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出典: finemems

全件数=1776343件 ( =1件/ =10件/ =50件/ =100件)
事例タイトル閲覧回数グラフ
グレースケールリソグラフィー8363■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
PDMSの硬化条件と弾性率の関係6429■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウェットエッチング6322■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
PDMSボンディング4022■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(共振法)3776■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(片持梁の曲げ)3323■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
チオバルビツール酸法3230■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
感光性BCBのパターニング技術2933■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
紫外光照射による合成石英の欠陥生成2734■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
過酸化物価2614■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマによるレーザー光の吸収2423■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
金ナノ粒子還元におけるクエン酸の役割2351■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
モンテカルロシミュレーション(SRIM)2263■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
RCWA法2251■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
自己組織化単分子膜の成膜2240■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
レジストマスクによるシリコンウエットエッチング2216■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマダイシング2212■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンのドライエッチングと形状2097■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
電界集中係数2007■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
スマートカットによるSOIウェハの製作2001■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
スパッタによるPZT成膜1986■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマTEOS-CVDを用いた低温SiO2膜の形成技術1959■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
リフトオフによるナノ開口製作プロセス1949■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
AuSn接合におけるAu重量パーセントと共晶温度1949■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルMEMSパッケージング1944■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
昇温脱離分析法(TDS法)1896■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
撥水性(疎水性)・親水性1885■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
遺伝子増幅法1791■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
低電圧駆動(3.3V)静電型RFスイッチ1763■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
インクジェットを電子部品の量産工程に適用1727■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
AlNのウェットエッチング1725■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Pyrexガラスのヘリウム透過性1707■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
「PS3」向けMEMSセンサー北陸電工が“品質問題”解決宣言1705■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:Ar_fast_atom_beam_(Ar-FAB)1695■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
オキシナイトライドを用いた2段階可視光水分解1691■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウェーハレベルパッケージに向けたTHB-151Nの応用1641■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
昇温脱離分析(TDS)による水素化物の評価1606■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノファイバー(CNF)の室温合成1605■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
アルミニウムおよび銅薄膜の表面自然酸化膜破壊に必要な荷重1601■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブのLSI応用(ITRS2007より)1590■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SU-8のプラズマエッチング1562■■■■■■■■■■■■■■■■■
アクティブフォトニック結晶1553■■■■■■■■■■■■■■■■■■
感光性ポリイミド膜のキュア特性1539■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマCVD法による低応力SiC膜の堆積1538■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Hydrogen_Silsesquioxane_(HSQ)を用いた室温ナノインプリントによるベーカブルラメラグレーティングの形成1517■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
HBrプラズマによる高選択比SiCエッチング1513■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面形状:パワースペクトル密度による表面形状周波数分布の解析1512■■■■■■■■■■■■■■■■■
SiCのNiオーミックコンタクト1496■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
AuSnフリップチップ接合における最適温度1467■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンウェーハの反り測定方法1458■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SOIウエーハのDeep_RIEにおけるノッチング現象1451■■■■■■■■■■■■■■
フォトニック結晶1441■■■■■■■■■■■■■■■■■■
TSVとTGVとの高周波特性比較1423■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
単結晶SiのVLS成長メカニズム1422■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エッチングガスの地球温暖化係数(GWP)1420■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージング技術を用いた静電2軸MEMS光スキャナの製造プロセス1416■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ゲルマニウムの過酸化水素水によるエッチング1405■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
横弾性係数の測定方法(共振法)1392■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラスとガラスの陽極接合1374■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エバネッセント場と結合した導波管モードセンサの設計1369■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
HMDSを原料とするSiCN膜1363■■■■■■■■■■■■■■■■
イオン注入法1353■■■■■■■■■■■■■■■■
"Plasmon_Coupling"を利用したナノオーダースケールの分子間距離の測定1342■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
チタン製微細針構造(nanosword)の局所的合成1333■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
付着解析法(複雑な形状の場合)1331■■■■■■■■■■■■■■■■
低温接合プロセス1317■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
BCBを用いた接合技術1292■■■■■■■■■■■■■■■■■■
NLD_(magnetic_neutral_loop_discharge)法による石英のエッチング1278■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カメラ・モジュール用MEMSレンズ、製造/構造特許が新規参入を阻む恐れ1263■■■■■■■■■■■■■■■
「次世代アクチュエーター」特集について1249■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
オンチップトランシーバの構成、モデル化および実験用MEMSフィルタ1238■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(押込法)1232■■■■■■■■■■■■■■■■■
液相拡散接合1232■■■■■■■■■■■■■■■■■
ドライエッチング1212■■■■■■■■■■■■■■
Siの光学常数1204■■■■■■■■■■■■■■■■
NLD_(magnetic_neutral_loop_discharge)法によるSiの深堀エッチング1203■■■■■■■■■■■■■■■
SiTimeのレゾネータ製作法1201■■■■■■■■■■■■
(111)シリコンウエハの水素化アシスト横方向微細加工1199■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
充填金属の体積収縮に関する考察1197■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
「自己組織化」による10nm以下の立体配線技術を開発(東京工大)1191■■■■■■■■■■■■■■■
パリレン接合プロセス1190■■■■■■■■■■■■■■■
イオンゲル1183■■■■■■■■■■■■■■■■■
石英基板におけるエッチングレートと選択比のHF濃度依存性1171■■■■■■■■■■■■■
レジスト溶融法を用いたマイクロレンズの製作1159■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
非感光性BCBのパターニング技術1158■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CMOS互換AFMチップ作製(TMAH)1155■■■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(三点曲げ)1145■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
インクジェットで血管、2種の細胞物質打ち込み、東京医科歯科大など、実用化へ1140■■■■■■■■■■■■■■■
電子線レジストZEPを用いた遠紫外線リソグラフィ性能1130■■■■■■■■■■■■■■
アジ化ナトリウムの爆燃で作動する空気圧式マイクロアクチュエータ1129■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
DLC(Diamond_Like_Carbon)_基礎1127■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ALD膜による極薄エッチングマスク1122■■■■■■■■■■■■■■■
PES膜を用いた人工腎臓1108■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
インジウムリン(InP)材料システムの端部を結合した光導波管MEMSデバイス1106■■■■■■■■■■■■■■■■■
パリレン薄膜を利用した試料の固定化・パターニング1103■■■■■■■■■■■■■■
簡便な垂直エッチング条件の探し方(ブラックシリコン法)1103■■■■■■■■■■■■■■
熱硬化性樹脂のマイクロモールディングによる3次元プラスチック成形1098■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ΜTAS応用のためのモノリシックセンサー統合を用いたSOIマイクロ流体素子1098■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
たんぱく質で鋳型、奈良先端大、極小素子作製に応用1096■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
イオンイメージセンサ ―バイオ科学とLSIの融合―1088■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
金スズ接合のための金(80)スズ(20)電気めっき1085■■■■■■■■■■■■■■■■■■
オンチップ非接触操作技術1084■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンカーバイド(SiC)を用いた圧力センサ1081■■■■■■■■■■■■■
多孔質ポリエーテルサルフォン(PES)製作1074■■■■■■■■■■■■■■■■
Γ-Al_2_O_3_/Si基板上にエピタキシャル薄膜を使用した超音波振動子の製作1073■■■■■■■■■■■■■■■
たて型のくし歯動作アクチュエータによって動く2軸MEMSスキャナーの線形性1072■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(引張試験)1070■■■■■■■■■■■■
たんぱく質で半導体メモリー、奈良先端大と松下が動作実証1069■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ベッセルビームによる長尺集光1068■■■■■■■■■■■■■■■■■■
たんぱく質チップとマイクロアレイ製造用の最新PDMSマイクロ流体スポッタ1067■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハシリコンの通路を通して埋め込んだガラス上シリコンMEMSデバイス1062■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)充填率とビア抵抗の関係1061■■■■■■■■■■
ウエハレベル火炎噴射熱分解によるマイクロセンサ上へのガス検出層の析出1060■■■■■■■■■■
オムロン、光通信デバイス始動、家庭用、年内に量産化、来年度売上高50億円へ1060■■■■■■■■■■
Au-Si共晶を用いたウエハレベル真空シール1059■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハー結合に応用するナノ精度の位置決めの新方法1058■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:酸素大気圧プラズマ活性化によるAu薄膜接合1057■■■■■■■■■■■■■■■■■
ALDで成膜したアルミナを用いたMEMS共振器1057■■■■■■■■■■■■■■■■■
パリレンコーティングによるPDMSシール1056■■■■■■■■■■■■■■■■
熱酸化物(SiO_2_)の熱膨張係数の決定1053■■■■■■■■■■■■■
真空紫外(VUV)光による酸化膜表面の照射損傷1052■■■■■■■■■■■■
金スタッドバンプによる接合形成1049■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法1048■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
「ライフ・レコーダー」の萌芽、あなたの1日を見守ります1047■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SiTimeのレゾネータ:水晶振動子との比較1046■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エピタキシャルAlGaAs膜からなる圧電ディスク共振器1046■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ALDで成膜したAl2O3/ZnOを誘電体膜に用いた静電容量式RF_MEMSスイッチ1042■■■■■■■■■■■■■■■■
ガスセンサアレイの定常状態レスポンスと過渡レスポンスを用いる有害ガスの識別1029■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス基板のCO2レーザーによる剥離の研究1028■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
すい臓も1人で検査・手術;内視鏡,使い勝手良く,オリンパス,ワイヤとカテーテル連動構造に1026■■■■■■■■■■■■■■■■■■
オンチップマイクロ燃料電池用途に用いるナノ多孔性Si薄膜電極集合体1026■■■■■■■■■■■■■■■■■■
2層レジストを用いたリフトオフ手法1026■■■■■■■■■■■■■■■■■■
CMOS互換AFMチップ(TMAH作製)の利用1025■■■■■■■■■■■■■■■■■
水ジェット誘導式レーザー加工1023■■■■■■■■■■■■■■■
HMDSによるInPの疎水化処理1022■■■■■■■■■■■■■■
より小さく、より賢いマシンとともに生活する社会へ機械分野「MEMS」1020■■■■■■■■■■■■
プロセス中の表面保護のための酸化膜犠牲層1019■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
3C-SiC薄膜の残留応力と弾性係数の測定1012■■■■■■■■■■■■
アドミタンス測定による微細加工くし歯動作アクチュエータの電気機械的解析1011■■■■■■■■■■
バッキーゲル1011■■■■■■■■■■
インプラント応用のためのマイクロシステム技術1009■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
高分子ミセル構造1009■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
インプリント_ソフトリソグラフィ1006■■■■■■■■■■■■■■■■
【0130−042】空気圧駆動薄膜バルブを用いた即時対応の液体内液滴の測定と溶解1003■■■■■■■■■■■■■
「鏡筒」親指サイズ;東大・堀場製作など,走査型電子顕微鏡を試作,解像度,数10ナノメートル1002■■■■■■■■■■■■
ひび割れ検知用のファイバ光学プレートセンサの設計と機械的特性999■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス陽極結合に金属を用いた堅固な流体相互接続の組立997■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
アルミニウム表面の異方性湿潤性を達成する微小規模の表面トポロジーの創出996■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
オンチップ試料用マイクロチャンネル中で溶液を置換する3D動電学的流れの状態996■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カンチレバービームのプルイン電圧計算用の漏れ磁場を考慮した分析モデル996■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SU-8を凌ぐ高アスペクト比マイクロ構造体の形成992■■■■■■■■■■■■■■■
FOX法(a_Ferrous_Oxidation-Xylenol_Orange_Method)991■■■■■■■■■■■■■
HF気相エッチングによる犠牲層酸化膜エッチング技術990■■■■■■■■■■■■■
ガスの痕跡検出用センサシステム−ロボットとセンサネットワーク989■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
アモルファス過フッ化炭化水素ポリマーのリフローによるマイクロ屈折レンズ983■■■■■■■■■■■■■■■
かしめ工法を利用した常温接合技術973■■■■■■■■■■■■■■
ガラス質カーボンモールドの機械的および形態学的特性に関する熱処理条件の効果970■■■■■■■■■■■
表面処理:SAM処理による付着力の影響970■■■■■■■■■■■
PDMSのエッチング969■■■■■■■■■■■■■■■■■■
キャビティ付マイクロチャンネル内の液体の流れ964■■■■■■■■■■■■■
ステルスダイシング964■■■■■■■■■■■■■
MEMSによるイオントラップ型量子コンピュータ957■■■■■■■■■■■■■■■■
イオンビーム転写リソグラフィを用いた非平面上のナノスケールパターン刻印954■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージ953■■■■■■■■■■■■
らせん状微小構造体;フラーレン内包のCNTで,九大と産総研が水中で作製,エレや材料科学に新用途951■■■■■■■■■
クヌーセン圧縮機の熱クリープ駆動流とナノ/マイクロスケールのガス輸送路944■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNT-金属間の接触抵抗943■■■■■■■■■■■■■■■■
アルミナ粒子の圧縮破壊強度940■■■■■■■■■■■■■
タングステンを用いたSi貫通ビア(TSV)938■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン貫通電極(TSV)構造の分類936■■■■■■■■■■■■■■■■■■
感光性PDMS932■■■■■■■■■■■■■■
誘電体膜上のエレクトロウェッティング(EWOD)効果測定用テスト構造932■■■■■■■■■■■■■■
常温接合928■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
コーン形状型マイクロバンプの形成927■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラスと高親和な金属:Kovar923■■■■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法における充填材料の選定923■■■■■■■■■■■■■■
PDMSの3次元切削加工922■■■■■■■■■■■■■
グレイスケール技術を用いた自動2軸光ファイバー位置合わせ919■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Μ-EDMによる電気的測定915■■■■■■■■■■■■■■
めっきによる銅バンプ形成技術912■■■■■■■■■■■
昇温脱離分析(TDS)による熱脱離生成物の定量評価908■■■■■■■■■■■■■■■■■
