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出典: finemems

全件数=3094346件 ( =1件/ =10件/ =50件/ =100件)
事例タイトル閲覧回数グラフ
グレースケールリソグラフィー15149■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
PDMSの硬化条件と弾性率の関係12035■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウェットエッチング8484■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
PDMSボンディング7642■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
紫外光照射による合成石英の欠陥生成6883■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(共振法)5314■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(片持梁の曲げ)5154■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
チオバルビツール酸法4958■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ボイド形成剥離(Viod-Assited_Separation4928■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
モンテカルロシミュレーション(SRIM)4389■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
感光性BCBのパターニング技術4210■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
金ナノ粒子還元におけるクエン酸の役割4050■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:Ar_fast_atom_beam_(Ar-FAB)4030■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
リフトオフによるナノ開口製作プロセス3953■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノファイバー(CNF)の室温合成3901■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマによるレーザー光の吸収3872■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
昇温脱離分析法(TDS法)3739■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
昇温脱離分析(TDS)による水素化物の評価3652■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
撥水性(疎水性)・親水性3613■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
遺伝子増幅法3583■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマダイシング3562■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
スマートカットによるSOIウェハの製作3511■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
フォトリソグラフィー法によるDNAチップの作製3391■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンのドライエッチングと形状3374■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
低電圧駆動(3.3V)静電型RFスイッチ3343■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
RCWA法3314■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
レジストマスクによるシリコンウエットエッチング3304■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
チタン製微細針構造(nanosword)の局所的合成3185■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
過酸化物価3104■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブのLSI応用(ITRS2007より)3022■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
AuSn接合におけるAu重量パーセントと共晶温度3005■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
電着ポリイミドによる絶縁層形成技術2979■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
自己組織化単分子膜の成膜2969■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
付着解析法(複雑な形状の場合)2944■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
電界集中係数2942■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
アルミニウムおよび銅薄膜の表面自然酸化膜破壊に必要な荷重2896■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマTEOS-CVDを用いた低温SiO2膜の形成技術2875■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面形状:パワースペクトル密度による表面形状周波数分布の解析2818■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
HMDSを原料とするSiCN膜2815■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CMOS互換AFMチップ作製(TMAH)2695■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
スパッタによるPZT成膜2681■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Pyrexガラスのヘリウム透過性2650■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSによるイオントラップ型量子コンピュータ2627■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
AlNのウェットエッチング2601■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エッチングガスの地球温暖化係数(GWP)2572■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
簡便な垂直エッチング条件の探し方(ブラックシリコン法)2559■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SiCのNiオーミックコンタクト2545■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
AuSnフリップチップ接合における最適温度2535■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
感光性ポリイミド膜のキュア特性2514■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルMEMSパッケージング2452■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウェーハレベルパッケージに向けたTHB-151Nの応用2435■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CMOS互換AFMチップ(TMAH作製)の利用2424■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
真空紫外(VUV)光による酸化膜表面の照射損傷2383■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
NLD_(magnetic_neutral_loop_discharge)法による石英のエッチング2320■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
DLC(Diamond_Like_Carbon)_基礎2283■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ゲルマニウムの過酸化水素水によるエッチング2283■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
HBrプラズマによる高選択比SiCエッチング2280■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SOIウエーハのDeep_RIEにおけるノッチング現象2276■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
「PS3」向けMEMSセンサー北陸電工が“品質問題”解決宣言2267■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SU-8のプラズマエッチング2262■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
イオン注入法2261■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
アクティブフォトニック結晶2253■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
常温ウエハ接合:Cu薄膜(微細電極)2233■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
インクジェットを電子部品の量産工程に適用2225■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンウェーハの反り測定方法2224■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
フォトニック結晶2224■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
血液から赤血球のみ分離、幹細胞分離に応用期待、阪大がレーザー光泳動法2220■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンカーバイド(SiC)を用いた圧力センサ2213■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
"Plasmon_Coupling"を利用したナノオーダースケールの分子間距離の測定2211■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Hydrogen_Silsesquioxane_(HSQ)を用いた室温ナノインプリントによるベーカブルラメラグレーティングの形成2198■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
オキシナイトライドを用いた2段階可視光水分解2167■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマCVD法による低応力SiC膜の堆積2141■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
単結晶SiのVLS成長メカニズム2128■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラスとガラスの陽極接合2101■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
横弾性係数の測定方法(共振法)2099■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
NLD_(magnetic_neutral_loop_discharge)法によるSiの深堀エッチング2091■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siの光学常数2089■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
多孔質ポリエーテルサルフォン(PES)製作2070■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
パリレン接合プロセス2056■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プロセス中の表面保護のための酸化膜犠牲層2003■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
TSVとTGVとの高周波特性比較2002■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(押込法)2001■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
BCBを用いた接合技術2000■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Au-Si共晶を用いたウエハレベル真空シール1927■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ALD膜による極薄エッチングマスク1921■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カメラ・モジュール用MEMSレンズ、製造/構造特許が新規参入を阻む恐れ1896■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
液相拡散接合1896■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ドライエッチング1891■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
FOX法(a_Ferrous_Oxidation-Xylenol_Orange_Method)1873■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
PDMSのエッチング1869■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プロービング:フリッティングコンタクト1857■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
HMDSによるInPの疎水化処理1832■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
パリレン薄膜を利用した試料の固定化・パターニング1818■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
PES膜を用いた人工腎臓1807■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージング技術を用いた静電2軸MEMS光スキャナの製造プロセス1800■■■■■■■■■■■■■■■■■■
誘電体膜上のエレクトロウェッティング(EWOD)効果測定用テスト構造1781■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
非感光性BCBのパターニング技術1770■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(三点曲げ)1769■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(引張試験)1766■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SiTimeのレゾネータ製作法1765■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
低温接合プロセス1763■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
(111)シリコンウエハの水素化アシスト横方向微細加工1763■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
バッキーゲル1762■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
イオンゲル1756■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
石英基板におけるエッチングレートと選択比のHF濃度依存性1755■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
マスクレスグレースケールリソグラフィによるマイクロレンズアレイ作製1753■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エバネッセント場と結合した導波管モードセンサの設計1745■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)充填率とビア抵抗の関係1729■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
PDMSの3次元切削加工1729■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
金表面へのDNAの固定化法1721■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:酸素大気圧プラズマ活性化によるAu薄膜接合1719■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
金スズ接合のための金(80)スズ(20)電気めっき1715■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
「自己組織化」による10nm以下の立体配線技術を開発(東京工大)1708■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
感光性PDMS1703■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
オンチップトランシーバの構成、モデル化および実験用MEMSフィルタ1699■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ベッセルビームによる長尺集光1699■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ステルスダイシング1684■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
パリレンコーティングによるPDMSシール1681■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面処理:SAM処理による付着力の影響1676■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
充填金属の体積収縮に関する考察1675■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
レジスト溶融法を用いたマイクロレンズの製作1666■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ALDで成膜したAl2O3/ZnOを誘電体膜に用いた静電容量式RF_MEMSスイッチ1661■■■■■■■■■■■■■■■■
電子線レジストZEPを用いた遠紫外線リソグラフィ性能1652■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Si基板上へのIII/V化合物結晶接合"SmartCut"1650■■■■■■■■■■■■■■■■
エピGaAs薄膜の犠牲層ひきはがし1649■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
高精度アライメント;モアレ干渉縞法1648■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
2層レジストを用いたリフトオフ手法1645■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Cuボイドフリーめっき技術1638■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
RIE用マスクの作成方法(Ni電鋳)1637■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法1626■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
高分子ミセル構造1615■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SiTimeのレゾネータ:水晶振動子との比較1614■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
金スタッドバンプによる接合形成1601■■■■■■■■■■■■■■■■
かしめ工法を利用した常温接合技術1596■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
「次世代アクチュエーター」特集について1591■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
熱圧着:Au-Auバンプ接合1589■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
水ジェット誘導式レーザー加工1587■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
タングステンを用いたSi貫通ビア(TSV)1583■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハ接合:ガラスなど1582■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージング技術を用いた静電2軸MEMS光スキャナの共振周波数特性1572■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノメカニカル振動子のノイズ1570■■■■■■■■■■■■■■■■■
ALDで成膜したアルミナを用いたMEMS共振器1559■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
コーン形状型マイクロバンプの形成1558■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
昇温脱離分析(TDS)による熱脱離生成物の定量評価1547■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
インクジェットで血管、2種の細胞物質打ち込み、東京医科歯科大など、実用化へ1542■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマ活性化法による水晶とSiの低温直接接合1542■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ラジフロリーク試験1541■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
BHF、KOHによるシリコン表面の粗化1540■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
感光性ポリイミド絶縁層材料1538■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
常温接合1532■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
タンパク質の高感度検出法1523■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
めっきによる銅バンプ形成技術1518■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガスの痕跡検出用センサシステム−ロボットとセンサネットワーク1517■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
パリレンによるPDMSの空気透過性制御1515■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
RF_MEMSスイッチの信頼性1513■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SU-8を凌ぐ高アスペクト比マイクロ構造体の形成1512■■■■■■■■■■■■■■■■■
オムロンがMEMS工場を披露、200mmでCMOSとMEMSを融合1511■■■■■■■■■■■■■■■
表面処理:酸素大気圧プラズマによる表面洗浄1509■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Au-In(TLP)ウエハ接合によるMEMS真空パッケージ1498■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMS実装:GaNの常温直接接合1497■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
サファイア基板の改質層のエッチング1493■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
フェムト秒パルスによる非熱的加工1490■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Electrowetting(液滴駆動)1490■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン貫通電極(TSV)構造の分類1485■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CO2レーザーによるガラスの表面加工1482■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
溶融はんだ吐出法を用いた真空封止技術1478■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:Si-Si接合によるLiNbO3/Si実装1477■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
感光性ポリイミドのパターニング技術1476■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
フレキシブルエレクトロニクス1472■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:プラスマ活性化を用いたAu-Sn微小バンプの低温直接接合1470■■■■■■■■■■■■■■■■
3C-SiC薄膜の残留応力と弾性係数の測定1468■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハシリコンの通路を通して埋め込んだガラス上シリコンMEMSデバイス1461■■■■■■■■■■■■■■
細胞中の酸化ストレス標識試薬1458■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
タンパク質検出用アレイ1455■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siの金属誘起エッチング(metal-induced_etching)1453■■■■■■■■■■■■■■■■■
アルミナ粒子の圧縮破壊強度1449■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
クライオプロセスと熱酸化によるSiO2深堀り構造の形成1447■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
