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出典: finemems

全件数=1872554件 ( =1件/ =10件/ =50件/ =100件)
事例タイトル閲覧回数グラフ
グレースケールリソグラフィー9032■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
PDMSの硬化条件と弾性率の関係6827■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウェットエッチング6595■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
PDMSボンディング4309■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(共振法)4039■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(片持梁の曲げ)3499■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
チオバルビツール酸法3439■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
感光性BCBのパターニング技術3069■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
紫外光照射による合成石英の欠陥生成2863■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
過酸化物価2664■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマによるレーザー光の吸収2575■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
モンテカルロシミュレーション(SRIM)2488■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
金ナノ粒子還元におけるクエン酸の役割2485■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
レジストマスクによるシリコンウエットエッチング2478■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
自己組織化単分子膜の成膜2367■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
RCWA法2360■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマダイシング2328■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンのドライエッチングと形状2217■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
リフトオフによるナノ開口製作プロセス2157■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
スマートカットによるSOIウェハの製作2101■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
電界集中係数2101■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
撥水性(疎水性)・親水性2081■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
昇温脱離分析法(TDS法)2063■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
AuSn接合におけるAu重量パーセントと共晶温度2062■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマTEOS-CVDを用いた低温SiO2膜の形成技術2058■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
スパッタによるPZT成膜2055■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルMEMSパッケージング2051■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
遺伝子増幅法1996■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
低電圧駆動(3.3V)静電型RFスイッチ1929■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:Ar_fast_atom_beam_(Ar-FAB)1869■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
インクジェットを電子部品の量産工程に適用1845■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
「PS3」向けMEMSセンサー北陸電工が“品質問題”解決宣言1811■■■■■■■■■■■■■■■■■■
AlNのウェットエッチング1807■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノファイバー(CNF)の室温合成1802■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
昇温脱離分析(TDS)による水素化物の評価1789■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
オキシナイトライドを用いた2段階可視光水分解1782■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Pyrexガラスのヘリウム透過性1774■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブのLSI応用(ITRS2007より)1750■■■■■■■■■■■■■■■■■
アルミニウムおよび銅薄膜の表面自然酸化膜破壊に必要な荷重1748■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウェーハレベルパッケージに向けたTHB-151Nの応用1726■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
アクティブフォトニック結晶1670■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面形状:パワースペクトル密度による表面形状周波数分布の解析1632■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
感光性ポリイミド膜のキュア特性1618■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SU-8のプラズマエッチング1614■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマCVD法による低応力SiC膜の堆積1595■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Hydrogen_Silsesquioxane_(HSQ)を用いた室温ナノインプリントによるベーカブルラメラグレーティングの形成1591■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
HBrプラズマによる高選択比SiCエッチング1579■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SiCのNiオーミックコンタクト1563■■■■■■■■■■■■■■■■■■
AuSnフリップチップ接合における最適温度1547■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エッチングガスの地球温暖化係数(GWP)1541■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンウェーハの反り測定方法1533■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
付着解析法(複雑な形状の場合)1507■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SOIウエーハのDeep_RIEにおけるノッチング現象1507■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
フォトニック結晶1506■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
TSVとTGVとの高周波特性比較1505■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージング技術を用いた静電2軸MEMS光スキャナの製造プロセス1499■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
チタン製微細針構造(nanosword)の局所的合成1481■■■■■■■■■■■■■■■■■
ゲルマニウムの過酸化水素水によるエッチング1480■■■■■■■■■■■■■■■■■
単結晶SiのVLS成長メカニズム1478■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
横弾性係数の測定方法(共振法)1463■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラスとガラスの陽極接合1459■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エバネッセント場と結合した導波管モードセンサの設計1443■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
"Plasmon_Coupling"を利用したナノオーダースケールの分子間距離の測定1441■■■■■■■■■■■■■■■■■■
HMDSを原料とするSiCN膜1434■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
イオン注入法1428■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
NLD_(magnetic_neutral_loop_discharge)法による石英のエッチング1391■■■■■■■■■■■■■■■■■
低温接合プロセス1374■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
BCBを用いた接合技術1365■■■■■■■■■■■■■■■■■■
「次世代アクチュエーター」特集について1332■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カメラ・モジュール用MEMSレンズ、製造/構造特許が新規参入を阻む恐れ1321■■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(押込法)1304■■■■■■■■■■■■■■■■■
オンチップトランシーバの構成、モデル化および実験用MEMSフィルタ1297■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
液相拡散接合1297■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
NLD_(magnetic_neutral_loop_discharge)法によるSiの深堀エッチング1280■■■■■■■■■■■■■■■
Siの光学常数1272■■■■■■■■■■■■■■■■
ドライエッチング1272■■■■■■■■■■■■■■■■
(111)シリコンウエハの水素化アシスト横方向微細加工1267■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
イオンゲル1263■■■■■■■■■■■■■■■
「自己組織化」による10nm以下の立体配線技術を開発(東京工大)1262■■■■■■■■■■■■■■
CMOS互換AFMチップ作製(TMAH)1258■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
充填金属の体積収縮に関する考察1255■■■■■■■■■■■■■■■■■
パリレン接合プロセス1252■■■■■■■■■■■■■■
SiTimeのレゾネータ製作法1249■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
石英基板におけるエッチングレートと選択比のHF濃度依存性1223■■■■■■■■■■■■■■■■■
非感光性BCBのパターニング技術1218■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
レジスト溶融法を用いたマイクロレンズの製作1218■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
インクジェットで血管、2種の細胞物質打ち込み、東京医科歯科大など、実用化へ1215■■■■■■■■■■■■■■■■■
DLC(Diamond_Like_Carbon)_基礎1214■■■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(三点曲げ)1203■■■■■■■■■■■■■■■
電子線レジストZEPを用いた遠紫外線リソグラフィ性能1192■■■■■■■■■■■■■■■■■
インジウムリン(InP)材料システムの端部を結合した光導波管MEMSデバイス1187■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
たんぱく質で鋳型、奈良先端大、極小素子作製に応用1180■■■■■■■■■■■■■■
アジ化ナトリウムの爆燃で作動する空気圧式マイクロアクチュエータ1180■■■■■■■■■■■■■■
ALD膜による極薄エッチングマスク1180■■■■■■■■■■■■■■
ΜTAS応用のためのモノリシックセンサー統合を用いたSOIマイクロ流体素子1177■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンカーバイド(SiC)を用いた圧力センサ1176■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
多孔質ポリエーテルサルフォン(PES)製作1168■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
簡便な垂直エッチング条件の探し方(ブラックシリコン法)1161■■■■■■■■■■■
金スズ接合のための金(80)スズ(20)電気めっき1158■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
イオンイメージセンサ ―バイオ科学とLSIの融合―1152■■■■■■■■■■■■■
たて型のくし歯動作アクチュエータによって動く2軸MEMSスキャナーの線形性1150■■■■■■■■■■■
PES膜を用いた人工腎臓1150■■■■■■■■■■■
パリレン薄膜を利用した試料の固定化・パターニング1149■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Γ-Al_2_O_3_/Si基板上にエピタキシャル薄膜を使用した超音波振動子の製作1144■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
たんぱく質で半導体メモリー、奈良先端大と松下が動作実証1144■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
たんぱく質チップとマイクロアレイ製造用の最新PDMSマイクロ流体スポッタ1143■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)充填率とビア抵抗の関係1141■■■■■■■■■■■■■■■
CMOS互換AFMチップ(TMAH作製)の利用1140■■■■■■■■■■■■■■■
オンチップ非接触操作技術1136■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
真空紫外(VUV)光による酸化膜表面の照射損傷1135■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハー結合に応用するナノ精度の位置決めの新方法1130■■■■■■■■■■■■■■
ヤング率の測定法(引張試験)1129■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベル火炎噴射熱分解によるマイクロセンサ上へのガス検出層の析出1128■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ベッセルビームによる長尺集光1127■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Au-Si共晶を用いたウエハレベル真空シール1127■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
オムロン、光通信デバイス始動、家庭用、年内に量産化、来年度売上高50億円へ1123■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハシリコンの通路を通して埋め込んだガラス上シリコンMEMSデバイス1121■■■■■■■■■■■■■
熱硬化性樹脂のマイクロモールディングによる3次元プラスチック成形1120■■■■■■■■■■■■■
「ライフ・レコーダー」の萌芽、あなたの1日を見守ります1109■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
フォトリソグラフィー法によるDNAチップの作製1106■■■■■■■■■■■■■■■■■
金スタッドバンプによる接合形成1105■■■■■■■■■■■■■■■■
エピタキシャルAlGaAs膜からなる圧電ディスク共振器1103■■■■■■■■■■■■■■
パリレンコーティングによるPDMSシール1102■■■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法1102■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:酸素大気圧プラズマ活性化によるAu薄膜接合1101■■■■■■■■■■■
すい臓も1人で検査・手術;内視鏡,使い勝手良く,オリンパス,ワイヤとカテーテル連動構造に1101■■■■■■■■■■■
より小さく、より賢いマシンとともに生活する社会へ機械分野「MEMS」1098■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SiTimeのレゾネータ:水晶振動子との比較1093■■■■■■■■■■■■■■■■■
ALDで成膜したアルミナを用いたMEMS共振器1091■■■■■■■■■■■■■■
ガスセンサアレイの定常状態レスポンスと過渡レスポンスを用いる有害ガスの識別1087■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
アドミタンス測定による微細加工くし歯動作アクチュエータの電気機械的解析1082■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス基板のCO2レーザーによる剥離の研究1079■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
オンチップマイクロ燃料電池用途に用いるナノ多孔性Si薄膜電極集合体1078■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
インプラント応用のためのマイクロシステム技術1076■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ALDで成膜したAl2O3/ZnOを誘電体膜に用いた静電容量式RF_MEMSスイッチ1076■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プロセス中の表面保護のための酸化膜犠牲層1074■■■■■■■■■■■■■■■■
「鏡筒」親指サイズ;東大・堀場製作など,走査型電子顕微鏡を試作,解像度,数10ナノメートル1073■■■■■■■■■■■■■■■
水ジェット誘導式レーザー加工1072■■■■■■■■■■■■■■
【0130−042】空気圧駆動薄膜バルブを用いた即時対応の液体内液滴の測定と溶解1071■■■■■■■■■■■■
バッキーゲル1071■■■■■■■■■■■■
HMDSによるInPの疎水化処理1069■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
2層レジストを用いたリフトオフ手法1069■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
アルミニウム表面の異方性湿潤性を達成する微小規模の表面トポロジーの創出1068■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ひび割れ検知用のファイバ光学プレートセンサの設計と機械的特性1063■■■■■■■■■■■■■
3C-SiC薄膜の残留応力と弾性係数の測定1063■■■■■■■■■■■■■
インプリント_ソフトリソグラフィ1061■■■■■■■■■■
熱酸化物(SiO_2_)の熱膨張係数の決定1061■■■■■■■■■■
FOX法(a_Ferrous_Oxidation-Xylenol_Orange_Method)1060■■■■■■■■■■
高分子ミセル構造1056■■■■■■■■■■■■■■■■
カンチレバービームのプルイン電圧計算用の漏れ磁場を考慮した分析モデル1054■■■■■■■■■■■■■■
ガラス陽極結合に金属を用いた堅固な流体相互接続の組立1051■■■■■■■■■■
HF気相エッチングによる犠牲層酸化膜エッチング技術1045■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SU-8を凌ぐ高アスペクト比マイクロ構造体の形成1043■■■■■■■■■■■■■■■■■
イオンビーム転写リソグラフィを用いた非平面上のナノスケールパターン刻印1037■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
オンチップ試料用マイクロチャンネル中で溶液を置換する3D動電学的流れの状態1037■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
アモルファス過フッ化炭化水素ポリマーのリフローによるマイクロ屈折レンズ1035■■■■■■■■■■■■■■■■■■
かしめ工法を利用した常温接合技術1034■■■■■■■■■■■■■■■■■
PDMSの3次元切削加工1032■■■■■■■■■■■■■■■
表面処理:SAM処理による付着力の影響1028■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガスの痕跡検出用センサシステム−ロボットとセンサネットワーク1026■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラス質カーボンモールドの機械的および形態学的特性に関する熱処理条件の効果1025■■■■■■■■■■■■■■■■■
らせん状微小構造体;フラーレン内包のCNTで,九大と産総研が水中で作製,エレや材料科学に新用途1023■■■■■■■■■■■■■■■
PDMSのエッチング1018■■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSによるイオントラップ型量子コンピュータ1010■■■■■■■■■■
Μ-EDMによる電気的測定1007■■■■■■■■■■■■■■■■■
キャビティ付マイクロチャンネル内の液体の流れ1004■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージング技術を用いた静電2軸MEMS光スキャナのミラー振れ角と真空度の関係1002■■■■■■■■■■■■
ステルスダイシング1002■■■■■■■■■■■■
アルミナ粒子の圧縮破壊強度1000■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージ995■■■■■■■■■■■■■■■■■■
タングステンを用いたSi貫通ビア(TSV)994■■■■■■■■■■■■■■■■■
クヌーセン圧縮機の熱クリープ駆動流とナノ/マイクロスケールのガス輸送路992■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン貫通電極(TSV)構造の分類991■■■■■■■■■■■■■
CNT-金属間の接触抵抗990■■■■■■■■■■■■■
感光性PDMS988■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
コーン形状型マイクロバンプの形成987■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