Si基板上へのIII/V化合物結晶接合"SmartCut"907■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージング技術を用いた静電2軸MEMS光スキャナのミラー振れ角と真空度の関係905■■■■■■■■■■■■■■
サファイア基板のフェムト秒レーザー改質897■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ビームリード法によるチップ実装技術896■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノメカニカル振動子のノイズ895■■■■■■■■■■■■■■■■■
サファイア基板の改質層のエッチング893■■■■■■■■■■■■■■■
感光性ポリイミド絶縁層材料893■■■■■■■■■■■■■■■
活性酸素種分析のための化学発光プローブ892■■■■■■■■■■■■■■
電気的測長手法888■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
いよいよ実現-カプセル内視鏡の現状と将来888■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
クライオプロセスと熱酸化によるSiO2深堀り構造の形成885■■■■■■■■■■■■■■■■
ペンタセン薄膜の移動度とグレインサイズとの関係883■■■■■■■■■■■■■■
金表面へのDNAの固定化法879■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
光電気信号変換モジュール878■■■■■■■■■■■■■■■■■■
RIEを用いたポリイミドのエッチング技術878■■■■■■■■■■■■■■■■■■
電気化学DNAセンサー875■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)ビア配線のバリスティック伝導871■■■■■■■■■■
ラジフロリーク試験871■■■■■■■■■■
Siチップの内部応力に及ぼすダイボンド弾性率の影響866■■■■■■■■■■■■■■
エネルギー閉じ込め型共振子864■■■■■■■■■■■■
デュアルハードマスクプロセスを用いたダマシン配線構造864■■■■■■■■■■■■
ボイド形成剥離(Viod-Assited_Separation858■■■■■■■■■■■■■■■■
APCVDによるSiO2とSi3N4上へのSiC成膜856■■■■■■■■■■■■■■
FIB-CVD法によるカーボンナノ構造体作製技術851■■■■■■■■
ガスデポジションGD法による金バンプ形成技術850■■■■■■■■
マスクレスグレースケールリソグラフィによるマイクロレンズアレイ作製849■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
細胞中の酸化ストレス標識試薬849■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
空気圧駆動バルブを用いたぺリスタポンプ845■■■■■■■■■■■■■■■■■
熱応答性ポリマー844■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージング技術を用いた静電2軸MEMS光スキャナの共振周波数特性844■■■■■■■■■■■■■■■■
タンパク質の高感度検出法843■■■■■■■■■■■■■■■
オムロンがMEMS工場を披露、200mmでCMOSとMEMSを融合841■■■■■■■■■■■■
Cuボイドフリーめっき技術839■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
石英ガラスのウエットエッチング技術835■■■■■■■■■■■■■■■■
Siの金属誘起エッチング(metal-induced_etching)832■■■■■■■■■■■■■
超高密度MEMS垂直プローブカード830■■■■■■■■■■■
エピタキシャル3C-SiCの薄膜の機械的特性824■■■■■■■■■■■■■■
エピGaAs薄膜の犠牲層ひきはがし822■■■■■■■■■■■■
Cavity-SOIウェハ822■■■■■■■■■■■■
フォトニック偏光子集積イメージャ821■■■■■■■■■■
ワイヤグリッド偏光子集積イメージャ820■■■■■■■■■■
X線リソグラフィ技術817■■■■■■■■■■■■■■■
カギは低コストの密閉技術、次は高性能CMOSとの融合へ817■■■■■■■■■■■■■■■
真空パッケージングに対するパリレンボンディングの特性816■■■■■■■■■■■■■■
研削によるAuバンプの平滑化と接合816■■■■■■■■■■■■■■
プラズマ重合装置の製作815■■■■■■■■■■■■■
タンパク質検出用アレイ814■■■■■■■■■■■■
フレキシブルエレクトロニクス813■■■■■■■■■■■
Poly-Si/Wを用いたSi貫通ビア(TSV)811■■■■■■■■
パリレンによるPDMSの空気透過性制御810■■■■■■■■
レーザーによるアモルファスSiの再結晶化810■■■■■■■■
ダマシンプロセスによるCNTビア配線808■■■■■■■■■■■■■■■■
フォトリソグラフィー法によるDNAチップの作製808■■■■■■■■■■■■■■■■
ガスクラスターイオンビームによるSi側壁の平坦化技術807■■■■■■■■■■■■■■■
TSVの高周波特性の評価方法805■■■■■■■■■■■■■
Dundursコンポジットパラメータ805■■■■■■■■■■■■■
3D-MID技術803■■■■■■■■■■■
自己組織化単分子層(SAM)パターニングと銀ナノ粒子の選択堆積802■■■■■■■■■■
BOSCHプロセス802■■■■■■■■■■
ダイヤモンドナノエミッタの開発797■■■■■■■■■■■■■■■■■■
フリットガラスによる真空封止とその評価796■■■■■■■■■■■■■■■■■
LPCVD法による多結晶SiGe薄膜の作製方法795■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン/ガラス接合構造におけるDeep-RIEプロセス792■■■■■■■■■■■■■
プロービング:フリッティングコンタクト789■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
モルフォ蝶を規範とした構造発色デバイス785■■■■■■■■■■■■■■■
微細コンタクトバンプ形成技術785■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-電歪効果781■■■■■■■■■■
マイクロ3相交流発電機のためのCMOS整流回路781■■■■■■■■■■
グロー放電プラズマによるMEMS圧力センサへの電荷移動779■■■■■■■■■■■■■■■■■■
PEDOT:PSS779■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Au-In(TLP)ウエハ接合によるMEMS真空パッケージ772■■■■■■■■■■■
多層膜の透過率、反射率解析772■■■■■■■■■■■
アルミナ系スラリーを用いたCuのCMP技術771■■■■■■■■■
イオン注入による機能加工771■■■■■■■■■
ウェハ貫通エッチング孔(DRIEによる)精度の電気的測定771■■■■■■■■■
コンプライアンス検出用触覚センサ768■■■■■■■■■■■■■■■
超小型MEMSミラープロジェクタを開発(コニカミノルタ)768■■■■■■■■■■■■■■■
LSI集積化MEMS:DMDの例766■■■■■■■■■■■■■
RIE用マスクの作成方法(Ni電鋳)766■■■■■■■■■■■■■
感光性ポリイミドのパターニング技術764■■■■■■■■■■■
表面の接触解析764■■■■■■■■■■■
熱圧着:Au-Auバンプ接合763■■■■■■■■■■
常温ウエハ接合:Cu薄膜(微細電極)762■■■■■■■■■
【特許】水ジェット誘導式レーザー加工762■■■■■■■■■
アルカリ現像ポジ型感光性BCBのパターニング技術762■■■■■■■■■
シリコンを基礎技術としたチップ上のトランス760■■■■■■■
SPMを用いたナノスケール弾性特性評価760■■■■■■■
低温PECVD窒化シリコン薄膜のポアソン比759■■■■■■■■■■■■■■■■
RF_MEMSスイッチの信頼性758■■■■■■■■■■■■■■■
過酸化脂質測定試薬756■■■■■■■■■■■■■
プラズマ表面活性化を利用したウェハ低温接合技術756■■■■■■■■■■■■■
インプリント_段差付パターン754■■■■■■■■■■■
エアロゾルデポジション754■■■■■■■■■■■
O2プラズマ処理を用いたInP基板とSi基板の接合750■■■■■■■
SOI基板とPDMSスタンプを用いたマイクロ構造のスタンピング転写法750■■■■■■■
微細多層配線形成技術750■■■■■■■
コメ粒大触覚センサー、ロボットの動き繊細に、東大と松下、介護・家事用749■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ノンシアン銀めっきによる微細配線技術749■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマ活性化法による水晶とSiの低温直接接合745■■■■■■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法における酸化錫の低減に向けた検討744■■■■■■■■■■■■■■■
エンコーダー2.8mm角に(エクストコム)743■■■■■■■■■■■■■■
コンパクトに配置した電熱動作一体型の長く伸びるマイクロドライブの設計と評価743■■■■■■■■■■■■■■
シリコンをベースとした空気呼吸型マイクロ直接メタノール燃料電池743■■■■■■■■■■■■■■
LSI集積化MEMS:Analog_Devicesの慣性センサの例743■■■■■■■■■■■■■■
O3-TEOSによる貫通孔側壁絶縁膜の形成742■■■■■■■■■■■■■
スプレーコーティング法を用いたMOSFET容量性センサの製作741■■■■■■■■■■■
エアロゾルデポジション法による圧電材料の成膜740■■■■■■■■■■■
生体分子間結合力の測定739■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
結晶異方性エッチング738■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siチップの内部応力に及ぼすダイボンド厚みの影響737■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス-PDMS-ガラスからなるマイクロ流体デバイスの製作733■■■■■■■■■■■■■
EMIテスタ733■■■■■■■■■■■■■
微小塩素ガスセンサー732■■■■■■■■■■■■
細径中空同軸線732■■■■■■■■■■■■
多目的環境センシングシステムに向けたSOI-MEMSセンサの作製731■■■■■■■■■■
BHF、KOHによるシリコン表面の粗化731■■■■■■■■■■
P型<110>方位シリコンナノワイヤのピエゾ抵抗特性727■■■■■■■■■■■■■■■■
InGaAs/GaAsの導電率測定726■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSチップのダイシング工程に対する保護(保護フィルム編)726■■■■■■■■■■■■■■■
アライメント機構付きシャドウマスクの位置合わせ精度の向上725■■■■■■■■■■■■■■
コンフォーマルW-TSVの形成725■■■■■■■■■■■■■■
チャレンジ新製品、MEMSセンサー、省エネ化の大きな力に(オムロン)725■■■■■■■■■■■■■■
Siフュージョンボンディングを用いた微小ガラス管の製作723■■■■■■■■■■■■
圧力センサ用金属ガラスダイアフラム722■■■■■■■■■■■
基板変形によるチップ内部応力に及ぼすダイボンド材料特性の影響721■■■■■■■■■
スクリーン印刷した触媒電極のMEMS燃料電池への適用720■■■■■■■■■
フェムト秒パルスによる非熱的加工718■■■■■■■■■■■■■■■
せん断モード圧電素子アクチュエータのポーリング処理設計717■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージングした酸化金属(MOX)ガスセンサ717■■■■■■■■■■■■■■
表面処理:毛管力の簡易モデル716■■■■■■■■■■■■■
次世代のLSI-MEMS集積化技術:SiGe技術715■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ-ニッケルナノ複合材料の機械的強度715■■■■■■■■■■■■
低温拡散接合で用いるAg-In層の組成分析714■■■■■■■■■■■
コオロギの尾角を規範とした流量センサ713■■■■■■■■■■
パイレックス基板の改質層のエッチング713■■■■■■■■■■
櫛歯711■■■■■■■
MEMSのためのALDによる保護膜709■■■■■■■■■■■■■■■■
AZ4562のサーフェスマイクロマシニングへの応用708■■■■■■■■■■■■■■■
溶融はんだ吐出法を用いた真空封止技術706■■■■■■■■■■■■■
ガウシアン集光とベッセル集光の強度分布比較706■■■■■■■■■■■■■
ガスフロー型高速スパッタによるPZT成膜703■■■■■■■■■■
ICP-RIEトレンチの側壁平滑化703■■■■■■■■■■
SiO2犠牲層によるSiCの選択的成長方法702■■■■■■■■■
シリコンピエゾ抵抗型6軸フォース・モーメントセンサ702■■■■■■■■■
フェライトと非磁性体の拡散接合702■■■■■■■■■
ClF3ガスを用いたSiGeエッチングによる可動構造のリリース701■■■■■■■
オンチップ二次元電気泳動システム698■■■■■■■■■■■■■■■■■■
撥水処理による気液分離構造697■■■■■■■■■■■■■■■■■
細胞膜模倣ポリマー696■■■■■■■■■■■■■■■■
インプリント_多層パターン696■■■■■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術1693■■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術6693■■■■■■■■■■■■■
表面処理:SAM膜の摩耗特性692■■■■■■■■■■■■
インターポーザーの試作と機能の実証691■■■■■■■■■■
ウエハ接合の評価クライテリア689■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ノンシアン無電解金めっきによる微細バンプ形成技術689■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ペプチドタグを利用したタンパク質固定化法689■■■■■■■■■■■■■■■■■■
BCB材料のプロセスと高周波特性の評価689■■■■■■■■■■■■■■■■■■
タンパク質分析用蛍光検出分子プローブ688■■■■■■■■■■■■■■■■■
ポリシリコンによる貫通電極688■■■■■■■■■■■■■■■■■
スタンプ疎水性局所制御PDMSによる細胞培養チャンバ687■■■■■■■■■■■■■■■■
局所加熱による低温ウエハ接合687■■■■■■■■■■■■■■■■
ゲルを開発、自律的に伸び縮み、医療分野に応用、東大、人工臓器の筋肉に686■■■■■■■■■■■■■■■
TSVの高周波特性の基板比抵抗依存性685■■■■■■■■■■■■■■
微結晶SiGeのピエゾ抵抗効果685■■■■■■■■■■■■■■
薄膜グルコースバイオセンサー685■■■■■■■■■■■■■■
ウエハ接合:ガラスなど683■■■■■■■■■■■■
大小開口の同時作製ができる酸素添加型ボッシュプロセス681■■■■■■■■■
Electrowetting(液滴駆動)680■■■■■■■■■
(110)シリコン中の1-D光バンドギャップ・チューナブル光学フィルタ679■■■■■■■■■■■■■■■■■
インクジェットプリント技術を利用したマイクロ流路の作製と応用679■■■■■■■■■■■■■■■■■
RIE_lag678■■■■■■■■■■■■■■■■
タンパク質の高感度かつ簡易的検出法の創製677■■■■■■■■■■■■■■■
ビア配線のためのカーボンナノチューブ(CNT)束の緻密化676■■■■■■■■■■■■■■
CO2レーザーによるガラスの表面加工676■■■■■■■■■■■■■■
高アスペクト貫通孔への銅メッキ技術676■■■■■■■■■■■■■■
ウェーハレベルチップスケールパッケージの薄膜配線におけるビア接続抵抗に関する評価675■■■■■■■■■■■■■
ETP技術を利用した高レ-トSi深堀りエッチング675■■■■■■■■■■■■■
LIGAプロセス672■■■■■■■■■■
キネシン駆動のマイクロデバイス672■■■■■■■■■■
チップ上の4方向エジェクターによる固体表面上のオン・デマンドDNA合成672■■■■■■■■■■
ナノポーラスシリコン671■■■■■■■■
III-V族化合物半導体結晶のSi基板への転写671■■■■■■■■
Characterization,_modelling_and_performance_evaluation_of_CMOS_integrated_multielectrode_tunable_capacitor(MTC)669■■■■■■■■■■■■■■■
タイヤ内センサーの無線監視システムを開発(横浜ゴム)669■■■■■■■■■■■■■■■
接着 BCB転写667■■■■■■■■■■■■■
0.25μmCMOS上へのポストプロセス許容温度667■■■■■■■■■■■■■
CMOS集積化のためのAlN薄膜の表面マイクロマシニングによる2GHzレゾネータ667■■■■■■■■■■■■■
アプタマーを利用した電気化学的タンパク質検出666■■■■■■■■■■■■
ナノ開口向けにチューンしたボッシュプロセス662■■■■■■■■
ガラスフリット接合による高圧、高温デバイスの流体パッケージング661■■■■■■
発振器で沸き立つ「MEMS_vs.水晶」比較論を水晶発振器メーカーが語る661■■■■■■
表面活性化:プラスマ活性化を用いたAu-Au接合によるLiNbO3/Si実装660■■■■■■
ウェハレベル接合によるマイクロストリップアンテナ素子660■■■■■■
ソーキングを用いたリフトオフ659■■■■■■■■■■■■■■■
キネシン微小管を利用した構造物の搬送658■■■■■■■■■■■■■■
薄膜金属ガラスのスパッタ成膜657■■■■■■■■■■■■■
めっきによる貫通配線ガラスの作製656■■■■■■■■■■■■
ピエゾ抵抗型4軸ジョイスティック655■■■■■■■■■■■
偏光検出CMOSイメージセンサ655■■■■■■■■■■■
MEMS実装:GaNの常温直接接合654■■■■■■■■■■
非真空ボトムアップ銀ナノ粒子析出方法654■■■■■■■■■■
ステンレス基板を使ったスキャナ654■■■■■■■■■■
インテル、超小型端末653■■■■■■■■■
(110)シリコン結晶の湿式エッチングによるシリコンナノワイヤの多量生産653■■■■■■■■■
金属プレス加工を用いたMEMS製造653■■■■■■■■■
高アスペクト比W-TSVとCu-ポリイミド接合を用いた3D-ICの作製653■■■■■■■■■
高速デジタル信号伝送特性測定技術653■■■■■■■■■
超音波熱圧着:Au-Auフリップチップ接合652■■■■■■■■
Siバルクマイクロマシニング652■■■■■■■■
キャビティ構造の基板を用いた電子回路モジュールの製造性と信頼性652■■■■■■■■
エピGaAs薄膜の犠牲層ひきはがしの最適化651■■■■■■
ガラス内部クラック形状のレーザー集光形状依存性650■■■■■■
マイクロサイズSi単結晶の破壊応力と破壊靭性の異方性650■■■■■■
MEMS用撥水性シリル化コーティング技術650■■■■■■
タンパク質を可視化するための新規標識法649■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
精密銅めっきによる微細配線形成技術の応用648■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:シーケンシャルプラズマプロセス648■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)と金属ナノワイヤのハイブリッド構造647■■■■■■■■■■■■■■■■■
パリレン厚膜を用いたシャドウマスク647■■■■■■■■■■■■■■■■■
離型剤不要のフッ素樹脂モールド材料およびフッ素含有UV硬化性樹脂647■■■■■■■■■■■■■■■■■
0.35μmBiCMOS集積化MEMSの機械特性計測647■■■■■■■■■■■■■■■■■
SiO2モールドによるSiCのパターニング技術646■■■■■■■■■■■■■■■■
サスペンション高アスペクト比マイクロ構造の新しい製作方法644■■■■■■■■■■■■■■
ひずみ増幅圧電MEMSアクチュエータ643■■■■■■■■■■■■■
ガスフロースパッタリング643■■■■■■■■■■■■■
実装測定用プローブステーション643■■■■■■■■■■■■■
空気圧駆動バルブ643■■■■■■■■■■■■■
疎水性パターニングによる液体導波路642■■■■■■■■■■■■
ウェーハ張り合わせによる三次元集積化技術642■■■■■■■■■■■■
タグチメソッドによるマイクロ球状ファイバープローブ作製の最適化641■■■■■■■■■■
水メニスカスによるスティクションの理論的考察641■■■■■■■■■■
ウェハ貫通エッチング孔(KOHによる)精度の電気的測定640■■■■■■■■■■
スパッタリングしたTi薄膜の機械的特性のArガス圧依存性640■■■■■■■■■■
ナノポーラスゼオライトを用いたクヌーセンポンプ640■■■■■■■■■■
チップ上で増幅・解析;遺伝子,栄研化学と徳島大大学院,基礎技術を開発639■■■■■■■■■■■■■■■■■■
圧覚と力覚の複合ディスプレイ装置の試作639■■■■■■■■■■■■■■■■■■
LiNbO3とSiの直接接合639■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Au-In合金接合を用いたウエハレベル真空パッケージング637■■■■■■■■■■■■■■■■
同軸配線プリント回路基板636■■■■■■■■■■■■■■■
医療用マイクロロボット634■■■■■■■■■■■■■
シングルチップRFLSI向け低電圧駆動RF_CMOS-MEMSスイッチ634■■■■■■■■■■■■■
スペーサ法で製作した金属製マイクロチャンネル内マイクロ流体の流れ634■■■■■■■■■■■■■
インプリント_ローラインプリント633■■■■■■■■■■■■
活性酸素消去能測定633■■■■■■■■■■■■
凹凸表面を用いた撥水性の切り替え632■■■■■■■■■■■
イオン液体へのスパッタ蒸着によるナノ粒子生成法630■■■■■■■■■
バイモルフ型ピストンチップチルトマイクロミラー630■■■■■■■■■
超高速TDT測定技術630■■■■■■■■■
金ナノ粒子単分子膜による蛍光増強630■■■■■■■■■
液相拡散接合の実際628■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス貫通Si電極を用いたSOG-MEMSデバイス実装628■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンのMEMSプロセス中の陽極酸化:自然酸化膜は予想より厚い628■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマ表面活性化を利用した低温接合技術627■■■■■■■■■■■■■■■
ZiBond :酸化膜の低温接合技術625■■■■■■■■■■■■■
サンドイッチ構造によるRF_MEMS梁の反り抑制625■■■■■■■■■■■■■
セル―ポリマーハイブリッドシステム用複合3Dポリマー構造の作製625■■■■■■■■■■■■■
シリコンマイクロチャンネル内の凝縮熱移動と流れ摩擦624■■■■■■■■■■■■
ピラミッド構造型マイクロバンプの形成623■■■■■■■■■■■
カプセル内視鏡の現状と将来622■■■■■■■■■■
高精度フリップチップ接続技術622■■■■■■■■■■
スピンコート法によるフレキシブルプリント配線板作製技術621■■■■■■■■
レーザーの産業応用621■■■■■■■■
パイレックス基板のフェムト秒レーザー改質619■■■■■■■■■■■■■■■
InGaAs/GaAsナノコイルによる電気伝導度センサー619■■■■■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法における充填金属の密着性向上に向けた検討619■■■■■■■■■■■■■■■
ウェットエッチングによるシリコン対向ナノ針端の製作618■■■■■■■■■■■■■■
スパッタによるナノドット形成技術618■■■■■■■■■■■■■■
高速熱拡散法による薄膜ピエゾ抵抗層形成618■■■■■■■■■■■■■■
O3-TEOS-CVDを用いたSiO2によるCNT埋め込み618■■■■■■■■■■■■■■
SEM式ナノプロービング617■■■■■■■■■■■■■
カメラの製造手法をMEMSで変える、半導体メーカーの事業領域に617■■■■■■■■■■■■■
シリコンの自己調心形塑性変形を用いた微細加工のねじりアクチュエータ617■■■■■■■■■■■■■
ブラウンノイズのセンサへの影響617■■■■■■■■■■■■■
レーザー加工形状のパルス幅依存性(Si)617■■■■■■■■■■■■■
オムロン、10年度以降100億円めざす、MEMSデバイス事業売上げ616■■■■■■■■■■■■
