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出典: finemems

全件数=1642033件 ( =1件/ =10件/ =50件/ =100件)
事例タイトル閲覧回数グラフ
グレースケールリソグラフィー7307■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
PDMSの硬化条件と弾性率の関係5890■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウェットエッチング5652■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
PDMSボンディング3659■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(片持梁の曲げ)3075■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(共振法)2908■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
チオバルビツール酸法2875■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
感光性BCBのパターニング技術2744■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
紫外光照射による合成石英の欠陥生成2604■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
過酸化物価2564■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマによるレーザー光の吸収2272■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
金ナノ粒子還元におけるクエン酸の役割2217■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
RCWA法2126■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
レジストマスクによるシリコンウエットエッチング2117■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
自己組織化単分子膜の成膜2112■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマダイシング2077■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
モンテカルロシミュレーション(SRIM)1983■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンのドライエッチングと形状1963■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
電界集中係数1908■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
スパッタによるPZT成膜1907■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
スマートカットによるSOIウェハの製作1887■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルMEMSパッケージング1880■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマTEOS-CVDを用いた低温SiO2膜の形成技術1855■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
AuSn接合におけるAu重量パーセントと共晶温度1820■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
昇温脱離分析法(TDS法)1690■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
「PS3」向けMEMSセンサー北陸電工が“品質問題”解決宣言1662■■■■■■■■■■■■■■■■■■
リフトオフによるナノ開口製作プロセス1661■■■■■■■■■■■■■■■■
撥水性(疎水性)・親水性1657■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
インクジェットを電子部品の量産工程に適用1655■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
遺伝子増幅法1643■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
オキシナイトライドを用いた2段階可視光水分解1639■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Pyrexガラスのヘリウム透過性1636■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
AlNのウェットエッチング1632■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
低電圧駆動(3.3V)静電型RFスイッチ1576■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウェーハレベルパッケージに向けたTHB-151Nの応用1537■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:Ar_fast_atom_beam_(Ar-FAB)1501■■■■■■■■■■■■■■■
SU-8のプラズマエッチング1496■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマCVD法による低応力SiC膜の堆積1475■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
アクティブフォトニック結晶1462■■■■■■■■■■■■■■■■
HBrプラズマによる高選択比SiCエッチング1460■■■■■■■■■■■■■■
Hydrogen_Silsesquioxane_(HSQ)を用いた室温ナノインプリントによるベーカブルラメラグレーティングの形成1444■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブのLSI応用(ITRS2007より)1434■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
感光性ポリイミド膜のキュア特性1428■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SiCのNiオーミックコンタクト1425■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面形状:パワースペクトル密度による表面形状周波数分布の解析1422■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノファイバー(CNF)の室温合成1415■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
アルミニウムおよび銅薄膜の表面自然酸化膜破壊に必要な荷重1390■■■■■■■■■■■■■■■■■
昇温脱離分析(TDS)による水素化物の評価1387■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SOIウエーハのDeep_RIEにおけるノッチング現象1378■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
フォトニック結晶1368■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
AuSnフリップチップ接合における最適温度1361■■■■■■■■■■■■■
シリコンウェーハの反り測定方法1356■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
単結晶SiのVLS成長メカニズム1353■■■■■■■■■■■■■■■■
TSVとTGVとの高周波特性比較1351■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージング技術を用いた静電2軸MEMS光スキャナの製造プロセス1350■■■■■■■■■■■■■
横弾性係数の測定方法(共振法)1315■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ゲルマニウムの過酸化水素水によるエッチング1298■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エッチングガスの地球温暖化係数(GWP)1296■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エバネッセント場と結合した導波管モードセンサの設計1295■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラスとガラスの陽極接合1273■■■■■■■■■■■■■■■■■
"Plasmon_Coupling"を利用したナノオーダースケールの分子間距離の測定1272■■■■■■■■■■■■■■■■
HMDSを原料とするSiCN膜1271■■■■■■■■■■■■■■
イオン注入法1252■■■■■■■■■■■■■■
低温接合プロセス1223■■■■■■■■■■■■■■■■■
BCBを用いた接合技術1216■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カメラ・モジュール用MEMSレンズ、製造/構造特許が新規参入を阻む恐れ1198■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
「次世代アクチュエーター」特集について1189■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
オンチップトランシーバの構成、モデル化および実験用MEMSフィルタ1179■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
液相拡散接合1170■■■■■■■■■■■■■
(111)シリコンウエハの水素化アシスト横方向微細加工1164■■■■■■■■■■■■■■■
チタン製微細針構造(nanosword)の局所的合成1161■■■■■■■■■■■
ドライエッチング1148■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(押込法)1145■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
NLD_(magnetic_neutral_loop_discharge)法による石英のエッチング1140■■■■■■■■■■■■■■■
「自己組織化」による10nm以下の立体配線技術を開発(東京工大)1139■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SiTimeのレゾネータ製作法1135■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
付着解析法(複雑な形状の場合)1127■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siの光学常数1124■■■■■■■■■■■■■■■■■
充填金属の体積収縮に関する考察1118■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
石英基板におけるエッチングレートと選択比のHF濃度依存性1117■■■■■■■■■■■■■■■■■■
NLD_(magnetic_neutral_loop_discharge)法によるSiの深堀エッチング1114■■■■■■■■■■■■■■■
インクジェットで血管、2種の細胞物質打ち込み、東京医科歯科大など、実用化へ1101■■■■■■■■■■■
レジスト溶融法を用いたマイクロレンズの製作1101■■■■■■■■■■■
パリレン接合プロセス1092■■■■■■■■■■■■■■■■
アジ化ナトリウムの爆燃で作動する空気圧式マイクロアクチュエータ1087■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(三点曲げ)1087■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
電子線レジストZEPを用いた遠紫外線リソグラフィ性能1071■■■■■■■■■■■■
非感光性BCBのパターニング技術1071■■■■■■■■■■■■
イオンゲル1069■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
熱硬化性樹脂のマイクロモールディングによる3次元プラスチック成形1064■■■■■■■■■■■■■■
ALD膜による極薄エッチングマスク1061■■■■■■■■■■
オンチップ非接触操作技術1058■■■■■■■■■■■■■■■■■■
パリレン薄膜を利用した試料の固定化・パターニング1056■■■■■■■■■■■■■■■■
ΜTAS応用のためのモノリシックセンサー統合を用いたSOIマイクロ流体素子1054■■■■■■■■■■■■■■
インジウムリン(InP)材料システムの端部を結合した光導波管MEMSデバイス1053■■■■■■■■■■■■■
PES膜を用いた人工腎臓1046■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
たんぱく質で鋳型、奈良先端大、極小素子作製に応用1045■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
簡便な垂直エッチング条件の探し方(ブラックシリコン法)1040■■■■■■■■■■■■■■
Γ-Al_2_O_3_/Si基板上にエピタキシャル薄膜を使用した超音波振動子の製作1039■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
たんぱく質で半導体メモリー、奈良先端大と松下が動作実証1034■■■■■■■■■■■■■■■■■
イオンイメージセンサ ―バイオ科学とLSIの融合―1034■■■■■■■■■■■■■■■■■
たて型のくし歯動作アクチュエータによって動く2軸MEMSスキャナーの線形性1033■■■■■■■■■■■■■■■■
熱酸化物(SiO_2_)の熱膨張係数の決定1033■■■■■■■■■■■■■■■■
CMOS互換AFMチップ作製(TMAH)1028■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
たんぱく質チップとマイクロアレイ製造用の最新PDMSマイクロ流体スポッタ1027■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハー結合に応用するナノ精度の位置決めの新方法1021■■■■■■■■■■■■
オムロン、光通信デバイス始動、家庭用、年内に量産化、来年度売上高50億円へ1019■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
DLC(Diamond_Like_Carbon)_基礎1017■■■■■■■■■■■■■■■■■
ALDで成膜したアルミナを用いたMEMS共振器1015■■■■■■■■■■■■■■■
「ライフ・レコーダー」の萌芽、あなたの1日を見守ります1008■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エピタキシャルAlGaAs膜からなる圧電ディスク共振器1008■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:酸素大気圧プラズマ活性化によるAu薄膜接合1006■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベル火炎噴射熱分解によるマイクロセンサ上へのガス検出層の析出1004■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(引張試験)1003■■■■■■■■■■■■■
ウエハシリコンの通路を通して埋め込んだガラス上シリコンMEMSデバイス1002■■■■■■■■■■■■
ベッセルビームによる長尺集光1002■■■■■■■■■■■■
パリレンコーティングによるPDMSシール1001■■■■■■■■■■
すい臓も1人で検査・手術;内視鏡,使い勝手良く,オリンパス,ワイヤとカテーテル連動構造に999■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
オンチップマイクロ燃料電池用途に用いるナノ多孔性Si薄膜電極集合体998■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
金スズ接合のための金(80)スズ(20)電気めっき995■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ALDで成膜したAl2O3/ZnOを誘電体膜に用いた静電容量式RF_MEMSスイッチ993■■■■■■■■■■■■■■■■
金スタッドバンプによる接合形成991■■■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法988■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガスセンサアレイの定常状態レスポンスと過渡レスポンスを用いる有害ガスの識別987■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
より小さく、より賢いマシンとともに生活する社会へ機械分野「MEMS」983■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス基板のCO2レーザーによる剥離の研究979■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Au-Si共晶を用いたウエハレベル真空シール978■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)充填率とビア抵抗の関係977■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SiTimeのレゾネータ:水晶振動子との比較974■■■■■■■■■■■■■■■
【0130−042】空気圧駆動薄膜バルブを用いた即時対応の液体内液滴の測定と溶解974■■■■■■■■■■■■■■■
インプラント応用のためのマイクロシステム技術972■■■■■■■■■■■■■
シリコンカーバイド(SiC)を用いた圧力センサ967■■■■■■■■■■■■■■■■
多孔質ポリエーテルサルフォン(PES)製作967■■■■■■■■■■■■■■■■
HMDSによるInPの疎水化処理967■■■■■■■■■■■■■■■■
オンチップ試料用マイクロチャンネル中で溶液を置換する3D動電学的流れの状態966■■■■■■■■■■■■■■■
2層レジストを用いたリフトオフ手法965■■■■■■■■■■■■■■
アドミタンス測定による微細加工くし歯動作アクチュエータの電気機械的解析962■■■■■■■■■■■
ひび割れ検知用のファイバ光学プレートセンサの設計と機械的特性959■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カンチレバービームのプルイン電圧計算用の漏れ磁場を考慮した分析モデル959■■■■■■■■■■■■■■■■■■
高分子ミセル構造957■■■■■■■■■■■■■■■■
「鏡筒」親指サイズ;東大・堀場製作など,走査型電子顕微鏡を試作,解像度,数10ナノメートル955■■■■■■■■■■■■■■
ガスの痕跡検出用センサシステム−ロボットとセンサネットワーク954■■■■■■■■■■■■■
アルミニウム表面の異方性湿潤性を達成する微小規模の表面トポロジーの創出953■■■■■■■■■■■■
アモルファス過フッ化炭化水素ポリマーのリフローによるマイクロ屈折レンズ952■■■■■■■■■■■
プロセス中の表面保護のための酸化膜犠牲層952■■■■■■■■■■■
3C-SiC薄膜の残留応力と弾性係数の測定952■■■■■■■■■■■
真空紫外(VUV)光による酸化膜表面の照射損傷951■■■■■■■■■
水ジェット誘導式レーザー加工943■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス陽極結合に金属を用いた堅固な流体相互接続の組立943■■■■■■■■■■■■■■■■
バッキーゲル943■■■■■■■■■■■■■■■■
HF気相エッチングによる犠牲層酸化膜エッチング技術938■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
キャビティ付マイクロチャンネル内の液体の流れ931■■■■■■■■■■■■
ガラス質カーボンモールドの機械的および形態学的特性に関する熱処理条件の効果930■■■■■■■■■■■■
らせん状微小構造体;フラーレン内包のCNTで,九大と産総研が水中で作製,エレや材料科学に新用途921■■■■■■■■■■■
インプリント_ソフトリソグラフィ921■■■■■■■■■■■
クヌーセン圧縮機の熱クリープ駆動流とナノ/マイクロスケールのガス輸送路919■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面処理:SAM処理による付着力の影響919■■■■■■■■■■■■■■■■■■
イオンビーム転写リソグラフィを用いた非平面上のナノスケールパターン刻印917■■■■■■■■■■■■■■■■
FOX法(a_Ferrous_Oxidation-Xylenol_Orange_Method)911■■■■■■■■■
SU-8を凌ぐ高アスペクト比マイクロ構造体の形成911■■■■■■■■■
ステルスダイシング908■■■■■■■■■■■■■■■■■
かしめ工法を利用した常温接合技術905■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージ904■■■■■■■■■■■■■
PDMSのエッチング902■■■■■■■■■■■
CMOS互換AFMチップ(TMAH作製)の利用898■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSによるイオントラップ型量子コンピュータ897■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
アルミナ粒子の圧縮破壊強度891■■■■■■■■■■■■
シリコン貫通電極(TSV)構造の分類890■■■■■■■■■■■■
グレイスケール技術を用いた自動2軸光ファイバー位置合わせ886■■■■■■■■■■■■■■■■■
タングステンを用いたSi貫通ビア(TSV)881■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法における充填材料の選定881■■■■■■■■■■■
誘電体膜上のエレクトロウェッティング(EWOD)効果測定用テスト構造874■■■■■■■■■■■■■■
感光性PDMS870■■■■■■■■■■
CNT-金属間の接触抵抗869■■■■■■■■■■■■■■■■■
めっきによる銅バンプ形成技術864■■■■■■■■■■■■
Μ-EDMによる電気的測定861■■■■■■■■
ガラスと高親和な金属:Kovar860■■■■■■■■
PDMSの3次元切削加工860■■■■■■■■
ビームリード法によるチップ実装技術853■■■■■■■■■■■
電気的測長手法847■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
サファイア基板のフェムト秒レーザー改質846■■■■■■■■■■■■■■■■■■
RIEを用いたポリイミドのエッチング技術846■■■■■■■■■■■■■■■■■■
コーン形状型マイクロバンプの形成842■■■■■■■■■■■■■■
常温接合842■■■■■■■■■■■■■■
Si基板上へのIII/V化合物結晶接合"SmartCut"841■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージング技術を用いた静電2軸MEMS光スキャナのミラー振れ角と真空度の関係839■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
活性酸素種分析のための化学発光プローブ839■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ペンタセン薄膜の移動度とグレインサイズとの関係838■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノメカニカル振動子のノイズ836■■■■■■■■■■■■■■■■■
昇温脱離分析(TDS)による熱脱離生成物の定量評価835■■■■■■■■■■■■■■■■
ラジフロリーク試験833■■■■■■■■■■■■■■
サファイア基板の改質層のエッチング832■■■■■■■■■■■■■
電気化学DNAセンサー828■■■■■■■■■■■■■■■■■■