誘電体膜上のエレクトロウェッティング(EWOD)効果測定用テスト構造983■■■■■■■■■■■■■■■
昇温脱離分析(TDS)による熱脱離生成物の定量評価980■■■■■■■■■■■■
常温接合978■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
グレイスケール技術を用いた自動2軸光ファイバー位置合わせ972■■■■■■■■■■■■■
ボイド形成剥離(Viod-Assited_Separation972■■■■■■■■■■■■■
ガラスと高親和な金属:Kovar970■■■■■■■■■■■
めっきによる銅バンプ形成技術968■■■■■■■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法における充填材料の選定964■■■■■■■■■■■■■
活性酸素種分析のための化学発光プローブ960■■■■■■■■■
いよいよ実現-カプセル内視鏡の現状と将来960■■■■■■■■■
サファイア基板の改質層のエッチング954■■■■■■■■■■■■■
マスクレスグレースケールリソグラフィによるマイクロレンズアレイ作製953■■■■■■■■■■■■
Si基板上へのIII/V化合物結晶接合"SmartCut"947■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
感光性ポリイミド絶縁層材料946■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノメカニカル振動子のノイズ944■■■■■■■■■■■■■■■■■
ビームリード法によるチップ実装技術939■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
サファイア基板のフェムト秒レーザー改質938■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
クライオプロセスと熱酸化によるSiO2深堀り構造の形成929■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ペンタセン薄膜の移動度とグレインサイズとの関係928■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
金表面へのDNAの固定化法926■■■■■■■■■■■■■■■■■
電気的測長手法925■■■■■■■■■■■■■■■■
光電気信号変換モジュール924■■■■■■■■■■■■■■■
電気化学DNAセンサー918■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージング技術を用いた静電2軸MEMS光スキャナの共振周波数特性917■■■■■■■■■■■■■■■■
エネルギー閉じ込め型共振子916■■■■■■■■■■■■■■■
Siチップの内部応力に及ぼすダイボンド弾性率の影響912■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)ビア配線のバリスティック伝導912■■■■■■■■■■■
ラジフロリーク試験912■■■■■■■■■■■
デュアルハードマスクプロセスを用いたダマシン配線構造911■■■■■■■■■
オムロンがMEMS工場を披露、200mmでCMOSとMEMSを融合910■■■■■■■■■
RIEを用いたポリイミドのエッチング技術905■■■■■■■■■■■■■■
細胞中の酸化ストレス標識試薬904■■■■■■■■■■■■■
空気圧駆動バルブを用いたぺリスタポンプ902■■■■■■■■■■■
ガスデポジションGD法による金バンプ形成技術900■■■■■■■■■
タンパク質の高感度検出法896■■■■■■■■■■■■■■■■■■
カギは低コストの密閉技術、次は高性能CMOSとの融合へ893■■■■■■■■■■■■■■■
APCVDによるSiO2とSi3N4上へのSiC成膜893■■■■■■■■■■■■■■■
FIB-CVD法によるカーボンナノ構造体作製技術889■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
熱応答性ポリマー887■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エピタキシャル3C-SiCの薄膜の機械的特性884■■■■■■■■■■■■■■■
石英ガラスのウエットエッチング技術882■■■■■■■■■■■■■
フォトニック偏光子集積イメージャ879■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siの金属誘起エッチング(metal-induced_etching)875■■■■■■■■■■■■■■■
ワイヤグリッド偏光子集積イメージャ874■■■■■■■■■■■■■■
エピGaAs薄膜の犠牲層ひきはがし872■■■■■■■■■■■■
Cavity-SOIウェハ867■■■■■■■■■■■■■■■
超高密度MEMS垂直プローブカード866■■■■■■■■■■■■■■
パリレンによるPDMSの空気透過性制御863■■■■■■■■■■■
タンパク質検出用アレイ862■■■■■■■■■■
Cuボイドフリーめっき技術862■■■■■■■■■■
フレキシブルエレクトロニクス859■■■■■■■■■■■■■■■■■
真空パッケージングに対するパリレンボンディングの特性859■■■■■■■■■■■■■■■■■
Dundursコンポジットパラメータ857■■■■■■■■■■■■■■■
X線リソグラフィ技術853■■■■■■■■■■■
研削によるAuバンプの平滑化と接合851■■■■■■■■
ガスクラスターイオンビームによるSi側壁の平坦化技術849■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ダマシンプロセスによるCNTビア配線849■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマ重合装置の製作849■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Poly-Si/Wを用いたSi貫通ビア(TSV)848■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
BOSCHプロセス844■■■■■■■■■■■■■■■■
TSVの高周波特性の評価方法842■■■■■■■■■■■■■■
RIE用マスクの作成方法(Ni電鋳)837■■■■■■■■■■■■■■■■■■
常温ウエハ接合:Cu薄膜(微細電極)836■■■■■■■■■■■■■■■■■
自己組織化単分子層(SAM)パターニングと銀ナノ粒子の選択堆積836■■■■■■■■■■■■■■■■■
3D-MID技術836■■■■■■■■■■■■■■■■■
レーザーによるアモルファスSiの再結晶化836■■■■■■■■■■■■■■■■■
LPCVD法による多結晶SiGe薄膜の作製方法834■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン/ガラス接合構造におけるDeep-RIEプロセス833■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ3相交流発電機のためのCMOS整流回路833■■■■■■■■■■■■■■
フリットガラスによる真空封止とその評価831■■■■■■■■■■■
せん断モード圧電素子アクチュエータのポーリング処理設計826■■■■■■■■■■■■■■■■
ウェハ貫通エッチング孔(DRIEによる)精度の電気的測定826■■■■■■■■■■■■■■■■
プロービング:フリッティングコンタクト826■■■■■■■■■■■■■■■■
イオン注入による機能加工825■■■■■■■■■■■■■■■
アルカリ現像ポジ型感光性BCBのパターニング技術823■■■■■■■■■■■■■
ダイヤモンドナノエミッタの開発823■■■■■■■■■■■■■
アルミナ系スラリーを用いたCuのCMP技術822■■■■■■■■■■■■
モルフォ蝶を規範とした構造発色デバイス820■■■■■■■■■■
多層膜の透過率、反射率解析819■■■■■■■■■■■■■■■■■
微細コンタクトバンプ形成技術817■■■■■■■■■■■■■■■
グロー放電プラズマによるMEMS圧力センサへの電荷移動817■■■■■■■■■■■■■■■
コンプライアンス検出用触覚センサ817■■■■■■■■■■■■■■■
感光性ポリイミドのパターニング技術816■■■■■■■■■■■■■■
熱圧着:Au-Auバンプ接合809■■■■■■■■■■■■■■■■■
コメ粒大触覚センサー、ロボットの動き繊細に、東大と松下、介護・家事用807■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンを基礎技術としたチップ上のトランス805■■■■■■■■■■■■■
スプレーコーティング法を用いたMOSFET容量性センサの製作805■■■■■■■■■■■■■
表面の接触解析805■■■■■■■■■■■■■
CNTs-電歪効果805■■■■■■■■■■■■■
PEDOT:PSS803■■■■■■■■■■■
エアロゾルデポジション801■■■■■■■■
プラズマ活性化法による水晶とSiの低温直接接合799■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
【特許】水ジェット誘導式レーザー加工796■■■■■■■■■■■■■■■■■
低温PECVD窒化シリコン薄膜のポアソン比796■■■■■■■■■■■■■■■■■
Au-In(TLP)ウエハ接合によるMEMS真空パッケージ796■■■■■■■■■■■■■■■■■
LSI集積化MEMS:DMDの例796■■■■■■■■■■■■■■■■■
RF_MEMSスイッチの信頼性796■■■■■■■■■■■■■■■■■
インプリント_段差付パターン795■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンをベースとした空気呼吸型マイクロ直接メタノール燃料電池795■■■■■■■■■■■■■■■■
LSI集積化MEMS:Analog_Devicesの慣性センサの例793■■■■■■■■■■■■■■
超小型MEMSミラープロジェクタを開発(コニカミノルタ)793■■■■■■■■■■■■■■
ノンシアン銀めっきによる微細配線技術791■■■■■■■■■■■
ガラス-PDMS-ガラスからなるマイクロ流体デバイスの製作790■■■■■■■■■■■
過酸化脂質測定試薬789■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SPMを用いたナノスケール弾性特性評価789■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
エンコーダー2.8mm角に(エクストコム)788■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマ表面活性化を利用したウェハ低温接合技術788■■■■■■■■■■■■■■■■■■
コンパクトに配置した電熱動作一体型の長く伸びるマイクロドライブの設計と評価785■■■■■■■■■■■■■■■
O3-TEOSによる貫通孔側壁絶縁膜の形成785■■■■■■■■■■■■■■■
結晶異方性エッチング783■■■■■■■■■■■■■
微細多層配線形成技術782■■■■■■■■■■■■
SOI基板とPDMSスタンプを用いたマイクロ構造のスタンピング転写法781■■■■■■■■■■
溶融金属充填法における酸化錫の低減に向けた検討779■■■■■■■■■■■■■■■■■■
O2プラズマ処理を用いたInP基板とSi基板の接合777■■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージングした酸化金属(MOX)ガスセンサ775■■■■■■■■■■■■■■
Siチップの内部応力に及ぼすダイボンド厚みの影響774■■■■■■■■■■■■■
エアロゾルデポジション法による圧電材料の成膜774■■■■■■■■■■■■■
EMIテスタ774■■■■■■■■■■■■■
コンフォーマルW-TSVの形成772■■■■■■■■■■■
生体分子間結合力の測定771■■■■■■■■■
アライメント機構付きシャドウマスクの位置合わせ精度の向上770■■■■■■■■■
P型<110>方位シリコンナノワイヤのピエゾ抵抗特性770■■■■■■■■■
チャレンジ新製品、MEMSセンサー、省エネ化の大きな力に(オムロン)769■■■■■■■■■■■■■■■■
スクリーン印刷した触媒電極のMEMS燃料電池への適用768■■■■■■■■■■■■■■■
細径中空同軸線766■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ-ニッケルナノ複合材料の機械的強度762■■■■■■■■■
BHF、KOHによるシリコン表面の粗化761■■■■■■■
MEMSチップのダイシング工程に対する保護(保護フィルム編)761■■■■■■■
Siフュージョンボンディングを用いた微小ガラス管の製作759■■■■■■■■■■■■■■■■
フェムト秒パルスによる非熱的加工758■■■■■■■■■■■■■■■
パイレックス基板の改質層のエッチング757■■■■■■■■■■■■■■
AZ4562のサーフェスマイクロマシニングへの応用757■■■■■■■■■■■■■■
多目的環境センシングシステムに向けたSOI-MEMSセンサの作製756■■■■■■■■■■■■■
次世代のLSI-MEMS集積化技術:SiGe技術754■■■■■■■■■■■
溶融はんだ吐出法を用いた真空封止技術752■■■■■■■■■
コオロギの尾角を規範とした流量センサ752■■■■■■■■■
低温拡散接合で用いるAg-In層の組成分析752■■■■■■■■■
圧力センサ用金属ガラスダイアフラム751■■■■■■■
ClF3ガスを用いたSiGeエッチングによる可動構造のリリース750■■■■■■■
微小塩素ガスセンサー748■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
櫛歯748■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
(110)シリコン中の1-D光バンドギャップ・チューナブル光学フィルタ747■■■■■■■■■■■■■■■■■■
InGaAs/GaAsの導電率測定747■■■■■■■■■■■■■■■■■■
基板変形によるチップ内部応力に及ぼすダイボンド材料特性の影響744■■■■■■■■■■■■■■■
ウエハ接合:ガラスなど744■■■■■■■■■■■■■■■
ガウシアン集光とベッセル集光の強度分布比較744■■■■■■■■■■■■■■■
タンパク質分析用蛍光検出分子プローブ742■■■■■■■■■■■■■
表面処理:毛管力の簡易モデル741■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術6740■■■■■■■■■■■
シリコンピエゾ抵抗型6軸フォース・モーメントセンサ740■■■■■■■■■■■
ペプチドタグを利用したタンパク質固定化法740■■■■■■■■■■■
ゲルを開発、自律的に伸び縮み、医療分野に応用、東大、人工臓器の筋肉に739■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
ポリシリコンによる貫通電極739■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
インターポーザーの試作と機能の実証736■■■■■■■■■■■■■■■■
撥水処理による気液分離構造736■■■■■■■■■■■■■■■■
ICP-RIEトレンチの側壁平滑化736■■■■■■■■■■■■■■■■
細胞膜模倣ポリマー735■■■■■■■■■■■■■■■
オンチップ二次元電気泳動システム734■■■■■■■■■■■■■■
インプリント_多層パターン733■■■■■■■■■■■■■
ガスフロー型高速スパッタによるPZT成膜733■■■■■■■■■■■■■
フェライトと非磁性体の拡散接合733■■■■■■■■■■■■■
ウエハ接合の評価クライテリア732■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術1731■■■■■■■■■■
ノンシアン無電解金めっきによる微細バンプ形成技術728■■■■■■■■■■■■■■■■■
TSVの高周波特性の基板比抵抗依存性723■■■■■■■■■■■■
微結晶SiGeのピエゾ抵抗効果723■■■■■■■■■■■■
BCB材料のプロセスと高周波特性の評価723■■■■■■■■■■■■
MEMSのためのALDによる保護膜723■■■■■■■■■■■■
RIE_lag722■■■■■■■■■■■
SiO2犠牲層によるSiCの選択的成長方法722■■■■■■■■■■■
インクジェットプリント技術を利用したマイクロ流路の作製と応用722■■■■■■■■■■■
ウェーハレベルチップスケールパッケージの薄膜配線におけるビア接続抵抗に関する評価720■■■■■■■■■
表面処理:SAM膜の摩耗特性720■■■■■■■■■
インテル、超小型端末719■■■■■■■■■■■■■■■■
スタンプ疎水性局所制御PDMSによる細胞培養チャンバ719■■■■■■■■■■■■■■■■
タイヤ内センサーの無線監視システムを開発(横浜ゴム)718■■■■■■■■■■■■■■■
大小開口の同時作製ができる酸素添加型ボッシュプロセス718■■■■■■■■■■■■■■■
III-V族化合物半導体結晶のSi基板への転写718■■■■■■■■■■■■■■■
接着 BCB転写717■■■■■■■■■■■■■■
Electrowetting(液滴駆動)716■■■■■■■■■■■■■
チップ上の4方向エジェクターによる固体表面上のオン・デマンドDNA合成716■■■■■■■■■■■■■
キネシン駆動のマイクロデバイス715■■■■■■■■■■■■
CO2レーザーによるガラスの表面加工715■■■■■■■■■■■■
タンパク質の高感度かつ簡易的検出法の創製714■■■■■■■■■■■
ビア配線のためのカーボンナノチューブ(CNT)束の緻密化714■■■■■■■■■■■
Siバルクマイクロマシニング712■■■■■■■■■
局所加熱による低温ウエハ接合712■■■■■■■■■
薄膜グルコースバイオセンサー711■■■■■■■
アプタマーを利用した電気化学的タンパク質検出710■■■■■■■
発振器で沸き立つ「MEMS_vs.水晶」比較論を水晶発振器メーカーが語る709■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノポーラスシリコン708■■■■■■■■■■■■■■■
ナノ開口向けにチューンしたボッシュプロセス708■■■■■■■■■■■■■■■
(110)シリコン結晶の湿式エッチングによるシリコンナノワイヤの多量生産707■■■■■■■■■■■■■■
高アスペクト貫通孔への銅メッキ技術706■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)と金属ナノワイヤのハイブリッド構造703■■■■■■■■■■
スパッタリングしたTi薄膜の機械的特性のArガス圧依存性702■■■■■■■■■
0.25μmCMOS上へのポストプロセス許容温度702■■■■■■■■■
ETP技術を利用した高レ-トSi深堀りエッチング702■■■■■■■■■
LIGAプロセス702■■■■■■■■■
CMOS集積化のためのAlN薄膜の表面マイクロマシニングによる2GHzレゾネータ701■■■■■■■
薄膜金属ガラスのスパッタ成膜701■■■■■■■
ウェハレベル接合によるマイクロストリップアンテナ素子701■■■■■■■
ガラスフリット接合による高圧、高温デバイスの流体パッケージング701■■■■■■■
ガラス内部クラック形状のレーザー集光形状依存性700■■■■■■■
タンパク質を可視化するための新規標識法700■■■■■■■
ウェハ貫通エッチング孔(KOHによる)精度の電気的測定698■■■■■■■■■■■■■■■■■■
LiNbO3とSiの直接接合697■■■■■■■■■■■■■■■■■
ひずみ増幅圧電MEMSアクチュエータ696■■■■■■■■■■■■■■■■
ソーキングを用いたリフトオフ696■■■■■■■■■■■■■■■■
ピエゾ抵抗型4軸ジョイスティック696■■■■■■■■■■■■■■■■
エピGaAs薄膜の犠牲層ひきはがしの最適化695■■■■■■■■■■■■■■■
ナノポーラスゼオライトを用いたクヌーセンポンプ695■■■■■■■■■■■■■■■
タグチメソッドによるマイクロ球状ファイバープローブ作製の最適化694■■■■■■■■■■■■■■
パリレン厚膜を用いたシャドウマスク694■■■■■■■■■■■■■■
Characterization,_modelling_and_performance_evaluation_of_CMOS_integrated_multielectrode_tunable_capacitor(MTC)693■■■■■■■■■■■■■
MEMS実装:GaNの常温直接接合692■■■■■■■■■■■■
MEMS用撥水性シリル化コーティング技術692■■■■■■■■■■■■
めっきによる貫通配線ガラスの作製691■■■■■■■■■■
スペーサ法で製作した金属製マイクロチャンネル内マイクロ流体の流れ691■■■■■■■■■■
キャビティ構造の基板を用いた電子回路モジュールの製造性と信頼性690■■■■■■■■■■
チップ上で増幅・解析;遺伝子,栄研化学と徳島大大学院,基礎技術を開発689■■■■■■■■■■■■■■■■■■
キネシン微小管を利用した構造物の搬送687■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロサイズSi単結晶の破壊応力と破壊靭性の異方性687■■■■■■■■■■■■■■■■
ステンレス基板を使ったスキャナ685■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:プラスマ活性化を用いたAu-Au接合によるLiNbO3/Si実装685■■■■■■■■■■■■■■
精密銅めっきによる微細配線形成技術の応用684■■■■■■■■■■■■■
ウェーハ張り合わせによる三次元集積化技術684■■■■■■■■■■■■■
偏光検出CMOSイメージセンサ683■■■■■■■■■■■■
離型剤不要のフッ素樹脂モールド材料およびフッ素含有UV硬化性樹脂682■■■■■■■■■■■
金属プレス加工を用いたMEMS製造682■■■■■■■■■■■
超音波熱圧着:Au-Auフリップチップ接合682■■■■■■■■■■■
カプセル内視鏡の現状と将来682■■■■■■■■■■■
カメラの製造手法をMEMSで変える、半導体メーカーの事業領域に682■■■■■■■■■■■
セル―ポリマーハイブリッドシステム用複合3Dポリマー構造の作製681■■■■■■■■■
高アスペクト比W-TSVとCu-ポリイミド接合を用いた3D-ICの作製680■■■■■■■■■
非真空ボトムアップ銀ナノ粒子析出方法679■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガスフロースパッタリング678■■■■■■■■■■■■■■■■
高速デジタル信号伝送特性測定技術677■■■■■■■■■■■■■■■
インプリント_ローラインプリント676■■■■■■■■■■■■■■
イオン液体へのスパッタ蒸着によるナノ粒子生成法675■■■■■■■■■■■■■
サスペンション高アスペクト比マイクロ構造の新しい製作方法675■■■■■■■■■■■■■
シリコンのMEMSプロセス中の陽極酸化:自然酸化膜は予想より厚い674■■■■■■■■■■■■
シリコンマイクロチャンネル内の凝縮熱移動と流れ摩擦674■■■■■■■■■■■■
バイモルフ型ピストンチップチルトマイクロミラー674■■■■■■■■■■■■
空気圧駆動バルブ674■■■■■■■■■■■■
表面活性化:シーケンシャルプラズマプロセス674■■■■■■■■■■■■
0.35μmBiCMOS集積化MEMSの機械特性計測674■■■■■■■■■■■■
超高速TDT測定技術673■■■■■■■■■■■
同軸配線プリント回路基板672■■■■■■■■■■
疎水性パターニングによる液体導波路672■■■■■■■■■■
シリコンの自己調心形塑性変形を用いた微細加工のねじりアクチュエータ672■■■■■■■■■■
圧覚と力覚の複合ディスプレイ装置の試作671■■■■■■■■
ピラミッド構造型マイクロバンプの形成670■■■■■■■■
Au-In合金接合を用いたウエハレベル真空パッケージング669■■■■■■■■■■■■■■■
SiO2モールドによるSiCのパターニング技術667■■■■■■■■■■■■■
オムロン、10年度以降100億円めざす、MEMSデバイス事業売上げ666■■■■■■■■■■■■
レーザー加工形状のパルス幅依存性(Si)665■■■■■■■■■■■
シングルチップRFLSI向け低電圧駆動RF_CMOS-MEMSスイッチ664■■■■■■■■■■
凹凸表面を用いた撥水性の切り替え664■■■■■■■■■■
高精度フリップチップ接続技術664■■■■■■■■■■
水メニスカスによるスティクションの理論的考察663■■■■■■■■■
スピンコート法によるフレキシブルプリント配線板作製技術663■■■■■■■■■
ソフト鋳型のマイクロ移送成形によるマイクロレンズアレイの迅速製造法663■■■■■■■■■
プラズマ表面活性化を利用した低温接合技術663■■■■■■■■■
ガラス貫通Si電極を用いたSOG-MEMSデバイス実装662■■■■■■■■
金ナノ粒子単分子膜による蛍光増強662■■■■■■■■
シリコンマイクロチャンネル内の蒸気凝縮中の噴射流体の流れ661■■■■■■
ナノバイオマシン創製へ,JBA調査委が報告書(上);実用技術と融合推進,研究者の参集不可欠660■■■■■■
ファブリペロー共振器の安定性ダイヤフラムについて660■■■■■■