ナノバイオマシン創製へ,JBA調査委が報告書(上);実用技術と融合推進,研究者の参集不可欠615■■■■■■■■■■■
単結晶ダイヤモンドの鉄系金属との化学反応および燃焼による加工614■■■■■■■■■■
熱源と温度センサを備えた流速センサ614■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)による基板貫通接続613■■■■■■■■■
シリコンマイクロチャンネル内の蒸気凝縮中の噴射流体の流れ613■■■■■■■■■
ガラスの内部加工(波長800nm)612■■■■■■■■
参入予備軍10社以上のMEMSマイク“Knowles特許”が新規参入拒む恐れ612■■■■■■■■
RF-MEMS用複合型ウェハレベルパッケージング612■■■■■■■■
MEMSチップのダイシング工程に対する保護(両面レジスト編)611■■■■■■
微細ピッチ高周波コンタクトプローブ611■■■■■■
ソフト鋳型のマイクロ移送成形によるマイクロレンズアレイの迅速製造法611■■■■■■
石英基板のフェムト秒レーザー改質610■■■■■■
DeepRIE加工溝内壁の均一酸化610■■■■■■
ガラス熱割断のレーザー照射形状依存性609■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン、パイレックス、COCマイクロ流体チップ用各種PDMS相互接続解決法608■■■■■■■■■■■■■■
デバイス技術を駆使し、個人の体質に合わせた医療を実現606■■■■■■■■■■■■
An_Electrostatic,On/Off_Microvalve_Designed_for_Gas_Fuel_Delivery_for_the_MIT_Microengine606■■■■■■■■■■■■
厚膜レジストAZ9260を用いた高アスペクト比コイルの作製606■■■■■■■■■■■■
CNT-AFM探針を用いた計測605■■■■■■■■■■■
タンパク質のハイスループット検出法605■■■■■■■■■■■
ファブリペロー共振器の安定性ダイヤフラムについて604■■■■■■■■■■
小型温度環境試験装置604■■■■■■■■■■
無電解めっき法による微細ピッチフリップチップ接続604■■■■■■■■■■
導電性パラフィンによる熱相変化アクチュエーター603■■■■■■■■■
Siのレーザー加工(波長355nm)602■■■■■■■■
スクリーン印刷で作製、有機アクチュエーター、コスト安く複雑成形、日立601■■■■■■
パターン形成(100)InP基板上の等角AZ5214-Eレジスト沈着600■■■■■■
シリコンを用いたチューナブル光薄膜フィルタの熱的光学的特性599■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ソフトリソグラフィ技術を用いたアルミナマイクロ構成部品の網目形成プロセス598■■■■■■■■■■■■■■■■■
テーパーTSVの形成技術598■■■■■■■■■■■■■■■■■
プロテインアレイ598■■■■■■■■■■■■■■■■■
薄膜チタンゲッターと陽極接合を用いた真空パッケージング598■■■■■■■■■■■■■■■■■
CNT-メンブレンのプラズマ処理597■■■■■■■■■■■■■■■■
CNT_arrayを用いた接触熱抵抗低減596■■■■■■■■■■■■■■■
グリーンレーザーによる自己形成光導波路(Self-Written_Waveguide)596■■■■■■■■■■■■■■■
CNT-光学吸収の異方性595■■■■■■■■■■■■■■
電着ポリイミド絶縁層による微細多層配線技術595■■■■■■■■■■■■■■
フレキシブルポリマー格子を用いたSPR(Surface_Plasmon_Resonance)coupler製作594■■■■■■■■■■■■■
柔軟な関節機構による負ポアソン比を持つ材料594■■■■■■■■■■■■■
クランク形状貫通配線の導電性評価593■■■■■■■■■■■■
マイクロマニピュレーションによる3次元フォトニック結晶の作製方法593■■■■■■■■■■■■
シリコン・マイクロカンチレバー・ヒーターの電気的、熱的、機械的特性化592■■■■■■■■■■■
フュージョンボンディングとシリコンナノ表面粗さの関係591■■■■■■■■■
マイクロ液体レートジャイロ591■■■■■■■■■
自己組織化膜を利用したスティッキング対策591■■■■■■■■■
表面処理:酸素大気圧プラズマによる表面洗浄591■■■■■■■■■
三鎖構造を有するLB膜味覚センサの検出特性589■■■■■■■■■■■■■■■■■
A_study_on_resonant_frequency_and_Q_factor_tunings_for_MEMS_vibratory_gyroscopes589■■■■■■■■■■■■■■■■■
実装:AuSnはんだとIn系はんだによる光素子実装588■■■■■■■■■■■■■■■■
SCREAM_(Single_Crystal_Silicon_Reactive_Etch_and_Metal)_process587■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス内部クラック幅のレーザー波長依存性587■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンのピエゾ抵抗率585■■■■■■■■■■■■■
スプレー塗布中の平坦化:数値的研究584■■■■■■■■■■■■
マルチウォールCNTとTi電極へのオーミック接触同時形成584■■■■■■■■■■■■
微細加工したシリコン構造体のステインエッチング584■■■■■■■■■■■■
ピエゾ抵抗型流量センサ583■■■■■■■■■■■
マイクロメカニカル共鳴静電界センサの設計と試験583■■■■■■■■■■■
レーザー加工形状のパルス幅依存性(Cu)583■■■■■■■■■■■
Paryleneボンディング583■■■■■■■■■■■
水素雰囲気アニール582■■■■■■■■■■
親水性SU-8を用いた接着技術582■■■■■■■■■■
TSVの高周波特性の孔壁絶縁膜依存性582■■■■■■■■■■
SiマイクロプローブおよびSiO2マイクロチューブアレイとMOSFETの集積化プロセス581■■■■■■■■
ガラスとガラスの陽極接合と静電気力580■■■■■■■■
チップデバイスによるMEMS特性評価580■■■■■■■■
スーパーカーボンナノチューブからなる超高感度質量センサおよび歪センサ579■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTとMEMS、SOI_CMOSによる新しいガスセンサ579■■■■■■■■■■■■■■■■
Si表面のアモルファス化578■■■■■■■■■■■■■■■
ガスデポジションGD法による金バンプ形成技術の応用578■■■■■■■■■■■■■■■
ポリマー・パラフィン・マイクロアクチュエータ578■■■■■■■■■■■■■■■
イオンビームスパッタ法による中空封止技術577■■■■■■■■■■■■■■
デバイス中への液体封止技術577■■■■■■■■■■■■■■
Au接合を用いたRF-MEMS用ウエハレベルハーメチックパッケージ577■■■■■■■■■■■■■■
多層CNTによる1GHz配線577■■■■■■■■■■■■■■
平板間における水メニスカスによる付着力の挙動576■■■■■■■■■■■■■
3次元配線形成のためのスプレーコート技術576■■■■■■■■■■■■■
MEMS-IC縦方向集積のためのバンプなし接合576■■■■■■■■■■■■■
インクジェットによる化学センサチップ製作576■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブのマイクロ電極アレイ576■■■■■■■■■■■■■
シリコン熱抵抗型2軸ジャイロスコープ576■■■■■■■■■■■■■
スパッター蒸着Crハードマスクを用いた深化溶融石英ウェットエッチング576■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブの超塑性変形575■■■■■■■■■■■■
タンパク質分析用新規比色分析試薬の創製575■■■■■■■■■■■■
CNTs-スーパーグロース法2-CNTの特徴575■■■■■■■■■■■■
微小酸素センサー575■■■■■■■■■■■■
AFM利用ナノファイバーの接合強度574■■■■■■■■■■■
Fabry-Perot共振器の電磁界解析574■■■■■■■■■■■
Siの内部加工(波長1064nm)574■■■■■■■■■■■
ウェハレベル接合用新規熱硬化性ナノインプリントレジスト574■■■■■■■■■■■
ポリシラザンを用いた無機材料低温接合法574■■■■■■■■■■■
水晶振動子・フィルタのオンチップ集積化573■■■■■■■■■■
擬似SOC572■■■■■■■■■
カーボンナノチューブによる伸縮性導体572■■■■■■■■■
超高速TDT測定技術の応用572■■■■■■■■■
Cavity-through_DRIE571■■■■■■■
「Foturan_TM」光電性ガラスの集束イオンビーム微細加工571■■■■■■■
ウエハレベルハーメチック薄膜封止技術570■■■■■■■
シリコンマイクロヒーターのモデリングと実験的同定:システムの研究569■■■■■■■■■■■■■■
SiGeを用いたマイクロミラーアレイ568■■■■■■■■■■■■■
ガラス内部加工のレーザー波長依存性568■■■■■■■■■■■■■
ジブロックコポリマーのミクロ相分離を利用したナノ構造パターニング568■■■■■■■■■■■■■
微細構造ウエットエッチング後の乾燥法568■■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術5568■■■■■■■■■■■■■
A_MEMS_Electromagnetic_Optical_Scanner_for_a_Commercial_Confocal_Laser_Scanning_Microscope568■■■■■■■■■■■■■
マイクロウェーブ加熱による金ナノ粒子作製手法567■■■■■■■■■■■■
低温デバイス高速信号対応検査冶具567■■■■■■■■■■■■
非対称構造を持ったアインツェルレンズのデザイン方法567■■■■■■■■■■■■
多段階塗布・露光工程を用いた多層SU-8構造の作製567■■■■■■■■■■■■
環状タングステンTSV技術567■■■■■■■■■■■■
石英基板の改質層のエッチング567■■■■■■■■■■■■
薄型チップを高強度化するダイシング技術567■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術2565■■■■■■■■■■
Siの内部加工(波長1560nm)565■■■■■■■■■■
シリコンの塑性変形を用いた立体構造565■■■■■■■■■■
3D-MEMSウエハレベルパッケージ実現のためのウエハAu/Au接合565■■■■■■■■■■
インクジェットを用いたオンデマンド配線および接合564■■■■■■■■■
プラズマ重合薄膜を利用したグルコースセンサー564■■■■■■■■■
導電性高分子によるエレクトロクロミック現象564■■■■■■■■■
微粒子のセルフアセンブリ技術564■■■■■■■■■
陽極接合の低温化(Siメタライズ層の影響)564■■■■■■■■■
MEMSによるマイクロ真空計562■■■■■■■
接合 表面活性化 O2プラズマの照射時間562■■■■■■■
単結晶ダイヤモンドの熱化学反応による加工560■■■■■
チャンネルと貯蔵部を形成したエジェクタアレイを覆う被膜の移動と貼り付け技術560■■■■■
ロボットが内視鏡操作、腹腔鏡手術、安心に、岐阜大など560■■■■■
SAWデバイスにおける端面反射波のキャンセル560■■■■■
ガラス真空封止MEMSにシリコン垂直フィードスルーを開ける559■■■■■■■■■■■■■■
レーザーパルスの長さ559■■■■■■■■■■■■■■
ポリマー基板上へのカーボンナノチューブのマイクロ波援用パターニング558■■■■■■■■■■■■■
非破壊で陽極接合の強度を評価するテスト構造558■■■■■■■■■■■■■
Deep-RIEでSiをコネクタ加工558■■■■■■■■■■■■■
3次元配線形成のための斜め露光技術557■■■■■■■■■■■■
SOI大規模集積回路のPDMSへの集積化556■■■■■■■■■■■
STMを用いた単原子マニピュレーション556■■■■■■■■■■■
ボイド形成剥離法による3_インチGaN_基板の作製556■■■■■■■■■■■
吊り下げ構造を持つCMOSLSI一体型MEMSLCレゾネータ556■■■■■■■■■■■
安定性ダイアグラム556■■■■■■■■■■■
熱圧着:Au-Au接合によるSi基板へのGaAsレーザ実装555■■■■■■■■■■
シリコン共振器555■■■■■■■■■■
ダイヤモンドおよびダイヤモンド様炭素のMEMS555■■■■■■■■■■
プロジェクタ応用MEMSスキャナ555■■■■■■■■■■
Design_and_theoretical_evaluation_of_a_novel_microfluidic_device_to_be_used_for_PCR555■■■■■■■■■■
MEMSにおけるトライボロジー問題554■■■■■■■■■
Deep-RIEと結晶異方性エッチングの組み合わせによるナノピンセット先端構造のセルフアライメント製作法553■■■■■■■■
表面活性化:Si-Si接合によるLiNbO3/Si実装553■■■■■■■■
Si表面のナノ周期構造形成552■■■■■■■
スーパーオキシド測定試薬552■■■■■■■
赤外域での液体の屈折率の測定法552■■■■■■■
Cu_layerの高アスペクト比メッキ551■■■■■
DRIEによる位置合せ機構付シリコンシャドウマスク(ドーナツ形状可能)551■■■■■
PDMSディフュージョンポンプ551■■■■■
PECVDを用いた多層成膜によるポストプロセス向けSiGe膜551■■■■■
RF駆動MEMSセンサ_の_分布埋め込みセンサへの応用551■■■■■
CMOSチップ上に作製されたカスケード櫛歯型アクチュエータ550■■■■■
Difference_in_Activated_Atomic_Steps_on_(111) Silicon_Surface_during_KOH_and_TMAH_Etching550■■■■■
自己組織化単分子膜を重合開始種とした表面開始重合法550■■■■■
溶融はんだ吐出法を用いたバンプ形成技術549■■■■■■■■■■■■■■■■■■
STM-TEMによるブレイクジャンクション法を用いた金単原子鎖の観察549■■■■■■■■■■■■■■■■■■
電解グラフト層を用いた湿式TSV形成技術549■■■■■■■■■■■■■■■■■■
はんだリフローを利用した横方向接合549■■■■■■■■■■■■■■■■■■
モノリシック薄膜カプセル化技術549■■■■■■■■■■■■■■■■■■
デンソーが自動車MEMSを展望548■■■■■■■■■■■■■■■■■
フレキシブル温度・湿度センサ548■■■■■■■■■■■■■■■■■
Poly-SiC表面マイクロマシニングによる垂直共振子548■■■■■■■■■■■■■■■■■
RF_MEMSスイッチにおけるスティクション問題の構造的解決法548■■■■■■■■■■■■■■■■■
溶融はんだ吐出法を用いたCuランド上へのはんだ搭載548■■■■■■■■■■■■■■■■■
精密銅めっきによる微細配線形成技術548■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化常温接合法:界面547■■■■■■■■■■■■■■■■
パイレックス基板へのY字分岐貫通孔の作製547■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロマシニングによるクヌーセンポンプの作製547■■■■■■■■■■■■■■■■
ラッチマイクロ電磁光スイッチ547■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノリッター量の液滴生成546■■■■■■■■■■■■■■■
ミクロン分離デバイスの電気的ブレイクダウン現象546■■■■■■■■■■■■■■■
反応現像画像形成(RDP)法による感光性エンプラのパターニング546■■■■■■■■■■■■■■■
自己修復機能をもつ熱可逆ゴム546■■■■■■■■■■■■■■■
微細ピッチ高周波コンタクトプローブの応用技術545■■■■■■■■■■■■■■
高精度アライメント;モアレ干渉縞法545■■■■■■■■■■■■■■
静電容量を介したプルイン、プルアウト電圧の測定544■■■■■■■■■■■■■
MEMSを用いたマイクロ熱交換器544■■■■■■■■■■■■■
結晶異方性エッチングの古い論文544■■■■■■■■■■■■■
多層ウェハのレーザーダイシング例3(Siのみ加工/50ns)543■■■■■■■■■■■■
パリレンCのプラズマによる除去543■■■■■■■■■■■■
フォトリソグラフィを用いた側壁傾斜構造の作製方法543■■■■■■■■■■■■
AlNの垂直加工543■■■■■■■■■■■■
GaInP/GaAs太陽電池を用いた水の電気分解デバイス543■■■■■■■■■■■■
支持型ゲートMOSFETでの1テラビットMEMSメモリ542■■■■■■■■■■■
薄膜厚膜界面破壊強度評価542■■■■■■■■■■■
超臨界CO2を媒体に用いた金属製膜542■■■■■■■■■■■
一体型多層マイクロ流路の製作方法542■■■■■■■■■■■
世界最小クラスの11ミリ角、オムロン、MEMSサーモパイル542■■■■■■■■■■■
ガラスの内部加工(波長800nm)における集光NAの比較541■■■■■■■■■
テクスチャ加工された超疎水性表面におけるドロップレット接触角のヒステリシス541■■■■■■■■■
フリップチップ実装技術における封止樹脂の硬化温度依存性に関する評価541■■■■■■■■■
ワイヤレス電力転送プラスチックシート541■■■■■■■■■
振動型加速度センサ541■■■■■■■■■
スティクション障害カンチレバーの応力波修理の破壊力学の解説:理論と実験540■■■■■■■■■
PDMSポストを用いた細胞の力計測540■■■■■■■■■
ノンシアン銀めっきによる銀薄膜堆積技術539■■■■■■■■■■■■■■■■■
研磨時のチッピング低減技術539■■■■■■■■■■■■■■■■■
グルコースオキシダーゼ親和性ペプチドの開発538■■■■■■■■■■■■■■■■
3D_nonlinear_modeling_of_microhotplates_in_CMOS_technology_for_use_as_metal-oxide-based_gas_sensors538■■■■■■■■■■■■■■■■
ドープした水素化非晶質およびナノ結晶のシリコン薄膜静電マイクロ共鳴体537■■■■■■■■■■■■■■■
金ナノ粒子を利用したバイオセンサー537■■■■■■■■■■■■■■■
The_role_of_Triton_surfactant_in_anisotropic_etching_of_{110}_reflective_planes_on_(100)_silicon536■■■■■■■■■■■■■■
三次元集積化のための直接接合技術535■■■■■■■■■■■■■
薄膜の水分透過量測定デバイス535■■■■■■■■■■■■■
水素アニールを用いたSiの3次元構造形成534■■■■■■■■■■■■
ストレチャブルエレクトロニクス534■■■■■■■■■■■■
低温SOGウェハ接合534■■■■■■■■■■■■
低電圧、大変位、大出力シャクトリムシ型アクチュエータ533■■■■■■■■■■■
多層集積したウエハの評価方法について:超音波および赤外線による評価の比較532■■■■■■■■■■
エピタキシャルフィルムボンディング技術を用いたLEDプリントヘッド532■■■■■■■■■■
ディスプレイ、内臓プロジェクターでみんなが楽しむ機器へ532■■■■■■■■■■
人工毛細胞フローセンサ532■■■■■■■■■■
マイクロチップ内界面重合531■■■■■■■■
Si深堀側壁のモホロジー530■■■■■■■■
パワーMEMS●開発がニッチから大市場狙いへ530■■■■■■■■
メカニカルなパッシブアライメント529■■■■■■■■■■■■■■■■
電子線可変ドーズ制御照射を用いたUV硬化ナノインプリントのための3Dモールド作製529■■■■■■■■■■■■■■■■
静電トラップによるナノ粒子集積法528■■■■■■■■■■■■■■■
感光性たんぱく質の選択的成膜528■■■■■■■■■■■■■■■
1次元フォトニック結晶による分散補償器527■■■■■■■■■■■■■■
Biomimetic_strain-sensing_microstructure_for_improved_strain_sensor:_fabrication_results_and_optical_characterization527■■■■■■■■■■■■■■
MEMSスイッチを用いたディスプレイ527■■■■■■■■■■■■■■
SOG陽極接合527■■■■■■■■■■■■■■
バッキーゲルによるバイモルフ型アクチュエータ527■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルにおける配向CNTのサイズ・間隔制御526■■■■■■■■■■■■■
スプレーコートを用いた三次元構造体への配線形成技術526■■■■■■■■■■■■■
マイクロ波加熱によるパリレンウェハボンディング526■■■■■■■■■■■■■
RF_IC用フェライト薄膜オンチップ集積インダクター526■■■■■■■■■■■■■
FDTD法525■■■■■■■■■■■■
Fabrication_of_a_microfluidic_chip_by_UV_bonding_at_room_temperature_for_integration_of_temperature-sensitive_layers525■■■■■■■■■■■■
表面処理:MVD525■■■■■■■■■■■■
静電容量型超音波センサとその応用525■■■■■■■■■■■■
ZnO利用LBAR_RESONATOR525■■■■■■■■■■■■
バクテリアをPDMSに吸着させる方法525■■■■■■■■■■■■
ミリ波帯MEMS・デバイス用シリコン基板貫通伝送線路525■■■■■■■■■■■■
ウェアラブル酵素センサ524■■■■■■■■■■■
ナノテクが生んだ光干渉ディスプレー524■■■■■■■■■■■
マイクロスケールの自己組立て524■■■■■■■■■■■
リフトオフによるマイクロバンプ形成技術524■■■■■■■■■■■
MEMSによるチューナブルアンテナ524■■■■■■■■■■■
MEMSフレームによる異種LSI再構成524■■■■■■■■■■■
超高速TDR測定技術524■■■■■■■■■■■
低圧水素雰囲気下で成膜したペンタセンの移動度523■■■■■■■■■■
SOIウエハを用いたシリコンナノギャップの作製技術523■■■■■■■■■■
コバール蒸着によるフリットグラスの濡れ性向上522■■■■■■■■■
サブミクロン開口10μmトレンチによる偏光検出フォトダイオードの作製法522■■■■■■■■■
カンチレバー型流速センサ521■■■■■■■
高速原子線照射による薄膜密着力の向上521■■■■■■■
ガラスを積層して形成した高密度貫通配線ガラス520■■■■■■■
ダイオードつくりこみによる櫛歯絶縁520■■■■■■■
Deep_RIEのプラズマ不均一がエッチング垂直性に及ぼす影響520■■■■■■■
FIBによるタングステン堆積を用いたナノギャップの作成方法519■■■■■■■■■■■■■■
連続グルコースモニタリング用MEMS粘性センサ519■■■■■■■■■■■■■■
光読み出しを用いた音響センサー519■■■■■■■■■■■■■■
パルス励起リモートプラズマCVDによる高品質CNTの低温成長518■■■■■■■■■■■■■
保護ダイオード挿入による陽極接合時のMOSFET特性劣化防止517■■■■■■■■■■■■
表面活性化:プラスマ活性化を用いたAu-Sn微小バンプの低温直接接合517■■■■■■■■■■■■
段差櫛歯電極を用いた3軸加速度センサ516■■■■■■■■■■■
金表面へのアビジンの固定化法516■■■■■■■■■■■
RFCMOSMEMS基板をプリント基板へ転写516■■■■■■■■■■■
ガラスの内部クロス加工による割断516■■■■■■■■■■■
レーザー走査応用MEMSスキャナ516■■■■■■■■■■■
低動作電圧で高信頼性を持ったRF-MEMSスイッチ516■■■■■■■■■■■
低温熱酸化によるナノ機械構造先端の先鋭化法516■■■■■■■■■■■
埋め込みCu配線による機械ストレス評価515■■■■■■■■■■
大きなたわみを発生するMEMS_PZT円形薄膜アクチュエータの設計515■■■■■■■■■■
2次元フォトニック結晶を用いた圧力センサ515■■■■■■■■■■
電解質溶液を利用した流体型触覚センサ514■■■■■■■■■
冗長性RF_MEMS多ポートスイッチおよびスイッチマトリクス514■■■■■■■■■
縦集積MEMS用高アスペクト貫通配線形成513■■■■■■■■
CNT/パリレンコンポジットによるアクチュエータ513■■■■■■■■
エレクトロウェッティングの無線電源駆動513■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)の低温・高速成長513■■■■■■■■
静電容量型3軸フォース・モーメントセンサ513■■■■■■■■
銅単結晶の接合係数512■■■■■■■
0.18μm商用CMOS技術によるHFおよびVHFナノ共振器512■■■■■■■
単一CNTの熱伝導率測定512■■■■■■■
エレクトロウェッティングを利用した液体金属スイッチ512■■■■■■■
キャビティ構造を利用したミリ波MEMSスイッチ512■■■■■■■
SiO2表面に形成されるナノ周期構造511■■■■■
Si異方性エッチングにおけるアンダーカットの抑制511■■■■■