いよいよ実現-カプセル内視鏡の現状と将来827■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siチップの内部応力に及ぼすダイボンド弾性率の影響824■■■■■■■■■■■■■■
金表面へのDNAの固定化法824■■■■■■■■■■■■■■
光電気信号変換モジュール822■■■■■■■■■■■■
感光性ポリイミド絶縁層材料821■■■■■■■■■■
FIB-CVD法によるカーボンナノ構造体作製技術820■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)ビア配線のバリスティック伝導817■■■■■■■■■■■■■■■
クライオプロセスと熱酸化によるSiO2深堀り構造の形成816■■■■■■■■■■■■■■
エネルギー閉じ込め型共振子814■■■■■■■■■■■■
熱応答性ポリマー806■■■■■■■■■■■■■■
デュアルハードマスクプロセスを用いたダマシン配線構造804■■■■■■■■■■■■
Cuボイドフリーめっき技術804■■■■■■■■■■■■
ガスデポジションGD法による金バンプ形成技術802■■■■■■■■■■
オムロンがMEMS工場を披露、200mmでCMOSとMEMSを融合801■■■■■■■■
APCVDによるSiO2とSi3N4上へのSiC成膜800■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージング技術を用いた静電2軸MEMS光スキャナの共振周波数特性798■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
細胞中の酸化ストレス標識試薬798■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
タンパク質の高感度検出法797■■■■■■■■■■■■■■■■■■
超高密度MEMS垂直プローブカード792■■■■■■■■■■■■■
Siの金属誘起エッチング(metal-induced_etching)789■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
X線リソグラフィ技術783■■■■■■■■■■■■■
空気圧駆動バルブを用いたぺリスタポンプ783■■■■■■■■■■■■■
マスクレスグレースケールリソグラフィによるマイクロレンズアレイ作製782■■■■■■■■■■■■
プラズマ重合装置の製作781■■■■■■■■■■
Poly-Si/Wを用いたSi貫通ビア(TSV)780■■■■■■■■■■
ダイヤモンドナノエミッタの開発770■■■■■■■■■
石英ガラスのウエットエッチング技術770■■■■■■■■■
レーザーによるアモルファスSiの再結晶化769■■■■■■■■■■■■■■■■
タンパク質検出用アレイ768■■■■■■■■■■■■■■■
研削によるAuバンプの平滑化と接合767■■■■■■■■■■■■■■
フォトニック偏光子集積イメージャ766■■■■■■■■■■■■■
Cavity-SOIウェハ766■■■■■■■■■■■■■
ボイド形成剥離(Viod-Assited_Separation765■■■■■■■■■■■■
ワイヤグリッド偏光子集積イメージャ765■■■■■■■■■■■■
エピタキシャル3C-SiCの薄膜の機械的特性763■■■■■■■■■■
TSVの高周波特性の評価方法761■■■■■■■
ダマシンプロセスによるCNTビア配線761■■■■■■■
3D-MID技術761■■■■■■■
フレキシブルエレクトロニクス760■■■■■■■
真空パッケージングに対するパリレンボンディングの特性758■■■■■■■■■■■■■■■
BOSCHプロセス757■■■■■■■■■■■■■■
PEDOT:PSS756■■■■■■■■■■■■■
モルフォ蝶を規範とした構造発色デバイス756■■■■■■■■■■■■■
自己組織化単分子層(SAM)パターニングと銀ナノ粒子の選択堆積755■■■■■■■■■■■■
グロー放電プラズマによるMEMS圧力センサへの電荷移動752■■■■■■■■■
プロービング:フリッティングコンタクト752■■■■■■■■■
Dundursコンポジットパラメータ752■■■■■■■■■
フリットガラスによる真空封止とその評価751■■■■■■■
エピGaAs薄膜の犠牲層ひきはがし750■■■■■■■
パリレンによるPDMSの空気透過性制御750■■■■■■■
微細コンタクトバンプ形成技術750■■■■■■■
ガスクラスターイオンビームによるSi側壁の平坦化技術749■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
LPCVD法による多結晶SiGe薄膜の作製方法748■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-電歪効果744■■■■■■■■■■■■■■■
カギは低コストの密閉技術、次は高性能CMOSとの融合へ744■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン/ガラス接合構造におけるDeep-RIEプロセス743■■■■■■■■■■■■■■
Au-In(TLP)ウエハ接合によるMEMS真空パッケージ741■■■■■■■■■■■
超小型MEMSミラープロジェクタを開発(コニカミノルタ)730■■■■■■■■■■
LSI集積化MEMS:DMDの例727■■■■■■■■■■■■■■■■
【特許】水ジェット誘導式レーザー加工726■■■■■■■■■■■■■■■
アルミナ系スラリーを用いたCuのCMP技術724■■■■■■■■■■■■■
多層膜の透過率、反射率解析723■■■■■■■■■■■■
コンプライアンス検出用触覚センサ722■■■■■■■■■■■
プラズマ表面活性化を利用したウェハ低温接合技術721■■■■■■■■■
マイクロ3相交流発電機のためのCMOS整流回路721■■■■■■■■■
過酸化脂質測定試薬720■■■■■■■■■
SPMを用いたナノスケール弾性特性評価719■■■■■■■■■■■■■■■■
熱圧着:Au-Auバンプ接合714■■■■■■■■■■■
エアロゾルデポジション法による圧電材料の成膜713■■■■■■■■■■
表面の接触解析710■■■■■■■
微細多層配線形成技術709■■■■■■■■■■■■■■■■
結晶異方性エッチング709■■■■■■■■■■■■■■■■
低温PECVD窒化シリコン薄膜のポアソン比709■■■■■■■■■■■■■■■■
SOI基板とPDMSスタンプを用いたマイクロ構造のスタンピング転写法708■■■■■■■■■■■■■■■
ノンシアン銀めっきによる微細配線技術707■■■■■■■■■■■■■■
アルカリ現像ポジ型感光性BCBのパターニング技術706■■■■■■■■■■■■■
RF_MEMSスイッチの信頼性706■■■■■■■■■■■■■
エアロゾルデポジション705■■■■■■■■■■■■
シリコンを基礎技術としたチップ上のトランス701■■■■■■■
ウェハ貫通エッチング孔(DRIEによる)精度の電気的測定700■■■■■■■
O2プラズマ処理を用いたInP基板とSi基板の接合700■■■■■■■
コンパクトに配置した電熱動作一体型の長く伸びるマイクロドライブの設計と評価698■■■■■■■■■■■■■■■■■■
基板変形によるチップ内部応力に及ぼすダイボンド材料特性の影響698■■■■■■■■■■■■■■■■■■
インプリント_段差付パターン697■■■■■■■■■■■■■■■■■
微小塩素ガスセンサー696■■■■■■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法における酸化錫の低減に向けた検討696■■■■■■■■■■■■■■■■
多目的環境センシングシステムに向けたSOI-MEMSセンサの作製695■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンをベースとした空気呼吸型マイクロ直接メタノール燃料電池695■■■■■■■■■■■■■■■
Siチップの内部応力に及ぼすダイボンド厚みの影響694■■■■■■■■■■■■■■
細径中空同軸線693■■■■■■■■■■■■■
イオン注入による機能加工692■■■■■■■■■■■■
コメ粒大触覚センサー、ロボットの動き繊細に、東大と松下、介護・家事用691■■■■■■■■■■
アライメント機構付きシャドウマスクの位置合わせ精度の向上688■■■■■■■■■■■■■■■■■
スプレーコーティング法を用いたMOSFET容量性センサの製作688■■■■■■■■■■■■■■■■■
チャレンジ新製品、MEMSセンサー、省エネ化の大きな力に(オムロン)688■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siフュージョンボンディングを用いた微小ガラス管の製作687■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSのためのALDによる保護膜686■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSチップのダイシング工程に対する保護(保護フィルム編)686■■■■■■■■■■■■■■■
圧力センサ用金属ガラスダイアフラム686■■■■■■■■■■■■■■■
生体分子間結合力の測定685■■■■■■■■■■■■■■
LSI集積化MEMS:Analog_Devicesの慣性センサの例685■■■■■■■■■■■■■■
常温ウエハ接合:Cu薄膜(微細電極)684■■■■■■■■■■■■■
感光性ポリイミドのパターニング技術683■■■■■■■■■■■■
スクリーン印刷した触媒電極のMEMS燃料電池への適用682■■■■■■■■■■■
ガラス-PDMS-ガラスからなるマイクロ流体デバイスの製作680■■■■■■■■■
コンフォーマルW-TSVの形成680■■■■■■■■■
SiO2犠牲層によるSiCの選択的成長方法679■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマ活性化法による水晶とSiの低温直接接合679■■■■■■■■■■■■■■■■■
O3-TEOSによる貫通孔側壁絶縁膜の形成678■■■■■■■■■■■■■■■■
InGaAs/GaAsの導電率測定677■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ-ニッケルナノ複合材料の機械的強度677■■■■■■■■■■■■■■■
櫛歯675■■■■■■■■■■■■■
RIE用マスクの作成方法(Ni電鋳)675■■■■■■■■■■■■■
表面処理:毛管力の簡易モデル674■■■■■■■■■■■■
次世代のLSI-MEMS集積化技術:SiGe技術673■■■■■■■■■■■
フェムト秒パルスによる非熱的加工672■■■■■■■■■■
エンコーダー2.8mm角に(エクストコム)670■■■■■■■■
EMIテスタ670■■■■■■■■
ガウシアン集光とベッセル集光の強度分布比較668■■■■■■■■■■■■■■
フェライトと非磁性体の拡散接合667■■■■■■■■■■■■■
ガスフロー型高速スパッタによるPZT成膜665■■■■■■■■■■■
溶融はんだ吐出法を用いた真空封止技術662■■■■■■■■
低温拡散接合で用いるAg-In層の組成分析661■■■■■■
P型<110>方位シリコンナノワイヤのピエゾ抵抗特性660■■■■■■
表面処理:SAM膜の摩耗特性659■■■■■■■■■■■■■■■
せん断モード圧電素子アクチュエータのポーリング処理設計659■■■■■■■■■■■■■■■
オンチップ二次元電気泳動システム658■■■■■■■■■■■■■■
BCB材料のプロセスと高周波特性の評価658■■■■■■■■■■■■■■
薄膜グルコースバイオセンサー658■■■■■■■■■■■■■■
インプリント_多層パターン656■■■■■■■■■■■■
コオロギの尾角を規範とした流量センサ654■■■■■■■■■■
スタンプ疎水性局所制御PDMSによる細胞培養チャンバ653■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術1653■■■■■■■■■
ClF3ガスを用いたSiGeエッチングによる可動構造のリリース653■■■■■■■■■
ICP-RIEトレンチの側壁平滑化653■■■■■■■■■
AZ4562のサーフェスマイクロマシニングへの応用652■■■■■■■■
シリコンピエゾ抵抗型6軸フォース・モーメントセンサ649■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
微結晶SiGeのピエゾ抵抗効果649■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
細胞膜模倣ポリマー648■■■■■■■■■■■■■■■■■■
(110)シリコン中の1-D光バンドギャップ・チューナブル光学フィルタ648■■■■■■■■■■■■■■■■■■
BHF、KOHによるシリコン表面の粗化647■■■■■■■■■■■■■■■■■
タンパク質の高感度かつ簡易的検出法の創製646■■■■■■■■■■■■■■■■
ペプチドタグを利用したタンパク質固定化法646■■■■■■■■■■■■■■■■
ETP技術を利用した高レ-トSi深堀りエッチング645■■■■■■■■■■■■■■■
ゲルを開発、自律的に伸び縮み、医療分野に応用、東大、人工臓器の筋肉に644■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージングした酸化金属(MOX)ガスセンサ643■■■■■■■■■■■■■
パイレックス基板の改質層のエッチング643■■■■■■■■■■■■■
Electrowetting(液滴駆動)643■■■■■■■■■■■■■
局所加熱による低温ウエハ接合642■■■■■■■■■■■■
CMOS集積化のためのAlN薄膜の表面マイクロマシニングによる2GHzレゾネータ641■■■■■■■■■■
LIGAプロセス641■■■■■■■■■■
タイヤ内センサーの無線監視システムを開発(横浜ゴム)640■■■■■■■■■■
高アスペクト貫通孔への銅メッキ技術639■■■■■■■■■■■■■■■■■■
撥水処理による気液分離構造638■■■■■■■■■■■■■■■■■
チップ上の4方向エジェクターによる固体表面上のオン・デマンドDNA合成637■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノポーラスシリコン635■■■■■■■■■■■■■■
CO2レーザーによるガラスの表面加工634■■■■■■■■■■■■■
III-V族化合物半導体結晶のSi基板への転写634■■■■■■■■■■■■■
ウエハ接合の評価クライテリア633■■■■■■■■■■■■
ノンシアン無電解金めっきによる微細バンプ形成技術633■■■■■■■■■■■■
Characterization,_modelling_and_performance_evaluation_of_CMOS_integrated_multielectrode_tunable_capacitor(MTC)632■■■■■■■■■■■
MEMS実装:GaNの常温直接接合632■■■■■■■■■■■
大小開口の同時作製ができる酸素添加型ボッシュプロセス631■■■■■■■■■
ポリシリコンによる貫通電極631■■■■■■■■■
高アスペクト比W-TSVとCu-ポリイミド接合を用いた3D-ICの作製630■■■■■■■■■
インクジェットプリント技術を利用したマイクロ流路の作製と応用629■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウェーハレベルチップスケールパッケージの薄膜配線におけるビア接続抵抗に関する評価629■■■■■■■■■■■■■■■■■
ひずみ増幅圧電MEMSアクチュエータ628■■■■■■■■■■■■■■■■
タンパク質分析用蛍光検出分子プローブ628■■■■■■■■■■■■■■■■
RIE_lag628■■■■■■■■■■■■■■■■
インターポーザーの試作と機能の実証626■■■■■■■■■■■■■■
水メニスカスによるスティクションの理論的考察626■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:プラスマ活性化を用いたAu-Au接合によるLiNbO3/Si実装626■■■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術6625■■■■■■■■■■■■■
0.25μmCMOS上へのポストプロセス許容温度622■■■■■■■■■■
非真空ボトムアップ銀ナノ粒子析出方法620■■■■■■■■
キネシン微小管を利用した構造物の搬送620■■■■■■■■
キネシン駆動のマイクロデバイス619■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロサイズSi単結晶の破壊応力と破壊靭性の異方性618■■■■■■■■■■■■■■
TSVの高周波特性の基板比抵抗依存性617■■■■■■■■■■■■■
インテル、超小型端末617■■■■■■■■■■■■■
ウェハレベル接合によるマイクロストリップアンテナ素子617■■■■■■■■■■■■■
ウエハ接合:ガラスなど617■■■■■■■■■■■■■
偏光検出CMOSイメージセンサ617■■■■■■■■■■■■■
ステンレス基板を使ったスキャナ616■■■■■■■■■■■■
ビア配線のためのカーボンナノチューブ(CNT)束の緻密化615■■■■■■■■■■■
表面活性化:シーケンシャルプラズマプロセス615■■■■■■■■■■■
ガラスフリット接合による高圧、高温デバイスの流体パッケージング614■■■■■■■■■■
(110)シリコン結晶の湿式エッチングによるシリコンナノワイヤの多量生産614■■■■■■■■■■
タグチメソッドによるマイクロ球状ファイバープローブ作製の最適化613■■■■■■■■■
高速デジタル信号伝送特性測定技術610■■■■■■
めっきによる貫通配線ガラスの作製609■■■■■■■■■■■■■■■
サスペンション高アスペクト比マイクロ構造の新しい製作方法609■■■■■■■■■■■■■■■
SiO2モールドによるSiCのパターニング技術608■■■■■■■■■■■■■■
医療用マイクロロボット608■■■■■■■■■■■■■■
薄膜金属ガラスのスパッタ成膜608■■■■■■■■■■■■■■
活性酸素消去能測定607■■■■■■■■■■■■■
アプタマーを利用した電気化学的タンパク質検出607■■■■■■■■■■■■■
ピエゾ抵抗型4軸ジョイスティック607■■■■■■■■■■■■■
離型剤不要のフッ素樹脂モールド材料およびフッ素含有UV硬化性樹脂607■■■■■■■■■■■■■
超音波熱圧着:Au-Auフリップチップ接合606■■■■■■■■■■■■
0.35μmBiCMOS集積化MEMSの機械特性計測606■■■■■■■■■■■■
金属プレス加工を用いたMEMS製造605■■■■■■■■■■■
ソーキングを用いたリフトオフ605■■■■■■■■■■■
パリレン厚膜を用いたシャドウマスク604■■■■■■■■■■
実装測定用プローブステーション604■■■■■■■■■■
疎水性パターニングによる液体導波路602■■■■■■■■
チップ上で増幅・解析;遺伝子,栄研化学と徳島大大学院,基礎技術を開発602■■■■■■■■
圧覚と力覚の複合ディスプレイ装置の試作601■■■■■■
発振器で沸き立つ「MEMS_vs.水晶」比較論を水晶発振器メーカーが語る600■■■■■■
エピGaAs薄膜の犠牲層ひきはがしの最適化600■■■■■■
Au-In合金接合を用いたウエハレベル真空パッケージング600■■■■■■
接着 BCB転写598■■■■■■■■■■■■■■■■■
空気圧駆動バルブ598■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス内部クラック形状のレーザー集光形状依存性597■■■■■■■■■■■■■■■■
キャビティ構造の基板を用いた電子回路モジュールの製造性と信頼性597■■■■■■■■■■■■■■■■
スパッタリングしたTi薄膜の機械的特性のArガス圧依存性596■■■■■■■■■■■■■■■
ナノ開口向けにチューンしたボッシュプロセス596■■■■■■■■■■■■■■■
凹凸表面を用いた撥水性の切り替え595■■■■■■■■■■■■■■
液相拡散接合の実際595■■■■■■■■■■■■■■
ウェーハ張り合わせによる三次元集積化技術593■■■■■■■■■■■■
An_Electrostatic,On/Off_Microvalve_Designed_for_Gas_Fuel_Delivery_for_the_MIT_Microengine591■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)と金属ナノワイヤのハイブリッド構造590■■■■■■■■■
タンパク質を可視化するための新規標識法590■■■■■■■■■
熱源と温度センサを備えた流速センサ590■■■■■■■■■
精密銅めっきによる微細配線形成技術の応用590■■■■■■■■■
参入予備軍10社以上のMEMSマイク“Knowles特許”が新規参入拒む恐れ589■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siバルクマイクロマシニング589■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマ表面活性化を利用した低温接合技術589■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMS用撥水性シリル化コーティング技術589■■■■■■■■■■■■■■■■■
SEM式ナノプロービング588■■■■■■■■■■■■■■■■
ZiBond :酸化膜の低温接合技術588■■■■■■■■■■■■■■■■
ガスフロースパッタリング588■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンのMEMSプロセス中の陽極酸化:自然酸化膜は予想より厚い588■■■■■■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法における充填金属の密着性向上に向けた検討588■■■■■■■■■■■■■■■■
高速熱拡散法による薄膜ピエゾ抵抗層形成588■■■■■■■■■■■■■■■■
高精度フリップチップ接続技術587■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス貫通Si電極を用いたSOG-MEMSデバイス実装587■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンマイクロチャンネル内の凝縮熱移動と流れ摩擦587■■■■■■■■■■■■■■■
スペーサ法で製作した金属製マイクロチャンネル内マイクロ流体の流れ587■■■■■■■■■■■■■■■
セル―ポリマーハイブリッドシステム用複合3Dポリマー構造の作製587■■■■■■■■■■■■■■■
フォトリソグラフィー法によるDNAチップの作製583■■■■■■■■■■■
デバイス技術を駆使し、個人の体質に合わせた医療を実現582■■■■■■■■■■
厚膜レジストAZ9260を用いた高アスペクト比コイルの作製582■■■■■■■■■■
同軸配線プリント回路基板582■■■■■■■■■■
DeepRIE加工溝内壁の均一酸化581■■■■■■■■
CNT-メンブレンのプラズマ処理580■■■■■■■■
サンドイッチ構造によるRF_MEMS梁の反り抑制580■■■■■■■■
ウェットエッチングによるシリコン対向ナノ針端の製作579■■■■■■■■■■■■■■■■
ウェハ貫通エッチング孔(KOHによる)精度の電気的測定578■■■■■■■■■■■■■■■
パイレックス基板のフェムト秒レーザー改質578■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSチップのダイシング工程に対する保護(両面レジスト編)577■■■■■■■■■■■■■■
LiNbO3とSiの直接接合576■■■■■■■■■■■■■
O3-TEOS-CVDを用いたSiO2によるCNT埋め込み576■■■■■■■■■■■■■
RF-MEMS用複合型ウェハレベルパッケージング576■■■■■■■■■■■■■
スピンコート法によるフレキシブルプリント配線板作製技術576■■■■■■■■■■■■■
レーザーの産業応用576■■■■■■■■■■■■■
オムロン、10年度以降100億円めざす、MEMSデバイス事業売上げ575■■■■■■■■■■■■
シングルチップRFLSI向け低電圧駆動RF_CMOS-MEMSスイッチ575■■■■■■■■■■■■
ソフトリソグラフィ技術を用いたアルミナマイクロ構成部品の網目形成プロセス575■■■■■■■■■■■■
A_study_on_resonant_frequency_and_Q_factor_tunings_for_MEMS_vibratory_gyroscopes575■■■■■■■■■■■■
イオン液体へのスパッタ蒸着によるナノ粒子生成法573■■■■■■■■■■
スクリーン印刷で作製、有機アクチュエーター、コスト安く複雑成形、日立573■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工(波長355nm)572■■■■■■■■■
シリコンを用いたチューナブル光薄膜フィルタの熱的光学的特性571■■■■■■■
ナノポーラスゼオライトを用いたクヌーセンポンプ571■■■■■■■
CNT-光学吸収の異方性571■■■■■■■
石英基板のフェムト秒レーザー改質570■■■■■■■
金ナノ粒子単分子膜による蛍光増強570■■■■■■■
シリコン、パイレックス、COCマイクロ流体チップ用各種PDMS相互接続解決法570■■■■■■■
シリコンの自己調心形塑性変形を用いた微細加工のねじりアクチュエータ570■■■■■■■