ブラウンノイズのセンサへの影響660■■■■■■
実装測定用プローブステーション660■■■■■■
単結晶ダイヤモンドの鉄系金属との化学反応および燃焼による加工659■■■■■■■■■■■■■■■
ZiBond :酸化膜の低温接合技術659■■■■■■■■■■■■■■■
パイレックス基板のフェムト秒レーザー改質659■■■■■■■■■■■■■■■
参入予備軍10社以上のMEMSマイク“Knowles特許”が新規参入拒む恐れ658■■■■■■■■■■■■■■
液相拡散接合の実際657■■■■■■■■■■■■■
スパッタによるナノドット形成技術657■■■■■■■■■■■■■
サンドイッチ構造によるRF_MEMS梁の反り抑制656■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)による基板貫通接続655■■■■■■■■■■■
O3-TEOS-CVDを用いたSiO2によるCNT埋め込み655■■■■■■■■■■■
グリーンレーザーによる自己形成光導波路(Self-Written_Waveguide)653■■■■■■■■■
シリコン、パイレックス、COCマイクロ流体チップ用各種PDMS相互接続解決法653■■■■■■■■■
デバイス技術を駆使し、個人の体質に合わせた医療を実現652■■■■■■■■
プロテインアレイ651■■■■■■
医療用マイクロロボット651■■■■■■
活性酸素消去能測定650■■■■■■
ソフトリソグラフィ技術を用いたアルミナマイクロ構成部品の網目形成プロセス650■■■■■■
高速熱拡散法による薄膜ピエゾ抵抗層形成650■■■■■■
InGaAs/GaAsナノコイルによる電気伝導度センサー650■■■■■■
ウェットエッチングによるシリコン対向ナノ針端の製作649■■■■■■■■■■■■■■■■■■■
レーザーの産業応用647■■■■■■■■■■■■■■■■■
微細ピッチ高周波コンタクトプローブ645■■■■■■■■■■■■■■■
導電性パラフィンによる熱相変化アクチュエーター644■■■■■■■■■■■■■■
ガラス熱割断のレーザー照射形状依存性644■■■■■■■■■■■■■■
MEMSチップのダイシング工程に対する保護(両面レジスト編)642■■■■■■■■■■■■
無電解めっき法による微細ピッチフリップチップ接続641■■■■■■■■■■
溶融金属充填法における充填金属の密着性向上に向けた検討638■■■■■■■■■■■■■■■■■
DeepRIE加工溝内壁の均一酸化638■■■■■■■■■■■■■■■■■
SEM式ナノプロービング638■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラスの内部加工(波長800nm)638■■■■■■■■■■■■■■■■■
パターン形成(100)InP基板上の等角AZ5214-Eレジスト沈着637■■■■■■■■■■■■■■■■
電着ポリイミド絶縁層による微細多層配線技術637■■■■■■■■■■■■■■■■
「Foturan_TM」光電性ガラスの集束イオンビーム微細加工636■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロマニピュレーションによる3次元フォトニック結晶の作製方法636■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンを用いたチューナブル光薄膜フィルタの熱的光学的特性635■■■■■■■■■■■■■■
テーパーTSVの形成技術635■■■■■■■■■■■■■■
CNT-AFM探針を用いた計測635■■■■■■■■■■■■■■
スクリーン印刷で作製、有機アクチュエーター、コスト安く複雑成形、日立634■■■■■■■■■■■■■
熱源と温度センサを備えた流速センサ634■■■■■■■■■■■■■
石英基板のフェムト秒レーザー改質634■■■■■■■■■■■■■
小型温度環境試験装置633■■■■■■■■■■■■
CNT_arrayを用いた接触熱抵抗低減633■■■■■■■■■■■■
クランク形状貫通配線の導電性評価632■■■■■■■■■■■
シリコン・マイクロカンチレバー・ヒーターの電気的、熱的、機械的特性化632■■■■■■■■■■■
フュージョンボンディングとシリコンナノ表面粗さの関係631■■■■■■■■■
スーパーカーボンナノチューブからなる超高感度質量センサおよび歪センサ630■■■■■■■■■
マイクロメカニカル共鳴静電界センサの設計と試験630■■■■■■■■■
厚膜レジストAZ9260を用いた高アスペクト比コイルの作製630■■■■■■■■■
薄膜チタンゲッターと陽極接合を用いた真空パッケージング630■■■■■■■■■
スプレー塗布中の平坦化:数値的研究629■■■■■■■■■■■■■■■■■
タンパク質のハイスループット検出法629■■■■■■■■■■■■■■■■■
柔軟な関節機構による負ポアソン比を持つ材料628■■■■■■■■■■■■■■■■
実装:AuSnはんだとIn系はんだによる光素子実装626■■■■■■■■■■■■■■
RF-MEMS用複合型ウェハレベルパッケージング626■■■■■■■■■■■■■■
CNT-光学吸収の異方性625■■■■■■■■■■■■■
SCREAM_(Single_Crystal_Silicon_Reactive_Etch_and_Metal)_process625■■■■■■■■■■■■■
マイクロ液体レートジャイロ625■■■■■■■■■■■■■
レーザー加工形状のパルス幅依存性(Cu)625■■■■■■■■■■■■■
イオンビームスパッタ法による中空封止技術624■■■■■■■■■■■■
An_Electrostatic,On/Off_Microvalve_Designed_for_Gas_Fuel_Delivery_for_the_MIT_Microengine623■■■■■■■■■■■
Paryleneボンディング623■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工(波長355nm)621■■■■■■■■
タンパク質分析用新規比色分析試薬の創製621■■■■■■■■
スパッター蒸着Crハードマスクを用いた深化溶融石英ウェットエッチング619■■■■■■■■■■■■■■■
チップデバイスによるMEMS特性評価619■■■■■■■■■■■■■■■
マルチウォールCNTとTi電極へのオーミック接触同時形成619■■■■■■■■■■■■■■■
微細加工したシリコン構造体のステインエッチング619■■■■■■■■■■■■■■■
表面処理:酸素大気圧プラズマによる表面洗浄618■■■■■■■■■■■■■■
フレキシブルポリマー格子を用いたSPR(Surface_Plasmon_Resonance)coupler製作618■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブのマイクロ電極アレイ616■■■■■■■■■■■■
平板間における水メニスカスによる付着力の挙動615■■■■■■■■■■■
自己組織化膜を利用したスティッキング対策614■■■■■■■■■■
ガラスとガラスの陽極接合と静電気力614■■■■■■■■■■
ガラス内部クラック幅のレーザー波長依存性614■■■■■■■■■■
シリコンマイクロヒーターのモデリングと実験的同定:システムの研究614■■■■■■■■■■
TSVの高周波特性の孔壁絶縁膜依存性613■■■■■■■■■
シリコンのピエゾ抵抗率613■■■■■■■■■
3次元配線形成のためのスプレーコート技術613■■■■■■■■■
CNT-メンブレンのプラズマ処理612■■■■■■■■
三鎖構造を有するLB膜味覚センサの検出特性612■■■■■■■■
ガスデポジションGD法による金バンプ形成技術の応用611■■■■■■
ピエゾ抵抗型流量センサ611■■■■■■
環状タングステンTSV技術611■■■■■■
水素雰囲気アニール610■■■■■■
SiマイクロプローブおよびSiO2マイクロチューブアレイとMOSFETの集積化プロセス610■■■■■■
ウエハレベルハーメチック薄膜封止技術610■■■■■■
インクジェットによる化学センサチップ製作609■■■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブの超塑性変形609■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロマシニングによるクヌーセンポンプの作製609■■■■■■■■■■■■■■■
低温デバイス高速信号対応検査冶具609■■■■■■■■■■■■■■■
水晶振動子・フィルタのオンチップ集積化609■■■■■■■■■■■■■■■
微小酸素センサー608■■■■■■■■■■■■■■
ガラス内部加工のレーザー波長依存性608■■■■■■■■■■■■■■
ポリマー・パラフィン・マイクロアクチュエータ608■■■■■■■■■■■■■■
A_study_on_resonant_frequency_and_Q_factor_tunings_for_MEMS_vibratory_gyroscopes608■■■■■■■■■■■■■■
Si表面のアモルファス化606■■■■■■■■■■■■
ダイヤモンドおよびダイヤモンド様炭素のMEMS606■■■■■■■■■■■■
ウェハレベル接合用新規熱硬化性ナノインプリントレジスト605■■■■■■■■■■■
デバイス中への液体封止技術605■■■■■■■■■■■
ポリシラザンを用いた無機材料低温接合法605■■■■■■■■■■■
シリコン熱抵抗型2軸ジャイロスコープ604■■■■■■■■■■
ジブロックコポリマーのミクロ相分離を利用したナノ構造パターニング604■■■■■■■■■■
ポリマー基板上へのカーボンナノチューブのマイクロ波援用パターニング604■■■■■■■■■■
CNTs-スーパーグロース法2-CNTの特徴604■■■■■■■■■■
石英基板の改質層のエッチング604■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブによる伸縮性導体603■■■■■■■■■
Siの内部加工(波長1064nm)602■■■■■■■■
擬似SOC602■■■■■■■■
AFM利用ナノファイバーの接合強度602■■■■■■■■
CNTとMEMS、SOI_CMOSによる新しいガスセンサ602■■■■■■■■
多層CNTによる1GHz配線601■■■■■■
親水性SU-8を用いた接着技術601■■■■■■
非対称構造を持ったアインツェルレンズのデザイン方法600■■■■■■
陽極接合の低温化(Siメタライズ層の影響)600■■■■■■
インクジェットを用いたオンデマンド配線および接合600■■■■■■
単結晶ダイヤモンドの熱化学反応による加工600■■■■■■
微細構造ウエットエッチング後の乾燥法600■■■■■■
接合 表面活性化 O2プラズマの照射時間599■■■■■■■■■■■■■■■■■■
超高速TDT測定技術の応用599■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Fabry-Perot共振器の電磁界解析599■■■■■■■■■■■■■■■■■■
プラズマ重合薄膜を利用したグルコースセンサー599■■■■■■■■■■■■■■■■■■
Siの内部加工(波長1560nm)598■■■■■■■■■■■■■■■■■
The_role_of_Triton_surfactant_in_anisotropic_etching_of_{110}_reflective_planes_on_(100)_silicon597■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMS-IC縦方向集積のためのバンプなし接合597■■■■■■■■■■■■■■■■
Au接合を用いたRF-MEMS用ウエハレベルハーメチックパッケージ596■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン共振器596■■■■■■■■■■■■■■■
スティクション障害カンチレバーの応力波修理の破壊力学の解説:理論と実験596■■■■■■■■■■■■■■■
チャンネルと貯蔵部を形成したエジェクタアレイを覆う被膜の移動と貼り付け技術596■■■■■■■■■■■■■■■
フィードバック型SThMによる局所実温度計測法596■■■■■■■■■■■■■■■
微粒子のセルフアセンブリ技術595■■■■■■■■■■■■■■
Cavity-through_DRIE595■■■■■■■■■■■■■■
MEMSによるマイクロ真空計594■■■■■■■■■■■■■
シリコンの塑性変形を用いた立体構造594■■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術2594■■■■■■■■■■■■■
SAWデバイスにおける端面反射波のキャンセル593■■■■■■■■■■■■
SiGeを用いたマイクロミラーアレイ593■■■■■■■■■■■■
マイクロウェーブ加熱による金ナノ粒子作製手法592■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術5592■■■■■■■■■■■
A_MEMS_Electromagnetic_Optical_Scanner_for_a_Commercial_Confocal_Laser_Scanning_Microscope591■■■■■■■■■
SOI大規模集積回路のPDMSへの集積化590■■■■■■■■■
ガラス真空封止MEMSにシリコン垂直フィードスルーを開ける590■■■■■■■■■
非破壊で陽極接合の強度を評価するテスト構造589■■■■■■■■■■■■■■■■■
レーザーパルスの長さ588■■■■■■■■■■■■■■■■
ロボットが内視鏡操作、腹腔鏡手術、安心に、岐阜大など588■■■■■■■■■■■■■■■■
Deep-RIEでSiをコネクタ加工588■■■■■■■■■■■■■■■■
導電性高分子によるエレクトロクロミック現象588■■■■■■■■■■■■■■■■
吊り下げ構造を持つCMOSLSI一体型MEMSLCレゾネータ587■■■■■■■■■■■■■■■
多段階塗布・露光工程を用いた多層SU-8構造の作製587■■■■■■■■■■■■■■■
Poly-SiC表面マイクロマシニングによる垂直共振子587■■■■■■■■■■■■■■■
プロジェクタ応用MEMSスキャナ586■■■■■■■■■■■■■■
グルコースオキシダーゼ親和性ペプチドの開発585■■■■■■■■■■■■■
スーパーオキシド測定試薬585■■■■■■■■■■■■■
ディスプレイ、内臓プロジェクターでみんなが楽しむ機器へ585■■■■■■■■■■■■■
PECVDを用いた多層成膜によるポストプロセス向けSiGe膜585■■■■■■■■■■■■■
STM-TEMによるブレイクジャンクション法を用いた金単原子鎖の観察585■■■■■■■■■■■■■
STMを用いた単原子マニピュレーション585■■■■■■■■■■■■■
薄膜厚膜界面破壊強度評価584■■■■■■■■■■■■
薄型チップを高強度化するダイシング技術583■■■■■■■■■■■
ドープした水素化非晶質およびナノ結晶のシリコン薄膜静電マイクロ共鳴体583■■■■■■■■■■■
はんだリフローを利用した横方向接合582■■■■■■■■■■
エピタキシャルフィルムボンディング技術を用いたLEDプリントヘッド582■■■■■■■■■■
MEMSを用いたマイクロ熱交換器582■■■■■■■■■■
3次元配線形成のための斜め露光技術581■■■■■■■■
多層ウェハのレーザーダイシング例3(Siのみ加工/50ns)581■■■■■■■■
安定性ダイアグラム581■■■■■■■■
テクスチャ加工された超疎水性表面におけるドロップレット接触角のヒステリシス581■■■■■■■■
ナノリッター量の液滴生成581■■■■■■■■
ガラスの内部加工(波長800nm)における集光NAの比較580■■■■■■■■
ボイド形成剥離法による3_インチGaN_基板の作製580■■■■■■■■
ラッチマイクロ電磁光スイッチ580■■■■■■■■
Cu_layerの高アスペクト比メッキ580■■■■■■■■
Deep-RIEと結晶異方性エッチングの組み合わせによるナノピンセット先端構造のセルフアライメント製作法580■■■■■■■■
自己組織化単分子膜を重合開始種とした表面開始重合法580■■■■■■■■
3D-MEMSウエハレベルパッケージ実現のためのウエハAu/Au接合579■■■■■■■■■■■■■■■■
支持型ゲートMOSFETでの1テラビットMEMSメモリ578■■■■■■■■■■■■■■■
溶融はんだ吐出法を用いたバンプ形成技術578■■■■■■■■■■■■■■■
振動型加速度センサ577■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化常温接合法:界面577■■■■■■■■■■■■■■
ストレス測定、遺伝子で577■■■■■■■■■■■■■■
バッキーゲルによるバイモルフ型アクチュエータ577■■■■■■■■■■■■■■
MEMSにおけるトライボロジー問題577■■■■■■■■■■■■■■
熱圧着:Au-Au接合によるSi基板へのGaAsレーザ実装576■■■■■■■■■■■■■
静電容量を介したプルイン、プルアウト電圧の測定576■■■■■■■■■■■■■
赤外域での液体の屈折率の測定法576■■■■■■■■■■■■■
フレキシブル温度・湿度センサ576■■■■■■■■■■■■■
デンソーが自動車MEMSを展望575■■■■■■■■■■■■
反応現像画像形成(RDP)法による感光性エンプラのパターニング575■■■■■■■■■■■■
高精度アライメント;モアレ干渉縞法575■■■■■■■■■■■■
一体型多層マイクロ流路の製作方法574■■■■■■■■■■■
AlNの垂直加工574■■■■■■■■■■■
RF_MEMSスイッチにおけるスティクション問題の構造的解決法574■■■■■■■■■■■
RF駆動MEMSセンサ_の_分布埋め込みセンサへの応用574■■■■■■■■■■■
結晶異方性エッチングの古い論文574■■■■■■■■■■■
研磨時のチッピング低減技術573■■■■■■■■■■
表面活性化:Si-Si接合によるLiNbO3/Si実装573■■■■■■■■■■
ストレチャブルエレクトロニクス573■■■■■■■■■■
パイレックス基板へのY字分岐貫通孔の作製573■■■■■■■■■■
パリレンCのプラズマによる除去572■■■■■■■■■
金ナノ粒子を利用したバイオセンサー572■■■■■■■■■
電解グラフト層を用いた湿式TSV形成技術572■■■■■■■■■
DRIEによる位置合せ機構付シリコンシャドウマスク(ドーナツ形状可能)572■■■■■■■■■
モノリシック薄膜カプセル化技術571■■■■■■■
精密銅めっきによる微細配線形成技術571■■■■■■■
微細ピッチ高周波コンタクトプローブの応用技術570■■■■■■■
ノンシアン銀めっきによる銀薄膜堆積技術570■■■■■■■
CMOSチップ上に作製されたカスケード櫛歯型アクチュエータ570■■■■■■■
PDMSディフュージョンポンプ570■■■■■■■
Si表面のナノ周期構造形成569■■■■■■■■■■■■■■
ワイヤレス電力転送プラスチックシート569■■■■■■■■■■■■■■
1次元フォトニック結晶による分散補償器568■■■■■■■■■■■■■
人工毛細胞フローセンサ567■■■■■■■■■■■■
低温SOGウェハ接合567■■■■■■■■■■■■
ナノテクが生んだ光干渉ディスプレー566■■■■■■■■■■■
ミクロン分離デバイスの電気的ブレイクダウン現象566■■■■■■■■■■■
PDMSポストを用いた細胞の力計測566■■■■■■■■■■■
Difference_in_Activated_Atomic_Steps_on_(111) Silicon_Surface_during_KOH_and_TMAH_Etching565■■■■■■■■■■
フォトリソグラフィを用いた側壁傾斜構造の作製方法565■■■■■■■■■■
Design_and_theoretical_evaluation_of_a_novel_microfluidic_device_to_be_used_for_PCR564■■■■■■■■■
SOG陽極接合564■■■■■■■■■
単一CNTの熱伝導率測定564■■■■■■■■■
超臨界CO2を媒体に用いた金属製膜564■■■■■■■■■
ダイオードつくりこみによる櫛歯絶縁563■■■■■■■■
フリップチップ実装技術における封止樹脂の硬化温度依存性に関する評価563■■■■■■■■
自己修復機能をもつ熱可逆ゴム563■■■■■■■■
光読み出しを用いた音響センサー562■■■■■■■
カンチレバー型流速センサ562■■■■■■■
マイクロスケールの自己組立て562■■■■■■■
パルス励起リモートプラズマCVDによる高品質CNTの低温成長561■■■■■
メカニカルなパッシブアライメント561■■■■■
GaInP/GaAs太陽電池を用いた水の電気分解デバイス561■■■■■
コバール蒸着によるフリットグラスの濡れ性向上560■■■■■
マイクロチップ内界面重合559■■■■■■■■■■■■■■
リフトオフによるマイクロバンプ形成技術559■■■■■■■■■■■■■■
電子線可変ドーズ制御照射を用いたUV硬化ナノインプリントのための3Dモールド作製559■■■■■■■■■■■■■■
多層集積したウエハの評価方法について:超音波および赤外線による評価の比較559■■■■■■■■■■■■■■
溶融はんだ吐出法を用いたCuランド上へのはんだ搭載559■■■■■■■■■■■■■■
水素アニールを用いたSiの3次元構造形成558■■■■■■■■■■■■■
三次元集積化のための直接接合技術558■■■■■■■■■■■■■
ウェアラブル酵素センサ557■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルにおける配向CNTのサイズ・間隔制御557■■■■■■■■■■■■
薄膜の水分透過量測定デバイス557■■■■■■■■■■■■
表面処理:MVD557■■■■■■■■■■■■
2軸熱型加速度センサ557■■■■■■■■■■■■
エレクトロウェッティングの無線電源駆動556■■■■■■■■■■■
ガラスを積層して形成した高密度貫通配線ガラス556■■■■■■■■■■■
バクテリアをPDMSに吸着させる方法556■■■■■■■■■■■
世界最小クラスの11ミリ角、オムロン、MEMSサーモパイル556■■■■■■■■■■■
Si深堀側壁のモホロジー555■■■■■■■■■■
ナノメータの分解能を持った長いストロークの位置決め用磁歪小型アクチュエータ555■■■■■■■■■■
静電トラップによるナノ粒子集積法555■■■■■■■■■■
保護ダイオード挿入による陽極接合時のMOSFET特性劣化防止554■■■■■■■■■
超高速TDR測定技術553■■■■■■■■
3D_nonlinear_modeling_of_microhotplates_in_CMOS_technology_for_use_as_metal-oxide-based_gas_sensors553■■■■■■■■
FDTD法553■■■■■■■■
エレクトロウェッティングを利用した液体金属スイッチ553■■■■■■■■
低圧水素雰囲気下で成膜したペンタセンの移動度553■■■■■■■■
パワーMEMS●開発がニッチから大市場狙いへ552■■■■■■■
マイクロ波加熱によるパリレンウェハボンディング552■■■■■■■
感光性たんぱく質の選択的成膜552■■■■■■■
段差櫛歯電極を用いた3軸加速度センサ551■■■■■
金表面へのアビジンの固定化法551■■■■■
ウエハスケールのマイクロデバイス転写550■■■■■
カーボンナノチューブを用いた真空センサ550■■■■■
ガラスの内部クロス加工による割断550■■■■■
サブミクロン開口10μmトレンチによる偏光検出フォトダイオードの作製法550■■■■■
スプレーコートを用いた三次元構造体への配線形成技術549■■■■■■■■■■■■■■■■■■
高速原子線照射による薄膜密着力の向上549■■■■■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:プラスマ活性化を用いたAu-Sn微小バンプの低温直接接合549■■■■■■■■■■■■■■■■■■
SOIウエハを用いたシリコンナノギャップの作製技術549■■■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSフレームによる異種LSI再構成548■■■■■■■■■■■■■■■■■
ポリSiGeプロセスによるCMOS-MEMS集積のレビュー548■■■■■■■■■■■■■■■■■
キャビティ構造を利用したミリ波MEMSスイッチ547■■■■■■■■■■■■■■■■
低動作電圧で高信頼性を持ったRF-MEMSスイッチ547■■■■■■■■■■■■■■■■
静電容量型超音波センサとその応用546■■■■■■■■■■■■■■■
低電圧、大変位、大出力シャクトリムシ型アクチュエータ545■■■■■■■■■■■■■■
反応現像画像形成(RDP)法による感光性ポリイミドのパターニング545■■■■■■■■■■■■■■
レーザー走査応用MEMSスキャナ544■■■■■■■■■■■■■
低温熱酸化によるナノ機械構造先端の先鋭化法544■■■■■■■■■■■■■
RFCMOSMEMS基板をプリント基板へ転写544■■■■■■■■■■■■■
Deep_RIEのプラズマ不均一がエッチング垂直性に及ぼす影響543■■■■■■■■■■■■
FIBによるタングステン堆積を用いたナノギャップの作成方法543■■■■■■■■■■■■
Fabrication_of_a_microfluidic_chip_by_UV_bonding_at_room_temperature_for_integration_of_temperature-sensitive_layers543■■■■■■■■■■■■
フェリチン内包鉄コアマスクと中性粒子ビームエッチングを用いたナノスケール加工技術543■■■■■■■■■■■■
冗長性RF_MEMS多ポートスイッチおよびスイッチマトリクス543■■■■■■■■■■■■