エレクトロウェッティングで動作するマイクロ井戸アレイ511■■■■■
ローラー・ナノインプリントリソグラフィ技術511■■■■■
Al-Alウエハレベル接合511■■■■■
GaN中の両性As511■■■■■
Cu配線上の無電解Auめっきバンプ形成技術510■■■■■
ストレス測定、遺伝子で510■■■■■
双音叉型(DETF)共振器を用いた力センサ510■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長1064nm)509■■■■■■■■■■■■■■
ポリSiGeプロセスによるCMOS-MEMS集積のレビュー508■■■■■■■■■■■■■
高速原子線によるエッチング技術508■■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術4508■■■■■■■■■■■■■
Si表面平坦化技術507■■■■■■■■■■■■
ナノメータの分解能を持った長いストロークの位置決め用磁歪小型アクチュエータ507■■■■■■■■■■■■
フェリチン内包鉄コアマスクと中性粒子ビームエッチングを用いたナノスケール加工技術507■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブを用いた真空センサ506■■■■■■■■■■■
ボンダ:SAB-FCボンダ506■■■■■■■■■■■
液体FBARセンサの温度補正506■■■■■■■■■■■
細径同軸線測定評価505■■■■■■■■■■
He_bombing法によるシリコンRF-MEMSパッケージの気密性試験505■■■■■■■■■■
1.1GHz基本モードのピエゾ抵抗型SiMEMSレゾネータ504■■■■■■■■■
反応現像画像形成(RDP)法による感光性ポリイミドのパターニング504■■■■■■■■■
ワッフル形状ダミーフィラーの選択的消去504■■■■■■■■■
MEMSのウェーハレベルパッケージ技術とTSV504■■■■■■■■■
2軸熱型加速度センサ503■■■■■■■■
Design_of_a_Temperature-Stable_RF_MEM_Capacitor503■■■■■■■■
PDMSを用いたマイクロペリスタポンプ503■■■■■■■■
エピタキシャル成長したGaAs/InGaAs層の格子不整合を用いた3次元構造の作製(マイクロ折り紙)503■■■■■■■■
ガラスの内部加工による割断503■■■■■■■■
マイクロ容量性傾斜センサの開発503■■■■■■■■
レジストを用いたチップ張り合わせ技術503■■■■■■■■
ポリ塩化ビニル(PVC)膜への包括による固定化方法502■■■■■■■
ヤング率の測定法(超音波原子間力顕微鏡)502■■■■■■■
単結晶内に埋め込まれた水平孔の形成502■■■■■■■
4端子法によるSWNTの電気伝導度計測502■■■■■■■
Business;MEMS_become_giants_in_acoustics502■■■■■■■
CNTs-ピンセット501■■■■■
Design,Fabrication,and_Measurement_of_High-Sensitivity_Piezoelectric_Microelectromechanical_Systems_Accelerometers501■■■■■
自己組立を利用した複数種類のチップ接合501■■■■■
太陽光による水素製造のためのGaInP/GaAs/Si電極形成500■■■■■
微小粒子の圧縮特性評価500■■■■■
MEMSカンチレバーを用いた細胞の力計測500■■■■■
CMP-Cu:表面粗さ499■■■■■■■■■■■■■■■■■
LiNbO3のエッチング特性499■■■■■■■■■■■■■■■■■
PDMSを用いたマイクロ流体バルブ499■■■■■■■■■■■■■■■■■
フィードバック型SThMによる局所実温度計測法499■■■■■■■■■■■■■■■■■
顕微ラマン分光法による半導体応力解析499■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウェハレベルパッケージングの概念に基づく高周波クロストーク抑制498■■■■■■■■■■■■■■■■
ディップペン・ナノリソグラフィ技術497■■■■■■■■■■■■■■■
マルチポリマーマイクロステレオリソグラフィ497■■■■■■■■■■■■■■■
CNT複合金メッキ497■■■■■■■■■■■■■■■
DNAチップ_–_自己組織化ポリマーを用いた金表面へのDNAの固定化法497■■■■■■■■■■■■■■■
LTCC基板とBCB接着層を用いたRF_MEMSデバイス用実装496■■■■■■■■■■■■■■
Poly-Siを用いた貫通配線形成技術496■■■■■■■■■■■■■■
サブミクロン開口10μmトレンチによる偏光検出フォトダイオードの特性496■■■■■■■■■■■■■■
ナノメタル配線の形成方法496■■■■■■■■■■■■■■
パイレックス基板へのクランク形状貫通孔の作製496■■■■■■■■■■■■■■
ウエハスケールのマイクロデバイス転写495■■■■■■■■■■■■■
シリコンピエゾ抵抗型3軸加速度センサ495■■■■■■■■■■■■■
ドライプロセスによる有機EL製作495■■■■■■■■■■■■■
PDMSとガラスを用いたマイクロリアクターと温度制御デバイス495■■■■■■■■■■■■■
PDMSのshrinkage_ratio495■■■■■■■■■■■■■
有機フィルム・シートのGHz帯誘電特性評価技術495■■■■■■■■■■■■■
東芝が新パッケージ技術、MEMS、低コスト、量産化実現494■■■■■■■■■■■■
マスクレスDRIEによるナノポーラスSiの作製方法494■■■■■■■■■■■■
通常環境下におけるMEMSパッケージング技術494■■■■■■■■■■■■
CNTプローブの疎水性と安定性の関係494■■■■■■■■■■■■
PDMSを用いた逆止弁494■■■■■■■■■■■■
QR-LPD(®)技術を用いた電子ペーパー494■■■■■■■■■■■■
トラッピングと最適多重選別に応用するプログラム可能なバイオチップ493■■■■■■■■■■■
ナノインプリント用、HOYA、金型開発に本腰、今後の微細化、材料など最適化493■■■■■■■■■■■
ナノ粒子分散ポリマーをマスク材としたパウダーブラスト加工技術493■■■■■■■■■■■
大きく前進する極限計測493■■■■■■■■■■■
熱拡散ピエゾ抵抗層のフッ酸耐性493■■■■■■■■■■■
大サイズの樹脂二重膜を効率作成492■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工(波長532nm)492■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)/ポリマー複合材料による味覚センサー492■■■■■■■■■■
バイオMEMSに適用するためのSU-8の表面グラフト重合化491■■■■■■■■
振動発電による自発型低消費電力マイクロシステム491■■■■■■■■
Epiパッケージング491■■■■■■■■
Computational_Study_of_Band-Crossing_Reactions490■■■■■■■■
Nanomaterial_Transfer_Imprint_Lithography_(NTIL)_を用いたフレキシブルカーボンナノチューブ490■■■■■■■■
自己クローン法によるフォトニック結晶の作製490■■■■■■■■
はんだバンプ電極変形量のフラックス依存性評価490■■■■■■■■
レーザーリフローによる真空パッケージング490■■■■■■■■
シリコン電界電子放出銃先端の劣化のその場観測489■■■■■■■■■■■■■■■■
ワイヤ・ボンディング特性に合う圧電-FET応力センサーアレイ489■■■■■■■■■■■■■■■■
Cuメッキによる3次元コイルの作製489■■■■■■■■■■■■■■■■
III-V族化合物半導体の横方向成長メカニズム488■■■■■■■■■■■■■■■
リボンアクチュエータ制御マイクロミラー488■■■■■■■■■■■■■■■
XeF2エッチングにおけるマスク材の紫外線を用いた選択性制御技術487■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノファイバー(CNF)フレキシブルディスプレー487■■■■■■■■■■■■■■
パイレックスガラスのDRIEによる高密度貫通配線ガラスの作製487■■■■■■■■■■■■■■
フレキシブルテクスタイルデバイス487■■■■■■■■■■■■■■
酸化物アシストSiナノワイヤ成長法487■■■■■■■■■■■■■■
PZT薄膜を用いたデジタル圧電加速度センサ486■■■■■■■■■■■■■
アルミナ薄膜を利用した真空パッケージング486■■■■■■■■■■■■■
キネシンを用いた一方向マイクロ物体輸送486■■■■■■■■■■■■■
デジタルホログラフィー顕微鏡によるマイクロヒータの非破壊動的評価486■■■■■■■■■■■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層:加工しきい値486■■■■■■■■■■■■■
Siの微細トレンチ形成技術485■■■■■■■■■■■■
チップ接合において自己組立技術が有効である条件485■■■■■■■■■■■■
フッ硝酸選択エッチングを用いたスティッキング対策485■■■■■■■■■■■■
フレキシブルトランスデューサーデバイス485■■■■■■■■■■■■
レーザーによるガラスの熱割断485■■■■■■■■■■■■
Alマスクの表面酸化を用いたシリカのエッチング485■■■■■■■■■■■■
High-Q_Single_Crystal_Silicon_HARPSS_Capacitive_Beam_Resonators_With_Self-Aligned_Sub-100-nm_Transduction_Gaps485■■■■■■■■■■■■
In-Situ_ボロンドープによるポリシリコン貫通電極484■■■■■■■■■■■
P型<111>方位シリコンナノワイヤのピエゾ抵抗特性484■■■■■■■■■■■
酸化還元による高分子導電性ポリマーの濡れ性制御484■■■■■■■■■■■
ガラス内部クラック幅のレーザーパルス幅依存性484■■■■■■■■■■■
三次元加工と接合による高ON/OFF抵抗比のマイクロバルブ484■■■■■■■■■■■
マイクロ機械加工された点字セル483■■■■■■■■■■
Fracture_of_Polycrystalline_3C-SiC_Films_in_Microelectromechanical_Systems483■■■■■■■■■■
ウエハレベル・ディストリビューション482■■■■■■■■■
広角度傾きセンサ482■■■■■■■■■
水銀液滴を用いた熱スイッチ482■■■■■■■■■
熱分解性犠牲層を用いた中空封止技術482■■■■■■■■■
薄膜絶縁材料の誘電特性評価技術482■■■■■■■■■
超高速差動TDT測定技術482■■■■■■■■■
CFポリマー犠牲層によるパッケージング技術481■■■■■■■
無電解Ni-Bめっきによるフェースダウンチップ接続481■■■■■■■
脂肪族ポリイミドへの電子線照射による吸収と屈折率変化481■■■■■■■
銀ナノ粒子を含むマイクロTASの製作480■■■■■■■
広開口・狭開口パターンを同時にDRIE479■■■■■■■■■■■■■■■
弾性体を用いた変位増幅型マイクロバルブ479■■■■■■■■■■■■■■■
ガラスフリット接合プロセスのアライメント精度への影響(接合前アライメントより)479■■■■■■■■■■■■■■■
スイッチ可変キャパシタによる帯域可変フィルタ479■■■■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長532nm)478■■■■■■■■■■■■■■
Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性(パルス幅〜50ns)478■■■■■■■■■■■■■■
ナノホットフィルムとCNTを用いた走査型熱顕微鏡478■■■■■■■■■■■■■■
パリレンによる液体封入を利用したマイクロバルブ478■■■■■■■■■■■■■■
フレキシブルパッケージ478■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術4-ラマン配向特性478■■■■■■■■■■■■■■
Cuコア型はんだバンプ電極を用いたフリップチップ実装技術478■■■■■■■■■■■■■■
MEMSスイッチを利用したディスプレイ回路477■■■■■■■■■■■■■
Pulsed-Laser_Annealing,a_Low-Thermal-Budget_Technique_for_Eliminating_Stress_Gradient_in_Poly-SiGe_MEMS_Structures477■■■■■■■■■■■■■
表面溝加工による多層試料の割断477■■■■■■■■■■■■■
鉛フリーハンダ:微細接合477■■■■■■■■■■■■■
ナノインプリンティングを用いたポリイミド膜上に作製したナノ構造477■■■■■■■■■■■■■
イオン流体のジュール加熱によるマイクロ流路内の温度の高精度制御476■■■■■■■■■■■■
バクテリアの鞭毛による流れの創出476■■■■■■■■■■■■
フォトカソードをベースにしたCNT476■■■■■■■■■■■■
Siのフェムト秒レーザー加工(波長800nm)475■■■■■■■■■■■
ガラス球構造の作成475■■■■■■■■■■■
フリットガラス内のボイド欠陥475■■■■■■■■■■■
ポリ(PET)マイクロ流体チップの熱間エンボス加工・接着475■■■■■■■■■■■
A_Wireless_Microsystem_for_the_Remote_Sensing_of_Pressure,Temperature,and_Relative_Humidity475■■■■■■■■■■■
Fox-Liの方法475■■■■■■■■■■■
CNT-ホットキャリアによる赤外発光474■■■■■■■■■■
Company's_Report_MEMS_;_Micralyne_Polymer_MEMS_&_Polymer_Microfluidics474■■■■■■■■■■
MEMS圧力センサの熱ヒステリシス解析474■■■■■■■■■■
ウェハsol-gel接合474■■■■■■■■■■
レーザー内部加工によるガラス/Si多層ウェハの割断例2474■■■■■■■■■■
タンパク質中のリン酸基を選択的に検出する分子プローブ473■■■■■■■■■
CMOS技術におけるオンチップインダクタの相互カップリング473■■■■■■■■■
SOIナノデバイスのエッチング473■■■■■■■■■
圧電薄膜を用いた加速度センサアレイ473■■■■■■■■■
超高速差動TDR測定技術473■■■■■■■■■
実装:光素子表面活性化接合における接合条件の影響472■■■■■■■■
相反転を利用したCNT/金属ナノ微粒子/ポリマーコンポジットの作製472■■■■■■■■
蛋白質チップ472■■■■■■■■
双方向環状熱アクチュエータの開発471■■■■■■
石英基板におけるエッチングレートと選択比のレーザー走査速度依存性471■■■■■■
マイクロゴーレイセルアレイ赤外線センサ471■■■■■■
タンパク質-タンパク質間相互作用解析(Ec_DOSの測定)470■■■■■■
An_optical_microswitch_chip_integrated_with_silicon_waveguides_and_touch-down_electrostatic_micromirrors470■■■■■■
電界中でのCNT合成470■■■■■■
マルチセンシングデバイス469■■■■■■■■■■■■■
分子の選択的な直接搬送デバイス469■■■■■■■■■■■■■
CMOS-MEMS集積化3軸加速度センサの作製469■■■■■■■■■■■■■
Characterization_of_front-_to_backwafer_bulk_micromachining_using_electrical_overlay_test_structures468■■■■■■■■■■■■
CMOSプロセスによるシリコンナノワイヤアレイの作製467■■■■■■■■■■■
CNT_waferを用いた集積3次元CNTデバイス467■■■■■■■■■■■
LIGA-likeプロセスによる導波路型光デバイスのレジストマスタ形成技術467■■■■■■■■■■■
MEMS部品の選択的転写技術467■■■■■■■■■■■
中性粒子ビームプロセス技術467■■■■■■■■■■■
圧電アクチュエータによるミラーの変形467■■■■■■■■■■■
撥水製メッキ技術を用いたスライドバルブ466■■■■■■■■■■
秩序化したSiナノワイヤアレイの作製方法466■■■■■■■■■■
自立ポーラスシリコン構造の作製法466■■■■■■■■■■
CNTs 圧力センサー1466■■■■■■■■■■
ELECTRICALLY_DRIVEN_VARIFOCAL_MICRO_LENS_FABRICATED_BY_DEPOSITING_PARYLENE_DIRECTLY_ON_LIQUID466■■■■■■■■■■
MEMS_beams_with_defects:_a_model_of_non-ideal_rods_using_a_Cosserat_approach_for_component_level_modelling466■■■■■■■■■■
超音波マイクロアレイセンサの作製方法466■■■■■■■■■■
VO2のICPエッチング466■■■■■■■■■■
ガラスチップサイズプラズマ源の低パワー封入466■■■■■■■■■■
シリコンの高速研削技術466■■■■■■■■■■
PHによるマイクロ自己組立ての組立て順序制御465■■■■■■■■■
液滴の表面張力を用いたマイクロモーター465■■■■■■■■■
溶融金属充填法における貫通孔と閉塞孔の違い465■■■■■■■■■
単一金属層のMEMS自己集合性コプラナー構造464■■■■■■■■
パッケージストレスによる特性変化を考慮に入れた回路設464■■■■■■■■
キャビティ構造を持つコイルの作製方法463■■■■■■■
液体封入型触覚ディスプレイ463■■■■■■■
3次元集積化のためのNEMSメモリ463■■■■■■■
静電容量型6軸フォース・モーメントセンサ463■■■■■■■
分解能10nmの超微動ステージを市場導入(日本トムソン)462■■■■■■
歩行振動で発電する歩数計を試作(三洋電機)462■■■■■■
積層MEMSのためのデブリフリーレーザー支援高速ダイシング技術462■■■■■■
A_planar_on-chip_micro-nib_interface_for_NanoESI-MS_microfluidic_applications462■■■■■■
CMOSプロセスで形成したMEMSイヤホン462■■■■■■
MEMS向け高電圧GaAs太陽電池461■■■■
柔軟性を維持したPDMSのシーリング方法に関する研究461■■■■
光電子ピンセット(OET:_optoelectronic_tweezer)を用いた組立460■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術3460■■■■
表面処理:親/疎水性処理による付着力の影響460■■■■
フッ化水素ガス処理によるシリコン窒化膜の反応特性460■■■■
ブロック共重合体の自己組織化を利用した電子線描画パタンの高密度化プロセス460■■■■
ホットエンボスを用いたナノスケール加工技術460■■■■
Mechanical_strength_and_interfacial_failure_analysis_of_cantilevered_SU-8_microposts460■■■■
CNTs-固体化成形技術10-CV特性459■■■■■■■■■■■■■
超小型レーザースキャニングモジュールの新たな形成方法459■■■■■■■■■■■■■
レーザーを用いたAD膜アニール459■■■■■■■■■■■■■
スマートカット技術による単結晶6H-SiC_MEMSの製造458■■■■■■■■■■■■
マイクロチップ内における血管内皮細胞の培養458■■■■■■■■■■■■
BCB基板上へのトランジスタ形成技術458■■■■■■■■■■■■
MEMS/LSI積層用ウエハレベルチップスケールパッケージ458■■■■■■■■■■■■
エレクトロウエッティングを用いた毛管力マイクログリッパー457■■■■■■■■■■■
ナノテクで環境計測;環境省が機器開発457■■■■■■■■■■■
ボンダ:SABウエハボンダ457■■■■■■■■■■■
マイクロコリオリ質量流量センサ457■■■■■■■■■■■
水晶発振器を上回る信頼性データを公開457■■■■■■■■■■■
表面張力を用いたマイクロインジェクタ457■■■■■■■■■■■
分散した銀ナノ粒子による蛍光増強効果456■■■■■■■■■■
水素拡散による振動子のウエハレベル真空パッケージング456■■■■■■■■■■
薬剤経皮投与のためのマイクロニードル作製技術456■■■■■■■■■■
エンボス法による低温焼成セラミクス微細3次元構造物456■■■■■■■■■■
ナノジュールのフェムト秒レーザによって導入したタングステンナノ回折格子456■■■■■■■■■■
集束イオンビーム(FIB)を用いたナノ電極作成方法456■■■■■■■■■■
銀ナノ粒子および電極構造を含むmicroTAS作成方法456■■■■■■■■■■
MEMSスイッチの接点材料選択-3455■■■■■■■■■
単一室マイクロ固体電解質型燃料電池(SC-μSOFCs_)の直描マイクロ加工454■■■■■■■■
高分子電解質/TiO2ナノコンポジットフィルムの機械的性能453■■■■■■■
酸素プラズマで活性化したSU-8の親水性挙動の安定性453■■■■■■■
試料内部でのレーザー光の集光453■■■■■■■
ナノ・ハニカム構造の機械的特性の気孔率への依存性453■■■■■■■
レーザーによるモールド上の金属の転写453■■■■■■■
変化する表面のシミュレーションの原子論的方法452■■■■■■
広角光スキャナー452■■■■■■
指紋認証デバイスを用いたバイオセンサ452■■■■■■
自己組立プロセスの化学反応へのアナロジー452■■■■■■
0.35μmプロセスのCMOS上に作製したカンチレバーによる質量計452■■■■■■
Company’s_Report_;_Tecan_leaves_its_imprint_on_the_polymer_MEMS_market451■■■■
MEMS可変キャパシタを用いた可変バンドパスフィルタ451■■■■
Siのレーザー加工特性(波長1600nm、パルス幅〜100fs)451■■■■
Siの内部加工クラック形状のレーザーエネルギー依存性451■■■■
ナノ構造を用いた高出力発光ダイオードの作製450■■■■
ポリマー製レンズの作成450■■■■
OSGナノワイヤFETの製作と特性評価450■■■■
拡張ナノ空間の水の物性評価450■■■■
金属冷間圧接を利用したウェハレベル常温接合450■■■■
0.35umCMOS上でのニッケル製共振器の作製449■■■■■■■■■■■■■■■■■
Development_and_Characterization_of_Surface_Micromachined,_Out-of-Plane_Hot-Wire_Anemometer449■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMS製作のマスク材料として活性化反応性蒸着で析出した窒化シリコン449■■■■■■■■■■■■■■■■■
Si上化合物半導体成長横方向成長449■■■■■■■■■■■■■■■■■
バイオセンサ用の電極表面上酸化還元-活性-ポリマーの合成449■■■■■■■■■■■■■■■■■
サブミクロン幅の開口を有する厚膜SiO2パターンの作製方法448■■■■■■■■■■■■■■■■
バンプレスインタコネクト448■■■■■■■■■■■■■■■■
低侵襲に細胞シートを作製し移動する方法448■■■■■■■■■■■■■■■■
Au-Sn充填Y字孔及びクランク孔の貫通化加工448■■■■■■■■■■■■■■■■
Characterization_of_masking_materials_for_deep_glass_micromachining448■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMS;MEMS関連部品の精密加工技術448■■■■■■■■■■■■■■■■
CMOS集積化10マルチプローブAFMの作製447■■■■■■■■■■■■■■■
Design_and_Analysis_of_MEMS/MST_Based_Radio_Frequency_Switches447■■■■■■■■■■■■■■■
Si_tip上へのCNT選択成長447■■■■■■■■■■■■■■■
Ⅲ‐Ⅴナノ細線の埋め込みを可能にする低コストなBCBの接合方法447■■■■■■■■■■■■■■■
ワイヤレス集積化MEMS447■■■■■■■■■■■■■■■
極薄カンチレバー作製法447■■■■■■■■■■■■■■■
環境・バイオセンシング用統合SoC447■■■■■■■■■■■■■■■
A_magnetically_driven_PDMS_micropump_with_ball_check-valves446■■■■■■■■■■■■■■
Rf-MEMS向けインラインウエハレベルパッケージング技術446■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブの森の作成方法446■■■■■■■■■■■■■■
ポリジメチルシロキサンを用いたマイクロ流体ダイオード446■■■■■■■■■■■■■■
ローダミンBを用いたマイクロチップ上局所温度分布計測法445■■■■■■■■■■■■■
無電解Ni-Bめっきによる電極間接続技術445■■■■■■■■■■■■■
薬分子の電気的注入のためのナノポーラスデバイス445■■■■■■■■■■■■■
