選択レーザアシスト接合(LAB)を用いたMEMS用ウエハレベルパッケージ

出典: finemems

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目次

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Siウエハ上にAu層を介して半田Pb37/Sn63層(50-100um)を低温形成する。CO2レーザを選択的に照射して、局所的に加熱することで、半田層をリフロー、ボンディングを実現する。全体の温度が100℃であるのにたいし、レーザ照射部分はリフロー温度(183℃)まで加熱することが可能である。スクリーン印刷法による半田を用いた場合ではうまく接合されなかったが、共晶半田シートを用いて接合する実験においては、厚化(100um)することで、接合歩留まりが87.5パーセントまで向上した。

対象材料

装置

条件

禁則事項

留意事項

文献情報,参考文献

A. Mohan et al., "A Wafer-Level Packaging Approach for MEMS & Related Microsystems", 2005 Electronic Components and Technology Conference

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