エピタキシャル成長したGaAs/InGaAs層の格子不整合を用いた3次元構造の作製(マイクロ折り紙)542■■■■■■■■■■■
ディップペン・ナノリソグラフィ技術542■■■■■■■■■■■
MEMSによるチューナブルアンテナ542■■■■■■■■■■■
RF_IC用フェライト薄膜オンチップ集積インダクター542■■■■■■■■■■■
2次元フォトニック結晶を用いた圧力センサ541■■■■■■■■■
GaN中の両性As541■■■■■■■■■
ZnO利用LBAR_RESONATOR541■■■■■■■■■
エレクトロウェッティングで動作するマイクロ井戸アレイ541■■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)の低温・高速成長541■■■■■■■■■
トラッピングと最適多重選別に応用するプログラム可能なバイオチップ541■■■■■■■■■
ミリ波帯MEMS・デバイス用シリコン基板貫通伝送線路540■■■■■■■■■
ワッフル形状ダミーフィラーの選択的消去540■■■■■■■■■
MEMSスイッチを用いたディスプレイ540■■■■■■■■■
埋め込みCu配線による機械ストレス評価540■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長1064nm)539■■■■■■■■■■■■■■■■■
ウェハレベルパッケージングの概念に基づく高周波クロストーク抑制538■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラスの内部加工による割断538■■■■■■■■■■■■■■■■
大きなたわみを発生するMEMS_PZT円形薄膜アクチュエータの設計537■■■■■■■■■■■■■■■
熱拡散ピエゾ抵抗層のフッ酸耐性537■■■■■■■■■■■■■■■
0.18μm商用CMOS技術によるHFおよびVHFナノ共振器537■■■■■■■■■■■■■■■
Biomimetic_strain-sensing_microstructure_for_improved_strain_sensor:_fabrication_results_and_optical_characterization537■■■■■■■■■■■■■■■
静電容量型3軸フォース・モーメントセンサ537■■■■■■■■■■■■■■■
電解質溶液を利用した流体型触覚センサ537■■■■■■■■■■■■■■■
縦集積MEMS用高アスペクト貫通配線形成536■■■■■■■■■■■■■■
サブミクロン開口10μmトレンチによる偏光検出フォトダイオードの特性536■■■■■■■■■■■■■■
ボンダ:SAB-FCボンダ536■■■■■■■■■■■■■■
ローラー・ナノインプリントリソグラフィ技術535■■■■■■■■■■■■■
連続グルコースモニタリング用MEMS粘性センサ535■■■■■■■■■■■■■
銅単結晶の接合係数534■■■■■■■■■■■■
PDMSを用いたマイクロペリスタポンプ534■■■■■■■■■■■■
双音叉型(DETF)共振器を用いた力センサ533■■■■■■■■■■■
自己組立を利用した複数種類のチップ接合532■■■■■■■■■■
Al-Alウエハレベル接合532■■■■■■■■■■
Cu配線上の無電解Auめっきバンプ形成技術532■■■■■■■■■■
ウェハsol-gel接合532■■■■■■■■■■
デジタルホログラフィー顕微鏡によるマイクロヒータの非破壊動的評価532■■■■■■■■■■
ポリ(PET)マイクロ流体チップの熱間エンボス加工・接着532■■■■■■■■■■
SiO2表面に形成されるナノ周期構造531■■■■■■■■
パイレックス基板へのクランク形状貫通孔の作製531■■■■■■■■
ヤング率の測定法(超音波原子間力顕微鏡)531■■■■■■■■
CNT複合金メッキ531■■■■■■■■
有機フィルム・シートのGHz帯誘電特性評価技術531■■■■■■■■
CNTプローブの疎水性と安定性の関係530■■■■■■■■
カーボンナノチューブ(CNT)/ポリマー複合材料による味覚センサー530■■■■■■■■
シリコン電界電子放出銃先端の劣化のその場観測530■■■■■■■■
高速原子線によるエッチング技術530■■■■■■■■
1.1GHz基本モードのピエゾ抵抗型SiMEMSレゾネータ529■■■■■■■■■■■■■■■■
He_bombing法によるシリコンRF-MEMSパッケージの気密性試験529■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンピエゾ抵抗型3軸加速度センサ529■■■■■■■■■■■■■■■■
ポリ塩化ビニル(PVC)膜への包括による固定化方法529■■■■■■■■■■■■■■■■
Si異方性エッチングにおけるアンダーカットの抑制528■■■■■■■■■■■■■■■
顕微ラマン分光法による半導体応力解析528■■■■■■■■■■■■■■■
自己クローン法によるフォトニック結晶の作製528■■■■■■■■■■■■■■■
微小粒子の圧縮特性評価527■■■■■■■■■■■■■■
Si表面平坦化技術527■■■■■■■■■■■■■■
ナノインプリント用、HOYA、金型開発に本腰、今後の微細化、材料など最適化527■■■■■■■■■■■■■■
CNT/パリレンコンポジットによるアクチュエータ527■■■■■■■■■■■■■■
LiNbO3のエッチング特性527■■■■■■■■■■■■■■
MEMSカンチレバーを用いた細胞の力計測526■■■■■■■■■■■■■
マルチポリマーマイクロステレオリソグラフィ526■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベル・ディストリビューション525■■■■■■■■■■■■
パイレックスガラスのDRIEによる高密度貫通配線ガラスの作製525■■■■■■■■■■■■
レジストを用いたチップ張り合わせ技術525■■■■■■■■■■■■
酸化物アシストSiナノワイヤ成長法525■■■■■■■■■■■■
アルミナ薄膜を利用した真空パッケージング524■■■■■■■■■■■
マスクレスDRIEによるナノポーラスSiの作製方法524■■■■■■■■■■■
DNAチップ_–_自己組織化ポリマーを用いた金表面へのDNAの固定化法524■■■■■■■■■■■
CNTs-ピンセット523■■■■■■■■■■
QR-LPD(®)技術を用いた電子ペーパー523■■■■■■■■■■
水銀液滴を用いた熱スイッチ523■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術4523■■■■■■■■■■
はんだバンプ電極変形量のフラックス依存性評価523■■■■■■■■■■
スイッチ可変キャパシタによる帯域可変フィルタ523■■■■■■■■■■
ドライプロセスによる有機EL製作522■■■■■■■■■
ナノメタル配線の形成方法522■■■■■■■■■
フッ硝酸選択エッチングを用いたスティッキング対策522■■■■■■■■■
CMP-Cu:表面粗さ522■■■■■■■■■
PDMSのshrinkage_ratio522■■■■■■■■■
MEMSのウェーハレベルパッケージ技術とTSV522■■■■■■■■■
単結晶内に埋め込まれた水平孔の形成522■■■■■■■■■
細径同軸線測定評価521■■■■■■■
Business;MEMS_become_giants_in_acoustics521■■■■■■■
Siのレーザー加工(波長532nm)521■■■■■■■
III-V族化合物半導体の横方向成長メカニズム520■■■■■■■
太陽光による水素製造のためのGaInP/GaAs/Si電極形成520■■■■■■■
Alマスクの表面酸化を用いたシリカのエッチング519■■■■■■■■■■■■■■
PZT薄膜を用いたデジタル圧電加速度センサ519■■■■■■■■■■■■■■
XeF2エッチングにおけるマスク材の紫外線を用いた選択性制御技術519■■■■■■■■■■■■■■
チップ接合において自己組立技術が有効である条件519■■■■■■■■■■■■■■
CFポリマー犠牲層によるパッケージング技術518■■■■■■■■■■■■■
ナノインプリンティングを用いたポリイミド膜上に作製したナノ構造517■■■■■■■■■■■■
通常環境下におけるMEMSパッケージング技術517■■■■■■■■■■■■
Epiパッケージング516■■■■■■■■■■■
PDMSを用いた逆止弁516■■■■■■■■■■■
Poly-Siを用いた貫通配線形成技術516■■■■■■■■■■■
ガラス内部クラック幅のレーザーパルス幅依存性516■■■■■■■■■■■
フレキシブルトランスデューサーデバイス516■■■■■■■■■■■
ナノ粒子分散ポリマーをマスク材としたパウダーブラスト加工技術515■■■■■■■■■■
バイオMEMSに適用するためのSU-8の表面グラフト重合化515■■■■■■■■■■
レーザーリフローによる真空パッケージング515■■■■■■■■■■
液体FBARセンサの温度補正515■■■■■■■■■■
ナノホットフィルムとCNTを用いた走査型熱顕微鏡514■■■■■■■■■
Design_of_a_Temperature-Stable_RF_MEM_Capacitor514■■■■■■■■■
4端子法によるSWNTの電気伝導度計測513■■■■■■■■
Siの微細トレンチ形成技術513■■■■■■■■
カーボンナノファイバー(CNF)フレキシブルディスプレー513■■■■■■■■
キネシンを用いた一方向マイクロ物体輸送513■■■■■■■■
イオン流体のジュール加熱によるマイクロ流路内の温度の高精度制御512■■■■■■■
ガラス球構造の作成512■■■■■■■
バクテリアの鞭毛による流れの創出512■■■■■■■
マイクロ容量性傾斜センサの開発512■■■■■■■
広角度傾きセンサ512■■■■■■■
PDMSを用いたマイクロ流体バルブ512■■■■■■■
Computational_Study_of_Band-Crossing_Reactions511■■■■■
Design,Fabrication,and_Measurement_of_High-Sensitivity_Piezoelectric_Microelectromechanical_Systems_Accelerometers511■■■■■
LTCC基板とBCB接着層を用いたRF_MEMSデバイス用実装511■■■■■
Nanomaterial_Transfer_Imprint_Lithography_(NTIL)_を用いたフレキシブルカーボンナノチューブ511■■■■■
ガラスフリット接合プロセスのアライメント精度への影響(接合前アライメントより)511■■■■■
PDMSとガラスを用いたマイクロリアクターと温度制御デバイス510■■■■■
超高速差動TDR測定技術510■■■■■
酸化還元による高分子導電性ポリマーの濡れ性制御510■■■■■
パリレンによる液体封入を利用したマイクロバルブ509■■■■■■■■■■■■■■
大サイズの樹脂二重膜を効率作成509■■■■■■■■■■■■■■
広開口・狭開口パターンを同時にDRIE508■■■■■■■■■■■■■
東芝が新パッケージ技術、MEMS、低コスト、量産化実現508■■■■■■■■■■■■■
In-Situ_ボロンドープによるポリシリコン貫通電極508■■■■■■■■■■■■■
Pulsed-Laser_Annealing,a_Low-Thermal-Budget_Technique_for_Eliminating_Stress_Gradient_in_Poly-SiGe_MEMS_Structures508■■■■■■■■■■■■■
フッ化水素ガス処理によるシリコン窒化膜の反応特性508■■■■■■■■■■■■■
レーザーによるガラスの熱割断508■■■■■■■■■■■■■
フレキシブルテクスタイルデバイス507■■■■■■■■■■■■
超高速差動TDT測定技術507■■■■■■■■■■■■
振動発電による自発型低消費電力マイクロシステム506■■■■■■■■■■■
薄膜絶縁材料の誘電特性評価技術506■■■■■■■■■■■
MEMSスイッチを利用したディスプレイ回路506■■■■■■■■■■■
P型<111>方位シリコンナノワイヤのピエゾ抵抗特性506■■■■■■■■■■■
Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性(パルス幅〜50ns)505■■■■■■■■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層:加工しきい値505■■■■■■■■■■
フリットガラス内のボイド欠陥505■■■■■■■■■■
フレキシブルパッケージ505■■■■■■■■■■
三次元加工と接合による高ON/OFF抵抗比のマイクロバルブ505■■■■■■■■■■
弾性体を用いた変位増幅型マイクロバルブ505■■■■■■■■■■
単一金属層のMEMS自己集合性コプラナー構造504■■■■■■■■■
Fracture_of_Polycrystalline_3C-SiC_Films_in_Microelectromechanical_Systems504■■■■■■■■■
光電子ピンセット(OET:_optoelectronic_tweezer)を用いた組立503■■■■■■■■
大きく前進する極限計測503■■■■■■■■
熱分解性犠牲層を用いた中空封止技術502■■■■■■■
CNT-ホットキャリアによる赤外発光502■■■■■■■
銀ナノ粒子を含むマイクロTASの製作502■■■■■■■
レーザー内部加工によるガラス/Si多層ウェハの割断例2502■■■■■■■
マルチセンシングデバイス501■■■■■
キャビティ構造を持つコイルの作製方法500■■■■■
シリコンの高速研削技術500■■■■■
ナノ・ハニカム構造の機械的特性の気孔率への依存性500■■■■■
マイクロゴーレイセルアレイ赤外線センサ500■■■■■
マイクロ機械加工された点字セル500■■■■■
Cuメッキによる3次元コイルの作製500■■■■■
Fox-Liの方法500■■■■■
High-Q_Single_Crystal_Silicon_HARPSS_Capacitive_Beam_Resonators_With_Self-Aligned_Sub-100-nm_Transduction_Gaps500■■■■■
CNT_waferを用いた集積3次元CNTデバイス499■■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノジュールのフェムト秒レーザによって導入したタングステンナノ回折格子499■■■■■■■■■■■■■■■■■
フォトカソードをベースにしたCNT499■■■■■■■■■■■■■■■■■
撥水製メッキ技術を用いたスライドバルブ499■■■■■■■■■■■■■■■■■
液体封入型触覚ディスプレイ499■■■■■■■■■■■■■■■■■
圧電薄膜を用いた加速度センサアレイ498■■■■■■■■■■■■■■■■
脂肪族ポリイミドへの電子線照射による吸収と屈折率変化498■■■■■■■■■■■■■■■■
リボンアクチュエータ制御マイクロミラー498■■■■■■■■■■■■■■■■
タンパク質中のリン酸基を選択的に検出する分子プローブ497■■■■■■■■■■■■■■■
分子の選択的な直接搬送デバイス497■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術4-ラマン配向特性497■■■■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長532nm)496■■■■■■■■■■■■■■
タンパク質-タンパク質間相互作用解析(Ec_DOSの測定)496■■■■■■■■■■■■■■
静電容量型6軸フォース・モーメントセンサ496■■■■■■■■■■■■■■
超音波マイクロアレイセンサの作製方法495■■■■■■■■■■■■■
Cuコア型はんだバンプ電極を用いたフリップチップ実装技術495■■■■■■■■■■■■■
双方向環状熱アクチュエータの開発495■■■■■■■■■■■■■
自立ポーラスシリコン構造の作製法495■■■■■■■■■■■■■
ワイヤ・ボンディング特性に合う圧電-FET応力センサーアレイ495■■■■■■■■■■■■■
エレクトロウエッティングを用いた毛管力マイクログリッパー494■■■■■■■■■■■■
エンボス法による低温焼成セラミクス微細3次元構造物494■■■■■■■■■■■■
ガラスチップサイズプラズマ源の低パワー封入494■■■■■■■■■■■■
表面溝加工による多層試料の割断494■■■■■■■■■■■■
無電解Ni-Bめっきによるフェースダウンチップ接続493■■■■■■■■■■■
相反転を利用したCNT/金属ナノ微粒子/ポリマーコンポジットの作製492■■■■■■■■■■
蛋白質チップ492■■■■■■■■■■
MEMS圧力センサの熱ヒステリシス解析492■■■■■■■■■■
ナノテクで環境計測;環境省が機器開発492■■■■■■■■■■
石英基板におけるエッチングレートと選択比のレーザー走査速度依存性491■■■■■■■■
CMOS-MEMS集積化3軸加速度センサの作製491■■■■■■■■
Company's_Report_MEMS_;_Micralyne_Polymer_MEMS_&_Polymer_Microfluidics491■■■■■■■■
SOIナノデバイスのエッチング491■■■■■■■■
Ⅲ‐Ⅴナノ細線の埋め込みを可能にする低コストなBCBの接合方法490■■■■■■■■
鉛フリーハンダ:微細接合490■■■■■■■■
パッケージストレスによる特性変化を考慮に入れた回路設489■■■■■■■■■■■■■■■■
A_Wireless_Microsystem_for_the_Remote_Sensing_of_Pressure,Temperature,and_Relative_Humidity489■■■■■■■■■■■■■■■■
秩序化したSiナノワイヤアレイの作製方法489■■■■■■■■■■■■■■■■
Siのフェムト秒レーザー加工(波長800nm)488■■■■■■■■■■■■■■■
ホットエンボスを用いたナノスケール加工技術488■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロチップ内における血管内皮細胞の培養488■■■■■■■■■■■■■■■
超小型レーザースキャニングモジュールの新たな形成方法488■■■■■■■■■■■■■■■
CMOS技術におけるオンチップインダクタの相互カップリング488■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs 圧力センサー1488■■■■■■■■■■■■■■■
MEMS部品の選択的転写技術488■■■■■■■■■■■■■■■
PHによるマイクロ自己組立ての組立て順序制御488■■■■■■■■■■■■■■■
CMOSプロセスによるシリコンナノワイヤアレイの作製487■■■■■■■■■■■■■■
Si上化合物半導体成長横方向成長487■■■■■■■■■■■■■■
中性粒子ビームプロセス技術487■■■■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法における貫通孔と閉塞孔の違い487■■■■■■■■■■■■■■
銀ナノ粒子および電極構造を含むmicroTAS作成方法487■■■■■■■■■■■■■■
電界中でのCNT合成486■■■■■■■■■■■■■
実装:光素子表面活性化接合における接合条件の影響486■■■■■■■■■■■■■
柔軟性を維持したPDMSのシーリング方法に関する研究485■■■■■■■■■■■■
Characterization_of_front-_to_backwafer_bulk_micromachining_using_electrical_overlay_test_structures485■■■■■■■■■■■■
MEMS向け高電圧GaAs太陽電池485■■■■■■■■■■■■
ELECTRICALLY_DRIVEN_VARIFOCAL_MICRO_LENS_FABRICATED_BY_DEPOSITING_PARYLENE_DIRECTLY_ON_LIQUID484■■■■■■■■■■■
MEMS_beams_with_defects:_a_model_of_non-ideal_rods_using_a_Cosserat_approach_for_component_level_modelling484■■■■■■■■■■■
表面処理:親/疎水性処理による付着力の影響484■■■■■■■■■■■
マイクロコリオリ質量流量センサ484■■■■■■■■■■■
レーザーを用いたAD膜アニール484■■■■■■■■■■■
VO2のICPエッチング483■■■■■■■■■■
積層MEMSのためのデブリフリーレーザー支援高速ダイシング技術483■■■■■■■■■■
LIGA-likeプロセスによる導波路型光デバイスのレジストマスタ形成技術483■■■■■■■■■■
BCB基板上へのトランジスタ形成技術482■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術10-CV特性482■■■■■■■■■
分解能10nmの超微動ステージを市場導入(日本トムソン)482■■■■■■■■■
広角光スキャナー481■■■■■■■
ナノチューブで試作;光学素子,東大,微細加工応用に道481■■■■■■■
マイクロコンタクトプリント法による自己組織単分子膜パターニングと銀ナノ粒子の選択的析出481■■■■■■■
高分子電解質/TiO2ナノコンポジットフィルムの機械的性能481■■■■■■■
分散した銀ナノ粒子による蛍光増強効果480■■■■■■■
表面張力を用いたマイクロインジェクタ480■■■■■■■
An_optical_microswitch_chip_integrated_with_silicon_waveguides_and_touch-down_electrostatic_micromirrors480■■■■■■■
ナノ構造を用いた高出力発光ダイオードの作製480■■■■■■■
スマートカット技術による単結晶6H-SiC_MEMSの製造479■■■■■■■■■■■■■■■
ブロック共重合体の自己組織化を利用した電子線描画パタンの高密度化プロセス479■■■■■■■■■■■■■■■
自己組立プロセスの化学反応へのアナロジー479■■■■■■■■■■■■■■■
液滴の表面張力を用いたマイクロモーター478■■■■■■■■■■■■■■
3次元集積化のためのNEMSメモリ478■■■■■■■■■■■■■■
Au-Sn充填Y字孔及びクランク孔の貫通化加工477■■■■■■■■■■■■■
金属冷間圧接を利用したウェハレベル常温接合477■■■■■■■■■■■■■
集束イオンビーム(FIB)を用いたナノ電極作成方法477■■■■■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術3477■■■■■■■■■■■■■
CNT-イオン流量センサ476■■■■■■■■■■■■
CMOSプロセスで形成したMEMSイヤホン475■■■■■■■■■■■
MEMSスイッチの接点材料選択-3475■■■■■■■■■■■
Mechanical_strength_and_interfacial_failure_analysis_of_cantilevered_SU-8_microposts475■■■■■■■■■■■
環境・バイオセンシング用統合SoC475■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長1600nm、パルス幅〜100fs)475■■■■■■■■■■■
XeF2エッチングプロセスによる微小構造リリースにおける、アンカー保護の新手法475■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブの森の作成方法475■■■■■■■■■■■
フィルタSPRチップ475■■■■■■■■■■■
ポリマー製レンズの作成475■■■■■■■■■■■
酸素プラズマで活性化したSU-8の親水性挙動の安定性475■■■■■■■■■■■
試料内部でのレーザー光の集光474■■■■■■■■■■
指紋認証デバイスを用いたバイオセンサ474■■■■■■■■■■
A_planar_on-chip_micro-nib_interface_for_NanoESI-MS_microfluidic_applications474■■■■■■■■■■
エネルギー回収用のマイクロファイバー.ナノワイヤー.ハイブリッド構造.474■■■■■■■■■■
コラーゲン粉末によるPDMS透過性制御474■■■■■■■■■■
ボンダ:SABウエハボンダ474■■■■■■■■■■
サブミクロン幅の開口を有する厚膜SiO2パターンの作製方法473■■■■■■■■■
ナイフエッジ構造によるセルフパターニングを応用したテスト構造473■■■■■■■■■
バンプレスインタコネクト473■■■■■■■■■
単一室マイクロ固体電解質型燃料電池(SC-μSOFCs_)の直描マイクロ加工473■■■■■■■■■
圧電アクチュエータによるミラーの変形473■■■■■■■■■
変化する表面のシミュレーションの原子論的方法473■■■■■■■■■
極薄カンチレバー作製法473■■■■■■■■■
薬剤経皮投与のためのマイクロニードル作製技術473■■■■■■■■■
Development_and_Characterization_of_Surface_Micromachined,_Out-of-Plane_Hot-Wire_Anemometer473■■■■■■■■■
ダブルサイド加工プロセス472■■■■■■■■
ナノ粒子操作に用いる光動作AC電気浸透472■■■■■■■■
バイオセンサ用の電極表面上酸化還元-活性-ポリマーの合成472■■■■■■■■
バイナリオプティクスによるネガ型レジストの三次元形状472■■■■■■■■
拡張ナノ空間の水の物性評価472■■■■■■■■
歩行振動で発電する歩数計を試作(三洋電機)472■■■■■■■■
Siの内部加工クラック形状のレーザーエネルギー依存性471■■■■■■
チップのロボットシステムによる組立471■■■■■■