パターン形成(100)InP基板上の等角AZ5214-Eレジスト沈着570■■■■■■■
フレキシブルポリマー格子を用いたSPR(Surface_Plasmon_Resonance)coupler製作570■■■■■■■
インプリント_ローラインプリント569■■■■■■■■■■■■■■
ナノバイオマシン創製へ,JBA調査委が報告書(上);実用技術と融合推進,研究者の参集不可欠569■■■■■■■■■■■■■■
InGaAs/GaAsナノコイルによる電気伝導度センサー569■■■■■■■■■■■■■■
スプレー塗布中の平坦化:数値的研究567■■■■■■■■■■■■
タンパク質のハイスループット検出法567■■■■■■■■■■■■
ファブリペロー共振器の安定性ダイヤフラムについて567■■■■■■■■■■■■
カプセル内視鏡の現状と将来566■■■■■■■■■■■
ピラミッド構造型マイクロバンプの形成566■■■■■■■■■■■
レーザー加工形状のパルス幅依存性(Si)566■■■■■■■■■■■
カメラの製造手法をMEMSで変える、半導体メーカーの事業領域に564■■■■■■■■■
ソフト鋳型のマイクロ移送成形によるマイクロレンズアレイの迅速製造法564■■■■■■■■■
自己組織化膜を利用したスティッキング対策564■■■■■■■■■
シリコンマイクロチャンネル内の蒸気凝縮中の噴射流体の流れ563■■■■■■■■
マイクロ液体レートジャイロ563■■■■■■■■
スパッタによるナノドット形成技術561■■■■■
単結晶ダイヤモンドの鉄系金属との化学反応および燃焼による加工561■■■■■
薄膜チタンゲッターと陽極接合を用いた真空パッケージング560■■■■■
微細ピッチ高周波コンタクトプローブ559■■■■■■■■■■■■■■
バイモルフ型ピストンチップチルトマイクロミラー559■■■■■■■■■■■■■■
CNT-AFM探針を用いた計測559■■■■■■■■■■■■■■
超高速TDT測定技術558■■■■■■■■■■■■■
親水性SU-8を用いた接着技術557■■■■■■■■■■■■
テーパーTSVの形成技術557■■■■■■■■■■■■
小型温度環境試験装置557■■■■■■■■■■■■
表面処理:酸素大気圧プラズマによる表面洗浄556■■■■■■■■■■■
ガラスの内部加工(波長800nm)556■■■■■■■■■■■
ガラス熱割断のレーザー照射形状依存性556■■■■■■■■■■■
ポリマー・パラフィン・マイクロアクチュエータ555■■■■■■■■■■
柔軟な関節機構による負ポアソン比を持つ材料554■■■■■■■■■
CNT_arrayを用いた接触熱抵抗低減554■■■■■■■■■
ブラウンノイズのセンサへの影響553■■■■■■■■
実装:AuSnはんだとIn系はんだによる光素子実装553■■■■■■■■
導電性パラフィンによる熱相変化アクチュエーター551■■■■■
微細加工したシリコン構造体のステインエッチング551■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)による基板貫通接続551■■■■■
シリコンのピエゾ抵抗率551■■■■■
CNTs-スーパーグロース法2-CNTの特徴550■■■■■
TSVの高周波特性の孔壁絶縁膜依存性549■■■■■■■■■■■■■■■■■■
無電解めっき法による微細ピッチフリップチップ接続549■■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMS-IC縦方向集積のためのバンプなし接合548■■■■■■■■■■■■■■■■■
SCREAM_(Single_Crystal_Silicon_Reactive_Etch_and_Metal)_process548■■■■■■■■■■■■■■■■■
スーパーカーボンナノチューブからなる超高感度質量センサおよび歪センサ548■■■■■■■■■■■■■■■■■
水素雰囲気アニール547■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロメカニカル共鳴静電界センサの設計と試験546■■■■■■■■■■■■■■■
3D-MEMSウエハレベルパッケージ実現のためのウエハAu/Au接合546■■■■■■■■■■■■■■■
Design_and_theoretical_evaluation_of_a_novel_microfluidic_device_to_be_used_for_PCR545■■■■■■■■■■■■■■
多層CNTによる1GHz配線545■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブの超塑性変形545■■■■■■■■■■■■■■
SiマイクロプローブおよびSiO2マイクロチューブアレイとMOSFETの集積化プロセス544■■■■■■■■■■■■■
ガラス内部クラック幅のレーザー波長依存性544■■■■■■■■■■■■■
クランク形状貫通配線の導電性評価544■■■■■■■■■■■■■
ピエゾ抵抗型流量センサ544■■■■■■■■■■■■■
Au接合を用いたRF-MEMS用ウエハレベルハーメチックパッケージ543■■■■■■■■■■■■
Fabry-Perot共振器の電磁界解析543■■■■■■■■■■■■
三鎖構造を有するLB膜味覚センサの検出特性542■■■■■■■■■■■
多段階塗布・露光工程を用いた多層SU-8構造の作製542■■■■■■■■■■■
電着ポリイミド絶縁層による微細多層配線技術541■■■■■■■■■
ウェハレベル接合用新規熱硬化性ナノインプリントレジスト541■■■■■■■■■
シリコン・マイクロカンチレバー・ヒーターの電気的、熱的、機械的特性化541■■■■■■■■■
フュージョンボンディングとシリコンナノ表面粗さの関係541■■■■■■■■■
Si表面のアモルファス化540■■■■■■■■■
カーボンナノチューブによる伸縮性導体540■■■■■■■■■
導電性高分子によるエレクトロクロミック現象540■■■■■■■■■
平板間における水メニスカスによる付着力の挙動540■■■■■■■■■
超高速TDT測定技術の応用540■■■■■■■■■
ガラスとガラスの陽極接合と静電気力539■■■■■■■■■■■■■■■■■
A_MEMS_Electromagnetic_Optical_Scanner_for_a_Commercial_Confocal_Laser_Scanning_Microscope539■■■■■■■■■■■■■■■■■
グリーンレーザーによる自己形成光導波路(Self-Written_Waveguide)538■■■■■■■■■■■■■■■■
スパッター蒸着Crハードマスクを用いた深化溶融石英ウェットエッチング538■■■■■■■■■■■■■■■■
プロテインアレイ538■■■■■■■■■■■■■■■■
薄型チップを高強度化するダイシング技術538■■■■■■■■■■■■■■■■
微小酸素センサー537■■■■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術5537■■■■■■■■■■■■■■■
3次元配線形成のためのスプレーコート技術537■■■■■■■■■■■■■■■
マルチウォールCNTとTi電極へのオーミック接触同時形成537■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン熱抵抗型2軸ジャイロスコープ536■■■■■■■■■■■■■■
石英基板の改質層のエッチング536■■■■■■■■■■■■■■
CNTとMEMS、SOI_CMOSによる新しいガスセンサ536■■■■■■■■■■■■■■
Paryleneボンディング536■■■■■■■■■■■■■■
ポリシラザンを用いた無機材料低温接合法535■■■■■■■■■■■■■
溶融はんだ吐出法を用いたCuランド上へのはんだ搭載535■■■■■■■■■■■■■
微細構造ウエットエッチング後の乾燥法534■■■■■■■■■■■■
AFM利用ナノファイバーの接合強度533■■■■■■■■■■■
デバイス中への液体封止技術533■■■■■■■■■■■
Siの内部加工(波長1064nm)532■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブのマイクロ電極アレイ532■■■■■■■■■■
擬似SOC532■■■■■■■■■■
表面活性化:Si-Si接合によるLiNbO3/Si実装532■■■■■■■■■■
SOI大規模集積回路のPDMSへの集積化532■■■■■■■■■■
非対称構造を持ったアインツェルレンズのデザイン方法531■■■■■■■■
ジブロックコポリマーのミクロ相分離を利用したナノ構造パターニング530■■■■■■■■
マイクロウェーブ加熱による金ナノ粒子作製手法530■■■■■■■■
マイクロマニピュレーションによる3次元フォトニック結晶の作製方法530■■■■■■■■
シリコンの塑性変形を用いた立体構造529■■■■■■■■■■■■■■■■
ボイド形成剥離法による3_インチGaN_基板の作製529■■■■■■■■■■■■■■■■
Si表面のナノ周期構造形成528■■■■■■■■■■■■■■■
インクジェットによる化学センサチップ製作528■■■■■■■■■■■■■■■
チップデバイスによるMEMS特性評価528■■■■■■■■■■■■■■■
レーザーパルスの長さ527■■■■■■■■■■■■■■
レーザー加工形状のパルス幅依存性(Cu)527■■■■■■■■■■■■■■
安定性ダイアグラム527■■■■■■■■■■■■■■
接合 表面活性化 O2プラズマの照射時間526■■■■■■■■■■■■■
非破壊で陽極接合の強度を評価するテスト構造526■■■■■■■■■■■■■
ガスデポジションGD法による金バンプ形成技術の応用526■■■■■■■■■■■■■
デンソーが自動車MEMSを展望526■■■■■■■■■■■■■
SiGeを用いたマイクロミラーアレイ525■■■■■■■■■■■■
Deep-RIEでSiをコネクタ加工524■■■■■■■■■■■
MEMSによるマイクロ真空計524■■■■■■■■■■■
Cavity-through_DRIE523■■■■■■■■■■
MEMSにおけるトライボロジー問題523■■■■■■■■■■
ロボットが内視鏡操作、腹腔鏡手術、安心に、岐阜大など523■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術2523■■■■■■■■■■
溶融はんだ吐出法を用いたバンプ形成技術522■■■■■■■■■
インクジェットを用いたオンデマンド配線および接合522■■■■■■■■■
フォトリソグラフィを用いた側壁傾斜構造の作製方法522■■■■■■■■■
3D_nonlinear_modeling_of_microhotplates_in_CMOS_technology_for_use_as_metal-oxide-based_gas_sensors522■■■■■■■■■
Difference_in_Activated_Atomic_Steps_on_(111) Silicon_Surface_during_KOH_and_TMAH_Etching522■■■■■■■■■
PDMSディフュージョンポンプ522■■■■■■■■■
GaInP/GaAs太陽電池を用いた水の電気分解デバイス521■■■■■■■
チャンネルと貯蔵部を形成したエジェクタアレイを覆う被膜の移動と貼り付け技術521■■■■■■■
自己修復機能をもつ熱可逆ゴム521■■■■■■■
シリコンマイクロヒーターのモデリングと実験的同定:システムの研究520■■■■■■■
モノリシック薄膜カプセル化技術520■■■■■■■
「Foturan_TM」光電性ガラスの集束イオンビーム微細加工519■■■■■■■■■■■■■■
パリレンCのプラズマによる除去519■■■■■■■■■■■■■■
フレキシブル温度・湿度センサ519■■■■■■■■■■■■■■
プラズマ重合薄膜を利用したグルコースセンサー519■■■■■■■■■■■■■■
水晶振動子・フィルタのオンチップ集積化519■■■■■■■■■■■■■■
DRIEによる位置合せ機構付シリコンシャドウマスク(ドーナツ形状可能)519■■■■■■■■■■■■■■
SAWデバイスにおける端面反射波のキャンセル519■■■■■■■■■■■■■■
Deep-RIEと結晶異方性エッチングの組み合わせによるナノピンセット先端構造のセルフアライメント製作法518■■■■■■■■■■■■■
吊り下げ構造を持つCMOSLSI一体型MEMSLCレゾネータ518■■■■■■■■■■■■■
表面活性化常温接合法:界面518■■■■■■■■■■■■■
タンパク質分析用新規比色分析試薬の創製518■■■■■■■■■■■■■
超臨界CO2を媒体に用いた金属製膜518■■■■■■■■■■■■■
精密銅めっきによる微細配線形成技術517■■■■■■■■■■■■
自己組織化単分子膜を重合開始種とした表面開始重合法517■■■■■■■■■■■■
Cu_layerの高アスペクト比メッキ517■■■■■■■■■■■■
PECVDを用いた多層成膜によるポストプロセス向けSiGe膜517■■■■■■■■■■■■
赤外域での液体の屈折率の測定法516■■■■■■■■■■■
高精度アライメント;モアレ干渉縞法516■■■■■■■■■■■
低電圧、大変位、大出力シャクトリムシ型アクチュエータ515■■■■■■■■■■
反応現像画像形成(RDP)法による感光性エンプラのパターニング515■■■■■■■■■■
スーパーオキシド測定試薬515■■■■■■■■■■
ノンシアン銀めっきによる銀薄膜堆積技術515■■■■■■■■■■
三次元集積化のための直接接合技術515■■■■■■■■■■
はんだリフローを利用した横方向接合514■■■■■■■■■
ラッチマイクロ電磁光スイッチ514■■■■■■■■■
単結晶ダイヤモンドの熱化学反応による加工514■■■■■■■■■
支持型ゲートMOSFETでの1テラビットMEMSメモリ514■■■■■■■■■
熱圧着:Au-Au接合によるSi基板へのGaAsレーザ実装514■■■■■■■■■
微粒子のセルフアセンブリ技術513■■■■■■■■
プロジェクタ応用MEMSスキャナ513■■■■■■■■
3次元配線形成のための斜め露光技術512■■■■■■■
STMを用いた単原子マニピュレーション512■■■■■■■
MEMSスイッチを用いたディスプレイ511■■■■■
低温デバイス高速信号対応検査冶具511■■■■■
陽極接合の低温化(Siメタライズ層の影響)511■■■■■
Biomimetic_strain-sensing_microstructure_for_improved_strain_sensor:_fabrication_results_and_optical_characterization510■■■■■
MEMSを用いたマイクロ熱交換器509■■■■■■■■■■■■■■
静電容量を介したプルイン、プルアウト電圧の測定509■■■■■■■■■■■■■■
電解グラフト層を用いた湿式TSV形成技術509■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルハーメチック薄膜封止技術509■■■■■■■■■■■■■■
ガラス内部加工のレーザー波長依存性509■■■■■■■■■■■■■■
ポリマー基板上へのカーボンナノチューブのマイクロ波援用パターニング509■■■■■■■■■■■■■■
Siの内部加工(波長1560nm)508■■■■■■■■■■■■■
テクスチャ加工された超疎水性表面におけるドロップレット接触角のヒステリシス508■■■■■■■■■■■■■
一体型多層マイクロ流路の製作方法507■■■■■■■■■■■■
イオンビームスパッタ法による中空封止技術506■■■■■■■■■■■
ガラス真空封止MEMSにシリコン垂直フィードスルーを開ける506■■■■■■■■■■■
ディスプレイ、内臓プロジェクターでみんなが楽しむ機器へ506■■■■■■■■■■■
薄膜厚膜界面破壊強度評価506■■■■■■■■■■■
CMOSチップ上に作製されたカスケード櫛歯型アクチュエータ505■■■■■■■■■■
RF_IC用フェライト薄膜オンチップ集積インダクター505■■■■■■■■■■
RF_MEMSスイッチにおけるスティクション問題の構造的解決法505■■■■■■■■■■
ナノリッター量の液滴生成505■■■■■■■■■■
パイレックス基板へのY字分岐貫通孔の作製504■■■■■■■■■
パワーMEMS●開発がニッチから大市場狙いへ504■■■■■■■■■
振動型加速度センサ504■■■■■■■■■
研磨時のチッピング低減技術503■■■■■■■■
薄膜の水分透過量測定デバイス503■■■■■■■■
マイクロチップ内界面重合503■■■■■■■■
スティクション障害カンチレバーの応力波修理の破壊力学の解説:理論と実験502■■■■■■■
結晶異方性エッチングの古い論文502■■■■■■■
感光性たんぱく質の選択的成膜501■■■■■
シリコン共振器501■■■■■
ミクロン分離デバイスの電気的ブレイクダウン現象501■■■■■
ミリ波帯MEMS・デバイス用シリコン基板貫通伝送線路501■■■■■
ダイヤモンドおよびダイヤモンド様炭素のMEMS500■■■■■
フリップチップ実装技術における封止樹脂の硬化温度依存性に関する評価500■■■■■
ワイヤレス電力転送プラスチックシート500■■■■■
微細ピッチ高周波コンタクトプローブの応用技術500■■■■■
RF駆動MEMSセンサ_の_分布埋め込みセンサへの応用500■■■■■
ストレチャブルエレクトロニクス499■■■■■■■■■■■■■■■■■
スプレーコートを用いた三次元構造体への配線形成技術499■■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ波加熱によるパリレンウェハボンディング499■■■■■■■■■■■■■■■■■
人工毛細胞フローセンサ499■■■■■■■■■■■■■■■■■
低温SOGウェハ接合499■■■■■■■■■■■■■■■■■
環状タングステンTSV技術499■■■■■■■■■■■■■■■■■
多層集積したウエハの評価方法について:超音波および赤外線による評価の比較498■■■■■■■■■■■■■■■■
水素アニールを用いたSiの3次元構造形成498■■■■■■■■■■■■■■■■
AlNの垂直加工498■■■■■■■■■■■■■■■■
世界最小クラスの11ミリ角、オムロン、MEMSサーモパイル498■■■■■■■■■■■■■■■■
CNT/パリレンコンポジットによるアクチュエータ496■■■■■■■■■■■■■■
金ナノ粒子を利用したバイオセンサー495■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルにおける配向CNTのサイズ・間隔制御495■■■■■■■■■■■■■
ドープした水素化非晶質およびナノ結晶のシリコン薄膜静電マイクロ共鳴体495■■■■■■■■■■■■■
Fabrication_of_a_microfluidic_chip_by_UV_bonding_at_room_temperature_for_integration_of_temperature-sensitive_layers494■■■■■■■■■■■■
表面処理:MVD494■■■■■■■■■■■■
STM-TEMによるブレイクジャンクション法を用いた金単原子鎖の観察493■■■■■■■■■■■
Deep_RIEのプラズマ不均一がエッチング垂直性に及ぼす影響492■■■■■■■■■■
Poly-SiC表面マイクロマシニングによる垂直共振子492■■■■■■■■■■
ZnO利用LBAR_RESONATOR492■■■■■■■■■■
ナノテクが生んだ光干渉ディスプレー492■■■■■■■■■■
静電容量型超音波センサとその応用492■■■■■■■■■■
高速原子線照射による薄膜密着力の向上491■■■■■■■■
連続グルコースモニタリング用MEMS粘性センサ491■■■■■■■■
MEMSによるチューナブルアンテナ491■■■■■■■■
PDMSポストを用いた細胞の力計測491■■■■■■■■
SOIウエハを用いたシリコンナノギャップの作製技術491■■■■■■■■
ガラスの内部加工(波長800nm)における集光NAの比較491■■■■■■■■
低圧水素雰囲気下で成膜したペンタセンの移動度490■■■■■■■■
グルコースオキシダーゼ親和性ペプチドの開発489■■■■■■■■■■■■■■■■
バクテリアをPDMSに吸着させる方法489■■■■■■■■■■■■■■■■
静電容量型3軸フォース・モーメントセンサ489■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSのウェーハレベルパッケージ技術とTSV488■■■■■■■■■■■■■■■
静電トラップによるナノ粒子集積法487■■■■■■■■■■■■■■
大きなたわみを発生するMEMS_PZT円形薄膜アクチュエータの設計487■■■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術4487■■■■■■■■■■■■■■
多層ウェハのレーザーダイシング例3(Siのみ加工/50ns)486■■■■■■■■■■■■■
ローラー・ナノインプリントリソグラフィ技術486■■■■■■■■■■■■■
低動作電圧で高信頼性を持ったRF-MEMSスイッチ486■■■■■■■■■■■■■
Design,Fabrication,and_Measurement_of_High-Sensitivity_Piezoelectric_Microelectromechanical_Systems_Accelerometers486■■■■■■■■■■■■■
4端子法によるSWNTの電気伝導度計測485■■■■■■■■■■■■
太陽光による水素製造のためのGaInP/GaAs/Si電極形成485■■■■■■■■■■■■
液体FBARセンサの温度補正485■■■■■■■■■■■■
SiO2表面に形成されるナノ周期構造485■■■■■■■■■■■■
Si深堀側壁のモホロジー485■■■■■■■■■■■■
ボンダ:SAB-FCボンダ483■■■■■■■■■■
メカニカルなパッシブアライメント483■■■■■■■■■■
Design_of_a_Temperature-Stable_RF_MEM_Capacitor483■■■■■■■■■■
FDTD法483■■■■■■■■■■
SOG陽極接合483■■■■■■■■■■
双音叉型(DETF)共振器を用いた力センサ483■■■■■■■■■■
ウェアラブル酵素センサ482■■■■■■■■■
レーザー走査応用MEMSスキャナ482■■■■■■■■■
1次元フォトニック結晶による分散補償器482■■■■■■■■■
高速原子線によるエッチング技術481■■■■■■■
電解質溶液を利用した流体型触覚センサ481■■■■■■■
バッキーゲルによるバイモルフ型アクチュエータ481■■■■■■■
Si異方性エッチングにおけるアンダーカットの抑制480■■■■■■■
電子線可変ドーズ制御照射を用いたUV硬化ナノインプリントのための3Dモールド作製480■■■■■■■
金表面へのアビジンの固定化法480■■■■■■■
2次元フォトニック結晶を用いた圧力センサ479■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSフレームによる異種LSI再構成479■■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:プラスマ活性化を用いたAu-Sn微小バンプの低温直接接合479■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロスケールの自己組立て479■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ容量性傾斜センサの開発479■■■■■■■■■■■■■■■
ワイヤ・ボンディング特性に合う圧電-FET応力センサーアレイ479■■■■■■■■■■■■■■■
Al-Alウエハレベル接合478■■■■■■■■■■■■■■
RFCMOSMEMS基板をプリント基板へ転写477■■■■■■■■■■■■■
マイクロマシニングによるクヌーセンポンプの作製477■■■■■■■■■■■■■
単結晶内に埋め込まれた水平孔の形成477■■■■■■■■■■■■■
埋め込みCu配線による機械ストレス評価477■■■■■■■■■■■■■
大きく前進する極限計測476■■■■■■■■■■■■
超高速TDR測定技術476■■■■■■■■■■■■
Si表面平坦化技術476■■■■■■■■■■■■
カンチレバー型流速センサ476■■■■■■■■■■■■
キャビティ構造を利用したミリ波MEMSスイッチ475■■■■■■■■■■■
PDMSを用いたマイクロ流体バルブ475■■■■■■■■■■■
CNTs-ピンセット474■■■■■■■■■■
エレクトロウェッティングを利用した液体金属スイッチ474■■■■■■■■■■
リフトオフによるマイクロバンプ形成技術474■■■■■■■■■■
東芝が新パッケージ技術、MEMS、低コスト、量産化実現474■■■■■■■■■■
細径同軸線測定評価473■■■■■■■■■
エレクトロウェッティングで動作するマイクロ井戸アレイ473■■■■■■■■■
ポリ塩化ビニル(PVC)膜への包括による固定化方法473■■■■■■■■■
Cu配線上の無電解Auめっきバンプ形成技術473■■■■■■■■■
Cuメッキによる3次元コイルの作製472■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)の低温・高速成長472■■■■■■■■
バイオMEMSに適用するためのSU-8の表面グラフト重合化472■■■■■■■■
保護ダイオード挿入による陽極接合時のMOSFET特性劣化防止472■■■■■■■■
単一CNTの熱伝導率測定472■■■■■■■■
振動発電による自発型低消費電力マイクロシステム471■■■■■■
フィードバック型SThMによる局所実温度計測法471■■■■■■
0.18μm商用CMOS技術によるHFおよびVHFナノ共振器471■■■■■■
DNAチップ_–_自己組織化ポリマーを用いた金表面へのDNAの固定化法470■■■■■■
