薄くて単一のSiテストダイのマイクロ構造的・機械的・破砕的・電気的な特性

出典: finemems

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目次

記事

シリコンテストダイの薄片化がマイクロ構造的、機械的、破砕的および電気的特性に及ぼす効果を調べた。厚みが525,250,100,50μmの各シリコンウエハを機械研削プロセスにより薄くした。このウエハはダイシングソーとレーザを用いて小片にした。本レーザダイシングは機械的特性に悪い影響を及ぼし、一方破砕強度と曲げ易さは機械的な研削テストのためダイの厚みが減じると共に増加した。破砕したダイをマクロ的・ミクロ的に調べ破砕負荷に依存する破損の様々なモードを示した。テスト結果から、薄片化は電気的には悪い影響は無いことが分った。

文献

Journal of Micromechanics and Microengineering巻-号16-8ページ1519-1529発行年月2006-8 B.Majeed , I.Paul , K.M.Razeeb , J.Barton , S.C.O'Mathuna/Univ.College Cork, IRL

著者

キーワード

thinning process, silicon, die, mechanical grinding process, dicing saw, laser dicing, fracture strength, mechanical grind, fracture load

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