大気圧以上で動作可能なピラニゲージのための超臨界成膜を利用したギャップ狭窄ポストプロセスによる幅50nm深さ5umの銅の垂直溝形成法

出典: BeansCM

事例中の図を表示させるためにはログインして下さい。

←この記事が参考になった方はボタンを押して投票して下さい。

機能・製作用要素 機能要素 電気要素
機能・製作用要素 製作用要素 表面修飾・表面改質
機能・製作用要素 機能要素 機械要素 トレンチ


項目の説明 【必須】

 超臨界プロセスを利用したナノギャップの構築法と、その応用としての常圧駆動するマイクロピラニゲージ(図1、2)。通常、アスペクト比が100を超えるナノギャップをエッチングによって基板上に加工することは、反応性ガスがギャップの内部まで到達せず、困難であった。そこで、DRIEによって作成したギャップに、ポストプロセスとして銅の超臨界成膜を施すことでギャップに均一な成膜を行い、深さ5um、幅50nmのナノギャップを作ることに成功した(図3、4、5)。


 この方法で作られたナノギャップの応用例の一つとして、マイクロピラニゲージを作成した。常圧領域での圧力計測が、ギャップの幅を狭めることによって可能であることを作成したデバイスにより示した(図6)。


図1:ナノギャップを利用した常圧で作動するのピラニゲージの概念図
図2:ナノギャップを利用した常圧で作動するのピラニゲージの構造
図3:ナノギャップの作成手順。DRIEで作成したギャップを銅の超臨界成膜で狭めることによりナノギャップを構築する。
図4:作成したマイクロピラニゲージの写真
図5:ナノギャップの断面図。超臨界プロセスによって、深さ5um、幅50nmのギャップが構築されている。
図6:マイクロピラニゲージの特性

文献情報,参考文献

Masanori Kubota, Yoshio Mita, Takeshi Momose, Aiko Kondo, Yukihiro Shimogaki, Yoshiaki Nakano, and Masakazu Sugiyama, "A 50 nm-WIDE 5 μm-DEEP COPPER VERTICAL GAP FORMATION METHOD BY A GAP-NARROWING POST-PROCESS WITH SUPERCRITICAL FLUID DEPOSITION FOR PIRANI GAUGE OPERATING OVER ATMOSPHERIC PRESSURE," in proceedings of 25th IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems.

コメント

←この記事が参考になった方はボタンを押して投票して下さい。