熱酸化物(SiO_2_)の熱膨張係数の決定1446■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ペンタセン薄膜の移動度とグレインサイズとの関係1445■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
サファイア基板のフェムト秒レーザー改質1444■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
インプリント_ソフトリソグラフィ1443■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
HF気相エッチングによる犠牲層酸化膜エッチング技術1443■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
キャビティ構造の基板を用いた電子回路モジュールの製造性と信頼性1441■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:シーケンシャルプラズマプロセス1441■■■■■■■■■■■■■■■■■■
活性酸素種分析のための化学発光プローブ1435■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
溶融はんだ吐出法を用いたバンプ形成技術1435■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siチップの内部応力に及ぼすダイボンド弾性率の影響1431■■■■■■■■■■■■■■■■■
すい臓も1人で検査・手術;内視鏡,使い勝手良く,オリンパス,ワイヤとカテーテル連動構造に1430■■■■■■■■■■■■■■■■■
ストレチャブルエレクトロニクス1430■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNT-金属間の接触抵抗1429■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
熱硬化性樹脂のマイクロモールディングによる3次元プラスチック成形1427■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
顕微ラマン分光法による半導体応力解析1427■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
平板間における水メニスカスによる付着力の挙動1426■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
たんぱく質で鋳型、奈良先端大、極小素子作製に応用1425■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Μ-EDMによる電気的測定1422■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ポリシラザンを用いた無機材料低温接合法1420■■■■■■■■■■■■■■■■
RIEを用いたポリイミドのエッチング技術1418■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
PECVDを用いた多層成膜によるポストプロセス向けSiGe膜1409■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
光電気信号変換モジュール1408■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
O2プラズマ処理を用いたInP基板とSi基板の接合1406■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
石英ガラスのウエットエッチング技術1404■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カギは低コストの密閉技術、次は高性能CMOSとの融合へ1403■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガスセンサアレイの定常状態レスポンスと過渡レスポンスを用いる有害ガスの識別1402■■■■■■■■■■■■■■■■
ガスクラスターイオンビームによるSi側壁の平坦化技術1401■■■■■■■■■■■■■■
たて型のくし歯動作アクチュエータによって動く2軸MEMSスキャナーの線形性1398■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラスと高親和な金属:Kovar1398■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
LiNbO3とSiの直接接合1398■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
フェライトと非磁性体の拡散接合1395■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
アドミタンス測定による微細加工くし歯動作アクチュエータの電気機械的解析1392■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
インジウムリン(InP)材料システムの端部を結合した光導波管MEMSデバイス1388■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
オンチップ非接触操作技術1388■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
高速熱拡散法による薄膜ピエゾ抵抗層形成1386■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
熱圧着:Au-Au接合によるSi基板へのGaAsレーザ実装1383■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Dundursコンポジットパラメータ1382■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージング技術を用いた静電2軸MEMS光スキャナのミラー振れ角と真空度の関係1382■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面の接触解析1380■■■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:プラスマ活性化を用いたAu-Au接合によるLiNbO3/Si実装1378■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
電気化学DNAセンサー1378■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Cavity-SOIウェハ1377■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージ1372■■■■■■■■■■■■■■■■■
電気的測長手法1365■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウェーハレベルチップスケールパッケージの薄膜配線におけるビア接続抵抗に関する評価1364■■■■■■■■■■■■■■■■■
アジ化ナトリウムの爆燃で作動する空気圧式マイクロアクチュエータ1363■■■■■■■■■■■■■■■■
アルミナ系スラリーを用いたCuのCMP技術1361■■■■■■■■■■■■■
プラズマ重合装置の製作1361■■■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法における充填材料の選定1361■■■■■■■■■■■■■
接着 BCB転写1360■■■■■■■■■■■■■
超音波熱圧着:Au-Auフリップチップ接合1359■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)と金属ナノワイヤのハイブリッド構造1357■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガスデポジションGD法による金バンプ形成技術1355■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベル火炎噴射熱分解によるマイクロセンサ上へのガス検出層の析出1352■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハー結合に応用するナノ精度の位置決めの新方法1351■■■■■■■■■■■■■
ΜTAS応用のためのモノリシックセンサー統合を用いたSOIマイクロ流体素子1350■■■■■■■■■■■■■
X線リソグラフィ技術1344■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
FIB-CVD法によるカーボンナノ構造体作製技術1343■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ビームリード法によるチップ実装技術1341■■■■■■■■■■■■■■■■■
SOI基板とPDMSスタンプを用いたマイクロ構造のスタンピング転写法1340■■■■■■■■■■■■■■■■■
Γ-Al_2_O_3_/Si基板上にエピタキシャル薄膜を使用した超音波振動子の製作1339■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
【特許】水ジェット誘導式レーザー加工1336■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガスフロー型高速スパッタによるPZT成膜1332■■■■■■■■■■■■■■■■■■
APCVDによるSiO2とSi3N4上へのSiC成膜1331■■■■■■■■■■■■■■■■
たんぱく質チップとマイクロアレイ製造用の最新PDMSマイクロ流体スポッタ1330■■■■■■■■■■■■■■■■
空気圧駆動バルブを用いたぺリスタポンプ1330■■■■■■■■■■■■■■■■
より小さく、より賢いマシンとともに生活する社会へ機械分野「MEMS」1326■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
結晶異方性エッチングの古い論文1325■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SiO2モールドによるSiCのパターニング技術1323■■■■■■■■■■■■■■■■■■
たんぱく質で半導体メモリー、奈良先端大と松下が動作実証1321■■■■■■■■■■■■■■■
3D-MID技術1321■■■■■■■■■■■■■■■
イオンイメージセンサ ―バイオ科学とLSIの融合―1319■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エピGaAs薄膜の犠牲層ひきはがしの最適化1318■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Poly-Si/Wを用いたSi貫通ビア(TSV)1316■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス陽極結合に金属を用いた堅固な流体相互接続の組立1315■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siチップの内部応力に及ぼすダイボンド厚みの影響1313■■■■■■■■■■■■■■■■
デュアルハードマスクプロセスを用いたダマシン配線構造1313■■■■■■■■■■■■■■■■
無電解めっき法による微細ピッチフリップチップ接続1313■■■■■■■■■■■■■■■■
「鏡筒」親指サイズ;東大・堀場製作など,走査型電子顕微鏡を試作,解像度,数10ナノメートル1311■■■■■■■■■■■■■
低温SOGウェハ接合1310■■■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法における酸化錫の低減に向けた検討1310■■■■■■■■■■■■■
研削によるAuバンプの平滑化と接合1308■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SiO2犠牲層によるSiCの選択的成長方法1308■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス-PDMS-ガラスからなるマイクロ流体デバイスの製作1306■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ダマシンプロセスによるCNTビア配線1304■■■■■■■■■■■■■■■■■
CFポリマー犠牲層によるパッケージング技術1304■■■■■■■■■■■■■■■■■
アルカリ現像ポジ型感光性BCBのパターニング技術1303■■■■■■■■■■■■■■■■
イオンビームスパッタ法による中空封止技術1302■■■■■■■■■■■■■■■
レーザー加工形状のパルス幅依存性(Si)1300■■■■■■■■■■■■■
レーザー内部加工によるガラス/Si多層ウェハの割断例21299■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ICP-RIEトレンチの側壁平滑化1299■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
水を用いたパッシブアライメント1299■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エピタキシャルAlGaAs膜からなる圧電ディスク共振器1297■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンピエゾ抵抗型6軸フォース・モーメントセンサ1294■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Cuコア型はんだバンプ電極を用いたフリップチップ実装技術1293■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
自己組織化単分子層(SAM)パターニングと銀ナノ粒子の選択堆積1292■■■■■■■■■■■■■■■■■■
いよいよ実現-カプセル内視鏡の現状と将来1292■■■■■■■■■■■■■■■■■■
フォトニック偏光子集積イメージャ1290■■■■■■■■■■■■■■■■
細胞膜模倣ポリマー1289■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
熱拡散ピエゾ抵抗層のフッ酸耐性1288■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エネルギー閉じ込め型共振子1286■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
水晶振動子・フィルタのオンチップ集積化1281■■■■■■■■■■■■■■■
発振器で沸き立つ「MEMS_vs.水晶」比較論を水晶発振器メーカーが語る1281■■■■■■■■■■■■■■■
熱応答性ポリマー1280■■■■■■■■■■■■■■■
生体分子間結合力の測定1279■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
金ナノ粒子単分子膜による蛍光増強1279■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
BOSCHプロセス1278■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
O3-TEOS-CVDを用いたSiO2によるCNT埋め込み1276■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ダイヤモンドナノエミッタの開発1276■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ3相交流発電機のためのCMOS整流回路1276■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス基板のCO2レーザーによる剥離の研究1275■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
フィードバック型SThMによる局所実温度計測法1275■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノ開口向けにチューンしたボッシュプロセス1272■■■■■■■■■■■■■■■■
オムロン、光通信デバイス始動、家庭用、年内に量産化、来年度売上高50億円へ1270■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ液体レートジャイロ1269■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
液相拡散接合の実際1269■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
熱源と温度センサを備えた流速センサ1267■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
フリットガラスによる真空封止とその評価1264■■■■■■■■■■■■■■■■
アモルファス過フッ化炭化水素ポリマーのリフローによるマイクロ屈折レンズ1263■■■■■■■■■■■■■■■
接合 表面活性化 O2プラズマの照射時間1263■■■■■■■■■■■■■■■
ガウシアン集光とベッセル集光の強度分布比較1260■■■■■■■■■■■■
ナノインプリントPDMS基材とアクチュエータ・シリコン基材の組み合わせによる回折格子1260■■■■■■■■■■■■
ピラミッド構造型マイクロバンプの形成1260■■■■■■■■■■■■
III-V族化合物半導体結晶のSi基板への転写1258■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
モルフォ蝶を規範とした構造発色デバイス1257■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
多層膜の透過率、反射率解析1255■■■■■■■■■■■■■■■■■
導電性パラフィンによる熱相変化アクチュエーター1255■■■■■■■■■■■■■■■■■
ピエゾ抵抗型4軸ジョイスティック1254■■■■■■■■■■■■■■■■
高速デジタル信号伝送特性測定技術1254■■■■■■■■■■■■■■■■
金属プレス加工を用いたMEMS製造1250■■■■■■■■■■■■
銅単結晶の接合係数1249■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンを基礎技術としたチップ上のトランス1248■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
多目的環境センシングシステムに向けたSOI-MEMSセンサの作製1248■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
真空パッケージングに対するパリレンボンディングの特性1248■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルハーメチック薄膜封止技術1247■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
インクジェットによる化学センサチップ製作1245■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
「ライフ・レコーダー」の萌芽、あなたの1日を見守ります1243■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エピタキシャルフィルムボンディング技術を用いたLEDプリントヘッド1243■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
オンチップマイクロ燃料電池用途に用いるナノ多孔性Si薄膜電極集合体1242■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウェハ貫通エッチング孔(DRIEによる)精度の電気的測定1241■■■■■■■■■■■■■■■■
タンパク質分析用蛍光検出分子プローブ1239■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
TSVの高周波特性の評価方法1236■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
圧力センサ用金属ガラスダイアフラム1236■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
高精度フリップチップ接続技術1235■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
基板変形によるチップ内部応力に及ぼすダイボンド材料特性の影響1233■■■■■■■■■■■■■■■■■■
振動型加速度センサ1230■■■■■■■■■■■■■■■
インプリント_段差付パターン1230■■■■■■■■■■■■■■■
LPCVD法による多結晶SiGe薄膜の作製方法1229■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
精密銅めっきによる微細配線形成技術の応用1228■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
レーザーによるアモルファスSiの再結晶化1227■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
P型<110>方位シリコンナノワイヤのピエゾ抵抗特性1225■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
キャビティ付マイクロチャンネル内の液体の流れ1224■■■■■■■■■■■■■■■■■■
【0130−042】空気圧駆動薄膜バルブを用いた即時対応の液体内液滴の測定と溶解1223■■■■■■■■■■■■■■■■■
ワイヤグリッド偏光子集積イメージャ1221■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)ビア配線のバリスティック伝導1220■■■■■■■■■■■■■■
GaN中の両性As1220■■■■■■■■■■■■■■
ノンシアン無電解金めっきによる微細バンプ形成技術1218■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
電着ポリイミド絶縁層による微細多層配線技術1218■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
薄型チップを高強度化するダイシング技術1218■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
インプラント応用のためのマイクロシステム技術1217■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
パイレックス基板の改質層のエッチング1214■■■■■■■■■■■■■■■■
オンチップ試料用マイクロチャンネル中で溶液を置換する3D動電学的流れの状態1213■■■■■■■■■■■■■■■
表面処理:SAM膜の摩耗特性1213■■■■■■■■■■■■■■■
イオンビーム転写リソグラフィを用いた非平面上のナノスケールパターン刻印1211■■■■■■■■■■■■
ナノポーラスゼオライトを用いたクヌーセンポンプ1209■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
多層ウェハのレーザーダイシング例3(Siのみ加工/50ns)1209■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
A_magnetically_driven_PDMS_micropump_with_ball_check-valves1209■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SEM式ナノプロービング1208■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
大小開口の同時作製ができる酸素添加型ボッシュプロセス1207■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ひび割れ検知用のファイバ光学プレートセンサの設計と機械的特性1207■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ボイド形成剥離法による3_インチGaN_基板の作製1206■■■■■■■■■■■■■■■■■■
LSI集積化MEMS:Analog_Devicesの慣性センサの例1206■■■■■■■■■■■■■■■■■■
DRIE垂直壁面に作るダイオードの特性測定1205■■■■■■■■■■■■■■■■■
(110)シリコン中の1-D光バンドギャップ・チューナブル光学フィルタ1203■■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(超音波原子間力顕微鏡)1201■■■■■■■■■■■■
人工毛細胞フローセンサ1199■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
コンフォーマルW-TSVの形成1198■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
O3-TEOSによる貫通孔側壁絶縁膜の形成1198■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-電歪効果1196■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン/ガラス接合構造におけるDeep-RIEプロセス1196■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
アルミニウム表面の異方性湿潤性を達成する微小規模の表面トポロジーの創出1195■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カンチレバービームのプルイン電圧計算用の漏れ磁場を考慮した分析モデル1193■■■■■■■■■■■■■■■■■■
はんだバンプ電極変形量のフラックス依存性評価1192■■■■■■■■■■■■■■■■■
局所加熱による低温ウエハ接合1192■■■■■■■■■■■■■■■■■
細径中空同軸線1192■■■■■■■■■■■■■■■■■
超高密度MEMS垂直プローブカード1188■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
パターン形成(100)InP基板上の等角AZ5214-Eレジスト沈着1186■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
結晶異方性エッチング1186■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
2軸熱型加速度センサ1184■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SOG陽極接合1183■■■■■■■■■■■■■■■■■
ZiBond :酸化膜の低温接合技術1181■■■■■■■■■■■■■■
ガラス内部クラック形状のレーザー集光形状依存性1181■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージングした酸化金属(MOX)ガスセンサ1180■■■■■■■■■■■■■■
CNTを用いた歪みセンシングカンチレバー1180■■■■■■■■■■■■■■
表面処理:毛管力の簡易モデル1179■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CMP-Cu:表面粗さ1178■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術61177■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
石英基板のフェムト秒レーザー改質1174■■■■■■■■■■■■■■■■■
インプリント_多層パターン1174■■■■■■■■■■■■■■■■■
ビア配線のためのカーボンナノチューブ(CNT)束の緻密化1170■■■■■■■■■■■■■
ポリシラザンを用いたセラミックス合成法1170■■■■■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術10-CV特性1170■■■■■■■■■■■■■
CNT-メンブレンのプラズマ処理1169■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化常温接合法:界面1169■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMS/LSI積層用ウエハレベルチップスケールパッケージ1168■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
RF_MEMSスイッチにおけるスティクション問題の構造的解決法1167■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノリッター量の液滴生成1167■■■■■■■■■■■■■■■■■■
次世代のLSI-MEMS集積化技術:SiGe技術1166■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面処理:毛管凝縮による付着力の影響1160■■■■■■■■■■■