パルス励起リモートプラズマCVDによる高品質CNTの低温成長470■■■■■■
マイクロ機械加工された点字セル470■■■■■■
低温熱酸化によるナノ機械構造先端の先鋭化法470■■■■■■
エピタキシャル成長したGaAs/InGaAs層の格子不整合を用いた3次元構造の作製(マイクロ折り紙)469■■■■■■■■■■■■■
コバール蒸着によるフリットグラスの濡れ性向上469■■■■■■■■■■■■■
ナノメタル配線の形成方法469■■■■■■■■■■■■■
マルチポリマーマイクロステレオリソグラフィ469■■■■■■■■■■■■■
He_bombing法によるシリコンRF-MEMSパッケージの気密性試験469■■■■■■■■■■■■■
PDMSとガラスを用いたマイクロリアクターと温度制御デバイス469■■■■■■■■■■■■■
縦集積MEMS用高アスペクト貫通配線形成469■■■■■■■■■■■■■
段差櫛歯電極を用いた3軸加速度センサ468■■■■■■■■■■■■
サブミクロン開口10μmトレンチによる偏光検出フォトダイオードの作製法468■■■■■■■■■■■■
ストレス測定、遺伝子で468■■■■■■■■■■■■
デジタルホログラフィー顕微鏡によるマイクロヒータの非破壊動的評価467■■■■■■■■■■■
フェリチン内包鉄コアマスクと中性粒子ビームエッチングを用いたナノスケール加工技術467■■■■■■■■■■■
リボンアクチュエータ制御マイクロミラー467■■■■■■■■■■■
CMP-Cu:表面粗さ467■■■■■■■■■■■
FIBによるタングステン堆積を用いたナノギャップの作成方法467■■■■■■■■■■■
LTCC基板とBCB接着層を用いたRF_MEMSデバイス用実装467■■■■■■■■■■■
Poly-Siを用いた貫通配線形成技術467■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長1064nm)466■■■■■■■■■■
The_role_of_Triton_surfactant_in_anisotropic_etching_of_{110}_reflective_planes_on_(100)_silicon466■■■■■■■■■■
ポリSiGeプロセスによるCMOS-MEMS集積のレビュー466■■■■■■■■■■
光読み出しを用いた音響センサー466■■■■■■■■■■
ガラスを積層して形成した高密度貫通配線ガラス465■■■■■■■■■
レーザーリフローによる真空パッケージング465■■■■■■■■■
エピタキシャルフィルムボンディング技術を用いたLEDプリントヘッド464■■■■■■■■
ガラスの内部加工による割断464■■■■■■■■
Computational_Study_of_Band-Crossing_Reactions464■■■■■■■■
LiNbO3のエッチング特性464■■■■■■■■
MEMSカンチレバーを用いた細胞の力計測464■■■■■■■■
1.1GHz基本モードのピエゾ抵抗型SiMEMSレゾネータ463■■■■■■■
エレクトロウェッティングの無線電源駆動463■■■■■■■
ガラスの内部クロス加工による割断462■■■■■■
ディップペン・ナノリソグラフィ技術462■■■■■■
マスクレスDRIEによるナノポーラスSiの作製方法462■■■■■■
ワッフル形状ダミーフィラーの選択的消去462■■■■■■
Business;MEMS_become_giants_in_acoustics462■■■■■■
GaN中の両性As462■■■■■■
PDMSを用いた逆止弁462■■■■■■
PZT薄膜を用いたデジタル圧電加速度センサ462■■■■■■
微小粒子の圧縮特性評価462■■■■■■
脂肪族ポリイミドへの電子線照射による吸収と屈折率変化462■■■■■■
カーボンナノファイバー(CNF)フレキシブルディスプレー461■■■■
ナノ粒子分散ポリマーをマスク材としたパウダーブラスト加工技術461■■■■
パイレックス基板へのクランク形状貫通孔の作製461■■■■
ヤング率の測定法(超音波原子間力顕微鏡)461■■■■
CNTプローブの疎水性と安定性の関係460■■■■
PDMSのshrinkage_ratio460■■■■
鉛フリーハンダ:微細接合460■■■■
通常環境下におけるMEMSパッケージング技術460■■■■
銅単結晶の接合係数459■■■■■■■■■■■■■
酸化還元による高分子導電性ポリマーの濡れ性制御459■■■■■■■■■■■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層:加工しきい値459■■■■■■■■■■■■■
無電解Ni-Bめっきによるフェースダウンチップ接続459■■■■■■■■■■■■■
反応現像画像形成(RDP)法による感光性ポリイミドのパターニング458■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブを用いた真空センサ458■■■■■■■■■■■■
酸化物アシストSiナノワイヤ成長法458■■■■■■■■■■■■
A_Wireless_Microsystem_for_the_Remote_Sensing_of_Pressure,Temperature,and_Relative_Humidity458■■■■■■■■■■■■
Nanomaterial_Transfer_Imprint_Lithography_(NTIL)_を用いたフレキシブルカーボンナノチューブ458■■■■■■■■■■■■
PDMSを用いたマイクロペリスタポンプ457■■■■■■■■■■■
ドライプロセスによる有機EL製作457■■■■■■■■■■■
顕微ラマン分光法による半導体応力解析457■■■■■■■■■■■
CNT複合金メッキ456■■■■■■■■■■
Fracture_of_Polycrystalline_3C-SiC_Films_in_Microelectromechanical_Systems456■■■■■■■■■■
圧電アクチュエータによるミラーの変形456■■■■■■■■■■
レジストを用いたチップ張り合わせ技術456■■■■■■■■■■
レーザーによるガラスの熱割断456■■■■■■■■■■
ダイオードつくりこみによる櫛歯絶縁455■■■■■■■■■
フレキシブルテクスタイルデバイス455■■■■■■■■■
Epiパッケージング455■■■■■■■■■
薄膜絶縁材料の誘電特性評価技術455■■■■■■■■■
自己組立を利用した複数種類のチップ接合454■■■■■■■■
表面溝加工による多層試料の割断454■■■■■■■■
Siのフェムト秒レーザー加工(波長800nm)454■■■■■■■■
Siのレーザー加工(波長532nm)454■■■■■■■■
シリコンピエゾ抵抗型3軸加速度センサ454■■■■■■■■
タンパク質-タンパク質間相互作用解析(Ec_DOSの測定)454■■■■■■■■
トラッピングと最適多重選別に応用するプログラム可能なバイオチップ454■■■■■■■■
ナノインプリント用、HOYA、金型開発に本腰、今後の微細化、材料など最適化454■■■■■■■■
ナノメータの分解能を持った長いストロークの位置決め用磁歪小型アクチュエータ454■■■■■■■■
An_optical_microswitch_chip_integrated_with_silicon_waveguides_and_touch-down_electrostatic_micromirrors454■■■■■■■■
SOIナノデバイスのエッチング454■■■■■■■■
2軸熱型加速度センサ453■■■■■■■
広開口・狭開口パターンを同時にDRIE453■■■■■■■
双方向環状熱アクチュエータの開発452■■■■■■
大サイズの樹脂二重膜を効率作成452■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長532nm)452■■■■■■
ウエハスケールのマイクロデバイス転写452■■■■■■
パイレックスガラスのDRIEによる高密度貫通配線ガラスの作製451■■■■
P型<111>方位シリコンナノワイヤのピエゾ抵抗特性451■■■■
中性粒子ビームプロセス技術450■■■■
超高速差動TDT測定技術450■■■■
歩行振動で発電する歩数計を試作(三洋電機)450■■■■
水銀液滴を用いた熱スイッチ450■■■■
冗長性RF_MEMS多ポートスイッチおよびスイッチマトリクス449■■■■■■■■■■■■■■■■■
圧電薄膜を用いた加速度センサアレイ449■■■■■■■■■■■■■■■■■
実装:光素子表面活性化接合における接合条件の影響449■■■■■■■■■■■■■■■■■
自己クローン法によるフォトニック結晶の作製449■■■■■■■■■■■■■■■■■
広角度傾きセンサ448■■■■■■■■■■■■■■■■
有機フィルム・シートのGHz帯誘電特性評価技術448■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)/ポリマー複合材料による味覚センサー448■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン電界電子放出銃先端の劣化のその場観測448■■■■■■■■■■■■■■■■
三次元加工と接合による高ON/OFF抵抗比のマイクロバルブ448■■■■■■■■■■■■■■■■
A_planar_on-chip_micro-nib_interface_for_NanoESI-MS_microfluidic_applications448■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMS圧力センサの熱ヒステリシス解析448■■■■■■■■■■■■■■■■
銀ナノ粒子を含むマイクロTASの製作448■■■■■■■■■■■■■■■■
電界中でのCNT合成447■■■■■■■■■■■■■■■
蛋白質チップ447■■■■■■■■■■■■■■■
Alマスクの表面酸化を用いたシリカのエッチング447■■■■■■■■■■■■■■■
High-Q_Single_Crystal_Silicon_HARPSS_Capacitive_Beam_Resonators_With_Self-Aligned_Sub-100-nm_Transduction_Gaps447■■■■■■■■■■■■■■■
QR-LPD(®)技術を用いた電子ペーパー447■■■■■■■■■■■■■■■
Pulsed-Laser_Annealing,a_Low-Thermal-Budget_Technique_for_Eliminating_Stress_Gradient_in_Poly-SiGe_MEMS_Structures446■■■■■■■■■■■■■■
ウェハレベルパッケージングの概念に基づく高周波クロストーク抑制445■■■■■■■■■■■■■
水晶発振器を上回る信頼性データを公開445■■■■■■■■■■■■■
相反転を利用したCNT/金属ナノ微粒子/ポリマーコンポジットの作製445■■■■■■■■■■■■■
自立ポーラスシリコン構造の作製法444■■■■■■■■■■■■
熱分解性犠牲層を用いた中空封止技術443■■■■■■■■■■■
CFポリマー犠牲層によるパッケージング技術443■■■■■■■■■■■
CMOSプロセスで形成したMEMSイヤホン443■■■■■■■■■■■
CMOS技術におけるオンチップインダクタの相互カップリング443■■■■■■■■■■■
Cuコア型はんだバンプ電極を用いたフリップチップ実装技術443■■■■■■■■■■■
アルミナ薄膜を利用した真空パッケージング443■■■■■■■■■■■
ナノホットフィルムとCNTを用いた走査型熱顕微鏡443■■■■■■■■■■■
パリレンによる液体封入を利用したマイクロバルブ443■■■■■■■■■■■
フレキシブルトランスデューサーデバイス442■■■■■■■■■■
CNT-ホットキャリアによる赤外発光442■■■■■■■■■■
Company's_Report_MEMS_;_Micralyne_Polymer_MEMS_&_Polymer_Microfluidics442■■■■■■■■■■
In-Situ_ボロンドープによるポリシリコン貫通電極441■■■■■■■■
タンパク質中のリン酸基を選択的に検出する分子プローブ441■■■■■■■■
ボンダ:SABウエハボンダ441■■■■■■■■
マイクロゴーレイセルアレイ赤外線センサ441■■■■■■■■
バクテリアの鞭毛による流れの創出440■■■■■■■■
弾性体を用いた変位増幅型マイクロバルブ440■■■■■■■■
熱拡散ピエゾ抵抗層のフッ酸耐性440■■■■■■■■
積層MEMSのためのデブリフリーレーザー支援高速ダイシング技術439■■■■■■■■■■■■■■■■
XeF2エッチングにおけるマスク材の紫外線を用いた選択性制御技術439■■■■■■■■■■■■■■■■
フォトカソードをベースにしたCNT439■■■■■■■■■■■■■■■■
フッ硝酸選択エッチングを用いたスティッキング対策439■■■■■■■■■■■■■■■■
ホットエンボスを用いたナノスケール加工技術439■■■■■■■■■■■■■■■■
3次元集積化のためのNEMSメモリ439■■■■■■■■■■■■■■■■
LIGA-likeプロセスによる導波路型光デバイスのレジストマスタ形成技術439■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMS_beams_with_defects:_a_model_of_non-ideal_rods_using_a_Cosserat_approach_for_component_level_modelling439■■■■■■■■■■■■■■■■
はんだバンプ電極変形量のフラックス依存性評価438■■■■■■■■■■■■■■■
チップ接合において自己組立技術が有効である条件438■■■■■■■■■■■■■■■
Siの微細トレンチ形成技術437■■■■■■■■■■■■■■
ナノインプリンティングを用いたポリイミド膜上に作製したナノ構造437■■■■■■■■■■■■■■
MEMS/LSI積層用ウエハレベルチップスケールパッケージ437■■■■■■■■■■■■■■
MEMSスイッチの接点材料選択-3437■■■■■■■■■■■■■■
MEMS部品の選択的転写技術436■■■■■■■■■■■■■
分散した銀ナノ粒子による蛍光増強効果436■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベル・ディストリビューション436■■■■■■■■■■■■■
スマートカット技術による単結晶6H-SiC_MEMSの製造436■■■■■■■■■■■■■
フリットガラス内のボイド欠陥436■■■■■■■■■■■■■
フレキシブルパッケージ436■■■■■■■■■■■■■
キネシンを用いた一方向マイクロ物体輸送435■■■■■■■■■■■■
スイッチ可変キャパシタによる帯域可変フィルタ435■■■■■■■■■■■■
BCB基板上へのトランジスタ形成技術435■■■■■■■■■■■■
MEMS製作のマスク材料として活性化反応性蒸着で析出した窒化シリコン435■■■■■■■■■■■■
PHによるマイクロ自己組立ての組立て順序制御435■■■■■■■■■■■■
ELECTRICALLY_DRIVEN_VARIFOCAL_MICRO_LENS_FABRICATED_BY_DEPOSITING_PARYLENE_DIRECTLY_ON_LIQUID434■■■■■■■■■■■
Siの内部加工クラック形状のレーザーエネルギー依存性434■■■■■■■■■■■
ガラス内部クラック幅のレーザーパルス幅依存性434■■■■■■■■■■■
ガラス球構造の作成434■■■■■■■■■■■
ポリ(PET)マイクロ流体チップの熱間エンボス加工・接着434■■■■■■■■■■■
超音波マイクロアレイセンサの作製方法434■■■■■■■■■■■
石英基板におけるエッチングレートと選択比のレーザー走査速度依存性434■■■■■■■■■■■
薬剤経皮投与のためのマイクロニードル作製技術434■■■■■■■■■■■
単一室マイクロ固体電解質型燃料電池(SC-μSOFCs_)の直描マイクロ加工433■■■■■■■■■■
表面処理:親/疎水性処理による付着力の影響433■■■■■■■■■■
ガラスフリット接合プロセスのアライメント精度への影響(接合前アライメントより)433■■■■■■■■■■
サブミクロン開口10μmトレンチによる偏光検出フォトダイオードの特性433■■■■■■■■■■
ブロック共重合体の自己組織化を利用した電子線描画パタンの高密度化プロセス433■■■■■■■■■■
レーザー内部加工によるガラス/Si多層ウェハの割断例2433■■■■■■■■■■
低侵襲に細胞シートを作製し移動する方法433■■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術10-CV特性433■■■■■■■■■■
CMOS-MEMS集積化3軸加速度センサの作製432■■■■■■■■■
ガラスチップサイズプラズマ源の低パワー封入432■■■■■■■■■
パッケージストレスによる特性変化を考慮に入れた回路設432■■■■■■■■■
マイクロコリオリ質量流量センサ432■■■■■■■■■
分解能10nmの超微動ステージを市場導入(日本トムソン)432■■■■■■■■■
柔軟性を維持したPDMSのシーリング方法に関する研究431■■■■■■■
0.35μmプロセスのCMOS上に作製したカンチレバーによる質量計431■■■■■■■
Characterization_of_front-_to_backwafer_bulk_micromachining_using_electrical_overlay_test_structures431■■■■■■■
Fox-Liの方法431■■■■■■■
MEMS向け高電圧GaAs太陽電池431■■■■■■■
Mechanical_strength_and_interfacial_failure_analysis_of_cantilevered_SU-8_microposts431■■■■■■■
静電容量型6軸フォース・モーメントセンサ431■■■■■■■
金・銀ナノ粒子デンドリマーのUVによる還元生成430■■■■■■■
分子の選択的な直接搬送デバイス430■■■■■■■
サブミクロン幅の開口を有する厚膜SiO2パターンの作製方法430■■■■■■■
0.35umCMOS上でのニッケル製共振器の作製430■■■■■■■
CNT_waferを用いた集積3次元CNTデバイス429■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs 圧力センサー1429■■■■■■■■■■■■■■■
指紋認証デバイスを用いたバイオセンサ429■■■■■■■■■■■■■■■
水素拡散による振動子のウエハレベル真空パッケージング429■■■■■■■■■■■■■■■
秩序化したSiナノワイヤアレイの作製方法429■■■■■■■■■■■■■■■
ナノテクで環境計測;環境省が機器開発429■■■■■■■■■■■■■■■
ナノ粒子操作に用いる光動作AC電気浸透429■■■■■■■■■■■■■■■
Si_tip上へのCNT選択成長428■■■■■■■■■■■■■■
III-V族化合物半導体の横方向成長メカニズム428■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術4-ラマン配向特性427■■■■■■■■■■■■■
MEMS可変キャパシタを用いた可変バンドパスフィルタ427■■■■■■■■■■■■■
試料内部でのレーザー光の集光427■■■■■■■■■■■■■
多層ウェハのレーザーダイシング例5(Siのみ加工+熱応力/50ns)427■■■■■■■■■■■■■
極薄カンチレバー作製法427■■■■■■■■■■■■■
表面張力を用いたマイクロインジェクタ426■■■■■■■■■■■■
CMOS集積化10マルチプローブAFMの作製426■■■■■■■■■■■■
Company’s_Report_;_Tecan_leaves_its_imprint_on_the_polymer_MEMS_market425■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法における貫通孔と閉塞孔の違い425■■■■■■■■■■■
ナノジュールのフェムト秒レーザによって導入したタングステンナノ回折格子425■■■■■■■■■■■
レーザーによるモールド上の金属の転写425■■■■■■■■■■■
二酸化シリコン薄膜の破壊靱性、破壊応力、応力腐食き裂425■■■■■■■■■■■
Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性(パルス幅〜50ns)424■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブの森の作成方法424■■■■■■■■■■
単一金属層のMEMS自己集合性コプラナー構造424■■■■■■■■■■
注射針0.2ミリ世界最細424■■■■■■■■■■
MEMS実装:マイクロ流路パッケージング424■■■■■■■■■■
CMOS上マイクロ流路での磁性体微粒子の操作と光学検出423■■■■■■■■■
キャビティ構造を持つコイルの作製方法423■■■■■■■■■
ポリマー製レンズの作成423■■■■■■■■■
高分子電解質/TiO2ナノコンポジットフィルムの機械的性能423■■■■■■■■■
CMOSプロセスを用いたMEMS形成方法の種類422■■■■■■■■
Characterization_of_masking_materials_for_deep_glass_micromachining422■■■■■■■■
MEMS;MEMS関連部品の精密加工技術422■■■■■■■■
拡張ナノ空間の水の物性評価422■■■■■■■■
ポリシラザンを用いたセラミックス合成法422■■■■■■■■
シリコンの高速研削技術421■■■■■■
マルチセンシングデバイス421■■■■■■
CNTs-カーボンファイバーアクチュエーター421■■■■■■
液滴の表面張力を用いたマイクロモーター421■■■■■■
特集論文_;_マイクロエアフローセンサのセンシング素子421■■■■■■
レーザーを用いたAD膜アニール420■■■■■■
酸素プラズマで活性化したSU-8の親水性挙動の安定性420■■■■■■
解説 静電アクチュエータ420■■■■■■
VO2のICPエッチング419■■■■■■■■■■■■■
マイクロバルンアクチュエーター419■■■■■■■■■■■■■
人工筋肉を用いた伸び縮みする回折格子419■■■■■■■■■■■■■
無電解Ni-Bめっきによる電極間接続技術419■■■■■■■■■■■■■
バンプレスインタコネクト418■■■■■■■■■■■■
ファージディスプレイ法による分子認識ペプチドのスクリーニング418■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術3417■■■■■■■■■■■
熱気圧駆動を用いたTip-Tilt-Pistonミラー417■■■■■■■■■■■
破壊的技術の萌芽、ライン型インクジェットが離陸へ417■■■■■■■■■■■
M_MERGING_MICRO-_AND_NANOTECHNOLOGIES_Nanoimprinting_on_Industry_Standard_Equipment417■■■■■■■■■■■
4軸柔軟触覚センサ416■■■■■■■■■■
Design_and_Analysis_of_MEMS/MST_Based_Radio_Frequency_Switches416■■■■■■■■■■
ナノ・ハニカム構造の機械的特性の気孔率への依存性416■■■■■■■■■■
ワイヤレス集積化MEMS416■■■■■■■■■■
金属冷間圧接を利用したウェハレベル常温接合416■■■■■■■■■■
エンボス法による低温焼成セラミクス微細3次元構造物415■■■■■■■■■
DRIEと酸化によるマイクロレンズアレイ形成方法415■■■■■■■■■
MEMSスイッチのコンタクト部における滑剤としてのナノ粒子溶液415■■■■■■■■■
MEMSスイッチを利用したディスプレイ回路415■■■■■■■■■
Manufacturing_process_and_material_selection_in_concurrent_collaborative_design_of_MEMS_devices415■■■■■■■■■
接着剤注入技術415■■■■■■■■■
水に浮かんだ撥水性材料に泡が付着するとどうなるか415■■■■■■■■■
直径0.95ミリのモーター、SII「世界最小径」、ワイヤ伝達の超音波で駆動415■■■■■■■■■
変化する表面のシミュレーションの原子論的方法414■■■■■■■■
Si上化合物半導体成長横方向成長414■■■■■■■■
ウェハsol-gel接合413■■■■■■■
人工hair-cell_sensor用3D構造形成プロセス413■■■■■■■
光電子ピンセット(OET:_optoelectronic_tweezer)を用いた組立413■■■■■■■
内部加工されたガラスウェハ割断のレーザー走査速度依存性413■■■■■■■
同軸配線プリント回路基板作製技術413■■■■■■■
DMAナノピンセット開発413■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術5-XRDによる配向特性412■■■■■■
MEMSに用いる厚みのある低応力PECVD非晶質シリコン412■■■■■■
OSGナノワイヤFETの製作と特性評価412■■■■■■
Rapid_deep_micromachining_of_polytetrafluoethylene_by_MeV_ion_bombardment_in_oxygen-rich_atmospheres412■■■■■■
Thermal_treatments_and_gas_adsorption_influences_on_nanomechanics_of_ultra-thin_silicon_resonators_for_ultimate_sensing412■■■■■■
マイクロチップ内における血管内皮細胞の培養412■■■■■■