CMOS上マイクロ流路での磁性体微粒子の操作と光学検出445■■■■■■■■■■■■■
CMOSプロセスを用いたMEMS形成方法の種類444■■■■■■■■■■■■
MEMS実装:マイクロ流路パッケージング444■■■■■■■■■■■■
SiGeによるCMOS集積化ジャイロ444■■■■■■■■■■■■
XeF2エッチングプロセスによる微小構造リリースにおける、アンカー保護の新手法444■■■■■■■■■■■■
コラーゲン粉末によるPDMS透過性制御444■■■■■■■■■■■■
マイクロバルンアクチュエーター444■■■■■■■■■■■■
注射針0.2ミリ世界最細444■■■■■■■■■■■■
内部加工された多層ウェハの割断に要する曲げ応力のレーザーパルス幅依存性(熱応力の効果)443■■■■■■■■■■■
同軸配線プリント回路基板作製技術443■■■■■■■■■■■
CNTs-カーボンファイバーアクチュエーター443■■■■■■■■■■■
MEMSスイッチのコンタクト部における滑剤としてのナノ粒子溶液443■■■■■■■■■■■
Rapid_deep_micromachining_of_polytetrafluoethylene_by_MeV_ion_bombardment_in_oxygen-rich_atmospheres443■■■■■■■■■■■
電着ポリイミドによる絶縁層形成技術443■■■■■■■■■■■
Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性(パルス幅10ns、低エネルギー)443■■■■■■■■■■■
マイクロコンタクトプリント法による自己組織単分子膜パターニングと銀ナノ粒子の選択的析出443■■■■■■■■■■■
ファージディスプレイ法による分子認識ペプチドのスクリーニング442■■■■■■■■■■
フィルタSPRチップ442■■■■■■■■■■
低応力フリップチップ実装法442■■■■■■■■■■
Manufacturing_process_and_material_selection_in_concurrent_collaborative_design_of_MEMS_devices442■■■■■■■■■■
SAMを用いたSU8への埋め込み型金属パターニング技術442■■■■■■■■■■
金・銀ナノ粒子デンドリマーのUVによる還元生成442■■■■■■■■■■
過酸化水素測定のための化学発光試薬442■■■■■■■■■■
ナノ粒子操作に用いる光動作AC電気浸透441■■■■■■■■
Letter_Damage_Free_Dicing_Method_for_MEMS_Devices441■■■■■■■■
エネルギー回収用のマイクロファイバー.ナノワイヤー.ハイブリッド構造.440■■■■■■■■
バイナリオプティクスによるネガ型レジストの三次元形状440■■■■■■■■
ポリシラザンを用いたセラミックス合成法439■■■■■■■■■■■■■■■■
人工hair-cell_sensor用3D構造形成プロセス439■■■■■■■■■■■■■■■■
共振のQ_factrの劣化による気密性試験439■■■■■■■■■■■■■■■■
多層ウェハのレーザーダイシング例5(Siのみ加工+熱応力/50ns)439■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTを用いた歪みセンシングカンチレバー439■■■■■■■■■■■■■■■■
SOIウェハを用いた基板シリコン除去による薄膜シリコンデバイス作成法439■■■■■■■■■■■■■■■■
BCB材料のプロセス条件438■■■■■■■■■■■■■■■
DRIEと酸化によるマイクロレンズアレイ形成方法438■■■■■■■■■■■■■■■
二酸化シリコン薄膜の破壊靱性、破壊応力、応力腐食き裂438■■■■■■■■■■■■■■■
解説 静電アクチュエータ438■■■■■■■■■■■■■■■
電気泳動によるCNT選択領域析出技術とFEDへの応用438■■■■■■■■■■■■■■■
内部加工されたガラスウェハ割断のレーザー走査速度依存性438■■■■■■■■■■■■■■■
バッキープラスティック437■■■■■■■■■■■■■■
高感度表面変位検出オプトメカニカルプローブ437■■■■■■■■■■■■■■
接着剤注入技術436■■■■■■■■■■■■■
直径0.95ミリのモーター、SII「世界最小径」、ワイヤ伝達の超音波で駆動436■■■■■■■■■■■■■
4軸柔軟触覚センサ436■■■■■■■■■■■■■
CNTs-合成時の触媒依存性436■■■■■■■■■■■■■
Soft-Cure_SU-8シートを用いたMicrofluidicチップ用の低温接合技術436■■■■■■■■■■■■■
ナノチューブで試作;光学素子,東大,微細加工応用に道435■■■■■■■■■■■■
マルチプローブ化学センサ435■■■■■■■■■■■■
30nmギャップNEMSスイッチ435■■■■■■■■■■■■
CNTを用いたピエゾ抵抗型圧力センサ435■■■■■■■■■■■■
DMAナノピンセット開発435■■■■■■■■■■■■
An_alternatively_efficient_method_(DBEM)_for_simulating_the_electrostatic_field_and_levitating_force_of_a_MEMS_combdrive434■■■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術5-XRDによる配向特性434■■■■■■■■■■■
熱気圧駆動を用いたTip-Tilt-Pistonミラー434■■■■■■■■■■■
表面処理:毛管凝縮による付着力の影響434■■■■■■■■■■■
透明で柔らかいカーボンナノチューブトランジスタ434■■■■■■■■■■■
金ナノ粒子の自己組立および転写によるLSPR基板の製作433■■■■■■■■■■
水に浮かんだ撥水性材料に泡が付着するとどうなるか433■■■■■■■■■■
1mm角以下の超小型ICのパッケージストレスによる特性変化測定TEG433■■■■■■■■■■
CNT-イオン流量センサ433■■■■■■■■■■
MEMSに用いる厚みのある低応力PECVD非晶質シリコン433■■■■■■■■■■
SU-8表面微細加工用の犠牲材料のポリジメチルグルタリミド(PMGI)433■■■■■■■■■■
Thermal_treatments_and_gas_adsorption_influences_on_nanomechanics_of_ultra-thin_silicon_resonators_for_ultimate_sensing433■■■■■■■■■■
ダブルサイド加工プロセス433■■■■■■■■■■
チップのロボットシステムによる組立433■■■■■■■■■■
ナイフエッジ構造によるセルフパターニングを応用したテスト構造433■■■■■■■■■■
メタルリングを用いた封止技術433■■■■■■■■■■
人工筋肉を用いた伸び縮みする回折格子433■■■■■■■■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層3432■■■■■■■■■
ボンディングツールのボンディング精度への影響432■■■■■■■■■
擬似SOCの応力解析432■■■■■■■■■
多層集積におけるレイヤー間欠陥伝播431■■■■■■■
特集論文_;_マイクロエアフローセンサのセンシング素子431■■■■■■■
パリレンナノ転写法431■■■■■■■
過酸化水素測定蛍光試薬431■■■■■■■
M_MERGING_MICRO-_AND_NANOTECHNOLOGIES_Nanoimprinting_on_Industry_Standard_Equipment431■■■■■■■
RFスイッチフィルタモジュール431■■■■■■■
IISE法による触媒担持430■■■■■■■
NドーピングしたSiC薄膜の電気特性430■■■■■■■
チューナブル赤外線センサ430■■■■■■■
把持型マニュピレータとレーザスポット加熱を用いた微小部品実装法430■■■■■■■
破壊的技術の萌芽、ライン型インクジェットが離陸へ430■■■■■■■
高速AFM用アクチュエータ集積カンチレバー430■■■■■■■
銀ナノ粒子による蛍光増強430■■■■■■■
フェムト秒レーザーによるサブミクロン構造体造形技術429■■■■■■■■■■■■■■■
プレス加工による一体成型加工429■■■■■■■■■■■■■■■
微小電力駆動ワイヤレスセンサ429■■■■■■■■■■■■■■■
封止接合:金属薄膜を介した封止接合428■■■■■■■■■■■■■■
透過型視線検出デバイス428■■■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長800nm)428■■■■■■■■■■■■■■
シングルウォールカーボンナノチューブ(SWNTs)を用いたNO2ガスセンサ428■■■■■■■■■■■■■■
プラズマ重合法を用いたタンパク質固定化技術428■■■■■■■■■■■■■■
レーザーによるガラスチップの切り出し428■■■■■■■■■■■■■■
低抵抗Si貫通ビア基板428■■■■■■■■■■■■■■
微生物を利用した溶液拡散の増幅427■■■■■■■■■■■■■
流体を用いた変位増幅型マイクロバルブ426■■■■■■■■■■■■
真空封止:常温封止接合426■■■■■■■■■■■■
ガラス内部クラック形状のレーザーパルス幅依存性426■■■■■■■■■■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層426■■■■■■■■■■■■
フラクタル表面パターン付きジグザグの受動マイクロミキサ426■■■■■■■■■■■■
マイクロガスタービンエンジン用の改良燃焼器の設計と数値解析426■■■■■■■■■■■■
CMOS集積化10マルチプローブAFMの熱バイモルフアクチュエータ特性測定426■■■■■■■■■■■■
CuコートSiO2表面に形成されるナノ周期構造426■■■■■■■■■■■■
Development_of_a_mobile_nanohandling_robot426■■■■■■■■■■■■
MEMSスイッチのプルイン現象研究のための汎用微分求積法の応用426■■■■■■■■■■■■
MEMS用シリコンの機械的特性426■■■■■■■■■■■■
CNTs-スーパーグロース法1425■■■■■■■■■■■
マイクロアンテナのSiCパッケージング425■■■■■■■■■■■
波状構造を持つ伸縮自在なシリコン基板425■■■■■■■■■■■
弾性表面波素子を用いた匂い提示装置の開発424■■■■■■■■■■
表面活性化:金属薄膜を介したウエハ低温接合424■■■■■■■■■■
Studies_on_Surface_Wettability_of_Poly(Dimethyl)_Siloxane_(PDMS)_and_Glass_Under_Oxygen-Plasma_Treatment_and_Correlation_With_Bond_Strength424■■■■■■■■■■
ナノコーンアレイガラス424■■■■■■■■■■
バクテリアの走化性を用いたマイクロシステム中の撹拌制御424■■■■■■■■■■
CNTによる水晶振動子のQ値増加424■■■■■■■■■■
CNTロープの作成法424■■■■■■■■■■
Microbridge_Testing_on_Symmetrical_Trilayer_Films424■■■■■■■■■■
Reinforcement_of_PDMS_masters_using_SU-8_truss_structures424■■■■■■■■■■
A_Sweeping_Mode_Integrated_Fingerprint_Sensor_With_256_Tactile_Microbeams423■■■■■■■■■
CNTs-メモリ423■■■■■■■■■
Deep-RIEと埋め込みによる高速化対応シリコン貫通配線423■■■■■■■■■
GaAs_(110)基板上で垂直に立つGeナノ細線423■■■■■■■■■
CNTウエハーから作成されたCNTリレーのスイッチング422■■■■■■■■
パリレン厚膜を用いた多層シャドウマスク422■■■■■■■■
ポーラスBD膜を用いた中空構造作製422■■■■■■■■
導電性を有する疎水性自己組織化単分子膜422■■■■■■■■
有機メモリーを用いた情報伝達シート422■■■■■■■■
多層ウェハのレーザーダイシング例4(Siのみ加工/100ns)421■■■■■■
シリコンプローブの作製技術421■■■■■■
付着解析法421■■■■■■
MEMSを用いた浮遊チューブを用いた微小化学反応炉421■■■■■■
電気浸透流による表面修飾パターン評価421■■■■■■
ウエハレベルパッケージされた金属酸化物型ガスセンサ420■■■■■■
マイクロ放電加工の加工モニター420■■■■■■
多様な加工を安価に提供するMEMSファウンドリ・サービス420■■■■■■
CMOSストレスセンサーによるポインティングデバイス420■■■■■■
PDMS-based_micro_PCR_chip_with_Parylene_coating420■■■■■■
AFM利用の横方向フォースセンサー419■■■■■■■■■■■■■
LF55GN高アスペクト比厚膜レジスト419■■■■■■■■■■■■■
SAWデバイスの波数領域解析419■■■■■■■■■■■■■
ナノインデンテーションにより形成した異方性導電ナノワイヤーの機械特性計測419■■■■■■■■■■■■■
二重乳化応用を目的とした制御可能な可動壁構造物を利用した液滴形成418■■■■■■■■■■■■
CNTs-加工成形-01418■■■■■■■■■■■■
Design,_Fabrication_and_Characterization_of_Miniature_Direct_Methanol_Fuel_Cell_Using_Platinum-Sputtered_Microcolumn_Electrodes_with_Limited_Fuel_Source418■■■■■■■■■■■■
Feature-based_process_layer_modeling_for_surface_micromachined_MEMS418■■■■■■■■■■■■
尿一滴でがん検査、産総研がチップ、3年後メド実用化418■■■■■■■■■■■■
水素化アモルファスシリコンを用いた高電圧太陽電池アレイ418■■■■■■■■■■■■
圧電式微小共振器のパラメーター特定416■■■■■■■■■■
センサ・アクチュエータ集積型AFM用カンチレバー416■■■■■■■■■■
2層グラフェンナノデバイスにおける電気ノイズの低減416■■■■■■■■■■
Mechanical_and_electrical_characterization_of_BCB_as_a_bond_and_seal_material_for_cavities_housing_(RF-)MEMS_devices415■■■■■■■■■
Secondary_resonances_of_electrically_actuated_resonant_microsensors415■■■■■■■■■
バルクCMOSプロセスによるRF_MEMS共振器の集積化415■■■■■■■■■
二重側壁保護膜を用いたディープRIEによる高アスペクト加工技術415■■■■■■■■■
インダクタ‐キャパシタに対する基板エッチングの効果414■■■■■■■■
エアアイソレートされた貫通配線414■■■■■■■■
フッ素化ポリイミド光導波路の形成技術414■■■■■■■■
レーザー内部加工によるガラス/Si多層ウェハ割断例1414■■■■■■■■
国際標準化 ナノテクで主導権確保へ414■■■■■■■■
磁性粒子を用いた効果的な撹拌414■■■■■■■■
複合型銀ナノ粒子を用いた接合技術414■■■■■■■■
金微粒子の酸化触媒効果414■■■■■■■■
New_Low-Stress_PECVD_Poly-SiGe_Layers_for_MEMS414■■■■■■■■
3Dシステム封止用の先細りSi超小型マイクロ加工プロセスの開発413■■■■■■■
Combined_Circuit/Device_Modeling_and_Simulation_of_Integrated_Microfluidic_Systems413■■■■■■■
血液1滴で病気自動診断;東芝が遺伝子検査装置,小型化,時間も短縮413■■■■■■■
表面マイクロ構造による液滴駆動413■■■■■■■
フラーレンとペンタセンによるCMOSインバータ413■■■■■■■
X線リソグラフィによるPTFE加工技術412■■■■■■
コンポジットを用いたTSV技術412■■■■■■
ネットワーク状のカーボンナノチューブ成長412■■■■■■
狭ギャップアンダーフィル技術412■■■■■■
CNT-フィルター特性2412■■■■■■
Al/Alウエハ接合による気密封止412■■■■■■
誘電体を核とする厚膜配線を用いたスパイラルインダクタ411■■■■
磁気異方性を用いた3次元構造体の自己組立て411■■■■
自己組織化を用いたマイクロプロセッサ製造プロセス411■■■■
ガラスウエハ分離に必要な引張応力のレーザー走査速度依存性411■■■■
ポリシリコン位置敏感検出器(PSD)の研究411■■■■
マイクロ側壁面の摩擦挙動を研究するためのMEMS素子411■■■■
AFMを用いたシリコンのanodizedナノ構造疲労試験411■■■■
2軸共焦点顕微鏡の2次元MEMSスキャナー410■■■■
キャピラリーアセンブルド・マイクロチップ410■■■■
ナノテク医薬品に応用;患部に薬剤を集中投与,東大・京大や製薬会社など,数年後メド臨床試験410■■■■
パリレンの低温高アスペクト比アッシング410■■■■
プラズマによるSU-8の変性を用いた3次元自己組立410■■■■
マイクロ流体環境下におけるMEMSの付着特性410■■■■
シリコン酸化膜上での湿度に対する毛管力の挙動409■■■■■■■■■■■■■
チオニンの媒介によるCNT/Auナノ微粒子コンポジットの作製409■■■■■■■■■■■■■
ナノリッターウエル内の蒸着可能な液滴の均一な溶質蒸着409■■■■■■■■■■■■■
ポリマーセンサー、曲がると電圧発生(クラレ)409■■■■■■■■■■■■■
レーザーで自在に作製、金属ナノ粒子、阪大が微細配線技術409■■■■■■■■■■■■■
疎水化されたAFMチップを用いた,_基板上の湿度による凝縮水のイメージング409■■■■■■■■■■■■■
Application_of_AFM_Anodic_Oxidation_to_Patterning_of_Biomolecules_on_Si409■■■■■■■■■■■■■
A_Highly_Sensitive_Capacitive-Type_Humidity_Sensor_Using_Customized_Polyimide_Film_without_Hydrophobic_Elements408■■■■■■■■■■■■
MEMS非冷却赤外線イメージセンサ408■■■■■■■■■■■■
SPRを利用した尿中疾病マーカー検出デバイス408■■■■■■■■■■■■
Si基板トレンチを利用したメッキモールドによる集積型インダクターの開発408■■■■■■■■■■■■
セルフパターニング構造による金属薄膜並びに有機トランジスタ特性評価408■■■■■■■■■■■■
高平坦化のための銅CMP技術408■■■■■■■■■■■■
高レート・高均一なMEMS用及びWLP用DRIE407■■■■■■■■■■■
チップ型薬液徐放デバイスの作製技術407■■■■■■■■■■■
ナノ・ファウンテン探触子のマルチインクの線形配列407■■■■■■■■■■■
Microfluidic_Electrodischarge_Devices_With_Integrated_Dispersion_Optics_for_Spectral_Analysis_of_Water_Impurities407■■■■■■■■■■■
NLDによるSiO2エッチング407■■■■■■■■■■■
光照射でガラス変質;東工大が金属箔使用,マイクロサイズで加工可能407■■■■■■■■■■■
機能微小部品の自己組立を利用した高機能コンタクトレンズ製作407■■■■■■■■■■■
機械式ADコンバータ(12ビット)406■■■■■■■■■■
流路を集積化したパッチクランプチップ406■■■■■■■■■■
レール形状および流体力によるチップの自己組織化406■■■■■■■■■■
CNT-メンブレン作製法B406■■■■■■■■■■
Force-Controllable,Optically_Driven_Micromachines_Fabricated_by_Single-Step_Two-Photon_Microstereolithography406■■■■■■■■■■
Indirect_Competitive_immunoassay_for_Bisphenol_A,_Based_on_a_Surface_Plasmon_Resonance_Sensor406■■■■■■■■■■
Modelling_and_analysis_of_a_MEMS_approach_to_dc_voltage_step-up_conversion406■■■■■■■■■■
MEMS/NEMSに応用するためのAu薄膜の機械的特性405■■■■■■■■■
修正結合応力論によるベルヌーイ-オイラーのビームモデル405■■■■■■■■■
電解エッチング法によるシリコン高アスペクト加工405■■■■■■■■■
電源供給配線のインピーダンス測定技術405■■■■■■■■■
ホリサム蛋白質複合体ベースのバイオハイブリッドマイクロ流体バルブ405■■■■■■■■■
Underfill樹脂の流動解析404■■■■■■■■
ドープした酸化スズガスセンサの振動測定における検出動作の温度効果404■■■■■■■■
原子レベルの位置測定センサー開発(日立製作所)404■■■■■■■■
生分解性材料を用いた医療用マイクロランセットの加工技術404■■■■■■■■
A_barrier_embedded_chaotic_micromixer404■■■■■■■■
CNTウエハーの微細加工技術404■■■■■■■■
解説 球面モータ404■■■■■■■■
静電櫛歯駆動方式のXYステージ404■■■■■■■■
過酸化脂質のための蛍光イメージング分析試薬403■■■■■■■
半導体素子Al電極への高速Au線熱圧着403■■■■■■■
毛管マイクロ構造体を用いたμ燃料電池用受水管理403■■■■■■■
水素ラジカルクリーニングによる異種III-V族化合物半導体のウェハ接合403■■■■■■■
蜘蛛の糸による梁状構造の強度403■■■■■■■
マイクロ電気機械的金属空間絶縁層半導体(MEM-MAIS)ダイオードスイッチ403■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術403■■■■■■■
DNAの階層的自己組織化を用いた多面体の形成403■■■■■■■
Double_sided_surface_stress_cantilever_sensor403■■■■■■■
MEMS技術による複合センサシステムの作製403■■■■■■■
3次元配線形成における配線抵抗402■■■■■■
溶融金属充填法によるクランク形状孔への導体充填402■■■■■■
電圧印加によるKOH-Siエッチングの等方性・異方性制御402■■■■■■
Si上への選択成長によるGaNのサスペンド構造作製402■■■■■■
ノッチングを利用したマスク開口デザイン制御によるリリース402■■■■■■
ハーメチック、ファインビアガラス基板―MEMSの新パッケージ402■■■■■■
ポリマーMEMSにおける熱接合における液体封入方法402■■■■■■
マイクロ流体デバイスに用いるPDMS-PDMSの最適な結合技術402■■■■■■
分割した櫛歯電極型静電駆動アクチュエータ401■■■■
Behavioural_analysis_of_the_pull-in_dynamic_transition401■■■■
CNTウエハーによるCNTリレー構造401■■■■
PDMSをベースとした熱マイクロアクチュエータの実現性の研究401■■■■
SOIウェーハの直接接合を用いた三次元集積化401■■■■
酸化チタンナノ粒子のリフトオフによるパターニング401■■■■
CNT-フィルター作製法400■■■■
2mm角の3軸加速度センサー日立金属が新構造で開発中399■■■■■■■■■■■■■■■■
多結晶シリコンMEMSの強度分布399■■■■■■■■■■■■■■■■
ポリマーMEMS構造体の自己整合用のリソグラフィック応力制御399■■■■■■■■■■■■■■■■
架橋構造SWNTのTEM観察398■■■■■■■■■■■■■■■
Design_and_Nonlinear_Servo_Control_of_MEMS_Mirrors_and_Their_Performance_in_a_Large_Port-Count_Optical_Switch398■■■■■■■■■■■■■■■
MEMS駆動のための結晶シリコン太陽電池アレイ398■■■■■■■■■■■■■■■
AlN共鳴器を集積した圧電AlN_RF_MEMSスイッチの2ビーム動作397■■■■■■■■■■■■■■
CMP-Cu:表面397■■■■■■■■■■■■■■
Design_and_fabrication_of_a_direction_sensitive_MEMS_shear_stress_sensor_with_high_spatial_and_temporal_resolution397■■■■■■■■■■■■■■
M_EU_PROGRAMME_News397■■■■■■■■■■■■■■
等価回路モデルによるSAW圧力センサの最適設計397■■■■■■■■■■■■■■
A_Method_for_Precision_Patterning_of_Silicone_Elastomer_and_Its_Applications396■■■■■■■■■■■■■
