陽極接合したシリコンをエッチングマスクに用いるホウ珪酸ガラスのDRIE

出典: finemems

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目次

記事

ホウ珪酸ガラスウエハ上に深い溝を作るドライエッチングについて報告する。その方法はエッチングマスクとして厚みが200μmのSiウエハをホウ珪酸ガラスウエハ上に陽極接合法で接着し、C 4 F 8またはCHF 3ガスのプラズマによってエッチングする。エッチングして得られた溝断面の側壁の角度は80°以下で、この方法は溝形成に適切であることを示した。深さが430μmの溝をエッチングした後でも厚みが135μmのシリコンマスクが残り、まださらに深い溝が得られることが分った。

文献

Journal of Micromechanics and Microengineering巻-号16-5ページ1051-1056発行年月2006-5 T.Akashi , Y.Yoshimura /Hitachi Ltd., JPN

著者

キーワード

deep reactive ion etching (DRIE), dry-etching, anisotropic deep groove, borosilicate glass, anodic bonding, etching mask, inductively coupled plasma, C 4 F 8 , CHF 3

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