フラクタル表面パターン付きジグザグの受動マイクロミキサ471■■■■■■
ローダミンBを用いたマイクロチップ上局所温度分布計測法471■■■■■■
メタルリングを用いた封止技術470■■■■■■
ワイヤレス集積化MEMS470■■■■■■
MEMS可変キャパシタを用いた可変バンドパスフィルタ470■■■■■■
0.35μmプロセスのCMOS上に作製したカンチレバーによる質量計469■■■■■■■■■■■■■
4軸柔軟触覚センサ469■■■■■■■■■■■■■
BCB材料のプロセス条件469■■■■■■■■■■■■■
CNTを用いたピエゾ抵抗型圧力センサ469■■■■■■■■■■■■■
Letter_Damage_Free_Dicing_Method_for_MEMS_Devices469■■■■■■■■■■■■■
MEMS/LSI積層用ウエハレベルチップスケールパッケージ469■■■■■■■■■■■■■
共振のQ_factrの劣化による気密性試験469■■■■■■■■■■■■■
水晶発振器を上回る信頼性データを公開469■■■■■■■■■■■■■
水素拡散による振動子のウエハレベル真空パッケージング469■■■■■■■■■■■■■
内部加工された多層ウェハの割断に要する曲げ応力のレーザーパルス幅依存性(熱応力の効果)468■■■■■■■■■■■■
過酸化水素測定蛍光試薬468■■■■■■■■■■■■
A_magnetically_driven_PDMS_micropump_with_ball_check-valves468■■■■■■■■■■■■
Manufacturing_process_and_material_selection_in_concurrent_collaborative_design_of_MEMS_devices468■■■■■■■■■■■■
Company’s_Report_;_Tecan_leaves_its_imprint_on_the_polymer_MEMS_market467■■■■■■■■■■■
OSGナノワイヤFETの製作と特性評価467■■■■■■■■■■■
SAMを用いたSU8への埋め込み型金属パターニング技術467■■■■■■■■■■■
SiGeによるCMOS集積化ジャイロ467■■■■■■■■■■■
Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性(パルス幅10ns、低エネルギー)467■■■■■■■■■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層467■■■■■■■■■■■
Si_tip上へのCNT選択成長466■■■■■■■■■■
Soft-Cure_SU-8シートを用いたMicrofluidicチップ用の低温接合技術466■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージされた金属酸化物型ガスセンサ466■■■■■■■■■■
ファージディスプレイ法による分子認識ペプチドのスクリーニング466■■■■■■■■■■
ポリジメチルシロキサンを用いたマイクロ流体ダイオード466■■■■■■■■■■
レーザーによるモールド上の金属の転写466■■■■■■■■■■
Deep-RIEと埋め込みによる高速化対応シリコン貫通配線466■■■■■■■■■■
表面処理:毛管凝縮による付着力の影響466■■■■■■■■■■
過酸化水素測定のための化学発光試薬466■■■■■■■■■■
高感度表面変位検出オプトメカニカルプローブ465■■■■■■■■■
MEMSスイッチのプルイン現象研究のための汎用微分求積法の応用465■■■■■■■■■
Rf-MEMS向けインラインウエハレベルパッケージング技術465■■■■■■■■■
バッキープラスティック465■■■■■■■■■
パリレンナノ転写法465■■■■■■■■■
0.35umCMOS上でのニッケル製共振器の作製464■■■■■■■■
CMOSプロセスを用いたMEMS形成方法の種類464■■■■■■■■
CMOS集積化10マルチプローブAFMの作製464■■■■■■■■
Characterization_of_masking_materials_for_deep_glass_micromachining464■■■■■■■■
MEMSスイッチのコンタクト部における滑剤としてのナノ粒子溶液464■■■■■■■■
電着ポリイミドによる絶縁層形成技術463■■■■■■■
同軸配線プリント回路基板作製技術463■■■■■■■
薬分子の電気的注入のためのナノポーラスデバイス463■■■■■■■
インダクタ‐キャパシタに対する基板エッチングの効果462■■■■■■
プラズマ重合法を用いたタンパク質固定化技術462■■■■■■
低侵襲に細胞シートを作製し移動する方法462■■■■■■
シングルウォールカーボンナノチューブ(SWNTs)を用いたNO2ガスセンサ461■■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層3461■■■■
フェムト秒レーザーによるサブミクロン構造体造形技術461■■■■
マイクロバルンアクチュエーター461■■■■
二酸化シリコン薄膜の破壊靱性、破壊応力、応力腐食き裂461■■■■
低応力フリップチップ実装法461■■■■
MEMS;MEMS関連部品の精密加工技術461■■■■
CMOS上マイクロ流路での磁性体微粒子の操作と光学検出460■■■■
CNTを用いた歪みセンシングカンチレバー460■■■■
DRIEと酸化によるマイクロレンズアレイ形成方法460■■■■
MEMS製作のマスク材料として活性化反応性蒸着で析出した窒化シリコン460■■■■
チューナブル赤外線センサ460■■■■
ボンディングツールのボンディング精度への影響460■■■■
マイクロ側壁面の摩擦挙動を研究するためのMEMS素子460■■■■
マルチプローブ化学センサ460■■■■
無電解Ni-Bめっきによる電極間接続技術460■■■■
真空封止:常温封止接合460■■■■
ポリシラザンを用いたセラミックス合成法459■■■■■■■■■■■■■
CNTs-合成時の触媒依存性459■■■■■■■■■■■■■
MEMS実装:マイクロ流路パッケージング459■■■■■■■■■■■■■
金・銀ナノ粒子デンドリマーのUVによる還元生成459■■■■■■■■■■■■■
微小電力駆動ワイヤレスセンサ458■■■■■■■■■■■■
熱気圧駆動を用いたTip-Tilt-Pistonミラー458■■■■■■■■■■■■
1mm角以下の超小型ICのパッケージストレスによる特性変化測定TEG458■■■■■■■■■■■■
SOIウェハを用いた基板シリコン除去による薄膜シリコンデバイス作成法458■■■■■■■■■■■■
Design_and_Analysis_of_MEMS/MST_Based_Radio_Frequency_Switches457■■■■■■■■■■■
パリレン厚膜を用いた多層シャドウマスク457■■■■■■■■■■■
注射針0.2ミリ世界最細457■■■■■■■■■■■
多層集積におけるレイヤー間欠陥伝播456■■■■■■■■■■
表面活性化:金属薄膜を介したウエハ低温接合456■■■■■■■■■■
IISE法による触媒担持456■■■■■■■■■■
MEMSに用いる厚みのある低応力PECVD非晶質シリコン456■■■■■■■■■■
金ナノ粒子の自己組立および転写によるLSPR基板の製作456■■■■■■■■■■
ガラス内部クラック形状のレーザーパルス幅依存性456■■■■■■■■■■
低抵抗Si貫通ビア基板456■■■■■■■■■■
マイクロガスタービンエンジン用の改良燃焼器の設計と数値解析455■■■■■■■■■
人工hair-cell_sensor用3D構造形成プロセス455■■■■■■■■■
CNTs-カーボンファイバーアクチュエーター455■■■■■■■■■
銀ナノ粒子による蛍光増強455■■■■■■■■■
電気泳動によるCNT選択領域析出技術とFEDへの応用455■■■■■■■■■
エアアイソレートされた貫通配線454■■■■■■■■
擬似SOCの応力解析454■■■■■■■■
CNTによる水晶振動子のQ値増加454■■■■■■■■
NドーピングしたSiC薄膜の電気特性454■■■■■■■■
CNTロープの作成法453■■■■■■■
SAWデバイスの波数領域解析453■■■■■■■
ナノ・ファウンテン探触子のマルチインクの線形配列453■■■■■■■
高速AFM用アクチュエータ集積カンチレバー453■■■■■■■
透明で柔らかいカーボンナノチューブトランジスタ452■■■■■■
解説 静電アクチュエータ452■■■■■■
ナノリッターウエル内の蒸着可能な液滴の均一な溶質蒸着452■■■■■■
接着剤注入技術452■■■■■■
水に浮かんだ撥水性材料に泡が付着するとどうなるか452■■■■■■
30nmギャップNEMSスイッチ451■■■■
CNTs-スーパーグロース法1451■■■■
CuコートSiO2表面に形成されるナノ周期構造451■■■■
RFスイッチフィルタモジュール451■■■■
SU-8表面微細加工用の犠牲材料のポリジメチルグルタリミド(PMGI)451■■■■
ナノテク医薬品に応用;患部に薬剤を集中投与,東大・京大や製薬会社など,数年後メド臨床試験451■■■■
マイクロ放電加工の加工モニター450■■■■
内部加工されたガラスウェハ割断のレーザー走査速度依存性450■■■■
封止接合:金属薄膜を介した封止接合450■■■■
微生物を利用した溶液拡散の増幅450■■■■
GaAs_(110)基板上で垂直に立つGeナノ細線450■■■■
Rapid_deep_micromachining_of_polytetrafluoethylene_by_MeV_ion_bombardment_in_oxygen-rich_atmospheres450■■■■
Reinforcement_of_PDMS_masters_using_SU-8_truss_structures449■■■■■■■■■■■■■■■■■
ガラスウエハ分離に必要な引張応力のレーザー走査速度依存性449■■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン酸化膜上での湿度に対する毛管力の挙動449■■■■■■■■■■■■■■■■■
透過型視線検出デバイス449■■■■■■■■■■■■■■■■■
多層ウェハのレーザーダイシング例5(Siのみ加工+熱応力/50ns)449■■■■■■■■■■■■■■■■■
流体を用いた変位増幅型マイクロバルブ449■■■■■■■■■■■■■■■■■
直径0.95ミリのモーター、SII「世界最小径」、ワイヤ伝達の超音波で駆動448■■■■■■■■■■■■■■■■
シリコンプローブの作製技術448■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノインデンテーションにより形成した異方性導電ナノワイヤーの機械特性計測448■■■■■■■■■■■■■■■■
ナノコーンアレイガラス448■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ流体環境下におけるMEMSの付着特性448■■■■■■■■■■■■■■■■
人工筋肉を用いた伸び縮みする回折格子448■■■■■■■■■■■■■■■■
電気浸透流による表面修飾パターン評価448■■■■■■■■■■■■■■■■
把持型マニュピレータとレーザスポット加熱を用いた微小部品実装法447■■■■■■■■■■■■■■■
An_alternatively_efficient_method_(DBEM)_for_simulating_the_electrostatic_field_and_levitating_force_of_a_MEMS_combdrive447■■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術5-XRDによる配向特性447■■■■■■■■■■■■■■■
ネットワーク状のカーボンナノチューブ成長447■■■■■■■■■■■■■■■
プレス加工による一体成型加工447■■■■■■■■■■■■■■■
フッ素化ポリイミド光導波路の形成技術446■■■■■■■■■■■■■■
レーザーによるガラスチップの切り出し446■■■■■■■■■■■■■■
弾性表面波素子を用いた匂い提示装置の開発446■■■■■■■■■■■■■■
CMOS集積化10マルチプローブAFMの熱バイモルフアクチュエータ特性測定446■■■■■■■■■■■■■■
PDMSをベースとした熱マイクロアクチュエータの実現性の研究446■■■■■■■■■■■■■■
AFM利用の横方向フォースセンサー445■■■■■■■■■■■■■
Studies_on_Surface_Wettability_of_Poly(Dimethyl)_Siloxane_(PDMS)_and_Glass_Under_Oxygen-Plasma_Treatment_and_Correlation_With_Bond_Strength445■■■■■■■■■■■■■
コンポジットを用いたTSV技術445■■■■■■■■■■■■■
レーザー内部加工によるガラス/Si多層ウェハ割断例1445■■■■■■■■■■■■■
多層ウェハのレーザーダイシング例4(Siのみ加工/100ns)445■■■■■■■■■■■■■
導電性を有する疎水性自己組織化単分子膜444■■■■■■■■■■■■
有機メモリーを用いた情報伝達シート444■■■■■■■■■■■■
A_Sweeping_Mode_Integrated_Fingerprint_Sensor_With_256_Tactile_Microbeams444■■■■■■■■■■■■
CMOSストレスセンサーによるポインティングデバイス444■■■■■■■■■■■■
Thermal_treatments_and_gas_adsorption_influences_on_nanomechanics_of_ultra-thin_silicon_resonators_for_ultimate_sensing444■■■■■■■■■■■■
ノッチングを利用したマスク開口デザイン制御によるリリース444■■■■■■■■■■■■
バクテリアの走化性を用いたマイクロシステム中の撹拌制御444■■■■■■■■■■■■
バルクCMOSプロセスによるRF_MEMS共振器の集積化444■■■■■■■■■■■■
マイクロアンテナのSiCパッケージング444■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長800nm)443■■■■■■■■■■■
特集論文_;_マイクロエアフローセンサのセンシング素子443■■■■■■■■■■■
金微粒子の酸化触媒効果443■■■■■■■■■■■
DMAナノピンセット開発443■■■■■■■■■■■
2層グラフェンナノデバイスにおける電気ノイズの低減442■■■■■■■■■■
CNT-フィルター特性2442■■■■■■■■■■
破壊的技術の萌芽、ライン型インクジェットが離陸へ442■■■■■■■■■■
Sidewall_Morphology_of_Electroformed_LIGA_Parts―Implications_for_Friction,Adhesion,_and_Wear_Control442■■■■■■■■■■
キャピラリーアセンブルド・マイクロチップ441■■■■■■■■
AFMを用いたシリコンのanodizedナノ構造疲労試験441■■■■■■■■
MEMS用シリコンの機械的特性441■■■■■■■■
CNTs-メモリ440■■■■■■■■
CNTs-加工成形-01440■■■■■■■■
ドープした酸化スズガスセンサの振動測定における検出動作の温度効果440■■■■■■■■
ポーラスBD膜を用いた中空構造作製440■■■■■■■■
多様な加工を安価に提供するMEMSファウンドリ・サービス440■■■■■■■■
水素ラジカルクリーニングによる異種III-V族化合物半導体のウェハ接合440■■■■■■■■
尿一滴でがん検査、産総研がチップ、3年後メド実用化439■■■■■■■■■■■■■■■■
センサ・アクチュエータ集積型AFM用カンチレバー439■■■■■■■■■■■■■■■■
パリレンの低温高アスペクト比アッシング439■■■■■■■■■■■■■■■■
フラーレンとペンタセンによるCMOSインバータ439■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ流体デバイスに用いるPDMS-PDMSの最適な結合技術439■■■■■■■■■■■■■■■■
Development_of_a_mobile_nanohandling_robot439■■■■■■■■■■■■■■■■
M_MERGING_MICRO-_AND_NANOTECHNOLOGIES_Nanoimprinting_on_Industry_Standard_Equipment439■■■■■■■■■■■■■■■■
表面マイクロ構造による液滴駆動438■■■■■■■■■■■■■■■
高レート・高均一なMEMS用及びWLP用DRIE438■■■■■■■■■■■■■■■
高平坦化のための銅CMP技術437■■■■■■■■■■■■■■
プラズマによるSU-8の変性を用いた3次元自己組立437■■■■■■■■■■■■■■
二重乳化応用を目的とした制御可能な可動壁構造物を利用した液滴形成437■■■■■■■■■■■■■■
二重側壁保護膜を用いたディープRIEによる高アスペクト加工技術437■■■■■■■■■■■■■■
波状構造を持つ伸縮自在なシリコン基板437■■■■■■■■■■■■■■
複合型銀ナノ粒子を用いた接合技術437■■■■■■■■■■■■■■
ウエハレベルパッケージング実現のための貫通孔配線技術436■■■■■■■■■■■■■
チップ型薬液徐放デバイスの作製技術436■■■■■■■■■■■■■
付着解析法435■■■■■■■■■■■■
2軸共焦点顕微鏡の2次元MEMSスキャナー435■■■■■■■■■■■■
LF55GN高アスペクト比厚膜レジスト434■■■■■■■■■■■
セルフパターニング構造による金属薄膜並びに有機トランジスタ特性評価434■■■■■■■■■■■
Al/Alウエハ接合による気密封止434■■■■■■■■■■■
機能微小部品の自己組立を利用した高機能コンタクトレンズ製作434■■■■■■■■■■■
水素化アモルファスシリコンを用いた高電圧太陽電池アレイ434■■■■■■■■■■■
X線リソグラフィによるPTFE加工技術433■■■■■■■■■■
CNTウエハーから作成されたCNTリレーのスイッチング433■■■■■■■■■■
Design,_Fabrication_and_Characterization_of_Miniature_Direct_Methanol_Fuel_Cell_Using_Platinum-Sputtered_Microcolumn_Electrodes_with_Limited_Fuel_Source433■■■■■■■■■■
Microbridge_Testing_on_Symmetrical_Trilayer_Films433■■■■■■■■■■
MEMSを用いた浮遊チューブを用いた微小化学反応炉432■■■■■■■■■
PDMS-based_micro_PCR_chip_with_Parylene_coating432■■■■■■■■■
流路を集積化したパッチクランプチップ432■■■■■■■■■
血液1滴で病気自動診断;東芝が遺伝子検査装置,小型化,時間も短縮432■■■■■■■■■
修正結合応力論によるベルヌーイ-オイラーのビームモデル431■■■■■■■
磁気異方性を用いた3次元構造体の自己組立て431■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術431■■■■■■■
DNAの階層的自己組織化を用いた多面体の形成431■■■■■■■
Underfill樹脂の流動解析431■■■■■■■
ポリシリコン位置敏感検出器(PSD)の研究431■■■■■■■
ポリマーMEMS構造体の自己整合用のリソグラフィック応力制御431■■■■■■■
解説 球面モータ431■■■■■■■
A_Highly_Sensitive_Capacitive-Type_Humidity_Sensor_Using_Customized_Polyimide_Film_without_Hydrophobic_Elements430■■■■■■■
Feature-based_process_layer_modeling_for_surface_micromachined_MEMS430■■■■■■■
Modelling_and_analysis_of_a_MEMS_approach_to_dc_voltage_step-up_conversion430■■■■■■■
原子レベルの位置測定センサー開発(日立製作所)430■■■■■■■
架橋構造SWNTのTEM観察430■■■■■■■
機械式ADコンバータ(12ビット)430■■■■■■■
ハーメチック、ファインビアガラス基板―MEMSの新パッケージ430■■■■■■■
Secondary_resonances_of_electrically_actuated_resonant_microsensors429■■■■■■■■■■■■■■■
チオニンの媒介によるCNT/Auナノ微粒子コンポジットの作製429■■■■■■■■■■■■■■■
ナノメカニカルカンチレバーセンサ:分子レベルでリアルタイム解析429■■■■■■■■■■■■■■■
ポリマーMEMSにおける熱接合における液体封入方法429■■■■■■■■■■■■■■■
Combined_Circuit/Device_Modeling_and_Simulation_of_Integrated_Microfluidic_Systems429■■■■■■■■■■■■■■■
静電櫛歯駆動方式のXYステージ429■■■■■■■■■■■■■■■
電圧印加によるKOH-Siエッチングの等方性・異方性制御429■■■■■■■■■■■■■■■
光照射でガラス変質;東工大が金属箔使用,マイクロサイズで加工可能429■■■■■■■■■■■■■■■
疎水化されたAFMチップを用いた,_基板上の湿度による凝縮水のイメージング429■■■■■■■■■■■■■■■
国際標準化 ナノテクで主導権確保へ428■■■■■■■■■■■■■■
狭ギャップアンダーフィル技術428■■■■■■■■■■■■■■
3Dシステム封止用の先細りSi超小型マイクロ加工プロセスの開発428■■■■■■■■■■■■■■
CNTウエハーの微細加工技術428■■■■■■■■■■■■■■
Mechanical_and_electrical_characterization_of_BCB_as_a_bond_and_seal_material_for_cavities_housing_(RF-)MEMS_devices428■■■■■■■■■■■■■■
SPRを利用した尿中疾病マーカー検出デバイス428■■■■■■■■■■■■■■
New_Low-Stress_PECVD_Poly-SiGe_Layers_for_MEMS427■■■■■■■■■■■■■
ポリシコンヒータやきなましによるリシェイプ技術427■■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工(波長1064nm)426■■■■■■■■■■■■
CNT-メンブレン作製法B426■■■■■■■■■■■■
Microfluidic_Electrodischarge_Devices_With_Integrated_Dispersion_Optics_for_Spectral_Analysis_of_Water_Impurities426■■■■■■■■■■■■
半導体素子Al電極への高速Au線熱圧着426■■■■■■■■■■■■
宇宙用RFMEMSスイッチ426■■■■■■■■■■■■
自己組織化を用いたマイクロプロセッサ製造プロセス426■■■■■■■■■■■■
圧電式微小共振器のパラメーター特定425■■■■■■■■■■■
A_barrier_embedded_chaotic_micromixer425■■■■■■■■■■■
NLDによるSiO2エッチング425■■■■■■■■■■■
プロセス中での真空封止425■■■■■■■■■■■
誘電体を核とする厚膜配線を用いたスパイラルインダクタ425■■■■■■■■■■■
MEMS/NEMSに応用するためのAu薄膜の機械的特性424■■■■■■■■■■
磁性粒子を用いた効果的な撹拌424■■■■■■■■■■
タングステンナノギャップによる単分子捕獲424■■■■■■■■■■
ホリサム蛋白質複合体ベースのバイオハイブリッドマイクロ流体バルブ424■■■■■■■■■■
マイクロ電気機械的金属空間絶縁層半導体(MEM-MAIS)ダイオードスイッチ424■■■■■■■■■■
メンブレン構造容量検出型センサの化学・バイオセンサへの応用424■■■■■■■■■■
レール形状および流体力によるチップの自己組織化424■■■■■■■■■■
Si基板トレンチを利用したメッキモールドによる集積型インダクターの開発423■■■■■■■■■
プルインを越えたカンチレバービーム静電MEMSアクチュエータ423■■■■■■■■■
ポリマーセンサー、曲がると電圧発生(クラレ)423■■■■■■■■■
CNT―高い周波数-スイッチ-2423■■■■■■■■■
電解エッチング法によるシリコン高アスペクト加工423■■■■■■■■■
超高速TDR測定技術の応用422■■■■■■■■
3次元配線形成における配線抵抗422■■■■■■■■
Indirect_Competitive_immunoassay_for_Bisphenol_A,_Based_on_a_Surface_Plasmon_Resonance_Sensor422■■■■■■■■
Application_of_AFM_Anodic_Oxidation_to_Patterning_of_Biomolecules_on_Si421■■■■■■
Behavioural_analysis_of_the_pull-in_dynamic_transition421■■■■■■
電源供給配線のインピーダンス測定技術421■■■■■■
Si上への選択成長によるGaNのサスペンド構造作製421■■■■■■