ClF3ガスを用いたSiGeエッチングによる可動構造のリリース1160■■■■■■■■■■■
RIE_lag1160■■■■■■■■■■■
選択レーザアシスト接合(LAB)を用いたMEMS用ウエハレベルパッケージ1160■■■■■■■■■■■
コメ粒大触覚センサー、ロボットの動き繊細に、東大と松下、介護・家事用1157■■■■■■■■■■■■■■■■■■
封止接合:金属薄膜を介した封止接合1155■■■■■■■■■■■■■■■■
PEDOT:PSS1154■■■■■■■■■■■■■■■
SAMを用いたSU8への埋め込み型金属パターニング技術1146■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
らせん状微小構造体;フラーレン内包のCNTで,九大と産総研が水中で作製,エレや材料科学に新用途1144■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
タンパク質を可視化するための新規標識法1144■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
連続グルコースモニタリング用MEMS粘性センサ1143■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス質カーボンモールドの機械的および形態学的特性に関する熱処理条件の効果1142■■■■■■■■■■■■■■■■■
テーパーTSVの形成技術1142■■■■■■■■■■■■■■■■■
バッキーゲルによるバイモルフ型アクチュエータ1142■■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ波加熱によるパリレンウェハボンディング1142■■■■■■■■■■■■■■■■■
パリレン厚膜を用いたシャドウマスク1139■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
微細コンタクトバンプ形成技術1138■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
熱分解性犠牲層を用いた中空封止技術1138■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Si上化合物半導体成長横方向成長1137■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
アライメント機構付きシャドウマスクの位置合わせ精度の向上1137■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラスフリット接合による高圧、高温デバイスの流体パッケージング1137■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
環境・バイオセンシング用統合SoC1135■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
石英基板の改質層のエッチング1135■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
環状タングステンTSV技術1134■■■■■■■■■■■■■■■■■■
イオン注入による機能加工1134■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)/ポリマー複合材料による味覚センサー1134■■■■■■■■■■■■■■■■■■
薄膜金属ガラスのスパッタ成膜1133■■■■■■■■■■■■■■■■■
撥水処理による気液分離構造1132■■■■■■■■■■■■■■■■
PDMSのshrinkage_ratio1132■■■■■■■■■■■■■■■■
超高速TDT測定技術1132■■■■■■■■■■■■■■■■
タンパク質の高感度かつ簡易的検出法の創製1130■■■■■■■■■■■■■■
ガラスの内部加工(波長800nm)における集光NAの比較1129■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
LSI集積化MEMS:DMDの例1129■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
自己組織化単分子膜を重合開始種とした表面開始重合法1127■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
3次元配線形成のための斜め露光技術1126■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
AZ4562のサーフェスマイクロマシニングへの応用1126■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガスフロースパッタリング1126■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
スタンプ疎水性局所制御PDMSによる細胞培養チャンバ1126■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Si表面のアモルファス化1125■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ボンダ:SAB-FCボンダ1125■■■■■■■■■■■■■■■■■■
自立ポーラスシリコン構造の作製法1125■■■■■■■■■■■■■■■■■■
過酸化脂質測定試薬1125■■■■■■■■■■■■■■■■■■
LF55GN高アスペクト比厚膜レジスト1125■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ソーキングを用いたリフトオフ1124■■■■■■■■■■■■■■■■■
SOI大規模集積回路のPDMSへの集積化1123■■■■■■■■■■■■■■■■
微細多層配線形成技術1123■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-ビーム-011121■■■■■■■■■■■■■
EMIテスタ1120■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:nano-adhesion_layer1120■■■■■■■■■■■■■
サブミクロン開口10μmトレンチによる偏光検出フォトダイオードの作製法1119■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
The_role_of_Triton_surfactant_in_anisotropic_etching_of_{110}_reflective_planes_on_(100)_silicon1118■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
フレキシブルポリマー格子を用いたSPR(Surface_Plasmon_Resonance)coupler製作1116■■■■■■■■■■■■■■■■■
擬似SOC1116■■■■■■■■■■■■■■■■■
インクジェットプリント技術を利用したマイクロ流路の作製と応用1114■■■■■■■■■■■■■■■
DeepRIE加工溝内壁の均一酸化1114■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブのマイクロ電極アレイ1113■■■■■■■■■■■■■■
グレイスケール技術を用いた自動2軸光ファイバー位置合わせ1112■■■■■■■■■■■■■
ファブリペロー共振器の安定性ダイヤフラムについて1111■■■■■■■■■■■
アプタマーを利用した電気化学的タンパク質検出1109■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
クヌーセン圧縮機の熱クリープ駆動流とナノ/マイクロスケールのガス輸送路1107■■■■■■■■■■■■■■■■■■
コオロギの尾角を規範とした流量センサ1106■■■■■■■■■■■■■■■■■
パイレックス基板のフェムト秒レーザー改質1106■■■■■■■■■■■■■■■■■
フレキシブルトランスデューサーデバイス1106■■■■■■■■■■■■■■■■■
テクスチャ加工された超疎水性表面におけるドロップレット接触角のヒステリシス1105■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMS-CSPチップ実装における応力緩和構造の研究1104■■■■■■■■■■■■■■■
精密銅めっきによる微細配線形成技術1104■■■■■■■■■■■■■■■
Siの内部加工(波長1560nm)1103■■■■■■■■■■■■■■
ポリマーのプラズマ処理による直接接合1103■■■■■■■■■■■■■■
Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性(パルス幅10ns、低エネルギー)1102■■■■■■■■■■■■■
微粒子のセルフアセンブリ技術1102■■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術11102■■■■■■■■■■■■■
スパッタによるナノドット形成技術1101■■■■■■■■■■■
ノンシアン銀めっきによる微細配線技術1099■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ放電加工の加工モニター1099■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ペプチドタグを利用したタンパク質固定化法1098■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
レーザーパルスの長さ1098■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
解説 圧電・光アクチュエータ1097■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
スプレーコーティング法を用いたMOSFET容量性センサの製作1094■■■■■■■■■■■■■■■■■■
低温PECVD窒化シリコン薄膜のポアソン比1091■■■■■■■■■■■■■■
実装測定用プローブステーション1091■■■■■■■■■■■■■■
微小シリカによるsol-gel接合1091■■■■■■■■■■■■■■
直接接合プロセスのアライメント精度への影響(接合前アライメントより)1091■■■■■■■■■■■■■■
コンパクトに配置した電熱動作一体型の長く伸びるマイクロドライブの設計と評価1090■■■■■■■■■■■■■■
静電容量型6軸フォース・モーメントセンサ1090■■■■■■■■■■■■■■
MEMS実装:光素子の低温直接接合1089■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SPMを用いたナノスケール弾性特性評価1089■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
水メニスカスによるスティクションの理論的考察1087■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siの内部加工(波長1064nm)1085■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ポリマー基板上へのカーボンナノチューブのマイクロ波援用パターニング1085■■■■■■■■■■■■■■■■■■
微結晶SiGeのピエゾ抵抗効果1084■■■■■■■■■■■■■■■■■
はんだリフローを利用した横方向接合1083■■■■■■■■■■■■■■■■
エレクトロウェッティングの無線電源駆動1083■■■■■■■■■■■■■■■■
CMOS集積化10マルチプローブAFMの熱バイモルフアクチュエータ特性測定1082■■■■■■■■■■■■■■■
微小塩素ガスセンサー1082■■■■■■■■■■■■■■■
プロジェクタ応用MEMSスキャナ1081■■■■■■■■■■■■■
MEMSチップのダイシング工程に対する保護(保護フィルム編)1080■■■■■■■■■■■■■
実装:AuSnはんだとIn系はんだによる光素子実装1079■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンピエゾ抵抗型3軸加速度センサ1079■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン-ポリマーハイブリッド化技術1078■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
陽極接合の低温化(Siメタライズ層の影響)1078■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス内部加工のレーザー波長依存性1075■■■■■■■■■■■■■■■■■
キネシン微小管を利用した構造物の搬送1075■■■■■■■■■■■■■■■■■
Poly-Siを用いた貫通配線形成技術1073■■■■■■■■■■■■■■■
MgZn単結晶体と多結晶体の通電拡散接合1071■■■■■■■■■■■■
BCB材料のプロセスと高周波特性の評価1070■■■■■■■■■■■■
RF駆動MEMSセンサ_の_分布埋め込みセンサへの応用1070■■■■■■■■■■■■
シリコンマイクロヒーターのモデリングと実験的同定:システムの研究1070■■■■■■■■■■■■
ウエハ接合の評価クライテリア1067■■■■■■■■■■■■■■■■■
低温拡散接合で用いるAg-In層の組成分析1066■■■■■■■■■■■■■■■■
TSVの高周波特性の基板比抵抗依存性1065■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマ表面活性化を利用したウェハ低温接合技術1065■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス内部クラック形状のレーザーパルス幅依存性1064■■■■■■■■■■■■■■
コバール蒸着によるフリットグラスの濡れ性向上1064■■■■■■■■■■■■■■
FDTD法1064■■■■■■■■■■■■■■
微細ピッチ高周波コンタクトプローブ1064■■■■■■■■■■■■■■
PZT薄膜を用いたデジタル圧電加速度センサ1063■■■■■■■■■■■■■
SOIウエハを用いたシリコンナノギャップの作製技術1063■■■■■■■■■■■■■
CNTs-加工成形-011062■■■■■■■■■■■■
エアロゾルデポジション1061■■■■■■■■■■
柔軟な関節機構による負ポアソン比を持つ材料1061■■■■■■■■■■
ホットエンボスと低温直接接合の組み合わせによるPMMAマイクロチップ1060■■■■■■■■■■
Ⅲ‐Ⅴナノ細線の埋め込みを可能にする低コストなBCBの接合方法1059■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
せん断モード圧電素子アクチュエータのポーリング処理設計1059■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
鉛フリーハンダ:微細接合1059■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エアロゾルデポジション法による圧電材料の成膜1058■■■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロマニピュレーションによる3次元フォトニック結晶の作製方法1058■■■■■■■■■■■■■■■■■■
単結晶ダイヤモンドの鉄系金属との化学反応および燃焼による加工1058■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エピタキシャル3C-SiCの薄膜の機械的特性1057■■■■■■■■■■■■■■■■■
参入予備軍10社以上のMEMSマイク“Knowles特許”が新規参入拒む恐れ1056■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラスとガラスの陽極接合と静電気力1055■■■■■■■■■■■■■■■
ゲルを開発、自律的に伸び縮み、医療分野に応用、東大、人工臓器の筋肉に1055■■■■■■■■■■■■■■■
微小座標測定の為の、先端に球を持つ微小針の製作1054■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化常温接合法によるGaAs基板へのレーザの実装1054■■■■■■■■■■■■■■
超高速TDT測定技術の応用1053■■■■■■■■■■■■■
光分解性シランカップリング剤を用いた単分子膜のパターニング1052■■■■■■■■■■■■
凹凸表面を用いた撥水性の切り替え1052■■■■■■■■■■■■
マイクロマシニングによるクヌーセンポンプの作製1052■■■■■■■■■■■■
ブラウンノイズのセンサへの影響1051■■■■■■■■■■
ウェハ貫通エッチング孔(KOHによる)精度の電気的測定1050■■■■■■■■■■
リフトオフによるマイクロバンプ形成技術1048■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
パリレン厚膜を用いた多層シャドウマスク1047■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
STM-TEMによるブレイクジャンクション法を用いた金単原子鎖の観察1047■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-スーパーグロース法2-CNTの特徴1046■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siフュージョンボンディングを用いた微小ガラス管の製作1046■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ソフトリソグラフィ技術を用いたアルミナマイクロ構成部品の網目形成プロセス1046■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Soft-Cure_SU-8シートを用いたMicrofluidicチップ用の低温接合技術1045■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
レーザーの産業応用1045■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
フリップチップ実装技術における封止樹脂の硬化温度依存性に関する評価1044■■■■■■■■■■■■■■■■■■
サスペンション高アスペクト比マイクロ構造の新しい製作方法1043■■■■■■■■■■■■■■■■■
異種集積用のウェハレベル実装1043■■■■■■■■■■■■■■■■■
実用化技術:LCPの低温Cuラミネート1041■■■■■■■■■■■■■■
ポリシリコンによる貫通電極1039■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ドープした酸化スズガスセンサの振動測定における検出動作の温度効果1038■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノポーラスシリコン1038■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
高分子電解質/TiO2ナノコンポジットフィルムの機械的性能1036■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
イオン液体へのスパッタ蒸着によるナノ粒子生成法1035■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウェハレベル接合用新規熱硬化性ナノインプリントレジスト1035■■■■■■■■■■■■■■■■■■
オンチップ二次元電気泳動システム1035■■■■■■■■■■■■■■■■■■
グロー放電プラズマによるMEMS圧力センサへの電荷移動1035■■■■■■■■■■■■■■■■■■
メタルリングを用いた封止技術1035■■■■■■■■■■■■■■■■■■
フレキシブルパッケージ1034■■■■■■■■■■■■■■■■■
超小型MEMSミラープロジェクタを開発(コニカミノルタ)1034■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工(波長355nm)1033■■■■■■■■■■■■■■■■
III-V族化合物半導体の横方向成長メカニズム1033■■■■■■■■■■■■■■■■
レーザー内部加工による圧力センサーチップの割断2(Siのみ加工/200ns)1031■■■■■■■■■■■■■
過酸化水素測定のための化学発光試薬1031■■■■■■■■■■■■■
プラズマ表面活性化を利用した低温接合技術1030■■■■■■■■■■■■■
AlNの垂直加工1029■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CMP-Cu:表面1029■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSによるチューナブルアンテナ1029■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Cu_layerの高アスペクト比メッキ1027■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
高速原子線照射による薄膜密着力の向上1027■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
厚膜レジストAZ9260を用いた高アスペクト比コイルの作製1027■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
真空封止:常温封止接合1026■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エンコーダー2.8mm角に(エクストコム)1026■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス熱割断のレーザー照射形状依存性1026■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プロテインアレイ1025■■■■■■■■■■■■■■■■■
インターポーザーの試作と機能の実証1024■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSのためのALDによる保護膜1024■■■■■■■■■■■■■■■■
フッ硝酸選択エッチングを用いたスティッキング対策1021■■■■■■■■■■■■
マイクロコンタクトプリンティングの繰り返しによるパターンの微細化1021■■■■■■■■■■■■
ガラスを積層して形成した高密度貫通配線ガラス1020■■■■■■■■■■■■
バイモルフ型ピストンチップチルトマイクロミラー1020■■■■■■■■■■■■
レーザーを用いたAD膜アニール1020■■■■■■■■■■■■
光ファイバーの先端にレンズを作成1020■■■■■■■■■■■■
CMOS集積化のためのAlN薄膜の表面マイクロマシニングによる2GHzレゾネータ1018■■■■■■■■■■■■■■■■■■
0.25μmCMOS上へのポストプロセス許容温度1017■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSによるマイクロ真空計1017■■■■■■■■■■■■■■■■■
セルフパターニング構造による金属薄膜並びに有機トランジスタ特性評価1017■■■■■■■■■■■■■■■■■
インクジェットを用いたオンデマンド配線および接合1016■■■■■■■■■■■■■■■■
キネシン駆動のマイクロデバイス1016■■■■■■■■■■■■■■■■
PDMSを用いた逆止弁1016■■■■■■■■■■■■■■■■
DRIE等方エッチによるシリコン薄膜グリッドのひきはがし作製1014■■■■■■■■■■■■■■
Characterization,_modelling_and_performance_evaluation_of_CMOS_integrated_multielectrode_tunable_capacitor(MTC)1013■■■■■■■■■■■■■
Deep-RIEでSiをコネクタ加工1013■■■■■■■■■■■■■
静電容量型3軸フォース・モーメントセンサ1013■■■■■■■■■■■■■
Siの内部加工クラック形状のレーザーエネルギー依存性1012■■■■■■■■■■■■
Siバルクマイクロマシニング1012■■■■■■■■■■■■
ボンダ:SABウエハボンダ1012■■■■■■■■■■■■
LIGAプロセス1012■■■■■■■■■■■■
3D-MEMSウエハレベルパッケージ実現のための貫通孔配線1011■■■■■■■■■■
CNTウエハーの微細加工技術1011■■■■■■■■■■
Sidewall_Morphology_of_Electroformed_LIGA_Parts―Implications_for_Friction,Adhesion,_and_Wear_Control1011■■■■■■■■■■
スーパーカーボンナノチューブからなる超高感度質量センサおよび歪センサ1011■■■■■■■■■■
AFMを用いたシリコンのanodizedナノ構造疲労試験1010■■■■■■■■■■
AFM利用ナノファイバーの接合強度1009■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ-ニッケルナノ複合材料の機械的強度1009■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
グリーンレーザーによる自己形成光導波路(Self-Written_Waveguide)1007■■■■■■■■■■■■■■■■■
タンパク質分析用新規比色分析試薬の創製1007■■■■■■■■■■■■■■■■■
チップ上で増幅・解析;遺伝子,栄研化学と徳島大大学院,基礎技術を開発1007■■■■■■■■■■■■■■■■■
三次元加工と接合による高ON/OFF抵抗比のマイクロバルブ1007■■■■■■■■■■■■■■■■■
超高速TDR測定技術1007■■■■■■■■■■■■■■■■■
4端子法によるSWNTの電気伝導度計測1007■■■■■■■■■■■■■■■■■
チャレンジ新製品、MEMSセンサー、省エネ化の大きな力に(オムロン)1006■■■■■■■■■■■■■■■■
水素雰囲気アニール1006■■■■■■■■■■■■■■■■
フリットガラス内のボイド欠陥1005■■■■■■■■■■■■■■■
InGaAs/GaAsの導電率測定1005■■■■■■■■■■■■■■■
金ナノ粒子を利用したバイオセンサー1005■■■■■■■■■■■■■■■
静電容量を介したプルイン、プルアウト電圧の測定1005■■■■■■■■■■■■■■■
高速原子線によるエッチング技術1003■■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工(波長532nm)1003■■■■■■■■■■■■■
ウェハsol-gel接合1003■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルにおける配向CNTのサイズ・間隔制御1002■■■■■■■■■■■■
スクリーン印刷で作製、有機アクチュエーター、コスト安く複雑成形、日立1002■■■■■■■■■■■■
ガラス内部クラック幅のレーザーパルス幅依存性1001■■■■■■■■■■
表面活性化:プラスマ活性化を用いたSOI基板へのレーザ実装1000■■■■■■■■■■
櫛歯999■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
薄膜の水分透過量測定デバイス999■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
鉛フリーハンダ:バンプ形成技術999■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
有機トランジスタ作製プロセス998■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
スーパーオキシド測定試薬998■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層3998■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMS用撥水性シリル化コーティング技術998■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
光読み出しを用いた音響センサー997■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
薄膜絶縁材料の誘電特性評価技術996■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
A_MEMS_Electromagnetic_Optical_Scanner_for_a_Commercial_Confocal_Laser_Scanning_Microscope996■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウェアラブル酵素センサ996■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
同軸配線プリント回路基板995■■■■■■■■■■■■■■■■■■
タグチメソッドによるマイクロ球状ファイバープローブ作製の最適化994■■■■■■■■■■■■■■■■■
小型温度環境試験装置993■■■■■■■■■■■■■■■■