環境・バイオセンシング用統合SoC411■■■■
自己組立プロセスの化学反応へのアナロジー410■■■■
CMOSプロセスによるシリコンナノワイヤアレイの作製410■■■■
電気泳動によるCNT選択領域析出技術とFEDへの応用410■■■■
超高速差動TDR測定技術410■■■■
集束イオンビーム(FIB)を用いたナノ電極作成方法410■■■■
ナノ構造を用いた高出力発光ダイオードの作製410■■■■
バイオセンサ用の電極表面上酸化還元-活性-ポリマーの合成409■■■■■■■■■■■■■
把持型マニュピレータとレーザスポット加熱を用いた微小部品実装法409■■■■■■■■■■■■■
超小型レーザースキャニングモジュールの新たな形成方法409■■■■■■■■■■■■■
電着ポリイミドによる絶縁層形成技術409■■■■■■■■■■■■■
銀ナノ粒子および電極構造を含むmicroTAS作成方法409■■■■■■■■■■■■■
ダブルサイド加工プロセス408■■■■■■■■■■■■
ポリジメチルシロキサンを用いたマイクロ流体ダイオード408■■■■■■■■■■■■
An_alternatively_efficient_method_(DBEM)_for_simulating_the_electrostatic_field_and_levitating_force_of_a_MEMS_combdrive408■■■■■■■■■■■■
Rf-MEMS向けインラインウエハレベルパッケージング技術408■■■■■■■■■■■■
撥水製メッキ技術を用いたスライドバルブ408■■■■■■■■■■■■
波状構造を持つ伸縮自在なシリコン基板408■■■■■■■■■■■■
Soft-Cure_SU-8シートを用いたMicrofluidicチップ用の低温接合技術407■■■■■■■■■■■
プレス加工による一体成型加工407■■■■■■■■■■■
金ナノ粒子の自己組立および転写によるLSPR基板の製作407■■■■■■■■■■■
透明で柔らかいカーボンナノチューブトランジスタ407■■■■■■■■■■■
Microbridge_Testing_on_Symmetrical_Trilayer_Films407■■■■■■■■■■■
CNTを用いたピエゾ抵抗型圧力センサ406■■■■■■■■■■
Development_and_Characterization_of_Surface_Micromachined,_Out-of-Plane_Hot-Wire_Anemometer406■■■■■■■■■■
SAMを用いたSU8への埋め込み型金属パターニング技術406■■■■■■■■■■
エレクトロウエッティングを用いた毛管力マイクログリッパー406■■■■■■■■■■
ポーラスBD膜を用いた中空構造作製406■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長800nm)405■■■■■■■■■
マイクロアンテナのSiCパッケージング405■■■■■■■■■
30nmギャップNEMSスイッチ405■■■■■■■■■
MEMS用シリコンの機械的特性405■■■■■■■■■
CNTs-スーパーグロース法1404■■■■■■■■
SOIウェハを用いた基板シリコン除去による薄膜シリコンデバイス作成法404■■■■■■■■
SiGeによるCMOS集積化ジャイロ404■■■■■■■■
マイクロコンタクトプリント法による自己組織単分子膜パターニングと銀ナノ粒子の選択的析出404■■■■■■■■
広角光スキャナー404■■■■■■■■
水素化アモルファスシリコンを用いた高電圧太陽電池アレイ404■■■■■■■■
液体封入型触覚ディスプレイ404■■■■■■■■
Ⅲ‐Ⅴナノ細線の埋め込みを可能にする低コストなBCBの接合方法403■■■■■■■
バイナリオプティクスによるネガ型レジストの三次元形状403■■■■■■■
フッ化水素ガス処理によるシリコン窒化膜の反応特性403■■■■■■■
A_magnetically_driven_PDMS_micropump_with_ball_check-valves403■■■■■■■
Au-Sn充填Y字孔及びクランク孔の貫通化加工403■■■■■■■
SU-8表面微細加工用の犠牲材料のポリジメチルグルタリミド(PMGI)403■■■■■■■
銀ナノ粒子による蛍光増強403■■■■■■■
透過型視線検出デバイス403■■■■■■■
高速AFM用アクチュエータ集積カンチレバー403■■■■■■■
封止接合:金属薄膜を介した封止接合402■■■■■■
尿一滴でがん検査、産総研がチップ、3年後メド実用化402■■■■■■
微小電力駆動ワイヤレスセンサ402■■■■■■
磁性粒子を用いた効果的な撹拌402■■■■■■
BCB材料のプロセス条件402■■■■■■
CNTを用いた歪みセンシングカンチレバー402■■■■■■
CNTウエハーから作成されたCNTリレーのスイッチング402■■■■■■
PDMS-based_micro_PCR_chip_with_Parylene_coating402■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長1600nm、パルス幅〜100fs)401■■■■
XeF2エッチングプロセスによる微小構造リリースにおける、アンカー保護の新手法401■■■■
低抵抗Si貫通ビア基板401■■■■
マルチプローブ化学センサ400■■■■
レーザーによるガラスチップの切り出し400■■■■
付着解析法400■■■■
CMOSストレスセンサーによるポインティングデバイス400■■■■
CMOS集積化10マルチプローブAFMの熱バイモルフアクチュエータ特性測定400■■■■
Development_of_a_mobile_nanohandling_robot400■■■■
MEMSを用いた浮遊チューブを用いた微小化学反応炉400■■■■
過酸化水素測定のための化学発光試薬400■■■■
擬似SOCの応力解析400■■■■
圧電式微小共振器のパラメーター特定399■■■■■■■■■■■■■■■■
薬分子の電気的注入のためのナノポーラスデバイス399■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTによる水晶振動子のQ値増加399■■■■■■■■■■■■■■■■
Feature-based_process_layer_modeling_for_surface_micromachined_MEMS399■■■■■■■■■■■■■■■■
Letter_Damage_Free_Dicing_Method_for_MEMS_Devices399■■■■■■■■■■■■■■■■
コラーゲン粉末によるPDMS透過性制御399■■■■■■■■■■■■■■■■
ローダミンBを用いたマイクロチップ上局所温度分布計測法398■■■■■■■■■■■■■■■
CuコートSiO2表面に形成されるナノ周期構造398■■■■■■■■■■■■■■■
New_Low-Stress_PECVD_Poly-SiGe_Layers_for_MEMS398■■■■■■■■■■■■■■■
自己組織化を用いたマイクロプロセッサ製造プロセス397■■■■■■■■■■■■■■
3Dシステム封止用の先細りSi超小型マイクロ加工プロセスの開発396■■■■■■■■■■■■■
Force-Controllable,Optically_Driven_Micromachines_Fabricated_by_Single-Step_Two-Photon_Microstereolithography396■■■■■■■■■■■■■
イオン流体のジュール加熱によるマイクロ流路内の温度の高精度制御396■■■■■■■■■■■■■
エネルギー回収用のマイクロファイバー.ナノワイヤー.ハイブリッド構造.396■■■■■■■■■■■■■
シリコンプローブの作製技術396■■■■■■■■■■■■■
ナノチューブで試作;光学素子,東大,微細加工応用に道396■■■■■■■■■■■■■
バッキープラスティック396■■■■■■■■■■■■■
プラズマ重合法を用いたタンパク質固定化技術396■■■■■■■■■■■■■
レーザーで自在に作製、金属ナノ粒子、阪大が微細配線技術396■■■■■■■■■■■■■
フィルタSPRチップ395■■■■■■■■■■■■
ナノコーンアレイガラス394■■■■■■■■■■■
フラクタル表面パターン付きジグザグの受動マイクロミキサ394■■■■■■■■■■■
A_Highly_Sensitive_Capacitive-Type_Humidity_Sensor_Using_Customized_Polyimide_Film_without_Hydrophobic_Elements394■■■■■■■■■■■
CNTs-メモリ394■■■■■■■■■■■
CNTロープの作成法394■■■■■■■■■■■
AFM利用の横方向フォースセンサー393■■■■■■■■■■
Application_of_AFM_Anodic_Oxidation_to_Patterning_of_Biomolecules_on_Si393■■■■■■■■■■
Design,_Fabrication_and_Characterization_of_Miniature_Direct_Methanol_Fuel_Cell_Using_Platinum-Sputtered_Microcolumn_Electrodes_with_Limited_Fuel_Source393■■■■■■■■■■
RFスイッチフィルタモジュール393■■■■■■■■■■
センサ・アクチュエータ集積型AFM用カンチレバー393■■■■■■■■■■
低応力フリップチップ実装法393■■■■■■■■■■
毛管マイクロ構造体を用いたμ燃料電池用受水管理393■■■■■■■■■■
流体を用いた変位増幅型マイクロバルブ393■■■■■■■■■■
狭ギャップアンダーフィル技術393■■■■■■■■■■
高感度表面変位検出オプトメカニカルプローブ393■■■■■■■■■■
Studies_on_Surface_Wettability_of_Poly(Dimethyl)_Siloxane_(PDMS)_and_Glass_Under_Oxygen-Plasma_Treatment_and_Correlation_With_Bond_Strength392■■■■■■■■■
CNTs-合成時の触媒依存性392■■■■■■■■■
多様な加工を安価に提供するMEMSファウンドリ・サービス392■■■■■■■■■
導電性を有する疎水性自己組織化単分子膜392■■■■■■■■■
有機メモリーを用いた情報伝達シート391■■■■■■■
生分解性材料を用いた医療用マイクロランセットの加工技術391■■■■■■■
X線リソグラフィによるPTFE加工技術391■■■■■■■
パリレン厚膜を用いた多層シャドウマスク391■■■■■■■
ボンディングツールのボンディング精度への影響391■■■■■■■
Mechanical_and_electrical_characterization_of_BCB_as_a_bond_and_seal_material_for_cavities_housing_(RF-)MEMS_devices391■■■■■■■
2軸共焦点顕微鏡の2次元MEMSスキャナー390■■■■■■■
共振のQ_factrの劣化による気密性試験390■■■■■■■
内部加工された多層ウェハの割断に要する曲げ応力のレーザーパルス幅依存性(熱応力の効果)390■■■■■■■
分割した櫛歯電極型静電駆動アクチュエータ390■■■■■■■
疎水化されたAFMチップを用いた,_基板上の湿度による凝縮水のイメージング390■■■■■■■
表面活性化:金属薄膜を介したウエハ低温接合390■■■■■■■
電気浸透流による表面修飾パターン評価390■■■■■■■
Si基板トレンチを利用したメッキモールドによる集積型インダクターの開発390■■■■■■■
マイクロガスタービンエンジン用の改良燃焼器の設計と数値解析390■■■■■■■
フェムト秒レーザーによるサブミクロン構造体造形技術389■■■■■■■■■■■■■■■
二重側壁保護膜を用いたディープRIEによる高アスペクト加工技術389■■■■■■■■■■■■■■■
表面処理:毛管凝縮による付着力の影響389■■■■■■■■■■■■■■■
LF55GN高アスペクト比厚膜レジスト389■■■■■■■■■■■■■■■
Combined_Circuit/Device_Modeling_and_Simulation_of_Integrated_Microfluidic_Systems388■■■■■■■■■■■■■■
Reinforcement_of_PDMS_masters_using_SU-8_truss_structures388■■■■■■■■■■■■■■
シングルウォールカーボンナノチューブ(SWNTs)を用いたNO2ガスセンサ388■■■■■■■■■■■■■■
ナイフエッジ構造によるセルフパターニングを応用したテスト構造388■■■■■■■■■■■■■■
バクテリアの走化性を用いたマイクロシステム中の撹拌制御388■■■■■■■■■■■■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層3388■■■■■■■■■■■■■■
フラーレンとペンタセンによるCMOSインバータ388■■■■■■■■■■■■■■
ポリマーセンサー、曲がると電圧発生(クラレ)388■■■■■■■■■■■■■■
チューナブル赤外線センサ387■■■■■■■■■■■■■
A_Sweeping_Mode_Integrated_Fingerprint_Sensor_With_256_Tactile_Microbeams387■■■■■■■■■■■■■
多結晶シリコンMEMSの強度分布387■■■■■■■■■■■■■
過酸化水素測定蛍光試薬387■■■■■■■■■■■■■
電解エッチング法によるシリコン高アスペクト加工386■■■■■■■■■■■■
CNT-イオン流量センサ386■■■■■■■■■■■■
MEMS技術による複合センサシステムの作製386■■■■■■■■■■■■
NLDによるSiO2エッチング386■■■■■■■■■■■■
多層集積におけるレイヤー間欠陥伝播385■■■■■■■■■■■
修正結合応力論によるベルヌーイ-オイラーのビームモデル384■■■■■■■■■■
プラズマによるSU-8の変性を用いた3次元自己組立384■■■■■■■■■■
ポリシリコン位置敏感検出器(PSD)の研究384■■■■■■■■■■
CNT-フィルター作製法384■■■■■■■■■■
PDMSをベースとした熱マイクロアクチュエータの実現性の研究384■■■■■■■■■■
1mm角以下の超小型ICのパッケージストレスによる特性変化測定TEG383■■■■■■■■■
AlN共鳴器を集積した圧電AlN_RF_MEMSスイッチの2ビーム動作383■■■■■■■■■
Crystalline_Silicon_Tilting_Mirrors_for_Optical_Cross-Connect_Switches383■■■■■■■■■
MEMS非冷却赤外線イメージセンサ383■■■■■■■■■
SOIウェーハの直接接合を用いた三次元集積化383■■■■■■■■■
多層ウェハのレーザーダイシング例4(Siのみ加工/100ns)383■■■■■■■■■
血液1滴で病気自動診断;東芝が遺伝子検査装置,小型化,時間も短縮383■■■■■■■■■
ナノインデンテーションにより形成した異方性導電ナノワイヤーの機械特性計測383■■■■■■■■■
バルクCMOSプロセスによるRF_MEMS共振器の集積化383■■■■■■■■■
ホリサム蛋白質複合体ベースのバイオハイブリッドマイクロ流体バルブ383■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージされた金属酸化物型ガスセンサ382■■■■■■■■
M_EU_PROGRAMME_News382■■■■■■■■
誘電体を核とする厚膜配線を用いたスパイラルインダクタ382■■■■■■■■
国際標準化 ナノテクで主導権確保へ382■■■■■■■■
弾性表面波素子を用いた匂い提示装置の開発382■■■■■■■■
Secondary_resonances_of_electrically_actuated_resonant_microsensors381■■■■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層381■■■■■■
フッ素化ポリイミド光導波路の形成技術381■■■■■■
メタルリングを用いた封止技術381■■■■■■
セルフパターニング構造による金属薄膜並びに有機トランジスタ特性評価380■■■■■■
半導体素子Al電極への高速Au線熱圧着380■■■■■■
複合型銀ナノ粒子を用いた接合技術380■■■■■■
CNT-フィルター特性2380■■■■■■
CNTs-加工成形-01380■■■■■■
CNTウエハーによるCNTリレー構造380■■■■■■
CNTウエハーの微細加工技術380■■■■■■
GaAs_(110)基板上で垂直に立つGeナノ細線380■■■■■■
IISE法による触媒担持380■■■■■■
NドーピングしたSiC薄膜の電気特性380■■■■■■
酸化チタンナノ粒子のリフトオフによるパターニング380■■■■■■
電源供給配線のインピーダンス測定技術379■■■■■■■■■■■■■■
Al/Alウエハ接合による気密封止379■■■■■■■■■■■■■■
等価回路モデルによるSAW圧力センサの最適設計379■■■■■■■■■■■■■■
ナノ・ファウンテン探触子のマルチインクの線形配列379■■■■■■■■■■■■■■
A_Method_for_Precision_Patterning_of_Silicone_Elastomer_and_Its_Applications379■■■■■■■■■■■■■■
Double_sided_surface_stress_cantilever_sensor379■■■■■■■■■■■■■■
MEMSスイッチのプルイン現象研究のための汎用微分求積法の応用379■■■■■■■■■■■■■■
Behavioural_analysis_of_the_pull-in_dynamic_transition378■■■■■■■■■■■■■
MEMS/NEMSに応用するためのAu薄膜の機械的特性378■■■■■■■■■■■■■
ポリマーMEMS構造体の自己整合用のリソグラフィック応力制御378■■■■■■■■■■■■■
マイクロ電気機械的金属空間絶縁層半導体(MEM-MAIS)ダイオードスイッチ378■■■■■■■■■■■■■
Si上への選択成長によるGaNのサスペンド構造作製377■■■■■■■■■■■■
チオニンの媒介によるCNT/Auナノ微粒子コンポジットの作製377■■■■■■■■■■■■
銅直接接合の特性と3次元集積化における利点377■■■■■■■■■■■■
Indirect_Competitive_immunoassay_for_Bisphenol_A,_Based_on_a_Surface_Plasmon_Resonance_Sensor377■■■■■■■■■■■■
MEMSの固着不良防止用の気相自己組織化単分子層377■■■■■■■■■■■■
SPRを利用した尿中疾病マーカー検出デバイス377■■■■■■■■■■■■
A_barrier_embedded_chaotic_micromixer376■■■■■■■■■■■
An_approach_to_fabricating_microstructures_that_incorporate_circuits_using_a_post-CMOS_process376■■■■■■■■■■■
Modelling_and_analysis_of_a_MEMS_approach_to_dc_voltage_step-up_conversion376■■■■■■■■■■■
ハーメチック、ファインビアガラス基板―MEMSの新パッケージ376■■■■■■■■■■■
マイクロ放電加工の加工モニター376■■■■■■■■■■■
蜘蛛の糸による梁状構造の強度376■■■■■■■■■■■
真空封止:常温封止接合375■■■■■■■■■■
自己組織化磁気円柱によるDNA分離チップ375■■■■■■■■■■
2層グラフェンナノデバイスにおける電気ノイズの低減375■■■■■■■■■■
A‘boosted'_RF-MEMS_capacitive_switch375■■■■■■■■■■
DNAの階層的自己組織化を用いた多面体の形成375■■■■■■■■■■
Design_and_modeling_of_a_MEMS_bidirectional_vertical_thermal_actuator375■■■■■■■■■■
2mm角の3軸加速度センサー日立金属が新構造で開発中374■■■■■■■■■
MEMS駆動のための結晶シリコン太陽電池アレイ374■■■■■■■■■
エアアイソレートされた貫通配線374■■■■■■■■■
チップのロボットシステムによる組立374■■■■■■■■■
ポリマーMEMSにおける熱接合における液体封入方法374■■■■■■■■■
レーザー内部加工によるガラス/Si多層ウェハ割断例1374■■■■■■■■■
Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性(パルス幅10ns、低エネルギー)373■■■■■■■■
微小シリカによるsol-gel接合373■■■■■■■■
磁気異方性を用いた3次元構造体の自己組立て373■■■■■■■■
過酸化脂質のための蛍光イメージング分析試薬373■■■■■■■■
解説 球面モータ372■■■■■■■
Si表面の再結晶化:波長依存性372■■■■■■■
ガラス内部クラック形状のレーザーパルス幅依存性372■■■■■■■
シリコン酸化膜上での湿度に対する毛管力の挙動372■■■■■■■
ナノテク医薬品に応用;患部に薬剤を集中投与,東大・京大や製薬会社など,数年後メド臨床試験372■■■■■■■
パリレンナノ転写法372■■■■■■■
A_Single-Layer_PDMS-on-Silicon_Hybrid_Microactuator_With_Multi-Axis_Out-of-Plane_Motion_Capabilities―Part_I:_Design_and_Analysis372■■■■■■■
Kovar(コバール)管のパイレックスウエハへの陽極接合による配管372■■■■■■■
MEMS型小型燃料電池(μDMFC)におけるナノインプリント技術の応用372■■■■■■■
使い捨てのラボオンチップで流体を動作させるためのチップ上空気破裂信管372■■■■■■■
光照射でガラス変質;東工大が金属箔使用,マイクロサイズで加工可能372■■■■■■■
微生物を利用した溶液拡散の増幅372■■■■■■■
受動コンタクト・能動乖離型スイッチ371■■■■■
弾性シリコンナノワイヤ配列に基づく吊り機械構造371■■■■■
溶融金属充填法によるクランク形状孔への導体充填371■■■■■
生体埋め込み用のRFパワーリングシステム371■■■■■
二重乳化応用を目的とした制御可能な可動壁構造物を利用した液滴形成371■■■■■
Microfluidic_Electrodischarge_Devices_With_Integrated_Dispersion_Optics_for_Spectral_Analysis_of_Water_Impurities371■■■■■
Au-_Sn充填貫通配線基板の高周波特性の評価370■■■■■
Design_and_Optimization_of_a_MEMS_Electret-Based_Capacitive_Energy_Scavenger370■■■■■
自動車用燃料タンク漏れ検出用圧力センサ370■■■■■
金微粒子の酸化触媒効果370■■■■■
コンポジットを用いたTSV技術370■■■■■
チップ型薬液徐放デバイスの作製技術370■■■■■
マイクロ流体デバイスに用いるPDMS-PDMSの最適な結合技術369■■■■■■■■■■■■
Low-Temperature_Wafer_Bonding:_A_Study_of_Void_Formation_and_Influence_on_Bonding_Strength369■■■■■■■■■■■■
SAWデバイスの波数領域解析369■■■■■■■■■■■■
CMOSチップ上のシリコンフィンレゾネータの作製368■■■■■■■■■■■
MEMS-CSPチップ実装における応力緩和構造の研究368■■■■■■■■■■■
Si表面への突起構造形成(軸対称偏光ビーム照射)368■■■■■■■■■■■
表面溝加工によるガラスの割断368■■■■■■■■■■■
光でアドレスを呼び出す電位差センサ(LAPS)型ペニシリンセンサとその画像の検出367■■■■■■■■■■
ZnOナノワイアを用いた酸素センサ367■■■■■■■■■■
ナノ粒子とガラス繊維接合367■■■■■■■■■■
CMP-Cu:表面367■■■■■■■■■■
Design_and_fabrication_of_a_direction_sensitive_MEMS_shear_stress_sensor_with_high_spatial_and_temporal_resolution367■■■■■■■■■■
AFMを用いたシリコンのanodizedナノ構造疲労試験366■■■■■■■■■
Underfill樹脂の流動解析366■■■■■■■■■
キャピラリーアセンブルド・マイクロチップ366■■■■■■■■■
バブル駆動式アクチュエータによる触覚ディスプレイ366■■■■■■■■■
光誘起電子移動による過酸化水素測定試薬366■■■■■■■■■
表面活性化接合を用いたMEMS高気密ウエハレベルパッケージ366■■■■■■■■■
部分的に密閉された微小流路の内面上のコロイド自己集合366■■■■■■■■■
量子ドットを用いたタンパク質検出法365■■■■■■■■
超高速TDR測定技術の応用365■■■■■■■■
高温・高湿度に強く、放送用シリコンマイク、NHK研など開発365■■■■■■■■
シリコン貫通配線基板の高周波特性365■■■■■■■■
ノッチングを利用したマスク開口デザイン制御によるリリース365■■■■■■■■
パリレンの低温高アスペクト比アッシング365■■■■■■■■