CNT―高い周波数-スイッチ-2396■■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工(波長1064nm)396■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージング実現のための貫通孔配線技術396■■■■■■■■■■■■■
Si表面の再結晶化:波長依存性395■■■■■■■■■■■■
CNTs-ピエゾ抵抗効果395■■■■■■■■■■■■
Integrated_CO-Design_of_RF_MEMS_Devices395■■■■■■■■■■■■
宇宙用RFMEMSスイッチ395■■■■■■■■■■■■
高速信号対応微細配線インターポーザ395■■■■■■■■■■■■
銅直接接合の特性と3次元集積化における利点395■■■■■■■■■■■■
MEMSの固着不良防止用の気相自己組織化単分子層394■■■■■■■■■■■
Si表面への突起構造形成(軸対称偏光ビーム照射)394■■■■■■■■■■■
前処理機能集積チップ394■■■■■■■■■■■
生体埋め込み用のRFパワーリングシステム394■■■■■■■■■■■
受動コンタクト・能動乖離型スイッチ393■■■■■■■■■■
実装393■■■■■■■■■■
表面溝加工によるガラスの割断393■■■■■■■■■■
A_Single-Layer_PDMS-on-Silicon_Hybrid_Microactuator_With_Multi-Axis_Out-of-Plane_Motion_Capabilities―Part_I:_Design_and_Analysis393■■■■■■■■■■
Design_and_Optimization_of_a_MEMS_Electret-Based_Capacitive_Energy_Scavenger393■■■■■■■■■■
ナノ粒子とガラス繊維接合393■■■■■■■■■■
ポリシコンヒータやきなましによるリシェイプ技術392■■■■■■■■■
微小シリカによるsol-gel接合392■■■■■■■■■
静電容量を介したプルイン、プルアウト電圧の測定法によるRFスイッチの長期安定性測定392■■■■■■■■■
Au-_Sn充填貫通配線基板の高周波特性の評価392■■■■■■■■■
CNTs-合成技術392■■■■■■■■■
Crystalline_Silicon_Tilting_Mirrors_for_Optical_Cross-Connect_Switches392■■■■■■■■■
DRIEと酸化を用いたマイクロオプティカルレンズの新しい形成方法392■■■■■■■■■
Kovar(コバール)管のパイレックスウエハへの陽極接合による配管392■■■■■■■■■
CMOSチップ上のシリコンフィンレゾネータの作製391■■■■■■■
CNTを用いたCNTウエハー作製技術391■■■■■■■
メンブレン構造容量検出型センサの化学・バイオセンサへの応用391■■■■■■■
走査型プローブナノリソグラフィ(SAMを用いたポジ型SPNL)391■■■■■■■
解説 圧電・光アクチュエータ390■■■■■■■
高温・高湿度に強く、放送用シリコンマイク、NHK研など開発390■■■■■■■
An_approach_to_fabricating_microstructures_that_incorporate_circuits_using_a_post-CMOS_process390■■■■■■■
Low-Voltage,_Large-Scan_Angle_MEMS_Analog_Micromirror_Arrays_With_Hidden_Vertical_Comb-Drive_Actuators390■■■■■■■
MEMS-CSPチップ実装における応力緩和構造の研究390■■■■■■■
PECVD_SiCで覆った圧力センサの研究390■■■■■■■
Soft-Magnetic_Rotational_Microwings_in_an_Alternating_Magnetic_Field_Applicable_to_Microflight_Mechanisms390■■■■■■■
ZnOナノワイアを用いた酸素センサ389■■■■■■■■■■■■■■■
量子ドットを用いたタンパク質検出法389■■■■■■■■■■■■■■■
超高速TDR測定技術の応用389■■■■■■■■■■■■■■■
光誘起電子移動による過酸化水素測定試薬389■■■■■■■■■■■■■■■
変位増幅機構を有する触覚ディスプレイ389■■■■■■■■■■■■■■■
外部加圧なし金型加熱による寸法がμm/サブμmの非晶質ポリマー構造体の複製389■■■■■■■■■■■■■■■
自己組立における触媒効果389■■■■■■■■■■■■■■■
A‘boosted'_RF-MEMS_capacitive_switch389■■■■■■■■■■■■■■■
CNT-bridging_CNT389■■■■■■■■■■■■■■■
Design_and_modeling_of_a_MEMS_bidirectional_vertical_thermal_actuator389■■■■■■■■■■■■■■■
Characterization_of_Surface_Micromachined_Metallic_Microneedles388■■■■■■■■■■■■■■
Low-Temperature_Wafer_Bonding:_A_Study_of_Void_Formation_and_Influence_on_Bonding_Strength388■■■■■■■■■■■■■■
貫通孔壁面に熱拡散して抵抗にする388■■■■■■■■■■■■■■
Sidewall_Morphology_of_Electroformed_LIGA_Parts―Implications_for_Friction,Adhesion,_and_Wear_Control388■■■■■■■■■■■■■■
化学反応30倍速、大阪府立大、髪の毛並み微小チューブ使用388■■■■■■■■■■■■■■
光でアドレスを呼び出す電位差センサ(LAPS)型ペニシリンセンサとその画像の検出387■■■■■■■■■■■■■
自己組織化磁気円柱によるDNA分離チップ387■■■■■■■■■■■■■
CSP構造で低損失な有接点RF_MEMSスイッチ387■■■■■■■■■■■■■
SU-8を用いた低温キャップ形成387■■■■■■■■■■■■■
ハードディスクドライバ用スライダーのマイクロヒータによる浮遊間隔制御387■■■■■■■■■■■■■
マイクロ流路を利用したイオンセンシング387■■■■■■■■■■■■■
プロセス中での真空封止386■■■■■■■■■■■■
ワイヤー巻きつけによるマイクロねじ作成386■■■■■■■■■■■■
使い捨てのラボオンチップで流体を動作させるためのチップ上空気破裂信管386■■■■■■■■■■■■
共同作業する2台のマイクロロボットによるマイクロ操作385■■■■■■■■■■■
完全CMOS互換プロセスで形成した圧力センサ385■■■■■■■■■■■
注目のMEMS本格成長迫る、GenlSys、MEMS向けシミュレータを開発385■■■■■■■■■■■
自動車用燃料タンク漏れ検出用圧力センサ385■■■■■■■■■■■
表面活性化接合を用いたMEMS高気密ウエハレベルパッケージ385■■■■■■■■■■■
キネシン微小管を利用した構造物の一方向搬送385■■■■■■■■■■■
バブル駆動式アクチュエータによる触覚ディスプレイ385■■■■■■■■■■■
プルインを越えたカンチレバービーム静電MEMSアクチュエータ385■■■■■■■■■■■
0.3ミリの世界最小径ネジ、精機や半導体向け、スター精密が開発385■■■■■■■■■■■
INDUSTRY_REPORT_Riding_the_MEMS_rollercoaster384■■■■■■■■■■
MEMS実装:光素子の低温直接接合384■■■■■■■■■■
冷却機構を有する3Dパッケージ384■■■■■■■■■■
弾性シリコンナノワイヤ配列に基づく吊り機械構造384■■■■■■■■■■
鉛フリーハンダ:バンプ形成技術384■■■■■■■■■■
ナノメカニカルカンチレバーセンサ:分子レベルでリアルタイム解析384■■■■■■■■■■
レーザーによるガラス表面近傍の内部加工2384■■■■■■■■■■
付着耐性値384■■■■■■■■■■
マイクロ流体システムにおけるカルシウムアルギン酸マイクロカプセルの発生383■■■■■■■■■
水素化アモルファス炭素膜の圧電抵抗ゲージファクタ383■■■■■■■■■
神経細胞を利用した情報処理デバイス383■■■■■■■■■
Design_of_the_Optical_Fiber_Transmission_and_Geometrical_Microoptical_Path_in_the_Optical_Liquid_Drop_Sensor383■■■■■■■■■
MEMS型小型燃料電池(μDMFC)におけるナノインプリント技術の応用383■■■■■■■■■
1,3-ジシラブタンとジクロロシランを用いた多結晶3C-SiC膜の応力制御382■■■■■■■■
1円玉より小さく、ニッタ・ムアー、圧電ポンプ発売382■■■■■■■■
CNT-メンブレン作製法A382■■■■■■■■
LSI配線プロセスを用いたダイアフラム形成382■■■■■■■■
業界最高のSN比のMEMSマイクを発表(アナログデバイセズ)382■■■■■■■■
水を用いたパッシブアライメント382■■■■■■■■
特集_マイクロマシニングとMEMSの歴史と展望(1)―歴史―382■■■■■■■■
生体模倣ポリマーによる表面処理382■■■■■■■■
X線傾斜露光法によるPMMA3次元加工技術382■■■■■■■■
タングステンナノギャップによる単分子捕獲382■■■■■■■■
A_High-Power_MEMS_Electric_Induction_Motor381■■■■■■
CNT-ナノラジオ381■■■■■■
金ナノ粒子によるSPR信号増強381■■■■■■
Shape-Memory_Polymers_for_Microelectromechanical_Systems380■■■■■■
光流体技術による可変光減衰器380■■■■■■
分子の向き制御;東大,特殊な光活用,高速通信向け期待380■■■■■■
磁性薄膜を有する集積型オンチップインダクター380■■■■■■
3次元ナノ構造作製のための高精度位置合せ/接合システム380■■■■■■
A_Chaotic_Mixer_for_Magnetic_Bead-Based_Micro_Cell_Sorter380■■■■■■
Microsystems_and_Nanotechnology;Patent_snapshots379■■■■■■■■■■■■■■
Sliding-blade_MEMS_iris_and_variable_optical_attenuator379■■■■■■■■■■■■■■
フリップ−チップ光MEMSに用いるポリイミド・スペーサー379■■■■■■■■■■■■■■
上下スリットインターポーザを用いたMEMS-CSP低応力実装379■■■■■■■■■■■■■■
走査型プローブナノリソグラフィ(EBレジストを用いたネガ型SPNL)379■■■■■■■■■■■■■■
零位法による実温度放射温度計測法379■■■■■■■■■■■■■■
微細構造体上へのCNTウエハー形成379■■■■■■■■■■■■■■
自立振動ゲルのマイクロアクチュエータ379■■■■■■■■■■■■■■
微細穴破壊せず計測、ディスク・テック、近赤外線を照射378■■■■■■■■■■■■■
有機トランジスタ作製プロセス378■■■■■■■■■■■■■
スパーク放電による化学彫刻(SACE)でガラスに重力送りマイクロ穴あけ加工378■■■■■■■■■■■■■
パルス駆動によるアルミ製貫通ビアのメッキ作製378■■■■■■■■■■■■■
ボンディングしたワイヤーを犠牲層にしたニードル作成378■■■■■■■■■■■■■
Pt-b電極の作製技術378■■■■■■■■■■■■■
Au薄膜を用いた毛管力に起因するスティクション防止377■■■■■■■■■■■■
BCBを用いたMMIC用3次元低損失パッシブ部品の評価377■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長1450nm、パルス幅〜100fs)377■■■■■■■■■■■■
パッケージ(1)・FR-4基板で封止377■■■■■■■■■■■■
分子を選別し輸送、特定のたんぱく質など、東大、化学反応実験効率化に応用377■■■■■■■■■■■■
接合過程の解析376■■■■■■■■■■■
ゼオライト含有カンチレバーによる化学物質の選択検出376■■■■■■■■■■■
プラズマ表面活性化を利用したウエハのダイレクトボンディング376■■■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術3-ラマン特性376■■■■■■■■■■■
Design_and_fabrication_of_MEMS_devices_using_the_integration_of_MUMPs,trench-refilled_moldoing,DRIE_and_bulk_silicon_etching_processes376■■■■■■■■■■■
Electrowettingを利用したアメンボロボットA376■■■■■■■■■■■
部分的に密閉された微小流路の内面上のコロイド自己集合376■■■■■■■■■■■
酸素貯蔵能力を倍増、東工大、触媒向けの新材料開発375■■■■■■■■■■
フレキシブルなサーモパイル発電器の製造、マイクロ製造技術375■■■■■■■■■■
人工筋肉1.5ボルトで作動;横浜国大,高分子製,微小機械の動力源375■■■■■■■■■■
補正マスクによるSi表面3次元加工技術375■■■■■■■■■■
シリコン貫通配線基板の高周波特性374■■■■■■■■■
スタックチップ間の常温シリコン貫通電極配線374■■■■■■■■■
ナノインプリントPDMS基材とアクチュエータ・シリコン基材の組み合わせによる回折格子374■■■■■■■■■
バンプレスインタコネクト:電気特性評価374■■■■■■■■■
マイクロOCPWとIOCPWを用いた最新の小型低損失ミリ波フィルター374■■■■■■■■■
マイクロバルブを有する細胞機能回析デバイスの開発374■■■■■■■■■
CNTs-ビーム-01374■■■■■■■■■
RF多重スイッチ集積374■■■■■■■■■
Design_and_modeling_of_an_acoustically_excited_double-paddle_scanner373■■■■■■■■
厚膜抵抗体のモデル化した圧電抵抗特性用ゲージ係数の評価373■■■■■■■■
表面活性化接合とTSVを用いた3D-ウエハレベルパッケージング373■■■■■■■■
CNTs ベアリング-1373■■■■■■■■
ゲルマニウムを用いた低温マイクロマシニング373■■■■■■■■
ハイブリッドSiエバネセント・レーザーの接合プロセス372■■■■■■■
パイレックスガラスのレーザー丸板加工372■■■■■■■
マイクロコンタクトプリンティングの繰り返しによるパターンの微細化372■■■■■■■
ラメラー格子型面外マイクロジャイロスコープ372■■■■■■■
自己組織化DNAコンジュゲートポリマーを利用したSNPs検出チップ372■■■■■■■
自立した多孔質シリコンマイクロ構造体の製造372■■■■■■■
CNTs-ナノリレー372■■■■■■■
Fabrication_Process_of_Microsurgical_Tools_for_Single-Cell_Trapping_and_Intracytoplasmic_Injection371■■■■■
MEMSスイッチによる可変インダクター371■■■■■
接合前アライメント精度:間接(裏面)アライメント371■■■■■
Siナノ構造を有する共振器デバイスの開発371■■■■■
シリコン貫通タングステン配線を有する3次元チップ積層用鉛フリー接合の信頼性評価371■■■■■
シリコン酸化膜のナノテクスチャ加工によるEWODの低電圧化371■■■■■
ポリスチレン微粒子を用いたナノ金ディスクの作製(LSPR基板)371■■■■■
マイクロ・ナノカンチレバーのカップリングによる質量応答性能の改善371■■■■■
SiRNを用いたマイクロチャネル作製370■■■■■
微小域でヤング率測定、阪大が顕微鏡開発、電子部品の品質向上に期待370■■■■■
液液界面でのCNT/金属ナノ微粒子コンポジットフィルムの作製370■■■■■
犠牲層としてPMGIを用いるMEMS共鳴体の低温製造方法370■■■■■
0.35µmCMOSチップ上のVHF帯レゾネーターの作製370■■■■■
CNT/ナノ微粒子ハイブリッドの作製370■■■■■
Kovar-ガラス-シリコン-ガラス積層構造をしたベーク可能なマイクロバルブ370■■■■■
SUSPENDED_MICROCHANNEL_RESONATOR370■■■■■
Polycrystalline_Silicon-Carbide_Surface-Micromachined_Vertical_Resonator_-_Part_I:_Growth_Study_and_Device_Fabrication369■■■■■■■■■■■■
SU-8フォトレジストの重合作用におけるソフトベーク温度の効果369■■■■■■■■■■■■
バッチトランスファによるMEMS構造体の転写方法369■■■■■■■■■■■■
SiNのゲートを用いたCNTのアレイ368■■■■■■■■■■■
CNTウエハーを用いたCNTマイクロ構造体の作製368■■■■■■■■■■■
DRIE垂直壁面に作るダイオードの特性測定368■■■■■■■■■■■
STMを用いたシリコン基板上におけるナノマウンドの作成方法368■■■■■■■■■■■
可視領域の透明度を高めたポリマー光導波管の直接フライス加工と注入成形368■■■■■■■■■■■
広帯域振動による環境発電368■■■■■■■■■■■
細菌のべん毛繊維;立体構造を解析,阪大,ナノマシンに道368■■■■■■■■■■■
心筋細胞で駆動するポンプ367■■■■■■■■■■
産業の礎MEMSの現状、拡大するMEMSファンドリビジネス367■■■■■■■■■■
CMOSプロセスによるシリコンナノワイヤアレイの特性367■■■■■■■■■■
CNT-高密度・向配列アレイの作製法367■■■■■■■■■■
DRIE垂直壁面に不純物拡散でフォトダイオードを作る367■■■■■■■■■■
セルラーオートマトンを用いたSi異方性エッチングシミュレーション367■■■■■■■■■■
パリレンで封止した液体の変形を利用したスキャニングミラー367■■■■■■■■■■
3D-MEMSウエハレベルパッケージ実現のための貫通孔配線366■■■■■■■■■
A_Hybrid_PZT-Silicon_Microvalve366■■■■■■■■■
Fracture_Strength_of_Polysilicon_at_Stress_Concentrations366■■■■■■■■■
RF_MEMS_for_Advanced_Automotive_Applications366■■■■■■■■■
常温ウエハ接合:接合強度366■■■■■■■■■
静電駆動型ナノ引張試験デバイスによるカーボンナノワイヤの機械特性評価366■■■■■■■■■
赤外線を用いた位置合わせ技術366■■■■■■■■■
誘電性液滴の電気的動作365■■■■■■■■
Electrowettingを利用したアメンボロボットB365■■■■■■■■
MEMS_industry_targets_reliability365■■■■■■■■
A_Microbubble-Powered_Bioparticle_Actuator364■■■■■■■
Barbed_micro-spikes_for_micro-scale_biopsy364■■■■■■■
CMOS集積化10マルチプローブAFMによる原子像の取得364■■■■■■■
CNTを用いた柔軟かつ高感度のひずみセンサ364■■■■■■■
GaN-Siハイブリッド発光デバイスの作製364■■■■■■■
走査プローブ顕微鏡探針尖端への単一CNF直接合成364■■■■■■■
金属多層構造の犠牲層利用作成法363■■■■■■
A_New_Edge-Detected_Lift_Force_Flow_Sensor363■■■■■■
Commercialization_Corner;RF_MEMS_appeal363■■■■■■
STMを用いた単分子系化学反応363■■■■■■
SiC表面マイクロマシニングのためのpoly-SiへのSiC成膜363■■■■■■
Si内部でのレーザー光の集光363■■■■■■
ナノ磁気アクチュエータ363■■■■■■
ニッケルポストを使った面合わせのフリップチップ接合363■■■■■■
ピコジェットプリントヘッドの液滴射出の研究363■■■■■■
生体分子1個変化観察、産総研が新手法、ナノチューブ利用363■■■■■■
異方性エッチングへの原子論的概論363■■■■■■
立体形状への配線パターン露光技術363■■■■■■
実装:超音波ワイヤボンディングの実装精度362■■■■■
微細加工した3軸ジャイロスコープの製作と解析362■■■■■
液体の針362■■■■■
溶融金属充填法によるY字分岐孔への導体充填362■■■■■
In-Au薄膜によるマイクロ接合362■■■■■
MEMSデバイスの信頼性評価プログラム362■■■■■
選択レーザアシスト接合(LAB)を用いたMEMS用ウエハレベルパッケージ362■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長355nm)362■■■■■
Si表面のナノ周期構造(軸対称偏光ビーム照射)362■■■■■
シリコン直管型流体密度センサ362■■■■■
ミクロのポンプ試作、光で作動、化学反応装置に応用、横浜国大362■■■■■
シリコンの鏡面化技術361■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層2361■■■
単一MWNTの熱物性値の測定とその伝熱機構の考察361■■■
松下電工のMEMS事業を分析、自動車・医療の分野で垂直統合361■■■
自己検出圧電マイクロカンチレバーの変位とセンサ出力へのDCバイアスの影響361■■■
複数種類の自己組立による蛍光検出システムの製作361■■■
電気化学を用いた酸性化によるガラスの局所湿式エッチング361■■■
解説 ゲルアクチュエータ361■■■
ハイブリットボンディングによる低温ボイドレス接合方法360■■■
フレキシブルなモノリシック3Dマイクロ流体構造の新しい製造法360■■■
マイクロゼオライトカラムによるガス分離360■■■
シリコン基板と単一マスクによるMEMS構造のリリース359■■■■■■■■■■■■
遺伝子の解析わずか1分で;徳島大など,ナノ粒子使い試薬359■■■■■■■■■■■■
CNTs-センシングー1359■■■■■■■■■■■■
液液界面でのナノ微粒子の自己組織化および輸送359■■■■■■■■■■■■
傾斜させた試料に対する露光技術と独特な三次元構造体の作製358■■■■■■■■■■■
銀ナノ粒子を触媒とした無電解銅めっき358■■■■■■■■■■■
Siの内部加工クラック形状のエネルギー依存性358■■■■■■■■■■■
シリコン酸化膜のナノテクスチャ加工によるEWODの低電圧化_-_特性358■■■■■■■■■■■
パルス状の正の電圧をチャックに加えることによるノッチングの抑制358■■■■■■■■■■■
An_Additive_Micromolding_Approach_for_the_Development_of_Micromachined_Ceramic_Substrates_for_RF_Applications358■■■■■■■■■■■
MEMSデバイスの開ループ制御対閉ループ制御:選択と課題358■■■■■■■■■■■
MgZn単結晶体と多結晶体の通電拡散接合358■■■■■■■■■■■
CNTs-多層カーボンナノチューブ-カンチレバーの作成と特性357■■■■■■■■■■
CNTsを微細孔としたサブ2nmポア・フィルタ357■■■■■■■■■■
Design,Fabrication,and_Testing_of_a_Prototype_Microthermophotovoltaic_System357■■■■■■■■■■
Detection_of_Protein_Conformation_under_Stress_Conditions_Using_Liposomes_As_Sensor_Materials357■■■■■■■■■■
集積化ヒータによるローカルハンダヅケ357■■■■■■■■■■
自由に対流するPEM燃料電池用に微細加工したシリコン構造体357■■■■■■■■■■
SiO2表面に形成されるナノ周期構造の照射レーザーフルーエンス依存性357■■■■■■■■■■
システムインテグレーションのためのシリコン貫通配線技術357■■■■■■■■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層:波長依存性2357■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長1300nm、パルス幅〜100fs)356■■■■■■■■■
シリコン異方性エッチングを用いたナノワイヤの作成方法356■■■■■■■■■
リップルを用いた残留応力測定356■■■■■■■■■
レーザー内部加工による圧力センサーチップの割断2(Siのみ加工/200ns)356■■■■■■■■■
中空マイクロ針のアレイに用いるマイクロ流体分配システム356■■■■■■■■■
A_barrier_embedded_Kenics_micromixer356■■■■■■■■■
光ファイバーの先端にレンズを作成356■■■■■■■■■
小型SPRデバイス356■■■■■■■■■
装置メーカーのMEMSへの取り組み(2)、日立ハイテクノロジーズ356■■■■■■■■■
多孔質アルミナ膜による低温での真空パッケージ355■■■■■■■■
多孔質シリコン薄膜から形成した電気浸透ポンプ355■■■■■■■■
異種集積用のウェハレベル実装355■■■■■■■■
研究開発レター 光近接場ファイバ型マイクロ化学センサ355■■■■■■■■
TFTトランジスタのプラスチックへの転写355■■■■■■■■