SUSPENDED_MICROCHANNEL_RESONATOR991■■■■■■■■■■■■■
高アスペクト貫通孔への銅メッキ技術990■■■■■■■■■■■■■
常温ウエハ接合:接合強度990■■■■■■■■■■■■■
グルコースオキシダーゼ親和性ペプチドの開発989■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
めっきによる貫通配線ガラスの作製988■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
マルチポリマーマイクロステレオリソグラフィ988■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
把持型マニュピレータとレーザスポット加熱を用いた微小部品実装法987■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Au-In合金接合を用いたウエハレベル真空パッケージング987■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
電解グラフト層を用いた湿式TSV形成技術987■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
多層集積におけるレイヤー間欠陥伝播985■■■■■■■■■■■■■■■■■
Si深堀側壁のモホロジー985■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術4-ラマン配向特性985■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンのMEMSプロセス中の陽極酸化:自然酸化膜は予想より厚い983■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロサイズSi単結晶の破壊応力と破壊靭性の異方性983■■■■■■■■■■■■■■■
Si表面平坦化技術982■■■■■■■■■■■■■■
ポリSiGeプロセスによるCMOS-MEMS集積のレビュー982■■■■■■■■■■■■■■
指紋認証デバイスを用いたバイオセンサ982■■■■■■■■■■■■■■
Si_tip上へのCNT選択成長978■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ゾル-ゲル法で形成したナノ結晶のBa_0.5_Sr_0.5_MoO_4厚膜のガス検出特性978■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
フュージョンボンディングとシリコンナノ表面粗さの関係978■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
メカニカルなパッシブアライメント978■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カンチレバー型流速センサ977■■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMS真空パッケージングの為のニッケル/スズTLPウエハボンディング977■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTを用いたピエゾ抵抗型圧力センサ976■■■■■■■■■■■■■■■■■
Nanomaterial_Transfer_Imprint_Lithography_(NTIL)_を用いたフレキシブルカーボンナノチューブ976■■■■■■■■■■■■■■■■■
ジブロックコポリマーのミクロ相分離を利用したナノ構造パターニング976■■■■■■■■■■■■■■■■■
低温デバイス高速信号対応検査冶具976■■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノスケールでの金属/自己組織化単分子膜/金属のへテロ構造975■■■■■■■■■■■■■■■■
0.35μmBiCMOS集積化MEMSの機械特性計測975■■■■■■■■■■■■■■■■
LTCC基板とBCB接着層を用いたRF_MEMSデバイス用実装974■■■■■■■■■■■■■■■
微小機械部品評価に関する研究974■■■■■■■■■■■■■■■
薄膜グルコースバイオセンサー974■■■■■■■■■■■■■■■
ウェットエッチングによるシリコン対向ナノ針端の製作974■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ流路を利用したイオンセンシング974■■■■■■■■■■■■■■■
SiO2表面に形成されるナノ周期構造973■■■■■■■■■■■■■■
ノンシアン銀めっきによる銀薄膜堆積技術973■■■■■■■■■■■■■■
ガラス貫通Si電極を用いたSOG-MEMSデバイス実装972■■■■■■■■■■■■■
シリコン熱抵抗型2軸ジャイロスコープ972■■■■■■■■■■■■■
(110)シリコン結晶の湿式エッチングによるシリコンナノワイヤの多量生産972■■■■■■■■■■■■■
離型剤不要のフッ素樹脂モールド材料およびフッ素含有UV硬化性樹脂972■■■■■■■■■■■■■
スパッタリングしたTi薄膜の機械的特性のArガス圧依存性971■■■■■■■■■■■
インプリント_ローラインプリント970■■■■■■■■■■■
ストレス測定、遺伝子で970■■■■■■■■■■■
レジストを用いたチップ張り合わせ技術970■■■■■■■■■■■
レーザー加工形状のパルス幅依存性(Cu)970■■■■■■■■■■■
高性能MEMS慣性力センサー高収率製作の為のウエハレベル挟み込みパッケージング970■■■■■■■■■■■
単結晶ダイヤモンドの熱化学反応による加工970■■■■■■■■■■■
3次元ナノ構造作製のための高精度位置合せ/接合システム969■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Electrowettingを利用したアメンボロボットB968■■■■■■■■■■■■■■■■■
前処理機能集積チップ968■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長1300nm、パルス幅〜100fs)968■■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロコンタクトプリント法による自己組織単分子膜パターニングと銀ナノ粒子の選択的析出967■■■■■■■■■■■■■■■■
RF-MEMS用複合型ウェハレベルパッケージング967■■■■■■■■■■■■■■■■
高アスペクト比W-TSVとCu-ポリイミド接合を用いた3D-ICの作製967■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブの超塑性変形966■■■■■■■■■■■■■■■
一体型多層マイクロ流路の製作方法966■■■■■■■■■■■■■■■
表面処理:表面化学処理およびDLC膜による付着力の影響966■■■■■■■■■■■■■■■
1次元フォトニック結晶による分散補償器966■■■■■■■■■■■■■■■
薄膜厚膜界面破壊強度評価964■■■■■■■■■■■■■
デバイス中への液体封止技術963■■■■■■■■■■■■
ナイフエッジ構造によるセルフパターニングを応用したテスト構造963■■■■■■■■■■■■
インテル、超小型端末962■■■■■■■■■■■
ガラスの内部加工による割断962■■■■■■■■■■■
キャビティ構造を利用したミリ波MEMSスイッチ962■■■■■■■■■■■
スピンコート法によるフレキシブルプリント配線板作製技術962■■■■■■■■■■■
単一CNTの熱伝導率測定962■■■■■■■■■■■
金ナノ粒子の自己組立および転写によるLSPR基板の製作962■■■■■■■■■■■
Fabry-Perot共振器の電磁界解析962■■■■■■■■■■■
ポリマーMEMSにおける熱接合における液体封入方法960■■■■■■■■■
非対称構造を持ったアインツェルレンズのデザイン方法960■■■■■■■■■
常温ウエハ接着&キャビティ封止959■■■■■■■■■■■■■■■■■■
レーザー内部加工によるガラス/Si多層ウェハ割断のレーザースキャン回数依存性959■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ワッフル形状ダミーフィラーの選択的消去959■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ファージディスプレイ法による分子認識ペプチドのスクリーニング957■■■■■■■■■■■■■■■■
太陽光による水素製造のためのGaInP/GaAs/Si電極形成957■■■■■■■■■■■■■■■■
感光性たんぱく質の選択的成膜956■■■■■■■■■■■■■■■
スタックチップ間の常温シリコン貫通電極配線956■■■■■■■■■■■■■■■
ガラスの内部加工(波長800nm)954■■■■■■■■■■■■■
バクテリアをPDMSに吸着させる方法954■■■■■■■■■■■■■
CNT_arrayを用いた接触熱抵抗低減954■■■■■■■■■■■■■
積層MEMSのためのデブリフリーレーザー支援高速ダイシング技術954■■■■■■■■■■■■■
三次元集積化のための直接接合技術953■■■■■■■■■■■■
垂直貫通接続を持つウエハレベルMEMS真空パッケージの作製と特性化952■■■■■■■■■■■
Paryleneボンディング952■■■■■■■■■■■
ウェーハ張り合わせによる三次元集積化技術951■■■■■■■■■
スタンピングによって半球面状に配置されたフォトディテクタアレイ951■■■■■■■■■
撥水製メッキ技術を用いたスライドバルブ951■■■■■■■■■
金表面へのアビジンの固定化法950■■■■■■■■■
シリコンをベースとした空気呼吸型マイクロ直接メタノール燃料電池950■■■■■■■■■
カプセル内視鏡の現状と将来949■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン・マイクロカンチレバー・ヒーターの電気的、熱的、機械的特性化949■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
レーザー内部加工によるガラス/Si多層ウェハ割断例1949■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
実装:光素子表面活性化接合における接合条件の影響949■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
微小酸素センサー949■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面溝加工によるガラスの割断949■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
GaInP/GaAs太陽電池を用いた水の電気分解デバイス949■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
微細ピッチ高周波コンタクトプローブの応用技術948■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長1064nm)948■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン酸化膜上での湿度に対する毛管力の挙動947■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
上下スリットインターポーザを用いたMEMS-CSP低応力実装947■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
擬似SOCの応力解析947■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
超高速差動TDR測定技術947■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Si上への選択成長によるGaNのサスペンド構造作製946■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
スクリーン印刷した触媒電極のMEMS燃料電池への適用946■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CMOSチップ上に作製されたカスケード櫛歯型アクチュエータ946■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
微細加工したシリコン構造体のステインエッチング946■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面処理:MVD946■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術5945■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス内部クラック幅のレーザー波長依存性945■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Au接合を用いたRF-MEMS用ウエハレベルハーメチックパッケージ945■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Cavity-through_DRIE944■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSスイッチのコンタクト部における滑剤としてのナノ粒子溶液944■■■■■■■■■■■■■■■■■
非真空ボトムアップ銀ナノ粒子析出方法944■■■■■■■■■■■■■■■■■
零位法による実温度放射温度計測法943■■■■■■■■■■■■■■■■
コンプライアンス検出用触覚センサ943■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンの高速研削技術942■■■■■■■■■■■■■■■
ミリ波帯MEMS・デバイス用シリコン基板貫通伝送線路942■■■■■■■■■■■■■■■
ドライプロセスによる有機EL製作941■■■■■■■■■■■■■
プラズマ重合薄膜を利用したグルコースセンサー941■■■■■■■■■■■■■
3次元配線形成のためのスプレーコート技術941■■■■■■■■■■■■■
水素アニールを用いたSiの3次元構造形成941■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:金属薄膜を介したウエハ低温接合941■■■■■■■■■■■■■
Cuメッキによる3次元コイルの作製940■■■■■■■■■■■■■
ETP技術を利用した高レ-トSi深堀りエッチング939■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Si異方性エッチングにおけるアンダーカットの抑制939■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラスウエハ分離に必要な引張応力のレーザー走査速度依存性939■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ピエゾ抵抗型流量センサ939■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
パリレンによる液体封入を利用したマイクロバルブ938■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
吊り下げ構造を持つCMOSLSI一体型MEMSLCレゾネータ937■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
多層ウェハのレーザーダイシング例5(Siのみ加工+熱応力/50ns)937■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
偏光検出CMOSイメージセンサ935■■■■■■■■■■■■■■■■■
オムロン、10年度以降100億円めざす、MEMSデバイス事業売上げ935■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス真空封止MEMSにシリコン垂直フィードスルーを開ける935■■■■■■■■■■■■■■■■■
サブミクロン幅の開口を有する厚膜SiO2パターンの作製方法934■■■■■■■■■■■■■■■■
フォトリソグラフィを用いた側壁傾斜構造の作製方法934■■■■■■■■■■■■■■■■
ポリマー製レンズの作成933■■■■■■■■■■■■■■■
相反転を利用したCNT/金属ナノ微粒子/ポリマーコンポジットの作製933■■■■■■■■■■■■■■■
空気圧駆動バルブ933■■■■■■■■■■■■■■■
LIGA-likeプロセスによる導波路型光デバイスのレジストマスタ形成技術933■■■■■■■■■■■■■■■
Al/Alウエハ接合による気密封止933■■■■■■■■■■■■■■■
赤外域での液体の屈折率の測定法932■■■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術2929■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
チップ上の4方向エジェクターによる固体表面上のオン・デマンドDNA合成929■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)による基板貫通接続928■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSにおけるトライボロジー問題928■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
P型<111>方位シリコンナノワイヤのピエゾ抵抗特性927■■■■■■■■■■■■■■■■■■
非破壊で陽極接合の強度を評価するテスト構造927■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノバイオマシン創製へ,JBA調査委が報告書(上);実用技術と融合推進,研究者の参集不可欠927■■■■■■■■■■■■■■■■■■
パイレックス基板へのY字分岐貫通孔の作製927■■■■■■■■■■■■■■■■■■
パルス励起リモートプラズマCVDによる高品質CNTの低温成長927■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNT複合金メッキ926■■■■■■■■■■■■■■■■■
薄膜チタンゲッターと陽極接合を用いた真空パッケージング926■■■■■■■■■■■■■■■■■
3D-MEMSウエハレベルパッケージ実現のためのウエハAu/Au接合925■■■■■■■■■■■■■■■■
Electrowettingを利用したアメンボロボットA925■■■■■■■■■■■■■■■■
タンパク質のハイスループット検出法925■■■■■■■■■■■■■■■■
RFスイッチフィルタモジュール924■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSチップのダイシング工程に対する保護(両面レジスト編)923■■■■■■■■■■■■■■
SiマイクロプローブおよびSiO2マイクロチューブアレイとMOSFETの集積化プロセス923■■■■■■■■■■■■■■
エピタキシャル成長したGaAs/InGaAs層の格子不整合を用いた3次元構造の作製(マイクロ折り紙)923■■■■■■■■■■■■■■
サブミクロンギャップピラーによる流体クロマトグラフィデバイスの作製923■■■■■■■■■■■■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層:加工しきい値923■■■■■■■■■■■■■■
プラズマ重合法を用いたタンパク質固定化技術922■■■■■■■■■■■■■
LiNbO3のエッチング特性922■■■■■■■■■■■■■
Kovar(コバール)管のパイレックスウエハへの陽極接合による配管921■■■■■■■■■■■
ウエハスケールのマイクロデバイス転写921■■■■■■■■■■■
パルス状の正の電圧をチャックに加えることによるノッチングの抑制921■■■■■■■■■■■
MEMSのウェーハレベルパッケージ技術とTSV921■■■■■■■■■■■
カーボンナノファイバー(CNF)フレキシブルディスプレー920■■■■■■■■■■■
レーザーによるガラス表面近傍の内部加工2920■■■■■■■■■■■
フレキシブルテクスタイルデバイス919■■■■■■■■■■■■■■■■■■
PDMSポストを用いた細胞の力計測919■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNT-AFM探針を用いた計測918■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNT-イオン流量センサ918■■■■■■■■■■■■■■■■■
TSVの高周波特性の孔壁絶縁膜依存性918■■■■■■■■■■■■■■■■■
ソフト鋳型のマイクロ移送成形によるマイクロレンズアレイの迅速製造法917■■■■■■■■■■■■■■■■
医療用マイクロロボット916■■■■■■■■■■■■■■■
自己組立を利用した複数種類のチップ接合916■■■■■■■■■■■■■■■
SiGeを用いたマイクロミラーアレイ915■■■■■■■■■■■■■■
SCREAM_(Single_Crystal_Silicon_Reactive_Etch_and_Metal)_process915■■■■■■■■■■■■■■
STMを用いた単原子マニピュレーション915■■■■■■■■■■■■■■
シングルチップRFLSI向け低電圧駆動RF_CMOS-MEMSスイッチ914■■■■■■■■■■■■■
ロボットが内視鏡操作、腹腔鏡手術、安心に、岐阜大など914■■■■■■■■■■■■■
接合前アライメント精度:間接(裏面)アライメント914■■■■■■■■■■■■■
縦集積MEMS用高アスペクト貫通配線形成914■■■■■■■■■■■■■
液体のパリレンを用いた封入プロセス913■■■■■■■■■■■■
疎水性パターニングによる液体導波路913■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工(波長1064nm)913■■■■■■■■■■■■
CNTs-カーボンファイバーアクチュエーター913■■■■■■■■■■■■
レーザーによるモールド上の金属の転写912■■■■■■■■■■■
バッキープラスティック911■■■■■■■■■
導電性高分子によるエレクトロクロミック現象911■■■■■■■■■
High-Q_Single_Crystal_Silicon_HARPSS_Capacitive_Beam_Resonators_With_Self-Aligned_Sub-100-nm_Transduction_Gaps910■■■■■■■■■
支持型ゲートMOSFETでの1テラビットMEMSメモリ909■■■■■■■■■■■■■■■■■■
自己クローン法によるフォトニック結晶の作製909■■■■■■■■■■■■■■■■■■
サブミクロン開口10μmトレンチによる偏光検出フォトダイオードの特性909■■■■■■■■■■■■■■■■■■
メンブレン構造容量検出型センサの化学・バイオセンサへの応用908■■■■■■■■■■■■■■■■■
水銀液滴を用いた熱スイッチ908■■■■■■■■■■■■■■■■■
チオニンの媒介によるCNT/Auナノ微粒子コンポジットの作製907■■■■■■■■■■■■■■■■
パワーMEMS●開発がニッチから大市場狙いへ905■■■■■■■■■■■■■■
電子線可変ドーズ制御照射を用いたUV硬化ナノインプリントのための3Dモールド作製905■■■■■■■■■■■■■■
内部加工されたガラスウェハ割断のレーザー走査速度依存性904■■■■■■■■■■■■■
多層集積におけるボンディングプロセスの影響(ウエハ剛性)904■■■■■■■■■■■■■
疎水化されたAFMチップを用いた,_基板上の湿度による凝縮水のイメージング904■■■■■■■■■■■■■
シリコンの塑性変形を用いた立体構造904■■■■■■■■■■■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層903■■■■■■■■■■■■
カメラの製造手法をMEMSで変える、半導体メーカーの事業領域に902■■■■■■■■■■■
スイッチ可変キャパシタによる帯域可変フィルタ902■■■■■■■■■■■
CNTs-メモリ902■■■■■■■■■■■
高平坦化のための銅CMP技術899■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
溶融はんだ吐出法を用いたCuランド上へのはんだ搭載899■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNT-ホットキャリアによる赤外発光898■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs 圧力センサー1897■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
アルミナ薄膜を利用した真空パッケージング897■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siのフェムト秒レーザー加工(波長800nm)896■■■■■■■■■■■■■■■■■■
デバイス技術を駆使し、個人の体質に合わせた医療を実現896■■■■■■■■■■■■■■■■■■
感温性樹脂を用いたマイクロリッター量ポンプ896■■■■■■■■■■■■■■■■■■
紫外線硬化樹脂の注入による凹レンズの作製896■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Fox-Liの方法895■■■■■■■■■■■■■■■■■
PDMSを用いたマイクロペリスタポンプ895■■■■■■■■■■■■■■■■■
CMOS集積化10マルチプローブAFMによる原子像の取得894■■■■■■■■■■■■■■■■
ディップペン・ナノリソグラフィ技術894■■■■■■■■■■■■■■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層:波長依存性2894■■■■■■■■■■■■■■■■
Underfill樹脂の流動解析893■■■■■■■■■■■■■■■
ポリマーコネクタとSiソケットによるパッキング892■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ側壁面の摩擦挙動を研究するためのMEMS素子892■■■■■■■■■■■■■■
微細構造ウエットエッチング後の乾燥法892■■■■■■■■■■■■■■
ひずみ増幅圧電MEMSアクチュエータ891■■■■■■■■■■■■
ダイオードつくりこみによる櫛歯絶縁891■■■■■■■■■■■■
ナノコーンアレイガラス890■■■■■■■■■■■■
圧覚と力覚の複合ディスプレイ装置の試作890■■■■■■■■■■■■
CNT_waferを用いた集積3次元CNTデバイス890■■■■■■■■■■■■
4軸柔軟触覚センサ889■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNT-メンブレン細孔分布889■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
バイオセンサ用の電極表面上酸化還元-活性-ポリマーの合成889■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
レーザーによるガラスの熱割断889■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
サンドイッチ構造によるRF_MEMS梁の反り抑制888■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ステンレス基板を使ったスキャナ888■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
スプレーコートを用いた三次元構造体への配線形成技術888■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
0.3ミリの世界最小径ネジ、精機や半導体向け、スター精密が開発888■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Epiパッケージング888■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
活性酸素消去能測定888■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
In-Situ_ボロンドープによるポリシリコン貫通電極887■■■■■■■■■■■■■■■■■■
インダクタ‐キャパシタに対する基板エッチングの効果887■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンマイクロチャンネル内の蒸気凝縮中の噴射流体の流れ887■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ノッチングを利用したマスク開口デザイン制御によるリリース887■■■■■■■■■■■■■■■■■■
フレキシブル温度・湿度センサ887■■■■■■■■■■■■■■■■■■
レーザー走査応用MEMSスキャナ886■■■■■■■■■■■■■■■■■
低温熱酸化によるナノ機械構造先端の先鋭化法886■■■■■■■■■■■■■■■■■
自己組織化膜を利用したスティッキング対策886■■■■■■■■■■■■■■■■■
共振のQ_factrの劣化による気密性試験885■■■■■■■■■■■■■■■■