キネシン微小管を利用した構造物の一方向搬送421■■■■■■
CMP-Cu:表面420■■■■■■
Double_sided_surface_stress_cantilever_sensor420■■■■■■
溶融金属充填法によるクランク形状孔への導体充填420■■■■■■
蜘蛛の糸による梁状構造の強度420■■■■■■
生体模倣ポリマーによる表面処理419■■■■■■■■■■■■■
レーザーで自在に作製、金属ナノ粒子、阪大が微細配線技術419■■■■■■■■■■■■■
ハードディスクドライバ用スライダーのマイクロヒータによる浮遊間隔制御418■■■■■■■■■■■■
マイクロ流路を利用したイオンセンシング418■■■■■■■■■■■■
毛管マイクロ構造体を用いたμ燃料電池用受水管理418■■■■■■■■■■■■
自己組立における触媒効果418■■■■■■■■■■■■
外部加圧なし金型加熱による寸法がμm/サブμmの非晶質ポリマー構造体の複製417■■■■■■■■■■■
Soft-Magnetic_Rotational_Microwings_in_an_Alternating_Magnetic_Field_Applicable_to_Microflight_Mechanisms417■■■■■■■■■■■
高速信号対応微細配線インターポーザ417■■■■■■■■■■■
走査型プローブナノリソグラフィ(SAMを用いたポジ型SPNL)417■■■■■■■■■■■
過酸化脂質のための蛍光イメージング分析試薬417■■■■■■■■■■■
CNTウエハーによるCNTリレー構造417■■■■■■■■■■■
Force-Controllable,Optically_Driven_Micromachines_Fabricated_by_Single-Step_Two-Photon_Microstereolithography417■■■■■■■■■■■
Si表面への突起構造形成(軸対称偏光ビーム照射)416■■■■■■■■■■
化学反応30倍速、大阪府立大、髪の毛並み微小チューブ使用416■■■■■■■■■■
酸化チタンナノ粒子のリフトオフによるパターニング416■■■■■■■■■■
銅直接接合の特性と3次元集積化における利点415■■■■■■■■■
フリップ−チップ光MEMSに用いるポリイミド・スペーサー415■■■■■■■■■
Design_and_fabrication_of_a_direction_sensitive_MEMS_shear_stress_sensor_with_high_spatial_and_temporal_resolution415■■■■■■■■■
MEMS非冷却赤外線イメージセンサ415■■■■■■■■■
SOIウェーハの直接接合を用いた三次元集積化415■■■■■■■■■
生分解性材料を用いた医療用マイクロランセットの加工技術415■■■■■■■■■
CNTs-合成技術414■■■■■■■■
MEMS技術による複合センサシステムの作製414■■■■■■■■
CNT-フィルター作製法413■■■■■■■
変位増幅機構を有する触覚ディスプレイ413■■■■■■■
表面溝加工によるガラスの割断413■■■■■■■
受動コンタクト・能動乖離型スイッチ412■■■■■■
ナノ粒子とガラス繊維接合412■■■■■■
Au-_Sn充填貫通配線基板の高周波特性の評価412■■■■■■
CNTs-ピエゾ抵抗効果412■■■■■■
Design_and_Nonlinear_Servo_Control_of_MEMS_Mirrors_and_Their_Performance_in_a_Large_Port-Count_Optical_Switch412■■■■■■
DRIEと酸化を用いたマイクロオプティカルレンズの新しい形成方法411■■■■
実装411■■■■
生体埋め込み用のRFパワーリングシステム411■■■■
フレキシブルなサーモパイル発電器の製造、マイクロ製造技術411■■■■
マイクロOCPWとIOCPWを用いた最新の小型低損失ミリ波フィルター411■■■■
Si表面の再結晶化:波長依存性410■■■■
AlN共鳴器を集積した圧電AlN_RF_MEMSスイッチの2ビーム動作410■■■■
CNT-bridging_CNT410■■■■
MEMS駆動のための結晶シリコン太陽電池アレイ410■■■■
静電容量を介したプルイン、プルアウト電圧の測定法によるRFスイッチの長期安定性測定410■■■■
量子ドットを用いたタンパク質検出法409■■■■■■■■■■■■■
零位法による実温度放射温度計測法409■■■■■■■■■■■■■
2mm角の3軸加速度センサー日立金属が新構造で開発中409■■■■■■■■■■■■■
Design_and_Optimization_of_a_MEMS_Electret-Based_Capacitive_Energy_Scavenger409■■■■■■■■■■■■■
Integrated_CO-Design_of_RF_MEMS_Devices409■■■■■■■■■■■■■
ポリスチレン微粒子を用いたナノ金ディスクの作製(LSPR基板)409■■■■■■■■■■■■■
神経細胞を利用した情報処理デバイス409■■■■■■■■■■■■■
冷却機構を有する3Dパッケージ408■■■■■■■■■■■■
分割した櫛歯電極型静電駆動アクチュエータ408■■■■■■■■■■■■
前処理機能集積チップ408■■■■■■■■■■■■
多結晶シリコンMEMSの強度分布408■■■■■■■■■■■■
A_Method_for_Precision_Patterning_of_Silicone_Elastomer_and_Its_Applications408■■■■■■■■■■■■
CNTを用いたCNTウエハー作製技術408■■■■■■■■■■■■
CSP構造で低損失な有接点RF_MEMSスイッチ408■■■■■■■■■■■■
Characterization_of_Surface_Micromachined_Metallic_Microneedles408■■■■■■■■■■■■
Low-Voltage,_Large-Scan_Angle_MEMS_Analog_Micromirror_Arrays_With_Hidden_Vertical_Comb-Drive_Actuators408■■■■■■■■■■■■
PECVD_SiCで覆った圧力センサの研究408■■■■■■■■■■■■
金ナノ粒子によるSPR信号増強408■■■■■■■■■■■■
鉛フリーハンダ:バンプ形成技術408■■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長1450nm、パルス幅〜100fs)408■■■■■■■■■■■■
スパーク放電による化学彫刻(SACE)でガラスに重力送りマイクロ穴あけ加工408■■■■■■■■■■■■
ゼオライト含有カンチレバーによる化学物質の選択検出408■■■■■■■■■■■■
レーザーによるガラス表面近傍の内部加工2408■■■■■■■■■■■■
セルラーオートマトンを用いたSi異方性エッチングシミュレーション407■■■■■■■■■■■
ワイヤー巻きつけによるマイクロねじ作成407■■■■■■■■■■■
M_EU_PROGRAMME_News407■■■■■■■■■■■
微小シリカによるsol-gel接合407■■■■■■■■■■■
解説 圧電・光アクチュエータ407■■■■■■■■■■■
1円玉より小さく、ニッタ・ムアー、圧電ポンプ発売406■■■■■■■■■■
ゲルマニウムを用いた低温マイクロマシニング406■■■■■■■■■■
バブル駆動式アクチュエータによる触覚ディスプレイ406■■■■■■■■■■
自立振動ゲルのマイクロアクチュエータ406■■■■■■■■■■
光誘起電子移動による過酸化水素測定試薬405■■■■■■■■■
等価回路モデルによるSAW圧力センサの最適設計405■■■■■■■■■
0.3ミリの世界最小径ネジ、精機や半導体向け、スター精密が開発405■■■■■■■■■
A_Single-Layer_PDMS-on-Silicon_Hybrid_Microactuator_With_Multi-Axis_Out-of-Plane_Motion_Capabilities―Part_I:_Design_and_Analysis405■■■■■■■■■
CMOSチップ上のシリコンフィンレゾネータの作製405■■■■■■■■■
MEMS-CSPチップ実装における応力緩和構造の研究405■■■■■■■■■
マイクロバルブを有する細胞機能回析デバイスの開発405■■■■■■■■■
マイクロ流体システムにおけるカルシウムアルギン酸マイクロカプセルの発生405■■■■■■■■■
シリコン直管型流体密度センサ404■■■■■■■■
スタックチップ間の常温シリコン貫通電極配線404■■■■■■■■
パッケージ(1)・FR-4基板で封止404■■■■■■■■
ボンディングしたワイヤーを犠牲層にしたニードル作成404■■■■■■■■
使い捨てのラボオンチップで流体を動作させるためのチップ上空気破裂信管404■■■■■■■■
完全CMOS互換プロセスで形成した圧力センサ404■■■■■■■■
水を用いたパッシブアライメント404■■■■■■■■
表面活性化接合を用いたMEMS高気密ウエハレベルパッケージ404■■■■■■■■
Design_of_the_Optical_Fiber_Transmission_and_Geometrical_Microoptical_Path_in_the_Optical_Liquid_Drop_Sensor404■■■■■■■■
INDUSTRY_REPORT_Riding_the_MEMS_rollercoaster404■■■■■■■■
MEMSの固着不良防止用の気相自己組織化単分子層404■■■■■■■■
SU-8を用いた低温キャップ形成404■■■■■■■■
CNT-メンブレン作製法A403■■■■■■■
Crystalline_Silicon_Tilting_Mirrors_for_Optical_Cross-Connect_Switches403■■■■■■■
Kovar(コバール)管のパイレックスウエハへの陽極接合による配管403■■■■■■■
X線傾斜露光法によるPMMA3次元加工技術403■■■■■■■
ZnOナノワイアを用いた酸素センサ403■■■■■■■
バッチトランスファによるMEMS構造体の転写方法403■■■■■■■
光流体技術による可変光減衰器403■■■■■■■
共同作業する2台のマイクロロボットによるマイクロ操作403■■■■■■■
表面活性化接合とTSVを用いた3D-ウエハレベルパッケージング403■■■■■■■
微小域でヤング率測定、阪大が顕微鏡開発、電子部品の品質向上に期待402■■■■■■
An_approach_to_fabricating_microstructures_that_incorporate_circuits_using_a_post-CMOS_process402■■■■■■
Au薄膜を用いた毛管力に起因するスティクション防止402■■■■■■
A‘boosted'_RF-MEMS_capacitive_switch402■■■■■■
Microsystems_and_Nanotechnology;Patent_snapshots402■■■■■■
高温・高湿度に強く、放送用シリコンマイク、NHK研など開発402■■■■■■
ラメラー格子型面外マイクロジャイロスコープ402■■■■■■
ハイブリッドSiエバネセント・レーザーの接合プロセス401■■■■
マイクロ・ナノカンチレバーのカップリングによる質量応答性能の改善401■■■■
1,3-ジシラブタンとジクロロシランを用いた多結晶3C-SiC膜の応力制御401■■■■
3次元ナノ構造作製のための高精度位置合せ/接合システム401■■■■
Low-Temperature_Wafer_Bonding:_A_Study_of_Void_Formation_and_Influence_on_Bonding_Strength401■■■■
SUSPENDED_MICROCHANNEL_RESONATOR401■■■■
分子を選別し輸送、特定のたんぱく質など、東大、化学反応実験効率化に応用401■■■■
有機トランジスタ作製プロセス401■■■■
水素化アモルファス炭素膜の圧電抵抗ゲージファクタ401■■■■
貫通孔壁面に熱拡散して抵抗にする401■■■■
Electrowettingを利用したアメンボロボットA400■■■■
プラズマ表面活性化を利用したウエハのダイレクトボンディング400■■■■
光でアドレスを呼び出す電位差センサ(LAPS)型ペニシリンセンサとその画像の検出400■■■■
弾性シリコンナノワイヤ配列に基づく吊り機械構造400■■■■
注目のMEMS本格成長迫る、GenlSys、MEMS向けシミュレータを開発400■■■■
特集_マイクロマシニングとMEMSの歴史と展望(1)―歴史―400■■■■
磁性薄膜を有する集積型オンチップインダクター400■■■■
SiNのゲートを用いたCNTのアレイ399■■■■■■■■■■■■■■■■
SiC表面マイクロマシニングのためのpoly-SiへのSiC成膜398■■■■■■■■■■■■■■■
Siナノ構造を有する共振器デバイスの開発398■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン貫通タングステン配線を有する3次元チップ積層用鉛フリー接合の信頼性評価398■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロコンタクトプリンティングの繰り返しによるパターンの微細化398■■■■■■■■■■■■■■■
Design_and_fabrication_of_MEMS_devices_using_the_integration_of_MUMPs,trench-refilled_moldoing,DRIE_and_bulk_silicon_etching_processes398■■■■■■■■■■■■■■■
接合前アライメント精度:間接(裏面)アライメント398■■■■■■■■■■■■■■■
業界最高のSN比のMEMSマイクを発表(アナログデバイセズ)398■■■■■■■■■■■■■■■
分子の向き制御;東大,特殊な光活用,高速通信向け期待397■■■■■■■■■■■■■■
自動車用燃料タンク漏れ検出用圧力センサ397■■■■■■■■■■■■■■
補正マスクによるSi表面3次元加工技術397■■■■■■■■■■■■■■
シリコン酸化膜のナノテクスチャ加工によるEWODの低電圧化397■■■■■■■■■■■■■■
ナノインプリントPDMS基材とアクチュエータ・シリコン基材の組み合わせによる回折格子397■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-ナノリレー397■■■■■■■■■■■■■■
Design_and_modeling_of_a_MEMS_bidirectional_vertical_thermal_actuator397■■■■■■■■■■■■■■
LSI配線プロセスを用いたダイアフラム形成396■■■■■■■■■■■■■
Pt-b電極の作製技術396■■■■■■■■■■■■■
自己組織化磁気円柱によるDNA分離チップ396■■■■■■■■■■■■■
パイレックスガラスのレーザー丸板加工396■■■■■■■■■■■■■
ピコジェットプリントヘッドの液滴射出の研究396■■■■■■■■■■■■■
SiRNを用いたマイクロチャネル作製395■■■■■■■■■■■■
バンプレスインタコネクト:電気特性評価395■■■■■■■■■■■■
パルス駆動によるアルミ製貫通ビアのメッキ作製395■■■■■■■■■■■■
上下スリットインターポーザを用いたMEMS-CSP低応力実装395■■■■■■■■■■■■
付着耐性値395■■■■■■■■■■■■
0.35µmCMOSチップ上のVHF帯レゾネーターの作製395■■■■■■■■■■■■
A_Chaotic_Mixer_for_Magnetic_Bead-Based_Micro_Cell_Sorter395■■■■■■■■■■■■
CNT-ナノラジオ395■■■■■■■■■■■■
Design_and_modeling_of_an_acoustically_excited_double-paddle_scanner395■■■■■■■■■■■■
微細構造体上へのCNTウエハー形成395■■■■■■■■■■■■
走査型プローブナノリソグラフィ(EBレジストを用いたネガ型SPNL)394■■■■■■■■■■■
BCBを用いたMMIC用3次元低損失パッシブ部品の評価394■■■■■■■■■■■
CMOS集積化10マルチプローブAFMによる原子像の取得394■■■■■■■■■■■
RF多重スイッチ集積394■■■■■■■■■■■
CNTs-ビーム-01393■■■■■■■■■■
DRIE垂直壁面に作るダイオードの特性測定393■■■■■■■■■■
Kovar-ガラス-シリコン-ガラス積層構造をしたベーク可能なマイクロバルブ393■■■■■■■■■■
Shape-Memory_Polymers_for_Microelectromechanical_Systems393■■■■■■■■■■
Si内部でのレーザー光の集光393■■■■■■■■■■
シリコンの鏡面化技術393■■■■■■■■■■
酸素貯蔵能力を倍増、東工大、触媒向けの新材料開発393■■■■■■■■■■
MEMS実装:光素子の低温直接接合392■■■■■■■■■
可視領域の透明度を高めたポリマー光導波管の直接フライス加工と注入成形392■■■■■■■■■
接合過程の解析392■■■■■■■■■
表面活性化:nano-adhesion_layer392■■■■■■■■■
Sliding-blade_MEMS_iris_and_variable_optical_attenuator392■■■■■■■■■
ナノテクノロジー MEMS オムロン、MEMS素子を搭載したフローセンサーを開発391■■■■■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層2391■■■■■■■
ミクロのポンプ試作、光で作動、化学反応装置に応用、横浜国大391■■■■■■■
人工筋肉1.5ボルトで作動;横浜国大,高分子製,微小機械の動力源391■■■■■■■
3D-MEMSウエハレベルパッケージ実現のための貫通孔配線391■■■■■■■
A_High-Power_MEMS_Electric_Induction_Motor391■■■■■■■
厚膜抵抗体のモデル化した圧電抵抗特性用ゲージ係数の評価391■■■■■■■
パリレンで封止した液体の変形を利用したスキャニングミラー390■■■■■■■
DRIE垂直壁面に不純物拡散でフォトダイオードを作る390■■■■■■■
シリコン貫通配線基板の高周波特性389■■■■■■■■■■■■■■■
シリコン基板と単一マスクによるMEMS構造のリリース388■■■■■■■■■■■■■■
傾斜させた試料に対する露光技術と独特な三次元構造体の作製388■■■■■■■■■■■■■■
広帯域振動による環境発電388■■■■■■■■■■■■■■
CNTs ベアリング-1388■■■■■■■■■■■■■■
CMOSプロセスによるシリコンナノワイヤアレイの特性388■■■■■■■■■■■■■■
MEMS型小型燃料電池(μDMFC)におけるナノインプリント技術の応用388■■■■■■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術3-ラマン特性387■■■■■■■■■■■■■
SU-8フォトレジストの重合作用におけるソフトベーク温度の効果387■■■■■■■■■■■■■
微細穴破壊せず計測、ディスク・テック、近赤外線を照射387■■■■■■■■■■■■■
心筋細胞で駆動するポンプ387■■■■■■■■■■■■■
自己組織化DNAコンジュゲートポリマーを利用したSNPs検出チップ387■■■■■■■■■■■■■
複数種類の自己組立による蛍光検出システムの製作387■■■■■■■■■■■■■
ジャイロセンサー、MEMS技術を採用、村田製作所が実用化387■■■■■■■■■■■■■
ニッケルポストを使った面合わせのフリップチップ接合387■■■■■■■■■■■■■
バルク微細加工Si内に組み込まれた磁気誘導機構387■■■■■■■■■■■■■
パルス状の正の電圧をチャックに加えることによるノッチングの抑制386■■■■■■■■■■■■
マイクロゼオライトカラムによるガス分離386■■■■■■■■■■■■
常温ウエハ接合:接合強度386■■■■■■■■■■■■
Electrowettingを利用したアメンボロボットB386■■■■■■■■■■■■
Fabrication_Process_of_Microsurgical_Tools_for_Single-Cell_Trapping_and_Intracytoplasmic_Injection386■■■■■■■■■■■■
フレキシブルなモノリシック3Dマイクロ流体構造の新しい製造法385■■■■■■■■■■■
Si表面のナノ周期構造(軸対称偏光ビーム照射)384■■■■■■■■■■
TFTトランジスタのプラスチックへの転写384■■■■■■■■■■
シリコン異方性エッチングを用いたナノワイヤの作成方法384■■■■■■■■■■
CNTs-センシングー1384■■■■■■■■■■
Fracture_Strength_of_Polysilicon_at_Stress_Concentrations384■■■■■■■■■■
MEMS_industry_targets_reliability384■■■■■■■■■■
STMを用いたシリコン基板上におけるナノマウンドの作成方法384■■■■■■■■■■
液液界面でのCNT/金属ナノ微粒子コンポジットフィルムの作製384■■■■■■■■■■
選択レーザアシスト接合(LAB)を用いたMEMS用ウエハレベルパッケージ384■■■■■■■■■■
部分的に密閉された微小流路の内面上のコロイド自己集合383■■■■■■■■■
赤外線を用いた位置合わせ技術383■■■■■■■■■
CNT-高密度・向配列アレイの作製法383■■■■■■■■■
GaN-Siハイブリッド発光デバイスの作製383■■■■■■■■■
In-Au薄膜によるマイクロ接合383■■■■■■■■■
シリコン酸化膜のナノテクスチャ加工によるEWODの低電圧化_-_特性383■■■■■■■■■
バイオセンサー微量試料検知、東工大、測定対象物の容量下限、50ナノリットル383■■■■■■■■■
マイクロチップ電気泳動によるNO代謝物の迅速測定383■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長1300nm、パルス幅〜100fs)382■■■■■■■■
TOPICS;LSIの3次元実装を実現する超高速高密度インターポーザの開発に成功 LSIシステムの小型化 高機能化を低コストで実現可能382■■■■■■■■
CNTウエハーを用いたCNTマイクロ構造体の作製382■■■■■■■■
Polycrystalline_Silicon-Carbide_Surface-Micromachined_Vertical_Resonator_-_Part_I:_Growth_Study_and_Device_Fabrication382■■■■■■■■
MEMSデバイスの信頼性評価プログラム382■■■■■■■■
細菌のべん毛繊維;立体構造を解析,阪大,ナノマシンに道382■■■■■■■■
異種集積用のウェハレベル実装381■■■■■■
自立した多孔質シリコンマイクロ構造体の製造381■■■■■■
A_Microbubble-Powered_Bioparticle_Actuator381■■■■■■
CNT/ナノ微粒子ハイブリッドの作製381■■■■■■
CNTを用いた柔軟かつ高感度のひずみセンサ381■■■■■■
CuコートSiO2表面に形成されるナノ周期構造の照射レーザーフルーエンス依存性381■■■■■■
システムインテグレーションのためのシリコン貫通配線技術381■■■■■■
解説 ゲルアクチュエータ381■■■■■■
走査プローブ顕微鏡探針尖端への単一CNF直接合成381■■■■■■
銀ナノ粒子を触媒とした無電解銅めっき380■■■■■■
多孔質アルミナ膜による低温での真空パッケージ380■■■■■■
ナノ磁気アクチュエータ380■■■■■■
ハイブリットボンディングによる低温ボイドレス接合方法380■■■■■■
レーザー内部加工による圧力センサーチップの割断2(Siのみ加工/200ns)380■■■■■■
金属多層構造の犠牲層利用作成法379■■■■■■■■■■■■■■
MEMSスイッチによる可変インダクター379■■■■■■■■■■■■■■
液液界面でのナノ微粒子の自己組織化および輸送379■■■■■■■■■■■■■■
溶融金属充填法によるY字分岐孔への導体充填379■■■■■■■■■■■■■■
生体分子1個変化観察、産総研が新手法、ナノチューブ利用379■■■■■■■■■■■■■■
異方性エッチングへの原子論的概論379■■■■■■■■■■■■■■
接合前ウエハアライメント精度:Smart_View_(Face_to_Face)アライメント378■■■■■■■■■■■■■
自己検出圧電マイクロカンチレバーの変位とセンサ出力へのDCバイアスの影響378■■■■■■■■■■■■■
静電駆動型ナノ引張試験デバイスによるカーボンナノワイヤの機械特性評価378■■■■■■■■■■■■■
A_Hybrid_PZT-Silicon_Microvalve378■■■■■■■■■■■■■
MEMSデバイスの開ループ制御対閉ループ制御:選択と課題378■■■■■■■■■■■■■
RF_MEMS_for_Advanced_Automotive_Applications378■■■■■■■■■■■■■
A_New_Edge-Detected_Lift_Force_Flow_Sensor377■■■■■■■■■■■■
Barbed_micro-spikes_for_micro-scale_biopsy377■■■■■■■■■■■■
光ファイバーの先端にレンズを作成377■■■■■■■■■■■■
表面処理:表面化学処理およびDLC膜による付着力の影響377■■■■■■■■■■■■
Siの内部加工クラック形状のエネルギー依存性377■■■■■■■■■■■■