原子レベルの位置測定センサー開発(日立製作所)365■■■■■■■■
実装365■■■■■■■■
機械式ADコンバータ(12ビット)365■■■■■■■■
表面マイクロ構造による液滴駆動365■■■■■■■■
高速信号対応微細配線インターポーザ364■■■■■■■
解説 圧電・光アクチュエータ364■■■■■■■
CNT-メンブレン作製法B364■■■■■■■
CNTs-ピエゾ抵抗効果364■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術364■■■■■■■
CNT―高い周波数-スイッチ-2364■■■■■■■
Design_and_Nonlinear_Servo_Control_of_MEMS_Mirrors_and_Their_Performance_in_a_Large_Port-Count_Optical_Switch364■■■■■■■
Integrated_CO-Design_of_RF_MEMS_Devices364■■■■■■■
LSI配線プロセスを用いたダイアフラム形成364■■■■■■■
MEMS実装:光素子の低温直接接合364■■■■■■■
ドープした酸化スズガスセンサの振動測定における検出動作の温度効果364■■■■■■■
付着耐性値364■■■■■■■
有機トランジスタ作製プロセス363■■■■■■
特集_マイクロマシニングとMEMSの歴史と展望(1)―歴史―363■■■■■■
厚膜抵抗体のモデル化した圧電抵抗特性用ゲージ係数の評価362■■■■■
微細穴破壊せず計測、ディスク・テック、近赤外線を照射362■■■■■
犠牲層としてPMGIを用いるMEMS共鳴体の低温製造方法362■■■■■
ナノメカニカルカンチレバーセンサ:分子レベルでリアルタイム解析362■■■■■
A_High-Power_MEMS_Electric_Induction_Motor362■■■■■
CNTを用いたCNTウエハー作製技術362■■■■■
Deep-RIEと埋め込みによる高速化対応シリコン貫通配線361■■■
注目のMEMS本格成長迫る、GenlSys、MEMS向けシミュレータを開発361■■■
Sliding-blade_MEMS_iris_and_variable_optical_attenuator361■■■
Soft-Magnetic_Rotational_Microwings_in_an_Alternating_Magnetic_Field_Applicable_to_Microflight_Mechanisms360■■■
ガラスウエハ分離に必要な引張応力のレーザー走査速度依存性360■■■
3次元配線形成における配線抵抗360■■■
CSP構造で低損失な有接点RF_MEMSスイッチ360■■■
Characterization_of_Surface_Micromachined_Metallic_Microneedles360■■■
高レート・高均一なMEMS用及びWLP用DRIE360■■■
高平坦化のための銅CMP技術359■■■■■■■■■■■■
Pt-b電極の作製技術359■■■■■■■■■■■■
インダクタ‐キャパシタに対する基板エッチングの効果359■■■■■■■■■■■■
ナノリッターウエル内の蒸着可能な液滴の均一な溶質蒸着359■■■■■■■■■■■■
前処理機能集積チップ359■■■■■■■■■■■■
微細構造体上へのCNTウエハー形成359■■■■■■■■■■■■
水素ラジカルクリーニングによる異種III-V族化合物半導体のウェハ接合358■■■■■■■■■■■
3次元ナノ構造作製のための高精度位置合せ/接合システム358■■■■■■■■■■■
A_Chaotic_Mixer_for_Magnetic_Bead-Based_Micro_Cell_Sorter358■■■■■■■■■■■
CNT-ナノラジオ358■■■■■■■■■■■
貫通孔壁面に熱拡散して抵抗にする358■■■■■■■■■■■
電圧印加によるKOH-Siエッチングの等方性・異方性制御358■■■■■■■■■■■
ネットワーク状のカーボンナノチューブ成長358■■■■■■■■■■■
ハードディスクドライバ用スライダーのマイクロヒータによる浮遊間隔制御358■■■■■■■■■■■
上下スリットインターポーザを用いたMEMS-CSP低応力実装358■■■■■■■■■■■
人工筋肉1.5ボルトで作動;横浜国大,高分子製,微小機械の動力源358■■■■■■■■■■■
Shape-Memory_Polymers_for_Microelectromechanical_Systems357■■■■■■■■■■
マイクロ流体環境下におけるMEMSの付着特性357■■■■■■■■■■
レール形状および流体力によるチップの自己組織化357■■■■■■■■■■
産業の礎MEMSの現状、拡大するMEMSファンドリビジネス357■■■■■■■■■■
化学反応30倍速、大阪府立大、髪の毛並み微小チューブ使用356■■■■■■■■■
水素化アモルファス炭素膜の圧電抵抗ゲージファクタ356■■■■■■■■■
流路を集積化したパッチクランプチップ356■■■■■■■■■
神経細胞を利用した情報処理デバイス356■■■■■■■■■
自己組織化DNAコンジュゲートポリマーを利用したSNPs検出チップ356■■■■■■■■■
マイクロ側壁面の摩擦挙動を研究するためのMEMS素子356■■■■■■■■■
マイクロ流体システムにおけるカルシウムアルギン酸マイクロカプセルの発生356■■■■■■■■■
酸素貯蔵能力を倍増、東工大、触媒向けの新材料開発356■■■■■■■■■
走査型プローブナノリソグラフィ(SAMを用いたポジ型SPNL)356■■■■■■■■■
架橋構造SWNTのTEM観察355■■■■■■■■
機能微小部品の自己組立を利用した高機能コンタクトレンズ製作355■■■■■■■■
Low-Voltage,_Large-Scan_Angle_MEMS_Analog_Micromirror_Arrays_With_Hidden_Vertical_Comb-Drive_Actuators355■■■■■■■■
ポリシコンヒータやきなましによるリシェイプ技術355■■■■■■■■
ナノインプリントPDMS基材とアクチュエータ・シリコン基材の組み合わせによる回折格子354■■■■■■■
パルス駆動によるアルミ製貫通ビアのメッキ作製354■■■■■■■
水を用いたパッシブアライメント354■■■■■■■
液液界面でのCNT/金属ナノ微粒子コンポジットフィルムの作製354■■■■■■■
生体模倣ポリマーによる表面処理354■■■■■■■
CNT-bridging_CNT354■■■■■■■
1,3-ジシラブタンとジクロロシランを用いた多結晶3C-SiC膜の応力制御353■■■■■■
CNTs-固体化成形技術3-ラマン特性353■■■■■■
マイクロコンタクトプリンティングの繰り返しによるパターンの微細化353■■■■■■
マイクロ流路を利用したイオンセンシング353■■■■■■
メンブレン構造容量検出型センサの化学・バイオセンサへの応用353■■■■■■
磁性薄膜を有する集積型オンチップインダクター353■■■■■■
分子を選別し輸送、特定のたんぱく質など、東大、化学反応実験効率化に応用352■■■■■
CNTs-合成技術352■■■■■
CNT-高密度・向配列アレイの作製法352■■■■■
Design_of_the_Optical_Fiber_Transmission_and_Geometrical_Microoptical_Path_in_the_Optical_Liquid_Drop_Sensor352■■■■■
MEMSスイッチによる可変インダクター352■■■■■
RF_MEMS_for_Advanced_Automotive_Applications352■■■■■
走査型プローブナノリソグラフィ(EBレジストを用いたネガ型SPNL)352■■■■■
フリップ−チップ光MEMSに用いるポリイミド・スペーサー352■■■■■
プルインを越えたカンチレバービーム静電MEMSアクチュエータ352■■■■■
プロセス中での真空封止351■■■
光流体技術による可変光減衰器351■■■
共同作業する2台のマイクロロボットによるマイクロ操作350■■■
外部加圧なし金型加熱による寸法がμm/サブμmの非晶質ポリマー構造体の複製350■■■
完全CMOS互換プロセスで形成した圧力センサ350■■■
0.35µmCMOSチップ上のVHF帯レゾネーターの作製350■■■
CNT-メンブレン作製法A350■■■
CNTウエハーを用いたCNTマイクロ構造体の作製350■■■
SU-8フォトレジストの重合作用におけるソフトベーク温度の効果350■■■
静電櫛歯駆動方式のXYステージ350■■■
静電容量を介したプルイン、プルアウト電圧の測定法によるRFスイッチの長期安定性測定350■■■
静電駆動型ナノ引張試験デバイスによるカーボンナノワイヤの機械特性評価349■■■■■■■■■■■■■■■■
冷却機構を有する3Dパッケージ349■■■■■■■■■■■■■■■■
生体分子1個変化観察、産総研が新手法、ナノチューブ利用349■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージング実現のための貫通孔配線技術349■■■■■■■■■■■■■■■■
バンプレスインタコネクト:電気特性評価349■■■■■■■■■■■■■■■■
ピコジェットプリントヘッドの液滴射出の研究349■■■■■■■■■■■■■■■■
Design_and_fabrication_of_MEMS_devices_using_the_integration_of_MUMPs,trench-refilled_moldoing,DRIE_and_bulk_silicon_etching_processes349■■■■■■■■■■■■■■■■
Polycrystalline_Silicon-Carbide_Surface-Micromachined_Vertical_Resonator_-_Part_I:_Growth_Study_and_Device_Fabrication349■■■■■■■■■■■■■■■■
0.3ミリの世界最小径ネジ、精機や半導体向け、スター精密が開発348■■■■■■■■■■■■■■■
A_New_Edge-Detected_Lift_Force_Flow_Sensor348■■■■■■■■■■■■■■■
CNTを用いた柔軟かつ高感度のひずみセンサ348■■■■■■■■■■■■■■■
SU-8を用いた低温キャップ形成348■■■■■■■■■■■■■■■
単一MWNTの熱物性値の測定とその伝熱機構の考察348■■■■■■■■■■■■■■■
液体の針348■■■■■■■■■■■■■■■
スパーク放電による化学彫刻(SACE)でガラスに重力送りマイクロ穴あけ加工348■■■■■■■■■■■■■■■
ワイヤー巻きつけによるマイクロねじ作成348■■■■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工(波長1064nm)347■■■■■■■■■■■■■■
パイレックスガラスのレーザー丸板加工347■■■■■■■■■■■■■■
パッケージ(1)・FR-4基板で封止347■■■■■■■■■■■■■■
プラズマ表面活性化を利用したウエハのダイレクトボンディング347■■■■■■■■■■■■■■
Au薄膜を用いた毛管力に起因するスティクション防止347■■■■■■■■■■■■■■
BCBを用いたMMIC用3次元低損失パッシブ部品の評価347■■■■■■■■■■■■■■
CNT/ナノ微粒子ハイブリッドの作製347■■■■■■■■■■■■■■
赤外線を用いた位置合わせ技術347■■■■■■■■■■■■■■
CNTs ベアリング-1347■■■■■■■■■■■■■■
立体形状への配線パターン露光技術347■■■■■■■■■■■■■■
心筋細胞で駆動するポンプ346■■■■■■■■■■■■■
INDUSTRY_REPORT_Riding_the_MEMS_rollercoaster346■■■■■■■■■■■■■
パリレンで封止した液体の変形を利用したスキャニングミラー346■■■■■■■■■■■■■
キネシン微小管を利用した構造物の一方向搬送345■■■■■■■■■■■■
DRIE垂直壁面に作るダイオードの特性測定345■■■■■■■■■■■■
MgZn単結晶体と多結晶体の通電拡散接合345■■■■■■■■■■■■
変位増幅機構を有する触覚ディスプレイ345■■■■■■■■■■■■
微細加工した3軸ジャイロスコープの製作と解析345■■■■■■■■■■■■
自立した多孔質シリコンマイクロ構造体の製造345■■■■■■■■■■■■
電気化学を用いた酸性化によるガラスの局所湿式エッチング345■■■■■■■■■■■■
MEMSデバイスの信頼性評価プログラム344■■■■■■■■■■■
DRIEと酸化を用いたマイクロオプティカルレンズの新しい形成方法344■■■■■■■■■■■
Fabrication_Process_of_Microsurgical_Tools_for_Single-Cell_Trapping_and_Intracytoplasmic_Injection344■■■■■■■■■■■
GaN-Siハイブリッド発光デバイスの作製344■■■■■■■■■■■
Microsystems_and_Nanotechnology;Patent_snapshots344■■■■■■■■■■■
RF多重スイッチ集積344■■■■■■■■■■■
STMを用いた単分子系化学反応343■■■■■■■■■■
シリコン直管型流体密度センサ343■■■■■■■■■■
タングステンナノギャップによる単分子捕獲343■■■■■■■■■■
ナノ磁気アクチュエータ343■■■■■■■■■■
マイクロOCPWとIOCPWを用いた最新の小型低損失ミリ波フィルター343■■■■■■■■■■
宇宙用RFMEMSスイッチ343■■■■■■■■■■
接合前アライメント精度:間接(裏面)アライメント343■■■■■■■■■■
補正マスクによるSi表面3次元加工技術343■■■■■■■■■■
1円玉より小さく、ニッタ・ムアー、圧電ポンプ発売342■■■■■■■■■
An_Additive_Micromolding_Approach_for_the_Development_of_Micromachined_Ceramic_Substrates_for_RF_Applications342■■■■■■■■■
金ナノ粒子によるSPR信号増強342■■■■■■■■■
誘電性液滴の電気的動作342■■■■■■■■■
X線傾斜露光法によるPMMA3次元加工技術342■■■■■■■■■
シリコン酸化膜のナノテクスチャ加工によるEWODの低電圧化341■■■■■■■
ハイブリッドSiエバネセント・レーザーの接合プロセス341■■■■■■■
ブロック共重合体とシリケートのミクロ相分離(ラメラ)構造を用いた自己整合、自己組織化ナノラインパターン形成341■■■■■■■
PECVD_SiCで覆った圧力センサの研究341■■■■■■■
SUSPENDED_MICROCHANNEL_RESONATOR341■■■■■■■
A_Hybrid_PZT-Silicon_Microvalve340■■■■■■■
CNTs-ビーム-01340■■■■■■■
Robust_latching_MEMS_translation_stages_for_micro-optical_systems340■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長355nm)340■■■■■■■
ボンディングしたワイヤーを犠牲層にしたニードル作成340■■■■■■■
実装:超音波ワイヤボンディングの実装精度340■■■■■■■
希薄度と非希薄度の効果を統合するガスマイクロ対流の研究340■■■■■■■
鉛フリーハンダ:バンプ形成技術340■■■■■■■
走査プローブ顕微鏡探針尖端への単一CNF直接合成340■■■■■■■
SiRNを用いたマイクロチャネル作製339■■■■■■■■■■■■■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層:波長依存性2339■■■■■■■■■■■■■■■
レーザーによるガラス表面近傍の内部加工2339■■■■■■■■■■■■■■■
An_In-Plane_High-Sensitivity,Low-Noise_Micro-g_Silicon_Accelerometer_With_CMOS_Readout_Circuitry339■■■■■■■■■■■■■■■
CMOS集積化10マルチプローブAFMによる原子像の取得339■■■■■■■■■■■■■■■
可視領域の透明度を高めたポリマー光導波管の直接フライス加工と注入成形339■■■■■■■■■■■■■■■
微小域でヤング率測定、阪大が顕微鏡開発、電子部品の品質向上に期待339■■■■■■■■■■■■■■■
自己組立における触媒効果339■■■■■■■■■■■■■■■
細菌のべん毛繊維;立体構造を解析,阪大,ナノマシンに道338■■■■■■■■■■■■■■
通信システム向けマイクロマシン開発へ;米ルーセントが国防総省と協力,軍事・国土保全用に使用338■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-多層カーボンナノチューブ-カンチレバーの作成と特性338■■■■■■■■■■■■■■
CNT-多層カーボンナノチューブ-直線ベアリングナノスイッチ338■■■■■■■■■■■■■■
Design,Fabrication,and_Testing_of_a_Prototype_Microthermophotovoltaic_System338■■■■■■■■■■■■■■
Fracture_Strength_of_Polysilicon_at_Stress_Concentrations338■■■■■■■■■■■■■■
3D-MEMSウエハレベルパッケージ実現のための貫通孔配線337■■■■■■■■■■■■■
多孔質アルミナ膜による低温での真空パッケージ337■■■■■■■■■■■■■
接合過程の解析337■■■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法によるY字分岐孔への導体充填337■■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長1450nm、パルス幅〜100fs)337■■■■■■■■■■■■■
ハイブリットボンディングによる低温ボイドレス接合方法337■■■■■■■■■■■■■
集積化ヒータによるローカルハンダヅケ337■■■■■■■■■■■■■
零位法による実温度放射温度計測法336■■■■■■■■■■■■
分子の向き制御;東大,特殊な光活用,高速通信向け期待336■■■■■■■■■■■■
塩素原子ビームを用いたSiエッチングにおけるUV照射による表面反応増大効果336■■■■■■■■■■■■
異方性エッチングへの原子論的概論336■■■■■■■■■■■■
硬質磁性材料のCoPtPの電着および磁性MEMSへの集積化336■■■■■■■■■■■■
自立振動ゲルのマイクロアクチュエータ336■■■■■■■■■■■■
AFMによるマイクロ・空洞標的ボール面上へのマイクロ構造の加工336■■■■■■■■■■■■
Design_and_modeling_of_an_acoustically_excited_double-paddle_scanner336■■■■■■■■■■■■
Electrostatic_Actuators_With_Expanded_Tuning_Range_Due_to_Biaxial_Intrinsic_Stress_Gradients336■■■■■■■■■■■■
Electrowettingを利用したアメンボロボットA336■■■■■■■■■■■■
Electrowettingを利用したアメンボロボットB336■■■■■■■■■■■■
ポリスチレン微粒子を用いたナノ金ディスクの作製(LSPR基板)336■■■■■■■■■■■■
三層の陽極接合336■■■■■■■■■■■■
ゼオライト含有カンチレバーによる化学物質の選択検出335■■■■■■■■■■■
半導体チップで免疫測定、日立、その場で微量たんぱく検出335■■■■■■■■■■■
多層SU-8マイクロ構造体の製造335■■■■■■■■■■■
実用化技術:LCPの低温Cuラミネート335■■■■■■■■■■■
業界最高のSN比のMEMSマイクを発表(アナログデバイセズ)335■■■■■■■■■■■
表面処理:表面化学処理およびDLC膜による付着力の影響335■■■■■■■■■■■
遺伝子の解析わずか1分で;徳島大など,ナノ粒子使い試薬335■■■■■■■■■■■
Development_of_a_tRNA-Synthestase_Microarray_for_Protein_Analysis335■■■■■■■■■■■
Embedded_conductor_technology_for_micromachined_RF_elements335■■■■■■■■■■■
2D高密度アレイ「鍬」形状金属チップによるMEMSプローブ・カード334■■■■■■■■■■
表面活性化接合とTSVを用いた3D-ウエハレベルパッケージング334■■■■■■■■■■
SiO2表面に形成されるナノ周期構造の照射レーザーフルーエンス依存性334■■■■■■■■■■
TFTトランジスタのプラスチックへの転写334■■■■■■■■■■
マイクロコンタクトプリンティングによるカーボンナノチューブエミッタ334■■■■■■■■■■
リップルを用いた残留応力測定334■■■■■■■■■■
金属多層構造の犠牲層利用作成法334■■■■■■■■■■
高アスペクト比の金属構造体製作用のマイクロ粉末射出成形333■■■■■■■■■
広帯域振動による環境発電333■■■■■■■■■
Kovar-ガラス-シリコン-ガラス積層構造をしたベーク可能なマイクロバルブ333■■■■■■■■■
Polydimethylsiloxane-based_pattern_transfer_process_for_the_post-IC_integration_of_MEMS_onto_CMOS_chips333■■■■■■■■■
ラメラー格子型面外マイクロジャイロスコープ333■■■■■■■■■
ナノ材料の印刷技術を用いた3次元へテロデバイスの作製332■■■■■■■■
ニッケルポストを使った面合わせのフリップチップ接合332■■■■■■■■
フレキシブルなサーモパイル発電器の製造、マイクロ製造技術332■■■■■■■■
マイクロ・ナノカンチレバーのカップリングによる質量応答性能の改善332■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術7332■■■■■■■■
研究開発レター 光近接場ファイバ型マイクロ化学センサ332■■■■■■■■
自己検出圧電マイクロカンチレバーの変位とセンサ出力へのDCバイアスの影響332■■■■■■■■
高アスペクト比のたて型くし歯動作アクチュエータ332■■■■■■■■
A_Microbubble-Powered_Bioparticle_Actuator332■■■■■■■■
A_Novel_Fiber-Optic_Biosensor_for_On-Line_Monitoring_of_Cell_Cultivation332■■■■■■■■
A_Planar_Approach_for_Manufacturing_Cardiac_Stents:_Design,Fabrication,and_Mechanical_Evaluation332■■■■■■■■
Barbed_micro-spikes_for_micro-scale_biopsy332■■■■■■■■
CMOSプロセスによるシリコンナノワイヤアレイの特性332■■■■■■■■
CNTスーパーグロース法-水分添加による触媒賦活効果-332■■■■■■■■
Commercialization_Corner;RF_MEMS_appeal332■■■■■■■■
Deformation_of_Blanketed_and_Patterned_Bilayer_Thin-Film_Microstructures_During_Post-Release_and_Cyclic_Thermal_Loading332■■■■■■■■
STMを用いたシリコン基板上におけるナノマウンドの作成方法332■■■■■■■■
3D_flexible_multichannel_neural_probe_array331■■■■■■
Detection_of_Protein_Conformation_under_Stress_Conditions_Using_Liposomes_As_Sensor_Materials331■■■■■■
In-Au薄膜によるマイクロ接合331■■■■■■
システムインテグレーションのためのシリコン貫通配線技術331■■■■■■
シリコンの鏡面化技術331■■■■■■
シリコン貫通タングステン配線を有する3次元チップ積層用鉛フリー接合の信頼性評価331■■■■■■
Siの内部加工クラック形状のエネルギー依存性330■■■■■■
スタックチップ間の常温シリコン貫通電極配線330■■■■■■
CNT-メンブレン細孔分布330■■■■■■
様々な金属触媒によるSWNTの合成330■■■■■■
光化学スモッグ携帯用センサー、NTT、指先大の大きさ実現329■■■■■■■■■■■■■■
可動部レスで極小ポンプ329■■■■■■■■■■■■■■
微小機械部品評価に関する研究329■■■■■■■■■■■■■■
櫛歯駆動回転マイクロミラー329■■■■■■■■■■■■■■
紫外線硬化樹脂の注入による凹レンズの作製329■■■■■■■■■■■■■■
Arrays_of_Monocrystalline_Silicon_Micromirrors_Fabricated_Using_CMOS_Compatible_Transfer_Bonding329■■■■■■■■■■■■■■
P(VDF-_TrFE_)多層マイクロアクチュエータ構造の穏やかな乾式エッチング329■■■■■■■■■■■■■■
