LPCVDシリコン窒化物と熱成長シリコン酸化物薄膜の破壊特性

出典: finemems

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目次

記事

シリコン窒化物と酸化物薄膜の破壊特性の測定にまでバルジ試験をうまく拡大する。これは、シリコン窒化物の単一層と酸化物/窒化物二重層で作られた長い隔膜を用い、さらに均一な圧力差の下で隔膜の機械的反応を表現する包括的機械的モデルに適用することで実現する。このモデルは任意のz-依存平面歪モジュールとプレストレスを持つ薄膜に対し有効である、ここでzは薄膜に垂直の座標を示している。Si 3 N 4膜は、熱酸化物と比較して、破壊応力σmax =7.89±0.23GPa、ワイブル係数m=50.0±3,6のときに比較的大きい最大応力値を示す。

文献

Journal of Microelectromechanical Systems 巻-号 17-5 ページ 1120-1134 発行年月 2008-10 J.Yang/Chinease Academy of Sciences, CHN, J.Gasper, O.Paul/University of Freiburg, DEU

著者

キーワード

bulge test, fracture, pooled Weibull analysis, silicon nitride (Si 3 N 4 ), silicon oxide (SiO 2 )

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