ショットキMEMSスイッチ377■■■■■■■■■■■■
フェムト秒パルスによるSi表面のアモルファス層:波長依存性2377■■■■■■■■■■■■
マイクロヒータを用いた水放出用PMMAの熱による切断377■■■■■■■■■■■■
誘電性液滴の電気的動作377■■■■■■■■■■■■
遺伝子の解析わずか1分で;徳島大など,ナノ粒子使い試薬377■■■■■■■■■■■■
単層量子ドットのカンチレバー先端への成膜376■■■■■■■■■■■
多孔質シリコン薄膜から形成した電気浸透ポンプ376■■■■■■■■■■■
実装:超音波ワイヤボンディングの実装精度376■■■■■■■■■■■
松下電工のMEMS事業を分析、自動車・医療の分野で垂直統合376■■■■■■■■■■■
犠牲層としてPMGIを用いるMEMS共鳴体の低温製造方法376■■■■■■■■■■■
産業の礎MEMSの現状、拡大するMEMSファンドリビジネス376■■■■■■■■■■■
自由に対流するPEM燃料電池用に微細加工したシリコン構造体376■■■■■■■■■■■
Commercialization_Corner;RF_MEMS_appeal376■■■■■■■■■■■
STMを用いた単分子系化学反応376■■■■■■■■■■■
中空マイクロ針のアレイに用いるマイクロ流体分配システム376■■■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長355nm)375■■■■■■■■■■
マイクロ流体中におけるMEMSの粘着特性375■■■■■■■■■■
小型SPRデバイス375■■■■■■■■■■
微細加工した3軸ジャイロスコープの製作と解析375■■■■■■■■■■
溶液系電気化学発光素子の高輝度化375■■■■■■■■■■
A_barrier_embedded_Kenics_micromixer375■■■■■■■■■■
A_micro_direct_methanol_fuel_cell_demonstrator375■■■■■■■■■■
CNTを用いたマイクロ神経電極アレイ375■■■■■■■■■■
CNT-薄膜ーメモリー1374■■■■■■■■■
CNTsを微細孔としたサブ2nmポア・フィルタ374■■■■■■■■■
マイクロチャンネルを流れるポリマー溶融体のレオロジー的挙動の研究374■■■■■■■■■
マイクロ流路を用いた波長可変色素レーザー374■■■■■■■■■
リップルを用いた残留応力測定374■■■■■■■■■
集積化ヒータによるローカルハンダヅケ374■■■■■■■■■
連結バネ・アクチュエータ機構の解析373■■■■■■■■
チョッピング法を用いたエッチング側面保護技術373■■■■■■■■
ナノチューブへのエキシマレーザーの照射による電界放出改善373■■■■■■■■
ブロック共重合体とシリケートのミクロ相分離(ラメラ)構造を用いた自己整合、自己組織化ナノラインパターン形成373■■■■■■■■
CNTs-多層カーボンナノチューブ-カンチレバーの作成と特性373■■■■■■■■
光化学スモッグ携帯用センサー、NTT、指先大の大きさ実現373■■■■■■■■
光重合と成形によるポリジメチルシロキサン・マイクロレンズアレイ373■■■■■■■■
装置メーカーのMEMSへの取り組み(2)、日立ハイテクノロジーズ373■■■■■■■■
液体の針372■■■■■■■
立体形状への配線パターン露光技術372■■■■■■■
表面活性化常温接合法によるGaAs基板へのレーザの実装372■■■■■■■
SiO2表面に形成されるナノ周期構造の照射レーザーフルーエンス依存性372■■■■■■■
パリレンを用いた生体埋込圧力センサー372■■■■■■■
マイクロキャビティに気泡のない液体を充填するための方法372■■■■■■■
CNTs-高収率二層カーボンナノチューブ372■■■■■■■
Development_of_a_Micro-Blood-Typing_System_Using_Micro-Stereolithography_Technology372■■■■■■■
Electrowettingの接触角を容易に測定するテスト構造372■■■■■■■
CNT-メンブレンの液体透過特性371■■■■■
Detection_of_Protein_Conformation_under_Stress_Conditions_Using_Liposomes_As_Sensor_Materials371■■■■■
単一MWNTの熱物性値の測定とその伝熱機構の考察371■■■■■
最初のLSI集積化MEMS:Resonant-Microbridge_Vapor_Sensor371■■■■■
液中自己組立における液流によるアジテーション371■■■■■
自己適応的MEMS冷却用の温度調整非線形マイクロバルブ371■■■■■
通信システム向けマイクロマシン開発へ;米ルーセントが国防総省と協力,軍事・国土保全用に使用371■■■■■
シリコンでLED、日立、薄膜素子、発光に成功371■■■■■
トーションバーによるチューナブル光学フィルタ371■■■■■
ナノ材料の印刷技術を用いた3次元へテロデバイスの作製370■■■■■
AFMによるマイクロ・空洞標的ボール面上へのマイクロ構造の加工370■■■■■
Deformation_of_Blanketed_and_Patterned_Bilayer_Thin-Film_Microstructures_During_Post-Release_and_Cyclic_Thermal_Loading370■■■■■
Piezoelectric_Pb(Zrx,Ti1-x)O3_thin_film_cantilever_and_bridge_acoustic_sensors_for_miniaturized_photoacoustic_gas_detectors370■■■■■
MgZn単結晶体と多結晶体の通電拡散接合369■■■■■■■■■■■■
ホットエンボッシングによるマイクロポリマーアクチュエータの製作369■■■■■■■■■■■■
乾燥フォトレジストを用いる迅速試作:μ流体用ソフトリソグラフィ原版の微細加工369■■■■■■■■■■■■
刺激応答性ヒドロゲルによって駆動される適応型液体マイクロレンズ369■■■■■■■■■■■■
半導体チップで免疫測定、日立、その場で微量たんぱく検出369■■■■■■■■■■■■
多層集積におけるボンディングプロセスの影響(ウエハ剛性)369■■■■■■■■■■■■
放射性物質により発電して動作する真空センサ369■■■■■■■■■■■■
電気化学を用いた酸性化によるガラスの局所湿式エッチング369■■■■■■■■■■■■
バックル曲げ作用のはく離を利用したSU-8フォトレジストの除去368■■■■■■■■■■■
リコンフィギュアラブルICに向けたCMOSMEMSプローブの作製368■■■■■■■■■■■
Electroplated_Metal_Microstructures_Embedded_in_Fusion-Bonded_Silicon:_Conductors_and_Magnetic_Materials368■■■■■■■■■■■
内部加工されたSiウェハ割断に要する曲げ応力の加工層数依存性(パルス幅10ns)368■■■■■■■■■■■
多層SU-8マイクロ構造体の製造368■■■■■■■■■■■
研究開発レター 光近接場ファイバ型マイクロ化学センサ367■■■■■■■■■■
高密度貫通配線を有するシリコン基板367■■■■■■■■■■
陽極酸化によるSiニードルの作製方法367■■■■■■■■■■
Adapting_MCM-D_technology_to_a_piezoresistive_accelerometer_packaging367■■■■■■■■■■
3D_flexible_multichannel_neural_probe_array366■■■■■■■■■
A_Water-Powered_Micro_Drug_Delivery_System366■■■■■■■■■
CNTs-固体化成形技術8-固体化後のCNT366■■■■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術7366■■■■■■■■■
レーザー内部加工によるガラス/Si多層ウェハ割断のレーザースキャン回数依存性366■■■■■■■■■
三層の陽極接合366■■■■■■■■■
マイクロコンタクトプリンティングによるカーボンナノチューブエミッタ365■■■■■■■■
半導体回路線幅18ナノに、ナノインプリント方式、大日本印刷が微細化技術365■■■■■■■■
実用化技術:LCPの低温Cuラミネート365■■■■■■■■
導電で長さ2倍;山梨大,伸縮するプラスチック部品365■■■■■■■■
An_Additive_Micromolding_Approach_for_the_Development_of_Micromachined_Ceramic_Substrates_for_RF_Applications365■■■■■■■■
CNT-多層カーボンナノチューブ-直線ベアリングナノスイッチ365■■■■■■■■
Embedded_conductor_technology_for_micromachined_RF_elements365■■■■■■■■
静電アクチュエータとラチェット機構を利用したマイクロ直線搬送デバイス(平行駆動モード)365■■■■■■■■
酸化絶縁膜の微細トレンチ形成技術365■■■■■■■■
陽極接合の低温化(ガラス電極接触膜の影響)365■■■■■■■■
小型光学式粘度センサ364■■■■■■■
直接接合を用いた3次元ヘテロ構造デバイス364■■■■■■■
WLAN帯域可変フィルタ364■■■■■■■
ポリマーのプラズマ処理による直接接合364■■■■■■■
レーザーによるガラス表面近傍の内部加工364■■■■■■■
Electrostatic_Actuators_With_Expanded_Tuning_Range_Due_to_Biaxial_Intrinsic_Stress_Gradients364■■■■■■■
MEMSチューナブル垂直キャビティ面発光レーザ364■■■■■■■
Auナノ粒子を用いたDNAサイズモニタリング363■■■■■■
CMOSMEMSで作製した高g用加速度センサ363■■■■■■
CNTs-アクチュエータ-多層カーボンナノチューブ-1363■■■■■■
Design,Fabrication,and_Testing_of_a_Prototype_Microthermophotovoltaic_System363■■■■■■
PDMS_3次元構造体中に形成した分流と再合流するマイクロミキサ363■■■■■■
液晶をマスクに使い、配向制御による立体形状露光363■■■■■■
セラミック基板への表面活性化常温フリップチップ実装プロセスの開発363■■■■■■
ポリマーによるナノポーラスグレーティング構造363■■■■■■
ポリマー熱圧着接合プロセスのアライメント精度への影響(接合前アライメントより)363■■■■■■
フレキシブル基板への光リソグラフィを用いたサブミクロンパタン形成362■■■■■
CNT-メンブレン細孔分布362■■■■■
GaAsのEpi_Film_Bonding技術362■■■■■
様々な金属触媒によるSWNTの合成362■■■■■
常温ウエハ接着&キャビティ封止361■■■
微小機械部品評価に関する研究361■■■
アルミニウムでラミネートしたカーボンナノチューブカンチレバー361■■■
ソフトPDMS結合を用いた高効率3Dマイクロミキサ361■■■
ナノスケールでの金属/自己組織化単分子膜/金属のへテロ構造361■■■
Cuメッキとスプレーコーティングによる3次元コイルの作製361■■■
CMOSチップのポストプロセスで作製した面外方向加速度センサ360■■■
CNTギャップに架橋した単一のDNA鎖の伝導性360■■■
CNTスーパーグロース法-水分添加による触媒賦活効果-360■■■
Coventor_Launches_“Design_Tool_Sets”_for_automotive_sensors360■■■
Inside_New_Technology_;_MEMSアプリケーション(2) 携帯電話機はRF回路とストレージに期待360■■■
光発電による静電アクチュエーターの直接駆動360■■■
貫通配線ガラスの作製のためのパイレックスガラスのDRIE360■■■
インクジェットプリンティング技術を用いた濃縮分離デバイスの作製360■■■
ポリマー基板上のマルチモーダル触覚センサ359■■■■■■■■■■■■
波長可変垂直キャビティ半導体光増幅器の作製359■■■■■■■■■■■■
A_Planar_Approach_for_Manufacturing_Cardiac_Stents:_Design,Fabrication,and_Mechanical_Evaluation359■■■■■■■■■■■■
Extraction_of_heat-transfer_macromodels_for_MEMS_devices359■■■■■■■■■■■■
輪郭描画法による大小開口の同時作製359■■■■■■■■■■■■
高アスペクト比の金属構造体製作用のマイクロ粉末射出成形359■■■■■■■■■■■■
単一モード光ファイバーの微細加工2次元アレイ358■■■■■■■■■■■
可動部レスで極小ポンプ358■■■■■■■■■■■
油封入での液滴ベースのマイクロ反応358■■■■■■■■■■■
紫外線硬化樹脂の注入による凹レンズの作製358■■■■■■■■■■■
Design_of_Microresonators_Under_Uncertainty358■■■■■■■■■■■
MEMSスイッチの接点材料選択-1358■■■■■■■■■■■
Robust_latching_MEMS_translation_stages_for_micro-optical_systems358■■■■■■■■■■■
A_Novel_Fiber-Optic_Biosensor_for_On-Line_Monitoring_of_Cell_Cultivation357■■■■■■■■■■
CNTウエハーによるカンチレバー構造357■■■■■■■■■■
Development_of_a_tRNA-Synthestase_Microarray_for_Protein_Analysis357■■■■■■■■■■
LiNbO3のエッチレートの結晶方位依存性357■■■■■■■■■■
Moving_reflector_type_micro_optical_switch_for_high-power_transfer_in_a_MEMS-based_safety_and_arming_system357■■■■■■■■■■
Optomechanical_Characterization_of_Mechanically_Deflected_Free-Standing_Polymer_Waveguides357■■■■■■■■■■
Poly-Siによる1チップMEMSジャイロ357■■■■■■■■■■
金属ナノ粒子および合金ナノ粒子ペーストによる微細回路形成357■■■■■■■■■■
ナノインプリントでハーフ・ピッチ24nmのパターンを形成357■■■■■■■■■■
位置決め用垂直くし歯型アクチュエータのクロストーク低減設計356■■■■■■■■■
高抵抗Si基板低電圧駆動型容量型RFMEMSスイッチ356■■■■■■■■■
A_Design_Methodology_for_a_Bulk-Micromachined_Two-Dimensional_Electrostatic_Torsion_Micromirror356■■■■■■■■■
A_low-power_resonant_micromachined_compass356■■■■■■■■■
Gas_Sensing_with_Titania_Thick_Films356■■■■■■■■■
MEMS対向探針による金ナノコンタクト接近-衝突-引張-破断実験のHRTEM観察356■■■■■■■■■
共振マイクロカンチレバー化学センサー用の強軸曲げモード振動の理論的分析356■■■■■■■■■
塩素原子ビームを用いたSiエッチングにおけるUV照射による表面反応増大効果356■■■■■■■■■
液体のパリレンを用いた封入プロセス356■■■■■■■■■
硬質磁性材料のCoPtPの電着および磁性MEMSへの集積化356■■■■■■■■■
各種試料表面への突起構造形成(軸対称偏光ビーム照射)355■■■■■■■■
エレクトロマイグレーションによるナノインプリントパターンの破断を用いたナノギャップ作成法355■■■■■■■■
An_Approach_for_Increasing_Drive-Mode_Bandwidth_of_MEMS_Vibratory_Gyroscopes355■■■■■■■■
An_In-Plane_High-Sensitivity,Low-Noise_Micro-g_Silicon_Accelerometer_With_CMOS_Readout_Circuitry355■■■■■■■■
CNT-光伝導度355■■■■■■■■
MEMS_technologies_for_epiretinal_stimulation_of_the_retina355■■■■■■■■
2D高密度アレイ「鍬」形状金属チップによるMEMSプローブ・カード354■■■■■■■
前立腺がん9割発見;筑波大と日立メディコ,超音波で硬さ診断354■■■■■■■
容量性両端固定梁RF_MEMSコンポーネント用の自己整合加工プロセス354■■■■■■■
希薄度と非希薄度の効果を統合するガスマイクロ対流の研究354■■■■■■■
櫛歯駆動回転マイクロミラー354■■■■■■■
高精度MEMSセンサーやADASなど、車載用先進デバイス提供(ADI)354■■■■■■■
電解質中のイオン挙動を利用した振動センサ354■■■■■■■
小型燃料電池を量産、来春出荷へ(京都市353■■■■■■
微小電子機械、8インチ用量産ライン、大日本印刷40億投じ新設353■■■■■■
注射針「蚊の口」再現、MEMS技術を応用(関西大学)353■■■■■■
流体抵抗型ベンディングセンサとバルンアクチュエーター353■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術9353■■■■■■
表面活性化接合を用いたMEMS低応力ウエハレベルパッケージ353■■■■■■
3次元実装のための電気メッキ銅充填353■■■■■■
P(VDF-_TrFE_)多層マイクロアクチュエータ構造の穏やかな乾式エッチング353■■■■■■
光で動く分子ピンセット、東大が合成に成功352■■■■■
微細な穴を通る1分子、東大が成功、TEMで直接観察352■■■■■
細胞扱うマニピュレーター、産総研、小型で操作簡単352■■■■■
2方向斜めエッチングによる3次元フォトニック結晶の作製方法352■■■■■
解説 触覚ディスプレイ装置におけるアクチュエータ技術352■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長800nm、パルス幅〜100fs、軸対称偏光)352■■■■■
レゾネータの直列接続によるQ値のブースト効果352■■■■■
ガラス内部クラック形状のレーザー波長依存性351■■■
ボクセル:_内容量を密閉するマイクロデバイス351■■■
網膜走査ディスプレイ、ブラザーが製品化へ351■■■
Cellular_microarrays_for_Chemical_Sensing351■■■
Precision_Poly-(Dimethyl_Siloxane)_Masking_Technology_for_High-Resolution_Powder_Blasting351■■■
A_Single-Layer_PDMS-on-Silicon_Hybrid_Microactuator_With_Multi-Axis_Out-of-Plane_Motion_Capabilities―Part_II:_Fabrication_and_Characterization350■■■
Integration_of_a_polymeric_planar-lightwave-circuit_chip_based_on_a_polymer_microsystem_and_a_UV_imprinting_technique350■■■
大学産学連携_生活支援ロボット350■■■
マイクロカンチレバーを用いた薄膜材料のヤングモジュール測定350■■■
超音波イメージングを用いたフリップチップ実装の欠陥検査350■■■
高アスペクト比のたて型くし歯動作アクチュエータ350■■■
超音波によるマイクロ流体のミキシングとスイッチング349■■■■■■■■■■■■■■■■
金属製微小ピペットアレイ作製技術349■■■■■■■■■■■■■■■■
解説 InSb単結晶薄膜の物性と磁気センサ応用349■■■■■■■■■■■■■■■■
転写TFTでプロセッサまで作った例349■■■■■■■■■■■■■■■■
全反射(エバネッセント)照明を用いた高感度蛍光検出デバイス349■■■■■■■■■■■■■■■■
櫛歯アクチュエータの安定性を向上する支持構造の解析349■■■■■■■■■■■■■■■■
CNTを用いたCNTウエハー349■■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSスイッチの接点材料選択-2349■■■■■■■■■■■■■■■■
Magnetic_coreを有するインダクタの作製349■■■■■■■■■■■■■■■■
Nonlinear_heat-transfer_macromodeling_for_MEMS_thermal_devices349■■■■■■■■■■■■■■■■
Polydimethylsiloxane-based_pattern_transfer_process_for_the_post-IC_integration_of_MEMS_onto_CMOS_chips349■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロチップ電気泳動を利用したタンパク質の分離法349■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ機械的スキャナー用振動モード周波数公式349■■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロコンタクトMEMSリレーデバイスの電気抵抗特性評価348■■■■■■■■■■■■■■■
熱酸化を用いた単結晶シリコンナノワイヤの作成方法348■■■■■■■■■■■■■■■
1入力、8切替出力のRF_MEMS回転スイッチ348■■■■■■■■■■■■■■■
Issues_&_challenges_of_MEMS_wafer-level_packaging348■■■■■■■■■■■■■■■
2次元熱伝導によるマイクロ機構共振器の熱弾性減衰の理論347■■■■■■■■■■■■■■
Mechanical_Stability_of_a_Latching_MEMS_Variable_Optical_Attenuator347■■■■■■■■■■■■■■
Simulation_studies_on_nonlinear_dynamics_and_chaos_in_a_MEMS_cantilever_control_system347■■■■■■■■■■■■■■
ポリシリコン表面マイクロマシンにおける静的摩擦347■■■■■■■■■■■■■■
微小流路内の液体攪拌用光ミキサー347■■■■■■■■■■■■■■
振動を用いた表面実装部品のウエハへの配列347■■■■■■■■■■■■■■
共振型マイクロ加速度センサに関する研究(第1報)346■■■■■■■■■■■■■
振動型エレクトレット発電器346■■■■■■■■■■■■■
3次元構造体化用の動マスクUVリソグラフィ346■■■■■■■■■■■■■
CNTとイオン液体による伸縮配線材料346■■■■■■■■■■■■■
STMを用いたシリコン基板上におけるナノクレーターの作成方法346■■■■■■■■■■■■■
ポリ弗化ビニリデン(PVDF)からなる圧電膜のフェムト秒レーザマイクロ加工346■■■■■■■■■■■■■
マスク無しのポストCMOSバルク微細加工プロセスおよびその応用346■■■■■■■■■■■■■
低コスト、大規模マイクロ流体工学用のPMMAの深-UVパターニング346■■■■■■■■■■■■■
XRD引張り試験による多結晶窒化チタン(TiN)膜の機械的特性345■■■■■■■■■■■■
バイオチップに用いるマスク無UVリソグラフィ用Siマイクロミラーアレイ345■■■■■■■■■■■■
ピストン方式マイクロミラーの動きに関する簡単なモデル345■■■■■■■■■■■■
ヘテロ統合のための毛管力を用いたウェハ再構成技術345■■■■■■■■■■■■
印刷法によるプラスチックMEMSと有機FETを用いた大面積フレキシブル電送シート345■■■■■■■■■■■■
格納容器とマイクロヒータを用いたβガラクドシダーゼの温度依存活性測定345■■■■■■■■■■■■
非対称円形圧電バイモルフの理論的モデル化345■■■■■■■■■■■■
高スループットナノインプリントのための自己組織化テンプレート345■■■■■■■■■■■■
Arrays_of_Monocrystalline_Silicon_Micromirrors_Fabricated_Using_CMOS_Compatible_Transfer_Bonding345■■■■■■■■■■■■
MEMS素子のくし型静電駆動動作を測定する高感度電子静電容量測定システム345■■■■■■■■■■■■
Polyvinyl_Alcohol-co-Styrene_Sulfonate/FeCl2_Composite_as_Humidity_Sensing_Material344■■■■■■■■■■■
Suppression_of_leakage_current_via_formation_of_a_sidewall_protector_in_the_microgated_carbon_nanotube_emitter344■■■■■■■■■■■
スタンピングによる有機ELのマイクロ加工344■■■■■■■■■■■
マイクロ電位計のシステムレベルシミュレーション343■■■■■■■■■■