細径同軸線測定評価885■■■■■■■■■■■■■■■■
ポリマー熱圧着接合プロセスのアライメント精度への影響(接合前アライメントより)885■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブによる伸縮性導体884■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン共振器884■■■■■■■■■■■■■■■
反応現像画像形成(RDP)法による感光性エンプラのパターニング884■■■■■■■■■■■■■■■
PDMSディフュージョンポンプ884■■■■■■■■■■■■■■■
金属冷間圧接を利用したウェハレベル常温接合883■■■■■■■■■■■■■■
研磨時のチッピング低減技術881■■■■■■■■■■■
ナノトランスファー技術による高誘電率コンデンサの作製881■■■■■■■■■■■
マイクロチップ電気泳動によるNO代謝物の迅速測定881■■■■■■■■■■■
IISE法による触媒担持881■■■■■■■■■■■
MEMS実装:マイクロ流路パッケージング881■■■■■■■■■■■
BCB基板上へのトランジスタ形成技術880■■■■■■■■■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層2880■■■■■■■■■■■
スペーサ法で製作した金属製マイクロチャンネル内マイクロ流体の流れ879■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
機能微小部品の自己組立を利用した高機能コンタクトレンズ製作879■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Poly-SiC表面マイクロマシニングによる垂直共振子878■■■■■■■■■■■■■■■■■■
内部加工された多層ウェハの割断に要する曲げ応力のレーザーパルス幅依存性(熱応力の効果)877■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面弾性波による流路を流れるビーズのパターニング876■■■■■■■■■■■■■■■■
低圧水素雰囲気下で成膜したペンタセンの移動度876■■■■■■■■■■■■■■■■
超音波マイクロアレイセンサの作製方法876■■■■■■■■■■■■■■■■
QR-LPD(®)技術を用いた電子ペーパー876■■■■■■■■■■■■■■■■
DNAチップ_–_自己組織化ポリマーを用いた金表面へのDNAの固定化法875■■■■■■■■■■■■■■■
広角度傾きセンサ875■■■■■■■■■■■■■■■
微小電力駆動ワイヤレスセンサ875■■■■■■■■■■■■■■■
電解エッチング法によるシリコン高アスペクト加工875■■■■■■■■■■■■■■■
セル―ポリマーハイブリッドシステム用複合3Dポリマー構造の作製874■■■■■■■■■■■■■■
液体封入型触覚ディスプレイ874■■■■■■■■■■■■■■
石英基板におけるエッチングレートと選択比のレーザー走査速度依存性873■■■■■■■■■■■■■
CNT-光学吸収の異方性873■■■■■■■■■■■■■
RF多重スイッチ集積873■■■■■■■■■■■■■
ウェハレベル接合によるマイクロストリップアンテナ素子873■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベル・ディストリビューション873■■■■■■■■■■■■■
シリコンのピエゾ抵抗率872■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術4872■■■■■■■■■■■■
多段階塗布・露光工程を用いた多層SU-8構造の作製871■■■■■■■■■■
FIBによるタングステン堆積を用いたナノギャップの作成方法871■■■■■■■■■■
クランク形状貫通配線の導電性評価870■■■■■■■■■■
シリコンプローブの作製技術870■■■■■■■■■■
タイヤ内センサーの無線監視システムを開発(横浜ゴム)869■■■■■■■■■■■■■■■■■
ラッチマイクロ電磁光スイッチ869■■■■■■■■■■■■■■■■■
世界最小クラスの11ミリ角、オムロン、MEMSサーモパイル869■■■■■■■■■■■■■■■■■
NドーピングしたSiC薄膜の電気特性869■■■■■■■■■■■■■■■■■
SAWデバイスにおける端面反射波のキャンセル869■■■■■■■■■■■■■■■■■
超小型レーザースキャニングモジュールの新たな形成方法869■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン、パイレックス、COCマイクロ流体チップ用各種PDMS相互接続解決法868■■■■■■■■■■■■■■■■
チップデバイスによるMEMS特性評価868■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロアンテナのSiCパッケージング866■■■■■■■■■■■■■■
マルチウォールCNTとTi電極へのオーミック接触同時形成866■■■■■■■■■■■■■■
超臨界CO2を媒体に用いた金属製膜866■■■■■■■■■■■■■■
3次元集積化のためのNEMSメモリ866■■■■■■■■■■■■■■
CNTウエハーによるカンチレバー構造866■■■■■■■■■■■■■■
InGaAs/GaAsナノコイルによる電気伝導度センサー866■■■■■■■■■■■■■■
3D_nonlinear_modeling_of_microhotplates_in_CMOS_technology_for_use_as_metal-oxide-based_gas_sensors865■■■■■■■■■■■■■
CNT-ナノラジオ865■■■■■■■■■■■■■
CNT-フィルター特性2865■■■■■■■■■■■■■
Fabrication_of_a_microfluidic_chip_by_UV_bonding_at_room_temperature_for_integration_of_temperature-sensitive_layers865■■■■■■■■■■■■■
ガスデポジションGD法による金バンプ形成技術の応用865■■■■■■■■■■■■■
ポリ塩化ビニル(PVC)膜への包括による固定化方法865■■■■■■■■■■■■■
マスクレスDRIEによるナノポーラスSiの作製方法864■■■■■■■■■■■■
低侵襲に細胞シートを作製し移動する方法864■■■■■■■■■■■■
CNTs-アクチュエータ-多層カーボンナノチューブ-1864■■■■■■■■■■■■
Characterization_of_front-_to_backwafer_bulk_micromachining_using_electrical_overlay_test_structures863■■■■■■■■■■■
MEMSフレームによる異種LSI再構成863■■■■■■■■■■■
安定性ダイアグラム863■■■■■■■■■■■
真空封止:評価デバイス862■■■■■■■■■■
マルチセンシングデバイス859■■■■■■■■■■■■■■■■■
Al-Alウエハレベル接合859■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンを用いたチューナブル光薄膜フィルタの熱的光学的特性857■■■■■■■■■■■■■■■
スパッター蒸着Crハードマスクを用いた深化溶融石英ウェットエッチング857■■■■■■■■■■■■■■■
Alマスクの表面酸化を用いたシリカのエッチング856■■■■■■■■■■■■■■
金属ナノ粒子および合金ナノ粒子ペーストによる微細回路形成855■■■■■■■■■■■■■
CNT-メンブレン作製法B854■■■■■■■■■■■■
CNTプローブの疎水性と安定性の関係854■■■■■■■■■■■■
MEMSを用いたマイクロ熱交換器854■■■■■■■■■■■■
国際標準化 ナノテクで主導権確保へ854■■■■■■■■■■■■
Deep-RIEと結晶異方性エッチングの組み合わせによるナノピンセット先端構造のセルフアライメント製作法853■■■■■■■■■■■
RF_IC用フェライト薄膜オンチップ集積インダクター853■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長1450nm、パルス幅〜100fs)853■■■■■■■■■■■
チップ接合において自己組立技術が有効である条件853■■■■■■■■■■■
生体模倣ポリマーによる表面処理852■■■■■■■■■■
静電櫛歯駆動方式のXYステージ851■■■■■■■■
DMAナノピンセット開発851■■■■■■■■
MEMS-IC縦方向集積のためのバンプなし接合851■■■■■■■■
表面活性化:従来ウェハ接合法との比較850■■■■■■■■
Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性(パルス幅〜100ns)850■■■■■■■■
フォトカソードをベースにしたCNT850■■■■■■■■
Si表面のナノ周期構造形成849■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
広開口・狭開口パターンを同時にDRIE849■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化接合とTSVを用いた3D-ウエハレベルパッケージング849■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
A_study_on_resonant_frequency_and_Q_factor_tunings_for_MEMS_vibratory_gyroscopes849■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
DRIEによる位置合せ機構付シリコンシャドウマスク(ドーナツ形状可能)848■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法における充填金属の密着性向上に向けた検討848■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
狭ギャップアンダーフィル技術848■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ラメラー格子型面外マイクロジャイロスコープ848■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長532nm)847■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Deep-RIEと埋め込みによる高速化対応シリコン貫通配線847■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTとMEMS、SOI_CMOSによる新しいガスセンサ845■■■■■■■■■■■■■■■■■
バンプレスインタコネクト845■■■■■■■■■■■■■■■■■
受動コンタクト・能動乖離型スイッチ845■■■■■■■■■■■■■■■■■
無電解Ni-Bめっきによるフェースダウンチップ接続845■■■■■■■■■■■■■■■■■
親水性SU-8を用いた接着技術845■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siの微細トレンチ形成技術844■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSカンチレバーを用いた細胞の力計測844■■■■■■■■■■■■■■■■
薄膜SU-8MEMS上のワイヤボンディングの特性解析及び最適化844■■■■■■■■■■■■■■■■
表面溝加工による多層試料の割断843■■■■■■■■■■■■■■■
もっと“広がりのある”MEMS技術を843■■■■■■■■■■■■■■■
ディスプレイ、内臓プロジェクターでみんなが楽しむ機器へ843■■■■■■■■■■■■■■■
Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性(パルス幅〜50ns)842■■■■■■■■■■■■■■
ナノメータの分解能を持った長いストロークの位置決め用磁歪小型アクチュエータ842■■■■■■■■■■■■■■
フェリチン内包鉄コアマスクと中性粒子ビームエッチングを用いたナノスケール加工技術842■■■■■■■■■■■■■■
エアアイソレートされた貫通配線841■■■■■■■■■■■■
ポリマー・パラフィン・マイクロアクチュエータ841■■■■■■■■■■■■
血液1滴で病気自動診断;東芝が遺伝子検査装置,小型化,時間も短縮841■■■■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術5-XRDによる配向特性841■■■■■■■■■■■■
In-Au薄膜によるマイクロ接合841■■■■■■■■■■■■
Development_and_Characterization_of_Surface_Micromachined,_Out-of-Plane_Hot-Wire_Anemometer840■■■■■■■■■■■■
シリコンの自己調心形塑性変形を用いた微細加工のねじりアクチュエータ840■■■■■■■■■■■■
ボンディングしたワイヤーを犠牲層にしたニードル作成839■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロメカニカル共鳴静電界センサの設計と試験839■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
0.35umCMOS上でのニッケル製共振器の作製839■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
DRIEと酸化を用いたマイクロオプティカルレンズの新しい形成方法839■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
液滴の表面張力を用いたマイクロモーター839■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
無電解Ni-Bめっきによる電極間接続技術839■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラスチップサイズプラズマ源の低パワー封入838■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
チャンネルと貯蔵部を形成したエジェクタアレイを覆う被膜の移動と貼り付け技術838■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
有機フィルム・シートのGHz帯誘電特性評価技術837■■■■■■■■■■■■■■■■■■
流体を用いた変位増幅型マイクロバルブ837■■■■■■■■■■■■■■■■■■
内部加工されたSiウェハ割断に要する曲げ応力のレーザー走査速度依存性(パルス幅10ns)835■■■■■■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法における貫通孔と閉塞孔の違い835■■■■■■■■■■■■■■■■
脂肪族ポリイミドへの電子線照射による吸収と屈折率変化835■■■■■■■■■■■■■■■■
モノリシック薄膜カプセル化技術835■■■■■■■■■■■■■■■■
電解質溶液を利用した流体型触覚センサ835■■■■■■■■■■■■■■■■
1.1GHz基本モードのピエゾ抵抗型SiMEMSレゾネータ835■■■■■■■■■■■■■■■■
2次元フォトニック結晶を用いた圧力センサ834■■■■■■■■■■■■■■■
Robust_latching_MEMS_translation_stages_for_micro-optical_systems834■■■■■■■■■■■■■■■
Deep_RIEのプラズマ不均一がエッチング垂直性に及ぼす影響833■■■■■■■■■■■■■■
「Foturan_TM」光電性ガラスの集束イオンビーム微細加工833■■■■■■■■■■■■■■
ハイブリッドSiエバネセント・レーザーの接合プロセス833■■■■■■■■■■■■■■
Au薄膜を用いた毛管力に起因するスティクション防止832■■■■■■■■■■■■■
CNTを用いたCNTウエハー832■■■■■■■■■■■■■
CNTs-合成時の触媒依存性831■■■■■■■■■■■
接着剤注入技術830■■■■■■■■■■■
段差櫛歯電極を用いた3軸加速度センサ830■■■■■■■■■■■
柔軟性を維持したPDMSのシーリング方法に関する研究829■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
パリレンCのプラズマによる除去829■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
低抵抗Si貫通ビア基板828■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNT-高周波振動子828■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長1600nm、パルス幅〜100fs)827■■■■■■■■■■■■■■■■■
スティクション障害カンチレバーの応力波修理の破壊力学の解説:理論と実験827■■■■■■■■■■■■■■■■■
ドープした水素化非晶質およびナノ結晶のシリコン薄膜静電マイクロ共鳴体827■■■■■■■■■■■■■■■■■
異種材料ウエハ融着:3次元フォトニック結晶への発光体の導入827■■■■■■■■■■■■■■■■■
蛋白質チップ827■■■■■■■■■■■■■■■■■
接合前ウエハアライメント精度:Smart_View_(Face_to_Face)アライメント826■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ流路中に機能性粒子を固定する方法826■■■■■■■■■■■■■■■■
0.18μm商用CMOS技術によるHFおよびVHFナノ共振器826■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-合成技術826■■■■■■■■■■■■■■■■
CNT/ナノ微粒子ハイブリッドの作製825■■■■■■■■■■■■■■■
Cu配線上の無電解Auめっきバンプ形成技術825■■■■■■■■■■■■■■■
ナノインプリンティングを用いたポリイミド膜上に作製したナノ構造825■■■■■■■■■■■■■■■
低電圧、大変位、大出力シャクトリムシ型アクチュエータ825■■■■■■■■■■■■■■■
保護ダイオード挿入による陽極接合時のMOSFET特性劣化防止825■■■■■■■■■■■■■■■
広角光スキャナー825■■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化接合を用いたMEMS高気密ウエハレベルパッケージ825■■■■■■■■■■■■■■■
ガラスの内部クロス加工による割断824■■■■■■■■■■■■■■
フラーレンとペンタセンによるCMOSインバータ824■■■■■■■■■■■■■■
フッ化水素ガス処理によるシリコン窒化膜の反応特性823■■■■■■■■■■■■■
Company's_Report_MEMS_;_Micralyne_Polymer_MEMS_&_Polymer_Microfluidics823■■■■■■■■■■■■■
CuコートSiO2表面に形成されるナノ周期構造823■■■■■■■■■■■■■
セルラーオートマトンを用いたSi異方性エッチングシミュレーション822■■■■■■■■■■■■
銀ナノ粒子を含むマイクロTASの製作822■■■■■■■■■■■■
エレクトロウエッティングを用いた毛管力マイクログリッパー821■■■■■■■■■■
マイクロチップ内界面重合820■■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術9-ヒーター応用820■■■■■■■■■■
He_bombing法によるシリコンRF-MEMSパッケージの気密性試験820■■■■■■■■■■
PDMSを用いたマイクロ流体バルブ820■■■■■■■■■■
チップのロボットシステムによる組立819■■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノチューブへのエキシマレーザーの照射による電界放出改善819■■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ流体環境下におけるMEMSの付着特性819■■■■■■■■■■■■■■■■■
単結晶内に埋め込まれた水平孔の形成819■■■■■■■■■■■■■■■■■
レーザーによるガラスチップの切り出し818■■■■■■■■■■■■■■■■
スプレー塗布中の平坦化:数値的研究817■■■■■■■■■■■■■■■
反応現像画像形成(RDP)法による感光性ポリイミドのパターニング817■■■■■■■■■■■■■■■
微小粒子の圧縮特性評価817■■■■■■■■■■■■■■■
表面処理:親/疎水性処理による付着力の影響816■■■■■■■■■■■■■■
Silicon_Wet_Etch_Anisotropy:_Analysis_of_the_Impact_of_{111}-,{110}-,[100]-,Terrace_Widths816■■■■■■■■■■■■■■
Si表面のナノ周期構造(軸対称偏光ビーム照射)816■■■■■■■■■■■■■■
エレクトロウェッティングを利用した液体金属スイッチ815■■■■■■■■■■■■■
ボンディングツールのボンディング精度への影響815■■■■■■■■■■■■■
冗長性RF_MEMS多ポートスイッチおよびスイッチマトリクス815■■■■■■■■■■■■■
水素拡散による振動子のウエハレベル真空パッケージング815■■■■■■■■■■■■■
複合型銀ナノ粒子を用いた接合技術815■■■■■■■■■■■■■
SU-8を用いた低温キャップ形成815■■■■■■■■■■■■■
静電容量型超音波センサとその応用815■■■■■■■■■■■■■
X線リソグラフィによるPTFE加工技術813■■■■■■■■■■■
プレス加工による一体成型加工812■■■■■■■■■■
過酸化水素測定蛍光試薬812■■■■■■■■■■
電気浸透流による表面修飾パターン評価811■■■■■■■■
マイクロチップ内における血管内皮細胞の培養810■■■■■■■■
SiGeによるCMOS集積化ジャイロ809■■■■■■■■■■■■■■■■■
ネットワーク状のカーボンナノチューブ成長809■■■■■■■■■■■■■■■■■
バクテリアの走化性を用いたマイクロシステム中の撹拌制御809■■■■■■■■■■■■■■■■■
流体抵抗型ベンディングセンサとバルンアクチュエーター809■■■■■■■■■■■■■■■■■
光誘起電子移動による過酸化水素測定試薬808■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-センシングー1808■■■■■■■■■■■■■■■■
SPRを利用した尿中疾病マーカー検出デバイス807■■■■■■■■■■■■■■■
Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性(パルス幅10ns、高エネルギー)807■■■■■■■■■■■■■■■
超高速差動TDT測定技術807■■■■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長400nm)806■■■■■■■■■■■■■■
パイレックスガラスのDRIEによる高密度貫通配線ガラスの作製806■■■■■■■■■■■■■■
Company’s_Report_;_Tecan_leaves_its_imprint_on_the_polymer_MEMS_market806■■■■■■■■■■■■■■
CMOSプロセスで形成したMEMSイヤホン805■■■■■■■■■■■■■
CNT-メンブレンの液体透過特性805■■■■■■■■■■■■■
CNTs-多層カーボンナノチューブ-垂直線-スイッチ805■■■■■■■■■■■■■
ローラー・ナノインプリントリソグラフィ技術805■■■■■■■■■■■■■
二重側壁保護膜を用いたディープRIEによる高アスペクト加工技術805■■■■■■■■■■■■■
小型SPRデバイス805■■■■■■■■■■■■■
自己組織単分子膜と銀鏡反応を用いた銀の選択的パターニング805■■■■■■■■■■■■■
単一金属層のMEMS自己集合性コプラナー構造803■■■■■■■■■■■
ワイヤレス電力転送プラスチックシート803■■■■■■■■■■■
Si表面への突起構造形成(軸対称偏光ビーム照射)801■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長800nm)800■■■■■■■■
VO2のICPエッチング800■■■■■■■■
三鎖構造を有するLB膜味覚センサの検出特性800■■■■■■■■
Fracture_of_Polycrystalline_3C-SiC_Films_in_Microelectromechanical_Systems799■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンマイクロチャンネル内の凝縮熱移動と流れ摩擦798■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン電界電子放出銃先端の劣化のその場観測798■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
バッチトランスファによるMEMS構造体の転写方法797■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ダイヤモンドおよびダイヤモンド様炭素のMEMS796■■■■■■■■■■■■■■■■■
電解質中のイオン挙動を利用した振動センサ796■■■■■■■■■■■■■■■■■
酸化チタンナノ粒子のリフトオフによるパターニング795■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTによる水晶振動子のQ値増加795■■■■■■■■■■■■■■■■
SOIナノデバイスのエッチング795■■■■■■■■■■■■■■■■
XeF2エッチングプロセスによる微小構造リリースにおける、アンカー保護の新手法794■■■■■■■■■■■■■■■
パッケージストレスによる特性変化を考慮に入れた回路設794■■■■■■■■■■■■■■■
複数種類の自己組立による蛍光検出システムの製作794■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-ナノリレー793■■■■■■■■■■■■■■
MEMS部品の選択的転写技術792■■■■■■■■■■■■■
様々な金属触媒によるSWNTの合成792■■■■■■■■■■■■■
拡張ナノ空間の水の物性評価791■■■■■■■■■■■
マルチプローブ化学センサ791■■■■■■■■■■■
ポリシコンヒータやきなましによるリシェイプ技術790■■■■■■■■■■■
マイクロゼオライトカラムによるガス分離790■■■■■■■■■■■
SiC表面マイクロマシニングのためのpoly-SiへのSiC成膜789■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
振動発電による自発型低消費電力マイクロシステム789■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
導電性を有する疎水性自己組織化単分子膜788■■■■■■■■■■■■■■■■■■
接合:弾性変形支配の場合788■■■■■■■■■■■■■■■■■■
多層CNTによる1GHz配線787■■■■■■■■■■■■■■■■■
流路を集積化したパッチクランプチップ787■■■■■■■■■■■■■■■■■
CuコートSiO2表面に形成されるナノ周期構造の照射レーザーフルーエンス依存性787■■■■■■■■■■■■■■■■■
静電トラップによるナノ粒子集積法787■■■■■■■■■■■■■■■■■
界面:信頼性786■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロヒータを用いた水放出用PMMAの熱による切断786■■■■■■■■■■■■■■■■
真空封止:表面粗さ条件785■■■■■■■■■■■■■■■
内部加工されたSiウェハ割断に要する曲げ応力の加工層数依存性(パルス幅10ns)784■■■■■■■■■■■■■■
接合前アライメント精度:直接(透過式)アライメント784■■■■■■■■■■■■■■
網膜走査ディスプレイ、ブラザーが製品化へ783■■■■■■■■■■■■■
11-MUA/カリックス(6)アレーン二分子層を用いたバイオ化学検出システム783■■■■■■■■■■■■■
1チップでDNA検出、奈良先端大、LSIセンサー開発、大型の光学機器不要に783■■■■■■■■■■■■■
RFCMOSMEMS基板をプリント基板へ転写783■■■■■■■■■■■■■
タンパク質中のリン酸基を選択的に検出する分子プローブ783■■■■■■■■■■■■■
デンソーが自動車MEMSを展望783■■■■■■■■■■■■■
マイクロスケールの自己組立て783■■■■■■■■■■■■■
タンパク質-タンパク質間相互作用解析(Ec_DOSの測定)782■■■■■■■■■■■■
圧電アクチュエータによるミラーの変形782■■■■■■■■■■■■
曲げても平気な太陽電池782■■■■■■■■■■■■
ナノ磁気アクチュエータ781■■■■■■■■■■
マイクロ流体システムにおけるカルシウムアルギン酸マイクロカプセルの発生781■■■■■■■■■■
CNT-メンブレン作製法A781■■■■■■■■■■
CNT-薄膜ーメモリー1781■■■■■■■■■■
CNTs-高収率二層カーボンナノチューブ781■■■■■■■■■■
分割した平板の同調できる線形MEMSキャパシタの開発780■■■■■■■■■■
分子の選択的な直接搬送デバイス780■■■■■■■■■■