ブロック共重合体とシリケートのミクロ相分離(ラメラ)構造を用いた自己整合、自己組織化ナノラインパターン形成355■■■■■■■■
CNT-薄膜ーメモリー1355■■■■■■■■
Piezoelectric_Pb(Zrx,Ti1-x)O3_thin_film_cantilever_and_bridge_acoustic_sensors_for_miniaturized_photoacoustic_gas_detectors355■■■■■■■■
CNT-多層カーボンナノチューブ-直線ベアリングナノスイッチ354■■■■■■■
Electroplated_Metal_Microstructures_Embedded_in_Fusion-Bonded_Silicon:_Conductors_and_Magnetic_Materials354■■■■■■■
接合前ウエハアライメント精度:Smart_View_(Face_to_Face)アライメント354■■■■■■■
溶液系電気化学発光素子の高輝度化354■■■■■■■
高密度貫通配線を有するシリコン基板354■■■■■■■
高アスペクト比の金属構造体製作用のマイクロ粉末射出成形354■■■■■■■
通信システム向けマイクロマシン開発へ;米ルーセントが国防総省と協力,軍事・国土保全用に使用354■■■■■■■
自己適応的MEMS冷却用の温度調整非線形マイクロバルブ353■■■■■■
A_Planar_Approach_for_Manufacturing_Cardiac_Stents:_Design,Fabrication,and_Mechanical_Evaluation353■■■■■■
Deformation_of_Blanketed_and_Patterned_Bilayer_Thin-Film_Microstructures_During_Post-Release_and_Cyclic_Thermal_Loading353■■■■■■
Electrostatic_Actuators_With_Expanded_Tuning_Range_Due_to_Biaxial_Intrinsic_Stress_Gradients353■■■■■■
ナノテクノロジー MEMS オムロン、MEMS素子を搭載したフローセンサーを開発353■■■■■■
三層の陽極接合353■■■■■■
光化学スモッグ携帯用センサー、NTT、指先大の大きさ実現352■■■■■
単層量子ドットのカンチレバー先端への成膜352■■■■■
多層SU-8マイクロ構造体の製造352■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術7352■■■■■
表面処理:表面化学処理およびDLC膜による付着力の影響352■■■■■
AFMによるマイクロ・空洞標的ボール面上へのマイクロ構造の加工352■■■■■
CuコートSiO2表面に形成されるナノ周期構造の照射レーザーフルーエンス依存性351■■■
Electrowettingの接触角を容易に測定するテスト構造351■■■
Robust_latching_MEMS_translation_stages_for_micro-optical_systems351■■■
光重合と成形によるポリジメチルシロキサン・マイクロレンズアレイ351■■■
半導体チップで免疫測定、日立、その場で微量たんぱく検出351■■■
塩素原子ビームを用いたSiエッチングにおけるUV照射による表面反応増大効果350■■■
実用化技術:LCPの低温Cuラミネート350■■■
表面活性化常温接合法によるGaAs基板へのレーザの実装350■■■
マイクロコンタクトプリンティングによるカーボンナノチューブエミッタ350■■■
マイクロチップ電気泳動によるNO代謝物の迅速測定350■■■
レーザー内部加工によるガラス/Si多層ウェハ割断のレーザースキャン回数依存性350■■■
Coventor_Launches_“Design_Tool_Sets”_for_automotive_sensors350■■■
Development_of_a_Micro-Blood-Typing_System_Using_Micro-Stereolithography_Technology350■■■
Embedded_conductor_technology_for_micromachined_RF_elements350■■■
PDMS_3次元構造体中に形成した分流と再合流するマイクロミキサ350■■■
A_micro_direct_methanol_fuel_cell_demonstrator349■■■■■■■■■■■■■■■■
CNT-メンブレン細孔分布349■■■■■■■■■■■■■■■■
Development_of_a_tRNA-Synthestase_Microarray_for_Protein_Analysis349■■■■■■■■■■■■■■■■
可動部レスで極小ポンプ349■■■■■■■■■■■■■■■■
最初のLSI集積化MEMS:Resonant-Microbridge_Vapor_Sensor349■■■■■■■■■■■■■■■■
WLAN帯域可変フィルタ349■■■■■■■■■■■■■■■■
ジャイロセンサー、MEMS技術を採用、村田製作所が実用化349■■■■■■■■■■■■■■■■
バルク微細加工Si内に組み込まれた磁気誘導機構349■■■■■■■■■■■■■■■■
パリレンを用いた生体埋込圧力センサー349■■■■■■■■■■■■■■■■
ホットエンボッシングによるマイクロポリマーアクチュエータの製作349■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノ材料の印刷技術を用いた3次元へテロデバイスの作製348■■■■■■■■■■■■■■■
An_In-Plane_High-Sensitivity,Low-Noise_Micro-g_Silicon_Accelerometer_With_CMOS_Readout_Circuitry348■■■■■■■■■■■■■■■
CNT-メンブレンの液体透過特性348■■■■■■■■■■■■■■■
CNTを用いたマイクロ神経電極アレイ348■■■■■■■■■■■■■■■
酸化絶縁膜の微細トレンチ形成技術348■■■■■■■■■■■■■■■
刺激応答性ヒドロゲルによって駆動される適応型液体マイクロレンズ348■■■■■■■■■■■■■■■
導電で長さ2倍;山梨大,伸縮するプラスチック部品348■■■■■■■■■■■■■■■
希薄度と非希薄度の効果を統合するガスマイクロ対流の研究348■■■■■■■■■■■■■■■
微小機械部品評価に関する研究348■■■■■■■■■■■■■■■
様々な金属触媒によるSWNTの合成348■■■■■■■■■■■■■■■
硬質磁性材料のCoPtPの電着および磁性MEMSへの集積化348■■■■■■■■■■■■■■■
内部加工されたSiウェハ割断に要する曲げ応力の加工層数依存性(パルス幅10ns)347■■■■■■■■■■■■■■
液中自己組立における液流によるアジテーション347■■■■■■■■■■■■■■
紫外線硬化樹脂の注入による凹レンズの作製347■■■■■■■■■■■■■■
3D_flexible_multichannel_neural_probe_array347■■■■■■■■■■■■■■
リコンフィギュアラブルICに向けたCMOSMEMSプローブの作製347■■■■■■■■■■■■■■
陽極接合の低温化(ガラス電極接触膜の影響)347■■■■■■■■■■■■■■
連結バネ・アクチュエータ機構の解析346■■■■■■■■■■■■■
A_Water-Powered_Micro_Drug_Delivery_System346■■■■■■■■■■■■■
Adapting_MCM-D_technology_to_a_piezoresistive_accelerometer_packaging346■■■■■■■■■■■■■
CMOSチップのポストプロセスで作製した面外方向加速度センサ346■■■■■■■■■■■■■
Cuメッキとスプレーコーティングによる3次元コイルの作製346■■■■■■■■■■■■■
多層集積におけるボンディングプロセスの影響(ウエハ剛性)346■■■■■■■■■■■■■
液晶をマスクに使い、配向制御による立体形状露光346■■■■■■■■■■■■■
レーザーによるガラス表面近傍の内部加工346■■■■■■■■■■■■■
乾燥フォトレジストを用いる迅速試作:μ流体用ソフトリソグラフィ原版の微細加工346■■■■■■■■■■■■■
ポリマー熱圧着接合プロセスのアライメント精度への影響(接合前アライメントより)345■■■■■■■■■■■■
2D高密度アレイ「鍬」形状金属チップによるMEMSプローブ・カード345■■■■■■■■■■■■
CMOSMEMSで作製した高g用加速度センサ345■■■■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術8-固体化後のCNT345■■■■■■■■■■■■
CNTギャップに架橋した単一のDNA鎖の伝導性345■■■■■■■■■■■■
CNTスーパーグロース法-水分添加による触媒賦活効果-345■■■■■■■■■■■■
Inside_New_Technology_;_MEMSアプリケーション(2) 携帯電話機はRF回路とストレージに期待345■■■■■■■■■■■■
放射性物質により発電して動作する真空センサ345■■■■■■■■■■■■
櫛歯駆動回転マイクロミラー345■■■■■■■■■■■■
表面活性化:nano-adhesion_layer345■■■■■■■■■■■■
Design_of_Microresonators_Under_Uncertainty344■■■■■■■■■■■
GaAsのEpi_Film_Bonding技術344■■■■■■■■■■■
Polydimethylsiloxane-based_pattern_transfer_process_for_the_post-IC_integration_of_MEMS_onto_CMOS_chips344■■■■■■■■■■■
A_Novel_Fiber-Optic_Biosensor_for_On-Line_Monitoring_of_Cell_Cultivation343■■■■■■■■■■
CNTs-高収率二層カーボンナノチューブ343■■■■■■■■■■
Optomechanical_Characterization_of_Mechanically_Deflected_Free-Standing_Polymer_Waveguides343■■■■■■■■■■
ナノチューブへのエキシマレーザーの照射による電界放出改善343■■■■■■■■■■
高抵抗Si基板低電圧駆動型容量型RFMEMSスイッチ343■■■■■■■■■■
高アスペクト比のたて型くし歯動作アクチュエータ343■■■■■■■■■■
半導体回路線幅18ナノに、ナノインプリント方式、大日本印刷が微細化技術343■■■■■■■■■■
常温ウエハ接着&キャビティ封止342■■■■■■■■■
トーションバーによるチューナブル光学フィルタ342■■■■■■■■■
フレキシブル基板への光リソグラフィを用いたサブミクロンパタン形成342■■■■■■■■■
低コスト、大規模マイクロ流体工学用のPMMAの深-UVパターニング342■■■■■■■■■
An_Approach_for_Increasing_Drive-Mode_Bandwidth_of_MEMS_Vibratory_Gyroscopes342■■■■■■■■■
Extraction_of_heat-transfer_macromodels_for_MEMS_devices342■■■■■■■■■
P(VDF-_TrFE_)多層マイクロアクチュエータ構造の穏やかな乾式エッチング342■■■■■■■■■
Arrays_of_Monocrystalline_Silicon_Micromirrors_Fabricated_Using_CMOS_Compatible_Transfer_Bonding341■■■■■■■
CNTs-アクチュエータ-多層カーボンナノチューブ-1341■■■■■■■
セラミック基板への表面活性化常温フリップチップ実装プロセスの開発341■■■■■■■
チョッピング法を用いたエッチング側面保護技術341■■■■■■■
バイオセンサー微量試料検知、東工大、測定対象物の容量下限、50ナノリットル341■■■■■■■
レゾネータの直列接続によるQ値のブースト効果341■■■■■■■
単一モード光ファイバーの微細加工2次元アレイ341■■■■■■■
流体抵抗型ベンディングセンサとバルンアクチュエーター341■■■■■■■
貫通配線ガラスの作製のためのパイレックスガラスのDRIE341■■■■■■■
A_Design_Methodology_for_a_Bulk-Micromachined_Two-Dimensional_Electrostatic_Torsion_Micromirror340■■■■■■■
A_Single-Layer_PDMS-on-Silicon_Hybrid_Microactuator_With_Multi-Axis_Out-of-Plane_Motion_Capabilities―Part_II:_Fabrication_and_Characterization340■■■■■■■
MEMSスイッチの接点材料選択-1340■■■■■■■
Moving_reflector_type_micro_optical_switch_for_high-power_transfer_in_a_MEMS-based_safety_and_arming_system340■■■■■■■
油封入での液滴ベースのマイクロ反応340■■■■■■■
直接接合を用いた3次元ヘテロ構造デバイス340■■■■■■■
光で動く分子ピンセット、東大が合成に成功339■■■■■■■■■■■■■■■
全反射(エバネッセント)照明を用いた高感度蛍光検出デバイス339■■■■■■■■■■■■■■■
微小電子機械、8インチ用量産ライン、大日本印刷40億投じ新設339■■■■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術9339■■■■■■■■■■■■■■■
高精度MEMSセンサーやADASなど、車載用先進デバイス提供(ADI)339■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンでLED、日立、薄膜素子、発光に成功339■■■■■■■■■■■■■■■
ナノスケールでの金属/自己組織化単分子膜/金属のへテロ構造339■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ流体中におけるMEMSの粘着特性339■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ流路を用いた波長可変色素レーザー339■■■■■■■■■■■■■■■
Nonlinear_heat-transfer_macromodeling_for_MEMS_thermal_devices339■■■■■■■■■■■■■■■
Cellular_microarrays_for_Chemical_Sensing338■■■■■■■■■■■■■■
Integration_of_a_polymeric_planar-lightwave-circuit_chip_based_on_a_polymer_microsystem_and_a_UV_imprinting_technique338■■■■■■■■■■■■■■
Poly-Siによる1チップMEMSジャイロ338■■■■■■■■■■■■■■
細胞扱うマニピュレーター、産総研、小型で操作簡単338■■■■■■■■■■■■■■
マイクロヒータを用いた水放出用PMMAの熱による切断338■■■■■■■■■■■■■■
Suppression_of_leakage_current_via_formation_of_a_sidewall_protector_in_the_microgated_carbon_nanotube_emitter337■■■■■■■■■■■■■
ショットキMEMSスイッチ337■■■■■■■■■■■■■
ポリマーによるナノポーラスグレーティング構造337■■■■■■■■■■■■■
マイクロキャビティに気泡のない液体を充填するための方法337■■■■■■■■■■■■■
マイクロチャンネルを流れるポリマー溶融体のレオロジー的挙動の研究337■■■■■■■■■■■■■
3次元実装のための電気メッキ銅充填337■■■■■■■■■■■■■
MEMS_technologies_for_epiretinal_stimulation_of_the_retina337■■■■■■■■■■■■■
MEMS対向探針による金ナノコンタクト接近-衝突-引張-破断実験のHRTEM観察337■■■■■■■■■■■■■
非対称円形圧電バイモルフの理論的モデル化337■■■■■■■■■■■■■
微細な穴を通る1分子、東大が成功、TEMで直接観察337■■■■■■■■■■■■■
共振マイクロカンチレバー化学センサー用の強軸曲げモード振動の理論的分析336■■■■■■■■■■■■
3次元構造体化用の動マスクUVリソグラフィ336■■■■■■■■■■■■
Auナノ粒子を用いたDNAサイズモニタリング336■■■■■■■■■■■■
CNT-光伝導度336■■■■■■■■■■■■
Issues_&_challenges_of_MEMS_wafer-level_packaging336■■■■■■■■■■■■
MEMSチューナブル垂直キャビティ面発光レーザ336■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長800nm、パルス幅〜100fs、軸対称偏光)336■■■■■■■■■■■■
ポリマーのプラズマ処理による直接接合336■■■■■■■■■■■■
マイクロ組立用のパッケージ組込みMEMSベース熱アクチュエータ336■■■■■■■■■■■■
超音波によるマイクロ流体のミキシングとスイッチング336■■■■■■■■■■■■
解説 InSb単結晶薄膜の物性と磁気センサ応用336■■■■■■■■■■■■
2方向斜めエッチングによる3次元フォトニック結晶の作製方法335■■■■■■■■■■■
高分解能SEM観察用コーティング材料335■■■■■■■■■■■
高い面外剛性のシリコンプレートばねの両側面製造方法335■■■■■■■■■■■
LiNbO3のエッチレートの結晶方位依存性335■■■■■■■■■■■
Precision_Poly-(Dimethyl_Siloxane)_Masking_Technology_for_High-Resolution_Powder_Blasting335■■■■■■■■■■■
光発電による静電アクチュエーターの直接駆動335■■■■■■■■■■■
櫛歯アクチュエータの安定性を向上する支持構造の解析335■■■■■■■■■■■
共振型マイクロ加速度センサに関する研究(第1報)334■■■■■■■■■■
容量性両端固定梁RF_MEMSコンポーネント用の自己整合加工プロセス334■■■■■■■■■■
A_low-power_resonant_micromachined_compass334■■■■■■■■■■
Gas_Sensing_with_Titania_Thick_Films334■■■■■■■■■■
Magnetic_coreを有するインダクタの作製334■■■■■■■■■■
Mechanical_Stability_of_a_Latching_MEMS_Variable_Optical_Attenuator334■■■■■■■■■■
STMを用いたシリコン基板上におけるナノクレーターの作成方法334■■■■■■■■■■
静電アクチュエータとラチェット機構を利用したマイクロ直線搬送デバイス(平行駆動モード)334■■■■■■■■■■
金属ナノ粒子および合金ナノ粒子ペーストによる微細回路形成333■■■■■■■■■
集積化ヒータを用いたファインジェット333■■■■■■■■■
高スループットナノインプリントのための自己組織化テンプレート333■■■■■■■■■
Analytical_Behavior_of_Rectangular_Electrostatic_Torsion_Actuators_With_Nonlinear_Spring_Bending333■■■■■■■■■
CNTとイオン液体による伸縮配線材料333■■■■■■■■■
MEMS素子のくし型静電駆動動作を測定する高感度電子静電容量測定システム333■■■■■■■■■
Polyvinyl_Alcohol-co-Styrene_Sulfonate/FeCl2_Composite_as_Humidity_Sensing_Material333■■■■■■■■■
注射針「蚊の口」再現、MEMS技術を応用(関西大学)333■■■■■■■■■
網膜走査ディスプレイ、ブラザーが製品化へ333■■■■■■■■■
表面弾性波による流路を流れるビーズのパターニング333■■■■■■■■■
表面活性化接合を用いたMEMS低応力ウエハレベルパッケージ333■■■■■■■■■
Simulation_studies_on_nonlinear_dynamics_and_chaos_in_a_MEMS_cantilever_control_system333■■■■■■■■■
ナノインプリントでハーフ・ピッチ24nmのパターンを形成333■■■■■■■■■
バックル曲げ作用のはく離を利用したSU-8フォトレジストの除去333■■■■■■■■■
マスク無しのポストCMOSバルク微細加工プロセスおよびその応用333■■■■■■■■■
エレクトロマイグレーションによるナノインプリントパターンの破断を用いたナノギャップ作成法332■■■■■■■■
Production_and_characterization_of_a_hydraulic_microactuator332■■■■■■■■
赤外イメージング332■■■■■■■■
輪郭描画法による大小開口の同時作製332■■■■■■■■
金属製微小ピペットアレイ作製技術331■■■■■■
Cover_Story_;_メムス・コア 多品種少量で攻め,MEMS産業化をリード331■■■■■■
各種試料表面への突起構造形成(軸対称偏光ビーム照射)331■■■■■■
格納容器とマイクロヒータを用いたβガラクドシダーゼの温度依存活性測定331■■■■■■
液体のパリレンを用いた封入プロセス331■■■■■■
熱酸化を用いた単結晶シリコンナノワイヤの作成方法331■■■■■■
小型光学式粘度センサ330■■■■■■
小型燃料電池を量産、来春出荷へ(京都市330■■■■■■
抵抗膜方式タッチパネルセンサの電磁波シールド効果330■■■■■■
陽極酸化によるSiニードルの作製方法330■■■■■■
転写TFTでプロセッサまで作った例330■■■■■■
マイクロコンタクトMEMSリレーデバイスの電気抵抗特性評価330■■■■■■
1入力、8切替出力のRF_MEMS回転スイッチ330■■■■■■
CNT-ポリマーとのハイブリッド材料330■■■■■■
Integrated_Fabrication_of_Polymeric_Devices_for_Biological_Application330■■■■■■
CNTを用いたCNTウエハー329■■■■■■■■■■■■■■
DRIEと拡散による垂直チャネルマイクロヒータ329■■■■■■■■■■■■■■
解説 触覚ディスプレイ装置におけるアクチュエータ技術329■■■■■■■■■■■■■■
前立腺がん9割発見;筑波大と日立メディコ,超音波で硬さ診断329■■■■■■■■■■■■■■
印刷法によるプラスチックMEMSと有機FETを用いた大面積フレキシブル電送シート329■■■■■■■■■■■■■■
双方向バルブレスシリコンマイクロポンプ329■■■■■■■■■■■■■■
微小流路内の液体攪拌用光ミキサー329■■■■■■■■■■■■■■
波長可変垂直キャビティ半導体光増幅器の作製329■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:プラスマ活性化を用いたSOI基板へのレーザ実装329■■■■■■■■■■■■■■
インクジェットプリンティング技術を用いた濃縮分離デバイスの作製329■■■■■■■■■■■■■■
ポリ弗化ビニリデン(PVDF)からなる圧電膜のフェムト秒レーザマイクロ加工329■■■■■■■■■■■■■■
ボクセル:_内容量を密閉するマイクロデバイス328■■■■■■■■■■■■■
超音波イメージングを用いたフリップチップ実装の欠陥検査328■■■■■■■■■■■■■
11-MUA/カリックス(6)アレーン二分子層を用いたバイオ化学検出システム328■■■■■■■■■■■■■
CNTウエハーによるカンチレバー構造328■■■■■■■■■■■■■
Development_of_Si-SiC_Hybrid_Structures_for_Elevated_Temperature_Micro-Turbomachinery328■■■■■■■■■■■■■
MEMSスイッチの接点材料選択-2328■■■■■■■■■■■■■
分子センサーを用いたマイクロ流路の圧力計測328■■■■■■■■■■■■■
形状記憶機能を有する圧電セラミックスを開発(東京大)328■■■■■■■■■■■■■
修正ゾル・ゲル法により成長させた1〜10μmのPZT膜327■■■■■■■■■■■■
複合共振器のバックリングと自由振動327■■■■■■■■■■■■
アルミニウムでラミネートしたカーボンナノチューブカンチレバー327■■■■■■■■■■■■
ソフトPDMS結合を用いた高効率3Dマイクロミキサ327■■■■■■■■■■■■
CVD-カーボンナノチューブを選択的に合成する327■■■■■■■■■■■■
Electrical_Contact_Resistance_as_a_Diagnostic_Tool_for_MEMS_Contact_Interfaces327■■■■■■■■■■■■
1チップでDNA検出、奈良先端大、LSIセンサー開発、大型の光学機器不要に326■■■■■■■■■■■
CNT-メンブレンの液体透過特性B326■■■■■■■■■■■