世界最薄の全高1.5ミリ、松下、携帯機器用マイクロSP開発343■■■■■■■■■■
1チップでDNA検出、奈良先端大、LSIセンサー開発、大型の光学機器不要に343■■■■■■■■■■
Analytical_Behavior_of_Rectangular_Electrostatic_Torsion_Actuators_With_Nonlinear_Spring_Bending343■■■■■■■■■■
CNT-垂直配向スイッチ・メモリ343■■■■■■■■■■
CNT-ポリマーとのハイブリッド材料343■■■■■■■■■■
集積化ヒータを用いたファインジェット343■■■■■■■■■■
高分解能SEM観察用コーティング材料343■■■■■■■■■■
バクテリアによって駆動するマイクロ構造物342■■■■■■■■■
ポリミドとCuを用いたインダクタの作製342■■■■■■■■■
分子センサーを用いたマイクロ流路の圧力計測342■■■■■■■■■
半導体受託TSMC幹部に聞く;最高技術責任者胡正明氏,液侵技術で3世代先露光342■■■■■■■■■
業界最小の1.8ミリ角x長さ6ミリ、アルプス電気、圧電アクチュータ342■■■■■■■■■
表面弾性波による流路を流れるビーズのパターニング342■■■■■■■■■
表面活性化:プラスマ活性化を用いたSOI基板へのレーザ実装342■■■■■■■■■
CNT-メンブレンの液体透過特性B342■■■■■■■■■
CNTs-加工成形-02342■■■■■■■■■
Electrical_Contact_Resistance_as_a_Diagnostic_Tool_for_MEMS_Contact_Interfaces342■■■■■■■■■
ナノステンシルリソグラフィーによるフルウェハのCMOS上へのNEMSの集積技術341■■■■■■■
マイクロ組立用のパッケージ組込みMEMSベース熱アクチュエータ341■■■■■■■
一軸熱対流ガス式ジャイロスコープ341■■■■■■■
金属とガラスの陽極接合341■■■■■■■
赤外イメージング341■■■■■■■
反磁性捕獲モードの血球用磁気マイクロ分離装置341■■■■■■■
異種材料ウエハ融着:3次元フォトニック結晶への発光体の導入341■■■■■■■
抵抗膜方式タッチパネルセンサの電磁波シールド効果340■■■■■■■
接合前アライメント精度:直接(透過式)アライメント340■■■■■■■
細胞モーター駆動のマイクロ流体デバイス340■■■■■■■
表面プラズモン共振を利用した臭気センサー340■■■■■■■
Siのレーザー加工特性(波長400nm)340■■■■■■■
シリコン-ポリマーハイブリッド化技術340■■■■■■■
A_silicon_microspeaker_for_hearing_instruments340■■■■■■■
Cover_Story_;_メムス・コア 多品種少量で攻め,MEMS産業化をリード340■■■■■■■
How_the_role_of_process_control_makes_MEMS_work340■■■■■■■
N_NEXUS-News_NEXUS_2002_FORUM_REPORT340■■■■■■■
高い面外剛性のシリコンプレートばねの両側面製造方法340■■■■■■■
超臨界流体を用いた酸化膜製膜339■■■■■■■■■■■■■■■
X線二重露光法によるPMMA3次元加工技術339■■■■■■■■■■■■■■■
マイクロガスタービン用高速ベアリング:_箔膜ベアリングの安定性の解析339■■■■■■■■■■■■■■■
メサ技術を用いたICとティップの集積化339■■■■■■■■■■■■■■■
研究センターを設立、産総研、創薬支援技術など開発339■■■■■■■■■■■■■■■
CVD-カーボンナノチューブを選択的に合成する339■■■■■■■■■■■■■■■
DRIEと拡散による垂直チャネルマイクロヒータ339■■■■■■■■■■■■■■■
Feature特集 マイクロ・テクノロジー ―MEMS、部品内蔵基板の現状―339■■■■■■■■■■■■■■■
MEMSに適用するための疎水性コーティング339■■■■■■■■■■■■■■■
Production_and_characterization_of_a_hydraulic_microactuator339■■■■■■■■■■■■■■■
Design_and_fabrication_of_an_integrated_microsystem_for_microcapillary_electrophoresis338■■■■■■■■■■■■■■
Freeze_tweezer_to_manipulate_mini/micro_objects338■■■■■■■■■■■■■■
もっと“広がりのある”MEMS技術を338■■■■■■■■■■■■■■
シリコンの等方性エッチングにおける異方性の実験的研究338■■■■■■■■■■■■■■
スタンピングによって半球面状に配置されたフォトディテクタアレイ338■■■■■■■■■■■■■■
マイクロチャンネル内の相変化ピストンの内蔵型動作338■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ流体デバイスの為の新たなハイブリッド材料338■■■■■■■■■■■■■■
厚いSi上絶縁体の高-Qスパイラルインダクターの特性338■■■■■■■■■■■■■■
双方向バルブレスシリコンマイクロポンプ338■■■■■■■■■■■■■■
形状記憶機能を有する圧電セラミックスを開発(東京大)338■■■■■■■■■■■■■■
標準CMOS_Back-End-Of-Lineプロセスで製作した表面MEMS構造の信頼性338■■■■■■■■■■■■■■
熱反応PDMSアクチュエータ337■■■■■■■■■■■■■
特集_;_量産マイクロマシン技術「AccurForming」337■■■■■■■■■■■■■
A_Reduced-Order_Model_for_Electrically_Actuated_Microbeam-Based_MEMS337■■■■■■■■■■■■■
Development_of_Si-SiC_Hybrid_Structures_for_Elevated_Temperature_Micro-Turbomachinery337■■■■■■■■■■■■■
In_situ_electrostatic_microactuators_for_measuring_the_Young's_modulus_of_CMOS_thin_films337■■■■■■■■■■■■■
Integrated_Fabrication_of_Polymeric_Devices_for_Biological_Application337■■■■■■■■■■■■■
LSI配線プロセスによる圧力センサ集積化CMOS_LSI337■■■■■■■■■■■■■
カーボンナノチューブの成長におけるシリコン酸化膜の厚さの依存性337■■■■■■■■■■■■■
マイクロブリッジ構造を用いたポストCMOSインテグレーション337■■■■■■■■■■■■■
マイクロ流のモデル予測流体力学的調整337■■■■■■■■■■■■■
ホットエンボスと低温直接接合の組み合わせによるPMMAマイクロチップ336■■■■■■■■■■■■
マイクロ流路内における細胞スケールでの流体ダイナミクスのための高速圧力計測336■■■■■■■■■■■■
信頼性の高いデジタル型単結晶シリコン(SCS)のRF_MEMS可変コンデンサー336■■■■■■■■■■■■
切り替え速度1ミリ秒;80チャンネル光スイッチ,富士通研と富士通,ミラーの共振を抑制336■■■■■■■■■■■■
吊るしたマイクロメカニカルプレートの総体的ばね定数のモデル化336■■■■■■■■■■■■
複合共振器のバックリングと自由振動336■■■■■■■■■■■■
Modelling_squeeze_film_effects_in_a_MEMS_accelerometer_with_a_levitated_proof_mass336■■■■■■■■■■■■
SAMによる表面改質を利用した高分子、Alパターンの自己整合配置技術336■■■■■■■■■■■■
11-MUA/カリックス(6)アレーン二分子層を用いたバイオ化学検出システム335■■■■■■■■■■■
A_measurement_of_Young’s_modulus_and_residual_stress_in_MEMS_bridges_using_a_surface_profiler335■■■■■■■■■■■
CNTs 圧力センサー2335■■■■■■■■■■■
Design_of_a_linear_micro-feeding_system_featuring_bistable_mechanisms335■■■■■■■■■■■
マルチプローブによるパラレルナノライティング技術335■■■■■■■■■■■
修正ゾル・ゲル法により成長させた1〜10μmのPZT膜335■■■■■■■■■■■
微細ピッチテスト用たて型ガイド付の堅牢なMEMSプローブカード335■■■■■■■■■■■
曲げても平気な太陽電池335■■■■■■■■■■■
内視鏡、磁力で操作;東北大,複雑な腸内,短時間で移動334■■■■■■■■■■
垂直に配列したサーモパイルのPCB状プロセス334■■■■■■■■■■
Determination_of_mechanical_properties_of_PECVD_silicon_nitride_thin_films_for_tunable_MEMS_Fabry-Perot_optical_filters334■■■■■■■■■■
PEDOTの歪特性334■■■■■■■■■■
Robust_Mask-Layout_and_Process_Synthesis334■■■■■■■■■■
ポリマーMEMSにおけるstiction_valve製作の為の液体封入方法334■■■■■■■■■■
レーザーによるSi表面近傍の内部加工334■■■■■■■■■■
大駆動力&低損失金属接点を保有するRF-MEMS_スイッチの開発333■■■■■■■■■
導電性ポリマーを記録媒体としたMEMSプローブ記録333■■■■■■■■■
CNT-高周波振動子333■■■■■■■■■
MEMSマイクロ直接メタノール燃料電池(μDMFC)用Nafion_(R)_117の新規改良333■■■■■■■■■
A_Wafer-Scale_Membrane_Transfer_Process_for_the_Fabrication_of_Optical_Quality,_Large_Continuous_Membranes332■■■■■■■■
Fabrication_and_characterization_of_a_micromachined_passive_valve332■■■■■■■■
マイクロ放電加工の穴特性に対する誘電体中に浮遊する粉末添加の効果332■■■■■■■■
高速超小型ターボ過給機の作製と試験332■■■■■■■■
光分解性シランカップリング剤を用いた単分子膜のパターニング332■■■■■■■■
TSVとWBとの高周波特性比較331■■■■■■
ペンタセントランジスタによる有機LED点灯制御回路331■■■■■■
世界最小指紋センサー;米オーセンテック,8月にも日本発売331■■■■■■
CNTs-固体化成形技術7-CNT固体厚膜作成技術331■■■■■■
Fabrication_of_keyhole-free_ultra-deep_high-aspect-ratio_isolation_trench_and_its_applications331■■■■■■
LSI検査用部品、次世代型製品開発競争が激化、「MEMS型」に照準330■■■■■■
表面活性化:窒化ガリウムと異種材料の低温接合330■■■■■■
表面プラズモン共鳴を利用した赤外光源329■■■■■■■■■■■■■■
表面活性化:Arプラズマ活性化を用いたサブミクロンAuパターン接合329■■■■■■■■■■■■■■
AIST_RESEARCH_HOT_LINE_;_ホットエンボス成形技術の開発 MEMS製造技術の低コスト化に向けて329■■■■■■■■■■■■■■
Business_MEMS_drives_innovation_in_auto_sector329■■■■■■■■■■■■■■
CNT-フィルター特性1329■■■■■■■■■■■■■■
Dependence_of_the_Anisotropy_of_Wet_Chemical_Etching_of_Silicon_on_the_Amount_of_Surface_Coverage_by_OH_Radicals329■■■■■■■■■■■■■■
MRSのための針型マイクロコイルの作製329■■■■■■■■■■■■■■
リニア型モーター;小型・ナノ制御可能に,セイコーインスツルメンツ,携帯機器など向け329■■■■■■■■■■■■■■
マイクロ流体素子を目的とした金属電極埋め込みPDMS三次元構造体組み立て技術328■■■■■■■■■■■■■
CNT―高い周波数-スイッチ-1328■■■■■■■■■■■■■
MEMSアプリケーション(4)「ポリマーMEMS」をSi上に形成“柔軟・透明”を生かしたバイオ・光へ328■■■■■■■■■■■■■
MEMS可変キャビティーによる面発光レーザーの単一モード発振・波長チューニング328■■■■■■■■■■■■■
水晶で加速度センサー、エプソントヨコム、検出精度10倍に328■■■■■■■■■■■■■
生体細胞上の並列潅流実験用ハイブリッドマイクロシステム328■■■■■■■■■■■■■
厚さ0.2mmのウェハーレベルパッケージを開発(フジクラ)327■■■■■■■■■■■■
最先端LSI、パターン作製、高速化、クレステックが開発、回路0.3秒で描く327■■■■■■■■■■■■
環境振動発電デバイスを開発(オムロン)327■■■■■■■■■■■■
7GHz_RF回路に逆Fアンテナを集積化327■■■■■■■■■■■■
バイオ化学試料分析に使われる一体型圧電マイクロ噴霧器の作製327■■■■■■■■■■■■
マイクロミラーの形成技術327■■■■■■■■■■■■
適応性のあるマイクロボロメータの設計と特性327■■■■■■■■■■■■
Mold-type_SiC_field_emitters_with_heavily_boron-doped_gates326■■■■■■■■■■■
感温性樹脂を用いたマイクロリッター量ポンプ326■■■■■■■■■■■
真空封止:評価デバイス326■■■■■■■■■■■
Si基板中空洞形成プロセスの圧力センサ応用326■■■■■■■■■■■
ボルタンメータ的電子舌とパターン認識を用いた赤ワインの年代識別法326■■■■■■■■■■■
一般論文 カメラ付きPocket_PC326■■■■■■■■■■■
パルス駆動湾曲ビーム電熱アクチュエータの衝撃作用とエネルギー伝達効率325■■■■■■■■■■
MEMSアクチュエータつきナノギャップの作成法325■■■■■■■■■■
Modelling_electrostatic_behaviour_of_microcantilevers_incorporating_residual_stress_gradient_and_non-ideal_anchors325■■■■■■■■■■
金薄膜を介在層に用いたPZTバルクセラミックスと単結晶シリコンウエハの接合技術325■■■■■■■■■■
熱アクチュエータのためのステップブリッジ作製技術325■■■■■■■■■■
研究開発レター 酵素膜形状と酵素反応の表面プラズモン共鳴による測定325■■■■■■■■■■
分割した平板の同調できる線形MEMSキャパシタの開発324■■■■■■■■■
微小座標測定の為の、先端に球を持つ微小針の製作324■■■■■■■■■
微小管極性の整流素子324■■■■■■■■■
海外文献紹介 静電付着マイクログリッパー G.Monkmann”Electroadhesive_Microgrippers_Industrial_Robot”2003,_Vol.30,_No.4,pp326-330324■■■■■■■■■
50nm〜mm厚の連続パターン形成時の2重薄膜過剰エッチング後の残留パターン324■■■■■■■■■
BSE判定;1秒,簡易診断チップ,九州大・東北大が開発へ,若齢牛にも,経営リスク大幅軽減324■■■■■■■■■
Improved_fabrication_of_micro_air-channels_by_incorporation_of_a_structural_barrier324■■■■■■■■■
Liquid_flow_in_a_micro-channel324■■■■■■■■■
New_MEMS_display_uses_flipping_pixel_concept324■■■■■■■■■
SiGeナノワイヤの成長と特性化324■■■■■■■■■
UVナノインプリント法を用いた貫通電極形成方法324■■■■■■■■■
パターンを形成したAl(100)箔のHClによる電気化学エッチング324■■■■■■■■■
世界最小厚さ1mm;旭化成が方位角センサーIC,微弱な地磁気増幅,携帯電話向けなど324■■■■■■■■■
シリコンエッチングのアンダーカットの電気的測定例323■■■■■■■■
マイクロ化学リアクタ用の微細加工した薄膜ガス流センサ323■■■■■■■■
低レイノルズ数で混合に使われる障害物付きパッシブ平面マイクロミキサー323■■■■■■■■
A_Microfabricated_Wall_Shear-Stress_Sensor_With_Capacitative_Sensing323■■■■■■■■
A_reduced-order_model_for_electrically_actuated_microplates323■■■■■■■■
CMOS-compatible_micromachining_techniques_for_fabricating_high-performance_edge-suspended_RF/microwave_passive_components_on_silicon_substrates323■■■■■■■■
LIGA-likeプロセスによる導波路型光デバイスの電鋳型形成技術323■■■■■■■■
Multi-layer_SU-8_lift-off_technology_for_microfluidic_devices323■■■■■■■■
軟鋼上のCrN/TiAlN多層膜歪ゲージ用の製造プロセス323■■■■■■■■
近接場光を利用したナノリソグラフィ技術322■■■■■■■
Site-Specific_Enhancement_of_Gene_Transfection_Utilizing_an_Attracting_Electric_Field_for_DNA_Plasmids_on_the_Eletroporation_Microchip322■■■■■■■
Water-in-oil_dropletアレイ322■■■■■■■
CO2_laser_annealing_of_sputtering_deposited_NiTi_shape_memory_thin_films322■■■■■■■
Comparison_of_microtweezers_based_on_three_lateral_thermal_actuator_configurations322■■■■■■■
MST/MEMS_FOR_SAFETY_AND_SECURITY_VDI|VDE|IT_;_Safety_and_Security_for_Vehicles321■■■■■
原子間力顕微鏡を用いた光―熱膨張の理論的、実験的研究321■■■■■
薬液0.5マイクロリットル注入;微小ポンプ,日機装,「圧電素子」を応用321■■■■■
有限の傾斜角におけるねじれミラーの圧縮膜空気減衰320■■■■■
構造内部に浸透させる液体封止パッケージ技術320■■■■■
異方性シリコンエッチングによる錘状電極の作製技術320■■■■■
A_Hydrogel-Actuated_Environmentally_Sensitive_Microvalve_for_Active_Flow_Control320■■■■■
Composite_elastic_magnet_films_with_hard_magnetic_feature320■■■■■
Cross-Linked_PMMA_as_a_Low-Dimensional_Dielectric_Sacrificial_Layer320■■■■■
Design_and_performance_analysis_of_thermally_actuated_MEMS_circuit_breakers320■■■■■
ナノワイヤーカップリングされたマイクロレゾネータによるバンドパスフィルタ320■■■■■
バルクPZT作動のMEMS可変鏡の設計、作製と特性化319■■■■■■■■■■■■
光MEMS―通信応用から画像応用へ―319■■■■■■■■■■■■
手のひらに載る韓国製プロジェクターを発売(アドテック、ユニードエレクトロ)319■■■■■■■■■■■■
高アスペクト比カーボン微細構造体の作製技術319■■■■■■■■■■■■
Integrated_Magnetic_Sensing_of_Electrostatically_Actuated_Thin-Film_Microbridges319■■■■■■■■■■■■
多様な加工技術の競争が3次元LSIを低コスト化318■■■■■■■■■■■
慣性/圧縮性/希薄化効果を持つせん孔3D_MEMS構造の小型スクイーズ膜モデル318■■■■■■■■■■■
ZnOナノファイバー酸素センサー318■■■■■■■■■■■
プレーナ型薄膜技術を用いた可撓性熱電気マイクロクーラーの製作318■■■■■■■■■■■
レーザーによるガラス表面近傍の内部加工3318■■■■■■■■■■■
万能DRIEに関して:電気化学エッチング停止と組合せたSiくぼみ構造318■■■■■■■■■■■
世界最小HDD量産;4ギガバイト・0.85インチ型,東芝,青梅工場に新ライン318■■■■■■■■■■■
高分解能CNT-FEDおよび電界放出特性の向上318■■■■■■■■■■■
非対称Y字微細孔への導体充填317■■■■■■■■■■
微小ビームの強度を測定するための新しい方法317■■■■■■■■■■
楕円振動切削加工を用いたマイクロV溝彫りチップ構造の特性317■■■■■■■■■■
生体分子つなぎ微小機械動かす;東大チーム実験成功317■■■■■■■■■■
A_novel_2D_dynamic_cellular_automata_model_for_photoresist_etching_process_simulation317■■■■■■■■■■
Characterizing_Fruit_Fly_Flight_Behavior_Using_a_Microforce_Sensor_With_a_New_Comb-Drive_Configuration317■■■■■■■■■■
DNAを用いた逐次自己組み立て316■■■■■■■■■
Fabrication_of_micronozzles_using_low-temperature_wafer-level_bonding_with_SU-8316■■■■■■■■■
ミクロンスケール構造体の選択的磁気誘導加熱316■■■■■■■■■
Siのレーザー加工特性_(波長800nm、パルス幅_〜_200ps)315■■■■■■■■
ゴルフスイングにおける動力学のための無線MEMS慣性センサシステム315■■■■■■■■
マイクロ流路中に機能性粒子を固定する方法315■■■■■■■■
直接接合プロセスのアライメント精度への影響(接合前アライメントより)315■■■■■■■■
集積化が容易な電気制御マイクロバルブ315■■■■■■■■
CNTs-放電特性315■■■■■■■■
Conformal_hydrophobic_coatings_prepared_using_atomic_layer_deposition_seed_layers_and_non-chlorinated_hydrophobic_precursors315■■■■■■■■
Letters_to_nature_;_Single-crystal_metallic_nanowires_and_metal/semiconductor_nanowire_heterostructures315■■■■■■■■
Development_of_an_End-Point_Detector_for_Parylene_Deposition_Process314■■■■■■■
内部加工されたSiウェハ割断のレーザースキャン回数依存性314■■■■■■■
マイクロ飛行時間質量分析計に用いる2タイプのマイクロイオン源の製作314■■■■■■■
化学や生物の情報を取り込み電子機器が未踏の応用を開拓313■■■■■■
波長可変のブレーズド回析格子313■■■■■■
液体の表面張力を利用した位置合わせ技術8313■■■■■■
BCBを用いたMMIC用3次元低損失パッシブ部品の作製313■■■■■■
MEMS加速度計のビルトイン・セルフテスト313■■■■■■
金属製マイクロ中空針の作製技術313■■■■■■
CNTウエハーによる3次元配線313■■■■■■
電気的測長手法でジュール熱の影響を排除312■■■■■
内部加工されたSiウェハ割断のレーザー走査速度依存性312■■■■■
多孔質シリコン/シリコン複合メンブレンを用いた圧力センサの特性312■■■■■
水晶小片のスプリアス研削用の高速表面マイクロ研磨312■■■■■
磁気トルクを利用したマイクロマシンの小型化に関する検討312■■■■■
Siの内部加工クラック形状の集光位置依存性(パルス幅10ns、高エネルギー)312■■■■■
位相シフトマスクを利用した立体サンプルの露光法312■■■■■
Die-to-Wafer三次元集積化技術312■■■■■
People_MEMS_;_The_sensor_market_rule_by_G.Delapierre,_CEA_leti312■■■■■
A_novel_tank_for_DI_water_reduction_in_MEMS_manufacturing311■■■
CNT-ひずみ印加電気測定311■■■
Microsystems_Motors_of_light_power_MEMS_devices311■■■
Modeling_in-plane_misalignments_in_lateral_combdrive_transducers311■■■