小型光学式粘度センサ780■■■■■■■■■■
超高速TDR測定技術の応用780■■■■■■■■■■
ナノインプリント用、HOYA、金型開発に本腰、今後の微細化、材料など最適化780■■■■■■■■■■
ナノテク医薬品に応用;患部に薬剤を集中投与,東大・京大や製薬会社など,数年後メド臨床試験780■■■■■■■■■■
多層集積したウエハの評価方法について:超音波および赤外線による評価の比較779■■■■■■■■■■■■■■■■■■
高速信号対応微細配線インターポーザ779■■■■■■■■■■■■■■■■■■
試料内部でのレーザー光の集光779■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CMOSプロセスを用いたMEMS形成方法の種類778■■■■■■■■■■■■■■■■■
液体FBARセンサの温度補正778■■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノインデンテーションにより形成した異方性導電ナノワイヤーの機械特性計測777■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロウェーブ加熱による金ナノ粒子作製手法777■■■■■■■■■■■■■■■■
ミクロン分離デバイスの電気的ブレイクダウン現象777■■■■■■■■■■■■■■■■
埋め込みCu配線による機械ストレス評価775■■■■■■■■■■■■■■
走査型プローブナノリソグラフィ(SAMを用いたポジ型SPNL)775■■■■■■■■■■■■■■
集積化ヒータを用いたファインジェット775■■■■■■■■■■■■■■
Pulsed-Laser_Annealing,a_Low-Thermal-Budget_Technique_for_Eliminating_Stress_Gradient_in_Poly-SiGe_MEMS_Structures775■■■■■■■■■■■■■■
BCB材料のプロセス条件774■■■■■■■■■■■■■
原子レベルの位置測定センサー開発(日立製作所)774■■■■■■■■■■■■■
大サイズの樹脂二重膜を効率作成774■■■■■■■■■■■■■
バルクCMOSプロセスによるRF_MEMS共振器の集積化774■■■■■■■■■■■■■
パリレンの低温高アスペクト比アッシング773■■■■■■■■■■■■
PDMSをベースとした熱マイクロアクチュエータの実現性の研究773■■■■■■■■■■■■
フィルタSPRチップ772■■■■■■■■■■■
XeF2エッチングにおけるマスク材の紫外線を用いた選択性制御技術771■■■■■■■■■
圧電薄膜を用いた加速度センサアレイ771■■■■■■■■■
ワイヤー巻きつけによるマイクロねじ作成770■■■■■■■■■
1チップ上に集積した完全3次元の音の強さセンサ770■■■■■■■■■
ポリ(PET)マイクロ流体チップの熱間エンボス加工・接着769■■■■■■■■■■■■■■■■
センサ・アクチュエータ集積型AFM用カンチレバー768■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術768■■■■■■■■■■■■■■■
CNTスーパーグロース法-水分添加による触媒賦活効果-767■■■■■■■■■■■■■■
Siナノ構造を有する共振器デバイスの開発767■■■■■■■■■■■■■■
有機メモリーを用いた情報伝達シート767■■■■■■■■■■■■■■
水素ラジカルクリーニングによる異種III-V族化合物半導体のウェハ接合767■■■■■■■■■■■■■■
解説 触覚ディスプレイ装置におけるアクチュエータ技術767■■■■■■■■■■■■■■
MEMSスイッチの接点材料選択-3766■■■■■■■■■■■■■
大きなたわみを発生するMEMS_PZT円形薄膜アクチュエータの設計766■■■■■■■■■■■■■
表面活性化接合を用いたMEMS低応力ウエハレベルパッケージ765■■■■■■■■■■■■
アクチュエータアレイとセンサアレイの2チップ積層集積搬送システム765■■■■■■■■■■■■
A_Sweeping_Mode_Integrated_Fingerprint_Sensor_With_256_Tactile_Microbeams765■■■■■■■■■■■■
CMOS技術におけるオンチップインダクタの相互カップリング765■■■■■■■■■■■■
MEMSスイッチを利用したディスプレイ回路765■■■■■■■■■■■■
GaAs_(110)基板上で垂直に立つGeナノ細線764■■■■■■■■■■■
大きく前進する極限計測764■■■■■■■■■■■
極薄カンチレバー作製法764■■■■■■■■■■■
多様な加工を安価に提供するMEMSファウンドリ・サービス763■■■■■■■■■■
微細構造体上へのCNTウエハー形成763■■■■■■■■■■
Biomimetic_strain-sensing_microstructure_for_improved_strain_sensor:_fabrication_results_and_optical_characterization763■■■■■■■■■■
ZnO利用LBAR_RESONATOR763■■■■■■■■■■
ガラス球構造の作成763■■■■■■■■■■
パイレックス基板へのクランク形状貫通孔の作製762■■■■■■■■■
燃料電池用水ポンプ、傾けてもこぼれず、ナノフュージョン、サムスンと開発762■■■■■■■■■
自律駆動型微小センサーを用いたイムノアッセイ法762■■■■■■■■■
酸化物アシストSiナノワイヤ成長法762■■■■■■■■■
2値型バリキャップの集積761■■■■■■■
ナノ粒子分散ポリマーをマスク材としたパウダーブラスト加工技術761■■■■■■■
MEMS可変キャビティーによる面発光レーザーの単一モード発振・波長チューニング761■■■■■■■
過酸化脂質のための蛍光イメージング分析試薬760■■■■■■■
高感度表面変位検出オプトメカニカルプローブ760■■■■■■■
エレクトロウェッティングで動作するマイクロ井戸アレイ760■■■■■■■
シリコン酸化膜のナノテクスチャ加工によるEWODの低電圧化_-_特性760■■■■■■■
デジタルホログラフィー顕微鏡によるマイクロヒータの非破壊動的評価760■■■■■■■
キャビティ構造を持つコイルの作製方法757■■■■■■■■■■■■■■
Fabrication_Process_of_Microsurgical_Tools_for_Single-Cell_Trapping_and_Intracytoplasmic_Injection757■■■■■■■■■■■■■■
Microfluidic_Electrodischarge_Devices_With_Integrated_Dispersion_Optics_for_Spectral_Analysis_of_Water_Impurities757■■■■■■■■■■■■■■
ナノ構造を用いた高出力発光ダイオードの作製756■■■■■■■■■■■■■
ZnOナノワイアを用いた酸素センサ755■■■■■■■■■■■■
ナノリッターウエル内の蒸着可能な液滴の均一な溶質蒸着755■■■■■■■■■■■■
バイオ化学試料分析に使われる一体型圧電マイクロ噴霧器の作製755■■■■■■■■■■■■
フレキシブルなサーモパイル発電器の製造、マイクロ製造技術755■■■■■■■■■■■■
3次元配線形成における配線抵抗755■■■■■■■■■■■■
電源供給配線のインピーダンス測定技術755■■■■■■■■■■■■
リコンフィギュアラブルICに向けたCMOSMEMSプローブの作製754■■■■■■■■■■■
リップルを用いた残留応力測定754■■■■■■■■■■■
フリップ−チップ光MEMSに用いるポリイミド・スペーサー753■■■■■■■■■■
CMOS-MEMS集積化3軸加速度センサの作製753■■■■■■■■■■
表面活性化:Arプラズマ活性化を用いたサブミクロンAuパターン接合752■■■■■■■■■
ウェハレベルパッケージングの概念に基づく高周波クロストーク抑制752■■■■■■■■■
バイオMEMSに適用するためのSU-8の表面グラフト重合化752■■■■■■■■■
ナノホットフィルムとCNTを用いた走査型熱顕微鏡751■■■■■■■
多層ウェハのレーザーダイシング例4(Siのみ加工/100ns)751■■■■■■■
蜘蛛の糸による梁状構造の強度750■■■■■■■
AFM利用の横方向フォースセンサー750■■■■■■■
量子ドットを用いたタンパク質検出法750■■■■■■■
An_Electrostatic,On/Off_Microvalve_Designed_for_Gas_Fuel_Delivery_for_the_MIT_Microengine749■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
液液界面でのCNT/金属ナノ微粒子コンポジットフィルムの作製749■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性(パルス幅〜200ns)749■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
サブミクロンギャップピラーによる液体クロマトグラフィデバイスの特性測定749■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
リボンアクチュエータ制御マイクロミラー749■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
【0105−072】ポリマーマイクロ流体デバイスのマイクロ波溶接748■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノテクが生んだ光干渉ディスプレー748■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロコリオリ質量流量センサ748■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-放電特性748■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマによるSU-8の変性を用いた3次元自己組立747■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ワイヤレス集積化MEMS747■■■■■■■■■■■■■■■■■■
酸化還元による高分子導電性ポリマーの濡れ性制御747■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTウエハーによる3次元配線746■■■■■■■■■■■■■■■■■
エネルギー回収用のマイクロファイバー.ナノワイヤー.ハイブリッド構造.746■■■■■■■■■■■■■■■■■
Rf-MEMS向けインラインウエハレベルパッケージング技術746■■■■■■■■■■■■■■■■■
高速AFM用アクチュエータ集積カンチレバー745■■■■■■■■■■■■■■■■
生分解性材料を用いた医療用マイクロランセットの加工技術745■■■■■■■■■■■■■■■■
X線傾斜露光法によるPMMA3次元加工技術744■■■■■■■■■■■■■■■
単一MWNTの熱物性値の測定とその伝熱機構の考察743■■■■■■■■■■■■■■
液晶をマスクに使い、配向制御による立体形状露光743■■■■■■■■■■■■■■
表面マイクロ構造による液滴駆動743■■■■■■■■■■■■■■
CNTロープの作成法743■■■■■■■■■■■■■■
CNT-光伝導度743■■■■■■■■■■■■■■
ガラス内部クラック形状のレーザー波長依存性742■■■■■■■■■■■■■
パリレンナノ転写法741■■■■■■■■■■■
マイクロゴーレイセルアレイ赤外線センサ741■■■■■■■■■■■
マイクロチャネルエピタキシーによるヘテロエピタキシャル層の転位低減741■■■■■■■■■■■
MEMSスイッチのプルイン現象研究のための汎用微分求積法の応用740■■■■■■■■■■■
分子の向き制御;東大,特殊な光活用,高速通信向け期待740■■■■■■■■■■■
2方向斜めエッチングによる3次元フォトニック結晶の作製方法740■■■■■■■■■■■
CNTs-スーパーグロース法1739■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Characterization_of_Surface_Micromachined_Metallic_Microneedles739■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SiNのゲートを用いたCNTのアレイ739■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エンボス法による低温焼成セラミクス微細3次元構造物739■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
自己修復機能をもつ熱可逆ゴム739■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
水に浮かんだ撥水性材料に泡が付着するとどうなるか738■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ポリマーチューブへの集積化738■■■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロコンタクト時の材料特性評価738■■■■■■■■■■■■■■■■■■
コンポジットを用いたTSV技術737■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンの鏡面化技術737■■■■■■■■■■■■■■■■■
フラクタル表面パターン付きジグザグの受動マイクロミキサ737■■■■■■■■■■■■■■■■■
Design_of_Microresonators_Under_Uncertainty737■■■■■■■■■■■■■■■■■
電気的測長手法でジュール熱の影響を排除737■■■■■■■■■■■■■■■■■
光発電による静電アクチュエーターの直接駆動737■■■■■■■■■■■■■■■■■
実装:超音波ワイヤボンディングの実装精度737■■■■■■■■■■■■■■■■■
光電子ピンセット(OET:_optoelectronic_tweezer)を用いた組立736■■■■■■■■■■■■■■■■
解説 ゲルアクチュエータ736■■■■■■■■■■■■■■■■
チョッピング法を用いたエッチング側面保護技術735■■■■■■■■■■■■■■■
単一室マイクロ固体電解質型燃料電池(SC-μSOFCs_)の直描マイクロ加工735■■■■■■■■■■■■■■■
架橋構造SWNTのTEM観察734■■■■■■■■■■■■■■
電気泳動によるCNT選択領域析出技術とFEDへの応用734■■■■■■■■■■■■■■
走査プローブ顕微鏡探針尖端への単一CNF直接合成734■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブを用いた真空センサ734■■■■■■■■■■■■■■
ポリスチレン微粒子を用いたナノ金ディスクの作製(LSPR基板)733■■■■■■■■■■■■■
CNT-メンブレンのガス選択性733■■■■■■■■■■■■■
エレクトロマイグレーションによるナノインプリントパターンの破断を用いたナノギャップ作成法732■■■■■■■■■■■■
スマートカット技術による単結晶6H-SiC_MEMSの製造730■■■■■■■■■■
MEMSの振動利用、細胞内に微粒子導入、東芝が操作技術を開発730■■■■■■■■■■
MEMSスイッチを用いたディスプレイ730■■■■■■■■■■
Modeling_in-plane_misalignments_in_lateral_combdrive_transducers729■■■■■■■■■■■■■■■■■■
キネシンを用いた一方向マイクロ物体輸送729■■■■■■■■■■■■■■■■■■
液中自己組立における液流によるアジテーション729■■■■■■■■■■■■■■■■■■
弾性表面波素子を用いた匂い提示装置の開発728■■■■■■■■■■■■■■■■■
低応力フリップチップ実装法728■■■■■■■■■■■■■■■■■
PECVD_SiCで覆った圧力センサの研究728■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMS圧力センサの熱ヒステリシス解析727■■■■■■■■■■■■■■■■
TFTトランジスタのプラスチックへの転写727■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)の低温・高速成長726■■■■■■■■■■■■■■■
キャップ無し中空のポリマー製マイクロ構造体の電気的形成726■■■■■■■■■■■■■■■
低動作電圧で高信頼性を持ったRF-MEMSスイッチ726■■■■■■■■■■■■■■■
キネシン微小管を利用した構造物の一方向搬送725■■■■■■■■■■■■■■
コラーゲン粉末によるPDMS透過性制御725■■■■■■■■■■■■■■
レーザーリフローによる真空パッケージング725■■■■■■■■■■■■■■
Design_of_a_Temperature-Stable_RF_MEM_Capacitor725■■■■■■■■■■■■■■
ローダミンBを用いたマイクロチップ上局所温度分布計測法724■■■■■■■■■■■■■
ガラスフリット接合プロセスのアライメント精度への影響(接合前アライメントより)723■■■■■■■■■■■■
CNTs_トランスデューサー1723■■■■■■■■■■■■
Si表面の再結晶化:波長依存性722■■■■■■■■■■■
ストレプトアビジン-ビオチンタンパク質複合体検出バイオセンサ721■■■■■■■■■
A_novel_2D_dynamic_cellular_automata_model_for_photoresist_etching_process_simulation721■■■■■■■■■
MEMS可変キャパシタを用いた可変バンドパスフィルタ721■■■■■■■■■
ダブルサイド加工プロセス720■■■■■■■■■
ポリマーMEMS構造体の自己整合用のリソグラフィック応力制御720■■■■■■■■■
SAWデバイスの波数領域解析719■■■■■■■■■■■■■■■■
金ナノ粒子によるSPR信号増強719■■■■■■■■■■■■■■■■
通常環境下におけるMEMSパッケージング技術718■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ容量性傾斜センサの開発718■■■■■■■■■■■■■■■
自己組立プロセスの化学反応へのアナロジー718■■■■■■■■■■■■■■■
表面張力を用いたマイクロインジェクタ718■■■■■■■■■■■■■■■
CNT―高い周波数-スイッチ-2718■■■■■■■■■■■■■■■
CNTを用いたCNTウエハー作製技術718■■■■■■■■■■■■■■■
Computational_Study_of_Band-Crossing_Reactions718■■■■■■■■■■■■■■■
高スループットナノインプリントのための自己組織化テンプレート717■■■■■■■■■■■■■■
ホットエンボスを用いたナノスケール加工技術716■■■■■■■■■■■■■
マイクロ3次元構造体の加工と今後の展開716■■■■■■■■■■■■■
手のひらに載る韓国製プロジェクターを発売(アドテック、ユニードエレクトロ)716■■■■■■■■■■■■■
薬剤経皮投与のためのマイクロニードル作製技術716■■■■■■■■■■■■■
変化する表面のシミュレーションの原子論的方法715■■■■■■■■■■■■
1円玉より小さく、ニッタ・ムアー、圧電ポンプ発売715■■■■■■■■■■■■
ウェハ・レベルのCMOS互換チップ移植方法715■■■■■■■■■■■■
マイクロ流のモデル予測流体力学的調整715■■■■■■■■■■■■
酸素プラズマで活性化したSU-8の親水性挙動の安定性714■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージされた金属酸化物型ガスセンサ713■■■■■■■■■■
Microbridge_Testing_on_Symmetrical_Trilayer_Films713■■■■■■■■■■
0.35μmプロセスのCMOS上に作製したカンチレバーによる質量計712■■■■■■■■■
DNAの階層的自己組織化を用いた多面体の形成712■■■■■■■■■
銀ナノ粒子および電極構造を含むmicroTAS作成方法712■■■■■■■■■
弾性体を用いた変位増幅型マイクロバルブ712■■■■■■■■■
秩序化したSiナノワイヤアレイの作製方法712■■■■■■■■■
バクテリアの鞭毛による流れの創出712■■■■■■■■■
イオン流体のジュール加熱によるマイクロ流路内の温度の高精度制御711■■■■■■■
ブロック共重合体の自己組織化を利用した電子線描画パタンの高密度化プロセス711■■■■■■■
MEMSを用いた浮遊チューブを用いた微小化学反応炉711■■■■■■■
自己組立における触媒効果711■■■■■■■
神経細胞を利用した情報処理デバイス710■■■■■■■
金属CNTの選択的除去708■■■■■■■■■■■■■■■
A_barrier_embedded_chaotic_micromixer708■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-ピンセット707■■■■■■■■■■■■■■
宇宙用RFMEMSスイッチ707■■■■■■■■■■■■■■
薬分子の電気的注入のためのナノポーラスデバイス707■■■■■■■■■■■■■■
酸化絶縁膜の微細トレンチ形成技術707■■■■■■■■■■■■■■
A_barrier_embedded_Kenics_micromixer706■■■■■■■■■■■■■
Si基板トレンチを利用したメッキモールドによる集積型インダクターの開発706■■■■■■■■■■■■■
くし歯動作アクチュエータを用いた変位測定デバイス706■■■■■■■■■■■■■
印刷法によるプラスチックMEMSと有機FETを用いた大面積フレキシブル電送シート706■■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術8705■■■■■■■■■■■■
静電容量を介したプルイン、プルアウト電圧の測定法によるRFスイッチの長期安定性測定705■■■■■■■■■■■■
Siの内部加工クラック形状のエネルギー依存性705■■■■■■■■■■■■
透明で柔らかいカーボンナノチューブトランジスタ704■■■■■■■■■■■
分散した銀ナノ粒子による蛍光増強効果703■■■■■■■■■■
MEMSスイッチの接点材料選択-1703■■■■■■■■■■
SOIウェーハの直接接合を用いた三次元集積化703■■■■■■■■■■
ホットエンボッシングによるマイクロポリマーアクチュエータの製作703■■■■■■■■■■
バイオセンサー微量試料検知、東工大、測定対象物の容量下限、50ナノリットル702■■■■■■■■■
刺激応答性ヒドロゲルによって駆動される適応型液体マイクロレンズ702■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術3702■■■■■■■■■
MEMSが導く新世代携帯電話機、感覚や立体映像を通信可能に702■■■■■■■■■
Reinforcement_of_PDMS_masters_using_SU-8_truss_structures701■■■■■■■
シリコンエッチングのアンダーカットの電気的測定例700■■■■■■■
マイクロチップ電気泳動を利用したタンパク質の分離法700■■■■■■■
傾斜させた試料に対する露光技術と独特な三次元構造体の作製700■■■■■■■
CNTウエハーを用いたCNTマイクロ構造体の作製699■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長355nm)699■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノメタル配線の形成方法699■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロバルンアクチュエーター698■■■■■■■■■■■■■■■■■■
厚膜抵抗体のモデル化した圧電抵抗特性用ゲージ係数の評価698■■■■■■■■■■■■■■■■■■
金微粒子の酸化触媒効果698■■■■■■■■■■■■■■■■■■
陽極接合の低温化(ガラス電極接触膜の影響)698■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Rapid_deep_micromachining_of_polytetrafluoethylene_by_MeV_ion_bombardment_in_oxygen-rich_atmospheres698■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SOIウェハを用いた基板シリコン除去による薄膜シリコンデバイス作成法697■■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノ粒子操作に用いる光動作AC電気浸透697■■■■■■■■■■■■■■■■■
DRIEと酸化によるマイクロレンズアレイ形成方法696■■■■■■■■■■■■■■■■
LIGA-likeプロセスによる導波路型光デバイスの電鋳型形成技術696■■■■■■■■■■■■■■■■
鉛フリーハンダ:表面696■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs ベアリング-1695■■■■■■■■■■■■■■■
CMOSプロセスによるシリコンナノワイヤアレイの作製695■■■■■■■■■■■■■■■
MST/MEMS_FOR_SAFETY_AND_SECURITY_VDI|VDE|IT_;_Safety_and_Security_for_Vehicles694■■■■■■■■■■■■■■
キャピラリーアセンブルド・マイクロチップ694■■■■■■■■■■■■■■
ミクロンスケール構造体の選択的磁気誘導加熱694■■■■■■■■■■■■■■
レーザーによるガラス表面近傍の内部加工3694■■■■■■■■■■■■■■
レール形状および流体力によるチップの自己組織化694■■■■■■■■■■■■■■
内部加工されたSiウェハ割断のレーザー走査速度依存性694■■■■■■■■■■■■■■
双方向環状熱アクチュエータの開発694■■■■■■■■■■■■■■
圧電式微小共振器のパラメーター特定693■■■■■■■■■■■■■
補正マスクによるSi表面3次元加工技術693■■■■■■■■■■■■■
PDMSとガラスを用いたマイクロリアクターと温度制御デバイス693■■■■■■■■■■■■■
An_alternatively_efficient_method_(DBEM)_for_simulating_the_electrostatic_field_and_levitating_force_of_a_MEMS_combdrive692■■■■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術3-ラマン特性692■■■■■■■■■■■■
ナノ・ハニカム構造の機械的特性の気孔率への依存性692■■■■■■■■■■■■
マイクロ流路内における細胞スケールでの流体ダイナミクスのための高速圧力計測690■■■■■■■■■■
Business;MEMS_become_giants_in_acoustics690■■■■■■■■■■
CNT-フィルター特性1690■■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術11-導電特性690■■■■■■■■■■
内部加工されたガラスウェハ割断に要する曲げ応力の加工層数依存性(パルス幅10ns)690■■■■■■■■■■
高レート・高均一なMEMS用及びWLP用DRIE690■■■■■■■■■■
解説 静電アクチュエータ689■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Electroplated_Metal_Microstructures_Embedded_in_Fusion-Bonded_Silicon:_Conductors_and_Magnetic_Materials689■■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMS_beams_with_defects:_a_model_of_non-ideal_rods_using_a_Cosserat_approach_for_component_level_modelling689■■■■■■■■■■■■■■■■■■
PDMS_3次元構造体中に形成した分流と再合流するマイクロミキサ689■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Si内部でのレーザー光の集光689■■■■■■■■■■■■■■■■■■
多孔質アルミナ膜による低温での真空パッケージ688■■■■■■■■■■■■■■■■■
半導体素子Al電極への高速Au線熱圧着687■■■■■■■■■■■■■■■■
M_APPLICATIONS_IN_INTELLIGENT_AUTOMOBILES_Microsystems-where_are_we_heading?687■■■■■■■■■■■■■■■■
UVナノインプリント法を用いた貫通電極形成方法687■■■■■■■■■■■■■■■■
トラッピングと最適多重選別に応用するプログラム可能なバイオチップ687■■■■■■■■■■■■■■■■
フッ素化ポリイミド光導波路の形成技術687■■■■■■■■■■■■■■■■
レーザーによるガラス表面近傍の内部加工687■■■■■■■■■■■■■■■■
双音叉型(DETF)共振器を用いた力センサ686■■■■■■■■■■■■■■■
ペンタセントランジスタによる有機LED点灯制御回路685■■■■■■■■■■■■■■
CMOSストレスセンサーによるポインティングデバイス685■■■■■■■■■■■■■■