Piezoelectric_Pb(Zrx,Ti1-x)O3_thin_film_cantilever_and_bridge_acoustic_sensors_for_miniaturized_photoacoustic_gas_detectors329■■■■■■■■■■■■■■
シリコン基板と単一マスクによるMEMS構造のリリース329■■■■■■■■■■■■■■
シリコン酸化膜のナノテクスチャ加工によるEWODの低電圧化_-_特性329■■■■■■■■■■■■■■
パリレンを用いた生体埋込圧力センサー329■■■■■■■■■■■■■■
ミクロのポンプ試作、光で作動、化学反応装置に応用、横浜国大329■■■■■■■■■■■■■■
SiNのゲートを用いたCNTのアレイ328■■■■■■■■■■■■■
Si表面のナノ周期構造(軸対称偏光ビーム照射)328■■■■■■■■■■■■■
Suppression_of_leakage_current_via_formation_of_a_sidewall_protector_in_the_microgated_carbon_nanotube_emitter328■■■■■■■■■■■■■
WLAN帯域可変フィルタ328■■■■■■■■■■■■■
パルス状の正の電圧をチャックに加えることによるノッチングの抑制328■■■■■■■■■■■■■
低コスト、大規模マイクロ流体工学用のPMMAの深-UVパターニング328■■■■■■■■■■■■■
CNT-メンブレンの液体透過特性328■■■■■■■■■■■■■
DRIE垂直壁面に不純物拡散でフォトダイオードを作る328■■■■■■■■■■■■■
MEMSデバイスの開ループ制御対閉ループ制御:選択と課題328■■■■■■■■■■■■■
銀ナノ粒子を触媒とした無電解銅めっき328■■■■■■■■■■■■■
高い面外剛性のシリコンプレートばねの両側面製造方法328■■■■■■■■■■■■■
酸化絶縁膜の微細トレンチ形成技術327■■■■■■■■■■■■
高密度貫通配線を有するシリコン基板327■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長1300nm、パルス幅〜100fs)327■■■■■■■■■■■■
ナノスケールでの金属/自己組織化単分子膜/金属のへテロ構造327■■■■■■■■■■■■
微細な穴を通る1分子、東大が成功、TEMで直接観察327■■■■■■■■■■■■
Coventor_Launches_“Design_Tool_Sets”_for_automotive_sensors327■■■■■■■■■■■■
Electroplated_Metal_Microstructures_Embedded_in_Fusion-Bonded_Silicon:_Conductors_and_Magnetic_Materials327■■■■■■■■■■■■
CMOSMEMSで作製した高g用加速度センサ326■■■■■■■■■■■
Integration_of_a_polymeric_planar-lightwave-circuit_chip_based_on_a_polymer_microsystem_and_a_UV_imprinting_technique326■■■■■■■■■■■
PDMS_3次元構造体中に形成した分流と再合流するマイクロミキサ326■■■■■■■■■■■
刺激応答性ヒドロゲルによって駆動される適応型液体マイクロレンズ326■■■■■■■■■■■
松下電工のMEMS事業を分析、自動車・医療の分野で垂直統合326■■■■■■■■■■■
自由に対流するPEM燃料電池用に微細加工したシリコン構造体326■■■■■■■■■■■
多孔質シリコン薄膜から形成した電気浸透ポンプ325■■■■■■■■■■
常温ウエハ接合:接合強度325■■■■■■■■■■
表面活性化常温接合法によるGaAs基板へのレーザの実装325■■■■■■■■■■
ホットエンボッシングによるマイクロポリマーアクチュエータの製作325■■■■■■■■■■
レゾネータの直列接続によるQ値のブースト効果325■■■■■■■■■■
CMOSチップのポストプロセスで作製した面外方向加速度センサ325■■■■■■■■■■
Cuメッキとスプレーコーティングによる3次元コイルの作製325■■■■■■■■■■
Electrowettingの接触角を容易に測定するテスト構造325■■■■■■■■■■
GaAsのEpi_Film_Bonding技術324■■■■■■■■■
単一モード光ファイバーの微細加工2次元アレイ324■■■■■■■■■
複数種類の自己組立による蛍光検出システムの製作324■■■■■■■■■
SiC表面マイクロマシニングのためのpoly-SiへのSiC成膜324■■■■■■■■■
Siナノ構造を有する共振器デバイスの開発324■■■■■■■■■
マイクロ組立用のパッケージ組込みMEMSベース熱アクチュエータ324■■■■■■■■■
ゲルマニウムを用いた低温マイクロマシニング323■■■■■■■■
ナノテクノロジー MEMS オムロン、MEMS素子を搭載したフローセンサーを開発323■■■■■■■■
フレキシブルなモノリシック3Dマイクロ流体構造の新しい製造法323■■■■■■■■
レーザー内部加工による圧力センサーチップの割断2(Siのみ加工/200ns)323■■■■■■■■
CNTs-アクチュエータ-多層カーボンナノチューブ-1323■■■■■■■■
CNTs-ナノリレー323■■■■■■■■
CNTsを微細孔としたサブ2nmポア・フィルタ323■■■■■■■■
CNTギャップに架橋した単一のDNA鎖の伝導性323■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術9323■■■■■■■■
液晶をマスクに使い、配向制御による立体形状露光323■■■■■■■■
光ファイバーの先端にレンズを作成322■■■■■■■
全反射(エバネッセント)照明を用いた高感度蛍光検出デバイス322■■■■■■■
小型SPRデバイス322■■■■■■■
Sidewall_Morphology_of_Electroformed_LIGA_Parts―Implications_for_Friction,Adhesion,_and_Wear_Control322■■■■■■■
レーザーによるガラス表面近傍の内部加工322■■■■■■■
連結バネ・アクチュエータ機構の解析322■■■■■■■
3次元構造体化用の動マスクUVリソグラフィ322■■■■■■■
Adapting_MCM-D_technology_to_a_piezoresistive_accelerometer_packaging322■■■■■■■
CNTs-センシングー1322■■■■■■■
Extraction_of_heat-transfer_macromodels_for_MEMS_devices322■■■■■■■
A_barrier_embedded_Kenics_micromixer321■■■■■
Analytical_Behavior_of_Rectangular_Electrostatic_Torsion_Actuators_With_Nonlinear_Spring_Bending321■■■■■
Inside_New_Technology_;_MEMSアプリケーション(2) 携帯電話機はRF回路とストレージに期待321■■■■■
Production_and_characterization_of_a_hydraulic_microactuator321■■■■■
トーションバーによるチューナブル光学フィルタ321■■■■■
中空マイクロ針のアレイに用いるマイクロ流体分配システム321■■■■■
内部加工されたSiウェハ割断に要する曲げ応力の加工層数依存性(パルス幅10ns)321■■■■■
最初のLSI集積化MEMS:Resonant-Microbridge_Vapor_Sensor321■■■■■
高分解能SEM観察用コーティング材料321■■■■■
陽極接合の低温化(ガラス電極接触膜の影響)321■■■■■
非対称円形圧電バイモルフの理論的モデル化321■■■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層2320■■■■■
MEMSスイッチの接点材料選択-1320■■■■■
Poly-Siによる1チップMEMSジャイロ320■■■■■
小型燃料電池を量産、来春出荷へ(京都市320■■■■■
放射性物質により発電して動作する真空センサ320■■■■■
流体抵抗型ベンディングセンサとバルンアクチュエーター320■■■■■
網膜走査ディスプレイ、ブラザーが製品化へ320■■■■■
微小電子機械、8インチ用量産ライン、大日本印刷40億投じ新設319■■■■■■■■■■■■
櫛歯アクチュエータの安定性を向上する支持構造の解析319■■■■■■■■■■■■
シリコン異方性エッチングを用いたナノワイヤの作成方法319■■■■■■■■■■■■
高精度MEMSセンサーやADASなど、車載用先進デバイス提供(ADI)319■■■■■■■■■■■■
解説 ゲルアクチュエータ319■■■■■■■■■■■■
11-MUA/カリックス(6)アレーン二分子層を用いたバイオ化学検出システム319■■■■■■■■■■■■
A_Design_Methodology_for_a_Bulk-Micromachined_Two-Dimensional_Electrostatic_Torsion_Micromirror319■■■■■■■■■■■■
MEMS_technologies_for_epiretinal_stimulation_of_the_retina319■■■■■■■■■■■■
Nonlinear_heat-transfer_macromodeling_for_MEMS_thermal_devices319■■■■■■■■■■■■
Integrated_Fabrication_of_Polymeric_Devices_for_Biological_Application318■■■■■■■■■■■
Polyvinyl_Alcohol-co-Styrene_Sulfonate/FeCl2_Composite_as_Humidity_Sensing_Material318■■■■■■■■■■■
ポリマー熱圧着接合プロセスのアライメント精度への影響(接合前アライメントより)318■■■■■■■■■■■
マイクロバルブを有する細胞機能回析デバイスの開発318■■■■■■■■■■■
共振マイクロカンチレバー化学センサー用の強軸曲げモード振動の理論的分析318■■■■■■■■■■■
常温ウエハ接着&キャビティ封止318■■■■■■■■■■■
抵抗膜方式タッチパネルセンサの電磁波シールド効果318■■■■■■■■■■■
溶液系電気化学発光素子の高輝度化318■■■■■■■■■■■
高抵抗Si基板低電圧駆動型容量型RFMEMSスイッチ318■■■■■■■■■■■
選択レーザアシスト接合(LAB)を用いたMEMS用ウエハレベルパッケージ318■■■■■■■■■■■
赤外イメージング317■■■■■■■■■■
マイクロゼオライトカラムによるガス分離317■■■■■■■■■■
3次元実装のための電気メッキ銅充填317■■■■■■■■■■
CNTとイオン液体による伸縮配線材料317■■■■■■■■■■
CNT-光伝導度317■■■■■■■■■■
Issues_&_challenges_of_MEMS_wafer-level_packaging317■■■■■■■■■■
MEMS素子のくし型静電駆動動作を測定する高感度電子静電容量測定システム317■■■■■■■■■■
Magnetic_coreを有するインダクタの作製317■■■■■■■■■■
A_Single-Layer_PDMS-on-Silicon_Hybrid_Microactuator_With_Multi-Axis_Out-of-Plane_Motion_Capabilities―Part_II:_Fabrication_and_Characterization316■■■■■■■■■
CNT-ポリマーとのハイブリッド材料316■■■■■■■■■
Design_of_a_linear_micro-feeding_system_featuring_bistable_mechanisms316■■■■■■■■■
ジャイロセンサー、MEMS技術を採用、村田製作所が実用化316■■■■■■■■■
バルク微細加工Si内に組み込まれた磁気誘導機構316■■■■■■■■■
ポリマーによるナノポーラスグレーティング構造316■■■■■■■■■
貫通配線ガラスの作製のためのパイレックスガラスのDRIE316■■■■■■■■■
傾斜させた試料に対する露光技術と独特な三次元構造体の作製316■■■■■■■■■
形状記憶機能を有する圧電セラミックスを開発(東京大)316■■■■■■■■■
装置メーカーのMEMSへの取り組み(2)、日立ハイテクノロジーズ316■■■■■■■■■
分子センサーを用いたマイクロ流路の圧力計測315■■■■■■■■
微細ピッチテスト用たて型ガイド付の堅牢なMEMSプローブカード315■■■■■■■■
接合前ウエハアライメント精度:Smart_View_(Face_to_Face)アライメント315■■■■■■■■
液液界面でのナノ微粒子の自己組織化および輸送315■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長800nm、パルス幅〜100fs、軸対称偏光)315■■■■■■■■
ナノチューブへのエキシマレーザーの照射による電界放出改善315■■■■■■■■
マスク無しのポストCMOSバルク微細加工プロセスおよびその応用315■■■■■■■■
A_micro_direct_methanol_fuel_cell_demonstrator315■■■■■■■■
CNTを用いたマイクロ神経電極アレイ315■■■■■■■■
Cover_Story_;_メムス・コア 多品種少量で攻め,MEMS産業化をリード315■■■■■■■■
Development_of_Si-SiC_Hybrid_Structures_for_Elevated_Temperature_Micro-Turbomachinery315■■■■■■■■
Moving_reflector_type_micro_optical_switch_for_high-power_transfer_in_a_MEMS-based_safety_and_arming_system315■■■■■■■■
集積化ヒータを用いたファインジェット315■■■■■■■■
超音波によるマイクロ流体のミキシングとスイッチング315■■■■■■■■
シリコンでLED、日立、薄膜素子、発光に成功314■■■■■■■
ポリマーのプラズマ処理による直接接合314■■■■■■■
光重合と成形によるポリジメチルシロキサン・マイクロレンズアレイ314■■■■■■■
双方向バルブレスシリコンマイクロポンプ314■■■■■■■
異種集積用のウェハレベル実装314■■■■■■■
修正ゾル・ゲル法により成長させた1〜10μmのPZT膜313■■■■■■
前立腺がん9割発見;筑波大と日立メディコ,超音波で硬さ診断313■■■■■■
細胞扱うマニピュレーター、産総研、小型で操作簡単313■■■■■■
Simulation_studies_on_nonlinear_dynamics_and_chaos_in_a_MEMS_cantilever_control_system313■■■■■■
バイオセンサー微量試料検知、東工大、測定対象物の容量下限、50ナノリットル313■■■■■■
解説 InSb単結晶薄膜の物性と磁気センサ応用313■■■■■■
CNTs-固体化成形技術8-固体化後のCNT313■■■■■■
Cellular_microarrays_for_Chemical_Sensing313■■■■■■
MEMS対向探針による金ナノコンタクト接近-衝突-引張-破断実験のHRTEM観察313■■■■■■
Optomechanical_Characterization_of_Mechanically_Deflected_Free-Standing_Polymer_Waveguides313■■■■■■
Precision_Poly-(Dimethyl_Siloxane)_Masking_Technology_for_High-Resolution_Powder_Blasting312■■■■■
Si内部でのレーザー光の集光312■■■■■
セラミック基板への表面活性化常温フリップチップ実装プロセスの開発312■■■■■
ナノインプリントでハーフ・ピッチ24nmのパターンを形成312■■■■■
フレキシブル基板への光リソグラフィを用いたサブミクロンパタン形成312■■■■■
半導体回路線幅18ナノに、ナノインプリント方式、大日本印刷が微細化技術312■■■■■
導電で長さ2倍;山梨大,伸縮するプラスチック部品312■■■■■
液体のパリレンを用いた封入プロセス311■■■
表面弾性波による流路を流れるビーズのパターニング311■■■
マイクロコンタクトMEMSリレーデバイスの電気抵抗特性評価311■■■
乾燥フォトレジストを用いる迅速試作:μ流体用ソフトリソグラフィ原版の微細加工311■■■
A_Water-Powered_Micro_Drug_Delivery_System311■■■
CVD-カーボンナノチューブを選択的に合成する311■■■
CNT-薄膜ーメモリー1310■■■
Fabrication_of_keyhole-free_ultra-deep_high-aspect-ratio_isolation_trench_and_its_applications310■■■
MEMS_industry_targets_reliability310■■■
STMを用いたシリコン基板上におけるナノクレーターの作成方法310■■■
X線二重露光法によるPMMA3次元加工技術310■■■
ソフトPDMS結合を用いた高効率3Dマイクロミキサ310■■■
チョッピング法を用いたエッチング側面保護技術310■■■
自己適応的MEMS冷却用の温度調整非線形マイクロバルブ310■■■
ポリ弗化ビニリデン(PVDF)からなる圧電膜のフェムト秒レーザマイクロ加工309■■■■■■■■■■■■
CNTウエハーによるカンチレバー構造309■■■■■■■■■■■■
Determination_of_mechanical_properties_of_PECVD_silicon_nitride_thin_films_for_tunable_MEMS_Fabry-Perot_optical_filters309■■■■■■■■■■■■
Development_of_a_Micro-Blood-Typing_System_Using_Micro-Stereolithography_Technology309■■■■■■■■■■■■
Mechanical_Stability_of_a_Latching_MEMS_Variable_Optical_Attenuator309■■■■■■■■■■■■
MEMSスイッチの接点材料選択-2308■■■■■■■■■■■
リコンフィギュアラブルICに向けたCMOSMEMSプローブの作製308■■■■■■■■■■■
レーザー内部加工によるガラス/Si多層ウェハ割断のレーザースキャン回数依存性308■■■■■■■■■■■
単層量子ドットのカンチレバー先端への成膜308■■■■■■■■■■■
細胞モーター駆動のマイクロ流体デバイス308■■■■■■■■■■■
表面活性化:プラスマ活性化を用いたSOI基板へのレーザ実装308■■■■■■■■■■■
共振型マイクロ加速度センサに関する研究(第1報)307■■■■■■■■■■
表面プラズモン共振を利用した臭気センサー307■■■■■■■■■■
バッチトランスファによるMEMS構造体の転写方法307■■■■■■■■■■
マイクロチップ電気泳動によるNO代謝物の迅速測定307■■■■■■■■■■
一軸熱対流ガス式ジャイロスコープ307■■■■■■■■■■
A_Wafer-Scale_Membrane_Transfer_Process_for_the_Fabrication_of_Optical_Quality,_Large_Continuous_Membranes307■■■■■■■■■■
CNTs-高収率二層カーボンナノチューブ307■■■■■■■■■■
2方向斜めエッチングによる3次元フォトニック結晶の作製方法307■■■■■■■■■■
転写TFTでプロセッサまで作った例306■■■■■■■■■
高スループットナノインプリントのための自己組織化テンプレート306■■■■■■■■■
マイクロチャンネルを流れるポリマー溶融体のレオロジー的挙動の研究306■■■■■■■■■
熱酸化を用いた単結晶シリコンナノワイヤの作成方法306■■■■■■■■■
CNTs-加工成形-02306■■■■■■■■■
CNTを用いたCNTウエハー306■■■■■■■■■
CO2_laser_annealing_of_sputtering_deposited_NiTi_shape_memory_thin_films306■■■■■■■■■
A_silicon_microspeaker_for_hearing_instruments305■■■■■■■■
Auナノ粒子を用いたDNAサイズモニタリング305■■■■■■■■
CNT-高周波振動子305■■■■■■■■
CuコートSiO2表面に形成されるナノ周期構造の照射レーザーフルーエンス依存性305■■■■■■■■
シリコン-ポリマーハイブリッド化技術305■■■■■■■■
バックル曲げ作用のはく離を利用したSU-8フォトレジストの除去305■■■■■■■■
金属製微小ピペットアレイ作製技術305■■■■■■■■
印刷法によるプラスチックMEMSと有機FETを用いた大面積フレキシブル電送シート305■■■■■■■■
厚いSi上絶縁体の高-Qスパイラルインダクターの特性305■■■■■■■■
微小流路内の液体攪拌用光ミキサー305■■■■■■■■
業界最小の1.8ミリ角x長さ6ミリ、アルプス電気、圧電アクチュータ305■■■■■■■■
光で動く分子ピンセット、東大が合成に成功304■■■■■■■
反磁性捕獲モードの血球用磁気マイクロ分離装置304■■■■■■■
導電性ポリマーを記録媒体としたMEMSプローブ記録304■■■■■■■
注射針「蚊の口」再現、MEMS技術を応用(関西大学)304■■■■■■■
セルラーオートマトンを用いたSi異方性エッチングシミュレーション304■■■■■■■
ボクセル:_内容量を密閉するマイクロデバイス304■■■■■■■
世界最小指紋センサー;米オーセンテック,8月にも日本発売304■■■■■■■
A_Reduced-Order_Model_for_Electrically_Actuated_Microbeam-Based_MEMS304■■■■■■■
A_low-power_resonant_micromachined_compass304■■■■■■■
An_Approach_for_Increasing_Drive-Mode_Bandwidth_of_MEMS_Vibratory_Gyroscopes304■■■■■■■
CNT-メンブレンの液体透過特性B304■■■■■■■
CNT-垂直配向スイッチ・メモリ304■■■■■■■
Design_of_Microresonators_Under_Uncertainty304■■■■■■■
LSI配線プロセスによる圧力センサ集積化CMOS_LSI304■■■■■■■
SAMによる表面改質を利用した高分子、Alパターンの自己整合配置技術304■■■■■■■
高速超小型ターボ過給機の作製と試験304■■■■■■■
SiGeナノワイヤの成長と特性化303■■■■■■
マイクロキャビティに気泡のない液体を充填するための方法303■■■■■■
各種試料表面への突起構造形成(軸対称偏光ビーム照射)303■■■■■■
吊るしたマイクロメカニカルプレートの総体的ばね定数のモデル化303■■■■■■
垂直に配列したサーモパイルのPCB状プロセス303■■■■■■
振動を用いた表面実装部品のウエハへの配列302■■■■■
熱反応PDMSアクチュエータ302■■■■■
マイクロ電位計のシステムレベルシミュレーション302■■■■■
マルチプローブによるパラレルナノライティング技術302■■■■■
Cross-Linked_PMMA_as_a_Low-Dimensional_Dielectric_Sacrificial_Layer302■■■■■
PEDOTの歪特性302■■■■■
Electrical_Contact_Resistance_as_a_Diagnostic_Tool_for_MEMS_Contact_Interfaces301■■■
Feature特集 マイクロ・テクノロジー ―MEMS、部品内蔵基板の現状―301■■■
Gas_Sensing_with_Titania_Thick_Films301■■■
Improved_fabrication_of_micro_air-channels_by_incorporation_of_a_structural_barrier301■■■
光発電による静電アクチュエーターの直接駆動301■■■
液中自己組立における液流によるアジテーション301■■■
表面活性化:nano-adhesion_layer301■■■
近接場光を利用したナノリソグラフィ技術301■■■
金属ナノ粒子および合金ナノ粒子ペーストによる微細回路形成301■■■
ポリマーMEMSにおけるstiction_valve製作の為の液体封入方法301■■■
一般論文 カメラ付きPocket_PC301■■■
世界最薄の全高1.5ミリ、松下、携帯機器用マイクロSP開発301■■■
パターンを形成したAl(100)箔のHClによる電気化学エッチング300■■■
ホットエンボスと低温直接接合の組み合わせによるPMMAマイクロチップ300■■■
マイクロ流路内における細胞スケールでの流体ダイナミクスのための高速圧力計測300■■■
油封入での液滴ベースのマイクロ反応300■■■
A_reduced-order_model_for_electrically_actuated_microplates300■■■
1入力、8切替出力のRF_MEMS回転スイッチ299■■■■■■■■■■■■■■■
Design_and_performance_analysis_of_thermally_actuated_MEMS_circuit_breakers299■■■■■■■■■■■■■■■