CNT-垂直配向スイッチ・メモリ326■■■■■■■■■■■
CNTs-加工成形-02326■■■■■■■■■■■
Design_of_a_linear_micro-feeding_system_featuring_bistable_mechanisms326■■■■■■■■■■■
Determination_of_mechanical_properties_of_PECVD_silicon_nitride_thin_films_for_tunable_MEMS_Fabry-Perot_optical_filters326■■■■■■■■■■■
Fabrication_of_keyhole-free_ultra-deep_high-aspect-ratio_isolation_trench_and_its_applications326■■■■■■■■■■■
厚いSi上絶縁体の高-Qスパイラルインダクターの特性326■■■■■■■■■■■
微細ピッチテスト用たて型ガイド付の堅牢なMEMSプローブカード326■■■■■■■■■■■
細胞モーター駆動のマイクロ流体デバイス326■■■■■■■■■■■
金属とガラスの陽極接合326■■■■■■■■■■■
X線二重露光法によるPMMA3次元加工技術326■■■■■■■■■■■
マイクロカンチレバーを用いた薄膜材料のヤングモジュール測定326■■■■■■■■■■■
位置決め用垂直くし歯型アクチュエータのクロストーク低減設計326■■■■■■■■■■■
世界最薄の全高1.5ミリ、松下、携帯機器用マイクロSP開発325■■■■■■■■■■
振動を用いた表面実装部品のウエハへの配列325■■■■■■■■■■
振動型エレクトレット発電器325■■■■■■■■■■
熱反応PDMSアクチュエータ325■■■■■■■■■■
A_Reduced-Order_Model_for_Electrically_Actuated_Microbeam-Based_MEMS325■■■■■■■■■■
N_NEXUS-News_NEXUS_2002_FORUM_REPORT325■■■■■■■■■■
LSI配線プロセスによる圧力センサ集積化CMOS_LSI324■■■■■■■■■
PEDOTの歪特性324■■■■■■■■■
SAMによる表面改質を利用した高分子、Alパターンの自己整合配置技術324■■■■■■■■■
反磁性捕獲モードの血球用磁気マイクロ分離装置324■■■■■■■■■
特集_;_量産マイクロマシン技術「AccurForming」324■■■■■■■■■
ポリマー基板上のマルチモーダル触覚センサ324■■■■■■■■■
マイクロガスタービン用高速ベアリング:_箔膜ベアリングの安定性の解析324■■■■■■■■■
高速超小型ターボ過給機の作製と試験324■■■■■■■■■
大学産学連携_生活支援ロボット323■■■■■■■■
A_silicon_microspeaker_for_hearing_instruments323■■■■■■■■
How_the_role_of_process_control_makes_MEMS_work323■■■■■■■■
In_situ_electrostatic_microactuators_for_measuring_the_Young's_modulus_of_CMOS_thin_films323■■■■■■■■
バクテリアによって駆動するマイクロ構造物323■■■■■■■■
メサ技術を用いたICとティップの集積化323■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長400nm)322■■■■■■■
XRD引張り試験による多結晶窒化チタン(TiN)膜の機械的特性322■■■■■■■
一軸熱対流ガス式ジャイロスコープ322■■■■■■■
業界最小の1.8ミリ角x長さ6ミリ、アルプス電気、圧電アクチュータ322■■■■■■■
研究センターを設立、産総研、創薬支援技術など開発322■■■■■■■
A_measurement_of_Young’s_modulus_and_residual_stress_in_MEMS_bridges_using_a_surface_profiler322■■■■■■■
CNT-高周波振動子322■■■■■■■
2次元熱伝導によるマイクロ機構共振器の熱弾性減衰の理論321■■■■■
ガラス内部クラック形状のレーザー波長依存性321■■■■■
マイクロチップ電気泳動を利用したタンパク質の分離法321■■■■■
表面プラズモン共振を利用した臭気センサー321■■■■■
垂直に配列したサーモパイルのPCB状プロセス320■■■■■
A_Wafer-Scale_Membrane_Transfer_Process_for_the_Fabrication_of_Optical_Quality,_Large_Continuous_Membranes320■■■■■
MEMSに適用するための疎水性コーティング320■■■■■
TOPICS;LSIの3次元実装を実現する超高速高密度インターポーザの開発に成功 LSIシステムの小型化 高機能化を低コストで実現可能320■■■■■
世界最小指紋センサー;米オーセンテック,8月にも日本発売320■■■■■
シリコン-ポリマーハイブリッド化技術319■■■■■■■■■■■■
ヘテロ統合のための毛管力を用いたウェハ再構成技術319■■■■■■■■■■■■
マイクロ機械的スキャナー用振動モード周波数公式319■■■■■■■■■■■■
マイクロ電位計のシステムレベルシミュレーション319■■■■■■■■■■■■
マルチプローブによるパラレルナノライティング技術319■■■■■■■■■■■■
半導体受託TSMC幹部に聞く;最高技術責任者胡正明氏,液侵技術で3世代先露光319■■■■■■■■■■■■
吊るしたマイクロメカニカルプレートの総体的ばね定数のモデル化319■■■■■■■■■■■■
導電性ポリマーを記録媒体としたMEMSプローブ記録319■■■■■■■■■■■■
標準CMOS_Back-End-Of-Lineプロセスで製作した表面MEMS構造の信頼性319■■■■■■■■■■■■
超臨界流体を用いた酸化膜製膜319■■■■■■■■■■■■
Feature特集 マイクロ・テクノロジー ―MEMS、部品内蔵基板の現状―319■■■■■■■■■■■■
Freeze_tweezer_to_manipulate_mini/micro_objects319■■■■■■■■■■■■
CMOS-compatible_micromachining_techniques_for_fabricating_high-performance_edge-suspended_RF/microwave_passive_components_on_silicon_substrates318■■■■■■■■■■■
Modelling_electrostatic_behaviour_of_microcantilevers_incorporating_residual_stress_gradient_and_non-ideal_anchors318■■■■■■■■■■■
異種材料ウエハ融着:3次元フォトニック結晶への発光体の導入318■■■■■■■■■■■
ホットエンボスと低温直接接合の組み合わせによるPMMAマイクロチップ318■■■■■■■■■■■
マイクロ流路内における細胞スケールでの流体ダイナミクスのための高速圧力計測318■■■■■■■■■■■
電解質中のイオン挙動を利用した振動センサ318■■■■■■■■■■■
厚さ0.2mmのウェハーレベルパッケージを開発(フジクラ)317■■■■■■■■■■
Business_MEMS_drives_innovation_in_auto_sector317■■■■■■■■■■
CNTs 圧力センサー2317■■■■■■■■■■
ポリミドとCuを用いたインダクタの作製317■■■■■■■■■■
一般論文 カメラ付きPocket_PC317■■■■■■■■■■
A_reduced-order_model_for_electrically_actuated_microplates316■■■■■■■■■
LSI検査用部品、次世代型製品開発競争が激化、「MEMS型」に照準316■■■■■■■■■
MRSのための針型マイクロコイルの作製316■■■■■■■■■
Robust_Mask-Layout_and_Process_Synthesis316■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術7-CNT固体厚膜作成技術315■■■■■■■■
Cross-Linked_PMMA_as_a_Low-Dimensional_Dielectric_Sacrificial_Layer315■■■■■■■■
Fabrication_and_characterization_of_a_micromachined_passive_valve315■■■■■■■■
MEMSアプリケーション(4)「ポリマーMEMS」をSi上に形成“柔軟・透明”を生かしたバイオ・光へ315■■■■■■■■
MEMSマイクロ直接メタノール燃料電池(μDMFC)用Nafion_(R)_117の新規改良315■■■■■■■■
New_MEMS_display_uses_flipping_pixel_concept315■■■■■■■■
内視鏡、磁力で操作;東北大,複雑な腸内,短時間で移動315■■■■■■■■
大駆動力&低損失金属接点を保有するRF-MEMS_スイッチの開発315■■■■■■■■
近接場光を利用したナノリソグラフィ技術315■■■■■■■■
スタンピングによる有機ELのマイクロ加工315■■■■■■■■
ポリマーMEMSにおけるstiction_valve製作の為の液体封入方法315■■■■■■■■
マイクロチャンネル内の相変化ピストンの内蔵型動作315■■■■■■■■
SiGeナノワイヤの成長と特性化314■■■■■■■
マイクロ流体デバイスの為の新たなハイブリッド材料314■■■■■■■
曲げても平気な太陽電池314■■■■■■■
AIST_RESEARCH_HOT_LINE_;_ホットエンボス成形技術の開発 MEMS製造技術の低コスト化に向けて314■■■■■■■
CO2_laser_annealing_of_sputtering_deposited_NiTi_shape_memory_thin_films314■■■■■■■
Modelling_squeeze_film_effects_in_a_MEMS_accelerometer_with_a_levitated_proof_mass314■■■■■■■
7GHz_RF回路に逆Fアンテナを集積化313■■■■■■
Dependence_of_the_Anisotropy_of_Wet_Chemical_Etching_of_Silicon_on_the_Amount_of_Surface_Coverage_by_OH_Radicals313■■■■■■
Design_and_fabrication_of_an_integrated_microsystem_for_microcapillary_electrophoresis313■■■■■■
MEMS可変キャビティーによる面発光レーザーの単一モード発振・波長チューニング313■■■■■■
Mold-type_SiC_field_emitters_with_heavily_boron-doped_gates313■■■■■■
光分解性シランカップリング剤を用いた単分子膜のパターニング313■■■■■■
切り替え速度1ミリ秒;80チャンネル光スイッチ,富士通研と富士通,ミラーの共振を抑制313■■■■■■
バイオチップに用いるマスク無UVリソグラフィ用Siマイクロミラーアレイ313■■■■■■
ポリシリコン表面マイクロマシンにおける静的摩擦313■■■■■■
TSVとWBとの高周波特性比較312■■■■■
UVナノインプリント法を用いた貫通電極形成方法312■■■■■
パターンを形成したAl(100)箔のHClによる電気化学エッチング312■■■■■
信頼性の高いデジタル型単結晶シリコン(SCS)のRF_MEMS可変コンデンサー312■■■■■
A_Hydrogel-Actuated_Environmentally_Sensitive_Microvalve_for_Active_Flow_Control312■■■■■
BSE判定;1秒,簡易診断チップ,九州大・東北大が開発へ,若齢牛にも,経営リスク大幅軽減312■■■■■
CNT―高い周波数-スイッチ-1312■■■■■
Design_and_performance_analysis_of_thermally_actuated_MEMS_circuit_breakers312■■■■■
Improved_fabrication_of_micro_air-channels_by_incorporation_of_a_structural_barrier312■■■■■
金薄膜を介在層に用いたPZTバルクセラミックスと単結晶シリコンウエハの接合技術312■■■■■
適応性のあるマイクロボロメータの設計と特性311■■■
光MEMS―通信応用から画像応用へ―311■■■
原子間力顕微鏡を用いた光―熱膨張の理論的、実験的研究311■■■
接合前アライメント精度:直接(透過式)アライメント311■■■
最先端LSI、パターン作製、高速化、クレステックが開発、回路0.3秒で描く311■■■
熱アクチュエータのためのステップブリッジ作製技術311■■■
薬液0.5マイクロリットル注入;微小ポンプ,日機装,「圧電素子」を応用311■■■
表面活性化:窒化ガリウムと異種材料の低温接合311■■■
マイクロ流のモデル予測流体力学的調整311■■■
リニア型モーター;小型・ナノ制御可能に,セイコーインスツルメンツ,携帯機器など向け311■■■
Multi-layer_SU-8_lift-off_technology_for_microfluidic_devices311■■■
Composite_elastic_magnet_films_with_hard_magnetic_feature310■■■
Liquid_flow_in_a_micro-channel310■■■
生体細胞上の並列潅流実験用ハイブリッドマイクロシステム310■■■
Si基板中空洞形成プロセスの圧力センサ応用310■■■
Water-in-oil_dropletアレイ310■■■
A_Microfabricated_Wall_Shear-Stress_Sensor_With_Capacitative_Sensing309■■■■■■■■■■■■
MEMSアクチュエータつきナノギャップの作成法309■■■■■■■■■■■■
高アスペクト比カーボン微細構造体の作製技術309■■■■■■■■■■■■
高分解能CNT-FEDおよび電界放出特性の向上309■■■■■■■■■■■■
微小管極性の整流素子309■■■■■■■■■■■■
水晶で加速度センサー、エプソントヨコム、検出精度10倍に309■■■■■■■■■■■■
有限の傾斜角におけるねじれミラーの圧縮膜空気減衰308■■■■■■■■■■■
波長可変のブレーズド回析格子308■■■■■■■■■■■
環境振動発電デバイスを開発(オムロン)308■■■■■■■■■■■
LIGA-likeプロセスによる導波路型光デバイスの電鋳型形成技術308■■■■■■■■■■■
MEMS加速度計のビルトイン・セルフテスト308■■■■■■■■■■■
Site-Specific_Enhancement_of_Gene_Transfection_Utilizing_an_Attracting_Electric_Field_for_DNA_Plasmids_on_the_Eletroporation_Microchip308■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブの成長におけるシリコン酸化膜の厚さの依存性308■■■■■■■■■■■
ミクロンスケール構造体の選択的磁気誘導加熱308■■■■■■■■■■■
ZnOナノファイバー酸素センサー307■■■■■■■■■■
ピストン方式マイクロミラーの動きに関する簡単なモデル307■■■■■■■■■■
マイクロ放電加工の穴特性に対する誘電体中に浮遊する粉末添加の効果307■■■■■■■■■■
Comparison_of_microtweezers_based_on_three_lateral_thermal_actuator_configurations307■■■■■■■■■■
Integrated_Magnetic_Sensing_of_Electrostatically_Actuated_Thin-Film_Microbridges307■■■■■■■■■■
CNT-フィルター特性1306■■■■■■■■■
Conformal_hydrophobic_coatings_prepared_using_atomic_layer_deposition_seed_layers_and_non-chlorinated_hydrophobic_precursors306■■■■■■■■■
DNAを用いた逐次自己組み立て306■■■■■■■■■
位相シフトマスクを利用した立体サンプルの露光法306■■■■■■■■■
低レイノルズ数で混合に使われる障害物付きパッシブ平面マイクロミキサー306■■■■■■■■■
微小座標測定の為の、先端に球を持つ微小針の製作306■■■■■■■■■
真空封止:評価デバイス306■■■■■■■■■
研究開発レター 酵素膜形状と酵素反応の表面プラズモン共鳴による測定306■■■■■■■■■
磁気トルクを利用したマイクロマシンの小型化に関する検討306■■■■■■■■■
表面活性化:Arプラズマ活性化を用いたサブミクロンAuパターン接合306■■■■■■■■■
集積化が容易な電気制御マイクロバルブ306■■■■■■■■■
シリコンの等方性エッチングにおける異方性の実験的研究305■■■■■■■■
マイクロミラーの形成技術305■■■■■■■■
レーザーによるSi表面近傍の内部加工305■■■■■■■■
A_novel_2D_dynamic_cellular_automata_model_for_photoresist_etching_process_simulation305■■■■■■■■
Letters_to_nature_;_Single-crystal_metallic_nanowires_and_metal/semiconductor_nanowire_heterostructures305■■■■■■■■
楕円振動切削加工を用いたマイクロV溝彫りチップ構造の特性305■■■■■■■■
海外文献紹介 静電付着マイクログリッパー G.Monkmann”Electroadhesive_Microgrippers_Industrial_Robot”2003,_Vol.30,_No.4,pp326-330305■■■■■■■■
生体分子つなぎ微小機械動かす;東大チーム実験成功305■■■■■■■■
構造内部に浸透させる液体封止パッケージ技術304■■■■■■■
表面プラズモン共鳴を利用した赤外光源304■■■■■■■
ペンタセントランジスタによる有機LED点灯制御回路304■■■■■■■
マイクロブリッジ構造を用いたポストCMOSインテグレーション304■■■■■■■
マイクロ化学リアクタ用の微細加工した薄膜ガス流センサ304■■■■■■■
レーザーによるガラス表面近傍の内部加工3304■■■■■■■
非対称Y字微細孔への導体充填304■■■■■■■
Characterizing_Fruit_Fly_Flight_Behavior_Using_a_Microforce_Sensor_With_a_New_Comb-Drive_Configuration304■■■■■■■
Fabrication_of_micronozzles_using_low-temperature_wafer-level_bonding_with_SU-8304■■■■■■■
Modeling_in-plane_misalignments_in_lateral_combdrive_transducers303■■■■■■
マイクロ流体素子を目的とした金属電極埋め込みPDMS三次元構造体組み立て技術303■■■■■■
世界最小HDD量産;4ギガバイト・0.85インチ型,東芝,青梅工場に新ライン303■■■■■■
慣性/圧縮性/希薄化効果を持つせん孔3D_MEMS構造の小型スクイーズ膜モデル303■■■■■■
分割した平板の同調できる線形MEMSキャパシタの開発302■■■■■
水晶小片のスプリアス研削用の高速表面マイクロ研磨302■■■■■
異方性シリコンエッチングによる錘状電極の作製技術302■■■■■
スタンピングによって半球面状に配置されたフォトディテクタアレイ302■■■■■
ナノステンシルリソグラフィーによるフルウェハのCMOS上へのNEMSの集積技術302■■■■■
バルクPZT作動のMEMS可変鏡の設計、作製と特性化302■■■■■
50nm〜mm厚の連続パターン形成時の2重薄膜過剰エッチング後の残留パターン302■■■■■
100ギガ光ディスク対応;産総研とSII,精密ピット計測装置試作301■■■
Business_;_Too_many_business_models_hinder_MEMS_growth301■■■
内部加工されたSiウェハ割断のレーザー走査速度依存性301■■■
高速原子線エッチング技術301■■■
軟鋼上のCrN/TiAlN多層膜歪ゲージ用の製造プロセス300■■■
CMOSコンパチプロセスによるMEMS放射性同位体の崩壊を活用したマイクロ発電素子300■■■
CNTプローブによるナノリソグラフィ技術300■■■
People_MEMS_;_The_sensor_market_rule_by_G.Delapierre,_CEA_leti300■■■
化学や生物の情報を取り込み電子機器が未踏の応用を開拓300■■■
多様な加工技術の競争が3次元LSIを低コスト化300■■■
可撓性h-PDMSスタンプを用いて直接印刷したOTFTアレイの製作299■■■■■■■■■■■■■■■
微小ビームの強度を測定するための新しい方法299■■■■■■■■■■■■■■■
微細加工したPDMS微生物型燃料電池299■■■■■■■■■■■■■■■
伸縮性を持つ単結晶シリコン構造の作成方法299■■■■■■■■■■■■■■■
1チップ上に集積した完全3次元の音の強さセンサ299■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-放電特性299■■■■■■■■■■■■■■■
Experimental_Verification_of_a_Design_Methodology_for_Torsion_Actuators_Based_on_a_Rapid_Pull-In_Solver299■■■■■■■■■■■■■■■
Microsystems_Motors_of_light_power_MEMS_devices299■■■■■■■■■■■■■■■
Electrostatic_micromotor_based_on_ferroelectric_ceramics298■■■■■■■■■■■■■■
接触面形状を考慮したシリコン側壁の微細加工摩擦計298■■■■■■■■■■■■■■
小さいものは大いに役立つ297■■■■■■■■■■■■■
MEMS_not_so_small_after_all297■■■■■■■■■■■■■
Scalable_electrothermal_MEMS_actuator_for_optical_fibre_alignment297■■■■■■■■■■■■■
パッケージ技術(2)・“オールSi”で小型化実現296■■■■■■■■■■■■
マイクロ操作用の電熱で動くマイクログリッパーの設計、モデル化と特性試験296■■■■■■■■■■■■
微量のアルコール検知;STマイクロ,小型部品開発,車のハンドル部に296■■■■■■■■■■■■
感温性樹脂を用いたマイクロリッター量ポンプ296■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術8296■■■■■■■■■■■■
A_New_Measurement_Microphone_Based_on_MEMS_Technology296■■■■■■■■■■■■
A_microfluidic‘blinking_bubble'_pump296■■■■■■■■■■■■
Die-to-Wafer三次元集積化技術296■■■■■■■■■■■■
Preparation_of_Phosphate-Binding-Protein-Modified_Electrode_and_Its_Application_to_Reagentless_Phosphate_Sensor296■■■■■■■■■■■■
Research_Activities-MNS_2-1.1_Microelectronics_compatible_manufacturing_techniques_of_microsystems296■■■■■■■■■■■■
CNT-ひずみ印加電気測定295■■■■■■■■■■■
Design_and_Fabrication_Aspects_of_an_S-Shaped_Film_Actuator_Based_DC_to_RF_MEMS_Switch295■■■■■■■■■■■
MST/MEMS_FOR_SAFETY_AND_SECURITY_VDI|VDE|IT_;_Safety_and_Security_for_Vehicles295■■■■■■■■■■■
PDMSの触媒性熱分解から形成した超薄超長SiC/SiO_2ナノケーブル295■■■■■■■■■■■
シリコンエッチングのアンダーカットの電気的測定例295■■■■■■■■■■■
半導体薄膜などの偏光状態295■■■■■■■■■■■
化合物半導体InPのナノ圧入試験による表面および表面直下に生じる損傷294■■■■■■■■■■
多孔質シリコン/シリコン複合メンブレンを用いた圧力センサの特性294■■■■■■■■■■
生体模倣した電子鼻と電子舌の設計294■■■■■■■■■■
直接接合プロセスのアライメント精度への影響(接合前アライメントより)294■■■■■■■■■■
自動細胞培養に用いるマイクロ流体システム294■■■■■■■■■