CNT-bridging_CNT685■■■■■■■■■■■■■■
A_planar_on-chip_micro-nib_interface_for_NanoESI-MS_microfluidic_applications683■■■■■■■■■■■■
CNT-振動子の機械的検出による振動の可視化683■■■■■■■■■■■■
バブル駆動式アクチュエータによる触覚ディスプレイ683■■■■■■■■■■■■
マイクロ流体デバイスに用いるPDMS-PDMSの最適な結合技術683■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブの森の作成方法682■■■■■■■■■■■
化学反応30倍速、大阪府立大、髪の毛並み微小チューブ使用682■■■■■■■■■■■
GaAsのEpi_Film_Bonding技術682■■■■■■■■■■■
MEMS向け高電圧GaAs太陽電池682■■■■■■■■■■■
CNTウエハーによるCNTリレー構造681■■■■■■■■■
シリコン基板と単一マスクによるMEMS構造のリリース681■■■■■■■■■
ポリマーMEMSにおけるstiction_valve製作の為の液体封入方法681■■■■■■■■■
輪郭描画法による大小開口の同時作製681■■■■■■■■■
透過型視線検出デバイス680■■■■■■■■■
ゼオライト含有カンチレバーによる化学物質の選択検出680■■■■■■■■■
人工筋肉を用いた伸び縮みする回折格子680■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術8-固体化後のCNT680■■■■■■■■■
MEMS対向探針による金ナノコンタクト接近-衝突-引張-破断実験のHRTEM観察680■■■■■■■■■
CSP構造で低損失な有接点RF_MEMSスイッチ679■■■■■■■■■■■■■■■■■
ハーメチック、ファインビアガラス基板―MEMSの新パッケージ679■■■■■■■■■■■■■■■■■
レーザー内部加工による圧力センサーチップの割断679■■■■■■■■■■■■■■■■■
金薄膜を介在層に用いたPZTバルクセラミックスと単結晶シリコンウエハの接合技術679■■■■■■■■■■■■■■■■■
誘電体を核とする厚膜配線を用いたスパイラルインダクタ679■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:窒化ガリウムと異種材料の低温接合679■■■■■■■■■■■■■■■■■
チューナブル赤外線センサ678■■■■■■■■■■■■■■■■
レーザーによるSi表面近傍の内部加工678■■■■■■■■■■■■■■■■
AFMによるマイクロ・空洞標的ボール面上へのマイクロ構造の加工678■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTウエハーの高密度化678■■■■■■■■■■■■■■■■
同軸配線プリント回路基板作製技術677■■■■■■■■■■■■■■■
前立腺がん9割発見;筑波大と日立メディコ,超音波で硬さ診断676■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージング実現のための貫通孔配線技術676■■■■■■■■■■■■■■
機械式ADコンバータ(12ビット)675■■■■■■■■■■■■■
Difference_in_Activated_Atomic_Steps_on_(111) Silicon_Surface_during_KOH_and_TMAH_Etching675■■■■■■■■■■■■■
Indirect_Competitive_immunoassay_for_Bisphenol_A,_Based_on_a_Surface_Plasmon_Resonance_Sensor675■■■■■■■■■■■■■
A_Wireless_Microsystem_for_the_Remote_Sensing_of_Pressure,Temperature,and_Relative_Humidity674■■■■■■■■■■■■
Kovar-ガラス-シリコン-ガラス積層構造をしたベーク可能なマイクロバルブ674■■■■■■■■■■■■
Design_and_fabrication_of_an_integrated_microsystem_for_microcapillary_electrophoresis673■■■■■■■■■■■
Double_sided_surface_stress_cantilever_sensor673■■■■■■■■■■■
バイナリオプティクスによるネガ型レジストの三次元形状673■■■■■■■■■■■
マイクロチャンネルを流れるポリマー溶融体のレオロジー的挙動の研究672■■■■■■■■■■
CNT/パリレンコンポジットによるアクチュエータ672■■■■■■■■■■
CNT-高密度・向配列アレイの作製法672■■■■■■■■■■
銀ナノ粒子による蛍光増強672■■■■■■■■■■
Electrowettingの接触角を容易に測定するテスト構造671■■■■■■■■
CMOS集積化10マルチプローブAFMの作製670■■■■■■■■
CNTs-加工成形-02670■■■■■■■■
バルクPZT作動のMEMS可変鏡の設計、作製と特性化669■■■■■■■■■■■■■■■
転写TFTでプロセッサまで作った例669■■■■■■■■■■■■■■■
Manufacturing_process_and_material_selection_in_concurrent_collaborative_design_of_MEMS_devices668■■■■■■■■■■■■■■
特集論文_;_マイクロエアフローセンサのセンシング素子668■■■■■■■■■■■■■■
自己検出圧電マイクロカンチレバーの変位とセンサ出力へのDCバイアスの影響668■■■■■■■■■■■■■■
ピストン方式マイクロミラーの動きに関する簡単なモデル668■■■■■■■■■■■■■■
より高度な生体工学を目指して667■■■■■■■■■■■■■
使い捨てのラボオンチップで流体を動作させるためのチップ上空気破裂信管667■■■■■■■■■■■■■
研究開発レター 酵素膜形状と酵素反応の表面プラズモン共鳴による測定666■■■■■■■■■■■■
Barbed_micro-spikes_for_micro-scale_biopsy666■■■■■■■■■■■■
BCBを用いたMMIC用3次元低損失パッシブ部品の評価665■■■■■■■■■■■
M_EU_PROGRAMME_News_RTD_for_automobile_microsystems_within_the_Sixth_Framework_Programme664■■■■■■■■■■
磁気異方性を用いた3次元構造体の自己組立て664■■■■■■■■■■
パッケージ(1)・FR-4基板で封止664■■■■■■■■■■
In_situ_electrostatic_microactuators_for_measuring_the_Young's_modulus_of_CMOS_thin_films663■■■■■■■■■
Inside_New_Technology_;_MEMSアプリケーション(2) 携帯電話機はRF回路とストレージに期待663■■■■■■■■■
Application_of_AFM_Anodic_Oxidation_to_Patterning_of_Biomolecules_on_Si662■■■■■■■■
Mechanical_strength_and_interfacial_failure_analysis_of_cantilevered_SU-8_microposts662■■■■■■■■
集積化ヒータによるローカルハンダヅケ662■■■■■■■■
実装662■■■■■■■■
各種試料表面への突起構造形成(軸対称偏光ビーム照射)661■■■■■■
Au-Sn充填Y字孔及びクランク孔の貫通化加工661■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長800nm、パルス幅〜100fs、軸対称偏光)661■■■■■■
CNT-フィルター作製法660■■■■■■
水素化アモルファスシリコンを用いた高電圧太陽電池アレイ660■■■■■■
金・銀ナノ粒子デンドリマーのUVによる還元生成660■■■■■■
電界中でのCNT合成660■■■■■■
Leading_Trends_将来技術_;_バイオなど異分野と融合 新たな付加価値を生む659■■■■■■■■■■■■■■■
ナノインプリントでハーフ・ピッチ24nmのパターンを形成659■■■■■■■■■■■■■■■
パリレンを用いた生体埋込圧力センサー659■■■■■■■■■■■■■■■
反磁性捕獲モードの血球用磁気マイクロ分離装置659■■■■■■■■■■■■■■■
2層グラフェンナノデバイスにおける電気ノイズの低減658■■■■■■■■■■■■■■
Design,Fabrication,and_Measurement_of_High-Sensitivity_Piezoelectric_Microelectromechanical_Systems_Accelerometers658■■■■■■■■■■■■■■
MEMSアクチュエータつきナノギャップの作成法658■■■■■■■■■■■■■■
ZnOナノファイバー酸素センサー658■■■■■■■■■■■■■■
マイクロコンタクトプリンティングによるカーボンナノチューブエミッタ657■■■■■■■■■■■■■
マイクロ機械加工された点字セル657■■■■■■■■■■■■■
ナノチューブで試作;光学素子,東大,微細加工応用に道656■■■■■■■■■■■■
破壊的技術の萌芽、ライン型インクジェットが離陸へ656■■■■■■■■■■■■
0.35µmCMOSチップ上のVHF帯レゾネーターの作製656■■■■■■■■■■■■
MEMS用シリコンの機械的特性655■■■■■■■■■■■
ショットキMEMSスイッチ655■■■■■■■■■■■
テンプレートを用いた平坦面作成法655■■■■■■■■■■■
二重乳化応用を目的とした制御可能な可動壁構造物を利用した液滴形成655■■■■■■■■■■■
異分野の連携推進;ナノ学会,29-31日に創立大会,先入観捨て可能性探る655■■■■■■■■■■■
厚さ0.2mmのウェハーレベルパッケージを開発(フジクラ)654■■■■■■■■■■
歩行振動で発電する歩数計を試作(三洋電機)654■■■■■■■■■■
研究開発レター 光近接場ファイバ型マイクロ化学センサ654■■■■■■■■■■
装置メーカーのMEMSへの取り組み(4)、レーザーテック654■■■■■■■■■■
A_New_Edge-Detected_Lift_Force_Flow_Sensor654■■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術6-CNT固体の柔軟性654■■■■■■■■■■
赤外線を用いた位置合わせ技術654■■■■■■■■■■
スタンピングによる有機ELのマイクロ加工654■■■■■■■■■■
バイオチップに用いるマスク無UVリソグラフィ用Siマイクロミラーアレイ654■■■■■■■■■■
Thermal_treatments_and_gas_adsorption_influences_on_nanomechanics_of_ultra-thin_silicon_resonators_for_ultimate_sensing653■■■■■■■■■
Fracture_Strength_of_Polysilicon_at_Stress_Concentrations653■■■■■■■■■
共同作業する2台のマイクロロボットによるマイクロ操作653■■■■■■■■■
バンプレスインタコネクト:電気特性評価652■■■■■■■■
マイクロOCPWとIOCPWを用いた最新の小型低損失ミリ波フィルター652■■■■■■■■
酸素貯蔵能力を倍増、東工大、触媒向けの新材料開発652■■■■■■■■
Design_and_theoretical_evaluation_of_a_novel_microfluidic_device_to_be_used_for_PCR651■■■■■■
チップ型薬液徐放デバイスの作製技術651■■■■■■
ハイブリットボンディングによる低温ボイドレス接合方法651■■■■■■
マイクロコンタクトMEMSリレーデバイスの電気抵抗特性評価651■■■■■■
プロセス中での真空封止650■■■■■■
並行プローブデータ集積デバイス用の質量均衡型バルク静電xyスキャナー650■■■■■■
松下電工のMEMS事業を分析、自動車・医療の分野で垂直統合650■■■■■■
環境・バイオセンシング用統合SoC用インターポーザ650■■■■■■
CNTsを微細孔としたサブ2nmポア・フィルタ650■■■■■■
世界最小HDD量産;4ギガバイト・0.85インチ型,東芝,青梅工場に新ライン649■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノテクで環境計測;環境省が機器開発648■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-多層カーボンナノチューブ-カンチレバーの作成と特性648■■■■■■■■■■■■■■■■■■
完全CMOS互換プロセスで形成した圧力センサ648■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ゲルマニウムを用いた低温マイクロマシニング647■■■■■■■■■■■■■■■■■
セラミック基板への表面活性化常温フリップチップ実装プロセスの開発647■■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロガスタービンエンジン用の改良燃焼器の設計と数値解析647■■■■■■■■■■■■■■■■■
人工hair-cell_sensor用3D構造形成プロセス647■■■■■■■■■■■■■■■■■
An_Approach_for_Increasing_Drive-Mode_Bandwidth_of_MEMS_Vibratory_Gyroscopes647■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNT-メンブレンの液体透過特性B647■■■■■■■■■■■■■■■■■
SiRNを用いたマイクロチャネル作製646■■■■■■■■■■■■■■■■
Studies_on_Surface_Wettability_of_Poly(Dimethyl)_Siloxane_(PDMS)_and_Glass_Under_Oxygen-Plasma_Treatment_and_Correlation_With_Bond_Strength646■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン異方性エッチングを用いたナノワイヤの作成方法645■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン酸化膜のナノテクスチャ加工によるEWODの低電圧化645■■■■■■■■■■■■■■■
1mm角以下の超小型ICのパッケージストレスによる特性変化測定TEG645■■■■■■■■■■■■■■■
A_Single-Layer_PDMS-on-Silicon_Hybrid_Microactuator_With_Multi-Axis_Out-of-Plane_Motion_Capabilities―Part_I:_Design_and_Analysis645■■■■■■■■■■■■■■■
Design_and_fabrication_of_a_direction_sensitive_MEMS_shear_stress_sensor_with_high_spatial_and_temporal_resolution645■■■■■■■■■■■■■■■
MEMS製作のマスク材料として活性化反応性蒸着で析出した窒化シリコン645■■■■■■■■■■■■■■■
CMOSチップのポストプロセスで作製した面外方向加速度センサ644■■■■■■■■■■■■■■
最初のLSI集積化MEMS:Resonant-Microbridge_Vapor_Sensor643■■■■■■■■■■■■■
分解能10nmの超微動ステージを市場導入(日本トムソン)642■■■■■■■■■■■■
磁性薄膜を有する集積型オンチップインダクター642■■■■■■■■■■■■
自立振動ゲルのマイクロアクチュエータ642■■■■■■■■■■■■
プルインを越えたカンチレバービーム静電MEMSアクチュエータ642■■■■■■■■■■■■
ナノメカニカルカンチレバーセンサ:分子レベルでリアルタイム解析641■■■■■■■■■■
Die-to-Wafer三次元集積化技術641■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術9641■■■■■■■■■■
水晶発振器を上回る信頼性データを公開640■■■■■■■■■■
パイレックスガラスのレーザー丸板加工640■■■■■■■■■■
CMOS上マイクロ流路での磁性体微粒子の操作と光学検出640■■■■■■■■■■
ELECTRICALLY_DRIVEN_VARIFOCAL_MICRO_LENS_FABRICATED_BY_DEPOSITING_PARYLENE_DIRECTLY_ON_LIQUID640■■■■■■■■■■
PHによるマイクロ自己組立ての組立て順序制御640■■■■■■■■■■
注射針0.2ミリ世界最細639■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ポリマー基板上のマルチモーダル触覚センサ639■■■■■■■■■■■■■■■■■■
レーザー内部加工によるガラス/Si多層ウェハ割断のレーザー走査速度依存性639■■■■■■■■■■■■■■■■■■
An_optical_microswitch_chip_integrated_with_silicon_waveguides_and_touch-down_electrostatic_micromirrors638■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMS非冷却赤外線イメージセンサ638■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSに用いる厚みのある低応力PECVD非晶質シリコン637■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMS駆動のための結晶シリコン太陽電池アレイ637■■■■■■■■■■■■■■■■
ニッケルポストを使った面合わせのフリップチップ接合637■■■■■■■■■■■■■■■■
環境振動発電デバイスを開発(オムロン)637■■■■■■■■■■■■■■■■
磁場検出素子への永久磁石の磁気粉末の適用637■■■■■■■■■■■■■■■■
自己適応的MEMS冷却用の温度調整非線形マイクロバルブ637■■■■■■■■■■■■■■■■
STMを用いた単分子系化学反応636■■■■■■■■■■■■■■■
遺伝子の解析わずか1分で;徳島大など,ナノ粒子使い試薬636■■■■■■■■■■■■■■■
CMOSMEMSで作製した高g用加速度センサ635■■■■■■■■■■■■■■
波状構造を持つ伸縮自在なシリコン基板635■■■■■■■■■■■■■■
SiO2表面に形成されるナノ周期構造の照射レーザーフルーエンス依存性635■■■■■■■■■■■■■■
分子を選別し輸送、特定のたんぱく質など、東大、化学反応実験効率化に応用634■■■■■■■■■■■■■
自動細胞培養に用いるマイクロ流体システム634■■■■■■■■■■■■■
MEMS-based_optical_mini-_and_microspectrometers_for_the_visible_and_infrared_spectral_range633■■■■■■■■■■■■
Numerical_simulation_for_the_propulsive_performance_of_a_submerged_wiggling_miromachine633■■■■■■■■■■■■
銀ナノ粒子を触媒とした無電解銅めっき633■■■■■■■■■■■■
30nmギャップNEMSスイッチ632■■■■■■■■■■■
50nm〜mm厚の連続パターン形成時の2重薄膜過剰エッチング後の残留パターン632■■■■■■■■■■■
ナノ材料の印刷技術を用いた3次元へテロデバイスの作製632■■■■■■■■■■■
シングルウォールカーボンナノチューブ(SWNTs)を用いたNO2ガスセンサ631■■■■■■■■■
ハードディスクドライバ用スライダーのマイクロヒータによる浮遊間隔制御631■■■■■■■■■
フェムト秒レーザーによるサブミクロン構造体造形技術631■■■■■■■■■
マイクロブリッジ構造を用いたポストCMOSインテグレーション631■■■■■■■■■
銅直接接合の特性と3次元集積化における利点631■■■■■■■■■
静電アクチュエータ共振周波数と最大変位の関係631■■■■■■■■■
特集_マイクロマシニングとMEMSの歴史と展望(1)―歴史―631■■■■■■■■■
Design_of_the_Optical_Fiber_Transmission_and_Geometrical_Microoptical_Path_in_the_Optical_Liquid_Drop_Sensor631■■■■■■■■■
マイクロスケールシステムの一体化の為のメタルインターコネクター溶融アレイの自己組織化方法630■■■■■■■■■
冷却機構を有する3Dパッケージ630■■■■■■■■■
多孔質シリコン/シリコン複合メンブレンを用いた圧力センサの特性630■■■■■■■■■
中性粒子ビームプロセス技術629■■■■■■■■■■■■■■■■■
接合過程の解析628■■■■■■■■■■■■■■■■
自己組織化DNAコンジュゲートポリマーを利用したSNPs検出チップ627■■■■■■■■■■■■■■■
CMOS技術とマイクロマシニングによって製作した高速熱電赤外センサ627■■■■■■■■■■■■■■■
連結バネ・アクチュエータ機構の解析627■■■■■■■■■■■■■■■
ポリジメチルシロキサンを用いたマイクロ流体ダイオード627■■■■■■■■■■■■■■■
Feature特集 マイクロ・テクノロジー ―MEMS、部品内蔵基板の現状―626■■■■■■■■■■■■■■
超微細ピペット、産総研や名古屋大、有機ナノチューブ使用626■■■■■■■■■■■■■■
熱反応PDMSアクチュエータ625■■■■■■■■■■■■■
熱気圧駆動を用いたTip-Tilt-Pistonミラー625■■■■■■■■■■■■■
心筋細胞で駆動するポンプ624■■■■■■■■■■■■
アルミニウムでラミネートしたカーボンナノチューブカンチレバー624■■■■■■■■■■■■
1,3-ジシラブタンとジクロロシランを用いた多結晶3C-SiC膜の応力制御624■■■■■■■■■■■■
LSI配線プロセスを用いたダイアフラム形成624■■■■■■■■■■■■
微細穴破壊せず計測、ディスク・テック、近赤外線を照射623■■■■■■■■■■■
タングステンナノギャップによる単分子捕獲623■■■■■■■■■■■
ナノジュールのフェムト秒レーザによって導入したタングステンナノ回折格子623■■■■■■■■■■■
パリレンで封止した液体の変形を利用したスキャニングミラー623■■■■■■■■■■■
ピコジェットプリントヘッドの液滴射出の研究622■■■■■■■■■■
マイクロ・ナノカンチレバーのカップリングによる質量応答性能の改善622■■■■■■■■■■
Polydimethylsiloxane-based_pattern_transfer_process_for_the_post-IC_integration_of_MEMS_onto_CMOS_chips622■■■■■■■■■■
DRIE垂直壁面に不純物拡散でフォトダイオードを作る621■■■■■■■■
Development_of_a_mobile_nanohandling_robot621■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術7621■■■■■■■■
溶融金属充填法によるY字分岐孔への導体充填620■■■■■■■■
3次元電磁界解析ツールによる線路設計620■■■■■■■■
貫通配線ガラスの作製のためのパイレックスガラスのDRIE620■■■■■■■■
超音波によるマイクロ流体のミキシングとスイッチング619■■■■■■■■■■■■■■■
毛管マイクロ構造体を用いたμ燃料電池用受水管理619■■■■■■■■■■■■■■■
溶液系電気化学発光素子の高輝度化619■■■■■■■■■■■■■■■
ナノチューブ1本で電子源;超小型電子顕微鏡に道,島津と大阪府立大が開発619■■■■■■■■■■■■■■■
3Dシステム封止用の先細りSi超小型マイクロ加工プロセスの開発619■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSチューナブル垂直キャビティ面発光レーザ619■■■■■■■■■■■■■■■
外部加圧なし金型加熱による寸法がμm/サブμmの非晶質ポリマー構造体の複製618■■■■■■■■■■■■■■
ポーラスBD膜を用いた中空構造作製618■■■■■■■■■■■■■■
Cuメッキとスプレーコーティングによる3次元コイルの作製617■■■■■■■■■■■■■
STMを用いたシリコン基板上におけるナノマウンドの作成方法616■■■■■■■■■■■■
直径0.95ミリのモーター、SII「世界最小径」、ワイヤ伝達の超音波で駆動615■■■■■■■■■■■
微粒子セルフアセンブルと転写技術を用いたSi基板上への微粒子パターン形成技術614■■■■■■■■■■
ZnOの可動梁構造を用いた可変キャパシタ614■■■■■■■■■■
静電アクチュエータとラチェット機構を利用したマイクロ直線搬送デバイス(平行駆動モード)614■■■■■■■■■■
マイクロカンチレバーを用いた薄膜材料のヤングモジュール測定613■■■■■■■■■
3次元実装のための電気メッキ銅充填613■■■■■■■■■
A_micro_direct_methanol_fuel_cell_demonstrator612■■■■■■■■
CNT-メンブレンの評価法611■■■■■■
直接接合を用いた3次元ヘテロ構造デバイス611■■■■■■
トーションバーによるチューナブル光学フィルタ611■■■■■■
付着解析法611■■■■■■
MEMS型小型燃料電池(μDMFC)におけるナノインプリント技術の応用610■■■■■■
赤外イメージング610■■■■■■
Letter_Damage_Free_Dicing_Method_for_MEMS_Devices609■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロガスタービン用高速ベアリング:_箔膜ベアリングの安定性の解析609■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロバルブを有する細胞機能回析デバイスの開発607■■■■■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術7-CNT固体厚膜作成技術607■■■■■■■■■■■■■
CNTを用いたマイクロ神経電極アレイ607■■■■■■■■■■■■■
MEMSの固着不良防止用の気相自己組織化単分子層607■■■■■■■■■■■■■
修正結合応力論によるベルヌーイ-オイラーのビームモデル607■■■■■■■■■■■■■
光でアドレスを呼び出す電位差センサ(LAPS)型ペニシリンセンサとその画像の検出606■■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法によるクランク形状孔への導体充填606■■■■■■■■■■■■
レゾネータの直列接続によるQ値のブースト効果606■■■■■■■■■■■■
二酸化シリコン薄膜の破壊靱性、破壊応力、応力腐食き裂605■■■■■■■■■■■
尿一滴でがん検査、産総研がチップ、3年後メド実用化605■■■■■■■■■■■
解説 球面モータ605■■■■■■■■■■■
CNT-垂直配向スイッチ・メモリ605■■■■■■■■■■■
Integration_of_a_polymeric_planar-lightwave-circuit_chip_based_on_a_polymer_microsystem_and_a_UV_imprinting_technique605■■■■■■■■■■■
Low-Voltage,_Large-Scan_Angle_MEMS_Analog_Micromirror_Arrays_With_Hidden_Vertical_Comb-Drive_Actuators605■■■■■■■■■■■
OSGナノワイヤFETの製作と特性評価604■■■■■■■■■■
熱酸化を用いた単結晶シリコンナノワイヤの作成方法604■■■■■■■■■■
特集_;_量産マイクロマシン技術「AccurForming」604■■■■■■■■■■
磁性粒子を用いた効果的な撹拌604■■■■■■■■■■
XRD引張り試験による多結晶窒化チタン(TiN)膜の機械的特性604■■■■■■■■■■
ナノステンシルリソグラフィーによるフルウェハのCMOS上へのNEMSの集積技術604■■■■■■■■■■
スパーク放電による化学彫刻(SACE)でガラスに重力送りマイクロ穴あけ加工603■■■■■■■■■
Design_and_fabrication_of_MEMS_devices_using_the_integration_of_MUMPs,trench-refilled_moldoing,DRIE_and_bulk_silicon_etching_processes603■■■■■■■■■
2mm角の3軸加速度センサー日立金属が新構造で開発中602■■■■■■■■
CNTs-ピエゾ抵抗効果602■■■■■■■■
SU-8表面微細加工用の犠牲材料のポリジメチルグルタリミド(PMGI)602■■■■■■■■
ワイヤ・ボンディング特性に合う圧電-FET応力センサーアレイ602■■■■■■■■
放射性物質により発電して動作する真空センサ602■■■■■■■■
MEMSデバイスの信頼性評価プログラム602■■■■■■■■