Multi-layer_SU-8_lift-off_technology_for_microfluidic_devices299■■■■■■■■■■■■■■■
内視鏡、磁力で操作;東北大,複雑な腸内,短時間で移動299■■■■■■■■■■■■■■■
容量性両端固定梁RF_MEMSコンポーネント用の自己整合加工プロセス299■■■■■■■■■■■■■■■
波長可変のブレーズド回析格子299■■■■■■■■■■■■■■■
エレクトロマイグレーションによるナノインプリントパターンの破断を用いたナノギャップ作成法299■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロカンチレバーを用いた薄膜材料のヤングモジュール測定299■■■■■■■■■■■■■■■
超音波イメージングを用いたフリップチップ実装の欠陥検査299■■■■■■■■■■■■■■■
解説 触覚ディスプレイ装置におけるアクチュエータ技術298■■■■■■■■■■■■■■
1チップでDNA検出、奈良先端大、LSIセンサー開発、大型の光学機器不要に298■■■■■■■■■■■■■■
A_measurement_of_Young’s_modulus_and_residual_stress_in_MEMS_bridges_using_a_surface_profiler298■■■■■■■■■■■■■■
LSI検査用部品、次世代型製品開発競争が激化、「MEMS型」に照準298■■■■■■■■■■■■■■
LiNbO3のエッチレートの結晶方位依存性298■■■■■■■■■■■■■■
MEMSに適用するための疎水性コーティング298■■■■■■■■■■■■■■
MEMSアプリケーション(4)「ポリマーMEMS」をSi上に形成“柔軟・透明”を生かしたバイオ・光へ298■■■■■■■■■■■■■■
MRSのための針型マイクロコイルの作製298■■■■■■■■■■■■■■
N_NEXUS-News_NEXUS_2002_FORUM_REPORT298■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ機械的スキャナー用振動モード周波数公式298■■■■■■■■■■■■■■
メサ技術を用いたICとティップの集積化298■■■■■■■■■■■■■■
マイクロガスタービン用高速ベアリング:_箔膜ベアリングの安定性の解析297■■■■■■■■■■■■■
マイクロ流体中におけるMEMSの粘着特性297■■■■■■■■■■■■■
輪郭描画法による大小開口の同時作製297■■■■■■■■■■■■■
金属とガラスの陽極接合297■■■■■■■■■■■■■
小型光学式粘度センサ297■■■■■■■■■■■■■
複合共振器のバックリングと自由振動297■■■■■■■■■■■■■
Conformal_hydrophobic_coatings_prepared_using_atomic_layer_deposition_seed_layers_and_non-chlorinated_hydrophobic_precursors297■■■■■■■■■■■■■
New_MEMS_display_uses_flipping_pixel_concept297■■■■■■■■■■■■■
A_Hydrogel-Actuated_Environmentally_Sensitive_Microvalve_for_Active_Flow_Control296■■■■■■■■■■■■
高アスペクト比カーボン微細構造体の作製技術296■■■■■■■■■■■■
Site-Specific_Enhancement_of_Gene_Transfection_Utilizing_an_Attracting_Electric_Field_for_DNA_Plasmids_on_the_Eletroporation_Microchip296■■■■■■■■■■■■
最先端LSI、パターン作製、高速化、クレステックが開発、回路0.3秒で描く296■■■■■■■■■■■■
磁気トルクを利用したマイクロマシンの小型化に関する検討296■■■■■■■■■■■■
多層集積におけるボンディングプロセスの影響(ウエハ剛性)295■■■■■■■■■■■
微小管極性の整流素子295■■■■■■■■■■■
薬液0.5マイクロリットル注入;微小ポンプ,日機装,「圧電素子」を応用295■■■■■■■■■■■
DRIEと拡散による垂直チャネルマイクロヒータ295■■■■■■■■■■■
Dependence_of_the_Anisotropy_of_Wet_Chemical_Etching_of_Silicon_on_the_Amount_of_Surface_Coverage_by_OH_Radicals295■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長400nm)295■■■■■■■■■■■
ショットキMEMSスイッチ295■■■■■■■■■■■
マイクロチップ電気泳動を利用したタンパク質の分離法295■■■■■■■■■■■
マイクロ流路を用いた波長可変色素レーザー295■■■■■■■■■■■
バクテリアによって駆動するマイクロ構造物294■■■■■■■■■■
マイクロヒータを用いた水放出用PMMAの熱による切断294■■■■■■■■■■
陽極酸化によるSiニードルの作製方法294■■■■■■■■■■
BSE判定;1秒,簡易診断チップ,九州大・東北大が開発へ,若齢牛にも,経営リスク大幅軽減294■■■■■■■■■■
In_situ_electrostatic_microactuators_for_measuring_the_Young's_modulus_of_CMOS_thin_films294■■■■■■■■■■
MEMSチューナブル垂直キャビティ面発光レーザ294■■■■■■■■■■
Business_MEMS_drives_innovation_in_auto_sector293■■■■■■■■■
Composite_elastic_magnet_films_with_hard_magnetic_feature293■■■■■■■■■
How_the_role_of_process_control_makes_MEMS_work293■■■■■■■■■
Mold-type_SiC_field_emitters_with_heavily_boron-doped_gates293■■■■■■■■■
熱アクチュエータのためのステップブリッジ作製技術293■■■■■■■■■
特集_;_量産マイクロマシン技術「AccurForming」293■■■■■■■■■
表面活性化接合を用いたMEMS低応力ウエハレベルパッケージ293■■■■■■■■■
光分解性シランカップリング剤を用いた単分子膜のパターニング292■■■■■■■■
水晶で加速度センサー、エプソントヨコム、検出精度10倍に292■■■■■■■■
表面活性化:窒化ガリウムと異種材料の低温接合292■■■■■■■■
MEMS加速度計のビルトイン・セルフテスト292■■■■■■■■
高分解能CNT-FEDおよび電界放出特性の向上292■■■■■■■■
環境振動発電デバイスを開発(オムロン)291■■■■■■
UVナノインプリント法を用いた貫通電極形成方法291■■■■■■
リニア型モーター;小型・ナノ制御可能に,セイコーインスツルメンツ,携帯機器など向け291■■■■■■
世界最小HDD量産;4ギガバイト・0.85インチ型,東芝,青梅工場に新ライン291■■■■■■
100ギガ光ディスク対応;産総研とSII,精密ピット計測装置試作291■■■■■■
2次元熱伝導によるマイクロ機構共振器の熱弾性減衰の理論291■■■■■■
Modelling_electrostatic_behaviour_of_microcantilevers_incorporating_residual_stress_gradient_and_non-ideal_anchors291■■■■■■
Freeze_tweezer_to_manipulate_mini/micro_objects290■■■■■■
Letters_to_nature_;_Single-crystal_metallic_nanowires_and_metal/semiconductor_nanowire_heterostructures290■■■■■■
可撓性h-PDMSスタンプを用いて直接印刷したOTFTアレイの製作290■■■■■■
研究センターを設立、産総研、創薬支援技術など開発290■■■■■■
研究開発レター 酵素膜形状と酵素反応の表面プラズモン共鳴による測定290■■■■■■
超臨界流体を用いた酸化膜製膜290■■■■■■
金薄膜を介在層に用いたPZTバルクセラミックスと単結晶シリコンウエハの接合技術290■■■■■■
静電アクチュエータとラチェット機構を利用したマイクロ直線搬送デバイス(平行駆動モード)290■■■■■■
TSVとWBとの高周波特性比較290■■■■■■
シリコンの等方性エッチングにおける異方性の実験的研究290■■■■■■
スタンピングによる有機ELのマイクロ加工290■■■■■■
内部加工されたSiウェハ割断のレーザー走査速度依存性289■■■■■■■■■■■■■■
直接接合を用いた3次元ヘテロ構造デバイス289■■■■■■■■■■■■■■
Comparison_of_microtweezers_based_on_three_lateral_thermal_actuator_configurations289■■■■■■■■■■■■■■
Design_and_fabrication_of_an_integrated_microsystem_for_microcapillary_electrophoresis289■■■■■■■■■■■■■■
Integrated_Magnetic_Sensing_of_Electrostatically_Actuated_Thin-Film_Microbridges289■■■■■■■■■■■■■■
MEMSアクチュエータつきナノギャップの作成法289■■■■■■■■■■■■■■
集積化が容易な電気制御マイクロバルブ289■■■■■■■■■■■■■■
厚さ0.2mmのウェハーレベルパッケージを開発(フジクラ)288■■■■■■■■■■■■■
原子間力顕微鏡を用いた光―熱膨張の理論的、実験的研究288■■■■■■■■■■■■■
大学産学連携_生活支援ロボット288■■■■■■■■■■■■■
大駆動力&低損失金属接点を保有するRF-MEMS_スイッチの開発288■■■■■■■■■■■■■
DNAを用いた逐次自己組み立て288■■■■■■■■■■■■■
7GHz_RF回路に逆Fアンテナを集積化287■■■■■■■■■■■■
CNT-フィルター特性1287■■■■■■■■■■■■
PDMSの触媒性熱分解から形成した超薄超長SiC/SiO_2ナノケーブル287■■■■■■■■■■■■
ポリミドとCuを用いたインダクタの作製287■■■■■■■■■■■■
光MEMS―通信応用から画像応用へ―287■■■■■■■■■■■■
化学や生物の情報を取り込み電子機器が未踏の応用を開拓287■■■■■■■■■■■■
半導体受託TSMC幹部に聞く;最高技術責任者胡正明氏,液侵技術で3世代先露光287■■■■■■■■■■■■
格納容器とマイクロヒータを用いたβガラクドシダーゼの温度依存活性測定287■■■■■■■■■■■■
有限の傾斜角におけるねじれミラーの圧縮膜空気減衰286■■■■■■■■■■■
Design_and_Fabrication_Aspects_of_an_S-Shaped_Film_Actuator_Based_DC_to_RF_MEMS_Switch286■■■■■■■■■■■
People_MEMS_;_The_sensor_market_rule_by_G.Delapierre,_CEA_leti286■■■■■■■■■■■
Si基板中空洞形成プロセスの圧力センサ応用286■■■■■■■■■■■
Water-in-oil_dropletアレイ286■■■■■■■■■■■
アルミニウムでラミネートしたカーボンナノチューブカンチレバー286■■■■■■■■■■■
ヘテロ統合のための毛管力を用いたウェハ再構成技術286■■■■■■■■■■■
マイクロチャンネル内の相変化ピストンの内蔵型動作286■■■■■■■■■■■
マイクロミラーの形成技術286■■■■■■■■■■■
ミクロンスケール構造体の選択的磁気誘導加熱286■■■■■■■■■■■
マイクロ流体デバイスの為の新たなハイブリッド材料285■■■■■■■■■■
伸縮性を持つ単結晶シリコン構造の作成方法285■■■■■■■■■■
信頼性の高いデジタル型単結晶シリコン(SCS)のRF_MEMS可変コンデンサー285■■■■■■■■■■
振動型エレクトレット発電器285■■■■■■■■■■
標準CMOS_Back-End-Of-Lineプロセスで製作した表面MEMS構造の信頼性285■■■■■■■■■■
海外文献紹介 静電付着マイクログリッパー G.Monkmann”Electroadhesive_Microgrippers_Industrial_Robot”2003,_Vol.30,_No.4,pp326-330285■■■■■■■■■■
Business_;_Too_many_business_models_hinder_MEMS_growth285■■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術7-CNT固体厚膜作成技術285■■■■■■■■■■
CNT―高い周波数-スイッチ-1285■■■■■■■■■■
Experimental_Verification_of_a_Design_Methodology_for_Torsion_Actuators_Based_on_a_Rapid_Pull-In_Solver285■■■■■■■■■■
Fabrication_and_characterization_of_a_micromachined_passive_valve285■■■■■■■■■■
Morphology_of_macro-pores_formed_by_electrochemical_etching_of_p-type_Si285■■■■■■■■■■
A_novel_2D_dynamic_cellular_automata_model_for_photoresist_etching_process_simulation284■■■■■■■■■
LIGA-likeプロセスによる導波路型光デバイスの電鋳型形成技術284■■■■■■■■■
Research_Activities-MNS_2-1.1_Microelectronics_compatible_manufacturing_techniques_of_microsystems284■■■■■■■■■
XRD引張り試験による多結晶窒化チタン(TiN)膜の機械的特性284■■■■■■■■■
パッケージ技術(2)・“オールSi”で小型化実現284■■■■■■■■■
マイクロ化学リアクタ用の微細加工した薄膜ガス流センサ284■■■■■■■■■
レーザーによるガラス表面近傍の内部加工3284■■■■■■■■■
高速原子線エッチング技術284■■■■■■■■■
楕円振動切削加工を用いたマイクロV溝彫りチップ構造の特性284■■■■■■■■■
水晶小片のスプリアス研削用の高速表面マイクロ研磨284■■■■■■■■■
異方性シリコンエッチングによる錘状電極の作製技術284■■■■■■■■■
接触面形状を考慮したシリコン側壁の微細加工摩擦計283■■■■■■■■
Scalable_electrothermal_MEMS_actuator_for_optical_fibre_alignment283■■■■■■■■
Electrostatic_micromotor_based_on_ferroelectric_ceramics283■■■■■■■■
電解質中のイオン挙動を利用した振動センサ283■■■■■■■■
電子線露光と電気めっきを利用したナノ電極作成法282■■■■■■■
軟鋼上のCrN/TiAlN多層膜歪ゲージ用の製造プロセス282■■■■■■■
ガラス内部クラック形状のレーザー波長依存性282■■■■■■■
ペンタセントランジスタによる有機LED点灯制御回路282■■■■■■■
マイクロ操作用の電熱で動くマイクログリッパーの設計、モデル化と特性試験282■■■■■■■
マイクロ流のモデル予測流体力学的調整282■■■■■■■
多孔質シリコン/シリコン複合メンブレンを用いた圧力センサの特性282■■■■■■■
曲げても平気な太陽電池282■■■■■■■
自動細胞培養に用いるマイクロ流体システム282■■■■■■■
Building_embedded_microchannels_using_a_single_layered_SU-8,and_determining_Young's_modulus_using_a_laser_acoustic_technique282■■■■■■■
CNT-ひずみ印加電気測定282■■■■■■■
MEMSマイクロ直接メタノール燃料電池(μDMFC)用Nafion_(R)_117の新規改良282■■■■■■■
Microsystems_Motors_of_light_power_MEMS_devices282■■■■■■■
Modeling_in-plane_misalignments_in_lateral_combdrive_transducers282■■■■■■■
3次元LSI向け装置・材料市場が拡大281■■■■■
AC_Transfer_Function_of_Electrostatic_Capacitive_Sensors_Based_on_the_1-D_Equivalent_Model:_Application_to_Silicon_Microphones281■■■■■
A_Microfabricated_Wall_Shear-Stress_Sensor_With_Capacitative_Sensing281■■■■■
CNTプローブによるナノリソグラフィ技術281■■■■■
MEMS_not_so_small_after_all281■■■■■
インクジェットプリンティング技術を用いた濃縮分離デバイスの作製281■■■■■
バイオチップに用いるマスク無UVリソグラフィ用Siマイクロミラーアレイ281■■■■■
低レイノルズ数で混合に使われる障害物付きパッシブ平面マイクロミキサー281■■■■■
電子線照射による金ナノワイヤの作成方法281■■■■■
微小“試験管“1度に数万個、DNAなど大量実験、東大が技術281■■■■■
熱応動、双安定の酸化物/シリコン/金属膜281■■■■■
光学的に皮膚を通して測定する非侵入性pCO2ガスセンサ280■■■■■
微小座標測定の為の、先端に球を持つ微小針の製作280■■■■■
燃料電池用水ポンプ、傾けてもこぼれず、ナノフュージョン、サムスンと開発280■■■■■
Ultra-deep_x-ray_lithography_of_densely_packed_SU-8_features:_I._An_SU-8_casting_procedure_to_obtain_uniform_solvent_content_with_accompanying_experimental_results280■■■■■
ポリマー基板上のマルチモーダル触覚センサ280■■■■■
位置決め用垂直くし歯型アクチュエータのクロストーク低減設計280■■■■■
1チップ上に集積した完全3次元の音の強さセンサ280■■■■■
A_novel_tank_for_DI_water_reduction_in_MEMS_manufacturing279■■■■■■■■■■■■■
Barriers_to_MEMS:_Updated_Industry_Report_Card279■■■■■■■■■■■■■
CNTs 圧力センサー2279■■■■■■■■■■■■■
Fabrication_of_micronozzles_using_low-temperature_wafer-level_bonding_with_SU-8279■■■■■■■■■■■■■
Preparation_of_Phosphate-Binding-Protein-Modified_Electrode_and_Its_Application_to_Reagentless_Phosphate_Sensor279■■■■■■■■■■■■■
ピストン方式マイクロミラーの動きに関する簡単なモデル279■■■■■■■■■■■■■
マイクロブリッジ構造を用いたポストCMOSインテグレーション279■■■■■■■■■■■■■
位相シフトマスクを利用した立体サンプルの露光法279■■■■■■■■■■■■■
波長可変垂直キャビティ半導体光増幅器の作製279■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:Arプラズマ活性化を用いたサブミクロンAuパターン接合279■■■■■■■■■■■■■
高圧マイクロ流体用の金属製マイクロポンプ279■■■■■■■■■■■■■
ZnOナノファイバー酸素センサー278■■■■■■■■■■■■
パルス駆動湾曲ビーム電熱アクチュエータの衝撃作用とエネルギー伝達効率278■■■■■■■■■■■■
AIST_RESEARCH_HOT_LINE_;_ホットエンボス成形技術の開発 MEMS製造技術の低コスト化に向けて278■■■■■■■■■■■■
A_New_Measurement_Microphone_Based_on_MEMS_Technology278■■■■■■■■■■■■
Compact_models_for_squeezed-film_dampers_with_inertial_and_rarefied_gas_effects278■■■■■■■■■■■■
Liquid_flow_in_a_micro-channel278■■■■■■■■■■■■
Robust_Mask-Layout_and_Process_Synthesis278■■■■■■■■■■■■
生体分子つなぎ微小機械動かす;東大チーム実験成功278■■■■■■■■■■■■
生体模倣した電子鼻と電子舌の設計278■■■■■■■■■■■■
半導体薄膜などの偏光状態277■■■■■■■■■■■
構造内部に浸透させる液体封止パッケージ技術277■■■■■■■■■■■
生体細胞上の並列潅流実験用ハイブリッドマイクロシステム277■■■■■■■■■■■
Wet-Etch_Release_Process_for_Silicon-Micromachined_Structures_Using_Polystyrene_Microspheres_for_Improved_Yield277■■■■■■■■■■■
金属製マイクロ中空針の作製技術277■■■■■■■■■■■
60ナノ級の微細加工;サムスン電子,8ギガメモリー,来年量産277■■■■■■■■■■■
CMOSチップ上のシリコンフィンレゾネータの特性277■■■■■■■■■■■
CNTs-放電特性277■■■■■■■■■■■
Die-to-Wafer三次元集積化技術277■■■■■■■■■■■
MEMS可変キャビティーによる面発光レーザーの単一モード発振・波長チューニング277■■■■■■■■■■■
Characterization_of_the_squeeze_film_damping_effect_on_the_quality_factor_of_a_microbeam_resonator276■■■■■■■■■■
Characterizing_Fruit_Fly_Flight_Behavior_Using_a_Microforce_Sensor_With_a_New_Comb-Drive_Configuration276■■■■■■■■■■
MEMS関連市場2015年に2.4兆円と予測、マイクロマシンセンター276■■■■■■■■■■
適応性のあるマイクロボロメータの設計と特性276■■■■■■■■■■
ポリシリコン表面マイクロマシンにおける静的摩擦275■■■■■■■■■
異種材料ウエハ融着:3次元フォトニック結晶への発光体の導入275■■■■■■■■■
A_microfluidic‘blinking_bubble'_pump275■■■■■■■■■
Frequency-dependent_bifurcation_in_electromechanical_microfluidic_structures275■■■■■■■■■
Microfluidic_diffusion_diluter:_bulging_of_PDMS_microchannels_under_pressure-driven_flow275■■■■■■■■■
SU-8リソグラフィの場における反射効果と屈折効果による新露光方法275■■■■■■■■■
CMOSコンパチプロセスによるMEMS放射性同位体の崩壊を活用したマイクロ発電素子274■■■■■■■■
Development_of_an_End-Point_Detector_for_Parylene_Deposition_Process274■■■■■■■■
Modelling_squeeze_film_effects_in_a_MEMS_accelerometer_with_a_levitated_proof_mass274■■■■■■■■
Reduced-Order_Modeling_of_Weakly_Nonlinear_MEMS_Devices_With_Taylor-Series_Expansion_and_Arnoldi_Approach274■■■■■■■■
非対称Y字微細孔への導体充填274■■■■■■■■
CNTウエハーによる3次元配線274■■■■■■■■
光ディスク274■■■■■■■■
平面型ブラシレスの磁気マイクロモータ273■■■■■■■
微小ビームの強度を測定するための新しい方法273■■■■■■■
KRISSにおける薄膜多接合熱変換器の改良273■■■■■■■
マイクロ放電加工の穴特性に対する誘電体中に浮遊する粉末添加の効果273■■■■■■■
万能DRIEに関して:電気化学エッチング停止と組合せたSiくぼみ構造272■■■■■■
Creep-resistant_aluminum_alloys_for_use_in_MEMS272■■■■■■