フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層2
出典: finemems
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加工しきい値以下（あるいは多重照射で要約加工が起きる程度）の低強度でフェムト秒レーザーを単結晶Siに照射すると、表面にアモルファス層を形成することができる。図１に単結晶Si表面にフェムト秒レーザーパルス（パルス幅100fs）を異なる波長で照射したサンプルの断面TEM写真を示す。波長800nmで照射した場合は厚さ40〜50nmのアモルファス層が形成されるが、波長400nmのフェムト秒レーザーを用いた場合は20nm程度のアモルファス層が形成された。これらの層の厚みはSiの実効的光侵入長に対応している。
対象材料
Si
装置
条件
禁則事項
留意事項
文献情報，参考文献
Y.Izawa, Y.Setuhara, M.Fujita, R.Sasaki, H.Nagai, M.Yoshida and Y.Izawa,“Ultrathin amorphous Si layer formation by femtosecond laser pulse irradiation”,Appl. Phys. Lett., Vol.90, 044107 (2007)
Y. Izawa, Y. Setuhara, M. Hashida, M. Fujita, and Y. Izawa,“Ablation and Amorphization of Crystalline Si by Femtosecond and Picosecond Laser Irradiation”Jpn. J. Appl. Phys., Vol.45, No.7, (2006) pp. 5791-5794 .
関連情報：フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層，フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層3