【特許】集積化マイクロエレクトロメカニカルシステムおよびその製造方法600■■■■■■
フォトディテクタをオンチップ集積したSPRセンサ600■■■■■■
MEMSスイッチの接点材料選択-2600■■■■■■
切り替え速度1ミリ秒;80チャンネル光スイッチ,富士通研と富士通,ミラーの共振を抑制600■■■■■■
生体細胞上の並列潅流実験用ハイブリッドマイクロシステム599■■■■■■■■■■■■■■■■■■
自由に対流するPEM燃料電池用に微細加工したシリコン構造体599■■■■■■■■■■■■■■■■■■
A_low-power_resonant_micromachined_compass598■■■■■■■■■■■■■■■■■
A_Microbubble-Powered_Bioparticle_Actuator597■■■■■■■■■■■■■■■■
誘電性液滴の電気的動作597■■■■■■■■■■■■■■■■
単層量子ドットのカンチレバー先端への成膜597■■■■■■■■■■■■■■■■
尿素高分子膜を用いたプラスチック接合597■■■■■■■■■■■■■■■■
波長可変垂直キャビティ半導体光増幅器の作製597■■■■■■■■■■■■■■■■
自立した多孔質シリコンマイクロ構造体の製造597■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-アクチュエータ-多層カーボンナノチューブ-2596■■■■■■■■■■■■■■■
CNT―高い周波数-スイッチ-1596■■■■■■■■■■■■■■■
INDUSTRY_REPORT_Riding_the_MEMS_rollercoaster596■■■■■■■■■■■■■■■
CNT―高い周波数-スイッチ-3595■■■■■■■■■■■■■■
GFP蛋白質のミリ秒計測595■■■■■■■■■■■■■■
Soft-Magnetic_Rotational_Microwings_in_an_Alternating_Magnetic_Field_Applicable_to_Microflight_Mechanisms595■■■■■■■■■■■■■■
シリコン貫通タングステン配線を有する3次元チップ積層用鉛フリー接合の信頼性評価595■■■■■■■■■■■■■■
世界最小の燃料電池;東芝,携帯機器向けに,来年中の商品化目標594■■■■■■■■■■■■■
付着耐性値594■■■■■■■■■■■■■
A_silicon_microspeaker_for_hearing_instruments593■■■■■■■■■■■■
Behavioural_analysis_of_the_pull-in_dynamic_transition593■■■■■■■■■■■■
CNTウエハーによる3次元カンチレバー構造592■■■■■■■■■■■
ゴルフスイングにおける動力学のための無線MEMS慣性センサシステム592■■■■■■■■■■■
マイクロ電気機械的金属空間絶縁層半導体(MEM-MAIS)ダイオードスイッチ592■■■■■■■■■■■
集束イオンビーム(FIB)を用いたナノ電極作成方法592■■■■■■■■■■■
金属中間層接合プロセスのアライメント精度への影響(接合前アライメントより)591■■■■■■■■■
東芝が新パッケージ技術、MEMS、低コスト、量産化実現591■■■■■■■■■
マイクロチャンネル内の相変化ピストンの内蔵型動作591■■■■■■■■■
システムインテグレーションのためのシリコン貫通配線技術590■■■■■■■■■
ナノテクノロジー MEMS オムロン、MEMS素子を搭載したフローセンサーを開発590■■■■■■■■■
中空マイクロ針のアレイに用いるマイクロ流体分配システム590■■■■■■■■■
2次元熱伝導によるマイクロ機構共振器の熱弾性減衰の理論590■■■■■■■■■
光照射でガラス変質;東工大が金属箔使用,マイクロサイズで加工可能590■■■■■■■■■
構造内部に浸透させる液体封止パッケージ技術590■■■■■■■■■
生体分子つなぎ微小機械動かす;東大チーム実験成功589■■■■■■■■■■■■■■■■■
ポリマーセンサー、曲がると電圧発生(クラレ)589■■■■■■■■■■■■■■■■■
高アスペクト比ニッケル製マイクロジャイロ589■■■■■■■■■■■■■■■■■
3D_flexible_multichannel_neural_probe_array589■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTウエハーによる梁構造589■■■■■■■■■■■■■■■■■
Pt-b電極の作製技術589■■■■■■■■■■■■■■■■■
A_novel_tank_for_DI_water_reduction_in_MEMS_manufacturing588■■■■■■■■■■■■■■■■
Development_of_a_Micro-Blood-Typing_System_Using_Micro-Stereolithography_Technology588■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ流体中におけるMEMSの粘着特性588■■■■■■■■■■■■■■■■
ブロック共重合体とシリケートのミクロ相分離(ラメラ)構造を用いた自己整合、自己組織化ナノラインパターン形成587■■■■■■■■■■■■■■■
レーザーで自在に作製、金属ナノ粒子、阪大が微細配線技術587■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs_光学式トランスデューサー1587■■■■■■■■■■■■■■■
Design_and_Nonlinear_Servo_Control_of_MEMS_Mirrors_and_Their_Performance_in_a_Large_Port-Count_Optical_Switch587■■■■■■■■■■■■■■■
多様な加工技術の競争が3次元LSIを低コスト化587■■■■■■■■■■■■■■■
A_Highly_Sensitive_Capacitive-Type_Humidity_Sensor_Using_Customized_Polyimide_Film_without_Hydrophobic_Elements585■■■■■■■■■■■■■
BCBを用いたMMIC用3次元低損失パッシブ部品の作製585■■■■■■■■■■■■■
CNTギャップに架橋した単一のDNA鎖の伝導性585■■■■■■■■■■■■■
NLDによるSiO2エッチング585■■■■■■■■■■■■■
Design_and_Optimization_of_a_MEMS_Electret-Based_Capacitive_Energy_Scavenger584■■■■■■■■■■■■
マイクロ機械的スキャナー用振動モード周波数公式584■■■■■■■■■■■■
レーザー治療しやすく;新装置,光の向き調節自在,東北大,脳手術などに応用へ583■■■■■■■■■■■
Integrated_CO-Design_of_RF_MEMS_Devices582■■■■■■■■■■
Microsystems_and_Nanotechnology;Patent_snapshots582■■■■■■■■■■
吊り薄膜マイクロ燃料改質器内アルミナ触媒ベッド用その場CVD法の開発582■■■■■■■■■■
弾性シリコンナノワイヤ配列に基づく吊り機械構造582■■■■■■■■■■
振動を用いた表面実装部品のウエハへの配列581■■■■■■■■
Precision_Poly-(Dimethyl_Siloxane)_Masking_Technology_for_High-Resolution_Powder_Blasting581■■■■■■■■
カーボンナノチューブの成長におけるシリコン酸化膜の厚さの依存性581■■■■■■■■
位置決め用垂直くし歯型アクチュエータのクロストーク低減設計581■■■■■■■■
ナノ・ファウンテン探触子のマルチインクの線形配列580■■■■■■■■
パルス駆動によるアルミ製貫通ビアのメッキ作製580■■■■■■■■
Modelling_and_analysis_of_a_MEMS_approach_to_dc_voltage_step-up_conversion579■■■■■■■■■■■■■■■■
半導体チップで免疫測定、日立、その場で微量たんぱく検出579■■■■■■■■■■■■■■■■
共振器デバイスアレイ578■■■■■■■■■■■■■■■
Analytical_Behavior_of_Rectangular_Electrostatic_Torsion_Actuators_With_Nonlinear_Spring_Bending578■■■■■■■■■■■■■■■
LiNbO3のエッチレートの結晶方位依存性578■■■■■■■■■■■■■■■
X線二重露光法によるPMMA3次元加工技術578■■■■■■■■■■■■■■■
プリンティング法による導電性接着剤の塗布技術578■■■■■■■■■■■■■■■
ゲート電極を有するカーボンナノチューブ電界効果トランジスタ577■■■■■■■■■■■■■■
Compact_models_for_squeezed-film_dampers_with_inertial_and_rarefied_gas_effects577■■■■■■■■■■■■■■
Characterizing_Fruit_Fly_Flight_Behavior_Using_a_Microforce_Sensor_With_a_New_Comb-Drive_Configuration576■■■■■■■■■■■■■
陽極酸化によるSiニードルの作製方法576■■■■■■■■■■■■■
ミクロのポンプ試作、光で作動、化学反応装置に応用、横浜国大575■■■■■■■■■■■■
A_Method_for_Precision_Patterning_of_Silicone_Elastomer_and_Its_Applications574■■■■■■■■■■■
CNTプローブによるナノリソグラフィ技術573■■■■■■■■■■
単一細胞の体積の実時間観察デバイス573■■■■■■■■■■
液液界面でのナノ微粒子の自己組織化および輸送573■■■■■■■■■■
自己組織化によるチップ位置合わせ技術573■■■■■■■■■■
変位増幅機構を有する触覚ディスプレイ572■■■■■■■■■
微小電気機械デバイスの面内と面外変位の格子アシスト光微小プロービング572■■■■■■■■■
A_Design_Methodology_for_a_Bulk-Micromachined_Two-Dimensional_Electrostatic_Torsion_Micromirror572■■■■■■■■■
プラズマ表面活性化を利用したウエハのダイレクトボンディング572■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性_(波長800nm、パルス幅_〜_200ps)571■■■■■■■
ナノ粒子とガラス繊維接合571■■■■■■■
マイクロ流体素子を目的とした金属電極埋め込みPDMS三次元構造体組み立て技術571■■■■■■■
金属多層構造の犠牲層利用作成法571■■■■■■■
CNTウエハーから作成されたCNTリレーのスイッチング571■■■■■■■
2軸共焦点顕微鏡の2次元MEMSスキャナー570■■■■■■■
導電で長さ2倍;山梨大,伸縮するプラスチック部品570■■■■■■■
高感度MEMSマイクロフォン用ハイフリッド作製プロセス570■■■■■■■
Experimental_evaluation_and_comparative_analysis_of_commercial_variable-capacitance_MEMS_accelerometers569■■■■■■■■■■■■■■
ジャイロセンサー、MEMS技術を採用、村田製作所が実用化569■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ電位計のシステムレベルシミュレーション569■■■■■■■■■■■■■■
生体埋め込み用のRFパワーリングシステム569■■■■■■■■■■■■■■
自己組織化磁気円柱によるDNA分離チップ569■■■■■■■■■■■■■■
導電性ポリマーを記録媒体としたMEMSプローブ記録568■■■■■■■■■■■■■
電圧印加によるKOH-Siエッチングの等方性・異方性制御568■■■■■■■■■■■■■
塩素原子ビームを用いたSiエッチングにおけるUV照射による表面反応増大効果567■■■■■■■■■■■■
液滴中のその場メッキによるコイル567■■■■■■■■■■■■
生体分子1個変化観察、産総研が新手法、ナノチューブ利用567■■■■■■■■■■■■
A_Novel_Fiber-Optic_Biosensor_for_On-Line_Monitoring_of_Cell_Cultivation567■■■■■■■■■■■■
CMOSプロセスによるシリコンナノワイヤアレイの特性567■■■■■■■■■■■■
CNTを用いた柔軟かつ高感度のひずみセンサ567■■■■■■■■■■■■
Design_and_Analysis_of_MEMS/MST_Based_Radio_Frequency_Switches567■■■■■■■■■■■■
マイクロ放電加工の穴特性に対する誘電体中に浮遊する粉末添加の効果567■■■■■■■■■■■■
細菌のべん毛繊維;立体構造を解析,阪大,ナノマシンに道565■■■■■■■■■■
表面プラズモン共鳴を利用した赤外光源564■■■■■■■■■
金付着Siナノワイヤの熱拡散による金ナノワイヤの形成564■■■■■■■■■
Characterization_of_masking_materials_for_deep_glass_micromachining564■■■■■■■■■
A_Chaotic_Mixer_for_Magnetic_Bead-Based_Micro_Cell_Sorter563■■■■■■■■
垂直に配列したサーモパイルのPCB状プロセス563■■■■■■■■
微生物を利用した溶液拡散の増幅563■■■■■■■■
ホリサム蛋白質複合体ベースのバイオハイブリッドマイクロ流体バルブ563■■■■■■■■
マルチプローブによるパラレルナノライティング技術563■■■■■■■■
開構造支持を持つSOI角速度センサ563■■■■■■■■
適応性のあるマイクロボロメータの設計と特性562■■■■■■■
可動部レスで極小ポンプ562■■■■■■■
Crystalline_Silicon_Tilting_Mirrors_for_Optical_Cross-Connect_Switches562■■■■■■■
ポリミドとCuを用いたインダクタの作製562■■■■■■■
シリコン直管型流体密度センサ561■■■■■
単結晶シリコンMEMSとCMOSモノリシック集積のためのCMOS-SOIプラットフォーム561■■■■■
石英基板へのY字分岐貫通孔の作製561■■■■■
細胞モーター駆動のマイクロ流体デバイス561■■■■■
電気化学を用いた酸性化によるガラスの局所湿式エッチング561■■■■■
微細な穴を通る1分子、東大が成功、TEMで直接観察560■■■■■
マイクロ流路を用いた波長可変色素レーザー560■■■■■
MEMS;事業化の観点から見たMEMSとは ―製品アーキテクチャによる分類―560■■■■■
PZT薄膜の電気機械的結合の最適化:I.モデル化560■■■■■
LSI配線プロセスによる圧力センサ集積化CMOS_LSI559■■■■■■■■■■■■■■
自己組織化を用いたマイクロプロセッサ製造プロセス559■■■■■■■■■■■■■■
光化学スモッグ携帯用センサー、NTT、指先大の大きさ実現558■■■■■■■■■■■■■
光流体技術による可変光減衰器558■■■■■■■■■■■■■
MEMSデバイスの開ループ制御対閉ループ制御:選択と課題558■■■■■■■■■■■■■
マイクロ操作用の電熱で動くマイクログリッパーの設計、モデル化と特性試験558■■■■■■■■■■■■■
シリコンでLED、日立、薄膜素子、発光に成功557■■■■■■■■■■■■
多孔質シリコン薄膜から形成した電気浸透ポンプ557■■■■■■■■■■■■
楕円振動切削加工を用いたマイクロV溝彫りチップ構造の特性557■■■■■■■■■■■■
Implementation_and_analysis_of_polymeric_microstructure_replication_by_micro_injection_molding557■■■■■■■■■■■■
MEMS/NEMSに応用するためのAu薄膜の機械的特性557■■■■■■■■■■■■
MEMS;MEMS関連部品の精密加工技術557■■■■■■■■■■■■
Mechanical_and_electrical_characterization_of_BCB_as_a_bond_and_seal_material_for_cavities_housing_(RF-)MEMS_devices556■■■■■■■■■■■
シリコンの等方性エッチングにおける異方性の実験的研究556■■■■■■■■■■■
フレキシブルなモノリシック3Dマイクロ流体構造の新しい製造法556■■■■■■■■■■■
フレキシブル基板への光リソグラフィを用いたサブミクロンパタン形成556■■■■■■■■■■■
ポリシリコン位置敏感検出器(PSD)の研究556■■■■■■■■■■■
Combined_Circuit/Device_Modeling_and_Simulation_of_Integrated_Microfluidic_Systems555■■■■■■■■■■
通信システム向けマイクロマシン開発へ;米ルーセントが国防総省と協力,軍事・国土保全用に使用554■■■■■■■■■
高分解能SEM観察用コーティング材料553■■■■■■■■
解説 InSb単結晶薄膜の物性と磁気センサ応用553■■■■■■■■
DRIE等方エッチとひきはがしで作製した発電機能付き偏光フィルタ553■■■■■■■■
ピエゾ抵抗マイクロホンの設計パレート最適化:感度と雑音レベルの二律背反553■■■■■■■■
三層の陽極接合553■■■■■■■■
TOPICS;LSIの3次元実装を実現する超高速高密度インターポーザの開発に成功 LSIシステムの小型化 高機能化を低コストで実現可能552■■■■■■■
A_Microfabricated_Wall_Shear-Stress_Sensor_With_Capacitative_Sensing552■■■■■■■
MEMS技術による複合センサシステムの作製552■■■■■■■
超臨界流体を用いた酸化膜製膜552■■■■■■■
金属製微小ピペットアレイ作製技術552■■■■■■■
内部加工されたSiウェハ割断のレーザースキャン回数依存性552■■■■■■■
日本と中国に集中し、日本の技術・製品・サービスを生かす551■■■■■
CNTs 圧力センサー2550■■■■■
CNTを用いたオープンアーキテクチャー型フィールドイオナイザ550■■■■■
MEMSマイクロ直接メタノール燃料電池(μDMFC)用Nafion_(R)_117の新規改良550■■■■■
ポリ弗化ビニリデン(PVDF)からなる圧電膜のフェムト秒レーザマイクロ加工550■■■■■
マイクロキャビティに気泡のない液体を充填するための方法550■■■■■
高い面外剛性のシリコンプレートばねの両側面製造方法550■■■■■
Fabrication_and_characterization_of_a_micromachined_passive_valve549■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Feature-based_process_layer_modeling_for_surface_micromachined_MEMS549■■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSの動的分析のための静電、機械モデルと階層流体モデルとの結合549■■■■■■■■■■■■■■■■■■
STMのインデントによるシリコンナノワイヤの作成方法549■■■■■■■■■■■■■■■■■■
自動車用燃料タンク漏れ検出用圧力センサ549■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Surface_Micromachined_Metallic_Microneedles549■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Secondary_resonances_of_electrically_actuated_resonant_microsensors548■■■■■■■■■■■■■■■■■
Shape-Memory_Polymers_for_Microelectromechanical_Systems548■■■■■■■■■■■■■■■■■
Design,_Fabrication_and_Characterization_of_Miniature_Direct_Methanol_Fuel_Cell_Using_Platinum-Sputtered_Microcolumn_Electrodes_with_Limited_Fuel_Source548■■■■■■■■■■■■■■■■■
GaN-Siハイブリッド発光デバイスの作製548■■■■■■■■■■■■■■■■■
金属とガラスの陽極接合548■■■■■■■■■■■■■■■■■
CMOSチップ上のシリコンフィンレゾネータの作製547■■■■■■■■■■■■■■■■
Analog_Piezoelectric-Driven_Tunable_Gratings_With_Nanometer_Resolution546■■■■■■■■■■■■■■■
Silicon_scanning_mirror_of_two_DOF_with_compensation_current_routing546■■■■■■■■■■■■■■■
インクジェットプリンティング技術を用いた濃縮分離デバイスの作製546■■■■■■■■■■■■■■■
一軸熱対流ガス式ジャイロスコープ546■■■■■■■■■■■■■■■
異方性シリコンエッチングによる錘状電極の作製技術546■■■■■■■■■■■■■■■
Auナノ粒子を用いたDNAサイズモニタリング545■■■■■■■■■■■■■■
貫通孔壁面に熱拡散して抵抗にする545■■■■■■■■■■■■■■
CNTs_ーポリカーボネート複合材料ー1544■■■■■■■■■■■■■
Electrostatic_Actuators_With_Expanded_Tuning_Range_Due_to_Biaxial_Intrinsic_Stress_Gradients544■■■■■■■■■■■■■
MicroTASインターフェース標準化の試み544■■■■■■■■■■■■■
単一モード光ファイバーの微細加工2次元アレイ544■■■■■■■■■■■■■
微小域でヤング率測定、阪大が顕微鏡開発、電子部品の品質向上に期待544■■■■■■■■■■■■■
ナノ圧子形状の先端部を備えたRFマイクロスイッチの特性評価544■■■■■■■■■■■■■
A_measurement_of_Young’s_modulus_and_residual_stress_in_MEMS_bridges_using_a_surface_profiler543■■■■■■■■■■■■
CNT-メンブレンとポリカーボネイトの比較543■■■■■■■■■■■■
金属製マイクロ中空針の作製技術543■■■■■■■■■■■■
標準CMOS_Back-End-Of-Lineプロセスで製作した表面MEMS構造の信頼性543■■■■■■■■■■■■
修正ゾル・ゲル法により成長させた1〜10μmのPZT膜542■■■■■■■■■■■
Adapting_MCM-D_technology_to_a_piezoresistive_accelerometer_packaging542■■■■■■■■■■■
PDMAによる分子吸着とマイクロ流路実験に及ぼす影響542■■■■■■■■■■■
走査型プローブナノリソグラフィ(EBレジストを用いたネガ型SPNL)542■■■■■■■■■■■
内視鏡、磁力で操作;東北大,複雑な腸内,短時間で移動541■■■■■■■■■
標準規格策定へ;ナノテク製品,経産省が検討組織,欧米に対抗541■■■■■■■■■
装置メーカーのMEMSへの取り組み(2)、日立ハイテクノロジーズ541■■■■■■■■■
微小ビームの強度を測定するための新しい方法540■■■■■■■■■
自己組織化配列したバクテリアを利用したマイクロポンプ540■■■■■■■■■
ブロック共重合体の自己組織化パタンをテンプレートに用いたナノインプリント用モールドの作製540■■■■■■■■■
マスク無しのポストCMOSバルク微細加工プロセスおよびその応用539■■■■■■■■■■■■■■■■■
注射針「蚊の口」再現、MEMS技術を応用(関西大学)539■■■■■■■■■■■■■■■■■
細胞扱うマニピュレーター、産総研、小型で操作簡単539■■■■■■■■■■■■■■■■■
Au-_Sn充填貫通配線基板の高周波特性の評価539■■■■■■■■■■■■■■■■■
Mechanical_Stability_of_a_Latching_MEMS_Variable_Optical_Attenuator538■■■■■■■■■■■■■■■■
SU-8フォトレジストの重合作用におけるソフトベーク温度の効果538■■■■■■■■■■■■■■■■
Multi-layer_SU-8_lift-off_technology_for_microfluidic_devices537■■■■■■■■■■■■■■■
フッ化ポリマーからのラボ・オン・チップデバイスの製作537■■■■■■■■■■■■■■■
ラチェット機構と静電くし歯アクチュエータによる直線状に動くマイクロ容器537■■■■■■■■■■■■■■■
高アスペクト比の金属構造体製作用のマイクロ粉末射出成形537■■■■■■■■■■■■■■■
超臨界CO2を用いたガラス表面への生態適合材料のコーティング537■■■■■■■■■■■■■■■
Silicon_Micro_XY-Stage_With_a_Large_Area_Shuttle_and_No-Etching_Holes_for_SPM-Based_Data_Storage536■■■■■■■■■■■■■■
マイクロブリッジ試験:_I._非対称3層膜について536■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ流体デバイスの為の新たなハイブリッド材料536■■■■■■■■■■■■■■
CNT-多層カーボンナノチューブ-直線ベアリングナノスイッチ536■■■■■■■■■■■■■■
注目のMEMS本格成長迫る、GenlSys、MEMS向けシミュレータを開発536■■■■■■■■■■■■■■
発光の強さ熱で制御できる有機化合物、東大生産研、新型光ディスクに道536■■■■■■■■■■■■■■
石英基板へのクランク形状貫通孔の作製536■■■■■■■■■■■■■■
業界最高のSN比のMEMSマイクを発表(アナログデバイセズ)535■■■■■■■■■■■■■
Suppression_of_leakage_current_via_formation_of_a_sidewall_protector_in_the_microgated_carbon_nanotube_emitter535■■■■■■■■■■■■■
高速超小型ターボ過給機の作製と試験535■■■■■■■■■■■■■
Polycrystalline_Silicon-Carbide_Surface-Micromachined_Vertical_Resonator_-_Part_I:_Growth_Study_and_Device_Fabrication535■■■■■■■■■■■■■
2-SU-8構造層とゾル-ゲル、SU-8またはSiO_2_/ゾル-ゲル犠牲層の表面微細加工534■■■■■■■■■■■■
AlN共鳴器を集積した圧電AlN_RF_MEMSスイッチの2ビーム動作534■■■■■■■■■■■■
薬液0.5マイクロリットル注入;微小ポンプ,日機装,「圧電素子」を応用534■■■■■■■■■■■■
高い音響特性、耐熱性も優れる、MEMS技術使った超小型シリコンマイク534■■■■■■■■■■■■
高温・高湿度に強く、放送用シリコンマイク、NHK研など開発534■■■■■■■■■■■■
CMOSコンパチプロセスによるMEMS放射性同位体の崩壊を活用したマイクロ発電素子533■■■■■■■■■■■
Magnetic_coreを有するインダクタの作製533■■■■■■■■■■■
ナノ加工基板への生体分子モータの高精度選択的配置533■■■■■■■■■■■
米の液体レンズVB、伊藤忠が出資、デジカメ向け09年に実用化533■■■■■■■■■■■
CNTs_ー複合材料ーアクチュエーター1532■■■■■■■■■■
Cellular_microarrays_for_Chemical_Sensing532■■■■■■■■■■
Flow_Control_in_Microdevices_Using_Thermally_Responsive_Triblock_Copolymers532■■■■■■■■■■
SAMによる表面改質を利用した高分子、Alパターンの自己整合配置技術532■■■■■■■■■■
高アスペクト比のマイクロ毛髪状センサアレイの製作532■■■■■■■■■■
バクテリアによって駆動するマイクロ構造物532■■■■■■■■■■
ヘテロ統合のための毛管力を用いたウェハ再構成技術532■■■■■■■■■■
ポリマーによるナノポーラスグレーティング構造532■■■■■■■■■■
ソフトPDMS結合を用いた高効率3Dマイクロミキサ531■■■■■■■■
A_High-Power_MEMS_Electric_Induction_Motor531■■■■■■■■
An_approach_to_fabricating_microstructures_that_incorporate_circuits_using_a_post-CMOS_process531■■■■■■■■
Coventor_Launches_“Design_Tool_Sets”_for_automotive_sensors531■■■■■■■■
MEMS_industry_targets_reliability531■■■■■■■■
ポリシリコン表面マイクロマシンにおける静的摩擦530■■■■■■■■
携帯無線通信用集積化アーキテクチャのためのICモノリシックレゾネータ技術530■■■■■■■■