意事項
文献情報，参考文献
Y.Izawa, Y.Setuhara, M.Fujita, R.Sasaki, H.Nagai, M.Yoshida and Y.Izawa,“Ultrathin amorphous Si layer formation by femtosecond laser pulse irradiation”,Appl. Phys. Lett., Vol.90, 044107 (2007)
Y. Izawa, Y. Setuhara, M. Hashida, M. Fujita, and Y. Izawa,“Ablation and Amorphization of Crystalline Si by Femtosecond and Picosecond Laser Irradiation”Jpn. J. Appl. Phys., Vol.45, No.7, (2006) pp. 5791-5794 .
関連情報：フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層，フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層2
